HD1:Users:pautex:Desktop:ET- docs du site:Les diodes.

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LES DIODES
La jonction PN
Constitution
Courbe caractristique
Rsistance dynamique d'une diode passante
Polarisation d'une diode l'aide d'une rsistance
Caractristiques simplifies Modles lectriques correspondants
Modle diode parfaite sans seuil
Modle diode parfaite avec seuil
Modle diode avec seuil et rsistance dynamique
Modle dynamique d'une jonction PN
Application au redressement de signaux alternatifs
Redressement monoalternance
Redressements double alternance
Application la dtection de lenveloppe dun signal variable
Enveloppe dun signal variable Dfinition
Dtecteur denveloppe simple
La diode Zener
La photodiode
Constitution et caractristiques de fonctionnement
Modes dutilisation
Autres types de diodes
La LED
Prsentation
Caractristiques lectriques principales dune LED
Caractristiques optiques
La diode Schottky
La diode Varicap
La diode laser (DL)
La diode effet tunnel

Avec le transistor, la diode est la figure emblmatique de toute l'lectronique. En effet le
dveloppement de l'industrie lectronique prend son dpart avec l'invention des diodes vide et
galne. C'est grce sa fonction de valve lectrique que la diode a t utilise pour dtecter et
dmoduler les ondes radio.
Comme son nom l'indique, la diode est un lment actif comportant deux lectrodes dsignes
gnralement par anode et cathode. Plusieurs catgories de composants appartiennent la famille
des diodes :
! Les diodes de redressement et de dtection : jonction PN, diodes Schottky
! Les diodes capacit variable : diodes varicap
! Les diodes de rgulation : diodes Zener
! Les diodes lectroluminescentes : LED (Light Emitting Diode)
! Les photodiodes (PD)
! Les diodes laser
! Les diodes effet tunnel
La jonction PN
Constitution
La diode PN rsulte de la jonction de deux lments semi-conducteurs gnralement en silicium
(figue x). L'un des lments a subit un dopage type P, l'autre un dopage type N. A cause des
proprits particulires des semi-conducteurs, la circulation du courant travers la jonction ne peut
s'effectuer que dans le sens P"N.

P
N
V
D

I
D

Anode A V
D

I
D

Cathode K

Figure x. Constitution et symbole d'une diode jonction PN
Courbe caractristique
En examinant en dtail la relation courant-tension d'une jonction PN polarise, on constate que le
courant obit la tension applique selon la loi exponentielle suivante :
!
!
"
#
$
$
%
&
' = 1 )
V
V
exp( I I
T
D
S D
(1)
avec mV 25
q
kT
V
T
! = K 300 T = ( C 10 6 , 1 q
19 !
" = , J/K 10 38 , 1 k
23 !
" = )
Ordre de grandeur du courant
S
I : 100 nA
Dans le cas d'une diode polarise par une tension
D
V suprieure 100 mV, la relation prcdente
peut tre rduite :
)
V
V
exp( I I
T
D
S D
= (2)

V
D

I
D

V
D0
I
S

V
D

I
D

V
DQ

I
DQ

Q


V
D

I
D

V
DQ

I
DQ
Q
U
U
R
V
D

I
D

U
R

Figure x. Courbe caractristique
courant-tension d'une jonction PN
Figure x. Polarisation d'une diode par une
rsistance
Lorsque la tension applique est positive, la diode est dite polarise en sens direct. Dans ce cas la
croissance exponentielle du courant est fortement marque aprs une tension de seuil
0 D
V . Pour
une jonction en silicium
0 D
V s'tablit environ entre 0,6 et 0,7 volt. On considre alors la diode
passante.
Sous une polarisation inverse ( 0 V
D
< ) le courant circulant dans le sens N"P est extrmement
faible et vaut
S
I . On considre alors la diode bloque.
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Note dans un tat passant et pour un courant
D
I constant, la tension
D
V est sensible la
temprature. Elle accuse une variation ngative de 2mV/C. Cette proprit peut tre mise profit
pour raliser un capteur thermomtrique.
Rsistance dynamique d'une diode passante
Considrons le point Q caractris par le couple (
DQ
I ,
DQ
V )
La relation (2) devient : )
V
V
exp( I I
T
DQ
S DQ
=
En considrant de trs faibles variations de tension autour de
DQ
V nous pouvons crire :
T
DQ
T
DQ
T
S
D
D
D
D
V
I
)
V
V
exp(
V
I
dV
dI
V
I
= = !
"
"

