Modul 2

DAFTAR ISI
BAB 4 DIODA .......................................................................................................... 3 4.1. 4.2. Tujuan Perkuliahan : .................................................................................... 3 Outline Pembahasan : .................................................................................. 3

4.2.1. PN Junction .................................................................................................. 4 4.2.2. Karakteristik Diode ...................................................................................... 6 4.2.3. LED ............................................................................................................... 7 4.2.4. LED Display ................................................................................................... 9 4.2.5. Diode Zener ................................................................................................ 10 4.2.6. CATU DAYA ................................................................................................ 11 4.2.7. REGULATOR TEGANGAN ............................................................................ 18 4.3. 4.4. 4.5. 4.6. 5.1. 5.2. RANGKUMAN ............................................................................................. 23 REFERENSI .................................................................................................. 24 LATIHAN SOAL ............................................................................................ 25 JAWABAN ................................................................................................... 26 Tujuan Perkuliahan : .................................................................................. 27 Outline Pembahasan : ................................................................................ 27

Bab 5 THYRISTOR (SCR, TRIAC, DIAC) ................................................................... 27

5.2.1. Prinsip kerja dan karakteristik Tyristor ...................................................... 28 5.2.2. SCR ............................................................................................................. 30 5.2.3. TRIAC .......................................................................................................... 33 5.2.4. DIAC ........................................................................................................... 35 5.3. 5.4. 5.5. 5.6. 6.1. 6.2. RANGKUMAN ............................................................................................. 38 REFERENSI .................................................................................................. 39 LATIHAN SOAL ............................................................................................ 40 JAWABAN ................................................................................................... 41 Tujuan Perkuliahan : .................................................................................. 42 Outline Pembahasan : ................................................................................ 42

BAB 6 TRANSISTOR ............................................................................................... 42

6.2.1. Pembiasan Arus pada Transistor ................................................................ 44 6.2.2. Parameter-parameter ................................................................................ 45 6.2.3. Kurva Karakteristik ..................................................................................... 47
1

Modul 2 6.2.4. Datasheet transistor .................................................................................. 51 6.2.5. Transistor sebagai saklar ............................................................................ 55 6.2.6. Transistor sebagai penguat (Amplifier) ...................................................... 56 6.3. 6.4. 6.5. 6.6. RANGKUMAN ............................................................................................. 62 REFERENSI .................................................................................................. 63 LATIHAN SOAL ............................................................................................ 64 JAWABAN ................................................................................................... 65

2

Modul 2 BAB 4

DIODA
4.1. Tujuan Perkuliahan : Memberikan penjelasan kepada mahasiswa mengenai komponen dioda, macam-macam dioda, karakteristik dan aplikasi dalam rangkaian elektronika. 4.2. Outline Pembahasan : 1. Junction PN 2. Karakteristik dioda 3. LED 4. LED display 5. Dioda zenner 6. Catu daya 7. Regulator tegangan

3

maka terjadi aliran elektron dari sisi N tergerak untuk mengisi hole di sisi P.2. dimana terdapat keseimbangan hole dan elektron. Satu sisi semikonduktor dengan tipe P dan satu sisinya yang lain adalah tipe N. Seperti yang sudah diketahui. Kalau mengunakan terminologi arus listrik. Struktur dioda tidak lain adalah sambungan semikonduktor P dan N. sisi N mendapat polaritas tegangan lebih besar dari sisi P. Jika diberi tegangan dengan potensial sisi P lebih besar dari sisi N ( forward bias).1. pada sisi P banyak terbentuk hole-hole yang siap menerima elektron sedangkan di sisi N banyak terdapat elektron-elektron bebas.1.Modul 2 4. Dengan struktur demikian arus hanya akan dapat mengalir dari sisi P menuju sisi N. Diode Germanium Diode Silikon Gambar 4. dioda dengan bias maju Sebalikya apakah yang terjadi jika polaritas tegangan dibalik yaitu dengan memberikan bias negatif (reverse bias). Dalam hal ini. Gambar 4. 4 . Simbol dan struktur dioda Gambar ilustrasi di atas menunjukkan sambungan PN dengan sedikit porsi kecil yang disebut lapisan deplesi (depletion layer).2. maka dikatakan terjadi aliran listrik dari sisi P ke sisi N. PN Junction Dioda memiliki fungsi yang unik yaitu hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja.

Dengan demikian Diode hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. Bahkan lapisan deplesi (depletion layer) semakin besar dan menghalangi terjadinya arus. dioda dengan bias negatif Tentu jawabanya adalah tidak akan terjadi perpindahan elektron atau aliran hole dari P ke N maupun sebaliknya.3. Konstruksi n p Gambar 4. Tegangan yang kecil tersebut disebabkan adanya lapisan penyekat (depletion layer) Untuk dioda yang terbuat dari bahan Silikon tegangan konduksi adalah diatas 0.7 volt. Karena baik hole dan elektron masing-masing tertarik ke arah kutup berlawanan. PN Junction dari diode 5 .Modul 2 Gambar 4.4. Sedangkan untuk Germanium sekitar 0. Dengan tegangan bias maju yang kecil saja dioda sudah menjadi konduktor.3 volt.

Modul 2 4. karakteristik PN Junction (=Dioda) 6 . Karakteristik Diode Gambar 4.5.2.2.

3. Contoh berikut penggunaan diode sebagai proteksi pada rangkaian relay. Aplikasi diode Aplikasi diode dalam rangkaian elektronika banyak sekali. hal ini akan merusakkan komponen diode atau komponen lain yang tidak mampu dilalui arus besar.2. Pada kondisi tersebut masih terdapat muatan arus pada coil relay. Untuk itu maka pada rangkaian diode selalui ditambahkan tahanan pembatas arus yang dipasang seri dengan diode. arus tersebut dilewatkan pada diode yang terpasang dengan posisi terbalik parallel dengan coil relay. LED LED adalah singkatan dari Light Emiting Dioda. LED merupakan produk temuan lain setelah dioda. Penerapan dioda sebagai proteksi arus balik (freewheel) 4. Untuk menjaga kontinyuitas arus pada relay. Arus yang besar terjadi pada saat posisi relay dari on menjadi off. proteksi arus kejut pada transistor penggerak relay. tetapi belakangan ditemukan bahwa elektron yang menembus sambungan P-N juga melepaskan energi berupa energi panas dan 7 . merupakan komponen yang dapat mengeluarkan emisi cahaya. antara lain : untuk rectifier (adaptor).Modul 2 Dari gambar karakteristik diode terlihat bahwa bila diode diberi tegangan dengan arah maju lebih besar dari tegangan konduksi (Vf).6. Strukturnya juga sama dengan dioda. dsb. maka akan ada arus yang besar sekali melewati rangkaian diode tersebut diode akan konduksi seperti switch dalam kondisi on atau short circuit. proteksi arus balik pada pengendali motor ( freewheel). Gambar 4.

