You are on page 1of 192

DISPOZITIVE ELECTRONICE ŞI OPTOELECTRONICE

Aldo DE SABATA








Bibliografie – DEO

[1] P. E. Gray, C. L. Searle, Bazele electronicii moderne, vol. 1, Ed. Tehnică, Bucureşti,
1973.

[2] S. Ionel, Dispozitive şi circuite electronice, Ed. "Politehnica", Timişoara, 2005.

[3] A. S. Sedra, K. C. Smith, Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 2004

[4] P. Horowitz, W. Hill, The Art of Electronics, Cambridge University Press, 1999.

[5] J. Millman, A. Grabel, Microelettronica, McGraw Hill

[6] C. D. Căleanu, Dispozitive şi circuite electronice – experimente şi simulare, Editura
"Politehnica", Timişoara, 2003.
Curs DEO, 2013


Introducere
Echivalenţa Thévénin
Semnale sinusoidale
Puterea semnalelor periodice
Caracteristica statică a joncţiunii pn. Dioda
Caracteristica statică a diodei – aplicaţii
Model simplu pentru diodă la semnale mari – modelul 1
Transformator funcţional cu diode
Modele pentru diode. Tensiunea de deschidere.
Limitator simetric cu diode
Redresoare monoalternanţă
Filtrarea pulsaţiilor la redresoare
Redresoare bialternanţă (dublă alternanţă)
Aplicaţii
Semiconductoare intrinseci
Joncţiunea pn
Rezistenţa dinamică a diodei
Străpungerea joncţiunii pn
Stabilizator cu diodă Zener
Tranzistorul bipolar – introducere
Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar
Circuite echivalente şi caracteristici ale tranzistorului bipolar
Circuite echivalente pentru tranzistorului bipolar care ţin cont de curenţii de saturaţie
Circuite echivalente în regiunile de saturaţie şi de blocare ale tranzistorului bipolar
Exemplu: amplificator cu un tranzistor în conexiunea emitor comun (EC)
Caracteristicile complete ale tranzistorului bipolar
Parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar – parametrii h
Modelul natural (π), de semnal mic al tranzistorului bipolar (Giacoletto)
Preamplificator elementar cu un tranzistor în conexiunea emitor comun (EC)
Aplicaţii – TB
Tranzistorul cu efect de câmp de tip metal – oxid – semiconductor (MOS)
Rezistenţă comandată – exemplu
Tranzistoare MOS cu canal iniţial
Modelul de semnal mic al tranzistoarelor cu efect de câmp
Amplificator de semnal mic cu MOS – FET: exemplu
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune JFET
Amplificator de semnal mic cu J – FET: exemplu
Lumina – generalităţi
Semiconductoare – benzi energetice
Dioda emiţătoare de lumină (Light Emitting Diode - LED)
Aplicaţii simple cu diode electroluminiscente
Fotodetectoare
Fototranzistorul
Aplicaţii simple ale fotodetectoarelor





1
Introducere

• Microelectronică: tehnologia circuitelor integrate care produce circuite cu milioane
de componente pe o bucată mică de siliciu (Si), numită chip, având aria de ordinul de
mărime a 100 mm
2
. Aceste circuite integrate pot fi analogice (CIA) sau digitale (CID) şi
realizează funcţii. Funcţiile analogice pot fi: amplificare, modulare, demodulare, generare
de semnale, stabilizare a tensiunii de alimentare etc. Funcţiile digitale pot fi de
implementare a funcţiilor logice (ŞI, SAU), numărare, codificare, decodificare etc, dar un
chip poate implementa un calculator digital complet (microcalculatoare sau
microprocesoare).
• Circuitele integrate sunt realizate din componente electronice: rezistenţe,
condensatoare, diode, tranzistoare. Aceste componente pot fi folosite şi în formă discretă
pentru realizarea unor circuite pe plăci de cablaj imprimat. Ele formează subiectul
cursului de faţă.
• Ne vom ocupa şi de componentele optoelectronice: diode emiţătoare de lumină (LED),
fotodetectoare, celule solare etc. Diodele emiţătoare de lumină pot funcţiona şi pe baza
principiului LASER.

Semnale şi surse de semnal

• Orice mărime fizică reprezentată ca funcţie de timp şi care poartă informaţie este un
semnal – analogic.



• Exemple de semnale din lumea fizică: presiunea sonoră, luminanţa (strălucirea) şi
crominanţa (culoarea) unui element de imagine, temperatura, presiunea, umiditatea,
intensitatea radiaţiei solare etc.
• Semnalele electrice sunt, în principal, curenţi şi tensiuni.
• Semnalele din lumea fizică sunt transformate în semnale electrice şi invers folosind
traductoare. De exemplu, un microfon traduce presiunea sonoră în semnal electric, iar o
cameră video conţine traductoare care transformă semnalele optice emise de o sursă în
semnale electrice.
t
x(t)
Fig. 1. Un semnal este o mărime fizică x
funcţie de timpul t.
2
• În cadrul acestui curs vom considera că semnalele au fost transformate de traductoare
în semnale electrice. Studiul traductoarelor se face la alte discipline. În continuare, prin
semnal vom înţelege un semnal electric.
• Orice sursă de semnal admite o schemă echivalentă. Dacă sursa e liniară, atunci ea
constă dintr-o sursă de tensiune electromoare în serie cu o impedanţă (Thévénin). În
cazuri simple, impedanţa se reduce la o simplă rezistenţă. O reprezentare alternativă
constă dintr-o sursă ideală de curent în paralel cu o impedanţă sau cu o rezistenţă în
cazuri simple (Norton).

• Orice sursă de tensiune este echivalentă (la borne) cu o sursă de curent (echivalenţa e
bidirecţională). Astfel, sursa (a) este echivalentă cu sursa (d) dacă ( )
( )
G
G
e t
i t
R
= . Din
motive care vor deveni clare ulterior, se preferă sursele de tensiune când rezistenţa R este
mică şi sursele de curent când această rezistenţă este mare.
• Conform teoremei lui Thévénin, orice circuit liniar cu două borne (numit dipol sau
uniport) poate fi reprezentat ca o sursă echivalentă de tensiune (sau de curent). Tensiunea
electromotoare echivalentă este egală cu tensiunea în gol a uniportului, iar rezistenţa (sau,
după caz, impedanţa) sursei este egală cu rezistenţa (sau impedanţa) măsurată la bornele
uniportului când sursele din componenţa acestuia sunt pasivizate (adică sursele de
tensiune sunt înlocuite cu scurtcircuite iar cele de curent sunt întrerupte). Rezistenţa
sursei se mai numeşte rezistenţă internă.
• De multe ori în cele ce urmează vom numi rezistenţa internă a unui uniport care
conţine surse rezistenţă de ieşire, iar cea a unui uniport care nu conţine surse rezistenţă
de intrare.










R
+
+
_
_
e
G
(t) v(t)
(a)

+
_
+
_
R
e
g
(t) v(t)
(b)

i
G
(t)
R

i(t)

(d)

Fig. 2. Surse de semnal. (a) Sursă de tensiune. (b) Sursă de tensiune
sinusoidală. (c) Sursă de tensiune continuă. (d) Sursă de curent.

_
+
_
R
E
g
V
(c)

+
3

Uniport conectat la o sarcină


• În legătură cu schemele din fig. 3, au loc următoarele formule care sunt deseori
utilizate:
(a) formula divizorului de tensiune
( ) ( )
0
i
G
i
R
v t e t
R R
=
+
;
(b) formula divizorului de curent
( ) ( )
o
G
i o
R
i t i t
R R
=
+
.


+
+
_ _
R
o
e
G
(t) v(t) R
i
i(t)
(a)

i
G
(t)
R
o
i(t)

R
i
(b)

Fig. 3. Sursă de tensiune (a) şi sursă de curent conectate la sarcini.

1
Echivalenţa Thévénin


Să se determine schemele echivalente Thévénin şi Norton pentru circuitul din figură.




3 2
1
3 4
15V
0,75A
20Ω
E E
I
R R
+
= = =
+

2 1 3 2
7,5V 5V 2,5V
g
E I R E = − = − =
5 3 4
|| 5Ω R R R = =
1 1 2
18,5V
g g g
E E E E = + + =
6 2 5
11Ω R R R R = + + =
18,5V
1,68A
11Ω
g
G
E
I
R
= = =





+
_
R=11 Ω
E
g
=18,5 V
V
+
_
E
g2
=2,5 V
R
5
=5 Ω
I
G
R=11 Ω

i(t)

+
_
R
6
=4 Ω
E
g1
=4 V
I=1 A
R
1
=4 Ω
+
_
E
2
=5 V
R
3
=10 Ω
+
_
E
3
=10 V
R
4
=10 Ω
+
_
E
1
=12 V
R
2
=2 Ω
+
_
V
I
1
I=0


Semnale sinusoidale

• Semnalele sinusoidale sunt tensiuni şi curenţi care variază sinusoidal în timp.
• Acestea sunt deosebit de importante în electronică din două motive:
(a) circuitele liniare nu schimbă forma şi frecvenţa semnalelor sinusoidale, adică, în orice
punct al circuitului (nod, respectiv latură), curenţii şi tensiunile rămân sinusoidale şi de
aceeaşi frecvenţă dacă sursele au această proprietate;
(b) orice semnal fizic se poate scrie ca o sumă (în sens larg, adică şi integrală) de semnale
sinusoidale.
• Expresia generală a unei tensiuni sinusoidale este

( ) ( ) sin
m
v t V t = + ω ϕ .

• Avem următoarele mărimi caracteristice
Amplitudinea V
m

Pulsaţia ω [rad/s] sau [
o
/s]
Faza iniţială (argumentul sinusului la t=0) φ [rad] sau [
o
]
Frecvenţa
2
f =
ω
π
[Hz]
Valoarea efectivă
,
2
m
m eff
V
V =
Perioada
1 2
T
f
= =
π
ω
.
• Pentru curent mărimile caracteristice sunt la fel

( ) ( ) sin
m
i t I t = + ω ϕ


t
v(t)
T T/2
V
m
-V
m
T/4 3T/4
Fig. 4. Tensiune sinusoidală cu faza iniţială nulă (φ=0).





• Un semnal v(t) se numeşte periodic dacă există o constantă pozitivă T astfel încât

( ) ( ) v t T v t + =

pentru orice valoare a lui t. Cea mai mică valoare a lui T pentru care are loc egalitatea
precedentă se numeşte perioadă a semnalului.
• Semnalele periodice se folosesc deseori în electronică. Uzuale sunt: semnalul
dreptunghiular, semnalul triunghiular, semnalul în dinţi de fierăstrău, sinusoida simplu
redresată şi sinusoida dublu redresată.





t
x(t)
T τ
A
Semnal dreptunghiular
Semnal triunghiular
t
x(t)
T
τ
A










• Cu referire la semnalul dreptunghiular, mărimea /T τ se numeşte factor de umplere.
De multe ori se foloseşte noţiunea de semnal dreptunghiular pentru cazul factorului de
umplere 0,5. În acest caz, dezvoltarea în serie Fourier este

Semnal în dinte de fierăstrău (bază de timp)
t
x(t)
T
A
Sinusoidă dublu redresată (T este perioada sinusoidei
iniţiale; perioada semnalului este T/2.)
t
x(t)
T
A
T/2
Sinusoidă simplu redresată
t
x(t)
T
A
( ) ( ) ( ) ( )
2 1 1 2
sin sin 3 sin 5 ... ,
2 3 5
A A
x t t t t
T
π
Ω Ω Ω Ω
π
| |
= + + + + =
|
\ .

• Mărimea
2
A
(constantă) se numeşte componenta continuă a semnalului. Ceilalţi
termeni se numesc armonicile semnalului şi sunt sinusoide având frecvenţele multipli
întregi ai lui
1
2
F
T

π
= = . Armonica de frecvenţă F se numeşte fundamentală. Se
observă că amplitudinile armonicilor scad cu frecvenţa, astfel că cele de frecvenţă înaltă
se pot neglija. Reprezentarea amplitudinilor în funcţie de frecvenţă se numeşte spectru de
amplitudini.


• Spre deosebire de semnalele periodice, semnalele tranzitorii au un spectru continuu de
frecvenţe.

ω Ω 3Ω 5Ω
ampl.
...
A/2
2A/π
2A/(3π)
2A/(5π)
Spectrul de amplitudini al unui semnal
dreptunghiular.
Spectrul de amplitudini al unui semnal
dreptunghiular.
ω ω
1
ampl.
A
max
0,707A
max
ω
2
• Banda de frecvenţe ocupată de un semnal este un parametru foarte important pentru
proiectarea aparaturii electronice destinate să îl prelucreze. Această bandă se stabileşte în
funcţie de precizia cu care se doreşte prelucrarea semnalului.

• De multe ori, banda ocupată de semnal se defineşte la
1
0,707
2
≅ din valoarea sa
maximă. În figura de mai sus, banda este
| |
1 2
1 2
; ;
2 2
f f
ω ω
π π
(
=
(
¸ ¸
, iar lăţimea de bandă este
| |
2 1
Hz B f f = − .
• De exemplu, semnalele audio ocupă o bandă de frecvenţe între 0 şi 20 kHz, iar
semnalele TV între 0 şi 5 MHz (aproximativ). În transmisia radio MA (prin modulaţie în
amplitudine), din spectrul audio se transmit doar frecvenţele între 0 şi 4,5 kHz. Când un
astfel de semnal este modulat în amplitudine, cu frecvenţa purtătoare de 630 kHz, el
ocupă o bandă între 625,5 şi 634,5 kHz (lăţimea de bandă se dublează). În telefonie se
transmit doar frecvenţele audio între 0 şi 3,4 kHz. Semnalele TV sunt de asemenea
modulate, dar, folosindu-se o altă tehnică, lăţimea de bandă e de aproximativ 6 MHz.


Aplicaţii [S&S]

1. Să se găsească frecvenţa şi pulsaţia corespunzătoare unui semnal cu perioada T=1 ms.
R
3
1
1000Hz=1kHz
1 10 s
=2 2000 rad/s=6280rad/s
f
f ω π π

= =
×
=


2. Cât este perioada semnalelor sinusoidale având frecvenţele (a) 50 Hz; (b) 10
-3
Hz;
(c) 1 MHz?
R
(a) 20 ms; (b) 1000 s; (c) 1 μs (10
-6
s).

3. Banda TV UHF (Ultra High Frequency) se extinde de la canalul 14 şi se extinde de la
470 MHz la 806 MHz. Dacă fiecărui canal i se alocă 6 MHz, câte canale TV cuprinde
această bandă?
R
56 de canale, de la 14 la 69.






1
Puterea semnalelor periodice


1. Puterea într-o rezistenţă

• Considerăm un uniport rezistiv

• Dacă tensiunea şi curentul sunt continue, ; v V i I = = , atunci puterea consumată de
rezistenţa R este

2
2
V
P VI RI
R
= = = .

• Dacă tensiunea şi curentul sunt sinusoidale
( ) ( ) cos
m
v t V t ω ϕ = +
( )
( )
( ) ( ) cos cos
m
m
v t V
i t t I t
R R
ω ϕ ω ϕ = = + = +
atunci puterea este
2
2 2
2
2 2 2
eff
m m m m
eff
V
V I V I
P R I R
R R
= = = = = .
• Dacă tensiunea şi curentul sunt periodice, de perioadă T, atunci puterea se poate
calcula în două moduri: fie ca medie pe o perioadă a produselor

( )
( ) ( ) ( )
2
2
0 0 0
1 1 1
T T T v t dt
P i t Rdt v t i t dt
T R T T
= = =
∫ ∫ ∫
,

fie ca sumă a puterilor corespunzătoare armonicilor din dezvoltările în serie Fourier ale
tensiunii şi curentului:

i

v
R

+
_
Uniport rezistiv

2
( ) ( )
( ) ( )
0
1
0
1
0 0
1
cos
cos
, 0..
2 2
k k
k
k k
k
m m
k k
k
u t U U k t
i t I I k t
U RI m
U I
P U I
Ω ϕ
Ω ϕ

=

=

=
= + +
= + +
= = ∞
= +







2. Puterea într-o impedanţă

• Considerăm doar cazul sinusoidal. Impedanţa este o cantitate complexă, care introduce
un defazaj între tensiune şi curent. Dacă

{ } arg
| |
j Z
Z R jX Z e = + = şi ( ) ( ) cos
m
v t V t ω ϕ = + , atunci
( ) { } ( )
cos arg
| | | |
m m
m
V V
i t t Z I
Z Z
ω ϕ
| |
= + − =
|
\ .
.

Defazajul dintre tensiune şi curent este egal cu argumentul impedanţei privite ca număr
complex.


Puterea consumată de Z este dată de

( ) ( )
{ } ( )
( ) ( )
0
cos arg
1
cos arg
2
T
m m
eff eff
V I Z
P v t i t dt V I Z
T
= = =

.


Exemple
1. Să se calculeze puterea debitată de o tensiune continuă de 9 V într-o rezistenţă de
10 Ω.
R
i

v

Z

+
_
Uniport liniar

3
2
9
8,1W
10
P = = .


2. Să se determine puterea consumată de o rezistenţă de 10 Ω dacă la bornele sale
tensiunea variază sinusoidal, amplitudinea fiind de 9 V. Să se calculeze şi valoarea
efectivă a tensiunii.
R
2
9 9
4,05W. 6,36V
2 10 2
eff
P V = = = =
×
.


3. Să se calculeze puterea consumată de o impedanţă de 5+j5 Ω dacă la bornele sale
tensiunea variază sinusoidal, amplitudinea fiind de 9 V.
R
{ } ( )
( )
2 2 o
o
| | 5 5 7,07V; arg arctan 1 45
9 9
cos 45 4,05W
2 7,07
Z Z
P
= + = = =
×
= =
×


4. Să se calculeze puterea disipată de o tensiune sinusoidală pe o inductanţă sau o
capacitate.
R
În ambele cazuri răspunsul este 0 deoarece argumentul impedanţei este
2
π
± .

5. Să se calculeze puterea debitată de o tensiune periodică, dreptunghiulară cu factorul de
umplere 0,5, amplitudinea de 10 V şi frecvenţa de 1 kHz într-o rezistenţă de 10 Ω.
R






t [ms]
v(t) [V]
1 0,5
10
Semnal dreptunghiular
4
Metoda 1
| | | |
3
0,5 10
2 2
3
0
1 1
10 V 0,5 10 5W
10 s 10 Ω
P dt

×

( = × = × =
¸ ¸ ∫
.


Metoda a doua: se ţine cont de dezvoltarea în serie Fourier

( ) ( ) ( ) ( )
2 1 1 2
sin sin 3 sin 5 ... ,
2 3 5
A A
x t t t t
T
π
Ω Ω Ω Ω
π
| |
= + + + + =
|
\ .

( ) 10V A =

2 2
2 2
2
4 1 1
1 ... 2,5 2,026 1,15 4,83W
4 2 3 5
A A
P
R R π
| |
| | | |
= + + + + = + × =
|
| |
|
×
\ . \ .
\ .

(eroarea provine din neglijarea celorlalţi termeni din serie).

Cu ajutorul micului program Matlab listat în continuare se pot calcula puterile care se
obţin considerând în însumare mai multe armonici.

%puterea unui semnal dreptunghiular prin armonici
%pentru deo

A=10; %V
R=10; %ohm

Pcc=A^2/(4*R); %W
Coef=4*A^2/(2*pi^2*R);
N=10; %nr de componente considerate
P=ones(1,N+1);
P(1)=Pcc;

for k=1:N,
P(k+1)=P(k)+Coef*1/(2*k-1)^2;
end

Rezultatele sunt sintetizate în tabelul următor

Nr.
arm.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
P
[W]
2.5000 4.5264 4.7516 4.8326 4.8990 4.9158 4.9277 4.8740 4.9368 4.9438 4.9494






1 Caracteristica statică a joncţiunii pn. Dioda

Dispozitivul electronic care conţine o joncţiune pn, două contacte ohmice şi
terminale metalice accesibile din exterior se numeşte diodă.
Terminalul conectat la zona p se numeşte anod A, iar cel conectat la zona n se numeşte
catod K (Fig. 1).
Dioda poate fi polarizată direct sau invers, după cum căderea de tensiune în sens direct
este pozitivă sau negativă.




Cel mai simplu circuit cu diodă este reprezentat în Fig. 2. În acest caz, dioda este
polarizată direct, deoarece anodul este conectat la terminalul pozitiv al sursei, iar catodul
la cel negativ.




Fig. 1. Simbol pentru diodă şi modurile de polarizare. A – anod. K – catod.
A K
V
F
I
F
+



Polarizare directă

V
R
I
R
+

_

Polarizare inversă

V
F
=–V
R

I
F
=–I
R
+
_
E
R
+
_
+
_
V
F
U
R
I
F
Fig. 2 Circuit simplu cu diodă.

Măsurând tensiunea V
F
şi curentul I
F
(de obicei indirect, prin /
F F
I U R = ) şi
modificând tensiunea E, se poate ridica punct cu punct dependenţa ( )
F F
I f V = .
Schimbând polaritatea tensiunii E, se poate ridica punct cu punct această dependenţă şi în
polarizare inversă. Rezultate tipice ale unor astfel de măsurători sunt reprezentate, la scări
diferite, în Fig. 3 şi Fig. 4.



Fig. 3. Caracteristica unei diode ideale la valori mici ale
tensiunii şi curentului. (V=V
F
, I=I
F
)
Fig. 4. Caracteristica unei diode ideale la valori ale tensiunii
la care se observă existenţa tensiunii de deschidere. (V=V
F
,
I=I
F
)

Se observă în Fig. 3 că, la polarizare inversă, curentul se saturează (devine
constant la scăderea tensiunii V
F
sau, echivalent, la creşterea tensiunii V
R
). Valoarea
respectivă se notează cu –I
S
, iar I
S
>0 se numeşte curent de saturaţie.
Tensiunea inversă pe diodă nu trebuie să depăşească o valoare maximă,
dependentă de dispozitivul concret şi specificată de producător, care poate fi de ordinul
volţilor, zecilor sau sutelor de volt. În polarizare directă, curentul depinde exponenţial de
tensiune, care nu trebuie să depăşească câteva zecimi de volt (sau câţiva volţi la unele
tipuri de diode, cum ar fi cele emiţătoare de lumină, fotodiode sau celule solare). Aceasta
explică prezenţa rezistenţei R în schema de mai sus: este o rezistenţă de limitare a
curentului.
Din considerente fizice de comportare internă se poate deduce următoarea formă
analitică a dependenţei curent tensiune în regim static:

1
F
qV
mkT
F S
I I e
 
= −
 
 
(1)

unde:
I
S
este curentul de saturaţie al diodei;
19
1,6 10 q

= × C este valoarea absolută a sarcinii electronului;
23
1,38 10 k

= × J /K este constanta lui Boltzmann;
T este temperatura absolută, exprimată în [K], presupusă aceeaşi în toate punctele
dispozitivului;
m – factor de idealitate, 1 2 m ≤ ≤ , care de obicei se determină experimental. O diodă
pentru care 1 m = se numeşte ideală.
Mărimea
T
kT
V
q
= [V] se numeşte tensiune termică. La 17
0
C (290K) are valoarea 25 mV,
iar la 27
0
C (300K), 25,9
T
V = mV (se poate considera de 26 mV).

În polarizare directă, la 100
F
V > mV, avem
S F
I I << şi legea diodei (1) se poate
aproxima cu
F
F
T
V
qV
mV
mkT
F S S
I I e I e ≅ = . (2)


În polarizare inversă, la 100
F
V < − mV, exponenţiala poate fi neglijată:

F S
I I ≅ − . (3)

Caracteristica statică a diodei – aplicaţii

1. În urma unor măsurători, s-au determinat punctele din tabel corespunzătoare
caracteristicii statice a unei diode. Să se găsească expresia caracteristicii diodei în
domeniul de curenţi considerat [cdp].
I
F
[nA] 10 100 1000
V
F
[V] 0,30 0,41 0,52

R

Se observă că:
-valorile corespunzătoare curentului variază exponenţial (raportul dintre două valori
consecutive este 10);
-valorile tensiunii variază liniar (diferenţa dintre două valori consecutive este 0,11 V).
Rezultă că între tensiune şi curent există o dependenţă exponenţială

F
T
V
mV
F S
I I e = .

Dacă nu se specifică temperatura, atunci se ia egală cu 17
o
C, deci V
T
=25 mV.

Rezultă

0,3V
0,025V
0,41V
0,025V
10nA
100nA
m
S
m
S
I e
I e
×
×
¦
=
¦
´
¦
=
¹


Prin împărţire: ( )
( )
0,11
0,025
0,11 0,11
10 ln 10 1,91
0,025 0,025 ln 10
m
e m
m
×
= ⇒ = ⇒ = =
× ×
.
Din a doua ecuaţie:

0,41
1,91 0.025
100nA 0,0187nA=18,7pA
S
I e

×
= × = .


Se observă că am folosit al treilea punct al caracteristicii doar pentru stabilirea
dependenţei exponenţiale dintre tensiune şi curent.

2. Care este valoarea curentului prin dispozitivul de mai sus la V
F
=0,7 V? [cdp]
R

| |
0,7
12 5 1,91 0,025
18,7 10 A 4,35 10 A=43,5μA
F
I e
− − ×
= × = ×

Algoritm pentru calculul PSF
I
V
E/R
E
caracteristica diodei
dreapta de
sarcină
PSF
3. În circuitul din figură, parametrii diodei sunt I
S
=1 μA şi m=1. Să se calculeze punctul
static de funcţionare (PSF) al diodei, adică tensiunea directă şi curentul direct. Se dă
V
T
=26 mV.

R
Trebuie rezolvat sistemul transcendent de ecuaţii

ln 1
1
F
T
V
F
mV
F T
F S
S
F
F
F F
I
V mV
I I e
I
E V
I
E I R V
R
¦ | |
¦ | |
= +
¦ |
= − ¦ |
¦
\ .
|

´ ´
\ .
− ¦ ¦
=
= +
¹ ¦
¹
.

Prima ecuaţie este caracteristica statică a diodei, iar a doua este ecuaţia dreptei de
sarcină. Intersecţia lor este PSF.
Sistemul poate fi rezolvat
iterativ, după cum se arată în
figura următoare.
Pasul 1:
0
10V
10mA
1kΩ
F
F
V
E
I
R
= ⇒
= = =

3
3
10
26 10 ln 1
10
0,239V
F
V


| |
= × +
|
\ .
=

Pasul 2
| | 10 0,239 V
9,76mA
1kΩ
F
I

= =
+
_
E=
10 V
R=1 kΩ
+
_
+
_
V
F
U
R
I
F
3
3
9,76
26 10 ln 1 0,239V
10
F
V


| |
= × + =
|
\ .
.
Se observă că, pentru precizia la care se lucrează, algoritmul se poate opri după doi paşi.
În final 239mV, 9,76mA
F F
V I = = .

4. Variaţia cu temperatura a tensiunii pe o diodă la curent constant.
Se poate demonstra că, dacă o diodă din siliciu este conectată într-un circuit în sens
direct, astfel încât curentul să fie constant, atunci tensiunea pe diodă scade cu
aproximativ 2 mV la o creştere a temperaturii cu 1
o
C.

O diodă din siliciu, folosită ca termometru, este polarizată direct printr-un curent constant
şi are un coeficient de temperatură de -2,17 mV/K. La 27
o
C, tensiunea directă pe diodă
este de 700 mV. Cât va fi tensiunea pe diodă la 80
o
C?
R

( )
( )
o o
mV
700mV-2,17 80 C-27
K
585mV.
final initial final initial
dV
V V T T
dT
C
= + − =
= × =
=


3. Model simplu pentru diodă la semnale mari – modelul 1

• Diodele fiind elemente de circuit neliniare, pentru analiza şi proiectarea schemelor
electrice cu diode se folosesc modele liniarizate pe porţiuni, în care caracteristica diodei
este aproximată prin segmente de dreaptă.
• Nu există un model unic; situaţia particulară în care este exploatată dioda impune
complexitatea modelului. Acesta nu trebuie să fie prea simplificat, pentru a nu pierde
unele proprietăţi importante ale circuitului şi nici prea complicat, pentru a nu fi necesare
calcule laborioase fără rezultate relevante.
• Analiza precisă a circuitelor cu diode se face prin simulare pe calculator; pentru
proiectarea schemelor cu diode este însă necesară înţelegerea dispozitivelor, care se poate
câştiga numai prin analiză manuală.
• Proprietatea cea mai importantă a unei diode este că permite trecerea unor curenţi
semnificativi într-o direcţie şi blochează calea curenţilor electrici în cealaltă direcţie,
asemenea unei supape.
• Dacă dioda este polarizată direct, 0
F
v > , se spune că este în zona de conducţie sau
simplu în conducţie, iar dacă e polarizată invers 0
F
v < se spune că este în zona de
blocare sau simplu blocată. Căderea de tensiune în conducţie este mică, în timp ce în
blocare este mare.
• Dacă dioda este utilizată într-un circuit în care curenţii sunt mari în comparaţie cu
curentul invers şi tensiunile sunt mari în comparaţie cu tensiunea directă, se poate folosi
modelul prezentat în fig. 1. Uneori pentru o diodă exploatată în acest regim, numită
ideală, se foloseşte simbolul din figura respectivă [Gray_1973]
• Model 1: dacă i
F
>0 atunci v
F
=0 şi dacă v
F
<0 atunci i
F
=0.









Anod Catod
+
_
v
F
i
F
Fig. 1. Simbolul şi caracteristica liniarizată pe porţiuni ale unei diode
ideale.




• În fig. 2 (a) este reprezentată schema unui limitator cu diodă. Acesta este un circuit
care se conectează între sursa de alimentare sau sursa de semnal şi un alt circuit pe care
trebuie să îl protejeze de supratensiune la intrare. Rezistenţa serie R este aleasă mult mai
mică decât rezistenţa de intrare a circuitului conectat la ieşirea limitatorului. În felul
acesta căderea de tensiune pe limitator poate fi neglijată.




• V este o tensiune continuă fixă, dată de o sursă auxiliară, ce se alege mult mai mare
decât tensiunea pe diodă în sens direct.