Nous en dduisons l'expression de la rsistance dynamique de la diode autour de son point de
polarisation :
DQ
T
d
I
V
r =
Notes
! Pour un courant de polarisation
DQ
I de 1 mA, la rsistance dynamique est d'environ 25 !.
! La rsistance dynamique d'une diode diminue lorsque le point de fonctionnement s'lve.
Elle doit tre prise en compte ds lors que l'on cherche superposer un signal variable sur la
tension de fonctionnement. (Voir par exemple l'application tudie dans le paragraphe xx )
Polarisation d'une diode l'aide d'une rsistance
Compte tenu de sa caractristique abrupte, une diode PN doit tre polarise sous une tension
d'environ
0 D
V pour tre passante. L'attaque directe de la diode par un gnrateur de tension est
dlicate et risque. En effet tout dpassement de la valeur
0 D
V engendre la circulation d'un courant
D
I lev pouvant entraner la destruction du composant. La mthode la plus simple est de mettre
une rsistance de limitation de courant en srie avec la diode (figure x).
Dans ce cas nous avons :
R
V U
I
D
D
!
= (3)
Le point de polarisation Q 'encore appel point de fonctionnement) est caractris par le couple
(
DQ
I ,
DQ
V ). Il correspond ici au point d'intersection entre les fonctions (2) et (3) (figure x).
Caractristiques simplifies Modles lectriques
correspondants
La dtermination mathmatique du point de polarisation prcdent ncessite de rechercher la
solution
D
V qui satisfait l'quation )
V
V
exp( I
R
V U
T
D
S
D
=
!

Cette dtermination n'est pas aise car d'une part la solution analytique n'est pas triviale et d'autre
part le paramtre
S
I est rarement connu avec prcision. Fort heureusement il est possible
d'approcher la solution en exploitant une des modlisations simplifies qui suivent (fig.x,y et z).

J
o
n
c
t
i
o
n

p
a
s
s
a
n
t
e

V
D

I
D

Jonction
bloque
V
D

I
D

=0
V
D
=0
I
D

0


J
o
n
c
t
i
o
n

p
a
s
s
a
n
t
e

V
D

I
D

Jonction
bloque
V
D

I
D

=0
0
V
D0

I
D

V
D0



J
o
n
c
t
i
o
n

p
a
s
s
a
n
t
e

V
D

I
D

Jonction
bloque
V
D

I
D

=0
0
V
D0

I
D

V
D

V
D0

r
D


Fig. x. Modle diode
parfaite sans seuil
Fig. x. Modle diode
parfaite seuil
Fig. x. Modle diode seuil
et rsistance
Modle diode parfaite sans seuil
La caractristique et la modlisation lectrique d'une diode parfaite sans seuil sont reprsentes en
figure x.
! Sous polarisation ngative, elle se comporte en interrupteur ouvert pour lequel
0 V , 0 I
D D
< ! =
! Dans le sens passant, elle n'oppose aucune rsistance la circulation du courant et une
tension nulle est releve ses bornes : 0 I , 0 V
D D
> ! = . Elle est dans ce cas assimilable
un interrupteur ferm.
Modle diode parfaite avec seuil
Il s'agit du modle le plus utilis car il prend en compte le dfaut principal d'une diode relle,
savoir la chute de tension que celle-ci engendre l'tat passant.
! Pour
0 D D
V V < le modle lectrique associ est un interrupteur ouvert
!
D
V reste fixe
0 D
V l'tat passant
Modle diode avec seuil et rsistance dynamique
S'il est ncessaire de tenir compte de la rsistance dynamique de l'tat passant, on peut exploiter la
modlisation donne en figure z.
! Pour
0 D D
V V < le modle lectrique associ est toujours un interrupteur ouvert
! Pour
0 D D
V V ! la diode en conduction engendre une chute de tension gale
D D 0 D D
I R V V + =
Modle dynamique d'une jonction PN
Tous diple constitu d'lments en regard prsente un effet capacitif. La jonction PN n'chappe pas
cette loi physique. Le modle prenant en compte l'effet capacitif est reprsent en figure x.

C
D


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Figure x. Modle d'une jonction PN en rgime dynamique

En pratique son utilisation est rserve en rgime de hautes frquences. Dans ce cas en effet
l'impdance capacitive intervient et rend partiellement conductrice la diode en inverse.
Application au redressement de signaux alternatifs
Redressement monoalternance


R
V
R

V
1



Redressements double alternance

Sur secondaire point milieu Par pont de Graetz

V
2

R
V
1

V
R



+
-
V
1

V
R

R




V
R
V
1



Principe de fonctionnement du pont de Graetz


R
L

+
-
I
Alternance >0
R
L

+
-
I
Alternance <0
Diode en conduction Diode bloque

Application la dtection de lenveloppe dun signal variable
Enveloppe d!un signal variable Dfinition
Lenveloppe dun signal correspond la forme prise par son amplitude
maximale au cours du temps. La figure x illustre qualitativement cette
dfinition.

