Universidad Politécnica Salesiana 01/06/2013

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PRACTICA 6 POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT
Ortega Cajamarca Edison Mauricio eortegac@est.ups.edu.ec Laboratorio de Analógica I (G12)

Resumen— Los transistores tienen como función
principal la amplificación de señales, para lograr este cometido deben ser polarizados adecuadamente mediante la aplicación de voltajes DC en sus uniones B-E y B-C. Esto se consigue a través de circuitos de polarización, los cuales garantizan que el transistor se encuentre ubicado en un punto sobre su "recta de carga" y en su zona activa. Índice de Términos—bjt, diseñar, comprobar, polarización, transistor,

Fuente: Los Autores El transistor bipolar BJT Formado por dos uniones PN con tres zonas cada una conectada a los terminales, C es el colector, la zona central es la base y E es el emisor. Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso). Tipos de Transistor NPN Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. PNP El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.

I. INTRODUCCIÓN
En esta práctica tenemos que diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de los circuitos de polarización del transistor BJT obteniendo las gráficas de las rectas de carga y puntos de trabajo, tomando tres NPN y tres PNP. En el presente artículo está estructurado como sigue: Sección II Marco Teórico, Sección III Herramientas y materiales, Sección IV Desarrollo de la práctica, Sección V Análisis de resultados, Sección VI Conclusiones, Sección VII Referencias.

II.

MARCO TEÓRICO

Transistor El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes,

Figura 1. El transistor

trazamos la recta de carga del transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de funcionamiento. Estas gráficas reciben el nombre de curvas características de transferencia. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. Figura 3. Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor común). Transistor BJT Fuente: Los Autores Características Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la tensión de polarización VBE sobre la corriente de base IB. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Para ello. Para dibujar esta recta sobre la curva característica. podemos aplicar la ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de carga RL. lo primero que hay que hacer es encontrar sus extremos. que se corresponderá con la ecuación de la recta de carga: Figura 2. De esta forma obtendremos la siguiente expresión. Curva característica Transistor BJT Fuente: Los Autores Recta de carga del transistor Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada resistencia de carga y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. . Para VCE=0 Para IC=0 Llevando estos valores a la curva característica de colector. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se polariza directamente. obtendremos la recta de carga para una determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC.Universidad Politécnica Salesiana 01/06/2013 2 Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. La tensión aplicada a esta resistencia se corresponderá con la tensión total aplicada por la fuente VCC menos la caída de tensión que se produce entre el colector y el emisor VCE.

normalmente. Circuito con resistencia al emisor. se encuentra entre la zona de corte de saturación. b. se busca el punto de intersección de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base.  Baceta EQUIPOS Y MATERIALES . punto de trabajo. En este punto. dentro de los límites de la recta de carga. Circuito con dos fuentes de alimentación V1 15 V R2 1. Circuito con una fuente de alimentación. c. se puede decir que el punto de saturación aparece en la intersección de la recta de carga con el eje vertical. es decir. Circuito con divisor de tensión. Haciendo una aproximación. a. e. Circuito con auto polarización. la corriente de colector es la máxima que se puede dar para la operación de transistor. Punto de saturación El punto de saturación aparece donde la línea de carga corta a la intensidad de base de saturación. Para determinar el punto de trabajo (Q) de transistor para una determinada corriente de base (IB). Figura 5.0kΩ R1 V2 5V 1.0 Transistores 2N3904 y 2N3906 Multímetro digital Fuente de voltaje Potenciómetro Conectores tipo bananas IV.        Resistencias Multisim 12. 1. punto de saturación. Diseñar un Circuito que tenga la capacidad de Moverse desde ¼ hasta ¾ de la recta de carga a. Recta de carga Transistor BJT Fuente: Los Autores Punto de corte El punto de corte es donde la línea de carga corta a la curva correspondiente a la corriente de base igual a cero (IB=0). Circuito con dos fuentes de alimentación. cuando: Diseñar. calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos de polarización del transistor BJT obteniendo las gráficas de las rectas de carga y puntos de trabajo. d.Universidad Politécnica Salesiana 01/06/2013 3 A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte. f. PROCEDIMIENTO Figura 4. Circuito con dos fuentes de alimentación Fuente: Los Autores III.0kΩ Q1 2N3904* Punto de trabajo El punto de trabajo es aquél donde el transistor trabaja de una forma normal y que.

70 8.99 62 0.21 33 0. Circuito con una fuente de alimentación Fuente: Los Autores Tabla 1.253 V U3 DC 10MOhm Figura 7.39 19 0.61 108 0.78 78 0. Simulación Circuito con dos fuentes de alimentación Fuente: Los Autores b.70 3V 6.60 138 0. Recta de carga Circuito con dos fuentes de alimentación Fuente: Los Autores Figura 6.71 4V 8.63 6V 13.66 11.53 122 0.67 8V 18. Cálculos realizados en laboratorio Circuito con dos fuentes de alimentación Fuente: Los Autores .5 5.91 14.69 10V 22.17 9.7 4.69 2V 3.43 13.061m DC 1e-009Ohm 10.73 Figura 8.56 4 0.15 12.29 6.Universidad Politécnica Salesiana 01/06/2013 V1 15 V + - 4 0. Circuito con una fuente de alimentación V1 12 V R5 1MΩ 100 % Key=A R1 330Ω Q3 1V 0.67 93 0.010 A U2 DC 1e-009Ohm R2 470Ω U1 R1 V2 68kΩ 5V + Q1 A + - 0.68 9V 20.15 48 0.66 7V 16 7.72 5V 10.

