Resumen.

Construccin de un diodo a partir de un foco de uso domstico y comparacin con un diodo de estado slido. Identificacin de las partes y funciones de un transformador.

Teora.
Diodos Las vlvulas termoinicas, conocidas tambin como bulbos o tubos de vaco son dispositivos electrnicos que consisten en una cpsula de vaco de acero o de vidrio, con dos o ms electrodos entre los cuales pueden moverse libremente los electrones. El diodo de tubo de vaco fue desarrollado por el fsico ingls John Ambrose Fleming. Contiene dos electrodos: el ctodo, un filamento caliente o un pequeo tubo de metal caliente que emite electrones a travs de emisin termoinica, y el nodo, una placa que es el elemento colector de electrones. En los diodos, los electrones emitidos por el ctodo son atrados por la placa slo cuando sta es positiva con respecto al ctodo (Figura 1). Cuando la placa est cargada negativamente, no circula corriente por el tubo. Figura 1: Vlvula termoinica construida con una bombilla elctrica. Si se aplica un potencial alterno a la placa, la corriente Aprecie la forma de la onda de salida pasar por el tubo solamente durante la mitad positiva del ciclo, actuando as como rectificador. Actualmente existen otros tipos de diodos, hechos con semiconductores. Las propiedades elctricas de un material semiconductor vienen determinadas por su estructura atmica. En un cristal puro de germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en disposicin peridica, formando una rejilla cbica tipo diamante regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, que interactan con el electrn del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro, el material acta como un aislante. A estos cristales se aaden pequeas cantidades de impurezas que conducen la electricidad, originando dos efectos dentro de ellos. Las impurezas de fsforo, antimonio o arsnico (llamadas donantes, porque aportan un exceso de electrones) tienen cinco electrones de valencia, de los cuales slo cuatro establecen enlaces con los tomos de germanio o silicio. Por lo tanto, cuando se aplica un campo elctrico, los electrones restantes quedan libres para desplazarse a travs del material cristalino. Por el contrario, las impurezas de galio y de indio disponen de slo tres electrones de valencia, es decir, les falta uno para completar la estructura de enlaces interatmicos con el cristal (por ello se les llama impurezas receptoras). A su vez, las deficiencias resultantes, o huecos, en la estructura de los tomos vecinos se rellenan con otros electrones y as sucesivamente. Estos huecos se comportan como cargas positivas, como si se movieran en direccin opuesta a la de los electrones cuando se les aplica un voltaje. Un cristal de germanio o de silicio que contenga tomos de impurezas donantes se llama semiconductor negativo, o tipo n, para indicar la presencia de un exceso de electrones cargados negativamente. El uso de una impureza receptora producir un semiconductor

positivo, o tipo p, llamado as por la presencia de huecos cargados positivamente. Un cristal sencillo que contenga dos regiones, una tipo n y otra tipo p, se puede preparar introduciendo las impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio fundido en un crisol en diferentes fases de formacin del cristal. El cristal resultante presentar dos regiones diferenciadas de materiales tipo n y tipo p. La franja de contacto entre ambas reas se conoce como unin pn El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material. En el momento en que dos materiales son unidos, los electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento. Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo: - No hay polarizacin (Vd=0V). Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.
Figura 2: Diodo semiconductor. La imagen superior indica la regin de agotamiento, las otras dos muestran su comportamiento frente a distintas fuentes de voltaje.

- Polarizacin directa (Vd>0 V). La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla (Figura 2, al centro) - Polarizacin inversa (Vd<0V). El nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos, lo que provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa. (Figura 2, abajo)

Transformadores Al trasmitir energa elctrica a travs de grandes distancias, la resistencia de los materiales no puede despreciarse. Esta prdida, debida al efecto Joule y proporcional a I2R, obliga a utilizar altos voltajes, que minimicen la intensidad de corriente transmitida. Sin embargo, el uso domstico requiere de voltajes menores. Se requiere un Figura 3. Transformador ideal. La bobina de la dispositivo que cambie el voltaje alterno sin izquierda, conectada a corriente alterna, es llamada primario, en tanto que la derecha recibe el nombre prdidas en la potencia entregada. En su forma ms simple, un transformador consiste de secundario en dos bovinas de alambre enredadas en torno de un ncleo de hierro. Tal como puede apreciarse en la figura, a bobina de la izquierda, que contiene N1 espiras, se conecta a una fuente de corriente alterna. La bobina de la izquierda, con N2 vueltas, se conecta a una resistencia de carga, R. El uso de un ncleo de hierro permite incrementar el flujo magntico que circula a travs de las bobinas. Si el interruptor S est abierto, y la resistencia del primario es despreciable respecto de la reactancia inductiva, el circuito primario es equivalente a un inductor conectado a un generador de corriente alterna. Debido al desfase de 90 entre la corriente y el voltaje, el factor de potencia se anula y la potencia promedio entregada del generador al circuito es nula. Por ley de Faraday:
( 1)

Si todas las lneas de campo permanecen dentro del ncleo de hierro, el flujo a travs de ambas bobinas ser el mismo:
( 2)

De donde se concluye que:

( 3)

Si el interruptor est cerrado, se induce una corriente I2- Una resistencia como carga en el circuito secundario implica que la corriente inducida estar fuera de fase con el voltaje inducida. La potencia suministrada al secundario debe ser proporcionada por el generador en el primario. Considerando un transformador ideal:
( 4)

Objetivos.
Construir un diodo de bulbo. Observar su funcionamiento como rectificador y compararlo con un diodo de N4001. Medir el voltaje de salida de un transformador y entre un par de transformadores acoplados.

