Esercizi di Elettronica Applicata

Claudio Sansoè, Alessio Di Cataldo, Amedeo D’Adduzio 16 giugno 2011

Indice
1 Specchi di corrente 1.1 Esercizio 1 - Specchio di corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Esercizio 2 - Specchio di corrente con resistenza . . . . . . . . . . 2 Amplificatore operazionale 2.1 Amplificatore di corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Amplificatore di potenza in classe B . . . . . . . . . . . . . . . . 2 2 3 5 5 9

3 Amplificatori non lineari 10 3.1 Raddrizzatore a doppia semionda (a diodo ideale) . . . . . . . . . 10 4 Utilizzo amplificatori fuori linearità 4.1 Generatore d’onda quadra . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 Generatore d’onda triangolare a frequenza variabile . 4.3 Generatore d’onda triangolare con variazione di valor 4.4 Oscillatore sinusoidale a ponte di Wien . . . . . . . . . . . . . . . . medio . . . . . . . . . . . . . . . . 12 12 15 19 22

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Capitolo 1

Specchi di corrente
1.1 Esercizio 1 - Specchio di corrente

In uno specchio di corrente a transistori NMOS la corrente imposta sul lato debole vale 10 μA. I parametri tecnologici di entrambi i MOS sono: μn Cox = 0, 1 μA/V2 ; Vtn = 0, 5 V. Il transistor M 1 posto sul lato debole dello specchio ha dimensioni W 1 = 1 μm, L1 = 1 μm;. Se l’altro transistor M 2 ha L2 = 0, 5 μm, quanto deve valere W 2 affinchè la corrente specchiata sia 30 μA? SOLUZIONE: Per prima cosa disegnamo un classico specchio di corrente a nMOS ricordando che il lato sinistro è detto lato debole dello specchio. IR IO

M1

M2

Figura 1.1: Specchio di corrente a nMOS

M 1 è polarizzato in saturazione di canale, in quanto VGS = VDS . Il circuito funzionerà correttamente se anche M 2 viene fatto lavorare nella stessa zona, quindi si avrà: ID = kn (VGS − Vtn )2 (1 + λVDS ) Kn = Wn 1 μnCox 2 Ln

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Per semplificare la trattazione ignoriamo l’effetto della channel lenght modulation (λ) del MOS. IR = ID1 = Kn1 (VGS 1 − Vtn1 )2 IO = ID2 = Kn2 (VGS 2 − Vtn2 )2 IO Kn2 (VGS 2 − Vtn2 )2 = IR Kn1 (VGS 1 − Vtn1 )2 Ma VGS 1 = VGS 2 e dalle specifiche del problema Vtn1 = Vtn2 quindi si avrà: IO Kn2 W2 L2 = = IR kn1 W1 L1 W2 1 μm 30 μA = · 10 μA 1 μm 0.5 μm W2 = 1, 5 μm

1.2

Esercizio 2 - Specchio di corrente con resistenza

Uno specchio di corrente a transistori nMOS è costituito da due transistori uguali, aventi i seguenti paramentri tecnologici: μn Cox = 0, 1 μA/V2; Vtn = 1 V; W = 2 μm, L = 1 μm. Se i source dei due MOS sono a 0 V e il lato debole dello specchio è collegato ad una VAL = +12 V tramite unra resistenza R = 5 kΩ SOLUZIONE: Per prima cosa disegnamo un classico specchio di corrente a nMOS ricordando che il lato sinistro, detto lato debole dello specchio, è collegato all’alimentazione mediante la resistenza R. VAL

R IR IO

M1

M2

Figura 1.2: Specchio di corrente a nMOS con VAL ed R

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Scriviamo le equazioni alla maglia del lato debole: VAL = IR · R + VDS 1 VDS 1 = VGS 1 = VGS 2 VAL = IR · R + VGS 1 Mi scrivo l’equazione di IR tralasciando l’effetto della channel lenght modulation IR = Kn (VGS 1 − Vtn )2 VAL = R · Kn (VGS 1 − Vtn )2 + VGS 1 Nella formula l’unica incognita è VGS 1 quindi risolviamo semplicemente l’equazione di secondo grado e otteniamo due vaolri per la nostra incognita: VGS 1 = 2V −0, 1 V N ON ACCET T ABILE

Ora avendo VGS 1 = VGS 2 ci possiamo ricavare il valore di IO : IO = 12 V − 2 V VAL − VGS 2 = = 2 mA R 5 kΩ