1.85V 1.1V 2. kuning dan hijau. Jenis doping yang berbeda menghasilkan warna cahaya yang berbeda pula.5V 5V 80mcd @ 10mA 32mcd @ 10mA 32mcd @ 10mA 60mcd @ 20mA 500mcd @ 20mA 5mcd @ 2mA 60° 625nm IF max.5V 2.0V 2.5V 2. ungu dengan pancaran yang kuat (super bright).1V 5V Luminous intensity 5mcd @ 10mA Viewing angle 60° Wavelength 660nm Standard Standard High intensity Super bright Low current 2.5V 1. arus maksimum dan disipasi daya-nya. VR max. Untuk mendapatkan emisi cahaya pada semikonduktor.0V 5V 5V 5V 5V 5V 60° 60° 50° 60° 60° 590nm 565nm 430nm 660nm 625nm 8 . doping yang dipakai adalah galium.7. VF max.2V 4. Dalam memilih LED selain warna.5V 5.7V 2. 30mA VF typ. arsenic dan phosporus. Tabel berikut macam-macam warna LED dan karakteristiknya Tabel karakteristik beberapa type PED Type Standard Standard Colour Red Bright r 30mA e d Yellow Green Blue Red Red 30mA 25mA 30mA 30mA 30mA 2.5V 2. perlu diperhatikan tegangan kerja.Modul 2 energi cahaya. Simbol LED Warna-warna cahaya LED umumnya adalah warna merah. tetapi sekarang ini sudah banyak warna-warna LED yang lain biru.7V 2. Gambar 4.

4. A2 dan K dengan konstruksi seperti pada gambar dibawah : Gambar 4. atau memberikan informasi mengenai kondisi tertentu dari suatu sistem. Ada pula LED yang memiliki 2 warna (merah dan hijau).Modul 2 Rumah (chasing) LED dan bentuknya juga bermacam-macam. Beberapa LED tersusun sedemikian rupa membentuk digit dengan kaki Anoda/Katoda menjadi satu sebagai common 9 . ada yang persegi empat. LED Display LED pada umumnya digunakan sebagai lampu indikator on/off. memiliki 3 kaki A1. besarnya harus lebih rendah dari yang diijinnkan (misal 20mA) 4. LED juga digunakan untuk menampilkan angka atau display digital atau dot matriks seperti pada gambar dibawah ini.2. bulat dan lonjong. 4V untuk LED biru dan putih) I = arus LED. LED dengan 2 warna Menghitung nilai tahanan pada LED LED dalam aplikasinya harus diberi tahanan pembatas arus yang dipasang seri dengan LED seperti pada gambar dibawah : Dimana : VS = tegangan sumber VL = tegangan LED (biasanya 2V.8.

Bargraph b. Diode Zener Diode ini terbentuk dari pertemuan PN Silikon yang di desain khusus untuk dipakai dalam daerah breakdown sebagai regulator tegangan dan tegangan referensi. Pada forward bias diode zener mempunyai karakteistik seperti diode biasa.9. tetapi pada reverse bias mempunyai resistansi sangat tinggi sampai tegangan tembus terlampaui (Vz).5.10. 5W dan 20W. Simbol Zener Diode zenner sebagai regulator tegangan Gambar 4. Gambar 4. Pada saat tegangan tembus terlampaui resistansi akan jatuh dan terjadilah peningkatan cepat pada arus terbalik. macam display dari LED 4.11.7 volt sampai 75 volt. Ada beberapa Diode Zener dipasaran dengan tegangan Vz 2. 7-segment c.Dot Matrix Gambar 4. Alphanumeric d.2. arus terbalik ini tidak akan merusak diode. Selama disipasi daya zener tidak terlampaui.Modul 2 a. pembatas arus pada zenner dioda 10 . dengan disipasi daya 500mW.

CATU DAYA PrinsipKerja Perangkat elektronika pada umumnya dicatu oleh suplai arus searah DC ( direct current) yang stabil agar dapat bekerja dengan baik. Baterai atau accu adalah sumber catu daya DC yang paling baik.6. Sumber catu daya yang besar adalah sumber bolak-balik AC (alternating current) dari pembangkit tenaga listrik.Modul 2 4. Untuk itu diperlukan suatu perangkat catu daya yang dapat mengubah arus AC menjadi DC. Pada tulisan kali ini disajikan prinsip rangkaian catu daya (power supply) linier mulai dari rangkaian penyearah yang paling sederhana sampai pada catu daya yang ter-regulasi. sumber dari baterai tidak cukup. Gambar 4. rangkaian penyearah setengah gelombang 11 .2. PENYEARAH (RECTIFIER) Prinsip penyearah (rectifier) yang paling sederhana ditunjukkan pada gambar-1 berikut ini. Transformator diperlukan untuk menurunkan tegangan AC dari jala-jala listrik pada kumparan primernya menjadi tegangan AC yang lebih rendah pada kumparan sekundernya.12. Namun untuk aplikasi yang membutuhkan catu daya lebih besar.

Untuk mendapatkan penyearah gelombang penuh (full wave) diperlukan transformator dengan center tap (CT) seperti pada gambar-2. Ini yang disebut dengan penyearah setengah gelombang (half wave).Modul 2 Gambar 4. rangkaian full-wave dengan transformator Center Tap (CT) 12 .13. dioda berperan untuk meneruskan tegangan positif ke beban RL.14. bentuk gelombang input (warna biru) output (warna merah) Pada rangkaian ini. Gambar 4.

15. Gambar 4. bentuk tegangan seperti ini sudah cukup memadai. Dengan demikian beban R1 mendapat suplai tegangan gelombang penuh seperti gambar di atas.16. Untuk beberapa aplikasi seperti misalnya untuk men-catu motor dc yang kecil atau lampu pijar dc. rangkaian penyearah setengah gelombang dengah filter C 13 . bentuk gelombang input (warna biru) output (warna merah) Tegangan positif phasa yang pertama diteruskan oleh D1 sedangkan phasa yang berikutnya dilewatkan melalui D2 ke beban R1 dengan CT transformator sebagai common ground.Modul 2 Gambar 4. Walaupun terlihat di sini tegangan ripple dari kedua rangkaian di atas masih sangat besar..

bentuk gelombang input (warna biru) output (warna merah) dengan filter kapasitor C yang paralel terhadap beban R.17. kemiringan kurva b-c akan semakin tajam.Modul 2 Gambar 4. Kemiringan kurva b-c tergantung dari besar arus I yang mengalir ke beban R. Tegangan yang keluar akan berbentuk gigi gergaji dengan tegangan ripple yang besarnya adalah : (1) dan tegangan dc ke beban adalah (2) Rangkaian penyearah yang baik adalah rangkaian yang memiliki tegangan ripple paling kecil. Jika arus I = 0 (tidak ada beban) maka kurva b-c akan membentuk garis horizontal. Namun jika beban arus semakin besar. Ternyata dengan filter ini bentuk gelombang tegangan keluarnya bisa menjadi rata. sehingga dapat ditulis : (3) 14 . Gambar-4 menunjukkan bentuk keluaran tegangan DC dari rangkaian penyearah setengah gelombang dengan filter kapasitor. VL adalah tegangan discharge atau pengosongan kapasitor C. Garis b-c terjadi akibat pengosongan (discharge) pada kapasitor sebagai fungsi eksponensial.

