SUMARIO LECCIÓN 2 TRANSISTORES

Introducción Transistores Electrodos del transistor Transistores P-N-P y N-P-N Ganancia de corriente El transistor como amplificador Aplicaciones del transistor Autopolarización del transistor Estabilización de la autopolarización Circuito de autopolarización con resistencia en emisor Curvas características de los transistores Recta de carga Polarización y obtención del punto de trabajo Cálculo de redes de polarización de base y RE Compensación de la ganancia Configuración de circuitos básicos Amplificador de emisor común a masa Amplificador de base común a masa Amplificador de colector común a masa Características de los transistores Resumen

CONOCIMIENTOS PRÁCTICOS ASPECTOS Y CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES
Introducción Transistores, su constitución Aspecto e identificación de los electrodos de los diodos y transistores Límites funcionales del transistor Denominación de los transistores

TRABAJOS PRÁCTICOS
REGULADOR DE TENSIÓN TRANSISTORIZADO.
  INTRODUCCIÓN En la lección anterior has estudiado los semiconductores, la barrera de potencial, la polarización directa e inversa, etc. Con esos conocimientos, podrás adentrarte en la base de estudio de los transistores y sus aplicaciones. No tengas prisa por aprender, ya que este es un elemento muy importante en electrónica y deben quedar claros varios conceptos que se describan. Al final del tema realizaremos una práctica en la cual construiremos un regulador de tensión transistorizado; primera parte de un conjunto de prácticas destinadas a crear un banco de pruebas electrónico para nuestras prácticas personales. TRANSISTORES Un transistor es un componente activo que tiene 3 terminales o patillas de conexión, donde 2 de ellos corresponden a la entrada y 2 a la salida. Por lo tanto, según esto, hay 1 terminal que es común a la entrada y a la salida. Se le dice activo porque es capaz de amplificar una pequeña señal variable que se aplique a su entrada, obteniendo en su salida esa misma señal modificada en amplitud. En la figura siguiente se muestra un transistor representado en forma de rectángulo. Este rectángulo está dividido en tres partes, que son trozos de semiconductor de tipo P, otro de tipo N y otro de tipo P. También puede ser del tipo N, tipo P y tipo N. Con la reunión de las 3 partes, se forman 2 uniones, la 1-2, y a 2-3, y precisamente en las características que estas uniones ofrecen está el secreto del transistor.

En la figura que viene a continuación puedes ver el funcionamiento del transistor.

En los transistores puedes ver que se les agregado 2 baterías Veb y Vcb junto con 2 interruptores Le y Lc. Cuando se cierra el interruptor Le, la unión 1-2 queda polarizado directamente ( A ) con la batería Veb, ya que el semiconductor tipo P está conectado al terminal positivo Veb ( tensión emisor-base ). Se produce una corriente hacia el terminal 2, atraída por el terminal negativo de Veb ( b ). Cuando se cierra Lc y Le permanece abierto

el cristal N-P queda polarizado inversamente con la batería Vcb (tensión colector - base), por lo que se produce la pequeñísima circulación de cargas de sentido inverso (corriente de fuga), tal y como vimos en la lección anterior (C). Si se cierran los interruptores Le y Lc simultáneamente (D), se polarizan las 2 uniones, la primera 1-2, en sentido directo y la segunda, en sentido inverso. Pero aquí ocurre algo especial. La tensión Vcb es superior a la tensión Veb por lo que la mayor parte de los electrones que fluyen desde el cristal P al cristal N, no serán absorbidos por el cristal N ó la batería Veb, sino que serán atraídos por la mayor diferencia de potencial de la fuente Vcb por lo que se dirigirán a través del cristal 3 hacia el negativo de la fuente Vcb, atravesando la unión 2-3 sin ningún problema de resistencia. Esta misma corriente tiene el mismo sentido que la débil corriente de fuga que se producía en la figura C; por tanto se suma a esta corriente de fuga la gran cantidad de corriente. En la práctica, no se considera que la corriente que sale del emisor acabe toda en el colector, sino que una pequeña corriente directa es atrapada por la base, pero esta corriente es pequeña en comparación con la otra corriente, por lo que, de momento, la despreciaremos para el estudio. Se calcula que de un 92% a un 98% de los electrones procedentes del cristal 1, llegan al cristal 3, y que el resto es absorbido por la base.

ELECTRODOS DEL TRANSISTOR Los distintos electrodos del transistor cumplen una función bien específica en el funcionamiento de los mismos. Así el semiconductor 3 "recopila" la pequeña corriente de fuga y la que roba del cristal 2 procedente del cristal 1. Por lo que se le da el nombre de Colector. El semiconductor 1, entrega la corriente que se divide hacia los cristales 2 y 3. Se le conoce como Emisor. El semiconductor 2, sirve como base para vincular a los otros 2 cristales, por lo que se conoce como Base. Ahora puedes comprender la nomenclatura que se utiliza para designar las fuentes de alimentación Veb y Vcb (tensión emisor-base y tensión colectorbase). TRANSISTORES P-N-P Y N-P-N Los transistores reciben el nombre de acuerdo a la polarización que tiene el semiconductor que integra el emisor, la base y el colector. En el dibujo anterior el transistor es un P-N-P porque el emisor es del tipo P, la base del tipo N y el colector del tipo P. Pero podría ser que el emisor fuese del tipo N, la base del tipo P y el colector del tipo N, siendo el transistor del tipo N-P-N. Las 2 clases de transistores tienen un símbolo muy parecido, la única diferencia es que la flecha que designa al emisor, tiene una posición de salida cuando es NPN y de entrada cuando es PNP (figura anexa). En el tipo PNP, la flecha del emisor, tiene sentido de desplazamiento de las cargas de huecos ( cargas positivas ); la raya vertical representa la base, y el otro terminal sin flecha, el colector. NOTA: Tengo que comentar, que hasta ahora he descrito el funcionamiento en sentido convencional, recuerda que el sentido convencional es aquel que la corriente se desplaza de positivo a negativo, aunque realmente es al contrario. RECUÉRDALO.

