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HISTORIA El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU.

en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodo. Si bien el transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero como no se encontró una aplicación útil ni se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos masivamente.

Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre la fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el canal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (IC). Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS La tecnología CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.

Fotografía del primer transistor construído por W. Shockley, J. Bardeen y W. Brattain en diciembre de 1947 (Foto: bellsystemmemorial.com)

TIPOS DE TRANSISTOR Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las apliaciones a las que se destinan. Aquí abajo mostramos una tabla con los tipos de uso más frecuente y su simbología:

Transistor Bipolar de Unión (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unión (JFET) Transistor de Efecto de Campo, de Metal-Óxido-Semiconductor

(MOSFET)

Fototransistor

Nota: En un esquema electrónico, los transistores se representan mediante su símbolo, el número de transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de transistor, tal como se muestra aquí:

. mostrando su encapsulado y distribución de patillas. (Para ver la imágen en grande se puede hacer click sobre ella).Aquí podemos ver una selección de los transistores más típicos.

el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor. Físicamente. Existen 2 tipos de transistores bipolares.EL TRANSISTOR BIPOLAR Fundamento Teórico Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. los denominados NPN y PNP: Transistores Bipolares npn y pnp. base y colector. Si el transistor tiene la capa N en el medio es un transitor tipo PNP Si el transistor tiene la capa P en el medio es un transistor tipo NPN .

Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular. En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. se consiguen grandes variaciones a través de los terminales de colector y emisor.Sus Pines o Patas o Terminales son: E= Emisor B= Base C= Colector Funcionamiento del transistor El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible controlar un gran potencia a partir de una pequeña. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variación de corriente en variaciones de tensión según sea necesario. Con pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de base. . y en el terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que controlamos la potencia.

y ya que existen pocos portadores minoritarios no hay ninguna corriente.Relación de portadores en cada capa (Transistor BJT): Como se puede observar el emisor se encuentra mucho más dopado que el colector. . Esta es la razón por la cual un transistor BJT no opera normalmente si se invierten los terminales del emisor y el colector. y ambos son más dopados que la base. Al combinar los dos a la vez. la mayoría queda flotando entre el emisor y la base. Mientras mayor sea la corriente de base mayor será la cantidad de electrones flotantes entre ambas regiones. sin embargo dado que hay pocos huecos. es decir base positivo y emisor negativo. El transistor NPN: Para que el transistor funcione es necesario que se cumpla las siguientes condiciones: El diodo ubicado entre la base y el emisor.Emisor debe tener polarización directa. resulta que los electrones flotantes del emisor actúan como portadores minoritarios de la base. Por otro lado la unión base colector con polarización inversa empuja a los electrones y a los huecos mayoritarios hacia los extremos. . En la unión base emisor los electrones del emisor penetran en la base. Este proceso se explica gráficamente en las siguientes figuras: .Colector debe tener polarización inversa. es decir. por lo que son atraídos hacia el colector y producen una corriente muy alta en comparación con la corriente de base. base negativo y colector positivo.

va a quedar absorbida por el campo existente en el diodo B. en principio.Fundamentos físicos del efecto transistor El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo. uno polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa (diodo B). mientras que por la base una corriente muy pequeña. y un diodo en inversa (unión basecolector). pero que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisorbase. En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión emisorbase) por el que circula una corriente elevada. Se dispone de dos diodos. Mientras que la corriente por A es elevada (IA). De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente. si se corta . El control se produce mediante este terminal de base porque. y se consigue que la zona de unión (lo que llamaremos base del transistor) sea muy estrecha. Si se unen ambos diodos. la corriente por B es muy pequeña (IB). por el que. no debería circular corriente. entonces toda esa corriente que circulaba por A (IA). mediante la corriente de base.

la corriente por la base ya no existe polarización de un diodo en inversa y otro en directa. y la unión colector-base como una unión en inversa. y por tanto no circula corriente. sino que siga hacia el emisor (ICp) Entre el colector y la base circula una corriente mínima por estar polarizada en inversa (ICn más una parte ínfima de ICp) Por la base realmente circula una pequeña corriente del emisor. más la corriente de recombinación de base (IEn+ICn+IBr) . que polarizamos tal . Corrientes y tensiones Para el análisis de las distintas corrientes que aparecen en un transistor vamos a considerar un transistor de tipo PNP. como se verá en los siguientes apartados.     Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn) debido a que la unión está en directa El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule por la base. La unión emisor-base queda polarizada como una unión en directa. más otra de colector.Este tipo de polarización será el usado cuando el transistor trabaje en región activa.

