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Enlace Metlico

Modelo del Mar de Electrones Teoria de Bandas Propiedades de los metales Estructura cristalina de metales Conductividad de materiales

Los metales pueden adoptar diferentes estructuras cristalinas en funcin de la P y T que se ejerza sobre ellos, a esto se llama Polimorfismo. Las diferentes formas se simbolizan con letras griegas: , , , etc.
Las estructuras cristalinas conocidas de los metales son cuatro, y son tres las ms importantes: cbica simple, cbica centrada en el cuerpo y Hexagonal compacta.

Estructuras cristalinas de los metales

Un slido cristalino posee un ordenamiento estricto y regular. En un slido cristalino, los tomos, molculas o iones ocupan posiciones especficas (predecibles).
Un slido amorfo no posee un ordenamiento bien definido ni un orden molecular repetido. Una celda unitaria es la unidad estructural esencial repetida de un slido cristalino. Punto reticular
En los puntos reticulares: tomos Molculas Iones

Celda unitaria

Celda unitaria en 3 dimensiones

Los siete tipos de celdas unitarias

Cbica simple

Ortorrmbica

Rombodrica

Monoclnica

Triclnica

Los tres tipos de celdas cbicas

Cbica simple

Cbica centrada en el cuerpo

Cbica centrada en las caras

Distribucin de esferas idnticas en una celda cbica simple

Distribucin de esferas idnticas en un cubo centrado en el cuerpo

Un tomo del vrtice y un tomo centrado en las caras

8 celdas unitarias lo comparten

2 celdas unitarias lo comparten

Cbica simple
1 tomo/celda unitaria (8 x 1/8 = 1)

Cbica centrada en el cuerpo Cbica centrada en las caras 2 tomos/celda unitaria 4 tomos/celda unitaria (8 x 1/8 + 6 x 1/2 = 4)

(8 x 1/8 + 1 = 2)

Relacin entre la longitud de la arista y el radio de los tomos de tres diferentes celdas unitarias

Estructuras cristalinas de los metales


Estructura cbica simple
El nmero de tomos por celda unidad es de uno. Hay un tomo en cada vrtice del cubo. El nmero de coordinacin de cada tomo es de seis (Coordinacin octadrica) El Factor de ocupacin del espacio es de 52.3 %

Estructura Cbica Centrada en el cuerpo:


El nmero de tomos por celda unidad es de dos. El nmero de coordinacin de cada tomo es de ocho (coordinacin cbica) El factor de ocupacin es del 68 %

Estructura hexagonal compacta:


El nmero de tomos por celda unidad es de seis El nmero de coordinacin es de doce (12) El factor de ocupacin es del 74 %
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Ejercicio de aplicacin

Cuando la plata cristaliza forma celdas cbicas centradas en las caras. La longitud de la arista de la celda unitaria es de 409 pm. Calcule la densidad de la plata.
Solucin: m d= V V = a3 = (409 pm)3 = 6.83 x 10-23 cm3

4 tomos/celda unitaria en una celda cbica centrada en las caras 1 mole Ag -22 g m = 4 Ag tomos x 107.9 g x = 7.17 x 10 mole Ag 6.022 x 1023 tomos 7.17 x 10-22 g m = d= V 6.83 x 10-23 cm3 = 10.5 g/cm3

Ejercicio de aplicacin
El oro (Au) cristaliza en una estructura cbica compacta (un cubo centrado en las caras) y tiene una densidad de 19.3 g/cm3 Calcule el radio atmico del oro en pm.
Solucin: Se desea calcular el radio atmico del oro. Para una celda unitaria cbica centrada en las caras, la relacin entre el radio (r) y la longitud de la arista (a) , de con la estructura, a = V8r. Por lo tanto, para determinar el r de un tomo de Au, se necesita encontrar a. El volumen de un cubo es V = a3 . Por lo tanto, si se puede determinar el volumen de una celda unitaria, se puede calcular a.

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Estructuras en los metales


Li Na K Rb Be Mg Ca Sr Sc Y Ti Zr V Nb Cr Mo Mn Tc Fe Ru Co Rh Ni Pd Cu Ag Zn Cd Ga In

Cs

Ba

La

Hf

Ta

Re

Os

Ir

Pt

Au

Hg
Otros

Tl

Cbico Centrado en el Cuerpo

Hexagonal Compacto

Cbico compacto

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Ejercicios de tarea
El oro y el platino cristalizan en una estructura cbica compacta cuya celda elemental tiene las siguientes dimensiones: 4.08 y 3.91 respectivamente. Calcular el radio metlico de ambos elementos. Demostrar que el factor de ocupacin en una estructura cbica es del 52.3 %
El hierro cristaliza es una estructura cbica centrada en el cuerpo con una celda unidad de 2.8664 . Calcular la densidad del metal.

