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de Sistemas e informtica
LA CURVA DE UN DIODO ZENER Y UN DIODO TNEL Introduccin Definicin de diodo
Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que la de un aislante, el grado de conduccin de cualquier sustancia depende, en gran parte, del nmero de electrones libres que contenga, en un conductor este nmero es grande y en un semiconductor pequeo es insignificante.
El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos aplicados y cantidad de impurezas presentes en la sustancia la sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos, somos testigos de la influencia de la Electrnica en todos los aspectos de la tecnologa, es inconcebible la vida moderna sin los medios de comunicacin radio, televisin, telefona, sin los sistemas de manejo de informacin computacin, sin la electrnica de consumo en el hogar, sin los avances de la medicina auxiliados por la tcnica, todo ha sido posible gracias a los trabajos de investigacin y desarrollo tecnolgico, los cuales se han visto acelerados a partir de la invencin de los diodos y transistores.
Estos dispositivos basados en materiales semiconductores, a partir de los cuales se fabrican prcticamente todos los sistemas electrnicos actuales. la tecnologa de los semiconductores es un factor bsico en las economas de los pases desarrollados, de acuerdo con la facilidad con que se mueven los electrones por el interior de las sustancias se establecen tres tipos de stas: conductores, aislantes y semiconductores, la facilidad del movimiento depende de la estructura atmica de la sustancia.
Diodo Zener.
Al diodo zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante, este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin.
Diodo varactor varicap. Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada, se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en fm.
Representacin en circuito
Diodo tnel: este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico, en lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. la intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (c) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta d que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.
Grfica Fotodiodo. Es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en
La funcin de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la informacin grabada en el surco hipottico del CD transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado el audio o los datos grabados en el CD.
Smbolo
Grafica
Representacin en un Circuito. Diodo Gunn. Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no es rectificador. se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn, cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin continua de 7 v, de modo que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante, de hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas de campo elctrico elevado se desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un
Smbolos
Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: off o de alta impedancia y on o baja impedancia. no se debe confundir con el diodo de barrera schottky, est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente, es un tipo de tiristor.
Para pasar del estado off al on, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar vs, tensin de conmutacin, la impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin iii punto b, para volver al estado off, se disminuye la corriente hasta ih, corriente de mantenimiento, ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin ii, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin i
Transistor smbolo, tipos, curva caracterstica y funcionamiento el transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales se indican mediante las literales e para el emisor, c para el colector y b para la base, se desarrollar una apreciacin de la eleccin de esta notacin cuando se analice la operacin bsica del transistor, la abreviatura bjt, de transistor bipolar de unin del ingles, bipolar junction transistor, suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales, el trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta, si slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
Puede permanecer mucho tiempo en depsito almacenamiento, no necesita tiempo de calentamiento, resistencia mecnica elevada, los transistores pueden reproducir el fenmeno de la foto sensibilidad fenmenos sensibles a la luz, se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp, la operacin del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran las funciones que cumplen el electrn y el hueco, el espesor de la regin de agotamiento se redujo debido a la polarizacin aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n. Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene polarizacin inversa ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con claridad cul unin tiene polarizacin directa y cul polarizacin inversa, habr una gran difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material tipo n.
As, la pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de forma directa a la corriente de base ib o si pasarn directamente al material tipo p. debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar esta trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden del micro amperes, comparando con mili amperes para las corrientes del emisor y del colector, la mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector, la razn de esta relativa facilidad con la cual los
En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la regin de la base tipo n. a la combinacin de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesar la unin con polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo.
Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor flujo convencional a travs del dispositivo, para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado de la salida, el conjunto de entrada para el amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (ie).
El conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters: las regiones activa, de corte y de saturacin, la regin activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales sin distorsin, en particular,
La corriente ico real es tan pequea micro amperes en magnitud si se compara con la escala vertical de ic = 0, las condiciones del circuito que existen cuando ie = 0 para la configuracin de base comn
La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ico en los datos y las hojas de especificaciones, debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de icbo para los transistores de propsito general en especial los de silicio en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto.
Sin embargo, para las unidades de mayor potencia icbo, as como is, para el diodo ambas corrientes de fuga inversas son sensibles a la temperatura, a mayores temperaturas, el efecto de icbo puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rpidamente con la temperatura, en la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor - base de un transistor tienen polarizacin inversa.
En la regin de saturacin, tanto la unin como el emisor base estn en polarizacin directa.
colector comn. La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a las de las configuraciones de base comn y de un emisor comn.
Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del emisor comn, desde un punto de vista de diseo, no se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito, puede
Conclusin
Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la electrnica, que para su comprensin hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propsito de resolver algn problema, para nosotros uno de los aspectos ms importantes de los mismos es que no se quedan en un solo tipo de diodo; ms bien se los ha desarrollado en formas que extienden su rea de aplicacin.