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Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique

-
Le transistor bipolaire
École Polytechnique Universitaire de Nice Sophia-Antipolis
Cycle Initial Polytechnique
1645 route des Lucioles, 06410 BIOT
Pascal MASSON
(pascal.masson@unice.fr)
Edition 2012-2013
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII. Amplification en classe B
VIII. Amplificateur opérationnel
Sommaire
I. Historique
II. Caractéristiques du transistor
IV. Les fonctions logiques
V. Amplification en classe A
VI. Multivibrateur astable ABRAHAM BLOCH
III. Polarisation du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
I.1. Définition
I. Historique
 Le transistor bipolaire est un composant électronique utilisé comme :
interrupteur commandé, amplificateur, stabilisateur de tension, modulateur
de signal …
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
I.2. Histoire du transistor
I. Historique
 1947 : John BARDEEN et Walter BRATTAIN inventent le
transistor à contact (transistor) au laboratoire de physique
de la société BELL (USA). Cette découverte est annoncée en
juillet 1948.
Transistron 1948
 1948 : Herbert MATARE et Heinrich WELKER inventent
(indépendamment de BELL) aussi le transistor à contact
en juin 1948 (en France). Ce transistor sera appelé le
Transistron pour le distinguer de celui de BELL.
Transistor à
contact 1948
 1948 : en janvier William SHOCKLEY invente le
transistor à jonction (bipolaire) mais la technique de
fabrication ne sera maitrisée qu’en 1951
Transistor à
jonction 1948
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
I. Historique
I.2. Histoire du transistor
 Les transistors remplacent les contacteurs
électromécaniques des centraux téléphoniques et
les tubes dans les calculateurs.
 1953 : première application portative du
transistor entant que sonotone.
Sonotone
1010
1953 – calculateur
(93 transistors + 550 diodes)
 1954 : première radio
à transistors.
Régency TR-1
(4 transistors)
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
I.3. Histoire des premiers circuits intégrés
I. Historique
 1958 : Jack KILBY de Texas Instrument
présente le premier circuit (oscillateur)
entièrement intégré sur une plaque de semi-
conducteur.
 1960 : production de la première
mémoire Flip Flop par la société
Fairchild Semiconductor.
1958 – premier circuit intégré
1960 – Flip Flop en circuit intégré
 1965 : à partir du nombre de composants par circuit
intégré fabriqué depuis 1965, Gordon MOORE
(Fairchild Semiconductor) prédit que le nombre de
composants intégrés (par unité de surface) doublera
tous les 12 mois. Cette loi est toujours vraie !
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II. Caractéristiques du transistor
II.1. Définition d’un transistor bipolaire
 Le transistor bipolaire est créé en juxtaposant trois couches de semi-
conducteur dopés N
+
, P puis N pour le transistor NPN (courant dû à un flux
d’électrons) ou dopés P
+
, N puis P pour le transistor PNP (courant dû à un flux
de trous). Le niveau de dopage décroit d’un bout à l’autre de la structure.
 Un faible courant de base, I
B
, permet de commander un courant de
collecteur, I
C
, bien plus important.
II.2. Représentation

é
m
e
t
t
e
u
r


c
o
l
l
e
c
t
e
u
r

base
émetteur
collecteur
base
P

N
+

N

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
Transistor NPN
émetteur
collecteur
base
N

P
+
P

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
Transistor PNP
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N

B

E

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N

B

E

 Si la tension V
BE
est suffisante, la diode BE
(base –émetteur) est passante :
V
BE
 Courant de trous de B vers E.
 Courant d’électrons de E vers B
( )






+ =






=
kT
qV
exp . I I
kT
qV
exp . I I
BE
Se St
BE
S
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N
+
B

E

 Si la tension V
BE
est suffisante, la diode BE
(base –émetteur) est passante :
V
BE
 Courant de trous de B vers E.
 Courant d’électrons de E vers B
( )






+ =






=
kT
qV
exp . I I
kT
qV
exp . I I
BE
Se St
BE
S
 Si le nombre d’électrons dans l’émetteur et
100 fois plus grand que le nombre de trous
dans la base alors I
St
<< I
Se
.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

 On positionne à présent le collecteur dopé N
V
BE
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

V
BE
V
BC
ξ
 On positionne à présent le collecteur dopé N
 La jonction BC est polarisée en inverse :
augmentation du champs électrique interne.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

ξ
V
BE
V
BC
 On positionne à présent le collecteur dopé N
 La jonction BC est polarisée en inverse :
augmentation du champs électrique interne.
 La longueur de la base est très courte et les
électrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-
collecteur.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

 On positionne à présent le collecteur dopé N
ξ
V
BE
V
BC
 La jonction BC est polarisée en inverse :
augmentation du champs électrique interne.
 La longueur de la base est très courte et les
électrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-
collecteur.
 Les électrons sont propulsés dans le collecteur
pas le champ électrique.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

 On positionne à présent le collecteur dopé N
 La jonction BC est polarisée en inverse :
augmentation du champs électrique interne.
ξ
 La longueur de la base est très courte et les
électrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-
collecteur.
V
BE
V
BC
 Les électrons sont propulsés dans le collecteur
pas le champ électrique.
 Si on modifie la tension V
BC
(dans une certaine
limite), le champ électrique est toujours suffisant
pour propulser tous les électrons :
Le courant de collecteur ne dépend pas de la
tension V
BC
mais uniquement de V
BE
.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

 I
B
: courant de trous de B vers E.
 Le rapport, β, entre les courants I
C
et I
B
dépend entre
autres des niveaux de dopage de l’émetteur et de la base
ainsi que de l’épaisseur de la base : I
C
= β.I
B

 I
E
: courant de trous de B vers E + courant
d’électrons de E vers C
 I
C
: courant d’électrons de E vers C








=
T
BE
St B
V
V
exp . I I








=
T
BE
Se C
V
V
exp . I I
C B
T
BE
S E
I I
V
V
exp . I I + =








=
 Les trois courants du transistor bipolaire sont :
) K 300 à mV 6 . 25 (
kT
q
V
T
= =
 Par convenance on pose :
I
C
I
B
I
E
ξ
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

 Si la tension V
BC
augmente trop :
I
C
I
B
I
E
ξ
 Le champ électrique base – collecteur diminue
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractéristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

 Si la tension V
BC
augmente trop :
I
C
I
B
I
E
ξ
 Le champ électrique base – collecteur diminue
 Les électrons ne sont plus tous propulsés
dans le collecteur mais une partie sort par la
base
 Le courant I
C
tend à devenir nul
 La tension V
CE
pour laquelle ce phénomène
apparaît est notée V
CEsat
.
 On dit dans ce cas que le transistor est saturé
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Caractéristiques I
B
(V
BE
) du transistor NPN
 Pour débloquer (rendre passant) le transistor NPN, il faut que la jonction
base-émetteur soit polarisée en direct avec une tension supérieure à la tension
de seuil, V
S
, de cette diode : V
BE
> V
S
.
émetteur
collecteur
base
P

N
+
N

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
 La caractéristique I
B
(V
BE
) est celle de la diode base-émetteur en ne
considérant que le courant de trou.
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

directe
V
S
inverse
 Ici le courant de trous est bien plus faible que le courant d’électrons.
II. Caractéristiques du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
émetteur
collecteur
base
N