Valeur instantane du signal
Enveloppe (suprieure) du signal

Fig. x. Dfinition graphique de lenveloppe dun signal variable
Dtecteur d!enveloppe simple
Le dtecteur denveloppe simple consiste en un redresseur diode associ
un condensateur (fig x).

R
C
D
x(t) y(t)
t
t

Fig. x. Dtecteur denveloppe simple
Le circuit R//C mmorise lamplitude crte du signal avec une constante
de temps RC = !
Cette constante doit tre choisie :
! ni trop courte sinon la dcharge du condensateur apparat chaque
alternance du signal x(t)
! ni trop longue afin de suivre lvolution de lenveloppe.
# On choisit
BF HF
T T << ! <<
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Une application courante de la dtection denveloppe concerne la
dmodulation damplitude.
La diode Zener
La particularit de la diode Zener rside dans le quadrant ngatif de sa courbe caractristique (fig
x).

V
D

I
D

-V
Z

V
D

I
D


Figure x. Courbe caractristique d'une diode Zener

Dans le sens direct la diode Zener se comporte comme une jonction PN classique
En sens inverse, elle reste bloque tant que ) V ( V
D R
! = reste infrieure un seuil not
Z
V . A
partir de ce seuil la diode Zener conduit en inverse de faon trs abrupte : la tension inverse
mesure ses bornes est stabilise
Z
V . Elle est pratiquement indpendante du courant.
En rsum, la diode Zener est utilise en stabilisateur de tension. Pour cela elle doit tre polarise
en mode inverse. Le montage de base est reprsent en figure x.

V
S

I
V
E

R
R
L


Figure x. Stabilisation d'une tension par une diode Zener Montage de base
La photodiode
Constitution et caractristiques de fonctionnement
Sous polarisation inverse, le courant circulant dans une jonction PN
classique est trs faible. Dans ce cas en effet, les porteurs lectriques,
lectrons et trous, attirs respectivement par llectrode de polarit
contraire sloignent de la jonction. Il se cr ainsi une zone isolante vide
de porteur appele zone de dpltion (figure x).
La photodiode est conue pour permettre la rception du flux lumineux.
Lorsque la longueur donde! du rayonnement est infrieure au seuil
photolectrique
S
! du matriau constituant la jonction, il se forme des
paires lectrons-trous dans la zone de dpltion qui contribuent la
cration dun courant inverse. Ainsi le courant circulant dans une
photodiode polarise en inverse est proportionnelle au flux lumineux reu ;
il est pratiquement indpendant de la tension de polarisation. On amliore
les performances dune photodiode en insrant une couche de
semiconducteur intrinsque (non dope) entre les couches P et N ; la
structure est appele PIN.
Les courbes caractristiques dune photodiode en fonction du flux sont
reproduites en figure x.

V
D

I
D

!
1

!
2

!
3


Fig. x. Courbes caractristiques dune photodiode en fonction du flux
incident
Modes dutilisation
Nous pouvons considrer deux modes dutilisation selon que lon polarise
ou non la photodiode par une tension externe.
En mode photoconducteur une source de tension E polarise la
photodiode en inverse (figure x). Le courant
R
I proportionnel au flux est
converti en tension par la rsistance R.
En mode photovoltaque, aucune source externe de polarisation nest
utilise. La photodiode fonctionne en convertisseur dnergie. Elle est alors
quivalente un gnrateur autonome. On mesure soit la tension en circuit
ouvert soit le courant de court circuit (figure x).

