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Fundamentos de semiconductores

Unidad 1 Introduccin a los semiconductores

UNIDAD 1 INTRODUCCIN A LOS SEMICONDUCTORES

OBJETIVO DE LA UNIDAD Al finalizar esta unidad, usted ser capaz de describir un semiconductor, identificar dispositivos semiconductores y demostrar su operacin utilizando el tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES). FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD Los diodos, transistores, circuitos integrados y otros dispositivos llamados "de estado slido" estn fabricados de un material semiconductor, generalmente silicio o germanio. A temperatura ambiente, los cristales puros de germanio y silicio no son buenos conductores, ni buenos aisladores. Por este motivo son llamados semiconductores.

Al introducir impurezas en un cristal semiconductor, a travs de un proceso de dopado, se reduce la resistencia elctrica. Un material semiconductor dopado con impurezas que contienen exceso de electrones, es llamado material tipo N (negativo). Si las impurezas tienen pocos electrones en el anillo de valencia, el semiconductor dopado es llamado material tipo P (positivo). Los electrones libres (FREE ELECTRON) son portadores mayoritariosen un material tipo N y las cargas positivas, llamadas huecos (HOLE) son portadores mayoritarios en un material tipo P.

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Unidad 1 Introduccin a los semiconductores

Dopando reas adyacentes a los semiconductores de cristal con impurezas de tipo N y P, respectivamente forman una unin PN (PN CONJUCTION). En un rea cerrada de la unin, algunos electrones se trasladan al material P y algunos de carga positiva se trasladan al material N. Debido a que las cargas que se trasladan tienden a neutralizarse unas con otras, se crea una zona o regin de deplexin (DEPLETION REGION). El tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES tiene ocho bloques de circuitos. Cada bloque de circuito consta de una composicin de diodos y/o transistores, que le permiten aprender como funciona un semiconductor en una aplicacin prctica. Esta unidad lo introduce en la teora de semiconductores y los circuitos prcticos que estn incluidos en el tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. Las siguientes unidades estn dedicadas a cada uno de los ocho circuitos y a la localizacin de fallas en los circuitos semiconductores.

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Unidad 1 Introduccin a los semiconductores

NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS anillo de valencia (valence ring) - son los electrones ms exteriores alrededor del ncleo de un tomo. Estos electrones interactan con los electrones de valencia de la vecindad y son la principal influencia en las caractersticas elctricas del elemento. nodo (anode) - es la regin del diodo dopada con material tipo P (Positivo). base - es la regin central de un transistor, ubicada entre el emisor y colector. La base siempre est dopada con un material de polaridad opuesta al material con que se han adoptado el emisor y colector. Generalmente es muy delgada. Ctodo (cathode) - regin del diodo dopada con material tipo N (negativo). Colector (collector) - es una regin ubicada en uno de los extremos del transistor. Fsicamente es el rea ms grande, debido a que es la regin donde se disipa la mayor cantidad de potencia. diodos - dispositivo semiconductor que consta de material tipo P y un tipo N. diodo emisor de luz (LED, light-emitting diode) - es un diodo construido para liberar energa en forma de luz, cuando se hace circular una corriente elctrica. Los materiales utilizados en la construccin del LED, determinan el color y brillo de la luz. Dopado (doping) -es el proceso de introduccin deliberada de un tipo especfico de impureza dentro de una base de material de alta pureza. El dopado se logra a travs de diferentes procesos, pero siempre es cuidadosamente controlado para producir semiconductores con propiedades especficas. electrones libres (free electrons) - son electrones "extra" en el anillo de valencia que no estn incorporados en los enlaces covalentes. Estos electrones resultan del dopado de material base puro con una impureza tipo N. Actan como portadores de corriente en un material semiconductor tipo N. Emisor (emitter) - es una regin ubicada en uno de los extremos del transistor. El emisor est dopado con el mismo tipo de impurezas que el colector. Huecos (holes) - Son cargas positivas en un semiconductor, producto de un enlace covalente incompleto. Los huecos son creados al dopar el material puro con impurezas tipo P. material tipo N(N type material) - material semiconductor puro, el cual ha sido dopado con una impureza que introduce electrones libres dentro del semiconductor. Los tomos del material de dopado, conocido algunas veces como donador, usualmente tienen un anillo de valencia que tiene un electrn adicional de los requeridos para completar los enlaces covalentes con los

tomos del material base. material tipo P (P type material) - es un material semiconductor puro que ha sido dopado con una impureza que introduce cargas aparentemente positivas (huecos) dentro del semiconductor. Los tomos del material de dopado, algunas veces llamados material receptor, usualmente tienen un anillo de valencia al que le hace falta uno de los electrones requeridos para formar un enlace covalente con los tomos del material base. portadores mayoritarios (majority carriers) - Son cargas introducidas deliberadamente en semiconductores para que acten como portadoras de corriente. Los electrones son los portadores mayoritarios en un material tipo N, los huecos son considerados como los portadores mayoritarios en un material tipo P. regin de deplexin (depletion region) - es una rea muy prxima a la unin PN, donde unas pocas cargas de las reas adyacentes tienden a cruzar la divisin y neutralizarse unas con otras.

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Semiconductor - es normalmente silicio o germanio, dopado con impurezas para crear un compuesto cuya resistencia elctrica es mayor que la de los conductores, pero menor a la ofrecida por los aisladores. transistor bipolar (bipolar transistor) -es un transistor de tres capas construido con dopado NPN o PNP; ms comnmente conocido como transistor de uniones. El trmino Bipolar se refiere a la utilizacin de materiales dopados tipo P y N. Transistores (transistors) - son dispositivos que contienen capas de semiconductores tipo NPN o PNP. Los transistores permiten que una corriente pequea controle el flujo de una corriente ms grande. Zener - es un diodo diseado para mantener una cada de voltaje relativamente constante frente a un rango de corriente. Los Zener se clasifican dentro de la familia de diodos comunes pero ellos operan de manera diferente.

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Ejercicio 1 Identificacin de componentes


OBJETIVO DEL EJERCICIO Al finalizar este ejercicio, usted podr identificar varios dispositivos semiconductores. Probar su conocimiento mediante la localizacin de diodos y transistores en el tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES). . DISCUSIN DEL EJERCICIO Los diodos y transistores son las dos clases de semiconductores cubiertas en este ejercicio. La mayora de los diodos semiconductores son de silicio o germanio y constan de una sola unin PN. Los diodos estn construidos por un nodo (positivo, material tipo P) y un ctodo (negativo, material tipo N). Los diagramas esquemticos para diodos comunes, LEDs y diodos Zener son ilustrados en el ejercicio. Los tipos comunes de diodos tambin son mostrados.

