Introdução ao Eletromagnetismo: Fundamentos e Simulações

Claudio Elias da Silva Arnaldo José Santiago Alan Freitas Machado Altair Souza de Assis 02/2012

ii

Conteúdo
1 Dielétricos e Capacitância 1.1 Propriedades dos Dielétricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 Cargas Induzidas em uma Esfera . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2 3 3 6 8 11 13 20 21 22 22 24 25

Suscetibilidade, Constante Dielétrica e Permissividade . . . . . . . . . . Polarização (P ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Lei de Gauss em um meio dielétrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Capacitância . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Aplicações . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Energia Armazenada no Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7.1 Densidade de energia (µE ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.8

Associação de Capacitores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8.1 1.8.2 1.8.3 Associação em paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Associação em série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Aplicações . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

iii

iv

CONTEÚDO

Lista de Tabelas v .

vi LISTA DE TABELAS .

e o campo elétrico aplicado. e. O capacitor ’confina’ o campo elétrico.Capítulo 1 Dielétricos e Capacitância Já vimos a diferença entre um dielétrico e um condutor. De fato. portanto. O capacitor é. No caso eletrostático. haverá uma tendência de afastar os elétrons de seus núcleos devido à força externa. Outra importante característica dos dielétricos é sua capacidade de armazenar energia eletrostática. através de um capacitor. Nos dielétricos (ou isolantes) os elétrons estão presos aos núcleos dos átomos. se um campo elétrico for aplicado a um dielétrico. Quando isto ocorre. e o dielétrico torna-se condutor! Esse processo pode ocorrer com qualquer isolante. Tal propriedade é observada quando um material dielétrico é introduzido entre meios condutores. A medida que aumentamos o campo elétrico externo. pode-se chegar ao ponto em que a força externa seja maior do que a força que liga o elétron a seu núcleo. ao contrário dos metais. armazena energia potencial eletrostática. e desta forma. Contudo. dizemos que o mesmo possui energia potencial gravitacional. ela armazena energia potencial elástica. um dos principais componentes de um 1 . tendo cada material seu valor característico de rigidez dielétrica. A capacidade dos sistemas físicos armazenar energia potencial não nos é nova. não existem elétrons livres nessas substâncias. armazenada no campo gravitacional do sistema corpo+Terra. formando um dispositivo que chamamos de capacitor (ou condensador). vai depender da estrutura de cada material. a força que age em cada elétron vai aumentando na mesma proporção. O valor mínimo do campo que deve ser aplicado a um isolante para tranformá-lo em condutor foi denominado rigidez dielétrica. os elétrons passam a ser livres. que o transforma em condutor. podemos armazenar energia potencial em um campo eletrostático. quando distendemos uma mola. e então. ou quando levantamos um corpo. eventualmente.

e portanto o campo resultante não chega a se anular (b). No interior de um dielétrico não há excesso de cargas. As cargas em excesso nas faces do condutor. Figura 1. seja igual e oposto ao campo externo. Sob à ação do campo. O campo no dielétrico.1. anulando o campo (a). são denominadas cargas induzidas. é oposto ao campo das placas. portanto. sem estabelecer contato. 1. os elétrons livres do condutor se deslocam para a face esquerda.1(a).1 Propriedades dos Dielétricos Consideremos inicialmente. Contudo. Esse movimento de cargas continua até que o campo originado no interior do condutor. . no condutor como um todo. Em qualquer ponto no interior do condutor o campo é nulo. Já no interior do dielétrico não há cargas livres. Consideremos agora um material dielétrico submetido à ação do campo elétrico externo. o caso de um condutor não . como no dielétrico as cargas não podem se mover livremente.. o que não ocorre com a não-polar. pois tem a importante capacidade de armazenar energia elétrica no campo criado entre suas placas.1(b). e as cargas positivas para a face direita. não há excesso de cargas. As moléculas de um dielétrico podem ser classificadas como polares e não-polares. o interior de um dielétrico polarizado se caracteriza pelo deslocamento relativo de cargas. i.eletrizado. introduzido entre duas placas eletrizadas.e. colocado entre as duas placas. o deslocamento das mesmas não é suficiente para que o campo por elas originado possa igualar o campo entre as duas placas (campo externo).1. torna-se orientada segundo a direção do campo.1: Os elétrons livres do condutor descarregado se distribuem sobre a superfície. como mostra a Fig. mas. Assim.2 1. Dielétricos e Capacitância circuito elétrico. sob ação de um campo elétrico. e não por um excesso de cargas. conforme ilustra a Fig. como indicado na citada figura. A polar.

o campo resultante entre duas placas paralelas vale σ/ε0 (voce já deve ser capaz de aplicar a lei de Gauss nesta situação e reproduzir este resultado).1 Cargas Induzidas em uma Esfera É interessante considerar os efeitos acima. não é nulo. condutor e isolante. quando estes se encontram na presença de um campo elétrico uniforme. Figura 1. Consideremos então. sem que este se anule. Permissividade Constante Dielétrica e Como já tivemos oportunidade de ver.1.3. em ambos.1. Constante . a) Esfera condutora: Neste caso.2: Esfera condutora descarregada imersa num campo elétrico externo. 1. 3 no interior do dielétrico. 1. como mostra a Fig. .2 procura ilustrar a situação. e as cargas induzidas.2 Suscetibilidade.1. as cargas induzidas superficiais apenas enfraquecem o campo no interior da esfera. As linhas pontilhadas representam as seperfícies equipotenciais.2. tornando o campo resultante na superfície perpendicular à mesma.1. Suscetibilidade. podemos dizer que o campo elétrico entre as placas é enfraquecido pelo dielétrico. A Fig. cuja geometria é esférica. o campo embora enfraquecido. . as cargas livres se redistribuem sobre a superfície de maneira a anular o campo no interior da esfera condutora. Deste modo. b) Esfera isolante: Neste caso. duas placas (condutoras) carregadas com .