maka diperoleh : (4) Jika T << RC. Ini berlaku untuk penyearah setengah gelombang.02 det. Jika frekuensi jala-jala listrik 50Hz. maka T = Tp = 1/f = 1/50 = 0. Sebaliknya jika kapasitansi C semakin besar. jika arus beban I semakin besar. sehingga T = 1/2 Tp = 0. Bisa juga dengan menggunakan transformator yang tanpa CT. tentu saja fekuensi gelombangnya dua kali lipat. Untuk penyederhanaan biasanya dianggap T=Tp.01 det. Perhitungan ini efektif untuk mendapatkan nilai tengangan ripple yang diinginkan. tegangan ripple akan semakin kecil. Penyearah gelombang penuh dengan filter C dapat dibuat dengan menambahkan kapasitor pada rangkaian gambar 2. maka tegangan ripple akan semakin besar. yaitu periode satu gelombang sinus dari jala-jala listrik yang frekuensinya 50Hz atau 60Hz.Modul 2 Jika persamaan (3) disubsitusi ke rumus (1). 15 . sehingga dengan ini terlihat hubungan antara beban arus I dan nilai kapasitor C terhadap tegangan ripple Vr. dapat ditulis : e –T/RC = 1 – T/RC (5) sehingga jika ini disubsitusi ke rumus (4) dapat diperoleh persamaan yang lebih sederhana : Vr = VM(T/RC) (6) VM/R tidak lain adalah beban I. Untuk penyearah gelombang penuh. Vr = I T/C (7) Rumus ini mengatakan. tetapi dengan merangkai 4 dioda seperti pada gambar-5 berikut ini.

19. rangkaian full-wave dengan bridge rectifier setelah dipasang filter perata 16 . rangkaian full-wave dengan bridge rectifier belum dipasang filter Gambar 4.Modul 2 Gambar 4.18.

20. Anda barangkalai sekarang paham mengapa rangkaian audio yang anda buat mendengung. apakah tegangan ripple ini cukup mengganggu. rangkaian full-wave dengan trafo center-tap setelah dipasang filter perata Sebagai contoh. C = I. Jika rumus (7) dibolak-balik maka diperoleh.75 Vpp. Tegangan kerja kapasitor yang digunakan harus lebih besar dari tegangan keluaran catu daya. Jika dipasaran tidak tersedia kapasitor yang demikian besar.5) (0.T/Vr = (0. Untuk kapasitor yang sebesar ini banyak tersedia tipe elco yang memiliki polaritas dan tegangan kerja maksimum tertentu.Modul 2 Gambar 4. anda mendisain rangkaian penyearah gelombang penuh dari catu jala-jala listrik 220V/50Hz untuk mensuplai beban sebesar 0. coba periksa kembali rangkaian penyearah catu daya yang anda buat.75 = 6600 uF. tentu bisa dengan memparalel dua atau tiga buah kapasitor.5 A. 17 .01)/0. Berapa nilai kapasitor yang diperlukan sehingga rangkaian ini memiliki tegangan ripple yang tidak lebih dari 0.

Gambar 4.22. regulator zener 18 . Seperti rangkaian penyearah di atas. sehingga menghasilkan tegangan output yang sama dengan tegangan zener atau Vout = Vz. namun ada masalah stabilitas. sehingga diperlukan komponen aktif yang dapat meregulasi tegangan keluaran ini menjadi stabil. Jika tegangan PLN naik/turun. Pada rangkaian ini. zener bekerja pada daerah breakdown.Modul 2 Type diode bridge dapat dilihat seperti pada gambar dibawah: Gambar 4. Rangkaian regulator yang paling sederhana ditunjukkan pada gambar 6.7. maka tegangan outputnya juga akan naik/turun. REGULATOR TEGANGAN Rangkaian penyearah sudah cukup bagus jika tegangan ripple-nya kecil.2. Variasi diode bridge rectifier 4.21. Namun rangkaian ini hanya bermanfaat jika arus beban tidak lebih dari 50mA. Untuk beberapa aplikasi perubahan tegangan ini cukup mengganggu. jika arus semakin besar ternyata tegangan dc keluarnya juga ikut turun.

ada juga yang disebut dengan regulator seri. Perhatikan jika Vout terhubung singkat (short-circuit) maka arusnya tetap I = Vin/R1. besar 19 .23. tentu perhitungan arus base I B pada rangkaian di atas tidak bisa diabaikan lagi.Modul 2 Prinsip rangkaian catu daya yang seperti ini disebut shunt regulator. Besar arus ini dapat diketahui dari datasheet yang besarnya lebih kurang 20 mA. Dengan mengabaikan arus I B yang mengalir pada base transistor.2 . regulator zener follower Vout = VZ + VBE (8) VBE adalah tegangan base-emitor dari transistor Q1 yang besarnya antara 0. salah satu ciri khasnya adalah komponen regulator yang paralel dengan beban.7 volt tergantung dari jenis transistor yang digunakan. Prinsip utama regulator seri seperti rangkaian pada gambar 7 berikut ini. Pada rangkaian ini tegangan keluarannya adalah : Gambar 4. Ciri lain dari shunt regulator adalah.0. Disamping regulator shunt. rentan terhadap short-circuit. Jika diperlukan catu arus yang lebih besar. dapat dihitung besar tahanan R2 yang diperlukan adalah : R2 = (Vin – Vz)/Iz (9) Iz adalah arus minimum yang diperlukan oleh dioda zener untuk mencapai tegangan breakdown zener tersebut. Dimana seperti yang diketahui.

maka tegangan Vin(-) juga akan menaik sampai tegangan ini sama dengan tegangan referensi Vz.Modul 2 arus IC akan berbanding lurus terhadap arus I B atau dirumuskan dengan IC = IB. melainkan sebagai tegangan referensi bagi Op-Amp IC1. misalnya karena suplai arus ke beban meningkat. Sehingga pada setiap saat Op-amp menjaga kestabilan : Vin(-) = Vz (11) Gambar 4. Umpan balik pada pin negatif Op-amp adalah cuplikan dari tegangan keluar regulator. Teknik regulasi yang lebih baik lagi adalah dengan menggunakan Op-Amp untuk men-drive transistor Q.24. arus base yang kecil bisa menghasilkan arus IC yang lebih besar. Dioda zener disini tidak langsung memberi umpan ke transistor Q. yaitu : Vin(-) = (R2/(R1+R2)) Vout (10) Jika tegangan keluar Vout menaik. Demikian sebaliknya jika tegangan keluar Vout menurun. seperti pada rangkaian gambar 8. Op-amp akan menjaga kestabilan di titik referensi Vz dengan memberi arus IB ke transistor Q1. Untuk keperluan itu. transistor Q1 yang dipakai bisa diganti dengan tansistor darlington yang biasanya memiliki nilai  yang cukup besar. Dengan transistor darlington. regulator dengan Op-amp 20 .

