You are on page 1of 51

Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013

ITCH

Introducción A la
Electrónica de potencia

Catedrático: Ing. Cosme Raúl Alvarado Meza Asignatura: Electrónica de potencia Alumnos: Erick José Carrasco Arredondo # 08061156

Introducción a la Electrónica de Potencia
Erick José Carrasco Arredondo Página 1

Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013
La electrónica de potencia combina tres desarrollos tecnológicos importantes: La energía, La electrónica y el control La energía, tiene que ver con los equipos de potencia estáticos (acumuladores) o rotativos (generadores eléctricos), encargados de la generación primaria eléctrica, como así también de su transmisión y distribución a los consumidores. La electrónica, se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado sólido, requeridos en el procesamiento de la “conversión” y “tratamiento” de las señales eléctricas para cumplir con los objetivos del “control”. El control, se encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de los sistemas de lazo cerrado. La electrónica de potencia, la podemos definir como la electrónica de estado sólido para el control y la conversión de la energía eléctrica. La electrónica de potencia, se basa fundamentalmente en la conmutación de dispositivos semiconductores de potencia y la generación de las señales eléctricas de disparo y apagado de estos dispositivos, acorde a los requerimientos del “control. Los desarrollos tecnológicos de los microprocesadores, ha tenido gran impacto sobre el “control” y la “síntesis” de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. Un equipo electrónico de potencia moderno, en comparación al ser humano, podemos decir que utiliza semiconductores de potencia, equivalente a los “músculos” y “microelectrónica “, equivalente al “cerebro”. La electrónica de potencia, tiene variadas aplicaciones en la industria como ser en los controles de calor, controles de iluminación, control de velocidad y par de motores de corriente continua y alterna, sistemas de propulsión de vehículos, sistemas de corriente continua de alto voltaje (HVDC), etc. La electrónica de potencia (o electrónica de las corrientes fuertes1) es una técnica relativamente nueva que se ha desarrollado gracias al avance tecnológico que se ha alcanzado en la producción de dispositivos semiconductores, y se define como "la técnica de las modificaciones de la presentación de la energía eléctrica" o bien como "la aplicación de la electrónica de estado sólido para el control", el cual el control se encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de los sistemas de lazo cerrado. La energía tiene que ver con el equipo de potencia estática, rotatoria o giratoria, para la generación, transmisión, distribución y utilización de la energía eléctrica. La electrónica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado sólido requeridos en el procesamiento de señales para cumplir con los objetivos del control deseados y la conversión de la energía eléctrica.

Electrónica de potencia, ventajas y desventajas.
Erick José Carrasco Arredondo Página 2

Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013
Es una de las ramas de la ingeniería eléctrica, en ella se combina la energía, la electrónica y el control. Principalmente se usa en fábricas y talleres en los que se controlen equipos consumidores de alta potencia. La electrónica de potencia tiene sus inicios en el año 1900, con la introducción del rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador de tanque metálico, el rectificador de tubo al alto vacío de rejilla controlada, el ignitrón, el fanotrón y el tiratrón. Estos se aplicaron al control de la energía hasta la década de 1950. Ejemplo de un Tiratrón se muestra en la figura I. En 1948 se inicia la primera revolución electrónica con la invención del transistor de silicio en los Bell TelephoneLaboratories por los señores Bardeen, Brattain ySchockley. Otros de los grandes inventos fue la del transistor de disparo pnpn, que se definio como tiristor o recticador controlado de silicio (SCR por sus siglas en inglés). La segunda revolución electrónica fue en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de la nueva era de la electrónica de potencia, hasta la fecha se han introducido diversos dispositivos semiconductores de potencia y ténicas de conversión. La revolución de la electrónica de potencia nos está dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energía con una eficiencia cada vez mayor. Ventajas y desventajas de la electrónica de potencia  Los dispositivos semiconductores de potencia permiten realizar puentes convertidores electrónicos, eficientes que mejoran las prestaciones estáticas y dinámicas de los procesos de conversión de energía eléctrica, originando procesos más eficientes debido a lacapacidad de conmutar grandes bloques de energía con mínimas perdidas.  La conmutación de altos bloques de energía trae consigo la introducción de contaminación armónica en tensión y corriente sobre las líneas de alimentación, problemas de resonancia, interferencia electromagnética, fallas de aislación, entre otras.

 Estos problemas pueden solucionarse mediante filtros pasivos y/o activos o mejorando las estrategias de conmutación de los puentes electrónicos.

Las principales razones técnicas para la utilización de sistemas electrónicos y de potencia son a menudo la gran velocidad y la dinámica de regulación que se asocia a sus dispositivos. La soldadura sin proyección, el tren de levitación
Erick José Carrasco Arredondo Página 3

Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013
magnética, la fabricación de electroerosión y las maquinas de herramientas son buenos ejemplos de ello. Las principales razones económicas son la reducción del peso y volumen y el buen rendimiento de los equipos. La alimentación en modo conmutado en los televisores reduce el costo de producción. En los equipos informáticos, tiene la ventaja de una reducción en la disipación térmica en salas climatizadas. En los medios de transporte, la alimentación en modo conmutado permite obtener más ganancias en peso y volumen, lo que se traduce en la reducción del peso y del consumo de los vehículos. A continuación se presentan algunas ventajas y desventajas de los semiconductores utilizados en la electrónica de potencia. Ventajas: Tamaño reducido, mas económicos, versatilidad de características de voltaje y corriente, posibilidad de manejo de alta potencia, baja corriente ó voltaje de control, de accionar silencioso, no requieren mantenimiento interno, están en constante evolución. Desventajas: Sensibles a variaciones bruscas de corriente, y voltaje que sobrepasa en sus especificaciones, sensibles a las temperaturas altas, requieren de disipadores y sistemas de enfriamiento, se dañan en forma irreversible, un costo muy elevado.

Ventajas
*Menor costo. *Menor tamaño. *Mayor rapidez de conmutación. *Libres de mantenimiento (excepto limpieza exterior). *Capacidad en manejo de altas corrientes. *Operación silenciosa. *No necesitan de sistemas de enfriamiento. *Fuertes resistencias a los choques y aceleraciones. *Ausencia de vibraciones (no hay arco eléctrico). *Insensibilidad a las sobrecargas.