4: Material dielétrico entre placas condutoras. introduzimos um dielétrico. Assim. enquanto que σi a densidade de carga induzida no dielétrico. σi também dependerá. A relação entre σi e a intensidade de campo E resultante. As linhas pontilhadas representam as superfícies equipotenciais.3: Esfera isolante na presença de um campo elétrico uniforme.1.1) Como a carga induzida depende tanto do campo E como da natureza do dielétrico.2) . As cargas induzidas neutralizam parcialmente as cargas livres.4 1. sendo representada por χe e dada por σi . ε0 ε0 E= (1. é denominada suscetibilidade elétrica do material. Figura 1. Dielétricos e Capacitância Figura 1. e no interior do dielétrico. σ representa a densidade de cargas nas placas. Entre estas placas. o campo resultante será dado por: σi σ − .4). E χe = (1. cujas cargas induzidas é representada por σi (veja Fig. densidade de cargas de sinais contrários σ .

Assim. (1 + )ε0 ε0 5 E= (1. cuja permissividade é de 15 × 10−12 C 2 /N m2 . Determinar: (a) a intensidade de campo resultante no interior do dielétrico. (1. mas de sinais opostos com 30 × 10−6 C cada uma. e é denotada por ke . pois não há cargas induzidas.4) E= 1 σ. 1 O termo constante é um pouco impróprio. No vácuo. U (ke ) =Adimensional. ε = ε0 .2. é denominado permissividade do dielétrico. χe ε0 ke = 1 + e. Levando o valor de σi de Eq.3) O termo entre parêntesis no denominador. ke ε0 (1. . U (E ) newton/coulomb N m2 U (χe ) C 2 /N m2 = 2 . Exemplo 1 Duas placas paralelas de 1 m2 de área são carregadas com cargas iguais. . ke é um número abstrato.1. ke = 1. uma vez que χe varia com a temperatura e com a intensidade do campo. Unidades de χe e ke no SI: coulomb/metro2 C2 U (σ ) = = . porém é consagrado pelo uso. após Faraday.1. ε = ke ε0 . representa a constante dielétrica do material1 . e neste caso.6) U (χe ) = U (ke ) = portanto. e é representado por ε. ou seja. temos que σ χe .1.1. Suscetibilidade. então. (b) a densidade superficial de carga induzida nas faces do dielétrico. Constante . Assim.5) O produto ke ε0 .2 até Eq. U (ε0 ) C /N m2 (1. O espaço entre as duas placas se acha preenchido por uma lâmina isolante. .

as partículas positivas e negativas . a intensidade de campo resultante será: E = E0 − Ei E = 2. Sob a ação de um campo elétrico externo. 39 × 106 volts/metro (d) A componente devida às cargas induzidas é: 1 Ei = σi ε0 E = 1. ou 2 × 106 volts/metro (b) A densidade superficial das cargas induzidas é: σi = χE = (ε − ε0 )E. ε0 E = 3. 39 × 106 volts/metro A componente Ei tem sentido oposto ao de E0 . E = 2 × 106 N/C. (d) a componente devida às cargas induzidas. Dielétricos e Capacitância (c) a componente da intensidade do campo resultante no dielétrico devido às cargas livres.6 1. A logo. a intensidade de campo resultante é: 1 1 E= σ= σ kE ε0 ε então. este resultado é idêntico ao do item (a). 00 × 106 volts/metro. 3 × 10−3 C/m2 (c) A componente do campo resultante devido às cargas livres é: 1 E0 = σ. Tomemos como exemplo uma molécula de um material dielétrico. σi = 12.3 Polarização (P ) A indução de cargas superficiais é apenas um dos aspectos da influência de um campo elétrico sobre um dielétrico. 1. Solução: (a) A densidade superficial das cargas livres é: q σ = = 30 × 10−6 C/m2 . naturalmente. assim. e.