P
+
P

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

directe
−V
S
inverse
II.3. Caractéristiques I
B
(V
BE
) du transistor PNP
 Pour débloquer (rendre passant) le transistor PNP, il faut que la jonction
base-émetteur soit polarisée en direct avec une tension supérieure (en valeur
absolue) à la tension de seuil, V
S
, de cette diode soit : V
BE
< −V
S
.
 La caractéristique I
B
(V
BE
) est celle de la diode base-émetteur en ne
considérant que le courant des électrons.
 Ici le courant des électrons est bien plus faible que le courant des trous.
II. Caractéristiques du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
émetteur
collecteur
base
P

N
+
N

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

II.3. Caractéristiques I
C
(V
CE
) du transistor NPN
 Si la jonction BC est polarisée en inverse, alors le courant d’électrons peut
traverser cette jonction.
I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
I
B4
 Dans ce cas le courant I
C
est indépendant de V
CE
: régime linéaire (I
C
= β.I
B
)
II. Caractéristiques du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
émetteur
collecteur
base
P

N
+
N

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

II.3. Caractéristiques I
C
(V
CE
) du transistor NPN
 Si la jonction BC est polarisée en inverse, alors le courant d’électrons peut
traverser cette jonction.
I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
I
B4
 Dans ce cas le courant I
C
est indépendant de V
CE
: régime linéaire (I
C
= β.I
B
)
 Si V
CE
= 0 alors aucun courant ne circule entre l’émetteur et le collecteur
II. Caractéristiques du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
émetteur
collecteur
base
P

N
+
N

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

II.3. Caractéristiques I
C
(V
CE
) du transistor NPN
 Si la jonction BC est polarisée en inverse, alors le courant d’électrons peut
traverser cette jonction.
I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
I
B4
 Dans ce cas le courant I
C
est indépendant de V
CE
: régime linéaire (I
C
= β.I
B
)
 Si V
CE
= 0 alors aucun courant ne circule entre l’émetteur et le collecteur
 Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit à la tension
V
CEsat
(sat pour saturation) : le courant I
C
n’est pas proportionnel à I
B
.
V
CEsat
Linéaire saturé
II. Caractéristiques du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
 La boucle d’entrée permet de déterminer la valeur de I
B
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
0 B S S 0 B B G
I . R V I . R E + + =
S B
S G
0 B
R R
V E
I
+

=
0 B S S 0 BE
I . R V V + =
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
I
B0
V
BE0
 Détermination de I
B0
et I
C0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
 Détermination de I
B0
et I
C0
B C
I . I β =  On considère que le transistor est en régime linéaire

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
G
V
BE
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
R
C
I
C
 Détermination de I
B0
et I
C0
 On peut donc résumer le transistor à trois éléments :

 En entrée : V
S
et R
S
(donc la diode base-émetteur)

 En sortie: un générateur de courant I
C
= β.I
B
B C
I . I β =  On considère que le transistor est en régime linéaire

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CE0
I
C0
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
CEsat
 Détermination de I
B0
et I
C0
CE C C DD
V I . R V + = C C DD CE
I . R V V − =
 Il faut à présent vérifier si le transistor est réellement en régime linéaire par
le calcul de V
CE
 Si V
CE
> V
CEsat
alors on confirme le régime linéaire et les calculs sont exacts

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CE0
I
C0
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
CEsat
 Détermination de I
B0
et I
C0
CEsat 0 C C DD
V I . R V + =
C
CEsat DD
0 C
R
V V
I

=
 Si on utilise pas la droite de charge, on impose V
CE
= V
CEsat
et on détermine
la valeur de I
C
avec la boucle de sortie.

 Si V
CE
< V
CEsat
le transistor est en régime saturé et l’utilisation de la droite
de charge donne les vraies valeurs de I
C0
et V
CE0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
I
B0
V
BE0
 Détermination de I
B0
et I
C0
 Il faut aussi re-déterminer la véritable valeur du courant de base.

 Les électrons qui passent de l’émetteur à la base ne sont pas tous propulsés
au collecteur et une partie sort par la base.

 Les valeurs de V
S
et R
S
sont donc différentes

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
 Variation de R
B
avec R
C
constant

 On part d’une valeur de R
B
suffisamment grande
pour que le transistor soit en régime linéaire

V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
 On diminue alors R
B
 La droite de charge en sortie ne change pas

E
G
/R
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
 Variation de R
B
avec R
C
constant

 On part d’une valeur de R
B
suffisamment grande
pour que le transistor soit en régime linéaire

V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
 On diminue alors R
B
 La droite de charge en sortie ne change pas

E
G
/R
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
 Variation de R
B
avec R
C
constant

 On part d’une valeur de R
B
suffisamment grande
pour que le transistor soit en régime linéaire

V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
 On diminue alors R
B
 La droite de charge en sortie ne change pas

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
 Variation de R
B
avec R
C
constant

 On part d’une valeur de R
B
suffisamment grande
pour que le transistor soit en régime linéaire

V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
 On diminue alors R
B
 La droite de charge en sortie ne change pas

I
C0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
 Variation de R
C
avec R
B
constant

 On part d’une valeur de R
C
suffisamment faible
pour que le transistor soit en régime linéaire

V
CE
0

I
C
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
 On augmente alors R
C
 La droite de charge en entrée ne change pas

I
B0
I
B0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
 Variation de R
C
avec R
B
constant

 On part d’une valeur de R
C
suffisamment faible
pour que le transistor soit en régime linéaire

V
CE
0

I
C
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
 La droite de charge en entrée ne change pas

I
B0
 On augmente alors R
C
I
B0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
 Variation de R
C
avec R
B
constant

 On part d’une valeur de R
C
suffisamment faible
pour que le transistor soit en régime linéaire

V
CE
0

I
C
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
 La droite de charge en entrée ne change pas

I
B0
 On augmente alors R
C
I
B0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
 Variation de R
C
avec R
B
constant

 On part d’une valeur de R
C
suffisamment faible
pour que le transistor soit en régime linéaire

V
CE
0

I
C
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
 La droite de charge en entrée ne change pas

I
B0
 On augmente alors R
C
I
C0
I
B0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
I
B
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
 Les résistances R
1
et R
2
forment un pont entre la base et V
DD
d’où le nom.

 La détermination de I
B
passe par celle de I
P
.

I
P
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
 Approche simple

 On considère que I
P
>>> I
B
.

R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
I
P
 Dans ce cas un simple pont diviseur de tension permet de connaître la valeur
de V
BE
et par suite la valeur de I
B
.

DD
2 1
2
BE
V
R R
R
V
+
=
I
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
 Détermination de la valeur de I
B
 On résout un système de deux équations qui correspond à l’ écriture de deux
mailles en entrée

R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
I
P
B S S P 2 BE
I . R V I . R V + = =
( ) ( )
B S 1 S P 1 BE B P 1 DD
I R R V I . R V I I . R V + + + = + + =
 On trouve

2
1
S S 1
S
2
1
DD
B
R
R
. R R R
V 1
R
R
V
I
+ +








+ −
=
I
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
 Détermination de la valeur de I
B
 On peut aussi transformer V
DD
, R
1
et R
2
en générateur de thévenin

R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
I
P
I
B
Thévenin

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
 Détermination de la valeur de I
B
 On peut aussi transformer V
DD
, R
1
et R
2
en générateur de thévenin

R
C
V
DD
R
1
R
2
V
CE
 On débranche la base du transistor pour éliminer le courant I
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
 Détermination de la valeur de I
B
 On peut aussi transformer V
DD
, R
1
et R
2
en générateur de thévenin