sehingga tegangan keluaran dapat diatur melalui resistor eksternal tersebut. Hanya saja perlu diketahui supaya rangkaian regulator dengan IC tersebut bisa bekerja. Sedangkan seri 79XX misalnya adalah 7905 dan 7912 yang berturut-turut adalah regulator tegangan negatif 5 dan 12 volt. Biasanya perbedaan tegangan Vin terhadap Vout yang direkomendasikan ada di dalam datasheet komponen tersebut. tengangan input harus lebih besar dari tegangan output regulatornya. Bedanya resistor R1 dan R2 ada di luar IC. Karena rangkaian semacam ini sudah dikemas menjadi satu IC regulator tegangan tetap. Prinsipnya sama dengan regulator OP-amp yang dikemas dalam satu IC misalnya LM317 untuk regulator variable positif dan LM337 untuk regulator variable negatif. Bahkan komponen ini biasanya sudah dilengkapi dengan pembatas arus ( current limiter) dan juga pembatas suhu (thermal shutdown). Saat ini sudah banyak dikenal komponen seri 78XX sebagai regulator tegangan tetap positif dan seri 79XX yang merupakan regulator untuk tegangan tetap negatif.Modul 2 Dengan mengabaikan tegangan VBE transistor Q1 dan mensubsitusi rumus (11) ke dalam rumus (10) maka diperoleh hubungan matematis : Vout = ( (R1+R2)/R2) Vz (12) Pada rangkaian ini tegangan output dapat diatur dengan mengatur besar R1 dan R2. transistor dan komponen lainnya untuk merealisasikan rangkaian regulator seperti di atas. Selain dari regulator tegangan tetap ada juga IC regulator yang tegangannya dapat diatur. Pemakaian heatshink (aluminium pendingin) 21 . Sekarang mestinya tidak perlu susah payah lagi mencari op-amp. Misalnya 7805 adalah regulator untuk mendapat tegangan 5 volt. Komponen ini hanya tiga pin dan dengan menambah beberapa komponen saja sudah dapat menjadi rangkaian catu daya yang ter-regulasi dengan baik. 7812 regulator tegangan 12 volt dan seterusnya.

regulator dengan IC 78XX / 79XX 22 .Modul 2 dianjurkan jika komponen ini dipakai untuk men-catu arus yang besar. komponen seperti ini maksimum bisa dilewati arus mencapai 1 A.25. Di dalam datasheet. Gambar 4.

3. Bahan Diode Bahan Diode terdiri dari dua jenis yaitu Silicon dan Germanium 2. RANGKUMAN 1.Modul 2 4. Menurut fungsinya diode a) Sebagai penyearah b) Sebagai regulator tegangan 3. Untuk penyearah ada beberapa macam a) Half Wave (=Penyearah Setengah Gelombang) b) Full Wave (=Penyearah Gelombang Penuh) terdiri dari  Dengan trafomator yang ada Center Tap nya  Dengan trafomator tanpa Center Tap (=tunggal sekundernya) 23 .

Zuhal. 1990. Gramedia Pustaka Umum Jakarta 24 .4. 2004. ”Prinsip Dasar Elektroteknik ”. Ganti Dapari. “Prinsip-Prinsip Elektronika”. “Pokok –Pokok Elektronika”. Malvino Albert Paul.Modul 2 4. Gramedia Pustaka Umum Jakarta 2. 1994. Penerbit Erlangga Jakarta 3. REFERENSI 1.

5. Ada berapa jenis diode menurut bahannya ? Menurut fungsinya diode dibagi menjadi berapa uraikan masing-masing ? Ada berapa macam penyearah uraikan ? 25 . LATIHAN SOAL 1. 3.Modul 2 4. 2.

6. JAWABAN 26 .Modul 2 4.

5. Tujuan Perkuliahan : Memberikan penjelasan kepada mahasiswa mengenai komponen thyristor macam-macam tyristor dan contoh aplikasi. TRIAC 4. SCR 3.2. Prinsip kerja dan karakteristik Tyristor 2. Outline Pembahasan : 1. TRIAC.1. DIAC) 5. DIAC 27 .Modul 2 Bab 5 THYRISTOR (SCR.

TRIAC dan DIAC. Walaupun bahannya sama.2. Struktur Thyristor Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layer PNPN seperti yang ditunjukkan pada gambar-1a. GTO (gate turn off switch). Struktur Thyristor Ciri-ciri utama dari sebuah thyristor adalah komponen yang terbuat dari bahan semiconductor silicon. struktur ini dapat dilihat sebagai dua buah 28 . Gambar 5. Pembaca dapat menyimak lebih jelas bagaimana prinsip kerja serta aplikasinya. Prinsip kerja dan karakteristik Tyristor Thyristor berakar kata dari bahasa Yunani yang berarti ‘pintu'. Dinamakan demikian barangkali karena sifat dari komponen ini yang mirip dengan pintu yang dapat dibuka dan ditutup untuk melewatkan arus listrik.Modul 2 5. yang akan kemukakan adalah komponen-komponen thyristor yang dikenal dengan sebutan SCR (silicon controlled rectifier). photo SCR dan sebagainya. Jika dipilah. tetapi struktur P-N junction yang dimilikinya lebih kompleks dibanding transistor bipolar atau MOS.1. Ada beberapa komponen yang termasuk thyristor antara lain PUT (programmable uni-junction transistor). Namun pada kesempatan ini. Komponen thyristor lebih digunakan sebagai saklar (switch) ketimbang sebagai penguat arus atau tegangan seperti halnya transistor.1. UJT (uni-junction transistor ).

Gambar 5. Pada saat yang demikian. Arus kolektor transistor Q1 tdak lain adalah arus base bagi transistor Q2.Modul 2 struktur junction PNP dan NPN yang tersambung di tengah seperti pada gambar-1b. Arus kolektor ini merupakan arus base Ib pada transistor Q1. Jika misalnya ada arus sebesar Ib yang mengalir pada base transistor Q2. visualisasi dengan transistor Terlihat di sini kolektor transistor Q1 tersambung pada base transistor Q2 dan sebaliknya kolektor transistor Q2 tersambung pada base transistor Q1. Dimana diketahui bahwa Ic = β Ib.2. Tertinggal hanyalah lapisan P dan N dibagian luar. Jika keadaan ini tercapai. yaitu arus kolektor adalah penguatan dari arus base. sehingga akan muncul penguatan pada pada arus kolektor transistor Q1. maka struktur yang demikian tidak lain adalah struktur dioda PN (anoda-katoda) yang sudah dikenal. 29 . Ini tidak lain adalah dua buah transistor PNP dan NPN yang tersambung pada masing-masing kolektor dan base. Rangkaian transistor yang demikian menunjukkan adanya loop penguatan arus di bagian tengah. Jika divisualisasikan sebagai transistor Q1 dan Q2. maka akan ada arus Ic yang mengalir pada kolektor Q2. Demikian seterusnya sehingga makin lama sambungan PN dari thyristor ini di bagian tengah akan mengecil dan hilang. maka struktur thyristor ini dapat diperlihatkan seperti pada gambar-2 yang berikut ini.

