Universidade do Minho Escola de Engenharia

Conversores de Elevação de Tensão em Microssistemas Termoeléctricos de Geração de Energia para Sensores sem Fios

João Pedro Lamas Rodrigues Conversores de Elevação de Tensão em Microssistemas Termoeléctricos de Geração de Energia para Sensores sem Fios

UMinho | 2009

João Pedro Lamas Rodrigues

Novembro de 2009

Universidade do Minho Escola de Engenharia

João Pedro Lamas Rodrigues Conversores de Elevação de Tensão em Microssistemas Termoeléctricos de Geração de Energia para Sensores sem Fios

Tese de Mestrado Ciclo de Estudos Integrados Conducentes ao Grau de Mestre em Engenharia Electrónica Industrial e Computadores Trabalho efectuado sob a orientação do Professor Doutor Luís Miguel Valente Gonçalves Co-Orientador: Doutor João Paulo Carmo

Novembro de 2009

Agradecimentos
Quero antes de mais e em primeiro lugar, agradecer à minha família sobretudo aos meus Pais e Irmã que através do seu carinho, esforço e dedicação em todos estes anos do meu percurso universitário, me deram a possibilidade de ter escrito esta tese. A eles, um muito obrigado. De seguida quero frisar a importância que o meu orientador Luís M. Gonçalves e coorientador João Paulo Carmo tiveram nesta tese com a sua experiência, profissionalismo e bom senso a ter lugar desde o início. Torna-se imperativo para qualquer aluno de Mestrado receber bons concelhos não só técnicos e relativos ao tema de dissertação definindo com o passar do tempo uma linha de orientação, como também ouvir e pôr em prática toda a experiência adquirida pelos orientadores. Obrigado pelo seu profissionalismo e ajuda, sem eles não teria conseguido. Não posso deixar também de agradecer aos técnicos Carlos, Joel, Ângela, das oficinas do departamento de Electrónica, onde passei vários dias a trabalhar, pela paciência que tiveram. Não menos importantes e presentes nesta tese pelo conforto que me deram, tenho de deixar aqui uma mensagem para todos eles, os meus amigos. O meu sincero agradecimento a todos.

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Resumo
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um conversor de elevação de tensão para microssistemas termoeléctricos de geração de energia. Os geradores termoeléctricos utilizam diferenças de temperatura para gerar energia eléctrica. Baseiam-se no efeito Seebeck e são constituídos por junções de dois materiais (p-n) com diferentes coeficientes de Seebeck. Em cada um destas junções, a tensão gerada não vai além de 400µV por cada grau de diferença de temperatura. Para que uma tensão útil seja gerada (acima dos 3V) são necessárias várias junções p-n em série, ou uma elevada diferença de temperatura. Quando tal não é possível é necessário elevar a tensão gerada para níveis superiores. Neste contexto, neste trabalho são apresentadas soluções de elevação de tensão para funcionamento com muito baixas tensões (acima de 160mV) e rendimentos elevados (acima de 90%). As técnicas de charge-pump e conversores comutados são exploradas e os respectivos circuitos dimensionados e testados. Como aplicação final, foi utilizado um conversor DC-DC que eleva 300mV para 3V para alimentar um dispositivo wireless. Esta aplicação utiliza um dispositivo de telemetria biomédica, alimentado por um gerador termoeléctrico que aproveita a diferença de temperatura entre o corpo humano e o ambiente.

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vii .Abstract This thesis work presents the development of a voltage boost converter for thermoelectric energy-generator microsystems. This application uses a biomedical telemetric device. As a final application. this work presents solutions to boost the voltage to working levels with very low input voltages (at least 160mV) and high efficiency (more than 90%). These devices use the Seebeck effect and are composed by junctions of two materials with different Seebeck coefficients. it’s necessary to boost the generated voltage to higher levels. or a large temperature difference need to be available. the generated voltage is less than 400µV by each degree of temperature difference. For a useful voltage to be generated (up to 3V) several p-n junctions connected in series are necessary. it was used a DC-DC converter that boosts 300mV to 3V. In this context. When something like this is not possible. to supply a wireless device. The charge-pump techniques and switched DC-DC converters are explored and the circuits dimensioned and tested. In each junction. supplied by a thermoelectric generator that uses the temperature difference between the human body and the surrounding temperature.

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.................................................... 1 1.. 25 3.......... CONVERSOR SÍNCRONO ELEVADOR DE TENSÃO (BOOST) ..........2................................................................................................. CIRCUITO DE CHARGE-PUMP .. Circuitos Integrados S-882Z comercialmente disponíveis ................................... 2 1.........V ABSTRACT ..............................................................................1.........5......................... 5 2..................................................... 7 2.................4.................................................................................................. 23 3........................................ XI ÍNDICE DE FIGURAS .... 1 1.................................................................................................................................. 8 2. FACTORES DETERMINANTES PARA A EFICIÊNCIA DOS SISTEMAS TERMOELÉCTRICOS .............1.............. MACRO E MICRO DISPOSITIVOS ................. ORGANIZAÇÃO DA TESE ................................................................. IX ÍNDICE DE TABELAS....2................................................................. 36 4..............1............................................................................ 6 2.............. 11 3.....2..................... 36 4.................6................................. Charge-pump S-882Z ........... III RESUMO ..3.............. INTRODUÇÃO ..................................................................................... Fontes de Energia .............................................1........................5......................................... EFEITO DE THOMSON .............4.... Introdução Geral .......................................................... Caracterização da operação do S-882Z .. SISTEMAS TERMOELÉCTRICOS .........2...........................................6...............................................................................1............................XV 1..................................................... Definição e exemplo básico de um charge-pump ..................1............................................................................................................................................ 11 3...... ANÁLISE DA EFICIÊNCIA DO INTEGRADO S-882Z24 DA EMPRESA SEIKO INSTRUMENTS ....Índice AGRADECIMENTOS............1...................................... HISTÓRIA DA TERMOELECTRICIDADE ................................................... Conversores DC-DC ......................................... 37 ix ............3..........2.....................................................................................................................5......... 3 2........... 26 4............................................... INTRODUÇÃO ..........................................5........................... 21 3................3...................................................................... INTRODUÇÃO ..................................................................... TENSÃO ULTRA BAIXA DE FUNCIONAMENTO ...... Análise interna e características principais .................................................................... 21 3........5... 9 3.............. MOTIVAÇÃO .... XII LISTA DE ABREVIATURAS .......................... 5 2............................ VII ÍNDICE .....................................4............................................................................................................................................................................. 31 4.... 5 2...... 13 3............................................. INTRODUÇÃO .................................................... 31 4...................................................................................................Módulo 1 .........................1......................... Análise do Conversor step-up DC-DC S-8353 da Seiko Electronics Co.......................................................................Módulo 3 ........................................................ 11 3.................................................................................................. Ltd.......................................2.......................................................2............... 31 4..................................................... Charge-Pump ..........................................Módulo 2 ..........................3......... (SII) ....................... 16 3.. Diagrama esquemático e escolha dos componentes para o LTC3429 ...................... ANÁLISE DO CONVERSOR STEP-UP DC-DC LTC3429 ................. 23 3.... CIRCUITOS DE ARRANQUE PARA CONVERSOR DC-DC ..2...5....................

.............................................................................................................. 71 7............... 74 7.. 75 7... 47 5..................................... 82 ANEXO B .................................................................3..............................1...........2............ 65 6............... Testes Laboratoriais ............... 60 5.................................................................. POSSIBILIDADES NO FUTURO .......................2.........................................................1......... MÓDULO 4 COMUNICAÇÃO SEM FIOS (WIRELESS) ................................................... Dispositivos Wireless ............................................................................1 Investigação e alternativas à combinação S-882Z24 com LTC3429 (circuito alternativo à combinação dos módulos 2 e 3) ..................................................................... 47 5.............. Eficiência do conversor LTC3429 ................... ALTERNATIVAS......................1............... 40 4....................... .....................3...........................................................................................................2........................................................................................................ 47 5.... Módulo S-882Z com o módulo LTC3429 .................................................. 63 6..........................................Módulo 4 . 42 5...........................3..................... 54 5..............................2 Circuito Alternativo ao Módulo 2........1................ 68 7...........4......................................................................................................................................................................1.................................................. Módulo S-882Z-20 com o módulo S-8353D30.......................4............................4.......... Anexos .................1....................... 77 8............................................................................................... Custos .............. Combinação charge-pump com Conversor DC-DC ........................... 88 x ................................ 65 6................................................................. Conclusões ....................... ANÁLISE DO CONVERSOR STEP-UP DC-DC LTC3421 ..................................... 71 7............................................... 65 6..1.....................................2...........................2.....1.......................... 41 4.............................................................. Dispositivos wireless utizados .................................................. 71 7................................2...............................................3................................................ ANÁLISE DO FUNCIONAMENTO DA COMBINAÇÃO ENTRE UM CHARGE-PUMP E CONVERSOR DC-DC (MÓDULO 2 COM MÓDULO 3)....................................... Impacto ambiental ............................................................... Conclusões .....................................1........... Diagrama esquemático e selecção dos componentes ............................................................ 76 BIBLIOGRAFIA .......1................ 61 5................2... 50 5..............................2......................................4......................... INTRODUÇÃO ................. 81 ANEXO A .........................2............................................................................... COMPARAÇÃO DE RESULTADOS (MÓDULO 2 + MÓDULO 3) ..................................................1 INTRODUÇÃO ............... 56 5.3..............

.........................4: Dados obtidos em laboratório utilizando o circuito da figura 5.......................... 25 Tabela 3........................................................................................... ...........................3: Dados obtidos em laboratório com a configuração da figura 5............................ 28 Tabela 4...... 9 Tabela 3.....................1: Principais características do módulo emissor RTFQ1 [24]......................................... 56 Tabela 5................2: Várias tensões possíveis à saída para diferentes tipos de dispositivos S-8353D30 [14]......... ....................................2: Dados obtidos em testes laboratoriais....1: Custos dos componentes utilizados no protótipo..3........ para menos de 10 unidades..................................................1: Tendência em termos de tensão de entrada e outras para circuitos integrados nos próximos anos segundo a SIA [6]............Índice de Tabelas Tabela 2........................................1: Tensão de descarga para os quatro tipos de S-882Z [16].. .. 66 Tabela 6....1: Colecta de Energia – Comparação Macro vs Micro [3]....... 57 Tabela 5.......................... .............7: Tensão de saída em função da tensão de entrada com a combinação entre o chargepump S-882Z20 e o conversor DC-DC S-8353D30.... 55 Tabela 5............................... ......3: Dados obtidos em laboratório...................... 12 Tabela 3.2: Principais características da placa emissora RRFQ1 [24].............. 67 Tabela 7........8: Rendimento em função da tensão de entrada com a combinação entre o charge-pump S882Z20 e o dispositivo S-8353D30..... 41 Tabela 5.. 35 Tabela 4.......4 e do circuito da figura 5............6: Rendimento em função da tensão de entrada do circuito com o charge-pump S-882Z24 e o dispositivo LTC3429.................................. ........7...... 52 Tabela 5.............................. .. ........................................................................................................... 50 Tabela 5......................................... . . ........ 50 Tabela 5...............1: Dados obtidos em laboratório...... 58 Tabela 5.......................................................................................... ........................................................................................................ ....................................5:Tensão de saída em função da tensão de entrada do charge-pump S-882Z24 e o dispositivo LTC3429................................. 59 Tabela 6.... 72 xi ......... ........................................2: Várias tensões de descarga e de shutdown para os 4 tipos de dispositivos S-882Z disponíveis [16]........................

..... 20 Figura 3.............................................................6: Charge-pump a funcionar como duplicador de tensão (durante a carga do condensador C: interruptor S1 e S3 estão fechados (fase de tempo 2)....... ........................................................................ 27 Figura 3.............................. 33 Figura 4.................................1: Conversor síncrono elevador de tensão (boost) básico [10]......................3: Sensor de temperatura e gerador termoeléctrico [2]...................................... 24 Figura 3..............4: Constituição interna do dispositivo LTC3429 com referência especial para os dois MOSFETs assinalados a tracejado......................... ..........................9: Código para as referências dos circuitos integrados S-882Z disponíveis [16].......5: Eficiência do conversor da figura 3.....3: Circuito de arranque número 2 que utiliza um transformador e um MOSFET [9]................2: Gerador termoeléctrico [2]......................................... 6 Figura 2.... 31 Figura 4...............................................2: Circuito de arranque número 1 que permite o início de operação de um conversor DC-DC [10]..... ............. ...........2: Circuito eléctrico para determinar a eficiência e tensão para o qual o dispositivo S8353D30 inicia a operação (VDDL)...................... 3 Figura 2.............. ...................................4: Corrente de entrada e tensão de saída como função da tensão de entrada sem carga ligada na saída do conversor da figura 3....... .......1: Módulos constituintes do projecto na totalidade...................4: Aquecimento por efeito Peltier e arrefecimento por efeito Peltier [2]......... 26 Figura 3.. ........... 27 Figura 3... 6 Figura 2...12: Placa de circuito impresso (face simples) para os testes do diagrama esquemático da figura 3............ 29 Figura 4.................................................3 [9]. ............................................... 37 xii ......... 19 Figura 3..................1: Módulos Constituintes da Dissertação............................10: Diagrama esquemático do circuito do dispositivo S-882Z24....... 22 Figura 3...... o interruptor S2 está fechado (fase de tempo 1) [13]..............3 em função da potência de saída do circuito.. durante a descarga do condensador C..................... 22 Figura 3..................................................... 17 Figura 3.............................3: Configuração utilizada nos testes laboratoriais........................................ ...... 13 Figura 3........................... 7 Figura 3.................... .............. ... ....... 5 Figura 2.................. ............Índice de Figuras Figura 1... 21 Figura 3.............................10.........................................................7: Duplicador de tensão com carga RL.......................... .......................................8: Diagrama do circuito interno do charge-pump integrado S-882Z da empresa SEIKO [16].1: Diagrama de blocos do step-up S-8353D30 [14].............11: Configuração usada para recolha de dados relativos ao diagrama esquemático da figura 3............ 35 Figura 4..................................................... ............................................................................ ..10........

