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EN2709 Eletrnica Aplicada

AULA 01

Reviso TBJ
Prof. Roberto Jacobe Rodrigues

roberto.rodrigues@ufabc.edu.br
3o Quadrimestre de 2012

EN2709 Eletrnica Aplicada

Contedo
Transistores Bipolares de Juno (TBJ)

Operao do TBJ
Polarizao do TBJ

Amplificadores com TBJ


Modelo do TBJ

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Semicondutores Silcio Extrnseco (Dopado)

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O Diodo no Polarizado

A regio onde os cristais tipo-p e tipo-n so unidos chama-se juno.

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O Diodo no Polarizado Camada de Depleo

Devido a repulso mtua, eltrons livres no lado n difundem para o lado p.


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O Diodo no Polarizado Camada de Depleo

o A camada de depleo age como uma barreira dificultando a continuao da

difuso de eltrons livres atravs da juno.


o A largura da camada de depleo continua aumentando com cada eltron que a atravessa at que se atinja uma condio de equilbrio.

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O Diodo no Polarizado Camada de Depleo

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Transistores TBJ Construo

Coletor: dopagem intermediria.

Base: levemente dopada.

Emissor: densamente dopada.

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Transistores TBJ Construo

Coletor: dopagem intermediria.

Base: levemente dopada.


Emissor: densamente dopada.
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Transistores TBJ Junes (Diodos Coletor e Emissor)


O transistor tem duas junes: a) entre o emissor e a base b) entre a base e o coletor

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Operao do TBJ Polarizao


A corrente em transistor npn polarizado na regio ativa:

- A corrente no coletor tem valor prximo da corrente no emissor e muito superior


corrente na base. - A corrente de coletor controlada pela corrente de base.

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Correntes no Transistor Ligao Emissor Comum (EC)

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Correntes no Transistor Ligao Emissor Comum (EC)


- Emissor cheio de eltrons livres. - Quando VBE > 0,7 V, o emissor injeta esses eltrons na base. - A base fina e pouco dopada permite que os eltrons consigam se difundir

atravs da camada de depleo do coletor.


- A polarizao reversa do diodo coletor empurra os eltrons para dentro do coletor, de onde fluem para a fonte de alimentao.

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Correntes no Transistor
A relao entre as correntes de coletor e de base conhecida como ganho de corrente (DC ou hFE). O ganho de corrente tipicamente entre 100 e 300.

Fluxo convencional

Fluxo de eltrons

IE = I C + I B IC @ IE IB << IC dc = IC IB
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Especificaes
ESPECIFICAES Os transistores de pequeno sinal podem dissipar 0,5 W ou menos. Todas as tenses so reversas e de ruptura.

VCEO: tenso de coletor para o emissor com a base aberta.


VCBO: tenso entre o coletor e a base com o emissor aberto. VEBO: tenso do emissor para a base com o coletor aberto. IC: corrente mxima CC do coletor. PD: potncia mxima do componente. Exemplo: Especificaes mximas do 2N3904: VCEO = 40 V; VCBO = 60 V; VEBO = 6 V; IC = 200mA (CC); PD = 310 Mw

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Curvas Caractersticas Curvas de ganho de Corrente


A uma temperatura fixa, CC aumenta at um valor mximo quando a corrente do coletor aumenta.

Questo: Explicar o motivo desta dependncia

do valor do ganho de corrente com a


temperatura.

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Polarizao Circuitos Polarizadores


Antes de aplicar o sinal CA necessrio determinar o ponto de operao, tambm conhecido como ponto quiescente (Q) do transistor. O ponto Q, em geral, fica na regio prxima ao meio da linha de carga CC. O ponto Q fixo na curva.

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Curvas Caractersticas Regies de Operao


- Ativa (amplificao linear): a juno emissor-base est polarizada diretamente (VBE > 0,7 V) e a juno base-coletor est polarizada reversamente (VCB > 0). - Corte (chaveamento): as junes base-emissor e base-coletor esto polarizadas reversamente (VBE < 0,7 V ou VBE < 0 e VCB > 0). Neste caso IC = 0. - Saturao (chaveamento): as junes base-emissor e base-coletor so

polarizadas diretamente (VBE > 0,7 V e VCB < 0).


