You are on page 1of 32

Capítulo 1: Diodos Semicondutores

Diodo [Diode]
O Diodo é um dispositivo de 2 terminais.

Um diodo idealmente conduz apenas em uma direção.

Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

2

Copyright ©2009 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458 • All rights reserved.

Características do Diodo
Região de Condução Região de Não Condução

• • •

A tensão no diodo é 0 V A currente é infinita A resistência direta é definida como RF = VF / IF O diodo atual como um curto-circuito

• • •

Toda tensão esta sobre o diodo A corrrente é 0A A resistência reversa é definida como RR = VR / IR O diodo atual com um circuito aberto

Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

3

Copyright ©2009 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458 • All rights reserved.

. Upper Saddle River.Materiais Semicondutores Materiais geralmente usado no desenvolvimento de dispositivos semicondutores: • Silicio (Si) [Silicon] • Germânio (Ge) [Germanium] • Arsianêto de Gálio (GaAs) [Gallium Arsenide] Electronic Devices and Circuit Theory. 10/e Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky 4 Copyright ©2009 by Pearson Education. Inc. New Jersey 07458 • All rights reserved.

New Jersey 07458 • All rights reserved. Inc. • Materiais tipo p contém um excesso de lacunas na banda de valência. Upper Saddle River. Electronic Devices and Circuit Theory. Há somente dois tipos de materiais semi-condutores dopados: Tipo n [n-type] Tipo p [p-type] • Materiais tipo n contém um excesso de elétrons na banda de condução. 10/e Robert L.Dopagem [Doping] A características elétricas do silicio e germânio são aprimoradas por adicionar outros materiais em um processo chamado dopagem. . Boylestad and Louis Nashelsky 5 Copyright ©2009 by Pearson Education.

Boylestad and Louis Nashelsky 6 Copyright ©2009 by Pearson Education. New Jersey 07458 • All rights reserved.Junções p-n Um lado do cristal de silício ou germânio pode ser dopado com um material tipo p e o outro lado com um material tipo n. Electronic Devices and Circuit Theory. Upper Saddle River. . O resultado é um uma junção p-n. 10/e Robert L. Inc.

Upper Saddle River. Inc. O resulado é a formação de uma região de depleção em torno da junção. New Jersey 07458 • All rights reserved. Boylestad and Louis Nashelsky 7 Copyright ©2009 by Pearson Education. Os eletrons no material tipo n migram através da junção do material tipo p (fluxo de elétrons). .Junção p-n Na junção p-n. Electronic Devices and Circuit Theory. A migração do elétron resulta na carga negativa no lado tipo p da junção e uma carga positiva no lado tipo n da junção. o escesso de elétrons na banda de condução no lado do material tipo n são atraídos para as lacunas da banda valência no lado do material tipo p. 10/e Robert L.

Inc. Upper Saddle River. 10/e Robert L.Condições de Operação de um Diodo Um Diodo tem três condições de operação: • Sem polarização [No bias] • Polarização direta [Forward bias] • Polarização reversa [Reverse bias] Electronic Devices and Circuit Theory. Boylestad and Louis Nashelsky 8 Copyright ©2009 by Pearson Education. . New Jersey 07458 • All rights reserved.

Upper Saddle River. 10/e Robert L. . New Jersey 07458 • All rights reserved. Inc. Boylestad and Louis Nashelsky 9 Copyright ©2009 by Pearson Education.Condições de Operação de um Diodo Sem Polarização • • • Nenhuma tensão externa é aplicada : VD = 0 V Não há fluxo de currente: ID = 0 A Existe somente uma pequena região de depleção Electronic Devices and Circuit Theory.

Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey 07458 • All rights reserved. Copyright ©2009 by Pearson Education. Os elétrons no material tipo n são atraídos através do fonte de tensão positiva. As lacunas no material tipo p são atraídos através do terminal de tensão negativo. Inc. • • • A tensão reversa forma uma larga região de depleção. Boylestad and Louis Nashelsky 10 .Condições de Operação de um Diodo Polarização Reversa Uma tensão external é aplicado na junção p-n em polaridade oposta dos materiais tipo p e n. 10/e Robert L. Upper Saddle River.

New Jersey 07458 • All rights reserved. Os elétrions e lacunas tem energia suficiente para cruzar a junção p-n. Upper Saddle River. Boylestad and Louis Nashelsky 11 Copyright ©2009 by Pearson Education. • • • A tensão direta resulta em uma região de depleção muito fina. Inc. Electronic Devices and Circuit Theory. . Os eletrons e lacunas são empurradas através da junção p-n. 10/e Robert L.Condições de Operação de um Diodo Polarização direta Uma tensão external é aplicada na junção p-n na mesma polaridade dos materiais tipo p e n.

Upper Saddle River. . Note cuidadosamente que escala para cada uma destas condições. não polarização e polarização direta. Inc.Curva Características do Diodo Note condições das regiões de polarização reversa. Boylestad and Louis Nashelsky 12 Copyright ©2009 by Pearson Education. New Jersey 07458 • All rights reserved. 10/e Robert L. Electronic Devices and Circuit Theory.