• Pentru a găsi caracteristica intrare – ieşire a limitatorului, adică dependenţa tensiunii
de ieşire în gol v
2
de tensiunea de intrare v
1
, observăm că, dacă
1
v V > , dioda este
deschisă. Având în vedere modelul prezentat mai sus, dioda se comportă ca în fig. 2 (b),
deci
2
v V = . Dacă
1
v V < , atunci dioda este blocată şi se aplică schema echivalentă din fig.
2 (c). Rezultă
2 1
v v = . Caracteristica intrare – ieşire astfel obţinută este reprezentată în
R
V
v
1
v
2
+ +
+
_

_

_

v
1
>V
v
2
=V
(b)
R
V
v
1
v
2
+
+
+
_

_

_

v
1
<V
v
2
=v
1
(c) (d)
v
1
v
2
V

V

Fig. 3.2.2. Circuit limitator cu diodă. (a) Schema electrică. (b), (c) Modele în
diverse regiuni de funcţionare. (d) Caracteristica statică intrare-ieşire

R
V
v
1
v
2
+
+
+
_



_

(a)
R
i
>>R
fig. 2 (d). Se observă că tensiunea de la ieşire nu poate depăşi valoarea V indiferent de
intrare, de unde şi denumirea circuitului.


• O altă aplicaţie simplă a modelului pe care îl studiem este în domeniul porţilor logice
[Gray 1973]. În circuitele digitale, nivelurile logice "0" şi "1" sunt reprezentate prin
anumite domenii de tensiuni, ca în exemplul din fig. 3. (În practică se folosesc alte
niveluri; exemplul este ilustrativ).


• În circuitul din fig. 4, dacă tensiunile de intrare
1..4
v sunt mai mari decât -10V, va fi
deschisă doar dioda conectată la cea mai mare dintre aceste tensiuni, celelalte fiind
polarizate invers.




• Tensiunea maximă se regăseşte la ieşirea circuitului, astfel că acesta implementează
funcţia logică SAU.

R
v
1
v
2
v
3
v
4
v
0
–10V

Pt. v
1..4
>–10 V,
v
0
=max(v
1
, v
2
, v
3
,v
4
)
(poartă SAU)
Fig. 4. Poartă SAU cu diode. Tensiunile sunt definite faţă de un punct numit
masă.
Masă (potenţial v=0).
Fig. 3. Exemplu pentru definiţia stărilor logice
-5 -4 +4 +5 V [V]
Stare "0"
logic
Stare "1"
logic





• În circuitul din fig. 5, dacă tensiunile de intrare
1..4
v sunt mai mici decât 10V, va
conduce doar dioda conectată la cea mai mică dintre acestea, tensiune care se va regăsi la
ieşire. Circuitul poate fi folosit pentru implementarea funcţiei logice ŞI.







• Căderile de tensiune pe diode, care au fost neglijate în analiza de mai sus, fac
nepractică conectarea în cascadă a porţilor logice cu diode din cauza modificării
tensiunilor de ieşire faţă de cele de intrare. Din acest motiv, porţile cu diode nu se
folosesc în forma prezentată.













R v
1
v
2
v
3
v
4
v
0
+10V

Pt. v
1..4
<10 V,
v
0
=min(v
1
, v
2
, v
3
,v
4
)
(poartă ŞI)
Fig. 5. Poartă ŞI cu diode.
4. Transformator funcţional cu diode

• În fig. 1. este prezentat un circuit care are o caracteristică de intrare i(v) remarcabilă
[Gray 1973], numit transformator funcţional. Vom găsi această caracteristică folosind
pentru diode modelul simplu prezentat anterior. Tensiunea V este continuă şi fixă. Cu G e
notată conductanţa rezistorului, 1/ G R = .




• Se observă că, pentru ( 1) , 0..( 1) kV v k V k n < < + = − , conduc diodele D
0
, D
1
, ..., D
k
,
restul fiind blocate. Vom nota cu i
k
valoarea pe aceste intervale a curentului de intrare i.
Se pot scrie următoarele relaţii

0
1 0
2 1
3 2
1
0 ,
2 , 2 ( )
2 3 , 2 ( 2 )
3 4 , 2 ( 3 )
................................
( 1) , 2 [ ].
k k
v V i i Gv
V v V i i i G v V
V v V i i i G v V
V v V i i i G v V
kV v k V i i i G v kV

< < = =
< < = = + −
< < = = + −
< < = = + −
< < + = = + −



• Adunând aceste relaţii şi reducând termenii asemenea obţinem:

( 1)
2 [ (1 2 3 ... ) ] 2 ( )
2
k
k k
i Gv G kv k V Gv G kv V
+
= + − + + + = + −

(2 1) ( 1)
k
i Gv k GVk k = + − +

Fig. 1. Transformator funcţional cu diode.
...
...
G
D
0
V
+

2G
D
1
+
_
v
i
2V
+

2G
D
2
3V
+

2G
D
3
nV
+

2G
D
n
• Pentru
k
v v kV = = rezultă
2
2 k
k
v
i GVk GV
V
 
= =
 
 
,
iar pentru
1
( 1)
k
v v k V
+
= = + rezultă
2
2 1
( 1)
k
k
v
i GV k GV
V
+
 
= + =
 
 
.
Cum între cele două valori curentul are o variaţie liniară, rezultă că dipolul are o
caracteristică la borne ce aproximează liniar pe porţiuni o parabolă de ecuaţie

2
v
i GV
V
 
=
 
 


(fig. 2).
În timp ce la bornele unei rezistenţe obişnuite curentul este proporţional cu tensiunea
aplicată, la bornele unui transformator funcţional curentul este proporţional cu pătratul
acesteia, deci cu puterea semnalului.







i
v
V 2V 3V 4V
GV
4GV
9GV
16GV
Fig. 2. Caracteristica de intrare a unui transformator
funcţional cu diode.
5. Modele pentru diode. Tensiunea de deschidere.

• Caracteristica unei diode, cum este cea reprezentată în fig. 1, sugerează faptul că, în
conducţie, tensiunea nu este nulă ci are o anumită valoare numită tensiune de deschidere.
Valoarea este în jurul a 0,6 V la diodele din siliciu şi era în jur de 0,3 V la diodele din
germaniu (acestea nu se mai prea folosesc).
• Tensiunea de deschidere scade cu temperatura diodei cu un coeficient în jur de
o
2mV/ C − . Modelul liniar pe porţiuni care ţine cont de tensiunea de deschidere V
0
este
prezentat în fig. 1.



• Se poate construi un model mai precis dacă se ţine cont de rezistenţa diodei R. Aceasta
este definită ca inversa pantei tangentei la caracteristică în punctul de funcţionare. Având
în vedere că

0
1
F
T
v
mV
F
i I e
 
= −  
 
 


panta este dată de

0
1
F
T
v
mV F F
F T T
I di i
G e
R dv mV mV
= = = ≅ .

De exemplu, pentru o diodă ideală care funcţionează la un curent de 10 mA la 17
o
C, se
obţin
10 mA
0,4 S
25 mV
G = = , adică 2,5 Ω R = (această valoare mică justifică neglijarea sa în
celelate modele). Schema echivalentă în zona de conducţie a diodei, în care se ţine cont
de rezistenţă este prezentată în fig. 2.
V
0
+

Fig. 1. Caracteristică liniarizată şi schemă echivalentă
pentru o diodă în zona de conducţie. Se ţine cont de
tensiunea de deschidere.
v
i
V
0







• Când dioda este blocată, ea se modelează printr-un circuit deschis.







v
i
V
0
Fig. 2. Caracteristică liniarizată şi schemă echivalentă
pentru o diodă în zona de conducţie. Se ţine cont de
tensiunea de deschidere şi de rezistenţa serie.
panta=1/R
PSF
V
0
+

R
6. Limitator simetric cu diode

• Considerăm circuitul din fig. 1 (a), folosit pentru a evita ca aparatura conectată la
ieşirea sa să fie expusă la tensiuni prea mari în valoare absolută [Gray 1973].
• Rezistenţa serie R
S
se alege mult mai mică decât rezistenţa de intrare a circuitului
protejat, din aceleaşi motive ca la limitatorul simplu, dar mult mai mare decât rezistenţa
serie a diodelor R, presupuse identice, care apare în schema liniarizată pe porţiuni din fig.
1 (b). Motivul va rezulta de indată ce vom fi găsit caracteristica intrare – ieşire a
limitatorului simetric.



• Pentru aceasta, să observăm că, dacă
1 0
v V > , unde V
0
este tensiunea de deschidere a
diodei, atunci D
1
este deschisă (conduce) şi D
2
este blocată. Circuitul fiind în gol, vom
avea

( )
1 0 0 1
2 0
s
s s s
v V R V R v R
v V
R R R R R R

= + = +
+ + +
.

• Dacă
1 0
0 v V < < , atunci ambele diode sunt polarizate invers, deci sunt blocate. Vom
avea
2 1
v v = .
D
1
V
0
+

R
R
S
+ +
– –
v
1

v
2
D
2
V
0
+

R
(b)
Fig. 1. Limitator simetric cu diode. (a) Schema electrică. (b)
Schema echivalentă.
R
S
D
1
D
2
+
+
_

v
1
v
2
(a)
R<<R
S
<<R
i
R
i
• Raţionamente asemănătoare se pot face pentru valori negative ale lui v
1
sau se poate
ţine cont de faptul că circuitul este simetric. În final rezultă caracteristica din fig. 2. Dacă
se respectă condiţia
s
R R << , atunci pantele dreptelor din afara regiunii
0 1 0
V v V − < < sunt
foarte mici, deci acestea sunt aproape orizontale ( lim 0
s
R
s
R
R R
→∞
=
+
) .







v
1
v
2
V
0
V
0
-V
0
-V
0
Fig. 2. Limitator simetric cu diode. Caracteristica statică
intrare – ieşire.
7. Ecuaţia diodei la nivel mare de injecţie

• Când curentul direct printr-o diodă are valori mari, se spune că dioda lucrează la
nivel mare de injecţie din cauza numărului mare de purtători minoritari injectaţi în
regiunile neutre în unitatea de timp.
• În aceste condiţii se manifestă rezistenţa electrică a regiunilor neutre R
b
care apare
în serie cu dioda.
• Va trebuie să distingem între tensiunea pe joncţiune, notată v
F
şi tensiunea la
bornele dispozitivului, între anod şi catod, notată v. Relaţia dintre ele este

F F b
v v i R = + .




• Se poate ţine cont că
0
1
F
qv
mkT
F
i I e
 
= −
 
 
,

de unde
0
ln 1
F
F
i mkT
v
q I
 
= +
 
 
.



• În final, rezultă relaţia tensiune – curent la bornele unei diode la nivel mare de
injecţie:


0
ln 1
F
F B
i mkT
v i R
q I
 
= + +
 
 
.

Modelul l diodei la nivel mare de injecţie

v
+

R
b
/2 R
b
/2
+

v
F
i
F
Joncţiune

Diodă

1 Redresoare monoalternanţă

• Redresoarele sunt circuite de conversie a puterii care transformă puterea electrică
furnizată sub forma unei tensiuni şi unui curent alternative în tensiune continuă şi curent
continuu. Ele se folosesc ca surse de alimentare pentru aparatura care trebuie alimentată
în curent continuu.
• Redresoarele simple cu diode pot fi de tip monoalternanţă sau bialternanţă (dublă
alternanţă).
• Cea mai simplă schemă de redresor monoalternanţă este reprezentată în fig. 1. Sursa
de tensiune sinusoidală este simbolizată prin parametrii săi Thévénin: tensiunea
electromotoare e
G
(t) şi rezistenţa internă R
G
. Generatorul fiind sinusoidal avem:

( ) ( ) sin
G m
e t V t ω = . (1)




• Amintim că V
m
se numeşte amplitudine, legată de valoarea efectivă a tensiunii prin
2
m
ef
V
V = . Puterea debitată într-o rezistenţă R este
2
2
2
ef
m
V
V
R R
= . Mărimea 2 f ω π = se
numeşte pulsaţie şi se măsoară în radiani / secundă, f fiind frecvenţa măsurată în hertzi.
• Dacă în schema din fig. 1 nu ar fi prezentă dioda, atunci tensiunea pe sarcina R
L
ar fi
sinusoidală şi egală cu
L
G
G L
R
e
R R +
, amplitudinea sa fiind
L
Lm m
G L
R
V V
R R
=
+
, iar curentul,
de asemenea sinusoidal, ar fi
G
G L
e
R R +
. Dacă se ţine cont de diodă şi se presupune că este
ideală (fig. 2 (b)), atunci porţiunile negative ale tensiunii şi curentului devin nule, fiind
anulate de diodă şi variaţia tensiunii pe sarcină v
L
(t) este cea din fig. 2 (c)). Avem

( ) , sin 0
( )
0, sin 0
L
G
G L L
R
e t t
R R v t
t
ω
ω
¦

¦
+ =
´
¦
<
¹
. (2)
+
_
+
_
R
G
R
L v
L
e
G
i
L
Fig. 1. Redresor monoalternanţă.

Sarcina fiind rezistivă, curentul este

L
L
v
i
R
= . (3)

Tensiunea v
L
este o funcţie periodică, de perioadă

2
T
π
ω
= . (4)

• Se poate arăta că o tensiune periodică (sau un curent periodic) poate fi utilizată ca o
tensiune continuă V
CC
egală cu valoarea sa medie pe o perioadă (sau cu termenul constant
al dezvoltării sale în serie Fourier). De exemplu, dacă se vizualizează pe un osciloscop
tensiunea periodică folosind un cuplaj în curent continuu şi se comută cuplajul
amplificatorului pe verticală pe curent alternativ (adică se trece semnalul printr-un
condensator), atunci spotul sare cu V
CC
. Avem deci

(a)

(b)

(c)

Fig. 2. Redresor monoalternanţă. (a) Schemă electrică. (b) Model pentru diodă. (c) Forme de
variaţie în timp ale tensiunilor.
+
_
+
_
R
G
R
L v
L
e
G
i
L
v
t
e
G
(t)
V
m
V
Lm
v
L
(t)
V
CC
V
CC
/2
0 0
1 1
( ) sin
( )
T T
Lm m L
CC L Lm
L G
V V R
V v t dt V tdt
T T R R
ω
π π
= = = =
+
∫ ∫
. (5)

• Pentru amplitudini mai mici ale tensiunii (în practică, mai mici decât 10 V), trebuie să
ţinem cont de tensiunea de deschidere a diodei V
0
. Cu scopul de a ilustra efectul acesteia
asupra tensiunii de ieşire, presupunem că rezistenţa internă a generatorului este nulă.
Dacă dioda ar fi ideală, am avea
Lm m
V V = . Existenţa tensiunii de deschidere implică, pe
de o parte
0 Lm m
V V V = − şi, pe de altă parte, faptul că dioda se deschide abia când
tensiunea de intrare depăşeşte valoarea V
0.
. Efectul este reprezentat în fig. 3.


• În realitate, valoarea maximă a tensiunii de ieşire este limitată atât de divizarea între
rezistenţele generatorului şi sarcinii, cât şi de tensiunea de deschidere a diodei.
• Am văzut că tensiunea v
L
conţine, pe lângă tensiunea utilă continuă V
CC
, şi o
componentă pulsatorie sau alternativă, dată de armonicile din dezvoltarea sa în serie
Fourier. Pulsaţiile pot fi dăunătoare pentru aparatura alimentată prin redresor, ducând la
funcţionarea incorectă a acesteia sau chiar la apariţia defectelor.


+
_
V
0
(a)

(b)

(c)

Fig. 3. Redresor monoalternanţă. (a) Schemă electrică. (b) Model mai precis pentru diodă.
(c) Forme de variaţie în timp ale tensiunilor. Modelul este aplicabil în practică pentru
V
m
<10 V.
+
_
+
_
R
G
=0
R
L v
L
e
G
i
L
v
t
e
G
(t)
V
m
V
Lm
v
L
(t)
V
CC
V
m
–V
0
V
CC
Exemplu
Să se calculeze componentele continue ale tensiunii şi curentului prin sarcina de 1 kΩ a
unui redresor, dacă sursa are o amplitudine a tensiunii electromotoare de 15 V şi o
rezistenţă internă de 200 Ω.
R

Deoarece se poate neglija căderea de tensiune pe diodă, avem

( )
15 1000
3,98V 4V
( ) 1000 200
Lm m L
CC
L G
V V R
V
R R π π π
×
= = = = ≅
+ +

4
4mA
1kΩ
CC
L
L
V V
I
R
= = = .



Randamentul redresorului se defineşte ca raportul dintre puterea de curent continuu
consumată de sarcină şi puterea debitată de sursă exprimat în procente.
Puterea de curent continuu consumată de sarcină este

2
16V
0,016W=16mW
1000Ω
CC
CC
L
V
P
R
= = = .

Puterea debitată de sursă este media pe o perioadă a produsului dintre tensiune şi curent.
Avem
( ) ( ) 15sin
G
e t t ω =
( )
( )
( )
( )
, dacasin 0
0, dacasin 0
G
L G L
e t
t
R R i t
t
ω
ω
¦
>
¦
+ =
´
¦

¹


Rezultă

( )
( )
2 2
/2 /2
2
0 0
2 2
/2
0
1 15 1 15 1 cos(2 )
sin [W]
1200 1200 2
15 / 2 1 1 15
sin 2 0,047W=47mW
2 1200 2 4 1200
T T
G
T
t
P t dt dt
T T
T
t
T T
ω
ω
ω
ω

= = × =
(
= − × = =
(
× ×
¸ ¸
∫ ∫


Randamentul

16
100 34%
47
η = × = .


2 Filtrarea pulsaţiilor la redresoare

• Reducerea pulsaţiilor care apar la redresoarele monoalternanţă se realizează prin
conectarea unui condensator în paralel cu sarcina, ca în fig. 1.





• Pentru a înţelege funcţionarea acestui circuit este necesar să ne amintim desfăşurarea
fenomenului de descărcare a unei capacităţi C încărcate la o tensiune U
0
peste o
rezistenţă R, la care e conectată la un anumit moment, pe care îl luăm ca origine a
timpului (fig. 2).





• Ecuaţia ce descrie variaţia tensiunii la bornele capacităţii este

Fig. 1 . Redresor monoalternanţă cu diodă ideală şi filtru
capacitiv.
+
_
e
G R
L C
+
_
v
L
i
L
i
D
Fig. 2. Descărcarea unei capacităţi peste o
rezistenţă; la t<0 tensiunea pe capacitate este
U
0
.
u(t)
(u(0)=U
0
)
+
+


R
C
t=0
i(t)
0
0
, 0
( )
, 0
t
RC
U e t
u t
U t
− ¦
¦

=
´
¦ <
¹
. (1)

Se observă că tensiunea variază exponenţial (fig. 3).



• Mărimea

RC τ = (2)

se numeşte constantă de timp a circuitului. Pe durata unei constante de timp tensiunea la
bornele capacităţii scade de e ori şi panta tangentei la grafic în origine este
0
/ U τ − . Între
momentul iniţial şi un moment ulterior mult mai mic decât constanta de timp, se poate
aproxima curba de descărcare a capacităţii cu o dreaptă având panta egală cu cea a
tangentei în origine.

• După cum se ştie, între sarcina Q stocată pe armătura pozitivă a unei capacităţi C (pe
cealaltă armătură sarcina este –Q) şi tensiunea dintre armături u există relaţia


Q Cu = (3)

iar între tensiune şi curentul i, cu sensurile de referinţă ca în fig. 2, relaţia este

du
i C
dt
= − . (4)

• Dacă tensiunea variază liniar, atunci curentul este constant I şi sarcina extrasă de pe
armături în timpul t este Q=It.
t
u
U
0
U
0
/e
τ
Fig. 3. Descărcarea unei capacităţi peste o
rezistenţă – formă de undă.
• Revenind la circuitul din fig. 4.2.1, observăm că, atunci când dioda presupusă ideală
este deschisă, tensiunea pe sarcină urmăreşte tensiunea generatorului şi capacitatea se
încarcă, iar când dioda este blocată capacitatea se descarcă peste rezistenţa de sarcină.
Faptul că dioda este deschisă atunci când tensiunea între anod şi catod tinde să devină
pozitivă completează explicaţia formei de undă a tensiunii pe sarcină v
L
reprezentată în
fig. 4.





• În ceea ce priveşte curentul prin diodă i
D
, acesta devine foarte mare, prezentând
"vârfuri", în intervalele în care dioda conduce şi este nul în rest. Curentul prin sarcină i
L

este uşor de determinat folosind relaţia
Fig. 1 . Redresor monoalternanţă cu diodă ideală şi filtru
capacitiv.
+
_
e
G R
L C
+
_
v
L
i
L
i
D
Fig. 4. Redresor cu filtru capacitiv - Forme de
undă.
t
t
Δt
i
D
i
L
v
L
Δv
t
1 t
0
T

v
L
e
G
Dioda se
deschide
Dioda se
închide
i
D
I
D

L
L
L
v
i
R
= . (5)

• Experienţa arată că intervalul de conducţie al diodei este mult mai mic decât perioada
T a sinusoidei de la intrarea circuitului:

1 0
t t t T ∆ = − << . (6)

De aceea, se poate aproxima descărcarea condesatorului de la valoarea V
m
la
m
V v ∆ − ca
fiind liniară:

1
L
T
R C
m m
L
T
v V e V
R C

− | |
= − ≅ |
|
\ .
. (7)

• Se numeşte factor de ondulaţii (sau pulsaţii) al redresorului mărimea
m
v
V

, exprimată
uneori în procente. Din (7) rezultă

m L
v T
V R C

= . (8)

În practică se impune un factor de ondulaţie mic, astfel încât rezultă că perioada este mică
în raport cu constanta de timp a circuitului RC, ceea ce justifică aproximaţia de
descărcare liniară a capacităţii pe care am făcut-o mai sus.

• Factorul de ondulaţii, rezistenţa de sarcină şi perioada fiind de obicei impuse de
situaţia concretă, (8) furnizează o relaţie pentru dimensionarea capacităţii:

m
L
V T
C
R v ∆
≥ . (9)

Se observă că obţinerea unor ondulaţii mici impune alegerea unei capacităţi mari.

• Pentru dimensionarea diodei este necesar să estimăm curentul maxim care o străbate.
Datorită formei lui i
D
(fig. 4), putem face aproximaţia că acest curent este constant pe
durata Δt şi are o valoare I
D
. Acest curent este folosit pentru a compensa sarcina pierdută
de capacitate pe intervalul T t ∆ − . De asemenea, având în vedere aproximaţia liniară
pentru descărcarea capacităţii, curentul prin sarcină rezultă aproximativ constant:

(1 ) , ( )
L
t
R C m
L m m L L
L L
V d d t
i C V e C V I T R C
dt dt R C R
− | |
| |
= − ≅ − − = = << |
|
|
\ .
\ .
. (10)

Deoarece, după cum am văzut, toţi curenţii sunt aproximativ constanţi, egalitatea dintre
sarcina câştigată de capacitate pe intervalul de conducţie al diodei şi sarcina pierdută pe
intervalul complementar din cadrul unei perioade este

( ) ( )
D L L
I t I T t I T T T ∆ ∆ ∆ = − ≅ << (10)

unde, în ultima egalitate aproximativă, am ţinut cont de (6).
Ecuaţia (10) permite calcularea lui I
D
dacă se cunoaşte intervalul de conducţie Δt.
Observăm pe fig. 4 că t
1
corespunde unui maxim al funcţiei cosinus (sinus întârziat cu un
sfert de perioadă), iar la t
0
funcţia este cu Δv mai mică:

( ) ( )
2 1
cos
2
m m m
v V V t V t ∆ ω∆ ω∆ = − ≅ . (11)

Ultima egalitate aproximativă am scris-o ţinând cont că intervalul de conducţie foarte mic
face ca argumentul funcţiei cosinus să fie de asemenea foarte mic, ceea ce justifică
aproximarea acestei funcţii cu primii doi termeni ai dezvoltării în serie Taylor în jurul
originii
2
1
cos 1 ...
2
x x = − + .

• Mărimea t θ ω∆ = se numeşte unghi de conducţie al diodei şi se poate exprima în
radiani sau în grade (dezvoltarea de mai sus şi relaţia care urmează sunt valabile însă
numai dacă θ este exprimat în radiani). Avem din (11)

2
m
v
t
V

θ ω∆ = = . (12)

Se observă că impunerea unor ondulaţii mici implică un unghi de conducţie mic, ceea ce
justifică aproximaţiile făcute.

• Înlocuind intervalul de conducţie din (12) în ( )
D L L
I t I T t I T ∆ ∆ = − ≅ (10) obţinem

2
2 2
m
D L L L
m
V T
I I I T I
t v v
V
π
ω
∆ ∆ ∆
= = = . (13)

Curentul prin diodă se poate exprima şi în funcţie de unghiul de conducţie:

2
D L L
T
I I I
t
ω π
ω∆ θ
= = . (14)

În (14) unghiul de conducţie este exprimat în radiani. Dacă se exprimă în grade, atunci
factorul π trebuie înlocuit cu 180
0
.
• La un curent de sarcină dat, cu cât unghiul de conducţie este mai mic, cu atât curentul
de vârf prin diodă este mai mare. Acest curent de vârf repetitiv este un parametru
important pentru alegerea tipului de diodă.

3. Redresoare bialternanţă (dublă alternanţă)

• Redresoarele dublă alternanţă folosesc ambele alternanţe ale sinusoidei de la intrare pentru a
dubla tensiunea continuă pe care o furnizează sarcinii în raport cu redresoarele monoalternanţă.
Variantele de scheme uzuale conţin un transformator cu priză mediană şi două diode (fig. 1 (a))
sau o punte de patru diode (fig. 1 (b)).


• Forma de variaţie în timp a tensiunii pe sarcină în ipoteza că diodele sunt ideale este
reprezentată în fig. 1 (c). Componenta continuă are valoarea:
(a)

e
G
R
L
+
+
_
_
v
L
(b)

Fig. 1. Redresarea dublă alternanţă. (a) Redresor cu priză mediană. (b) Redresor
cu punte de diode. (c) Forme de undă în ipoteza că diodele sunt ideale.
t
v
V
m
V
CC
(c)

e
G
v
L
R
L
+
+
_
_ e
G
v
L
2
m
CC
V
V
π
= .

• Amplitudinea tensiunii de intrare este divizată dacă sursa are o rezistenţă internă.


• Şi pentru redresoarele dublă alternanţă se foloseşte tehnica filtrării capacitive. O analiză
asemănătoare cu cea efectuată în paragraful anterior conduce la concluzia că, la acelaşi factor de
ondulaţii impus, capacitatea necesară şi curentul prin diodă în intervalele de conducţie sunt de
două ori mai mici.
Analiza pe care am prezentat-o poate fi folosită şi la tensiuni redresate mai mici, când
trebuie luată în considerare tensiunea de deschidere a diodelor. Capacitatea se va încărca la o
valoare mai mică decât amplitudinea intrării cu o valoare egală cu tensiunea de deschidere.











4. Aplicaţii

1. Se realizează un redresor monoalternanţă care trebuie să dea o tensiune continuă de
ieşire de 12 V la bornele unei sarcini rezistive şi un curent de 10 mA. Valoarea
ondulaţiilor vârf-la-vârf trebuie să fie sub 0,1% din tensiunea continuă de ieşire. Se cer:
capacitatea de filtrare şi curentul maxim prin diodă. [Gray_1973]
R


Rezistenţa de sarcină
12V
1,2kΩ
10mA
L
R = =
Capacitatea
-3
1 12V
16,7mF
50Hz 1200Ω 12 10 V
m
L
V T
C
R v ∆
= × = × =
× ×
: valoarea mare a acestei capacităţi
indică necesitatea unei alte soluţii (redresor bialternanţă) sau a acceptării unor ondulaţii
mai mari.

Unghiul de conducţie

o
2 2
0,0447rad=2,56
1000
M
v
t
V

ω∆ = = =
Curentul maxim prin diodă

3
2 2
10 10 A 1,41A
0,0047
DP L
I I
t
π π
ω∆

= = × × =

2. Circuitul din figură este utilizat pentru a produce o tensiune continuă de 10 V la
bornele unei rezistenţe de 1000 Ω. Capacitatea filtrului are valoarea de 500 μF. Să se
calculeze:
(a) valoarea ondulaţiilor;
(b) unghiul de conducţie al diodei;
(c) curentul mediu prin diodă;
(d) curentul maxim prin diodă;
(e) amplitudinea necesară a tensiunii de intrare;
(f) amplitudinea tensiunii de intrare, dacă există o cădere de tensiune pe diodă de 0,8 V.
[Gray_1973]

















(a)
-6
1
10V 0,4V
50Hz 1000Ω 500 10 F
m
L
V T
v
R C
∆ = = × =
× × ×


(b)
o
2 0,4
2 0,283rad=16,21
10
m
v
t
V

ω∆ = = × =

(c)
10V
10mA
1000Ω
L
I = =
(d)
2 2
10mA 222mA
0,283
DP L
I I
t
π π
ω∆
= = × =
(e) 10V
m
V = sau mai precis
0,4
10 10,2V
2 2
gm m
v
E V

= + = + =
(f) 10,2V+0,8V=11V.