Los diodos se identifican normalmente con las letras CR seguido de un nmero (por ejemplo CR12). Los diodos especializados, diseados para tareas especificas incluyen el diodo Zener, los cuales pueden mantener un voltaje constante y diodo emisor de luz (LED), el cual emite luz bajo circunstancias especificas. Los transistores pertenecen a dos grandes familias, transistor de efecto de campo (FET) y transistores de unin (JT). nicamente los transistores de unin, tambin llamados transistores bipolares, sern tratados en este curso. Los transistores tienen dos uniones PN; por lo tanto, tienen tres regiones. Cada regin puede consistir en un material tipo N o tipo P. La tres regiones pueden estar formadas de dos maneras: como material tipo P, entre material tipo N (NPN) o por material tipo N entre material tipo P (PNP). El transmisor de unin tiene un terminal conectado a cada una de las tres regiones. La regin central es designada la base. Las regiones externas son llamadas emisor y colector respectivamente. Los diagramas esquemticos para los transistores de unin PNP y NPN son ilustrados en el ejercicio. Los transistores generalmente son identificados con la letra Q, seguidos por un nmero en los diagramas del circuito. Por ejemplo: Q2.

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Ejercicio 2 Ubicacin e identificacin de circuitos


OBJETIVO DEL EJERCICIO Al finalizar este ejercicio, estar familiarizado con el funcionamiento del tablero de circuitos DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES). Verificar su conocimiento identificando los bloques de circuitos y operando un circuito de transistores. DISCUSIN DEL EJERCICIO Los siguientes ocho bloques de circuitos estn presentes en el tablero DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (SEMICONDUCTOR DEVICES). 1. bloque de circuitos DIODOS Y RECTIFICACIN DE MEDIA ONDA (DIODES AND 1/2 WAVE RECTIFICATION). 2. bloque de circuitos RECTIFICACIN DE ONDA COMPLETA CON FILTROS DE FUENTE DE ENERGA (FULL-WAVE RECTIFICATION WITH POWER SUPPLY FILTRES). 3. bloque de circuitos REGULADOR DE DIODO ZENER (ZENER DIODE REGULATOR). 4. bloque de circuitos FORMACIN DE ONDAS POR DIODOS (DIODE WAVESHAPING). 5. bloque de circuitos DUPLICADOR DE VOLTAJE (VOLTAGE DOUBLER ). 6. bloque de circuitos UNIN DEL TRANSISTOR (TRANSISTOR JUNCTION ). 7. bloque de circuitos POLARIZACIN CD PNP (PNP DC BIAS). 8. bloque de circuitos GANANCIA Y LNEA DE CARGA DEL TRANSISTOR (TRANSISTOR LOAD LINES AND GAIN). Los primeros cinco bloques de circuitos contienen nicamente circuitos de diodos. Cada bloque demuestra las siguientes funciones: Bloque 1. polaridad del diodo, cada de voltaje requerida para que el diodo sea conductor y cmo un circuito de diodo funciona como un rectificador de media onda. Bloque 2. rectificacin de puente de onda completa con y sin filtrado. Bloque 3. caractersticas de la cada de voltaje de un diodo Zener. Bloque 4. circuito de fijacin y de limitacin. Bloque 5. rectificacin de CA a CD que resulta en un voltaje de salida, que es el doble del voltaje de entrada (voltaje pico). Los ltimos tres bloques demuestran lo siguiente: Bloque 6. polarizacin directa e inversa de los transistores, como tambin una comparacin del diodo y uniones del transistor. Bloque 7. transistores como interruptores. Bloque 8. las caractersticas del transistor como voltaje base-emisor, corriente de base, corriente del colector y lneas de carga de CD.

UNIDAD 2 DIODOS Y RECTIFICACIN DE MEDIA ONDA

OBJETIVO DE LA UNIDAD Al finalizar esta unidad usted podr demostrar los principios de operacin del diodo semiconductor y el diodo rectificador de media onda, mediante el uso de circuitos de prueba. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Los diodos (DIODES) normalmente permiten el flujo de corriente de electrones (ELECTRON CURRENT FLOW) en una direccin, como se muestra. Cuando un material semiconductor tipo N, se une a un material tipo P, se forma una regin de deplexin (DEPLETION REGION) cerca de la unin. Un potencial de voltaje adicional se requiere para conducir corriente a travs de la regin de deplexin de la unin del diodo (JUNCTION). Este voltaje adicional en la regin de deplexin, se conoce como voltaje de barrera. El voltaje de barrera para diodos de germanio es aproximadamente de 0.3V y para los diodos de silicio aproximadamente 0.6V (0.5V hasta 0.7V). El voltaje de barrera, se conoce tambin como cada de voltaje directa (VF).

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Unidad 2 Diodos y rectificacin de media onda

Cuando un voltaje negativo es aplicado en el ctodo (CATHODE) del diodo, los electrones en el material tipo N son forzados a juntarse en la unin.

De igual manera, las cargas positivas en el material tipo P del nodo (ANODE) son atradas hacia la unin por el aumento de carga negativa a travs de la barrera.

Cuando el voltaje aplicado supera el voltaje de barrera, el ancho de la regin de deplexin se reduce y los electrones se mueven a travs de la unin, hacia el terminal positivo de la fuente de voltaje. Mientras el voltaje aplicado exceda el voltaje de barrera, el flujo de electrones contina y el diodo queda en polarizacin directa (FORWARD BIASING) o en estado de conduccin (CONDUCTION).

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Unidad 2 Diodos y rectificacin de media onda

Al aplicar voltaje positivo al ctodo y un voltaje negativo al nodo, los electrones en el material tipo N son atrados fuera de la unin hacia el terminal positivo de la fuente de voltaje. Las cargas positivas del material tipo P, tambin son alejadas de la unin hacia el terminal negativo de la fuente de voltaje. Estos movimientos de carga aumentan en ancho de la regin de agotamiento, lo cual permite que el diodo quede polarizado en forma inversa (REVERSE BIASING), en su estado de apagado, prcticamente sin flujo de corriente. Si se aplica a un diodo un voltaje de CA lo suficientemente grande para superar el voltaje de barrera, el diodo conduce alternadamente cuando el voltaje de CA est en la direccin de polarizacin directa (forward biased). El diodo no puede conducir durante los semiciclos cuando se polariza en forma inversa.