.......... 51 Figura 5........................................................ ....10: Curva da tensão de saída (Vout) no conversor S-8353D30 em função da tensão de entrada (Vin)................................................ ........... ........................ 58 Figura 5................................8: Circuito eléctrico utilizado na determinação da eficiência e da tensão para o qual.6: Configuração utilizada em laboratório para obtenção dos dados relativos ao diagrama esquemático da figura 4...................... 43 Figura 4........................................ ..................... .............. o dispositivo LTC3421 entra em funcionamento (VDDL)............................. 63 xiii ..........................................Figura 4......................... 51 Figura 5..... 42 Figura 4................................... 48 Figura 5............................................. ... 59 Figura 5..........5..................................................................................................9: Imagem que pretende apenas mostrar a película verde que o LTC3421 necessita para ser colocado numa placa de circuito impresso................15: Circuito oscilador com ALD110900 da Advanced Linear Devices.......................... 38 Figura 4...... ............................................................ 40 Figura 4................ ... 45 Figura 5...13: Tabela função do Integrado SN74AUC1G14 [22]................................................................. ...................................................................................................................................................... ............... ......................... .....................5: Placa de circuito impresso (face inferior) da combinação S-882Z20 com S-8353D30............ ..................... 54 Figura 5.......... ... 53 Figura 5.........................................................................................................................9: Curva do rendimento (%) para a combinação dos módulos 2 e 3 em função da tensão de entrada (Vin)...................... 55 Figura 5........................................... 57 Figura 5............................1: Esquema básico de operação entre o dispositivo S-882Z e um conversor elevador de tensão [5]........................3: Diagrama esquemático da combinação do dispositivo S-882Z20 com o dispositivo S8353D30.........................................................................................6: Placa de circuito impresso (face superior) da combinação do dispositivo S-882Z20 com o dispositivo S-8353D30.. o conversor LTC3429 começa a funcionar (VDDL).........................2: Possível implementação do charge-pump S-882Z com um conversor DC-DC elevador de tensão [16]......4: Configuração utilizada em laboratório para obtenção dos dados.................................. .......................... .14: Possível ligação alternativa à combinação do módulo 2 e 3................................................................................7: Diagrama esquemático da combinação do dispositivo S-882Z24 com o dispositivo LTC3429. 61 Figura 5........ .....................................................................................................12: Diagrama esquemático do circuito alternativo [7].......5: Circuito eléctrico utilizado para determinar a eficiência e tensão para o qual..................................... 61 Figura 5. O circuito que se visualiza na figura não fez parte do trabalho [10]...................................................... .......8: Curva da tensão de saída (Vout) no conversor DC-DC LTC3429 em função da tensão de entrada (Vin) imposta ao charge-pump S-882Z24.............11: Curva do rendimento (%) para a combinação entre o charge-pump S-882Z20 e o conversor DC-DC S-8353D30 em função da tensão de entrada (Vin)....7: Constituição interna do dispositivo LTC3421 [17]................................................................................... 60 Figura 5............ . 48 Figura 5. 62 Figura 5.

.... ..... .12 usando o software PADS Layout............. .1: Placa da combinação do dispositivo S-882Z24 com o dispositivo LTC3429. ........... 83 Figura A...........................1 (Combinação S882ZLTC3429).... ......... 86 Figura A.............. 66 Figura 6....................... 64 Figura 6.............................5 (LTC3429)................Figura 5....... RTFQ1 e RRFQ1 respectivamente [24].............. .................................................................................................... 74 Figura A.............. 84 Figura A...................................................................... 73 Figura 7...................6: Placa PCB do diagrama esquemático do circuito da figura 7..........................................2: PCB do circuito representado na figura 4..................................................................4: Diagrama esquemático do circuito final.... 87 xiv ............................................................................5 (combinação S-882Z e S-8353).......... ............... 68 Figura 6................ 69 Figura 6.........................5: Placa de circuito impresso do diagrama esquemático do circuito da figura 5.......................... .......................... 82 Figura A.............................4 [1]............................................................. ...5: Exemplificação de uma possível aplicação usando o circuito da figura 6....3: Circuitos emissor e receptor................. ........2: Imagem real da placa receptora de sinal wireless [24]...........2: Vista de Topo da Placa.........................................1: Placa de PCB desenvolvida para o esquema da figura 3.............................. 65 Figura 6.1: Imagem do módulo emissor [24]...............................................16: Esquema interno do ALD110900 [26]. .......3: Placa PCB desenvolvida a partir do diagrama esquemático do circuito da figura 4.... 85 Figura A....................4: Placa do circuito impresso do LTC3421 (figura 4..........................................8)..........................................................................2 (S-8353D30)....... 69 Figura 7.......................................

Lista de Abreviaturas Ccpout Condensador a partir do qual o dispositivo S-882Z transfere energia para a saída [µF] Cin CL CVDD DC DC-DC D EMI ESR IC ITRS IVDD MOSFET PCB PWM Ron SIA ts Vce Vcpout1 Condensador de entrada do dispositivo S-882Z [µF] Condensador de saída do conversor DC DC [µF] Converter Power smoothing capacitor [µF] Corrente Directa Corrente Directa para Corrente Directa Duty-cycle Indução Electromagnética Resistência Série Equivalente Integrated Circuit International Technology Roadmap for Semiconductors Corrente de consumo do conversor step-up DC-DC [mA] Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Placa de Circuito Impresso Técnica de Modulação de onda por pulso Resistência do MOSFET quando este está em condução [Ω] Semiconductor Industry Association Tempo que o conversor DC-DC demora a iniciar a sua operação [s] Tensão colector emissor do MOSFET [V] Tensão no condensador CCPOUT a partir do qual o dispositivo S-882Z inicia a descarga [V] VDDL VF Tensão mínima de operação do conversor step-up DC-DC [V] Voltage Forward [V] xv .

Voff VVM Tensão a partir do qual o dispositivo S-882Z deixa de funcionar [V] Tensão de saída do conversor e que serve de referência para o dispositivo S882Z [V] xvi .

ex. A energia contida em micro-células (células foto voltaicas p. Assim. Seguidamente o segundo objectivo consiste na resolução do problema associado ao start-up dos conversores DC-DC a partir de 0. 1 . A potência fornecida por estas fontes é muito baixa. a electrónica que os constituem necessita de ser polarizado.1.2-0. para que possa ser usada em aplicações de controlo e gestão torna-se necessário utilizar conversores DC-DC que elevem a tensão para alcançar valores compatíveis com o funcionamento da electrónica tipicamente na gama (3-5V). Introdução Geral 1.Capítulo 1: Introdução Geral 1. à pesquisa sobretudo em energia solar. Esta pesquisa tem-se concentrado em aplicações de baixa potência para reduzir o uso de baterias.8V). Mais recentemente. Estes dispositivos estão a ser neste momento produzidos em massa para aplicações que aproveitam as diferenças de temperatura. pois internamente. com as políticas energéticas. Esta tese apresenta duas contribuições inovadoras: a primeira consiste na caracterização da operação em diferentes tipologias DCDC e na comparação respectiva. Além disso. Uma aplicação típica é o uso em gestão de energia para edifícios. em energia eléctrica. (pelo menos a 0. Introdução A poluição causada pelo uso extensivo da energia fóssil e as políticas sociais relacionadas com estes recursos têm aumentado nas últimas décadas o desenvolvimento de novos materiais e dispositivos que convertem energia limpa que normalmente é desperdiçada. tem-se assistido de alguns anos a esta parte.5 V. Simultaneamente a tensão fornecida pela fonte é baixa. outras aplicações respeitantes a dispositivos termoeléctricos possibilitam o aproveitamento de toda e mais pequenas fontes de energia nas nossas casas. Devido à baixa potência e tensão. tipicamente na ordem dos 100mW e a tensão situa-se entre os 0.3V. a primeira preocupação na selecção do conversor DC-DC reside em limitar as perdas de maneira a evitar-se a dissipação de energia durante a conversão de tensão. a provisão de energia a partir de fontes renováveis (exemplos: energia solar ou energia do vento) torna-se cada vez mais imperativa.7-0. Assim. Pequenos dispositivos colectores de energia solar podem ser usados em vários sistemas de monitorização e controlo. Esta limitação consiste em não serem capazes de fazer o start-up a partir de valores muito reduzidos de energia.) pode ser utilizada para ligar sensores ou sistemas auxiliares. Actualmente. os conversores elevadores de tensão do tipo boost. actualmente disponíveis no mercado apresentam outra limitação.

A figura 1. vibrações.1. Isto justifica a necessidade de encontrar fontes de energia perto destes sensores. da luz. Estes sensores podem enviar a informação adquirida usando comunicação sem fios (wireless). nomeadamente em extrair pequenas quantidades de energia do ambiente envolvente (exs: do movimento. apresenta os módulos utilizados no contexto desta dissertação. gradientes térmicos. 2 . estes dispositivos são colocados frequentemente em locais onde a alimentação por cabos não é fácil ou mesmo impossível. sistemas. Graças a estes sensores é possível monitorizar e controlar.2. Motivação Actualmente. Existem alguns dispositivos que ajudam a solucionar este problema. Não é fácil explorar na totalidade as vantagens que estas tecnologias proporcionam porque uma fonte externa deve alimentar estes sensores (que monitorizam o sistema e enviam posteriormente a informação adquirida).1. Além disso. os consumidores encontram uma grande variedade e a baixo custo de pequenos sensores no mercado. entre outros).

O capítulo dois descreve os sistemas termoeléctricos. nomeadamente os princípios e efeitos pelos quais estes são regidos. Organização da Tese Este capítulo apresenta o objectivo desta tese. O capítulo três apresenta uma visão do futuro para os próximos anos dos dispositivos em termos da tensão de funcionamento. Explora também o que já existe como circuito de 3 .Capítulo 1: Introdução Geral Figura 1. as suas principais contribuições e a sua organização.3. os materiais constituintes e a apresentação de dispositivos actualmente existentes. 1.1: Módulos Constituintes da Dissertação.

Por último são apresentadas as conclusões e as perspectivas de trabalho futuro. O quarto capítulo é inteiramente dedicado aos conversores DC-DC usados nesta dissertação como é o caso do LTC3429 da Linear Technology. Introduz alternativas aos módulos dois e três. o sétimo capítulo discute os custos e o impacto ambiental resultante do trabalho realizado ao longo da dissertação. 4 . o funcionamento e a optimização. O sexto capítulo aborda o funcionamento do módulo quatro completando assim um dos principais objectivos desta dissertação. Finalmente. as respectivas perdas. e o S-8353 da SEIKO Instruments.arranque para os conversores DC-DC. caracteriza e analisa o circuito charge-pump S-882Z da empresa SEIKO Instruments. introduz. O quinto capítulo aborda o funcionamento dos módulos S-882Z e dos conversores DC-DC em conjunto. É feita também uma análise da eficiência de cada um.

Fontes de Energia . Sistemas Termoeléctricos Os Dispositivos termoeléctricos autónomos são utilizados hoje em dia numa grande variedade de aplicações. 5 .Módulo 1 2. o projecto e o teste do módulo pertencente a uma das supra-chamadas duas categorias.2. Os possíveis dispositivos que podem servir de fonte de energia. Todavia é imprescindível apresentar e discutir estes dispositivos para melhor perceber-se que tipo de comportamento e influência esta mesma fonte de energia vai acabar por ter no projecto global.2 apresenta uma representação de um destes dispositivos [2]. 2.1. A figura 2. as quais poderão ser utilizadas neste trabalho incluem: os sistemas termoeléctricos e as células foto voltaicas.Módulo 1 2. aproveitando a diferença de temperatura gerada entre o corpo humano e a temperatura ambiente. o dimensionamento. Não faz parte da dissertação. o comportamento das fontes em relação à tensão e potência que estas podem enviar para o módulo charge-pump: o módulo dois ilustrado na figura 2. De destacar. É numa destas aplicações que esta dissertação está focada e cujo impacto tem importância vital. Figura 2.Capítulo 2: Fontes de Energia .1. Trata-se de um gerador termoeléctrico capaz de fornecer energia eléctrica a partir de uma tensão de algumas centenas de milivolts. Introdução Este capítulo apresenta um conjunto de métodos de aproveitamento de energia do ambiente ao redor da electrónica a alimentar.1: Módulos constituintes do projecto na totalidade.