3. Redresorul dublă alternanţă din figură este utilizat pentru a da o tensiune continuă de
40 V la bornele unei rezistenţe neliniare care cere un curent constant de 25 mA. Valoarea
relativă o ondulaţiilor este mică, iar diodele se presupun ideale.
(a) Care trebuie să fie valoare lui V
m
?
Redresor monoalternanţă cu diodă ideală şi filtru capacitiv.
+
_
e
G R
L C
+
_
v
L
i
L
i
D
(b) Ce valoare trebuie să aibă capacitatea dacă valoarea relativă a ondulaţiilor este de
1%? [Gray_1973]

R





( ) ( ) sin
G m
e t V t ω =


(a) 40V
m
V =
(b)
2
m L
v T
V R C

=
4
3
1 1
6,25 10 F=625μF
40V 1
2
2 50Hz 2
25 10 A 100
m
m
L
L m
V T
C
V v
R v
f
I V




= = = = ×
× × ×
×
.











e
G
R
L
+
+
_
_
v
L
C

v
L
i
L
Semiconductoare intrinseci

Semiconductoarele fac parte din categoria corpurilor solide, zise şi cristaline.
Atomii sau moleculele care constituie un cristal ocupă poziţii în nodurile unei reţele
spaţiale periodice.
Corpurile solide conducătoare de electricitate sunt metalele şi semiconductoarele.
Conducţia curentului electric în metale se explică prin mişcarea ordonată a unor purtători
de sarcină negativă numiţi electroni. Rezistivitatea metalelor este foarte mică, de exemplu
de
9
20 10

× Ωm pentru cupru.
Conducţia curentului electric în semiconductoare se explică prin mişcarea
ordonată a două tipuri de purtători de sarcină: electroni, încărcaţi negativ şi goluri,
încărcate pozitiv. Valoarea absolută a sarcinii oricărui purtător este
19
1,6 10 q

= × C.
Rezistivitatea semiconductoarelor este mai mare decât cea a metalelor; de exemplu,
pentru siliciu este de 500 Ωm la temperatura camerei.
Pe lângă conductoare şi semiconductoare, există şi corpuri solide izolatoare. De
exemplu, mica are rezistivitatea de
9
20 10 × Ωm.
Un atom al unui semiconductor din grupa a IV-a, cum sunt siliciul şi germaniul,
are patru electroni de valenţă, pe care îi pune în comun cu cei patru cei mai apropiaţi
atomi din reţeaua cristalină, formând legături covalente. Deşi reţeaua cristalină este
tridimensională, se poate desena un model bidimensional, ca în fig. 1, care ilustrează
proprietăţile esenţiale ale structurii. Diagrama din fig. 1 este valabilă la temperatura de
0 K. Deoarece nu există purtători liberi de sarcină, conducţia curentului electric nu poate
avea loc.
La temperaturi peste 0 K, unii electroni pot părăsi legăturile covalente datorită
energiei termice. Aceştia devin purtători liberi de sarcină negativă şi pot conduce curentul
electric. Locul rămas liber se numeşte gol ("hole" în limba engleză), iar electronii
respectivi se numesc electroni liberi (fig. 2). Electronilor din legăturile covalente li se
spune uneori legaţi.
Golul se poate deplasa liber prin semiconductor, ca şi electronul care l-a generat şi
independent de acesta. Mişcarea e posibilă prin ocuparea poziţiei libere din legătura
covalentă de către un electron dintr-o altă legătură covalentă şi repetarea procesului din
aproape în aproape (fig. 3). În fig. 4 este prezentat un model unidimensional care
ilustrează "deplasarea" golului prin ocuparea succesivă a poziţiei acestuia de către
electronii legaţi. În realitate, fenomenul se desfăşoară în trei dimensiuni. Prin analiză
fizică se poate arăta că golurile se comportă ca nişte particule încărcate electric pozitiv (în
jurul golului există o sarcină pozitivă netă de la nucleele atomilor învecinaţi).
Un semiconductor pur din punct de vedere chimic se numeşte semiconductor
intrinsec.
În concluzie, într-un semiconductor intrinsec există purtători liberi de sarcină
pozitivă şi de sarcină negativă, care apar în perechi la temperaturi de peste 0 K şi care se
pot mişca independent unii de alţii. Concentraţiile acestor purtători cresc odată cu
creşterea temperaturii.


Semiconductoare extrinseci

Un semiconductor extrinsec se obţine dintr-unul intrinsec din grupa a IV-a
(germaniu sau siliciu) prin înlocuirea în unele noduri ale reţelei cristaline a atomilor
originali cu atomi ai altor elemente numite impurităţi. Procesul se numeşte dopare sau
impurificare. Se folosesc impurităţi pentavalente: antimoniu (stibiu – Sb), arsen (As) sau
fosfor (P), pecum şi impurităţi trivalente: aluminiu (Al), bor (B), galiu (Ga) sau indiu
(In).
Prin impurificare cu elemente pentavalente se obţin semiconductoarele de tip n
(fig. 5). Impurităţile pentavalente se mai numesc donoare (de electroni). Electronul în
plus asociat impurităţii devine liber la temperatura camerei, iar atomul de impuritate
devine ionizat pozitiv, apărând în felul acesta o sarcină pozitivă fixă în reţeaua cristalină.
+4
+4 +4
+4
+4 +4
+4
+4 +4
Fig. 1. Model bidimensional pentru structura cristalină a
unui semiconductor din grupa a IV-a la 0K.




De obicei există mult mai mulţi electroni liberi proveniţi prin dopare decât electroni liberi
intrinseci (şi evident goluri intrinsece). Într-un semiconductor de tip n, electronii se
numesc purtători majoritari, iar golurile – minoritari.
Prin impurificare cu elemente trivalente se obţin semiconductoare de tip p (fig. 6).
Golul suplimentar asociat unui atom oarecare de impuritate devine liber la temperatura
camerei. Atomul însuşi devine ionizat negativ, apărând astfel o sarcină negativă fixă în
reţeaua cristalină. De obicei există mult mai multe goluri provenite din dopare decât
goluri intrinseci. Într-un semiconductor p, golurile sunt purtători majoritari, iar electronii
– minoritari (de obicei se renunţă la specificarea atributului de "liberi" pentru electroni,
deoarece doar aceştia participă la procesul de conducţie alături de goluri, electronii legaţi
neavând nici un rol în acest proces).
În procesul de dopare rezultă concentraţii de impurităţi mult mai mici decât
concentraţiile de atomi. De aceea, proprietăţile chimice, mecanice şi metalurgice ale
semiconductorului nu sunt afectate prin dopare, în schimb proprietăţile electrice sunt mult
schimbate.
+4
+4 +4
+4
+4 +4
+4
+4 +4
Fig. 2. Apariţia unei perechi electron-gol la T>0K

Concentraţiile atomilor sunt de ordinul de mărime al numărului lui Avogadro,
adică 10
23
cm
-3
. O dopare de 10
20
cm
-3
atomi de impurităţi, considerată destul de mare,
duce la o concentraţie de abia 0,1%.












+4
+4 +4
+4
+4 +4
+4
+4 +4
Fig. 3. Electronii şi golurile se pot deplasa prin
semiconductor independent unele de altele. Mişcarea
golurilor echivalează mişcarea electronilor prinşi în
legăturile covalente.






Mecanisme de conducţie a curentului în semiconductoare

În semiconductoare există două mecanisme care provoacă mişcarea ordonată a
purtătorilor de sarcină, deci implicit apariţia curentului electric: driftul (deriva) în câmp
electric şi difuzia din cauza existenţei gradienţilor de concentraţie.
Se ştie că, într-un câmp electric E, o sarcină q este supusă unei forţe F=qE, sub
acţiunea căreia se mişcă uniform accelerat. Datorită semnului sarcinii pe care o poartă,
golurile se mişcă în sensul câmpului, iar electronii în sens contrar (fig. 7). În interiorul
semiconductoarelor, mişcarea de acceleraţie are loc pentru intervale foarte scurte de timp
din cauza cicnirilor purtătorilor liberi cu reţeaua cristalină. În urma acestor ciocniri,
energia cinetică a particulelor se pierde şi mişcarea reîncepe cu viteză iniţială nulă. Din
cauza numărului mare de ciocniri, la nivel macroscopic, adică privind semiconductorul în
ansamblu pe o perioadă suficient de lungă de timp, mişcarea purtătorilor apare ca şi cum
s-ar efectua cu viteză constantă. În fig. 8 este ilustrată situaţia idealizată, unidimensională
a unei particule care se deplasează sub acţiunea unei forţe constante şi suferă ciocniri
periodice în urma cărora îşi pierde toată energia cinetică acumulată şi este indicată viteza
medie a particulei. Din punct de vedere electric, particulele în mişcare dau naştere unui
curent de drift.
Curentul de difuzie apare din cauza faptului că, asemenea oricăror particule
microscopice, electronii şi golurile au tendinţa de a se deplasa dinspre zonele cu
concentraţie mai mare spre zonele adiacente cu concentraţie mai mică, dând astfel naştere
unui curent electric (fig. 9).
Curenţii de drift şi de difuzie au roluri esenţiale în funcţionare dispozitivelor
electronice semiconductoare.

t=t
1
t=t
2
>t
1
t=t
3
>t
2
Fig. 4. Imagine unidimensională pentru mişcarea unui gol
(spre dreapta în acest exemplu)






+4
+4 +4
+4
+5 +4
+4
+4 +4
Fig. 5. Semiconductoare extrinseci de tip n. O impuritate
donoare (pentavalentă) se ionizează foarte uşor (pierde un
electron). Apare un electron liber şi o sarcină pozitivă
fixă.

















+4
+4 +4
+4
+3 +4
+4
+4 +4
Fig. 6. Semiconductoare extrinseci de tip p. O impuritate
acceptoare (trivalentă) se ionizează foarte uşor (acceptă un
electron). Apare un gol şi o sarcină negativă fixă.










_
+
+
F=qE
_
F=-qE
E
Fig. 7. Mişcarea accelerată a purtătorilor în câmp electric

+
F=qE
t
v
v
med
Fig. 8. Sarcină pozitivă în mişcare unidimensională, sub influenţa unui
câmp electric, într-o reţea cristalină (se neglijează agitaţia termică).






















Suprafeţe de
egală
concentraţie
Vectorul
gradient în
punctul P
P
Fig. 9. Curentul de difuzie are sensul gradientului într-un câmp de
concentraţii

Joncţiunea pn

a) Joncţiunea pn la echilibru
O joncţiune pn constă dintr-o bară de metal semiconductor în lungul axei căreia
concentraţie de impurităţi variază brusc de la o majoritate de impurităţi acceptoare la o
majoritate de impurităţi donoare.
J oncţiunea nu poate fi construită prin punerea în contact a două bucăţi de
semiconductor dopate diferit, deoarece ar rezulta o întrerupere a structurii cristaline în
zona de contact. Pentru a înţelege fenomenele din joncţiune, să ne imaginăm totuşi că ar
fi posibil să punem în contact două bucăţi din acelaşi material semiconductor, una dopată
p şi cealaltă n, fără a exista o discontinuitate a reţelei cristaline. Din cauza diferenţelor de
concentraţie, golurile difuzează din zona p în zona n, iar electronii din zona n în zona p,
neutralizând purtătorii din vecinătatea joncţiunii (fig. 1). În regiunile respective apar
sarcini fixe necompensate ale atomilor de impuritate (nu mai sunt neutralizate de către
purtătorii mobili). Ca urmare, ia naştere un câmp electric ce se opune mişcării în
continuare a purtătorilor mobili. Se realizează un echilibru dinamic, în care mişcarea de
difuzie a electronilor din zona n în zona p este compensată de mişcarea de drift inversă a
acestora şi la fel pentru goluri (pricipiul echilibrului detaliat). Curentul electric total este
nul într-o astfel de joncţiune aflată la echilibru (adică temperatura este aceeaşi în toate
punctele semiconductorului şi acesta nu este supus nici unui câmp electric extern, radiaţii
luminoase sau ionizante, nucleare etc).
Regiunea în care predomină câmpul electric se numeşte zonă sărăcită (de
purtători mobili). În această zonă se spune că există o sarcină spaţială (dată de atomii de
impuritate ionizaţi, ficşi). De multe ori se foloseşte aproximaţia de golire, conform căreia
zona sărăcită este complet golită de purtători. Celelalte două zone (p şi n) se numesc
regiuni neutre.
Câmpul electric E
0
dă naştere unei diferenţe interne de potenţial între zona n şi
zona p numită diferenţă de potenţial de contact, sau barieră de potenţial. Ea este de
ordinul zecimilor de volt.

b) Joncţiune pn în polarizare directă

Polarizarea directă a joncţiunii pn înseamnă aplicarea unei diferenţe de potenţial
V
F
pozitive între marginile exterioare ale zonelor p şi n. Ca urmare, datorită câmpului
electric exterior care este aplicat implicit, câmpul electric intern şi deci şi diferenţa
internă de potenţial scad şi lăţimea regiunii sărăcite scade şi ea (fig. 2). Se poate
demonstra că apar creşteri ale concetraţiilor de purtători mobili, minoritari la marginile
regiunii de sarcină spaţială, care variază exponenţial cu V
F
. Se generează astfel purtători
în exces (suplimentari faţă de situaţia de la echilibru). Fenomenul se numeşte injecţie de
purtători minoritari (purtătorii sunt injectaţi din regiunile în care sunt majoritari în cele în
care sunt minoritari). Se strică şi echilibrul dintre curenţii de drift şi de difuzie. Curenţii
de drift scad din cauza scăderii câmpului electric şi sunt deci favorizaţi curenţii de
difuzie. Vor difuza desigur purtătorii majoritari (în regiunile din care pleacă) străbătând
joncţiunea, deci curentul rezultat poate avea valori mari; se poate demonstra că şi acesta
variază exponenţial cu V
F
. În corpul semiconductorului predomină fenomene de
recombinare, prin care purtătorii injectaţi se recombină cu purtători de semn opus.
Curentul este susţinut de generarea de purtători la contactele metalice.



c) Joncţiunea pn în polarizare inversă

Polarizarea inversă a joncţiunii pn înseamnă aplicarea unei diferenţe de potenţial
pozitive V
R
între marginile exterioare ale zonelor n şi p (fig. 3). Ca urmare, diferenţa
internă de potenţial creşte şi lăţimea regiunii sărăcite creşte şi ea. Concentraţiile de
purtători minoritari la marginile regiunii de golire scad. Apare o sărăcire de purtători
minoritari, ceea ce înseamnă valori negative pentru concentraţiile de purtători în exces.
Fenomenul se numeşte extracţie de purtători minoritari. Deoarece câmpul electric intern
creşte, cresc curenţii de drift în dauna celor de difuzie. Cum prin drift străbat joncţiunea
purtători ce pleacă din regiunile în care sunt minoritari, curentul rezultat este foarte mic şi
se saturează (adică atinge o valoare limită la creşterea tensiunii V
R
) din cauza lipsei de
purtători disponibili. În corpul semiconductorului predomină procesele de generare de
purtători care susţin micul curent de purtători minoritari. După cum vom vedea, dacă V
R

depăşeşte o anumită valoare, apar fenomene de străpungere, în urma cărora curentul I
R

poate creşte foarte mult.



Contactele ohmice (metal – semiconductor) introduc diferenţe de potenţial de contact
care compensează diferenţa internă de potenţial a joncţiunii în condiţii de echilibru, astfel
încât tensiunea la borne să se anuleze. Ele sunt bune conducătoare de electricitate în
ambele direcţii şi bariera de potenţial metal – semiconductor nu îşi schimbă semnificativ
valorea în urma polarizării. Se poate arăta că, pentru ca să se producă aceste fenomene,
este necesar fie ca în regiunea de contact metal – semiconductor să se producă o
îmbogăţire cu purtători mobili, fie ca timpul de viaţă al putătorilor în exces să fie extrem
de redus în semiconductor în vecinătatea contactului. Timpul de viaţă al purtătorilor în
Fig. 1. Joncţiune pn la echilibru (nepolarizată)
atomi acceptori
ionizaţi (regiune
de sarcină spaţială)
l
0
≈10
-4
cm
electroni
goluri atomi donori
ionizaţi (regiune de
sarcină spaţială)
regiune p regiune n
E
0
exces este mărimea intervalului mediu de timp scurs între momentul când apar, în corpul
semiconductorului, purtători în exces faţă de situaţia de la echilibru şi momentul când
aceştia se recombină. este un parametru foarte important pentru funcţionarea în regim
dinamic a dispozitivelor construite cu semiconductoare, influenţând viteza acestora.






l
d
<l
0

regiune p regiune n
E
d
<E
0
+
_
R
I
F
+
_
V
F
>0
E

contact
ohmic

Fig. 2. Joncţiune pn polarizată direct.







Fig. 3. Joncţiune pn polarizată invers.

l
r
>l
0

regiune p regiune n
E
r
>E
0
+
_
R
I
R
_
+
V
R
>0
E

contact
ohmic

Rezistenţa dinamică a diodei

Vom introduce nişte notaţii importante, care au o utilizare larg răspândită.
Variabilele electrice, tensiuni şi curenţi, pot fi scrise ca sume dintre valorile lor de
curent continuu şi componentele lor variabile sau de semnal. În multe dintre circuitele
electronice, în special în cele de semnal mic, cum sunt preamplificatoarele, valorile de
curent continuu sunt folosite pentru polarizarea componentelor – diode, tranzistoare etc –
adică pentru stabilirea unui punct static de funcţionare – PSF – iar variabilele de semnal
sunt folosite ca suport pentru transportul informaţiei.
Variabilele totale de semnal le vom nota cu litere mici cărora le vom afecta indici
scrişi cu litere mari, de exemplu v
F
.
Componentele continui le vom nota cu litere mari afectate de indici scrişi cu litere
mari, de exemplu V
F
.
Variabilele de semnal le vom scrie cu litere mici şi indici mici, de exmplu v
f
.
Avem

F F f
v V v = + . (1)

De obicei variabilele de semnal au valori mici în raport cu cele de polarizare | |
f F
v V << .
O importanţă aparte o au componentele de semnal care sunt sinusoide.
Amplitudinile acestora se noteză ci litere mari şi indici mici, de exemplu V
f
. Vom avea de
exemplu:

( ) cos( )
f f
v t V t ω ϕ = + . (2)

Amintim că 2 f ω π = se numeşte pulsaţie, f fiind frecvenţa,
2 1
T
f
π
ω
= = se numeşte
perioadă, iar
2
f
eff
V
V = se numeşte valoare efectivă.
Amintim că importanţa semnalelor sinusoidale în studiul circuitelor provine din
faptul că sistemele (circuitele) liniare nu schimbă nici forma acestora (adică variabilele
electrice sunt sinusoidale în toate punctele şi la toate bornele circuitului) şi nici frecvenţa.
Un sistem este liniar dacă ascultă de principiul superpoziţiei, adică răspunsul sistemului
la o combinaţie liniară de semnale este combinaţia liniară a răspunsurilor la semnalele
individuale, adică aplicate pe rând. În plus, teoria lui Fourier asigură faptul că orice
semnal se poate scrie ca o sumă (în sens larg, adică poate fi şi integrală) de sinusoide.
Cunoscând răspunsul circuitului la orice sinusoidă, se poate aplica superpoziţia pentru a
cunoaşte (în principiu) răspunsul la un semnal oarecare. Din aceste motive, de foarte
multe ori circuitele sunt caracterizate prin răspunsurile lor la semnale de excitaţie
sinusoidale, de frecvenţă arbitrară.
Folosind diodele, vom ilustra acum separarea funcţionării circuitelor în două
regimuri: de curent continuu şi de curent variabil.
Cosiderăm un circuit care conţine o diodă, fig. 1 şi presupunem că tensiunea la
bornele acesteia este dată de (1), componenta variabilă fiind (2) cu
f F
V V << . de fapt,
impunem ca amplitudinea să fie mult mai mică decât tensiunea termică, aşa-numita
condiţie de semnal mic:

f T
kT
V V
q
<< = . (3)




Presupunem că frecvenţa f este suficient de mică încât fenomenele care se produc
să poată fi considerate ca o succesiune de stări statice, adică, în fiecare moment, relaţia
dintre curentul şi tensiunea la bornele diodei să fie

0
1
F
T
v
mV
F
i I e
| |
= − |
|
\ .
. (4)

În sens strict, (4) e valabilă dacă variabilele se înlocuiesc cu V
F
şi I
F
; dacă variaţiile sunt
lente, atunci putem face aproximaţia (4), numită de cuasistaţionaritate.
Construcţia punct – cu – punct care dă, în fiecare moment, curentul prin diodă i
F

pornind de la tensiunea v
F
şi folosind caracteristica diodei este arătată în fig. 2. Dacă este
adevărată (3), atunci putem aproxima caracteristica diodei cu tangenta dusă prin punctul
static de funcţionare ( , )
F F
PSF V I = . În felul acesta se comit două erori: una de
amplitudine, evidenţiată pe figură de mărimile ε
1
şi ε
2
şi una de formă, deoarece, dacă
prin folosirea tangentei se ajunge la un curent sinusoidal, prin folosirea caractersiticii
reale nu se întâmplă acest lucru. După cum se vede, aceste erori sunt mici; ele devin
neglijabile având în vedere (3) deoarece, pe figură, amplitudinile sunt mult exagerate din
motive de vizualizare.
Prin folosirea tangentei la grafic, relaţia dintre variabilele de semnal devine
liniară:

f
f
d
v
i
r
= (5)

Fig. 1 Circuit cu diodă.

+

v
F
i
F


Alte
circuite
unde r
d
se numeşte rezistenţă dinamică şi are evident valoarea dependentă de punctul
static de funcţionare:

( , )
1
F F
F
d F
PSF V I
di
r dv
=
= . (6)

Relaţia dintre variabilele de curent continuu rămâne (4) cu
F F
v V = şi
F F
i I = . Se observă
că am separat în acest fel studiul funcţionării schemei în curent continuu de cel în curent
alternativ, o tehnică pe care o vom folosi deseori mai târziu, în cazul unor scheme
nebanale.




Încheiem acest paragraf prin calculul rezistenţei dinamice.
( ) ,
F F
PSF V I =
0 0 0
0
1
1
F F
T T
v v
mv mv F F
d F T T T
PSF
PSF PSF
I i I I I d
I e e
r dv mV mV mV
| | | |
+ +
= − = = = | |
| |
\ . \ .

deci
0
T
d
F
mV
r
I I
=
+
. (7)
Fig. 2. Forme de undă la semnal mic pentru o diodă.

ε
1
ε
2
v
F
i
F
t

i
f
v
f
t

(V
F
,I
F
)




Observaţie
O altă tehnică pentru obţinerea valorii rezistenţei dinamice, care în plus pune
direct în evidenţă separarea dintre regimul de curent continuu şi cel de curent alternativ
fără ajutoare grafice şi totodată arată necesitatea lui (3) este dezvoltarea în serie Taylor în
jurul PSF. Prelucrăm (4) după cum urmează:

0 0 0
0
0 0
1 1 1 1
1
1 .
F f f
F F
T T T T
F F
T T
V v v
V V
f mV mV mV mV
F
T
V V
f mV mV F
F f F f F f
T T d
v
i I e I e e I e
mV
v
I I
I e I e I v I v I i
mV mV r
+
| | | |
(
| |
| | = − = − ≅ + − = (
|
| |
\ . (
¸ ¸
\ . \ .
| |
+
= − + = + = + = + |
|
\ .



Rezultă imediat (7). Evident că cele două abordări sunt asemănătoare fiindcă se bazează
pe proprietăţile derivatei unei funcţii.


Aplicaţie

Se consideră circuitul din Fig. 3., în care dioda are un curent de saturaţie I
S
=1 nA şi un
factor de idealitate m=1,5. Generatorul de semnal sinusoidal are amplitudinea V
g
=0,5 V,
iar condensatorul are o reactanţă neglijabilă la frecvenţa de lucru. Să se calculeze
amplitudinea tensiunii de semnal la bornele diodei V
f
şi amplitudinea curentului prin
diodă I
f
. La frecvenţa semnalului se pot neglija efectele capacitive din diodă. Se va lua
V
T
=26 mV.

+
+


v
g
V=20 V
R
1
=10 k
R
2
=10 k
C
i
F
=I
F
+i
f
+

v
F
=V
F
+v
f
Fig. 3. Circuit cu diodă.

( ) ( ) sin
g g
v t V t = ω .
R

Schema echivalentă în curent continuu a circuitului este prezentată în Fig. 4.



Datorită tensiunii mari în serie cu dioda, putem neglija căderea de tensiune pe aceasta
Rezultă

1 2
20V
1mA
20kΩ
F
V
I
R R
≅ = =
+

Se calculează rezistenţa dinamică a diodei în punctul de funcţionare
3
3 9
1,5 26 10
39Ω
10 10
T
d
F S
mV
r
I I

− −
× ×
= = =
+ +

(curentul I
S
se poate neglija faţă de curentul direct).

Schema echivalentă pentru variaţii este reprezentată în Fig. 5.





V=20 V
+

R
1
=10 k R
2
=10 k
I
F
+

V
F
Fig. 4. Schema echivalentă în curent continuu a circuitului din Fig. 3.
+

v
g
R
1
=10 k
i
f
+

v
f
r
d
Fig. 5. Schema echivalentă pentru variaţii a circuitului din Fig. 3.

Se aplică regula divizorului de tensiune:

-3
1
39
0,5 V=1,94 10 V=1,94mV
10039
d
f g
d
r
V V
R r
= = × ×
+


Se observă că este respectată condiţia
f T
V V << .

1,94mV
0,05mA=50μA
39Ω
f
f
d
V
I
r
= = ≅ .
Capacităţile de barieră şi de difuzie ale unei joncţiuni pn

După cum am văzut la prezentarea joncţiunii pn, variaţia tensiunii la capetele
barei de semiconductor provoacă, printre altele, două fenomene: variaţia lăţimii regiunii
sărăcite (numită şi de sarcină spaţială) şi variaţia concentraţiilor de impurităţi în cele două
regiuni neutre. Dacă tensiunea variază lent, atunci aceste schimbări au loc simultan cu
tensiunea şi putem considera că are loc un regim de cuasistaţionaritate. Dacă viteza de
variaţie a tensiunii este mai mare, atunci schimbările din interiorul semiconductorului nu
au loc instantaneu, deci trebuie să ţinem cont de fenomenul de inerţie. În particular, se
poate demonstra că inerţia poate fi modelată în cazul joncţiunii pn prin introducerea a
două capacităţi de semnal mic: capacitatea de barieră şi capacitatea de difuzie.
Capacitatea de barieră C
b
modelează fenomenele care au loc ca urmare a
modificării regiunii de sărăcire. Dacă are loc condiţia de semnal mic | |
f T
v V << , atunci se
poate demonstra că, în ipoteza de golire, avem

0
0
1
b
F
C
C
V
ψ
=

(1)

unde C
0
este o constantă, iar ψ
0
se numeşte diferenţă internă de potenţial (de asemenea o
constantă, sub 1 V).
Capacitatea de difuzie C
d
modelează faptul că nu pot avea loc variaţii bruşte ale
concentraţiilor de purtători din regiunile neutre ca urmare a variaţiilor tensiunii directe pe
joncţiune. Ea depinde aproximativ exponenţial de V
F
, dar nu se poate da o formulă
precisă.
Dependenţa capacităţilor de barieră şi de difuzie de tensiunea de polarizare este
dată în fig. 1, iar schema echivalentă completă a joncţiunii la semnal mic este dată în fig.
2. Unele elemente pot să lipsească din această schemă, de exemplu capacitatea de difuzie
când joncţiunea este polarizată invers. De altfel, acesta este regimul în care se
exploatează diodele cel mai frecvent la înaltă frecvenţă şi semnal mic pe post de
capacităţi comandate în tensiune. Diodele respective se numesc diode varicap.
Capacitatea diodelor varicap la înaltă frecvenţă este de ordinul zecimilor de pF până la
ordinul câtorva pF. La polarizare inversă, rezistenţa diferenţială a diodei devine foarte
mare, deci şi ea poate fi neglijată în multe situaţii sau în primă aproximaţie.
Capacitatea de difuzie poate fi de ordinul câtorva pF până la zeci de nF.
Există diode de construcţie specială care pot fi exploatate la înaltă frecvenţă la
semnal mare. Acestea se numesc diode de comutaţie. Nu trebuie confundate cele două
regimuri de înaltă frecvenţă.
















Aplicaţie
Se consideră circuitul acordat din Fig. 3 (a), realizat cu o diodă varicap. Capacitatea se
consideră suficient de mare pentru a fi practic un scurtcircuit la frecvenţa de lucru, iar
rezistenţa R suficient de mică pentru ca tensiunea inversă pe diodă să fie V. Ştiind că
C
0
=20 pF, L=21,9 μH, ψ
0
=1 V şi că V variază între 2 şi 47 V, între ce limite poate fi
reglată frecvenţa de rezonanţă a circuitului? [Gray 1973]



Fig. 1. Variaţiile capacităţilor de barieră C
b
şi de
difuzie C
d
cu tensiunea directă pe o joncţiune pn.
v
F ψ
0
C
b
C
d
C
d
, C
b
varicap

r
d
C
b
C
d
Fig. 2. Schemă echivalentă la
semnal mic a unei joncţiuni pn.
Valorile componentelor depind de
PSF.





R

Circuitul echivalent pentru semnal alternativ sinusoidal (schema echivalentă pentru
variaţii) este reprezentat în Fig. 3 (b). Tensiunea de alimentare fiind constantă, variaţia sa
este nulă, deci, în schema pentru variaţii ea apare ca un scurtcircuit.
Frecvenţa de rezonanţă se obţine din condiţia ca impedanţa de intrare să fie reală:

1 1
Y j C
R j L
ω
ω
= + + reală implică

1
L
C
= ω
ω
, de unde

0 0
1 1
;
2
f
LC LC
= = ω
π
.

Avem
0
0
20pF 20pF
; 2,89pF; 11,55pF
47 2
1 1+ 1+
1 1
b bmin bmax
C
C C C
V
= = = = =
+
ψ
.


R C
b
L
+

V
C
D
R
L
(a)
(b)
Fig. 3. (a) Circuit acordabil cu diodă varicap. (b) Schema echivalentă la
variaţii
Y


Rezultă

7
6 12
1 1
10 Hz=10MHz
2
2 21,9 10 11,55 10
min
max
f
LC
− −
= = ≅
× × ×
π
π
;


7
6 12
1 1
2 10 Hz=20MHz
2
2 21,9 10 2,89 10
max
min
f
LC
− −
= = ≅ ×
× × ×
π
π
.

Frecvenţa se poate regla pe un interval de o octavă.

















Concentraţiile de purtători într-o joncţiune pn







Fig. 1. Concentraţiile de purtători într-o joncţiune
(a) la echilibru; (b) polarizată direct; (c) polarizată
invers.
p n
n,p [cm
–3
]

x

l
n0
n

p

Regiune de
sărăcire

–l
p0
10
9

10
16

x
l
n+
n

p

Regiune de
sărăcire

–l
p+
10
9

10
16

n,p [cm
–3
]

x

l
n–
n

p

Regiune de
sărăcire

–l
p–
10
9

10
16

n,p [cm
–3
]

(a)
(b)
(c)











r
d
C
b
C
d
Fig. 2. Schemă echivalentă la
semnal mic a unei joncţiuni pn.
Valorile componentelor depind de
PSF.
Străpungerea joncţiunii pn

Străpungerea joncţiunii pn constă în creşterea curentului invers la o anumită
tensiune inversă numită tensiune de străpungere V
BR
(fig. 1).



