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Como funciona o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) (ART1018)

Reunindo as caractersticas de comutao dos transistores bipolares de potncia alta impedncia de entrada dos transistores de efeito de campo, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potncia de uso industrial e at mesmo em eletrnica de consumo e embarcada. Veja neste artigo o que o IGBT e quais so suas caractersticas principais. Os transistores bipolares de potncia possuem caractersticas que permitem sua utilizao no controle de correntes elevadas com muitas vantagens. No entanto, as suas caractersticas de entrada, exigindo correntes elevadas, j que operam como amplificadores de corrente, trazem certas desvantagens em algumas aplicaes. Por outro lado, os transistores de efeito de campo MOS de potncia podem tambm controlar potncias elevadas com muitas vantagens pelo fato de que exigem tenso para o disparo, pois embora sejam dispositivos de alta impedncia, tm como desvantagem uma baixa velocidade de comutao devida s capacitncias de comporta que aumentam com a intensidade de corrente (largura do canal) que deve ser controlada. Juntando o que h de bom nestes dois tipos de transistores, o IGBT um componente que se torna cada vez mais recomendado para comutao de cargas de alta corrente em regime de alta velocidade.

A ESTRUTURA DO IGBT Na figura 1 temos na esquerda a estrutura de um transistor de efeito de campo de potncia (MOSFET), enquanto que ao lado temos a estrutura de um IGBT.

Conforme podemos observar, a nica diferena que existe nas duas estruturas a presena de uma zona p no IGBT. Pela presena desta camada, lacunas so injetadas na camada n altamente resistiva de modo que um excesso de portadores criado. Com o aumento de condutividade consequente da camada n, pode-se reduzir a tenso no estado ON do IGBT. O resultado disso que obtemos para o IGBT uma reduo considervel na tenso no estado de mxima conduo, conforme indicam as curvas da figura 2.

Caractersticas de comparao de POWER MOSFET (a) e do IGBT (b)

Enquanto que as tenses sobem quase que linearmente com o aumento da corrente num MOSFET de potncia comum, no IGBT a tenso sobe de maneira muito menos acentuada com o aumento da corrente. Veja que para um aumento da corrente de 0 a 6 ampres, a tenso sobe de 0 para 5 V com alimentao de 20 V no caso do transistor bipolar, enquanto que para um IGBT alimentado com 17 V, a tenso sobe de 0 para apenas 4 V aproximadamente, quando a corrente vai a 24 ampres. O que acontece que a resistncia Rdson (resistncia entre dreno e fone em conduo) influenciada principalmente por uma regio central pouco dopada, o que essencial para se obter uma capacidade de bloqueio da tenso. Com a presena de uma camada p no IGBT, temos um excesso de portadores na regio central. Em consequncia da voltagem limiar, que criada na juno pn do lado do coletor, um transistor IGBT de 1000 V tem uma resistncia no estado ON reduzida de um fator de 5 vezes quando comparada com a de um MOSFET de mesmas caractersticas de bloqueio e mesma rea de pastilha.

CIRCUITO EQUIVALENTE E ESTRUTURAS Podemos comparar um IGBT a um circuito formado por um transistor de efeito de campo que controla a corrente de base de um transistor bipolar, veja figura abaixo.

Circuito equivalente ao IGBT.

Na mesma figura temos as capacitncias parasitas deste circuito que influem principalmente na sua velocidade de comutao.

Uma outra forma de representar o circuito equivalente de um IGBT exemplificada na figura abaixo.

Outra forma de representar o circuito equivalente a um IGBT

Nesta representao temos um transistor PNP excitado por MOSFET de canal N numa configurao pseudo-Darlington. O transistor JFET foi includo no circuito equivalente para representar a contrao no fluxo de corrente entre os poos p. Atualmente existem duas estruturas bsicas utilizadas na construo dos IGBTs, as quais so mostradas na figura abaixo.

Estruturas bsicas do IGBT.

A primeira denominada estrutura PT e a segunda NPT, que foi desenvolvida pela Siemens. A estrutura PT (Punch Through = socada atravs) tem camadas epitaxiais caractersticas e uma regio N+ dopada (camada buffer) e uma regio N- sobre um substrato dopado com polaridade p. O tempo de vida dos portadores de carga minimizado pela forte difuso de metal, ou por radiao de alta energia. O material de base da estrutura NPT (Non Punch Through) um wafer homogneo dopado com impurezas N-. Do lado de trs, uma camada p especialmente formada criada durante o processamento do wafer. Neste caso, no necessrio limitar o tempo de vida dos portadores de carga. Em ambos os casos a estrutura de clula de um IGBT tpico formada do lado frontal.