R
C
V
DD
R
1
R
2
V
CE
 On débranche la base du transistor pour éliminer le courant I
B
2 1
2 1
th
R R
R . R
R
+
=
 Pour déterminer R
th
, on éliminer les sources (ici V
DD
= 0) ce qui donne R
1
// R
2
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
 Détermination de la valeur de I
B
 On peut aussi transformer V
DD
, R
1
et R
2
en générateur de thévenin

R
C
V
DD
R
1
R
2
V
CE
 On débranche la base du transistor pour éliminer le courant I
B
 On détermine alors E
th
avec un pont
diviseur de tension

2 1
2 1
th
R R
R . R
R
+
=
DD
2 1
2
th
V
R R
R
E
+
=
 Pour déterminer R
th
, on éliminer les sources (ici V
DD
= 0) ce qui donne R
1
// R
2
E
th
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
 Détermination de la valeur de I
B
 On peut aussi transformer V
DD
, R
1
et R
2
en générateur de thévenin

R
C
V
DD
V
CE
 On débranche la base du transistor pour éliminer le courant I
B
 On détermine alors E
th
avec un pont
diviseur de tension

2 1
2 1
th
R R
R . R
R
+
=
DD
2 1
2
th
V
R R
R
E
+
=
 Pour déterminer R
th
, on éliminer les sources (ici V
DD
= 0) ce qui donne R
1
// R
2
R
th
E
th
I
B
V
BE
 D’où I
B
:

S th
S th
R R
V E
IB
+

=
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Pont de base
III. Polarisation du transistor
 Détermination de la valeur de I
B
 On retrouve le théorème de Thévenin à partir des deux mailles en entrée :

R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
I
P
I
B
P 2 BE
I . R V =
( )
BE B P 1 DD
V I I . R V + + =
 On extrait I
P
de la première équation
que l’on reporte dans la deuxième

BE B 1
2
BE
1 DD
V I . R
R
V
. R V + + =
 Qui s'écrit aussi en regroupant les V
BE
BE
2
2 1
B 1 DD
V
R
R R
I . R V







 +
+ =
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
 Détermination de la valeur de I
B
 On retrouve le théorème de Thévenin à partir des deux mailles en entrée :

R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
I
P
I
B
P 2 BE
I . R V =
( )
BE B P 1 DD
V I I . R V + + =
 On extrait I
P
de la première équation
que l’on reporte dans la deuxième

BE B 1
2
BE
1 DD
V I . R
R
V
. R V + + =
 Qui s'écrit aussi en regroupant les V
BE
BE B
2 1
2 1
DD
2 1
2
V I .
R R
R . R
V
R R
R
+
+
=
+
th
R
th
E
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.3. Résistance d’émetteur
III. Polarisation du transistor
R
C
V
DD
V
CE
 La maille en entrée s'écrit :

( )
C B E B S S B th th
I I . R I . R V I . R E + + + + =
R
th
E
th
I
B
V
BE
R
E
 Dans la résistance R
E
il passe le courant I
E
donc les courants I
B
et I
C
( )
B E B S S B th th
I . 1 . R I . R V I . R E β + + + + =
 On trouve le courant I
B
( )
E S th
S th
B
R . 1 R R
V E
I
β + + +

=
 Vu de l’entrée, la résistance R
E
est
multipliée par (1+β)

 En fonction de la valeur de β on peut
écrire :

( )
E E
R . R . 1 β ≈ β +
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.3. Résistance d’émetteur
III. Polarisation du transistor
R
C
V
DD
V
CE
R
th
E
th
I
B
V
BE
R
E
 La présence de R
E
permet une régulation thermique du transistor

 En fonctionnement, le transistor chauffe à cause de la circulation du courant
ce qui augmente la valeur du courant qui engendre une augmentation de la
température etc …

 En présence de R
E
:
V
E


I
B


V
E


V
BE


I
B


 Si la présence de R
E
n’est pas suffisante, il
faut ajouter un radiateur sur le transistor.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
IV. Les fonctions logiques
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

R

R
B
R
1
24 V

− 6 V

0 V

V
E
S

E

C S CE
I . R 24 V V − = =
 On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
− =
I
B4
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

R

R
B
R
1
24 V

− 6 V

0 V

V
E
S

E

C S CE
I . R 24 V V − = =
 On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
− =
 Si V
E
= 0 V : V
BE
est
I
B4
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

R

R
B
R
1
24 V

− 6 V

0 V

V
E
S

E

C S CE
I . R 24 V V − = =
 On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
− =
A

I
B4
 Si V
E
= 0 V : V
BE
est négatif (transistor bloqué) et I
C
= 0 soit V
S
= 24 V
 Si V
E
= 24 V : V
BE

IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

R

R
B
R
1
24 V

− 6 V

0 V

V
E
S

E

C S CE
I . R 24 V V − = =
 On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
− =
 Si V
E
= 0 V : V
BE
est négatif (transistor bloqué) et I
C
= 0 soit V
S
= 24 V
A

 Si V
E
= 24 V : V
BE
> 0 (transistor passant) et I
B
= I
B4
donc V
S
≈ V
CEsat
≈ 0 V
B
I
B4
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

C S CE
I . R 24 V V − = =
 On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
− =
 Si V
E
= 0 V : V
BE
est négatif (transistor bloqué) et I
C
= 0 soit V
S
= 24 V
A

 Si V
E
= 24 V : V
BE
> 0 (transistor passant) et I
B
= I
B4
donc V
S
≈ V
CEsat
≈ 0 V
B
I
B4
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

C S CE
I . R 24 V V − = =
 On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
− =
A

B
I
B4
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

A

B

I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
 On trace maintenant la caractéristique V
S
(V
E
) de l’inverseur.
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

C S CE
I . R 24 V V − = =
 On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
− =
A

B
I
B4
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

A

B

Déblocage

I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
 On trace maintenant la caractéristique V
S
(V
E
) de l’inverseur.
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

C S CE
I . R 24 V V − = =
 On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
− =
A

B
I
B4
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

A

B

Déblocage

I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
I
B
= I
B1
 On trace maintenant la caractéristique V
S
(V
E
) de l’inverseur.
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
C S CE
I . R 24 V V − = =
 On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
− =
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

A

B

Déblocage

I
B
= I
B1
I
B
= I
B2
I
B
= I
B3
 On trace maintenant la caractéristique V
S
(V
E
) de l’inverseur.
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

A

B
I
B4
I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. L’inverseur
 La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

C S CE
I . R 24 V V − = =
 On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
− =
A

B
I
B4
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

A

B

Déblocage

I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
I
B
= I
B1
I
B
= I
B2
I
B
= I
B3
 On trace maintenant la caractéristique V
S
(V
E
) de l’inverseur.
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. L’inverseur
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

 En pratique on définit un gabarit pour l’inverseur
 Table de vérité et symbole logique :
S

E

0

0

1

1

S = E

E

IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.2. La fonction NI (NON-OU, NOR)
 Schéma électrique d’une porte NI :
 Table de vérité et symbole logique :
S

E
1
0

0

1

1

E
2
0

0

0

1

1

1

0

0

S = E
1
+E
2
E
1
E
2
E
1
E
2
V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
R

R
B
R
1
24 V

− 6 V

0 V

S

R
2
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.3. La fonction mémoire à deux portes NI
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

1

0

0

IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

1

1

0

0

1

0

IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

1

0

0

0

1

0

0

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

1

0

0

1

1

0

0

1

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

0

0

1

1

0

0

1

0

0

0

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

0

0

1

1

0

0

1

0

0

0

1

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

0

1

1

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

0

1

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

1

1

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

1

0

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

1

0

1

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

1

0

0

1

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

0

0

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

1

0

0

1

0

0

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Schéma logique le la mémoire :  Table de vérité :
 Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
 Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

Set

Q

Reset

Q

0

?