Desventajas
*No provee aislamiento eléctrico (los relevadores sí).
Erick José Carrasco Arredondo Página 4

Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013
*Requiere de cuidado en su conexión. *Les puede afectar la alta temperatura. *Fáciles de destruir si se sobrepasan sus especificaciones. *Requieren voltajes regulables

Definición para electrónica de potencia de algunos autores:
 Muhammad H. Rashid.- La electrónica de potencia es la parte de la electrónica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el procesamiento, control y conversión de la energía eléctrica.  NedMohan.- Es el control y procesamiento de la energía eléctrica suministrando voltajes y corrientes en la manera más óptima para ser utilizada por diferentes cargas.  Joseph Vithayathil.- Es la tecnología que liga la potencia eléctrica con la electrónica.  Bimmal K. Bose.- Es la ciencia que combina la conversión y el control de la potencia eléctrica para diversas aplicaciones, tales como fuentes de alimentación reguladas AC y DC, control de iluminación y calefacción y muchas aplicaciones más.

Sistemas de control que se han desplazado a partir de la utilización del SCR o de los tiristores
Con la aparición del SCR, se materializo un cambio muy significativo en los dispositivos eléctricos y electrónicos de potencia, tanto en la concepción como en la realización de inversores y conversores de potencia eléctrica. El SCR sustituyo a primera instancia al tiratrón en los circuitos empleados en electrónica industrial; en este sentido se puede decir que, como componente activo de los circuitos electrónicos el SCR represento un gran adelanto respecto a aquel. Si bien ambos componentes son semejantes en cuanto a su forma de actuar, no lo son en sus características eléctricas, en las que resulta muy
Erick José Carrasco Arredondo Página 5

La primera evolución tecnológica ocurrió en 1948 con la invención del transistor de silicio en los Bel Telephone Laboratories. Desde entonces se han introducido diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y técnicas de conversión. En 1956. Estos dispositivos tuvieron su aplicación en el control de la energía hasta la década de 1950. Por lo tanto el SCR fue un gran adelanto en la electrónica de potencia. con la introducción del rectificador de arco de mercurio. incorporo el transistor de disparo PNPN. Cabe mencionar que la electrónica de potencia vino a cubrir necesidades como la conversión de energía para el control de los motores eléctricos. Ese fue el principio de una nueva era en la electrónica de potencia. donde el peso. que se definió como un Tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR). el rectificador de tubo al vacio de rejilla controlada. Luego se descubre el rectificador de tanque metálico.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 superior el SCR. el mismo laboratorio. así como también encargarse de los dispositivos de estado sólido para el procesamiento de señales para lograr los objetivos de control deseados.  -Antecedentes históricosLa electrónica de potencia data del año de 1900. el ignitrón y el tiratrón. volumen y robustez no admiten competencia. En la actualidad la revolución de la electrónica de potencia está dando la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de energía con una eficiencia cada vez mayor. La segunda revolución de la electrónica empezó en 1957 con el desarrollo del Tiristor comercial por General Electric Company. Erick José Carrasco Arredondo Página 6 . ni en sus características mecánicas. La mayoría de las tecnologías electrónicas avanzadas tienen su origen en dicho descubrimiento.

tenemos que la válvula termoiónica más simple está constituida por una ampolla de vidrio. con lo que se forma una nube de electrones por encima del mismo. en 1884 Edison lo patentó bajo el nombre de "Efecto Edison". el cátodo. es la investigación de Thomas Alva Edison el trabajo más a menudo mencionado. similar a la de las lámparas de incandescencia. se utiliza un cátodo independiente constituido por un pequeño tubo metálico revestido o "pintado" con algún material rico en electrones libres. Edison. A pesar de que Edison no comprendía a nivel físico el funcionamiento. y desconocía el potencial de su "descubrimiento". Por constar de dos electrodos a la válvula antes descrita se le denomina diodo. recubierto por una sustancia rica en electrones libres. se desprendían del filamento. alcanzando velocidades de escape. denominados cátodo y ánodo. Erick José Carrasco Arredondo Página 7 .Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Aunque el efecto de emisión termoiónica fue originalmente reportado por Frederick Guthrie en 1873. se trata de una válvula de caldeo directo. realizando para ello diversos experimentos. Físicamente. El ánodo está formado por una placa metálica que rodea al filamento a una cierta distancia y a la que se aplica un potencial positivo. y los electrones de las órbitas de valencia son acelerados. que se calienta mediante el paso de una corriente. que se polarizaba eléctricamente con el fin de atraer las partículas que. Cuando se quieren obtener mayores corrientes a través de la válvula y un aislamiento eléctrico entre la fuente de corriente de caldeo del filamento y la de ánodo-cátodo. buscó la forma de aminorar dicho efecto. La nube termoiónica. da lugar a la circulación de una corriente electrónica a través de la válvula entre el filamento y el ánodo. En tanto en cuanto que la función de cátodo es realizada directamente por el filamento. debido al potencial positivo aplicado en la misma. Llegados a este punto. Uno de ellos fue la introducción en la ampolla de la lámpara de un electrodo en forma de placa. fuertemente atraída por la placa. Al agregar un electrodo plano (placa). al parecer. a la que se le ha practicado el vacío y en la que se hallan encerrados dos electrodos. al ver que con el uso el cristal de las lámparas incandescentes se iba oscureciendo. cuando el filamento se calienta se produce una agitación de los átomos del material que lo recubre. consiste en un filamento de wolframio. A este fenómeno se le denomina Efecto Edison-Richardson o termoiónico.

Al estar los filamentos aislados se pueden conectar juntos (en serie o paralelo) los filamentos de todas las válvulas del equipo. pudiendo entonces la corriente del caldeo ser incluso alterna. posiblemente la más importante. Erick José Carrasco Arredondo Página 8 . Si se agregan otros electrodos entre ánodo y cátodo (llamados rejillas) se puede controlar o modular el flujo de electrones que llegan al ánodo. y dado que con pequeñas diferencias de potencial aplicadas entre rejilla y cátodo se pueden producir variaciones considerables de la corriente circulante entre cátodo y ánodo. de ahí la denominación de válvula. otra aplicación. una de las aplicaciones de las válvulas termoiónicas es su utilización como rectificador. En este caso la válvula se denomina de caldeo indirecto. pero muy próximo a él para poder calentarlo adecuadamente. lo que no es posible con cátodos de caldeo directo. En este tipo de válvulas el filamento solo es el elemento calefactor y no se considera un electrodo activo. Asimismo. aislado eléctricamente. que rodea el filamento. es como amplificador.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 como el óxido de torio. Debido al hecho de que la corriente por el interior de la válvula solo puede circular en un sentido.