GANANCIA DE CORRIENTE Por simple deducción has visto que la corriente que sale del emisor vuelve por el colector, y que una pequeña parte sale por la base. Por tanto se puede decir que:

Ie = Ic + Ib
Puesto que el valor de la corriente a través de la unión 2-3 ( Ic ) depende de la corriente que se establece en la unión 1-2 ( Ie ), podemos definir una relación entre ellas. Esta relación se la conoce como Coeficiente de ganancia estática de corriente, y se representa por la letra griega α. La corriente de emisor es la suma de las corrientes de base ( Ib ), y la corriente de colector ( Ic ), y sabemos que la corriente por la unión 2-3 es menor que la que se establece por la unión 1-2, por tanto sabemos que el coeficiente de ganancia de corriente estática es menor que 1:

α = Ιc / Ie
Su valor está comprendido entre 0,98 y 0,99. De la reducción anterior nos queda que Ic = Ie * α Y como Ib es la diferencia entre Ie e Ic, Ib = Ie - Ie * α = Ie (1 - α)

EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR Antes de empezar con este tema conviene repasar la diferencia entre corriente y tensión. Es importante tener claro que la tensión que se aplica a 2 puntos está en esos 2 puntos. Una tensión puede tener una tensión determinada con respecto a un punto, y otra diferente con respecto a otro punto. La corriente circula por cada punto del circuito. Estos conceptos están relacionados estrechamente; si aplicamos una diferencia de tensión, entre 2 puntos de un circuito, va a circular una corriente proporcional a su resistencia, por lo que cuanto más baja sea la resistencia, mayor será la intensidad. (Repasa Ohm) La amplificación puede ser de tensión, de corriente o de ambas a la vez. en cualquier caso se amplifica la potencia, ya que la potencia disipada en un circuito es el producto de la tensión aplicada por la intensidad que circula por

dicho tramo. En los transistores es muy normal que se amplifique la corriente. En el transistor, la corriente Ic = Ie * α, se puede modificar variando la polarización emisor - base. NOTA: A partir de ahora hablaremos de la los cristales semiconductores de la siguiente forma: al semiconductor emisor - base, le llamaremos diodo emisor y al semiconductor base-colector, diodo colector. En la figura siguiente se muestra un transistor en el cual la entrada al circuito está dada entre el emisor y la base, y la salida entre la base y el colector.

En la figura de la izquierda se observa la entrada y la salida, y en la derecha, se observa el circuito en sí con sus valores y sus formulas. La explicación es la siguiente: La unión emisor y base ofrece muy poca resistencia al paso de la corriente (polarización directa). Pero esa resistencia va a aumentar o disminuir de acuerdo al potencial negativo que tenga el emisor respecto a la base. Desplazando el cursor del potenciómetro de la figura de la derecha, desde el terminal positivo hasta el negativo, la corriente Ie, va a aumentar, al reducirse la resistencia entre el emisor y la base.

Y como Ic = Ie * α, también va a aumentar. Si el desplazamiento del cursor fuera contrario (de negativo a positivo), la corriente Ie disminuye, y la Ic también. De todo esto deducimos que modificando el potencial emisor - base, controlamos la intensidad de colector. También el potencial base - colector influye en el valor de la corriente Ic. Si dicho potencial aumenta, la corriente Ie* α, aumenta, ya que el campo eléctrico del colector robará mas electrones de la corriente Ie. Veamos todo con un ejercicio. Para el ejercicio nos fijaremos en el dibujo de la derecha. Debido a la polarización directa del diodo emisor, la resistencia del mismo es de unos 300 ohmios (valores aproximados de polarización), por lo que las pequeñas variaciones de la tensión base - emisor producen aumentos notables en Ie. La resistencia del diodo colector (unión base - colector) es alta por la polarización inversa (unos 100.000 ohmios). Le intercalamos una resistencia Rc, de carga de 5000 ohmios. Desplazando el cursor Pot, hasta que la tensión Eeb sea de 0,7 voltios (momento en el cual el diodo emisor empieza a conducir), según el fabricante, este transistor tiene una corriente de emisor de 1,5 miliamperios. Si el coeficiente de ganancia estática es de 0,95 calculamos la Ic como: Ie = Ie* α, por tanto; 0,0015A = Ic * 0,95 = 0,001425. La corriente de base es de Ie= Ib+Ic, Ib = Ie - Ic => Ib = 0,0015 - 0,001425 => Ib = 0,075A. En la resistencia de carga se producirá una caída de tensión de: Vrc = Rc * Ic => 5000 ohmios * 0,001425 A = 7,12 voltios. Si ahora variamos el cursos Pot, para que el potencial del diodo emisor sea de 0,707V, los valores cambian a: Ic = 2,185 mA Ib = 0,115 mA VRc = 10,92 V De todo esto hemos deducido que: •  Con una pequeña variación de tensión en el diodo emisor, en la carga se  obtiene una gran variación de tensión, la ganancia de tensión es de:                                                                      Vc / Vbe  =  3,8 / 0,007 = 542 