Procedimiento y resultados.
Foco de 100W y zcalo Clavija Osciloscopio Multmetro Transformador con clavija Transformador de 6.3 V Resistencia 100k 1 Diodo (N4001) Lata de refresco El primer dispositivo consisti en la elaboracin de un diodo de bulbo. Para el bulbo, utiliz un foco de iluminacin domstica, de 100 watts. De esta manera, el filamento incandescente actu como ctodo. Para el nodo, se coloc una lata de aluminio rodeando la superficie del foco, tratando de cubrirla en su totalidad. Las conexiones pueden observarse en la figura. La imagen procedente del osciloscopio mostr una imagen modificada de la onda sinusoidal que debera observarse en la seal procedente del toma corrientes. La parte inferior de la onda perda su forma, aunque no del todo. Al conector el diodo N4001, se pudo observar la onda rectificada. Al cambiar el sentido en que estaba conectado este diodo, tambin pudo observarse que la onda rectificada se inverta.
Figura 4. Diodo de bulbo construido en el laboratorio. Puede observarse, en el osciloscopio del fondo, la seal sinusoidal proveniente de la toma de corriente.

Figura 5: Diagrama de conexin. El diodo representa tanto a al foco del primer dispositivo como al N4001

Figura 6. Detalle de la pantalla del osciloscopio. Obsrvese que el valle de la onda est deformado y recortado, as como la cantidad de ruido en la lectura

El segundo experimento consisti en observar el funcionamiento de un transformador. Para ello, en primer lugar, se conect el transformador a la toma de corriente para caracterizarlo. De esta medicin, se observ que en el secundario se mantena una tensin de 3.64 V entre alguna de las fases y tierra, en tanto que la tensin entre ambas fases era de Figura 7: Onda rectificada por un Diodo 7.68 V. Despus de ello, se acopl al secundario un

transformador ms. Para conectarlo, se unieron los secundarios de cada transformador. Por supuesto, en estos transformadores, los secundarios presentan tres cables, as que se hicieron las combinaciones posibles. Extremos contra extremos, extremos con medios y medios con medios. Los resultados obtenidos fueron los siguientes. Vp1 Vm1 Vm2 Vc1 Vc2

Figura 8: Esquema de conexin. Los cables del secundario permitan tres conexiones distintas.

Con Vp1 conectado a 120 V de corriente alterna, un solo transformador: Vm1=3.64 V Vc1=7.68 V Con ambos transformadores acoplados, y tomando Vm1 conectada a Vm2: 18.73 V Con ambos transformadores acoplados, y tomando Vm1 conectada a Vc2: 37.45 V Con ambos transformadores acoplados, y tomando Vc1 conectada a Vc2: 74.42 V

Figura 9: Arreglo experimental en el que se muestran los transformadores acoplados (centro, y esquina inferior derecha), osciloscopio y multmetro.

Conclusiones.
Aunque el diodo de bulbo no trabaj de acuerdo al funcionamiento esperado, es posible atribuir este comportamiento a la forma en que se construy. La lata de aluminio no poda cubrir por completo al foco. La pintura presente en el exterior de la lata, y posiblemente, residuos del azcar en el interior de la misma pudieron alterar la conductividad. En cambio, al trabajar con el diodo semiconductor, se observ la rectificacin de media onda, es decir, slo la parte positiva (o negativa) describa su forma sinusoidal, mientras que la parte que debera ser negativa (o positiva) permaneca constante e igual a cero.
Figura 10. Pantalla del osciloscopio, en la que se muestra rectificacin de media onda, pero con voltaje negativo.

Un transformador puede ser usado para reducir o amplificar la corriente alterna, para lo cual debe tenerse en cuenta la cantidad de espiras en cada una de las bobinas. De esta forma, y mediante la ecuacin 3, se sabe si el transformador funcionar como amplificador o como reductor.

Referencias.
Albella Martn, J. M. (1996). Fundamentos de electrnica fsica y microelectrnica. Madrid: Addison-Wesley/Universidad Autnoma de Madrid. Boylestad, R. L. (2004). Introduccin al anlisis de circuitos. Mxico: Pearson Educacin de Mxico SA de CV. Jewett, J. W., & Serway, R. A. (2005). Fsica para ciencias e ingenieras, Volumen II. Mxico, DF: International Thompson Editores. Williams, T. I. (1990). Historia de la Tecnologa I. Madrid: Siglo XXI.