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Capitolo 2

Amplificatore operazionale
2.1 Amplificatore di corrente

Progettare un amplificatore di corrente usando un amplificatore operazionale tale che Iu = 10Ie , su carico Zu di cui siano disponibili entrambi i terminali. La dinamica d’ingresso sia ±1mA. Dimensionare le resistenze di reazione considerando che l’amplificatore sia alimentato a ±15 V e abbia i seguenti parametri di offset: V of f = 3 mV, Iof f = 50 nA, Ib = 200 nA. Quali sono il massimo e il minimo valore di Zu ammissibili? + − −15V i1 Zu i2 R2 +15V iout

R1 Iin

Figura 2.1: Amplificatore di corrente

La corrente del generatore non può scorrere sul morsetto negativo dell’amplificatore operazionale, se quest’ultimo viene considerato ideale si avrà infatti: i+ = i− = 0

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Avremo quindi: VR1 = R1 Iin = VR2 = R2 i2 i2 = R1 Iin R2 1+ R1 )Iin R2

iout = i2 + Iin = 1+

R1 R1 = 10 → =9 R2 R2 R1 = 9R2

Ora dobbiamo considerare gli offset di tensione Vof f e corrente Iof f . Tensione di offset Vof f : Vof f + − Zu R1 i1 i2 iout

Vof f

R2

Figura 2.2: Amplificatore di corrente con Vof f Dato che su R1 non scorre corrente e dato che V + = V − si avrà che: VR2 = Vof f Ora è molto semplice calcolarsi il valore della corrente iu dovuta all’effetto di Vof f : Vof f iu |Vof f = I2 = R2 Correnti di offset: Facendo riferimento alla figura 2.3 dobbiamo calcolarci il valore di iu | V+ =V− =0
Ib −
Iof f 2

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rd Zu

R1 R2

Figura 2.3: Studio delle correnti di offset (Ib −

Iof f 2

)

Rd è una resistenza molto grande quindi su R1 non scorre corrente per cui si avrà: iu |
Ib ∗
Iof f 2

=0
Ib +
Iof f 2

Facendo riferimento alla figura 2.4 dobbiamo calcolarci il valore di iu | VR1 = Ib + Iof f )R1 = VR2 2 Iof f 2 Iof f 2 R1 R2 1+ R1 R2

VR2 = R2 i2 i2 = iu | = Ib + Ib +

Ib +

Iof f 2

Sovrapposizione degli effetti. A questo punto è sufficiente sovrapporre i tre contributi calcolati precedentemente per determinare la corrente Iout : Iout = 1+ R1 R2 Iin Vof f Iof f + Ib + R2 2 1+ R1 R2

1 Ovviametne non è possibile modificare il contributo 1 + R quindi per R2 minimizzare il contributo degli offset deco scegliere una R2 molto grande per Vof f → 0. fare in modo che R 2

7

rd
Ib+Ioff/2

Zu

i1 i2

R2

Figura 2.4: Studio delle correnti di offset (Ib +

Iof f 2

)

Vof f << R2 Vof f 1 < R2 10

1+

R1 R2 R1 R2

Iin Iin

1+

3 mV 3 mV Vof f = 3Ω < 1 mA ⇒ < 1 mA ⇒ R2 > R2 R2 1 mA Per non uscire dalla dinamica di tensione d’uscita dell’amplificatore operazionale si deve avere: Vout,max = 13V R2 · 11 mA + Zu,max · 10 mA < 13V Scelgo R2 = 1 kΩ Zu,max · 10 mA < 2 V Zu,max < Quindi avremo: R2 = 1 kΩ R1 = 100 Ω Zu = [0 ÷ 200] Ω 2V = 200 Ω 10 mA

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2.2

Amplificatore di potenza in classe B

Un amplificatore di potenza in classe B è alimentato con alimentazione simmetrica a VAL = ±10 V. Il segnale d’uscita è sinusoidale, di ampiezza pari a 5 Vpp. In queste condizioni qual è il rendimento dell’amplificatore? +VAL

T1

IL T2 Vs RL

−VAL Figura 2.5: Amplificatore di potenza in classe B L’amplificatore di potenza in classe B mette insieme i pregi dei due stadi con un punto di funzionamento a riposo pari a 0V. η= PL = PL PAL

η=

PL PAL

Vp Ip 2 VAL Ip ·2 PAL = π π Vp Ip Vp π · = = 2 2VAL Ip VAL 4

Con i dati in nostro possesso, Vpp = 5 V ⇒ Vp = 2.5 V e VAL = 10 V, avremo: η = 19, 6% Il rendimento massimo che si può avere con un amplificatore in classe B è invece ηMAX = 78%, e si avrà quando il segnale sinusoidale ha ampiezza pari alla tensione di alimentazione.

