C ít l 10: Capítulo 10 Amplificadores de microondas

Objetivo: Diseño de amplificadores de microondas. Se partirá de los parámetros medidos o proporcionados por el fabricante para llegar a construir un amplificador con las características pedidas de: estabilidad, ganancia, ruido, ancho de banda y desadaptación a la entrada y salida pedida (ROEin y ROEout). ) Será indispensable, desde el punto de vista de diseño, el manejo de la carta de Smith. T bié se verán También á características í i adicionales di i l de d diseño di ñ como estrategias de polarización. Por último se contemplarán los tipos de amplificadores de potencia.
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10- 1

ÍNDICE
• • • • • • • • • • • • Índice. I Introducción. d ió Propiedades de la transformación bilineal. Criterios de diseño de amplificadores de microondas en transmisión transmisión. Estabilidad de amplificadores de microondas: circunferencias de estabilidad. Ganancia en amplificadores de microondas: circunferencias de ganancia. Ruido en amplificadores de microondas: circunferencias de ruido. Desadaptación de entrada y salida: circunferencias de desadaptación. A lifi d Amplificadores de d banda b d ancha. h Polarización de amplificadores. Amplificadores de potencia. potencia Conclusiones.

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INTRODUCCIÓN A AMPLIFICADORES EN MICROONDAS (I) ()
• Origen: amplificadores paramétricos a reflexión construidos básicamente con varactores y circuladores (desde 1958 hasta década de 1970)
– Utilizan el concepto de resistencia negativa del diodo varáctor, diodo Gunn o Impatt.

IS ZS ZL

Transformador

ZD

• • •

Las mejoras realizadas en el transistor bipolar durante la década de los 70 le permitieron que pudiera trabajar como oscilador hasta 10 GHz. GHz Al mismo tiempo se empezaron a utilizar BJTs y MESFETs en circuitos amplificadores en transmisión. Clave: miniaturización y reducción de efectos parásitos de L y C.
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Diseño de la red de polarización. Diseño de la red de microondas o radiofrecuencia. – – – – – – Elección del dispositivo transistor. se integran líneas de transmisión impresas con circuitos integrados (tecnología MIC. microwave integrated circuits). C Caracterización i ió del d l mismo. tareas En rojo se marcan las tareas de diseño.INTRODUCCIÓN (II): DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE MICROONDAS EN TRANSMISIÓN • • • • Se abordará el diseño de amplificadores basados en dispositivos semiconductores. propiamente dicho. UC3M. No se presentará la tecnología monolítica (MMIC. monolithic microwave integrated circuits) donde todas las redes aparecen integradas en un circuito único. i Elección del substrato. El funcionamiento de los dispositivos será en transmisión transmisión. Medida y ajuste del amplificador. Grupo de Radiofrecuencia.4 . Se utilizará tecnología híbrida. Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. El diseño de cualquier amplificador en tecnología híbrida requiere distintas tareas.

UC3M. C Selección substrato • Fabricante • Cálculo de impedancias • Síntesis de las redes Elección El ió del d l dispositivo Caracterización C i ió del dispositivo Tecnología Red R d de d polarización Diseño Di ñ d de redes d de adaptación Medida M did y ajuste Datos del fabricante o caracterización propia Elementos ajustables • Selección S l ió d del l punto de d trabajo b j • Circuito DC para obtenerlo • Red de desacoplo • Red R d de d polarización l i ió independiente i d di t del d l circuito i it Microondas-10. BC • Clase: A. AB. Tema 10: Amplificadores de Microondas . Septiembre 2009.INTRODUCCIÓN (III): DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE MICROONDAS • Tipo: bipolar.5 Grupo de Radiofrecuencia. FET • Configuración: EC. B.

– Mayor movilidad de los dispositivos: se pueden alcanzar frecuencias mayores. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. Septiembre 2009. Desarrollo de la tecnología de los FET: – En aplicaciones donde el ruido sea importante es la primera opción. • Hasta 120 GHz basados en heteroestructuras.6 .INTRODUCCIÓN (IV): elección del dispositivo • La tecnología bipolar se utiliza para aplicaciones de hasta 8 GHz. • Hasta 40 GHz basados en homoestructuras homoestructuras. UC3M. en amplificadores lifi d d de ganancia i ( (no son recomendables d bl en b bajo j ruido) id ) y para osciladores por su bajo ruido de fase. • • Problema: efectos parásitos provocan realimentación del dispositivo que pueden hacerlo oscilar: – Inductancia de la fuente a masa – Capacidad entre drenador (colector) y puerta (base) Grupo de Radiofrecuencia.

más que redes de adaptación. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. ) Grupo de Radiofrecuencia. Estas redes.7 . son redes de transformación de impedancias que transforman las impedancias terminales en las requeridas (ZS) y (ZL). Septiembre 2009. Dichas impedancias se consiguen por las llamadas redes de adaptación de entrada y salida.INTRODUCCIÓN (V): diseño de la red de radiofrecuencia ZS IS Red de adaptación de entrada ZL Red de adaptación de salida • • • A partir de este instante se prestará atención al diseño de la red de radiofrecuencia y se dejará para el final del tema la red de polarización. La red de radiofrecuencia tendrá por objeto sintetizar las impedancias de fuente (ZS) y de carga (ZL) para conseguir las propiedades que se buscan. UC3M.

ruido. transistor. S para conseguir las características de diseño pedidas al amplificador: estabilidad. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. ZS) Grupo de Radiofrecuencia. Zout=f([S].8 . ZL). desadaptación a la entrada y a la salida (desajuste entre ZS y Zin ó ZL y Zout) Medios: – Carta de Smith – Transformación bilineal: Zin= f([S]. UC3M. ganancia. Septiembre 2009.INTRODUCCIÓN (VI): objetivo ZS IS Zf • ZL [S] Red de adaptación d salida de lid Zc Red de adaptación d entrada de t d Zin Zout • Objetivo: – Determinación de las impedancias de carga ZS y ZL con que es necesario cargar el transistor definido a partir de los parámetros S.

luego es conveniente trabajar en dicho p plano. mediante una transformación bilineal. se transforma en otra circunferencia en un plano B • • • Repaso. – Una circunferencia en un plano A.9 Grupo de Radiofrecuencia. UC3M. – La relación entre cargas en dos planos diferentes viene dada por una transformación bilineal. Septiembre 2009. centro (xo. ecuación de una circunferencia: circunferencia. Tema 10: Amplificadores de Microondas . zo=xo+jyo Z − Z o − R 2 = 0 ⇒ (Z − Z o ) ⋅ (Z − Z o ) − R 2 = 0 2 * * * Z ⋅ Z * − Z ⋅ Zo − Z * ⋅ Zo + Zo ⋅ Zo − R2 = 0 ( ) (1) Microondas-10. Notación con números complejos: z=x+jy. yo) y radio R (x − xo )2 + ( y − yo )2 = R 2 ⇒ x 2 + y 2 − 2 xxo − 2 yyo + (xo2 + yo2 − R 2 ) = 0 La carta de Smith trabaja en el plano complejo.TRANSFORMACIÓN BILINEAL (I) • Punto de partida: – El lugar geométrico de las cargas objeto de diseño suele ser una circunferencia.

Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. Transformación bilineal del plano complejo Z en el plano complejo W A⋅ Z + B A ⋅ Z + B A* ⋅ Z * + B * 2 2 2 W= ⇒W =ρ ⇒ ⋅ * * − ρ =0 * C⋅Z + D C ⋅Z + D C⋅Z + D • Algebraicamente: circunferencias del plano Z se transforman en circunferencias del plano W y viceversa. UC3M. la circunferencia |W|2=ρ2 resulta en una circunferencia en el p plano Z con centro y radio: Zo (ρ = 2 D ⋅ C * − B ⋅ A* 2 2 A − ρ2 ⋅ C ).TRANSFORMACIÓN BILINEAL (II) • • El siguiente g paso p es la transformación de un lugar g geométrico g en un plano p en otro lugar geométrico en otro plano. Z ⋅ Z * ⋅ A ⋅ A* − ρ 2C ⋅ C * − Z ⋅ ρ 2C ⋅ D * − A ⋅ B * − Z * ⋅ ρ 2 D ⋅ C * − B ⋅ A* + B ⋅ B * − ρ 2 D ⋅ D * = 0 ( ) ( ) ( ) ( ) (2) ( ) • Comparando (1) y (2).10 . Septiembre 2009. R = ρ ⋅ A⋅ D − B ⋅C A − ρ2 ⋅ C 2 2 Grupo de Radiofrecuencia.

DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE MICROONDAS UTILIZANDO LOS PARÁMETROS S DEL TRANSISTOR • • • Un transistor viene definido por los parámetros S que da el fabricante o por las medidas que puedan hacerse del mismo conectado a líneas de 50 ohm. Septiembre 2009. Mínima figura de ruido. …) pero asegurando la estabilidad del dispositivo – Estabilización mediante cargas resistivas en entrada. …) – Hay que dejar algún margen de variación de los parámetros S Objetivos de diseño: – – – – – – – Máxima ganancia de potencia. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. b l d cascodo. push-pull. UC3M. ruido Ganancia estable lo que supone que no haya oscilaciones ROE de entrada y salida lo más cercanas a la unidad. Insensibilidad a pequeños cambios en los parámetros S • Las topologías L t l í en baja b j frecuencia f i son válidas álid (amplificadores ( lifi d balanceados.11 . salida o ambas (PADDING) – Estabilización mediante realimentación negativa Grupo de Radiofrecuencia. humedad. con cualquier variación en las condiciones de medida (temperatura. Ganancia uniforme en un ancho de banda (ROE por debajo de un valor en esa banda) Respuesta de fase lineal. Los parámetros S varían con cualquier cambio en la polarización.

12 .RESUMEN DE PROPIEDADES EN EL DISEÑO DE LA RED DE RADIOFRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR PROPIEDAD Estabilidad Ganancia CARACTERÍSTICA Entrada (se define en Γin que depende de ΓL) Salida (se define en Γout que depende de ΓS) Potencia Transducción Disponible Ruido Entrada Desadaptación Salida X X X X X X X X PLANO ΓS PLANO ΓL X Grupo de Radiofrecuencia. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. UC3M. Septiembre 2009.

No obstante. Septiembre 2009.CONCEPTO DE GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (I) • Definiciones: – Ganancia i de d potencia: i Gp=(Potencia ( i entregada d a la l carga)/(Potencia )/( i de d entrada d al l amplificador) lifi d ) – Ganancia transducción: G= (Potencia entregada a la carga)/(Potencia disponible del generador) – Ganancia disponible: Ga= (Potencia disponible en la carga)/(Potencia disponible del generador) • • Desde el punto de vista de diseño la ganancia importante es la de transducción ya que relaciona las potencias a las que se tienen acceso real: la potencia que recibe la carga y la potencia que entrega el generado. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. – Las L circunferencias i f i de d ganancia i de d potencia i NO tienen i i intersección ió con las l de d ruido. Grupo de Radiofrecuencia. id – Las circunferencias de ganancia disponible SÍ tienen intersección con las de ruido. se suele hacer un diseño en términos de ganancia de potencia (plano de salida) o disponible (plano de entrada). por razones de simplificar el diseño y considerar sólo una carga (en el plano de salida o en el de entrada).13 . UC3M. – Se suele utilizar la ganancia de potencia cuando queremos separar el plano de salida en donde diseñamos la ganancia de potencia del plano de entrada donde diseñaríamos para un ruido óptimo.

g Un amplificador es estable cuando no oscila.CONCEPTO DE GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (II) • • Se anticipa el concepto de estabilidad en un amplificador para poder generalizar las definiciones de ganancia. pero las regiones de estabilidad de entrada o de salida son diferentes. es decir cuando la potencia reflejada en la puerta del amplificador es menor que la potencia incidente. bl no se puede d conseguir i adaptación d ió conjugada simultánea en la entrada y la salida manteniendo la estabilidad del amplificador. Independientemente de la carga que se conecta conecta. UC3M. Septiembre 2009. El carácter de estabilidad del transistor es uno. Si el l di dispositivo i i sólo ól es condicionalmente di i l estable.14 . Esto supone que el módulo del coeficiente de reflexión es menor q que 1. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. anterior Entonces: – Se puede conseguir adaptación conjugada SIMULTÁNEA a la entrada y a la salida – Gp= G= Ga= Gmax • • • Condiciones C di i de d estabilidad t bilid d condicional: di i l dependiendo d di d de d las l cargas que se conecten. siempre se verifica la condición anterior. t el l amplificador será estable o inestable. Grupo de Radiofrecuencia. ΓIN < 1 y ΓOUT < 1 Ganancia en condiciones de estabilidad incondicional.

