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UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA ESCOLA POLITÉCNICA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

DIPOSITIVOS ELETRÔNICOS - ENG C41 PROFESSORA:

SEMESTRE - 2009.1

ANA ISABELA ARAÚJO CUNHA

PLANO DE ENSINO

OBJETIVOS O curso objetiva introduzir o estudante de engenharia elétrica no reconhecimento das propriedades dos principais dispositivos semicondutores e na análise de circuitos eletrônicos simples. Ao final do curso o estudante deverá estar apto a: identificar propriedades dos materiais semicondutores e os fenômenos de condução através de uma junção PN; aplicar modelos comportamentais DC e AC; compreender os conceitos de polarização e reta de carga; analisar e projetar circuitos eletrônicos aplicativos simples.

ESTRUTURA DO CURSO O curso está dividido em diversos tópicos, detalhados no item a seguir (Programa da Disciplina). Ao longo do curso, os dispositivos semicondutores são inicialmente apresentados do ponto de vista estrutural; em seguida seu comportamento físico é descrito graficamente e modelado e, finalmente, o dispositivo é focalizado como elemento de circuito, dando-se ênfase a suas aplicações principais. Desta forma, o conteúdo da disciplina ganha um enfoque consistente com a área de engenharia e o perfil de profissionais que se deseja formar. As atividades experimentais a serem realizadas na disciplina Laboratório Integrado III contribuirão para a fixação deste conteúdo teórico e para a ampliação dos limites de compreensão do estudante. Fica a cargo do estudante a revisão de tópicos abordados nos prérequisitos que porventura sejam aplicados na disciplina.

4) Transistor de Unijunção Noções sobre Tiristores XIII. O aprendizado se estende a períodos extra-classe que deverão ser utilizados para a leitura da bibliografia recomendada (item Bibliografia).3) Amplificação de Sinais .1) Circuitos discretos X.2) JFET XII.5) Fotodiodo VI.1) Parâmetros característicos XI. Qualquer modificação neste planejamento deverá ser realizada em comum acordo com os alunos do curso.2) Análise de circuitos com diodo ponto de operação e reta de carga IV.1) Estrutura III.1) Diodo Túnel VI.2) Fonte de Corrente IX.1) Estrutura e característica V.4) Corrente na junção PN III.2) Região ativa VII.3) Modelo para operação com pequenos sinais IV.3) Carga Ativa IX.4) Célula Solar VI.3) Tiristores bidirecionais IX) III) IV) X) XI) V) XII) VI) XIII) VII) VIII) METODOLOGIA DE ENSINO O curso será ministrado através de quatro horas semanais de aulas expositivas.1) Chave IX. para a resolução de exercícios e.1) Característica volt-ampère e modelos IV.1) Estrutura e condições de operação VII.3) Varactor VI.1) Estrutura básica XIII.5) Multivibradores IX.2) Acoplamento capacitivo XI.3) Polarização da junção PN III.3) Características volt-ampère e modelos Aplicações Básicas de Transistores IX.2) Diodo Schottky VI.2) Regiões de Operação VIII.6) Retas de carga estática e dinâmica Outros Transistores XII.5) Outras aplicações Diodo Zener V.3) Fototransistores XII. FORMAS DE AVALIAÇÃO Para a avaliação do aprendizado dos assuntos serão aplicadas três provas escritas: 1) Primeira prova escrita (tópicos II a VI) 2) Segunda prova escrita (tópicos VII a X) 3) Terceira prova escrita (tópicos XI a XIII) Dependendo da disponibilidade de tempo.3) Limitador de tensão a diodo Zener Outros Diodos VI. .4) Densidades de corrente Junção PN III.5) Efeitos capacitivos na junção PN Diodo Semicondutor Comum IV.PROGRAMA DA DISCIPLINA I) II) Apresentação do curso Teoria de Semicondutores II.6) LED Transistor Bipolar de Junção (TBJ) VII.5) Células básicas de amplificadores de pequenos sinais a TBJ e a FET XI. resolvidos em sala de aula e propostos aos alunos. eventualmente. para a execução de trabalhos em que será enfatizada a aplicação de ferramentas computacionais (“softwares” matemáticos e simuladores de circuitos) para a caracterização de componentes e para a análise e concepção de circuitos eletrônicos.4) Espelho de Corrente IX.2) Regulador de tensão simples V. A média final será calculada através da média aritmética de todos os elementos de avaliação.3) Concentração de portadores de carga II.1) Variações de MOSFET XII.noções Circuitos para Polarização de Transistores X.2) Semicondutores dopados II.1) Estrutura do MOSFET de enriquecimento VIII. poderá ser também proposto como elemento de avaliação um trabalho envolvendo aplicação de ferramentas computacionais.2) Polarização em circuitos integrados Amplificadores Lineares de Pequenos Sinais XI.4) Metodologia para a análise XI. alternando-se conteúdos teóricos e exercícios de aplicação.4) Retificação de sinais IV.1) Semicondutores puros II.2) Potencial da barreira III.2) Tipos especiais XIII.3) Modelos de pequenos sinais XI.3) Características volt-ampère e modelos Transistor de Efeito de Campo MOS (MOSFET) VIII.

Paul GRAY & Campbell SEARLE. Robert BOYLESTAD & Louis NASHELSKY. Prentice Hall do Brasil.BIBLIOGRAFIA BÁSICA: 1) “Microelectronic Circuits”. Ned MOHAN. Man TYAGI. COMPLEMENTAR: 5) “Microeletrônica.A. Jacob MILLMAN & Christos HALKIAS.Retificação Diodo Zener Seminário de Avaliação do Curso Diodo Zener .1”.1 .Regulação 02-04 07-04 09-04 14-04 16-04 21-04 23-04 28-04 30-04 Outros Diodos Exercícios Primeira Avaliação Quinta-feira Santa Transistor Bipolar de Junção Circuitos de Polarização de Transistores Tiradentes Circuitos de Polarização de Transistores Transistor de Efeito de Campo MOS Data 05-05 07-05 12-05 14-05 19-05 21-05 26-05 28-05 02-06 04-06 09-06 11-06 16-06 18-06 23-06 25-06 30-06 16-07 Assunto Transistor de Efeito de Campo MOS Aplicações Básicas de Transistores Aplicações Básicas de Transistores Exercícios Segunda Avaliação Amplificadores Lineares de Pequenos Sinais Amplificadores Lineares de Pequenos Sinais Amplificadores Lineares de Pequenos Sinais Amplificadores Lineares de Pequenos Sinais Outros Transistores Noções sobre Tiristores Corpus-Christi Noções sobre Tiristores Exercícios São João Exercícios Terceira Avaliação Prova Final . 7) “Power Electronics: Converters. Applications. Prentice-Hall do Brasil. Oxford University Press. CRONOGRAMA (PREVISÃO APROXIMADA) Data 03-03 05-03 10-03 12-03 17-03 19-03 24-03 26-03 31-03 Assunto Apresentação / Teoria de Semicondutores Reunião de Departamento Junção PN Diodo Semicondutor Comum Diodo Semicondutor Comum . 6) “Introduction to Semiconductor Materials and Devices”. Inc. Adel SEDRA & Kenneth SMITH.Eletrônica Básica / Física dos Semicondutores”. ROBBINS. Mark HORENSTEIN. Livros Técnicos e Científicos Editora S. Tore M. 3) “Princípios de Eletrônica vol. John Wiley & Sons. UNDELAND.Retificação Diodo Semicondutor Comum . 2) “Eletrônica vol. and Design”.Circuitos & Dispositivos”. John Wiley & Sons. 4) “Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos”. McGraw-Hill. William P.