Figura 2.Figura 2. Mas. 6 .2: Gerador termoeléctrico [2]. efeito Peltier e efeito Thomson e todos eles foram descobertos ainda durante a primeira metade do séc. A energia aproveitada por estes pequenos dispositivos e depois enviada para um charge-pump é posteriormente elevada por conversores DC-DC a fim de obter-se a tensão necessária para alimentar um dispositivo wireless. implantação e utilização. História da Termoelectricidade O efeito Seebeck foi descoberto em 1822 por Thomas Seebeck e consiste no aparecimento de uma diferença de temperatura entre as junções de dois materiais diferentes. Este efeito é então utilizado em dois grupos de aplicações. 2. Esta provoca o aparecimento de uma tensão eléctrica (dando origem a uma corrente eléctrica quando se fecha o circuito). para uma melhor percepção da origem destes pequenos dispositivos torna-se necessário apresentar três efeitos que levaram à sua origem. Estes designam-se de efeito Seebeck.3.3 [2]. sensores de temperatura e geradores termoeléctricos tal como se pode ver na figura 2. XIX.3: Sensor de temperatura e gerador termoeléctrico [2].

físico Francês. Figura 2. Eq. a existência de uma diferença de temperatura e corrente eléctrica. dáse libertação ou absorção de calor em cada segmento individual do circuito sendo o gradiente do fluxo térmico dado por [4]. este tem a capacidade de produzir frio ou calor.4. Jean Peltier também se apercebeu que a energia libertada ou absorvida é proporcional á corrente eléctrica. 7 .2-2 onde Q representa a absorção de calor e I é a corrente eléctrica aplicada. Este constatou que uma quantidade de energia térmica é libertada ou absorvida numa junção quando uma corrente eléctrica passa através dessa mesma junção sendo esta constituída por dois materiais diferentes. O efeito Peltier foi descoberto em 1934 por Jean Peltier. Efeito de Thomson O terceiro efeito.2-1 onde ∆V é a diferença de potencial e ∆T é a diferença de temperatura ou gradiente térmico. o de Thomson. 2. O coeficiente Peltier é definido por [4]. Aumentando ou diminuindo então a temperatura da junção este fenómeno ocorre. Assim que estiverem reunidas simultaneamente estas duas condições num circuito.Capítulo 2: Fontes de Energia . reporta que um condutor mediante a passagem de uma corrente eléctrica e a existência nele de uma diferença de temperatura.Módulo 1 O coeficiente de Seebeck é definido como [4]: Eq.4: Aquecimento por efeito Peltier e arrefecimento por efeito Peltier [2].

T é a temperatura. Q é a quantidade de calor e I é a corrente aplicada. telureto de Bismuto. O segundo factor determinante para a eficiência de um 8 . o coeficiente de Seebeck e σ e λ representam respectivamente as condutividades eléctrica e térmica [4]. com base em vários estudos realizados.2-5 O aumento do valor de ZT pode passar então pelo aumento do numerador (também chamado de factor de potência) da equação apresentada ou pela redução do denominador (condutividade térmica). ZT. Ainda assim a eficiência revelada pelos sistemas termoeléctricos fica muito aquém das expectativas.Eq. William Thomson provou ainda que os efeitos Seebeck e Peltier relacionam-se através da expressão. Relevante e importante. S. dos compostos ou materiais constituintes. Este apresenta um ZT próximo de 1. Este tipo de tecnologia aproveita o calor desperdiçado. limitando assim o seu uso generalizado. foi a identificação de um composto chamado. onde T representa a temperatura absoluta.5. tornando-se ainda hoje um dos compostos mais utilizados comercialmente no fabrico de sistemas termoeléctricos. Eq.ex geradores de energia para sondas espaciais) como a refrigeração termoeléctrica usando o efeito Peltier (como os pequenos refrigeradores para automóveis. e como. Para tal é necessário maximizar a chamada figura de mérito. Bi2Te3. Eq. 2.2-3 onde x representa a coordenada espacial e é o coeficiente de Thomson do material. o uso extensivo e consistente desta tecnologia passa no futuro pelo aumento da eficiência associada a esta. A equação 2-5 dá o valor deste factor. Logo. Factores determinantes para a eficiência dos sistemas termoeléctricos Actualmente os sistemas termoeléctricos permitem tanto a produção de electricidade através do efeito Seebeck (p. não envolve o uso de partes móveis e não contribui para o aumento do efeito de Estufa torna-se assim uma tecnologia competitiva em relação ás convencionais. S é o coeficiente de Seebeck.2-4 onde M é o coeficiente de Peltier.

6. calor do corpo) Solução para Potências de micro valor Dispositivos permanentes 9 .1. do vento) Solução para Gestão de Energia Energia do ambiente Micro (vibração. relativamente à produção de gases de efeito de estufa. São eles. Actualmente podem-se distinguir dois tipos de sistemas de colheita em pequena escala e que já estão disponíveis comercialmente. é praticamente nulo. Quanto menor for a condutividade térmica de um composto. Macro e Micro Dispositivos A colecta de energia tem estado presente durante séculos na forma de moinhos de vento. Tabela 2. Esta tecnologia oferece duas importantes vantagens relativamente às soluções que usam baterias para fornecimento de energia: são fontes virtualmente inesgotáveis e o impacto ambiental adverso que têm. tecnologias como os aerogeradores (energia do vento). o sistema de colheita macro energia e sistema de micro energia. Macro vs Micro Fonte de energia Soluções Objectivo Final Reduzir a dependência do petróleo Macro Energias Renováveis (solar. Nas últimas décadas. geradores de electricidade que convertem a energia da água. 2.Módulo 1 sistema termoeléctrico é a condutividade térmica. Logo para se manter um gradiente elevado de temperatura a condutividade térmica de um material tem de ser a mais elevada possível [4]. representados na tabela 2. entre outros.1: Colecta de Energia – Comparação Macro vs Micro [3]. de sistemas solares. bem como os painéis solares tornaram a colheita de energia num contribuinte cada vez maior para as necessidades energéticas correntes e crescentes do mundo.Capítulo 2: Fontes de Energia . melhor se tornam as suas propriedades termoeléctricas.

Entender a tecnologia de ultra baixa potência a partir do lado da fonte será desafiador e tão empolgante como foi do lado do consumidor à alguns anos atrás. A nova fronteira para a colheita de energia é um array tecnológico em micro escala que possa retirar potência (da ordem dos mW) da energia solar. Há alguns anos atrás. a longa marcha da comunidade de especialistas engenheiros em design de circuitos. mas. Não. intermitente e de baixo valor [3]. de encontro à tecnologia de ultra baixa potência teve o resultado inesperado de impulsionar esta tecnologia para fora do laboratório para posteriormente ser utilizada pelo designer de circuitos. mas têm uma em comum: estas alimentam a rede eléctrica. Este tipo de dispositivos não é do género de dispositivos que vão perpetuar e existir constantemente á nossa volta para aproveitar o mínimo dos mínimos de energia existente na natureza ou no corpo humano. das vibrações. 10 . A primeira razão para isto acontecer é o facto de que a potência colhida provém de fontes ambientais logo tende a ser desregulada. para isso existem os chamados micro dispositivos de colheita de energia. injectando energia em quantidades na ordem dos quilos watts ou mega watts para o sistema distribuidor de energia. de fontes termais ou biológicas. a colheita em micro escala de energia era chamada de curiosidade científica.As tecnologias de macro energia diferem em muitas maneiras.

7V estimando-se que em 2016. Como é possível verificar desta projecção que data de 2000/2001. 3. Neste contexto fez-se referência ao módulo 2 pela primeira vez. será reduzida praticamente para metade [6]. constituindo assim o módulo 1.1. Em 2008. Tensão Ultra Baixa de Funcionamento A tabela 3. tal como as suas dimensões físicas.Módulo 2 3. convêm perceber o significado de tensão ultra-baixa de funcionamento e qual será a evolução que este conceito apresentará nos próximos anos. Charge-Pump . Estes dispositivos podem funcionar com toda a certeza como dispositivos capazes de gerar tensões na ordem dos 300mV. a tensão de alimentação mínima que podia ser fornecida a um circuito integrado situava-se nos 0. portanto. Introdução No capítulo dois foram apresentados os geradores termoeléctricos. passados 8 anos. pois não existe uma definição standard. para perceber-se o quão inovador é o funcionamento do circuito que utilizará os 300mV fornecidos pelo módulo 1.Capítulo 3: Charge-Pump .1 foi publicada pela Associação Industrial de Semicondutores (SIA) e é importante para se perceber o que realmente significa tensão de operação reduzida para circuitos integrados. Mas. 11 .1.2. a tensão de operação para os circuitos integrados vai baixar. Esta tensão será posteriormente aproveitada por um circuito de charge-pump a introduzir neste capítulo.Módulo 2 3. conforme ilustrado na figura 2.

4 2 6 16 48 5. Com os conversores de antigamente. a tensão de saída não varia.5 512 64 1.6V.5 0.5 1995 0. Ano Tamanho Relógio Interno (desempenho elevado) Transístores lógicos Milhões/cm2 Milhão de Microprocessador transístores/ chip Tamanho da DRAM Tamanho da SRAM Tensão Mbit/Gbit Mbit/Gbit Vdd 16 1 5 64 4 3.35 1999 180 2001 130 2003 100 2005 80 2008 70 2011 50 2014 34 2016 22 A importância de baixar a tensão de operação.9V para poderem operar.8 47.17 6. Contudo.2 190 539 1523 4308 2 4 6. graças ao conversor.7V a 0.6 13 24 44 109 269 664 MHz/GHz 200 300 750 1. Isto permite reduzir o tamanho do canal dos transístores. reside no facto de ir permitir integrar mais transístores num único chip enquanto simultaneamente reduz-se a potência dissipada.Tabela 3.6 95. A principal aplicação destes conversores relaciona-se com a gestão de baterias. A Tabela 3. O objectivo é manter a tensão de saída constante mesmo se a bateria está a descarregar. Normalmente estes são utilizados para regular as tensões provenientes das baterias.31 5.7 Unidades Microns/nm 1993 0.0 0. o sistema entrava em colapso quando a tensão fornecida pela bateria atingia valores como 0.6 0. 12 .2 1 256 1. Durante um ciclo. conseguindo-se uma maior densidade no circuito e diminuir o espaço entre transístores vizinhos.3 256 16 2.7 0.1 permite constatar que os conversores existentes no mercado para serem integrados em aplicações low-voltage conversion necessitam pelo menos de 0. o start-up destes circuitos ocorre quando a bateria está carregada e a tensão é alta o suficiente para activar o circuito. Portanto.5-0.2 12 23.74 11.9 0.3 28. a tensão fornecida pela bateria decai ligeiramente.5 19.68 2.1: Tendência em termos de tensão de entrada e outras para circuitos integrados nos próximos anos segundo a SIA [6].

Outros tipos de transístores não são utilizados devido ao problema da eficiência. Graças a estas características. Antes disso será descrito o funcionamento de um conversor síncrono mais básico e a operar com uma tensão muito baixa de entrada. Posteriormente os MOSFETs serão polarizados por essa mesma tensão de saída. como atingir a tensão limiar.Módulo 2 Actualmente. VCE [V]. 3.7V para entrarem em condução. 13 . o que acaba por ser uma tensão baixa. a tensão gate –source Vgs[V] tem de ser superior à tensão limiar de condução do MOSFET.3. relativamente alta. Portanto os pontos críticos tornam-se respectivamente. Refira-se ainda que um MOSFET para conduzir. as perdas são muito baixas.1: Conversor síncrono elevador de tensão (boost) básico [10]. o conversor síncrono LTC3429 será apresentado. Figura 3. Vth[V]. a maioria dos conversores disponíveis no mercado utilizam um transístor de efeito de campo de metal óxido semicondutor (MOSFET) de baixa potência como dispositivo interruptor. os MOSFETs continuam a ser os melhores dispositivos a funcionar como interruptores. Logo. estes dispositivos apresentam uma queda de tensão colector-emissor. Por exemplo os transístores de junção bipolar (BJT) necessitam de uma tensão de aproximadamente 0. A sua baixa resistência quando o dispositivo está em condução e o facto de não necessitar de corrente no terminal gate para se polarizar são importantes vantagens. Conversor síncrono elevador de tensão (boost) Numa fase mais avançada desta dissertação: durante a apresentação do módulo 3. tipicamente nunca menos de 1V a partir de uma baixíssima tensão de entrada. Contudo. A desvantagem reside no facto de que precisam de uma tensão elevada na gate para o colocar no estado de condução (on).Capítulo 3: Charge-Pump . aumentando as perdas.

Significa isto. A maior parte das perdas será na bobina e nos interruptores (comutadores). RT e Rsw com alguma outra resistência série de valor muito baixo comparado com as anteriores. Se a corrente média do condensador tender para zero. K pode ser alterado por vários factores relativos á arquitectura do circuito mas pode ser calculado de maneira que possam trocar-se as perdas de comutação pelas perdas resistivas. A equação 3-1 define o circuito da figura 3. 3-1 No modo continuo. é possível determinar a raiz quadrada da corrente no condensador usando a equação 3-2 [10]. que quanto mais baixa for a resistência on do MOSFET. a corrente de entrada no conversor Iin[A] circula através da bobina e por um dos interruptores.3V) e a eficiência tem que ser alta. Considerando quantidades DC. Na próxima aplicação. Pout[W] é a potência de saída e R a soma de RL. Eq. As perdas na bobina podem ser separadas em perdas resistivas e perdas no núcleo.Quando o nível de potência é baixo (<3W). onde Vin[V] é a tensão de entrada do conversor. As perdas nos interruptores também serão em grande parte resistivas. A resistência Rc é a resistência equivalente do condensador e Ic é a corrente eficaz (RMS) deste. A constante Pon representa a potência de controlo (tipicamente <alguns mW). a resistência dos condutores é RT[Ω] e a resistência do MOSFET é RSW[Ω]. Os níveis de impedância (<20mΩ) serão muito baixos para o nível de potência considerado.1 [10]. a tensão também é baixa (<3. –Iout ou Iin-Iout aproximadamente. (apenas a rectificação síncrona é considerada). ou tem especial significado. A resistência DC da bobina é RL[Ω]. 3-2 Eq. Este factor é determinado tendo em conta uma determinada tensão de saída e fsw [Hz] que é fixo. mais baixo será o tempo para o qual este entrará em condução (e assim maior serão as perdas de comutação). 3-3 . O condensador conduz dois níveis de corrente. [A] onde. as perdas resistivas dominam. [A] 14 Eq. O factor K [V] é relativo às perdas de comutação dos interruptores.