Yaitu dengan membuat kaki gate pada thyristor PNPN seperti pada gambar-4a. Pada saat ini disebut thyristor dalam keadaan OFF karena tidak ada arus yang bisa mengalir atau sangat kecil sekali. Karena letaknya yang dekat dengan katoda. Beginilah SCR dibuat dan simbol SCR digambarkan seperti gambar-4b. Arus tidak dapat mengalir sampai pada suatu tegangan reverse-bias tertentu yang menyebabkan sambungan NP ini jenuh dan hilang.Modul 2 disebut bahwa thyristor dalam keadaan ON dan dapat mengalirkan arus dari anoda menuju katoda seperti layaknya sebuah dioda.2.2. Ya betul. SCR dalam banyak literatur disebut Thyristor saja.3. SCR Telah dibahas. Gambar 5. Pada thyristor tegangan ini disebut tegangan breakover Vbo. 30 . Thyristor diberi tegangan Bagaimana kalau pada thyristor ini kita beri beban lampu dc dan diberi suplai tegangan dari nol sampai tegangan tertentu seperti pada gambar 3. Tegangan ini disebut tegangan breakdown dan pada saat itu arus mulai dapat mengalir melewati thyristor sebagaimana dioda umumnya. bisa juga pin gate ini disebut pin gate katoda ( cathode gate). Apa yang terjadi pada lampu ketika tegangan dinaikkan dari nol. 5. tentu saja lampu akan tetap padam karena lapisan N-P yang ada ditengah akan mendapatkan reverse-bias (teori dioda). bahwa untuk membuat thyristor menjadi ON adalah dengan memberi arus trigger lapisan P yang dekat dengan katoda.

Bahkan dengan tegangan forward yang kecil sekalipun.5. Dimana tegangan ini adalah tegangan minimum yang diperlukan SCR untuk menjadi ON. Ternyata dengan memberi arus gate Ig yang semakin besar dapat menurunkan tegangan breakover (Vbo) sebuah SCR. Karakteristik kurva I-V SCR 31 . Kurva tegangan dan arus dari sebuah SCR adalah seperti yang ada pada gambar-5 yang berikut ini.Modul 2 Gambar 5. Struktur SCR Melalui kaki (pin) gate tersebut memungkinkan komponen ini di trigger menjadi ON. Misalnya 1 volt saja atau lebih kecil lagi. Sampai pada suatu besar arus gate tertentu. Gambar 5. yaitu dengan memberi arus gate. ternyata akan sangat mudah membuat SCR menjadi ON.4.

maka SCR akan ON. Jadi agar SCR tetap ON maka arus forward dari anoda menuju katoda harus berada di atas parameter ini. Rangkaian untuk karakteristik kurva I-V SCR Pada gambar tertera tegangan breakover Vbo. Pada gambar ditunjukkan beberapa arus Ig dan korelasinya terhadap tegangan breakover. arus trigger gate ini sering ditulis dengan notasi IGT (gate trigger current). Pada kenyataannya. jika arus forward berada dibawah titik Ih. Pada gambar-5 kurva I-V SCR. sekali SCR mencapai keadaan ON maka selamanya akan ON. umumnya ada di dalam datasheet SCR. Pada gambar ada ditunjukkan juga arus Ih yaitu arus holding yang mempertahankan SCR tetap ON.Modul 2 Gambar 5. Satu-satunya cara untuk membuat SCR menjadi OFF adalah dengan membuat arus anoda-katoda turun dibawah arus Ih (holding current).6. Berapa besar arus holding ini. Komponen ini lebih 32 . Cara membuat SCR menjadi OFF tersebut adalah sama saja dengan menurunkan tegangan anoda-katoda ke titik nol. yang jika tegangan forward SCR mencapai titik ini. Lebih penting lagi adalah arus Ig yang dapat menyebabkan tegangan Vbo turun menjadi lebih kecil. maka SCR kembali pada keadaan OFF. Pada datasheet SCR. walaupun tegangan gate dilepas atau di short ke katoda. Sejauh ini yang dikemukakan adalah bagaimana membuat SCR menjadi ON. Karena inilah SCR atau thyristor pada umumnya tidak cocok digunakan untuk aplikasi DC.

Ada satu parameter penting lain dari SCR.7. Seperti contoh rangkaian gambar-8 berikut ini sebuah SCR diketahui memiliki IGT = 10 mA dan VGT = 0. Simbol TRIAC ditunjukkan pada gambar6. Rangkaian SCR 5. 33 . tegangan ini adalah tegangan Vbe pada transistor Q2.9 volt Gambar 5. Kalau dilihat dari model thyristor pada gambar-2. TRIAC Boleh dikatakan SCR adalah thyristor yang uni-directional.3. besarnya kira-kira 0. dimana SCR bisa OFF pada saat gelombang tegangan AC berada di titik nol.7 volt. Struktur TRIAC sebenarnya adalah sama dengan dua buah SCR yang arahnya bolakbalik dan kedua gate-nya disatukan. Maka dapat dihitung tegangan Vin yang diperlukan agar SCR ini ON adalah sebesar : Vin = Vr + VGT Vin = IGT(R) + VGT = 4. VGT seperti halnya Vbe.2.7 volt. Parameter ini adalah tegangan trigger pada gate yang menyebabkab SCR ON. yaitu VGT.Modul 2 banyak digunakan untuk aplikasi-aplikasi tegangan AC. karena ketika ON hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda menuju katoda. TRIAC biasa juga disebut thyristor bi-directional.

Gambar 5. Umumnya besar parameter ini simetris antara yang plus dan yang minus. Kurva karakteristik dari TRIAC adalah seperti pada gambar-7 berikut ini. Dalam perhitungan desain. 34 . Simbol TRIAC TRIAC bekerja mirip seperti SCR yang paralel bolak-balik.9. Ih serta –Ih dan sebagainya.Modul 2 Gambar 5.8. bisa dianggap parameter ini simetris sehingga lebih mudah di hitung. lalu IGT dan –IGT. sehingga dapat melewatkan arus dua arah. Karakteristik kurva I-V TRIAC Pada datasheet akan lebih detail diberikan besar parameter-parameter seperti Vbo dan –Vbo.

Lapisan N pada transistor dibuat sangat tipis sehingga elektron dengan mudah dapat menyeberang menembus lapisan ini. Sedangkan pada DIAC. namun prisip kerjanya membuat ia digolongkan sebagai thyristor. sehingga dalam beberapa literatur DIAC digolongkan sebagai dioda.4. Gambar 5.2. lapisan N di buat cukup tebal sehingga elektron cukup sukar untuk menembusnya. Struktur DIAC yang demikian dapat juga dipandang sebagai dua buah dioda PN dan NP. DIAC bukanlah termasuk keluarga thyristor.11. DIAC dibuat dengan struktur PNP mirip seperti transistor.10. DIAC Kalau dilihat strukturnya seperti gambar-8a.Modul 2 Gambar 5. Rangkaian untuk karakteristik kurva I-V TRIAC 5. Struktur dan simbol DIAC 35 .