UC3M. p Se vuelve a insistir que el diseño consistirá en sintetizar ZS y ZL pero ZS influye en el valor de Zout mientras que ZL en Zin En esos planos de entrada y salida habrá que considerar la desadaptación que se produce mediante el coeficiente de desadaptación M. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.CONCEPTO DE GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (III) • • • La figura muestra el conjunto de cargas y de transformaciones entre ellas que ocurren en el diseño de un amplificador. Septiembre 2009.15 . ZS a1 VS ΓS b1 ZS Γin Zin [S] ZL Γout Zout a2 b2 ΓL ZL Grupo de Radiofrecuencia.

16 . source) y en el plano de salida (L. Por el teorema enunciado en el capítulo 3 sobre el coeficiente de desadaptación se puede afirmar fi que el l coeficiente fi i t de d desadaptación d d t ió a lo l largo l de d la l red d de d entrada t d y de d la l red d de d salida lid permanecen constantes. Septiembre 2009.GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (IV): OBTENCIÓN DE EXPRESIONES DE GANANCIA Zo ZS ZL [S] Γout Zout ML a2 b2 ΓL Red adapta Z o salida M1=ML VS Red a1 adapta ΓS Γin entrada b1 Zin M1=MS MS • • • En el plano de entrada (S. Es decir: MS =M1 y ML =M2 En el plano donde se encuentra M1 podemos identificar el coeficiente de reflexión conjugado con el l coeficiente fi i de d reflexión fl ió a la l línea lí y con los l parámetros á con él relacionados. UC3M. l i d Grupo de Radiofrecuencia. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. load) los coeficientes de d d t ió son MS y ML y representan desadaptación t la l discrepancia di i entre t ZS y el l conjugado j d de d Zin (MS) y entre ZL y el conjugado de Zout (ML).

Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. UC3M. Septiembre 2009.17 . Desarrollando a partir del plano 1 ( ) ( ) M S = 1 − ρS = 2 4 ⋅ RS ⋅ RIN Z S + Z IN 2 = M1 ROE1 = 1 + Γ1 1 − Γ1 = 1 + 1 − M1 1 − 1 − M1 teorema = 1+ 1− M S 1− 1− M S = 1+ ρS 1− ρS Grupo de Radiofrecuencia.GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (V): OBTENCIÓN DE EXPRESIONES DE GANANCIA Zo ZS ZL [S] Γout Zout M a2 b2 ΓL Red Adapta Z o salida M =M VS Red a1 Adapta ΓS Γin entrada b1 Zin M1=MS MS 1 L L PL ⎧ 2 G = 1 ⎫ p Pinc = ⋅ V + ⋅ Yc ⎪ ⎪ Pin ⎪ 2 ⇒ ⎬ ⎨ 2 ⎪G = PL = 1 − ρ 2 ⋅ G Pin = 1 − ρ S ⋅ Pinc ⎪ S p ⎭ ⎪ Pinc ⎩ Por el teorema de invarianza del coeficiente de desadaptación.

Tema 10: Amplificadores de Microondas (1− Γ )⋅ (1− Γ ) = 2 2 OUT L 1− ΓIN ⋅ ΓS 2 1− ΓOUT ⋅ ΓL 2 Microondas-10.18 . UC3M.CONCEPTO DE GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (VI): OBTENCIÓN DE EXPRESIONES DE GANANCIA ZS a1 VS ΓS b1 ⎧b1 = s11a1 + s12 a2 ⎨ ⎩b2 = s21a1 + s22 a2 ZS [S] ZL a2 Γout Zout b2 VS P ⋅ MS in = P disp p ⋅ MS = 8RS MS = ML = 4RinRS ZS + ZIN 4RoutRL ZL + ZOUT 2 2 2 IN 2 Γin Zin ΓL ZL Parámetros S del transistor Condición de terminación a2 = ΓL b2 ( 1− Γ )⋅ (1− Γ ) = 2 S Parámetro de entrada: ΓIN = s11 + s12 ⋅ s21 ⋅ ΓL (s11 − Δ ⋅ ΓL ) = 1 − s22 ⋅ ΓL 1 − s22 ⋅ ΓL Grupo de Radiofrecuencia. Septiembre 2009.

19 Grupo de Radiofrecuencia.Δ = s11 ⋅ s22 − s12 ⋅ s21 2 GT = G = GP ⋅ M S = s21 ⋅ 1 − ΓS 2 2 ( 2 1 − s22 ⋅ ΓL 1 − ΓIN ⋅ ΓS )⋅ (1 − Γ ) = L 2 (1 − s11 ⋅ ΓS ) ⋅ (1 − s22 ⋅ ΓL ) − s21 ⋅ s12 ⋅ ΓS ⋅ ΓL 2 * Z OUT s21 ⋅ 1 − ΓS ( )⋅ (1 − Γ ) 2 L • Condiciones de estabilidad incondicional: * Z S = Z IN ZL = K >1 GP = G p . Septiembre 2009. MAX = G = GMAX = s21 s12 s21 s12 ⋅ K − K 2 − 1 = MAG Factor de Rollet ( ) = figura de mérito K = 1 − s11 2 − s 22 2 + Δ 2 2 s12 ⋅ s 21 Microondas-10.GANANCIA DE POTENCIA DE UN AMPLIFICADOR (VII): OBTENCIÓN DE EXPRESIONES DE GANANCIA • Ganancia de potencia: 2 2 s21 ⋅ 1 − ΓL PL GP = = PIN 1 − s22 ⋅ ΓL 2 ⋅ 1 − ΓIN Ganancia de transducción: ( • ( ) 2 ) = s21 ⋅ 1 − ΓL 2 2 ( 2 ) 2 2 1 − s22 ⋅ ΓL − s11 − Δ ⋅ ΓL 2 . UC3M. Tema 10: Amplificadores de Microondas .

