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Polarización de transistores bipolares

1. Objeto de la práctica: Encontrar el circuito de polarización más estable en función de la dispersión del HFE de los transistores de un mismo tipo (debido a las tolerancias en la fabricación), y a la variación de la temperatura ambiente. Se compararán los tres circuitos de polarización más utilizados; utilizando 5 muestras de transistores que representan las dispersiones típicas en la fabricación, que existirán entre ellos. Para facilitar la comparación se confeccionarán tablas y además se calcularan los valores de dispersión relativa de los parámetros fundamentales para la determinación del punto Q, los cuales también serán llevados a una tabla para facilitar su comparación. 2. Elementos de circuito e instrumentos a utilizar: a. Fuente de Tensión: Leader LPS-164A (n de serie 7080107) b. Tester: i. YFE-YF-3502 (n de serie 041101287) ii. Beckman Industrial DM27XL (n de serie 20802482) c. Resistores: 1M5, 1M2, 4k7, 180k, 100k 3k3, 1k2. d. Transistor PNP 2SA733 e. Termómetro de contacto con indicador digital. f. Calefactor portatil g. Protoboard 3. Circuitos a utilizar:

RB 1M5

RC1 4k7 RC 4k7 Q1 2SA733 VCC -12V RB 1M2 + Q2 2SA733 + VCC1 15V

IBQ constante o polarización fija (Cto.1)

Realimentación por colector(Cto.2)

R1 100k

RC 1k2

Q1 2SA733

+

VCC 12V

R2 180k

RE 3k3

Polarización por divisor de tensión (Cto.3)

Autor: Terrado Alejandro

Trabajo Práctico 1, Laboratorio Electrónica Aplicada I

-1-

Laboratorio Electrónica Aplicada I -2- .65V 1.71µ A ICQ = = = −1.57 µ A = −1.57 µ A ICQ = HFE * IBQ = 200 * −7.51mA * 4 K 7 Ω = −4.65 4 K 7 Ω +1M 2Ω 200 = −6.94 mA = −9.95mA RB + RE HFE −1.28 KΩ VBB = ICQ = R2 * VCC = −7. Análisis teórico: Valor Teorico Circuito 1 : VCC −VBE RB −12V + 0.34 mA VCEQ = VCC − ( ICQ * RC ) = −15 + 6.4.7V Circuito 3 : RB = R1 // R 2 = 64.71µ A * 4 K 7 = −8.23V Autor: Terrado Alejandro Trabajo Práctico 1.5 MΩ IBQ = = = −7.51mA VCEQ = VCC − ( ICQ * RC ) = −12V +1.89V Circuito 2 : VCC −VBEQ RC + RB ICQ HFE = HFE 200 −15 + 0.34mA IBQ = −1.71V R1 + R 2 VBB −VBE = −1.75 µ A 200 IBQ = VCEQ = VCC − ICQ ( RC + RE ) = −3.

38 µA = −1. = −1.71KΩ Muestra 1 − 11.3V RC IBQ = ICQ = = −7.34V RB − 7.Valor Practico Circuito 1 : RB = 1.45V RC IBQ = ICQ = = −7.06V RC IBQ = ICQ = = −7.34V RB − 9.34V RB − 7.537MΩ .69V Muestra 2 − 11.94V Muestra 3 − 11.28V Muestra 4 − 11.34V RB − 6.34V RB − 8. Laboratorio Electrónica Aplicada I -3- .38μ. = −1.39V RC IBQ = ICQ = = −7.38μ.5mA VCEQ = −12V + ICQ * RC = −4.99mA VCEQ = −12V + ICQ * RC = −2.55V Muestra 5 − 11.38μ.64mA VCEQ = −12V + ICQ * RC = −4.34mA VCEQ = −12V + ICQ * RC = −5.38 µA = −1.61V Autor: Terrado Alejandro Trabajo Práctico 1. RC = 4.79mA VCEQ = −12V + ICQ * RC = −3. = −1.73V RC IBQ = ICQ = = −7.