Fenomenul de străpungere este reversibil şi nu distruge joncţiunea dacă se
limitează valoarea maximă a curentului invers la o anumită valoare dependentă de
construcţia dispozitivului I
Rmax
. Tensiunea inversă este aproximativ constantă pentru un
domeniu larg de variaţie a curentului invers, notat ( ) ,
Rmin Rmax
I I .
Dispozitivul a cărui funcţionare se bazează pe fenomenul de străpungere se
numeşte diodă Zener şi se foloseşte la construcţia stabilizatoarelor de tensiune, deoarece
tensiunea inversă este aproximativ constantă de îndată ce curentul invers depăşeşte
valoarea I
Rmin
.
Există două fenomene fizice care explică străpungerea: multiplicarea în avalanşă
şi efectul Zener.
Pentru a explica multiplicarea în avalanşă, pornim de la faptul că, la polarizare
inversă, curentul este mic deoarece numărul purtătorilor care străbat joncţiunea este mic.
Dacă tensiunea inversă creşte, atunci câmpul electric din regiunea de sărăcire creşte.
Deoarece, la polarizare inversă, mişcarea purtătorilor este în principal guvernată de
driftul în câmp electric, creşterea câmpului duce la creşterea energiei cinetice a
purtătorilor. La o anumită tensiune inversă, câmpul devine suficient de puternic pentru a
imprima purtătorilor o energie care să provoace, în urma ciocnirilor cu atomii reţelei
cristaline, ruperi ale legăturilor covalente şi formări de perechi noi electron – gol. Noii
purtători astfel formaţi sunt acceleraţi de câmp şi formează prin ciocniri, la rândul lor,
perechi electron – gol şi procesul se multiplică în avalanşă (fig. 2 (a)).
Fig. 1. Caracteristica unei joncţiuni pn în zona de
străpungere. Panta poate fi mai abruptă decât cea
reprezentată.

v
F
i
F
–I
0
–I
Rmax
–V
BR
–I
Rmin
Efectul Zener apare în cazul joncţiunilor puternic dopate, la concentraţii de
impurităţi mai mari de 10
18
cm
-3
. În acest caz, sub acţiunea directă a câmpului electric se
rup legături covalente ceea ce duce la creşterea concetraţiilor de purtători mobili şi
implicit a curentului. Tensiunile inverse ale joncţiunilor la care se manifestă efectul Zener
sunt mici, sub 5 V.
Diodele construite pentru a fi utilizate pe baza fenomenului de străpungere se
numesc diode Zener indiferent de mecanismul care stă la baza funcţionării lor.
În fig. 3 se prezintă simbolul pe care îl vom folosi şi modelul diodei Zener când
joncţiunea e polarizată invers. Când aceasta e polarizată direct, dispozitivul se comportă
ca o diodă obişnuită. Rezistenţa serie R, definită analog cu cea a unei diode obişnuite,
este mică, de multe ori neglijabilă, de ordinul ohmilor.







(a)
(b)

Fig. 2. Străpungerea joncţiunii pn. (a) Avalanşă. (b)
Efect Zener.

E

F

+4 +4
v
+ –
v
R
i
R
v
R
=– v
F
i
R
=– i
F
(a)

Fig. 3 Simbol (a) şi schemă echivalentă (b) ale unei diode Zener în zona de
străpungere.
V
BR
+

R
R=dv
F
/di
F
+

i
R
v
R
(b)

Stabilizator cu diodă Zener

• Schema echivalentă Thévénin a unei surse liniare conţine o sursă ideală de tensiune
continuă V
G
în serie cu o rezistenţă echivalentă R
G
. O sarcină rezistivă liniară poate fi
reprezentată printr-o rezistenţă R
L
. Alimentarea sarcinii de către sursă este modelată prin
schema din fig. 1.



• Tensiunea şi curentul prin sarcină sunt date de

L
L G
G L
G
L
G L
R
V V
R R
V
I
R R
=
+
=
+
. (1)

Dacă
G L
R R << , atunci sarcina este alimentată la aproximativ tensiunea
electromotoare a sursei. Din păcate, multe dintre sursele de tensiune nu îndeplinesc
această condiţie şi atunci tensiunea la care e alimentată sarcina depinde de valoarea
sarcinii. În plus, chiar dacă este îndeplinită condiţia
G L
R R << , tensiunea V
G
are uneori
pulsaţii, ca în cazul unui redresor, chiar filtrat şi aceste pulsaţii se transmit sarcinii. În
multe situaţii, prezenţa pulsaţiilor nu este admisibilă. Eliminarea pulsaţiilor şi reducerea
dependenţei tensiunii pe sarcină de valoarea acesteia se realizează prin stabilizare.
• Cea mai simplă schemă de stabilizare a tensiunii de alimentare constă în conectarea
unei diode Zener împreună cu o rezistenţă de limitare a curentului R
1
, ca în fig. 2 (a). În
fig. 2 (b) este reprezentată schema ce se obţine înlocuind dioda cu modelul în zona de
străpungere. Dacă considerăm pentru început 0 R = , observăm că
L BR
V V = , deci
variaţiile lui V
G
nu se transmit sarcinii. Preţul plătit pentru stabilizare este puterea
consumată în rezistenţa R
1
.
• Dacă notăm cu I
Zmax
curentul maxim suportat de dioda Zener, atunci rezistenţa de
limitare se alege din condiţia ca acest curent să nu fie depăşit. Prin diodă circulă cel mai
mare curent când R
L
lipseşte (circuit deschis), deci

Fig. 1. Sursă liniară de
tensiune continuă.

I
L
R
G
V
L
V
G
+

R
L
+







1
0
G BR
L Z Zmax
G
V V
I I I I
R R

= ⇒ = = ≤ ⇒
+


1
( 0)
G Zmax G BR
Zmax
V I R V
R R
I
− −
≥ ≈ . (2)



Curentul absorbit de la sursă este constant în raport cu sarcina (nu depinde de R
L
):

1
( 0)
G BR
Z L Zmax
G
V V
I I I I R
R R

= + = ≤ ≈
+
. (3)

Această relaţie furnizează o explicaţie pentru mecanismul fizic de stabilizare: variaţiile
curentului de sarcină sunt preluate de curentul prin diodă. Curentul prin sarcină nu poate
depăşi valoarea I
Zmax
dacă schema este proiectată la limită, caz în care prin diodă nu
curge curent (semnificativ).
Stabilizarea este posibilă atâta timp cât curentul prin diodă depăşeşte valoarea I
Zmin
.
Din (3) rezultă
Fig. 2. Schemă electrică (a) şi schemă echivalentă (b)
ale unui stabilizator cu diodă Zener.
(a)

R
G
V
G
+

I
L
v
L R
L
+

R
1
(b)

V
BR
+

R
I
Z
R
G
V
G
+

I
L
v
L
R
L
+

R
1 I

1
( 0)
G BR
L Z
G
V V
I I R
R R

= − ≈
+


deci

max
1
( 0)
G BR
L L Zmin
G
V V
I I I R
R R

= < − ≈
+
. (4)

Dacă se ţine cont de rezistenţa serie a diodei R, atunci caracterizarea cea mai bună a
stabilizatorului se poate face în termenii circuitului echivalent Thévénin, adică tensiunea
în gol şi rezistenţa de ieşire. Pentru tensiunea în gol, considerăm că R
L
este absentă în fig.
2 (b). Rezultă (fig. 3)



1
1 1 1
G BR S
gol BR G BR BR
S S S
V V R R R
V R V V V V
R R R R R R R R R
− +
= + = + ≅
+ + + + + +
. (5)

Pentru rezistenţa de ieşire în gol pasivizăm (scurtcircuităm) sursele de tensiune. Rezultă

0 1
||( )
S
R R R R R = + ≅ . (6)


Fig. 3. Schemă pentru calculul elementelor
echivalente Thévénin (a) tensiunea în gol (b)
rezistenţa internă.
R
1
(a)

V
BR
+

R
I
Z
R
G
V
G
+

V
gol
+

R
1 I

(b)

R
R
G
R
0
I

Valorile din ultimii membri din (4) şi (5) sunt valabile când ,
G L
R R R << , fapt ce se
întâmplă în majoritatea situaţiilor.



Exemplu:

Să se dimensioneze un stabilizator cu diodă Zener care să furnizeze o tensiune stabilizată
de 9 V, fiind alimentat de la o sursă nestabilizată de 25 V, astfel încât stabilizatorul să
poată funcţiona în gol. Să se determine rezistenţa de sarcină minimă care poate fi
conectată la bornele stabilizatorului. Se dau: I
Zmax
=100 mA, I
Zmin
=6 mA; se neglijează
rezistenţa dinamică a diodei Zener (care e în jur de 4 Ω).
R


25V-9V
160Ω
0,1A
L Z Zmax S
R I I I R = ∞ ⇒ = = ⇒ = =
9V
95,7Ω.
100-6mA
Z Zmin
L Lmin Lmin
Lmax Zmax Zmin
I I
R R R
I I I
= ¦
= ⇒ ⇒ = =
´
= −
¹


Puterea maximă disipată pe dioda Zener este

9V 100mA=900mW.
Z Z Zmax
P V I = × = ×


Factorul de stabilizare
Variaţiile tensiunii de ieşire ale stabilizatorului apar din cauza pulsaţiilor tensiunii de
alimentare şi ale curntului de sarcină. Cu cât aceste variaţii sunt mai mici, cu atât
stabilizatorul este mai bun. Pentru a caracteriza cantitativ proprietăţile de stabilizare ale
circuitului, se procedează după cum urmează.
Se consideră schema din figura următoare, considerând mărimile electrice ca fiind
variabile, cu excepţia tesiunii date de dioda Zener (reprezentată prin modelul său).


Stabilizator cu diodă Zener

I

25 V

+

I
L
v
L
R
L
+
_
R
S
9 V

I
Z




Avem:
( )
1
0
G G L
L Z
Z BR L
e i R R v
i i i
i R V v
= + + ¦
¦
= +
´
¦
+ − =
¹


Se elimină i
Z
din a doua şi a treia ecuaţie şi se înlocuieşte i în prima. Rearanjând termenii
rezultă

( )
1 1
1
1
G G
G L G L Z
R R R R
e i R R v V
R R
+ + | |
= + + + −
|
\ .
.
Trecând la variaţii şi ţinând cont că V
Z
este constant rezultă

( )
1
1
1
G
G G L L
R R
e R R i v
R
∆ ∆ ∆
+ | |
= + + +
|
\ .
.

Cele două surse de variaţii sunt independente. Se defineşte factorul de stabilizare:

1
0
L
G G
L
i
e R R R
S
v R



=
+ +
= =

şi rezistenţa de ieşire în regim dinamic

( )
( )
1
1
1
0
||
G
G L
o G
L G
e
R R R v
r R R R
i R R R



=
+
= = = +
+ +
.
Se observă că aceasta este egală cu rezistenţa echivalentă Thévénin a circuitului care
alimentează R
L
în figura anterioară.



V
BR
+

R
i
Z
R
G
e
G
+

i
L
v
L
R
L
+

R
1 i

Exemplu.
Să se calculeze factorul de stabilizare şi rezistenţa de ieşire în regim dinamic a circuitului
din exemplul anterior. Dacă tensiunea de intrare are pulsaţii de 1V şi curentul de sarcină
i
L
variază între 60 mA şi 40 mA, care vor fi pulsaţiile tensiunii de ieşire?
R:
Avem

1
160Ω
0

S
G
R R
R =
R
= =
=


Rezultă

160 4
41
4
S
+
= = ;
160 4
3,9Ω
160 4
o
r
×
= =
+
.
Pulsaţiile cauzate de tensiunea de intrare:
1
1V
24,39mV
41
L
v ∆ = = .
Pulsaţiile cauzate de curentul de sarcină:
( )
2
60mA 40mA 3,9Ω 78 mV
L
v ∆ = − × = .
În cazul cel mai defavorabil, vom avea
1 2
102,39mV
L L L
v v v ∆ ∆ ∆ = + = .

Tranzistorul bipolar – introducere


1. Structura constructivă



Tranzistoarele cu o dopare complementară sunt de tip npn.

• Ariile joncţiunilor sunt cuprinse între câteva sute şi câteva mii de microni pătraţi.
• Joncţiunile se găsesc la câţiva microni sub suprafaţa semiconductorului.
• Grosimea bazei (între planele joncţiunilor) poate scădea la câteva zecimi de microni.















Fig. 1. Structura constructivă a unui tranzistor pnp.
p+
n
p
contactul
emitorului
contactul
bazei
contactul
colectorului
RSS
2. Comportarea fizică internă
• Se spune că tranzistorul se află în regiunea activă, directă dacă joncţiunea emitorului
este polarizată direct şi joncţiunea colectorului este polarizată invers.
• Pentru o prezentare transparentă a funcţionării tranzistorului în regiunea activă (se
subînţelege – directă), considerăm modelul unidimensional din Fig. 2.


• Joncţiunea emitorului este polarizată direct; prin urmare, este injectat un curent mare
de goluri din emitor în bază şi un curent foarte mic de electroni din bază în emitor.
Dezechilibrul dintre curenţi este determinat de doparea, din construcţie, mult mai
puternică a emitorului decât a bazei. Electronii injectaţi în emitor se recombină cu goluri,
acest proces având o dimensiune foarte redusă.
• Golurile tranzitează baza, unde recombinarea lor cu electroni este foarte mică, aproape
neglijabilă, datorită grosimii mici a bazei şi a timpului de viaţă mare al purtătorilor în
exces.
• Ajunse la joncţiunea colectorului, golurile traversează regiunea de sarcină spaţială sub
acţiunea câmpului electric şi trec în colector. Curentul nu depinde de tensiunea colector –
bază, ca la orice joncţiune polarizată invers (în primă aproximaţie; există o uşoară
dependenţă din cauza variaţiei grosimii bazei cu tensiunea colector – bază: efectul Early).
• Curgerea curenţilor prin tranzistor este reprezentată în Fig. 3.
• Simbolurile folosite pentru reprezentarea tranzistoarelor pnp şi npn sunt arătate în Fig.
4.
• În cursul acestui capitol, vom adopta convenţia ca sensurile de referinţă pentru curenţi
să fie înspre tranzistor. Notaţiile pentru tensiuni indică implicit sensurile de referinţă în
indici, care arată potenţialele terminalelor. De exemplu

BE B E EB
V V V V = − = − etc.






Fig. 2. Structură simplificată pentru un tranzistor bipolar.
RSS
E
Emitor
p+
Bază
n
RSS
E
Colector
p E
B
C
Polarizată direct
Polarizată invers













Fig. 3. Curenţii într-un tranzistor bipolar pnp.

flux de goluri
flux de electroni
RSS
(pol.
directă)
RSS
(pol.
inversă)
E
E
E
C
E (p+)

B (n)

C (p)

Recombinări

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor npn

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor pnp

Fig. 4. Simboluri pentru tranzistoare.
2. Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar






• Considerăm, pentru început, cazul unui tranzistor pnp, aflat în regiunea activă, directă.
Admitem că el este puternic polarizat (prin surse de tensiune continuă exterioare), această
însemnând

EB T
kT
V V
q
>> = ,
CB
kT
V
q
<< − .

(De fapt, aceste condiţii sunt uşor de îndeplinit, având în vedere valoarea mică a tensiunii
termice).

• După cum am văzut, curentul este determinat de polarizarea directă a joncţiunii
emitorului. Curentul prin joncţiune depinde exponenţial de tensiunea pe joncţiune, care,
în acest caz, este V
EB
(ca mărime de comandă se poate considera şi curentul de bază dar,
în acest paragraf, vom lua tensiunea pe joncţiunea emitorului ca mărime de comandă).
• Este destul de clar din punct de vedere intuitiv (şi, în orice caz, admitem) că toţi cei
trei curenţi variază exponenţial cu tensiunea V
EB
.
• Deoarece mărimea de ieşire este curentul de colector, vom porni de la dependenţa
exponenţială a acestuia de tensiunea V
EB
, sub forma:

1
1
EB
qV
kT
C
I I e
 
= − −
 
 
(1)

unde I
1
are sensul fizic al unui curent de saturaţie.
C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor npn

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor pnp

Fig. 4. Simboluri pentru tranzistoare.
• Curentul de bază are acelaşi tip de dependenţă de tensiunea V
EB
. El este însă mult mai
mic, deoarece trebuie să susţină doar micile recombinări din bază şi din emitor. Vom
scrie:

1
1 , 1
EB
qV
kT
B C
I I I e δ δ δ
 
= = − − <<
 
 
. (2)

Coeficientul δ se numeşte pierdere în bază sau defect în bază deoarece provine din efecte
nedorite.
• Curentul de emitor rezultă din faptul că suma curenţilor care intră şi ies printr-o
suprafaţă închisă este nulă. Rezultă:

( )
1
1 1
EB
qV
kT
E B C
I I I I e δ
 
= − − = + −
 
 
. (3)

• În cazul unui tranzistor npn, se schimbă doar semnele curenţilor şi sensul tensiunii
directe pe joncţiunea emitorului:

( )
1
1
1
1 ,
1
1 1
BE
BE
BE
qV
kT
C
qV
kT
B C
qV
kT
E B C
I I e
I I I e
I I I I e
δ δ
δ
 
= −
 
 
 
= = −
 
 
 
= − − = − + −
 
 
(4)

• Se notează, atât pentru tranzistoarele pnp cât şi pentru cele npn:

1
1
C
E
I
I
α
δ
= =
+
. (5)

• Se notează de asemenea:

1
C
B
I
I
β
δ
= = , (6)

mărime care se numeşte amplificare în curent, de semnal mare. Avem 1 β >> deoarece
1 δ << .
• Relaţii între α şi β: din (5)

1
1
1
1
β
δ
α
β
δ
= =
+
+
, (7)

de unde rezultă că α este o mărime subunitară dar foarte apropiată de unitate. Relaţia
inversă:

1
α
β
α
=

. (8)






2. Circuite echivalente şi caracteristici ale tranzistorului bipolar




• În acest context, vom folosi pentru diode simbolul din Fig. 1, indicând curentul de
saturaţie.
• Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale, care se conenctează într-un circuit ca
un dipol, adică un dispozitiv cu două borne de intrare şi cu două borne de ieşire. Rezultă
că unul dintre terminale trebuie să fie comun celor două porţi. În aplicaţiile de
amplificare de semnal, terminalul de colector aparţine circuitului de ieşire. Dacă
terminalul de emitor aparţine doar circuitului de intrare, se spune că tranzistorul lucrează
în conexiunea bază comună. Dacă terminalul de bază aparţine doar circuitului de intrare,
se spune că tranzistorul lucrează în conexiunea emitor comun.
• În cele ce urmează, deducem nişte circuite echivalente pentru tranzistor plecând de la
relaţiile matematice care descriu comportarea sa deduse în paragraful precedent.















C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor npn

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor pnp

Fig. 1. Simboluri pentru tranzistoare şi diode.
_

V
F
I
F
+

I
S
Simbol pentru
diode.

1. Tranzistor pnp în conexiunea bază comună

Relaţiile care descriu comportarea circuitului sunt

• Caracteristica de intrare

( )
1
1 1
EB
qV
kT
E
I I e δ
 
= + −
 
 
.

• Caracteristica de ieşire

C E
I I α = − .

• O schemă care implementează aceste relaţii este reprezentată în Fig. 2 (a), iar
caracteristicile de ieşire, parametrizate după curentul de emitor, în Fig. 2 (b).
• După cum am arătat, modelul nu e valabil pentru valori mici ale tensiunilor de
polarizare (joncţiuni insufucient polarizate). Aceasta explică forma diferită a graficelor
din apropierea axei verticale, formă pe care o admitem fără deducţii suplimentare, ca un
fapt de natură experimentală.







(b)

(a)

V
CB
[V]
I
C
[mA]
–1
–2
–3
–4
–1
I
E
=1 mA
I
E
=0
–2
2 mA

–3
3 mA

–4
4 mA

Fig. 2. Tranzistor pnp în conexiunea bază comună. (a) Schemă echivalentă. (b)
Caracteristici de ieşire (exemplu).

I
E
I
C
I
B
(1+δ)I
1
αI
E
V
EB
>>kT/q
V
CB
<<–kT/q
E

C

B



2. Tranzistor pnp în conexiunea emitor comun.

Relaţiile care descriu comportarea circuitului sunt

• Caracteristica de intrare

1
1
EB
qV
kT
B
I I e δ
 
= − −
 
 
.

• Caracteristica de ieşire

C B
I I β = .

• O schemă care implementează aceste relaţii este reprezentată în Fig. 3 (a), iar
caracteristicile de ieşire, parametrizate după curentul de emitor, în Fig. 3 (b). Şi în acest
caz, relaţiile de mai sus încetează să fie adevărate dacă joncţiunile sunt insuficient
polarizate.








(b)

(a)

V
CE
[V]
I
C
[mA]
–2
–4
–6
–8
–1
I
B
=–20 μA
I
B
=0
–2
–40 μA

–3
–60 μA

–4
–80 μA

Fig. 3. Tranzistor pnp în conexiunea emitor comun. (a) Schemă echivalentă. (b)
Caracteristice de ieşire (exemplu).

I
E
I
C I
B
(1+δ)I
1
βI
B
V
EB
>>kT/q
V
CB
<<–kT/q
B
C

E



3. Tranzistor npn, conexiunea bază comună (Fig. 4)

• Caracteristica de intrare

( )
1
1 1
BE
qV
kT
E
I I e δ
 
= − + −
 
 
.

• Caracteristica de ieşire

C E
I I α = − .















(b)

(a)

V
CB
[V]
I
C
[mA]
1 2 3 4
1
I
E
=–1 mA
I
E
=0
2
–2 mA

3
–3 mA

4
–4 mA

Fig. 4. Tranzistor npn în conexiunea bază comună. (a) Schemă echivalentă. (b)
Caracteristice de ieşire (exemplu).

I
E
I
C
I
B
(1+δ)I
1
αI
E
V
BE
>>kT/q
V
BC
<<–kT/q
E

C

B



4. Tranzistor npn în conexiunea emitor comun (Fig. 5).

• Caracteristica de intrare

1
1
BE
qV
kT
B
I I e δ
 
= −
 
 
.

• Caracteristica de ieşire

C B
I I β = .













(b)

(a)

V
CE
[V]
I
C
[mA]
1 2 3 4
2
I
E
=20 μA
I
B
=0
4
40 μA

6
60 μA

8
80 μA

Fig. 5. Tranzistor npn în conexiunea emitor comun. (a) Schemă echivalentă. (b)
Caracteristici de ieşire (exemplu).

I
B I
C
I
E
(1+δ)I
1
βI
B
V
BE
>>kT/q
V
BC
<<–kT/q
E

C

B

Circuite echivalente pentru tranzistorului bipolar care ţin cont de curenţii de
saturaţie


• Folosind modelul electronilor şi golurilor, se poate demonstra că, în regiunea activă,
directă, există componente de valori mici ale curenţilor independente de tensiunea V
EB
la
toate cele trei terminale.
• Aceşti curenţi pot fi modelaţi prin două surse independente de curent, datorită
teoremei lui Kirchhof pentru curenţi.

1. Tranzistor pnp în conexiunea BC


• I
S
şi I
C0
au valori de ordinul de mărime al lui I
1
, curentul de saturaţie al joncţiunii
emitorului. Pentru tranzistoarele cu siliciu, ordinul de mărime este între 1 nA şi 1 pA. I
C0
se numeşte curent de saturaţie al colectorului în circuit deschis (cu emitorul în gol).

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor npn

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor pnp

Fig. 1. Simboluri pentru tranzistoare. Simbolul pentru diodă
conţine curentul de saturaţie.
_

V
F
I
F
+

I
S
Fig. 2. Tranzistor pnp în conexiunea bază comună: schemă
echivalentă conţinând sursele de curent independente.

I
E
I
C
I
B
(1+δ)I
1
αI
E
E

C

B

I
C0
I
S
2. Tranzistor pnp în conexiunea EC.



Trecerea de la schema din Fig. 2. la cea din Fig. 3. se face după cum urmează.

( )
0 0 0 C E C C B C C B C
I I I I I I I I I α α α α = − − = − − − − = + − , de unde
1
α
β
α
 
=
 

 


( )
0 0
1
1
1 1
C B C B C
I I I I I
α
β β
α α
= − = − +
− −
.

3. Tranzistor npn în conexiunea BC.



Fig. 3. Tranzistor pnp în conexiunea emitor comun: schemă
echivalentă conţinând sursele de curent independente.


I
B
I
C
I
E
(1+δ)I
1
B

C

E

βI
B
–(1+β)I
C0
I
S
Tranzistor npn în conexiunea bază comună: schemă echivalentă.

I
E
I
C
I
B
(1+δ)I
1
αI
E
E

C

B

I
C0
I
S
4. Tranzistor npn în conexiunea EC.














Tranzistor npn în conexiunea emitor comun: schemă echivalentă.

I
B
I
C
I
E
(1+δ)I
1
B

C

E

βI
B
+(1+β)I
C0
I
S
Circuite echivalente în regiunile de saturaţie şi de blocare ale tranzistorului bipolar

• Dacă ambele joncţiuni ale tranzistorului sunt invers polarizate, se spune că tranzistorul
se află în regiunea de blocare sau că este blocat. Curenţii la borne sunt mici, de ordinul
lui I
C0
sau I
1
şi independenţi de tensiunile pe joncţiuni. În primă aproximaţie,
comportarea electrică a tranzistorului poate fi modelată printr-un circuit deschis, ca în
Fig. 1 (a).
• Dacă ambele joncţiuni ale tranzistorului sunt polarizate direct, se spune că tranzistorul
este saturat. În regiunea de saturaţie, există injecţie de purtători prin ambele joncţiuni, iar
tensiunile pe joncţiuni sunt mici şi puţin dependente de curenţi. Într-o primă aproximaţie,
comportarea tranzistorului saturat poate fi modelată printr-un scurtcircuit, ca în Fig. 1 (b).
• Aceste regimuri de funcţionare sunt importante pentru circuitele digitale.



E
B
C
(a)
E
B
C
(b)
Fig. 1. Scheme echivalente în regiunile de blocare (a) şi
saturaţie (b) ale tranzistorului bipolar.
Exemplu: amplificator cu un tranzistor în conexiunea emitor comun (EC)









• Rezistenţa de sarcină este R
L
. Se cere să se determine tensiunea de ieşire E
O
în funcţie
de tensiunile E
C
şi E
B
[Gray_1973]. Se dau 1kΩ, 1kΩ, =100
B L
R R β = = .
• Tranzistorul funcţionează în regiunea activă, directă, deci

0, 0, 0;
0
B EC C
C C L EC C C L
E V I
E I R V E I R
> > <
+ − = ⇒ > −


• Aplicăm teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni pe bucla de intrare:

0
B
B B B B
S
E
E I R I
R
+ = ⇒ = −
Fig. 1. Amplificator simplu în conexiunea EC.
R
B
+
+
+



R
L
E
B
E
C
E
O
I
C
V
EC
+

I
B
Fig. 2. Amplificator elementar în conexiunea
EC, cu model simplu pentru tranzistor.
R
B
+
+
+



R
L
E
B
E
C
E
O
I
C
βI
B I
B
• Aplicăm teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni pe bucla de ieşire:

0
O C L C O C C L
E I R E E E I R − − = ⇒ = + .

• Relaţia intrare – ieşire

C B
I I β =

• Rezultă

B L
O C B L C L C B
B B
E R
E E I R E R E E
R R
β β β = + = − = − .

• Circuitul are proprietatea de a amplifica variaţiile tensiunii de intrare

100
o O L
u
b B B
e E R
A
e E R

β

= = − = = − .

• Circuitul nu este sensibil la variaţia tensiunii de alimentare
1 100
o O
c C
e E
e E


= = << .

• Simultan cu amplificarea de tensiune, circuitul amplifică şi variaţiile de curent:

100
c C
i
b B
i I
A
i I

β

= = = = .

O amplificare a variaţiilor de tensiune ar fi putut fi realizată cu un transformator. Acesta
nu ar fi putut însă să amplifice şi variaţiile de curent.

• Circuitul realizează o amplificare de putere (totală, nu numai la variaţii):

2 2 2 2
2
2
10000
iesire B L B L L
intrare B B B B B
P I R I R R
P E I I R R
β β
β = = = =

.

Amplificarea de putere are loc pe baza puterii consumate de la sursa de alimentare.



• Refacem calculele pentru cazul alegerii unui model mai elaborat pentru tranzistor.








( )
( )
0
0
1 0
1
B
B B B B E B
B E
O C B L
E V
E I R I R V I
R R
E E I R
β
β
β
− + 
+ + + − = ⇒ =

+ +


= +



( )
( )
0
1
L
O C B
B E
R
E E E V
R R
β
β
= − −
+ +
;

( ) 1
o O L
u
b B B E
e E R
A
e E R R
∆ β
∆ β
= = − =
+ +
.

• Valori tipice pentru un tranzistor cu siliciu:
0
0,6V; 5Ω
E
V R = = . Cu
1k, =100
B L
R R β = = , rezultă

3
3
100 10
66,45
10 101 5
u
A
×
= − = −
+ ×
.
Fig. 3. Amplificator elementar în conexiunea
EC, cu model complex pentru tranzistor.
R
B
+
+
+



R
L
E
B
E
C
E
O
i
C
βI
B I
B
V
0
+

R
E
Efectul Early

• Am neglijat până acum influenţa tensiunii colector – bază asupra caracteristicilor de
semnal mare ale tranzistorului în regiunea activă, directă. Grosimea bazei variază odată
cu tensiunea V
CB
, deoarece lăţimea regiunii de sarcină spaţială a colectorului variază cu
această tensiune. Printr-o analiză teoretică se poate arăta că grosimea bazei influenţează
curentul de colector, deci acesta va varia şi cu tensiunea V
CB
.
• În Fig. 1, se prezintă rezultatul analizei teoretice în cazul unui tranzistor npn.
Caracteristicile I
C
– V
CE
admit asimptote care se intersectează într-un punct care
defineşte tensiunea Early V
A
. Aceasta are valori uzuale de zeci – sute de volţi, astfel că
pantele dreptelor reprezentate punctat sunt foarte mici. Înclinarea caracteristicilor
tranzistorului se poate neglija în cazul unei analize manuale, dar se ia în considerare în
programele de simulare.
• Parametrizarea în Fig. 1 este în funcţie de tensiunea V
BE
, dar rezultatul este
aproximativ acelaşi dacă se foloseşte ca parametru curentul I
B
.
• Fenomenul este asemănător şi în cazul tranzistoarelor pnp. Diferă doar cadranul în
care se află caracteristicile.








V
CE
I
C
V
BE1
V
BE2
V
BE3
–V
A
Fig.1. Caracteristicile unui tranzistor npn pentru o plajă largă de
variaţie a tensiunii colector-emitor. V
A
este tensiunea Early.
Caracteristicile complete ale tranzistorului

• Este prezentat exemplul unui tranzistor npn. Se tratează conexiunea cu emitorul
comun.
• La creşterea tensiunii inverse pe joncţiunea colectorului apare un fenomen de
străpungere. Tensiunea respectivă se notează cu V
BRCB0
. Având în vedere valoarea mare a
acestei tensiuni faţă de tensiunea bază – emitor (zeci de V faţă de sute de mV), de multe
ori se specifică tensiunea emitor – colector la care apare străpungerea. Fenomenele fizice
care se manifestă în vecinătatea străpungerii sunt complexe.
• Tranzistorul poate funcţiona şi invers, cu joncţiunea emitorului polarizată invers şi
joncţiunea colectorului polarizată direct, astfel că rolurile emitorului şi colectorului apar
inversate. În acest regim, adică în regiunea activă, inversă, amplificarea în tensiune este
foarte mică, insuficientă pentru construcţia amplificatoarelor. Motivul acestei comportări
provine din asimetria constructivă a tranzistorului.