Definimos los parámetros α y β (de continua) como la relación e xistente entre la corriente de colector y la de emisor. el transistor es un nodo con tres entradas o salidas. IB e IC). Parámetros α y β En un transistor bipolar uno de los aspectos más interesantes para su análisis y uso es el conocer las relaciones existentes entre sus tres corrientes (IE. es decir: .A partir de lo anterior podemos obtener algunas ecuaciones básicas como son las siguientes: IE+IB IC=0 Esta ecuación viene impuesta por la propia estructura del circuito. o la de emisor y la de base. por tanto la suma de las corrientes que entran o salen al mismo ha de ser cero. es decir. En la ecuación I tenemos una primera relación. Cada una de las corrientes del transistor se puede poner en función de sus componentes de la siguiente forma: Relaciones más importantes. Otras relaciones se pueden obtener definiendo una serie de parámetros dependientes de la estructura del propio transistor.

la cual. Por regiones de funcionamiento entendemos valores de corrientes y tensiones en el transistor. . en las que el efecto de la corriente inversa que circula entre colector y base puede no ser despreciable: En esta ecuación se ha denominado IC0 a la corriente inversa de saturación de la unión colectorbase. Funcionamiento cualitativo del transistor En función de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del transistor bipolar podemos conseguir que éste entre en una región u otra de funcionamiento. y corresponde a la corriente que circularía por dicha unión polarizada en inversa si se deja al aire el terminal de emisor. que cumplen unas relaciones determinadas dependiendo de la región en la que se encuentre. en general se puede aproximar por I Cn. A partir de las ecuaciones anteriores se puede obtener una más que es útil cuando se trabaja con pequeñas corrientes de polarización.Operando podemos relacionar ambos parámetros de la siguiente forma: En general el parámetro α será muy próximo a la unidad1 (la corriente de emisor será similar a la de colector) y el parámetro β tendrá un valor elevado (normalmente > 100).

es decir. y a efectos de cálculo. Activa La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Saturación En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-colector se encuentran en directa. basta con que VBE=0. En general. Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-emisor del mismo.Regiones de funcionamiento Corte Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición indica que la corriente por el emisor lleva sentido funcionamiento normal). Se dejan de cumplir las relaciones de activa. y se verifica sólo lo siguiente: . Concretamente. se considera que se verifica lo siguiente: contrario al que llevaría en Donde Vγ es la tensión de conducción de la unión base -emisor (en general 0.6 voltios). Existen corrientes en todos sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector base en inversa. y a efectos de cálculo.

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores determinados (0. En un circuito determinado y bajo la acción de unas excitaciones concretas. Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan VBE con IB y VCE con IC e IB. por lo que serán de gran ayuda para localizar averías en circuitos con transistores. Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturación circula también corriente por sus tres terminales. Dicho cuarteto se denomina punto de operación (Q). Con frecuencia. pero ya no se cumple la relación: IC = β ⋅ IB Curvas características Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parámetros para determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes.8 y 0. estas curvas son facilitadas por los fabricantes. Características VBE-IB Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la tensión de polarización VBE sobre la corriente de base IB. Estas tensiones permanecen prácticamente constantes. los parámetros independientes se reducen a cuatro.2 voltios habitualmente). Estas gráficas reciben el nombre de curvas características de transferencia. . existirán unos valores de estos cuatro parámetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se polariza directamente. Aplicando las leyes básicas de resolución de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones: Por ello.

en la Región Activa. se muestran una familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base. igual que la de diodo.emisor. es una pn normal. para V CE=0 el transistor .La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo. ya que son las correspondientes a la tensión e intensidad del colector. no se dibujan más que unos valores de I B para no emborronar el gráfico. Evidentemente. y puede aplicarse dado que la unión base . a través de la relación IC=β+IB. en el plano VCE-IC la representación estará formada por rectas horizontales (independientes de V CE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para β=100). En la siguiente figura. Por lo tanto. y al polarizarla. la corriente de colector depende exclusivamente de la de base. La región de corte está representada por el eje de abscisas. Por contra. Idealmente. seguirá el mismo comportamiento que aquel. La curva representada en la figura sigue la expresión: Características VCE-IC Estas características también son conocidas como familia de colector. Para IB=0. la corriente de colector también debe ser nula.