78 µA = −1.1V Muestra 2 − 7.47mA VCEQ = −15V + ICQ * RC = −8.17V RB − 5.98 µA = −1.276MΩ. = −1.9V RC IBQ = ICQ = = −6.25mA VCEQ = −15V + ICQ * RC = −9.26μ.74KΩ Muestra 1 − 8.64V RC IBQ = ICQ = = −5.Circuito 2 : RB = 1.03 V Muestra 5 − 6.36 V Muestra 4 − 7.69V Muestra 3 − 7.4V RC IBQ = ICQ = = −5.31V RC IBQ = ICQ = = −5.6V Autor: Terrado Alejandro Trabajo Práctico 1.58 µA = −1. RC = 4.4 µA = −1.71V RB − 7. Laboratorio Electrónica Aplicada I -4- .37V RB − 6.12V RB − 6.33mA VCEQ = −15V + ICQ * RC = −8.4mA VCEQ = −15V + ICQ * RC = −8.97V RC IBQ = ICQ = = −5.63V RB − 6.55mA VCEQ = −15V + ICQ * RC = −7.

49 µA − 2.09V IB 2 = = −38.9V = −49.9 K − 7.3K IBQ = IB1 − IB 2 = −10.33V IB1 = Muestra 2 − 4.89 µA 182.55µA 98.187 K VCEQ = −12V + ICQ ( RC + RE ) = −3.02V IB 2 = = −38.03mA 1.79V = −48.187 K VCEQ = −12V + ICQ ( RC + RE ) = −3.93µA 98.98mA 1.39V ICQ = = −2.187 K VCEQ = −12V + ICQ ( RC + RE ) = −3.17 µA 182.14V IB 2 = = −39.74V = −47.26 µA − 2.05mA 1.05µA − 2.5µA 182.94 µA 98.01mA 1.41V ICQ = = −2.3K IBQ = IB1 − IB 2 = −11.9 K − 7.35V ICQ = = −1. Laboratorio Electrónica Aplicada I -5- .11V Muestra 4 IB1 = − 4.187 K VCEQ = −12V + ICQ ( RC + RE ) = −3.04 µA − 2.43V ICQ = = −2.44 µA 182.19V IB 2 = = −39.19V Muestra 3 IB1 = − 4.84V = −48.3K IBQ = IB1 − IB 2 = −8.9 K − 7.3K IBQ = IB1 − IB 2 = −9.Circuito 3 : Muestra 1 − 4.43µA 98.04V IB1 = Autor: Terrado Alejandro Trabajo Práctico 1.9 K − 7.

38 7. Valores Medidos: HFE: • Muestra 1: 177 • Muestra 2: 199 • Muestra 3: 223 • Muestra 4: 244 • Muestra 5: 272 Resistores: Circuito 1 • RB= 1.38 7.5 4. en las dos primeras figuras se calculará como IB =(VCC-VBEQ)/RB y IB =(VCEQ-VBEQ)/RB.45V ICQ = = −2. Laboratorio Electrónica Aplicada I -6- .3K IBQ = IB1 − IB 2 = −7.71µA 182.69 177 1.38 7.9 KΩ • R2= 182.55 244 1. en general las mediciones tendrán una exactitud mejor que el 1%.187 KΩ • RE= 3.187 K VCEQ = −12V + ICQ ( RC + RE ) = −2. lo cual es perfectamente aceptable.276 MΩ • RC= 4. Así IB.94 199 1. donde la RB se medirá con el óhmetro digital.57 VALOR TEORICO ICQ[mA] VCEQ[V] 1.51 4.34 5.61 272 muestra n° 1 2 3 4 5 Autor: Terrado Alejandro Trabajo Práctico 1.Muestra 5 − 4.24V IB 2 = = −39. • Tabla 1 IBQ CONSTANTE IBQ [μA] 7.42 µA 98.19 KΩ TABLAS NOTA: se utilizará la técnica de cálculo en lugar de medición directa para las corrientes en función de los instrumentos que posee el laboratorio y también evitar los errores sistemáticos de carga de la R interna del voltímetro. considerando que las tolerancias de los componentes será por lo menos 5 veces mayor.64 4. El cálculo en el circuito de polarización por divisor será IB = IR1-IR2.99 2.71 KΩ Circuito 2 • RB= 1.28 223 1.74 KΩ Circuito 3 • R1= 98.06mA 1.9 K − 7.71µA − 2.38 VALOR PRACTICO ICQ[mA] VCEQ[V] HFE 1. donde IR1 =VR1/R1 y IR2 =VR2/R2.96V IB1 = 5.Para las IC será VRC/RC.38 7.79 3.537 MΩ • RC= 4.89 HFE 200 IBQ [μA] 7.69V = −47.3 KΩ • RC= 1.