• Caracteristicile unui tranzistor pnp se obţin din cele de mai sus prin analogie.


Fig.1. Caracteristicile de ieşire complete ale unui tranzistor npn
în conexiunea cu emitorul comun.
V
CE
[V]
I
C

[mA]
I
B
=0,01 mA
Regiunea activă,
directă
β≈100;
j.e. – pol. direct
j.c. – pol. invers
V
BRCB0
10 20 30
1
2
3
4
0,02 mA
0,03 mA
0,04 mA
–0,04
–0,08
I
B
=0,01 mA
0,02 mA
0,03 mA
0,04 mA
Regiunea de saturaţie
Regiunea de blocare
Regiunea activă, inversă
β≈2;
j.e. – pol. invers
j.c. – pol. direct
Parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar – parametrii h


• După cum am mai arătat, în majoritatea aplicaţiilor, tranzistorul este conectat ca un
diport. În funcţie de terminalul comun ambelor porţi ale diportului, conexiunea se
numeşte: emitor comun (EC), bază comună (BC) sau colector comun (CC). Primele două
conexiuni sunt reprezentate în Fig. 1.
• Tranzistorul este un element neliniar. El se poate liniariza atunci când funcţionează la
semnal mic (variaţii în jurul unui punct static de funcţionare PSF).
• Presupunem că variabilele din Fig. 1 sunt totale şi se scriu ca sume dintre o
componentă continuă şi una variabilă, de amplitudine foarte mică; de exemplu,

1 1 1
u U u ∆ = + :

u
1
este variabila totală, U
1
este componenta continuă şi Δu
1
este componenta variabilă.
• Ansamblul (U
1
, I
1
, U
2
, I
2
) formează punctul static de funcţionare.



• În cazul diporţilor liniari, oricare două dintre cele patru variabile de intrare se pot
exprima în funcţie de celelalte două, folosind parametri specifici diportului. Dacă
variabilele independente sunt i
1
şi u
2
, atunci se recurge la parametrii h.
• Fie
( )
( )
1 1 1 2
2 2 1
2
,
,
u u i u
i i i u
 =


=




Dezvoltând aceste funcţii de două variabile în serie Taylor în jurul PSF şi reţinând doar
termenii de ordinul întâi obţinem

Bază comună
Fig. 1. Conectarea unui tranzistor ca diport.
Emitor comun
+
u
1
+
– –
u
2
i
1 i
2
+

+

u
1
u
2
i
1
2
1 1
1 1 1 1 2
1 2
2 2
2 2 2 1 2
1 2
PSF PSF
PSF PSF
u u
U u U i u
i u
i i
I i I i u
i u
∆ ∆ ∆
∆ ∆ ∆
∂ ∂ 
+ = + +

∂ ∂


∂ ∂

+ = + +

∂ ∂



În felul acesta, se pot defini parametrii h ai tranzistorului

1 11 1 12 2
2 21 1 22 2
u h i h u
i h i h u
∆ ∆ ∆
∆ ∆ ∆
= + 

= +



• Parametrii h au interpretări fizice specifice, după cum urmează:


2
1
11 0
1
u
u
h
i



=
= : impedanţă de intrare cu ieşirea în scurtcircuit;
1
1
12 0
2
i
u
h
u



=
= : factor de transfer invers în tensiune cu intrarea în gol;
2
2
21 0
1
u
i
h
i



=
= : factor de transfer direct în curent cu ieşirea în scurtcircuit;
1
2
22 0
2
i
i
h
u



=
= : admitanţă de ieşire cu intrarea în gol.

Pe lângă semnificaţia lor teoretică, aceste relaţii indică şi condiţiile concrete de măsurare
ale parametrilor. Se observă că măsurările impun condiţii de scurtcircuit şi de gol pentru
porţile diportului.
• Se obţine următoarea schemă echivalentă (Fig. 2):






+
+
+



Δi
1
Δi
2
Δu
1 Δu
2
h
12
Δu
2 h
21
Δi
1
h
11
1/h
22
Fig. 2. Parametrii h: schemă echivalentă de semnal mic

• Din modul în care au fost definiţi, se vede că parametrii h pot fi folosiţi doar în joasă
frecvenţă, când tranzistorul nu este afectat de fenomene de inerţie (sau, în cazul
semnalelor sinusoidale, când nu introduce defazaje).
• Valorile parametrilor h depind de tipul conexiunii tranzistorului şi de PSF.
Conexiunea se identifică printr-un indice suplimetar: e pentru EC (de exemplu h
21e
), b
pentru BC şi c pentru CC. În cataloage, parametrii h sunt daţi pentru condiţii de măsură
(PSF) clar specificate şi sub formă de grafice. Cunoscând parametrii corespunzători unei
conexiuni, se pot calcula cei corespunzători celorlalte două.

• De multe ori, în calculele manuale, în funcţie de fenomenele urmărite şi de precizie,
schema echivalentă la variaţii se poate simplifica. De exemplu, nişte parametri tipici în
conexiunea EC sunt
11
2...7kΩ
e
h = ,
4
12
10
e
h

≈ ,
21
100...500
e
h = ,
5 4
22
10 ...10 S
e
h
− −
= .
Neglijând h
12e
şi h
22e
, se obţine următoarea schemă echivalentă (Fig. 3):





i
c
+ +
– –
u
be
u
ce h
21e
i
b
h
11e
Fig. 3. Schemă simplificată de semnal mic pentru un
tranzistor, în conexiunea emitor comun.

i
b
Modelul natural (π), de semnal mic al tranzistorului bipolar (Giacoletto)

• Efectuând o analiză fizică a comportării unui tranzistor bipolar în conexiunea EC (Fig.
1), se obţine un model de semnal mic care include şi fenomenele de inerţie. Acesta se
numeşte modelul natural, sau modelul în π, sau Giacoletto.

• Modelul este reprezentat în Fig. 2.



• Se observă că baza este împărţită în două, punctul b' numindu-se bază intrinsecă.
Celelalte elemente pasive sunt autoexplicative.
• Parametrul g
m
se numeşte transconductanţa sau panta tranzistorului şi depide de PSF
după legea

[mA/V=mS]
C
m
T
I
g
V
=


Fig. 1. Conectarea unui tranzistor ca dipol.
+

+

Emitor comun
U
1
U
2
I
1
I
2
Fig. 2. Modelul natural (Giacoletto).

+
+
– –
i
b
i
c
v
be v
ce r
b'e
(r
π
) g
m
v
b'e

r
bb'
r
ce
b

b'

e
e

c

C
b'e
C
b'c
r
b'c
• Exemplu pentru un tranzistor tipic de semnal mic:
I
C
=1 mA, T=290 K:

1mA
40mS
0,025V
m
g = =
r
bb'
=100 Ω
r
b'e
=2,5 kΩ
r
b'c
=2 MΩ
r
ce
=20 kΩ

C
b'c
=2...5 pF
C
b'e
=200 pF



• În joasă frecvenţă (în sensul că nu se manifestă fenomene de inerţie), capacităţile fiind
mici, reactanţele capacitive pot fi neglijate. Pentru o analiză rapidă, multe dintre elemente
se pot neglija (Fig. 3):






• Deseori se foloseşte notaţia

0 c m be m b b
i g v g r i i
π
β = = =

β
0
: se numeşte amplificare de curent de semnal mic, în joasă frecvenţă. Are loc
0
β β ≅
(β - amplificarea de curent, de semnal mare, în joasă frecvenţă). Acest parametru depinde
în foarte mică măsură de PSF (variaţii de cel mult 20%).






+

v
ce
Fig. 3. Modelul natural simplificat.

i
c
+

v
be
g
m
v
be
=
β
0
i
b
r
π
i
b
Tipuri de amplificatoare

• În funcţie de valorile elementelor din schemele echivalente Thévénin de la intrare şi de
la ieşire, (pre)amplificatoarele liniare de joasă frecvenţă sunt de patru tipuri.
• În teorie, oricare dintre cele patru modele poate fi folosit în orice situaţie. În proiectare
şi analiză însă, este convenabil să se utilizeze una dintre cele patru scheme în funcţie de
situaţiile detaliate în continuare

1. Amplificator de tensiune
• Elementele amplificatorului sunt: rezistenţa de intrare R
in
, rezistenţa de ieşire R
o
şi
amplificarea în tensiune A (Fig.1).


• Dacă amplificatorul funcţionează în gol ( )
L
R →∞ , atunci
o in
v Av = .
• Dacă amplificatorul este conectat între un generator şi o sarcină, atunci

0
in
in g
g in
in L
o g
g in o L L
in
o L
R
v e
R R
R R
v A e
R R R R R
v Av
R R

=

+

⇒ = × × ×

+ +

=

+


generator (sau schema
echivalentă Thévénin la
ieşire a etajului anterior)
sarcină (sau schema
echivalentă Thévénin
la intrare a etajului
următor)
amplificator
Fig. 1. Amplificator de tensiune.
i
L
v
L
R
L
+

+
+


i
in
v
in
R
in
R
o
Av
in +

R
g
e
g
+

v
o
• Este de dorit să existe o relaţie intrare – ieşire cât mai apropiată de
o g
v Ae ≅ . Pentru
aceasta este suficient ca
0
,
in g L
R R R R >> << . De aceea, este necesar ca un
amplificator de tensiune să aibă o rezistenţă de intrare cât mai mare şi o rezistenţă
de ieşire cât mai mică. Amplificatoarele de tensiune sunt cel mai des întâlnite în
aplicaţii.


2. Amplificatoare de curent
• Elementele amplificatorului sunt: rezistenţa de intrare R
in
, rezistenţa de ieşire R
o
şi
amplificarea în curent A (Fig.2).





• Avem
o
L in
L o
g
o
L g
g
in g L o
in g
in g
R
i Ai
R R
R
R
i A i
R
R R R R
i i
R R

=

+

⇒ = × × ×

+ +

=

+

.
generator (sau schema
echivalentă Thévénin la
ieşire a etajului anterior)
sarcină (sau schema
echivalentă Thévénin
la intrare a etajului
următor)
amplificator
Fig. 2. Amplificator de curent.
i
L
v
L
R
L
+

+

i
in
v
in
R
in
R
o
Ai
in
+

v
o
R
g
+

i
g
• Este de dorit să avem
L g
i Ai ≅ . Pentru aceasta este suficient ca ,
in g o g
R R R R << >> .
de aceea, un amplificator de curent trebuie să aibă o rezistenţă de intrare cât mai
mică şi o rezistenţă de ieşire cât mai mare.


3. Amplificatoare transconductanţă
• Prima situaţie intermediară între cele două de mai sus este reprezentată în Fig. 3.
• Elementele amplificatorului sunt: rezistenţa de intrare R
in
, rezistenţa de ieşire R
o
şi
transconductanţa G.




• Avem

o
L in
L o
in o
L g
in g in L o
in g
g in
R
i Gv
R R
R R
i G e
R R R R R
v e
R R

=

+

⇒ = × × ×

+ +

=
 +


generator (sau schema
echivalentă Thévénin la
ieşire a etajului anterior)
sarcină (sau schema
echivalentă Thévénin
la intrare a etajului
următor)
amplificator
Fig. 3. Amplificator transconductanţă.
i
L
v
L
R
L
+

+

i
in
v
in
R
in
R
o
Gv
in
+

v
o
+

R
g
e
g
• Ideal ar fi ca
L g
i Ge ≅ . Pentru aceasta este suficient ca ,
in g o L
R R R R >> >> . De
aceea, un amplificator transconductanţă trebuie să aibă rezistenţele de intrare şi de
ieşire cât mai mari.

4. Amplificatoare transrezistenţă

• A doua situaţie intermediară între amplificatoarele de tensiune şi de curent este
reprezentată în Fig. 4.
• Elementele amplificatorului sunt: rezistenţa de intrare R
in
, rezistenţa de ieşire R
o
şi
transrezistenţa R.



• Avem

L
L in
o L
g
L
L G
g
in g o L
in G
in g
R
v Ri
R R
R
R
v R i
R
R R R R
i i
R R

=

+

⇒ = × × ×

+ +

=

+



generator (sau schema
echivalentă Thévénin la
ieşire a etajului anterior)
sarcină (sau schema
echivalentă Thévénin
la intrare a etajului
următor)
amplificator
Fig. 4. Amplificator transrezistenţă.
i
L
v
L
R
L
+

+
+


i
in
v
in
R
in
R
o
Ri
in
+

v
o
R
g
+

i
g
• Ideal ar fi ca
L g
v Ri = . Pentru aceasta este suficient ca ,
in g o L
R R R R << << . De
aceea, un amplificator transrezistenţă trebuie să aibă rezistenţele de intrare şi de
ieşire cât mai mici.


• Analiza de mai sus nu este restrânsă la amplificatoarele de semnal mic, pentru care
variabilele electrice reprezintă variaţii mici în jurul PSF. Această analiză este aplicabilă
tuturor amplificatoarelor liniare, fără memorie.
(Un circuit cu una sau mai multe intrări şi o ieşire se numeşte fără memorie, dacă
valoarea ieşirii la momentul t depinde doar de valorile intrărilor la acelaşi moment t. În
caz contrar, circuitul este cu memorie).

Preamplificator elementar cu un tranzistor în conexiunea emitor comun (EC)

• În acest paragraf şi în următoarele două abordăm cele trei tipuri de amplificatoare cu
un tranzistor, în funcţie de conexiune: EC, BC şi CC.
• Sunt alese cele mai simple scheme posibile, motiv pentru care am numit aceste
amplificatoare "elementare". De exemplu, în situaţiile reale, nu se folosesc două surse
separate pentru polarizarea tranzistoarelor, adică stabilirea PSF. Totuşi, prin echivalări
Thévénin se ajunge la astfel de situaţii.
• După cum am văzut, mărimile relevante sunt amplificările de tensiune şi de curent şi
rezistenţele de intrare şi de ieşire. Acestea pot fi definite în diferite puncte ale schemei.
• Schema unui amplificator elementar în conexiune EC este reprezentată în Fig. 1.







• Sursele de tensiune continuă asigură polarizarea tranzistorului: joncţiunea emitor –
bază este polarizată direct, iar cea colector – bază este polarizată invers.
• Pentru determinarea mărimilor de semnal mic, se desenează schema echivalentă
pentru variaţii (Fig. 2). Prin aceasta, se înlocuieşte tranzistorul cu modelul său (natural,
simplificat în acest caz), iar sursele de tensiune continuă se scurtcircuitează, deoarece
variaţia tensiunii pe care o dau este nulă.







Fig. 1. Amplificator simplu în conexiunea EC.
R
B

+

+
R
C
V
BB
v
O
V
CC
I
B
+

v
g







• Amplificarea în tensiune:
be in
o
u m C
o m be C in
v v
v
A g R
v g v R v
= 
⇒ = = −

= −


• Rezistenţa de intrare ; '
i
b in in B
v
i R r R R r
r
π π
π
= ⇒ = = +
Valoare aproximativă ( ) '
in B B
R R r R
π
≅ <<
• Amplificarea în tensiune extinsă
o o i in
ug m C m C
g i g B in B
v v v R r
A g R g R
v v v R R R r
π
π
= = × = − = −
+ +
.
Valoare aproximativă ( )
0 0
;
C
ug m B
B
R
A g r r R
R
π π
β β = − = <<
Fig. 2. Amplificator elementar în conexiunea EC: schemă de semnal mic

+
+




v
in
=v
be
v
o
g
m
v
be
r
π
i
in
=i
b
+
v
g

R
B
R
C
R
in
R
in
'
r
o
b

e

c

i
c
i
o
Fig. 1. (repetată) Amplificator simplu în
conexiunea EC.
R
B

+

+
R
C
V
BB
v
O
V
CC
I
B
+

v
g
• Amplificarea în curent
0
o o
i m C m
b C i C
i v r r
A g R g r
i R v R
π π
π
β = = × = − = − = − .

(Se ştie că, spre deosebire de
0
,
C
m
T
I
g
V
β = nu depinde decât în mică măsură de curentul
de colector).

• Amplificarea de putere = puterea consumată în rezistenţa R
C
/ puterea care intră pe la
bornele din stânga
( ) ( )
( ) ( )
sin
sin
g g
o o
v t V t
v t V t
ω
ω
=
=


( )
2
2 2 2
2
2
0 0
0
1
2
2
o B in C
p ug m
g C C B
B in
C C
i ug
B B
V R R R
A A g r
V R R R r
R R
R R
A A
R r R r
π
π
π π
β β
β
+
= × = × = =
+
+
= = × =
+ +




• Rezistenţa de ieşire



0
t
be o C
t
v
v r R
i
= ⇒ = = .




Fig. 3. Amplificator elementar în conexiunea EC: calculul rezistenţei
de ieşire

i
c
i
b
i
t
+
+




v
be
=0
v
t
g
m
v
be
r
π
+
v
g
=0

R
B
R
C
r
o
b

e

c

Preamplificator elementar cu un tranzistor în conexiunea bază comună (BC)






• Amplificarea de tensiune
be in
o
u m C
o m be C in
v v
v
A g R
v g v R v
= − 
⇒ = =

= −


• Rezistenţa de intrare
be in
in in m in
in in m be
v v
v i r g r v
v i r g v r
π π
π π
= − 
⇒ = −

= +

;
0
1 1
in
in
in m
v r r
R
i g r
π π
π
β
= = =
+ +
(foarte mică).
Formulă aproximativă
0
in
r
R
π
β


0
'
1 1
in E in E E
m
r r
R R R R R
g r
π π
π
β
= + = + = +
+ +
.
Formulă aproximativă '
in E
R R ≅
Fig. 1. Amplificator simplu în conexiunea BC.
R
E


+
+
R
C
V
BB
v
O
V
CC
<0
I
E
+

v
g
Fig. 2. Amplificator elementar în conexiunea BC: schemă de semnal mic

i
in
i
o
+
+

v
in
v
o
g
m
v
be
r
π
+
v
g

R
E
R
C
R
in
R
in
'
r
o
e

b

c


• Amplificarea de tensiune extinsă
( ) ( )
0
0
1
1 1
1
in m C
ug u m C m C
E in m E E
E
m
r
R g r r R
A A g R g R
r
R R r g r R r R
R
g r
π
π π
π
π π π
π
β
β
+
= = = =
+ + + + +
+
+

Formulă aproximativă ( )
0
1
C
ug
E
R
A
R
β ≅ >>
• Amplificarea de curent
0
o m be
be
in m be
i g v
v
i g v
r
π
= − 


+ + =


;
0
0
1 1
o m be m
i
be
in m
m be
i g v g r
A
v
i g r
g v
r
π
π
π
β
β

= = = =
+ +
− −
.
Formulă aproximativă ( )
0
1 1
i
A β ≅ >>


• Rezistenţa de ieşire






( )
0
0
e E be
be
be e m be
i R v
v
v i g v r
π
− = 

⇒ =

= − +


;
t
o C
t
v
r R
i
= = .




Fig. 3. Amplificator elementar în conexiunea BC: calculul rezistenţei de
ieşire.

i
e
i
o
i
t
+
+
+



v
be

v
t
g
m
v
be

r
π

v
g
=0

R
E
R
C
r
o
e

b

c

Preamplificator elementar cu un tranzistor în conexiunea colector comun (CC) –
repetorul pe emitor







• Rezistenţa de intrare ( ) ( )
0 0
1 1
in b b E in E
v i r i R R r R
π π
β β = + + ⇒ = + +
Formulă aproximativă ( )
0 0
1
in E
R R β β ≅ >>
• ( )
0
' 1
in B in B E
R R R R r R
π
β = + = + + +
Formulă aproximativă ( )
0 0
1
in B E
R R R β β ≅ + >>
• Amplificarea de tensiune ( )
0 0
1
b E
v i R β = + ;
( )
( )
0
0
1
1
E o
u
in E
R v
A
v r R
π
β
β
+
= =
+ +

Aproximativ ( )
0
1 1
u
A β ≅ >>
Fig. 1. Amplificator simplu în conexiunea EC.
R
B

+

+
R
E
V
BB
v
O
V
CC
I
B
+
_
v
g
Fig. 2. Amplificator elementar în conexiunea CC: schemă de semnal mic

i
c i
in
=i
b
+
+




v
in
v
o
g
m
v
be


0
i
b
r
π
+
v
g

R
B
R
E
R
in
R
in
'
r
o
b

e

c

i
o
• Amplificarea de tensiune extinsă
( )
( )
( )
( )
( )
( )
0 0
0 0
0
0
1 1
1 1
1
1
E E in
ug u
B in E B E
E
B E
R r R R
A A
R R r R R r R
R
R r R
π
π π
π
β β
β β
β
β
+ + +
= = × =
+ + + + + +
+
=
+ + +

Formulă aproximativă
0
0
E
ug
B E
R
A
R R
β
β

+

• Amplificarea de curent
0 0
0 1
o
b b o i
b
i
i i i A
i
β β + − = ⇒ = = + .
• Rezistenţa de ieşire




( )
0
0
' 0
'
'
' 0 ' 1
b b t
t B
o
b B t t
i i i
v R r
r
i R r v i
π
π
β
β
+ + = 
+ 
⇒ = =

+ + = +


;
0
|| ' ||
1
B
o E o E
R r
r R r R
π
β
+
= =
+
(foarte mică)

Formulă aproximativă
0
||
B
o E
R
r R
β

Datorită rezistenţei de intrare de valoare mare şi a rezistenţei de ieşire de valoare mică,
repetorul pe emitor (amplificator CC) se foloseşte ca "etaj tampon" între alte etaje de
amplificare care au amplificări mari dar nu au valori convenabile pentru rezistenţele de
intrare şi de ieşire.







Fig. 3. Amplificator elementar în conexiunea CC: calculul rezistenţei de
ieşire.

+



v
in
=v
be
v
t
r
π
i
b
+
v
g
=0

R
B
R
E
r
o
b

e

i
c
g
m
v
be

0
i
b
c

+

i
t
r
o
'
+

v
t
'
i
t
'
Recapitulare
1. Formule exacte
A
u
A
ug
A
i
R
in
R
in
' r
o
EC –g
m
R
C
m C
B
r
g R
R r
π
π

+

–β
0
r
π
B
R r
π
+
R
C
BC g
m
R
C

( )
0
0
1
C
E
R
r R
π
β
β + +

0
0
1
β
β +

0
1
r
π
β +

0
1
E
r
R
π
β
+
+

R
C
CC
( )
( )
0
0
1
1
E
E
R
r R
π
β
β
+
+ +

( )
( )
0
0
1
1
E
B E
R
R r R
π
β
β
+
+ + +

β
0
+1
( )
0
1
E
r R
π
β + + ( )
0
1
B E
R r R
π
β + + +
0
||
1
B
E
R r
R
π
β
+
+


2. Formule aproximative ( )
0
1;
B
r R
π
β << <<
A
u
A
ug
A
i
R
in
R
in
' r
o
EC –g
m
R
C
0
C
B
R
R
β −
–β
0
r
π
R
B
R
C
BC g
m
R
C

C
E
R
R

1
0
r
π
β

R
E
R
C
CC 1
0
0
E
B E
R
R R
β
β +

β
0

0 E
R β
0 B E
R R β +
0
||
B
E
R
R
β


Aplicaţii

1. Se consideră amplificatorul cu emitorul comun din figura de mai jos.
a) Să se determine punctul static de funcţionare, făcând simplificări rezonabile.
b) Folosind modelul natural, să se determine amplificarea de tensiune şi de curent, în
raport cu generatorul, precum şi rezistenţele de intrare şi de ieşire de semnal mic în
domeniul de frecvenţe în care capacitatea C poate fi considerată scurtcircuit, iar
capacităţile din modelul natural pot fi considerate circuite deschise. Se consideră
β
0
=β=50, V
T
=25 mV.



R
a)

0
10V
0,1mA
0,6V 10V 100kΩ
B B BE CC
CC
B
BE CC B
I R V V
V
I
V V R
+ + = ¹
¦
⇒ ≅ − = − = −
`
= << =
¦
)
;
( ) 50 0,1 5mA
C B
I I β = = × − = −
0 10V+5 1= 5V
C C CE CC CE CC C C
I R V V V V I R + + = ⇒ = − − = − × − .

PSF: V
CE
=–5 V, I
C
=–5 mA.
b)
3
3
5 10
0,2S
25 10
C
m
T
I
g
V


×
= = =
×

0
'
50
250Ω
0,2
b e
m
r r
g
π
β
= = = = .



Fig. 1. Amplificator în conexiunea EC.
R
B
100 k

+
R
C

1 kΩ
C

v
O
–V
CC
=–10 V
I
B
+
_
e
g
R
g

2 k
I
C




|| || 100||0,25
0,2 1000 22,17
|| || 2 100||0,25
B B
ug u m C
g B g B
R r R r
A A g R
R R r R R r
π π
π π
= × = − = − × × = −
+ + +


(sau,
||
,
||
B o
o m be C m g C ug
g B g
R r v
v g v R g e R A
R R r e
π
π
= − = − =
+
etc).

Aproximativ:
0
1
50 25
2
C
ug
g
R
A
R
β ≅ − = − × =


100
50 50
100 0,25
o o b B
ig
in b in B
i i i R
A
i i i R r
π
β = = × = − = − × ≅ −
+ +
.

' || 2 100||0,25[kΩ]=2,25 kΩ
g
in g B
in
e
R R R r
i
π
= = + = + (Aproximativ ' 2kΩ
in g
R R ≅ = )
0 1kΩ
t
be o C
t
v
v r R
i
= ⇒ = = = .

Fig. 2. Amplificator în conexiunea EC: schemă de semnal mic

i
in
i
o
+
+




v
in
v
o
g
m
v
be
r
π
+
e
g

R
B R
C
R
in
'
r
o
b

e

c

R
g
i
b
Fig. 3. Amplificator în conexiunea EC: calculul rezistenţei de ieşire

i
c
i
b
i
t
+
+




v
be
=0
v
t
g
m
v
be
r
π
+
v
g
=0

R
g
R
C
r
o
b

e

c

R
B
2. Tranzistorul din schema din figură are V
BE
=0,6 V şi β≈β
0
=200. Se dă V
T
=25 mV.
Condensatoarele au astfel de capacităţi încât reactanţele lor pot fi neglijate la frecvenţa de lucru.
a) Să se determine punctul static de funcţionare al tranzistorului.
b) Să se calculeze amplificarea de semnal mic, A
u
=v
o
/v
i
, rezistenţa de intrare şi rezistenţa de
ieşire.



c) Să se repete punctul anterior în ipoteza că din schemă lipseşte capacitatea C
E
.

R

a)
Presupunem
B P
I I << , astfel încât grupul (R
B1
, R
B2
) poate fi considerat ca un divizor de tensiune:
12
1mA
3,6 8,4
P
I = =
+
;
3V
1mA 3,6k=3,6V 3V 4mA
0,75k
E
B R E C
V V I I = × ⇒ = ⇒ = = ≅ ;
4mA
0,02mA<<
200
B P
I I
| |
= =
|
\ .

12 (1,25 0,75) 4 4V.
CE
V = − + × =


b)
4mA
0,16S
25mV
C
m
T
I
g
V
= = =
0
200
1250Ω=1,25 kΩ
0,16
m
r
g
π
β
= = =


+
_
+
_
v
i
R
B1

8,4 k
V
CC
=12 V
C
c
R
C

1,25 k
v
O
i
C
R
B2

3,6 k C
E
R
E

750
i
P
i
B
i
E
Fig. 4. Preamplificator



0,16 1250 200;
u m C
A g R = − = − × = −

1 2
||
B B B
R R R = ;
k
1 2
|| || 8,4||3,6||1,25 0,836k=836Ω
in B B
R R R r
π
= = = ;

1,25k.
o C
r R = =

c)




( )
( )
0
0
0 0
1
200 1,25
1,64
1 1,25 201 0,75
in b b E
o C
u
i E o b C
v i r i R
v R
A
v r R v i R
π
π
β
β
β β
= + + ¦
× ¦
⇒ = = − = − = −
´
+ + + × = −
¦
¹


Observaţie:
1,25
1,67
0,75
C
u
E
R
A
R
≅ − = − = −

Fig. 5. Schemă de semnal mic

+
+




v
in
=v
be
v
o
g
m
v
be
r
π
i
in
=i
b
+
v
in

R
B
R
C
R
in

r
o
b

e

c

i
c
i
o
Fig. 6. Amplificator în conexiunea EC: schemă de semnal mic

+
+




v
be
v
o
β
0
i
b
r
π
i
in
=i
b
+
v
in

R
B
R
C
R
in

r
o
b

e

c

i
c
i
o
R
E
R
in1

( )
1 0
1 1,25 201 0,75 152kΩ
in
in E
b
v
R r R
i
π
β = = + + = + × =
1
|| 8,4||3,6||152 2,52||152 2,48kΩ
in B in
R R R = = = =



( )
0
1 0 0 0
in b b E b c
v i r i R i i
π
β = + + = ⇒ = ⇒ = , deci
1,25kΩ
o C
r R = = .

Fig. 7. Schemă de semnal mic pentru calculul rezistenţei de ieşire.

+
+




v
be
v
t
β
0
i
b
r
π
i
in
=i
b
+
v
in
=0

R
B
R
C
R
in

r
o
b

e

c

i
c
i
t
R
E
R
in1

Polarizarea tranzistoarelor bipolare


1. Noţiunea de dreaptă de sarcină statică

• Să considerăm un amplificator elementar în conexiunea cu emitorul comun (fig. 1).
După cum am arătat, funcţionarea poate fi studiată separat pentru polarizare şi pentru
regimul de semnal. În acest paragraf ne ocupăm de polarizare, deci considerăm 0
g
v = .
Curentul de bază I
B
şi tensiunea bază – emitor V
BE
sunt fixate de tensiunea de alimentare
a intrării V
BB
şi de rezistenţa R
g
. Curentul de bază selectează curba din familia
caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului care determină dependenţa curentului de
colector I
C
de tensiunea colector – emitor V
CE
.
















