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LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA

Tema : Nota:

LAB. Nº 4
Semestre VII

Mediciones en el Diodo Semiconductor
App./Nom.:

Fecha:

I.

OBJETIVOS 1. Identificar las Características del Diodo Semiconductor. 2. Comprobar el estado de un diodo semiconductor e identificar el cátodo (zona N) y el ánodo (zona P). 3. Graficar la curva característica del diodo Semiconductor. 4. Identificar las Características del Diodo Zener.

II.           III.

MATERIALES 01 Diodo 1N4004 01 Diodo 1N4007 01 Diodo 1N34A Multímetro analógico y digital. 01 protoboard 01 resistencia de 1K, 1/4 de watt. 01 resistencia de 180 ohm, 1/4 de watt. Cables y conectores 01 fuente de alimentación. Hoja técnica de los diodos pedidos CUESTIONARIO PREVIO 1. Como se verifica de forma práctica si un diodo esta operativo, ejemplificar. 2. Que datos son importantes al leer la hoja de características de un diodo, ejemplificar.

IV. FUNDAMENTO TEÓRICO  Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor.  Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión.  Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.  Viendo el símbolo del diodo en el gráfico anterior( A - ánodo, K,C - cátodo) 1
Ing, M. Elena Pareja V.

con polarización inversa se pueden observar lecturas de 200 a 300 K: para el germanio y de varios Megas para el silicio. En el diseño de circuitos habrá que seleccionar un tipo de diodo cuya tensión máxima aplicable en sentido inverso (VRmáx) sea mayor (del orden de tres veces) que la máxima que se espere aplicarle en su funcionamiento. Curva Característica Diodo De forma simplificada. siendo preferible la utilización de multímetros analógicos.Consideraciones generales 1. 2 . lo que provoca el aumento de la corriente inversa. Corriente superficial de fugas. El ohmímetro ha de proporcionar suficiente intensidad para polarizar el diodo. En sentido directo la resistencia media es del orden de 10 a 30. la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial. 5. debido a este comportamiento. M. Tensión de ruptura (Vr ). 3. Corriente inversa de saturación (Is ). como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua Tensión umbral. Corriente máxima (Imax ). Toda disipación de potencia genera calor. ya que ha de ser inferior a la IFmáx indicada por el fabricante. Ing. Elena Pareja V. de codo o de partida (Vγ). y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. aumento de temperatura. previa identificación de la polaridad de las puntas de prueba. La potencia disipada por el componente es conveniente limitarla a la mitad de la potencia nominal. 2. El circuito exterior debe limitar la intensidad I F. se comporta como un circuito abierto (no conduce). el diodo de silicio se utiliza en el resto de los casos. El diodo de germanio se utiliza en detección de bajas señales. ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal. se les suele denominar rectificadores. Para la verificación del normal funcionamiento de un diodo se realiza una prueba con un ohmímetro. 4.

el terminal rojo está conectado al cátodo del diodo. Identificar diodo Semiconductor Leer el código de cada diodo y buscar sus características en el manual de reemplazos (ECG o NTE) y llenar el dibujo adjunto. Verificar el estado del Diodo Semiconductor  Colocar el selector del multímetro digital en la posición para medir diodos. Comportamiento del Diodo Ing. M. Observación: Cuando el Multímetros indica baja resistencia el terminal negativo está conectado al cátodo del diodo. Elena Pareja V.V. el selector se coloca en la posición X1 y se hace la misma prueba que con el multímetros digital. A. PROCEDIMIENTO. Cuando se emplea un multímetros analógico.  Conectar los terminales del multímetro en paralelo con el diodo y luego cambiar la posición de los terminales del multímetro  En una posición el multímetro indicara baja resistencia (400 – 700) y en la otra posición indicara un valor extremadamente alto. Dibujar conexionado ohmímetro y diodo (polaridad): Escriba sus observaciones: …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… C.(hoja de datos) Diodo 1N4004 1N4007 1N34A I V Aplicación Material B. con la diferencia que con el multímetros indica baja resistencia. 3 . o sino ohmímetro.

Polarizado Directamente: Realizar el montaje del circuito eléctrico de la figura y rellenar los valores de las dos tensiones y la intensidad que se indican en la tabla de la misma figura. 4 . V1(R1) 1N34A 1N4007 V2(diodo) IDC Las comprobaciones se realizaran primero. M. Graficar la curva característica del diodo Ing. Elena Pareja V. Polarizado Inversamente: Realizar el montaje del circuito eléctrico de la figura y rellenar los valores de las dos tensiones y la intensidad que se indican en la tabla de la misma figura. con el diodo 1N34A y luego el 1N4007. V1(R1) 1N34A 1N4007 V2(diodo) IDC Anotar las diferencias entre los valores obtenidos con el diodo de germanio y el de silicio. …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………… D.

Armar el circuito mostrado. 5 .5 2. Vs(V) 0 0.0 4 6 8 10 12 15 ID VD Armar el circuito como indica la figura: Variar el voltaje de la fuente de alimentación y anotar los valores. Vs(V) -1 -3 -6 -9 -12 -15 ID VD Graficar en un solo grafico los valores de las tablas. Ing. Variar el valor de la fuente de alimentación (Vs) con los valores que indica la tabla sgte y anotar sus valores. Usar el Diodo 1N4007 y R1 de 1K. empleando un multímetros como amperímetro y el otro como voltímetro. M. Elena Pareja V.

VI. 6 . CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES ______________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ Ing. M. Elena Pareja V.