34 VCEQ[V] 8.71 ICQ[mA] 1.4 1.36 8.7 Autor: Terrado Alejandro Trabajo Práctico 1.25 1.58 5.1 8.69 8.6 HFE 177 199 223 244 272 muestra n° 1 2 3 4 5 VALOR TEORICO IBQ[μA] 6.55 VCEQ[V] 9.26 ICQ[mA] 1.47 1. Laboratorio Electrónica Aplicada I -7- .98 5.• Tabla 2 REALIMENTACION POR COLECTOR VALOR PRACTICO HFE 200 IBQ[μA] 6.03 7.78 5.33 1.4 5.

03 3.1) 7.45 1.01 3. • Tabla 4 CIRCUITO N°1 CIRCUITO N°2 CIRCUITO N°3 °C IBQ[μA] ICQ[mA] VCEQ[V] IBQ[μA] ICQ[mA] VCEQ[V] IBQ[μA] ICQ[mA] VCEQ[V] Ti(24.49 2.9 5.24 Tf(78) 7.Cálculo de la desviación relativa de la muestra: Para cada uno de los parámetros principales del punto Q se calculará la desviación normal o estándar de la muestra.05 3. y sé graficará el corrimiento del punto Q.14 1. con ella podremos determinar la dispersión con respecto al promedio en la misma unidad de la variable original.05 2.95 2.95 3. Autor: Terrado Alejandro Trabajo Práctico 1.23 200 11.84 5.98 3. Se tratará de mantener la misma constante durante el tiempo necesario para medir los valores del punto Q.33 5.06 2.11 223 8. luego con la dispersión relativa como una forma mas rápida de comparar el comportamiento de los tres circuitos de polarización.96 272 IBQ[μA] 9. para cada circuito de polarización en función del ΔT.69 6. midiendo con el termómetro de contacto la temperatura del cuerpo del transistor para verificar cuando se llega a una temperatura de aproximadamente 90°C.37 1.19 199 9.04 1.71 2.Comportamiento con respecto a la variación de la temperatura: Se elegirá la muestra N° 1.98 3.1 11. frente a la dispersión de HFE.75 muestra n° 1 2 3 4 5 4.73 3.26 2. pero no reflejara la magnitud del dato de la muestra.4 1.• Tabla 3 POLARIZACION POR DIVISION DE TENSION EN LA BASE VALOR TEORICO VALOR PRACTICO ICQ[mA] VCEQ[V] HFE IBQ[μA] ICQ[mA] VCEQ[V] HFE 1. Laboratorio Electrónica Aplicada I -8- .33 177 10.23 9. luego se volcarán los valores en la tabla N°4. a ésta Tf.04 244 7.58 1.09 8.06 2.para todos los circuitos de polarización y se procederá a elevar la temperatura ambiente.45 8.