0

?

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

1

0

0

1

0

0

?

?

Etat interdit =>

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Symbole logique de la mémoire RS (bascule RS) :
 Schéma électrique de cette mémoire :
Set

Q

Reset

Q

Reset

R

R
B
R
1
R
2
Set

R

R
B
R
1
24 V

− 6 V

0 V

R
2
Q

Q

 Mémoire de type RAM (Random Acces Memory) qui s’apparente à la SRAM
(Static) : l’information disparaît si on éteint l’alimentation.
 Si le pont de base consomme 1 µ A (sous 30 V) et que l’on stocke 10
6
bits
alors la mémoire disperse au moins 30 W !
Set

Q

Reset

Q

IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
1971 : 256-bit TTL RAM (Fairchild)
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V.1. Principe de fonctionnement
 L’amplificateur de classe A amplifie tout le signal d’entrée.
V. Amplification classe A
 On travaille dans la partie
linéaire du transistor qui est
polarisé en statique à I
B0
et I
C0
.
 Le courant I
B
oscille autour de
I
B0
et donc I
C
oscille autour de I
C0

avec I
C
= β.I
B
.
V
E
= V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
R
C
V
DD
V
S
I
C
= β.I
B
 Sans signal d’entrée, l’ampli consomme I
C0
: mauvais rendement (au
mieux 50 %).
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
V
BE
V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
C
= β.I
B
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
E
G
(V)

t

0

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

E
Gmin
E
G0
E
Gmax
E
G
(V)

t

t

I
B0
I
Bmax
V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
B0
I
Bmax
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

0

t

E
Gmin
E
G0
E
Gmax
E
G
(V)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
(V)

0

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
t

E
Gmin
E
G0
E
Gmax
E
G
(V)

t

t

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
I
B
(A)

I
B
(A)

V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
V
CE
(V)

0

I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

0

t

E
Gmin
E
G0
E
Gmax
E
G
(V)

t

t

I
Bmin
V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
I
C
(A)

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
 Les gains V
C
/E
G
et V
R
/E
G
correspondent aux filtres passe bas et pas haut
respectivement.
C

R

E
G
V
R
V
C
 La fréquence de coupure des deux filtres est : F
C
= 1/(2πRC).
 La notion de haute et basse fréquences se reporte à la valeur de F
C

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
 En basse fréquence ∆V
C
= ∆E
G
et ∆V
R
= 0 : la capacité ″absorbe″ toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se décharger
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 0,05 F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
 En basse fréquence ∆V
C
= ∆E
G
et ∆V
R
= 0 : la capacité ″absorbe″ toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se décharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 0,2 F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.0005 0.001 0.0015 0.002 0.0025 0.003 0.0035 0.004
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
 En basse fréquence ∆V
C
= ∆E
G
et ∆V
R
= 0 : la capacité ″absorbe″ toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se décharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 0,5 F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.0005 0.001 0.0015 0.002
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
 En basse fréquence ∆V
C
= ∆E
G
et ∆V
R
= 0 : la capacité ″absorbe″ toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se décharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.0002 0.0004 0.0006 0.0008 0.001
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
 En basse fréquence ∆V
C
= ∆E
G
et ∆V
R
= 0 : la capacité ″absorbe″ toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se décharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 2.F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.00005 0.0001 0.00015 0.0002 0.00025 0.0003 0.00035 0.0004
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
 En basse fréquence ∆V
C
= ∆E
G
et ∆V
R
= 0 : la capacité ″absorbe″ toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se décharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 5.F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.00002 0.00004 0.00006 0.00008 0.0001
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
 En basse fréquence ∆V
C
= ∆E
G
et ∆V
R
= 0 : la capacité ″absorbe″ toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se décharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 20.F
C
 En haute fréquence ∆V
R
= ∆E
G
et ∆V
C
= 0 : la capacité n’a pas le temps de se
charger et de se décharger et donc la tension ne varia pas à ses bornes. Toutes
les variations de E
G
se reportent aux bornes de la résistance.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V.3. Eléments du montage
V. Amplification classe A
 Les résistances R
1
et R
2
constituent le pont de base : polarisation de la base
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Les résistances R
1
et R
2
constituent le pont de base : polarisation de la base
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
V.3. Eléments du montage
V. Amplification classe A
 Le condensateur C ne laisse passer que les variations de Ve et non la
composante continue : évite de modifier la polarisation de la base.

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Les résistances R
1
et R
2
constituent le pont de base : polarisation de la base
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
 C
L
est aussi un condensateur de
liaison qui permet à la charge R
L

(résistance d’entrée du bloc
suivant) de ne pas modifier la
polarisation du transistor.

V.3. Eléments du montage
V. Amplification classe A
 Le condensateur C ne laisse passer que les variations de Ve et non la
composante continue : évite de modifier la polarisation de la base.

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsqu’on ne considère que le régime statique (ne dépend pas du temps).
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
R
1
R
2
R
L
V.4. Point de repos du montage
 C et C
L
se comportent comme des interrupteurs ouverts.

V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsqu’on ne considère que le régime statique (ne dépend pas du temps).
R
C
V
DD
V
CE
V
BE
R
1
R
2
 C et C
L
se comportent comme des interrupteurs ouverts.

V.4. Point de repos du montage
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsqu’on ne considère que le régime statique (ne dépend pas du temps).
R
C
V
DD
V
CE
V
BE
R
1
R
2
 C et C
L
se comportent comme des interrupteurs ouverts.

V.4. Point de repos du montage
V. Amplification classe A
 On calcul I
B
(ce qui donne immédiatement I
C
) en supposant que le transistor
est en régime linéaire

 On détermine alors la tension V
CE

qui doit être supérieure à V
CEsat
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
G
R
g
 E
G
est à présent un signal alternatif d’amplitude suffisamment faible pour ne
pas bloquer et/ou saturer le transistor.
 La ou les fréquences du signal E
G
sont suffisamment élevées pour ne pas
permettre aux capacités C et C
L
de se charger ou de se décharger. Elles se
comportent comme des interrupteurs fermés.

V.5. Schéma en petit signal
V. Amplification classe A
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
G
R
g
 Les variations de E
G
vont se propager le long du circuit, être amplifiée par le
transistor puis appliquées à la charge R
L
.
V. Amplification classe A
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
 Les paramètres importants d’un amplificateur sont : les résistances d’entrée
et de sortie, le gain en tension et les fréquences de coupure haute et basse
 Calculer ces paramètres peut être
long et on préfère utiliser le schéma
petit signal qui est une
simplification mathématique du
schéma réel.
V.5. Schéma en petit signal
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Pour pouvoir utiliser le schéma petit signal il faut que tous les éléments
aient un comportement linéaire.
V. Amplification classe A
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
 Dans ce schéma, c’est le transistor qui est non linéaire et, par exemple, les
variations de V
BE
doivent être suffisamment faibles pour considérer un seul V
S

et surtout un seul R
S
.
V.5. Schéma en petit signal
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Pour construire ce schéma, on ne conserve que les éléments (résistances,
tensions, fils … et on ne conserve que les variations de tension et de courant.
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
 E
G
(t) = E
G0
+ e
g
(t) donc on ne conserve que e
g
(t)
 La variation de V
DD
est nulle, v
dd
(t) = 0, et il en va de même pour la masse
donc v
masse
(t) = 0
 Donc d’un point de vu alternatif, les fils V
DD
et masse sont identiques.
 Une tension continue est
équivalente à un court circuit
V
S
V
1
(t) = V
10
+ v
1
(t)