A polarização elétrica. Figura 1. formando um dipolo eletrostático.6: Dielétrico sob ação de um campo elétrico uniforme.1. terá o sentido de p e módulo |∆p| Σpmole qi d qi ´cula = = = = σi ∆V ∆V Ad A |P| = P = σi . P é uma quantidade vetorial que.3. (1.5: Dielétrico na ausência de campo elétrico externo. Figura 1. Polarização (P ) 7 se deslocarão de suas posições de equilíbrio em sentidos opostos. ou simplesmente polarização P é definida como o momento de dipolo por unidade de volume. em cada elemento de volume do meio. Esta tendência ocorre com todas as moléculas do material e o material é dito estar polarizado.7) .

devemos incluir todas as cargas da superfície gaussiana. + qn . (1. a polarização tem dimensão de carga por unidade de área (C/m2 no S. as quais. agora. i.4 Lei de Gauss em um meio dielétrico Vimos que a lei de Gauss estabelece que o fluxo elétrico através de uma superfície fechada arbitrária é proporcional à carga total encerrada por esta superfície.7: Superficie fechada em meio dieletrico. A Eq. quando aplicamos a lei de Gauss a uma região que contém cargas imersas em um dielétrico..8 1. correspondem às cargas de polarização além das que estão imersas no dielétrico.1. Quando tratamos de um meio dielétrico. 1. Dielétricos e Capacitância Na equação acima... o somatório é sobre todas as moléculas contidas no elemento de volume ∆V . Então. Figura 1.7 mostra que o momento de dipolo por unidade de volume é igual à densidade superficial de carga induzida.I.). ou mais acertadamente.e. Seja S uma superfície imaginária fechada localizada no interior de um dielétrico.8) . a carga total existente no meio considerado será q + qp onde ’q ’ é a quantidade de carga livre introduzida. q = q1 + q2 + .

10) nda. é o campo resultante da superposição dos dois anteriores. sendo representada por D = ε0 E + P (1. e o terceiro.13 torna-se. dS. P e D. i. .12 relaciona os três campos presentes em um dielétrico. através de uma superfície fechada. qp é a carga de polarização.D = q. Em termos de D a lei de Gauss fica. E .12) A Eq. s (1.e.1. Lei de Gauss em um meio dielétrico e. temos que: 1 (q + qp ) ε0 P .9) Usando a lei de Gauss para o dielétrico. (1. dada por 9 qp = − ndaP . pelas cargas de polarização. e é devido tanto pelas cargas livres quanto pelas cargas de polarização.1. q = V ρdV . D. D.n + daP .E = s (1.11) Esta equação estabelece que o fluxo de ε0 E + P . é criado pelas cargas livres. Para uma distribuição volumétrica de cargas.(ε0 E + P ) = q. s (1. o segundo. e a Eq.n = q s s dan. Esta quantidade é usualmente chamada de deslocamento elétrico.1. E . é igual a carga líquida introduzida no volume envolvido pela superfície.E = s 1 (q − ε0 s daε0 E..4.nda) s dS.13) que é conhecida como lei de Gauss para o deslocamento elétrico.nda = s V dV ρ. D. P . O primeiro.

temos.D − ρ) = 0.12. e equivale a 1a Maxwell. (1. isotrópicos e cuja polarização não seja permanente. dV = 0.15) χe = ke ε0 − ε0 = (ke − 1)ε0 . Substituindo Eq. ou ainda. dV ∇. no caso de materiais dielétricos.1. dV (∇. Nos dielétricos mais comuns. ∇. V Para uma solução não trivial.14) .1. E .17) Nestas equações.10 Aplicando o teorema do divergente (veja apêndice A). ∇. passamos a escrever . equação de Eq. χe representa a susceptibilidade elétrica do material e.D = ρ.17 em Eq.D = V s dS. logo. 1.D.D = V V dV ρ. a igualdade ocorrendo no vácuo.16) P = (ke − 1)ε0 E. e D: P = χe E.14 representa a lei de Gauss na forma diferencial. (1. Para finalizar. Em todos os dielétricos ke ≥ 1 e χe ≥ 0.1. (1. ke a constante dielétrica do meio. (1. 1 ≤ ke ≤ 100.D − ρ = 0. e finalmente. verifica-se experimentalmente que são válidas as seguintes relações lineares entre P . Dielétricos e Capacitância dV ∇.

5 Capacitância Seja um par de superfícies condutoras separadas por um meio não condutor (tal como ar. D = ke ε0 E. . até que a diferença de potencial entre elas seja V (a voltagem da bateria). (1. porém. a carga Q.8. Nesta condição de equilíbrio. que cada placa carrega. Este conjunto constitui um capacitor.1.metro coulomb metro m U (p) = U (χe )U (E ) = 1. Q = CV (1. o valor em módulo da carga de um dos dois condutores é o que chamamos de carga Q do capacitor. por convenção. ou (1. é diretamente proporcional a voltagem V . a carga é rapidamente transferida para as placas.5.18) D = εE. vácuo.19) No SI as unidades de P e D são: newton coulomb C coulomb2 = = 2 2 2 newton. assim. e quando uma bateria é conectada a um capacitor. assim. ou plástico).20) A capacitância C é uma medida da carga total Q que o capacitor carrega quando a diferença de potencial entre as placas é V . a carga total armazenada no capacitor é nula. Obviamente. Capacitância 11 D = ε0 E + (ke − 1)ε0 E = (1 + ke − 1)ε0 E. onde ε = ke ε0 é a permissividade do meio. e a constante de proporcionalidade entre Q e V . como procura ilustrar a Fig. é denominada capacitância C do capacitor.1.