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Capitolo 3

Amplificatori non lineari
3.1 Raddrizzatore a doppia semionda (a diodo ideale)

Disegnare lo schema di un raddrizzatore a doppia semionda a diodo ideale e dimensionare i componenti passivi per avere V u = 2|V i|. V1 R2 D2 D1 − Vu + Vi R1 − + R3 R4

R5 Figura 3.1: Schema del raddrizzatore a doppia semionda. R4 R4 − Vi R3 R5 R2 R1

Vu = −V1

V1 = −Vi

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Vu = Vi Quando:

R2 R4 R4 − Vi = Vi R1 R3 R5

R4 R2 R4 − R1 R3 R5

Vi < 0 ⇒ V1 = 0 Si ha: Vu = −Vi R4 R5

R4 = 2 =⇒ R4 = 2R5 R5 Quando Vi > 0 ⇒ V1 = 0 Si ha: Vu = Vi R2 R4 R4 − R1 R3 R5

R2 R4 R4 − =2 R1 R3 R5 R2 R4 =4⇒ R1 R3
R2 R1 R2 R1
4 = 4; R R3 = 1 4 = 1; R R3 = 4

R4 2 Scelta numero 1 : R R1 = 4; R3 = 1 Non è una scelta del tutto insensata, per quanto raramente usata, infatti si ottimizzano gli offset pur riducendo la dinamica del sistema. Se serve un sistema preciso, estramamente insensibile a tensioni e correnti di offset conviene usare questa scelta. In questo modo si amplificano in misura minore le componenti di offset del secondo amplificatore operazionale. R4 2 Scelta numero 2 : R R1 = 4; R3 = 1 Questa scelta serve a massimizzae la dinamica di ingresso. Il motivo è molto semplice data ad esempio una Val = ±15 V e Vi = 10 V, imponendo 4 come guadagno del primo amplificatore si sforerebbe la dinamica di ingresso del secondo stadio. Scegliamo quindi:

R2 = R1 = 10 kΩ R3 = 11 kΩ R4 = 4R3 = 44 kΩ R5 = 22 kΩ

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Capitolo 4

Utilizzo amplificatori fuori linearità
4.1 Generatore d’onda quadra

Disegnare lo schema di un generatore di onda quadre. Ricavare la frequenza di oscillazione. Selezionare un insieme opportuno di valori dei componenti passivi per ottenere fosc = 2 kHz, supponendo di utilizzare un amplificatore operazionale con alimentazione simmetrica pari a ±15 V. R2

−Val − + R1 +Val R

VC

C

Figura 4.1: Schema circuitale di un generatore d’onda quadra.

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V VOH VS 1 T1 =
T 2

VOH

t

VS 2 VOL VOL

Figura 4.2: Andamento delle tensioni VC e Vu rispettivamente in arancione e rosso

VC (t) = (VIN − VF IN )e− τ + VF IN Quindi si avrà: t VC (t) = (VS 2 − VOH )e− RC + VOH con τ = Req C = RC Dopo un semiperiodo T1 = T 2 si sarà raggiunta, a partire da VS 1 , la tensione VS 2 poichè il condensatore si sarà caricato a sufficienza da provocare la commutazione di stato: VS 1 = (VS 2 − VOH )e− 2RC + VOH e− 2RC = T1 = −RCln
T1 T1

t

VS 1 − VOH VS 2 − VOH VS 1 − VOH VS 2 − VOH

Passando dal semiperiodo al periodo si ha: T = −2RCln VS 1 − VOH VS 2 − VOH

Usando la proprietà del logaritmo avremo: T = 2RCln VS 2 − VOH VS 1 − VOH

Dal comparatore di soglia invertente con isteresi ricavo le due tensioni di soglia VS 1 eVS 2 :

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VS 1 = VOH VS 2 = VOL Avremo quindi: VOH − VS 1 = VOH VOH − VS 2 = VOH 1− 1+

R1 R1 + R2 R1 R1 + R2 R2 R1 + R2

R1 R1 + R2 R1 R1 + R2

= VOH = VOH

2R1 + R2 R1 + R2

Si avrà quindi che il periodo vale: T = 2RCln 2R1 + R2 R2

Per avere una frequenza di oscillazione fosc = 2 kHz bisogna avere un periodo 1 di T = f = 500 μs , si avrà quindi: 500 μs = 2RCln Scelgo C = 10 nF e R = 10 kΩ 500 μs 2R1 + R2 = ln 200 μs R2 e2,5 = 1 + 2R1 R2 2R1 + R2 R2

R1 e2,5 − 1 = 2 R2 R1 = 5, 6 R2 Scegliamo le resistenze tra la serie E12: R1 = 12 kΩ e R1 = 2, 2 kΩ Ovviamente la frequenza di oscillazione non potrà essere precisissima a causa della tolleranza delle resistenze.