V
2
(t) = V
20
+ v
2
(t) = V
1
(t) − V
S
V
20
= V
10
− V
S
v
2
(t) = v
1
(t)

donc
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Pour construire ce schéma, on ne conserve que les éléments (résistances,
tensions, fils … et on ne conserve que les variations de tension et de courant.
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
 E
G
(t) = E
G0
+ e
g
(t) donc on ne conserve que e
g
(t)
 La variation de V
DD
est nulle, v
dd
(t) = 0, et il en va de même pour la masse
donc v
masse
(t) = 0
 Donc d’un point de vu alternatif, les fils V
DD
et masse sont identiques.
 Une tension continue est
équivalente à un court circuit
V
S
V
1
(t) = V
10
+ v
1
(t)

V
2
(t) = V
20
+ v
2
(t) = V
1
(t) − V
S
V
20
= V
10
− V
S
v
2
(t) = v
1
(t)

donc
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
R
1
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
R
2
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
R
1
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
R
B
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
R
B
i
b
v
be
B

V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
V
DD
/ masse

E

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
E

V
DD
/ masse

h
fe
.i
b
C

i
c
v
ce
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
E

V
DD
/ masse

h
fe
.i
b
C

i
c
v
ce
R
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
β.I
B
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
E

V
DD
/ masse

h
fe
.i
b
C

i
c
v
ce
R
C
R
L
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
E

V
DD
/ masse

h
fe
.i
b
C

i
c
v
ce
R
C
R
L
 Il faut aussi ajouter deux éléments parasites donnés par la matrice hybride
du transistor.
h
re
.v
ce
1/h
oe
ce re b ie be
v . h i . h v + =
ce oe b fe c
v . h i . h i + =
bipolaire
i
b
i
c
v
be
v
ce
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
e
g
R
g
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
E

V
DD
/ masse

h
fe
.i
b
C

i
c
v
ce
R
C
R
L
 Il faut aussi ajouter deux éléments parasites donnés par la matrice hybride
du transistor.
h
re
.v
ce
1/h
oe
ce re b ie be
v . h i . h v + =
ce oe b fe c
v . h i . h i + =
bipolaire
i
b
i
c
v
be
v
ce
 Dans ce cours, nous négligerons toujours la tension h
re
.v
ce
(par rapport à
h
ie
.i
b
) et en fonction des cas nous négligerons aussi la résistance 1/h
oe
devant
les résistances branchées en parallèle.

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Détermination de h
ie
0 CE CE ce
V V
B
BE
0 v
b
be
ie
I
V
i
v
h
= =


=


=
 Détermination de h
fe
β =


=
=0 v
b
c
fe
ce
i
i
h
 Détermination de h
oe
0 i
ce
c
oe
b
v
i
h
=


=
 Détermination de h
oe
0 i
ce
be
re
b
v
v
h
=


=
0

I
C
(A)

V
CE
(V)

V
BE
(V)

I
B
(A)

I
B0
I
C0
V
CE0
V
BE0
V
CE0
h
ie
h
fe
h
oe
h
re
Les paramètres h
dépendent du point
de repos (ou point
de polarisation)
!
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
 Les 4 paramètres sont obtenus à partir du point de polarisation.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
 Impédance d’entrée :
ie B
ie B
ie B e
h R
h . R
h // R R
+
= =
R
e
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
 Impédance d’entrée :
ie B
ie B
ie B e
h R
h . R
h // R R
+
= =
R
e
V.6. Paramètres : résistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
 Thévenin équivalent
Thévenin
R
gs
et e
gs
V. Amplification classe A
V
DD
/ masse

V.6. Paramètres : résistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
 Thévenin équivalent
Thévenin
R
gs
C gs
R R =
V. Amplification classe A
 Pour la résistance on court-circuite e
g
donc i
b
devient nul ainsi que h
fe
.i
b

et il reste :

V
DD
/ masse

V.6. Paramètres : résistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
 Thévenin équivalent
Thévenin
e
gs
C gs
R R =
V. Amplification classe A
 Pour la résistance on court-circuite e
g
donc i
b
devient nul ainsi que h
fe
.i
b

et il reste :

 Pour la tension, on exprime v
ce
donc e
gs
en fonction de v
be
ce qui
correspond à rechercher le gain à vide du quadripôles transistor :

C
ie
fe
b ie
c C
be
ce
0 V
R .
h
h
i . h
i R
v
v
A − = − = =
be 0 V gs
v . A e =
V
DD
/ masse

V.6. Paramètres : résistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Thévenin équivalent
C gs
R R =
V. Amplification classe A
 Pour la résistance on court-circuite e
g
donc i
b
devient nul ainsi que h
fe
.i
b

et il reste :

 Pour la tension, on exprime v
ce
donc e
gs
en fonction de v
be
ce qui
correspond à rechercher le gain à vide du quadripôles transistor :

C
ie
fe
b ie
c C
be
ce
0 V
R .
h
h
i . h
i R
v
v
A − = − = =
be 0 V gs
v . A e =
e
g
R
g
R
e
R
L
i
1
i
2
v
2
v
1
e
gs
R
gs
V
DD
/ masse

V.6. Paramètres : résistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
e
g
R
g
R
e
R
L
i
1
i
2
v
2
v
1
e
gs
R
gs
 Gain en tension :
L C
L C
ie
fe
0 V
L gs
L
be
ce
1
2
V
R R
R . R
.
h
h
A .
R R
R
v
v
v
v
A
+
− =
+
− = = =
1 0 V
L gs
L
gs
L gs
L
ce 2
v . A .
R R
R
e
R R
R
v v
+
=
+
= =
V
DD
/ masse

V.6. Paramètres : résistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
 Gain en tension :
L C
L C
ie
fe
0 V
L gs
L
be
ce
1
2
V
R R
R . R
.
h
h
A .
R R
R
v
v
v
v
A
+
− =
+
− = = =
1 0 V
L gs
L
gs
L gs
L
ce 2
v . A .
R R
R
e
R R
R
v v
+
=
+
= =
 On retrouve le gain à vide :
C
ie
fe
R
V 0 V
R .
h
h
A A
L
− = =
∞ →
 Gain composite :
e g
e
V
g
ce
vg
R R
R
A
e
v
A
+
= =
e
g
R
g
R
e
R
L
i
1
i
2
v
2
v
1
e
gs
R
gs
V
DD
/ masse

V.6. Paramètres : résistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
X . h . h X . h . h h
h . X
A
21 12 22 11 11
21
V
− +

=
avec
L
R X =
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
1
V
DD
/ masse

 On peut retrouver tous ces résultats à partir de la théorie des quadripôles
V.6. Paramètres : résistances et gains
2 1 B ie 2 12 1 11 1
v . 0 i . R // h v . h i . h v + = + =
2
C
1
ie B
B
fe 2 22 1 21 2
v .
R
1
i .
h R
R
. h v . h i . h i +
+
= + =
i
1
i
2
v
2
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 La variation de la tension v
bc
implique une variation de la longueur de la
zone de charge d’espace (ZCE) de la diode Base-Collecteur

e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
C
BC
V. Amplification classe A
V.7. Paramètres : Fréquences de coupure hautes
 La variation de la ZCE correspond à une variation de charge et donc la diode
est équivalente à une capacité notée C
BC
.

