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Colegio de Educacin Profesional Tcnica Plantel Don Juan Osorio Lpez

Coatzacoalcos, Veracruz Clave 058

Nombre del Alumno: Hugo Andrs Cruz Gonzlez Matrcula: 110580299-3 Carrera: P.T.B. en Electricidad Industrial Periodo Escolar: Febrero- Julio 2013 Grupo: ELIN08-403 Mdulo: Aplicacin de sistemas electrnicos de Potencia Nombre del Docente: Ing. Jess Jimnez Rivera

Tipo de Transistor

Smbolo

Construccin
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:

Curva caracterstica y tipos

Aplicaciones
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. 2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. 3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan

NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.

Transistor de unin bipolar BJT

la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en emisor-comn es La base est fsicamente configuracin amplificada en la salida del colector. localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor La flecha en el smbolo del transistor ligeramente dopado y de alta NPN est en la terminal del emisor y resistividad. El colector rodea la apunta en la direccin en la que convencional circula regin del emisor, haciendo casi la corriente

imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . A diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hace que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo.

cuando el dispositivo funcionamiento activo.

est

PNP

en practicamente nulas (y en especial Ic). 3. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo

Campo P

La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p.

Aislador separador (buffer)

Amplificador de RF Mezclador

Campo N

Transistor de efecto de campo FET

El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto hmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la Canal N terminal de compuerta (gate) (Q). Las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que Vp. As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en funcin de la VGS vienen dados por una grfica o ecuacin denominada ecuacin de entrada. En la zona activa, al permitirse el Por tanto, esencialmente el paso de corriente, el transistor dar drenaje y la fuente se conectan una salida en el circuito que viene en esencia a los extremos del definida por la propia ID y la tensin canal tipo n y la compuerta, a las entre el drenador y la fuente VDS. A dos capas del material tipo p. En la grfica o ecuacin que relaciona ausencia de cualquiera de los ests dos variables se le denomina potenciales aplicados, el JFET ecuacin de salida, y en ella es donde tiene dos uniones p-n bajo se distinguen las dos zonas de

Canal P Est formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET

Amplificador con CAG Amplificador cascado Troceador Resistor variable voltaje

por

Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito digital MOS

condiciones sin polarizacin. El funcionamiento de activa: hmica y resultado es una regin de saturacin. agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura siguiente, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin. Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la conduccin a travs de la regin.

Estructura del MOSFET en donde se muestran las terminales de compuerta (G), sustrato (B), Existen dos tipos de transistores ambos basados en surtidor (S) y drenador (D). La MOSFET, la estructura MOS. Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

Mosfet de Enriquecimiento

MOSFET

Canal P

Canal N

compuerta est separada del cuerpo por medio de una capa de aislante (blanco). Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta est localizada encima del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa de dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como el dixido de silicio. Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciale s estn basados en transistores MOSFET. El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que el material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Vase Tecnologa CMOS Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son: Resistencia controlada por tensin.

Mosfet de empobrecimiento

Canal P

Canal N

(surtidor y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que estn separadas por la regin del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. El surtidor y el drenador (de forma distinta al sustrato) estn fuertemente dopadas y en la notacin se indica con un signo '+' despus del tipo de dopado. Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el MOSFET es de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.

Constituyen, desde el punto de vista de su empleo, un hbrido entre los transistores bipolares y los MOSFET para aprovechar tanto la sencillez de ataque de los ltimos, como la capacidad para conducir altas corrientes y baja resistencia en conduccin de los primeros.

Modos de trabajo Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor-base y a una polarizacin inversa de la unin colector-base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin. Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor-base y a una polarizacin directa de la unin colector-base. Esta regin es usada raramente. Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC=0). Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE=0).

IGBT

Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E).

La estructura recuerda mucho la de un transistor MOSFET de potencia donde se utilizan obleas dopadas de Tipo N sobre las que se deposita una fina capa epitaxial. El IGBT est construido de forma casi idntica. La capa epitaxial presenta el mismo espesor y se dopa igual que en un FET. Sin embargo, existe una importante diferencia: el material de partida es una oblea dopada Tipo P en lugar de Tipo N. La unin PN adicional, as creada, inyecta portadores (huecos) en la regin epitaxial Tipo N reduciendo su resistividad y rebajando la cada de tensin en conduccin. Por otro lado, la adicin de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parsito que con el NPN inherente a la estructura de un MOSFET, conforma un Tiristor parsito, el cul en caso de ser activado puede destruir al IGBT.

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los Mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver el siguiente grfico

Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin

(12.11) donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

Transistor unijuntura UJT Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIACs.El transistor monounin (UJT) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras y se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. Algunas de las aplicaciones del transistor UJT son como oscilador, en circuitos de disparo, generadores de diente de sierra, control de fase circuitos temporizadores, redes b i estables, y alimentaciones Regin de resistencia negativa. Si la reguladas de voltaje o tensin de emisor es suficiente para corriente. polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).

Regin de saturacin. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte. En la figura 12.22 tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.