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MOSFET de Potencia

Un transistor MOSFET es una barra de silicio con un sector oxidado (el óxido de silicio se conoce vulgarmente como vidrio) sobre el que se produce un metalizado. Este metalizado está por lo tanto aislado de la barra de silicio pero suficientemente cercano como para cambiar la magnitud de la corriente circulante por la barra.

Existen diferentes versiones de MOSFETs en función del tipo de barra de silicio (canal tipo P y canal tipo N) y del funcionamiento del dispositivo, ya que existen MOSFET de ensanchamiento de canal y otros de estrechamiento del canal (los primeros tiene una resistencia intrínseca alta, que se reduce al aplicar tensión a la compuerta y los segundos tienen una resistencia intrínseca baja, que aumenta al aplicar tensión a la compuerta). Los cuatro tipos se individualizan por el símbolo, la flecha hacia el canal significa tipo N y la flecha hacia el lado contrario al canal significa tipo P.

El dispositivo MOSFET es perfectamente capaz de amplificar señal eléctrica y de hecho existen amplificadores de potencia basados en ellos; sin embargo se les utiliza como interruptor con posiciones de cierre o apertura dejando la función de amplificación de potencia en manos de transistores Darlington complementarios que también presentan excelentes características de excitación (alta impedancia de entrada aunque no tan elevada como los MOSFET).

El comportamiento del MOSFET es bastante distinto al de un bipolar. El MOSFET tiene sus 3 electrodos (pines) llamadas DRAIN, GATE y SOURCE (drenaje, compuerta y fuente). Se utiliza aplicando tensión de entre 0 y 12V entre G y S. El G es un capacitor (del orden del pícofaradio) que tiene conectada una placa al pin y la otra placa a la pastilla interna con un dieléctrico de oxido de silicio en el medio. El D y el S se encuentran eléctricamente aislados y físicamente próximos al capacitor de G. Al colocarle tensión entre G y S el capacitor se cargará y acumulará cargas en la pastilla interna. De esta manera, dichas cargas unirán eléctricamente al D y al S comenzando la circulación de corriente. Así con la Vgs (tensión entre G y S) se controla la ID (I de drenaje). Debido a su estructura, la característica de salida del MOSFET es una resistencia que cambia su valor función de Vgs. Cuando el MOSFET está saturado, se especifica la RDSon en vez de la Vsat. Esto es un problema en potencias sumamente grandes. La solución dio origen a los IGBT.

La distancia entre placas del capacitor de G es de algunos pocos micrones lo que hace al G sumamente frágil a las tensiones estáticas. Por ello se obtienen los mejores resultados de los MOSFET evitando las tensiones estáticas excesivas.

Las características de conmutación son muy buenas. El hecho que en el G se muevan pocas cargas hace que el tiempo entre encendido y apagado sea sumamente corto; al igual que a la inversa. La curva en la conmutación es una recta, ya que mientras la VDS disminuye, inyecta cargas en el G a través del capacitor CDG.

es decir. dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Pese a que el concepto básico de los FET se conocía ya en 1930. Comparados con los BJT. Si comparamos con un equivalente bipolar. mientras que en el bipolar es considerable. INTRODUCCION Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. los transistores MOS ocupan menos espacio. La estabilización del sistema es inmediata y sin riesgos de embalajes térmicos. Además. además de su velocidad de conmutación. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. existe un gran número de funciones lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS (sin . La principal ventaja del MOSFET es la prácticamente nula energía requerida en la G para manejarlo. estos dispositivos sólo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la década de los 60. Además su proceso de fabricación es también más simple. Mostramos a continuación un dibujo del esquema de polarización del MOSFET comparado con un bipolar y su construcción interna. que en corrientes grandes pueden tener un hfe típico de 8 o menos. el MOSFET no requiere prácticamente energía para manejarlo correctamente. les permite ser paralelizados sin precaución alguna ya que a medida que su temperatura se eleva. aumenta la RDSon bajando la ID y aumentando en el otro MOSFET del paralelo.Su coeficiente térmico positivo.

mucho menor que en los JFET. es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio.resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digital. Tiene una versión NPN y otra PNP. Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Es un dispositivo controlado por tensión. Su velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando. La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. así. El óxido es aislante. Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula. los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia. En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain): PRINCIPIO DE OPERACION Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P. Cada uno entrega una parte a la corriente total. QUÉ ES? MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada. cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source) . Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. lo que se denomina distorsión por fase. Por ello.

Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos electrones.Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta. la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta. APLICACION El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFET’s y los JFET’s y ellas son: En la región activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento. Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor. se da una situación similar. crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFET’s de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la región de modo de vaciamiento (-Vg) a la región de modo de enriquecimiento (+Vg). Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal. creando un puente entre drenaje y fuente. En el caso del MOSFET de canal P. Capacitancia en el MOSFET . no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

La frecuencia de conmutación es también muy importante. el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rápidamente el voltaje de gatillo al valor requerido. pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores o mayores pérdidas que un BJT en un valor específico de corriente. el voltaje gate-fuente debe reducirse en acción inversa como fue hecho para encenderlo. Las pérdidas por conmutación en el encendido y apagado juegan un papel más importante en la selección. CONCLUSIONES 1. Encendido En la mayoría de los circuitos con MOSFET. La elección no es sencilla. Voltaje máximo drenaje-fuente 3. pero en Cgd. 2.Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta.Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condición dada de operación. Apagado Para apagar el MOSFET. Para lograrlo. 4. cuando uDG haya pasado a través de cero. es muy significativa. no hay corriente por la compuerta.este puede reemplazar dispostivos como el jfet. Cada valor de capacitancia es una función no lineal del voltaje. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la . Estos límites son: 1. Temperatura máxima de unión. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito externo. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. Corriente máxima pulsante de drenaje 2. Área segura de operación El área segura de operación de el MOSFET está limitada por tres variables que forman los límites de una operación aceptable. Pérdidas del MOSFET Las pérdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la selección de un dispositivo de conmutación. El valor para Cgs tiene solamente una variación pequeña. Éstas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. el objetivo es encenderlo tan rápido como sea posible para minimizar las pérdidas por conmutación.los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones 3.gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor.El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran versatilidad de trabajo.

En rojo se ven los contactos metálicos del transistor. la acumulación de electrones forma un canal que une ambas zonas de tipo N. Sobre el semiconductor se agrega una capa de óxido. permitiendo conmutaciones muy veloces y un bajo consumo de energía. permitiendo así la . publicado el 12 de julio de 2011 en Electrónica Los transistores MOSFET son utilizados masivamente en el mundo como conmutadores gracias a sus características de tamaño. lo cual los convierte en el ladrillo constructor de los circuitos integrados digitales de hoy en día. Al aplicar un voltaje positivo entre la fuente y la compuerta no se produce conducción pues la compuerta está físicamente aislada del semiconductor. Lo fundamental sobre MOSFET de potencia Por RoMaNo. Estos transistores comparten todas las características de sus hermanos pequeños. Físicamente todos los MOSFET lucen casi iguales. Constructivamente se trata de un semiconductor con dopaje tipo P (sustrato) en el cual se crean dos zonas de dopaje N (en verde) separadas por una cierta distancia.tensión aplicada a la compuerta. facilidad de uso y bajo consumo de energía. Sin embargo. los MOSFET de potencia. pero con capacidad para manejar grandes tensiones y corrientes. en la parte superior del semiconductor tipo P (justo bajo la compuerta) se produce una acumulación de electrones producto de la atracción eléctrica generada por el voltaje de la compuerta. Sin embargo. en la imagen he dibujado uno “canal n”. estando presentes en prácticamente todos los dispositivos electrónicos en grandes números. donde los portadores mayoritaros son los electrones. este artículo está orientado a los hermanos más grandes de los minúsculos transistores que hacen funcionar el procesador del PC que está usando. el cual es aislante. Si este voltaje es lo suficientemente grande (positivo).