 Cette capacité fait un pont entre l’entrée et la sortie ce qui complique le
calcul du gain en tension

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Nous considérons la capacité entre la base et le collecteur : C
BE
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
C
BC1
 Elle peut être ramenée en entrée et en sortie du transistor avec le théorème
de MILLER :

V BC 1 BC
1
A 1
1
.
. C . j
1
. C . j
1
Z
− ω
=
ω
=
V
V
BC 2 BC
2
A 1
A
.
. C . j
1
. C . j
1
Z
− ω
=
ω
=
C
BC2
( )
BC V BC 1 BC
C A 1 C C >> − =
BC
V
V
BC 2 BC
C
A
A 1
C C ≈

=
V. Amplification classe A
V.7. Paramètres : Fréquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
 Gain composite :
R
eq
e g
e
V
g
ce
vg
R R
R
A
e
v
A
+
= =
R
e
V. Amplification classe A
V.7. Paramètres : Fréquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
 Gain composite :
R
eq
R
e
C
BC1
C
BC2
( )
( )
( )
1 BC e g
1 BC e
2 BC eq
ie
fe
g
ce
vg
C // R R
C // R
C // R .
h
h
e
v
A
+
− = =
V. Amplification classe A
V.7. Paramètres : Fréquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
C
BC1
C
BC2
 Gain composite : ( )
( )
( )
1 BC e g
1 BC e
2 BC eq
ie
fe
g
ce
vg
C // R R
C // R
C // R .
h
h
e
v
A
+
− = =
( )
eq 2 BC e g 1 BC e g
e eq
ie
fe
g
ce
vg
R C j 1
1
.
R // R C j 1
1
.
R R
R . R
.
h
h
e
v
A
ω + ω + +
− = =
soit
R
eq
Gain aux fréquences moyennes
A
m
V. Amplification classe A
V.7. Paramètres : Fréquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Il existe deux fréquences de coupure hautes avec F
HF1
<< F
HF2
:

e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
C
BC1
C
BC2
( )
HF
e g 1 BE
1 HF
F
R // R C 2
1
F =
π
=
 Gain composite : ( )
( )
( )
1 BC e g
1 BC e
2 BC eq
ie
fe
g
ce
vg
C // R R
C // R
C // R .
h
h
e
v
A
+
− = =
( )
eq 2 BC e g 1 BC e g
e eq
ie
fe
g
ce
vg
R C j 1
1
.
R // R C j 1
1
.
R R
R . R
.
h
h
e
v
A
ω + ω + +
− = =
soit
R
eq
Gain aux fréquences moyennes
Fréquence de
coupure haute
de l’ampli
A
m
V. Amplification classe A
V.7. Paramètres : Fréquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV. Amplification classe A
IV.7. Fréquences de coupure hautes
 Il existe deux fréquences de coupure hautes avec F
HF1
<< F
HF2
:

e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
C
BC1
C
BC2
( )
HF
e g 1 BE
1 HF
F
R // R C 2
1
F =
π
=
 Gain composite : ( )
( )
( )
1 BC e g
1 BC e
2 BC eq
ie
fe
g
ce
vg
C // R R
C // R
C // R .
h
h
e
v
A
+
− = =
( )
eq 2 BC e g 1 BC e g
e eq
ie
fe
g
ce
vg
R C j 1
1
.
R // R C j 1
1
.
R R
R . R
.
h
h
e
v
A
ω + ω + +
− = =
soit
R
eq
eq 2 BE
2 HF
R C 2
1
F
π
=
Gain aux fréquences moyennes
Fréquence de
coupure haute
de l’ampli
A
m
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
A
m
 Diagramme de bode en amplitude (échelle semi-log) :
A
vg
(db)

F (Hz)

F
HF1
F
HF2
10
6
1

10
3
10
9
− 20 db/dec

− 40 db/dec









+

e g
e eq
ie
fe
R R
R . R
.
h
h
log 20
0

20

− 20

− 40

V. Amplification classe A
V.7. Paramètres : Fréquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Diagramme de bode en phase (échelle semi-log) :
ϕ(°)

F (Hz)

F
HF1
F
HF2
− 180

− 270

10
6
1

10
3
10
9
− 90

− 360

gain A
m
négatif

V. Amplification classe A
V.7. Paramètres : Fréquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
C

C
L
R
L
v
be
passe haut passe haut
v
l
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
R
C
 On prend en considération les capacités de liaison C et C
L
.
V. Amplification classe A
V.8. Paramètres : Fréquences de coupure basses
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 On prend en considération les capacités de liaison C et C
L
.
e
g
R
g
C

C
L
R
L
v
be
 Gain composite :
v
l
C j
1
R R
R
. A .
C j
1
R R
R
e
v
.
v
v
e
v
A
g e
e
0 V
L
S L
L
g
be
be
1
g
1
vg
ω
+ +
ω
+ +
= = =
R
e
A
V0
.v
be
R
s
( ) ( )
g e C L L
g e
e eq
ie
fe
vg
R R C
j
1
1
.
R R C
j
1
1
.
R R
R . R
.
h
h
A
+ ω

+ ω

+
− =
A
m
( )
e g
1 BF
R R C 2
1
F
+ π
=
( )
C L L
2 BF
R R C 2
1
F
+ π
=
 Il existe deux fréquences de coupure basses :

V. Amplification classe A
V.8. Paramètres : Fréquences de coupure basses
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Diagramme de bode en amplitude (échelle semi-log) :
A
vg
(db)

F (Hz)

F
HF1
F
HF2
10
6
1

10
3
10
9
20 db/dec

40 db/dec









+

e g
e eq
ie
fe
R R
R . R
.
h
h
log 20
0

20

− 20

− 40

A
m
F
BF1
F
BF2
V. Amplification classe A
V.8. Paramètres : Fréquences de coupure basses
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Diagramme de bode en phase (échelle semi-log) :
ϕ(°)

F (Hz)

F
HF1
F
HF2
− 180

− 270

10
6
1

10
3
10
9
− 90

− 360

gain A
m
négatif

F
BF1
F
BF2
V. Amplification classe A
V.8. Paramètres : Fréquences de coupure basses
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Si le transistor chauffe il risque de s’emballer et d’être détruit.
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

I
P
R
1
R
2
R
L
C
L
V. Amplification classe A
V.9. Résistance d’émetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Si le transistor chauffe il risque de s’emballer et d’être détruit.
 La résistance R
E
évite l’emballement thermique du transistor :


I
B


V
E


V
BE


I
B


V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

I
P
R
1
R
2
R
L
C
L
R
E
 On obtient alors la droite de charge :
E C
CE
E C
DD
C
R R
V
R R
V
I
+

+
=
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

V
DD
V
CE0
V. Amplification classe A
V.9. Résistance d’émetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Gain en tension à vide :
( )
C
fe E ie
fe
e
l
0 V
R .
h 1 R h
h
v
v
A
+ +
− = =
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
l
v
e
R
E
 Le gain à vide (et donc le gain composite) a été diminué par l’introduction de
la résistance R
E
.
V. Amplification classe A
V.9. Résistance d’émetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Gain en tension à vide :
( )
C
fe E ie
fe
e
l
0 V
R .
h 1 R h
h
v
v
A
+ +
− == =
 Le gain à vide (et donc le gain composite) a été diminué par l’introduction de
la résistance R
E
.
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

I
P
R
1
R
2
R
L
C
L
R
E
C
E
 On ajoute la capacité de
découplage C
E
(passe bas) qui
permet la suppression de la
résistance R
E
en régime alternatif :
augmentation du gain.