Siendo este el principio de una nueva era en la electrónica de potencia. frecuencia). Así como la revolución micro electrónica ha dado al hombre la capacidad de procesar información a una velocidad increíble. walter brattainse y william shockley de la bell telephone laboratories. Con la fusión de la electrónica de potencia que es. se utilizan extensamente para controlar semiconductores de potencia. la mayoría de las tecnologías electrónicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invención. Hasta 1970. Los circuitos integrados. los tiristores se habían fabricado para ser utilizados en forma exclusiva para el control de energía en aplicaciones industriales. es decir. siendo los más utilizados los siguientes: Erick José Carrasco Arredondo Página 9 . Esta fue la revolución de la microelectrónica. en 1958. los cuales se aplicaron al control de la energía hasta la década de 1950.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 La electrónica de potencia se puede definir como la aplicación de la electrónica de estado sólido para el control y conversión de la energía eléctrica es la parte de la electrónica que estudia los dispositivos y circuitos electrónicos usados para modificar las características de la energía eléctrica (tensión. Fue el nacimiento de la tecnología electrónica. con una eficiencia cada vez mayor. los señores john bardeen. Posteriormente aparecieron. En 1958 la general electric company desarrolló el tiristor comercial. A partir de 1970. la "revolución de la electrónica de potencia le ha dado la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energía. La electrónica de potencia empezó a hacer historia en el año de 1900. el ignitrón y el tiratrón. " causando. En 1956. con la introducción del rectificador de arco de mercurio. De la bell telephone laboratories inventan el transistor de disparo pnpn. Simultáneamente. el rectificador de tubo al alto vacio de rejilla controlada. el rectificador de tanque metálico. En 1948. La segunda revolución electrónica “. inventan el transistor de silicio e inician con ello la primera revolución electrónica. científicos. que se definió como tiristor ó rectificador controlado de silicio. jack kelby de texas instruments. se desarrollaron dispositivos semiconductores de potencia para uso comercial. inventó el circuito integrado. se han descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrónica de potencia. presentan un transistor de punta de contacto simple. a través del uso de micro procesadores y los micro controladores. El musculo que aporta la fuerza y la microelectrónica que es el cerebro que proporciona el control.

put. diac. Los tiristores están conformados por una extensa familia de dispositivos de alta y baja potencia. Para los diodos schottky la recuperación inversa puede ser del orden de ns. 5000 a. y potencia de 40v. scs.1 a 5 microseg y potencias de 3000 v. 1000a. a frecuencia de 1khz y tiempo de conmutación de 100 microsegundos. lascr y su aplicación principal es el control y la conversión de la energía eléctrica.. Erick José Carrasco Arredondo Página 10 . y tienen tiempos de recuperación inversa que varían de 0. sbs.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Los diodos de uso general están disponibles hasta para 5000v. triac. sus.gto. como son: scr. Los diodos de alta velocidad son esenciales en convertidores de potencia a alta frecuencias. 60 a.

tubo de vacío o bulbo. La válvula originaria fue el componente crítico que posibilitó el desarrollo de la electrónica durante la primera mitad del siglo XX. relys. incluyendo la expansión y comercialización de la radiodifusión. Algunas de estas aplicaciones son anteriores a la válvula. ignitrons. contactors. conmutar. audio. No se aplica en convertidores debido a que en conducción presenta alta caída de voltaje. Los igbt (transistores bipolares de compuerta aislada). 400 a. Los hay para hasta 1200 v. válvula de vacío. redes telefónicas. 50 a y frecuencia de hasta 100 khz. computadoras analógicas y digitales. es un componente electrónico utilizado para amplificar. es la versión en estado sólido del tubo de vacio triodo. khz. rheostats. vacuum tubes. Dispositivos que se han sustituido por la electrónica de potencia. transformers. variable autotransformers. televisión. o modificar una señal eléctrica mediante el control del movimiento de los electrones en un espacio "vacío" a muy baja presión. Los mosfets de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad para potencias de 1000 v. o en presencia de gases especialmente seleccionados. pero más lentos que los mosfets. etc. etc. El sit (transistor de inducción estática). Los dispositivos semiconductores de potencia exitosamente a los siguientes componentes: están reemplazando Thyratrons. -Válvulas Electrónicas- La válvula electrónica. también llamada válvula termoiónica. control industrial. Erick José Carrasco Arredondo Página 11 . machanical speed changers. uhf y amplificadores de microondas. radar. más rápidos que los bjt. son transistores de potencia controlados por voltaje. baja distorsión y es aplicado en vhf. motor starters. en especificaciones de potencia de hasta 1200 v. es un dispositivo de alta frecuencia y alta potencia. Es un dispositivo de bajo ruido.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Los transistores bipolares de alta potencia se utilizan en los convertidores de energía y operan a frecuencias menores a 10. pero vivieron un crecimiento explosivo gracias a ella. 400 a y frecuencias de 20 khz.

Whull. Añadiendo un gas inerte que se ioniza.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 El Tiratrón En 1929 se introduce el Tiratrón. A diferencia del tríodo. sino que cuando se dispara. se produce la ionización del gas que lleva al dispositivo a su resistencia mínima. inicialmente por medio de los electrones termoiónicos. Laintroducción del gas en un tubo electrónico tríodo altera radicalmente suscar acterísticas de funcionamiento. Se llama tiratrón a una válvula termoiónica parecida a un triodo que estuviera lleno de gas. Éste es un tubo de cátodo caliente que contiene gas inerte o vapor de mercurio a baja presión. desarrollado por A. la corriente de ánodo no es proporcional a la tensión de rejilla. El Tiratrón actúa como un diodo rectificador a gas con una rejilla de control. Se utiliza para el control de grandes potencias y corrientes. Erick José Carrasco Arredondo Página 12 . lo que en un dispositivo de vacío es muy difícil debido al número limitado de electrones que puede producir un cátodo termoiónico. se tiene un número mucho mayor de portadores de corriente que en el triodo.

se puede variar la polarización de la rejilla de control y por lo tanto. Con dicha fuente. La forma de onda del voltaje de carga y de la corriente de carga BA (figura 1.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 En un Tiratrón de cátodo caliente. La rejilla de control requiere de una tensión negativa o bien. con el control de polarización ajustado a un valor. La rejilla de control requiere de una tensión negativa o bien. En esta figura se observa una fuente de alimentación variable (VC). la corriente que pasa por una carga se puede controlar variando la polarización de la rejilla de control. el tubo de cátodo caliente no conduce hasta que se alcanza la tensión V1. indica que el comienzo de la conducción se ha retrasado hasta el instante correspondiente a B. esto se debe por la aplicación de una polarización negativa a la rejilla de control.7a se muestra un circuito de un Tiratrón conectado como rectificador de media onda. se puede reducir el intervalo de tiempo durante el cual conduce el tiratrón. En la figura 1. Cuando alcance dicha tensión.7b). entonces se dispara y conduce durante el intervalo tβ. una tensión positiva para que comience a operar En un Tiratrón de cátodo caliente. Erick José Carrasco Arredondo Página 13 . Durante el intervaloCD en que el tubo esta conduciendo. la corriente en la rejilla disminuye aproximadamente hasta cero. una tensión positiva para que comience a operar. La forma de onda entre ánodo y cátodo muestra que. la corriente que pasa por una carga se puede controlar variando la polarización de la rejilla de control. Durante el semi-ciclo negativo se bloquea el Tiratrón.