2 2 2 s21 ⋅ 1 − ΓS ⋅ 1 − ΓL Ganancia de transducción GTU = G = (1 − s11 ⋅ ΓS ) ⋅ (1 − s22 ⋅ ΓL ) 2 Ganancia de potencia 2 2 s21 ⋅ 1 − ΓL GPU = . UC3M. Septiembre 2009. 2 2 1 − s22 ⋅ ΓL ⋅ 1 − s11 ( )( ) ( ( ) ) • Figura de mérito unilateral U= (1 − s )⋅ (1 − s ) 2 2 11 22 s12 ⋅ s 21 ⋅ s11 ⋅ s 22 • Error cometido (1 + U )2 1 < GT 1 < GTU (1 − U )2 Microondas-10. Tema 10: Amplificadores de Microondas .CONCEPTO DE GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (VIII): CONDICIONES DE UNILATERALIDAD • • • • En el caso unilateral se puede aproximar el parámetro s12=0.20 Grupo de Radiofrecuencia. L expresiones Las i de d la l ganancia i se simplifican i lifi al l precio i de d aparecer un error que hay que analizar si es tolerable o no.

objetivos Objetivo: determinar las cargas ΓL (ZL) (circunferencia de estabilidad de carga) y ΓS (ZS) (circunferencia de estabilidad de fuente) que hacen que ΓIN y ΓOUT son menores que 1. a su vez.ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (I): CIRCUNFERENCIAS DE ESTABILIDAD • • Definición: un amplificador es estable cuando la potencia reflejada en la puerta del amplificador es menor que la potencia incidente.21 . UC3M. Condición: di i el l módulo d l del d l coeficiente fi i de d reflexión fl i es menor que 1. Septiembre 2009. • • • • 1 − s 22 ⋅ ΓL 1 − s11 ⋅ ΓL Los valores de los coeficientes de reflexión que definen la condición de estabilidad dependen de las condiciones de carga a la entrada y a la salida que. Transformación bilineal entre ΓL y ΓIN: circunferencia en el plano ΓIN se transforma en circunferencia en el plano ΓL * * * * s12 ⋅ s21 s12 ⋅ s21 ( s22 − Δ ⋅ s11 ) s − Δ ⋅ s 11 22 ΓLC = RSC = RLC = ΓSC = 2 2 2 2 2 2 2 2 s22 − Δ s22 − Δ s11 − Δ s11 − Δ Transformación de regiones (para el círculo de estabilidad de carga): el valor ΓL =0 resulta en el plano ΓIN en ΓIN=s11. son los j de diseño del amplificador p para p unas determinadas características. Si |s11|<1 la región en que está ΓL =0 es estable (que puede d ser i interior i o exterior i al l círculo í l de d estabilidad bilid d de d carga) ) ΓIN = (s11 − Δ ⋅ ΓL ) < 1 ΓOUT = (s22 − Δ ⋅ ΓS ) < 1 ( ) Grupo de Radiofrecuencia. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.

2 |ΓLC| 0.22 .5 |ΓLC| j2 RLC j0.5 -j1 -j2 |ΓLC|>1+RLC Grupo de Radiofrecuencia. Tema 10: Amplificadores de Microondas |ΓLC|+1<RLC Microondas-10.5 j0.2 0 0.2 0.2 -j0.2 j1 RLC j2 j0.5 1 2 -j0.5 -j1 -j2 -j0.5 1 2 0 0.ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (II): ESTABILIDAD INCONDICIONAL (I) () • Hay dos situaciones: circunferencia de estabilidad exterior a la carta de Smith ó carta de Smith interior a la circunferencia de estabilidad j1 j0.2 -j0. UC3M. Septiembre 2009.

s 22 < 1 s12 ⋅ s 21 < 1 − s11 s12 ⋅ s 21 < 1 − s 22 2 2 >1 (1) (2) Sumando (1) y (2) se puede poner K > 1+ Δ −1 2 s12 ⋅ s21 2 Δ = s11 ⋅ s22 − s12 ⋅ s21 Grupo de Radiofrecuencia.23 . UC3M. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. Septiembre 2009.ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (III): ESTABILIDAD INCONDICIONAL (II) ( ) Condiciones necesarias y suficientes para estabilidad incondicional Factor de Rollet K = 1 − s11 2 − s 22 2 + Δ 2 2 s12 ⋅ s 21 s11 < 1.

Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. Septiembre 2009.ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (IV): PROPIEDADES DEL FACTOR DE ROLLET K ]z = K ]y = 2 g11 g 22 − Re R ( y12 ⋅ y21 ) y12 ⋅ y21 2r11r22 − Re(z12 ⋅ z 21 ) z12 ⋅ z 21 • • • Si se conectan en serie con la entrada y la salida sendas resistencias el factor K queda d aumentado t d ya que no se ve modificado difi d el l parámetro á t z12 (K’>K) K no cambia si se añaden al cuadripolo elementos reactivos puros K es invariante con cualquier cambio de referencia de los parámetros S Grupo de Radiofrecuencia.24 . UC3M.

– Cí Círculo l de d estabilidad bilid d cae totalmente l fuera f de d la l carta de d Smith S i h y |s | 11|>1: | 1 corresponde d aK K<-1. 1 |s22|<|Δ| j1 j0. Septiembre 2009. K<-1 j0.25 .2 0.5 -j1 -j2 Grupo de Radiofrecuencia.5 j2 0 0.5 j2 j0.5 1 2 -j0.5 1 2 -j0.2 0.5 -j1 -j2 – Círculo de estabilidad encierra la carta de Smith y |s11|>1.2 j1 j0.2 0 0.2 -j0.ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (V): ESTABILIDAD CONDICIONAL • Para un dispositivo inestable existen cuatro posibles configuraciones de las circunferencias.2 -j0. UC3M. de las cuales será más importante la última configuración. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.

5 -j1 -j2 ⎧ ⎪ s11 > 1 ⇒ exterior inestable ΓL = 0 ⇒ ΓIN = s11 ⇒ ⎨ ⎪ ⎩ s11 < 1 ⇒ exterior estable -j1 -j0.5 1 2 -j0.2 -j0.5 j2 j1 j0. it i que incluya al origen o que no lo incluya. Tema 10: Amplificadores de Microondas .5 1 2 -j0.ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (VI): ESTABILIDAD CONDICIONAL – El círculo de estabilidad cae totalmente dentro de la carta de Smith: puede haber valores estables dentro o fuera de la carta de Smith dependiendo de s11 j1 j0.2 0.2 0 0. j1 j0.5 -j1 -j2 – El círculo í l de d estabilidad t bilid d es secante t a la l carta t de d Smith S ith (-1<K<1).5 1 2 0 0.2 j0.5 j2 j0.2 -j0.5 j2 j0. Septiembre 2009.26 Grupo de Radiofrecuencia.5 -j2 ⎧ ⎪ s11 > 1 ⇒ interior inestable ΓL = 0 ⇒ ΓIN = s11 ⇒ ⎨ i t i estable t bl ⎪ ⎩ s11 < 1 ⇒ interior Microondas-10.2 j0 2 -j0. UC3M.2 0.2 0.2 0 0. ( 1<K<1) H Hay d dos situaciones.

27 .EJEMPLO CON EL TRANSISTOR MESFET DE AVAGO ATF34143: p parámetros S Grupo de Radiofrecuencia. Tema 9:Dispositivos semiconductores en Microondas Microondas-9. Septiembre 2009. UC3M.