V. Amplification classe A
V.9. Résistance d’émetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Gain en tension à vide :
( )
C
fe E ie
fe
e
l
0 V
R .
h 1 R h
h
v
v
A
+ +
− == =
 Le gain à vide (et donc le gain composite) a été diminué par l’introduction de
la résistance R
E
.
 On ajoute la capacité de
découplage C
E
(passe bas) qui
permet la suppression de la
résistance R
E
en régime alternatif :
augmentation du gain.

E C
R R
1
pente
+
− =
 Droite de charge statique

V
CE
(V)

0

I
C
(A)

V
DD
V
CE0
statique
V. Amplification classe A
V.9. Résistance d’émetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Gain en tension à vide :
( )
C
fe E ie
fe
e
l
0 V
R .
h 1 R h
h
v
v
A
+ +
− == =
 Le gain à vide (et donc le gain composite) a été diminué par l’introduction de
la résistance R
E
.
 On ajoute la capacité de
découplage C
E
(passe bas) qui
permet la suppression de la
résistance R
E
en régime alternatif :
augmentation du gain.

E C
R R
1
pente
+
− =
 Droite de charge statique

 Droite de charge dynamique

C
R
1
pente − =
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

V
DD
V
CE0
dynamique
statique
V. Amplification classe A
V.9. Résistance d’émetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VI.1. Présentation
 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
t

V
BE1
V
CE2
t

V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

t

0

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VI.1. Présentation
 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

 Instant t < t
0

 T
1
saturé : V
CE1
= V
CEsat
= 0

R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2 0.6 V

0

t

0

t

t

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

VI.1. Présentation
 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

 Instant t < t
0

 T
1
saturé : V
CE1
= V
CEsat
= 0

 T
2
bloqué : V
CE2
= V
DD
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2 0.6 V

V
DD
V
C2
 V
BE2
< 0,6 V

 V
C2
= V
DD
− 0,6

t

0

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

 Instant t = t
0

 C
1
s’est chargée à travers R
1
 V
BE2
devient égale à 0,6 V

R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2 0.6 V

V
DD
V
C2
0

t

0

VI.1. Présentation
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

VI.1. Présentation
 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

 Instant t = t
0

 T
2
devient saturé : V
CE2
= 0

 La charge de C
2
impose la
tension V
BE1
= 0,6 − V
DD
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
V
C2
0

t

0

0.6 − V
DD

 T
1
se bloque

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

VI.1. Présentation
 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

 Instant t = t
0
+
 C
1
se charge à travers R
C1
avec
une constante de temps très
faible

R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
0

t

0

V
DD
0.6 V

0.6 − V
DD

 V
CE1
= V
DD
R
C1
.C
1
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

VI.1. Présentation
 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

 Instant t > t
0

 C
2
se charge à travers R
2
avec
une constante de temps plus
grande que R
C1
.C
1
.

t

0

R
C1
.C
1
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
0

R
2
.C
2
 La tension V
BE1
augmente

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

VI.1. Présentation
 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

 Instant t = t
1

 V
BE1
= 0,6 V
t

0

R
C1
.C
1
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
R
2
.C
2
t
1
0.6 V

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

 Instant t = t
1

t

0

R
C1
.C
1
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
R
2
.C
2
t
1
V
C1
0

0.6 − V
DD

 T
1
devient saturé : V
CE1
= 0

 La charge de C
1
impose la
tension V
BE2
= 0,6 − V
DD
 T
2
se bloque

VI.1. Présentation
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

t

0

R
C1
.C
1
R
2
.C
2
t
1
 Instant t = t
1
+
 C
2
se charge à travers R
C2
avec
une constante de temps très
faible

R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
0

V
DD
0.6 V

0.6 − V
DD

 V
CE2
= V
DD
R
C2
.C
2
VI.1. Présentation
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

t

0

R
C1
.C
1
R
2
.C
2
t
1
 Instant t > t
1
+
 C
1
se charge à travers R
1
avec
une constante de temps plus
grande que R
C2
.C
2
.

R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
 La tension V
BE2
augmente

0

R
C2
.C
2
R
1
.C
1
VI.1. Présentation
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

 Circuit dont le schéma s’apparente à
celui de la mémoire RS et qui fournit
un signal carré.
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

t

0

R
C1
.C
1
R
2
.C
2
t
1
R
C2
.C
2
R
1
.C
1
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
 Le signal carré est pris sur le
collecteur de T
1
ou de T
2
 La période du signal carré dépend
des valeurs de R
1
, R
2
, C
1
et C
2
 Il faut aussi R
C1
<< R
1
et R
C2
<< R
2
VI.1. Présentation
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.1. Définition et principe de fonctionnement
 L’amplificateur de classe B n’amplifie que la
moitié du signal d’entrée.
VII. Amplification classe B
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmax
 Il crée beaucoup de distorsion mais a un
rendement bien meilleur que le classe A avec
en théorie 78.5 %.
I
C
(A)

t

I
C0
I
Cmax
I
C0
I
Cmax
V
E
= V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
R
C
V
DD
V
S
 Le point de repos se situe à la limite du
blocage du transistor
I
B0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
 Les deux transistors ont le même gain β.
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

t

0

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

− V
DD
R
L
I
L
V
E
(V)

0.6

− 0.6

 Si V
E
= 0, les deux transistors sont bloqués
et V
S
= 0.
 Amplificateur de puissance et non de tension
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

t

0

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

− V
DD
R
L
I
L
V
E
(V)

0.6

− 0.6

 Les deux transistors ont le même gain β.
 Si V
E
= 0, les deux transistors sont bloqués
et V
S
= 0.
 Si V
E
> 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué :
V
S
= V
E
– 0.6.
 Amplificateur de puissance et non de tension
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

t

0

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

− V
DD
R
L
I
L
V
E
(V)

0.6

− 0.6

 Les deux transistors ont le même gain β.
 Si V
E
= 0, les deux transistors sont bloqués
et V
S
= 0.
 Si V
E
> 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué :
 Si V
E
< − 0.6 V, le transistor PNP est en
régime linéaire et le NPN est bloqué.
V
S
= V
E
– 0.6.
V
S
= V
E
+ 0.6.
 Distorsion pour les faibles valeurs de V
E
.
 Saturation de V
S
si |V
E
| > V
DD
.
 Amplificateur de puissance et non de tension
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
 Les deux transistors ont le même gain β.
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

t

0

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

− V
DD
R
L
I
L
 Si V
E
= 0, les deux transistors sont bloqués
et V
S
= 0.
 Si V
E
> 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué :
 Si V
E
< − 0.6 V, le transistor PNP est en
régime linéaire et le NPN est bloqué.
V
S
= V
E
– 0.6.
V
S
= V
E
+ 0.6.
0.6

− 0.6

 Distorsion pour les faibles valeurs de V
E
.
 Saturation de V
S
si |V
E
| > V
DD
.
V
DD
− V
DD
 Amplificateur de puissance et non de tension
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

− V
DD
R
L
I
L
0.6

− 0.6

V
DD
− V
DD
V
E
(V)

V
DD
 Les deux transistors ont le même gain β.
 Si V
E
= 0, les deux transistors sont bloqués
et V
S
= 0.
 Si V
E
> 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué :
 Si V
E
< − 0.6 V, le transistor PNP est en
régime linéaire et le NPN est bloqué.
V
S
= V
E
– 0.6.
V
S
= V
E
+ 0.6.
 Distorsion pour les faibles valeurs de V
E
.
 Saturation de V
S
si |V
E
| > V
DD
.
 Amplificateur de puissance et non de tension
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