El ánodo es generalmente un bloque de carbono y el cátodo es una bolsa de mercurio. Su estructura básica y características de voltaje y corriente se muestran a continuación: Erick José Carrasco Arredondo Página 14 . El Ignitrón es una válvula grande de cátodo frio que se usa para conmutar corrientes intensas. Este dispositivo puede soportar tensiones de hasta 20000 V y corrientes de varios miles de amperes. Las versiones mayores de ignitrones tienen cubiertas compuestas de metal y vidrio con un sistema de enfriamiento por agua. similar al de los rectificadores de arco de mercurio de los cuales se ha derivado este.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Ignitrón Este es un rectificador de mercurio líquido de tres electrodos. Su nombre fue derivado del método de encendido del arco. Cuando pasa por el encendedor (interruptor) una corriente muy intensa se produce una emisión electrónica en los puntos de contacto con el mercurio que se evapora para formar un paso conductor entre los electrodos. siendo la caída de tensión en conducción de 15 a 20 V. El electrodo activador o encendedor es una varilla de carburo de silicio especialmente conformada y parcialmente sumergida en el mercurio.

El ánodo debe estar previamente polarizado a tensión positiva respecto al cátodo.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 La conducción se provoca en el momento deseado aplicando un impulso de20 a 50A y unos cientos de voltios entre la terminal de disparo llamado ignitor y el cátodo. eléctricamente conectado a la cubeta que contiene mercurio. Clasificación de los tiristores Erick José Carrasco Arredondo Página 15 .

Rectificador Controlado de Silicio Activado por Luz (LASCR) Erick José Carrasco Arredondo Página 16 . Tiristor Bidireccional de Silicio (Diac). Interruptor Controlado de Silicio (SCS). Interruptor Bilateral de Silicio (SBS). Interruptor Direccional de Silicio (SIDAC). Transistor Mono-unión Programable (PUT). Diodo de Cuatro Capas (Diodo Shockley). Interruptor Unilateral de Silicio (SUS). Interruptor de Apagado por Compuerta (GTO). Transistor Mono-unión (UJT).Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Los Tiristores se pueden subdividir en trece tipos:             Rectificador controlado de silicio (SCR) Tiristor de Triodo Bidireccional (Triac).

pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en corriente alterna. en lugar de los diodos convencionales hasta la realización de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos. Erick José Carrasco Arredondo Página 17 . Analizando los diagramas: A = ánodo.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 El SCR (Rectificador controlado de silicio) Es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. G = compuerta o Gate y C = K = cátodo Curva Característica del SCR APLICACIONES DEL SCR: Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificación de corrientes alternas. El símbolo y estructura del SCR se muestran en la figura.

Erick José Carrasco Arredondo Página 18 .Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conducción estará controlada por la señal de puerta. · Recortadores. · Interruptores estáticos. · Circuitos de protección. · Controles de calefacción. se dispara por la compuerta. Por lo anteriormente señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones. · Ciclo conversores. Sólo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor. · Controles de fase. El triac es en esencia la conexión de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. habrá una parte de la onda que será positiva y otra negativa. · Cargadores de baterías. El Triac Es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control tiristores. · Circuitos de retardo de tiempo. Además el tiristor se bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezará a recibir tensión inversa. Como el triac funciona en corriente alterna. · Fuentes de alimentación reguladas. entre ellas están las siguientes: · Controles de relevador. De esta forma se podrá variar la tensión continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrán diferentes ángulos de conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna de entrada.

controlar el tiempo que cada tiristor estará en conducción.G: Gate. entonces. puerta o compuerta del Triac El triac controla el paso de la corriente alterna a la lámpara (carga). la parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasará por el triac siempre y cuando haya habido una señal de disparo en la compuerta.L: lámpara -P: potenciómetro -C: condensador (capacitor) R: Resistor T: Triac -A2: Anodo 2 del Triac -A3: Anodo 3 del Triac . se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume. de igual manera. pasando continuamente entre los estados de conducción (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula) Erick José Carrasco Arredondo Página 19 .Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasará por el triac siempre y cuando haya habido una señal de disparo en la compuerta. que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y así. si se controla el tiempo que cada tiristor está en conducción. Donde: -Ven: Voltaje aplicado al circuito (A. Lo interesante es. Ejemplo: Una aplicación muy común es el atenuador luminoso de lámparas incandescentes (circuito de control de fase). para ambos semiciclos la señal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta). de esta manera la corriente circulará de abajo hacia arriba (pasará por el tiristor que apunta hacia arriba).) . Recordar que un tiristor sólo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mínimo para cada tiristor).C. de esta manera la corriente circulará de arriba hacia abajo (pasará por el tiristor que apunta hacia abajo).

se varía el tiempo de carga de un capacitor causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensión de alimentación y la que se aplica a la compuerta Notas: . Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.En este documento se utiliza el términotiristor como sinónimo de SCR.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Si se varía el potenciómetro.La diferencia de fase o la fase entre dos señales u ondas se define como el ángulo (diferencia de tiempo) que existe entre los dos orígenes de las mismas. y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. Erick José Carrasco Arredondo Página 20 . se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna. Aplicaciones más comunes Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. cuando se utiliza con cargas inductivas como motores eléctricos. Funciona como interruptor electrónico y también a pila. Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz. . Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido. No obstante. controles de velocidad para motores eléctricos.

pero orientados en formas opuesta. Cuando la tensión de disparo se alcanza. sino que tiene una pequeña corriente de fuga. La curva característica del DIAC se muestra a continuación En la curva característica se observa que cuando .V es mayor que la tensión de disparo. especialmente diseñado para disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensión).El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 DIAC El DIAC es un diodo de disparo bidireccional.ElDIAC normalmente no conduce. La conducción se da cuando se ha superado el valor de tensión del zener que está conectado en sentido opuesto. el DIAC se comporta como un cortocircuito Erick José Carrasco Arredondo Página 21 .+V o .V es menor que la tensión de disparo.Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.+V o . La conducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza. el DIAC se comporta como un circuito abierto . la tensión en el DIAC se reduce y entra en conducción dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC.Tiene dos terminales: MT1 y MT2.