CIRCUNFERENCIAS DE ESTABILIDAD CON MICROWAVE OFFICE PARA EL ATF34143 Transistor condicionalmente estable con región estable en el plano ΓL interior a la circunferencia de estabilidad y en el plano ΓS exterior a la otra circunferencia de estabilidad Grupo de Radiofrecuencia.28 . Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. Septiembre 2009. UC3M.

– Las expresiones de ganancia disponible serían duales a las de potencia. ΓLG=0. potencia Grupo de Radiofrecuencia. resulta en: • • Vemos que es una circunferencia en el plano de impedancias de carga ΓL * 2 2 ( − Δ* ⋅ s11 )⋅ g P s22 1 2 K g s s g s s − ⋅ ⋅ ⋅ + ⋅ 12 21 21 P p 12 ΓLG = 2 2 R = LG 2 2 s22 − Δ ⋅ g P + 1 s22 − Δ ⋅ g P + 1 Comentarios: 2 * * * * ⎡ g p ⋅ s22 − Δ ⋅ s11 ⋅ Γ + g ⋅ s − Δ ⋅ s ⋅ Γ − 1 − s ⋅ g p + 1⎤ L p L 22 11 11 * ⎥=0 ΓL ⋅ ΓL − ⎢ 2 2 1 s − Δ ⋅ g + ⎥ ⎢ p 22 ⎦ ⎣ ( ) ( ( ) ) ( ) ( ) ( ( ) ) 1/ 2 – Cuando gp tiende a infinito la circunferencia degenera en la de estabilidad de carga. – Cuando gp=0. RLG=1. Septiembre 2009.GANANCIA DE POTENCIA EN AMPLIFICADORES (I) • Ganancia de potencia normalizada gP = Gp s 21 2 que si se desarrolla. que es la carta de Smith – Suele ser normal dibujar las circunferencias a saltos de 1 dB desde el máximo: • A partir de la MAG para incondicionalmente estables • A partir de la figura de mérito para transistores condicionalmente estables. – La ecuación de los centros de las circunferencias de ganancia constante están sobre la misma recta que los de estabilidad. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.29 . UC3M.

UC3M.30 . Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. Septiembre 2009.GANANCIA DE POTENCIA EN AMPLIFICADORES (II): PROPIEDADES DE LOS CÍRCULOS DE GANANCIA DISPOSITIVOS INCONDICIONALMENTE ESTABLES • Cuando el dispositivo es estable un conjunto de círculos cae dentro de la carta de Smith: gP (K ± = K 2 −1 s12 ⋅ s21 ) Grupo de Radiofrecuencia.

UC3M. Estos dos puntos son invariantes Grupo de Radiofrecuencia. Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.31 .GANANCIA DE POTENCIA EN AMPLIFICADORES (III): PROPIEDADES DE LOS CÍRCULOS DE GANANCIA DISPOSITIVOS CONDICIONALMENTE ESTABLES • Propiedades: – K<1 – El círculo de ganancia cortará en dos puntos la carta de Smith que coinciden con el círculo de estabilidad.

UC3M. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. Se muestra una máxima ganancia de potencia de 18.85 dB y luego saltos de 0.CIRCUNFERENCIAS DE GANANCIA DE POTENCIA CON MICROWAVE OFFICE PARA EL ATF34143 Transistor condicionalmente estable.5 dB Grupo de Radiofrecuencia.32 . Septiembre 2009. las circunferencias de ganancia de potencia están en el plano ΓL y se cortan en los dos puntos invariantes con la de estabilidad de carga.

85 dB y luego saltos de 0. Se muestra una máxima ganancia disponible de 18. Septiembre 2009.5 dB Grupo de Radiofrecuencia. las circunferencias de ganancia disponible están en el plano ΓS y se cortan en los dos puntos invariantes con la de estabilidad de carga.33 . Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. UC3M.CIRCUNFERENCIAS DE GANANCIA DISPONIBLE CON MICROWAVE OFFICE PARA EL ATF34143 Transistor condicionalmente estable.

34 . Pueden aparecer nuevas circunferencias de transformación completamente diferentes a las bilaterales que se han presentado Expresión de la ganancia de transducción: GT ( ( 1 − Γ )⋅ s ⋅ ( 1− Γ ) 1− Γ ) =G = = ⋅s 2 2 2 2 S 1 − ΓIN ⋅ ΓS 1 − s22 ⋅ ΓL 21 2 L S 2 21 2 1 − s11 ⋅ ΓS 2 2 2 ⋅ (1 − Γ ) 2 L 1 − s22 ⋅ ΓL 2 = GS ⋅ G0 ⋅ GL • Nuevos círculos: * g S ⋅ s11 * g L ⋅ s22 1 − (1 − g s ) ⋅ s11 1 − (1 − g L ) ⋅ s22 1 − g S ⋅ 1 − s11 2 1 − (1 − g s ) ⋅ s11 1 − g L ⋅ 1 − s 22 1 − (1 − g L ) ⋅ s 22 ( ) GS gS = GSmax GL gL = GLmax 2 ( 2 2 ) • • Los centros de cada familia caen sobre rectas con ángulo s*11 ó s*22 La máxima ganancia se da cuando gS ó gL=1 corresponde al punto s*11 ó s*22 Grupo de Radiofrecuencia. UC3M. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.GANANCIA EN AMPLIFICADORES UNILATERALES (IV): CÍRCULOS DE GANANCIA EN CONDICIONES DE UNILATERALIDAD • • Se puede aproximar s12=0. Septiembre 2009.

– No hay forma analítica de definirlo por lo que estadísticamente se considera como un proceso ergódico ódi cuya densidad d id d espectral l de d potencia i (a ( frecuencias f i inferiores i f i a 1000 GHz) es constante (función de correlación delta en el origen) S e (ω ) = 4kTR ⎫ ⎪ – Dicha función es par por lo que podemos modelarla para f>0: ⎬ S i (ω ) = 4kT ⎪ – Para un margen de frecuencias: PN=4kTRΔf R⎭ k = 1. Se refleja en un voltaje aleatorio en dicha resistencia. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.38 × 10 − 23 J / K – Ruido shot: debido a la naturaleza discreta de los portadores que constituyen la corriente en las uniones p-n. Septiembre 2009. – Ruido flicker: proporcional a 1/f – En alta frecuencia. Su valor es proporcional a la tensión de polarización y tiene densidad espectral plana.RUIDO EN AMPLIFICADORES (I) INTRODUCCIÓN • Definiciones: – R Ruido id térmico té i es el l resultante lt t del d l movimiento i i t de d los l electrones l t en una resistencia it i debido a la agitación térmica. en amplificadores. UC3M. influyen el shot y el térmico: habrá que buscar un punto de polarización que con buena ganancia (valor importante de la trasconductancia) tenga el menor ruido shot posible Grupo de Radiofrecuencia.35 .