6 24.38 0.63 300K 15.8 12.7 + - -0.8 0.67 450K 9.46 0.68 800K 5.136 R3 47kΩ Figura 13.1 43.422 V Figura 9. Recta de carga Circuito con una fuente de alimentación Fuente: Los Autores c.1 6. Circuito con divisor de tensión R1 330Ω R8 1MΩ 50 % Key=A DC 10MOhm U1 DC 1e-009Ohm Q2 V1 12 V U4 DC 1e-009Ohm U2 R3 47kΩ 50K 36 0.352m -0.3 27.1 1.71 200K 22.2 102.8 3.7 7.6 0.7 250K 18.56 0.037m A + - 7.32 36.7 150K 27. Simulación Circuito con divisor de tensión .7 400K 11 8.014 A Q3 + 0.4 4.5 8.4 0.8 31.36 205 0. Simulación Circuito con una fuente de alimentación Fuente: Los Autores Figura 10.1 70. Cálculos realizados en laboratorio Circuito con una fuente de alimentación Fuente: Los Autores -0.7 0.9 8. Circuito con divisor de tensión Fuente: Los Autores R1 330Ω R8 1MΩ 50 % Key=A 350K 12.7 Figura 11.69 100K 33.15 0.21 0.036 A V1 12 V Q2 + A + V Tabla 2.56 0.Universidad Politécnica Salesiana 01/06/2013 V1 12 V 5 R5 1MΩ 100 % Key=A + - R1 330Ω 0.45 0.5 7.6 53.7 500K 9.

7 0.7 20K 41.01 1e-009Ohm DC 1e-009Ohm DC 10MOhm .68 R3 1. Simulación Circuito con auto polarización Fuente: Los Autores Figura 14. Circuito con auto polarización.4 0.82 100K 150K 200K 4.27 475 0.63 35K 31.95 DC 4.15 350.69 86K 18.2 0.1 0. Recta de carga Circuito con divisor de tensión Fuente: Los Autores 5.32 479 0.2 0.7 40K 29.Universidad Politécnica Salesiana 01/06/2013 6 Fuente: Los Autores d.4 0.02 335 0.9 342. Circuito con auto polarización Fuente: Los Autores 10K 48.1 0.7 30K 35.5 0.018m A Q2 + - -6.2 0. Cálculos realizados en laboratorio Circuito con divisor de tensión Fuente: Los Autores Figura 16.7 50K 23.5kΩ U6 -3.05 339.19 354 0.817m A R4 300kΩ Key=A 50 % + - + - V2 12 V U7 -0.247 V Tabla 3.12 347.5 0.63 15K 44.71 25K 38.71 45K 26.52 3.38 50K 4. Figura 15.36 483 0.1 0.1 0.6 0.23 359 0.2 7.2 0.

71 5.1 10.7 400K 3.89 5.49 20.5 0.8 0.42 21.1 0.56 13.55 5.63 V2 12 V R4 300kΩ 50% Key=A R3 1.39 5.6 5.7 5.71 350K 3.63 250K 3.78 6.63 Figura 18.68 791K 2.68 791K 2.1 0.44 15.59 16.4 0.1 0.7 300K 3.56 19.56 29. Simulación Circuito con resistencia en el emisor Fuente: Los Autores Figura 17.83 6.43 5.63 5.81 18.9 0.5 0. Circuito con resistencia en el emisor PNP 5.71 150K 3.3 0. Recta de carga Circuito con auto polarización Fuente: Los Autores e.8 0.8 17.63 5.39 23.35 5.74 7. Cálculos realizados en laboratorio Circuito con auto polarización Fuente: Los Autores DC 1e-009Ohm - -6.11 8.4 0. Cálculos realizados en laboratorio Circuito con resistencia en el emisor Fuente: Los Autores .3 16.6 0.7 5.2 18 0.68 7 R1 1.016m Tabla 4.Universidad Politécnica Salesiana 01/06/2013 3.75 17.7 100K 3.4 0.6 0.7 200K 3.64 16.574 V U3 DC 10MOhm R2 330Ω Figura 19.49 15.68 Q2 BJT_PNP_VIRTUAL R5 330Ω 250K 3.3 0.9 0.71 350K 3.47 5.4 0.5kΩ R3 300kΩ 50 % Key=A + - U2 -3.11 3.31 24.7 300K 3.2 6.601m A DC 1e-009Ohm V1 12 V U1 + Q1 A + -0. Circuito con resistencia en el emisor Fuente: Los Autores Tabla 5.69 17.7 400K 3.55 15.5kΩ 50K 3.1 0.5 0.27 8.13 22.51 5.