5 a 1 watt.Disipación de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.Tensión de disparo .Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Sus principales características son: . El tiempo que en cada semiciclo tarda encargarseC. con lo que se ceba este últimoy la carga recibe el suministro de potencia. alimentado a través de unpotenciómetro P. el cualcontrola la potencia que el SCR suministra a la carga.Corriente de disparo -Tensión de simetría (ver grafico anterior) -Tensión de recuperación . se regula con P. y consecuentemente cebarse el DIAC y el SCR. Erick José Carrasco Arredondo Página 22 . como muestra en la figura 31. Cuando alcanza C el valor de disparo en cada semiciclo se produce el paso de corrientea través del DIAC y del circuito puerta-cátodo del SCR.) Estructura interna de Diac: APLICACIONES DEL DIAC La aplicación característica del DIAC es la formación de impulsos aprovechando eltiempo de carga variable de un condensador C.

A diferencia de otros tiristores. Se controla con mayor exactitud y depende menos de la temperatura que el diodo de cuatro capas. Está formado por dos SUS conectados en anti paralelo. Se comporta esencialmente como diodo de cuatro capas de bajo voltaje y con compuerta para su disparo.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 SUS(Silicon unilateral switch) El conmutador unilateral de silicio es la combinación de un tiristor con puerta anódica y un diodo zener entre puerta y cátodo. desde un punto de vista tecnológico. transistores y resistencias. sino que es un circuito integrado que incorpora diodos Zener conectados a la puerta. La sincronización se da mediante impulsos en la puerta del SUS. Su utilización es para el disparo de tiristores. Aplicaciones de el SUS: Este él un circuito donde se utiliza el SUS para el control de velocidad de un motor. la corriente Is está muy cercana a la IH. Esto le da la ventaja de poder aparear estrechamente los Erick José Carrasco Arredondo Página 23 . no es una versión mejorada del diodo npnp. Su principal parámetro es de Vs = 6 y 10v. el SBS. SBS (Silicon Bilateral Switch) Es una clase de tiristor bidireccional.

respectivamente. al cargarse el condensador hasta un voltaje determinado. Erick José Carrasco Arredondo Página 24 . el SBS se disparará y le entregará pulsos de voltaje al SCR o TRIAC para que se disparen y le entreguen la potencia a la carga. Los siguientes circuitos son utilizados para el control del disparo de un SBS. Control de potencia de una carga con un SBS. mientras que el tercero es frecuentemente usado para control de iluminación (luces) y calentadores eléctricos. En el segundo y tercer circuito se controla indirectamente la potencia entregada a la carga. con la selección adecuada de dos resistencias se puede regular la corriente que circula por la compuerta del SBS y por lo tanto permite ajustar su ángulo de disparo y la potencia entregada a una carga cualquiera. El segundo circuito es comúnmente utilizado para el control de motoresDC. así mismo será el tiempo de carga y descarga del condensador (constante RC). se ha incorporado un electrodo de puerta para una mayor flexibilidad en el uso del dispositivo. consiguiendo una asimetría en la tensión de disparo inferior a medio voltio. Se usan normalmente para el disparo de triacas. Señal de salida del SBS. Aunque funciona como un dispositivo de dos puertas.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 componentes. Nótese que los ángulos de disparo en los dos semiciclos son iguales. En el primero. al controlar directamente el disparo de un SCR y TRIAC. las especificaciones son idénticas a las del SUS a excepción del Vr que pierde todo significado. Dependiendo de los valores de resistencias y capacitancias seleccionados.

solamente se volvieron prácticos para las aplicaciones de control de motores. pero con la facilidad del GTO de poder conmutar a apagado mediante un pulso de corriente negativa en su compuerta. al final de los años setenta. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960. puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc. Erick José Carrasco Arredondo Página 25 . Estos dispositivos se han vuelto más y más comunes en las unidades de control de motores.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Circuito de control de disparo de un SBS para el disparo de un SCR. GTO: Tiristor de desactivación por compuerta Entre las mejoras más recientes que se le han hecho al tiristor está el apagado por compuerta (GTO). aun si la corriente iD excede IH. En aplicaciones de control de potencia de CD. Circuito de control de disparo de para el disparo de un TRIAC. Su curva caracteristica obedece en forma muy parecida a la del SCR. los semiconductores de potencia necesitan circuitos de proteccion. Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsación suficientemente grande en su compuerta de entrada.

El SCS también puede encenderse con un pulso negativo en la compuerta del ánodo. Esta acción polariza e inversa a la unión base-emisor del Q1 y lo apaga. existen otros métodos para apagar un SCS. manteniendo así el estado encendido del dispositivo. Una vez que el Q2 está encendido. Erick José Carrasco Arredondo Página 26 . En cada caso. Para apagar SCS se aplica un pulso positivo a la compuerta del ánodo. compuerta de cátodo.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 SCS (Siliconcontroldswitch) El conmutador controlado de silicio se construye en forma similar al SCR excepto que ambas capas centrales se conectan a compuertas. el transistor opera como un interruptor. registradores y circuitos de sincronización. en el que a su vez proporciona corriente de base para el Q2. una se denomina compuerta de ánodo y la otra. proporciona una trayectoria para la corriente de base del Q1. Tiene aplicaciones semejantes a las del SCR y en aplicaciones digitales como contadores. Además del pulso positivo en la compuerta del ánodo o el negativo en la del cátodo. El Q2 a su vez. El SCS tiene comúnmente un tiempo de apagado más rápido que el SCR. Esta acción regenerativa es la misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo Shockley y . Esto energiza al Q1 hacia conducción. La operación básica del SCS puede comprenderse refiriéndose al equivalente con transistores que se muestra siguiente figura. su corriente de colector proporciona excitación de base al Q2. el SCS no conduce. Un pulso positivo en la compuerta anódica lleva al Q2 hacia la conducción y proporciona así una trayectoria para la corriente de base al Q1. sosteniendo así el estado encendido. por lo tanto. Cuando éste se enciende. se apaga y el SCS deja de conducir como se muestra en la parte (b). Se supone que ambos Q1 y Q2 están apagados y que.

Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Curva característica. que es igual o similar a la del SCR. Erick José Carrasco Arredondo Página 27 .

haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensión. Para volver al estado OFF. corriente de mantenimiento. reduciendo. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Diodo Shockley Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. cruzando la región II. se disminuye la corriente hasta Ih. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño por lo que se da una mejora en la relación velocidad/potencia. mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia. hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la región III (Punto B).Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p. todavía más la corriente. El diodo de 4 capas o diodo Shockley maneja aplicaciones como: Osciladores y Dispositivos de Disparo a SCR. tensión de conmutación. Para pasar del estado OFF al ON. La región I es la región de alta impedancia (OFF) y la III. La impedancia del diodo desciende bruscamente. Erick José Carrasco Arredondo Página 28 . Ahora el diodo aumenta su impedancia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS. mientras aumenta la tensión en sus terminales. se aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar Vs. la región de baja impedancia. Es un tipo de tiristor. dispuestas alternadamente. hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la región I (Punto A). Aplicaciones Prácticas del Diodo Shockley El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lógica TTL.

En estas condiciones. por cuatro capas semiconductoras NPNP más una capa P. Erick José Carrasco Arredondo Página 29 . Es básicamente un diodo de cuatro capas con unas características eléctricas simétricas. es técnicamente especificado como un interruptor conmutado de tensión bilateral. es un dispositivo interruptor que al aplicársele tensión positiva entre el ánodo y el cátodo. se llega a un voltaje de ruptura o avalancha. en el cual la corriente crece de forma abrupta y la caída de tensión decrece de idéntico modo. Esencialmente. Al aumentar esta tensión. Los SIDAC se distinguen de los DIACs por el hecho de que están diseñados para manejar mayor potencia que los segundos. El SIDAC. Es un dispositivo compuesto. o de circuitos de encendido. que generalmente presentan un mayor voltaje de disrupción y puede transportar una mayor cantidad de corriente que los DIACs. los SIDAC se utilizan en el suministro de potencia de alta tensión.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 El SIDAC El SIDAC (SiliconDiodeforAlternatingCurrent) es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensión y corriente.El SIDAC posee una estructura similar a la del Diodo Shockley con la singular característica de tener una quinta capa P en su estructura. El SIDAC se utiliza en aplicaciones en la cuales se necesita una tensión de disparo típicamente comprendida entre 104 y 280 V Forma parte de la familia de los Tiristores. es un interruptor de silicio semiconductor de múltiples capas. en principio. En este momento. comunmente llamados diodos tiristores bi-direccionales. El SIDAC es un dispositivo de conmutación activado por voltaje y utilizado en circuítos de encendido de lámparas compuestas por halogenuros metálicos así como en la iluminación de calles y exteriores en circuitos de encendido de lámparas de vapor de sodio de alta presión. Por lo general. es decir. Este componente es conmutado por tensión y puede ser operado como interruptor bidireccional. únicamente circula corriente muy baja y el dispositivo se encuentra en estado de corte o bloqueo. tendrá polarización directa entre dos de las uniones PN y una polarización inversa en las uniones NP. el SIDAC ha conmutado desde el estado de bloqueo al de conducción.

la máxima tensión inversa que puede soportar el dispositivo cuando éste está bloqueado (Polarización inversa) *Corriente Ánodo-Cátodo *Voltaje Directo de Ruptura Erick José Carrasco Arredondo Página 30 .Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 -Parámetros o características eléctricas más generales de los dispositivos*Voltaje Inverso de Ruptura La tensión de ruptura del dispositivo (“Breakdown Voltage”) o. lo que es lo mismo.

sin la cual el dispositivo dejaría de conducir. *Potencia Es la relación de paso de energía de un flujo por unidad de tiempo.VGT-IGT: Máxima tensión o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebadoErick José Carrasco Arredondo Página 31 . disminuirá el voltaje de bloqueo directo. Si aumenta esta corriente de compuerta.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 *Corriente Máxima en Directa *Voltaje Ánodo-Cátodo *Corriente de Sostenimiento Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el ánodo una corriente de sostenimiento. la cantidad de energía entregada o absorbida por un elemento en un tiempo determinado. la inyección de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y cátodo lo activará. es decir.PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo. revirtiendo en la activación del dispositivo VRDM: Máxima tensión inversa de cebado (VG = 0)- VFOM: Máxima tensión directa sin cebado (VG = 0)IF: Máxima corriente directa permitida. mucho menor que la de enganche. *Voltaje de Compuerta *Corriente de Compuerta Para un tiristor polarizado en directa.

Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el tiristordv/dt: Máxima variación de tensión sin producir cebado. PGM (Potencia pico de disipación de compuerta) = la disipación instantánea máxima permitida en la compuerta. en estado de conducción. -Circuitos De AplicaciónErick José Carrasco Arredondo Página 32 . dV/dt ( velocidad critica de crecimiento de tensión en el estado de bloqueo) = designa el ritmo de crecimiento máximo permitido de la tensión en el ánodo antes de que el triac pase al estado de conducción. IT (RMS) (Corriente en estado de conducción) = en general en el grafico se da la temperatura en función de la corriente. En general seta dada a 50 o 60 Hz. Se da a una temperatura de 100C y se mide en V/m s. IH (Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual el triac volverá del estado de conducción al estado de bloqueo. I2t (Corriente de fusión) = este parámetro da el valor relativo de la energía necesaria para la destrucción del componente. ITSM (Corriente pico de alterna en estado de conducción (ON)) = es la corriente pico máxima que puede pasar a través del triac. tON ( tiempo de encendido) = es el tiempo que comprende la permanencia y aumento de la corriente inicial de compuerta hasta que circule la corriente anódica nominal.di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el tiristor Parámetros del TRIAC VDRM (Tensión de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el máximo valor de tensión admitido de tensión inversa. sin que el triac se dañe.

Se tiende a utilizar frecuencias de conmutación cada vez más elevadas porque permiten reducir la capacidad de los condensadores. Elevadores Erick José Carrasco Arredondo Página 33 . también es una fuente conmutada con dos dispositivos semiconductores (transistor S y diodo D). Suelen ser reguladores de conmutación. la mayoría de las veces con limitación de corriente. El diseño es similar a un convertidor elevador o Boost. peso y precio. con el consiguiente beneficio de volumen. Normalmente se clasifican en tres grupos: los que disminuyen la tensión a su salida (convertidor reductor). Son varios los tipos de convertidores DC-DC existentes. los que aumentan la tensión a su salida (convertidor elevador) y los que son capaces de realizar ambas funciones. dando a su salida una tensión regulada y. un inductor L y opcionalmente un condensador C a la salida. Reductores Convertidor Buck El convertidor Buck (o reductor) es un convertidor de potencia que obtiene a su salida un voltaje continuo menor que a su entrada.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Convertidor DC a DC Se llama convertidor DC-DC a un dispositivo que transforma corriente continua de una tensión a otra.