em homenagem ao grande ciêntista inglês Michael Faraday (1791 . mais tempo o transístor demora para perder sua carga e mudar de estado. Portanto. Para um dado V . para uma dada diferença de potencial V . Unidade da Capacitância (C ) No SI a capacitância é medida em unidades de coulombs por volt. Em algumas situações. existem áreas onde uma alta capacitância é um sério problema. quanto maior a capacitância. 1 f arad(F ) = 1 coulomb C = . onde quanto mais tempo a célula conservar sua carga elétrica.1867). menor será o número de ciclos de refresh necessários por segundo. Portanto. encontramos capacitores com valores de capacitância na faixa de 10−6 F = 1 µF (lê-se: um micro-farad) a 10−12 F = 1 pF (lê-se: um pico-farad). nos transístores que compõe a parte lógica do processador. como por exemplo. Esta combinação de unidades é chamada de farad. Neste caso. . podemos dizer que um capacitor retém cargas elétricas (cargas de sinais opostos se acumulam nas placas) e a capacitância descreve a capacidade do dispositivo em reter essas cargas. Por outro lado. por exemplo.12 1. Este é o caso.8: Duas placas separadas por um meio dielétrico e submetidas a uma diferença de potencial V. de aplicações nas células de memória. quanto maior a capacitância melhor. fazendo com que o módulo consuma menos energia. o que limita a frequência de operação do processador. e tenha um melhor desempenho. formam um capacitor. 1 volt V Na prática. Dielétricos e Capacitância Figura 1. uma capacitância maior corresponde a uma quantidade de carga maior.

D = Q s sendo D. da forma geométrica das placas e do meio entre elas. Solução: Sendo o meio entre as placas não condutor. este será caracterizado pelo vetor deslocamento elétrico. Determine o valor da capacitância C .6. como mostra a Fig. como veremos adiante.1.9.6 Aplicações A capacitância C de qualquer capacitor é uma grandeza que depende das dimensões físicas do sistema. o vetor deslocamento elétrico terá um valor diferente para cada meio ou dielétrico introduzido entre as placas. Considerando ainda que a distribuição de cargas nas placas é uniforme. carregado com carga Q. . o campo entre as placas também será uniforme (os efeitos de borda são desprezados). Figura 1. Tem de ser assim porque ainda que se mantenha fixa a distancia entre as placas e a mesma diferença de potencial entre elas. Aplicando a lei de Gauss para o deslocamento elétrico. cuja distância entre as placas seja d e cujo meio tenha permissividade ε. Logo. ou seja. então cos θ = 1. e visto que D é paralelo a ds.9: Capacitor de placas paralelas. Exemplo 2 Seja um capacitor de placas planas e paralelas de área A. e não mais pelo vetor campo elétrico. temos que ds.1.ds = D cos θds. Aplicações 13 1.

e. por construção. V cresce linearmente com x (d). pode-se observar que. Dielétricos e Capacitância D. então. Como esperado dos cálculos acima. pode ser tomada como equivalente a área da placa. s Nesta equação. a expressão acima fornece o campo elétrico como Q . mostra como varia a voltagem entre as placas do capacitor. εA E= E a diferença de potencial pode ser calculada como 0 0 V =− d dl. entre as placas. A representa a área da superfície gaussiana (área tracejada) que. Figura 1.14 1. Sendo D = εE .ds = DA = Q.10: Grafico V × x entre as placas do capacitor.E = − d dl E. E a capacitancia fica . obtemos 0 V =− d dl Q Q ⇒V = d εA εA O gráfico a seguir.

Varie os valores da Em particular.1. d No resultado acima. e a capacitância é dada por A C = ε0 . Cd 1 × 10−3 = ε0 8. Q Q = . para um ε fixo. 85 × 10−12 A= A = 1.. i. V Qd/εA A C=ε . devido ao valor da permissividade elétrica do meio. Se o meio entre as placas for o vácuo ou mesmo o ar. Se a distância entre as placas fosse de 1 mm. procure o valor de ε necessário para que a placa . e se elas se encontrassem no vácuo. possa ter dimensões realistas.600 metros (ou 10. que o uso de um dielétrico (ao invés de apenas vácuo) aumenta a capacitância do capacitor.6. teríamos que usar placas cujas áreas teriam as seguintes dimensões. 6 km) de lado. Aplicações 15 C= e. No módulo de simulação C4 Farad. temos que ε = ε0 . voce poderá simular os cálculos acima. Uma aplicação numérica deste resultado pode ser visto pelo cálculo da área das placas de um capacitor de 1 F . finalmente. fica evidente que a capacitância C . Este exemplo mostra ainda.e. por este motivo costumamos usar seus sub-múltiplos (1 µF = 10−6 F e 1 pF = 10−12 F ). 13 × 108 m2 . Note ainda. seriam necessárias placas de 10. é função apenas das dimensões físicas do sistema. permissividade elétrica do meio. 85×10−12 F/m. que a unidade farad é uma unidade extremamente grande. d onde ε0 = 8.