•  Con una pequeña variación de corriente del diodo emisor, obtenemos una  gran variación en el diodo colector, por tanto la ganancia de coriente es de:                                                                     Ic / Ib = 0,760 / 0,04 = 19  Has podido comprobar el funcionamiento del transistor. Cualquier variación  por pequeña que sea en el diodo emisor, produce una mayor variación en el  diodo colector, efecto que se puede considerar como amplificar una  magnitud.   APLICACIONES DEL TRANSISTOR Este elemento ha revolucionado la electrónica en general, tanto ha sido la revolución que no existe circuito, por básico que sea que no disponga de algún transistor. El transistor reemplazó rápidamente las antiguas válvulas de vacío, cuyo funcionamiento es similar al del transistor. Entre los motivos de su uso están su tamaño y peso, son muy inferiores a las de las válvulas. No necesitan precalentarse (las antiguas válvulas necesitaban un precalentamiento para funcionar en condiciones ambientales). El transistor puede trabajar como amplificador de tensión, corriente, o potencia y además puede trabajar en frecuencias bajas y en altas frecuencias. También trabaja en circuitos osciladores con un buen rendimiento. Son muchas las aplicaciones del transistor bipolar, pero actualmente se está dejando de utilizar debido al avance del transistor de efecto de campo, que mas adelante estudiaremos, y a los circuitos integrados que ya ofrecen cualquier tipo de circuito, con pocos elementos adicionales. AUTOPOLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR Hasta ahora has podido ver que para polarizar las 2 uniones de los diodos emisor y colector se usaban 2 pilas o fuentes de tensión. Eso en la práctica no es nada rentable, por lo que se recurre a redes de auto alimentación. Esas redes son perfectamente un divisor de tensión. En la figura puedes ver un divisor de tensión formado por 2 resistencias R1 y R2. Si aplicamos una tensión a las resistencias, tal como se muestra en la imagen, se va a desarrollar una corriente por el interior de cada resistencia, lo que desarrollará una caída de tensión en función de los valores de las resistencias; así como en equivalencias, V1 es la tensión del diodo colector y V2 es la tensión del diodo emisor, se necesita que la tensión del diodo emisor sea menor que la del diodo colector, por lo que en R1 deberá de caer más tensión que en R2. Imagina que el valor de R1 es de 900 O, y que el valor de R2 es de 100 O. Si

aplicamos una tensión de 10 Voltios, va a circular por el circuito formado por R1 - R2, una corriente de 10 mA. Esa corriente al pasar por R2, produce una caída de tensión de 1 voltio; sin embargo al pasar por R1, produce una caída de tensión de 9 voltios. Ahora bien, como las resistencia de polarización están en paralelo con los diodos emisor y colector ( Vbe y Vcb ), la tensión que cae en la resistencia es la tensión aplicada al diodo correspondiente. en la siguiente figura te muestro como está diseñado un circuito con auto polarización del transistor. Este circuito de auto polarización de base, en la práctica no da buenos resultados, ya que cualquier variación de temperatura ocasiona el aumento o disminución de las corrientes normales del transistor en reposo, las cargas minoritarias. Este aumento o disminución se llama deriva térmica, y es producida por el calor, ya que el calor afecta a los componentes físicos resistivos. Como puedes imaginar necesitamos que la tensión de emisor sea lo más inestable posible en ciertos casos, con lo cual, veremos cómo estabilizar está tensión.

ESTABILIZACIÓN DE LA AUTO POLARIZACIÓN El problema planteado anteriormente se resuelve modificando el circuito de auto polarización de base. en el esquema se ve como se conecta R1 directamente al colector, en lugar de a la fuente de alimentación VCC. Con este circuito, cualquier aumento indebido de la corriente por efecto del calor, dará lugar a una mayor caída de tensión en Rc, disminuyendo la tensión del colector, por lo que la tensión de base tenderá a disminuir, haciendo que baje la corriente de base. En consecuencia, se produce una disminución de la corriente de colector

desapareciendo el problema que aparecía por el aumento de temperatura. Hay que decir que no se suele usar esta configuración y que se utiliza otro método más eficaz para combatir el aumento de temperatura.