paneles solares. Es un tipo de fuente de alimentación conmutada que contiene al menos dos interruptores semiconductores y al menos un elemento para almacenar energía. Frecuentemente se añaden filtros construidos con inductores y condensadores para mejorar el rendimiento. relojes o teléfonos. La conexión de suministro genera una tensión alterna (AC) y los dispositivos requieren tensiones continuas (DC). Un convertidor Boost es uno de los tipos de convertidores DC a DC. rectificadores y generadores DC. El proceso de cambiar una tensión de continua a otra diferente es llamado conversión DC a DC. este es un proceso llamado conversión AC a DC y en él se usan convertidores AC a DC como rectificadores. pero la corriente de salida es menor que la de entrada. La conversión de potencia permite que dispositivos de continua utilicen energía de fuentes de alterna. Un conector de suministro de energía habitual normalmente no se puede conectar directamente a dispositivos como ordenadores. Reductores-Elevadores Erick José Carrasco Arredondo Página 34 .Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Convertidor Boost El convertidor Boost (o elevador) es un convertidor de potencia que obtiene a su salida una tensión continua mayor que a su entrada. La energía también puede provenir de fuentes DC como baterías. Presenta una tensión de salida mayor que la tensión de la fuente. pero ser de niveles inadecuados.

El interruptor puede colchares tanto en el lado de la tierra como en el lado de la fuente. Además. la fuente es una batería) ya que la polaridad de la fuente y el diodo pueden simplemente cambiarse. El voltaje de salida es ajustable variando el ciclo de trabajo del transistor de conmutación. Un posible inconveniente de este convertidor es que el interruptor no tiene un terminal conectado a tierra.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Convertidor Buck-Boost El convertidor buck–boost es un tipo de convertidor DC-DC que tiene una magnitud de voltaje de salida que puede ser mayor o menor que la magnitud del voltaje de entrada. la polaridad del voltaje de salida es opuesta al voltaje de entrada. esto complica el circuito. (si. Convertidor Flyback Erick José Carrasco Arredondo Página 35 . Ninguno de los anteriores inconvenientes tiene consecuencias si la fuente de suministro está aislada del circuito de carga. Esta es switch mode power supply o fuente de alimentación conmutada con una forma parecida a la del convertidor boost y el convertidor buck. por ejemplo.

este convertidor sólo se usa en aplicaciones de baja potencia. Otro problema frecuente es el efecto negativo de la inductancia de dispersión que causa sobretensiones importantes en el interruptor controlado con lo que su uso queda limitado a aplicaciones de baja tensión de entrada. erróneamente. en realidad no es así. salvo que se usen redes de amortiguación.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 El convertidor Flyback o convertidor de retroceso es un convertidor DC a DC con aislamiento galvánico entre entrada y salida. Convertidor Cuk Erick José Carrasco Arredondo Página 36 . Esta es la razón por la que el dispositivo inductivo de este tipo de convertidores es mucho más voluminoso para una misma frecuencia de conmutación que el de otros convertidores con aislamiento que sí usan transformador de verdad como los push-pull y los puentes. Tiene la misma estructura que un convertidor Buck-Boost con dos bobinas acopladas en lugar de una única bobina. puesto que un transformador no almacena más que una mínima parte de la energía que maneja mientras que el elemento inductivo del flyback almacena toda la energía en el núcleo magnético. Por este motivo. se suele hablar de un transformador como elemento de aislamiento pero.

Es por esto que además la forma de onda resultante es necesariamente de menor frecuencia que la de entrada. la forma de onda del voltaje de salida se va construyendo por segmentos de la forma de onda de los voltajes de entrada. como el suministro de conducto principal. Para ello.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 El convertidor Duk es un tipo de convertidor DC-DC en el cual la magnitud de voltaje en su salida puede ser inferior o superior a su voltaje de entrada. El convertidor Duk no aislado solo puede tener polaridad opuesta entre su entrada y su salida. a otro voltaje AC. A diferencia de otros convertidores estáticos. La amplitud y la frecuencia del voltaje de entrada tienden a ser fijas. Erick José Carrasco Arredondo Página 37 . Este utiliza un condensador como su principal componente de almacenamiento de energía. sin que exista un enlace intermedio de corriente continua ni elementos almacenadores de energía. mientras que tanto la amplitud como la frecuencia del voltaje de salida pueden ser variables dependiendo del control. Convertidor AC-AC Un ciclo conversor es un convertidor estático de potencia que convierte un voltaje AC. y mediante la conmutación de semiconductores. en este equipo la conversión se hace directamente de corriente alterna a corriente alterna.

Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Erick José Carrasco Arredondo Página 38 .

Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 -Estructura Básica de un Sistema de Electrónica Potencia- Erick José Carrasco Arredondo Página 39 .

etc.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 . luz incandescente. motores. mediante un reacción regenerativa. estado que se mantiene mientras que la corriente y la tensión sean superiores a un valor mínimo denominado niveles de mantenimiento. pero todos ellos tienen ciertas propiedades en común: son dispositivos de estado sólido que se “disparan” bajo ciertas condiciones pasando de un estado de alta impedancia a uno de baja. Estos dispositivos se utilizan en control de potencia. Erick José Carrasco Arredondo Página 40 . es decir. duración y velocidad. siempre que se verifiquen unos requerimientos mínimos de tensión y corriente. conmuta a conducción y lo mantiene en este estado aunque la señal de disparo sea retirada.8. a su diseño y a su función en el control de potencia en un sistema. En el modelo a nivel de transistor se observa claramente que al introducir una corriente por la línea G se produce la conducción de los transistores. La figura 12.a se muestra el símbolo del SCR y en la figura 12.8. todos los tiristores consisten en varias capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n. En la figura 12.TiristoresLa electrónica de potencia concierne a los circuitos con tiristores. El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que.b su modelo a nivel transistor. El SCR o Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o ánodo. convertidores DC-DC o DCAC o AC-DC o AC-AC. el disparo del dispositivo sin ser necesario alcanzar la VBO. en términos de flexibilidad. Estas características hacen que los tiristores sean mucho más útiles que los conmutadores mecánicos. C o cátodo y G o gate o puerta de control) muy similar al diodo de cuatro capas descrito en la anterior sección pero que posee una entrada adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes de alcanzar la VBO. Estructuralmente.9 permite ver claramente como las características del SCR varían con la corriente de su puerta cuyos valores son del orden de miliamperios o inferiores. Existen gran variedad de tiristores.