Fig. 1. Amplificator elementar cu
tranzistor npn în conexiunea cu emitorul
comun
+

+
+


v
g
V
BB
V
CC
R
g
R
C
v
O
i
C




• Există constrângerea impusă circuitului de ieşire de teorema a II – a a lui Kirchhoff:

CC C C CE
V I R V = + . (1)

În planul caracteristicilor de ieşire, (1) reprezintă o dreaptă numită dreaptă de sarcină
(statică). Intersecţia acestei drepte cu acea caracteristică de ieşire fixată de I
B
determină
punctul static de funcţionare P (PSF). În figura 2 au fost reprezentate trei PSF posibile
P
1
, P
2
şi P
3
.








• Schema din fig. 1 nu este unica soluţie posibilă pentru polarizare (stabilirea PSF). De
fapt, ea nu este folosită aproape niciodată, deoarece polarizarea e posibilă cu o singură
sursă de alimentare. Prezentăm în continuare criteriile după care se face proiectarea unei
reţele de polarizare.







Fig. 2. Dreapta de sarcină statică şi puncte
statice de funcţionare

V
CE
I
C

V
CC
V
CC
/R
C
P
1
P
2
P
3
2. Cerinţe asupra reţelelor de polarizare

2.1 Regiunea de funcţionare permisă.


• În planul caracteristicilor de ieşire, PSF trebuie să se situeze în interiorul regiunii al
cărei perimetru este trasat cu linie întreruptă în fig. 3. Perimetrul este determinat de
următoarele constrângeri:
a) dreapta
CE CEmin
V V = marchează ieşirea tranzistorului din regiunea activă directă şi
intrarea în regiunea de saturare;
b) dreapta
CE CEmax
V V = delimitează zona în care curentul de colector creşte abrupt;
c)dreapta
C Cmin
I I = marchează începutul regiunii de blocare a tranzistorului;
d)deasupra dreptei
C Cmax
I I = parametrii de catalog ai tranzistorului nu mai sunt garantaţi
de către producător;
e) în sfârşit, există hiperbola
CE C max
V I P = , unde P
max
este puterea maximă ce poate fi
disipată de tranzistor fără ca acesta să se distrugă (de fapt, puterea totală disipată de un
tranzistor npn în curent continuu este
B BE C CE
P I V I V = + , dar primul termen poate fi
neglijat atunci când tranzistorul lucrează în regiunea activă, directă).











Fig. 3. Regiunea de funcţionare permisă a
unui tranzistor bipolar

V
CE
I
C
V
CEmin
V
CEmax
I
Cmin
I
Cmax
P
max

2.2 Influenţa temperaturii asupra funcţionării tranzistorului

• Reţelele de polarizare trebuie proiectate astfel încât să contracareze, pe cât posibil,
influenţa negativă pe care variaţia temperaturii o are asupra caracteristicilor
tranzistorului.
• În primul rând, nu trebuie depăşită temperatura maximă a joncţiunilor, care este de 80-
120
0
C pentru dispozitivele cu germaniu şi de aproximativ 200
0
C pentru cele cu siliciu
(diferenţa dintre cele două limite a determinat renunţarea la germaniu şi deci utilizarea
exclusivă a siliciului).
• În al doilea rând, trebuie ţinut cont de influenţa temperaturii asupra caracteristicilor de
ieşire. Astfel, în conexiunea cu emitorul comun, creşterea temperaturii duce la creşterea
curentului I
C0
din
0 C B C
I I I β = ± pentru tranzistoarele cu germaniu, în schimb duce la
creşterea lui β la tranzistoarele cu siliciu. Efectul este reprezentat în fig 4 (a) şi (b).
• În fig. 4 (c) este arătată o schemă folosită adeseori pentru calculul regimului staţionar
termic al joncţiunilor semiconductoare; rezistenţa termică R
th
este un parametru de
catalog, puterea disipată P este analogă curentului într-un circuit, iar temperaturile sunt
analogele potenţialelor. Pentru determinarea necunoscutelor se folosesc teoremele lui
Kirchhoff.



• Un fenomen foarte important care poate apărea la tranzistoarele cu siliciu ale căror
circuite de polarizare sunt proiectate necoresounzător este ambalarea termică. Creşterea
temperaturii duce la creşterea lui β, ceea ce, la curent de bază constant, duce la creşterea
curentului de colector şi, dacă tensiunea colector – emitor nu se schimbă semnificativ, la
V
CE
I
C
T
1
T
2
>T
1
(a)

V
CE
I
C
T
1
T
2
>T
1
(b)

Fig. 4. Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor de ieşire ale unui
tranzistor bipolar. (a) Tranzistor npn cu germaniu; (b) tranzistor npn cu
siliciu; (c) Model pentru regimul termic staţionar al unei capsule.

R
th

T
1
T
2
(c)

P

creşterea puterii disipate pe tranzistor, ceea ce provoacă creşterea în continuare a
temperaturii şi procesul se repetă până la distrugerea dispozitivului.

2.3 Menţinerea unei funcţionări liniare

• După cum se vede din fig. 2, PSF poate fi situat în diverse locuri în planul
caracteristicilor de ieşire.




Fig. 2. (reprodusă)

V
CE
I
C

V
CC
V
CC
/R
C
P
1
P
2
P
3

• Dacă este situat însă prea aproape de marginile regiunii permise, atunci pot apărea
distorsiuni ale semnalului. În mod normal, în regim sinusoidal, tensiunea totală de ieşire
arată ca în fig. 5 (a). De exemplu, dacă PSF este P
2
, atunci tensiunea de ieşire totală
poate arăta ca în fig. 5 (b), iar dacă PSF este P
3
, atunci aceasta poate să arate ca în fig. 5
(c). De aceea, este preferabil ca PSF să se situeze spre centrul regiunii permise de
funcţionare, ca P
1
în fig. 2.

2.4 Reducerea dispersiei şi variaţiei parametrilor de semnal mic

• Parametrii de semnal mic ai tranzistorului depind de cei de semnal mare şi de
temperatură. În plus, există mari variaţii în interiorul aceluiaşi lot, care pot ajunge până la
5 la 1. Este de aceea bine să se proiecteze reţelele de polarizare astfel încât să fie puţin
sensibile la variaţia temperaturii (menţinând de exmplu I
C
şi V
CE
constante), precum şi la
dispersia parametrilor.


Proiectarea unui circuit de polarizarea care să facă faţă tuturor acestor cerinţe conduce
la soluţii complicate şi scumpe. Alegerea unei reţele de polarizare trebuie să ţină cont de
condiţiile concrete în care urmează să funcţioneze produsul proiectat, precum şi de
constângerile economice.
t
v
O
(a)
V
CE1
t
v
O
(b)
V
CE2
t
v
O
(c)
V
CE3
Fig. 5. Neliniarităţi introduse de limitare. (a) Funcţionare
corectă. (b) Limitare inferioară. (c) Limitare superioară.


Circuit simplu de polarizare (la curent de bază constant) [Gray 1973]

• Cea mai simplă schemă de polarizare, exemplificată pentru cazul unui amplificator cu
un tranzistor npn în conexiunea cu emitorul comun, este reprezentată în fig. 1 (a).




• Capacitatea C
c
este de cuplaj. Aceasta înseamnă că poate fi considerată ca fiind un
scurtcircuit în domeniul de frecvenţe în care este utilizat amplificatorul, având modulul
reactanţei mult mai mic decât modulul impedanţei de intrare în amplificator. Capacitatea
de cuplaj se conectează cu scopul de a separa în curent continuu amplificatorul de
generatorul de semnal de la intrare.
• Schema de polarizare propusă funcţionează la curent de bază (aproximativ) constant.
Într-adevăr

CC BE CC
B
B B
V V V
I
R R

= ≅ (1)

deoarece, în majoritatea situaţiilor,
BE CC
V V << . Putem deja deduce că vor apărea
inconveniente la variaţia temperaturii.
• Pentru a găsi o metodă de proiectare a reţelei, am reprezentat în fig. 1 (b) o schemă
echivalentă în care, pentru tranzistor am folosit un model de semnal mare cu o diodă şi o
sursă comandată, dioda înlocuind-o la rândul său cu un model de semnal mare constând
dintr-o sursă şi o rezistenţă serie.

(a)
+

+

v
g
R
B
V
CC
C
c
R
C
v
O
i
C
+
_
+

R
B
V
CC
R
C
V
CE
I
C
I
B
V
D
r
D
βI
B
(b)
Fig. 1. Amplificator în conexiunea cu emitorul comun, cu circuit simplu de
polarizare. (a) Schema electrică; (b) schemă cu model simplu pentru
funcţionarea în curent continuu.



• Avem

( )
CC B B D B C D
C B
V I R V I I r
I I β
= + + + 

=

(2)

de unde putem explicita fie curentul I
C
dacă urmărim să analizăm schema

( )
(1 )
CC D
C
B D
V V
I
R r
β
β

=
+ +
(3)

fie o relaţie de proiectare

(1 ) ( )
(1 )
CC D B D CC D
B D
B C
V V I r V V
R r
I I
β β
β
− − + −
= = − + . (4)

• Mărimile care apar în ultimul membru din (4) sunt de obicei determinate de cerinţele
de semnal mic, care astfel impun o valoare pentru R
B
. Rezultă o lipsă de flexibiltate în
proiectarea schemei, motiv pentru care aceasta se foloseşte în aplicaţii de putere disipată
mică şi temperatură ambiantă aproximativ constantă.
• Schema prezentată este sensibilă la variaţiile de temperatură din cauza faptului că
intensitatea curentului de bază este constantă. Când temperatura variază, se schimbă atât
factorul de amplificare β al tranzistorului cât şi valoarea tensiune pe joncţiune V
D
.



(a)
+

+

v
g
R
B
V
CC
C
c
R
C
v
O
i
C
+
_
+

R
B
V
CC
R
C
V
CE
I
C
I
B
V
D
r
D
βI
B
(b)
Fig. 1. (Repetată)
Exemplu
Un tranzistor cu siliciu are β=100, iar elementele modelului de semnal mare în
conexiunea EC sunt V
D
=0,6 V şi r
D
=4 Ω. El trebuie polarizat la V
CE
=6 V şi I
C
=5 mA,
folosind o sursă V
CC
=12 V. Schema funcţionează la o temperatură θ=25
o
C.
a) Să se calculeze rezistenţa de polarizare R
B
, transconductanţa g
m
, rezistenţa r
π
din
modelul natural şi curentul de bază.
b) Dacă temperatura creşte la θ=110
o
C, atunci, din datele de catalog, se ştie că β=160. Să
se calculeze în noile condiţii g
m
, r
π
şi curenţii de colector I
C
' şi de bază I
B
'.
R

a)
12V-6V
1,2kΩ
5mA
CC CE
CC C C CE C
C
V V
V I R V R
I

= + ⇒ = = =
5
0,05mA
100
C
B
I
I
β
= = =
(1 ) 12 0,6 101 0,05 0,004
227,6kΩ
0,05
CC D B D
B
B
V V I r
R
I
β − − + − − × ×
= = =

o
23
-19
25 ( 273,15 )
1,38 10 J /K 25,7mV
=1,6 10 C
T
T
kT
k V
q
q
θ θ

 = = +

= × ⇒ = =


×



5mA
0,19S
25,7mV
C
m
T
I
g
V
= = ≅
0
100
526Ω
0,19
m m
r
g g
π
β β
= ≅ = =
(a)
+

+

v
g
R
B
V
CC
C
c
R
C
v
O
i
C
+
_
+

R
B
V
CC
R
C
V
CE
I
C
I
B
V
D
r
D
βI
B
(b)
Fig. 1. (Repetată)
b) Tensiunea pe joncţiune scade cu aproximativ 2 mV/
o
C, prin urmare

( )
3
' 0,6 2 10 110 25 0,43V
D
V

= − × × − =

Noua valoare a curentului de bază rezultă din

( )
12 0,43
' ' 1 ' ' ' ' 0,052mA
224 161 0,004
CC B B D B D B
V I R V I r I β

= + + + ⇒ = =
+ ×
(după cum era
de aşteptat, curentul de bază s-a schimbat foarte puţin).

În schimb, curentul de colector devine

' ' ' 160 0,052 8,32mA
C B
I I β = = × = (faţă de 5 mA anterior).

' ' 12 1,2 8,32 2V
CE CC C C
V V R I = − = − × ≅ (faţă de 6 V anterior).

Pentru ceilalţi parametri, avem

o
23
-19
110 ( 273,15 )
1,38 10 J /K ' 33,1mV
=1,6 10 C
T
T
kT
k V
q
q
θ θ

 = = +

= × ⇒ = =


×



'
8,32mA
' 0,25S
' 33,1mV
C
m
T
I
g
V
= = ≅
0
' ' 160
' 640Ω
' ' 0,25
m m
r
g g
π
β β
= ≅ = = .


După cum am mai arătat, principalul defect al schemei provine din constanţa curentului
de bază la variaţia temperaturii; cum factorul de amplificare în curent variază cu
temperatura, rezultă că şi curentul de colector variază.


Circuit de polarizare cu divizor rezistiv în bază




• O soluţie pentru polarizarea tranzistoarelor mai puţin sensibilă la variaţiile de
temperatură este reprezentată în Fig. 1.






• Capacităţile C
c
şi C
E
sunt alese astfel încât să poată fi considerate scurtcircuite la
frecvenţele semnalelor (medii). Ele sunt însă circuite deschise în curent continuu.
• Pentru a analiza regimul de curent continuu, este convenabil să redesenăm schema ca
în Fig. 2, neglijând capacităţile.
• Înlocuim sursa de la intrare pe baza teoremei lui Thévénin şi folosim un model de
semnal mare simplu pentru tranzistor – Fig. 3.










+

+

v
i
R
B1

V
CC

C
c
R
C


v
O
i
C
R
B2


C
E
R
E

i
B
i
E
i
P
Fig. 1. Amplificator cu un tranzistor
polarizat cu divizor în bază.







• Avem elementele Thévénin
2
1 2
1 2
; ||
B
BB CC B B B
B B
R
V V R R R
R R
= =
+


• Ecuaţiile circuitului din Fig.3:

( ) ( ) 1
BB B B D B E D
V I R V I R r β = + + + +
( )( ) 1
BB D
B
B E D
V V
I
R R r β

⇒ =
+ + +
;

( )
( )( ) 1
BB D
C B
B E D
V V
I I
R R r
β
β
β

= =
+ + +

Fig. 2. Tranzistor polarizat cu
divizor în bază.
R
B1

V
CC

R
C


i
C
R
B2


R
E

i
B
i
E
+

+

V
CC

Fig. 3. Amplificator cu un tranzistor: polarizarea.
R
B

V
CC

R
C


i
C
R
E
+r
D
i
B
i
E
+

+

V
BB
βi
B
V
D
+

( )
( )( ) 1
B D
B E D
C
E V
R R r
I
β
β

⇒ = − + + (relaţie de proiectare când se impune PSF).
• Revenim la
( )
( )( ) 1
BB D
C B
B E D
V V
I I
R R r
β
β
β

= =
+ + +
;
Dacă se alege, prin proiectare, varianta:
E B
R R β >> , atunci

( )
( )( ) 1
BB D BB D
C
E D E
V V V V
I
R r R
β
β
− −
≅ ≅
+ +


şi se elimină variaţiile lui I
C
cu temperatura din cauza lui β.
• Dacă se alege, în plus,
BB D
V V >> , atunci

BB
C
C
V
I
R


şi PSF devine practic independent de temperatură.
• Din păcate, R
B
şuntează intrarea în curent alternativ, reducând nivelul semnalului la
intrare, astfel că nu poate fi aleasă de valoare prea mică.
• Creşterea rezistenţei R
E
reduce amplitudinea maximă a semnalului la ieşire prin
reducerea tensiunii V
CE
care determină PSF:

( )
CE CC C C E
V V I R R ≅ − + .

• Rezistenţa R
E
are un rol important în prevenirea ambalării termice a tranzistoarelor cu
siliciu. Presupunândcă aceasta lipseşte, în condiţii nefavorabile de polarizare, când
curentul de bază este constant, creşterea temperaturii joncţiunii colectorului duce la
creşterea lui β şi, implicit a curentului de colector. În felul acesta creşte puterea disipată
pe tranzistor şi deci creşterea temperaturii. Procesul se repetă, ducând în final la
distrugerea tranzistorului. Dacă R
E
este prezentă, atunci, pe baza relaţiei de mai sus, se
vede că o creştere a curentului de colector duce la o scădere a tensiunii colector – emitor,
deci la stabilizarea puterii disipate şi, implicit, a PSF.
• Rezistenţa R
E
se decuplează pentru a fi scurtcircuitată în curent alternativ deoarece, în
caz contrar, reduce amplificarea de semnal mic în conexiunea EC. Uneori condiţiile
concrete impun o decuplare parţială (Fig. 4).












Exemplu
Să se reia exemplul precedent pentru soluţia cu divizor în bază.
θ V
T
V
CE
I
C
V
CC
β V
D
r
D
25
o
C 25,7 mV 6 V 5 mA 12 V 100 0,6 V 4 Ω
110
o
C 33,1 mV 12 V 160 0,43 V 4 Ω




a) θ=25
o
C
Sunt trei rezistenţe de determinat: R
E
, R
C
şi R
B
(ultima presupunând de fapt două
rezistenţe, R
B1
şi R
B2
). Experienţa arată că următoarea procedură este convenabilă.

Se alege o cădere de tensiune de 3..4 V pe R
E
:
3V
0,6kΩ=600 Ω
5mA
E
R = = .
Rezultă
12 6 3
0,6kΩ
5
E
CC CE R
C
C
V V V
R
I
− −
− −
= = = .
Se alege 10 6kΩ
B E
R R ≅ = .

Fig. 3. (repetată).
R
B

V
CC

R
C


i
C
R
E
+r
D
i
B
i
E
+

+

V
BB
βi
B
V
D
+

R
E1
R
E2 C
E
E

Fig. 4. Decuplarea parţială a
rezistenţei din emitor.

Se calculează, ţinând cont că 0,05mA
C
B
I
I
β
= = , tensiunea
( ) ( ) 1
0,05 6 0,6 101 0,05 0,604 3,95V
BB B B D B E D
V I R V I R r β = + + + + =
= × + + × × ≅


Se calculează R
B1
şi R
B2
din
2
1
1 2
1 2 1
2
1 2 1
12 6
18,23kΩ
3,95
18,23 6
8,94kΩ
18,23 6
CC B B
BB CC B
B B BB
B B B B
B B
B B B B
V R R
V V R
R R V
R R R R
R R
R R R R
×  
= = = =
 
+
 

 
×
 
= = = =
 
+ − −
 
.


5mA
0,19S
25,7mV
C
m
T
I
g
V
= = ≅
0
100
526Ω
0,19
m m
r
g g
π
β β
= ≅ = =

b) θ=110
o
C

( )( ) ( )
' 3,95 0,43
' 0,034mA
1 6 161 0,6 0,004
BB D
B
B E D
V V
I
R R r β
− −
= = =
+ + + + × +

' ' ' 160 0,034 5,44mA
C B
I I β = = × = (faţă de 5 mA la 25
o
C).

( ) ( ) ' ' 12 5,44 0,6 0,6 5,47V
CE CC C C E
V V I R R = − + = − × + = (faţă de 6 V la 25
o
C).

'
5,44mA
' 0,16S
' 33,1mV
C
m
T
I
g
V
= = ≅
0
' ' 160
' 1000Ω
' ' 0,16
m m
r
g g
π
β β
= ≅ = =




Modelul Ebers-Moll



• Modelul Ebers-Moll este general pentru că include toate regiunile de funcţionare ale
tranzistorului în joasă frecvenţă. Se foloseşte în programele de simulare.
• Mărimile electrice care descriu funcţionarea tranzistorului se presupun ca rezultând
din superpoziţia mărimilor corespunzătoare care descriu cele două joncţiuni.
• Componentele aferente joncţiunii emitorului se notează cu F, iar cele aferente
joncţiunii colectorului cu R (de la "forward" şi "reverse" în limba engleză). Astfel:
E EF ER
C CF CR
B BF BR
I I I
I I I
I I I
= +
= +
= +


• Curenţii de saturaţie sunt conţinuţi în cei ai joncţiunilor.
• Pe parcursul acestui paragraf, revenim la convenţia de a alege sensurile pozitive pentru
curenţi înspre tranzistor.

1. Tranzistor pnp

• Componenta directă (F):
C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CB
V
EB
Tranzistor pnp;
montaj BC


C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor npn

C
B
E
I
C
I
E
I
B
+

+
V
CE
V
BE
Tranzistor pnp

Fig. 1. Simboluri pentru tranzistoare. Simbolul pentru diodă
conţine curentul de saturaţie.
_

V
F
I
F
+

I
S
( ) ( )
1
1 1
EB
qV
kT
EF ES ES
I I e I I δ
| |
= − ⇔ +
|
\ .

1
EB
qV
kT
CF F EF F ES
I I I e α α
| |
= − = − −
|
\ .

( ) ( ) 1 1
EB
qV
kT
BF EF CF F ES
I I I I e α
| |
= − + = − − −
|
\ .


I
ES
: curentul de saturaţie al componentei directe (F)



• Componenta inversă (R): (prin analogie)
1
CB
qV
kT
CR CS
I I e
| |
= −
|
\ .

1
CB
qV
kT
ER R CS
I I e α
| |
= − −
|
\ .

( ) 1 1
CB
qV
kT
BR R CS
I I e α
| |
= − − −
|
\ .


I
CS
: curentul de saturaţie al componentei inverse (R)

• Prin superpoziţie se obţin următoarele ecuaţii:
1 1
CB EB
qV qV
kT kT
E EF ER ES R CS
I I I I e I e α
| | | |
= + = − − −
| |
\ . \ .

1 1
CB EB
qV qV
kT kT
C CF CR F ES CS
I I I I e I e α
| | | |
= + = − − + −
| |
\ . \ .

( ) ( ) 1 1 1 1
CB EB
qV qV
kT kT
B BF BR F ES R CS
I I I I e I e α α
| | | |
= + = − − − − − −
| |
\ . \ .


Valorile tensiunilor pe joncţiuni pot fi pozitive sau negative.

Fig. 1. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor pnp.

I
E
I
C
I
B
I
CS
E

C

B

α
F
I
EF
I
ES
α
R
I
CR
I
EF
I
CR




2. Tranzistor npn
• Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor npn se obţine din cel al unui tranzistor pnp
schimbând semnele dinaintea curenţilor de saturaţie şi ai tensiunilor pe joncţiuni.
• Pentru a nu scrie exponenţi negativi, schimbăm sensul de referinţă al tensiunilor pe
joncţiuni ( ) ,
EB BE CB BC
V V V V − = − = :

1 1
BC BE
qV qV
kT kT
E ES R CS
I I e I e α
| | | |
= − − + −
| |
\ . \ .

1 1
BC BE
qV qV
kT kT
C F ES CS
I I e I e α
| | | |
= − − −
| |
\ . \ .

( ) ( ) 1 1 1 1
BC BE
qV qV
kT kT
B E C F ES R CS
I I I I e I e α α
| | | |
= − − = − − + − −
| |
\ . \ .


• Rezultă că schema electrică echivalentă pentru un tranzistor npn se obţine din cea
pentru un tranzistor pnp schimbând sensurile diodelor.





• Pe baza unor consideraţii ţinând de teoria circuitelor (proprietăţi de reciprocitate), se
poate arăta că

F ES R CS
I I α α = .

Fig. 2. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor npn.

I
E I
C
I
B
I
CS
E

C

B

α
F
I
EF
I
ES
α
R
I
CR
I
EF
I
CR
Prin urmare, pentru a găsi caractersiticile statice ale unui tranzistor sunt necesare trei
măsurători pentru determinarea a trei parametri din cei patru: α
F
, α
R
, I
ES
şi I
CS
. Acest
fapt este important şi pentru modelarea tranzistoarelor în programele de simulare.


Modele Ebers-Moll care depind de curenţii terminali

• Aceste modele rezultă din cele precedente şi diferă prin faptul că generatoarele de
curent sunt comandate de curenţii terminali şi nu de cei prin diode. În practică, curenţii
terminali sunt mai uşor de măsurat decât cei prin diode, ceea ce justifică acest calcul.


1. Tranzistor pnp


( ) ( ) 1
E EF ER EF R CR
E EF R C F EF F R EF R C
C CF CR F EF CR
I I I I I
I I I I I I
I I I I I
α
α α α α α
α
= + = − ¦
⇒ = − + = − −
´
= + = − +
¹


Dar 1
EB
qV
kT
EF ES
I I e
| |
= −
|
\ .
;

se notează ( )
0
1
F R ES E
I I α α − = . Rezultă
0
1
EB
qV
kT
E E R C
I I e I α
| |
= − −
|
\ .
.

La terminalul colectorului:
( ) ( ) 1
C CR CF CR F EF
C CR F E R CR F R CR F E
E EF R CR
I I I I I
I I I I I I
I I I
α
α α α α α
α
= + = − ¦
⇒ = − + = − −
´
= −
¹


Dar 1
CB
qV
kT
CR CS
I I e
| |
= −
|
\ .
;
se notează ( )
0
1
F R CS C
I I α α − = . Rezultă
0
1
qV
CB
kT
C C F E
I I e I α
| |
= − −
|
\ .
.
• Avem următoarea schemă echivalentă




• Se poate uşor arăta că, pentru a obţine modelul Ebers-Moll al unui tranzistor npn din
cel al unui tranzistor npn, trebuie schimbate sensurile diodelor.
• Şi în acest caz se poate demonstra că există o relaţie de legătură între parametri:

0 0 F E R C
I I α α = .

Pentru găsirea caracteristicilor statice ale unui tranzistor sau pentru simulare sunt
necesare trei măsurători pentru deteminarea a trei parametri independenţi din cei patru
α
F
, α
R
, I
E0
şi I
C0
.


Fig. 3. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor pnp
(surse comandate de curenţii terminali).

I
E I
C
I
B
I
C0
E

C

B

α
F
I
E
I
E0
α
R
I
C
I
EF
I
CR
Tranzistorul cu efect de câmp de tip metal – oxid – semiconductor (MOS)

• Tranzistorul cu efect de câmp de tip MOS (MOSFET, FET – "Field Effect
Tranzistor") poate fi cu canal indus sau cu canal iniţial, iar canalul poate fi de tip n sau de
tip p. Vom aborda doar tranzistoarele cu canal de tip n, celelalte având o structură
complementară.

MOSFET cu canal indus de tip n – construcţie

• Construcţia unui astfel de tranzistor este schiţată în fig. 1.

De multe ori canalul este accesibil din exterior printr-un terminal metalic.
• Ca ordine de mărime uzuale ale tranzistoarelor cu performanţe medii, suprafaţa totală
a substratului este de 150 μm
2
, sursa şi drena au adâncimi de 5..10 μm, iar lungimea L
canalului este de 10..20 μm. Grosimea W a stratului de oxid este în jurul a 0,1 μm.
• Când electrodul poartă este lăsat în gol, nu există conducţie între sursă şi drenă
deoarece acestea, împreună cu substratul, formează două joncţiuni pn legate în opoziţie.
• Când pe electrodul poartă se aplică o tensiune pozitivă în raport cu sursa şi drena, în
stratul de oxid de sub poartă ia naştere un câmp electric. Liniile acestuia încep de pe
sarcinile pozitive de pe poartă se termină pe sarcinile negative care apar imediat sub
stratul de oxid, fig. 2. Fenomenele sunt identice cu cele ce se produc în cazul unui
condensator. Regiunea cu sarcină negativă dintre sursă şi drenă se numeşte canal. În
acest caz, canalul este indus (de tensiunea pozitivă dintre poartă şi sursă, respectiv drenă).
• Originea sarcinii negative din canal este dublă: electroni care trec în canal din sursă şi
drenă sub acţiunea potenţialului pozitiv aplicat pe poartă şi atomi acceptori ionizaţi din
cauza migrării golurilor din canal spre sursă şi drenă sub acţiunea aceluiaşi potenţial (sau,
în mod echivalent, a câmpului electric pe care îl produce). Electronii iau parte la procesul
de conducţie electrică, în timp ce atomii ionizaţi sunt ficşi, deci nu contribuie cu nimic la
acest proces.
• Prezenţa sarcinilor negative mobile în canal asigură posibilitatea conducţiei curentului
electric între sursă şi drenă.
Fig. 1. Structura constructivă a unui tranzistor MOS
cu canal n indus.
Sursă
n
Drenă
n
Substrat semiconductor (intrinsec
sau de tip p)
Sursă S Drenă D
Poartă
(grilă)
G
SiO
2

(izolator)
Metal
L - canal

W

ε
• Se notează cu n
b
şi p
b
concentraţiile de purtători în substrat în condiţii de echilibru şi
cu
b
n n ∆ + , respectiv
b
p p ∆ + concentraţiile care apar atunci când poarta are un potenţial
pozitiv în raport cu substratul. La echilibru (poarta la potenţial zero) are loc
2
b b i
n p n = . Se
poate demonstra că are loc o relaţie ca la echilibru

2
( )( )
b b i
n n p p n ∆ ∆ + + =

unde n
i
este concentraţia de purtători la echilibru a semiconductorului intrinsec. Rezultă
că, dacă concentraţia de electroni în canal creşte, atunci cea de goluri scade şi invers.





• La un câmp electric mic se obţine situaţia din fig. 3 (a). Se produce un strat de
sărăcire (de purtători majoritari). Apariţia electronilor mobili asigură conducţia electrică
sub stratul de oxid. La o intensitate a câmpului electric mai mare se formează un strat de
inversiune fig. 3 (b): sub oxid, concentraţia electronilor o depăşeşte pe cea a golurilor,
adică o situaţie opusă celei iniţial, substratul fiind de tip p. Se formează astfel canalul de
tip n indus. La graniţa dintre canal şi substrat apare o zonă de sărăcire (sau de sarcină
spaţială), ca la o jonţiune pn. În practică stratul de inversiune apare la tensiuni între câţiva
milivolţi până la câţiva volţi între poartă şi sursă. Notăm cu V
P
tensiunea la care apare
stratul de inversiune, numită tensiune de prag. Pentru început considerăm V
P
≅0 (condiţia
asigurată printr-un potenţial de câţiva volţi aplicat porţii), urmând ca ulterior să luăm în
considerare şi efectele unei tensiuni de prag mai mari.
• Dacă tensiunea dintre poartă şi sursă sau drenă (ultimele două se presupun la acelaşi
potenţial) este negativă, atunci câmpul electric are sens invers faţă de situaţiile anterioare
şi, sub stratul de oxid, se adună goluri: se formează un strat de îmbogăţire sau acumulare
(fig. 3 (c)). Deşi există purtători liberi, conducţia curentului între sursă şi drenă nu este
Fig. 2. Apariţia canalului conductor la un tranzistor MOS.