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Unidad 2 Diodos y rectificacin de media onda

El voltaje o corriente de salida resultante es CD ondulatoria o pulsante, comnmente llamado rizado, el cual fluye solamente en una direccin. El proceso de convertir un semiciclo de un voltaje CA, a un voltaje CD ondulatoria es llamado rectificacin de media onda.
Fundamentos de semiconductores Unidad 2 Diodos y rectificacin de media onda

NUEVOS TERMINOS Y PALABRAS cada de voltaje directa (VF) (forward voltage drop (VF))- condicin que existe cuando el ctodo del diodo es negativo con respecto al nodo y la corriente fluye en forma directa. cargas almacenadas (stored charges) - cargas positivas y negativas temporales existentes en un semiconductor en polarizacin directa debido al flujo de corriente. Las cargas almacenadas reducen la eficiencia de los semiconductores comunes a altas frecuencias porque stas aumentan el tiempo requerido por una unin para cambiar del estado de polarizacin directa a inversa. CD ondulatoria (pulsating dc) - Los pulsos de salida de un rectificador de una polaridad que corresponde a los semiciclos del voltaje de entrada CA del rectificador cuando el diodo est en polarizacin directa. corriente de fuga (dispersin) (leakage current) - la corriente pequea que fluye a travs de un diodo polarizado inversamente. curva caracterstica (characteristic curve) - es una representacin grfica del flujo de la corriente contraria a la cada de voltaje del diodo. polarizacin directa (forward biased) sucede cuando se conecta una fuente de tensin al diodo donde el potencial negativo est unido al ctodo y el positivo al nodo. Al aplicar est tensin el diodo conduce. polarizacin inversa (reverse biased) - La condicin que existe cuando el nodo del diodo es negativo con respecto al ctodo. portadores minoritarios (minority carriers) - electrones libres en material tipo P y huecos (cargas positivas) en material tipo N. Los portadores minoritarios se presentan por la existencia de pequeas cantidades de impurezas en el material bsico semiconductor. Son los responsables de la mayora de las corrientes inversas (fugas) dentro de un semiconductor. resistencia dinmica directa (rF) (dynamic forward resistance (rF)) - la resistencia aparente de un diodo conductor, se calcula de una medida cambiada en la cada de voltaje dividida por una medida cambiada en la corriente. Rectificacin (rectification) - El proceso de convertir una corriente alterna a una corriente directa. rectificacin de media onda (half-wave rectification) - es la rectificacin en la cual la corriente de salida fluye durante medio ciclo de la entrada de CA. Rizado (ripple) -La apariencia de los pulsos a salida de voltaje de un circuito rectificador. tiempo de recuperacin inverso (reverse recovery time (tRR)) - El tiempo requerido por un diodo para dejar de conducir despus de que la polarizacin directa ha sido retirada. El tiempo de recuperacin inverso se debe principalmente a cargas almacenadas. voltaje de barrera (barrier voltage) - El potencial de voltaje requerido para que la corriente fluya a travs de la regin de agotamiento de un diodo de unin. El voltaje de barrera debe ser superado por el voltaje de polarizacin directa antes de que la corriente pueda fluir en un diodo. voltaje de ruptura (breakdown voltage) - El voltaje inverso que causa que un diodo conduzca lenta y destructivamente en direccin "equivocada". Los diodos deberan seleccionarse para tener un voltaje de ruptura mayor que cualquier voltaje inverso aplicado normalmente.

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Unidad 2 Diodos y rectificacin de media onda

Ejercicio 1 Caractersticas CD del diodo


OBJETIVO DEL EJERCICIO Al finalizar este ejercicio, usted podr probar un diodo en un circuito tpico, empleando la curva caracterstica CD de un diodo. Usted verificar los resultados con un multmetro.

DISCUSIN DEL EJERCICIO La curva caracterstica de CD, describe la relacin entre la corriente y el voltaje aplicado al diodo. La parte superior derecha del grfico muestra la operacin del diodo cuando es polarizado en forma directa (ctodo negativo con respecto al nodo). La escala est comprendida entre fracciones de voltio y algunos voltios. La parte izquierda de la grfica muestra la condicin de polarizacin inversa. Las escalas de corriente y voltaje en la curva caracterstica varan por la regin, marcadas de mili amperes a pico amperes o milivoltios a voltios. A medida que aumenta el voltaje en polarizacin directa, el voltaje de la barrera es sobrepasado y la corriente directa crece rpidamente. El diodo de silicio, comienza a conducir cuando el voltaje de polarizacin est entre 0.5 y 0.7V. Ges diodos de Germanio requieren de un voltaje de cerca de 0.3V. Una vez iniciada la conduccin, el aumento del voltaje en el diodo es muy pequeo comparado con el aumento de corriente. Este voltaje constante aproximado, es llamado cada de voltaje en polarizacin directa (VF). El diodo polarizado inverso, circula una corriente pequea. La corriente que fluye es debido a la presencia de conductores minoritarios y es referente a la corriente de fuga. El voltaje de ruptura es el voltaje inverso que causa un flujo de corriente mayor a travs de los diodos polarizados inversos. La corriente puede ser lo suficientemente mayor para daar el diodo. En general, los diodos de silicio tienen una cada de voltaje con polarizacin directa aproximadamente de 0.6V y los diodos de germanio 0.3V. La resistencia directa es la relacin entre un aumento de la cada de voltaje directa dividida por un aumento de la corriente directa. Debido a que la resistencia dinmica directa o resistencia directa de un diodo es muy pequea, se incluye una resistencia en el circuito para prevenir dao al diodo. La mxima corriente permitida por un diodo antes que se destruya, se conoce con el nombre de mxima corriente directa, generalmente abreviada como (IF(max)). Los hmetros no pueden medir exactamente la resistencia de la unin de un diodo, por lo tanto, las uniones del diodo son probadas nicamente por continuidad. La unin polarizada directa registrar una resistencia baja, indicando continuidad. Una unin polarizada inversa o diodo daado, indica una resistencia alta o una sobre carga que indica disminucin de continuidad.