CARACTERSTICAS DE COMUTAO OS IGBTs so componentes usados principalmente como comutadores em conversores de frequncia, inversores, etc. Nestas aplicaes normalmente uma carga indutiva ligada e desligada, podendo com isso aparecer tenses inversas elevadas contras as quais o dispositivo deve ser protegido. Esta proteo feita com o uso de diodos. Quando o IGBT liga novamente, o fluxo de corrente no diodo funciona inicialmente como um curto. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tenso. Isso faz com que aparea uma corrente que se soma corrente da carga, a qual chamada de corrente reversa de recuperao do diodo ou Irr. O mximo da corrente Irr ocorre quando a soma das tenses instantneas sobre o IGBT e o diodo igualam a tenso de alimentao, de acordo com exemplo no grfico da figura abaixo.

Quando o IGBT desliga, o resultado uma variao de corrente, e isso faz com que um pico de sobretenso aparea devido variao da corrente nas indutncias parasitas, veja a figura abaixo.

Este pico de tenso responsvel por perdas e exige um aumento no tempo morto entre a conduo de dois dispositivos semelhantes quando usados numa configurao de meia-ponte. Um ponto importante que deve ser levado em considerao em todo dispositivo de comutao o Efeito Miller. O Efeito Miller nada mais do que a realimentao da tenso coletor-emissor (Vce) atravs da capacitncia existente entre a comporta e o coletor do dispositivo (Cgc). Isso quer dizer que uma variao da tenso entre coletor e emissor (Vce) tem o mesmo efeito que uma fonte de corrente interna no circuito de polarizao, onde a intensidade desta corrente dada pela expresso:

ig = Cgc(Vce) x dVce/dt

Infelizmente, Cgc no constante, mudando de valor com a tenso entre coletor e emissor. As maiores variaes de Ccg ocorrem justamente com pequenas tenses entre emissor e coletor. Em consequncia disso temos explicaes para alguns comportamentos do IGBT:

a) Quando o IGBT liga (turn-on) - partindo de Vce alto e Vge igual a zero ou negativo - com uma corrente constante carregando a comporta, um aumento linear da tenso de comporta obtido. Com a queda da tenso entre coletor e emissor (Vce) a corrente de polarizao de comporta usada para carregar Cgc, e a tenso de comporta permanece constante. Mais tarde, quando a tenso entre o coletor e o emissor cai, Cgc aumenta de valor de tal forma que, uma pequena variao de Vce suficiente para levar a um aumento da corrente de comporta. Somente quando a corrente necessria carga se reduz novamente que a tenso de comporta aumenta. Este comportamento pode ser observado pelo grfico da figura abaixo.

Comportamento do IGBT na comutao.

b) Quando o IGBT desliga - partindo de Vce baixa, Vge positiva ou maior que a tenso limiar - Vth) - a tenso de comporta inicialmente decresce quase que linearmente (pela fonte de corrente constante de descarga). A diminuio da capacitncia com o aumento da carga aumenta a tenso. Como existe uma fonte de polarizao que est drenando corrente da comporta, a tenso comporta-emissor mantm-se constante.

Em consequncia, Vce aumenta e a maior parte da corrente de descarga da comporta usada para manter a tenso de comporta constante. O processo de carga termina quando Vce alcana a tenso de operao. Na figura abaixo mostramos o que acontece na forma de um grfico.

Comutao (desligamento) do IGBT.

devido ao Efeito Miller que a corrente de comporta durante a comutao (ligando ou desligando) usada antes de tudo para mudar a carga de Cgc. Isto explica porque, carregando ou descarregando, a comporta tem sua velocidade de resposta reduzida. Deve ser mencionado que as mudanas de Cgc e Vcc regulam por si prprias de tal forma que apenas a corrente disponvel na comporta usada. Isso esclarece porque um resistor de grande valor ligado em srie com a comporta faz com que todos os eventos que envolvam a comutao de um IGBT tenham seu tempo de durao aumentado.

CONCLUSO O projeto de circuitos que usam IGBTs exige que o engenheiro saiba levar em conta as caractersticas diferenciadas destes componentes. Em princpio, podemos trat-los como transistores bipolares quando analisamos o modo como ele controla as cargas, e como POWER-FETS ao pensarmos no disparo. No entanto, alguns elementos intermedirios entram em ao e podem ser importantes nas aplicaes de alta velocidade. Na Internet o leitor encontra no site da Simens (Infineon) e da International Rectifier (Application-Note AN983) uma boa literatura tcnica que pode complementar este artigo. Sugerimos aos leitores que dominam o ingls e que precisam de mais informaes sobre IGBTs que visitem estes sites.