CIRCUITO DE AUTO POLARIZACIÓN CON RESISTENCIA EN EMISOR Este circuito incorpora una nueva resistencia Re en el emisor. que desarrolla una diferencia de potencial entre sus extremos debido a la corriente de emisor. Debido a esta nueva tensión Ve, tendremos que modificar el divisor formado por R1 y R2 para que obtengamos una mayor Vb y conseguir que la Vbe sea constante. Imagina, por ejemplo que la tensión Vbe es de  0,7 voltios, y en la Ve, aparecen 0,5 voltios. Para  que el transistor esté bien polarizado, habrá que  aumentar la tensión del diodo emisor en 0,5  voltios para que siga existiendo una diferencia  de 0,7 voltios entre la base y el emisor.   Esto se consigue modificando de nuevo el valor del divisor de tensión R1 y R2. El sistema será eficaz si se consigue que el valor óhmico de R2 asegure una estabilización de la tensión de diodo emisor ( recuerda que la tensión del diodo emisor es la de la polarización de base - emisor ), al producir una diferencia de potencial que alimente al diodo emisor y a la Re para obtener Ve. La corriente de colector debe ser mayor que la de base, por lo que la corriente que pasa por R2, se hace que sea una quinta parte de la corriente de colector, y la caída de tensión en Re, debe ser la quinta parte de la tensión de colector Vc. Si por cualquier circunstancia anómala, aumenta la tensión del transistor, aumentaría la tensión Ve, y como la tensión Vb, que es la tensión que cae en R2, se permanece constante, disminuye la tensión en el diodo emisor, por lo que se corrige esta tendencia de aumento de corriente a través del transistor.

CURVAS CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES De acuerdo con los que vas estudiando te vas dando cuenta de que tiene varias formas de trabajar de acuerdo a los valores de tensiones que se aplican a sus electrodos. Estos comportamientos se pueden representar en unos gráficos que reunen una serie de curvas sobre un sistema de coordenadas, curvas que permiten determinar y establecer el funcionamiento del transistor. En la figura siguiente se te muestra dicho gráfico con dichas curvas:

En A, se representa la variación que produce la intensidad de colector en función de la intensidad de base. Como verás la variación no es lineal, sino que a mismas variaciones de Ib, no corresponden iguales variaciones de Ic en la curva.

En B, se presenta la variación de Ic en función de la variación de la tensión base-emisor. La curva D, relaciona la variación de tensión del diodo emisor ( Vbe ), con la corriente de base. Las distintas curvas representada en la figura C, es la mas importante de todas las curvas. Se la conoce como características del colector y relaciona la corriente de colector con las variaciones de tensión del mismo colector para las distintas corrientes de base. En la figura siguiente se aprecia la llamada curva de máxima disipación, que nos indica que cuando fijemos el punto de funcionamiento del transistor, nunca podremos hacerlo en la zona exterior a la curva, ya que el transistor disiparía más calor del que podría soportar. Como ves, esta máxima potencia disipable (Vce * Ic ) se puede dar con mucha tensión Vce (punto A ), o mucha Ic y poca Vce ( punto D ). La curva de máxima disipación te da un margen de seguridad para que no se queme el transistor, ya que, como elemento activo, el exceso de corriente eléctrica a su través produce ese efecto térmico. Teniendo la curva de potencia, se puede calcular la potencia que va a disipar el transistor aplicando métodos que más tarde estudiarás. RECTA DE CARGA Se denomina recta de carga a la línea que debemos trazar en la gráfica de Vce / Ic (curva de características de colector) y que nos servirá para poder determinar su funcionamiento dinámico, es decir su comportamiento con señal variable, ya que hasta ahora lo hemos estudiado solo con alimentación continua (polarización). Esta recta también nos servirá para determinar su punto de trabajo o polarización en continua.

La recta de carga nos vendrá definida por los puntos Y y Z, que a su vez son determin ado por la resistenci a de carga Rc y la tensión de colector de la siguiente manera: Punto Y:Es la corriente que pasa por el colector ( Ic ) dl transistor cuando este se encuentra a la saturación. La saturación es el estado de máxima conductividad debido a la máxima corriente de base que puede circular por ella ( Vbe = máxima ). Esta magnitud será delimitada por la resistencia de colector Rc. Aplicando la ley de Ohm, nos da que el valor de la corriene de colector en este punto es de: Ic = Vcc / Rc ( 1500 óhmios por ejemplo ) = 10 V / 1500 óhmios = 6,6 mA. Punto Z:Es la tensión colector - emisor ( Vce ) que se obtiene cuando al no circular ninguna intensidad por la base, el transistor se encuentra al abierto. Este estado es similar a un circuito abierto ( Si no se aplica corriente a la base, no se puede polarizar inversamente el diodo colector ). De esta manera, cuando la corriente de colector Ic es cero, la tensión en el colector es máxima, ya que no hay ninguna caída de tensión en Rc. Cuando la conducción es máxima ( en saturación ), la caída de tensión en el transistor es practicamente nula ya que su resistencia interna tiende a cero, por la Ic será la permitida por Rc. POLARIZACIÓN Y OBTENCIÓN DEL PUNTO DE TRABAJO Fijando sobre la recta de carga de la figura anterior, los puntos donde se cortan en la recta de carga los valores de corrientes de base de entrada, se obtiene la tensión de la tensión colector - emisor y la Ic que circulará. Por ejemplo: La línea de 35 micro Amperios que llega al punto N, nos indica que la tensión Vce es de 4,9 Voltios, y la Íc es de 3,5 mA. Si inyectamos una señal variable,

