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Universidade Federal da Bahia - DEE Princípios de Eletrônica - ENG 344 Lista de Exercícios no.

5 Amplificadores a Transistor 1) Projete um amplificador na configuração Emissor Comum com RE de modo que: o ganho de tensão AV seja em módulo maior que 5, a tensão fornecida pelo circuito de excitação AC, cuja resistência de saída é 2 KΩ, não caia abaixo de 80 % quando ele for ligado à entrada do amplificador, S(IC0) < 20 e VCC = 15 V. Parâmetros do TBJ disponível, para IC = 2 mA e VCE = 5V: hFE = β = 200, VBE = 0,7 V (na região ativa), hfe = 250, hie = 2,5 KΩ, hoe = 15 µA/V, hre = 3x10-4. Admita válido o modelo de parâmetros he simplificado. 2) Utilizando o modelo de parâmetros he simplificado deduza a expressão do ganho AV de tensão de um amplificador a TBJ na configuração Coletor Comum. Repita para o modelo de parâmetros π-híbridos. 3) Dimensione as resistências RB1 e RB2 de um amplificador a TBJ na configuração Emissor Comum, com polarização automática no ponto (5 mA, 6 V), sabendo que RE e RC já foram dimensionados de tal maneira que a reta de carga estática tenha inclinação 1,25 vezes menor em módulo que a dinâmica. O fator de estabilidade em relação a IC0 deve ser menor ou igual a 8. O sinal à entrada do amplificador não deve ser menor que metade daquele que a rede de excitação AC fornece em circuito aberto. A fonte de sinal apresenta uma resistência de 1 KΩ, VCC = 15 V e os parâmetros do transistor são: hFE = 100, VBE = 0,65 V (região ativa), hfe = 150, hie = 1800 Ω, hre = 10-4, hoe = 10 µA/V. Admita válido o modelo simplificado e assuma que RC é o resistor de carga. 4) Projete um amplificador a TBJ na configuração Coletor Comum, de tal modo que a resistência de entrada Ri'= vi/is seja maior que 5 KΩ e o coeficiente de estabilidade da polarização em relação a IC0 seja menor que 10. Utilize uma fonte de 20 V e polarize em IC = 5 mA e VCE = 7 V. O transistor apresenta como parâmetros: β = 100, VBE = 0,65 (na região ativa) e inclinação das características de saída na configuração Emissor comum de aproximadamente 10-5 A/V na região ativa. Adote o modelo de parâmetros π-híbridos. 5) Observe o amplificador da Fig.5 que foi implementado com o mesmo TBJ da questão anterior: a) Identifique a configuração do amplificador. b) Através da análise da rede, deduza a expressão da resistência de entrada Ri'= vi/is na operação com pequenos sinais segundo os modelos de parâmetros he e π-híbridos. c) Sabendo que medidas precisas indicaram um ganho AVS = vo/vs de apenas 5 % do ganho AV = vo/vi, estime o valor de RS. d) A freqüência mínima de operação é 500 Hz. Dimensione CB.

A freqüência mínima presente no sinal de entrada seja de 300 Hz. Ri' > ou = 2 KΩ e a excursão máxima do sinal na saída seja de pelo menos 8 V pico-a-pico. hfe = 200. RE = 246 Ω. os valores típicos de parâmetros he para operação com pequenos sinais em baixas freqüências são: hie = 16 KΩ.2 KΩ.10 KΩ 1800 Ω IC =5 m A CS RS + + 3167 Ω CB + vi - 20 V 800 Ω vS Fig. RC RB1 RS RB2 + vI - RL RE iS vs Fig. hre = 10-4 e hoe = 10 µA/V. hre e hoe muito pequenos.5 KΩ. RB2 = 5 KΩ e RS = 50 Ω. RB1 = 45 KΩ. RL = 1.5 mA e VCE = 5 V são: hFE = 100.5 KΩ. hie = 2. 7) Deduza a expressão e determine o valor numérico da resistência de entrada Ri’ = vi/is do amplificador a TBJ na configuração base comum da Fig. VBE = 0. S(IC0) < 10.7 . Sabe-se que RC = 2. a tensão DC da fonte de alimentação é de 15 V e as características do TBJ NPN a ser utilizado para IC = 1. hfe = 399.7.5 6) Projete um amplificador a TBJ na configuração emissor comum tal que: o módulo do ganho de tensão seja maior que 100. Assuma que no ponto de polarização obtido através deste circuito.6 V (região ativa).