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Propiedades de materiales metlicos


Alta conductividad trmica, electrnica, brillo, maleabilidad, ductilidad, emisin de electrones al ser sometidos a calentamiento o la accin de radiaciones (efecto fotoelctrico) y Densidades relativamente altas, Facilidad para formar soluciones slidas (aleaciones metlicas) Duros y resistentes al trabajo mecnico Resistentes a la corrosin (Al, Cu, etc)

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Modelo del Mar de Electrones (1)


Principios del modelo

El slido metlico se representa como un conjunto de cationes metlicos en un mar de electrones de valencia.
Los cationes (formados por el ncleo del tomo y los electrones que no participan del enlace) se encuentran en posiciones fijas, los electrones de valencia se mueven entre ellos deslocalizadamente, es decir, por todo el cristal metlico, sin pertenecer a ningn tomo en particular (estn distribuidos de manera uniforme en toda la estructura).
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Modelo del Mar de Electrones (2)


El conjunto de electrones deslocalizados se comporta como una verdadera nube de electrones y tambin se los denomina como gas de electrones. La presencia de estos electrones de valencia que no pertenecen a ningn tomo en particular sino a todos los cationes del cristal, anula prcticamente las fuerzas repulsivas de los cationes e incrementa la estabilidad del sistema.

El enlace metlico puede considerarse como la accin estabilizante de los electrones de valencia deslocalizados entre los cationes.
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Teora de Bandas de los slidos (1)


Principios de la Teora

En un tomo aislado: Los electrones se encuentran sometidos a la influencia del campo elctrico del ncleo atmico, uniforme y esfrico. Cada electrn tiene un valor de energa segn el nivel-subnivel en que se encuentra en el tomo aislado (1s, 2s2p, 3s). En los slidos cristalinos (metales) En el cristal se presentan gran cantidad de tomos ordenados (moles) y con ellos, gran cantidad de ncleos atmicos. Los electrones se encuentran movindose en el campo elctrico de gran cantidad de ncleos, razn por la cual, el campo elctrico en el que se mueven, no es uniforme.
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Teora de Bandas de los slidos (2)


De acuerdo con TOM: Por interaccin de N orbitales atmicos se formarn N orbitales moleculares. Para un mol de tomos de sodio, la interaccin de 6,022x1023 orbitales atmicos 3s producir 6,022x1023 orbitales moleculares muy poco espaciados. En lugar de los pocos orbitales moleculares con energas ampliamente espaciadas tpicas de molculas pequeas, la inmensa cantidad de orbitales en un metal hace que estn tan cerca entre s en energa que forman una banda casi continua. Estas bandas continuas de orbitales pertenecen al cristal como un todo.
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Teora de Bandas de los slidos (3)


Na Banda de Conduccin

Banda de Valencia
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Teora de Bandas de los slidos (4)


A la banda de menor energa, se la denomina banda de valencia y es una banda de orbitales moleculares llenos. La otra banda, la de niveles ms altos de energa, se denomina banda de conduccin que es una banda vaca o llena incompletamente de orbitales moleculares.

La teora de bandas, explica que segn el tipo de sustancia, las bandas de valencia y de conduccin pueden o no estar separadas por bandas de energa de valores prohibidos. Para los cristales no metlicos, la representacin grfica incluye una banda prohibida.
Esta banda prohibida implica una diferencia energtica muy grande para que los electrones la puedan superar y as poder llegar a la banda de conduccin.
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Conductores metlicos (1)

a) Un conductor metlico, por ejemplo el sodio, se caracteriza por tener una banda no completamente llena. - Los electrones de los niveles superiores pueden ser fcilmente promocionados a los niveles vacos cercanos y, como resultado, pueden moverse relativamente con libertad a travs del slido. (b) Si una banda est completamente llena y hay un agujero de energa considerable antes del siguiente orbital vaco disponible,l a sustancia es un 25 aislante.

Aislantes
a) Orbitales moleculares del par Na+Cl. La electronegatividad del Cl es mucho mayor que la del Na, por lo que la diferencia de energa entre el orbital 3s del Na y el 3pz del Cl es muy grande y la interaccin pequea. El resultado es coherente con un modelo inico. (b) En un cristal de NaCl, los orbitales 3p llenos de los Cl y los 3s vacos de los Na+ forman sendas bandas. Las bandas son estrechas, pues el solapamiento entre iones iguales es pequeo. El agujero entre bandas es grande y el NaCl es un buen aislante.

