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Aula 7 Transistores

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Patentes

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Definio
Transistor TRANSfer resISTOR

Dispositivo semicondutor que pode controlar corrente a partir de corrente ou a partir de tenso Indiretamente pode ser utilizado para controle de tenso

Aplicaes
Amplificao de sinal Chaveamento de sinal Armazenamento de informao

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Tipos de Transistores
Bipolares Efeito de Campo Unijuno

Efeito de Campo MOS (MOSFET)

IGBTs

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Transistor Bipolar
Normalmente so de Silcio Existem dois tipos
Depende da ordem dos tipos de materiais (dopagem)
PNP NPN

Funcionamento
Corrente de Base (tenso base emissor)
Regula a corrente Coletor Emissor

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Diagrama de Correntes em um PNP

Para o NPN basta inverter as tenses e trocar os portadores 2012-2 6

Configuraes NPN/PNP
Base comum
Aplicao
Separa entrada da Sada Alta freqncia (minimiza oscilaes) Ganho de Corrente < 1 Ganho de Tenso Elevado Resistncia de Entrada Baixa Resistncia de Sada Alta

Caractersticas

Coletor Comum
Aplicao
Casamento de Impedncia Buffer (corrente) Ganho de Corrente elevado Ganho de Tenso >= 1 Resistncia de Entrada M uito elevada Resistncia de Sada M uito Baixa

Caractersticas

Emissor Comum
Aplicao
Amplificao de tenso Amplificadores em geral Ganho de Corrente elevado Ganho de Tenso elevado Resistncia de Entrada M dia Resistncia de Sada Alta

Caractersticas

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Parmetros Extremos
Tenses de Ruptura
VCB0 Tenso de ruptura entre Coletor e Base com Emissor aberto VCEO Tenso de ruptura entre Coletor e Emissor com a Base aberta VCES Tenso de ruptura entre Coletor e Emissor com a Base ligada ao Emissor

Correntes de Fuga
IEB0

Corrente entre Emissor e Base com Coletor aberto


Bastante incomum pois a polarizao est reversa (diodo polarizado reverso)

ICEO Corrente entre Coletor e Emissor com a Base Aberta


Muito importante pois est associada amplificao do circuito

ICB0 aberto

Corrente entre Coletor e Base com o Emissor


Varia com a temperatura Apresenta valores maiores para transistores de Ge do que de Si

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Curva do NPN

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Curva do PNP

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Tipos de Polarizao
Polarizao com corrente de Emissor constante
A variao de temperatura faz variar IC e consequentemente IE Introduzindo o resistor no Emissor aumenta a estabilidade

Polarizao com corrente de Emissor constante e divisor de tenso na Base

Polarizao com corrente de Emissor constante e realimentao negativa na Base


Ganho reduzido Aumento da estabilidade

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Parmetros de Amplificao
Relao entre corrente de Coletor e de Emissor

IC IE
IC IB

ganho de corrente

Relao entre corrente de Coletor e de Base

= hfe =
Como para o transistor

ganho de corrente

I E = IC + I B
ento

+1

= hfe =

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Polarizao de um Transistor (NPN)


Parmetros
VCC = 12 Volts IB = 20 A B = 100 VCE = 4 Volts RE = 800 VBE = 0,6 Volts (caracterstico de transistor de Si)

Equao da Malha I

VCC VRC VCE VRE = 0 ou VCC = RC .I C + VCE + RE .I E


Falta determinar IC, RC e IE

= hfe =
Ento IE

IC IC = .IB IC = 100 . 20A = 2 mA IB

I E = IC + I B = 2 mA + 20 A = 0, 00202 A 2 mA
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Agora possvel determinar RC

RC =

VCC VCE RE .I E 12 4 800.2 10 3 = = 3,2 k IC 2 103

Equao da Malha II VRB = VCB + VRC

ou RB . I B = VCB + RC . IC
Neste caso os elementos desconhecidos so RB e VCB

VCE = VBE + VCB ou VCB = VCE VBE = 4 0 ,6 = 3,4 Volts


Ento podemos determinar RB que

RB =

VCB + RC .I C 3,4 + 3, 2 103.2 103 = = 490 k IB 20 106

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Regio de Operao de um transistor

ICM
Corrente mxima do Coletor (dado do fabricante) Tenso mxima entre Coletor e Emissor com a Base aberta (especificao do fabricante) PMAX = VCE x IC No se deve trabalhar com valores de IC muito baixos
A corrente de fuga passa a influenciar o comportamento

VCE0

Hiprbole de Dissipao mxima Regio de Alta Deformao

Regio de Saturao
Para operao continua esta regio deve ser evitada Na operao como CHAVE possvel emprega-la Zona de operao ideal do transistor 15

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rea til

Transistor Darlington
Utiliza dois ou mais transistores interconectados
Permite obter elevados ganhos
= hfe > 1000

NPN

PNP

hfe = 1000

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Exemplos
Transistores de Sinal
NPN PNP BC546 .... (Data Sheet) BC556 ..... (Data Sheet) 2N3055 (Data Sheet) 2N2955 (Data Sheet) TIP120 (Data Sheet) TIP125 (Data Sheet)

Potncia
NPN PNP

Darlington (Potncia)
NPN PNP

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Tipos de Transistores
Bipolares Efeito de Campo Unijuno

Efeito de Campo MOS (MOSFET)

IGBTs

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FET family tree

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Transistor de Efeito de Campo de Juno (JFET)


Estrutura
Material semicondutor de alta resistividade dopado p ou n Gate polarizado em reverso (corrente muito baixa) Corrente no canal controlada por tenso Portadores
Canal n Canal p eltrons lacunas maior mobilidade menor mobilidade

Canal-n
Aplicao de tensao negativa na porta (gate)
Aumenta a zona de depleo Estrangula o canal de passagem de corrente

Canal-p
Aplicao de tenso positiva na porta (gate)
Aumenta a zona de depleo Estrangula o canal de passagem de corrente

Funcionamento de um JFET Canal-n


http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/jfet.html

Exemplo de data sheet


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2N3819 (clique aqui)


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MOS FET
MOS (Metal Oxide Semiconductor)
Estrutura

Funcionamento
Ao aplicar uma tensao na Porta
Positiva Atrai Eltrons Repele Lacunas Pode formar um canal de Eltrons Pode fechar um canal de Lacunas Negativa Atrai Lacunas Repele Eltrons Pode formar um canal de Lacunas Pode fechar um canal de Eltrons

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Tipos de MOS-FETs

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Funcionamento
Canal-n por Excesso

Funcionamento de um MosFet Canal-n por excesso


http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/mosfet.html

Exemplo de data sheet

IRF630 (clique aqui)

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)


Aplicaes
Comutao em alta potncia

Exemplo de data sheet

IRGP50B60PD1 (clique aqui)

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Transistor de Unijuno
Aplicaes
Circuitos osciladores Geradores de pulsos Temporizadores

Funcionamento

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Exemplo de data sheet

2N2646 (clique aqui)

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FIM

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