UC3M. interesa amplificadores con un factor de ruido lo más bajo posible lo que supone que la primera etapa tenga el menor ruido posible. f − 1 f3 − 1 f = f1 + 2 + + .. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.. g1 g1 ⋅ g 2 • Modelado del ruido I1 + E I Cuadripolo Sin ruido id I2 V1 = AV2 + BI 2 + E V1 V2 I1 = CV2 + DI 2 + I Grupo de Radiofrecuencia. Septiembre 2009. Teq kT0 BG + N in kT0 BG + kTeq BG f = = =1+ kT0 BG kT0 BG T0 Teq = T0 ⋅ ( f − 1) – Los dispositivos de muy bajo nivel de ruido se representan en función de Teq – Cuando hay varias etapas.36 .RUIDO EN AMPLIFICADORES (II) • Caracterización del ruido: – Figura g de ruido a una frecuencia dada es la relación entre la p potencia de ruido existente a la salida del cuadripolo en los casos en que el cuadripolo fuera real e idea.

UC3M. Septiembre 2009. I n ⋅ (I − I n ) = 0 .RUIDO EN AMPLIFICADORES (III) • La red libre (de ruido) no modifica el ruido luego su figura de ruido será la de la parte ruidosa I1 V1 • + E I Cuadripolo Sin ruido I2 V2 I s2 + I + YS E = I s2 + I 2 + YS E 2 + YS* I ⋅ E * + YS I * ⋅ E f =1+ I + YS E I s2 2 2 2 Descomponemos I en una parte incorrelada con E y otra totalmente correlada ⎫ ⎪ * * * 2 ⎪ I ⋅ E = E ⋅ (I − I n ) = Yγ ⋅ E 2 ⎪ ⎧ E = 4kT0 Rn B 2 ⎪ ⎪ 2 2 2 2 2 I = (I − I n ) + I n = Yγ ⋅ E + I n ⎬⎨ 2 I n = 4kT0Gn B ⎪⎪ ⎩ 2 2 2 ⎪ Yγ + YS ⋅ E + I n ⎪ f =1+ 2 ⎪ IS ⎭ Grupo de Radiofrecuencia. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.37 * * In ⋅ E = 0.

RUIDO EN AMPLIFICADORES (IV) Gn Rn 2 2 + ⋅ (GS + Gγ ) + (BS + Bγ ) GS GS Si se busca el mínimo de la anterior función. resulta para GS=Go 1/ 2 ⎛ Gn + Rn ⋅ Gγ2 ⎞ rn 2 2 ⎟ . Ni = (f o − f 0 ) ⋅ 1 + Γo 4 ⋅ rn 2 = ΓS − Γo S 2 (1 − Γ ) 2 P una fi Para figura de d ruido id constante resulta l un conjunto j de d circunferencias i f i 2 f − fo 2 Γopt N i ⋅ N i + 1 − ΓOPT = 1 N ⋅ + Γ i o Ci = Ri = ⎛ ⎞ R Ni + 1 n Ni + 1 4 ⋅⎜ ⎜Z ⎟ ⎟ ⎝ o⎠ Los centros están sobre la recta cuyo vector de dirección es Γo Ruido mínimo fi =fo se reduce al punto Γo ( ) Grupo de Radiofrecuencia.38 . Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. Bo = − Bγ Go = ⎜ ( ) ( ) f = f + ⋅ g − g + b − b o S o S o ⎜ ⎟ Rn gS ⎝ ⎠ f =1+ [ ] [ ] Expresando las admitancias en función de los coeficientes de reflexión f = fo + (1 − Γ )⋅ 1 + Γ 2 S 4 ⋅ rn ⋅ ΓS − Γo 2 2 . UC3M.

bl las l circunferencias i f i de d ganancia i disponible di ibl están á en el plano ΓS y se cortan en los dos puntos invariantes con la de estabilidad de carga. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. UC3M.CIRCUNFERENCIAS DE RUIDO CON MICROWAVE OFFICE PARA EL ATF34143 Transistor T i condicionalmente di i l estable. Septiembre 2009. al estar en el mismo plano que l de las d ganancia i disponible. También se muestran las circunferencias de ruido que. di ibl tienen ti intersección.39 . i t ió Grupo de Radiofrecuencia.

CIRCUNFERENCIAS DE RUIDO CON MICROWAVE OFFICE PARA EL ATF34143 Transistor condicionalmente estable. UC3M. Septiembre 2009. También se muestran las circunferencias de ruido que NO se cortan con las ganancia de p potencia p por estar en p planos distintos. . Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.40 . Sí habría intersección con las de g transformadas conjugadas de ganancia de potencia que se muestran a continuación. Grupo de Radiofrecuencia. las circunferencias de g ganancia de p potencia están en el plano ΓL y se cortan en los dos puntos invariantes con la de estabilidad de carga.

Septiembre 2009. Hay expresiones equivalentes para la transformación de las circunferencias de ganancia disponible en el plano ΓOUT Grupo de Radiofrecuencia.41 .DESADAPTACIÓN EN AMPLIFICADORES (I): TRANSFORMACIÓN DE CÍRCULO DE GANANCIA • • • • * Γin Objetivo anterior de diseño: elegir cargas de salida y entrada que cumplan unas determinadas especificaciones de ganancia o de ruido y de estabilidad.c = 2 * * * * RLg ⋅ s22⋅ Δ + s22⋅ Γ Lg −1 ⋅ s Lg 11−Δ ⋅ Γ ( )( RLg ⋅ s22 − s22⋅ Γ Lg −1 2 2 )R in = s12 ⋅ s 21 ⋅ R Lg R Lg ⋅ s 22 2 − s 22 ⋅ ΓLg − 1 2 • • Las anteriores cargas están en el plano de entrada. estabilidad Además: máxima transferencia de energía (en la medida de lo posible) lo que supondría adaptación entrada y/o salida. UC3M. Herramienta: transformación del círculo de ganancia del plano ΓL al plano de entrada Nuevo círculo por la transformación bilineal (Δ = − * * s22 ⋅ ΓL −1 * * ⋅ ΓL * s11 ) * Γ in . Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.