Hasta aquí se presenta la característica ideal. Se puede comprobar que. y las curvas quedarán como representa la siguiente figura: Las diferencias son claras:  En la Región Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de la tensión colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor. si se producen pequeñas variaciones de la corriente de base (del orden de µA) esto origina unas variaciones en la corriente de colector mucho más elevadas (del orden de mA). en cierto modo.entra en saturación. para una tensión constante de colectoremisor. pero como era de esperar. la realidad es un poco más compleja.  La región de saturación no aparece bruscamente para VCE=0. de lo cual se deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes. luego esta región queda representada por el eje de ordenadas. Estas curvas representan.1V y 0.3V. Típicamente se suele considerar una tensión de saturación comprendida entre 0. sino que hay una transición gradual. la forma de funcionamiento del transistor. .

En conclusión. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de VCEO). la tensión de polarización inversa VCE debe mantenerse por encima de 0. Recta de carga del transistor Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada resistencia de carga y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. lo primero que hay que hacer es encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0). para conseguir que el transistor trabaje como amplificador de corriente. podemos aplicar la ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de carga R L.Observa que.7V). Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor común). si la tensión VCE es muy pequeña (por debajo de los 0. De esta forma obtendremos la siguiente expresión. la corriente de colector será muy débil. Para ello. trazamos la recta de carga del transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de funcionamiento. que se corresponderá con la ecuación de la recta de carga: Para dibujar esta recta sobre la cruva característica. La tensión aplicada a esta resistencia se corresponderá con la tensión total aplicada por la fuente VCC menos la caída de tensión que se produce entre el colector y el emisor VCE. en la mayor parte de las curvas.7V y por debajo de la tensión de ruptura. la tensión V CE afecta muy poco a la corriente de colector IC. Sin embargo. obteniéndose una ganancia de corriente muy baja. Para VCE=0 Para IC=0 . la unión del colector entra en la región de ruptura y éste puede llegar a destruirse.

la corriente de colector es la máxima que se puede dar para la operación de transistor.Llevando estos valores a la curva característica de colector. El punto de saturación aparece donde la línea de carga corta a la intensidad de base de saturación. sin equivocarse mucho. dentro de los límites de la recta de carga. es decir. que el punto de corte se da en la intersección de la recta de carga con el eje horizontal. En este punto. obtendremos la recta de carga para una determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC. se puede decir. El punto de corte es donde la línea de carga corta a la curva correspondiente a la corriente de base igual a cero (IB=0). punto de trabajo. punto de saturación. se puede decir que el punto de saturación aparece en la intersección de la recta de carga con el eje vertical. Haciendo una aproximación. es decir cuando VCecorte=VCC. la corriente que aparece por el colector es prácticamente nula (sólo circula una pequeñísima corriente de fuga I CEO). A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte. cuando: . Haciendo una aproximación. Dada la escasa polarización directa a que queda sometido el diodo de emisor-base.

de tal forma que la recta de carga . se busca el punto de intersección de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base. se tiene que procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia máxima. Por último. normalmente. se encuentra entre la zona de corte de saturación. Para determinar el punto de trabajo (Q) de transistor para una determinada corriente de base (IB). hay que indicar que.Para corrientes de base superiores a la de saturación se produce también el efecto de saturación en el transistor. cuando se diseña un circuito para un transistor. Esto se consigue eligiendo valores adecuados de la tensión de fuente VCC y de la resistencia de carga RL. El punto de trabajo es aquél donde el transistor trabaja de una forma normal y que.

la tensión que se le está aplicando al mismo.15mA. la intensidad de colector variará entre I C=28mA e IC=43mA. supongamos que las curvas características del transistor ensayado es la que se muestra en la figura de la izquierda. la ganancia calculada. será para esa tensión de trabajo. La ganancia se calcula así: Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra trabajando el transistor.10mA e IB=0. Para un punto de funcionamiento situado en VCE=20V. según las cruvas de la figura de la izquierda. esté siempre por debajo de la curva de potencia máxima. es decir. es esquematiza esta situación: Obtención de la Ganancia a partir de las curvas características La ganancia en corriente de un transistor se definía como la relación que se da entre la variación de la corriente d el colector y la variación de corriente de base. siendo para otra. En la figura siguiente. Como ejemplo. .trazada con dichos valores. Para determinar dicha ganancia se puede recurrir a las características del colector. y con ello. mientras que la intensidad de base lo hará entre IB=0. otra ganancia diferente de la calculada en otro punto.