De manera que podamos considerar el valor mas probable del punto de polarización en cada tipo de circuito. En la TABLA 2 se observan numéricamente estos valores.45%. considerando que para una distribución normal el 95% de los casos se encuentra acotado entre el valor ± 20.57% del valor medio y la VCEQ ±28. Comenzando con las mediciones de las distintas muestras se observaron leves variaciones del punto Q.21%. (de ahí el nombre de IBQcte. La temperatura produce cambios en las características del transistor. de manera contraria al caso anterior. A pesar de que existen pequeñas variaciones de HFE. En la tabla correspondiente se observa que esta variación es del 30. Lo que deduce que la corriente de colector aumentará proporcionalmente.38% 8. Examinando ahora la estabilización del circuito a la diferencia de HFE tomando 5 muestras del mismo tipo de transistor salta en evidencia la desviación en los valores (ΔICQ ~0. como indicamos anteriormente. En primer lugar analizamos la configuración IBQcte. pero el punto de trabajo se mantuvo dentro del 18% para ICQ y 12% VECEQ. Q que dieron las mediciones. En esta se ve la distancia entre un punto y otro. al aumento de temperatura donde la corriente de base apenas sufrió un aumento del 1. cosa que es razonable porque la temperatura. Es decir que el HFE aumento un 47% aproximadamente. y como responde a la variación de las condiciones de trabajo. En definitiva indica que este tipo de polarización mantiene el punto Q muy próximo al calculado de manera teórica aunque este sometido a varios cambios. Con los datos del cálculo de la dispersión relativa damos cuenta que la desviación de valores ni siquiera supera el 10%. En la misma tabla se ratifica lo antes expuesto acerca de la dispersión de valores que existe para diferentes HFE de los transistores. Laboratorio Electrónica Aplicada I -9- .88% para ICQ y ±6. aumenta la ganancia del transistor. Del valor numérico del aumento de la ganancia podemos decir lo siguiente: a temperatura ambiente el transistor de la muestra 1 posee un HFE=177. y tal cual el caso anterior el valor teórico coincide con el valor de la muestra 2. Así mismo el gráfico de la carga estática.Conclusiones: A lo largo de la experiencia en el laboratorio analizamos tres formas de polarizar un transistor. Para hacer esta evaluación del circuito (también para el resto) mas práctica y con resultados mas visibles.36% 6. Como se puede ver.93% 3 13. se grafico la recta de carga estática.55% 6. Autor: Terrado Alejandro Trabajo Práctico 1.95% 1. los valores del punto Q se distancian claramente.1%. ayuda a ver que los puntos Q están muy cercanos entre si. • Tabla 5 Desviaciones relativas CIRCUITO N° IBQ ICQ VCEQ 1 0. Con el mismo propósito y de la misma manera estudiamos el circuito de polarización Realimentación por Colector. para ser mas precisos ±8.00% 15. Podemos decir que estos últimos se acercan a los valores de la muestra 2. Los factores principales evaluados fueron la estabilización del circuito al cambio de temperatura (ΔT ~ 55°C) o el eventual reemplazo del transistor. De la TABLA 1 surge la comparación de los valores medidos con los valores teóricos tomando el HFE típico proporcionado por el fabricante. A simple vista es tan sencillo como el anterior ya que posee solo dos resistores.58% 4. todos los valores son con respecto al valor medio. mantener la corriente de base presenta un problema. Analizando que el punto de trabajo del transistor se determina por la corriente de colector (ICQ) y la tensión colector emisor (VCEQ). sobre todo que su ganancia aumenta (HFE).66mA) de manera similar a la anterior experiencia. colocando los diferentes ptos. Volvemos a caer en la conclusión que ya venimos mencionando. Consideremos que un buen circuito es aquel que mantiene el punto de trabajo estable frente a los cambios mencionados. la polarización por IBQcte presenta muchas desventajas para estabilizar y mantener el punto Q en los valores deseados por el diseñador.).39% 2 7. Con el aumento de la temperatura el circuito se comportó de manera similar a la variación de HFE. Como ayuda numérica representativa se calculo la dispersión relativa que proporciona una estimación de la magnitud de la desviación con respecto a la magnitud de la media.25% 28.1%.85% para VCEQ. también IBQ solo varia ±7. al aumentar la temperatura el HFE sube hasta 259. Hablando de resultados concisos la ICQ se desvía ±15.