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4.2

Generatore d’onda triangolare a frequenza variabile

Disegnare lo schema di un generatore d’onda triangolare. Spiegarne il funzionamento e ricavare la frequenza di uscita. Utilizzando degli amplificatori operazionali rail to rail alimentati a ±15 V, selezionare un insieme opportuno di valori dei componenti passivi per ottenere fosc = 1 kHz, ampiezza dell’onda triangolare pari a 10 Vpp e valor medio pari a 2 V. Modificare il circuito per ottenere frequenza di uscita variabile tra 100 Hz e 1 kHz. C R2 Vc − + VT

R1

+ − Va

R Figura 4.3: Schema di un generatore d’onda triangolare. Nello schema in figura 4.3 il condensatore si carica linearmente: I t + Vc (0) C si avrà quindi un andamento di carica del condensatore come riportato in figura 4.4. L’amplificatore operazionale è di tipo non invertente, quindi suppongo di partire con un valore basso di tensione. Ricavo il valore delle tensioni di soglia ricordando quelle del comparatore di soglia non invertente con isteresi: Vc = VS 2 = VS 1 − VOH T1 RC ⇒ T1 = VS 1 − VS 2 R1 RC VOH R2 R1 R2

VS 1 − VS 2 = (VOH − VOL ) T1 = VOH − VOL VOH

R1 RC R2

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VT , Va VOH T1 =
T 2

VS 1

VOH

t

VS 2

VOL

VOL

Figura 4.4: Andamento delle tensioni VC e Va rispettivamente in rosso e arancione Se VOH = VOL avremo quindi: T1 = 2RC R1 R2 ⇒ T = 4RC R1 R2

f=

1 1 R2 = T 4RC R1

Per realizzare un’onda triangolare che abbia ampiezza pari a 10 Vpp e valor medio pari a 2 V si dovrà avere: VS 1 − VS 2 = 10 V
VS 1 +VS 2 2

= 2V

VS 2 = 10 V + VS 1 10 V + 2VS 1 = 4 V VS 1 = 3 V VS 2 = 7 V Ricordiamo nuovamente che la tensione di soglia per un comparatore di soglia non invertente con isteresi vale: VS 2 = VR − R1 R1 + R2 − VOL R2 R2 R1 R2

Ma noi abbiamo VR = 0 V e VOL = −VOH dove VOH ≈ 12 V per cui avremo: VS 2 = 12 V R1 R2 ⇒ 7 V = 12 V

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7 R1 = R2 12

R1 =

7 R2 12

Per cui dalla serie E12 scelgo le resistenze: R1 = 68 kΩ f0 = 1 12 4RC 7 R2 = 120 kΩ ⇒ C= 1 3 Rf0 7

Scelgiamo R = 100 kΩ e ricordimao che f0 = 1 kHz è data, per cui avremo: C = 4, 3 nF Ora modifichiamo il circuito come riportato in figura 4.5 per avere una frequenza d’uscita variabile tra 100 Hz e 1 kHz C R2 Vc − + VT

R1

+ − Va

R

P1 Vedi ingrandimento in figura 4.6

R3

Figura 4.5: Schema di un generatore d’onda triangolare a frequenza variabile. R3 + xP1 R3 + xP1 − xP1 + P1

Vx = VOH

Il punto segnalato in verde in figura 4.5 è un punto ad alta impedenza, avremo quindi bisogno di un equivalente: Veq = Vx in x = 0 avremo: 17 Req = (xP1 + R3 ) (1 − x)P1

VOH (1 − x)P1

xP1 Vx R3

Figura 4.6: Ingrandimento del potenziometro.

Vx = VOH fmin Vmin = fmax Vmax 10 = 1 + P1 R3 ⇒ ⇒

R3 R3 + P1
3 VOH R3R 1 +P1 = 10 VOH

10 = 1 +

P1 + R3 R3

P1 + R3 = 10R3

P1 = 9R3 Scegliendo i valori all’interno della serie E12 avremo quindi: P1 = 10 kΩ R3 = 1 kΩ

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4.3

Generatore d’onda triangolare con variazione di valor medio

Progettare un generatore d’onda triangolare date le seguenti specifiche: Frequenza d’uscita: regolabile tra 500 Hz e 2, 5 kHz Ampiezza onda triangolare: 10 Vpp Valor medio onda triangolare: regolabile tra −5V e +5V Tensione d’alimentazione: ±15 V Utilizzare amplificatori operazionali di tipo rail-to-rail C R2 Vc − + VT

R1

+ − Va

R5 −VAL P2 R

R4 +VAL P1

R3

Figura 4.7: Schema di un generatore d’onda triangolare a frequenza variabile e variazione valor medio.