s onde. o externo b e. r é o raio da superfície gaussiana. 2πεLr E= A diferença de potencial Vab = V entre os cilindros de raios a e b. obtemos .D = Q ⇒ DA = Q. Q . separados por um meio dielétrico de permissividade ε. Substituindo a expressão do campo. Dando sequência ao cálculo D = εE ⇒ εE (2πrL) = Q. e. será dada pela integral de linha.16 1. agora.11. raio externo b. como mostra a Fig. Solução: Aplicando a lei de Gauss.1. Dielétricos e Capacitância Exemplo 3 Seja um capacitor coaxial ou cabo coaxial carregado com carga Q. comprimento L e permissividade ε. Determine o valor da capacitância C . submetidos a uma diferença de potencial. V . cujo raio interno a. A representa a área da superfície gaussiana do cilindro. então. sendo o raio interno a. A figura à direita mostra um corte da seção reta do mesmo cilindro. a b V =− b dr.11: A figura à esquerda. temos que: ds. mostra dois cabos coaxiais ou cilindros coaxiais de comprimento L. Figura 1.E = a dr E.

Q b ln 2πεL a ou seja.1. Este modelo de capacitor esta ilustrado na Fig. o potencial é dado pôr Q b ln 2πεL a V = e a capacitância fica. e à constante dielétrica. carregadas com carga Q. Aplicações 17 b V = a Q dr Q = [ln r]b a. O meio entre as calotas tem permissividade ε. s com D = εE ⇒ εE (4πr2 ) = Q. C= Q ⇒C= V Q . Determine o valor da capacitância C . notamos o aparecimento de quantidades relacionadas à geometria do capacitor. Assim. ln b/a C=ε Mais uma vez. Aplicando a lei de Gauss ds.6.D = Q ⇒ DA = Q. Q 4πεr2 E= . com b > a. supondo que uma diferença de potencial V é aplicada entre aos terminais das duas calotas. Exemplo 4 Seja um capacitor esférico formado por duas calotas esféricas concêntricas. 2πεL r 2πεL Portanto.1. e de raios a e b.12. 2πL .

frequentemente. a/b. A figura a direita mostra a mesma calota projetada no plano. 4πε r2 4πε r a Vab = Por outro lado. O raio interno é denotado por a. uma vez que nesta situação podemos obter uma expressão mais simples para a capacitância. submetidos a uma diferença de potencial V . 4πε a b C= Q 4πε ⇒C= 1 1 V − a b ab ) b−a C = 4πε( É interessante observar o que acontece quando b >> a. o externo b. faz-se uma expansão em torno do valor zero para o parâmetro. dr. . A diferença de potencial V = Vab é dada pela integral de linha a b Vab = − portanto. Dielétricos e Capacitância Figura 1. e então. Em geral este parâmetro é adimensonal. é identificar qual o parâmetro que é pequeno. separados por um meio dielétrico de permissividade .E = b a Q dr Q 1b = [ − ] .No caso em questão.12: A figura a esquerda mostra duas calotas esféricas concêntricas. e r é o raio da superfície gaussiana traçada entre as duas esferas. uma vez que. é tomado como uma razão entre duas grandezas físicas.18 1. e escrever a expressão que pretendemos aproximar em termos desse parâmetro. Q 1 1 ( − ). Depois disso. uma regra geral para efetuar aproximações em física. o parâmetro corresponde à razão entre os raios. uma vez que podemos desprezar2 o valor de a frente a b no denominador da equação de C . 2 Sendo um pouco mais rigoroso ao falar.

Considerando uma esfera carregada isolada de raio R.E = b R dr E. ∞ Vab = R Q 1 Q dr = [− ]∞ . Q 4πε0 R vemos que a capacitância de uma esfera isolada é C = 4πε0 R. 4πε0 R ∞ V = logo. Em particular. 4πε0 R V = Como. e pudemos usar a lei de Gauss.1.6. temos que a ∞ Vab = − dr. temos que ε0 = ε. e vamos supor que a outra placa seja uma esfera condutora de raio infinito. Então. a diferença de potencial entre as placas será Q . 2 4πε r 4πε r R Se o meio entre as duas calotas é o ar. todos os casos Existem. Discutimos os principais modelos de capacitores. Q 1 1 ( − ). como podemos confirmar no próximo exemplo. . como esperado. contudo. Exemplo 5 Caso da esfera isolada. possuiam grande simetria. Aplicações 19 C = 4πε a. Este resultado corresponde ao modelo físico de uma esfera isolada. C= Q ⇒C= V Q .

C dW = (1. e fogem ao que nos propomos. Na maioria dos casos.1. 1. cilindro (ou esfera) excentrico. como por exemplo. temos q dq. C q 1 UE = C q 0 1 q2 dq q = C 2 . a voltagem entre as placas será: q . 0 . produzindo.20 1. C V = Mas. capacitor de placas não paralelas.23) A energia dispendida para carregar o capacitor com uma carga total q será igual ao trabalho realizado: q UE = dW = 0 dq q . etc.22. O que torna um capacitor extremamente útil do ponto de vista de suas aplicações tecnológicas. dW dq (1. que é igual ao trabalho W despendido para carregá-lo. porque para aumentar a carga do mesmo. Supondo q a carga transferida ao capacitor. Deste modo. um acréscimo na energia do condutor.21) V = ⇒ dW = V dq.21 em Eq.1. em alguns casos. Dielétricos e Capacitância capacitores com as mais variadas formas geométricas. apresentam soluções aproximadas. um capacitor carregado possui acumulada uma certa energia potencial elétrica UE . assim. é que esta energia também pode ser recuperada.7 Energia Armazenada no Capacitor Necessitamos expender energia para carregar um capacitor. os cálculos são complexos. discutem estes problemas mais elaborado e. permitindo-se a descarga do capacitor. (1. necessitamos realizar trabalho a fim de superar a repulsão da carga já presente na placa.22) Substituindo o valor de V dado por Eq. Algumas referencias citadas.