3-5 Após a resolução da equação 3-5 chega-se à conclusão que o resultado é um número complexo. Seguidamente basta multiplicar pela frequência de comutação para converter para perdas de potência e ter em atenção que se trata de dois interruptores. 3-6 Da análise da equação anterior. 15 . Assim. Iin aumenta. Isto indica que não é possível obter a potência de saída desejada com uma tensão baixa aplicada na entrada do conversor. Eq.Módulo 2 O factor K pode ser estimado a partir do número de vezes que o MOSFET está em condução e no corte. A eficiência do circuito obtêm-se a partir das equações (3-1) e (3-5) e é: [%] Eq. Finalmente a equação 3-6 permite concluir que a eficiência diminui quadraticamente à medida que a tensão de entrada (Vin) é reduzida linearmente. 3-4 Onde Voff é a tensão no dispositivo quando este é desligado. Se as substituições apropriadas forem feitas na equação 3-1. Ion [A] é a corrente que passa no interruptor quando este está em condução e tswitch[s] é a soma entre os tempos de condução e não condução do dispositivo. é possível resolver a função quadrática. conclui-se que para um dado Pout. à medida que Vin desce. ou reduz-se a potência desejada na saída do conversor ou aumenta-se Vin para os mesmos componentes. A energia perdida nas comutações de apenas um interruptor é dada por [J] Eq.Capítulo 3: Charge-Pump .

O princípio de funcionamento desta técnica requer um interruptor mecânico que actua em série com uma resistência. Após este tempo o interruptor é libertado e a corrente flui pelo díodo carregando o condensador. 3. A carga armazenada num condensador deve fornecer ao regulador do circuito.4. 3-7 [Ω] Eq.2 mostra um circuito de arranque (circuito 1) que permite que um conversor DCDC possa dar inicio á sua operação [10]. a corrente flui através da bobina e é limitada apenas pela resistência Rstart [Ω]. a energia suficiente para este auto-sustentar a conversão durante a primeira fase. podendo ser o mesmo componente que permite activar o circuito colocando-o em condução. Circuitos de arranque para conversor DC-DC A figura 3. Isto é possível apenas se Rstart for seleccionada correctamente. Estes dois componentes são colocados em paralelo com o MOSFET. As equações que permitem obter o valor correcto para Rstart são: [J] Eq. O interruptor mecânico não é um componente extra.A análise anterior revela a necessidade de encontrar-se um circuito de arranque que possibilite ao conversor DC-DC também iniciar a sua operação de arranque. Quando este interruptor está activo. O dispositivo mecânico deve-se manter em condução pelo menos 4 ou 5 constantes de tempo tipicamente em milissegundos. 3-8 16 .

este circuito parece ser apropriado para as aplicações estudadas nesta tese. O único problema é que este sistema necessita de ajuda externa para funcionar. a sua implementação é relativamente barata e não ocupa muito espaço. a qual depende da sua relação de transformação [9]: Eq.2) utiliza um transformador com um conversor elevador de tensão (figura 3.2: Circuito de arranque número 1 que permite o início de operação de um conversor DC-DC [10]. é gerada uma tensão superior ou não.Módulo 2 Figura 3. 3-9 17 . pois alguém terá que pressionar o mecanismo interruptor. A equação 3-7 permite obter a energia armazenada na bobina quando o interruptor mecânico está fechado. Esta técnica de arranque acima mencionada não é complicada de implementar. Circuito 2 Uma segunda alternativa ao circuito anterior (figura 3.3). Assim. A equação 3-8 permite obter o valor de Rstart se toda a energia é transferida da entrada para a saída. Dependendo do número de espiras que o enrolamento do primário possui relativamente ao enrolamento secundário. Para tal não se consideram as perdas do circuito.Capítulo 3: Charge-Pump . o que não é de todo prático.

3 com bobinas acopladas é um MOSFET. Para um transformador tem-se as tensões: Eq. 3-11 A tensão numa bobina é dada por: Eq. De acordo com a relação entre tensão e corrente. V1[Ω] é a tensão de entrada na bobina do primário.Onde. numa bobina (equação 3-12). L2[H] é a indutância do enrolamento secundário e possui N2 espiras e V2[V] é a tensão à saída do enrolamento secundário do transformador. uma corrente passa pelo primário L1 do transformador Tr1. 3-13 Eq. Se uma tensão de valor reduzido (50mV ou 75mV) for aplicada no terminal Vin do conversor apresentado. Se as perdas forem desprezadas. a função da corrente é uma 18 . L1[H] é a indutância do enrolamento do primário que possui N1 espiras. a seguinte relação para a potência envolvendo tensões e correntes é estabelecida [9]: [W] Eq. 3-12 onde i é a corrente que a circula. 3-10 e a relação de transformação: Eq. 3-14 O componente chave no circuito da figura 3.

A soma entre a tensão no condensador C2 e a tensão na bobina do secundário (L2) torna-se negativa.Módulo 2 curva exponencial ascendente (com declive positivo). Quando a corrente no primário atinge o valor nulo.4 mostra a corrente de entrada e a tensão de saída como função da tensão de entrada 19 . com a indução de uma tensão positiva. Quando a corrente no primário (L1) atinge a saturação.5 são apresentados os resultados do circuito conversor da figura 3. a tensão induzida na bobina do secundário (L2) torna-se também ela nula e o condensador C2 descarrega através da resistência R1 até atingir o nível da tensão de entrada. o JFET T1 começa a conduzir novamente e o ciclo repete-se. Na figura 3.3. a tensão induzida no secundário (L2) é zero. Assim. obrigando o transístor T1 a passar ao estado de não condução. A figura 3. O terminal positivo da bobina L2 que está ligado ao terminal gate do MOSFET T1 é polarizado por uma tensão fixa imposta pelo díodo condutor do JFET T1. Figura 3.3: Circuito de arranque número 2 que utiliza um transformador e um MOSFET [9]. o condensador de saída C3 carrega através de D1. Assim.Capítulo 3: Charge-Pump . Como o transístor T1 tem uma resistência elevada. À medida. a derivada e portanto. o condensador C2 carrega com um nível negativo pois este está ligado ao terminal negativo da bobina L2. uma tensão positiva é induzida na bobina do primário (L1) do transformador. atrasando o decaimento da corrente. levando assim a uma queda na tensão do secundário do transformador. logo uma tensão positiva é induzida no secundário (L2) do transformador Tr1.4 e 3. que a corrente na bobina do primário (L1) decai. A derivada da função da corrente é positiva (devido ao declive positivo).

4: Corrente de entrada e tensão de saída como função da tensão de entrada sem carga ligada na saída do conversor da figura 3. Assim.5. Na figura 3. Por outro lado. a eficiência do conversor apresentado na figura 3. quanto mais elevada for a potência de saída. 20 . as perdas devido à frequência de comutação diminuem por causa da redução no valor desta mesma frequência de comutação.3 [9]. Figura 3.25V é atingida. Portanto. a eficiência do conversor é apresentada em função da potência de saída. Se aumentar Vin. valores mais elevados na saída (Vout) serão atingidos. A frequência de oscilação está na gama 18-35KHz. uma tensão de saída de apenas 1. devido à realimentação existente entre a saída (Vout) e o JFET T1. Com apenas 50mV e 75mV na entrada.3 aumenta quando a potência de saída (Pout) também aumenta. A corrente de entrada (Iin) está a diminuir com o aumento da tensão de entrada (Vin). se a potência de saída aumenta. O comprimento do período de comutação determina o aumento que a corrente pode ter.sem carga ligada na saída do conversor. mais baixa é a frequência de comutação.

3 em função da potência de saída do circuito. Isto significa que durante a fase de tempo 1.Capítulo 3: Charge-Pump .1. Definição e exemplo básico de um charge-pump Os charge-pump são circuitos que colocam na saída uma tensão superior à tensão que lhes é fornecida.5: Eficiência do conversor da figura 3. enquanto o condensador mantêm a sua carga (VDD*C) da fase anterior (fase 2).5. 3. De seguida. 3-16 21 . Circuito de Charge-Pump 3. os interruptores S1 e S3 estão fechados e o condensador C carrega com a tensão fornecida VDD.Módulo 2 Figura 3. o dispositivo interruptor S2 é fechado (fase de tempo 1) e o pólo superior do condensador assume o potencial VDD.6 constituído por um condensador e três dispositivos interruptores. Durante a fase de tempo 2.5. as equações do circuito são [13]: Eq. 3-15 ou Eq. Considere-se o circuito da figura 3.

De seguida é colocada uma carga R L. Neste caso. aparece então uma tensão de saída tendo como valor o dobro da tensão fornecida. como se pode ver na figura 3. Para isso é necessário acrescentar um condensador Cout. aparece na saída.Figura 3. Figura 3.7: Duplicador de tensão com carga RL.6: Charge-pump a funcionar como duplicador de tensão (durante a carga do condensador C: interruptor S1 e S3 estão fechados (fase de tempo 2). o interruptor S2 está fechado (fase de tempo 1) [13]. Na ausência de uma carga. Esta tensão pode ser reduzida. VR.7). 3-17 Se uma carga representada pela resistência RL está presente no circuito (figura 3. então uma tensão de ripple. tornando o valor do 22 . a tensão de saída ideal é dada pela equação [13]: [V] Eq.7. durante a descarga do condensador C.

isto é possível porque o circuito integrado utiliza “Full Depletion Silicon-On-Insulator (SOI) Substrate”. Charge-pump S-882Z Nos últimos anos surgiu uma nova família de conversores step-up. Como anteriormente citado. Graças a estas características. O sinal polariza o charge-pump que converte a tensão de entrada usando a técnica SC (Switched Capacitor) apresentada na secção 3. Este Circuito Integrado (IC) apresenta várias vantagens: a sua configuração não necessita de dispositivos magnéticos (bobinas ou transformadores) o que reduz as dimensões físicas e o peso. A desvantagem da tecnologia Full Depleted SOI (silicon on Insulator) é a eficiência. a operação do dispositivo S-882Z é a seguinte [16]: 1. de maneira que: a tensão VR torne-se negligenciável comparada com Vout.2.Capítulo 3: Charge-Pump .3V. é ideal para integração monolítica (monolithic integration) [8]. este conversor é uma boa solução para solucionar o problema existente nos conversores DC-DC elevadores de tensão (anteriormente apresentados como circuito 1 e circuito 2): o não conseguirem iniciar a conversão a partir de um valor nulo de energia. CLK[Hz]. De acordo com a figura 3. Quando a tensão de entrada (no pino 4) é igual ou superior a 0. o circuito de oscilação entra em funcionamento e gera um sinal de relógio.Módulo 2 condensador Cout suficientemente alto. Este conversor é um exemplo muito utilizado.3.3V. 3. 2. Caracterização da operação do S-882Z O circuito integrado S-882Z pode elevar tensões de entrada a partir de 0. este charge-pump não constitui problemas de maior no que refere a interferências electromagnéticas. A principal diferença relativamente a outros conversores do tipo Switched Capacitor está no uso de um processo de fabrico chamado SOI (Silicon-on-Insulator) que o permite operar com tensões da ordem dos miliVolts [16]. possui a referência S-882Z e basicamente é um switched capacitor (SC). 23 .5. a tensão limite do transístor pode ser minimizada.1. 3.5. a qual disseminou-se bastante no meio industrial. a corrente de fuga e as perdas de comutação causarem um decremento na eficiência do S-882Z até 20%. Além disso.8.5. o que significa que neste tipo de tecnologia a corrente de fuga source-drain é extremamente baixa. Devido a isto.

Quando a tensão neste condensador atinge ou excede a tensão “discharge start voltage” (Vcpout1). 5. 24 . o sinal de saída do comparador COMP1 comuta do estado alto (referente a “1 lógico”) para o estado baixo (referente a “0 lógico”). Quando a tensão no pino VM é inferior à tensão Voff. bem como o dispositivo S882Z. retornando para a operação apresentada no ponto 2. Quando a tensão no pino VM (referente ao Pino 3) atinge ou excede a tensão Voff (shutdown voltage). fazendo com que o transístor M1 entre em condução.3. é descarregada a partir do pino de saída (Pino 1). Figura 3.8: Diagrama do circuito interno do charge-pump integrado S-882Z da empresa SEIKO [16]. Desta forma a potência consumida é reduzida. 6. 7. cessando a descarga de Ccpout. o sinal de saída (EN-) do comparador (COMP2) comuta do estado baixo para o estado alto. 4. o sinal de saída (EN-) do comparador COMP2 está no nível alto e o circuito de oscilação entra em funcionamento novamente. 8. o circuito de oscilação é desligado. Quando o potencial do pino de saída (Pino 1) cai para níveis inferiores a “discharge stop voltage level” (Vcpout2). O sinal à saída do charge-pump é utilizado para carregar o condensador Ccpout (pino 5). o transístor M1 passa ao estado de corte. Seguidamente. Quando o transístor M1 estiver em condução e a energia armazenada no condensador Ccpout atinge a “discharge start voltage level”.