VS 2 − VS 1 = 10 V

VS 2 = 5 V

Ricordando che la tensione di soglia per un comparatore di soglia non invertente vale: VS 2 = −VOL R1 R2

Suppondendo di avere una VOH = −VOL ≈ 12 V : 5 V = 12 V R1 R2

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5 R2 12 Scelgo le resistenze tra quelle della serie E12: R1 = R1 = 4, 7 kΩ; R2 = 12 kΩ

Ricordiamo che la frequenza come l’esercizione precedente vale: f= 1 R2 4RC R1 ⇒ f= 1 12 4RC 5

Scelgo un valore per la resistenza R = 100K Ω e mi calcolo il valore del condensatore: 1 3 = 12 nF 5 100 kΩ · 500 Hz Facendo riferimento alla figura 4.6 possiamo calcolarci i valori dei parametri del potenziometro: C= Vx = VOH R3 + xP1 R3 + xP1 − xP1 + P1

Mi metto in x = 0 in modo da avere la minima Vx e di conseguenza la minima frequenza. R3 1 = P1 + R3 5 Avremo che a denominatore R3 << P1 P1 =5 R3 Scelgo all’interno della serie E12 due valori appropiati per il potenziometro e per la resistenza. P1 = 10 kΩ ⇒ R3 = 2 kΩ ⇒ quindi posso trascurare R3

Per variare il valore medio dell’onda triangolare tra −5V e 5V considero il secondo amplificatore operazionale ridisegnato per comodità in figura 4.8

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R2

R1 VT

+ − Va

R5 −VAL P2

R4 +VAL

Figura 4.8: Particolare del secondo operazionale di un generatore d’onda triangolare a variazione di valor medio. Poichè la tensione VT è simmetrica [−5V ÷ +5V ] R5 = R4 Tenendo conto di questa semplificazioen ridisegnamo il potenziometro: VAL

R4 VREF max

P2 2

Figura 4.9: Ingrandimento del secondo potenziometro usato per variare il valor medio. Dal comparatore di soglia non invertente ricordiamo che il valor medio tra le due soglie vale: VS 1 + VS 2 = VREF 2 VREF max 1+ R1 R2

R1 = 5V R2

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VREF max = 13V VAL ·
P2 2 P2 2

+ R4

= VREF max

Svolgendo i calcoli si ottiente P2 = 8R4 , possiamo quindi scegliere dalla serie E12 i valori di resistenza e potenziometro: P2 = 10 kΩ, R4 = 1, 2 kΩ

4.4

Oscillatore sinusoidale a ponte di Wien

Disegnare lo schema di un oscillatore sinusoidale a ponte di Wien. Ricavare le condizioni per l’oscillazione e la frequenza di oscillazione. Selezionare un insieme opportuno di valori dei componenti passivi per ottenere fosc = 1 kHz. Spiegare quali accorgimenti circuitali si utilizzano per ottenere le condizioni di Barkhausen. R2

− R1 + R

Vu

Z1

C

Vf R C Z2

Figura 4.10: Schema di un oscillatore sinusoidale a ponte di Wien.

Vu =

1+

R2 R1

Vf

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Dove Vf vale: Vf = Z2 = Z1 = R + Vf = Vf = Vu Z2 Z2 + Z1 R 1 + sCR

sCR + 1 1 = sC sC Vu

R 1+sCR R sCR+1 1+sCR + sC

1+

s2 R 2 C 2

sCR + 3sRC

Vf jwRC =B= Vu 1 − w2 R2 C 2 + 3jwRC Ricordando le condizioni di Barkhausen: + A

B

Se esiste una frequenza tale per cui: |AB | = 1; ∠AB = 0◦

Allora se in ingresso ho una sinusoide, questa si mantiene in uscita. In realtà siccome il sistema non è lineare si avrà sempre un pò di ditorsione in uscita. Vf Affinchè AB = 1 si deve avere B = Vu appartenente ai reali. w 2 R2 C 2 = 1 w0 = 1 RC f0 = 1 2πRC

B (w0 ) =

1 jw0 RC = 3jw0 RC 3

A·B = 1⇒A =3 1+ R2 =3 R1 ⇒ R2 = 2R1

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Per cui dalla serie E12 scelgo: R1 = 33 kΩ; R2 = 68 kΩ;

Scelgo C = 15 nF e ricavo il valore di R: R= 1 = 106 kΩ → 100 kΩ 2πCf0

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