- Ruptura (danifica o transistor): VCB > VRuptura Efeito Avalanche.

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Polarizao Pontos de Operao


Alguns pontos e limites de operao do transistor.
Curva Pontilhada:

PC max IC VCE

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Polarizao Linha de Carga

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TBJ como Amplificador


Funo ou Caracterstica de Transferncia ic = f(vBE):

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Polarizao: Linha de Carga


Utilizando a polarizao pela base, tem-se:

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Polarizao Linha de Carga


Saturao: A corrente de coletor mxima.

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Polarizao Linha de Carga


Corte: A corrente no coletor zero.

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Polarizao Divisor de Tenso


a polarizao mais usada em circuitos lineares. A influncia da variao do CC reduzida.

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Polarizao Orientaes para Projeto


Nota:

O projeto de um circuito amplificador, bem como de um circuito lgico,


consiste em: 1) Verificar os requisitos e solicitaes para o projetista 2) Escolher o transistor adequado (Potncia mxima, hfe, resposta em freqncia, etc.) 3) Escolher valores de alguns resistores 4) Determinar os valores dos demais resistores 5) Dimensionar os capacitores de acoplamento e desvio Sempre tendo em vista o estabelecimento do ponto quiescente (polarizao).
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Amplificadores Classificao

Amplificadores de pequenos sinais ou baixa potncia

Amplificadores de potncia

Amplificadores de baixa, mdia e alta freqncia

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Modelo CA Definio
Um modelo a combinao de elementos de circuito (chaves, resistores, capacitores, fontes de tenso e de corrente) que melhor aproximam o

funcionamento de um dispositivo semicondutor sob condies especficas


de operao. Anlise por Modelos (para obter a resposta do circuito):

- Obter o circuito equivalente CA


- Aplicar os mtodos bsicos de anlise CA (exs.: malha, n e Thvenin) Tipos de Modelos (p.s. designaes podem variar na literatura): - Modelo re - Modelo -hbrido - Ebers mol (T)
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Modelo TBJ Anlise CA


Circuito com transistor que ser analisado:

1 XC 2. . f .C

Para obter o Modelo na anlise CA, todas as fontes CC devem ser removidas. Nota: os valores CC foram importantes apenas na determinao do Ponto Q.
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Modelo TBJ Anlise CA

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Modelo TBJ Anlise CA


A configurao a seguir obtida aps reorganizar o circuito do slide anterior:

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Modelo TBJ Anlise CA

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Modelo TBJ Anlise CA

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Modelo TBJ Anlise CA

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Bibliografia parte 1/2


MALVINO, A. P., BATES, D. J. Eletrnica, 7 Ed. So Paulo: McGraw Hill, 2007, volumes 1 e 2. SEDRA, A. S., SMITH, K. C. Microeletrnica, 5. Ed. So Paulo: Pearson Prentice Hall do Brasil, 2007. BOYLESTAD, R. L., NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de

Circuitos, 8 Ed. Rio de Janeiro: Pearson Prentice Hall, 2004.


CAPUANO, F. G., MARINO, M. A. M. Laboratrio de Eletricidade e Eletrnica: teoria e prtica, 24 Ed. So Paulo: rica, 2007.

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Bibliografia parte 2/2


CATHEY, J. J. Dispositivos e Circuitos Eletrnicos, 2 Ed. Porto Alegre: Bookman, 2003. MARQUES, A. E. B. Dispositivos Semicondutores: diodos e transistores, 1 Ed. So Paulo: rica, 1996. CIPELLI, A. M. V. Teoria e Desenvolvimento de Circuitos Eletrnicos, 21 Ed. So

Paulo: rica, 2005.


PERTENCE JR., A. Amplificadores Operacionais e filtros ativos: teoria, projetos, aplicaes e laboratrio, 6 Ed. Porto Alegre: Bookman, 2003.

REZENDE, S. Materiais e dispositivos eletrnicos, 1 Ed. So Paulo: Livraria da


Fsica, 2004. GARDINI, G., LIMA, N. P. Dicionrio de Eletrnica, 3 Ed. So Paulo: Hemus.
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