DIAC umumnya dipakai sebagai pemicu TRIAC agar ON pada tegangan input tertentu yang relatif tinggi. Lalu diketahui juga yang digunakan adalah sebuah DIAC dengan Vbo = 20 V.7 volt. Hanya dengan tegangan breakdown tertentu barulah DIAC dapat menghantarkan arus. Gambar 5. Rangkaian Dimmer Jika diketahui IGT dari TRIAC pada rangkaian di atas 10 mA dan VGT = 0. Simbol dari DIAC adalah seperti yang ditunjukkan pada gambar-8b. tetapi yang hanya perlu diketahui adalah berapa tegangan breakdown-nya. Contohnya adalah aplikasi dimmer lampu yang berikut pada gambar-9. DIAC memang dimaksudkan untuk tujuan ini. Kurva karakteristik DIAC sama seperti TRIAC.12.7 V 36 . maka dapat dihitung TRIAC akan ON pada tegangan : V = IGT(R)+Vbo+VGT = 120.Modul 2 Sukar dilewati oleh arus dua arah. Arus yang dihantarkan tentu saja bisa bolak-balik dari anoda menuju katoda dan sebaliknya.

warna merah arus gate TRIAC dan warna hijau daya yang mengalir ke rangkaian dan beban Pada rangkaian dimmer. Lampu dapat diatur menyala redup dan terang. Contoh fisik dari thyristor arus besar 37 .Modul 2 Gambar 5. Gambar 5. tergantung pada saat kapan TRIAC di picu.14.13. resistor R biasanya diganti dengan rangkaian seri resistor dan potensiometer. warna biru sumber tegangan. input output dimmer. Di sini kapasitor C bersama rangkaian R digunakan untuk menggeser phasa tegangan VAC.

RANGKUMAN 38 .3.Modul 2 5.

Malvino Albert Paul.Modul 2 5. Gramedia Pustaka Umum Jakarta 2. 1994. REFERENSI 1. “Prinsip-Prinsip Elektronika”. Penerbit Erlangga Jakarta 3. “Pokok –Pokok Elektronika”. Zuhal. 1990. 2004.4. Ganti Dapari. ”Prinsip Dasar Elektroteknik ”. Gramedia Pustaka Umum Jakarta 39 .

5. LATIHAN SOAL 40 .Modul 2 5.

JAWABAN 41 .Modul 2 5.6.

perhitungan dan contoh aplikasi oada rangkaian elektronika. Kurva karakteristik 4. Parameter-parameter 3. Rangkaian amplifier 42 . Transistor sebagai saklar elektronik 6. Outline Pembahasan : 1.1. karakteristik. Datasheet transistor 5.Modul 2 BAB 6 TRANSISTOR 6. 6. Pembiasan arus pada transistor 2. Tujuan Perkuliahan : Memberikan penjelasan kepada mahasiswa mengenai komponen transistor.2. prinsip kerja.

terdapat 2 type semikonduktor yaitu type N dan type P. C B B C E NPN E PNP Gambar 6. Menjadi cikal bakal perkembangan elektronika dewasa ini. Sampai pada era mikroprosesor dan mikrokontroller adalah bermula dari transistor. selain bentuknya yang besar.Modul 2 Transistor adalah komponen elektronika yang sangat penting.Symbol dan contoh susunan kakikaki transistor seperti berikut. Dengan ditemukannya bahan semikonduktor sekarang telah dapat dinuat transistor dalam bentuk yang sangat kecil ( micro). dibutuhkan arus yang besar untuk pengoperasiannya. Beberapa contoh dan susunan kaki-kaki transistor 43 . Transistor pada mulanya dibuat dari tabung.1. Terdapat 2 type transistor : type NPN dan PNP. Seperti pada pembahasan Dioda.

. prinsip kerja transistor adalah arus bias base-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter..1. Arus Emiter Dari hukum Kirchhoff diketahui bahwa jumlah arus yang masuk kesatu titik akan sama jumlahnya dengan arus yang keluar. Sebagai rangkuman. Pembiasan Arus pada Transistor Mempunyai 3 kaki yang masing-masing dinamakan Basis.. Bagian penting berikutnya dalah bagaimana caranya memberi arus bias yang tepat sehingga transistor dapat bekerja optimal.2. yaitu rangkaian CE (Common Emitter). misalnya.. Dengan menganalisa rangkaian CE akan dapat diketahui beberapa parameter penting dan berguna terutama untuk memilih transistor yang tepat untuk aplikasi tertentu.Modul 2 6. Arus bias Ada tiga cara yang umum untuk memberi arus bias pada transistor..2. Arus basis kolektor dan emitor 44 . Tentu untuk aplikasi pengolahan sinyal frekuensi audio semestinya tidak menggunakan transistor power. Namun saat ini akan lebih detail dijelaskan bias transistor rangkaian CE. Collector dan Emitter. Jika teorema tersebut diaplikasikan pada transistor. maka hukum itu menjelaskan hubungan : IE = IC + IB ..(1) Gambar 6. CC (Common Collector) dan CB (Common Base)..

95 sampai 0. b adalah parameter yang menunjukkan kemampuan penguatan arus (current gain) dari suatu transistor...2... Beta (β) Beta didefenisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus base.... Karena arus IB sangat kecil sekali atau disebutkan I B << IC...2.. Parameter-parameter Alpha (α) Pada tabel data transistor (databook) sering dijumpai spesifikasi αdc (alpha dc) yang tidak lain adalah : αdc = IC/IE ..Modul 2 Persamanaan (1) tersebut mengatakan arus emiter I E adalah jumlah dari arus kolektor IC dengan arus base IB. Karena besar arus kolektor umumnya hampir sama dengan besar arus emiter maka idealnya besar αdc adalah = 1 (satu)... (3) Defenisinya adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor.. β = IC/IB.99..... maka dapat dinyatakan IE = IC . Namun umumnya transistor yang ada memiliki αdc kurang lebih antara 0.. Tentu jawabannya sangat mudah yaitu : IB = IC/ β = 10mA/250 = 40 uA 45 ... .. Misalnya jika suatu transistor diketahui besar β =250 dan diinginkan arus kolektor sebesar 10 mA...... maka berapakah arus bias base yang diperlukan.. (4) Dengan kata lain..(2) 6..... Parameter ini ada tertera di databook transistor dan sangat membantu para perancang rangkaian elektronika dalam merencanakan rangkaiannya.