de forma sinuidal, a la base, Ib se modificará en cada semiciclo. En el eje vertical de la gráfica de coordenadas se obtiene unas esas variaciones de Ib, pero en la componente de Ic, por lo que el resultado es son amplificadas. De igual manera en el eje horizontal se obtienen esas señales pero amplificadas en la tensión de Vce. CALCULO DE REDES DE POLARIZACIÓN DE BASE Como puedes ver, ya hemos determinado la corriente de base necesaria para el correcto funcionamiento del transistor como amplificador. Solo nos queda producir una tensión en el diodo emisor para que, por medio de redes se produzcan los 35 micro amperios a través de la resistencia interna de del diodo emisor. En la hoja de características de los transistores te vienen datos de funcionamiento de los mismos, como su máxima tensión de colector - emisor, su máxima corriente de entrada, tensión y como el valor de sus resistencias internas. Fijandonos en la resistencia de un ransistor cuyo valor es de 500 óhmios, calculamos la tensión del diodo emisor ( Vbe ). Vbe = Rbe * Ib = 500 * 0,000025A = 0,0125V Si al circuito de polarización le quitamos R2 y dejamos el valor resistivo del diodo emisor, podemos apreciar que R1 deberá absorver el resto de la tensión de alimentación del colector, ya que en el ejemplo, R1 está conectado al colector. Por lo tanto: R1 = [Vce - Vbe] / Ib = [4,9 V - 0,0125 V] / 0,000025 A = 195500 óhmios = 195Kohm. En la figura de la izquierda se observa este circuito. El condensador C1bloquea la componente continua y deja pasar la señal alterna que deseamos amplificar. De esta manera el condensador aisla la polarización de base de la corriente continua, e impide que se vea afectada por cualquier circunstancia anterior al punto C1. Para sacar esta misma señal alterna pero amplificada, se recurre a otro condensador C2. Este condensador aisla la tensión continua que podría haber mas allá de C2.

En el dibujo de la derecha, se puede ver el circuito con autopolarización y estabilización por resistencia en emisor Re. De acuerdo a lo estudiado, la corriente por la resistencia de base R2 ( y por tanto a través de R1 ), debe ser un quinto de la coriente de colector, por lo que: IR2 = Ic / 5 = 3,5 mA / 5 = 0,7 mA. Como la corriente de base es muy pequeña con relacción a esta otra de polarización, la resistencia total del divisor será de: R1 + R2 = Vcc / IR2 = 10V / 0,007A = 14285 Ohm. = 15Kohm. Para obtener la Ie podemos despreciar la Ib y considerar Ie practicamente igual a la Ic ( Ie = Ic + Ib ), por lo que para el cálculo de Re tomaremos esta misma intensidad. Recuerda que la tensión en Re debe ser un quinto de la tensión de colector, por lo que: Ve = Vc / 5 = 4,9V / 5 = 0,98V. el valor de Re será: Re = Ve / Ie(=Ic) = 0,98V / 0,0035A = 280 ohm. Sabemos que para obtener 25 micro amperios por la base, la tensión del diodo emisor debe ser de 12,5 mV, si la tensión en el emisor es de 0,98 V, la tensión

que debemos de dejar ventre los extremos de R2, es decir la tensión de base será: VR2 = Vb = Ve + Vbe = 0,98 V + 0,0125 V = 0,9925 = 1 V. Y en consecuencia: R2 = Vb / IR2 = 1 V / 0,7 mA = 1428 Ohm = 1K5 Ohm. Puesto que la resistencia total del divisor debe ser de 15 KOhm, R1 debe ser de: Rdivisor = R1 + R2 => R1 = Rdivisor - R2 = 15KOhm - 1K5Ohm = 13K5Ohm NOTA: En el gráfico de la derecha se ha sustituido la batería VCC por el +Vcc. Lógicamente, el negativo de la pila va conectado a masa o al punto inferior del gráfico de negativo. COMPENSACIÓN DE GANACIA En estos circuitos que acabas de estudiar, en los que se produce una estabilización del punto de funcionamiento del transistor, para que no se rompa el transistor, se produce un efecto de realimentación negativa. Este efecto hace que el transistor, al amplificar, no lo haga del todo ya que parte de la señal de salida es enviada de nuevo a la entrada con su fase invertida, lo que disminuye la señal de entrada en amplitud. En el siguiente circuito, estudiaremos los efectos de esto. Al iniciarse el semiciclo positivo de la señal, el transistor tiende a aumentar su conducción ya que la tensión del diodo emisor ( Vbe ) también aumenta y como consecuencia crece la Ie. Al aumentar la Ie, también aumenta la caída de tensión en Re y como Vbe = Vb - Ve, si aumenta Ve disminuye Vbe produciendose una amortiguación de la señal de entrada que se contrarresta con la que se forma en el emisor. Para evitar este incoveniente, en paralelo se situa un condensador Ce, que tiene por misión permitir el paso de la señal variable y aislar la componente continua. Por Re, pasarían las 2 componentes con lo cual modificaría la diferencia de potencial que se desarrolla en sus extremos modificando también el punto de trabajo, cosa que no interesa. Sin embargo, la componente ie ( intensidad de la señal de emisor ),tiene 2 caminos Re y Ce. Como interesa que la resistencia Re sea lo mas grande para la señal ( y que así no pase por ella la corriente ie ),Ce se calcula para que la reactancia Xc, tenga a la baja frecuencia un valor diez veces menor que Rc.