Circuitos Integrados S-882Z comercialmente disponíveis Existem disponíveis no mercado.1V 2. Por exemplo.1V 2.1V 2. 25 .1V 2. o inicio da transferência começa a dar-se.1V 2.6).3V+0.8 V+0. Vcpout1 1.5V+0.4.5) e por outro lado quando a tensão Voff à saída é igual a 2. mais dispositivos do tipo S-882Z.1V Nome do Produto S-882Z18-M5T1G S-882Z20-M5T1G S-882Z22-M5T1G S-882Z24-M5T1G Os circuitos integrados apresentados na tabela 3.4V ou 2.4 V (2.2 mostram que os modelos diferem na tensão para o qual começam a transferir a energia para o conversor DC-DC e na tensão que faz com que sejam automaticamente desligados.Módulo 2 3.9V+0. após haver a detecção de uma tensão superior ao valor de descarga (Vcpout1) na saída. quando a tensão VCPOUT1 é igual a 2. este desliga-se para não haver consumo de energia.4 V+0.2 V+0.1V 2.0 V+0. Tabela 3. A Tabela 3.Capítulo 3: Charge-Pump .1V+0.3V ou 2. para o dispositivo S-882Z24-M5T1G.5. Estes apresentam diferentes tensões para as quais começam a transferir a energia via conversor DC-DC.2: Várias tensões de descarga e de shutdown para os 4 tipos de dispositivos S-882Z disponíveis [16].1V Voff 1.2 apresenta os quatro tipos disponíveis.5V (2.

Vin de entrada. consoante o conversor DC-DC a implementar.3V como tensão.5 mA. com o valor igual a 1MΩ. Futuramente.9: Código para as referências dos circuitos integrados S-882Z disponíveis [16].Figura 3. Análise da eficiência do Integrado S-882Z24 da empresa SEIKO Instruments A partir da folha de características do dispositivo S-882Z foram retiradas as características mais importantes de funcionamento. 26 . serão escolhidos diferentes tipos de dispositivos S-882Z.    Vin=0. Ccpout. Os componentes seleccionados foram os seguintes [16]:    Cin. Vin . tensão para o qual o dispositivo S-882Z24 começa a funcionar. de entrada. fosc=350 KHz. RL.6. frequência típica de oscilação com 0.3V como tensão.3V. com o valor igual a 47µF. com o valor igual a 10µF. corrente típica de consumo com 0. 3. Iconsumo=0.

11 revela a configuração utilizada em laboratório para medir e retirar os dados relativos à eficiência do circuito da figura 3.10: Diagrama esquemático do circuito do dispositivo S-882Z24.10 apresenta o circuito desenvolvido para proceder-se à recolha de dados em laboratório. Os dois condensadores possuem ambos uma Resistência em Série Equivalente (ESR) extremamente baixa. O esquema da figura 3. Figura 3. Foram executados testes com outros valores da resistência e da capacidade.11: Configuração usada para recolha de dados relativos ao diagrama esquemático da figura 3. A figura 3.10.Capítulo 3: Charge-Pump . na ordem dos mΩ.Módulo 2 Figura 3. Este é constituído por dois condensadores e uma resistência (de saída). os valores escolhidos revelaram-se os melhores.10. Contudo. 27 .

3.83 8.5 4.43 9.3V e não de 2.3 2. 28 . um dos principais objectivos desta dissertação foi alcançado graças à utilização do dispositivo S-882Z da Seiko Instruments.12 apresenta a placa de circuito impresso que foi utilizada nos testes da eficiência do diagrama esquemático do dispositivo S-882Z24 (figura 3.4V como apresentado na tabela 3.1 3.1 20. Este circuito integrado pode elevar com sucesso tensões a partir de 300mV. observou-se nos testes. uma tensão máxima à saída de 2. Para este valor.34 Pout (mW) 4.6 η (%) 84 92 66 Tal como previamente relatado na secção 3. provocando uma queda significativa de tensão resistiva na Ron (resistência em condução) do MOSFET interno (assinalado na figura 3. Vin (V) 0.6 Iin (mA) 17.2 23. constate-se uma tensão à saída do S-882Z24 de 2. a sua dimensão reduzida (comparação com uma moeda) e possuir face simples.10).8 pelo círculo a tracejado).3.Conforme apresentado na tabela 3.31 Iout (mA) 2. Tabela 3.3.09 14. Esta placa tem como características mais importantes. estes dispositivos introduzem erros nos dados devidos às suas impedâncias.5mA. Por todas estas razões. A corrente no S-882Z é de 0.9 Vout (V) 2. ao efectuarem-se as medições com o multímetro ou o osciloscópio. não é de estranhar que nos dados obtidos das medições. as correntes de fuga e a comutação do circuito interno do S-882Z fazem com que a eficiência do componente diminua na ordem dos 20%.3: Dados obtidos em laboratório. Aliado a isso. A figura 3.32 0.3.32 2.45 0.47 9. espera-se que cumpra com os requisitos mais exigentes da fase avançada relativa do trabalho ao módulo 3.3V.01 Pin (mW) 5.

Capítulo 3: Charge-Pump .10.12: Placa de circuito impresso (face simples) para os testes do diagrama esquemático da figura 3. Todos os diagramas esquemáticos das placas de circuito impresso encontram-se em anexo. 29 .Módulo 2 Figura 3. Todas as placas de circuito impresso (PCB) dos protótipos experimentais foram desenhadas e produzidas usando o software PADS Layout 2007 da empresa Mentor Graphics.

30 .

1.1. Importante é o facto de o S-882Z24 resolver o problema dos conversores DC-DC. (SII) O primeiro conversor seleccionado e analisado é o conversor S-8353D30.1: Diagrama de blocos do step-up S-8353D30 [14]. pois na saída tem-se níveis de tensão superiores a 2.1. Conversores DC-DC . 31 .0V. Seguidamente apresentam-se os conversores utilizados e as razões que justificaram a sua selecção. De forma muito sucinta foram revelados os pontos onde o integrado S882Z24 perde eficiência. Ficou provada a sua utilidade em circuitos elevadores de tensão.1 foi seleccionado devido à sua fácil integração em PCB e também por exigir um número reduzido de componentes externos. Introdução No capítulo 3. 4.Módulo 3 4. Segundo a folha de características. o dispositivo S-882Z24 foi apresentado. Ltd. o dispositivo S-8353D30 pode elevar tensões a níveis superiores a 3.3V à entrada. Com isto poupou-se espaço em PCB.Capítulo 4: Conversores DC DC . Para melhorar a eficiência do circuito construiu-se uma placa de PCB. reduzindo-se assim as resistências nas ligações entre componentes. Análise do Conversor step-up DC-DC S-8353 da Seiko Electronics Co.80V.0V com apenas 0.. Diagrama esquemático e selecção dos componentes O conversor cujo equipamento interno se apresenta na figura 4.Módulo 3 4. Figura 4. Os conversores DC-DC não conseguem iniciar a sua operação para tensões tipicamente inferiores a 0.

pode-se observar o diagrama esquemático utilizado nos testes do S-8353D30.As características técnicas do dispositivo S-8353 são:       VDDL=0. uma resistência. Para realizar os testes utilizaram-se dois condensadores. O tempo que o dispositivo S-8353 demora a activar-se é um factor importante a ter em conta. normalmente está associada ao duty-cycle. é a corrente consumida. fs=50KHz .9V. IVDD=18. um díodo Schottky e uma bobina.7µA. e duty-cycle até 83%. tensão à saída (após elevação). é a tensão a partir do qual este opera.2. 32 . frequência interna de operação . corrente consumida pelos circuitos internos. A eficiência com que a tranferência de energia é feita. Na figura 4. tempo que demora a iniciar a operação . VOUT=3. Outro factor importante e que contribui para as perdas de qualquer circuito que utilize o S8353.3V. ts=6ms . Esta corrente em qualquer conversor DC-DC tem uma importância significativa pois afecta a transferência de energia.

Módulo 3 Figura 4. Se o valor seleccionado para L for ainda mais baixo do que 47µH. (da ordem dos mΩ). Iout também desce. nomeadamente:     O valor de indutância recomendado é de 47µH.Capítulo 4: Conversores DC DC . Os valores mais adequados para o bom funcionamento do circuito foram os seleccionados. a eficiência é máxima para um determinado L. Durante a selecção dos componentes.  A existência de uma corrente Ipk no transístor diminui se L aumentar (em relação ao valor recomendado). Bobina Foram tidas em conta as seguintes considerações na selecção do valor da indutância. aumenta se a indutância L diminuir. Neste caso.  Uma frequência de oscilação alta permite seleccionar uma baixa indutância. Contudo efectuaram-se outros testes com outros componentes os quais não apresentados. L[H]. a eficiência diminui causando uma diminuição da corrente que polariza o transístor interno do circuito integrado e Iout também desce. [14]. 33 . O valor de pico da corrente na bobina. Tal como a bobina. os condensadores utilizados na montagem do circuito da figura 4. Seleccionou-se uma bobina com uma resistência DC o mais baixa possível. Seguidamente a estabilidade do circuito aumenta o que provoca um aumento de Iout . A indutância da bobina tem grande influência na máxima corrente de saída (Iout) e na eficiência (η) do processo de transferência de energia. L.2: Circuito eléctrico para determinar a eficiência e tensão para o qual o dispositivo S-8353D30 inicia a operação (VDDL). diminuindo as dimensões físicas da bobina. Se L for demasiado grande em relação ao valor recomendado a eficiência desce devido às perdas na resistência DC da bobina. teve-se em consideração as recomendações em [14]. (da ordem dos mΩ).2 possuem um valor ESR (Resistência Série Equivalente) muito baixo. (Ipk[A]).

Cin Foram tidas em conta as seguintes considerações na selecção do condensador Cin [14]. Foram seleccionados os seguintes componentes: o valor da indutância L é 47µH. a gama de tensão estabilizada depende do ESR capacitivo. No circuito integrado S-8353. Deve seleccionar-se um Cin de acordo com a impedância da fonte usada. Tensão inversa igual ou superior a Vout+VF. Frequência de comutação igual a 50ns Max.   Um condensador Cin ligado à entrada do dispositivo (Pino 5) melhora a eficiência. Corrente máxima admissível no componente de valor igual ou superior a Ipk. Cout Foram tidas em conta as seguintes considerações na selecção do condensador Cout [14]. O valor de Cout deve ser no mínimo igual a 10µF e deve possuir valores baixos de ESR para estabilizar a tensão na saída. reduz a impedância da fonte e estabiliza a corrente de entrada.     Tensão de condução baixa (VF <0.Díodo Schottky Foram tidas em conta as seguintes considerações na selecção do díodo [14]. enquanto que o díodo 34 . os condensadores Cin e Cout tem como valor respectivamente 33µF e 22µF.3V).    Um condensador Cout ligado à saída do dispositivo (Pino 1) estabiliza a tensão na saída.

23V.3: Configuração utilizada nos testes laboratoriais.302 16.86 0.4 0.4 5. Não foi quantificada a influência que estas impedâncias têm na eficiência do circuito. A tabela 4. A configuração seguinte tem como base o circuito da figura 4. Um amperímetro apresenta uma impedância muito baixa e o voltímetro uma impedância muito elevada.90 Pin (mV) 12.83 35 .14 η (%) 85 81 89 D 0. Tabela 4.1 apresenta os dados obtidos.03 3. Vin (V) 0.1: Dados obtidos em laboratório.35 8.2 para o qual desenvolveu-se uma placa de circuito impresso.35 Pout (mV) 10.Módulo 3 Schottky é o díodo NSR0320MW2T1 [25] e quando está directamente polarizado.2. Foram usados amperímetros e voltímetros. Estes dois aparelhos de medida quando colocados no circuito apresentam valores de impedância diferentes. Esta configuração representa a forma como foram efectuados os testes em laboratório.5 Iin (ma) 40.2 30.07 3.7 Vout (V) 3.3 0.3 50.5 60. apresenta aos terminais uma tensão de apenas 0. Figura 4.4 27.09 20.Capítulo 4: Conversores DC DC . usando o circuito apresentado na figura 4.90 0.05 Iout (ma) 3.

A partir dos dados obtidos conclui-se que o dispositivo S-8353D30 respeita os requisitos expectáveis para este módulo. A diferença pode não ser muito significativa mas neste tipo de circuitos de baixa potência. O dispositivo S-8353D30 tem uma corrente de consumo de 18. VDDL. e frequência do relógio interna a 500KHz. Análise do conversor step-up DC-DC LTC3429 4.1. ts. Tempo que demora a iniciar a sua operação. os dispositivos wireless necessitam de uma tensão de entrada na gama 3-5V para poderem funcionar.4V. Desde já é relevante destacar-se a informação destas características comparativamente com as do componente S-8353D30. 36 . Análise interna e características principais A selecção recaiu no conversor DC-DC síncrono LTC3429 da empresa Linear Technology [15]. As características mais importantes do dispositivo LTC3429 são:         Tensão à entrada.5-4.2.3V.5-4. Normalmente. Apesar da diferença existente entre os dois circuitos. Eficiência com carga máxima de 96%. Este conversor recebe a energia de um dispositivo termoeléctrico e fornece-a a um dispositivo com sensores e módulo wireless. Tensão mínima de funcionamento. Tensão à saída. Vout. pois o seu duty-cycle é de 96% quando comparado com o valor máximo de 83% do dispositivo S-8353 da Seiko Instruments.7µA [14]. na gama 2.5ms. igual a 2.2. Esta comparação foi obtida a partir das folhas de características de cada componente. Vin.85V. na gama 0. 4. qualquer por mais baixa que seja é importante. duty-cycle na gama 80%-90% . Para tensões à entrada iguais ou superiores a 300mV tem-se à saída uma tensão ligeiramente superior a 3V. o LTC3429 da Linear Technology fica claramente a ganhar em termos de eficiência de transferência. portanto mais baixa que a do LTC3429 que é de 20µA. de 0. Corrente absorvida de 20µA quando está activado.