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Unidad 2 Diodos y rectificacin de media onda

Ejercicio 2 Rectificacin de media onda


OBJETIVO DEL EJERCICIO Al finalizar este ejercicio, usted ser capaz de demostrar como opera un rectificador de media onda, por medio de un circuito tpico. Verifique sus resultados utilizando el osciloscopio y un multmetro. DISCUSIN DEL EJERCICIO El rectificador de media onda convierte una salida de CA, en una salida CD ondulatoria. El circuito consta de un diodo y una resistencia de carga. El rectificador de media onda produce un voltaje de CD ondulatoria, positivo o negativo, dependiendo de la conexin del diodo en el circuito. La rectificacin es el proceso de convertir CA en CD. La rectificacin de media onda ocurre cuando la conduccin es solamente la mitad de cada ciclo de CA. La salida de CD, puede ser mas baja que la entrada de CA, debido a que la cada de voltaje directo del diodo debe ser alcanzado antes de que ocurra la conduccin y aparezca el voltaje a travs de la carga. La rectificacin de media onda ser observada en un osciloscopio. Las medidas de voltaje del osciloscopio son de pico a pico; por lo tanto, el siguiente factor de conversin es utilizado para convertir los voltajes observados a rms o valores promedio. para voltaje promedio para voltaje rms Vo(avg) = 0.318 x V o(pk) Vo(rms) = 0.707 x Vo(pk)

Estos factores de conversin son de ciclo completo, as que el valor calculado ser menor que el valor medido con un multmetro. Las variaciones en la salida de CD ondulatoria, de un rectificador de media onda se refieren como a un rizado. Los rectificadores de voltaje de media onda tienen rizado que es la misma frecuencia como en la frecuencia de entrada de voltaje. El tiempo de recuperacin inverso (tRR) del diodo puede tener un efecto adverso en la salida del rectificador de media onda en frecuencias mayores a 1 Khz. El tiempo de recuperacin inverso provoca un voltaje de salida en una direccin opuesta al pulso normal de media onda.

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Unidad 3 Filtrado y rectificacin/onda completa

UNIDAD 3 FILTRADO Y RECTIFICACIN/ONDA COMPLETA

OBJETIVO DE LA UNIDAD Al completar esta unidad, usted podr demostrar la rectificacin de onda completa, filtracin, la duplicacin de voltaje y medir las condiciones del circuito. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Un rectificador de onda completa (FULL-WAVE RECTIFIER) convierte semiciclos positivos y negativos de una seal CA a pulsos CD, como se observa en la figura.

Un rectificador de puente de onda completa es un circuito que realiza rectificacin de onda completa. La entrada al circuito rectificador de puente, generalmente es la bobina secundaria de un transformador de energa. El transformador asla el rectificador de puente de la fuente CA y sirve para aumentar o disminuir la entrada CA a ste.

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Unidad 3 Filtrado y rectificacin/onda completa

El rizado grande de los pulsos CD de un rectificador de puente de onda completa es reducido a una seal CD relativamente suave, utilizando un condensador electroltico en la salida del rectificador. El condensador de filtro (FILTER CAPACITOR) se carga (CHARGING) rpidamente y se descarga (DISCHARGING) lentamente para reducir el rizado de la salida CD del rectificador.

Un duplicador de voltaje, compuesto de dos pares de diodos y condensadores; produce una salida CD filtrada y rectificada de onda completa (VO), igual al doble del voltaje pico (Vpk) de entrada CA. Los condensadores estn conectados en serie, de tal manera que sus voltajes se suman a la salida.

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Unidad 3 Filtrado y rectificacin/onda completa

NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS condensador de filtro (capacitor filter) - es un condensador usado para promediar los pulsos de salida de un circuito rectificador. condensador electroltico (electrolytic capacitor) - Es un condensador de alta capacitancia que es polarizado y usado en aplicaciones de filtros de fuentes de energa. duplicador de voltaje (voltage doubler) es un circuito designado para rectificar, filtrar y duplicar el valor pico de entrada de voltaje de CA. rectificador de onda completa (full-wave rectifier) - Es una configuracin de un diodo en el que las alternaciones positivo y negativo de una seal de entrada CA se convierten a una seal ondulatoria de salida CD. rectificador de puente (bridge rectifier)- es un tipo de circuito rectificador de onda completa.

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Unidad 3 Filtrado y rectificacin/onda completa

Ejercicio 1 Rectificacin onda completa con puente


OBJETIVO DEL EJERCICIO Cuando haya completado este ejercicio, usted ser capaz de demostrar la rectificacin de onda completa utilizando un circuito con rectificador de puente de onda completa. Verifique sus resultados con un osciloscopio y un multmetro. DISCUSIN DEL EJERCICIO Hay tres tipos bsicos de circuitos rectificadores con diodos. En la unidad anterior, se estudi cmo un simple diodo puede realizar rectificacin de media onda. Otros dos circuitos con grupos de diodos realizan rectificacin de onda completa. Uno emplea un rectificador de onda completa con derivacin central, mientras que el segundo utiliza un rectificador de onda completa. El rectificador de onda completa es utilizado en este ejercicio. El rectificador de puente de onda completa contiene cuatro diodos, D1, D2, D3 y D4, configurados de tal manera que dos de ellos conducen en el semiciclo positivo y los otros dos en el semiciclo negativo CA, produciendo una salida CD ondulatoria. La corriente ondulatoria de salida CD fluye siempre a travs de la resistencia de carga en la misma direccin, independientemente del ciclo de corriente AC que sea derivada. El rectificador de puente tiene dos terminales de entrada y dos de salida. Los terminales de entrada, algunas veces se marcan con el smbolo de una onda seno para indicar que es el lado CA del puente. Los diodos D1 y D3 son polarizados directamente durante el semiciclo positivo de la seal de entrada CA. Los diodos D2 y D4 son polarizados directamente durante el semiciclo negativo de la seal de entrada CA. Ya que cada pareja de diodos conduce por un semiciclo de la seal de entrada AC, se obtiene como resultado la rectificacin de onda completa. Por que hay dos pulsos de CD, por cada ciclo de la seal de entrada, la frecuencia de los pulsos de salida para un rectificador de puente es el doble de la frecuencia de entrada.

La relacin entre el voltaje pico, rms y promedio para un rectificador de onda completa es mostrada. El voltaje pico de salida (Vo(pk)) es igual al voltaje pico de entrada (Vi(pk)) menos el voltaje de barrera (VF) de dos diodos: Vo(pk) = Vi(pk) 2VF El voltaje de salida (Vo(rms)) es 0.707 veces el voltaje pico de entrada. Vo(rms) = 0.707 x Vo(pk) El voltaje promedio de salida (Vo(avg)) es 0.636 veces el voltaje pico de salida. Vo(avg) = 0.636 x Vo(pk)

Ejercicio 2 Filtrado de la fuente de alimentacin


OBJETIVO DEL EJERCICIO Cuando haya completado este ejercicio, usted podr demostrar cmo un filtro reduce significativamente el rizado de una salida CD ondulatoria a un voltaje CD relativamente uniforme, usando un circuito de filtro de entrada capacitivo. Usted verificar sus resultados con un osciloscopio y un multmetro.