La expresión de desadaptación resulta una circunferencia en el plano ΓS. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.42 . Septiembre 2009.DESADAPTACIÓN EN AMPLIFICADORES (II): CÍRCULOS DE DESADAPTACIÓN • • Objetivo: diseñar un amplificador con una ROE(in o out) determinada a partir de una carga ΓL ó S ya seleccionada. Parámetros conocidos y expresiones de partida: 2 2 1 − ΓIN ⋅ 1 − ΓS ROE − 1 2 M = = 1 − ρ ρ= 2 1 − ΓIN ⋅ ΓS ROE + 1 En el caso de un criterio de desadaptación a la entrada. UC3M. ( )( ) • ΓsM M = * M 1 ⋅ Γin 1 − (1 − M 1 ) ⋅ * Γin 2 R sM = 2 * ⎛ 1 − M 1 ⋅ ⎜1 − Γin ⎞ ⎟ ⎝ ⎠ * 1 − (1 − M 1 ) ⋅ Γin 2 • Lo mismo se p puede hacer para p la desadaptación p a la salida: ΓlM = 1 − (1 − M 1 ) ⋅ Γ M2 ⋅Γ * out * 2 out RlM = * 1− M 2 ⋅⎛ ⎜1 − Γout ⎝ * 1 − (1 − M 2 ) ⋅ Γout 2 ⎞ ⎟ ⎠ 2 Grupo de Radiofrecuencia. se conoce una carga de salida determinada ΓL1 que se corresponde con un ΓIN1 N .

Septiembre 2009. cargas No se puede afirmar lo mismo para la ganancia de transducción que depende de las cargas en los dos planos. Ga = ∏ Gai i =1 n = Ga1 ⋅ Ga 2 n=2 PL 2 Pin 2 ⋅ GP 2 Pdg1 ⋅ M 1 ⋅ GP1 ⋅ GP 2 GT = = = = GT 1 ⋅ G p 2 = Ga1 ⋅ GT 2 Pdg1 Pdg1 Pdg1 Grupo de Radiofrecuencia.43 .AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS: CONSIDERACIONES DE GANANCIA • • La ganancia total del amplificador es el producto de las ganancias parciales sólo en los casos de las ganancias de potencia y disponible ya que sólo dependen de una de las cargas. UC3M. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. • Para un amplificador de dos etapas puede ponerse que: G p = ∏ G pi i =1 n n=2 = G p1 ⋅ G p 2 . – L La afirmación fi ió anterior i se puede d aplicar li a la l ganancia i de d transducción d ió en el l caso de d que exista i adaptación conjugada simultánea a la entrada y a la salida. – Si no existe adaptación conjugada simultánea la afirmación sobre los productos de ganancias parciales no es cierta porque se considerarían los coeficientes de desadaptación (Mi) dos veces veces.

UC3M.44 V3 Grupo de Radiofrecuencia. f = f1 + ( f 2 − 1) ⋅ = f1 + ( f 2 − 1) ⋅ M 1 ⋅ GP1 M 1 ⋅ GP1 ⋅ GP 2 M 1 ⋅ GP1 Ga1 I1 V1 + E I Cuadripolo Sin ruido I2 + E’ Cuadripolo C di l Sin ruido I3 V2 I’ GP1 GP2 Microondas-10..out = G p1 ⋅ G p 2 ⋅ f ⋅ k ⋅ T ⋅ Δf ⋅ M 1 Potencia de ruido a la salida asociado a una nueva figura de ruido F: p es ó de la a figura gu a de ruido u do para pa a dos etapas. Tema 10: Amplificadores de Microondas .out = G p1 ⋅ G p 2 ⋅ f1 ⋅ k ⋅ T ⋅ Δf ⋅ M 1 Pn 2.. Figura gu a de ruido u do para pa a n etapas: Expresión M3 M2 M2 1 f = f1 + ( f 2 − 1) ⋅ + ( f 3 − 1) ⋅ + .out = G p 2 ⋅ ( f 2 − 1) ⋅ k ⋅ T ⋅ Δf ⋅ M 2 Pn . Septiembre 2009.AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS: CONSIDERACIONES DE RUIDO • • • • • Potencia de ruido de la primera etapa: Potencia de ruido de la segunda etapa: Potencia de ruido total a la salida: Pn1.out = G p1 ⋅ G p 2 ⋅ f1 ⋅ k ⋅ T ⋅ Δf ⋅ M 1 + G p 2 ⋅ ( f 2 − 1) ⋅ k ⋅ T ⋅ Δf ⋅ M 2 Pn .

AMPLIFICADORES DE BANDA ANCHA • Un amplificador ideal debería tener una ganancia constante a lo largo de toda la banda Esto no es así por el decrecimiento del parámetro s21 con la frecuencia. frecuencia MAG f • Estrategias para la construcción de un amplificador de banda ancha: – Redes de adaptación reactivas que compensen variaciones de s21. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. Septiembre 2009. Se traduce en una pérdida de adaptación. – Realimentación negativa: aplana la respuesta y mejora la adaptación y estabilidad del dispositivo. UC3M. banda.45 f1 fo f2 . Grupo de Radiofrecuencia. – Redes R d de d adaptación d ió con pérdidas: é did buena b adaptación d ió pero disminuye di i la l ganancia i y aumenta la figura de ruido.

Septiembre 2009. Si una sección falla se traduce en una pérdida de 6 dB El ancho de banda viene limitado por el del híbrido. L etapas Las t individuales i di id l se pueden d optimizar ti i despreocupándonos d á d de d la l desadaptación: las reflexiones se absorberán por los acopladores. Requiere la utilización de híbridos de 90º y mediante una redundancia que da robustez en caso de ruptura de uno de los amplificadores se consigue una ganancia igual a la del amplificador del que proceden. GA Híbrido 90º 50 Ω GB Grupo de Radiofrecuencia. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.46 50 Híbrido 90º . UC3M.AMPLIFICADORES BALANCEADOS • • • • • Son considerados en ocasiones amplificadores de banda ancha.

Tema 10: Amplificadores de Microondas . UC3M. BC • Clase: A.DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE MICROONDAS • Tipo: bipolar. AB.47 Grupo de Radiofrecuencia. C Selección substrato • Fabricante • Cálculo de impedancias • Síntesis de las redes Elección El ió del d l dispositivo Caracterización C i ió del dispositivo Tecnología Red R d de d polarización Diseño Di ñ d de redes d de adaptación Medida M did y ajuste Datos del fabricante o caracterización propia Elementos ajustables • Selección del punto de trabajo • Circuito DC para obtenerlo p • Red de desacoplo • Red de polarización independiente del circuito Microondas-10. FET • Configuración: EC. Septiembre 2009. B.