2.2.4.35Ω e 0. O valor destas resistências é extremamente importante. Figura 4. ambos com um valor baixo de ESR (da ordem dos mΩ). 4.4: Constituição interna do dispositivo LTC3429 com referência especial para os dois MOSFETs assinalados a tracejado. 0. pois o consumo do dispositivo depende delas.Módulo 3 Internamente. A bobina utilizada possui também um valor resistivo DC muito baixo (da ordem dos mΩ). Estas estão assinaladas com círculos a tracejado na figura 4.5. Cin e Cout.45Ω para os interruptores NMOS e PMOS. procedeu-se à montagem o circuito da figura 4. Este circuito possui dois condensadores. O valor destas resistências são respectivamente.Capítulo 4: Conversores DC DC . o dispositivo do LTC3429 possui dois MOSFETs com resistência de baixo valor e são polarizadas pela técnica de modulação Pulse Width Modulation Technique (PWM). Diagrama esquemático e escolha dos componentes para o LTC3429 Para fazer-se uma avaliação da eficiência e da tensão para o qual o LTC3429 inicia a funcionamento. É utilizado 37 .

o conversor LTC3429 começa a funcionar (VDDL).23V. 4-1 Onde. Vout[V]. Vref=1. no esquema da figura 4. Esta tensão está previamente definida no circuito do integrado LTC3429 [15]. A tensão à saída. 38 .5 é dado pela seguinte equação [15]: Eq. Figura 4.5: Circuito eléctrico utilizado para determinar a eficiência e tensão para o qual.um divisor de tensão para ajuste da tensão à saída.

6A.Módulo 3 Os componentes externos apresentados na figura 4. Esta relação é dada pela equação 4-2. Para evitar que o conversor desligue sozinho. a bobina deve ter um valor baixo de ESR para reduzir as perdas e deve ser capaz de lidar com o pico de corrente sem entrar em saturação. Vin é a tensão de entrada. 39 . valores superiores a 10µH só aumentam o tamanho da bobina e não melhoram a corrente de saída. 4-2 onde.Capítulo 4: Conversores DC DC . é o duty-cycle .3 V na saída. O valor de corrente que o LTC3429 pode colocar na saída depende do valor da indutância. [A] Eq. η= é a eficiência estimada do conversor LTC3429 Ip= é o limite do valor para o pico da corrente e vale 0. L é o valor da bobina. O valor de ripple de corrente na bobina deve situar-se na gama 20%-40% do valor da corrente Ip. f é a frequência de oscilação e é igual a 500Hz para o cálculo de Iout . ligou-se ao pino 6 (Vin).5 foram escolhidos para obter-se 3.7µH permitem aumentar a corrente de saída através da redução do ripple de corrente na bobina. o pino 4 (SHDN). Bobina [15]    Valores superiores a 4.

10µF é o valor tipico mas outros valores superiores são admissíveis sem qualquer problema. Não foi quantificada a influência destes aparelhos nos resultados.7µF e 10µF. Para obter-se uma saída superior a 3.6. contudo.3.6: Configuração utilizada em laboratório para obtenção dos dados relativos ao diagrama esquemático da figura 4. devem ser usados condensadores com um baixo valor de ESR para reduzir o ruído resultante da comutação nos MOSFETs.2. 4. valores típicos: 4. Figura 4. outros valores até 22µF são possíveis para obter-se valores de ripple reduzidos na tensão de saída. Foram escolhidos os seguintes componentes: uma bobina com um valor igual a 22µH. 40 .5. utilizou-se a configuração da figura 4. Eficiência do conversor LTC3429 Para a aquisição dos dados. condensadores Cin e Cout ambos com 33µF.3V foram seleccionadas as resistências R1 e R2 com valores respectivamente de 510Ω e 630Ω. Esta configuração envolve o uso de amperímetros e voltímetros.Condensadores Cout e Cin [15]     Devem ser usados condensadores com um valor baixo de ESR para reduzir o ripple da tensão de saída Vout .

Módulo 3 As medições da tabela 4.88 94. Análise do conversor step-up DC-DC LTC3421 As secções anteriores apresentaram os conversores S-8353D30 da SEIKO Instruments e o LTC3429 da Linear Technology.39 Iin (mA) 205 200 190 140 120 90 Vout (V) 2.1 Pout (mW) 60 63. a constante pesquisa efectuada pode sempre levar a melhorias de ordem técnica e prática.47 0.83 0.93 85.33 4. 4.35 η (%) 83 67 62 84 90 72 D 0.3. Pode constatar-se que este conversor atinge tensões de saída elevadas para tensões de entrada ligeiramente superiores a 300mV.75 69.4 90.75 3. Tabela 4. tornando-o num componente importante neste projecto.4 125. No entanto.83 0.58 0.95 94 110.4 2. encontrou-se o componente LTC3421 da empresa Linear Technology.85 0.52 5. Rout (Ω) 100 135 170 250 390 450 Vin (V) 0.2 foram obtidas com tensão constante e variando o valor da carga.95 Iout (mA) 25 25 21 19 16 13 Pin (mW) 71. Ambos os componentes são uma boa solução para este projecto.2: Dados obtidos em testes laboratoriais.8 Foi desenhada e montada uma placa de circuito impressa (PCB) para reduzir-se a resistência das ligações entre componentes e foram colocados sockets em todos os pinos para se tornar fácil retirar e voltar a colocar os componentes.Capítulo 4: Conversores DC DC .39 0. Como tal.87 1.2 104.82 0.2 102. 41 .82 0.73 0.90 6. tem uma corrente de consumo de apenas 12µA e um dutycycle compatível com a aplicação [17]. Este componente.

Diagrama esquemático e selecção dos componentes Figura 4.14Ω para um interruptor síncrono rectificador do tipo p-MOSFET.5-4.85V. As características técnicas mais importantes são descritas na folha de características do componente [17]:      Corrente IVDD de apenas 12µA. a frequência interna de funcionamento pode atingir os 3MHz.5V.1. tal como se 42 . tensão de saída. na gama 0.7: Constituição interna do dispositivo LTC3421 [17].3. O circuito integrado LTC3421 possui resistências internas de 0. tensão de entrada.4.10Ω para um interruptor nMOSFET e 0. na gama 2. Vin. Vout.4V-5.5V. tensão de inicio da operação VDDL=0.

Módulo 3 pode ver na figura 4. São estas as resistências responsáveis pela corrente de consumo de baixo valor que este dispositivo possui. Figura 4. o dispositivo LTC3421 entra em funcionamento (VDDL).7. 4-3 43 . 12µA. Selecção dos componentes Bobina [17] A bobina seleccionada deve ter um valor baixo de ESR para reduzir as perdas resistivas ao mesmo tempo que deve possuir um valor tal que a permita lidar com o pico de corrente sem entrar em saturação.Capítulo 4: Conversores DC DC . O valor da bobina pode ser determinado através das seguintes equações: Eq.8: Circuito eléctrico utilizado na determinação da eficiência e da tensão para o qual.

Iripple na bobina=20% a 40% de Ip. Todavia este componente apresenta potencialidades na sua folha de características de desempenho superior ao dispositivo LTC3429. O LTC3421 teria que ser montado numa placa com esta película.S8353} e a combinação {S882Z. pois ficaria quase tão caro como o custo total do projecto.em que. A placa de circuito impresso com o circuito integrado LTC3421 não foi montada. ripple é a máxima corrente permitida na bobina (pico a pico). pode observar-se uma placa PCB com uma película verde. Vin é a tensão mínima para o qual o dispositivo entra em funcionamento.  o valor ESR de ambos os condensadores deve ser baixo para se minimizar assim o ripple na saída.LTC3429} provaram ser adequadas para cumprir com os requisitos do projecto.     f é a frequência em MHz . Optou-se por não fabricar uma placa com esta característica especial de aderência. O circuito LTC3421 foi escolhido devido à baixa corrente quando activado (de apenas 12µA) [17]. Na figura 4.9. a combinação dos circuitos {S882Z. Este valor de corrente é bastante mais baixo que o observado com o circuito integrado LTC3429 (20µA) aquando da discussão das correntes em circuitos de muito baixa potência. Além disso. 44 . Condensadores Cin e Cout [17]  Cin deve possuir um valor apropriado pois reduz o pico de corrente que provêm da fonte ao mesmo tempo que reduz o ruído causado pela comutação rápida no seu interior.

Capítulo 4: Conversores DC DC - Módulo 3

Figura 4.9: Imagem que pretende apenas mostrar a película verde que o LTC3421 necessita para ser colocado numa placa de circuito impresso. O circuito que se visualiza na figura não fez parte do trabalho [10].

O esquema da placa PCB mesmo assim foi desenhado. Se no futuro este trabalho for usado para fazer parte como módulo para um outro projecto mais global e com uma outra disponibilidade para se mandar construir uma placa com os requisitos necessários ao bom funcionamento do LTC3421, esta placa pode muito bem ser o protótipo utilizado como referência para uma empresa especializada a desenhar e construir.

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Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4

5. Combinação charge-pump com Conversor DC-DC
5.1 Introdução
Nos capítulos 3 e 4 foram apresentados os módulos 2 e 3, respectivamente. Os circuitos apresentados nesses capítulos provaram ser uma solução para a dissertação. Este capítulo 5, apresenta as duas combinações utilizadas entre os módulos 2 e 3 (charge-pump e conversores DC-DC). São também apresentados os dados correspondentes às medições efectuadas em laboratório. Por fim é feita a comparação de resultados entre os dois circuitos utilizados.

5.2. Análise do Funcionamento da combinação entre um Charge-Pump e Conversor DC-DC (Módulo 2 com Módulo 3)
Recorreu-se a um exemplo (Figura 5.1) para ilustrar a operação do charge-pump S-882Z24 M5T1G conjuntamente com um conversor step-up DC-DC: Neste exemplo: 1. A fonte apresenta uma tensão de 0.3V ao S-882Z; 2. a carga é armazenada temporariamente num condensador de 10µF pelo próprio dispositivo S-882Z. O nível de tensão é elevado para +2.4V, valor necessário para iniciar a operação do conversor S-8353D30MC a ser utilizado como exemplo; 3. o conversor entra em funcionamento e transforma a tensão proveniente do charge-pump numa tensão superior ou igual a 3.0 V ; 4. o dispositivo S-882Z detecta que a tensão de saída do conversor é superior à tensão shutdown voltage, Voff, e desliga-se.

Em suma, o conversor S-8353D30MC funciona sozinho autonomamente com a energia proveniente da sua própria saída.

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Figura 5.1: Esquema básico de operação entre o dispositivo S-882Z e um conversor elevador de tensão [5].

Figura 5.2: Possível implementação do charge-pump S-882Z com um conversor DC-DC elevador de tensão [16].

O díodo Schottky assinalado na figura 5.2 por um rectângulo a tracejado impede que o pino VDD [V] (relativo ao fornecimento de energia para o conversor) sofra uma quebra de tensão
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Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4

devido ao condensador de saída, CL, durante o tempo que o conversor inicia a sua operação (ts). Se a configuração utilizada for a indicada na figura 5.2, as três equações seguintes permitem determinar o valor de CCPOUT e de CVDD [16].

Eq. 5-1

Eq. 5-2

Eq. 5-3

onde, IVDD é a corrente no conversor step up DC DC; VDDL é a tensão mínima de operação do conversor step-up DC-DC; ts é o tempo que o conversor demora a entrar em funcionamento.

Note-se que a equação 5-1 relaciona-se com a corrente no conversor charge-pump. Se esta corrente for demasiado elevada, a energia armazenada no condensador de arranque pode não ser suficiente para que o conversor step-up DC-DC funcione. Logo, quando a corrente no conversor é alta, há a necessidade de utilizar-se um condensador de arranque (start-upcapacitor) que apresenta um valor mais elevado de capacidade, tornando o tempo de descarga mais elevado. A equação 5-2 refere e prova que o charge-pump não funciona com conversores step-up DCDC a operar com tensão inferior à tensão de descarga. A equação 5-3 implica a utilização de um start-up capacitor de valor superior ao valor do condensador CVDD (pelo menos dez vezes) para carregar-se rapidamente e não desperdiçar toda a energia no processo.

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5V ------- ------- 3.1: Tensão de descarga para os quatro tipos de S-882Z [16]. Tensão de saída Série S-8353DxxMC Série S-8353HxxMC Série S-8353JxxMC S-8353J20MC-IYFT2 S-8353J25MC-IYKT2 2.8 a 2. 5-2 e 5-3. onde se pode verificarse que a tensão de saída do S-8353D30 ronda os 3.1.0V S-8353D30MC-IUP-T2 S-8353H30MC-IWPT2 -------- Desenvolveu-se um circuito que utiliza o S-882Z20 e o S-8353D30. Módulo S-882Z-20 com o módulo S-8353D30 O dispositivo S-882Z20 apresenta a tensão Vcpout1 igual a 2.0V S-8353D20MC-IUF-T2 ------- 2. Tabela 5.35 Temperatura do S-882Z (ºC) -30 a +60 -40 a +85 5. Destacam-se alguns modelos na tabela 5. Vcpout1 (V) 1. dois díodos Schottky e uma bobina.Tabela 5. Para a escolha dos condensadores foram tidas em conta as equações 5-1.0 1. Este circuito é constituído por quatro condensadores. pois era o único modelo disponível.0V. De um dos quatro tipos de dispositivos S-8353.2.3 0.4 Vin (V) 0. seleccionou-se o que apresenta uma tensão de descarga de 3.2.8 a 2. Os díodos utilizados foram adquiridos à empresa on semiconductor e possuem 0.0V.23V de queda de tensão quando em 50 .2: Várias tensões possíveis à saída para diferentes tipos de dispositivos S-8353D30 [14].0V.

Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4 condução.4. A bobina possui um valor típico de 22µH e possui o valor resistivo DC. Foram recolhidos os seguintes dados usando o esquema da figura 5.3: Diagrama esquemático da combinação do dispositivo S-882Z20 com o dispositivo S-8353D30. A Figura 5.4: Configuração utilizada em laboratório para obtenção dos dados.4 ilustra a configuração laboratorial utilizada. de valor 33mΩ.3 e a configuração da figura 5. Figura 5. 51 . Figura 5.