Sursă
n
Drenă
n
Substrat ("bulk") p
b
>n
b
S D G
SiO
2

(izolator)
Metal
+V

y

x

Canal

Linii de câmp electric
x=0

x

+ + + + + + + + + + + +

posibilă din cauza celor două joncţiuni pn conectate în opoziţie care se formează, sursă n
– substrat p – drenă n.
• Funcţionare normală a MOSFET are loc în regim de inversiune. În jurul canalului se
formează un strat de sarcină spaţială, fig. 4.









x

n, p

n
b
p
b
Δn Δp
x

n, p

n
b
p
b
Fig. 3. Concentraţii de
purtători în substrat: (a) strat
de sărăcire; (b) strat de
inversiune; (c) strat de
îmbogăţire.
(a)
(b)
(c)
x

n, p

n
b
p
b
zonă de sărăcire
x
1
x
2
canal
Fig. 4. Structura unui tranzistor MOS polarizat. V
DS
<<V
GS
.
V
G
>0
Sursă
n
Drenă
n
Substrat semiconductor (intrinsec
sau de tip p)
S D
G
SiO
2

Metal
ε
V
S
>0
V
D
>0
I
G
≈0
I
S
≈-I
D I
D
canal (n)
Regiune de
sarcină
spaţială
V=0

Caracteristicile statice ale MOSFET

• Funcţionarea unui MOSFET este calitativ diferită în funcţie de relaţiile dintre
tensiunile dintre electrozi. Deoarece ne ocupăm de tranzistoare cu canal n indus, vor
presupune întotdeauna 0
GS
V > (în general
GS P
V V > ).
• Într-o primă regiune de funcţionare, considerăm cazul 0
DS GS
V V < << . În acest caz,
câmpul electric se poate considera aproximativ uniform, ca în fig. 2, potenţialele drenei şi
sursei fiind apropiate. Canalul se comportă ca o rezistenţă R, cu atât mai mică cu cât
tensiunea V
GS
este mai mare (deoarece aceasta atrage mai mulţi electroni în canal). Este
convenabil ca, în loc de rezistenţă, să lucrăm cu conductanţa G=1/R a canalului, care
depinde de V
GS
: ( )
GS
G G V = . Sensurile de referinţă pentru curenţi se iau spre dispozitiv,
ca în fig. 4. Electrodul poartă fiind izolat faţă de restul dispozitivului de către stratul de
oxid, curentul continuu absorbit de la acest terminal este practic nul, I
G
=0, ceea ce
implică 0,
S D S D
I I I I + = = − . Din cele de mai sus rezultă ( )
D GS DS
I G V V = . Se poate arăta
că G depinde liniar de V
GS
atunci când 0
DS GS
V V < << . Notând factorul de
proporţionalitate cu β, avem

, 0
D GS DS DS GS
I V V V V β = < << . (1)

• Regimul de funcţionare a tranzistorului este de rezistenţă comandată (de tensiunea
V
GS
), fig. 5. Relaţia (1) este o formă de manifestare a efectului de câmp.






• Într-o a doua regiune de funcţionare presupunem că V
DS
este comparabil cu V
GS
dar
mai mic decât acesta, astfel încât tensiunea V
GD
este pozitivă: 0
DS GS
V V < < . Din cauza
apropierii potenţialului drenei de cel al porţii, câmpul electric se micşorează în apropiere
de drenă şi lăţimea canalului la capătul dinspre drenă, ca şi conductanţa sa scad (fig. 6).
+
_
V
DS
I
D
G=βV
GS
Fig. 5. Model pentru comportarea
tranzistorului MOS la tensiuni
V
DS
<<V
GS
.
Relaţia (1) nu mai e valabilă, ea fiind înlocuită cu una neliniară. Se dovedeşte că această
relaţie este pătratică:

2
( ), 0
2
DS
D GS DS DS GS
V
I V V V V β = − < ≤ . (2)





• Când tensiunea V
DS
ajunge egală cu tensiunea V
GS
, deci 0
DG
V = , lăţimea canalului
devine nulă la capătul dinspre drenă (canalul se strangulează - fig. 7).



Fig. 6. Forma canalului la o tensiune drenă sursă
mai mică decât tensiunea poartă sursă, dar
comparabilă cu aceasta. V
DS
<V
GS
.
substrat

S
D G V
G
Strat de
inversiune
V
D V
S
I
S
I
D
Drenă
n
Sursă
n
Fig. 7. Forma canalului în cazul V
DS
=V
GS
.
Sursă
n
Drenă
n
substrat

S
D G V
G
Strat de
inversiune
V
D V
S
I
S
I
D
• Când tensiunea V
DG
creşte astfel încât 0
DS GS
V V > > , apare o regiune de sărăcire
(adică dispare inversiunea) la capătul dinspre drenă din cauza faptului că, în vecinătatea
drenei, câmpul electric îşi schimbă sensul (fig. 8).



• Se demonstrează că lăţimea δ a regiunii de sărăcire variază destul de puţin la creşterea
în continuare a potenţialului drenei. Se produce un fenomen de saturaţie şi curentul de
drenă rămâne constant, la valoarea pe care a avut-o când
GS DS
V V = :

2
, 0
2
GS
D GS DS
V
I V V β = < ≤ . (3)

• Remarcăm că relaţia (2) este valabilă şi când V
DS
<0. În acest caz, potenţialul drenei
fiind foarte scăzut în raport cu cel al porţii, câmpul electric în vecinătatea drenei devine
foarte intens şi atrage mulţi electroni; rezultatul este o creştere semnificativă a
conductanţei canalului şi o creştere teoretic nemărginită a curentului.
În concluzie, caracteristicile statice ale tranzistorului MOS sunt date de
următoarele relaţii:

2
2
( ), , 0
2
, 0
2
DS
GS DS DS GS GS
D
GS
DS GS
V
V V V V V
I
V
V V
β
β
¦
− < >
¦
¦
=
´
¦
≥ >
¦
¹
(4)

• Caracteristicile statice sunt reprezentate în fig. 9 pentru valori uzuale ale mărimilor
electrice. Întâi au fost desenate parabolele cu linie întreruptă, apoi, cu linie plină, au fost
selectate porţiunile utile din parabole şi s-au completat caracteristicile cu valorile
constante ale curentului în zona de saturaţie.
Fig. 8. Canalul în tranzistorul MOS când V
DS
>V
GS
.
Sursă
n
Drenă
n
substrat

S
D G V
G
Strat de
inversiune
V
D V
S
I
S
I
D
Strat de
sărăcire
δ
• Pentru desenarea parabolelor este util de observat că rădăcinile ecuaţiilor de gradul al
doilea asociate parabolelor sunt la 0
DS
V = şi 2
DS GS
V V = , iar vârfurile parabolelor sunt la
DSmax GS
V V = , maximele fiind
2
2
DSmax
Dmax
V
I β = (adică se înşiră şi ele pe o parabolă).










• Tranzistoarele MOS se folosesc în cadranul I al caracteristicilor, în cele două zone
evidenţiate în fig. 9: în apropierea originii, ca rezistenţe comandate şi în zona de saturaţie,
ca amplificatoare. Nu se folosesc în cadranul III, motiv pentru care aceste caracteristici
nici nu se specifică; în cazul nostru le-am desenat numai pentru completitudine. Se poate
demonstra că, în regiunea de saturaţie, caracteristicile sunt uşor înclinate aşa cum sunt şi
la tranzistoarele bipolare, acolo din cauza efectului Early.
• Caracteristicile tranzistoarelor MOS cu canal indus de tip p se obţin din cele din fig. 9
prin rotire cu 180
0
în jurul originii.
V
DS
[V]
I
D
[mA]
V
GS
=0
V
GS
=5 V
V
GS
=10 V
V
GS
=15 V
I
D
=βV
DS
2
/2
5 10 15
10
5
Zona de
saturaţie
(amplificator)
Rezistenţă
comandată în
tensiune
Zonă de
neliniaritate
pronunţată
Fig. 9. Caracteristici statice de ieşire tipice pentru un tranzistor MOS
cu canal indus de tip n, V
P
=0 V.
• Simbolurile pentru tranzistoarele MOS cu canal indus sunt reprezentate în fig. 10.





• În cazul multor specii de tranzistoare, tensiunea de prag V
P
nu este neglijabilă. Pentru
ca să apară canalul conductor în regim de inversiune la un tranzistor MOS cu canal n
indus, este necesar ca
GS P
V V > , unde, aşa cum s-a mai arătat, 0
P
V > . Caracteristicile
statice ale unui astfel de tranzistor se obţin din (4) înlocuind V
GS
cu V
GS
-V
P
:

( )
2
2
( ) , , 0
2
, 0; 0
2
DS
GS P DS DS GS P GS P
D
GS P
DS GS P P
V
V V V V V V V V
I
V V
V V V V
β
β
¦ (
− − < − − >
¦ (
¦
¸ ¸
=
´
− ¦
≥ − > >
¦
¹
(5)

• De multe ori se foloseşte notaţia 2K β = . În plus, în regiunea de saturaţie, expresia
curentului de drenă se foloseşte sub forma

2
1
GS
D DSS
P
V
I I
V
| |
= −
|
\ .
(6)

unde
2 2
2
DSS P P
I V KV
β
= = .
G
D
S
(a)
G
D
S
(b)
Fig. 10. Simboluri pentru tranzistoare MOS cu: (a) canal n indus;
(b) canal p indus.
Rezistenţă comandată – exemplu

Schema de mai jos este a unui divizor de tensiune comandat. Tranzistorul MOS este cu
canal indus şi are V
P
=0. Când tensiunea de comandă are valoarea V=1 V, rezistenţa dintre
drenă şi sursă este de 10 kΩ. Să se deducă o expresie pentru raportul de divizare v
O
/v
IN
în
domeniul de variaţie al tensiunii de comandă -2 V<V<10 V. Să se reprezinte grafic
această dependenţă [Gray 1973].

R

Pentru ca tranzistorul să funcţioneze ca rezistenţă comandată este necesar ca
0
O
V
v V
> 

<<



În acest caz au loc relaţiile

O IN D
D O
v v i R
i kVv
= − 

=

.

Pentru determinarea lui k se ţine cont că ( )
2
1
10kΩ =1V 0,1mA/V
O
D
v
V k
i kV
= = ⇒ = .
Se elimină i
D
din sistemul de mai sus şi rezultă

1 1 0,1 5
1
2
IN IN IN
O
v v v
v
V
kVR V
= = =
+ + × ×
+
(tensiunile fiind exprimate în volţi).
Cînd tensiunea de comandă este negativă, tranzistorul este blocat şi
O IN
v v = .


Divizor de tensiune comandat.
G
S
D
+
+
+



v
IN
V
v
O
R=5 kΩ
i
D



V [V] –2 –1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
v
O
/v
IN
1 1 1 2/3 1/2 2/5 1/3 2/7 1/4 2/9 1/5 2/11 1/6









%divizor rezistiv cu MOS - caracteristica de transfer
V=0:10;
rap=1./(1+V/2);
V=[-2 -1 V];
rap=[1 1 rap];
plot(V,rap,V,rap,'o')


Tranzistoare MOS cu canal iniţial

• Structura constructivă de principiu a unui tranzistor MOS cu canal iniţial este
prezentată în fig. 1. Aceasta este asemănătoare cu cea a unui tranzistor MOS cu canal
indus; diferenţa constă în inserarea, în timpul fabricaţiei, a unui strat de sarcină electrică
superficială la interfaţa dintre oxid şi semiconductor. Sarcina este pozitivă în cazul
canalului n, pe care îl tratăm şi negativă în cazul canalului p.





• Consecinţa existenţei stratului de sarcină superficială este formarea unui strat de
inversiune sub oxid şi deci a unui canal conductor, chiar în absenţa unui potenţial pozitiv
aplicat pe poartă. De fapt, pentru a anula canalul, este necesar un potenţial negativ aplicat
pe poartă; rezultă că acest tranzistor poate funcţiona şi pentru anumite tensiuni poartă –
sursă negative dacă acestea depăşesc o anumită valoare, numită tensiune de prag sau de
strangulare V
P
. După cum s-a arătat, această tensiune este negativă în cazul
tranzistoarelor cu canal n.
• Caracteristicile statice ale tranzistoarelor MOS cu canal iniţial sunt identice ca expresii
cu cele ale tranzistoarelor MOS cu canal indus, doar că, în cazul canalului n pe care îl
tratăm, 0
P
V < :
( )
2
2
( ) , 0
2
( 0)
, 0
2
DS
GS P DS GS P DS
D P
GS P
DS GS P
V
V V V V V V
I V
V V
V V V
β
β
¦ (
− − − > >
¦ (
¦
¸ ¸
= <
´
− ¦
≥ − >
¦
¹
(1)
Fig. 1. Structura unui tranzistor MOS cu canal iniţial de
tip n.
V
G
Substrat semiconductor (intrinsec
sau de tip p)
S D
G
SiO
2

Metal
ε
V
S
V
D
I
G
≈0
I
S
≈–I
D I
D
canal (n)
Regiune de
sarcină
spaţială
Strat de
sarcină
pozitivă
Drenă
n
Sursă
n

















• Un exemplu tipic este reprezentat în fig. 2. Tranzistorul se foloseşte în aceleaşi două
regiuni: rezistenţă comandată şi saturaţie.

• În regiunea de saturaţie, de multe ori se scrie
2
2
1
2
GS P
D
p
V V
I
V
β
| |
= −
|
|
\ .
. Se notează

2
2
P
DSS
V
I
β
= (2)

şi deci

Fig. 2. Caracteristici statice de ieşire tipice pentru un tranzistor
MOS cu canal iniţial de tip n, V
P
=–5 V.
5
V
DS
[V]
I
D
[mA]
V
GS
=–5 V (V
GS
–V
P
=0)

V
GS
=0 (V
GS
–V
P
=5 V)
V
GS
=5V (V
GS
–V
P
=10 V)

V
GS
=10 V (V
GS
–V
P
=15 V)

5 10 15
10
V
P
=–5 V

2
1 , 0
GS
D DSS DS GS P
p
V
I I V V V
V
| |
= − ≥ − >
|
|
\ .
. (3)

• Simbolurile tranzistoarelor MOS cu canal iniţial sunt reprezentate în fig. 3.


G
D
S
G
D
S
(a)
(b)
Fig. 3. Simboluri pentru tranzistoare MOS cu: (a) canal iniţial n;
(b) canal iniţial p.
Modelul de semnal mic al tranzistoarelor cu efect de câmp


• Modelele de semnal mic sunt aplicabile în regiunea de saturaţie a caracteristicilor de
ieşire ale tranzistoarelor MOS deoarece, atunci când intră în componenţa
amplificatoarelor de semnal mic, acestea sunt polarizate pentru a funcţiona în regiunea
respectivă.
• Polarizarea presupune fixarea unui PSF prin circuite exterioare. La stabilirea PSF
participă şi caracteristicile tranzistorului. Deoarece 0,
G S D
I I I ≅ = , PSF este determinat
de setul ( ) , ,
GS DS D
V V I .
• Putem deduce schema echivalentă de semnal mic şi joasă frecvenţă plecînd de la
dependenţa dintre variabilele de semnal total

( ) ,
D D GS DS
i i v v =

• Se dezvoltă funcţia de mai sus în serie Taylor şi se reţin doar termenii de ordinul întâi,
care reprezintă variabilele de semnal mic:

D D
D D d D PSF gs PSF ds
GS DS
i i
i I i I v v
v v
∂ ∂
= + ≅ + +
∂ ∂


de unde rezultă

1 1
, ,
D D
d m gs ds m PSF PSF
d GS d DS
i i
i g v v g
r v r v
∂ ∂
= + = =
∂ ∂
.

Mărimea g
m
se numeşte transconductanţă şi are valori tipice de 0,1..10 mA/V, iar r
d
se
numeşte rezistenţă diferenţială şi are valori tipice de 0,1..10 MΩ.
• Schema echivalentă de semnal mic şi joasă frecvenţă este prezentată în figura
următoare.




Fig. 1. Modelul de semnal mic şi joasă frecvenţă pentru un
tranzistor MOS.

+

v
ds
i
d
+

v
gs
g
m
v
gs
r
d
• În înaltă frecvenţă se manifestă efecte inerţiale care pot fi modelate prin introducerea
unor capacităţi. Astfel de aplicaţii se studiază în regim sinusoidal, ceea ce impune
utilizarea amplitudinilor complexe.





Aplicaţie
Se ştie că un amplificator cu FET este proiectat astfel încât tranzistorul să lucreze în
regiunea de saturaţie caracteristicilor de ieşire. Dacă 0
P
V ≠ , atunci, la joasă frecvenţă:

2
1
GS
D DSS
P
v
i I
V
 
= −
 
 
.

Să se arate că

2
1
DSS GS
m
P P
I V
g
V V
 
= − −
 
 
.
R

0
1
2 1
1
2 1 2 1
gs
GS D
m PSF DSS PSF
GS P P
GS gs
DSS GS
DSS v
P P P P
v i
g I
v V V
V v
I V
I
V V V V
=
  ∂ −
= = − =
 

 
+     −
= − = − −
   
   


Observaţie: avem
2
1
GS
D DSS
P
V
I I
V
 
= −
 
 
, de unde

1 2
GS D
P DS
D DSS
m
S P
I I
g
V
V I
V I
− = ⇒ = −
Fig. 2. Modelul de semnal mic şi înaltă frecvenţă pentru un
tranzistor MOS.


+

v
ds
i
d
+
v
gs
g
m
v
gs
r
d
C
ds C
gs
C
gd
Amplificator de semnal mic cu MOS – FET: exemplu

Se consideră amplificatorul de semnal mic din figură. În regiunea de saturaţie,
caracteristica tranzistorului este

( )
2
, 0,
D GS P GS P DS GS P
I k V V V V V V V = − − ≥ ≥ −

k=0,2 mA/V
2
, V
P
=3 V. Să se calculeze PSF, I
DSS
, g
m
, amplificarea de tensiune, rezistenţa
de intrare şi cea de ieşire. Analiza se va efectua la frecvenţe medii (capacităţile de cuplaj
şi cele din modelul de semnal mic se pot neglija).


R

2
2
2 2
1 1 0,2 9 1,8mA
GS GS
D P DSS DSS P
P p
V V
I kV I I kV
V V
| |
| |
= − = − ⇒ = = × =
|
|
|
\ .
\ .
.
Presupunem
P D
I I << (deoarece curge printr-o rezistenţă de 2 M), presupunere pe care o
vom verifica ulterior. Avem

2
2
1 2
1
2
GS
D DSS
P
DS
GS DS GS
DD DS
DS DD D D D
D
V
I I
V
V R
V V V
R R
V V
V V I R I
R
¦
| |
¦ = −
|
¦
\ .
¦
¦
= ⇒ =
´
+
¦
¦

= − ⇒ =
¦
¦
¹

Se elimină I
D
:
Fig. 1. Amplificator de semnal mic cu MOS-FET cu canal
indus.
R
D
=10 k
R
1
=1 M
R
2
=1 M
C
c
I
D
I
P
I
G
=0
+
+




V
DD
=30 V
v
in
v
o

2
1 ; 10k 1,8mA=18V
2
DD DS DS
DSS D DSS
D P
V V V
I R I
R V
| | −
= − = ×
|
\ .
.
Exprimăm toate tensiunile în volţi:

2
30 18 1
3 36
DS DS
DS
V V
V
| |
− = − +
|
\ .

2
30 18 6 0,5
DS DS DS
V V V − = − +
2
0,5 5 12 0
DS DS
V V − − =
2
10 24 0
DS DS
V V − − =
1
2
12V
2V (nu convine)
DS
DS
V
V
=
= −


Deci V
DS
=12 V. ;
2
DS
GS
V
V = V
GS
=6 V.
30V-12V
;
10k
D
I = I
D
=1,8 mA.
Verificăm:
D
1 2
12V
6μA<<I 1, 8 mA
2M
DS
P
V
I
R R
= = = =
+
.

2 2 1,8 6
1 1 1,2mS
3 3
DSS GS
m
P P
I V
g
V V
| | × | |
= − = − =
| |
\ .
\ .

Analiza de semnal mic


1
1
1
1 1
o
m gs
D
gs m gs o o
D
gs o
v
i g v
R
R
v g Rv v v
R
v i R v
¦
= +
¦
⇒ = + +
´
¦
= +
¹
;
Fig. 2. Schemă echivalentă de semnal mic pentru un
amplificator cu MOS-FET.

+

v
ds
=v
o
+

v
in
=v
gs
g
m
v
gs
R
D
i
in
R
2
i
o
R
in
r
o
R
1 i
1
i
2
g

d

s

1 1
1
1
1
1 1
D
m D
o o m
v m D
D
in gs
D
R
g R
v v g R R
A g R
R R
v v
R R


= = = = ≅ −
+ +

unde am folosit
1 D
R R << (R
D
=10 k, R
1
=1 M).
Apoi:
1
1 2
1
2 2
1 1
1
gs gs
o m
in m gs m gs gs
D D
D
v v
v g R
i i i g v g v v
R
R R R R
R

= + = + + = + × +
+
;
1
2
1
1 2 1 2 1 2
1 1 1
||
1 1 1 1 1
gs
in
in
m m D m D
in in m D
m
D D
v
v R
R R
g R g R g R
i i g R
g
R R R R R R R R
= = = = ≅ =
− +
+ + + +
+ +
.

( )
3 3
1,2 10 10 10 12
m D
g R

= × × × =


Se observă imediat că
1
||
o D D
r R R R = ≅

În tabelul următor sunt listate cele trei mărimi de semnal mic calculate cu formulele
exacte şi cu cele aproximative.

A
v
R
in
r
o
Exact -11,87 72,09 k 9,9 k
Aproximativ -12 71.43 k 10 k


Fig. 3. Schemă echivalentă de semnal mic pentru un
amplificator cu MOS-FET: calculul rezistenţei de ieşire.

+

v
ds
=v
t
v
in
=v
gs
=0
g
m
v
gs
R
D R
2
i
t
r
o
R
1 i
1
i
2
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune JFET

• Structura constructivă a JFET cu canal n este prezentată în fig. 1. Au o poartă, folosită
ca electrod de comandă, precum şi o drenă şi o sursă între care se formează canalul. J FET
cu canal n sunt mai des folosite, deci ne vom concentra pe acestea.



• Pentru tensiuni drenă sursă mici, canalul se comportă ca o rezistenţă comandată de
tensiunea V
GS
, fig. 2.





• Funcţionarea JFET poate fi mai uşor înţeleasă dacă se foloseşte modelul simplificat
simetrizat din fig. 3. Se observă existenţa a două joncţiuni pn între cele două regiuni ale
porţii şi canal; aceste joncţiuni trebuie polarizate invers, deci întotdeauna vom avea
V
GS
<0.
Fig. 1. Structura unui tranzistor cu efect de câmp cu
joncţiune (JFET).


canal n
V
G
Substrat p+
Sursă S Drenă D Poartă
(grilă)
G
Metal
V
S
V
D
I
G

I
S I
D
Regiuni de
sarcină
spaţială
poartă p+
Fig. 2. Model pentru J FET la
valori mici ale tensiunii drenă –
sursă.

I
D
V
D
V
S
I
D
=G(V
GS
)V
DS
• Regiunile porţii sunt mult mai puternic dopate decât canalul. În consecinţă, regiunile
de sarcină spaţială care se formează se întind mai mult în canal.















• Dacă potenţialele sursei şi drenei sunt apropiate, deci tensiunea drenă – sursă este
mică, atunci canalul este uniform şi are loc funcţionarea ca rezistenţă comandată descrisă
mai sus.
• Dacă potenţialul drenei creşte, cel al sursei rămânând constant în raport cu poarta,
atunci joncţiunea pn devine mai puternic polarizată invers la capătul dinspre drenă,
regiunea de sarcină spaţială se lăţeşte spre zona mai puţin dopată – canalul şi deci acesta
se îngustează, fig. 4. Conductanţa canalului scade şi curentul de drenă se limitează.




Fig. 3. Model simplificat pentru un J FET
Sursă S
poartă p+
V
G
Drenă D
Poartă
(grilă) G
Metal
V
S
V
D
I
G

I
S
I
D
canal n
Regiune de
sarcină
spaţială
poartă p+
poartă p+









• La creşterea în continuare a potenţialului drenei, canalul se strangulează, fig. 5.
Aceasta are loc la o tensiune inversă pe joncţiune dată, care se notează
0
DG DS GS P
V V V V = − = − > . Tensiunea 0
P
V < se numeşte tensiune de prag. Odată canalul
strangulat, curentul de drenă se saturează în raport cu V
DS
ca la un MOS. Desigur că
trebuie să avem 0
P GS
V V < < : dacă prima inegalitate nu este îndeplinită (adică
GS P
V V > ),
atunci canalul se strangulează în dreptul sursei, iar a doua a fost explicată mai sus (dacă
0
GS
V > canalul dispare deoarece joncţiunile devin polarizate direct).










Fig. 4. Îngustarea canalului odată cu creşterea tensiunii
V
GS
la un J FET
V
G
Sursă S
Drenă D
Poartă
(grilă) G
Metal
V
S
V
D
I
G

I
S
I
D
Regiune de
sarcină
spaţială
poartă p+
poartă p+
canal n










• Se poate demonstra că expresiile caracteristicilor statice ale unui MOSFET sunt o
aproximaţie, suficientă pentru aplicaţiile obişnuite, a caracteristicilor statice ale unui
J FET:

2
2
2
2( ) , 0, 0
1 , 0,
DSS
GS P DS DS P GS DS GS P
P
D
GS
DSS P GS DS GS P
P
I
V V V V V V V V V
V
I
V
I V V V V V
V
¦
( − − < < < < −
¸ ¸ ¦
¦
=
´
| |
¦
− < < > −
|
¦
\ . ¹
(1)

Caracteristicile sunt reprezentate în fig. 6. Din nou parabolele sunt mai uşor de
reprezentat dacă se ţine cont că au rădăcinile 0 şi 2( )
GS P
V V − , maximele apar la
DSmax GS P
V V V = − şi
2
2
DSS
Dmax Dsat DSmax
P
I
I I V
V
= = .
• Ca tranzistoarele MOS, JFET se folosesc ca rezistenţe comandate în zona din jurul
originii (zona liniară) sau ca elemente amplificatoare în zona de saturaţie, fig. 6. Curentul
Fig. 5. Strangularea canalului la un J FET
V
G
Sursă S
Drenă D
Poartă
(grilă) G
Metal
V
S V
D
I
G

I
S
I
D
Regiune de
sarcină
spaţială
poartă p+
poartă p+
canal n
de poartă I
G
(fig. 3) nu este neglijabil ca în cazul MOS, fiind curentul invers al unei
joncţiuni pn.
• Simbolul J FET cu canal n este reprezentat în fig. 7.






• Modelul de semnal mic al unui J -FET este identic cu cel al unui MOS-FET.





Fig. 6. Caracteristici statice de ieşire tipice pentru un JFET cu
canal n.
V
DS

I
D

V
GS
=V
P

I
Dsat
=I
DSS
/4; V
GS
=V
P
/2
I
Dsat
=9I
DSS
/16; V
GS
=V
P
/4

I
Dsat
=I
DSS
; V
GS
=0

-V
P
/2
-3V
P
/4
-V
P
zonă
liniară

zonă de saturaţie

zonă neliniară

G
D
S
Fig. 7. Simbol pentru un J FET cu canal n
Amplificator de semnal mic cu J – FET: exemplu

Pentru amplificatorul cu J -FET din figură, să se determine PSF, amplificarea de tensiune
în medie frecvenţă şi rezistenţele de intrare şi de ieşire. Se dau: I
DSS
=3 mA, V
P
=–2,4 V;
se neglijează rezistenţa internă drenă – sursă.


R

Ecuaţiile pentru regimul de curent continuu sunt

( )
2
1
GS
D DSS
P
GS D S
DS DD D D S
V
I I
V
V I R
V V I R R
¦
| |
¦ = −
|
¦
\ .
¦
= −
´
¦
= − +
¦
¦
¹

Se elimină I
D
între primele două ecuaţii

2
1 ;
GS GS
DSS
S P
V V
I
R V
| | −
= −
|
\ .

2
2
1 2 ;
GS GS
GS DSS S
P P
V V
V I R
V V
| |
− = − +
|
\ .

2
2
2
1 0
DSS S DSS S
GS GS DSS S
P P
I R I R
V V I R
V V
| |
+ − + =
|
\ .

2
2 2
2 0
P
GS P GS P
DSS S
V
V V V V
I R
| |
+ − + =
|
\ .
.
Se înlocuiesc
3mA 0,47k=1,41V
2,4V
DSS S
P
I R
V
= × ¦
´
= −
¹
:
Amplificator de semnal mic cu J -FET în conexiunea sursă
comună.
R
D
12 k
R
G
1 M
C
c
I
D
I
G
=0
+
+




V
DD
=30 V
v
in
v
o
C
s
R
S

470
2
8,885 5,76 0
GS GS
V V + + = .
Soluţiile sunt
1
8,181V
0,704V
GS
GS2
V
V
= − ¦
´
= −
¹

Deoarece este necesar ca V
GS
>V
P
=−2,4 V, convine V
GS
=−0,7 V.

0,7V
1,49mA 1,5mA
0,47k
GS
D
S
V
I
R
= − = = ≅
( ) ( ) 30V-1,5 12+0,47 11,3V
DS DD D D S
V V I R R = − + = × =

Transconductanţa se calculează cu

( )
3 0,7
2 1 2 1 1,77mA/V mS
2,4 2,4
DSS GS
m
P P
I V
g
V V
| | − | |
= − = × − =
|
|

\ .
\ .


Schema echivalentă de semnal mic





1,77mS 12kΩ 21, 2.
m gs D
o
v m D
in gs
g v R
v
A g R
v v

= = = − = − × = −
R
in
=R
G
=1 M;
12k
o D
r R = = .
Fig. 2. Schemă echivalentă de semnal mic pentru un
amplificator cu J -FET.