Figura 22. Recta de carga Circuito con resistencia en el emisor Fuente: Los Autores f. Simulación Circuito con capacidad de moverse de ¼ a ¾ de la recta de carga Fuente: Los Autores .Universidad Politécnica Salesiana 01/06/2013 8 Figura 20. Circuito que tenga la capacidad de Moverse desde ¼ hasta ¾ de la recta de carga. Simulación Circuito con capacidad de moverse de ¼ a ¾ de la recta de carga Fuente: Los Autores ( ) ( ) Figura 21.

1 7.11mA 63.350 0.68 IC(mA) IB(mA) VCE VBE Tabla 9. Datos obtenidos Circuito (f) Fuente: Los Autores 2 IC(mA) IB(mA) VCE VBE Valores medidos 9 0.255 0. ANÁLISIS DE RESULTADOS Valores medidos 10.5 mA 36.39 0.6 8. Datos obtenidos Circuito (d) Fuente: Los Autores Valores medidos 3.7 (k) IC(mA) IB(mA) VCE VBE Tabla 6.054 0.65 0.7 Figura 23.17 62uA 9.01 0.68 515K 9 9 0.033 0.82 Valores calculados 0.7 310K 14.141 0.92 0.036 0.69 0.017 5.025 0.7 5.025 9 0.68 430K 10.69 Valores simulados 3.83 Valores calculados 10.059 0.69 350K 13.7 IC(mA) IB(mA) VCE VBE Tabla 11. Valores medidos en laboratorio Circuito con capacidad de moverse de ¼ a ¾ de la recta de carga Fuente: Los Autores Tabla 10.9 4.014mA 0.0186 6.668 390K 11.99 0.073 3 0.9 0. Recta de carga Circuito con capacidad de moverse de ¼ a ¾ de la recta de carga Fuente: Los Autores Tabla 12.025 9 0.042 0.7 (k) 152K 28.037mA 7. Datos obtenidos Circuito (c) Fuente: Los Autores Valores medidos 3.018 6.029 0.019 6.1 mA 0.69 470K 9.288 0.010mA 0.051 0.82 Valores calculados 3.83 0.83 Valores calculados 14.668 190K 23.69 Valores simulados 3.785 0.7 IC IB VCE VBE Tabla 13.0174 5.3 8.Universidad Politécnica Salesiana 01/06/2013 9 IC IB VCE VBE Valores medidos 15. Datos obtenidos Circuito (f) Fuente: Los Autores Tabla 7.66uA 7.352 0.7 V. Datos obtenidos Circuito (b) Fuente: Los Autores Valores medidos 0.83 Valores calculados 9.67 270K 16.136 0. Datos obtenidos Circuito (e) Fuente: Los Autores 1 IC(mA) IB(mA) VCE VBE Valores medidos 28.036 0.3 0. Datos obtenidos Circuito (a) .69 Valores simulados 27 0.34 0.69 Valores simulados 0.99 0.22 0.352 0.32 0.01 0.82 0.83 Valores calculados 27.38 0.27 0.69 Valores simulados 0.53 0.035 0.15 0.1 6.017 5.047 0.14 0.43 0.8 Valores calculados 3.69 Valores simulados 9.5 7.12 0.5 8.037 2.68 230K 18.76 0.1 2.7 Tabla 8.6 0.9 0.9 0.11mA 37.061mA 10.074 0.8 0.23uA 10.7 0.2 0.025 0.24 0.69 Valores simulados 0.45uA 7.42 0.074 2.024 9.

Paraninfo. David. Circuitos con Diodos. M. ..Universidad Politécnica Salesiana 01/06/2013 10 VI. En el circuito con variación en la recta de carga podemos observar que al variar e potenciómetro la corriente y el voltaje varían proporcionalmente.     VII. En la primera practica podemos concluir que el transistor se comporta como un amplificador de corriente se importar la corriente que produzca la fuente de tensión E ya que si se varia la resistencia en la base cambia la corriente en el colector. Para el punto de trabajo del transistor se tiene que ver con que voltaje de colector emisor se está trabajando para corriente de colector en donde nos va indicar el punto de trabajo del transistor. [2] Irwin. 1994. Análisis básico de circuitos en ingeniería. J. CONCLUSIONES  Al haber terminado la práctica se pudo comprobar que en la mayoría de los datos que se obtuvieron en lo cálculos tienen una aceptable coincidencia con los datos medidos. [3] Introducción al análisis de circuitos de Boylestad Décima Edición. En el de divisores de tensión se puede ver que resolviendo el circuito por Thevenin podemos llegar a un circuito de polarización con dos fuentes que es muy fácil de calcular. 1997. ISBN: 84-283-1565-5. ISBN: 968-880-816-4. BIBLIOGRAFÍA [1] Torres Portero.

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