47 Iin (mA) 28 28.36 17.75 2.3: Dados obtidos em laboratório com a configuração da figura 5.4 e do circuito da figura 5.2 59 59. para uma tensão de entrada.004 Iout (mA) 1.2 Vout (V) 3. O circuito da figura 5.0V.2 61. A partir dos testes realizados em laboratório também foi possível concluir que para valores de capacidade (Ccpout) iguais a 10µF e 100µF o circuito não arrancou.Tabela 5.9 49.7 Pin (mW) 8.69 5.5 foi realizado em PCB de face simples e todos os pinos tem sockets para retirar e colocar livremente os componentes.3 que o rendimento está aquém das expectativas em relação ao que o dispositivo S-8353D30 apresentava na folha de características e como tal a conversão entre os dois dispositivos é fraca. 52 .391 0.5 Neste circuito.015 3.76 Pout (mW) 5.537 19.005 3.304 0.6 63.12 η (%) 61.30V. Vin igual a 0.03 11. a tensão na saída é de 3. Observa-se da tabela 5.25 6.512 9.237 28. Vin (V) 0.018 3.33 0.3.00 3.

53 .5: Placa de circuito impresso (face inferior) da combinação S-882Z20 com S8353D30. A placa da figura 5.5 possui também como característica fundamental o espaço necessário para colocar três tipos de bobinas com tamanhos e valores de indutância diferentes.Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4 Figura 5.

2. as resistências R1 e R2 são iguais a 510Ω e 630Ω. Ccpout igual a 100µF. 5-2 e 5-3): os condensadores possuem um ESR reduzido. Cout igual a 22µF e bobina L com 22µH de indutância. Cin igual a 22µF.Figura 5. 5. Os componentes seleccionados são. uma bobina com valor DC resistivo de 40 mΩ. respectivamente.6: Placa de circuito impresso (face superior) da combinação do dispositivo S882Z20 com o dispositivo S-8353D30. Efectuaram-se diversas experiências para obter os valores mais adequados à optimização da eficiência do circuito. 54 . A equação 5-3 tinha de ser obrigatoriamente respeitada. Módulo S-882Z com o módulo LTC3429 Selecção dos componentes Foram seleccionados os seguintes componentes tendo em conta as equações (5-1. CVDD igual a 10µF. caso contrário o circuito não arrancava.2.

5 70.4 apresenta os dados obtidos em laboratório.91 7.05 5.11 45.1 Vout (V) 3.7 35.6 4.57 22.5 Iin (mA) 40.4 3. A tabela 5.5 Iout (mA) 3.31 0.2 3.88 55 .32 5.05 Pout (mW) 10.89 0.4: Dados obtidos em laboratório utilizando o circuito da figura 5.Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4 Figura 5.97 η (%) 85 94 91 96 D 0.388 0.62 17.7. Tabela 5.87 0.3 50.88 0.45 0. Vin (V) 0.43 17.68 33.7: Diagrama esquemático da combinação do dispositivo S-882Z24 com o dispositivo LTC3429.17 20.55 Pin (mW) 12.

Quando se analisam os dados da tabela 5.5 pode-se verificar que este módulo cumpre os requisitos para os quais foi dimensionado. A tensão de saída (Vout) atinge os 3V quando na entrada do módulo é colocada apenas a tensão 310mV.

O circuito integrado LTC3429 é um conversor síncrono e como tal não necessita de díodos Schottky. Os resultados obtidos relativos ao rendimento são bem melhores aos obtidos com a configuração S882Z20-S8353D30. Isto deve-se às baixas perdas que o circuito integrado LTC3429 possui. Na configuração da figura 5.7 as principais perdas existentes estão nos condensadores, na bobina e no LTC3429.

5.3. Comparação de resultados (Módulo 2 + Módulo 3)
A partir dos dados da tabela 5.5 relativos ao circuito da figura 5.7 procedeu-se à constituição da curva da tensão de saída em função da tensão de entrada.

Tabela 5.5:Tensão de saída em função da tensão de entrada do charge-pump S-882Z24 e o dispositivo LTC3429.
Vin (V) Vout (V) 0,31 3,2 0,388 3,4 0,45 3,6 0,5 4,5

56

Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4

Figura 5.8: Curva da tensão de saída (Vout) no conversor DC-DC LTC3429 em função da tensão de entrada (Vin) imposta ao charge-pump S-882Z24.

A partir do gráfico pode-se facilmente constatar que o circuito atinge os requisitos impostos pelo projecto. Valores na saída de 3.0 V são atingidos com relativa facilidade. A tabela seguinte (tabela 5.6) apresenta dados do rendimento do circuito em função da tensão de entrada.

Tabela 5.6: Rendimento em função da tensão de entrada do circuito com o charge-pump S882Z24 e o dispositivo LTC3429.
Vin (V) η (%) 0,31 97 0,388 94 0,45 91 0,5 96

57

Figura 5.9: Curva do rendimento (%) para a combinação dos módulos 2 e 3 em função da tensão de entrada (Vin).

Os dados da tabela 5.7 apresentam a relação entre a tensão de entrada (Vin) e a tensão de saída (Vout) do circuito da figura 5.3. Trata-se da combinação entre o charge-pump S-882Z e o conversor S-8353D30.

Tabela 5.7: Tensão de saída em função da tensão de entrada com a combinação entre o charge-pump S-882Z20 e o conversor DC-DC S-8353D30.
Vin (V) Vout (V) 0,304 3,005 0,330 3,015 0,391 3,018 0,470 3,004

É possível visualizar através do gráfico correspondente aos dados da tabela 5.7 que a tensão de saída é apenas ligeiramente superior a 3.0 V de tensão. Isto acontece por duas razões. Foi utilizado um charge-pump com tensão de descarga de apenas 2.0V. A segunda razão é a utilização do conversor S-8353D30 no circuito. Este conversor tem como tensão máxima de saída 3.0V. Como tal a saída nunca poderia apresentar valores superiores a 3.0V.

58

Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4

Figura 5.10: Curva da tensão de saída (Vout) no conversor S-8353D30 em função da tensão de entrada (Vin).

Tabela 5.8: Rendimento em função da tensão de entrada com a combinação entre o chargepump S-882Z20 e o dispositivo S-8353D30.
Vin (V) η (%) 0,304 61.6 0,330 63.2 0,391 59.0 0,470 59.5

59

Figura 5.11: Curva do rendimento (%) para a combinação entre o charge-pump S-882Z20 e o

conversor DC-DC S-8353D30 em função da tensão de entrada (Vin).

O rendimento do circuito tal como se pode ver na figura 5.11 é reduzido. Mesmo assim o circuito atingiu os requisitos necessários ao projecto.

5.4. Alternativas

Na tentativa de melhorar o projecto em termos de eficiência foram procuradas alternativas à solução proposta. Os circuitos apresentados nesta secção são alternativos à combinação do S882Z24 com o LTC3429 sugeridos anteriormente.

60

12: Diagrama esquemático do circuito alternativo [7]. Figura 5.4.13: Tabela função do Integrado SN74AUC1G14 [22].2. O componente chave neste circuito é o integrado SN74AUC1G14 [22] da Texas Instruments. a corrente está limitada a 1mA.Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4 5. Com apenas 450 mV na entrada este pode gerar na sua saída 6V.45mW de potência. Figura 5. fornecida constantemente ou intermitente. 61 . No entanto. ligar este circuito directamente a um dispositivo wireless está fora de questão pois este necessita de pelo menos 9.1 Investigação e alternativas à combinação S-882Z24 com LTC3429 (circuito alternativo à combinação dos módulos 2 e 3) O circuito que se segue pode ser uma alternativa ao charge-pump S-882Z. Portanto. Este componente é um inversor Schmit Trigger cujo funcionamento se descreve na tabela de verdade apresentada na figura 6.

90% de eficiência. O circuito da figura 6. Foi utilizado depois o conversor DC-DC MAX1678 da empresa Maxim [19]. projectado com o tradicional NPN 2N2222 [7].3 permite obter uma onda quadrada de frequência 100 KHz resultante da malha exterior composta pela resistência R1 e pelo condensador C1. Verificou-se experimentalmente o funcionamento do SN74AUC1G14 a partir de 0.87V.14: Possível ligação alternativa à combinação do módulo 2 e 3. necessita de poucos componentes externos [19].45V.45V.3 permite obter uma onda quadrada de frequência 100 KHz resultante da malha exterior composta pela resistência R1 e pelo condensador C1.3. funciona como um rectificador síncrono (logo não precisa de díodo externo) e tem uma corrente de consumo quando activo de 37µA. projectado com o tradicional NPN 2N2222 [7]. O circuito da figura 6. Figura 5.Verificou-se experimentalmente o funcionamento do SN74AUC1G14 a partir de 0. 62 . Este sinal é utilizado num conversor elevador flyback de baixa potência. tensão de início de operação aos 0. Este sinal é utilizado num conversor elevador flyback de baixa potência. Estas características foram determinantes para a selecção deste componente para o circuito da figura 6. Este componente apresenta como principais características. Além disto.

Foi utilizado o componente ALD110900 da empresa Advanced Linear Devices. O circuito da figura 6. Figura 5. Este dispositivo faz parte de uma nova classe de MOSFETS que funcionam usando uma tensão muito baixa de funcionamento permitindo o desenho de circuitos digitais e analógicos para funcionamento a tensões muito reduzidas [26].15: Circuito oscilador com ALD110900 da Advanced Linear Devices. Este componente é constituído por quatro transístores MOSFET que conduzem praticamente a partir de uma tensão VGS> 0.4. Tal como foi referido anteriormente a figura 6.5 mostra que o integrado ALD110900 é constituído por quatro MOSFETS.Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4 5.4 pode funcionar como uma segunda alternativa ao charge-pump apresentado no capítulo 3.0 V e de uma tensão Ids> 1µA (tecnologia EPAP).2 Circuito Alternativo ao Módulo 2. 63 .

16V e 0.4 foi testado. aproximadamente. Têm como desvantagem a baixa corrente de saída. O circuito da figura 6. A tensão alternada gerada pode então ser convertida em valores mais elevados.Figura 5. O valor desta corrente é dada pela tensão de entrada a dividir pela resistência de saída. este gera uma onda quadrada de frequência igual a 300KHz e de amplitude sempre entre o valor V+ e GND. com circuitos charge-pump.6V. e funciona entre 0. 64 .16: Esquema interno do ALD110900 [26].

1. As principais características de teste deste emissor (tensão de alimentação. Dispositivos wireless utizados A placa de transmissão de sinal sem fios RTFQ1 é apresentada na figura 6. Nesta secção serão apresentadas aplicações wireless utilizadas nos circuitos dos conversores desenvolvidos.1. um chapéu.1. 6. frequência de transmissão e a sua velocidade de transmissão ou baud rate) são apresentadas na tabela 6. onde a temperatura do corpo humano é medida. Dispositivos Wireless .1. Esta tem apenas na sua constituição seis pinos e dimensões extremamente reduzidas.Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4 6. Transmissor Figura 6.1.1: Imagem do módulo emissor [24]. 65 . podendo assim ser incorporada facilmente num objecto.Módulo 4 6. corrente. por exemplo. Módulo 4 comunicação sem fios (wireless) No módulo 3 foram apresentados os conversores DC-DC usados nesta dissertação.

A figura 6.0 V Típico Máximo Unidades 7 8 Ma 433.2.92 MHz Como receptor foi usada a placa RRFQ1. esta possui dimensões reduzidas.2 apresenta essa mesma placa e as principais características são apresentadas na tabela 6.3 4.6 KHz 2. do mesmo fabricante.Tabela 6.2: Imagem real da placa receptora de sinal wireless [24].1: Principais características do módulo emissor RTFQ1 [24]. Características Mínimo eléctricas Tensão fornecida RTFQ1 Corrente fornecida Frequência Velocidade máxima de transmissão 9. Receptor Figura 6.1 3. Tal como para a placa emissora. 66 .

Tabela 6. a corrente em operação.5 V 5. como se pode ver na tabela 6. a corrente em stand-by.5 5 5. Características eléctricas Vcc Tensão alimentação Corrente (em operação) Corrente (em stand-by) Frequência receptora Taxa de transmissão do RRFQ1 mili Tempo de activação 8 segundos (ms) Mínimo Típico Máximo Unidade Notas 4.2: Principais características da placa emissora RRFQ1 [24].Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4 Das características realçam-se a tensão de alimentação.2.92 MHz 300 9600 KHz 67 .7 6.8 Ma 100 Na 433. a corrente fornecida em operação. a frequência e o tempo de activação.

Testes Laboratoriais Foram feitos testes em laboratório usando os circuitos da figura 6.3: Circuitos emissor e receptor. Figura 6.3 referentes aos módulos wireless RTFQ1 e RRFQ1 para se determinar os valores de tensão e corrente de funcionamento.2. 68 . Esta temporização é da ordem dos milisegundos e é dada pela malha RmCm. 3 (conversor DC-DC) e o módulo 4 foi utilizado um MOSFET de canal P da empresa Vishay Siliconix com uma baixa tensão VGS (0. Foi possível verificar que a onda quadrada é enviada a partir de 2.5mΩ [18].5mA de corrente consumida. Este MOSFET proporciona um atraso ao ligar.1V de tensão e com apenas 4. Em laboratório procedeu-se a testes e verificou-se que a onda recebida era igual á enviada.4V) e uma resistência DC em condução. Foi introduzida uma onda quadrada de frequência 1KHz e amplitude 4V no circuito emissor RTFQ1 e recebida uma onda no circuito receptor RRFQ1 com os mesmos valores da onda emitida.2. Para se fazer a ligação entre os módulos 2 (circuito de charge-pump). de aproximadamente 7. para que o condensador C out carregue o suficiente para alimentar o módulo emissor. RTFQ1 e RRFQ1 respectivamente [24].6. isto a uma distância de dois metros.