más electrones habrá en el canal. Se puede observar su comportamiento en el data sheet. Es por esto que se requiere conocer las características particulares del MOSFET a usar y los requerimientos de la aplicación a la hora de diseñar el circuito que lo controlará. existe un efecto capacitivo de influencia no menor en muchos casos producto de la aislación con óxido de silicio. A continuación se presentan algunos gráficos típicos: .conducción eléctrica entre Drain y Source. Es claro que al quitar el voltaje de la compuerta la conducción desaparece inmediatamente. De lo anterior se deduce que el tamaño del canal dependerá fuertemente del nivel de tensión aplicado a la compuerta ya que mientras mayor sea. condicionando así la corriente que puede pasar. Resistencia Drain-Source (Drenador-Fuente) Al estar encendido el MOSFET presenta un comportamiento resistivo que se modela por el parámetro RDS cuyo valor varía según las condiciones de operación. el cual puede ser crítico a la hora de necesitar conmutaciones rápidas. Además.

Con estos parámetros se pueden determinar las tensiones necesarias para conmutar el MOSFET dada una aplicación determinada. con más electrones). También se puede apreciar que dicho límite varía fuertemente con diferentes tensiones en la compuerta (gate).El primer gráfico muestra que hasta cierto nivel de corriente en el drain la resistencia RDS se mantiene bastante baja y lineal. sin embargo. por lo que mayores tensiones de disparo (voltaje en el gate) permiten mayor circulación de corriente (más tensión genera un canal más ancho. Una visión más directa de RDS se puede apreciar en el segundo gráfico en el que se ve cómo ésta aumenta a medida que la corriente sube para diferentes valores de VGS (voltaje en el gate) y además se puede obtener su valor. Tiempo de Conmutación . El otro factor a considerar para determinar las tensiones usadas en los disparos de un MOSFET es el voltaje de umbral en el gate (tercer gráfico). al exigir mayor corriente ésta aumenta bruscamente subiendo el voltaje drain source y por consiguiente la potencia disipada por el MOSFET poniéndolo en peligro de quemarse (el canal se está usando totalmente por lo que no puede circular más corriente por él). por lo que una señal de apagado debe estar bajo este umbral y una de encendido sobre el mismo. Dicho umbral determina la tensión necesaria para formar el canal.

Luego del peak de corriente inicial en el gate. los cuales deben ubicarse físicamente lo más cerca posible del driver para reducir las inductancias de las pistas de la PCB permitiendo cargas y descargas más rápidas. En el caso del ejemplo. ésta se reducirá casi por completo ya que está aislado por el óxido de silicio. lo cual se puede relacionar con el tiempo de encendido de la siguiente manera: De lo anterior se puede obtener la corriente que debe ser capaz de entregar el driver del MOSFET para lograr un encendido en un intervalo de tiempo determinado. en este punto sólo es necesario mantener la tensión. es por esto que cuando es necesaria una rápida conmutación suelen utilizarse condensadores para proveer este peak a través de su descarga. entonces el driver debe ser capaz de entregar 2A al gate rápidamente (durante los primeros 300nS). El tiempo que tarde en acumularse dicha carga determinará el tiempo de conmutación del MOSFET. si se desea obtener un tiempo de conmutación de 300nS. El siguiente gráfico se puede encontrar en los data sheets e indica la carga necesaria para obtener la máxima circulación de corriente dados un voltaje gate source y un nivel de tensión entre drain y source. es necesario además entregarle aproximadamente 600nC de carga para obtener la conmutación completa. . En el gráfico. además de usar un nivel de tensión adecuado en el gate.Debido a la presencia de una capacidad entre el gate y source. se le debe entregar una cierta cantidad de carga para encenderlo satisfactoriamente. si se utiliza una tensión de 12V en el gate.

lo cual se hace comúnmente a través del driver.Para el caso del apagado del MOSFET. para ello suelen contar con salidas del tipo push-pull. en este caso el condensador que se forma en el transistor debe descargarse. el proceso es exactamente el mismo pero a la inversa. .