1mA = 20 mA Dari rumusan ini lebih terlihat defenisi penguatan arus transistor. VB = tegangan base VE = tegangan emiter. sebab titik ground atau titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik emiter. Dinamakan rangkaian CE.1mA adalah : IC = β IB = 200 x 0. Common Emitter (CE) Rangkaian CE adalah rangkain yang paling sering digunakan untuk berbagai aplikasi yang mengunakan transistor. yaitu sekali lagi. Notasi dengan 1 subscript adalah untuk menunjukkan besar tegangan pada satu titik. misalnya VC = tegangan kolektor. 46 . Sekilas Tentang Notasi Rangkaian Common Emitter (CE) Ada beberapa notasi yang sering digunakan untuk mununjukkan besar tegangan pada suatu titik maupun antar titik. Gambar 6.3.Modul 2 Arus yang terjadi pada kolektor transistor yang memiliki β = 200 jika diberi arus bias base sebesar 0. arus base yang kecil menjadi arus kolektor yang lebih besar.

(5) VBE adalah tegangan jepit dioda junction base-emitor. Sehingga arus IB mulai aktif mengalir pada saat nilai VBE tertentu. Jika hukum Ohm diterapkan pada loop base diketahui adalah : IB = (VBB . 6.. VEE berturut-turut adalah besar sumber tegangan yang masuk ke titik base. Kurva IB -VBE 47 .VBE) / RB .. VCC. Karena memang telah diketahui bahwa junction base-emitor tidak lain adalah sebuah dioda. kolektor dan emitor. Diantaranya adalah : VCE = tegangan jepit kolektor..4.. yang disebut juga dengan tegangan jepit. Kurva Karakteristik Hubungan antara dan tentu saja akan berupa kurva dioda.2. Gambar 6.. Arus hanya akan mengalir jika tegangan antara base-emitor lebih besar dari VBE..Modul 2 Ada juga notasi dengan 2 subscript yang dipakai untuk menunjukkan besar tegangan antar 2 titik.emitor VBE = tegangan jepit base – emitor VCB = tegangan jepit kolektor – base Notasi seperti VBB..3..

Nilai ideal VBE = 0 volt.7V) / 100 K = 13 uA Rangkaian Common Emittor Dengan β = 200. maka arus kolektor adalah : IC = β IB = 200 x 13uA = 2. Pada gambar berikut telah diplot beberapa kurva kolektor arus I C terhadap VCE dimana arus IB dibuat konstan. tegangan VBB dan VCC dapat diatur untuk memperoleh plot garis-garis kurva kolektor. 48 . Dengan mengunakan rangkaian-01. jika diketahui besar β = 200. Katakanlah yang digunakan adalah transistor yang dibuat dari bahan silikon.6 mA Kurva Kolektor Sekarang sudah diketahui konsep arus base dan arus kolektor.VBE) / RB = (2V . Gambar 6. Tetapi untuk penyerdehanaan umumnya diketahui VBE = 0. arus kolektor IC dan tegangan kolektor-emiter VCE.0.5. Sampai disini akan sangat mudah mengetahui arus I B dan arus IC dari rangkaian berikut ini.7 volt untuk transistor silikon dan VBE = 0.Modul 2 Besar VBE umumnya tercantum di dalam databook. Satu hal lain yang menarik adalah bagaimana hubungan antara arus base I B.3 volt untuk transistor germanium. IB = (VBB .

(7) 49 .. dimana arus I C konstans terhadap berapapun nilai VCE............IC .. Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (rangkaian CE).ICRC .... Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region). (6) Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : PD = VCE...Modul 2 CutOff Gambar 6.... Pertama adalah daerah saturasi... lalu daerah cut-off...6. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus I C hanya tergantung dari besar arus IB. Kurva Arus kolektor terhadap Tegangan kolektor emitor Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja transistor... kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah breakdown. maka dapat diperoleh hubungan : VCE = VCC .

Modul 2 Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektoremitor dikali jumlah arus yang melewatinya. Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya P Dmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar. Daerah Cut-Off Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron. Daerah Saturasi Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.

Gambar 6.7.

Rangkaian driver LED
50

Modul 2 Misalkan pada rangkaian driver LED di atas, transistor yang digunakan adalah transistor dengan β = 50. Penyalaan LED diatur oleh sebuah gerbang logika ( logic gate) dengan arus output high = 400 uA dan diketahui tegangan forward LED, VLED = 2.4 volt. Lalu pertanyaannya adalah, berapakah seharusnya resistansi R L yang dipakai. IC = β IB = 50 x 400 uA = 20 mA Arus sebesar ini cukup untuk menyalakan LED pada saat transistor cut-off. Tegangan VCE pada saat cut-off idealnya = 0, dan aproksimasi ini sudah cukup untuk rangkaian ini. RL = (VCC - VLED - VCE) / IC = (5 - 2.4 - 0)V / 20 mA = 2.6V / 20 mA = 130 Ohm Daerah Breakdown Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40V, arus IC menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan V CEmax yang diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi. VCEmax pada databook transistor selalu dicantumkan juga. 6.2.4. Datasheet transistor Sebelumnya telah disinggung beberapa spesifikasi transistor, seperti tegangan VCEmax dan PD max. Sering juga dicantumkan di datasheet keterangan lain tentang arus ICmax VCBmax dan VEBmax. Ada juga PDmax pada TA = 25o dan PDmax pada TC = 25o. Misalnya pada transistor 2N3904 dicantumkan data-data seperti :

51

Modul 2 VCBmax VCEOmax VEBmax = 60V = 40V =6V

ICmax = 200 mAdc PDmax = 625 mW TA = 25o PDmax = 1.5W TC = 25o

TA adalah temperature ambient yaitu suhu kamar. Sedangkan TC adalah temperature cashing transistor. Dengan demikian jika transistor dilengkapi dengan heatshink, maka transistor tersebut dapat bekerja dengan kemampuan dissipasi daya yang lebih besar. Beberapa type yang lain dapat dilihat pada table dibawah ini :

NPN transistors
Code Structure BC107 BC108 NPN NPN Case I max. VCEmax. hFEmin. style C TO18 100mA TO18 100mA 45V 20V 110 110 300mW 300mW Category (typical Possiblesubstitutes use)
Audio, low power General purpose, low power General purpose, low power Audio (low BC184 BC549 BC182 BC547

BC108C BC183 BC548

BC108C

NPN

TO18 100mA

20V

420

600mW

BC109 BC182 BC182L BC547B

NPN NPN NPN NPN

TO18 200mA TO92C 100mA TO92A 100mA TO92C 100mA

20V 50V 50V 45V

200 100 100 200

300mW noise), low
power General purpose, 350mW low power

BC107 BC182L

350mW 500mW

General purpose, low power Audio, low power

BC107 BC182 BC107B

52

high power General purpose. TIP31A TIP41A high power General purpose. low power Audio (low BC108B 625mW noise).Modul 2 BC548B BC549B 2N3053 NPN NPN NPN TO92C 100mA TO92C 100mA TO39 700mA 30V 30V 40V 220 240 50 500mW General purpose. but please consult information from your supplier if you require precise data. low power BC109 500mW General purpose. medium power General purpose. medium power General purpose. high power BC639 BFY51 General purpose. high power 60V 15 60V 20 Please note: the data in this table was compiled from several sources which are not entirely consistent! Most of the discrepancies are minor. TIP31C TIP41A high power General purpose. low power BFY51 BFY51 BC639 TIP29A TIP31A TIP31C TIP41A 2N3055 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN TO39 TO92A TO220 TO220 TO220 TO220 TO3 1A 1A 1A 3A 3A 6A 15A 30V 40 80V 40 60V 40 60V 10 100 10 V 800mW 800mW 30W 40W 40W 65W 117W General purpose. 53 .