Así las 9 partes de la señal pasan por el condensador y una única parte pasa por la resistencia que practicamente no modifica la d.d.p. La reactancia de Ce debe ser 10 veces menor que el valor de Re a la frecuencia menor a la que no queramos que exista realimentación ( en audio se estima a 20 Hercios ). RXc = 280 Ohm / 10 = 28 Ohm Por lo que: Ce = 1 / [2*PI*f*Xc] = 1 / [2*3,14159*20*28] = 0,0000281 faradios = 28 microfaradios. Ese es el valor del Ce. Ahora nos queda por averiguar la capacidad del condensador de acoplamiento y el de desacoplo C1 y C2. La reactancia de C1 se comparará con la resistencia de entrada del diodo emisor y al igual que Ce su reactancia debe ser la décima parte de Rbe. Sabiendo que Rbe es de 500 Ohm, Xc1 = 50 Ohm, y su valor es de 160 microfarádios ( realizo el cálculo de la misma forma que antes pero cambiando el valor de la Xc ) El tipo de los condensadores son electrolíticos debido a su alto valor. Para el calculo de C2 se procede de la misma forma. CONFIGURACIONES DE CIRCUITOS BÁSICOS Al comienzo de esta lección, al definir el transistor, se le ha señalado que tiene tres terminales; dos coresponden a la entrada y otros dos a la salida; uno de ellos es común a la entrada y a la salida. La configuración básica del circuito estudiado era el de la entrada entre el emisor y la base y la salida entre la base y el colector, por lo que el terminal común es la base. Este circuito se considera base común. Después, al estudiar las redes de polarización, hemos visto que el circuito de entrada era emisor - base y la salida está entre el emisor y el colector, por tanto el emisor es el terminar común. Este circuito es de emisor común. De esto se deduce que los transistores tienen varias formas de funcionamiento: EMISOR COMÚN BASE COMÚN COLECTOR COMÚN Ahora veremos brevemente cada uno de estos circuitos.

AMPLIFICADOR DE EMISOR COMÚN A MASA Es el mas difundido por ser el de mayor ganacia de potencia. se presenta la imagen anterior, ya que es el mismo circuito. La señal se aplica entre el  emisor y la base, y la salida  entre el colector y el emisor.  Una particularidad  interesante de este  transmisor es que se produce  una inversión de fase de la  señal de entrada. A efectos  de señal alterna, el emisor  del transistor está conectado  a masa, ya que la Xce que presenta el condensador lo hace insignificante.  

AMPLIFICADOR CON BASE COMÚN A MASA   Este tipo de amplificador es el visto al principio del tema. Las características a recalcar son: posee buena amplificación de tensión; no produce inversión de fase de la señal de salida respecto a la entrada; la base conectada a masa se comporta como blindaje entre la entrada y salida; la señal de entrada tiene que ser de potencia para excitar al transistor.

AMPLIFICADOR DE COLECTOR COMÚN A MASA En este curso no se estudiará este tipo de circuito, pero se tratará más adelante para en el tema de acople de impedancias, ya que este circuito tiene características buenas para este tema como puede ser alta impedancia de entrada y baja de salida; no amplifica ni produce inversión de fase de la señal de entrada.

CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES Un transistor se caracteriza por su forma de trabajar, por las magnitudes con la trabaja, con la función que va a realizar, con la alimentación que va a recibir, con sus magnitudes de ganancia estática, y su ganancia dinámica, así como su corriente máxima y tensiones en sus terminales, el punto de trabajo, la temperatura, sus resistencias internas, y otros factores que no entran por ahora en estudio. Dichas características se pueden ver en las hojas de características del manual. Para ver cada características de cada elemento, te pongo un enlace a una página relacionada con descarga de hoja de características de componentes electrónicos.

Hasta aquí el tema 2 de amplificadores. Sé que es un poco chapuzas este tema, pero irás poniéndote al día con este tema según avances en el estudio de los siguientes temas y ejercicios de cursosindustriales. Espero que te haya gustado.

RESUMEN El transistor es un dispositivo de la familia de los semiconductores, capaz de amplificar una señal eléctrica. Corriente de fuga es la que atraviesa la unión de dos semiconductores cuando está polarizada en sentido inverso. su valor es mucho menor que el de la corriente principal. La unión base - emisor se polariza directamente. Esta unión se llama diodo emisor o be. La unión base - colector se polariza inversamente. Se llama diodo colector o bc

El transistor tiene tres electrodos o terminales: Emisor, Base y Colector. Un transistor puede ser de dos tipos según actuen sus cargas: NPN si utiliza semiconductores donadores y en medio un aceptador; PNP si utiliza aceptadores y en medio un donador. La resistencia de carga es la que se encuentra en el circuito de salida del transistor, y sobre ella se desarrolla la señal de salida. Un circuito de emisor común es aquel que la entrada y la salida tiene al emisor como electrodo común a ambas. Circuito de base común tiene la base común a la entrada y a la salida. Es buen amplificador de tensión y no produce desfase de señal. Beta: es el coeficiente de ganacia de corriente en un emisor común. Alfa: relación de corriente de salida con respecto a la de entrada en un circuito base común. Gamma: Relación de corriente de salida respecto a la de entrada en un amplificador colector común. Un circuito emisor común y colector común, invierten la señal de salida respecto a la entrada. Un amplificador puede amplificar tensión, corriente, o ambas ( potencia ). Los fabricantes de transistores suministran la información de los elementos en unas tablas conocidas como hojas de características.