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Semiconductores
Un semiconductor tiene un agujero entre bandas pequeo, de forma que, a T > 0 K, la agitacin trmica de algunos electrones puede ser suficiente como para que salten a la banda vaca, permitiendo la conductividad

(a) A T = 0 K, los electrones ocupan los orbitales de las bandas por orden de energa. (b) A T > 0 K, la agitacin trmica de los electrones hace que algunos de ellos puedan ocupar niveles de energa mayores. (c) Un semiconductor, a T = 0 K, tiene una banda llena y otra vaca con un agujero de energa relativamente pequeo. A T > 0 K, algunos electrones saltan de la banda llena a la vaca, posibilitando la conduccin.
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Semiconductores (2)
La conductividad de los semiconductores es normalmente intermedia entre la de los aislantes y la de los conductores metlicos. Sin embargo, el criterio para distinguir entre un conductor metlico y un semiconductor es que la conductividad del semiconductor aumenta con la temperatura

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Semiconductores (3)
Un semiconductor intrnseco es aquel que lo es por s mismo. Las propiedades semiconductoras de un material se pueden mejorar sustituyendo (dopando) algunos de los tomos de su red cristalina por otros que tengan un nmero distinto de electrones. La concentracin de dopante necesaria es muy baja, alrededor de 1 tomo en 109. Este tipo de conductores se llaman extrnsecos

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Semiconductores (4)
(a) Al dopar un cristal de silicio con tomos de As, hay un electrn adicional por cada tomo dopante. Estos electrones adicionales estn en una banda localizada en los tomos de As, que es muy estrecha si los tomos de As estn muy alejados unos de otros. A T > 0, algunos de los electrones del As saltan a la banda vaca del Si, Semiconductividad tipo n (b) Al dopar un cristal de silicio con tomos de Ga, hay un electrn menos por cada tomo dopante: se forma una banda aceptora vaca que puede aceptar, a T > 0, electrones de la banda llena del Si. De esta forma se introducen agujeros electrnicos en el silicio, dando lugar a la semiconductividad tipo p 30

Teora de Bandas de los slidos (5)


Tipos de Materiales conductores electrnicos
Conductor metlico: es un conductor electrnico en el cual la conductividad elctrica disminuye a medida que aumenta la temperatura. Ejemplo: metales y otros slidos como el grafito. Semiconductor: es un conductor electrnico en el cual la conductividad elctrica se incrementa a medida que aumenta la temperatura. Ejemplo: un cristal puro de silicio que contenga una pequesima cantidad de arsnico o de indio. Superconductor: es un conductor electrnico que tiene una resistencia nula por debajo de una determinada temperatura.
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Teora de Bandas de los slidos (8)


Diagramas de Energa de diferentes tipos materiales

E
E

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Teora de Bandas de los slidos (8)

Paso de un conductor a un semiconductor

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Caso de formas alotrpicas del C

Energa

- - - - - -

- - Distancia interatmica

Diamante: Cbico, transparente, duro y aislante

Grafito: Hexagonal, negro, blando y conductor

Diagrama de bandas del Carbono: diamante


Banda de conduccin

4 estados/tomo

Energa

Eg=6eV - - 4 electrones/tomo

Banda prohibida

Banda de valencia

Si un electrn de la banda de valencia alcanzara la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin, podra moverse al estado vaco de la banda de conduccin de otro tomo vecino, generando corriente elctrica. A temperatura ambiente casi ningn electrn tiene esta energa. Es un aislante.

Diagrama de bandas del Carbono: grafito

4 estados/tomo

Banda de conduccin

Energa

- - 4 electrones/tomo

Banda de valencia

No hay banda prohibida. Los electrones de la banda de valencia tienen la misma energa que los estados vacos de la banda de conduccin, por lo que pueden moverse generando corriente elctrica. A temperatura ambiente es un buen conductor.

Diagrama de bandas del Ge

4 estados/tomo

Energa

Banda de conduccin Banda prohibida

Eg=0,67eV - - 4 electrones/tomo

Banda de valencia

Si un electrn de la banda de valencia alcanza la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin, puede moverse al estado vaco de la banda de conduccin de otro tomo vecino, generando corriente elctrica. A temperatura ambiente algunos electrones tienen esta energa. Es un semiconductor.

Resumen

Banda de conduccin Eg

Banda de conduccin
Eg

Banda de conduccin

Banda de valencia
Aislante Eg=5-10eV

Banda de valencia

Banda de valencia
Conductor No hay Eg

Semiconductor Eg=0,5-2eV

Teora de Bandas de los slidos (9)


Valores de Egap . Elementos del grupo 14.
Elemento Egap/eV Tipo de material

C (diamante)
Si Ge

6,0
1,1 0,7

Aislante
Semiconductor Semiconductor

Sn (gris,T>13oC) Sn (blanco,T<13oC)
Pb

0,1 0
0

Semiconductor metal
metal
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CARCTER CONDUCTOR AISLANTE Y SEMICONDUCTOR


Conductores ( ~ 10-6 cm) Banda semillena Solapamiento de bandas (una llena y otra vaca) Aislantes ( ~ 1014 - 1022 cm) Banda llena y banda vaca separadas por un gap de energa grande. Semiconductores ( ~ 10-2 109 cm) Intrnsecos: gap de energa pequeo Extrnsecos: defectos en la red cristalina
(impurezas, compuestos no estequiomtricos)
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