. 54 ..... low power General purpose.. low power General purpose. 300mW 600mW 600mW 360mW 360mW 40W 40W Category Possible (typical use) substitutes Audio.. low power Audio.Modul 2 PNP transistors Code BC177 BC178 BC179 BC477 BC478 TIP32A TIP32C Structure PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP Case style TO18 TO18 TO18 TO18 TO18 TO220 TO220 IC max.. 100mA 200mA 200mA 150mA 150mA 3A 3A VCE max. β dc = hFE .. dengan meyebutkan h FE sebagai β dc untuk mengatakan penguatan arus.. low power Audio (low noise). 45V 25V 20V 80V 40V 60V 100V hFE min.. high power BC177 BC178 BC477 BC478 TIP32C TIP32A Please note: the data in this table was compiled from several sources which are not entirely consistent! Most of the discrepancies are minor..... low power General purpose. di datasheet umumnya dicantumkan nilai hFE minimum (hFE min ) dan nilai maksimunya (hFE max).. (8) Sama seperti pencantuman nilai βdc.. β atau hFE Pada system analisa rangkaian dikenal juga parameter h. but please consult information from your supplier if you require precise data.. 125 120 180 125 125 25 10 Ptot max. high power General purpose.

Modul 2 Contoh aplikasi Transistor pada rangkaian 6.2. +Vcc Rc Ib Rb + VB E Ic VB IE Gambar 6. Transistor sebagai saklar Transistor sebagai saklar akan bekerja pada daerah saturasi (Icsat) dan daerah cutoff (Ic  0). Rangkaian transistor sebagai saklar 55 .5.8.

6.9. Transistor sebagai penguat (Amplifier) Transistor sebagai penguat dapat dirangkai sebagai :  Common Emitter  Common Colector  Common Basis 56 .  Icsat  VB = Ibmaks RB + VBE Vcc Icsat . Ib  Ibmaks  Rc hFE saat Cutoff Ic = 0 .  VCE = VCC 6.Modul 2 Ic(mA) Ibmaks V c c / R c Icsat = Ib=0 Vcccutoff =Vcc Vce 0 Gambar 6. IB = IC = Kurva garis beban VB  VBE RB Vcc  VCE Rc saat saturasi VCE = 0.2.

Analisa Sinyal Kecil A. Amplifier Transistor CE Dari gambar diatas dapat dibuat rangkaian ekivalen dc nya sbb VCC R1 RC TR1 R2 RE Ic  Ie = Vcc  VCE Rc  RE saat saturasi VCE  0 Ic = Vcc/(Rc+RE) saat cutoff Ic  0  VCE = Vcc pembagi tegangan pada R2  VR2 = [R2/(R1 + R2)] x Vcc VR2 = VBE + VRE 57 .10.Modul 2 Sedangkan untuk analisanya dibagi 2 yaitu analisa dc dan analisa ac. Analisa dc analisa dc digunakan untuk menentukan titik kerja transistor pada garis beban dc. Ketentuan :  Semua Capacitor Open Circuit VCC R1 RC C2 Vout RS C1 TR1 Vs + RL Vin R2 RE CE Gambar 6.

Modul 2 = VBE + IcRE Ic = VR 2  VBE RE VCE = Vcc – Ic(Rc + RE) Titik Kerja Transistor P (VCE .11. dengan : Semua sumber tegangan dc : short circuit Semua capacitor : short circuit. 58 . Avs Penguatan Arus : Ai Penguatan Daya : Ap Dengan ketentuan sbb : Buat rangkaian ekivalen ac. Ic) Ic(mA) Icsat = Vcc/Rc Ibmaks P(Vce.I c ) Ib=0 0 Vcecutoff =Vcc Vce Gambar 6. antara lain :         Impedansi Input : Zi Impedansi Output : Zo Penguatan Tegangan : Avi. Gambar Garis Beban dan Titik Kerja Transistor B. Analisa ac Analisa ac digunakan untuk menentukan besaran-besaran yang berkaitan dengan sifat dinamis dari amplifier.

gmVx RC//RL Avi = .gm x RC//RL 59 . RS Vs Ii + Vin R1 R2 E Zi Zo + V r gmV B C Io Vout RC RL Gambar 6.12. Rangkaian ekivalen ac gm = trans-konduktansi  38.Modul 2  Antara kaki Basis dengan Emitor terdapat impedansi/hambatan : “r” dengan tegangan “V”.  Antara kaki Colector dengan Emitor terdapat sumber arus tak bebas “gmV”. Antara kaki Basis dengan Colector : open circuit.9 Ic dengan satuan : Mho (inverse dari Ohm) r =  gm Impedansi input : Zi = R1//R2//r Impedansi output Zo = RC Penguatan Tegangan : Avi = Vout/Vin Vin = V Vout = .

Modul 2 Avs = Vout/Vs = (Vout/Vin) x (Vin/Vs) Vin  Zi xVs Zi  Rs Avs = Avi Zi Zi  Rs Penguatan Arus : Ai = Io/Ii Io = Vo/RL Ii = Vi/Zi Ai = Avi Zi RL Penguatan Daya : Ap = Po/Pi Po = Vo x Io Pi = Vi x Ii Ap = Avi x Ai Multistage Amplifier Amplifier dengan konfigurasi CE-CE VCC R11 RC1 C2 R12 RC2 C3 Vout RS C1 TR1 TR2 Vs + Vin R21 RE1 CE1 R22 RE2 CE2 RL 60 .

Analisa ac Dibuat rangkaian ekivalen ac sbb : RS Vs Ii + Vin R11 R21 E Zi + V1 RC1 r 1 gm1V1 R12 R22 E Zo B C + V2 r 2 gm2V2 B C Io Vout RC2 RL 61 .Modul 2 Analisa dc Dibuat rangkaian ekivalen dc untuk menetukan garis beban dan titik kerja masingmasing transistor.

RANGKUMAN 62 .3.Modul 2 6.

Gramedia Pustaka Umum Jakarta 2. ”Prinsip Dasar Elektroteknik ”. 1990. Ganti Dapari. Penerbit Erlangga Jakarta 3. Gramedia Pustaka Umum Jakarta 63 .4. Zuhal.Modul 2 6. 2004. Malvino Albert Paul. “Pokok –Pokok Elektronika”. REFERENSI 1. “Prinsip-Prinsip Elektronika”. 1994.

LATIHAN SOAL 64 .Modul 2 6.5.

Modul 2 6.6. JAWABAN 65 .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful