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SENAI-SP, 2006 Trabalho organizado a partir de contedos extrados da Intranet pelas CFPs 5.03, 5.68 e 6.02 e editorado por Meios Educacionais da Gerncia de Educao da Diretoria Tcnica do SENAI-SP para o curso Tcnico de Manuteno Eletromecnica. Coordenao tcnica Organizao de contedos Capa Coordenao editorial Airton Almeida de Moraes (GED) Juliano Vagner Ribeiro (CFP 5.68) Jos Joaquim Pecegueiro (GED) Gilvan Lima da Silva (GED)

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Servio Nacional de Aprendizagem Industrial Departamento Regional de So Paulo Av. Paulista, 1.313 - Cerqueira Csar So Paulo - SP CEP 01311-923 (0XX11) 3146-7000 (0XX11) 3146-7230 0800-55-1000 senai@sp.senai.br http://www.sp.senai.br
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Sumrio

Semicondutores Diodos Circuitos retificadores Transistor bipolar Polarizao de transistores Tiristores Noes bsicas sobre circuitos integrados Soldagem e pr-formatao de componentes Fontes chaveadas Referncias bibliogrficas

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Semicondutores

A eletrnica se desenvolveu espantosamente nas ltimas dcadas. A cada dia, novos componentes so colocados no mercado, simplificando o projeto e a construo de novos aparelhos, cada vez mais sofisticados. Um dos fatos que contribuiu de forma marcante para esta evoluo foi a descoberta e a aplicao dos materiais semicondutores. Esta unidade tratar do semicondutor, visando fornecer os conhecimentos indispensveis para o entendimento dos circuitos que transformam CA em CC, ou seja, circuitos retificadores. Para ter sucesso no desenvolvimento desses contedos, voc j dever ter conhecimentos relativos a corrente eltrica, materiais condutores e isolantes.

Materiais semicondutores Materiais semicondutores so aqueles que apresentam caractersticas de isolante ou de condutor, dependendo da forma como se apresenta sua estrutura qumica. O exemplo tpico do material semicondutor o carbono (C). Dependendo da forma como os tomos se interligam, o material formado pode se tornar condutor ou isolante. Dois exemplos bastante conhecidos de materiais formados por tomos de carbono so o diamante e o grafite. O diamante um material de grande dureza que se forma pelo arranjo de tomos de carbono em forma de estrutura cristalina. eletricamente isolante. O grafite um material que se forma pelo arranjo de tomos de carbono em forma triangular. condutor de eletricidade.
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Estrutura qumica dos materiais semicondutores

Os materiais considerados semicondutores se caracterizam por serem constitudos de tomos que tm quatro eltrons (tetravalentes) na camada de valncia. Veja na figura a seguir a representao esquemtica de dois tomos (silcio e germnio) que do origem a materiais semicondutores. Os tomos que tm quatro eltrons na ltima camada tm tendncia a se agruparem segundo uma formao cristalina. Nesse tipo de ligao, cada tomo se combina com quatro outros. Isso faz com que cada eltron pertena simultaneamente a dois tomos.

Esse tipo de ligao qumica denominado de ligao covalente. As ligaes covalentes se caracterizam por manter os eltrons fortemente ligados em dois ncleos associados. Por isso, as estruturas cristalinas puras, compostas unicamente por ligaes covalentes, adquirem caractersticas de isolao eltrica.
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O silcio e o germnio puros so materiais semicondutores com caractersticas isolantes quando agrupados em forma de cristal.

Dopagem A dopagem o processo qumico que tem por finalidade introduzir tomos estranhos (impureza) na estrutura cristalina de uma substncia pura como o germnio e o silcio, por exemplo. Esses tomos estranhos a estrutura cristalina so denominados impurezas. A dopagem, que realizada em laboratrios, introduz no interior da estrutura de um cristal uma quantidade controlada de uma determinada impureza para transformar essa estrutura num condutor. A forma como o cristal conduzir a corrente eltrica e a sua condutibilidade dependem do tipo de impureza utilizado e da quantidade de impureza aplicada.

Cristal N Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma quantidade de tomos com mais de quatro eltrons na ltima camada, como o fsforo (P), que pentavalente, forma-se uma nova estrutura cristalina denominada cristal N. Dos cinco eltrons externos do fsforo, apenas quatro encontram um par no cristal. Isso possibilita a formao covalente. O quinto eltron do fsforo no forma ligao covalente porque no encontra, na estrutura, um eltron que possibilite essa formao. No cristal semicondutor, cada tomo de impureza fornece um eltron livre dentro da estrutura.

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Esse eltron isolado tem a caracterstica de se libertar facilmente do tomo e de vagar livremente dentro da estrutura do cristal, constituindo-se um portador livre de carga eltrica. importante notar que, embora o material tenha sido dopado, seu nmero total de eltrons e prtons igual, de forma que o material continua eletricamente neutro. Nesse cristal, a corrente eltrica conduzida no seu interior por cargas negativas. Veja representao esquemtica a seguir.

Observe que o cristal N conduz a corrente eltrica independentemente da polaridade da bateria.

Cristal P A utilizao de tomos com trs eltrons na ltima camada, ou seja, trivalentes, no processo de dopagem, d origem estrutura chamada de cristal P. O tomo de ndio (In) um exemplo desse tipo de material. Quando os tomos de ndio so colocados na estrutura do cristal puro, verifica-se a falta de um eltron para que os elementos tetravalentes se combinem de forma covalente. Essa ausncia de eltron chamada de lacuna, que, na verdade, a ausncia de uma carga negativa. Os cristais dopados com tomos trivalentes so chamados cristais P porque a conduo da corrente eltrica no seu interior acontece pela movimentao das lacunas. Esse movimento pode ser facilmente observado quando se analisa a conduo de corrente eltrica passo a passo.
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Quando se aplica uma diferena de potencial aos extremos de um cristal P, uma lacuna ocupada por um eltron que se movimenta, e fora a criao de outra lacuna atrs de si. Veja figura a seguir na qual a lacuna est representada por uma carga positiva.

A lacuna preenchida por outro eltron gerando nova lacuna at que esta seja preenchida por um eltron proveniente da fonte. As lacunas se movimentam na banda de valncia dos tomos e os eltrons livres que as preenchem movimentam-se na banda de conduo. Observaes A banda de valncia a camada externa da eletrosfera na qual os eltrons esto fracamente ligados ao ncleo do tomo. Banda de conduo a regio da eletrosfera na qual se movimentam os eltrons livres que deixaram a banda de valncia quando receberam uma certa quantidade de energia. A conduo de corrente por lacunas no cristal P independe da polaridade da fonte de tenso. Assim, os cristais P e N, isoladamente, conduzem a corrente eltrica qualquer que seja a polaridade de tenso aplicada s suas extremidades.

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Os cristais P e N so a matria prima para a fabricao dos componentes eletrnicos modernos tais como diodos, transistores e circuitos integrados. Condutibilidade dos materiais semicondutores H dois fatores que influenciam a condutibilidade dos materiais semicondutores. Eles so: A intensidade da dopagem A temperatura.

Intensidade da dopagem Os cristais dopados mais intensamente se caracterizam por apresentar maior condutibilidade porque sua estrutura apresenta um nmero maior de portadores livres. Quando a quantidade de impurezas introduzidas na estrutura cristalina controlada, a banda proibida pode ser reduzida a uma largura desejada. Essa faixa est localizada entre as bandas de valncia e conduo. Veja a figura a seguir.

Temperatura Quando a temperatura de um material semicondutor aumenta, a energia trmica adicional faz com que algumas ligaes covalentes da estrutura se desfaam. Cada
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ligao covalente que se desfaz pelo aumento da temperatura permite o aparecimento de dois portadores livres de energia a mais na estrutura do cristal. A presena de um maior nmero de portadores aumenta a condutibilidade do material, permitindo a circulao de correntes maiores no cristal. Assim, o comportamento de qualquer componente eletrnico fabricado com materiais semicondutores depende diretamente de sua temperatura de trabalho. Essa dependncia denominada de dependncia trmica e constitui-se de fator importante que deve ser considerado quando se projeta ou monta circuitos com esse tipo de componente.

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Diodos

O primeiro componente fabricado com materiais semicondutores foi o diodo semicondutor que utilizado at hoje para o entendimento dos circuitos retificadores, ou seja, aqueles que transformam CA em CC. Esta unidade tratar do diodo, visando fornecer os conhecimentos indispensveis para o entendimento dos circuitos que transformam CA em CC, ou seja, circuitos retificadores. Para ter sucesso no desenvolvimento desses contedos, voc j dever ter conhecimentos relativos a corrente eltrica, materiais condutores, isolantes e semicondutores.

Diodo semicondutor O diodo semicondutor um componente que se comporta como condutor ou isolante eltrico, dependendo da forma como a tenso aplicada aos seus terminais. Uma das aplicaes mais comuns do diodo na transformao de corrente alternada em corrente contnua como, por exemplo, nos eliminadores de pilhas ou fonte CC. A ilustrao a seguir mostra o smbolo do diodo, de acordo com a norma NBR 12526.

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O terminal da seta representa um material P e chamado de anodo e o terminal da barra representa um material N e chamado de catodo. A identificao dos terminais (anodo e catodo) no componente pode aparecer de diversas formas. A seguir esto representadas duas delas: Smbolo do diodo impresso sobre o corpo do componente; Barra impressa em torno do corpo do componente, indicando o catodo.

Juno PN O diodo se constitui da juno de duas pastilhas de material semicondutor: uma de material N e outra de material P. Essas pastilhas so unidas atravs de aquecimento, formando uma juno entre elas. Por essa razo o diodo semicondutor tambm denominado de diodo de juno PN.

Aps a juno das pastilhas que formam o diodo, ocorre um processo de acomodao qumica entre os cristais. Na regio da juno, alguns eltrons livres saem do material N e passam para o material P onde se recombinam com as lacunas das proximidades. O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para a material N e se recombinam com os eltrons livres.

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Assim, forma-se na juno, uma regio na qual no existem portadores de carga porque esto todos recombinados, neutralizando-se. Esta regio denominada de regio de depleo.

Como conseqncia da passagem de cargas de um cristal para o outro, cria-se um desequilbrio eltrico na regio da juno. Os eltrons que se movimentam do material N para o material P geram um pequeno potencial eltrico negativo. As lacunas que se movimentam para o material N geram um pequeno potencial eltrico positivo. Esse desequilbrio eltrico denominado de barreira de potencial. No funcionamento do diodo, esta barreira se comporta como uma pequena bateria dentro do componente. A tenso proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo depende do material utilizado na sua fabricao. Nos diodos de germnio (Ge), a barreira tem aproximadamente 0,3V e nos de silcio (Si), aproximadamente 0,7V.

Observao No possvel medir a tenso da barreira de potencial utilizando um voltmetro nos terminais de um diodo porque essa tenso existe apenas dentro do componente.
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O diodo continua neutro, uma vez que no foram acrescentados nem retirados portadores dos cristais.

Polarizao do diodo A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma como o componente se comporta eletricamente. A tenso pode ser aplicada ao diodo de duas formas diferentes, denominadas tecnicamente de polarizao direta e polarizao inversa. A polarizao direta quando a tenso positiva aplicada ao material P (anodo) e a tenso negativa ao material N (catodo).

Na polarizao direta, o plo positivo da fonte repele as lacunas do material P em direo ao plo negativo, enquanto os eltrons livres so repelidos pelo plo negativo em direo ao plo positivo. Se a tenso da bateria externa maior que a tenso da barreira de potencial, as foras de atrao e repulso provocadas pela bateria externa permitem aos portadores adquirir velocidade suficiente para atravessar a regio com ausncia de portadores, ou seja, a barreira de potencial. Nesta condio, existe na juno um fluxo de portadores livres dentro do diodo.

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A polarizao direta faz com que o diodo permita a circulao de corrente eltrica no circuito atravs do movimento dos portadores livres.

Assim, quando o diodo est polarizado diretamente, diz-se que o diodo est em conduo. A polarizao inversa quando a tenso positiva aplicada no material N (catodo) e a negativa no material P (anodo).

Nesta situao, os portadores livres de cada cristal so atrados pelos potenciais da bateria para as extremidades do diodo. Isso provoca um alargamento da regio de depleo porque os portadores so afastados da juno.

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Como no existe fluxo de portadores atravs da juno, a polarizao inversa faz com que o diodo impea a circulao de corrente no circuito eltrico. Nesse caso, diz-se que o diodo est em bloqueio.

Caractersticas de conduo e bloqueio do diodo semicondutor Nas condies de conduo e bloqueio, seria ideal que o diodo apresentasse caractersticas especiais, isto , quando em conduo (polarizao direta) conduzisse a corrente eltrica sem apresentar resistncia, comportando-se como um interruptor fechado; quando em bloqueio (polarizao inversa), ele se comportasse como um isolante perfeito, ou um interruptor aberto, impedindo completamente a passagem da corrente eltrica. Todavia, devido s imperfeies do processo de purificao dos cristais semicondutores para a fabricao dos componentes, essas caractersticas de conduo e bloqueio ficam distantes das ideais. Na conduo, dois fatores influenciam nessas caractersticas: a barreira de potencial e a resistncia interna. A barreira de potencial, presente na juno dos cristais, faz com que o diodo entre em conduo efetiva apenas a partir do momento em que a tenso da bateria atinge um valor maior que a tenso interna da barreira de potencial. A resistncia interna faz com que o cristal dopado no seja um condutor perfeito. O valor dessa resistncia interna geralmente menor que 1 nos diodos em conduo.

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Um circuito equivalente do diodo real em conduo apresenta os elementos que simbolizam a barreira de potencial e a resistncia interna.

Na maioria dos casos em que o diodo usado, as tenses e resistncias externas do circuito so muito maiores que os valores internos do diodo ( 0,7V; 1 ). Assim, possvel considerar o diodo real igual ao diodo ideal no que diz respeito conduo, sem provocar erros significativos. No circuito a seguir, por exemplo, a tenso e a resistncia externa ao diodo so to grandes se comparadas com os valores do diodo, que a diferena entre eles se torna desprezvel.

I=

V 49,3 = = 0,0328 A R 1.501

I=

V 50 = = 0,0333 A R 1.500

Erro = 0,0333 - 0,0328 = 0,0005A, correspondente a 1,53 % (desprezvel face tolerncia do resistor). Na condio de bloqueio, devido presena de portadores minoritrios (impurezas) resultantes da purificao imperfeita, o diodo real no capaz de impedir totalmente a existncia de corrente no sentido inverso. Essa corrente inversa chamada de corrente de fuga e da ordem de alguns microampres.

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Como essa corrente muito pequena se comparada com a corrente de conduo, a resistncia inversa do diodo pode ser desprezada na anlise da grande maioria dos circuitos. O circuito equivalente do diodo real em bloqueio apresenta esta caracterstica.

Curva caracterstica O comportamento dos componentes eletrnicos expresso atravs de uma curva caracterstica que permite determinar a condio de funcionamento do componente em um grande nmero de situaes. A curva caracterstica do diodo mostra seu comportamento na conduo e no bloqueio.

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Regio de conduo Durante a conduo, a corrente do circuito circula no cristal. Devido existncia da barreira de potencial e da resistncia interna, aparece um pequeno valor de tenso sobre o diodo. A curva caracterstica do diodo em conduo mostra o comportamento da queda de tenso em funo da corrente que flui no circuito.

A curva caracterstica de conduo mostra que a tenso no diodo sofre um pequeno aumento quando a corrente aumenta. Ela mostra tambm que enquanto o diodo est abaixo de 0,7V (no caso do silcio), a corrente circulante muito pequena (regio C da curva). Isso conseqncia da oposio ao fluxo de cargas feita pela barreira de potencial. Por isso, a regio tpica de funcionamento dos diodos fica acima da tenso caracterstica de conduo.

Regio de bloqueio No bloqueio, o diodo semicondutor no atua como isolante perfeito e permite a circulao de uma corrente de fuga da ordem de microampres. Essa corrente aumenta medida que a tenso inversa sobre o diodo aumenta.

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Veja figura abaixo.

Regimes mximos do diodo em CC Os regimes mximos do diodo em CC estabelecem os limites da tenso e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contnua, sem provocar danos em sua estrutura. Analisando o comportamento do diodo em conduo e bloqueio, verifica-se que os fatores que dependem diretamente do circuito ao qual o diodo est conectado so: Corrente direta nominal (IF, do ingls "intensity forward"); Tenso inversa mxima (VR, do ingls "voltage reverse").

A corrente direta nominal (IF) de cada tipo de diodo dada pelo fabricante em folhetos tcnicos e representa o valor mximo de corrente que o diodo pode suportar, quando polarizado diretamente. Veja a seguir, as caractersticas de corrente mxima (IF) de dois diodos comerciais.
Tipo 1N4001 MR504 IF (A) 1,0 3,0

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Quando polarizado inversamente, toda tenso aplicada ao circuito fica sobre o diodo.

Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor de tenso inversa. Quando se aplica a um diodo um valor de tenso inversa mxima (VR) maior que o especificado, a corrente de fuga aumenta excessivamente e danifica o componente. O valor caracterstico de VR que cada tipo de diodo suporta sem sofrer ruptura fornecido pelos fabricantes. Veja a seguir exemplos de valores caractersticos de tenso mxima inversa de alguns diodos comerciais.
Tipo 1N4001 1N4002 MR504 BY127 VR (V) 50 100 400 800

Reta de carga A reta de carga uma traagem sobre a curva caracterstica do diodo com o objetivo de determinar previamente qual ser a corrente e tenso no diodo em determinadas condies de trabalho.

Para traar a reta de carga de um diodo, deve-se determinar a tenso de corte, ou seja, a que est sobre o diodo quando este estiver na regio de bloqueio, e a corrente
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de saturao, isto , a corrente que circula pelo diodo quando ele est na regio de conduo em um determinado circuito. Quando o diodo est em corte ou bloqueio, a tenso da fonte est totalmente sobre o componente. Desta forma pode-se afirmar que a tenso de corte igual a tenso da fonte de alimentao do circuito.

Logo: VC = VCC Onde VC tenso de corte e VCC a tenso de alimentao. A corrente de saturao a corrente do circuito quando o diodo est na regio de conduo ou saturado.

Pode-se determinar a corrente de saturao a partir da lei de Ohm. A corrente que circula no resistor a corrente de saturao IS e a tenso sobre o resistor a tenso de alimentao VCC. Desta forma:

IS =

V CC RL

Onde IS a corrente de saturao, VCC a tenso de alimentao e RL o resistor de carga ou limitador. A partir dos valores de tenso de corte e corrente de saturao, traa-se uma reta na curva caracterstica do diodo da seguinte forma: a tenso de 24
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corte VC identificada no eixo de tenso VD do grfico e a corrente de saturao no eixo de corrente ID. Essa reta denominada reta de carga.

O ponto de encontro entre a reta de carga e a curva do diodo denominada de ponto de trabalho ou quiescente (Q).

Projetando este ponto quiescente nos eixos de tenso e corrente do grfico tem-se os valores de corrente e tenso do diodo no circuito.

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Potncia de dissipao A potncia de dissipao de um diodo o valor de potncia que ele dissipa em um circuito. A partir dos valores de tenso e corrente no diodo possvel determinar a potncia de dissipao. PD = VD . ID No exemplo a seguir, sero determinados os valores de tenso corrente e potncia no diodo.

De acordo com os dados do esquema eltrico os valores da tenso, de corte e corrente de saturao podem ser calculados. VC = VCC VC = 3 V IS = VCC 3 = = 0,063 A RL 47

IS = 63mA

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A partir dos valores da tenso de corte e corrente de saturao, deve-se traar a reta de carga.

O cruzamento da reta de carga com a curva caracterstica do diodo determina o ponto quiescente. Ao projetar o ponto quiescente nos eixos de tenso e corrente do grfico possvel determinar a tenso e a corrente no diodo.

ID = 63mA VD = 1,6V A partir desses valores possvel determinar a potncia dissipada no diodo. PD = ID . VD PD = 0,063 . 1,6 PD = 0,100W ou 100mW

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Circuitos retificadores

Todos os aparelhos eletrnicos necessitam de corrente contnua para funcionar. Todavia, a rede eltrica que chega s nossas casas, nos fornece energia eltrica em forma de corrente alternada. Assim, para que seja possvel alimentar os aparelhos eletrnicos, necessrio um circuito que transforme corrente alternada em corrente contnua. Esse circuito chamado de retificador. Por seu largo emprego e importncia, os circuitos retificadores sero o assunto deste captulo. Para compreend-lo com mais facilidade, necessrio conhecer corrente contnua, corrente alternada, diodo semicondutor e transformadores.

Retificao Retificao o processo de transformao de corrente alternada em corrente contnua, de modo a permitir que equipamentos de corrente contnua sejam alimentados por corrente alternada. A retificao ocorre de duas formas:

Retificao de meia onda; Retificao de onda completa.

Retificao de meia-onda De todos os circuitos retificadores que existem, o mais simples o circuito retificador de meia-onda. Ele permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tenso de 29

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entrada de carga e usado em equipamentos que no exigem tenso contnua pura, como os carregadores de bateria. Esse circuito utiliza um diodo semicondutor pois suas caractersticas de conduo e bloqueio so aproveitadas para a obteno da retificao. Tomemos como exemplo o circuito retificador da figura a seguir.

Durante o primeiro semiciclo, a tenso positiva no ponto A e negativa em B. Essa polaridade da tenso de entrada coloca o diodo em conduo e permite a circulao da corrente.

A tenso sobre a carga assume a mesma forma da tenso de entrada.

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O valor do pico de tenso sobre a carga menor que o valor do pico da tenso de entrada. Isso acontece porque o diodo durante a conduo apresenta uma pequena queda de tenso.

Observao A queda de tenso (VD) de 0,7V em circuitos com diodos de silcio e 0,2V em circuitos com diodos de germnio. Na maioria dos casos, essa queda de tenso pode ser desprezada porque seu valor muito pequeno em relao ao valor total do pico de tenso sobre a carga. Ela s deve ser considerada quando aplicado no circuito retificador tenses de baixos valores, menores que 10V. Durante o segundo semiciclo, a tenso de entrada negativa no ponto A e positiva no ponto B. Nessa condio, o diodo est polarizado inversamente, em bloqueio, impedindo a circulao da corrente.

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Com o bloqueio do diodo que est funcionando como um interruptor aberto, a tenso na carga nula porque no h circulao de corrente

Os grficos a seguir ilustram a evoluo de um ciclo completo.

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Pelos grficos, possvel observar que a cada ciclo completo da tenso de entrada, apenas um semiciclo passa para a carga, enquanto o outro semiciclo fica sobre o diodo. Tenso de sada A tenso de sada de uma retificao de meia-onda contnua, porm pulsante porque nela alternam-se perodos de existncia e inexistncia de tenso sobre a carga. Assim, ao se conectar um voltmetro de CC na sada de um circuito retificador de meiaonda, a tenso indicada pelo instrumento ser a mdia entre os perodos de existncia e inexistncia de tenso.

Por isso, o valor da tenso CC aplicada sobre a carga fica muito abaixo do valor efetivo da CA aplicada entrada do circuito. A tenso mdia na sada dada pela equao: V VD VCC = P Onde VCC a tenso contnua mdia sobre a carga; VP a tenso de pico da CA aplicada ao circuito (VP = VCA . VD a queda de tenso tpica do diodo (0,2 V ou 0,7 V). Quando as tenses de entrada (VCAef) forem superiores a 10 V, pode-se eliminar a queda de tenso do diodo que se torna desprezvel, rescrevendo a equao da seguinte maneira: V VCC = P 2 VCA . 2 2 );

VCC =

Simplificando os termos

, obtm-se 0,45. Logo,

VCC = VCA . 0,45


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Exemplo

Dados: VCA = 6V (menor que 10V) V VD (VCA . 2 VD (6.1 ,41) 0,7 VCC = P = = = 2,47 V D1 = diodo retificador de silcio 3,14

VCC = 2,47V Corrente de Sada Como na retificao de meia-onda a tenso sobre a carga pulsante, a corrente de sada tambm pulsante. Assim, a corrente de sada a mdia entre os perodos de existncia e inexistncia de corrente.

Esse valor determinado a partir dos valores de tenso mdia e da resistncia de carga, ou seja,
ICC = VCC RL

Observao O clculo da corrente mdia de sada determina os parmetros para a escolha do diodo que ser utilizado no circuito. Inconvenientes A retificao de meia-onda apresenta os seguintes inconvenientes: 34
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Tenso de sada pulsante; Baixo rendimento em relao tenso eficaz de entrada;

Mau aproveitamento da capacidade de transformao nas retificaes com transformador porque a corrente circula em apenas um semiciclo;

Retificao de onda completa A retificao de onda completa o processo de converso de corrente alternada em corrente contnua que aproveita os dois semiciclos da tenso de entrada.

Esse tipo de retificao pode ser realizado de dois modos:

por meio de um transformador com derivao central (C.T.) e dois diodos;


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por meio de quatro diodos ligados em ponte.

Retificao de onda completa com transformador A retificao de onda completa com transformador o processo de retificao realizado por meio de um circuito com dois diodos e um transformador com derivao central (ou "center tap").

Funcionamento Para explicar o funcionamento desse circuito, vamos considerar separadamente cada semiciclo da tenso de entrada. Inicialmente, considerando-se o terminal central do secundrio do transformador como referncia, observa-se a formao de duas polaridades opostas nas extremidades das bobinas.

Em relao ao ponto neutro, as tenses VCD e VED esto defasadas 180. 36


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Durante o semiciclo positivo de VENT, entre os pontos C e E, o ponto C est positivo em relao ao ponto D. Nessa condio, o diodo D1 est polarizado diretamente e, portanto, em conduo. Por outro lado, o ponto D est positivo em relao a E. Nessa condio, o diodo D2 est polarizado inversamente e, portanto, em corte. No ponto A aparece uma tenso positiva de valor mximo igual a VMX.

Observe que no circuito apresentado, a condio de conduo de D1 permite a circulao de corrente atravs da carga, do terminal positivo para o terminal negativo. A tenso aplicada carga a tenso existente entre o terminal central do secundrio e a extremidade superior do transformador (VS1).

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No segundo semiciclo, h uma inverso da polaridade no secundrio do transformador.

Assim, o ponto D est negativo em relao ao ponto E. Nessa condio, o diodo D2 est polarizado diretamente e, portanto, em conduo. Por outro lado, o ponto D est positivo em relao a C. Nessa condio, o diodo D1 est polarizado inversamente, e, portanto, em corte.

A corrente que passa por D2 circula pela carga do mesmo sentido que circulou no primeiro semiciclo.

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A tenso aplicada carga a tenso da bobina inferior do secundrio do transformador (VS2).

Durante todo semiciclo analisado, o diodo D2 permanece em conduo e a tenso na carga acompanha a tenso da parte inferior do secundrio.

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As formas de onda das tenses no circuito so mostradas nos grficos a seguir.

As formas de onda das correntes so:

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Analisando um ciclo completo da tenso de entrada, verifica-se que o circuito retificador entrega dois semiciclos de tenso sobre a carga:

Um semiciclo da extremidade superior do secundrio atravs da conduo de D1; Um semiciclo da extremidade inferior do secundrio atravs da conduo de D2.

Retificao de onda completa em ponte

A retificao de onda completa em ponte utiliza quatro diodos e entrega carga uma onda completa sem que seja necessrio utilizar um transformador de derivao central. Funcionamento Considerando a tenso positiva (primeiro semiciclo) no terminal de entrada superior, teremos as seguintes condies de polarizao dos diodos:

D1 anodo positivo em relao ao catodo (polarizao direta) - em conduo; D2 catodo positivo em relao ao anodo (polarizao inversa) - em bloqueio; D3 catodo negativo em relao ao anodo (polarizao direta) - em conduo; D4 anodo negativo em relao ao catodo (polarizao inversa) - em bloqueio.

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Eliminando-se os diodos em bloqueio, que no interferem no funcionamento, verificase que D1 e D3 (em conduo) fecham o circuito eltrico, aplicando a tenso do primeiro semiciclo sobre a carga.

Observe no circuito a seguir, como a corrente flui no circuito no primeiro ciclo.

No segundo semiciclo, ocorre uma inverso da polaridade nos terminais de entrada do circuito.

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Nessa condio, a polaridade dos diodos apresenta a seguinte configurao:


D1 - anodo negativo em relao ao catodo (polarizao inversa) - em bloqueio; D2 - catodo negativo em relao ao anodo (polarizao direta) - em conduo; D3 - catodo positivo em relao ao anodo (polarizao inversa) - em bloqueio; D4 - anodo positivo em relao ao catodo (polarizao direta) - em conduo.

Eliminando-se os diodos em bloqueio e substituindo-se os diodos em conduo por circuitos equivalentes ideais, obtm-se o circuito eltrico fechado por D2 e D4 que aplica a tenso de entrada sobre a carga. Isso faz a corrente circular na carga no mesmo sentido que no primeiro semiciclo.

Recolocando-se os diodos no circuito, observa-se a forma como a corrente circula.

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Os grficos a seguir mostram as formas de onda do circuito.

Fator de Ripple Como j vimos, a tenso contnua fornecida por um circuito retificador pulsante, ou seja, no possui um nvel constante no tempo. Isso acontece porque a tenso de sada resultante da soma de uma componente contnua (VCC) e uma componente alternada (VCA) responsvel pela ondulao do sinal.

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Essa ondulao denominada de fator de ripple (que significa ondulao em ingls). Ela corresponde a quantas vezes o valor eficaz da componente alternada maior que a componente contnua sobre a carga. Esse valor dado por: V r = CAef VCC Onde : r o fator de ripple; VCaef o valor da tenso alternada eficaz; e VCC o valor da tenso contnua.

Para a retificao de meia-onda, o fator de ripple : r% = 120% Para a retificao de onda completa, o fator de ripple : r% = 48% Esses dados mostram que a porcentagem de ondulao muito alta e esse um dos grandes inconvenientes desse tipo de circuito.

Exerccios 1. Responda s seguintes perguntas: a. O que retificao?

b. Qual a diferena entre a retificao de meia onda e a retificao de onda completa?

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c. Qual a diferena entre a retificao de meia onda e a retificao de onda completa.?

d. Em um retificador de meia onda o valor da tenso de pico retificada igual ao valor da tenso de pico da tenso alternada? Justifique a resposta.

e. O que fator de ripple?

2. Faa os esquemas dos circuitos: a. Circuito retificador de meia onda.

b. Circuito retificador de onda completa com transformador.

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c.

Circuito retificador de onda completa em ponte.

3. Resolva os seguintes exerccios: a. Faa o esquema e calcule a tenso VCC na carga, alimentada por um retificador de meia onda. Sabe-se que a tenso alternada VCA de 9V.

b. Qual o valor da tenso VCC retificada por um retificador de meia onda. A tenso alternada tem um valor de pico de 4V.

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Transistor bipolar

A descoberta do transistor revolucionou o campo da eletrnica. A partir dessa descoberta, o desenvolvimento da eletrnica se tornou cada vez mais rpido. Mesmo com o aparecimento dos circuitos integrados e dos microprocessadores, o transistor ainda tem um lugar de destaque. Suas aplicaes se estendem a milhares de circuitos com as mais diversas finalidades e utilizaes. Nesta unidade, sero estudadas as caractersticas do transistor bipolar e seu funcionamento. Para adquirir esses conhecimentos com mais facilidade, necessrio ter conhecimentos anteriores sobre materiais semicondutores, junes semicondutoras, movimento de portadores dentro de cristais semicondutores, lei de Ohm e leis de Kirchhoff.

Transistor O termo transistor vem da expresso em ingls "transfer resistor" que significa resistor de transferncia. um componente que apresenta resistncia (impedncia) varivel entre dois terminais. Essa resistncia controlada por um terceiro terminal. Por sua caracterstica controladora de corrente, o transistor pode ser usado como amplificador de sinais ou como "interruptor eletrnico" em aplicaes como equipamentos de som, imagem, controles industriais, mquinas, calculadoras, computadores. Para realizar esse trabalho, existem alguns tipos de transistores: Transistor bipolar (NPN ou PNP); Transistor de unijuno (UJT); Transistor de efeito de campo (FET e MOS-FET);
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Transistor bipolar O transistor bipolar o mais comum e tambm o mais usado. Sua estrutura bsica se compe de duas pastilhas de material semicondutor do mesmo tipo. Entre essas pastilhas colocada uma terceira, bastante fina, de material diferente, formando uma configurao semelhante a um sanduche.

A configurao da estrutura do transistor bipolar permite que se obtenham dois tipos distintos de transistores bipolares: NPN e PNP.

Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funes diferindo apenas na forma como as fontes de alimentao so ligadas ao circuito eletrnico. Terminais do transistor bipolar Cada uma das pastilhas que formam o conjunto, recebe terminal para que o componente possa ser conectado ao circuito eletrnico. Cada terminal recebe uma designao para que se possa distinguir cada uma das pastilhas. Assim, a pastilha central denominada base e representada pela letra B. Uma das pastilhas externas denominada de coletor e representada pela letra C. A outra pastilha externa denominada emissor e representada pela letra E.

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A figura a seguir apresenta os dois tipos de transistores com a identificao dos terminais.

Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material semicondutor, existe diferena de volume de material semicondutor e de intensidade de dopagem entre as pastilhas. O emissor densamente dopado, enquanto que a base levemente dopada. O coletor possui maior volume e, por isso, dissipa mais potncia; a intensidade de sua dopagem intermediria em relao dopagem das outras duas pastilhas. Por esse motivo, as ligaes do coletor e do emissor no circuito eletrnico no so intercambiveis.

Smbolos A norma NBR 12526/92 define o smbolo grfico do transistor. A figura a seguir apresenta os smbolos dos transistores NPN e PNP, indicando a designao dos terminais. A diferena entre os smbolos dos dois transistores esta apenas no sentido da seta do terminal emissor.

Alguns transistores, fabricados para aplicaes especficas, so dotados de blindagem.

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Essa blindagem consiste em um invlucro metlico ao redor das pastilhas semicondutoras, cuja funo evitar que o funcionamento do transistor seja afetado por campos eltricos ou magnticos do ambiente. Esses transistores apresentam um quarto terminal ligado blindagem para que possa ser conectada ao terra do circuito eletrnico. O smbolo grfico desse tipo de transistor apresentado a seguir.

Tenses nos terminais do transistor O funcionamento do transistor baseia-se no movimento dos eltrons livres e das lacunas em seu interior e que so provocados pela aplicao de tenses externas ao coletor, base e ao emissor. Esse movimento est ligado polaridade da tenso aplicada a cada um desses terminais e diferente para transistores NPN e PNP. A estrutura fsica do transistor propicia a formao de duas junes entre cristais P e N: uma juno PN entre o cristal da base e o cristal do emissor, chamada de juno base-emissor (BE).

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Uma juno PN entre o cristal da base e o cristal do coletor, chamada de juno base-coletor.

Quando as trs pastilhas semicondutoras so unidas, ocorre um processo de difuso dos portadores. Como no diodo, esse processo de difuso d origem a uma barreira de potencial em cada juno. Portanto, no transistor, existem duas barreiras de potencial que se formam com a juno do cristal: a barreira de potencial na juno base-emissor e a barreira de potencial na juno base-coletor.

Observao As trs regies do transistor possuem diferentes nveis de dopagem. Por isso, as camadas de depleo no possuem a mesma largura. Quanto mais densamente dopada for a regio, maior ser a concentrao de ons prximo da juno. Isso significa que a camada de depleo penetra levemente na regio do emissor (dopagem densa), porm profundamente na base (dopagem leve). O mesmo acontece entre base e coletor. A camada de depleo do emissor pequena e a do coletor, grande.

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Polarizao na juno base-emissor Na condio normal de funcionamento, denominada de funcionamento na regio ativa, a juno base-emissor polarizada diretamente. A conduo da juno base-emissor provocada pela aplicao de tenso entre base e emissor com polaridade correta, ou seja, polaridade positiva no material P e negativa no material N, para um transistor do tipo NPN.

Polarizao na juno base-coletor Na regio ativa de funcionamento, a juno base-coletor polarizada inversamente. O bloqueio da juno base-coletor provocado pela aplicao de tenso externa entre base e coletor, com polaridade adequada, ou seja, polaridade positiva no material N e negativa no material P, para um transistor NPN.

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Polarizao simultnea das duas junes Para que o transistor funcione corretamente, as duas junes devem ser polarizadas ao mesmo tempo. Isso feito aplicando-se duas tenses externas entre os terminais do transistor.

Observaes As baterias representam as tenses de polarizao. Para que um transistor PNP funcione na regio ativa, basta inverter as polaridades das fontes entre as junes Outra configurao de baterias para a polarizao correta das junes tambm pode ser usada:

No diagrama: A bateria B1 polariza diretamente a juno base-emissor. A bateria B2 aplica uma tenso positiva ao coletor. Essa tenso maior que a tenso positiva da base, de forma que a juno base-coletor fica polarizada inversamente.
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A alimentao simultnea das duas junes, atravs das baterias externas, d origem a trs tenses entre os terminais do transistor: Tenso de base a emissor (VBE) Tenso de coletor base (VCB) Tenso de coletor a emissor (VCE)

Observao Para o transistor PNP, a regra tambm vlida com a diferena que a polaridade das baterias de polarizao invertida.

Princpio de funcionamento O movimento dos portadores livres d origem a trs correntes que circulam nos trs terminais do transistor: Corrente do terminal emissor, denominada de corrente de emissor (IE); Corrente do terminal base, chamada de corrente de base (IB); Corrente do terminal do coletor, chamada de corrente de coletor (IC).

Observao O princpio bsico de funcionamento que explica a origem das correntes no transistor o mesmo para os transistores NPN e PNP. Por isso, estudaremos o princpio de 56
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funcionamento de apenas um dos tipos. O comportamento do outro difere apenas na polaridade das baterias e no sentido das correntes.

Corrente de base A corrente de base provocada pela tenso aplicada entre a base e o emissor do transistor (VBE). Em um transistor PNP, por exemplo, o potencial positivo aplicado ao emissor repele as lacunas do material P em direo base. Se a tenso tiver um valor adequado, ou seja, 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio, as lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a barreira de potencial formada na juno base-emissor, recombinando-se com os eltrons livres da base. Essa recombinao d origem corrente de base.

Devido pequena espessura da base e tambm ao seu pequeno grau de dopagem, a combinao acontece em pequena escala, ou seja, poucos portadores que provm do emissor podem se combinar. Isso faz com que a corrente de base seja pequena, com valores que se situam na faixa de microampres ou miliampres. Como o emissor fortemente dopado, um grande nmero de lacunas se desloca em direo base, repelidas pela tenso positiva do emissor e atradas pela tenso negativa da base. A base, porm, tem potencial negativo pequeno, no tendo assim eltrons livres suficientes para recombinar com a maior parte das lacunas que provm do emissor.
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Assim, um grande nmero de lacunas atinge a base em grande velocidade e no se recombina por falta de eltrons livres disponveis.

Corrente de coletor As lacunas provenientes do emissor que no se recombinam, atingem a juno basecoletor e passam ao coletor onde existe um alto potencial positivo. As lacunas que atingem o coletor do origem a corrente de coletor.

Em geral, do total de lacunas que entra no emissor de um transistor, a grande maioria corresponde corrente de coletor. Tanto a corrente de base como a corrente de coletor provm do emissor, de forma que se pode afirmar que: IC + IB = IE

Controle da corrente de base sobre a corrente do coletor A principal caracterstica do transistor reside no fato de que a corrente de base (pequena) exerce um controle eficiente sobre a corrente de coletor. Esse controle devido influncia da corrente de base sobre a largura da barreira de potencial da juno base-emissor, ou seja, quando VBE aumenta, a barreira de potencial torna-se mais estreita. Esse estreitamento permite que um maior nmero de portadores do emissor atinja a base. Esses portadores so absorvidos pelo coletor, uma vez que a base no tem 58
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capacidade para recombin-los. Verifica-se ento um aumento na corrente de coletor. Assim, se IB aumenta, IC aumenta e se IB diminui, IC diminui.

Ganho de corrente do transistor Atravs de um transistor, possvel utilizar uma pequena corrente IB para controlar a circulao de uma corrente de valor muito maior (IC). A corrente controlada (IC) e a corrente de controle (IB) podem ser relacionadas entre si para determinar quantas vezes uma maior que a outra, ou seja, IC = IB O resultado dessa relao denominado tecnicamente de ganho de corrente de base para coletor, representado pela letra grega (beta) para corrente contnua ou hfe para corrente alternada. O ganho indica quantas vezes a corrente de coletor maior que a corrente de base. Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor (), possvel determinar a corrente de coletor a partir da corrente de base, ou seja: IC = . IB. Observao O fato do transistor permitir um ganho de corrente entre base e coletor no significa que correntes sejam geradas em seu interior. As correntes que circulam no interior do componente so provenientes das fontes de alimentao e o transistor apenas controla sua quantidade. O outro ganho a ser considerado o de emissor para coletor (, l-se alfa): I = c IE Como a corrente IE maior que IC, conclui-se que sempre menor que 1. Os ganhos e esto relacionados entre si atravs das frmulas: = e = 1 +1

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Circuito do coletor Na grande maioria dos circuitos transistorizados, o coletor do transistor conectado fonte de alimentao atravs de um resistor denominado de resistor de coletor (RC). O resistor de coletor completa o circuito ou malha de coletor, composto pelos componentes por onde circula a corrente do coletor conforme circuito que segue.

A malha de coletor se compe de resistor de coletor RC em srie com o transistor (coletor-emissor) aos quais aplicada a tenso VCC. Sendo um circuito srie, a malha de coletor obedece segunda Lei de Kirchhoff, que estabelece: a soma das quedas de tenso em um circuito igual tenso aplicada aos seus extremos. Na malha de coletor, a tenso VCC fornecida pela bateria se distribui em duas parcelas: Tenso sobre o resistor de coletor, denominada de queda de tenso no resistor de coletor (VRC); E tenso entre coletor e emissor (VCE).

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Aplicando a Lei de Kirchhoff, a soma das quedas de tenso nos componentes da malha de coletor ser igual tenso aplicada malha. A partir disso, pode-se determinar a equao da malha de coletor, ou seja: VCC = VCE + VRC. Nessa igualdade, VCC a tenso fornecida pela bateria ao circuito, desconsiderando-se a influncia da resistncia interna, pode-se admitir que VCC tem um valor constante, independente da corrente que o circuito solicitar. VRC a queda de tenso no resistor de coletor. O valor desta queda de tenso, segundo a Lei de Ohm, depende de dois fatores: do valor do resistor RC e da corrente que est circulando (IC), ou seja, VRC = RC . IC. A queda de tenso no resistor de coletor (VRC) tem como principal caracterstica o fato de ser proporcional corrente de coletor do transistor. Se a corrente de coletor se torna maior (IC), a queda de tenso sobre o resistor de coletor aumenta, pois RC . IC = VRC. VCE a tenso coletor-emissor e depende da tenso de alimentao e da queda de tenso em RC, ou seja, como VCC = VCE + VRC, VCE = VCC - VRC. Exemplo Um transistor com resistor de coletor de 680 tem uma corrente de coletor de 6mA. A bateria fornece uma tenso de 12V malha do coletor. Qual a queda de tenso no resistor de coletor e a tenso coletor-emissor no transistor? Queda de tenso no resistor de coletor: VRC = RC . IC VRC = 680 . 0,006 = 4,08V

Tenso de coletor-emissor do transistor: VCE = VCC - VRC VCE = 12 - 4,08 = 7,92V

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A figura a seguir mostra a malha de coletor com os valores de tenso em cada elemento.

Relao entre parmetros Ao considerar que a queda de tenso VRC depende de IC, afirma-se que VRC tambm depende de IB. Desenvolvendo a equao da queda de tenso no resistor de coletor, tem-se: VRC = RC . IC Como IC = IB. , temos: VRC = RC . (IB. ) Nessa equao, os valores de RC e so constantes. Logo, pode-se dizer que o valor da queda de tenso no resistor depende diretamente da corrente de base. Tomando-se um circuito a transistor com duas correntes de base diferentes, possvel verificar a relao entre os valores de IR, IC, VRC e VCE. Veja exemplo abaixo.

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Observao O resistor RB na base do transistor serve para limitar a corrente de base do transistor. Admitindo-se como primeiro valor de corrente de base 40A, os valores do circuito so: IC = IB . = 40 . 100 = 4.000 mA ou 0,004A VRC = IC . RC = 0,004 . 820 = 3,28V VCE = VCC - VRC = 10 - 3,28 = 6,72V

Admitindo-se um valor de corrente de base de 70A, os valores do circuito so: IC = 70 . 100 = 7.000 mA ou 0,007A VRC = 0,007 . 820 = 5,74V VCE = 10 - 5,74 = 4,26V

Colocando os dados do circuito das duas situaes em uma tabela, possvel observar o comportamento dos valores de IC, VRC e VCE quando a corrente de base modificada.
Corrente de base (IB) 40A 70A Corrente de coletor (IC) 4mA 7mA Queda de tenso no resistor de coletor (VRC) 3,28V 5,74V Tenso coletor emissor do transistor (VCE) 6,72V 4,26V

Relacionando apenas os dados relativos ao transistor, o comportamento do circuito pode ser assim resumido: IB IB IC IC VCE VCE

Considerando que a corrente de base IB depende da tenso VBE, pode-se incluir mais esse parmetro no comportamento do transistor: VBE VBE IB IB

A relao entre os parmetros do transistor ento: VBE VBE IB IB IC IC VCE VCE

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Dissipao de potncia no transistor Todo o componente sujeito a uma diferena de potencial e percorrido por uma corrente eltrica dissipa uma determinada potncia (P = V . I). Isso acontece tambm no transistor. A circulao de corrente eltrica atravs das junes do transistor, provocada pela aplicao de tenses aos seus terminais, d origem a uma dissipao de potncia no interior do componente. Essa dissipao se d em forma de energia trmica, o que resulta em um aquecimento do transistor.

Dissipao nas junes A dissipao de potncia ocorre nas duas junes do transistor. Essas potncias dissipadas so denominadas de potncia de coletor (PC) e potncia de base (PB). A potncia total dissipada no transistor , ento: Ptot = PC + PB Entretanto, analisando as tenses e correntes presentes nas duas junes, verifica-se que a tenso e a corrente presentes na juno base-emissor (VBE e IB) so muito pequenas, quando comparadas com a tenso e a corrente presentes na juno coletor-base (VCB e IC).

Por isso, a potncia dissipada na juno base-emissor muito pequena comparada com a potncia dissipada na juno base-coletor. Assim, a potncia dissipada na base do transistor desprezada e considera-se que a potncia total dissipada no transistor a prpria potncia dissipada no coletor, ou seja, Ptot PC.

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A potncia dissipada no coletor depende da tenso de coletor base (VCB) e da corrente de coletor (IC): PC = VCB . IC Por questes de praticidade e com o objetivo de resolver circuitos transistorizados atravs das curvas caractersticas, essa equao substituda por outra aproximada, cujo erro desprezvel: PC VCE . IC

Dissipao mxima de potncia no transistor O calor produzido pela dissipao de potncia (PC VCE . IC) provoca a elevao da temperatura dos cristais semicondutores, o que pode danificar o componente. Para que isso no acontea, a potncia dissipada limitada a um valor que permite o funcionamento normal do transistor. Esse valor chamado de potncia de dissipao mxima (PCmx) e fornecido pelos manuais dos fabricantes (data books) ou fichas tcnicas. O limite de dissipao de potncia estabelecido em funo de dois fatores: A resistncia trmica do encapsulamento; A temperatura externa ao transistor.

Resistncia trmica Consiste na oposio apresentada por um material passagem do fluxo de calor. Quando se fala em transistor, a resistncia trmica do encapsulamento, representada pela notao (Rthja), diz respeito oposio (imposta pelo encapsulamento) transmisso do calor gerado internamente para o meio ambiente. Os transistores fabricados para capacidades de dissipao mais elevadas (denominados de transistores de potncia) so normalmente encapsulados em invlucros metlicos.

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Esse tipo de encapsulamento se caracteriza por apresentar uma baixa resistncia trmica, transmitindo com mais eficincia o calor para o meio ambiente. Os transistores de baixa dissipao (denominados de transistores de sinal) so encapsulados normalmente em invlucros de plstico. Esse material usado porque a quantidade de calor gerado por esses transistores pequena. Temperatura externa ao transistor Para que haja transmisso de calor entre dois pontos, necessrio que haja diferena de temperatura entre eles. A quantidade de calor transmitido maior quando a diferena de temperatura grande entre os dois pontos e menor quando essa diferena pequena. Assim, a quantidade de calor transmitido da juno do transistor para o ambiente depende da diferena de temperatura entre a juno e o ambiente. Quanto mais baixa a temperatura do ambiente, maior a transmisso de calor do interior do transistor para fora e menor o seu aquecimento. Assim, dois transistores trabalhando com as mesmas tenses e correntes e, portanto, com mesma potncia dissipada, sofrero aquecimentos diferentes se estiverem funcionando em temperaturas diferentes. O transistor que estiver funcionando em um ambiente mais quente sofrer maior aquecimento, porque a quantidade de calor transmitido para o ambiente menor. Por causa disso, a especificao de potncia mxima de dissipao do transistor dada em funo da temperatura. Por exemplo: Transistor BC547 apresenta potncia de dissipao mxima de 500mW a 25C ou menos. Observao As potncias de dissipao mxima fornecidas pelos fabricantes sempre so referentes temperatura de 25C, a menos que haja outra especificao de temperatura.

Reduo da potncia dissipada Em muitos casos, torna-se necessrio usar transistores em circuitos que funcionaro em temperaturas superiores a 25C. Nesse caso, necessrio considerar que o valor
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mximo de potncia de dissipao, fornecido pelo fabricante, no pode ser empregado porque vlido somente at 25C. possvel compensar o aumento da temperatura ambiente, fazendo o transistor dissipar menos potncia. O grau de reduo da potncia nominal varia de transistor para transistor e um dado fornecido pelo fabricante na forma de um grfico (Ptot x Tamb). Veja na ilustrao a seguir o emprego do grfico determinando a potncia de dissipao mxima dos transistores BC 546, BC 547 e BC 548 para uma temperatura ambiente de 50C.

Este grfico indica a potncia mxima no transistor para os diversos valores de temperatura ambiente.

Correntes de fuga no transistor O movimento dos portadores minoritrios (eltrons no PNP e lacunas no NPN) na juno inversamente polarizada do transistor origina uma pequena corrente de fuga que varia diretamente com a temperatura. Nas figuras a seguir est ilustrada a representao dessas correntes em um transistor NPN. O raciocnio anlogo se aplica ao transistor PNP, bastando inverter as polaridades da fonte de tenso CC e o sentido de percurso da corrente eltrica.
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ICBO ou ICO a corrente do coletor para a base, com o emissor em aberto:

ICEO a corrente do coletor para o emissor, com a base em aberto:

IEBO a corrente do emissor para a base, com o coletor em aberto:

Observao A terceira condio, corrente do emissor para a base, com o coletor em aberto no muito utilizada na prtica. 68
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Disparo trmico O disparo trmico (ou avalanche trmica) um fenmeno que ocorre no transistor devido corrente de fuga ICBO. Isso pode levar o transistor destruio por aquecimento excessivo. A dissipao de potncia em um transistor (PC = VCE IC) provoca o aquecimento das junes (BE e BC) que, por sua vez, provoca o aumento de ICBO. Como essa corrente uma das parcelas de IC, o aumento de ICBO provoca um aumento em IC, aumentando a potncia dissipada, causando novo aquecimento das junes. Isso ocorre at que o transistor finalmente seja danificado. A corrente de fuga ICBO dobra a cada 10C, aproximadamente, nos transistores de silcio (Si) e 6C nos de germnio (Ge). Porm, na mesma temperatura, o transistor de silcio apresenta ICBO at 500 vezes menor que o de germnio. Por essa razo, os transistores de silcio so muito mais usados que os de germnio.

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Polarizao de transistores

Uma das condies mais importantes para que um circuito eletrnico transistorizado funcione adequadamente estabelecer corretamente o ponto de operao, por meio da polarizao do transistor. Esta unidade tratar dos mtodos mais simples de obteno do ponto de operao em um circuito transistorizado de modo a fornecer, com exatido em um circuito real, as condies previstas atravs das curvas caractersticas. Para ter sucesso no desenvolvimento dos contedos e atividades deste captulo, voc dever ter conhecimentos anteriores sobre as relaes entre parmetros, curvas caractersticas, reta de carga e ponto de operao do transistor, e divisor de tenso.

Polarizao de base por corrente constante Polarizao de base o processo de obteno da corrente de base necessria para levar o transistor ao ponto de operao. O processo de polarizao de base mais simples o de polarizao por corrente constante, ou polarizao fixa.

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Por meio do traado da reta de carga e da determinao da corrente de base (IB) na malha de base, obtm-se o ponto de funcionamento do transistor ou ponto quiescente (Q).

No mtodo de polarizao por corrente de base constante, a corrente de base quiescente (IQB) obtida atravs de um resistor, denominado de resistor de base (RB), que ligado entre a base e a tenso de alimentao (VCC).

Anlise do circuito de base O circuito de base, tambm denominado malha de base, compe-se do resistor de base (RB) e da juno base-emissor ligados em srie e aplicados tenso de alimentao.

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Considerando que a juno base-emissor do transistor se comporta como um diodo, em um circuito equivalente, verifica-se que o diodo base-emissor polarizado diretamente e permite a circulao da corrente atravs do resistor. Essa corrente a corrente de base.

Determinao do resistor de base A corrente quiescente que circula na base do transistor (IB) depende dos seguintes valores: Valor do resistor (elemento de controle); Tenso de alimentao (j definida); Do tipo de transistor utilizado (j definido).

Do circuito equivalente verifica-se que a corrente circulante na base dada pela expresso: I BQ = V CC V BE RB

Nessa igualdade, VCC a tenso de alimentao, VBE a ddp na juno base-emissor e RB o resistor de base. Operando essa expresso, obtm-se a frmula para determinar o resistor de base: RB = VCC VBE IBQ

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Eletroeletrnica I

Um exemplo completo de determinao do resistor de base para a obteno de um ponto de operao desejado apresentado a seguir. Determinar o valor do resistor de base necessrio para obter um VCEQ = -3V em um circuito com um transistor de silcio BC200 (silcio), cuja reta de carga j est traada na curva.

Observando o encontro da reta de carga com a curva de IB = 80A, verifica-se que esse ponto determina um VCEQ de aproximadamente -3,2V.

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Eletroeletrnica I

Considerando que a diferena de 0,2V admissvel, o valor de IBQ necessrio -80A. Para determinar o valor de RB, aplica-se a equao: RB = VCC VBE 7,5 0,6 = = 86250 IBQ 0,00008

Observao O resistor de base utilizado para a polarizao por corrente de base constante normalmente de valor elevado (por exemplo, 68k, 220k, 470k) porque as correntes de base dos transistores so baixas, da ordem de micro ou miliampres.

Estabilidade trmica dos circuitos transistorizados A corrente de coletor dos transistores est sujeita a variaes de valor em funo da temperatura, devido s correntes de fuga ICBO e ICEO. Assim, a equao que determina IC deve levar em conta essas correntes de fuga: IC = IB + ICBO ( + 1) Como ICEO = ICBO ( + 1), pode-se fazer tambm: IC = IB + ICEO A corrente de coletor responsvel pela tenso no resistor de coletor (VRC = RC IC) e, consequentemente, pela tenso VCE pois, VCE = VCC - VRC. Assim, as variaes da corrente de coletor, ocasionadas pelas variaes de temperatura, modificam a forma como as tenses se dividem entre o transistor e o resistor de coletor e retiram o transistor de seu ponto de funcionamento.

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O aumento da temperatura desloca o ponto de funcionamento (Q) para a parte superior da reta de carga. A diminuio da temperatura desloca o ponto de funcionamento para a parte inferior da reta de carga. Observao Todo o circuito eletrnico com transistores apresenta um certo grau de instabilidade trmica.

Fator de estabilidade (S) O fator de estabilidade (S) um coeficiente utilizado para avaliar o grau de estabilidade trmica de um estgio transistorizado. Esse fator corresponde ao quociente entre a variao da corrente de coletor (IC) e a variao da corrente de fuga (ICBO) responsvel pelo fenmeno, ou seja:
S = IC I CBO

Quanto menor for a variao de (IC) em funo da variao de ICBO (ICBO) melhor ser a qualidade do estgio transistorizado. Isso significa que quanto menor for o resultado da diviso IC/ICBO, mais estvel o circuito. A estabilidade trmica admissvel depende fundamentalmente da aplicao qual o circuito se destina.

Circuitos com polarizao por corrente de base constante O mtodo de polarizao por corrente de base constante no deve ser empregado em circuitos que estejam sujeitos a grandes variaes trmicas. Esse tipo de polarizao propicia uma estabilidade trmica muito pequena. O fator de estabilidade trmica dos circuitos polarizados por corrente de base constante dado pela expresso: S = + 1. Com valor de S elevado, o circuito tem pouca estabilidade trmica. Por outro lado, o fator S = + 1 indica que quanto maior for o do transistor, maior ser sua instabilidade. 76
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Correo do ponto de funcionamento Devido a diferenas existentes no processo de fabricao, os transistores de um mesmo tipo podem apresentar ganhos de correntes diferentes, variando em uma ampla faixa. O transistor BC337, por exemplo, pode apresentar um ganho de corrente () situado entre 60 e 630. A curva caracterstica de sada, fornecida pelo fabricante, representa a caracterstica mdia para um tipo de transistor. Como na polarizao por corrente de base constante o ponto de funcionamento depende diretamente do ganho de corrente do transistor, comum ocorrer uma diferena entre os valores reais obtidos no circuito e os valores do projeto.

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No exemplo apresentado, o transistor apresenta um ganho de corrente superior mdia resultando em uma modificao do ponto de funcionamento.

Neste caso, necessrio corrigir o circuito de forma que o ponto de funcionamento seja o desejado. Como o ganho de corrente do transistor no pode ser alterado, a correo feita atravs do resistor de base. Dependendo de como o ganho de corrente real do componente se situa em relao ao ganho mdio, podem ocorrer trs situaes: VCEQ do transistor prximo ao valor desejado; VCEQ do transistor muito abaixo do valor desejado; VCEQ do transistor muito acima do valor desejado.

VCEQ prximo ao valor desejado O funcionamento do circuito se situa prximo ao ponto desejado quando o ganho real do transistor aproximadamente igual ao ganho mdio, fornecido pela curva caracterstica.

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Nesse caso, no necessrio realizar uma correo, porque as diferenas entre os valores desejados e os valores reais so pequenas. VCEQ muito abaixo do valor desejado Quando o ganho real do transistor maior que o valor mdio, o ponto de funcionamento sofre um deslocamento para a parte superior da reta de carga

Tomando como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva caracterstica (mdia), vemos que, devido ao maior ganho de corrente do transistor, o mesmo circuito com os mesmos resistores apresenta um resultado muito diferente do desejado.

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Como o ganho de corrente do transistor no pode ser modificado, o maior ganho de corrente compensado reduzindo-se a corrente de base quiescente (IBQ). Com a reduo da corrente de base (IBQ), a corrente de coletor se reduz, retornando ao valor desejado. Para reduzir a corrente de base IBQ, aumenta-se o valor do resistor RB.

VCEQ muito acima do valor desejado Se o transistor apresenta um ganho real menor que o ganho mdio, o ponto de funcionamento sofre um deslocamento para a parte inferior da reta de carga.

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Tomando novamente como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva caracterstica, o ponto de funcionamento do circuito muito diferente do desejado, e uma correo necessria.

O ganho de corrente mais baixo do transistor deve ser compensado atravs de um aumento correspondente na corrente de base quiescente (IBQ). Para aumentar IBQ, o valor de RB deve ser reduzido.

Regies de operao de um transistor O ponto de operao de um transistor pode ser localizado em qualquer posio ao longo da reta de carga. De acordo com a posio em que o ponto de operao se situa na reta de carga, diz-se que o transistor est operando em uma destas trs regies: Regio de corte; Regio de saturao; Regio ativa.

Regio de corte Um transistor est na regio de corte quando as junes base-emissor e base-coletor esto polarizadas inversamente. A polarizao inversa na juno BE torna a corrente de base nula.

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Com base na expresso para clculo de IC e na corrente IB = 0, tem-se: IC = IB + b ICBO Como ICBO = ICEO, temos: IC = 0 + ICBO, ou seja, IC = ICBO Nos transistores de silcio, a corrente de coletor apenas de fuga (corrente de saturao inversa ICEO) e seu valor da ordem de microampres. Com corrente de coletor praticamente nula, no h queda no resistor de coletor, VRC = RC . IC, e o VCE o prprio valor da tenso de alimentao do circuito, ou seja, VCE = VCC (na regio de corte). O circuito transistorizado a seguir apresenta as junes BE e BC polarizadas inversamente (em corte). A reta de carga correspondente apresenta o ponto de corte sobre o eixo horizontal. Veja ilustrao abaixo.

Observao Em geral, nos transistores de silcio, basta cortar a corrente de base para levar o transistor ao corte, sendo desnecessrio polarizar inversamente a juno BE.

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Regio de saturao Um transistor est na regio de saturao, quando a tenso VBE maior que a tenso VCE. Isso ocorre quando as junes BE e BC esto polarizadas diretamente. Veja figura a seguir.

O que caracteriza a regio de saturao o fato de que a juno coletor-base tambm fica diretamente polarizada em virtude de VBE ser maior que VCE. Na curva caracterstica de sada, a regio de saturao fica prxima ao eixo vertical, onde os valores de VCE so mnimos e os valores de IC so mximos.

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Nas curvas caractersticas de sada normais, a regio de saturao corresponde a uma faixa muito estreita. Por isso, alguns manuais trazem uma segunda curva caracterstica de sada somente para a regio de saturao.

Regio ativa A regio ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga entre as regies de corte e de saturao.

O transistor quando polarizado na regio ativa, funciona como amplificador. Nela, a juno BE polarizada diretamente e a juno BC polarizada inversamente. 84
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O grfico e o circuito apresentados a seguir mostram a caracterstica de sada e as tenses eltricas de um transistor polarizado na regio ativa.

Em resumo, pode-se dizer que um transistor estar na regio ativa sempre que VCE for maior que VBE e menor que VCC, ou seja, fora das regies de saturao e corte.

Polarizao de base por divisor de tenso A polarizao de base pode ser feita a partir de um divisor de tenso, atravs do qual se aplica uma tenso VBE entre base e emissor do transistor. O circuito da figura que segue mostra o emprego desse tipo de polarizao.

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O divisor de tenso aplica uma tenso base (VB) que polariza diretamente a juno base-emissor, provocando a circulao da corrente IBQ. Como o emissor est aterrado, a tenso de base VB a prpria tenso VBE aplicada ao transistor e tambm a prpria ddp sobre RB2, pois VRB2 = VB = VBE. O valor da corrente IBQ ajustado aumentando ou diminuindo a tenso VBE, que fornecida pelo divisor. Normalmente, os circuitos polarizados por divisor de tenso tm ainda um resistor de emissor RE cuja funo melhorar a estabilidade trmica do circuito.

Esse tipo de polarizao, acrescido do resistor de emissor, o mais empregado porque propicia um alto grau de estabilidade trmica ao circuito. Outra caracterstica importante a menor variao dos valores de polarizao quando o transistor substitudo.

Anlise do circuito de coletor Nos circuitos polarizados por divisor de tenso, a malha de coletor se compe de: Fonte de alimentao; Resistor de coletor; Transistor; Resistor de emissor.

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A tenso fornecida pela fonte se distribui sobre os componentes do circuito de coletor.

Segundo a Lei de Kirchhoff para circuitos srie, a soma das tenses eqivale tenso de alimentao, ou seja: VRC + VCE + VRE = VCC. As quedas de tenso no resistor de coletor (VRC) e no resistor de emissor (VRE) dependem da corrente no circuito de coletor: VRC = RC IC e VRE = RE IE A diferena entre IC e IE muito pequena, pois corresponde ao valor de IB (IE = IC + IB). Por isso, costuma-se considerar IE = IC. Assim, a expresso da queda de tenso no resistor de emissor pode ser reescrita da seguinte maneira: VRE = Re IC. As equaes do circuito de coletor so: VCC = VRC + VCE + VRE VRC = RC IC VRE = RE IC

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Exemplo Determinar os valores de VRC, VRE e VCE no circuito a seguir

VRC = RC . IC = 1000 0,004 = 4 V VRE = RE . IC = 270 0,004 = 1,08 V Dispondo de VCC, VRC e VRE, pode-se determinar o VCE do transistor: VCC = VRC + VCE + VRE Portanto, VCE = VCC - (VRC + VRE) VCE = 10 - (4,0 + 1,08) = 10 - 5,08 = 4,92 V

O circuito de base O circuito de base, que corresponde ao divisor de tenso, tem a funo de polarizar diretamente a juno base-emissor do transistor, provocando a circulao da corrente IBQ. Quando o circuito de polarizao utiliza um resistor de emissor, a tenso aplicada entre base e emissor (VBE) corresponde diferena entre a tenso de base e a tenso de emissor, ou seja, VBE = VB - VRE.

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A tenso VBE aplicada juno base-emissor, que se comporta como um diodo em conduo, d origem a uma corrente de base.

A prpria curva caracterstica da juno base-emissor , essencialmente, a curva caracterstica de um diodo em conduo. Atravs da aplicao do valor correto de VBE, obtm-se a condio de funcionamento desejada para o circuito.

Determinao analtica dos componentes polarizadores Embora a incluso do resistor de emissor torne o circuito mais estvel termicamente, isso se torna um problema quando se faz a anlise grfica atravs da reta de carga. Por isso, a determinao dos valores dos resistores de polarizao feita matematicamente. Para simplificar a anlise matemtica podem ser consideradas algumas aproximaes e estimativas que no prejudicam os resultados obtidos, como, por exemplo, a pequena diferena existente entre IC e IE (corrente de base) que no representa erro, se comparada com a tolerncia dos resistores (5 ou 1%), ou seja, IC IE. Na determinao dos valores dos elementos polarizadores, toma-se como pontos de partida os seguintes valores: Tenso alimentao (VCC); Corrente de coletor (ICQ); Tenso sobre o resistor de coletor (VRCQ).

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A tenso sobre o resistor de coletor (VRC) e a tenso de alimentao esto relacionadas entre si. Nesse tipo de estgio, adota-se normalmente uma tenso no resistor de coletor igual ou prxima metade da tenso de alimentao: VRCQ = VCC 2

A corrente de coletor (ICQ) assume, nos estgios transistorizados polarizados por divisor, valores que variam entre 1 e 10mA. Dispondo-se de valores VCC, ICQ e VRCQ, pode-se determinar os valores dos componentes da malha de coletor. O resistor de coletor calculado atravs da Lei de Ohm, aplicada aos valores do transistor, ou seja, RC = VRCQ ICQ

Adotando para o resistor de emissor uma queda de tenso de 10% da tenso de alimentao (VRE = 0,1 . VCC), obtm-se um fator de estabilidade timo, entre10 e 15. Desta forma, o resistor de emissor determinado pela equao: RE = VRE IE

Como VRE 0,1 . VCC e IE ICQ


RE = 0,1.V CC I CQ

O divisor de tenso formado pelos resistores de base tem a funo de fornecer a tenso VB base do transistor.

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Para que a juno base-emissor conduza, a tenso fornecida base deve ser a tenso de conduo de juno mais VRE.

A tenso de sada do divisor a prpria queda de tenso no resistor RB2 de forma que: VRB2 = VBE + VRE A tenso sobre RB1 a tenso de alimentao menos a parcela que cabe a RB2. VRB2 = VCC - VRB1 Dispondo dos dois valores de tenso sobre os resistores, deve-se escolher um valor para a corrente de funcionamento do divisor. Para que o circuito tenha um fator de estabilidade timo, a corrente do divisor (ID) deve ser suficientemente alta para que pequenas variaes na corrente absorvida pela base no alterem significativamente a proporo da tenso sobre os resistores. ID >> IBQ Em funo dessa necessidade, adota-se ID = 10 . IBQ Como IBQ = dizer: I IBQ = CC ICC e considerando-se que o transistor tenha mnimo de 100, podemos ID = 10 IBQ = 10 ICC I ID = CC ID = 0,1ICC 100 10
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Com os valores de tenso dos resistores, VRB1 e VRB2 e a corrente que circula por eles, pode-se determinar seus valores pela Lei de 0hm. Assim, temos: R B1 = VRB1 0,1ICC

VRB1 = VCC -VRB2 1

R B2 =

VRB2 V = RB2 ID 0,1 I CC

RB2 =

VRE + VBE 0,1ICC

Exemplo Determinar os valores de RC, RE, RB1 e RB2 para que o circuito fique polarizado na regio ativa.

RC =

VRCQ 10 = = 1. 724 ICQ 0,0058

Clculo de RE: VREQ = 0,1 . VCC = 0,1 . 20 = 2 V RE = VREQ 2 = = 344 ICQ 0,0058

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Clculo de RB2 VRB2 = VBE + VREQ = 0,6 + 2 = 2,6V ID = 0,1IC = 0,1 5,8mA = 0,58mA
R B2 = V
RB 2

ID

2,6 = 4 . 482 ou 0,00058

4,48 k

Clculo de RB1 VRB1 = VCC - VRB2 = 20 - 2,6 = 17,4V


R B1 = V
RB 1

ID

17 ,4 = 30000 ou 30 k 0,00058

Usando os valores de resistores comerciais com 5% de tolerncia, o circuito seria montado conforme mostra a figura que segue.

Modificao do ponto de operao Os estgios transistorizados polarizados por divisor de tenso, por possurem tima estabilidade trmica, no necessitam de correes em funo de variaes de temperatura. A modificao do ponto de funcionamento nestes estgios acontece apenas quando necessrio alterar o ponto de funcionamento. Vamos supor como condio inicial, por exemplo, um estgio polarizado por divisor de tenso com os valores indicados no circuito a seguir.
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Situao 1 Deseja-se aumentar o VCE do transistor. Para isso, necessrio reduzir a queda de tenso nos resistores RE e RC.

As tenses VRC e VRE dependem da corrente IC (VRC = RC IC e VRE RE IC). A reduo nos valores de VRC e VRE pode ser obtida pela reduo de IC. Como a corrente IC diretamente proporcional a IB, para reduzir IC se reduz IB. Nesse tipo de polarizao, a corrente IB determinada pela tenso VBE.

Portanto, para reduzir IB, deve-se reduzir a tenso VBE que corresponde diferena de tenso entre a base (VB) e o emissor (VRE), ou seja, VBE = VB - VRE. A tenso VB fornecida pelo divisor de tenso, resistor de base RB1 e resistor de base RB2.

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Para reduzir VBE, reduz-se VB, alterando os valores dos resistores que compem o divisor de tenso. Resumindo o processo de correo, utilizando setas para indicar os valores que aumentam () ou diminuem (), tem-se:

Situao 2 Deseja-se reduzir o VCE do transistor. Para isso, deve-se reduzir RB1 ou aumentar RB2. A seqncia de blocos a seguir mostra o comportamento do circuito.

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Fator de estabilidade Os circuitos polarizados por divisor de tenso se caracterizam por apresentar um timo, ou bom, fator de estabilidade S. Este fator dado pela equao: S= RE + RB RB RE + + 1

Nessa igualdade, o ganho de corrente de base para o coletor do transistor, RE o valor do resistor de emissor e RB o valor equivalente de Thvenin dos dois resistores divisores de tenso da base: RB = RB1 . RB 2 RB1 + RB 2

Princpio de funcionamento da estabilizao trmica As variaes de temperatura influenciam a corrente de coletor do circuito (IC). A equao da corrente de coletor mostra a dependncia trmica: IC = . IB + ICBO . varia com a temperatura A parcela da corrente de coletor que provocada pela corrente de fuga ICBO . ( + 1) no pode ser alterada porque se deve a fenmenos internos do transistor. A polarizao por divisor de tenso atua na parcela de IC que provocada pela corrente de base. Isso faz as variaes na corrente de fuga serem compensadas por variaes opostas na corrente IB: IC (IB + ICBO) Ou seja: ICBO aumenta IB reduzida na mesma proporo pelo circuito ICBO diminui IB aumentada na mesma proporo pelo circuito

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Essa correo automtica pode ser facilmente compreendida analisando-se o comportamento de um circuito sujeito a variaes trmicas.

A partir do momento em que a temperatura aumenta, a corrente de coletor IC tende a aumentar como conseqncia do aumento da corrente de fuga. Condio inicial T ICBO IC

A modificao de IC provoca uma mudana indesejvel no ponto de operao. A partir do momento em que IC aumenta, IE aumenta tambm (IE = IC + IB): IC IE

O aumento em IE provoca a existncia de uma queda de tenso maior em RE: VRE = IE . RE IE VRE

Como a tenso VBE depende da tenso fornecida pelo divisor de tenso (fixa) e de VRE, observa-se que o seu valor decresce. VBE = VB - VRE VB fixo VBE diminui VRE aumenta

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VRE

VBE

Diminuindo o VBE do transistor, a corrente de base IB diminui. VBE IB

A reduo em IB ocorre na proporo correta para reduzir a corrente de coletor ao seu valor original. Condio Final IB IC (Volta ao valor original)

Com esse processo de correo, o circuito praticamente insensvel s variaes de temperatura.

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Tiristores

Nesta unidade, iniciaremos o estudo dos dispositivos retificadores mais comumente empregados em eletrnica. Esses retificadores podem pertencer a dois grupos: o do retificador no controlado (DIAC) e o dos retificadores controlados (SCR e TRIAC). Esses retificadores so chamados de tiristores. Tiristor qualquer dispositivo semicondutor PNPN de quatro camadas. A principal vantagem dos tiristores o controle de grande quantidade de energia. Essa caracterstica faz com que esses dispositivos sejam utilizados no controle eletrnico de potncia e na converso de energia. Nesta unidade inicial sobre os tiristores, vamos nos deter na constituio, a utilizao e o funcionamento do DIAC. Por isso, desejvel um prvio conhecimento sobre diodos e transistores.

DIAC DIAC um dispositivo semicondutor de dois terminais, conhecido tambm como diodo de comutao, ou diodo de corrente alternada. Seu nome uma sigla extrada da expresso em ingls diodo AC.

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O DIAC um diodo bidirecional constitudo por quatro regies estruturadas como mostra a figura a seguir. Observe tambm seu smbolo.

A regio P externa chamada anodo 2. A regio N externa chamada de anodo 1. Utilizao O DIAC utilizado basicamente na eletrnica de potncia para disparar SCRs e TRIACs. A tenso de disparo para a maioria dos DIACs pode variar entre 28V (mnimo) e 42V (mximo). Funcionamento O DIAC um componente bidirecional, ou seja, para que ele dispare, no necessrio saber de que lado a tenso positiva (em relao ao outro lado). A medida que a tenso sobre o DIAC aumenta, no h circulao de corrente por ele at que a tenso de disparo seja atingida. Nesse instante, o componente, que apresentava altssima impedncia, tem essa impedncia reduzida ao mnimo, o que permite uma intensa circulao de corrente. Essa corrente limitada apenas pela resistncia do circuito externo. Quando isso acontece, o DIAC entra em conduo. Esse efeito cessa quando a corrente que circula no componente (ou a tenso sobre ele) se aproxima de zero.

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O circuito a seguir mostra um DIAC alimentado por uma corrente alternada onde Ue a tenso de alimentao, Id a corrente do DIAC, Url a tenso sobre o resistor de carga, Ud a tenso do DIAC.

Observe que no grfico de Ud, enquanto a tenso de alimentao no atinge a tenso de disparo, ela crescente (positiva ou negativa). A partir da tenso de disparo, a tenso sobre o DIAC zero e toda a tenso fica sobre a carga. Curva caracterstica do DIAC A figura a seguir mostra a curva caracterstica de um DIAC.

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SCR O SCR (do ingls, silicon controlled rectifier, ou retificador controlado de silcio) o tiristor comumente empregado no controle de altas potncias. um tiristor unidirecional. A figura a seguir mostra o smbolo e a representao esquemtica da estrutura de um SCR com suas quatro camadas e trs terminais: anodo (A), catodo (K) e gatilho ou gate (G).

O gatilho ou gate (porto, em ingls) o terceiro terminal do SCR. Trata-se de um eletrodo conectado a uma das regies semicondutoras para controle de corrente. Com baixos nveis de corrente de gate, possvel controlar altos nveis de corrente de anodo. H SCRs de vrias capacidades: os de baixa corrente que fornecem corrente de anodo menor que 1A e os de alta corrente que permitem corrente de anodo de centenas de ampres. O SCR de baixa corrente parecido com um tiristor cujos trs terminais esto contidos em um invlucro hermeticamente fechado.

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O SCR de alta corrente parece-se com o retificador de potncia de silcio, pois tambm montado em invlucro metlico para facilitar a dissipao de calor.

Funcionamento O SCR funciona de modo idntico ao de um diodo de quatro camadas (DIAC). Porm enquanto o DIAC dispara quando atinge a tenso de disparo, e este ponto no controlado, o SCR permite o disparo no instante em que isso necessrio. Isso acontece por meio de um pulso de corrente aplicado ao gate. Uma vez que existe a circulao de corrente anodo-catodo, esta s cessar a partir do ponto em que a corrente IAK estiver abaixo da corrente mnima de manuteno (prxima de zero) ou a tenso anodo-catodo VAK estiver prxima de zero. O funcionamento do SCR melhor compreendido a partir da anlise do circuito equivalente montado com dois transistores, como mostra a figura a seguir.

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Uma tenso positiva no gate polariza diretamente a juno base-emissor do transistor NPN e satura-o, isto permite a passagem da corrente atravs do coletor NPN (base do PNP).

Se o anodo do SCR for positivo (emissor PNP), a juno emissor-base PNP ser diretamente polarizada e saturar o transistor PNP.

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Depois de ligado, o transistor PNP supre o NPN com corrente de base. Removidas a tenso e a corrente de gate, o SCR estar ainda em conduo devido ao ciclo: o NPN supre o PNP com corrente de base e, por sua vez, o PNP supre o NPN com corrente de base.

O SCR continua operando at que a corrente anodo-catodo seja interrompida. Isso ocorre em duas situaes: Quando a tenso anodo-catodo (VAK) zerada, ou Quando a corrente anodo-catodo (IAK) desce a valores inferiores ao da corrente de manuteno (IH). Regime de trabalho O SCR um tiristor extremamente sensvel e pode ser facilmente danificado se um de seus limites caractersticos for ultrapassado. Constitudo por junes semicondutoras, o SCR necessita de pouco tempo para que a temperatura da juno atinja valores de fuso. As caractersticas dos tiristores so especificadas em catlogos ou manuais fornecidos pelo fabricante. A maioria dos parmetros dada em termos de tenso ou de correntes.

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Como exemplo, citamos alguns ndices caractersticos que comumente aparecem nos textos e catlogos dos fabricantes. A, a = anodo K, k = catodo G, g = gate (porta) D, d = estado bloqueado (off-state, non-trigger) T, t = estado de conduo (on-state, trigger) H, h = sustentao do estado (holding) (BO) = mudana de estado, ruptura (breakover) Q, g = bloqueante (turn-off) (TO) = limiar (threshold) Curvas caractersticas A figura a seguir mostra uma curva caracterstica de um SCR com o gate aberto.

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Quando o circuito anodo catodo estiver inversamente polarizado, ocorre uma pequena corrente de fuga denominada corrente inversa de bloqueio (IDR). Essa corrente permanece assim at que a tenso inversa de pico (VRM) seja ultrapassada. Neste ponto, inicia-se a regio de avalancha inversa e a corrente aumenta rapidamente, danificando o SCR.

Quando o SCR est diretamente polarizado, uma pequena corrente direta de fuga (ou corrente direta de bloqueio - ID), permanece com baixo valor at que a tenso de ruptura direta (VBO) seja alcanada. Inicia-se, ento, a avalancha direta.

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Nesse ponto, a corrente atinge o nvel de alta conduo. A resistncia anodo-catodo torna-se pequena e o SCR atua como uma chave interruptora fechada. Isso acontece mesmo sem a presena de uma corrente de gate. Na regio de conduo direta, a tenso no SCR muito baixa, pois quase toda a tenso da fonte fica sobre a carga sem srie com o retificador controlado de silcio.

Observao a resistncia de carga que limita a corrente atravs do SCR a valores adequados a sua especificao. Os dois estados de operao do SCR correspondem aos estados ligados e desligado do interruptor. Quando a tenso aplicada ao SCR abaixo do ponto de ruptura (VBO), ele no conduz. Se a tenso atingir um valor igual ou maior que o ponto de ruptura, o SCR ser acionado. O SCR ficar em conduo durante o tempo em que a corrente permanecer acima do valor da corrente de manuteno IH. E deixar de conduzir quando a tenso sobre o SCR cair para um valor insuficiente para manter esse valor de corrente. Controle de tenso de ruptura direta O SCR pode ser disparado mesmo com uma tenso anodo-catodo abaixo da tenso de ruptura. Para isso, suficiente aplicar um pulso de gate, polarizando diretamente a juno gate-catodo.

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No circuito em que empregado, o SCR deve ser disparado por meio de um pulso de gate. Quanto maior o valor da corrente do gate - respeitados os limites mximos especificados pelo fabricante - menor ser o valor da tenso de ruptura direta. Nesta situao, o SCR se comporta como um retificador simples de silcio. Quando o SCR levado ao estado de conduo, a corrente do gate deixa de ter efeito sobre a corrente de anodo. O SCR continua em conduo at que a tenso de alimentao de anodo seja removida e se interrompa a corrente de anodo-catodo (IAK). Se o SCR opera com corrente alternada, ele ser levado ao corte durante a alternncia negativa de cada ciclo, quando o circuito anodo-catodo estiver inversamente polarizado. Para se verificar, na prtica, as caractersticas de controle do SCR, vamos analisar o circuito a seguir.

Esse circuito permite controlar as tenses de anodo e do gate atravs das fontes variveis G1 e G2. possvel determinar tambm o ponto do SCR referentes s vrias correntes de gate.
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Uma variao desse circuito pode ser obtida, substituindo-se a fonte G2 por um divisor resistivo com potencimetro. Deve-se tambm utilizar um resistor para limitar o valor da tenso do gate a um valor inferior ao especificado pelo fabricante.

SCR em CA O SCR, quando recebe um pulso no gate, e est funcionando com corrente contnua, passa a conduzir entre anodo e catodo e s deixar de conduzir se IAK = 0 ou VAK = 0, caso contrrio, ficar em constante estado de conduo. Na aplicao em corrente alternada, o SCR no poder receber um pulso e ficar permanentemente conduzindo. Isto acontece porque a cada ciclo, a corrente eltrica alternada passa duas vezes pelo ponto zero e o componente polarizado inversamente em meio ciclo.

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Observe que, caso o SCR esteja conduzindo no meio ciclo positivo, na mudana para o meio ciclo negativo, a corrente de manuteno IAK fica abaixo do valor mnimo, levando o SCR ao corte. Para que o SCR permanea sempre conduzindo, quando alimentado por CA, necessrio que a cada meio ciclo positivo, o gate receba um pulso de disparo. Esse pulso deve ser fornecido por um circuito de disparo sincronizado com a CA de alimentao. Em funo do sincronismo desse pulso, pode-se exercer um controle da forma de onda sobre a carga. Isso permite que essa forma de onda possa variar de zero ao mximo valor. Nesse caso, onde necessrio exercer uma variao da tenso mdia sobre a carga, os mtodos de disparo mais usados so o controle por deslocamento de fase e controle por UJT.

TRIAC Assim como o DIAC, o TRIAC um tiristor bidirecional. A diferena entre um e outro que o TRIAC, tal qual o SCR, possui um terceiro terminal, atravs do qual se faz o controle da corrente. A figura a seguir mostra a representao esquemtica de um TRIAC e seu respectivo smbolo.

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A potncia do TRIAC menor que 100A a 1kV. Por isso, ele usado para substituir o SCR em situaes em que se necessita uma aplicao de baixa potncia, tais como controle de velocidade de pequenos motores, controle de iluminao ou de temperatura. A figura a seguir mostra o circuito equivalente a um TRIAC, montado a partir de dois SCRs.

Nesse circuito, quando o terminal T2 mais positivo que T1, o SCR V1 fica diretamente polarizado e V2, inversamente. Nessa condio, o SCR est em condio de conduzir, desde que receba um pulso em seu gate, enquanto V2 permanece em corte.

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Se a polaridade da tenso aplicada for invertida, a situao se inverter. Nesse caso, o SCR passar condio de polarizao direta e, portanto, conduo; e V1, por sua vez, estar inversamente polarizado ou em corte.

Observao Aos terminais (T) do TRIAC no se aplicam as denominaes anodo e catodo, mas usam-se os coeficientes 1 e 2 (T1 e T2) para design-los. Os terminais no podem ser invertidos porque, apesar de o circuito equivalente apresentar dois SCRs, a construo do TRIAC difere do modelo. O terminal T1 serve como referncia para aplicaes de pulsos de gate. Curvas caractersticas do TRIAC As curvas caractersticas do TRIAC apresentam um aspecto simtrico.

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No esquema das curvas caractersticas, vemos que a conduo do TRIAC ocorre nos quadrantes I e III, desde que ao seu gate sejam aplicados sinais disparadores. Estes sinais so positivos ou negativos, o que torna possvel as seguintes modalidades de funcionamento: +I -I + III - III - T2 positivo e gate positivo (Quadrante I) - T2 positivo e gate negativo (Quadrante I) - T2 negativo e gate positivo (Quadrante III) - T2 negativo e gate negativo (Quadrante III)

Os dispositivos fabricados atualmente so mais eficientes para as modalidades + I e III. A eficincia menor para a modalidade - I e muito pequena para a + III. Para estas modalidades (-I e + III), o TRIAC no deve ser usado. Funcionamento O TRIAC permanece em bloqueio enquanto no houver sinal no gate; e no conduz se a tenso entre T1 e T2 no ultrapassa a tenso de ruptura (VBO). Quando a tenso de ruptura ultrapassada, o TRIAC entra em estado de conduo. A corrente que flui atravs dele limitada apenas pela resistncia do circuito externo. Essa propriedade torna-o imune aos transientes eltricos, dispensando o uso de dispositivos de proteo. O disparo do TRIAC ocorre pela aplicao de sinal positivo ou negativo no gate. O TRIAC pode ser acionado por corrente alternada, por corrente contnua, ou, por fontes de pulsos, ou seja, transistor de unijuno, lmpadas non ou diodos de disparo (DIAC). No DIAC, ligado a um capacitor carregado, aparece uma resistncia negativa que provoca a descarga repentina do capacitor, o que constitui excelente fonte de pulsos.

Circuitos com TRIAC O TRIAC tem vrias aplicaes como veremos a seguir.

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Comutador esttico para corrente alternada O circuito a seguir mostra a funo do TRIAC em um comutador esttico para corrente alternada. (FALTA FIGURA) Nesse circuito, o TRIAC disparado por um rel reed, que pode ser substitudo por outros elementos de controle, uma vez que a corrente que atravessa os contatos do interruptor mnima, com durao de microssegundos. O controle do circuito pode, ento, ser feito por termostato, interruptor a presso, microrrels etc. Variaes: a. Circuito disparado por uma fonte CC em qualquer polaridade.

b. Circuito disparado por sinal eltrico alternado de qualquer freqncia.

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O circuito acima pode ser aperfeioado, se o transformador T1 for sintonizado para responder apenas a determinadas freqncias. Assim, o circuito pode ser usado em sistema de controle remoto, por exemplo. Comando a distncia O circuito a seguir pode ser usado em sistemas que necessitem de pouca potncia e de baixa tenso no circuito de controle. Ele permite ligar, distncia, equipamentos ou conjuntos de lmpadas como os usados para evitar choques ou prevenir incndios.

Esse circuito utiliza um pequeno transformador para isolar magneticamente o circuito de potncia do TRIAC do circuito de disparo do gate. O enrolamento N1, de maior tenso, fica ligado ao gate do TRIAC; e o enrolamento N2, de menor tenso, ao interruptor S1. Quando S1 fechado, uma baixa impedncia refletida no enrolamento N1, o que provoca um aumento de corrente. O aumento de corrente provoca tambm aumento de tenso sobre R1 que, ao atingir o ponto de comutao do TRIAC, dispara-o e alimenta a carga. Observao R1 deve ser ajustvel. Para evitar disparos acidentais, deve-se ajustar R1 para o valor mximo, mantendo o TRIAC em corte S1 aberta.

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Variaes do circuito por controle de fase O circuito a seguir o chamado circuito com duas constantes de tempo, largamente empregado no controle de iluminao (dimmer) ou no controle de velocidade de pequenos motores (furadeiras, ventiladores, liquidificadores). Observe que foi colocado um resistor em srie com o DIAC para evitar descarga rpida do capacitor. Colocou-se tambm em segundo capacitor.

C1, L1, C2 e R1, colocados entrada do circuito, constituem um filtro que evita as interferncias na rede, devido rapidez de comutao do TRIAC. R4 e C4 tm a funo de diminuir o efeito da histerese. Funcionamento Com o disparo do DIAC, C4 descarrega-se rapidamente. C3 mantm-se carregado, pois o resistor R4 dificulta sua descarga instantnea e aumenta a constante de tempo RC. Quando o DIAC deixa de conduzir, o capacitor C3 - carregado com tenso maior que C4 - transfere parte de sua carga para C4 e a simetria dos disparos do TRIAC permanece constante em todos os ciclos. Com este circuito possvel ligar, por exemplo, uma lmpada com luminosidade mnima, ou seja, obtm-se nveis baixos de tenso na carga.

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Com uma pequena alterao desse circuito, possvel fazer tambm um controle automtico de iluminao. Atravs dele, regula-se a intensidade luminosa de uma lmpada conforme a luminosidade do ambiente.

O LDR (do ingls light dependent resistor, que quer dizer resistor que depende da luz), por ser um sensor de luz, varia a resistncia de acordo com a intensidade da luz do ambiente. No escuro, a resistncia elevada. Quando o ambiente fica claro, a resistncia diminui e no permite que o capacitor C se carregue o suficiente para disparar o DIAC. Este, por sua vez, no aciona o TRIAC. Em conseqncia disso, a lmpada desligada ou a luminosidade por ele emitida reduzida. Observao A presena do LDR quase no altera o funcionamento do circuito.

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Noes bsicas sobre circuitos integrados

O circuito integrado, normalmente denominado de CI, um conjunto de circuitos eletrnicos, com finalidades definidas, apresentados em uma nica cpsula.

So aplicados nos equipamentos eletrnicos com o objetivo de reduzir o tamanho, custo e o consumo de potncia permitindo ainda uma maior facilidade de manuteno.

Processo de fabricao Basicamente, os projetos e desenhos de um circuito integrado so elaborados em escala centenas de vezes maior que o circuito original, sendo depois miniaturizados, por processos pticos, at o tamanho real. Atravs de sucessivas exposies e deposies de material semicondutor, os componentes so formados e interligados dando origem a um circuito completo. A seguir, esto relacionadas algumas etapas da fabricao de um CI.

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Elaborao do projeto, em escala ampliada, iniciando o processo de confeco de integrados.

Armazenamento do desenho no computador para auxiliar o projeto e refazer o desenho na sua forma final.

Desenho reduzido forma de mscara e reproduzindo centenas de vezes em uma placa de trabalho de vidro.

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Em um ambiente isento de impurezas, dezenas de bolachas espelhadas de silcio so colocadas num recipiente de quartzo para serem, depois, introduzidas em um forno onde sofrero a oxidao da superfcie, prevenindo, assim, a infiltrao de tomos estranhos em reas no dopadas.

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A ilustrao abaixo mostra o corte lateral em um integrado, salientando as vrias camadas que compem sua pastilha.

As tcnicas de fabricao atuais permitem a produo de um circuito integrado, para uma mquina de calcular, com o equivalente a 30.000 transistores em uma placa de rea menor que 1cm2. Este processo denominado de integrao em larga escala (LSI - Large Scale Integration). Nota: J no ano de 1986, chega ao mercado o esperado super chip, os primeiros circuitos integrados (CIs) com linhas de 1 micron de espessura. Esses chips de aproximadamente 0,3cm2 iro conter mais de 1 milho de transistores quatro vezes o nmero existente nos chips atuais, de 256K de memria. Encapsulamento Os circuitos integrados, fabricados em pequenas lminas de material semicondutor, necessitam de terminais de conexo com o exterior, de forma que possam receber tenses de alimentao, sinais de controle, enviar sinais de sada, etc... A conexo entre a pequena pastilha que constitui o circuito integrado e o circuito exterior realizada atravs de pinos no seu encapsulamento.

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A figura abaixo mostra como se realiza a conexo entre os pinos do encapsulamento e o circuito integrado.

Tipos de encapsulamento Existem vrios tipos de encapsulamento para circuitos integrados. Atualmente existem trs tipos que so utilizados com maior freqncia: Encapsulamento circular multiterminal;

Encapsulamento em linha dupla - DIL;

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Encapsulamento plano.

A identificao dos pinos de um CI deve ser feita sempre com base no manual ou folheto do fabricante. Confiabilidade dos circuitos integrados Os circuitos integrados se caracterizam por serem dispositivos de alta confiabilidade. Alguns fatores que contribuem para que os CIs tenham esta caracterstica so: Reduo do nmero de interligaes entre os componentes; Funcionamento em baixas tenses; Controle contnuo do processo de fabricao.

Cuidados de montagem Os CIs so fabricados de materiais semicondutores, sensveis ao calor. Nas ocasies em que forem soldados diretamente aos circuitos necessrio tomar cuidados especiais para evitar a danificao por excesso de aquecimento. Soquetes Os soquetes so dispositivos usados para evitar a soldagem de componentes diretamente aos circuitos. Os soquetes so soldados aos circuitos e o componente encaixado posteriormente. A figura abaixo mostra um circuito integrado encaixado no seu soquete.

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A figura a seguir mostra alguns tipos de soquetes para CIs.

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Soldagem e pr-formatao de componentes

Nesta unidade, sero estudados dois itens muito importantes em ensaios de laboratrios e montagens de circuitos eletrnicos: as placas de circuito impresso e a forma correta de fazer soldagens em componentes eltricos. A interligao eltrica entre os componentes uma das condies mais importantes para que um aparelho eltrico ou eletrnico funcione adequadamente.

Placa de circuito impresso A placa de circuito impresso (PCI) uma placa de material isolante normalmente de fenolite, fibra de vidro, composit ou plstico, coberta com uma pelcula de cobre. As placas podem ser cobreadas apenas em uma face. Esse tipo de placa denominado de monoface ou simples face. Podem, tambm, ser cobreadas nas duas faces e, por isso so denominadas de biface ou dupla face. O material mais utilizado na confeco de placas de circuito impresso o fenolite. A norma da ABNT, NBR 5318 - Circuitos impressos, define termos empregados em circuitos impressos. Finalidades As placas de circuito impresso tm por funo: Interligar eletricamente os componentes eletrnicos; Dar um timo contato eltrico s conexes por meio de soldagens; Fixar os componentes protegendo-os de vibraes mecnicas; Tornar a montagem do circuito compacta e organizada.
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Essas placas so fabricadas em diversos tamanhos e espessuras. O tamanho da placa deve ser escolhido de forma a obter o maior aproveitamento possvel, e a espessura mais utilizada de 1,6mm. Os traados responsveis pelas interligaes entre os componentes eletrnicos so denominados de pista ou trilha. O ponto de ligao no qual fixado o terminal do componente chamada de ilha ou aurola.

Leiaute Para a confeco do circuito impresso necessrio que antes se elabore a traagem do circuito na placa, esta traagem denominada de leiaute. A seguir apresentado o exemplo de leiaute de um circuito.

Observao A espessura e largura das trilhas dos circuitos impressos devem ser compatveis com a intensidade de corrente que ir circular atravs dela.

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A largura da trilha pode ser determinada utilizando uma frmula prtica. Na frmula considerada uma placa de circuito impresso com cobre de 0,035mm de espessura. L= I 0,2

Nessa igualdade: L a largura mnima da pista em mm, e I a corrente eltrica em ampres. Observao O valor obtido na equao acima o valor mnimo da largura da trilha, porm ela pode ter uma largura maior que o valor calculado. Na elaborao de um leiaute deve-se: Usar linhas retas, sempre que possvel; Usar a distncia mais curta possvel entre as ilhas; Evitar ngulos retos (90).

Em circuitos complexos fica difcil a elaborao de leiautes de forma manual. Assim, existem programas de computador que fornecem os leiautes a partir do esquema eltrico. Exemplos desses tipos de programas so: Tango, EWB, WinBoard & WinDraft. Confeco manual da placa Para a confeco de grandes quantidades de placas de circuito impresso, so usadas mquinas industriais automatizadas. Para confeccionar apenas uma placa, utiliza-se o mtodo manual que se divide basicamente nos sete passos descritos a seguir: 1. Cortar a placa; 2. Executar a primeira limpeza da placa; 3. Traar na placa; 4. Corroer o cobre excedente; 5. Executar a segunda limpeza da placa; 6. Furar; 7. Executar a limpeza final.

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O corte da placa pode ser feito por meio de serra manual ou tesoura para cortar placas de circuito. As rebarbas devem ser retiradas com o auxlio de lixa ou limaagulha. A limpeza da placa deve ser feita utilizando uma palha de ao do tipo Bom Bril. Aps limpar a placa com a palha de ao, deve-se evitar o contato dos dedos ou da mo na face cobreada limpa, para evitar engordurar o cobre. A traagem do circuito na placa pode ser feita em duas etapas: a pr-traagem por meio de uma fotocpia (xerox) do diagrama do circuito e um papel carbono, e a traagem final. Na pr-traagem, o carbono deve ser colocado sobre o lado cobreado da placa e a cpia do diagrama do circuito sobre o carbono. Utilizando uma caneta, deve-se contornar todo circuito, fazendo com que a traagem do diagrama seja transferida para a placa. Observao O ponto comum do circuito eltrico (terra, massa ou GND) deve ter a maior rea possvel no leiaute. A seguir apresentada a representao de uma placa com a pr-traagem.

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Aps a pr-traagem, deve-se fazer a traagem ou plotagem utilizando a caneta para circuito impresso que possui uma tinta prpria para esse fim. Pode-se usar, tambm, auto-adesivos com formatos de ilhas e trilhas e que podem ser comprados em papelarias. A seguir apresentada a placa com a traagem final.

A corroso o processo pelo qual, se retira da placa toda rea que no foi traada por meio de produtos qumicos. Isso feito mergulhando-se a placa j traada em um vasilhame de plstico ou vidro com soluo de cloreto frrico, FeCl3, mais conhecido no comrcio como percloreto de ferro. Observaes Deve-se evitar o contato da soluo de percloreto de ferro com a pele. No se pode utilizar bandeja ou vasilhame de metal, pois a soluo corroe este tipo de material. Ao dissolver a soluo, no se deve utilizar gua morna ou quente. Durante a corroso, a bandeja deve ser constantemente agitada para acelerar o processo. Aps um determinado tempo a placa retirada do recipiente com a soluo, e colocada embaixo de uma torneira com gua corrente. Se toda a rea no demarcada ainda no foi totalmente corroda, deve-se mergulhar a placa novamente na soluo e repetir o processo. Observao Aps algum tempo de uso, a soluo vai perdendo sua capacidade de corroso sendo necessria a sua substituio.
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A limpeza da placa pode ser feita de duas formas; por meio de um algodo umedecido com tiner ou acetona, ou com uma palha de ao do tipo Bom Bril. A furao da placa pode ser feita por meio de furadeira de bancada ou convencional com suporte, ou pode-se utilizar mini-furadeira e perfurador manual fabricados somente para este fim. A broca para esta furao deve ser de 1 mm,. Finalmente, deve-se limpar novamente a placa no lado cobreado, com uma palha de ao para evitar problemas na soldagem dos componentes. Ao terminar este processo a placa est pronta para receber os componentes.

Soldagem de dispositivos eltricos A soldagem executada nos pontos de conexo de um circuito eltrico ou eletrnico visa a garantir um bom contato eltrico entre seus componentes. Ela executada com auxlio de um metal de adio formado por uma liga de estanho e chumbo.

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Processos de soldagem O processo de soldagem utilizado em circuitos eltricos e eletrnicos pode ser manual ou por banho. O processo de soldagem por banho usado industrialmente para a conexo de elementos montados em placas de circuito impresso. Nesse processo, o lado da placa de circuito impresso onde esto as trilhas de cobre colocado sobre uma quantidade de metal de adio aquecido.

O processo de soldagem manual muito utilizado para montagens experimentais e tambm na manuteno de equipamentos. No processo de soldagem manual, os pontos de solda do circuito so colocados um de cada vez.

Metal de adio O metal de adio uma liga metlica (mistura de metais) usada para interligar os componentes eletrnicos e condutores de um circuito eltrico ou eletrnico. Esse metal se funde pela ao do calor da ponta do ferro de soldar e adere aos elementos, interligando-os eletricamente.

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O metal de adio uma liga de estanho e chumbo. De acordo com a proporo da mistura, a caracterstica da solda se altera. As composies mais usuais so: 40% de estanho + 60% de chumbo; 60% de estanho + 40% de chumbo; 63% de estanho + 37% de chumbo.

A composio mais usada na soldagem em circuitos eletrnicos a de 63% de estanho com 37% de chumbo, porque sua temperatura de fuso mais baixa, permitindo soldar mais rapidamente. O metal de adio pode ser adquirido em lojas especializadas na forma de barra e em fio enrolado em carretis. Existe um preparado qumico que pode ser adicionado durante a soldagem denominado fluxo cujo objetivo de utilizao permitir um escorrimento mais fcil sobre os pontos a serem soldados. Nos metais de adio usados em circuitos eletrnicos, o fluxo colocado no interior do fio formando um ncleo.

A existncia do fluxo provoca uma corroso (formao de buracos) na ponta do ferro de soldar, ao final de longos perodos de uso. Deve-se corrigir a corroso e limpar a ponta do ferro de soldar quando isto ocorrer.

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Ferramentas utilizadas para a soldagem manual A seguir, so apresentadas as ferramentas utilizadas para a soldagem manual com uma descrio das suas aplicaes na execuo desse processo. Elas so: o ferro de soldar e o suporte, o alicate de bico chato ou meia cana e o alicate de corte diagonal. O ferro de soldar a ferramenta que fornece o calor necessrio para a fuso do metal de adio sobre os terminais e condutores. Consiste em uma ponteira de material bom condutor de calor, normalmente cobre ou lato, envolvida por uma resistncia eltrica.

A passagem da corrente eltrica na resistncia produz calor que aquece a ponta at a temperatura necessria para conseguir a fuso do metal de adio. Existem ferros de soldar para diversos valores de potncia, por exemplo: 28 W, 70 W, 100 W.

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A potncia do ferro de soldar que vai ser usado para uma operao de soldagem depende da massa do que vai ser soldado. A soldagem de pontos que contenham grande nmero de terminais ou de pontos em contato com superfcies metlicas, exige ferros de soldar de maior potncia, porque estes produzem maior quantidade de calor. A especificao dos ferros de soldar feita pela potncia e pela tenso de trabalho. Por exemplo: ferro de soldar 28W - 110V. Existe ainda a pistola de soldar que tem por caractersticas atingir a temperatura de trabalho em poucos segundos.

Suporte para ferro de soldar O ferro de soldar deve sempre ser manuseado com cuidado e, nos momentos em que no estiver sendo utilizado, deve ser colocado no suporte prprio.

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Alguns suportes tm uma esponja ou retalho de tecido que utilizado para remover os resduos de solda da ponteira do ferro de soldar. Tanto esponja quanto o tecido devem ser mantidos umedecidos. O alicate de bico chato ou meia-cana normalmente utilizado antes da soldagem, para dobrar os terminais dos componentes nas dimenses adequadas.

Durante o processo de soldagem, o alicate de bico chato pode ser utilizado como forma de evitar que o calor chegue ao corpo do componente. Para isso ele posicionado no terminal, entre o ponto de soldagem e o corpo do componente. Este cuidado importante quando se efetua a soldagem de componentes sensveis ao calor.

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O alicate de corte diagonal usado para cortar a sobra dos terminais e condutores depois da soldagem.

Soldagem Antes de realizar a soldagem necessrio verificar se a ponta do ferro de solda est limpa e estanhada. Caso a ponta no esteja nas condies adequadas, ela deve ser limpa at retirar toda a oxidao, de forma que a ponta se apresente com a cor normal do cobre. Deve-se verificar, tambm, se esto na posio correta onde devem ser soldados e se os terminais e condutores que sero soldados esto livres de xidos ou gordura. Isso necessrio, porque se os terminais ou condutores que vo ser soldados tm resduos de oxidao ou gordura, a soldagem no realiza corretamente a conexo eltrica. Este tipo de soldagem chamado de solda fria e representa um grande problema por que provoca defeitos intermitentes. Feito isso, procede-se da seguinte maneira: 1. Ligar e aguardar que o ferro atinja a temperatura de trabalho. Verificar a temperatura aplicando uma pequena quantidade de metal de adio sobre a ponta do ferro. Se a solda derreter instantaneamente, o ferro de soldar est na temperatura ideal de trabalho; Observao O ferro de soldar aquece at uma temperatura especfica, embora permanea ligado rede eltrica.

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2. Aplicar o metal de adio na ponta aquecida do ferro, espalhando-a sobre as faces limadas. Deve-se encostar o ferro de soldar aos terminais que vo ser soldados, procurando estabelecer a maior rea de contato possvel entre os elementos e o ferro de soldar.

Isso melhora a transferncia de calor do ferro de soldar para os terminais, reduzindo o tempo da operao e garantindo a boa aderncia do metal de adio. 3. Aps alguns instantes de aquecimento, aplicar a solda entre os terminais e a ponta do ferro de soldar.

Observao O metal de adio no deve ser aplicado somente na ponta do ferro pois at chegar no componente ele se funde e, portanto, no realiza uma boa conexo eltrica. 4. Quando do metal de adio se espalhar sobre os terminais, deve-se retirar o ferro de soldar sem esfreg-lo sobre os terminais.

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Uma operao de soldagem realizada corretamente resulta em uma solda lisa e brilhante nos pontos soldados, alm de garantir o bom contato eltrico e uma perfeita fixao mecnica. Dessoldagem de componentes A dessoldagem o processo inverso da soldagem, consistindo em desfazer uma conexo que esteja soldada. A dessoldagem utilizada principalmente durante a manuteno de equipamentos, quando se faz necessrio retirar um componente do circuito para test-lo ou substitu-lo.

Processo de dessoldagem Suponha-se uma situao em que, durante uma manuteno, determinado componente deve ser desligado do circuito para ser testado adequadamente. Nesta situao, o aspecto importante que o componente que ser dessoldado no pode ser danificado na operao de dessoldagem. Para isto, a seqncia de procedimentos que deve ser realizada : 1. Observar atentamente a posio do componente no circuito, principalmente se a ordem de ligao dos terminais for importante.

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2. Segurar um dos terminais do componente com um alicate de bico chato.

3. Com o ferro de soldar, aquecer o ponto onde este terminal est soldado. 4. Quando o metal de adio estiver em fuso, puxar o terminal do componente com o auxlio do alicate.

Em algumas ocasies, os terminais do componente esto amarrados ou entrelaados entre si o que dificulta sensivelmente o processo de dessoldagem. Por esta razo, deve-se evitar amarrar os terminais dos componentes nas montagens de circuitos prevendo que em outra ocasio poder ser necessrio dessold-los. O processo de dessoldagem pode ser simplificado se o componente a ser retirado est danificado. Neste caso, o procedimento pode ser o seguinte:

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1. Anotar as caractersticas do componente e observar cuidadosamente a sua posio no circuito, principalmente se o componente for polarizado. 2. Cortar o terminal do componente, deixando um comprimento suficiente para pegar cada terminal com o alicate de bico chato no momento de executar a dessoldagem. 3. Dessoldar a sobra do terminal.

4. O procedimento repetido nos demais terminais do componente a ser dessoldado. Na substituio de um componente danificado, o novo componente deve ser testado antes de ser soldado ao circuito. Ferramentas especiais para dessoldagem Existem ferramentas especialmente usadas para facilitar a dessoldagem. Estas ferramentas so: Sugador manual de solda; Ferro de dessoldar com sugador manual; Estao de dessoldagem.

O sugador manual de solda uma ferramenta que se destina a sugar o metal de adio quando j est no estado de fuso. A figura que segue mostra um sugador de solda.

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Para utilizar o sugador, o procedimento o seguinte: 1. Pressionar o brao do mbolo at que esteja engatado, ficando na posio de pressionado.

Observao Nesse movimento, uma parte dos restos de metal de adio resfriados depositados anteriormente no sugador expelida pela ponta. Deve-se, portanto, evitar que estes restos de solda sejam expelidos em direo ao circuito ou pessoas que estejam nas proximidades. 2. Segurar o sugador em uma das mos, de forma que o boto do sugador possa ser pressionado quando for necessrio.

3. Aquecer o metal de adio ser retirado. 4. Encostar a ponta do sugador no local aquecido e pressionar o boto do sugador.

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Quando o boto pressionado, o brao do mbolo retorna posio de repouso e o metal de adio que est lquido sugado.

Observao Em algumas ocasies, necessrio repetir o processo para conseguir a remoo de todo metal de adio. Para que o sugador se mantenha em condies de uso so indispensveis alguns cuidados: Pressionar o brao do mbolo do sugador apenas quando for utiliz-lo, portanto, ao guard-lo, ele dever estar na posio de repouso; Limpar periodicamente o depsito de solda que existe atrs da ponta do sugador;

Desmontar periodicamente o sugador para lubrificao das partes e verificao das suas condies.

Ferro de dessoldar com sugador manual um ferro de soldar ao qual est acoplado um sugador manual.

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A vantagem do ferro de dessoldar com sugador reside no fato de que as funes de aquecimento e retirada do metal de adio so realizadas com uma s ferramenta. O metal de adio sugado atravs de um orifcio na ponteira do ferro, alojando-se em um depsito.

O procedimento para a utilizao do ferro de dessoldar o seguinte: Pressionar o brao do mbolo do sugador at o engate. Deve-se tomar cuidado porque em algumas ocasies restos de solda presentes na ponteira do ferro so expelidos; Encostar a ponteira do ferro de dessoldar ao ponto onde o metal de adio deve ser removido e aguardar a sua fuso;

Pressionar o boto do sugador;

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Desencostar o ferro do ponto dessoldado.

Pode ser necessrio repetir a operao para remover todo o metal de adio das conexes. O ferro de dessoldar com sugador tambm exige uma reviso perodica que consiste em: Desobstruir o canal da ponteira do ferro de dessoldar, usando uma furadeira e broca de 1mm, arame de ao ou um clipe de papel esticado; Retirar os resduos do metal de adio do depsito.

Estao de dessoldagem A estao de dessoldagem um equipamento de maior porte, normalmente utilizada na indstria de equipamentos eletrnicos e que se compe de uma bomba de vcuo acoplada a um ferro de soldar atravs de um tubo.

Seu princpio de funcionamento semelhante ao do ferro de dessoldar, com a vantagem de no ser necessrio manusear um sugador manual. 146
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Fontes chaveadas

As fontes de alimentao do tipo chaveada vm encontrando uma utilizao cada vez maior, particularmente no campo da informtica, onde os grandes sistemas necessitam de considerveis quantidades de energia para seu funcionamento. A fonte chaveada difere da fonte de alimentao convencional pelo fato de utilizar uma tcnica especfica de chaveamento da energia. Esse chaveamento feito por circuitos que trabalham em freqncias compreendidas entre 20 e 60KHz. Tais circuitos podem ser implementados atravs de transistores ou circuitos integrados dedicados que esto conectados sada da etapa de retificao e filtro. As fontes chaveadas apresentam algumas vantagens tais como: Menor tamanho e menor peso dos transformadores e capacitores, em conseqncia de alta freqncia empregada; Menor dissipao; Ampla faixa de utilizao; Possibilidade de fornecer sadas mltiplas.

A principal desvantagem desse tipo de fonte a gerao de rudos, devido ao uso de altas freqncias de chaveamento, exigindo, portanto, circuitos de filtro bem elaborados, alm do uso de blindagem para atenuar a rdio freqncia gerada. As fontes chaveadas apresentam algumas caractersticas, tais como: Freqncia de chaveamento entre 20khz e 60khz; Potncia fornecida entre 20 e 600 watts; Uso de tcnica de modulao por largura de pulso (PWM);
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Emprego de famlias de componentes, com caractersticas eltricas especiais, como por exemplo: diodos de comutao, transistores de chaveamento, ncleos de ferrite para os transformadores, capacitores eletrolticos de baixa perda, a alta freqncia, etc.

Existem vrias configuraes de fontes chaveadas, sendo que as mais utilizadas so: Fonte chaveada tipo meia-ponte; Fonte chaveada tipo srie; Fonte chaveada tipo fly-back.

A estrutura tpica de uma fonte chaveada apresentada abaixo.

B1: circuito retificador B2: filtro B3: circuito chaveados B4: circuito PWM B5: circuito de potncia B6: circuito retificador final B7: filtro final Na entrada de tenso VCA normalmente encontra-se um filtro de linha, para eliminar interferncias.

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O processo apresentado abaixo. O circuito B1 promove a retificao da tenso que depois filtrada em B2.

No estgio B3 encontra-se os elementos de chaveamento, ou seja, os transistores comutadores de alta freqncia.

O estgio B4 contm os circuitos PWM (pulse width modulation), ou seja, modulao por largura de pulso. Esse circuito controla quantidades de energia, atravs da largura dos pulsos, para efetuar a regulao da tenso de sada.

O circuito B5 o circuito de potncia que tem seus perodos de funcionamento controlados por B3.

O circuito B6 promove a retificao final, j com nveis de tenso e corrente adequados alimentao do circuito de carga.

O circuito B7 executa a filtragem final, obtendo-se ento a tenso contnua.

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Uma configurao de fonte chaveada a nvel de componente mostrada abaixo, ressaltando-se o uso de um circuito integrado para executar o PWM.

Fontes chaveada tipo meia-ponte A fonte chaveada tipo meia ponte caracteriza-se pela utilizao de dois transistores, operando no modo conhecido como push-pull. 150
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Esses dois transistores so conectados ao primrio de um transformador, que recebe tenso Vcc vinda, normalmente, de um banco de capacitores. Veja a figura abaixo.

A configurao tpica de uma fonte chaveada meia-ponte mostrada abaixo.

B1: filtro de linha B2: 1a etapa retificadora B3: 1a etapa de filtragem B4: circuito PWM B5: circuito meia-ponte B6: retificador final B7: filtro final
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O processo apresentado abaixo:


Circuito B1: filtro de linha B2: 1a etapa retificadora B3: 1 etapa de filtragem B4: circuito PWM B5: circuito meia-onda
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Funo Impedir que rudos de alta freqncia cheguem at a linha de alimentao. Retifica a tenso alternada. Filtra a tenso retificada. Faz a modulao por largura de pulsos. Faz a excitao do primrio do transformador, atravs da variao de ordem de conduo dos transistores, sendo ora o de cima que conduz e ora o de baixo e produzindo pulsos de tenso em alta freqncia. Retifica os pulsos de alta freqncia, presentes no secundrio do transformador. Filtra de maneira definitiva a tenso vinda do estgio retificador.

B6: retificador final B7: filtro final

Como cada transistor do circuito meia-ponte funciona alternadamente, a corrente no primrio do transformador fica invertendo de sentido, gerando o campo de induo para o secundrio. Veja a figura a seguir.

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Fonte chaveada tipo srie A fonte chaveada tipo srie emprega um transistor para produzir o chaveamento de energia. Esse transistor conectado entre uma tenso contnua Vcc no regulada e um sistema de filtro, na configurao regulador srie de tenso. Veja a figura abaixo.

A configurao tpica de uma fonte chaveada srie mostrada abaixo.

B1: filtro de linha B2: etapa retificadora B3: etapa de filtragem B4: circuito PWM B5: circuito chaveamento srie B6: filtro final

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A principal diferena deste tipo de fonte que o transistor srie faz o chaveamento de energia, ou seja, tem seu perodo de conduo controlado pelo circuito PWM.

O diodo D1 denomina-se catch e tem a funo de desmagnetizar o indutor para evitar problemas de induo no desejveis. O indutor L1 e o capacitor C1 realizam a integrao da tenso quadrada, presente no emissor de T1, resultando a tenso mdia regulada VM.

Fonte chaveada tipo fly back A fonte chaveada tipo fly back apresenta algumas diferenas no que concerne obteno da tenso contnua sobre a carga. O circuito tpico desse tipo de fonte visto abaixo.

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A configurao tpica de uma fonte chaveada fly back mostrada abaixo.

B1: filtro de linha B2: etapa retificadora B3: etapa de filtragem B4: circuito PWM B5: circuito fly back B6: retificador final Rc: resistor de carga O processo apresentado abaixo:
Circuito B1: filtro de linha B2: etapa retificadora B3: etapa de filtragem B4: circuito PWM B5: circuito fly back B6: retificador final Rc: resistor de carga Funo Impedir que rudos de alta freqncia cheguem at a linha de alimentao. Retifica a tenso alternada. Filtra a tenso retificada. Faz a modulao por largura de pulsos. Faz com que os pulsos de tenso, aplicados base do transistor, sejam transformados em surtos de corrente no secundrio do mesmo. Retifica a tenso de sada para meia onda, sendo que o capacitor C promove a filtragem final. Circuito que consome a energia da fonte.

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Circuito fly back.

Quando o transistor Q1 conduz, devido ao pulso positivo aplicando sua base, o diodo D est polarizado reversamente. Quando Q1 vai ao corte, o diodo D retifica a corrente I, que circula pela carga Rc, pelo diodo e pelo secundrio do transformador, fechando o circuito. Como a retificao acontece na volta da corrente da carga para o secundrio, que armazenou a energia no instante anterior (Q1 conduzindo), o nome do circuito fly back, que pode ser traduzido como vo de volta ou ainda retrao. Circuitos desse tipo so encontrados nos estgios de sada horizontal dos monitores de vdeo e em receptores de televiso.

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Referncias bibliogrficas

SENAI-SP. Eletricista de manuteno II - Eletrotcnica. Por Irandi Dutra, Jos Geraldo Belato, Regina Clia Roland Novaes. So Paulo, 1993. SENAI-SP. Eletricista de manuteno III - Comandos eletroeletrnicos. Por Regina Clia Roland Novaes. So Paulo, 1994.

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