E
V
D

I
R
=-I
D

R
V
S

V
D

!
1

!
2

!
3

-E
E
R
-
I
D


Fig. x. Photodiode utilise en mode photoconducteur

V
D

I
D

I
R
=-I
D

V
D

Fig. x. Photodiode utilise en mode photovoltaque

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Note : le mode photoconducteur tant plus linaire et plus rapide, il est
adapt pour raliser la mesure du flux lumineux .
Autres types de diodes
La LED
Prsentation
On appelle lectroluminescence lmission dun rayonnement lumineux due une excitation
lectronique dans un matriau. Dans le cas dune diode lectroluminescente (LED), il sagit de
lmission spontane de lumire provoque par linjection des lectrons travers une jonction PN
particulire polarise en direct. Les semi-conducteurs utiliss pour raliser la conversion de
l'nergie lectrique en nergie lumineuse sont souvent des composs base de gallium. La tension
de seuil d'une LED est suprieure celle d'une diode classique (environ 1,6 V pour de l'arsniure de
gallium). Elle est en relation directe avec l'nergie (donc la frquence) du photon mis.
Ds son dveloppement dans les annes 1970 la LED a rvolutionn le monde de laffichage
lumineux. Ce succs est du une trs bonne fiabilit, une faible consommation lectrique et une
grande facilit demploi. Les nombreuses applications des LED concernent principalement :
! les voyants, tmoins et indicateurs lumineux ;
! les afficheurs et les panneaux de signalisation ;
! les tlcommandes infrarouges ;
! les metteurs optiques pour transmission par fibre optique ;
! les optocoupleurs qui assurent une transmission avec isolation galvanique ;
! lclairage ;
! les fourches et capteurs optiques, les dtecteurs de passage
Caractristiques lectriques principales d!une LED
La LED a un comportement lectrique sensiblement identique celui dune jonction PN. Son seuil
de conduction V
D0
est cependant plus lev et dpend de la longueur donde lumineuse dominante
(figure x).
Les autres caractristiques lectriques importantes sont :
! le courant direct moyen quelle peut supporter en permanence. Il est compris entre 10 et 50 mA
pour une LED usage gnral ;
! le courant direct crte quelle peut supporter en rgime implusionnel ;
! la tension inverse maximale V
Rmax
admissible sans dommage. Vis vis de la tension inverse, la
LED est plus fragile quune jonction PN et la limite courante de V
Rmax
est de 5 volts.
Caractristiques optiques
En pratique, les trois caractristiques optiques que lon doit prendre en compte pour choisir une
LED sont :
La couleur lie la longueur donde dominante du spectre dmission lumineuse
On trouve des LED usage gnral dans les teintes bleue, verte, jaune, orange, rouge et proche
infra rouge. On construit actuellement des LED mission ultraviolette (l = nm) et spectre blanc.
La figure x donne une comparaison entre les spectres dmission lumineuse de diffrentes LED
Le diagramme de directivit. Il traduit la distribution angulaire du faisceau dmission. Dans une
application de signalisation, on prfrera un cne dmission large.
Un exemple est montr en figure x

Ajouter les diffrents spectres

Fig. x. Spectre dmission de LED Fig.x. Diagramme de directivit de LED
La diode Schottky
La diode Schottky est ralise partir dun jonction mtal-semiconducteur. Elle doit sa popularit
son faible seuil de tension directe et sa rapidit de commutation. Ces particularits la destinent en
priorit la dtection des signaux radiofrquence. La figure x tablit la comparaison entre la courbe
caractristique dune diode Schottky et celui dune jonction PN classique.


Fig. x. Comparaison des caractristiques dune diode Schottky et dune jonction PN

On constate les diffrences suivantes :
! La tension de seuil dune diode Schottky (0,3 V) est plus faible que
celui dune jonction PN (0,6 V)
! Le courant inverse de la jonction PN est plus faible que celui de la
diode Schottky
La diode Varicap
La diode varicap (figure x) doit tre polarise en inverse. Elle prsente dans
ce cas une capacit qui dcrot avec la tension selon une loi approche du
type :
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n
0
0
V
V
1
C
C
!
!
"
#
$
$
%
&
+
= ;
0
C et
0
V sont des constantes.
Lexposant n = 0,5 est valable pour les diodes varicap de type planar-pitaxial.
Le graphe de cette fonction est reprsente en figure x.

V

Fig. x. Symbole
d'une diode
varicap
V
Co
C(V)

Fig. x. Variation de la capacit
d'une varicap en fonction de la
tension de polarisation
Ordre de grandeur des valeurs courantes rencontres :
max min
V V V < <
volt 7 , 0 V
0
= ; volt 2 V
min
= ; volt 20 V
max
= ; pF 30 C
0
=
La diode varicap est utilise dans de nombreuses applications
radiofrquence. Elle sert notamment raliser des oscillateurs frquence
variable (VCO).
La diode laser (DL)
Pour simplifier, la diode laser est une LED structure en cavit laser (figure x). 2 cots latraux
parfaitement parallles sont dots de miroir rflchissant orient vers lintrieur. Lune des surfaces
rflchissante est quasiment parfaite, la seconde transmet partiellement la lumire.

Fig. x. Structure dune diode laser
Comme pour la LED, la DL la circulation dun courant dans le sens direct produit lmission
spontane de lumire dans la jonction. Au dessus dun certain seuil de courant les photons
engendrs par lectroluminescence stimulent leur tour lmission cohrente dautres photons
crant ainsi une amplification laser.
La longueur de la jonction dtermine la longueur donde du flux mis.
La diode effet tunnel
Il sagit dune diode dont la courbe caractristique prsente une partie pente dcroissante
(rsistance dynamique ngative). Cette particularit est exploite pour raliser des oscillateurs HF.