24) UE = (1. que estão.1 Densidade de energia (µE ) Vimos que o campo elétrico entre placas paralelas é uniforme se desprezamos os efeitos nas bordas. 1 C . C = 4πε0 R. Assim.7. de um circuito estão próximos. 1 q2 UE = . não perfeitamente isolados. o campo elétrico tem o mesmo valor em todos os pontos entre as placas. não-intencionalmente.25) que corresponde a energia potencial elétrica armazenada no capacitor. Energia Armazenada no Capacitor portanto. exite uma capacitância parasita entre eles. Por exemplo. 2V2 21 (1. então: 1 q2 . em que capacitâncias parasitas podem existir entre os diferentes elementos dos transistores. As capacitâncias parasitas podem causar sérios problemas se não forem. de alguma forma.1. volume µE = (1. No caso do condutor esférico do exemplo anterior.7.27) O capacitor de placas paralelas. e a energia armazenada será. presentes. UE . prevenidas no projeto do circuito. Esta é uma boa aproximação para capacitores cuja separação entre as placas é muito pequena em comparação às dimensões das placas. quando dois fios. O mesmo se dá nos circuitos transistorizados. os circuitos podem conter capacitâncias parasitas. 1. e podemos definir uma densidade de energia do campo elétrico como a distribuição de energia por unidade de volume. . 2C ou ainda.26) Além dos capacitores que discutimos. tem C = ε0 A/d. e se devem à vários efeitos. nestes capacitores. e volume = Ad. 2 4πε0 R UE = (1. assim.

quando este conjunto está sujeito a mesma diferença de potencial V .8. A Fig.1 Associação em paralelo Dizemos que um conjunto de capacitores está ligado em paralelo.28) Vemos então.22 1.1. o resultado é geral. sendo esta última. em série. uma junção das duas primeiras. Embora tenhamos considerado o capacitor de placas paralelas. mas uma entidade física. 2 d mas. 1. Neste caso. a carga total será: . logo a densidade de energia é dada por: 1 µE = ε 0 E 2 . que são associados de diferentes modos. real. Podemos dizer que a energia encontra-se armazenada no próprio campo elétrico. e se estende as demais formas geométricas. Unidade da densidade de energia (µE ) joules J = 3 3 metro m U (µE ) = 1. os circuitos elétricos e eletrônicos são constituídos de vários componentes. que a densidade de energia elétrica é proporcional ao quadrado do campo elétrico. 2 (1. Esta associação pode ser em paralelo. Dielétricos e Capacitância µE = 1 CV 2 2 volume = 1 ε AV 2 2 0 dAd 1 V = ε0 ( )2 . Campo não é mero artifício matemático para tratar forças. ou de forma mista.8 Associação de Capacitores Em geral.13 procura ilustrar um exemplo deste tipo de associação. com energia associada a ele. V /d = E .

1.1.30 em Eq. assim. (1. é dada por . uma vez que (1.31) Logo.29.13: Dois capacitores ligados em paralelo. temos que          q1 = C1 V (1.29) q = CV. Logo. a capacitancia equivalente é dada pela soma da capacitancia de cada capacitor. Associação de Capacitores 23 Figura 1. temos que CV = C1 V + C2 V. e.8.30) q2 = C2 V Substituindo Eq. C = C1 + C2 . Este resultado pode ser generalizado para n capacitores em paralelo. q = q1 + q2 . a capacitância equivalente Ceq de n capacitores associados em paralelo.1.

1. Neste caso. V = V1 + V2 .1.2 Associação em série Dizemos que um conjunto de capacitores estão ligados em série.              V1 = q C1 (1. Dielétricos e Capacitância Ceq = n Cn .33. C (1.1. mas. temos . é igual a soma das diferença de potencial de cada capacitor.24 1. (1.14: Dois capacitores ligados em série. quando a diferença de potência aplicado ao conjunto. Figura 1.33) V = então.34 em Eq. q . A Fig.8.32) 1.14 mostra um exemplo deste tipo de associação.34) q V2 = C2 Substituindo Eq.

1. a capacitância de um único capacitor. Mostre que os capacitores estão ligados em paralelo.36) n Observação: Chamamos de capacitância equivalente. capaz de substituir todo o conjunto.1.. sem que haja mudança na operação do circuito externo.e. são introduzidos dois materiais de constante k1 e k2 como mostra as Fig. ou ds. 1 1 1 + . a capacitância equivalente é dada por C = C1 + C2 Da lei de Gauss.1.15 encontram-se em paralelo.1.8.8. = C C1 C2 No caso de n capacitores em série. Associação de Capacitores 25 q q q + . Desta forma.ε0 E = q. d 2 Solução: Dizemos que os capacitores da Fig. e que a capacitância C é dada por C= ε0 A k1 + k2 ( ). visto que os mesmos estão ligados sob a mesma diferença de potencial. 1 = Ceq 1 Cn (1.35) (1.D = q.3 Aplicações Exemplo 6 Entre as placas de um capacitor de placas paralelas. S . = C C1 C2 i.15. (i) S ds.