48 . – Elementos distribuidos. Septiembre 2009.POLARIZACIÓN DE AMPLIFICADORES • Funciones: – Fija el punto de polarización del circuito: Circuito de polarización (fija Vg y Vd) (1) – La señal RF no debe introducirse en el circuito DC (2) – El circuito RF no debe verse afectado por el circuito DC: reduce el efecto de las descargas transitorias y garantiza un corto en RF (3) – Los circuitos RF exteriores no deben verse afectados por la polarización del circuito i it en cuestión: tió aísla í l etapas t de d RF (4) (4) (2) VG VD • • Se pueden utilizar dos fuentes de polarización l i ió o una (autopolarizado) ( t l i d ) Estructura: – Elementos concentrados. UC3M. Tema 10: Amplificadores de Microondas (1) (3) Microondas-10. Grupo de Radiofrecuencia.

Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.49 .EJEMPLO DE TRAZADO FÍSICO PARA UN RADIADOR ACTIVO EN RECEPCIÓN (AMPLIFICADOR SIN RED DE ADAPTACIÓN EN LA ENTRADA Punto P t de d conexión ió a antena Red de radiofrecuencia di f i Red de polarización Grupo de Radiofrecuencia. UC3M.

Septiembre 2009. UC3M. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO (Centro Astronómico Yebes) ) Grupo de Radiofrecuencia.50 .

51 . Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. UC3M.AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO (II) (Centro Astronómico Yebes) ) Grupo de Radiofrecuencia. Septiembre 2009.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA ηS = Z CAR P P SAL CC η = AÑAD P P CC + SAL P EN Grupo de Radiofrecuencia. Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. UC3M.52 .

Sb Clase D Clase F Clase E Clase C-E Modos BAR Alto rendimiento ( Grupo de Radiofrecuencia. Sat. Tema 10: Amplificadores de Microondas No linealidad) Microondas-10.53 . UC3M. Septiembre 2009.AMPLIFICADORES DE POTENCIA Clasificación: Amplificadores Clases no Saturadas Clases Saturadas y Sobreexcitadas Clases No Convencionales Ángulo de conducción Completo Ángulo de Conducción Reducido Ángulo de Conducción Completo Ángulo de Conducción Reducido Modos No Convencionales Clase A Clase AB Clase B Clase C Clase A St d Saturada Clase A S t y Sobre.

Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.54 .AMPLIFICADORES DE POTENCIA Amplificador Clase A: Grupo de Radiofrecuencia. UC3M. Septiembre 2009.

55 .AMPLIFICADORES DE POTENCIA Amplificador Clase B: Topología p g Push-Pull Grupo de Radiofrecuencia. Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. UC3M.

Septiembre 2009. UC3M.AMPLIFICADORES DE POTENCIA Amplificador Clase C: Grupo de Radiofrecuencia.56 . Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA Eficiencia y componentes de Fourier de la corriente de colector o drenador.57 . Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. UC3M. drenador Grupo de Radiofrecuencia.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Necesidad de combinar para obtener potencias elevadas:

Amplificador Dougherty:

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas

Microondas-10- 58

AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Otros Amplificadores. Clase E

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas

Microondas-10- 59

AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Tema 10: Amplificadores de Microondas

Microondas-10- 60

61 Grupo de Radiofrecuencia. Septiembre 2009. UC3M.AMPLIFICADORES DE POTENCIA Modelos para BJT y FET en distintas zonas de funcionamiento Existen diferentes modelos: Gummel-pool Curtice Statz Microondas-10. Tema 10: Amplificadores de Microondas .

UC3M. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.AMPLIFICADORES DE POTENCIA Polarización: Determina el p posible funcionamiento Distorsiona Establece las condiciones de carga g Grupo de Radiofrecuencia. Septiembre 2009.62 .

Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. UC3M.AMPLIFICADORES DE POTENCIA Condiciones de carga Grupo de Radiofrecuencia.63 . Septiembre 2009.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA Técnicas de Linearización o Predistorsión: Callum Predistorsión Adaptativa Grupo de Radiofrecuencia. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.64 . UC3M. Septiembre 2009.

65 . Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. UC3M. Septiembre 2009.AMPLIFICADORES DE POTENCIA Clase A saturada y sobreexcitada Grupo de Radiofrecuencia.

5% Frecuencia de trabajo 1650-1700 MHz Grupo de Radiofrecuencia.5 dB 0.75W 0.AMPLIFICADORES DE POTENCIA Clase A saturada y sobreexcitada Tensión de alimentación Ganancia Potencia de desalida salida Eficiencia 10 V 10. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.66 . UC3M.75 W 69. Septiembre 2009.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA Clase D.5 W 15 W 94 % ± 20 mV Grupo de Radiofrecuencia. Septiembre 2009. UC3M.5 7. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10.67 . Fuentes cc Tensión de entrada Tensión de salida Potencia de salida (continua) Potencia de salida (pico) Eficiencia Rizado 165 a 265 VAC 7 5 V ± 2% 7.

id – De polarización para poner al dispositivo en unas condiciones de trabajo dadas. UC3M.CONCLUSIONES • • Se ha abordado el diseño de amplificadores en microondas El objetivo bj i ha h sido id el l diseño di ñ de d cargas de d entrada d y salida lid que lleven ll al l dispositivo transistor a cumplir unas características de estabilidad. Septiembre 2009.68 . ruido. anchura de banda y potencia determinadas. – Ambas tienen que estar perfectamente aisladas entre sí. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. Redes implicadas: – D De adaptación d t ió para sintetizar i t ti las l impedancias i d i requeridas. desadaptación. ganancia. • • • Amplificadores de varias etapas Grupo de Radiofrecuencia. Herramientas matemáticas a utilizar: carta de Smith y transformación bilineal.

Limiti. 2007. Wiley. “Microwave solid state circuit design”. Collin. “Foundations Foundations for microwave engineering engineering”. G. . Segunda Edición. analysis and design”. tercera edición. 1992. UC3M. E. Septiembre 2009. “High High efficiency RF and microwave solid state power amplifiers”. E. Pozar. Tema 10: Amplificadores de Microondas Microondas-10. segunda edición. P. M. Bahl. Wil 2003. Prentice Hall. P. Colantonio. 2003 Grupo de Radiofrecuencia. Wiley. “Microwave engineering”. Bhartia. F. Wiley. “Microwave transistor amplifiers. segunda edición. D. Wiley 2009. I. González. Giannini.69 .BIBLIOGRAFÍA • • • • • R. 1984.