para así poder determinar para qué tensiones de colectoremisor y corrientes de colector es posible trabajar con el transistor sin que se deteriore. que provoca en la misma una potencia calorífica o calentamiento. por la intensidad de colector IC. Como esta potencia se transforma íntegramente en calor. para el transistor BC107 se indica una potencia máxima de 300mW. provoca un aumento de la temperatura en el transistor que. La potencia máxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona los fabricantes en las hojas de especificaciones técnicas. Estos límites están determinados por una potencia máxima que puede desarrollar un transistor sin provocar su destrucción. Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensión V CE. debido al efecto Joule. provocará la destrucción del mismo. en el caso del transistor BC107 se deberá cumplir en todo momento la expresión: . Por esta resistencia variable circula una corriente IC. para no superar los valores límite. a partir de éstas se pueden determinar los límites de funcionamiento del mismo. en el caso de salirse de los límites admisibles. Con este dato se puede trazar una curva de potencia máxima sobre la familia de curvas de colector. (P = VCE·IC). Por ejemplo. Así. por ejemplo. que varía en función dela intensidad que se le aplique a su base IB. relativamente grande. aplicada entre el colector y el emisor.Curva de máxima potencia del transistor Una de las aplicaciones de las curvas características de un transistor. es que. Veamos en qué consiste éste fenómeno: El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor.

y la zona de trabajo. por ejemplo. y en la cual la potencia es inferior a 300mW. es donde el transistor corre peligro de destrucción por la acción del calor. Este dato aparece en las hojas de características del componente. que queda por debajo de la hipérbola. Influencia de la temperatura ambiente en la potencia máxima de un transistor La potencia máxima que puede disipar un transistor. que queda por encima de la misma (sombreado con naranja). se muestran las curvas correspondientes a la familia de colector del transistor BC107. Esta temperatura nunca debe ser superada. .Luego la curva de potencia máxima para este transistor será tal que el producto VCE·IC=0. depende de la temperatura máxima permitida en la unión colector Tj(max). el transistor BC107 posee una Tj (max) de 175ºC. ya que a partir de ella se puede destruir el transistor. en forma de calor. por lo tanto. En la figura de la derecha. y en las que se ha añadido la curva de potencia máxima. La hipérbola divide a la característica en dos zonas diferenciadas: la zona prohibida de funcionamiento. Así.3W. en la cual la potencia es mayor de 300mW y.

peor será la ventilación del transistor. de esta forma. en las hojas de características técnicas se indica la potencia máxima para una temperatura ambiente de 25ºC. . como la que se encuentra en la figura de la derecha. y por lo tanto. o aleta de refrigeración en la superficie de la cápsula del mismo. Hay que tener en cuenta que el calor producido en las uniones se conduce a través del encapsulado del transistor y se disipa al aire que le rodea. En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor. la potencia máxima es de 125mW. la potencia máxima disminuye a 50mW. se consigue que el calor se evacúe con mayor facilidad hacia el aire exterior. Cuanto mayor sea la temperatura de este aire (temperatura ambiente). En algunas hojas de especificaciones técnicas aparece la curva de reducción. menor la potencia máxima que se le puede exigir al mismo. Esta curva. Por lo general. En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habría que encontrar la potencia máxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus límites de temperatura admisibles. para 55ºC. nos indica que para una temperatura ambiente de 25ºC. se puede acoplar un disipador de calor.La potencia máxima a que puede trabajar un transistor también depende de la temperatura ambiente. Sin embargo.

PROCEDIMIENTO . 1KΩ.910Ω. 3.3KΩ.MATERIALES Y EQUIPO Una Fuente de Tensión de 0 a 15 V Un transistor 2N3904 (NPN) o equivalente 9 Resistencias de ½ W: 100Ω.2KΩ. 2. 470KΩ.LO QUE FALTA…………… .. Un VOM (Multímetro digital o analógico) III. 10KΩ.750Ω. 270KΩ.

5V 0.El circuito con el que se trabajó es el siguiente: En las mediciones prácticas se obtuvieron los siguientes resultados: Práctico VC VB VE 7.POLARIZACION FIJA DE BASE .53V 0.7V 0V Teórico 7.7V 0V .

96uA) Ic = 9.82 7.53 V .53V 9.5V 10mA 10mA 52.96μA 188.96 mA En la malla de colector Ic(750)+Vce = 15V Vce = 15V – (9.96uA Ic = B(Ib) Ic = (188)(52.7V)/(270K) Ib = 52.96mA)(750) Vce = 7.7V=15V Ib = (15V-0.96mA 9.96mA 52.96μA 188 RESULTADOS TEORICOS Si consideramos B=188 Tenemos En la Malla de base: Ib(270K)+0.VCE IC IE IB β 7.

La razón de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de corriente. La corriente de base es mucho más pequeña. el transistor opera en la región activa.CONCLUSIONES La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. generalmente menor que el 5% de la corriente de emisor. el transistor usualmente opera en las regiones de saturación y/o corte. Cuando el transistor se usa como amplificador. Cuando se usa en circuitos digitales. . y se le denota por βCD o bien por hFE.