Como D//ds.E = 0 E dr. temos que D S ds = q ⇒ DA = q. . assim. ou. e D . E//dr.15: Dois capacitores de constantes k1 e k2 . reescrever V fazendo uso de (ii) e (iii). como d V = 0 dr D q = ε0 k ε0 kA d dr.26 1. kε0 E= (iii) Podemos. D = qA. onde. 0 logo. Dielétricos e Capacitância Figura 1. novamente. (ii) A diferença de potencial entre as placas será dada por d d V = 0 dr.

respectivamente.1.1. V2 2d Podemos finalmente retornar a (i). visto que cada um deles ocupa a metade da área entre as placas. e. C1 = e. Associação de Capacitores 27 V = q d. são introduzidos dois materiais de constante k1 e k2 . Ad = ε0 k1 A ε0 k1 2 q2 2q2 d . C2 = ε0 k1 A q1 = V1 2d ε0 k2 A q2 = .16. V2 = assim como. como mostra a Fig. (i) C1 + C2 C= . e que a capacitância C é dada por: 2ε0 A k1 k2 ( ) d k1 + k2 C= Solução: Sendo V = V1 + V2 . Ad = ε0 k2 A ε0 k2 2 V1 = e.8. Mostre que os capacitores estão ligados em série. C= ε0 A k1 + k2 ( ) d 2 Exemplo 7 Entre as placas de um capacitor de placas paralelas. e escrever a capacitância equivalente do sistema de capacitores ligados em paralelo como ε0 k1 A ε0 k2 A + 2d 2d C= ou ainda. temos que 2q1 d q1 . ε0 kA Chamando V1 e V2 a diferença de potencial dos capacitores C1 e C2 . assim C1 C2 . concluímos qe o sistema de capacitores encontra-se em série.

0 V1 = e.16: Capacitores de constantes K1 e K2. dr 0 D q = ε0 k ε0 kA d/2 dr. q d ε0 k1 A 2 V2 = Como q = q1 = q2 . ε0 k2 A 2 C1 = e também.28 1. V1 d C2 = q 2ε0 k2 A = . analogamente. temos que d/2 V1 = logo. A D= Como cada capacitor ocupa apenas a metade da distancia entre as placas. q 2ε0 k1 A = . temos que q d . Dielétricos e Capacitância Figura 1. temos que q . V1 d . De forma analoga ao problema anterior.

c) Sabendo que os valores da constante dielétrica do ar. 1. suponha que C1 = 10µF . e 130. a maior e a menor capacitancia. Falta o desenho que não encontrei. respectivamente. vá ao módulo de simulação C4 e simule as combinações de materiais que proporcionem ao capacitor. d k1 + k2 29 C= Exercícios 1. chegamos a expressão dos capacitores ligados em série 2ε0 A k1 k2 ( ). onde k1 . 0µF e V = 100V . 5. 3. C2 = 5. 00. No circuito do item b) da questão anterior.1. 2. k2 e k3 são constantes dielétricas dos materiais colocados no interior do capacitor. b) a diferença de potencial em cada capacitor. Determine: a) A capacitância equivalente do capacitor da Fig. 2ε0 k1 A 2ε0 k2 A + d d ou. Determine: a) a carga em cada capacitor. e da cerâmica são.8. do papel. 3.1. temos finalmente que 2ε0 k1 A 2ε0 k2 A d d C= . arrumando os termos. 0µF . . Associação de Capacitores De (i). c) a energia acumulada em cada capacitor. C3 = 4. b) Construa um circuito equivalente para cada um dos casos. Considerando a área da placa igual a A.17. Determine: a) a capacitância dos capacitores de placas paralelas nas situações mostradas abaixo.

17: Associação de capacitores. Qual o valor da capacitância nos seguintes casos: a) antes da introdução da placa. uma capacitância de 10µF . sabendo que todos os capacitores têm capacitância C = 1µF . Qual a carga: a) sobre o capacitor C1 . Considere A = 100cm2 . estude o comportamento da capacitância nas seguintes situações: . c) vá ao modulo de simulação e verifique seus resultados.ao alterar a distancia d entre as placas. b) Construa o circuito equivalente ao da figura. 5. a bateria possui uma diferença de potencial de 10V . e os cinco capacitores possuem cada um. Uma chapa de cobre de espessura b = 0. calcule: a) a capacitância equivalente do sistema. Na figura abaixo Vab = 100V .ao alterar os valores da espessura da chapa de cobre. 5cm é introduzida exatamente no meio das placas de um capacitor plano. b) depois da introdução da placa. Na figura abaixo. 6. .30 1. cujas placas estão separadas pela distância d = 1. 4. Dielétricos e Capacitância Figura 1. . 0cm. b) sobre o capacitor C2 . c) No módulo de simulação C4.