 

CONOCIMIENTOS PRÁCTICOS 2
ASPECTO Y CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES

INTRODUCCIÓN El transistor ha sido el resultado final de una larga investigación, que comenzó hacia el 1833, cuando Miguel Faraday descubrió que mientras la mayoría de los conductores eléctricos aumentaban su resistencia con la temperatura, el sulfuro de plata la disminuía bajo las mismas circunstancias, convirtiéndose en la primera sustancia semiconductora. Pero fue en 1948 cuando 3 físicos llamados John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, de los laboratorios Bell, descubrieron el transistor. La primera publicación en la que se habló del transistor fue el número de la revista "Physics Rewiew" el 15 de julio de 1948, donde dichos físicos explicaban al mundo lo que era este nuevo componente, entonces en su fase inical. Ningún otro componente electrónico ha tenido un avance de tan grande magnitud. TRANSISTORES, SU CONSTITUCIÓN La base de todo transistor es el cristal de germanio o silicio dotado de las correspondientes impurezas para que presente las propiedades semiconductoras del material N o P. El cristal en bruto de una u otra clase se consigue a través de la cristalización o crecimiento artificial con el que se obtienen barras. De cada barra de germanio o silicio se obtienen cientos de transistores a través de un proceso de tallado, de difusión de impurezas, implantación de electrodos y encapsulación final. La primera producción de transistores eran por puntas; es decir, que sus uniones internas se realizaban por alambres finísimos que descansaban en una pequeña lámina semiconductora (generalmente germanio), y que coincidían con manchas de impurezas y sobre las que se conseguía la combinación PNP o NPN entre los puntos de apoyo y el espacio que quedaba entre ellos. En la actual producción de transistores se utiliza la técnica de la unión, que es la que en un mismo cristal semiconductor se conseguía que existiese en los extremos una zona dopada con tipo de semiconductor y la zona central con el otro tipo para así obtener cristales tipo PNP o NPN según la configuración del cristal. Luego se une cada zona con un alambre y se saca al exterior del encapsulado. Existen grandes ventajas en referencia al transistor de puntas y al de unión. el de puntas tenía la ventaja de poseer baja capacidad interna, pero era frágil a tensiones elevadas; sin embargo el de unión, tiene capacidad interna relativamente alta, pero puede trabajar con tensiones altas y su frecuencia de trabajo también es elevada, incluso capaz de trabajar con miles de MHz

En la fotografía siguiente se muestra las técnicas actuales de fabricación de transistores; en (A), se ve la unión de Aleación. En los restantes tipos de fabricación se ha conseguido alcanzar frecuencias de trabajo de más de 3 Giga hercios, así como manipular potencias de cientos de vatios.

ASPECTO E IDENTIFICACIÓN DE LOS ELECTRODOS DE LOS DIODOS Y TRANSISTORES En la tabla de la fotografía siguiente, puedes ver el aspecto de los transistores. También te permite identificar a que parte del transistor corresponde a uno de ellos particularmente a los transistores de potencia. A partir de la capsula TO - 126, las capsulas que siguen en orden son de plástico (excepto TO - 18, que lleva refrigerador de plástico) y constituyen los transistores más económicos y de uso popular. Identificación de transistores y diodos de mayor uso En el siguiente enlace se incluye las distintas cápsulas utilizadas para los diodos. De todas formas, te recomiendo que te metas en la página oficial de los elementos y mires sus características que facilita el fabricante.

Encapsulado de Diodos

LÍMITES FUNCIONALES DEL TRANSISTOR Entre los datos suministrados por el fabricante están los siguientes datos: Corriente máxima de colector: Como su nombre indica, se refiere a la máxima corriente que puede circular por el colector sin que el mismo se rompa. Esta corriente está controlada por las distintas polarizaciones de los otros electrodos. Se suele expresar en mili amperios salvo de los potencia que se expresan en amperios. Tensión máxima de colector: Puesto que la tensión base - colector se halla inversamente polarizada para que el transistor pueda trabajar como tal, y si la tensión de colector va en aumento, llegará un valor en que se producirá la perforación de dicha unión dejando al transistor sin funcionar. A este valor se le llama tensión de ruptura, a partir del cual, se va a producir el efecto de avalancha que has estudiado en los diodos, pero destruirá al transistor, ya que no está diseñado para aguantar este efecto. Corriente de corte: Es la corriente de fuga que fluye por el circuito colector - base cuando no existe corriente por el emisor ( se representa por Icbo ). Cuando el emisor se halla en circuito abierto y, en consecuencia no circula corriente alguna a través de la unión base - emisor, todavía circula cierta corriente de colector debido a la fuga de la unión colector - base. Tensión de saturación: Es el valor de diferencia de potencial entre el colector y el emisor que lleva al transistor, desde la corriente de colector cero a la corriente de saturación, donde, por mas que cambie esta tensión no circulará mas corriente por el colector. Frecuencia de corte: La estudiarás mas a fondo en el curso de RADIOFRECUENCIA de CURSOSINDUSTRIALES, pero es la máxima frecuencia a la cual puede trabajar el transistor amplificando señales eléctricas. Máxima potencia de colector: Es la máxima potencia que puede disipar el colector de un transistor sin que peligre su vida. Es un factor importante. Como has visto en el punto de las curvas características de los transistores, hay trazada una curva que representa