Capítulo 6: Dispositivos W ireless – Módulo 4 Figura 6. 69 . Uma das possíveis aplicações para o circuito da figura 6. Esta transmitiria por exemplo dados da temperatura do corpo humano.4: Diagrama esquemático do circuito final.5: Exemplificação de uma possível aplicação usando o circuito da figura 6.4 [1].4 é a sua utilização num chapéu com capacidade de monitorizar e transmitir sinais biomédicos. Figura 6. O circuito aproveitaria a energia de um gerador termoeléctrico para fornecer a potência necessária à placa emissora.

70 .

4V.1. São dos componentes mais caros juntamente com a bobina. Custos O protótipo de um conversor foi construído usando um charge-pump com uma tensão de descarga de 2. Este conversor é relativamente barato. porque se pudesse ter sido empregue o modelo que tem como descarga de tensão 2. um conversor DC-DC e um MOSFET de canal P. Os componentes que têm o menor preço são sempre os componentes que são produzidos em maior quantidade. Quanto mais específicas são as características que se quer para os componentes mais caros estes se tornam. Como foi já referido. A principal causa para a sua escolha foi o seu baixo valor de resistência.1.4. Como exemplo considere-se a bobina de 22µH apresentada na tabela 7. É sabido que para as empresas consigam levar um projecto a partir do seu estado inicial embrionário até a um estado mais avançado ou protótipo estas tentam reduzir custos ao longo do caminho realizado por esse produto.0V ou 1. o seu valor seria reduzido para metade. o LTC3421 (Linear technology) é mais eficiente do que o LTC3429 (também da Linear Technology) apresentando um custo superior (6.1. 71 . Desde a concepção até ao protótipo procurou-se reduzir os custos do circuito da figura 6. O custo do LTC3429 poderá estar associado à sua elevada eficiência. Conclusões 7. A escolha entre condensadores electrolíticos e de tântalo também se reflecte no custo final (são mais baratos os electrolíticos dos que os de tântalo).8V.4V. Finalmente uma pequena referência ao custo do charge-pump e do conversor DC-DC. que se traduz numa maior eficiência do circuito. Introdução No mundo da Engenharia torna-se fundamental analisar os custos associados ao projecto e o impacto ambiental associado a esse mesmo projecto. Com este projecto não foi muito diferente.Capítulo 7: Conclusões 7. Isto deve-se provavelmente ao facto de que o S-882Z24 é o modelo que tem como tensão de descarga 2.40€). 7.1.

64 12 Ccpout CVDD Cout Cin 100µF 10µF 33µF 47µ 2. Para os condensadores a resistência refere-se ao valor ESR e para a bobina trata-se do valor resistivo para corrente contínua.05 2. O custo total do projecto é de 28.60 ------------- L 22µH 4.23 Componentes Valor Resistência (mΩ) ------------- Fabricante S882Z24-M5TG1 ----------- SEIKO SYSTEMS LINEAR TECHNOLOGY MURATA POWER SOLUTIONS NICHICON SANYO SANYO NICHICON VISHAY LTC3429 ----------- 4.71 Na tabela 7.71€.17 0. O custo total deste 72 .20 0.82 60 120 SANYO SANYO Oficinas Assemblagem ------------ 5 ------------- Departamento Electrónica Total 28.1 são apresentados os valores de resistência para os diversos componentes.Tabela 7.1: Custos dos componentes utilizados no protótipo.5 SILICON IX Cm Cmm 20µF 1µF 0.09 7.02 22 55 50 30 Pchannel MOSFET ----------- 3. para menos de 10 unidades.89 2. Preço/unidade (€) 3.

1: Placa da combinação do dispositivo S-882Z24 com o dispositivo LTC3429. A placa relativa ao conversor da tabela 7. Com dupla face custaria 10€. Todas as placas que se apresentaram neste trabalho são de face simples. Na face inferior figuram os restantes componentes tal como se pode ver pela figura 7. A figura 7. A produção em quantidades superiores proporcionará também uma diminuição significativa dos custos.Capítulo 7: Conclusões projecto é relativamente baixo quando comparado com o custo total de um projecto de um gerador termoeléctrico em que será integrado. 73 . Nesta face apenas figuram os componentes S-882Z24 e o conversor DC-DC LTC3429. Figura 7.1 mostra uma das faces do conversor desenvolvido. para redução de custos.2.1 teve um custo de 5€.

a sua dimensão é inevitável.1. Através da visualização da figura 7. O protótipo desenvolvido no capítulo 5 permite o uso de energias renováveis em aplicações de ultra baixa potência.Figura 7. Melhores componentes utilizados contêm chumbo. No entanto. em detrimento das baterias para fornecer a potência necessária a sensores e sistemas de monitorização. dado o valor de indutância (22µH) e da resistência interna (12mΩ) pretendidos. Impacto ambiental Todas as placas desenvolvidas são de face simples para poupar no custo total do projecto e para poupar nos materiais. A baixa tensão produzida a partir de fontes de energia renováveis tais como os sistemas termoeléctricos apresentados no capítulo 2 pode ser aproveitada e convertida para níveis de tensão acima dos 3V. a não ser que se utilizem componentes montados em superfície (SMD).2. minimizando-se assim o impacto ambiental.2: Vista de Topo da Placa.2 é perfeitamente perceptível que a bobina tem um tamanho considerável em relação ao tamanho da placa. 7. 74 . conforme normas RoHS.

aumenta ou melhora significativamente. Como tal foi necessário encontrar um circuito que fosse capaz de utilizar este nível de tensão tão baixo. Foi estudado o comportamento do S-882Z. Ficou demonstrado com os testes relativos ao circuito que envolvem o S-882Z18 com o S8353 que esta combinação atinge o valor de tensão que se pretendia na saída. 75 . Foram também estudados alguns conversores DC-DC. Conclusões Não existe nenhum conversor DC-DC no mercado que consiga elevar níveis reduzidos de tensão (da ordem dos 300mV) para tensões compatíveis com circuitos electrónicos (>3V). LTC3429 e o LTC3421. Foi assim escolhido o circuito que envolve o S-882Z24 com o LTC3429 para se enviar informação usando comunicação sem fios (wireless).Capítulo 7: Conclusões 7. a eficiência.1. De seguida foi colocada uma onda quadrada na placa wireless RTFQ1 e verificou-se que a onda quadrada enviada era recebida na placa de recepção RRFQ1. tal como era exigido pelo projecto. No entanto o uso do componente S8353D30 envolve o uso de díodos Schottky o que diminui em aproximadamente 4% a eficiência do circuito. 3V e 17 mW de potência disponíveis na saída do conversor DC-DC. A sua função é a de atrasar o fornecimento de energia à placa wireless apenas por alguns milisegundos. Escolheram-se para estudo de comportamento os integrados S-8353D30. Os seus dutycycle de valor elevado descritos nas respectivas folhas de características foram um factor a ter em conta. Como não se podia ligar directamente o conversor desenvolvido directamente à placa wireless foi utilizado o MOSFET Si4423DY da empresa Vishay Siliconix e que possui uma tensão Gate-Source (VGS) de 400mV [18]. O comportamento da combinação S-882Z24 com o LTC3429 teve resultados em muito superiores à combinação que usava o S-8353D30. Ficou assim provado que o trabalho desenvolvido e toda a investigação efectuada tiveram os melhores resultados. A partir dos testes efectuados verificou-se que este era o componente ideal.3. um charge-pump inovador da Seiko Systems. Este sucesso devido ao uso do LTC3429 deve-se ao facto de este ser um conversor síncrono e como tal na conversão ou transferência de energia do S-882Z para este componente.

podem ser substituídos os condensadores e bobina por componentes montados em superfície (SMD).7. A placa representada pela figura 7. pois. Os módulos 2 e 3 podem no futuro ser simulados utilizando por exemplo o software Orcad para uma melhor compreensão do comportamento destes componentes isolados ou a operar em conjunto com outros dispositivos. Desta forma o espaço ocupado pelos componentes utilizados neste projecto será em muito reduzido. A alternativa 2 apresentada é muito interessante. As alternativas apresentadas no capítulo 6 podem também garantir uma continuidade neste trabalho. Para tal. Desta forma. benefícios para o projecto devido à sua corrente de consumo extremamente baixa.1 e que se refere à combinação do S-882Z24 com o LTC3429 pode ser substancialmente melhorada. a partir de 0.2. vai-se poupar tempo e dinheiro em testes desnecessários. Possibilidades no Futuro O uso do LTC3421 poderá trazer no futuro. 76 .16 V é gerada uma onda quadrada que pode polarizar um charge-pump.

Hong Kong Polytechnic University. L. Efficiency. (2008) [5] Http://www. 2008 IEEE [8] Guangyong Zhu and Adrian Ioinovici “Switched-Capacitor Power Supplies: DC Voltage Ratio.2V-1.Correia “A wireless eeg acquisition system with thermoelectric scavenging microdevice”. [4] A.2V Converter for Power Harvesting Applications”. Dept of Electronics Italy 25123.B. University of Brescia Brescia.H. Gonçalves. C.M. Novembro 2008.com/~bradbury/petaflops/siardmap. N. Universidade do Minho. Lopes.Dias.M Goncalves “Microssistema Termoeléctrico baseado em recursos de bismuto e antimónio” Universidade do Minho. Mendes and J. Silvia Tonoli and Zsolt Kovács “A 0.aeiveos. pág 553 à 556 77 . Department of Electrical Engineering.P Carmo. Regulation”. Luigi Colalongo. Texas Instruments. 1996 IEEE. R.M Goncalves. 2009 [2] L.sii-ic. Hong Kong and Institute for Technological Education. P. Godart “Novos compostos termoeléctricos: uma potencial fonte de energia verde”.P.html [7] Anna Richelli. Boletim Quimica. 22 Julho de 2008 [3] Murugavel Raju “Energy Harvesting ULP meets energy harvesting: A game-changing combination for design engineers”.P. MCU Strategic Marketing.jsp [6] Http://www. 111.Rocha. E.com/en/s882z. Ripple.Bibliografia Bibliografia [1] J.

Edward S. Germany. University of Illinois at Urbana-Champaign. IL USA and Northrop Grumman Space Technology. 2007 [10] Jonathan W.1. Rev. CA USA. “Microelectronic Circuits”: Published by Oxford University Press. IEEE. Chapman “Issues with low input Voltage boost es _converter_Design”: IEEE. 2007 IEEE. 90411 Nuernberg. Flowers. Student Member. Néstor Lucas. Sedra and Kenneth C.[9] Peter Spies. Markus Pollak and Peter Spies “Human Body Energy Harvesting Thermogenerator for Sensing Applications”. Sr.1_00 78 . Markus Pollak.Rogers “Charge Pumps: an Overview”. and Patrick L. Kimball. Cosmin Codrea. Theresa L. Urbana. October 1983 [14] Datasheet S-8353/S-8354 Series: Ultra-Small Package PWM Control. 500 kHz Micropower Synchronous Boost Converter with Output Disconnect [16] Datasheet S-882Z Series: Ultra-Low Voltage Operation Charge Pump IC for Step-Up DC-DC-Converter Start-Up. pág. PWM/PFM Switching Control Step-up Switching Regulator [15] Datasheet LTC3429: 600mA. Redondo Beach. Department of Electrical and Computer Engineering University of Toronto. 5th Edition 2004 [13] Louie Pylarinos. IEEE.366 à 372 [12] Adel S. Member.Smith. 2004 [11] Loreto Mateu. Günter Rohmer “Power Management for Energy Harvesting Applications”.

High-Efficiency. Low-Noise. Step-Up DC-DC converter [20] Datasheet condensadores Sayno: SPSeries Large Capacitance. 3MHz Micropower Synchronous Boost Converter with Output Disconnect [18] Datasheet Vishay siliconix: MOSFET Si4423DY [19] Datasheet Max1678: 1-Cell to 2-Cell. Low ESR Optimum for Audio etc [21] Datasheet condensadores nichicon: LF Series Conductive Polymer Aluminum Solid Electrolytic Capacitors [22] Datasheet SN74AUC1G14: Single Schmitt-Trigger Inverter [23] Datasheet Murata bobinas: 1400 Series Bobbin Type Inductors [24] Datasheet Transmissor Receptor: FM transmitter & Receiver Hybrid Modules FMRTFQ1 Series FM-RRFQ Series [25] Datasheet on semiconductor NSR0320MW2T1-D: Schottky Barrier Diodes [26] Datasheet Advanced linear devices: MOSFET ALD110900 [27] Datasheet Panasonic Coils: Choke Coils 79 .Bibliografia [17] Datasheet LTC3421: 3A.

80 .

Anexos 81 .Bibliografia 8.

12 usando o software PADS Layout.Anexo A Figura A. 82 .1: Placa de PCB desenvolvida para o esquema da figura 3.

2: PCB do circuito representado na figura 4.Bibliografia Figura A.2 (S-8353D30). 83 .

Figura A.3: Placa PCB desenvolvida a partir do diagrama esquemático do circuito da figura 4. 84 .5 (LTC3429).

Bibliografia Figura A.8). 85 .4: Placa do circuito impresso do LTC3421 (figura 4.

5: Placa de circuito impresso do diagrama esquemático do circuito da figura 5.Figura A. 86 .5 (combinação S-882Z e S-8353).

1 (Combinação S882Z-LTC3429).Bibliografia Figura A. 87 .6: Placa PCB do diagrama esquemático do circuito da figura 7.

Anexo B Folhas de Características 88 .