18: Circuito com cinco capacitores. a capacitância equivalente seria maior ou menor que a atual. respectivamente. Figura 1. Considere duas esferas condutoras concêntricas de raios Ra e Rb (Ra < Rb ). 9. de constantes dielétricas K1 e K2 .19: Circuito com nove capacitores associados.8. Associação de Capacitores 31 Figura 1.1. Determine a relação entre θ1 e θ2 sendo estes. contendo carga q . b) a energia acumulada no sistema. com cargas Q e Q. Um condutor de forma arbitrária. é introduzido em um meio dielétrico uniforme de constante dielétrica k . 7. 8. realize as simulações e responda . Dois meios dielétricos. θ1 do meio 1 e θ2 do meio 2. Determine as cargas de polarização dentro e fora do dielétrico. os ângulos formados por uma linha arbitrária de deslocamento normal a interface. c) Em C4. sabendo que o meio entre as esferas tem permissividade . estão separados por uma interface plana. . Não há carga externa sobre a interface.A capacitância equivalente se todos os capacitores estivessem em série seria maior ou menor que a configuração acima .Se todos os capacitores estivessem em paralelo. Calcule a energia armazenada no sistema.

Figura 1. .20: Condutor de geometria arbitrária. Dielétricos e Capacitância Figura 1.21: Esferas concentricas com cargas Q e −Q.32 1.

sempre justificando com cálculos. 309. Cien. n. Rocha.8. 24. Ens. nos custos etc. b) qual o dielétrico que voce usaria? . M. Estudos sobre Dielectricos II. (1937).. Bras. tomo IX. Acad. c) se pudesse usar uma combinação de até tres capacitores para obter os 100F . Bertuola e M.M. Considere uma casca esférica condutora de raio R. Encontre a energia eletrostática do Referências A. Gross e P. e. Estudos sobre Dieletricos. como guia para sua otimização.P. cilindrica ou placas planas)?. Dentro da casca e fora dela existe um meio de permissividade sistema.. Philosophical Transactions. 26.V. B. Rev. Pense: Otimização: No mundo atual a otimização ganha cada dia mais importância.C. Figueredo. 11. (1937). quer seja na otimização do tempo. vol. 290 (2002). Bras. An.. Método dos limites na solução de capacitores com placas não paralelas. Acad. n. Revista Brasileira de Ensino de Física.3. de Carvalho e A. 161 (2004). Cien. tomo IX. 187. ’Experimental Researches Part I’. da Silva. Suponha que voce realmente tenha que construir um capacitor de 100F .A. Faraday. que associação voce faria (série. . quando estudamos capacitor de placas paralelas vimos que um capacitor de 1F teria que ter placas com quilometros de lados. Capacitor Cilndrico Excêntrico. 125-127 (1832) B. sempre o mais otimizado possível. Fís. no uso de materiais. responda: a) que geometria voce usaria (esferica. R.E. paralelo ou mista)? d) que valor da constante dielétrica teria que ter o material dielétrico. com uma densidade superficial de carga σ homogênea sobre a sua superfície. Associação de Capacitores 33 10. Gross e P. Por outro lado.1.4. VII. An. Bras. Rocha. para que esse capacitor tivesse dimensões realistas? 0.

Bertazzo. vol. 50. Burgo.A. Preethichandra.L. T. 46. E. Descarga Interna e Tensão de Retorno em Capacitores. Meas. S.P.R. Philos.. Van de Graaff. 28. Mag. 29. A simple interface circuit to measure very small capacitance changes in capacitive sensors.W. L. de Almeida Isoppo e G. 2nd edition. The electrostatic production of high voltage for nuclear investigations. e L. 21. M. J. 85 (2006). Galembeck. 294 (2001). 282 (2006). Líbero. Compton.19 (2). Precker e W. 18. Revista Brasileira de Ensino de Física. Rev. Revista Brasileira de Ensino de Física. v. Physical Review. v. D. volume IIB.M. Kuhnen.A. 1583 (2001). T. (1987). E. 137 (1996). Neugebauer e D. J. Instrum. C. ASTM. Journal of the Brazilian Chemical Society. Robert. Bras. C. F. vol. 149 (1933).C. R. Baldim. R. Contact Electricity of Metals.. 231 (2007). p. R. V. Revista Brasileira de Ensino de Física. 23. 277-286 (2008). IEEE Transactions on Power Electronics. . v. D. 43. Parasitic capacitance cancellation in Filter Inductors.L. Conceitos Basicos Sobre Capacitores e Indutores . Dielétricos e Capacitância L.34 1. Van Atta.489. Kelvin. Engineering dielectrics. T. pages 440 .. K. Forças em capacitores assimétricos submetidos a altas tensões. A new mechanism for the electrostatic charge build-up and dissipation in dielectrics. Perreault. da Silva. G. IEEE Trans. Ouriques. 120 (1898).C. Soares. Bartnikas. Redondo e V. A capacitância de um condensador com placas planas não paralelas. Vosteen e R. chapter Electrostatic charge measurements. de Ensino de Fís.J.

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