DISCUSIN DEL EJERCICIO Debido a que la mayora del equipo electrnico requiere un voltaje CD liso, se utiliza un filtro despus del rectificador para reducir el rizado a niveles muy bajos. El rizado presente en el rango de voltios puede ser reducido a un rango milivoltio. Un ejemplo es el filtro de entrada capacitivo, el cual es implementado colocando un capacitar electroltico (C1) a travs de la salida del rectificador de puente y en paralelo con la resistencia de carga (RL). Sin una carga, el condensador se carga rpidamente al voltaje pico de salida del rectificador de puente. Como no existe trayectoria de descarga, el condensador permanece cargado y mantiene la salida del rectificador en el voltaje pico de salida, cuando el voltaje de entrada del rectificador cae a cero. Con una carga presente, el condensador se descarga y mantiene un voltaje de carga constante. Otro pulso de salida recarga el condensador, antes de que el condensador se descargue completamente. La constante de tiempo de descarga de un condensador es mayor que la constante de tiempo de carga, y depende de la constante de tiempo RC (producto de la capacitancia por la resistencia). El tiempo de descarga para frecuencias constantes, afectar la magnitud del rizado. Al aumentar la capacitancia y/o resistencia de carga, reduce el rizado. El rizado tambin se reduce a medida que la frecuencia aumenta. Otros tipos de filtros son configurados con inductores o combinaciones de resistencias, condensadores e inductores. Cada seccin de filtro agregada, elimina una porcin del rizado del rectificador. El circuito rectificador de onda completa con filtro capacitivo, no sirve como fuente de alimentacin regulada. Cuando una carga resistiva es conectada en paralelo con el condensador, la baja impedancia de salida reduce el voltaje de salida pico del rectificador durante el perodo de carga.

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Unidad 3 Filtrado y rectificacin/onda completa

Ejercicio 3 Duplicador de voltaje


OBJETIVO DEL EJERCICIO Cuando haya completado este ejercicio, usted podr demostrar cmo obtener ser una salida de voltaje CD filtrada igual al doble de pico de voltaje CA de entrada, por medio de un circuito duplicador (o doblador) de voltaje. Verificar sus resultados con un multmetro y un osciloscopio. DISCUSIN DEL EJERCICIO Un duplicador de voltaje rectifica la seal de entrada CA, y filtra la salida, de manera que el voltaje de salida CD sea el doble del voltaje pico de entrada CA menos la cada de voltaje del diodo. Un circuito comn de duplicador de voltaje consta de dos diodos y dos condensadores de filtro. El voltaje a travs de los dos condensadores conectados en serie, es la suma de los voltajes a travs de cada uno de ellos. La suma de los voltajes de los condensadores produce el efecto duplicador del circuito. Las resistencias R1 y R2 son de ecualizacin y dividen de manera uniforme el voltaje de los condensadores en el circuito. Un duplicador de voltaje de onda completa usa ambos semiciclos positivos y negativos de la seal de entrada CA. Un diodo y un condensador son emparejados para cada semiciclos de la entrada CA. El diodo (CR1) y el condensador (C1) funcionan para el semiciclo positivo. El diodo (CR2) y el condensador (C2) funcionan para el semiciclo negativo. Debido a que la constante de tiempo de descarga de cada condensador es grande, cada condensador mantienen una carga muy cercana a su voltaje mximo, cargado entre los ciclos de carga. La frecuencia del rizado de salida de un duplicador de voltaje de onda completa es el doble de la frecuencia de entrada de CA. El voltaje pico de entrada es reducido durante el perodo de carga del condensador, ya que la entrada del duplicador de voltaje es suministrada por una fuente de potencia no regulada.

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Unidad 4 Formas de onda y regulador Zener

UNIDAD 4 FORMAS DE ONDA Y REGULADOR ZENER

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al finalizar esta unidad, usted ser capaz de describir el funcionamiento de un diodo Zener, los diodos formadores de onda y el regulador de voltaje Zener. Utilizando los respectivos circuitos.

. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Los circuitos con diodos pueden ser configurados para obtener formas de onda diferente a la forma de onda de entrada.

Un circuito limitador (CLIPPER) retira todo o parte de un semiciclo de entrada como se muestra en la figura.

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Unidad 4 Formas de onda y regulador Zener

El circuito fijador (clamper) desplaza el pico positivo y negativo de la forma de onda de entrada a un nivel de CD de referencia diferente.

Los circuitos limitador (LIMITER) y de fijacin (CLAMPER) aprovechan la cada de voltaje directo del diodo para fijar o limitar el nivel de voltaje.

El diodo Zener est diseado para operar en forma segura con el voltaje inverso de ruptura. En el grfico se observa el smbolo para un diodo Zener.

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Unidad 4 Formas de onda y regulador Zener

El voltaje de ruptura de un diodo Zener es llamado voltaje Zener (VZ). El voltaje Zener vara entre 3V y 200V. En la regin de voltaje Zener (ZENER REGION), la corriente inversa (REVERSE CURRENT, corriente Zener) aumenta rpidamente para un aumento pequeo en el voltaje Zener.

En los circuitos, la corriente Zener (IZ), se limita a un valor seguro por una resistencia (R2) en serie, con el Zener (CR1).

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Unidad 4 Formas de onda y regulador Zener

El diodo Zener (CR1) puede ser configurado en un circuito para controlar el voltaje de salida (VO), de tal manera que sea igual al voltaje Zener(VZ). El diodo Zener o regulador de voltaje, mantiene el voltaje de salida (VO) igual al voltaje Zener, para cambios en el voltaje de entrada (VA) y la corriente de carga (IL).

NUEVOS TRMINOS Y PARABRAS


limitador (limiter) - un circuito que previenen los voltajes por arriba o por debajo de los puntos especificados que se presentan en las terminales de salida del circuito. fijacin (clamper) Circuito de fijacin: es un circuito que cambia el nivel de referencia de una forma de onda de entrada de un circuito de salida. diodo Zener (Zener diode) - es un diodo designado para operar en la regin de avalancha, manteniendo una cada de voltaje relativamente constante sobre un rango de flujo de corriente. El rea de operacin de avalancha de un diodo ocurre cuando el ctodo es positivo con respecto al nodo. voltaje Zener (Zener voltage) - es el voltaje casi constante producido por un diodo Zener. regulador de voltaje (voltage regulator) - un circuito que mantiene un voltaje de salida constante cuando el voltaje de entrada y las cargas de salida cambian. restauradores de CD (dc restorers) - circuitos que duplican sus voltajes de entrada a sus terminales de salida pero mueven o cambian los niveles de referencia de la seal. fijador positivo (positive clamper) - un circuito que ajusta o fija el pico negativo de una forma de onda de entrada. fijador negativo (negative clamper) - un circuito que ajusta o fija el pico positivo de una forma de onda de entrada. avalancha (avalanche) - el punto del voltaje inverso en el que una unin PN se rompe para dar paso a valores altos de corriente.