+

v
ds
=v
o
i
d
+

v
in
=v
gs
g
m
v
gs
R
D
i
in
R
G
i
o
R
in
r
o
Lumina – generalităţi



Semiconductoare – benzi energetice
• Rezisivităţile materialelor:
-metale ρ ∝

10
3
Ωcm;
-semiconductoare ρ ∝

( ... ) 10 10
1 3
Ωcm;
-izolatoare ρ >10
14
Ωcm.
• Semiconductoarele din grupa a IV-a (Ge, Si) au o reţea cristalină de tip diamant:
fiecare atom se învecinează, la distanţă minimă, cu patru atomi uniform distribuiţi
în spaţiu.
• Defectele cele mai importante ale reţelei cristaline sunt cele liniare (dislocaţii), sau
punctuale, din cauza atomilor de impurităţi.
• Concentraţiile particulelor au următoarele ordine de mărime: 10
22
cm
-3
pentru
atomii de semiconductor şi 10
14
…10
18
cm
-3
pentru atomii de impurităţi. Se observă
că raportul acestora variază între 10
4
şi 10
8
.
• Spunem că un semiconductor este într-o stare de echilibru termic dacă:
-temperatura este aceeaşi în tot volumul său şi
-sunt absente câmpurile electrice, magnetice, radiaţiile nucleare, în general
toate obiectele fizice care interacţionează cu semiconductorul.
Toate celelalte stări se numesc de neechilibru.

Modelul de benzi energetice al corpului solid
• Într-un corp solid, cristalin, energiile electronilor se pot afla în benzi permise,
separate de benzi interzise.




• Energia E a electronului se alege prin convenţie
-negativă pentru electronii legaţi, din semiconductor;
-pozitivă pentru electronii liberi, extraşi din material.
• Dacă există benzi incomplet ocupate, pot avea loc tranziţii. Tranziţiile spre energii
superioare au loc cu aport de energie. Tranziţiile spre energii inferioare sunt
spontane (sau stimulate) şi au loc cu eliberare de energie.
• Pentru ca un corp solid să poată conduce electric, este necesar să existe cel puţin o
bandă permisă incomplet ocupată cu electroni.
• Pentru un semiconductor intrinsec (pur), la 0K, electronii de valenţă (cu energiile
cele mai mari) ocupă integral o bandă permisă numită bandă de valenţă (BV).
E
0
Bandă permisă
Bandă interzisă
Nivel energetic
al electronului
Deasupra acesteia se află o bandă permisă complet neocupată, numită bandă de
conducţie (BC). La 0K nu pot apărea fenomene de conducţie.




• La temperaturi mai mari decât 0K, BC şi BV devin parţial ocupate (se rup legături
covalente). Electronii de conducţie apar prin tranziţia termică a electronilor de
valenţă din BV în BC. Ei se pot deplasa liber în interiorul reţelei cristaline.
• Nivelul energetic cel mai mic din BC se notează cu E
C
, iar nivelul energetic cel
mai ridicat din BV se notează cu E
V
. Mărimea
G C V
E E E = − se numeşte lăţimea
benzii interzise (BI).
• Mecanismele de conducţie în semiconductoare: la aplicarea unui câmp electric
apar curenţi de la:
-deplasarea dirijată a electronilor de conducţie;
-deplasarea dirijată a electronilor din legăturile covalente; aceasta este
echivalentă cu deplasarea în sens contrar a locurilor rămase libere prin ruperea
legăturilor: goluri.
• În cazul metalelor, există o BC parţial ocupată şi la 0K, deci conducţia este posibilă
şi la această temperatură.
• Cazul izolatoarelor este similar cu cel al semiconductoarelor, dar lăţimea benzii
interzise este mult mai mare.

• Concentraţiile purtătorilor de sarcină, electroni şi goluri, se notează cu n şi
respectiv p [cm
-3
].
• Într-un semiconductor intrinsec,
i
n p n = = şi
3
2
exp
2
G
i
E
n AT
kT
| |
= −
|
\ .
, unde A este o
constantă, iar k este constanta lui Boltzmann. La T=300 K:

( )
( )
10 -3
22 -3
13 -3
1,45 10 cm Ge
10 cm
2 10 cm Si
i
i
n
n
¦ = ×
¦
<<
´
= ×
¦
¹
(concentraţia de atomi).


• Prin impurificare controlată se realizează:
-semiconductoare n, folosind impurităţi donoare, pentavalente (P, As, St);
E
0
Bandă de conducţie
Bandă interzisă
Bandă de valenţă
E
C

E
V

E
G

E
G
=1,12 eV pt Si
E
G
=0,67 eV pt Ge
-semiconductoare p, folosind impurităţi acceptoare, trivalente (B, In, Ga, Al).
• Impurităţile au nivelurile energetice situate în BI a semiconductorului, foarte
aproape de BC în cazul impurităţilor donoare şi foarte aproape de BV în cazul
impurităţilor acceptoare. La temperatura camerei, practic toţi atomii de impuritate
se ionizează: electronii lor trec în BC, iar golurile în BV.
• Spre deosebire de electroni, cu cât un gol are o energie mai mare cu atât el se
situează mai adânc în BV.


La tranziţia unui purtător dintr-o bandă în alta, se poate emite sau absoarbi o cuantă de
energie electromagnetică de mărime E
G
. Frecvenţa radiaţiei electromagnetice satisface
relaţia

G
E hf =

h – constanta lui Planck



Tip Semiconductor E
G
[eV] Direct sau indirect
A
III
B
V
GaAs 1,45 Direct
GaP 2,25 Indirect
0
E
E
C

E
D

E
V

Diagrama energetică a unui semiconductor
de tip n. Nivelul E
D
aparţine doar atomilor
de impuritate, nu întregului cristal. La
temperatura camerei, practic toţi electronii
de pe E
D
trec în BC.
0
E
E
C

E
A

E
V

Diagrama energetică a unui semiconductor
de tip p. Nivelul E
A
aparţine doar atomilor
de impuritate, nu întregului cristal. La
temperatura camerei, practic toate nivelurile
acceptoare de pe E
A
sunt ocupate. Tranziţia
electronului din BV pe E
A
este echivalentă
cu tranziţia inversă a unui gol.
AlAs 2,16 Indirect
GaN 3,5 Direct
A
II
B
VI
ZnSe 2,7 Direct
ZnS 3,8 Direct
ZnO 3,2 Direct
ZnTe 2,3 Direct
CdS 2,5 Direct
CdSe 1,8 Direct
CdTe 1,6 Direct

Alături de componentele binare, se folosesc soluţiile solide, ca GaAlAs, GaAsP, sau
InGaP. Structurile formulelor componentelor ternare arată care atomi se substituie unii
pe alţii în reţeaua cristalină. Lăţimea BI şi structura benzilor energetice în soluţiile
solide depinde de procentajul componentelor care intră în soluţie.

Dioda emiţătoare de lumină (Light Emitting Diode - LED)

• Aplicaţiile practice ale semiconductoarelor ca generatoare de lumină se bazează pe
electroluminiscenţă. Aceasta poate fi de injecţie, cum este cazul joncţiunilor pn
polarizate direct, sau de avalanşă, când joncţiunile sunt supuse câmpurilor
electrice intense, apropiate de cele de străpungere. În mod uzual se foloseşte
electroluminiscenţa de injecţie.
• Frecvenţa centrală a radiaţiei emise este determinată de lăţimea benzii interzise
[eV]
24 , 1
m] [
0
G
E
= µ λ (din , /
G
E hf f c λ = = )

• Structura unei joncţiuni pn care intră în componenţa unui LED constă dintr-o
regiune slab dopată, numită bază, de exemplu p şi o regiune puternic dopată, de
exemplu n
+
, numită emitor. Din cauza concentraţiei mici de purtători, baza are o
rezistenţă electrică ridicată; din această regiune se emite lumină. Emitorul are
desigur o rezistenţă electrică mică. Rezultă că injecţia de purtători minoritari în
joncţiunea polarizată direct are loc practic într-un singur sens, dinspre emitor spre
bază, care emite lumină.




• Componenta utilă a curentului direct, graţie căreia are loc emisia de lumină, este
cea de electroni injectaţi de către emitor în bază şi care se recombină acolo. Să notăm
cu I
n
acest curent.
• În afară de curentul util, există mai multe componente ale curentului care reduc
randamentul emisiei de lumină. Acestea sunt:
o Curentul de goluri injectate din bază în emitor I
p
. El este mult mai mic
decât curentul util datorită dopării cu concentraţii diferite a celor două
regiuni.
o Curentul de recombinare în regiunea joncţiunii I
rec
. Recombinarea în
regiunea respectivă este cu atât mai intensă cu cât bariera de potenţial
este mai mare. Pentru ca materialul să emită radiaţie optică, este
necesar ca lăţimea benzii interzise să fie cât mai mare, ceea ce duce la
creşterea barierei de potenţial. Recombinarea în regiunea joncţiunii are
p (bază)
n
+
(emitor)
+

R
Flux de
radiaţie
optică.
Structura constructivă a unui
LED (simplificată)
loc de obicei în mod indirect, prin centri de recombinare, iar energia
este eliberată de obicei sub formă de fononi hq, transferaţi reţelei, deci
este pierdută.
o Curentul tunel I
tun
apare din cauza purtătorilor care, deşi au o energie
mai mică decât bariera de potenţial, reuşesc să o străbată (este un efect
specific cuantic, pe care nu l-am mai menţionat). Curentul tunel creşte
cu scăderea dimensiunii joncţiunii, cu creşterea nivelului de dopare a
bazei şi cu creşterea tensiunii directe.
o În sfârşit, există un curent de scurgere ("leakage") pe suprafaţa
joncţiunii I
s
.
• Având în vedere cele de mai sus, se defineşte o măsură a eficienţei injecţiei

n n
n p rec tun s
I I
I I I I I I
γ = =
+ + + +


• Electronii injectaţi în regiunea bazei p prin intermediul curentului util I
n
se
recombină în vecinătatea dinspre bază a joncţiunii. În urma acestei recombinări are
loc emisia de fotoni hf. Pe lângă recombinările radiative utile, au loc însă şi
recombinări fie neradiative, terminate cu emisie de fononi (vibraţii ale reţelei
cristaline), fie radiative, dar cu lungimi de undă mult mai mari decât cele utile.
• Procesele de mai sus conduc la definirea unui randament cuantic intern η
i
, egal cu
numărul de recombinări utile pe secundă împărţit la numărul total de recombinări pe
secundă sau, ceea ce este acelaşi lucru, egal cu numărul de fotoni generaţi pe secundă
împărţit la numărul de purtători minoritari injectaţi într-o secundă în bază.
• Produsul γη
i
determină eficacitatea electroluminiscenţei de injecţie. Limita sa
superioară depinde de condiţiile din procesul de fabricaţie a joncţiunii, precum şi de
condiţiile electrice particulare ale aplicaţiei.
• Atât eficienţa injecţiei γ cât şi randamentul cuantic intern η
i
depind de
temperatură: în timp ce γ creşte la temperaturi înalte, η
i
descreşte, ca de altfel şi
produsul lor.
• Prin procesul de recombinare în bază se creează fotoni, dar nu toţi aceşti fotoni iau
parte la procesul de radiaţie utilă. Există în principal trei mecanisme care limitează
procesul respectiv:
-absorbţia în corpul cristalului a luminii generate; aceasta poate apărea din mai
multe cauze cum sunt transferul prin ciocnire a energiei fotonilor unor electroni de
valenţă, excitându-i să treacă în BC; transferul prin ciocnire a energiei fotonilor unor
electroni liberi din BC sau unor goluri din BV, cărora le creşte energia în urma
procesului; absorbţia fotonilor de către impurităţi, ceea ce duce la excitarea unor
niveluri energetice ale acestora; absorbţia de către reţeaua cristalină, absorbţie urmată
de trecerea electronilor de pe niveluri energetice acceptoare pe niveluri donoare şi
altele.
-La suprafaţa de separaţie dintre bază şi mediul înconjurător apare o variaţie
bruscă a indicelui de refracţie, acesta fiind mai mare în semiconductor. Ca urmare,
există posibilitatea ca fotonii incidenţi pe această suprafaţă la un unghi mai mare
decât unghiul limită să sufere un fenomen de reflexie totală. Ca urmare ei revin în
corpul cristalului şi se pierd de obicei prin absorbţie. Acest efect este foarte pronunţat
în semiconductoarele directe, deoarece în cazul acestora probabilitatea de absorbţie
este maximă.
-Fotonii sunt generaţi în bază în toate direcţiile. Lumina este însă extrasă doar de la
parte bazei opusă emitorului. În consecinţă, fotoni generaţi spre emitor sunt pierduţi
prin absorbţie, iar fotonii generaţi spre părţile laterale sunt de asemenea pierduţi.








• Caracterizarea cantitativă a pierderilor prin absorbţie, reflexie totală internă şi
radiaţie laterală se face printr-un randamentul optic, definit ca
em
o
gen
P
P
η = , unde P
em

este puterea radiaţiei optice utile generate în interiorul cristalului, iar P
em
este puterea
radiaţiei optice emise de LED. El mai este egal cu raportul dintre numărul fotonilor
care părăsesc LED-ul prin faţa superioară într-o secundă şi numărul de fotoni generaţi
în bază într-o secundă.
• LED-urile sunt caracterizate şi de un randament cuantic extern η, definit prin
i o
µ γηη = . Aici γ este eficienţa injecţiei, η
i
este randamentul cuantic intern, iar η
o
este
randamentul optic. Evident că η este raportul dintre numărul fotonilor utili care
părăsesc LED-ul în unitatea de timp şi numărul purtătorilor care trec prin diodă în
unitatea de timp (electroni şi goluri).
• Un LED se conectează în circuit ca o diodă obişnuită.


Emitor
Bază
Absorbţie
Reflexie totală
Direcţii
greşite
Mecanisme de pierderi pentru fotoni
Circuit simplu cu diodă luminiscentă.

+

E
R
+
_
+

V
F
U
R
I
F
Fluxul de
putere Φ

• Caracteristica de curent continuu I-V a unui LED este ca a unei diode obişnuite.
Tensiunea directă în polarizare directă este cu atât mai mare cu cât lăţimea benzii
interzise este mai mare, deci lungimea de undă de emisie este mai mică. Totodată
creşte şi puterea disipată pe diodă. Valorile permise ale tensiunii în polarizare inversă
sunt destul de mici, motiv pentru care, în funcţionare normală se conectează în paralel
o diodă de protecţie împotriva străpungerii, polarizată invers.

1
F
qV
mkT
F S
I I e
 
= −
 
 

• Tensiunea de deschidere a unui LED este mai mare decât a unei diode obişnuite
(1..3,5 V).
• Este de presupus că fluxul de putere luminoasă emis Φ [W] creşte odată cu
curentul de alimentare I
F
. Pentru a găsi această dependenţă, observăm că fluxul poate
fi scris ca:

Nhf Φ =

unde N [s
–1
] este numărul de fotoni emişi pe secundă, iar hf [J ] este cuanta de radiaţie.
Pe de altă parte, curentul care străbate joncţiunea este

F p
I N q =

unde N
p
[s
–1
] este numărul de purtători ce străbat joncţiunea în unitatea de timp, iar q
este valoarea absolută a sarcinii electronului. Dar am văzut că

e
p
N
N
η =

(randamentul cuantic extern).
• Rezultă

e F LED F
hf
I R I
q
Φ η = = .

Mărimea R
LED

[W/A] se numeşte responsivitate.
• Relaţia de mai sus este liniară. La curenţi (şi iluminări mari) apare un efect de
saturaţie, ca în figura de mai jos.




• Dispozitivele prezentate mai sus sunt cu emisie prin suprafaţă. Dacă recombinările
radiative ale purtătorilor de sarcină au loc în zona joncţiunii, atunci se pot construi
LED-uri cu emisie laterală sau prin joncţiune, cum sunt structurile de bază din
construcţia laserilor. În cazul primelor, puterea optică de ieşire (fluxul energetic)
variază în mod tipic între 0...12 mW pentru un curent direct între 0...300 mA, în timp
ce pentru celelate ea variază între 0...4 mW, pentru acelaşi domeniu al curentului
direct.








Φ
I
F
Caracteristica flux luminos – curent a unui LED
LED cu emisie prin suprafaţă
LED cu emisie laterală
Aplicaţii simple cu diode electroluminiscente

1. Senzor de nivel de tensiune









2. Sondă logică











LED-ul luminează de îndată ce
tensiunea V depăşeşte suma dintre
tensiunea Zener şi tensiunea sa
deschidere. Sursa V trebuie să
furnizeze curentul consumat de circuit.
Este prezentă o diodă de protecţie a
LED-ului la tensiune inversă.

+V

+V
CC
v
IN
Schema se foloseşte în circuitele digitale
pentru a indica nivelul logic "sus" ("high").
Tranzistoarele sunt conectate în aşa-numitul
montaj Darlington, care are o impedanţă de
intrare foarte mare. Când tensiunea de intrare e
pe nivelul logic "sus", tranzistoarele sunt
deschise şi LED-ul luminează. Curentul
absorbit din circuitul digital e foarte mic. Când
v
IN
e pe nivelul logic "jos", tranzistoarele sunt
blocate.
3. Indicator de polaritate cu trei stări




Dacă v
IN
>0, atunci

( )
1 2 IN DR R
v V I R R = + +

unde V
DR
este tensiunea de deschidere a LED-ului roşu.

Dacă v
IN
<0, atunci

1 IN F G DG
v V I R V − = + +

unde V
DG
este tensiunea de deschidere a LED-ului verde, iar V
F
este tensiunea de
deschidere a diodei.

Pentru proiectarea schemei, cunoscând parametrii diodelor şi tensiunile de lucru, din a
doua ecuaţie se determină R
1
, iar din prima se determină R
2
.











v
IN
i
G
i
R
R
1
R
2
V
F
+


Când tensiunea de intrare este continuă şi pozitivă,
este aprins LED-ul roşu, iar când este continuă şi
negativă, este aprins LED-ul verde. Când tensiunea
de intrare este pulsatorie (bipolară), atunci cele două
LED-uri de aprind alternativ. Dacă alternaţa este
destul de rapidă, ochiul percepe o culoare galbenă.

Fotodetectoare
• Un detector optic sau fotodetector este un dispozitiv care converteşte un flux
energetic de radiaţie optică incidentă Φ
e
într-o putere electrică P
e
.
• Curentul de întuneric al unui fotodetector i
d
este curentul dat de detector atunci
când iluminarea sa este nulă. Acesta are de obicei o origine termică.
• Fotocurentul i
p
este curentul dat de fotodetector în mod suplimentar faţă de
curentul de întuneric, atunci când i se aplică o iluminare. Curentul total se scrie
i i i
p d
= + .
• Fotodetectoarele se bazează pe efectul fotoelectric. Acest fenomen este inversul
celui întâlnit la diodele electroluminiscente: prin captarea unui foton incident, un
electron îşi schimbă nivelul energetic.
• Vom defini adâncimea de pătrundere a unui flux de fotoni într-un semiconductor.




Scăderea fluxului este direct proporţională cu mărimea fluxului incident şi cu distanţa
parcursă; constanta de proporţionalitate o notăm cu 1/δ:
1
( ) ( ) d x x dx Φ Φ
δ
= − . Soluţia
acestei ecuaţii diferenţiale, cu condiţia la limită
0
(0) Φ Φ = este
0
( )
x
x e
δ
Φ Φ

= . Pe
lungimea unei adâncimi de pătrundere fluxul incident pe semiconductor scade de e ori
(e=2,718...).
• Fotodiodele sunt diode a căror funcţionare se bazează pe efectul fotovoltaic.


x
Φ
Φ
0
Φ
0
/e
δ
Φ
0
Φ
0
/e
δ: adâncimea de
pătrundere
Flux incident
Semiconductor
Valoare la care scade
fluxul în urma traseului
de lungime δ prin
semiconductor.
x




• Funcţionarea fotodiodei are loc după cum urmează:
-în urma absorbţiei de fotoni cu energie mai mare decât a benzii interzise, se
formează perechi electron-gol (la marginea regiuni n în exemplul considerat), în
special pe o adâncime egală cu cea de pătrundere;
-purtătorii formaţi difuzează în regiunea n, care are o astfel de lăţime încât aceştia
nu au timp să se recombine în mod semnificativ;
-în zona joncţiunii, purtătorii sunt separaţi de către câmpul electric intern E
0
:
golurile trec în regiunea p, în timp ce electronii rămân în regiunea n, la marginea
joncţiunii. Rezultă că driftul purtătorilor minoritari (golurile în cazul nostru) este
componenta utilă a curentului prin joncţiune. Este de aceea normal ca, în funcţionare
normală, joncţiunea să fie polarizată invers sau să fie nepolarizată;
-din cauza separării celor două tipuri de purtători de sarcină, în zona joncţiunii
apare un câmp electric E
P
care se opune câmpului determinat de sarcina spaţială; ca
urmare, bariera de potenţial scade. Prin închiderea circuitului, apare un curent de
fotoconducţie I
P
.

• Componenta E
P
a câmpului electric din joncţiune se numeşte tensiune
electromotoare fotoconductivă. După cum am văzut, ea reduce bariera de potenţial,
fapt care înrăutăţeşte însă capacitatea joncţiunii de a separa cele două tipuri de
purtători. Această capacitate dispare în întregime atunci când E E
P
=
0
, ceea ce duce la
limitarea procesului.

• După cum am mai arătat, pentru ca o fotodiodă să funcţioneze cât mai eficient,
este necesară minimizarea componentei de difuzie a curentului prin joncţiune în
comparaţie cu cea de drift. De aceea fotodiodele se folosesc fie în mod fotovoltaic,
adică la tensiune de polarizare nulă, fie în mod fotoconductiv, adică la polarizare
inversă.
• Notând cu i curentul total prin fotodiodă, dinspre anod spre catod şi cu i
p

componenta datorată fotoconducţiei, avem

0
[exp( / ) 1]
p
i i I qV kT = + − ,

x
δ w-δ l
n
l
p
Φ
0
E
0
E
P
n p

Sarcină spaţială

Bază

Colector

unde I
0
este curentul termic, q este valoarea absolută a sarcinii electronului, V este
tensiunea pe joncţiune în sens direct, k este constanta lui Boltzmann, iar T este
temperatura absolută la care se află joncţiunea. După cum se ştie, mărimea
/
T
V kT q = se numeşte tensiune termică. Este important de observat că, în condiţiile
convenţiei pe care am adoptat-o, fotocurentul i
p
are o valoare negativă:

0
p
i <

• Funcţionarea în mod fotovoltaic presupune o schemă fără sursă de alimentare.



Funcţionarea schemei este descrisă de ecuaţia

0
[exp( / ) 1] /
p
i i I qV kT V R = + − = − ,

unde curentul i
p
este determinat de fluxul incident Φ. Sunt importante două situaţii
particulare: funcţionarea la curent nul şi la tensiune nulă.
• Funcţionarea la curent nul însemnă că fotodioda este în gol ∞ → R . Rezultă
imediat

0
log(1 )
p
T
i
V V
I
= −

• În cazul funcţionarii la tensiune nulă vom avea R = 0 şi V = 0, de unde i i
p
= .
• Funcţionarea în mod fotoconductiv presupune prezenţa unei surse de alimentare
care să polarizeze invers fotodioda. În felul acesta creşte valoarea barierei de
potenţial, ceea ce face ca funcţionarea joncţiunii să fie determinată de curentul termic
I
0
. Dacă se iluminează fotodioda, curentul total va fi

( )
0 0
exp / 1
p T p
i i I V V i I = + − ≅ −  
 
.

• Dependenţa fotocurentului de fluxul energetic incident reprezintă caracteristica
energetică a fotodiodei. Fie, în mod fotoconductiv, Φ fluxul incident pe suprafaţa
regiunii n şi fie f frecvenţa radiaţiei. Atunci, pe secundă, vor fi incidenţi Φ / ( ) hf
fotoni, h fiind constanta lui Planck. Dacă notăm cu η randamentul cuantic intern,
adică numărul de perechi electron-gol generate pe secundă împărţit la numărul de
fotoni incidenţi pe secundă şi cu γ eficienţa transportului de sarcină, adică numărul
de purtători de sarcină care ajung în regiunea p (scăpând de recombinare) într-o
secundă împărţit la numărul de purtători generaţi de radiaţia incidentă într-o secundă,
atunci vom avea
i
V
R
Mod fotovoltaic
+


p
i q
hf
Φ
ηγ =

(q este valoarea absolută a sarcinii electronului). La o frecvenţă dată, se observă că
dependenţa fotocurentului de fluxul incident este liniară: recombinările sunt
independente de fluxul incident deoarece materialul din care este construită fotodioda
are un număr mic de impurităţi care pot acţiona ca centri de recombinare.




• În mod fotovoltaic, caracteristica energetică este dependenţa fie a curentului de
scurcircuit, fie a tensiunii fotoelectromotoare de fluxul energetic incident la o anumită
frecvenţă. Prima dintre ele deviază de la liniaritate la fluxuri incidente mari din cauza
creşterii căderii de tensiune pe rezistenţa electrică a regiunii n, la creşterea curentului.
A doua dintre ele devine neliniară pentru că înălţimea barierei de potenţial scade pe
măsură ce regiunile p şi n stochează sarcină în exces; separarea purtătorilor de sarcină
devine mai puţin eficientă şi tensiunea fotoelectromotoare creşte mai lent cu fluxul
incident.
• Caracteristica spectrală a unei fotodiode este, teoretic, liniară. Dacă în relaţia
dintre I
P
şi Φ înlocuim f
c
=
0
λ
, obţinem sensibilitatea spectrală
0
P
p
I q
S
hc
ηγλ
Φ
= = .
Aceasta reprezintă o dependenţă liniară de lungimea de undă, iar dreapta respectivă
trece prin origine. În realitate sensibilitatea scade la lungimi de undă mici (frecvenţe
mari) din cauza recombinărilor de la suprafaţa materialului, unde există un număr
mare de trape (centri de recombinare). În ceea ce priveşte lungimile de undă mari
(frecvenţe mici), generarea de purtători scade brusc atunci când energiile fotonilor
devin prea mici pentru a iniţia procesul de formare a perechilor de purtători.




i
p
Φ Φ
min
Φ
max

Domeniu de
liniaritate
λ
S
λ
min
λ
max

Formă tipică
Formă care se obţine prin
consideraţii teoretice, în
ipoteze simplificatoare uzuale.

• Viteza de răspuns a unui fotodetector (la un semnal treaptă de lumină) depinde de
doi factori: de viteza de separare prin difuzie şi apoi drift a purtătorilor de sarcină
generaţi şi de capacitatea regiunii golite (de sarcină spaţială) din jurul joncţiunii.
Încărcarea regiunii de sarcină spaţială este determinată, la o valoare mică a rezistenţei
de sarcină de produsul RC, unde R este rezistenţa circuitului exterior în serie cu
rezistenţa semiconductorului, iar C este capacitatea regiunii de sarcină spaţială. Dacă
rezistenţa circuitului exterior este neglijabilă, se obţine un parametru independent de
aceasta apropiat, pentru fotodiodele de uz general, de 1 ns. Separarea purtătorilor
generaţi optic implică două procese: difuzia prin bază şi driftul prin joncţiune. Timpul
de drift este în jurul a 0,1 ns. Se poate arăta că difuzia prin bază este cea care
determină până la urmă viteza fotodiodelor.


i
F
[mA]
v
F
[V]
0.2 0.4 0.6 0.8
-10
-20
-30
-40
V
OC

I
SC

MPP(V
M
, I
M
)
+

i
F
v
F
hf

Fig. 1. Caracteristica electrică a unei celule PV (sau a unei
fotodiode în general)

Fototranzistorul
• În figura următoare se prezintă structura unui fototranzistor. De multe ori baza nu
are un terminal electric asociat.




• Funcţionarea fototranzistorului este următoarea: perechile electron-gol sunt
generate în regiunea bazei, sub acţiunea luminii, şi sunt separate de către joncţiunea
colectorului, polarizată invers, electronii trecând (printr-o mişcare de drift) în colector.
Golurile rămân în bază şi generează un câmp care reduce bariera de potenţial din
joncţiunea emitorului, ca şi cum aceasta ar fi polarizată direct. Rezultă o injecţie
adiţională de electroni din emitor, prin difuzie, care duce la creşterea curentului total
(electronii difuzează prin bază; o mică parte se recombină acolo cu goluri, în special
cu cele generate optic, ducând la echilibrarea procesului). Se observă că fotocurentul
joacă rolul curentului de bază dintr-un tranzistor obişnuit, deci caracteristicile
fototranzistorului sunt la fel cu cele ale unui tranzistor obişnuit.
• Datorită faptului că fototranzistorul are o amplificare de curent β, rezultă că, la
acelaşi flux incident, curentul generat este de β ori mai mare decât cel generat de o
fotodiodă. Sensibilitatea fototranzistorului este deci mult mai mare decât cea a
fotodiodei. În schimb necesitatea de a polariza dispozitivul conduce la o sensibilitate
mărită, în raport cu fotodiodele, la temperatură. Curentul de întuneric este de
asemenea mai mare.
• Viteza de răspuns este factorul limitativ al utilizării fototranzistoarelor, deoarece o
viteză de răspuns mare implică o lăţime mică a bazei, ceea ce reduce sensibilitatea. În
urma compromisului se realizează fototranzistoare cu un timp de răspuns de ordinul
microsecundelor.
• Se mai realizează fototranzistoare compuse Darlington, pe acelaşi suport, ceea ce
duce la o creştere foarte mare a sensibilităţii (de până la 1000 de ori în raport cu
fotodiodele).
n+
n
colector
emitor
bază
Φ
p
n+
E
• Este de asemenea posibilă integrarea pe acelaşi suport a unei fotodiode şi a unui
tranzistor de înaltă frecvenţă. Cele două dispozitive pot fi optimizate separat, astfel
încât în final se obţine un fotodetector rapid cu o sensibilitate mare.


Aplicaţii simple ale fotodetectoarelor

1. Receptor de date









2. Tahometru













R
1
R
2
R
R
0
+V
CC
v
O
T
T
1
C
Tranzistorul T
1
este normal în
conducţie. La iluminarea
fototranzistorului acesta conduce,
blocându-l pe T
1
. Circuitul este deci
sensibil la fronturile impulsurilor
luminoase.
V
CC
v
0
R
1
R
2
D

R

T

La fiecare trecere a fantei prin
dreptul sursei de lumină,
tranzistorul T intră în
conducţie.

3. Optocuploare






4. Aplicaţii ale optocuploarelor




5 V

5..12 V

1 k

4,7 k

v
IN

v
O
Transmiterea
impulsurilor fără
inversare.

Transmiterea
impulsurilor cu
inversare
5 V

5..12 V

1 k

4,7 k

v
IN

v
O
Două circuite pot fi
separate galvanic folosind
optocuploare, compuse
fiecare dintr-un LED şi un
fototranzistor.