RC = 500 Ω.(b). a) Determine o ponto de polarização: IC. RE = 2. . b) Determine o mínimo valor de RL para que o ganho de tensão AVS = vo/vs seja igual ou superior a 90 % do observado em circuito aberto (RL → ∞) RB RS RC vS RE + vO - RL Fig.64 vezes a inclinação da reta de carga dinâmica b) Dimensione RB1 e RB2 para obter S(IC0) < 20 (suponha IC0 desprezível). O TBJ NPN apresenta as características de saída na configuração emissor comum ilustradas na Fig. VBE = 0. a queda de tensão sobre o resistor de emissor RE é igual a 1 V.8 9) No amplificador da Fig. hre e hoe muito pequenos.6 V na região ativa.(a). o ponto de polarização é tal que os parâmetros híbridos he.2 KΩ. apresentam os seguintes valores: hie = 1500 Ω. hfe = 250.9.8) No amplificador a TBJ na configuração coletor comum (seguidor de emissor) da Fig.9. Explique o procedimento. VCC = 5 V. IB e VCE de modo que a inclinação da reta de carga estática resulte 0. a) Deduza a expressão da resistência de saída Ro’ = vo/(-io)| vs = 0 e calcule seu valor numérico. RB = 10 KΩ e RS = 1 KΩ.8.7 KΩ. que modelam a operação do dispositivo com pequenos sinais em baixas freqüências. Sabe-se que RC = 2. c) Estime o valor do parâmetro hoe no ponto de polarização calculado.

5 V 1 mA VCE (V) (b) Fig.RB1 RS RC RB2 RE (a) IC (mA) IB =45 µA 38 µA 30 µA 24 µA 18 µA 12 µA 7 µA 2 µA 0.9 .

0 V e n = 1.25 V. então RE = 1. Utilize o dispositivo da questão no 4. .11 são geometricamente idênticos. n = 4/3. VGGA = 2 V. para os MOSFET’s canal N ou P.RE) > 8 KΩ.5 e 1.005.927 KΩ e 10 KΩ < RB < 39. (W/L)A = 10.12 12) Determine o ganho de tensão vout/vin em circuito aberto do amplificador da Fig.250 KΩ < RB < 2. A fonte DC disponível é de 20 V. |VT0| = 1. R’i = 34. RC = 1. c) RS = 95. (W/L)1 = 50.240 KΩ < RB < 10. RB/RE < 21.667 KΩ. RB1 = 50 KΩ.7 ΚΩ. MB e MC são muito longos. Determine o ganho de tensão vout/vin (pequenos sinais) do amplificador inversor “push-pull”. Ex: para RC = 2. RE = 1. sabendo que o sinal de entrada varia entre –1. Assuma que µC’ox = 200 µA/V2. indistintamente. desprezando a CLM. RC > 2.44 KΩ.5 V MB vOUT vIN MA VGGA VSS = -2. Considere todos os MOSFET’s em inversão forte. sabendo que MA.089 KΩ e 5. |VT0| = 1.12.34 nF. CS >> 233.11 Fig. a resistência de carga é de 2 KΩ e a freqüência de operação mínima é de 200 Hz. Considere todos os MOSFET’s em inversão forte.879 KΩ.9 KΩ. em circuito aberto. (W/L)C = 3(W/L)B. em torno da origem (vIN = 0). tal que a impedância de entrada seja maior que 500 MΩ. o ganho de tensão em relação ao sinal aplicado a porta seja superior a 15 e a excursão máxima na saída seja de pelo menos 10 V pico-apico. µC’ox = 300 µA/V2.43 nF. 11) Sabendo que os MOSFET’s canal N e P da Fig.10) Projete um amplificador a JFET na configuração FONTE COMUM.136 Ω.5 V vIN M1 MC vOUT Fig.08 nF. e que para ambos estimam-se os seguintes valores de parâmetros: λ = 0. Ex: RC = 3. VDD = 5 V VDD = 2. Ex: para RC = 1500 Ω.23 KΩ.5 KΩ.05 V-1.RC + 1255. d) CB >> 132.01 V-1 (para os comprimentos de canal atribuídos). então RE = 3. RB2 = 12. 2. e que λ1 = 0.099. Respostas: 1) 3) 4) 5) 6) 7) RC + 1. RE = 356. 250.708 KΩ.RE > 12500 Ω.406 Ω.0945 KΩ. RB//(2500 + 251.RE = 5000 Ω. CE >> 135.5 V.4 Ω. Determine a máxima excursão simétrica pico-a-pico que pode ter o sinal de saída.

076 Ω.564 Ω.6 mA.2 V. ATENÇÃO: Em todas as questões sobre amplificadores em que não for mencionado o resistor de carga. VCE = 2. a) IB = 12 mA. assuma que é o próprio resistor de polarização na saída do amplificador que funciona como carga.635 KΩ. assuma η = 1 e VT = 25 mV.8) 9) a) R’o = 9. Nas questões em que se deve adotar o modelo π-híbrido. b) RB < 5. c) hoe ≅ 11. b) RLmin = 86. . As questões de projeto admitem infinitas soluções. IC = 3.11 KΩ. Nas respostas pode aparecer uma sugestão.