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Unidad 4 Formas de onda y regulador Zener

Ejercicio 1 Formador de onda con diodos


OBJETIVO DEL EJERCICIO Al finalizar este ejercicio, usted ser capaz de describir las funciones de recorte y fijacin para una onda determinada. Utilizando los circuitos respectivos, adicionalmente, podr verificar sus resultados con el osciloscopio DISCUSIN DEL EJERCICIO Los circuitos limitadores o recortados remueven partes negativas y/o positivas de una forma de onda. Una onda senoindal puede convertirse a una onda rectangular por medio de un circuito limitador. Los limitadores de diodo son clasificados en serie o en paralelo. Los limitadores de diodos en serie mostrados en este ejercicio, son rectificadores de media onda. Los limitadores de diodos paralelos estn compuestos de una resistencia en serie, resistencia de diodo y de carga en paralelo con el diodo. Cuando el diodo es polarizado directamente, la salida es limitada al voltaje directo del diodo. El voltaje de entrada del semiciclo aparece en la salida cuando el diodo es polarizado en forma inversa. Un circuito limitador con una polarizacin de voltaje variable en el diodo, es ilustrado en este ejercicio. El punto donde ocurre la limitacin es controlado por la cantidad de polarizacin agregada al circuito por la fuente de alimentacin positiva variable. Un circuito de fijacin desplaza el extremo de amplitud positivo o negativo de la onda de entrada a un nivel de referencia de voltaje CD diferente. Los circuitos de fijacin tambin son conocidos como restauradores de CD o estabilizadores de lnea. En los circuitos de fijacin con condensadores, la constante de tiempo de carga del condensador debe ser corta y la constante de tiempo de descarga debe ser grande, comparada con el perodo de la seal de entrada

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Ejercicio 2 El diodo Zener


OBJETIVO DEL EJERCICIO Al finalizar este ejercicio, usted podr describir la operacin de un diodo Zener, empleando una curva caracterstica CD. Podr verificar sus resultados con un multmetro. DISCUSIN DEL EJERCICIO La resistencia de polarizacin inversa de un diodo es alta y permite muy poca corriente hasta que se alcance el voltaje de ruptura. Entonces, la corriente inversa crece rpidamente. El voltaje de ruptura se llama tambin voltaje Zener o en avalancha. El diodo Zener es un diodo de unin PN diseado para operar en forma segura en el voltaje Zener o en avalancha. El smbolo esquemtico del diodo Zener tiene en el ctodo una lnea en forma de Z. Los diodos Zener tienen un voltaje directo, entre 3V y 200V, comparado con el de los diodos convencionales (entre 50V a 1000V) usados como rectificadores. La cada de voltaje directo de un diodo Zener es casi igual a la de un diodo convencional (0.6 a 0.9 Vcd). La curva caracterstica CD de un diodo Zener, en polarizacin directa, es la misma que la de un diodo rectificador. En la direccin de la polarizacin inversa, el flujo de corriente es pequeo hasta que se alcance el voltaje Zener. La regin Zener (punto de ruptura) es el codo de la curva. La corriente de prueba Zener, especificada por el fabricante, es la corriente a la cual el voltaje Zener est dentro del rango de tolerancia. La parte de la curva donde la corriente aumenta lentamente, con incrementos del voltaje Zener es la regin suave (soft region). En la regin de la curva donde el voltaje Zener est bien definido (stiff region), la corriente aumenta rpidamente con incrementos pequeos del voltaje Zener.

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Unidad 4 Formas de onda y regulador Zener

Ejercicio 3 El diodo Zener como regulador de voltaje


OBJETIVO DEL EJERCICIO Al finalizar este ejercicio, usted podr describir la regulacin de voltaje CD usando un regulador con diodo Zener. Verificar sus resultados con un multmetro. DISCUSIN DEL EJERCICIO Los diodos Zener pueden ser configurados en un circuito como regulador de voltaje, porque el voltaje Zener es prcticamente constante. El diodo Zener regula el voltaje de salida, el cual es igual al voltaje Zener, con variaciones del voltaje de entrada y la resistencia de carga. La corriente total en un circuito regulador de voltaje de diodo Zener, es la suma de la corriente Zener y la corriente de carga. El diodo Zener puede operar como regulador de voltaje, porque Iz puede variar significativamente con pequeos cambios en valores prximos al voltaje Zener Vz nominal, cuando se opera en la regin de ruptura. Aumentos en la corriente de carga son compensados por disminuciones iguales en la corriente Zener; esta caracterstica proporciona la propiedad de regulacin de carga de un regulador de voltaje. El porcentaje de regulacin de carga es una medida del cambio de voltaje a travs de la carga, debido a un cambio en la carga.

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Unidad 5 Uniones/transistor y polarizacin/PNP

UNIDAD 5 UNIONES/TRANSISTOR Y POLARIZACIN/PNP

OBJETIVO DE LA UNIDAD Al completar esta unidad, usted podr verificar transistores y probar un interruptor de transistor utilizando circuitos de transistores NPN y PNP. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Cuando otra seccin de material tipo P o N se agrega a un diodo de unin PN, se forma un dispositivo de tres secciones conteniendo dos uniones. Este dispositivo semiconductor de tres secciones es un transistor bipolar. Las tres secciones son el emisor (E) (EMITTER) y el colector (C) (COLLECTOR) en los extremos y la base (B) en medio.

Los transistores estn clasificados por la disposicin de los materiales tipo P (positivo) y tipo N (negativo). Los transistores son de tipo PNP o NPN como se muestra. Cada una de las dos uniones PN de un transistor, tiene caractersticas de voltaje/corriente directa e inversa similares a las uniones PN de un diodo.

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Unidad 5 Uniones/transistor y polarizacin/PNP

Q es la letra usada para identificar un transistor. Las flechas en los smbolos (SCHEMATIC SYMBOL) de transistores NPN y PNP muestran la direccin del flujo convencional de corriente. El flujo de corriente electrnico, que est en direccin opuesta del flujo convencional de corriente, es usado en este curso.

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Unidad 5 Uniones/transistor y polarizacin/PNP

El transistor PNP mostrado, tiene los terminales base y colector negativos respecto al terminal emisor. Como el material negativo (N) de la base tiene un voltaje ms negativo que el emisor, la unin PN queda en polarizacin directa y permite el flujo de corriente de la base al emisor. Las flechas de la corriente indican el flujo electrnico de sta. La corriente de base permite que la corriente del colector fluya al emisor porque el colector es ms negativo que el emisor.

El transistor NPN mostrado, tiene los terminales del colector y la base positivos respecto al terminal emisor. Como el material positivo (P) de la base tiene un voltaje ms positivo que el emisor, la unin PN queda en polarizacin directa y permite el flujo de corriente del emisor a la base. La corriente base permite corriente del colector desde el emisor porque el colector es ms positivo que el emisor.