− V
DD
R
L
I
L
0.6

− 0.6

V
DD
− V
DD
V
E
(V)

V
DD
 Afin d’éviter la distorsion du signal, on place
un pont de base avec deux diodes polarisées
en directe (et passantes).
0.6 V

 L’amplificateur push-pull est utilisé comme
étage de sortie des générateurs de fonction et
des amplificateurs audio.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.1. Définition
VIII. Amplificateur opérationnel
 Il se caractérise par deux entrées (une inverseuse,
notée −, une non inverseuse, notée +), une sortie et
un gain A liés par la relation :
V
S
= A.(V
1
– V
2
) = A.V
d
V
1
V
2
V
S
V
d
V
DD
− V
DD
 L’impédance d’entrée très grande (≥ 500 kΩ), l’impédance de sortie est
presque nulle et la bande passante part du continu.
 Les premiers amplis opérationnels (réalisés à
l’aide de tubes à vide) étaient destinés aux
calculatrices analogiques, d’où leur nom.
 Le gain est très grand (≈ 50000) ce qui signifie qu’un amplificateur
opérationnel alimenté sous ±15 V sature pour V
d
= 300 µV !
 Il est constitué de plusieurs montages de base : paire différentielle, miroirs de
courant, amplificateur push-pull …
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
T1

T2

Entrée
+

R
C
R
C
− V
DD
I
0
Sortie

VIII.2. Schéma électrique globale
Entrée


VIII. Amplificateur opérationnel
V
DD
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
T1

T2

Entrée
+

R
C
R
C
− V
DD
I
0
Sortie

VIII.2. Schéma électrique globale
Entrée


T3

R
4
T4

VIII. Amplificateur opérationnel
V
DD
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
DD
T1

T2

Entrée
+

R
C
R
C
− V
DD
I
0
Sortie

VIII.2. Schéma électrique globale
Entrée


T3

R
4
T4

T5

R
5
VIII. Amplificateur opérationnel
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
T1

T2

Entrée
+

R
C
R
C
− V
DD
I
0
Sortie

VIII.2. Schéma électrique globale
Entrée


T3

R
4
T4

T5

R
5
R
6
T6

VIII. Amplificateur opérationnel
V
DD
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
T5

R
5
T1

T2

R
C
R
C
T3

R
4
− V
DD
I
0
T4

R
6
T6

T7

T8

R
7
R
8
VIII.2. Schéma électrique globale
Entrée
+

Sortie

Entrée


VIII. Amplificateur opérationnel
V
DD
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.2. Schéma électrique globale de l’AOP 741
VIII. Amplificateur opérationnel
V
DD
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.3. Montage amplificateur : l’inverseur
VIII. Amplificateur opérationnel
V
E
V
S
V
d
R
2
R
1
 Les entrées ±ne consomment pas de courant.
I

d 1 E
V I . R V − =
 Loi des mailles appliquée au montage :
S 2 d
V I . R V + = −
avec
d S
V . A V =
A

 On élimine I en divisant ces deux équations.
( )
( ) 1 A G
G A
1 A
V
V
V
V
A
A
1
1 V
A
V
V
R
R
E
S
E
S
S
S
E
2
1
+ −
+
=
+ −
+
=






+ −
+
=
avec
E
S
V
V
G=
 On obtient alors l’expression du gain G :
( )
1
2
2
1
R
R
1 A
R
R
1
A
G − ≈
+ +

=
 Hors saturation de la sortie, V
d
reste très faible et négligeable devant les
autres tensions. On remplace habituellement ″− V
d
″par ε.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.4. Montage amplificateur : l’additionneur
VIII. Amplificateur opérationnel
 Somme des courants :
V
2
V
S
R

R
1
I

A

R
2
ε

I
2
I
1
V
1
R
V
R
V
R
V
S
1
1
2
2
− ε
=
ε −
+
ε −
R
V
R
V
R
V
S
1
1
2
2
− = + soit
 Application de la loi des nœuds à
l’entrée − :
2 1
I I I + =
 Tension de sortie :








+ − =
2
2
1
1
S
V
R
R
V
R
R
V
 Si R
1
= R
2
:
( )
2 1
1
S
V V
R
R
V + − =
 Si R
1
= R
2
= R : ( )
2 1 S
V V V + − =
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.5. Montage amplificateur : l’intégrateur
VIII. Amplificateur opérationnel
 Rappels :
I . R V
E
=
V . C Q=
dt
dV
C
dt
dQ
I = =
et
 Loi des mailles :
C

V
E
V
S
R

I

A

ε

V
C
C S
V V − =
et
 Expression de V
S
:
dt
dV
. C . R V
S
E
− = dt V
C . R
1
dV
E S
− =

− − = dt V
C . R
1
V V
E 0 C S
V
C0
est la tension initiale aux bornes du
condensateur
0

V
E
I
B0
V
S
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VIII.6. Montage amplificateur : le suiveur
VIII. Amplificateur opérationnel
V
E
V
S
ε

R

 Le courant I est très faible (base du bipolaire)
et la valeur de ε est négligeable ce qui donne :
E E S
V V I . R V ≈ + ε + =
A

 L’impédance d’entrée est très grande et celle
de sortie très faible. On peut donc prélever la
tension V
E
sans modifier le circuit.
I

 En pratique R est égal à l’impédance de sortie du circuit.
C
i
r
c
u
i
t

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.7. Montage comparateur : comparateur simple
VIII. Amplificateur opérationnel
 On veut savoir si la tension V
E
et plus
forte (ou plus faible) qu’une tension de
référence notée V
1
.
DD
2 1
2
1
V
R R
R
V
+
=
V
E
V
S
A

V
DD
V
d
R
2
R
1
V
DD
V
S
V
E
V
1
V
1
V
DD
V
DD
0

 Il n’y a pas de rétroaction entre la
sortie et une des entrées donc :
d S
V . A V =
 Donc la sortie de l’AOP va saturer
pour une valeur très très faible de :
 L’AOP ne consomme pas de courant
dans la borne − donc :
1 E d
V V V − =
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Si V
E
< V
1
: V
d
< 0 et V
S
sature au
niveau le plus bas de l’alimentation de
l’AOP.
VIII.7. Montage comparateur : comparateur simple
VIII. Amplificateur opérationnel
V
E
V
S
A

V
DD
V
d
R
2
R
1
V
DD
V
S
V
E
V
1
V
1
V
DD
V
DD
0

 Si V
E
> V
1
: V
d
> 0 et V
S
sature au
niveau le plus haut de l’alimentation
de l’AOP.
 Par exemple V
E
= 0 V, V
1
= 1 V et A =
50000. Dans ce cas : V
S
= 1×V
d
=
−50000 V ce qui n’est pas possible donc
V
S
= 0 V
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Il est évidement possible d’inverser
les entrées + et −.
VIII.7. Montage comparateur : comparateur simple
VIII. Amplificateur opérationnel
V
E
V
S
A

V
DD
V
d
R
2
R
1
V
DD
V
S
V
E
V
1
V
1
V
DD
V
DD
0

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
 Le but est de transformer un signal analogique et suite de 0 et de 1.
VIII.8. Montage comparateur : CAN Flash
VIII. Amplificateur opérationnel
R

R

R

A

V
DD
V
E
R

R

R

R

R

B

C

D

E

F

G

C
i
r
c
u
i
t

d
e

d
é
c
o
d
a
g
e

S
0
S
1
S
2
Circuit
mémoire

Horloge

V
E
t

V
DD
0