Erick José Carrasco Arredondo Página 41 . y la unión J2 polarizada en inversa.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Diodo Cuatro Capas El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductores npnp. Aumentando esta tensión positiva se llega a una tensión VBO de ruptura o avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la caída de tensión decrece de la misma manera. En estas condiciones únicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el dispositivo se encuentra cortado. Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al aplicar un tensión positiva entre ánodo y cátodo se puede observar que la unión J1 y J3 está polarizada en directa. En este momento. el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a conducción.

a). Erick José Carrasco Arredondo Página 42 . sino que es fabricado como un circuito integrado constituido por transistores. La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP.2. EL SBS no es solamente un versión mejorada del diodo de cuatro capas.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su estructura física en dos mitades (figura 12. SBS El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simétrico para aplicaciones de disparo más versátil que el SIDAC.b que normalmente es referido como candado. Su reducido coste. diodos y resistencias. Tiene además un terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus características de disparo con pequeños pulsos de corriente (decenas de µA). resultando el circuito mostrado en la figura 12.3. alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy útil en muchas aplicaciones.

4.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 SIDAC El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensión y corriente.a se describe su estructura física. Es básicamente un diodo de cuatro capas con unas características eléctricas simétricas. Erick José Carrasco Arredondo Página 43 .c sus características eléctricas simétricas.b el símbolo de este dispositivo y en la figura 12.4. en la figura 12. En la figura 12. El SIDAC se utiliza en aquellas aplicaciones que se necesitan una tensión de disparo VBO cuyos valores están comprendidos entre 120 V y 270 V (típicos).4.

la conducción del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales.a se indica su símbolo.17. Normalmente. como su propio nombre indica. PUT El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la familia de los dispositivos uniunión y sus características son similares al SCR. tiene una tensión de ruptura alta y el procedimiento normal de hacer entrar en conducción a un TRIAC es a través de un pulso de disparo de puerta (positivo o negativo). TRIAC Un TRIAC (TRIode for Alternative Current) es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertidos. En la figura 12. un SCR cuyo disparo es controlado por luz. Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (anode-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo. el SCR se dispara y permanece en conducción aunque desaparezca esa luz. es decir. Erick José Carrasco Arredondo Página 44 .Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 LASCR El foto-SCR o SCR activado por luz (light activated SCR o LASCR) es. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa. de tal manera que este dispositivo puede controlar corriente en cualquier dirección.

Erick José Carrasco Arredondo Página 45 .a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor está fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 UJT El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT está constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. la resistencia entre las dos bases. Por ello.21. En la figura 12. es elevada (de 5 a 10KΩ estando el emisor abierto). RBB o resistencia interbase.

Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 -Operación del IGBT y GTO- Las Siglas IGBT corresponden a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida o de compuerta aislada. es un dispositivo semiconductor de potencia hibrido que combina los atributos del BJT y del MOSFE. Erick José Carrasco Arredondo Página 46 . mientras que las características de conducción son como las del BJT. Simbología Es un componente de 3 terminales que se denominan GATE. Colector & Emisor y su símbolo corresponde a la siguiente Figura. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia. El IGBT de la figura es una conexión integrada de un MOSFET y un BJT. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrad. El gate maneja voltaje como el MOSFET. el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el BJT. es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia para la conmutación en sistemas de alta tensión.

el dispositivo se mantiene asi por una señal de voltaje para el gate. una vez encendido. Si se considera que el IGBT se encuentra bloqueado inicialmente. la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. Erick José Carrasco Arredondo Página 47 . es decir. el IGBT enciende inmediatamente. la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. después de lo cual la corriente de drain ID es igual a la corriente de carga IL(asumida como constante). Este Voltaje. Para encender el IGBT. La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate. en virtud del control de voltaje la disipación de potencia en el gate es muy baja. Si un voltaje VGS es aplicado al gate. si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 v. puede causar que el tiempo de encendido sea menos a 1s .Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 Su estructura microelectrónica es bastante compleja por ello que se describe en base a su esquema equivalente. Sin embargo. no existe ningún voltaje aplicado al gate. La corriente ID persiste para el tiempo tal en que la señal en el gate es aplicada.

El IGBT requiere un valor Limite de VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Se usan desde 1960. el gate debe mantener un voltaje arriba de 15 v. Características El disparo se realiza mediante una VGK>O El bloqueo se realiza con una VGK<O Erick José Carrasco Arredondo Página 48 . La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos. aun si la corriente ID exede IH. pero se potencializaron en los años 70. manejados a niveles de potencia que exceden los 50 Kw. Tiristor de Apagado por Compuerta Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por un pulso lo suficientemente grande en su compuerta de entrada. son comunes en las unidades de control de motores ya que eliminan componentes externos para apagar lo SCR en circuitos de CC.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal gate. por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 Khz. Este es usualmente 4 v . El IGBT se aplica en controles de motores eléctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna. como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo. y la corriente ID se auto limita. arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor cercano a los 2 v.

En ese punto existe un proceso dinámico de encendido VAK=3v y la corriente IA es determinada por la carga. Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente positiva aplicado al gate. Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de un voltaje en inversa. Con un voltaje de polarización en directa el GTO se bloquea hasta un voltaje de ruptura VAK=VBO es alcanzado.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar más dimensionado El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en el gate. el GTO se enciende y permanece de esa forma. el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo. Erick José Carrasco Arredondo Página 49 . en el cual la acción regenerativa interna no es efectiva. El valor del voltaje de ruptura inverso depende del método de fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de apagado. pero existe una corriente de figa (IA). solo existe una pequeña corriente de fuga (IA) una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. para esta condición existen 2 formas de apagarlo. una forma es reduciendo la corriente de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding IH.

este se aplica en circuitos Chopper(conversiones de dc-dc) y circuitos inversores (conversiones dc-ac) a niveles de potencia que los MOSFET’s. Erick José Carrasco Arredondo Página 50 .Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate y este es el método más recomendable porque proporciona un mejor método de control. Aplicaciones Como el GTO tiene una conducción de corriente unidireccional y puede ser apagado en cualquier instante. los BJT’s e IGBT’s no pueden ser utilizados.

buenastareas. Hart-Introducción a la electrónica de potencia http://tec.com/Tut_scr.asp www. Daniel W.com Erick José Carrasco Arredondo Página 51 .wikipedia.upc. RASHID “Electrónica de potencia” EDICION 2.unicrom.pdf Electrónica industrial de potencia: Timothy j maloney Manual del SCR: general electric Electrónica de potencia: mohan http://www.com http://www.Instituto Tecnológico de Chihuahua 2013 -BibliografíaMUHAMMAD H.es/el/TEMA-2%20EP%20%28v1%29.Prentice Hall.