Un transistor es un dispositivo controlador de corriente; la unin base-emisor tiene que estar en polarizacin directa para que fluya la corriente del transistor. Un pequeo cambio en la corriente de base provoca un gran cambio en la corriente de colector; esta propiedad del transistor es la ganancia de corriente. La corriente de emisor es la suma de las corrientes de base y colector: IE = IB + IC

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Unidad 5 Uniones/transistor y polarizacin/PNP

NUEVOS TERMINOS Y PALABRAS uniones (junctions) los puntos de contacto entre el emisor y la base o la base y el colector en las secciones de un transistor. PNP un transistor de este tipo, tiene un material tipo N entre materiales tipo P. NPN un transistor de este tipo, tiene un material tipo P entre materiales tipo N.
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Ejercicio 1 Prueba de uniones de un transistor


OBJETIVO DEL EJERCICIO Cuando haya terminado este ejercicio, usted podr probar un transistor polarizando las uniones inversa y directamente. Verificar sus resultados con un hmetro. DISCUSIN DEL EJERCICIO Un transistor est funcionando bien si amplifica correctamente, si no se descarga operando bajo voltaje de trabajo, y si la corriente de fuga est dentro de la tolerancia. La prueba puede ser hecha con un probador comercial de transistores; sin embargo, tambin es posible probar un transistor con un hmetro. La prueba con un simple hmetro mostrar si el transistor est en corto o abierto, es PNP o NPN, o tiene fuga considerable. Para pruebas, un transistor puede considerarse como dos diodos. La unin PN base-emisor (BASE-EMITTER) puede ser probada como un diodo, y la unin PN base-colector (BASECOLLECTOR) puede ser probada como otro diodo. Un transistor NPN con uniones de base-emisor y base colector conduce cuando est en polarizacin directa y no conduce cuando est en polarizacin inversa. No debera haber indicacin de flujo de corriente entre el colector y el emisor. Lo mismo es cierto para un transistor PNP; sin embargo, se debe tomar cuidado cuando se conecte el hmetro. Por ejemplo: Para polarizar directamente la unin base-emisor, se debe conectar la punta positiva al emisor y la punta negativa a la base. Si un hmetro indica "sobrecarga" o fuera de escala, cuando la unin de un transistor est polarizada directamente, entonces el transistor esta daado. Si la lectura de un hmetro indica flujo de corriente (baja resistencia) cuando es conectado a una unin del transistor polarizada de forma inversa, entonces el transistor esta daado. Una lectura muy baja del hmetro conectado a travs del colector y el emisor, indica un corto o baja corriente de fuga, y por lo tanto un transistor daando. Las instrucciones para realizar pruebas con MULTIMETRO DIGITAL DE LAB-VOLT, MULTIMETRO CON FUNCIN DE PRUEBA DE DIODOS, y un OHMETRO DIGITAL son presentadas en este ejercicio.

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Ejercicio 2 Control de corriente de transistor PNP


OBJETIVO DEL EJERCICIO Cuando haya completado este ejercicio, usted podr demostrar el control de corriente del transistor usando un circuito transistor PNP. Verifique sus resultados con un hmetro. DISCUSIN DEL EJERCICIO Un transistor bipolar puede operar como interruptor cambiando la corriente de base (IB)de cero a su mximo valor. Cuando la unin base-emisor es polarizada directamente, la base de un transistor de silicio PNP tiene que estar entre 0.5 VCD a 0.8 VCD ms negativa que el emisor. La resistencia de la unin colector-emisor depende de la corriente de base. Cuando la unin base-emisor es polarizada directamente, hace que la resistencia colectoremisor llegue a ser muy baja, permitiendo que la corriente fluya en el circuito colector del transistor. Anlogo a un interruptor cerrado. Cuando la polarizacin directa es retirada (la unin base-emisor est polarizada de forma inversa) la corriente de base se hace cero. La corriente de base igual a cero, causa que la resistencia del colector-emisor sea muy alta, la cual bloquea el flujo de corriente en el circuito colector del transistor. Anlogo a un interruptor abierto. Cuando fluye la mxima corriente de colector, se dice que el transistor esta en saturacin y VCE es casi cero voltios. Cuando la corriente de base es cero y no hay flujo de corriente en el colector, el transistor se dice que est en corto y VCE es igual al voltaje de la fuente. La corriente del emisor es igual a la suma de la corriente de base y la corriente del colector. Ya que la corriente de base es insignificante, la corriente del colector y la corriente del emisor son virtualmente iguales.

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Unidad 6 Ganancia y lnea de carga del transistor

UNIDAD 6 GANANCIA Y LNEAS DE CARGA DE TRANSISTOR

OBJETIVO DE LA UNIDAD Al completar esta unidad, usted ser capaz de demostrar cmo las condiciones de operacin y ganancia afectan las corrientes del circuito transistor usando un transistor CD o lnea de carga. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Un transistor es un dispositivo que controla corriente. Una pequea corriente de base (IB) controla una gran corriente de colector (IC). La corriente de colector es igual a la de emisor menos la de base: IC = IE - IB.

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Unidad 6 Ganancia y lnea de carga del transistor

La unin base-emisor debe ser polarizada directamente para que la corriente de base (BASE CURRENT) fluya. Cuando el voltaje base-emisor (VBE) est entre 0.5 Vcd y 0.75 Vcd, la corriente de base (IB) empieza a aumentar rpidamente con un pequeo aumento en VBE. Cuando la unin base-emisor es polarizada directamente y la unin base-colector es polarizada inversamente, la corriente de colector (IC) es proporcional a la corriente de base (IB). La proporcin de la corriente de colector (IC) a la corriente de base (IB) es la ganancia de corriente (DC). La ganancia de corriente (DC) para un transistor puede estar en el rango de 50 a 300. EMISOR SATURACION ACTIVO DE CORTE UNION BASE POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA POLARIZATION INVERSA UNION BASE COLECTOR POLARIZACION DIRECTA POLARIZATION INVERSA

La tabla de arriba muestra el voltaje de polarizacin de las uniones base-emisor y base-colector necesarios para que el transistor est en los estados de saturacin, activo o corte.

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Una lnea de carga (LOAD LINE) de CD es una porcin de la corriente de colector (IC) contra el voltaje colector-emisor (VCE). La regin activa est entre el punto de saturacin (SATURATION POINT) y el punto de corte (CUTOFF POINT). NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS lnea de carga (load line) Una curva de la corriente del colector versus el voltaje del colector, usada para determinar el mejor punto de operacin del transistor. punto de corte (CUTOFF POINT) el punto de operacin del transistor polarizado inversamente (no conduce). punto de saturacin (SATURATION POINT) el punto de operacin en el que la corriente mxima fluye en un transistor polarizado directamente. punto quiescente (Quiesecent point) o punto-Q (Q-POINT) el punto de operacin CD de un transistor igual a aproximadamente la mitad del suministro de voltaje.