New Jersey 07458 • All rights reserved. Boylestad and Louis Nashelsky 13 Copyright ©2009 by Pearson Education. Inc. Upper Saddle River. Portadores Minoritários [Minority Carriers] • Os portadores minoritarios no material tipo n são lacunas. • Os portadores minoritarios no material tipo p são elétrons. Electronic Devices and Circuit Theory.Portadores Majoritário e Minoritários Duas corrente fluem em um Diodo: Portadores Majoritários [Majority Carriers] • Os portadores majoritários no material tipo n são elétrons. • Os portadores majoritários no material tipo p são lacunas. 10/e Robert L. .

A tensão que faz o Diodo entrar na região de operação zener é chamada de Tensão Zener [zener voltage ] (VZ). Boylestad and Louis Nashelsky 14 Copyright ©2009 by Pearson Education. • Electronic Devices and Circuit Theory. Upper Saddle River. Em algum ponto na região de polarização reversa uma grande tensão no Diodo se rompe e a corrente reversa aumenta dramaticamente. 10/e Robert L. . Inc. New Jersey 07458 • All rights reserved.Região Zener A região Zener esta na região de polarização reversa do Diodo. • A maxima tensão reversa que não ultrapassa a região zener do Diodo é chamada de tensão de pico inversa [peak inverse voltage] ou tensão de pico reversa [peak reverse voltage].

Inc. Upper Saddle River.2 V • Si  0. 10/e Robert L.7 V • Ge  0. Boylestad and Louis Nashelsky 15 Copyright ©2009 by Pearson Education.3 V Electronic Devices and Circuit Theory.Tensão de Polarização Direta O ponto em que o Diodo Diodo muda da condição de nãp polarização para condição de polarização direta ocorre quando os elétrons e lacunas possuem energia suficiente para cruzar a junção p-n. Esta energia vem da tensão externa aplicada ao Diodo. New Jersey 07458 • All rights reserved. . A tensão de polarização direta requerida para um Diodo de: • GaAs  1.

Boylestad and Louis Nashelsky 16 Copyright ©2009 by Pearson Education. New Jersey 07458 • All rights reserved. Inc. Upper Saddle River. .Efeitos da Temperatura Um aumento de temperatura adiciona energia ao Diodo. • Esta aumenta a corrente reversa no condição de polarização reversa. Electronic Devices and Circuit Theory. Diodo de Germânio são mais sensíveis a variação de temperatura se comparado aos Diodos de Silício e Arsianeto de Gálio. 10/e Robert L. • Esta aumenta a tensão máxima de avalanche na polarização reversa. • Esta reduz a tensão limiar de polarização direta.

New Jersey 07458 • All rights reserved. Inc.Níveis de Resistência Os semicondutores reagem de maneira diferente para correntes CC e CA. 10/e Robert L. Upper Saddle River. . Há três tipo de resistência: • resistância CC (estática) [DC (static) resistance] • resistência CA (dinâmica) [AC (dynamic) resistance] • resistência CA média [Average AC resistance] Electronic Devices and Circuit Theory. Boylestad and Louis Nashelsky 17 Copyright ©2009 by Pearson Education.

. o Diodo tem um corrente específica ID. e um resistência específica RD. 10/e Robert L.Resistência CC (Estática) Para uma tensão CC específica VD. Inc. Boylestad and Louis Nashelsky 18 Copyright ©2009 by Pearson Education. New Jersey 07458 • All rights reserved. Upper Saddle River. VD RD  ID Electronic Devices and Circuit Theory.

. New Jersey 07458 • All rights reserved.Resistência CA Média rav ΔVd  ΔId pt. Inc. 10/e Robert L. Upper Saddle River. Resistência CA média pode ser calculada usando os valores de corrente e a tensão entre dois pontos na curva característica do Diodo. Electronic Devices and Circuit Theory. to pt. Boylestad and Louis Nashelsky 20 Copyright ©2009 by Pearson Education.

New Jersey 07458 • All rights reserved. 10/e Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky 21 Copyright ©2009 by Pearson Education. . Inc. Upper Saddle River.Circuito Equivalente do Diodo Electronic Devices and Circuit Theory.

Upper Saddle River. O capacitância depende do nível tensão reversa aplicada. Electronic Devices and Circuit Theory. a camada de depleção é muito grande. 10/e Robert L. New Jersey 07458 • All rights reserved.Capacitância do Diodo Na polarização reversa. Na polarização direta existe uma capacitância de armazenamento [storage capacitance ] ou capacitância de difusão [diffusion capacitance ](CD) formada pelo incremento da tensão do Diodo. . As fortes polaridades positivas e negativas do Diodo cria capacitancias. CT. Inc. Boylestad and Louis Nashelsky 22 Copyright ©2009 by Pearson Education.