la máxima potencia que puede disipar el colector y la tensión en el mismo, y nunca debe sobrepasar la curva si se quiere asegurar el normal funcionamiento del transistor. Refrigeración y disipación de calor: Uno de los peligros mas importantes en los transistores es el calor que se genera en su interior. Al pasar la máxima potencia en el colector, se genera mucho calor ,y ese calor es capaz de destruir el transistor. Por ese motivo es vital considerar que si el transistor va a funcionar con elevadas tensiones y corrientes, insertar un refrigerador o un elemento para disipar el calor generado. Un refrigerador es un elemento que se agrega al transistor físico y que posee unas ranuras que hacen que salga el calor por allí y el aire circundante lo refrigere. Otro método es unir el transistor a una chapa conductora del calor y unirlo al chasis para facilitar la disipación; pero si lo que se quiere es aumentar la disipación de forma considerable y amentar el rendimiento, agregale un ventilador que reduzca la transferencia de calor. DENOMINACIÓN DE LOS TRANSISTORES Desgraciadamente los fabricantes de transistores no se han puesto de acuerdo en la manera de denominar a los transistores. Por tanto no es nada raro encontrar que un mismo transistor esté identificado de distinta manera. Los sistemas que predominan son el sistema europeo y el sistema americano. Nomenclatura europea - antigua: Consta de 2 letras seguidas de un número. Las letras señalan si se trata de un diodo o de un transistor y el número indica el modelo. (OA90; OC74). Las letras "OA" significan: por la "O" que se trata de un semiconductor y por la "A" un diodo. Si las letras son "OC" indica que es un semiconductor por la "O" y por la "C" que se trata de un transistor. Nomenclatura americana: Generalmente consta de 3 partes: un primer número de una cifra, seguida de una letra "N" y otro número de varias cifras ( 1N34; 2N3055 ). Si el primer número es 1, se trata de un diodo y si es un 2 de un transistor. La letra "N" indica el tipo de transitor. Nomenclatura europea actual: Actualmente para la denominación de los semiconductores se emplea donde cada letra representa algo. Los semiconductores que se usan en audio, radio y televisión, utiliza 2 letras

en la mayoría de los casos, y un número con 3 cifras. Los semiconductores utilizados en otras aplicaciones comienzan con 3 letras, seguidos por un número y 2 cifras.
1ª letra  A ‐ Diodos y transistores PNP de  Germanio  B ‐ Diodos y transistores PNP de  Silicio  N ‐ Transistores NPN de Germanio  2ª letra A ‐ Diodos, inclusive Varicap 

C ‐ Transistores para aplicaciones de audio  D ‐ Transistores de potencia, para aplicaciones de audio F ‐ Transistores para aplicaciones de alta frecuencia 

     
S ‐ Transistores para conmutadores L ‐ Transistores de potencia, para aplicaciones de alta  frecuencia  P ‐ Foto semiconductores

     
Z ‐ Diodos de referencia y Zener T ‐ tiristores, diodos Shockley y rectificadores  controlados  Y ‐ Diodos de potencia

 

Los transistores de procedencia japonesa vienen identificados por 2 primeras siglas y el tercer lugar, por una letra que tiene el significado: 1. 2. 3. 4. A Transistor PNP para alta frecuencia   B Transistores de baja frecuencia del tipo PNP   C Transistor NPN para alta frecuencia   D Transistores de baja frecuencia y del tipo NPN  

A continuación de estas letras suelen ir una serie numérica de 2 ó 3 cifras.   Bueno, con esto doy por terminado el tema 2 de electrónica. Espero que te  haya servido de ayuda y que adquieras conocimientos para pasar a un nivel  superior. No me enrollo más porque ya me he enrollado bastante. Ahora,  disfruta de la práctica y sigue los pasos poco a poco.    

TRABAJOS PRÁCTICOS REGULADOR DE TENSIÓN TRANSISTORIZADO
Conoces el comportamiento de las resistencias, condensadores e inductivos. En las lecciones 1 y 2 de electrónica, has estudiado el funcionamiento de los diodos y transistores. Con esta práctica empiezas a construir una parte de un módulo que será vital para otras partes que construiremos más adelante, por lo que te recomiendo que realices esta práctica. Te puedes descargar la práctica en la zona de ejercicios y la puedes visualizar en Youtube y videos Youtube de cursosindustriales. Aunque hoy en día se utilizan reguladores integrados, vamos a crear un regulador transistorizado para que compruebes como funciona un transistor. He elegido este tipo de práctica para que se vea el uso del condensador como conmutador trabajando en los estado de corte (sin tensión de alimentación), y saturación (máxima corriente de colector). Antes de nada he de pedirte que para hacer estas prácticas necesitarás una serie de herramientas y elementos que, por supuesto has de comprarte. La misión primordial del regulador de tensión será hacer que la tensión de alimentación se mantenga estable a un valor determinado que asignaremos mediante un potenciómetro. Cualquier subida de tensión será consumida por el regulador para que al circuito no le llegue, nada más de lo que demande la carga, y así evitar que se sobrecargue. Te puedes visualizar el video desde la página de cursosindustriales y bajarte la práctica desde el menú principal. Gracias por tu paciencia. By deimoshack.