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Ejercicio 1 Potencial de polarizacin


OBJETIVO DEL EJERCICIO Cuando haya completado este ejercicio, usted ser capaz de demostrar la relacin entre el voltaje base-emisor del transistor y la corriente base usando un circuito de transistor. Verificar sus resultados con un multmetro. DISCUSIN DEL EJERCICIO Las caractersticas de CD de polarizacin inversa y directa de una unin base-emisor son muy similares a las de la unin de un diodo PN. Los transistores de silicio tienen una cada de voltaje directa entre 0.5 Vcd y 0.75 Vcd. Los transistores de germanio tienen una cada de voltaje directa entre 0.15 Vcd y 0.3 Vcd. Cuando se alcanza la cada de voltaje directo de un transistor, la corriente directa empieza a fluir y aumenta rpidamente con un pequeo aumento en el voltaje. La unin base-emisor de un transistor no puede tolerar voltajes inversos que sean mayores de 5 Vcd a 6 Vcd. La unin base-colector del transistor la cual es polarizada inversamente, puede tolerar voltajes de polarizacin inversos de un rango de 60 Vcd a 75 Vcd. Este voltaje de polarizacin inverso mximo es documentado en la hoja de especificacin del transistor y se conoce como voltaje de ruptura. Si se excede el voltaje de ruptura, ste perforar la barrera de la unin y destruir el transistor. Cuando la unin base-emisor es polarizada en forma directa y la corriente de base fluye a travs de la unin, la corriente tambin fluye a travs de la unin base-colector sin importar su polarizacin. Cuando un transistor opera en la regin lineal, la unin base-emisor es polarizada directamente y la unin base-colector inversamente. Un transistor en saturacin tiene corriente mxima que fluye a travs del colector. Este ejercicio demostrar la relacin entre la cada de voltaje base-emisor y la corriente de base con el colector abierto. BEO significa base-emisor con el terminal colector abierto.

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Unidad 6 Ganancia y lnea de carga del transistor

Ejercicio 2 Corriente/colector contra corriente/base


OBJETIVO DEL EJERCICIO Cuando haya terminado este ejercicio, usted ser capaz de demostrar la relacin entre corriente de colector y corriente de base usando un circuito con transistor. Verificar sus resultados con un multmetro. DISCUSIN DEL EJERCICIO El circuito usado en este ejercicio, tiene dos fuentes de voltaje: una para polarizar la base y otra para suministrar la corriente de colector. Para variar la corriente de base, ajuste el potencimetro (R2). La unin base-emisor est polarizada directamente porque la base es ms positiva que el emisor. La corriente del emisor es igual a la suma de las corrientes de base y colector. La regin base es delgada y ligeramente dopada, comparada con las regiones de colector y emisor. Esta condicin permite que la corriente fluya entre las uniones del colector y base, aun cuando la unin este polarizada inversamente. La ganancia de la corriente de CD, es la razn de las corrientes de colector y base (IC/IB) cuando el transistor este funcionando en la regin lineal y se representa por los smbolos DC o hFE. Beta puede estar entre 10 y 500 y aumentar con la temperatura de operacin; El transistor usado en este procedimiento tiene una especificacin de ganancia de corriente entre 50 y 300. La ganancia es una propiedad importante del transistor, ya que una pequea corriente de base puede controlar una gran corriente de colector. La ganancia define el grado, en el cual el transistor amplifica una pequea seal de entrada en seales de salida mayores.

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Ejercicio 3 Voltajes de CD del circuito transistor


OBJETIVO DEL EJERCICIO Cuando haya completado este ejercicio, usted ser capaz de demostrar las condiciones de operacin en CD de un circuito transistor, usando un transistor NPN. Verifique sus resultados con un multmetro. DISCUSIN DEL EJERCICIO Las tres condiciones de voltaje de CD, de un circuito transistor son: (1) en el punto de saturacin, (2) en la regin activa (lineal) o (3) en el punto de corte. Un circuito transistor NPN es usado en este ejercicio. La fuente de voltaje de base es 15 Vcd y la fuente del circuito colector es puesta en 10 Vcd. Todos los voltajes son medidos en referencia al voltaje de emisor. Debido a que no hay resistencia de emisor, lo siguiente es verdadero: VB = BBE y VC = VCE El potencimetro R2 es ajustado para calibrar la corriente de base. Las condiciones de saturacin estn presentes, cuando la unin base-colector se polariza directamente. VCE = 0 Vcd. En este estado, el transistor acta como un interruptor cerrado. La corriente de colector es mxima e igual al voltaje de la fuente de colector dividido por el total de las resistencias del circuito colector. En el punto de saturacin, la corriente del colector no es igual a la corriente de base por veces beta. Un circuito transistor que est en operacin en la regin activa, puede tener un punto de operacin en algn lugar entre el punto de saturacin y corte. En la regin activa, la unin base-emisor est polarizada directamente y la unin basecolector inversamente. La corriente de colector es linealmente proporcional a la corriente de base. La corriente de colector es igual a la corriente de base por beta. El punto de corte ocurre cuando la corriente y el voltaje de base estn en cero, porque la unin base-emisor no est polarizada directamente. La corriente de colector es cero. VCE es igual a la fuente de voltaje del colector. El circuito transistor acta como un interruptor abierto.

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Ejercicio 4 Lneas de carga del transistor


OBJETIVO DEL EJERCICIO Cuando haya completado este ejercicio, usted ser capaz de determinar la lnea de carga de CD para un circuito transistor. Verifique sus resultados con un multmetro. DISCUSIN DEL EJERCICIO La curva caracterstica de la corriente del colector es un grfico de la corriente de colector contra el voltaje colector-emisor como una funcin de corriente base. Ya que beta es casi constante en la regin activa del transistor, la curva de la corriente de colector contra colector-emisor aumenta ligeramente. La lnea de carga de CD se interfecta con el eje Y en el punto de saturacin y con el eje X en el punto de corte. El punto Q o punto quiescente es aquel en el cual la lnea de carga se intersecta con IB y es determinado por las condiciones de polarizacin de CD, del circuito transistor. Los circuitos del transistor usados para una pequea seal de amplificacin son usualmente diseados para tener el punto Q en el centro de la lnea de carga. sto proporciona un rango de operacin en la regin activa para aplicar una seal de CA. La determinacin de la lnea de carga ser afectada con cambios en la fuente de voltaje del colector o el valor de la resistencia del colector.