. 10/e Robert L. Inc. New Jersey 07458 • All rights reserved. Boylestad and Louis Nashelsky 23 Copyright ©2009 by Pearson Education. Upper Saddle River.Tempo de Recuperação Reversa [Reverse Recovery Time] (trr) Tempo de recuperação reversa é o tempo requerido para um Diodo parar de conduzir uma que este sendo chaveado da polarização direta para polarização reversa Electronic Devices and Circuit Theory.

10/e Robert L. Inc. Isto facilita a uniformização dos Diodos para manutenção e design de circuitos.Folhas de Especificação do Diodo Dados a respeito do Diodo é apresentado uniformemente para muitos Diodos diferentes nas Folhas de Especificação do Diodo [Diodo Specification Sheets]. Correte máxima reversa [Maximum forward current] (IF) numa temperatura específica 3. Boylestad and Louis Nashelsky 24 Copyright ©2009 by Pearson Education. New Jersey 07458 • All rights reserved. numa temperatura específica Electronic Devices and Circuit Theory. Tensão de polarização reversa. 1. PIV or PRV or V(BR). Corrente reversa de saturação [Reverse saturation current ] (IR) para uma tensão e temperatura específica 4. . Upper Saddle River. Tensão Reversa [Forward Voltage ] (VF) para uma corrente e temperatura específica 2.

5. Isto facilita a uniformização dos Diodos para manutenção e design de circuitos. Tempo de recuperação reversa [Reverse recovery time]. trr 8. . Boylestad and Louis Nashelsky 25 Copyright ©2009 by Pearson Education. New Jersey 07458 • All rights reserved. Upper Saddle River. Máxima potência de dissipação numa temperatura específica 6. 10/e Robert L. Faixa de temperatura de operação [Operating temperature range] Electronic Devices and Circuit Theory. Níveis de capacitância 7. Inc.Folhas de Especificação do Diodo Dados a respeito do Diodo é apresentado uniformemente para muitos Diodos diferentes nas Folhas de Especificação do Diodo [Diodo Specification Sheets].

Boylestad and Louis Nashelsky 26 Copyright ©2009 by Pearson Education. . Inc.Símbolo do Diodo e Encapsulamento [Packaging] O ânode é abreviado como A O cátodo é abreviado como K Electronic Devices and Circuit Theory. 10/e Robert L. Upper Saddle River. New Jersey 07458 • All rights reserved.

. New Jersey 07458 • All rights reserved. Upper Saddle River. Inc. Boylestad and Louis Nashelsky 27 Copyright ©2009 by Pearson Education. 10/e Robert L.Teste do Diodo Verificador de Diodo [Diodo checker] Ohmímetro [Ohmmeter] Traçado de Curva [Curve tracer] Electronic Devices and Circuit Theory.

Boylestad and Louis Nashelsky 28 Copyright ©2009 by Pearson Education. 10/e Robert L. Upper Saddle River. Electronic Devices and Circuit Theory. . New Jersey 07458 • All rights reserved.Traçado de Curva Um traçador de curva mosrta a curva característica de um Diodo em um circuito de teste. Esta curva pode ser comparada com as especificações de uma folha de dados de um Diodo. Inc.

10/e Robert L. Inc. Upper Saddle River.Outros tipos de Diodos Diodo Zener [Zener Diodo] LED [Light-emitting Diodo] Arranjo de Diodos [Diode arrays] Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey 07458 • All rights reserved. Boylestad and Louis Nashelsky 29 Copyright ©2009 by Pearson Education. .

New Jersey 07458 • All rights reserved. Inc.Diodo Zener Um diodo Zener é um Diodo que opera na polarização reversa da tensão Zener (VZ). Upper Saddle River. . Tensão Zener estão em geral entre 1.8 V e 200 V Electronic Devices and Circuit Theory. 10/e Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky 30 Copyright ©2009 by Pearson Education.

A tensão de polarização direta voltage em geral esta na faixa de 2 V a 3 V. Upper Saddle River. Inc. Electronic Devices and Circuit Theory. Boylestad and Louis Nashelsky 31 Copyright ©2009 by Pearson Education. New Jersey 07458 • All rights reserved. . Este pode ser no espectro infra-vermelho ou luz vizível [infrared or visible spectrum]. 10/e Robert L.Light-Emitting Diode (LED) Um LED emite fótons quando este é polarizado diretamente.

Upper Saddle River. Cátodo Comum [Common Cathode] Electronic Devices and Circuit Theory. Ânodo Comum [Common Anode] Existe uma variedade de combinações. 10/e Robert L. New Jersey 07458 • All rights reserved. Boylestad and Louis Nashelsky 32 Copyright ©2009 by Pearson Education. Inc. .Arranjo de Diodos Multiplos Diodos podem ser encapsulado juntos em um CI [integrated circuit (IC)].

Upper Saddle River. 10/e Robert L. . Boylestad and Louis Nashelsky Copyright ©2009 by Pearson Education. New Jersey 07458 • All rights reserved. Inc.Electronic Devices and Circuit Theory.