y con RB manejo la IB para mover el punto Q sobre la recta.14 3.05 7. Por lo que hacer que IBQ cambie no afecta el punto de trabajo del transistor.03 1.29 Teórico Práctico Spice IBQ[μA] 9. Tal es así. Del gráfico de la recta de carga estática vemos que el punto Q prácticamente no cambia su lugar. De las mediciones vemos que la tensión en R1 decrece a medida que crece el HFE por lo que IBQ disminuye su valor.69 200 6. En la tabla siguiente se muestran los valores obtenidos: IBQ CONSTANTE IBQ[μA] ICQ[mA] VCEQ[V] 7. valores medidos. El simulador tiene la particularidad de poder ingresar las características del transistor que utilizamos en laboratorio. 2. Autor: Terrado Alejandro Trabajo Práctico 1.51%.91 345 DIVISOR RESISTIVO ICQ[mA] VCEQ[V] 1. Laboratorio Electrónica Aplicada I .Cuestionario: 1. Podemos decir entonces que este circuito regula el punto Q haciendo variar IBQ.38 1. El menos dependiente del HFE es el divisor de tensión en la base. Si RE es mucho mayor que RB/HFE. Hablando de la prueba en sí. Para enriquecer esta comparación de valores teóricos. cálculos de dispersión etc. Las pequeñas variaciones pueden estar dadas por los valores reales de las resistencias o errores sistemáticos de medición como así también las características propias del transistor que pueden diferir a pesar de ser el modelo del mismo transistor.54 2.75 10.57 1. este se realiza mediante cuatro resistores.94 7. podemos obviar el termino que contiene HFE. aún si comparamos los dos extremos de HFE. Para modificar el punto Q variaría el valor de RB.17 3. En sus formulas de ICQ.43 Teórico Práctico Spice HFE 200 200 345 Teórico Práctico Spice REALIMENTACIÓN POR COLECTOR IBQ[μA] ICQ[mA] VCEQ[V] HFE 6.95 3. ΔICQ solo vale ~0. Un divisor resistivo en la base (R1 y R2) un resistor en el emisor y otro en el colector..( ICQ = VBB − VBE RB HFE + RE ) podemos hacer la siguiente simplificación.19 2. y como primer resultado vemos que IBQ varía de manera considerable.77 7. si apenas se movió el 4% del valor inicial de ICQ. Por empezar y a diferencia de los dos anteriores. Con RC determino la recta de carga.7 200 5.10 - .51 4.66 HFE 200 200 345 7.71 1. es mas pareciera que cada punto es encima del otro. De la misma forma vemos que VCEQ mantiene su valor muy estable ya que ni siquiera pasan el 5% respecto el valor medio.33 8. la recta de carga está determinada por RC. Como era de esperar el circuito se comportó muy eficiente para estabilizar el punto Q. En un circuito de polarización por IBQ constante.Como último circuito a prueba está el Divisor de Tensión en la Base.23 2.34 8. Si tomamos como referencia el valor medio estamos hablando de ±1.98 1. 3.08mA.89 7. resulta muy práctico simular los circuitos por software en la PC. Esto permite analizar fehacientemente la respuesta del transistor. Llevando la temperatura a 78°C tomamos las caídas de tensión en los distintos resistores para deducir las corrientes de trabajo (del mismo modo que se hizo con los otros dos circuitos). Pero como contrapartida observamos que ICQ apenas cambia su valor.01 3. el doble que el circuito anterior. que los valores obtenidos en simulación son similares a los medidos en el laboratorio.5 4.

sobre ‘y’ depende de que circuito se trate. Como se dijo en el punto anterior ICQ aumenta.4. Si esta al corte se acerca a VCC Si RE disminuye. En el eje de las ‘x’ se coloca un punto con el valor de VCC. IC crece. 9. o el valor de los resistores. De esa manera se compensa el incremento de IC al disminuir IB para que se mantenga estable IC. 5. Si la señal es grande. 6. así aumenta la caída de tensión en RC para que aumente IC. VCE vale casi 0V. Los parámetros para modificarla son VCC. Por otro lado si se observa el circuito. y así crece la caída de tensión en RE. Laboratorio Electrónica Aplicada I . VCC/RC. 8. 10. habría que tomar un margen de 1V antes de llegar a la saturación y un margen similar para el corte. Autor: Terrado Alejandro Trabajo Práctico 1. De esta manera VCEQ estaría en medio de estos valores. Al aumentar IC la caída de tensión en el colector disminuye. si aumenta el HFE también lo hace IC. También se puede ver que la caída de tensión en RE disminuye. por ejemplo. Si disminuye la caída de tensión en RB. De ser muy baja. Estando saturado el transistor. lo mismo sucede en RB. Según la señal de entrada. el punto Q no perjudicará la simetría de la señal teniendo un pequeño cuidado de no estar extremadamente cerca de la saturación o el corte. haciendo que baje IB. Si RE disminuye el punto Q sube la recta de carga. 7. IB también lo hace. VCEQ aumenta cuando ICQ disminuye sobre la recta de carga estática. Si observamos la recta de carga un incremento de IC confiere que VCE disminuye. En el caso de IBQcte. Esto significa que IC no aumentara en gran medida.11 - . O también utilizando los valores del punto Q se puede determinar la recta de carga.