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Clase 16 - Transistor Bipolar de Juntura (III

)
Modelo de peque˜ na se˜ nal
Universidad de Buenos Aires
Facultad de Ingenier´ıa
66.25 - Dispositivos Semiconductores
Clase 16
1 Cuatrimestre 2013
Lectura recomendada:
P. Julian: Introducci´on a la Microelectr´onica, Cap. 6
Preguntas Disparadoras

¿Por qu´e necesitamos un nuevo modelo para analizar la
corriente alterna en un TBJ?

¿A qu´e llamamos peque˜ na se˜ nal?

¿Cu´ales son los par´ametros del modelo?

¿De qu´e dependen estos par´ametros?
Preguntas Disparadoras

¿Por qu´e necesitamos un nuevo modelo para analizar la
corriente alterna en un TBJ?

¿A qu´e llamamos peque˜ na se˜ nal?

¿Cu´ales son los par´ametros del modelo?

¿De qu´e dependen estos par´ametros?
Preguntas Disparadoras

¿Por qu´e necesitamos un nuevo modelo para analizar la
corriente alterna en un TBJ?

¿A qu´e llamamos peque˜ na se˜ nal?

¿Cu´ales son los par´ametros del modelo?

¿De qu´e dependen estos par´ametros?
Preguntas Disparadoras

¿Por qu´e necesitamos un nuevo modelo para analizar la
corriente alterna en un TBJ?

¿A qu´e llamamos peque˜ na se˜ nal?

¿Cu´ales son los par´ametros del modelo?

¿De qu´e dependen estos par´ametros?
Contenido
Introducci´on: Linealizaci´on
Validez del modelo
Par´ametros del modelo de peque˜ na se˜ nal
g
m
r
π
β
0
r
o
r
µ
Repaso de capacidades en juntura PN
C
π
C
µ
Resistencias par´asitas
Linealizaci´on
TBJ −→ Dispositivo alineal
i
C
= I
S
exp
_
v
BE
V
TH
_
_
_
_
i
C1
= I
S
exp
_
v
BE1
V
TH
_
i
C2
= I
S
exp
_
v
BE2
V
TH
_
⇒i
C
= I
S
exp
_
v
BE1
+ v
BE2
V
TH
_
= i
C1
+ i
C2
NO SE CUMPLE EL PRINCIPIO DE SUPERPOSICI
´
ON
Linealizaci´on
i
C
= I
S
exp
_
V
BE
+ v
be
sin (ωt +φ)
V
TH
_
IRRESOLUBLE
¿C´omo lo simplificamos?
Teorema de Taylor
Sea f (x) n-derivable en x
0
f (E{x
0
})
(n)

i =0
1
n!

n
f (x)
∂x
n
¸
¸
¸
x=x
0
(x −x
0
)
n
f (E{x
0
}) f (x
0
) +
∂f (x)
∂x
|
x
0
(x −x
0
) +
1
2

2
f (x)
∂x
2
|
x
0
(x −x
0
)
2
+. . .
¿C´ omo se aplica a nuestro problema?
Linealizaci´ on de i
C
i
C
i
C
(v
BE
= V
BE
) +
∂i
C
(v
BE
)
∂v
BE
¸
¸
¸
v
BE
=V
BE
(v
BE
−V
BE
)
i
C
(V
BE
) = I
CQ
∂i
C
(v
BE
)
∂v
BE
¸
¸
¸
V
BE
=
I
CQ
V
TH
v
BE
−V
BE
= v
be
_
¸
_
¸
_
i
C
I
CQ
+
I
CQ
V
TH
v
be
v
BE
i
C
(v
BE
)
i
C
I
CQ
+
I
CQ
V
TH
v
be
I
CQ
¡Cuidado con la notaci´on!
¿Hasta d´ onde es v´alido el modelo?
CRITERIO −→ Error relativo menor al 10%

i
C
< 10% ≡ 0.1
i
C
=
|i
C

ˆ
i
C
|
i
C
ˆ
i
C
= I
CQ
+
I
CQ
V
TH
v
be
Es imposible despejar el rango v´alido para v
be
NUEVA SIMPLIFICACI
´
ON: Evaluamos el error respecto del
polinomio de Taylor de orden 2
_
I
CQ
+
I
CQ
V
TH
v
be
+
1
2
I
CQ
V
2
TH
v
2
be
_

_
I
CQ
+
I
CQ
V
TH
v
be
_
I
CQ
+
I
CQ
V
TH
v
be
+
1
2
I
CQ
V
2
TH
v
2
be
< 0.1
¿Hasta d´ onde es v´alido el modelo?
Cambio de variable
x =
v
be
V
TH
=⇒
0.5 x
2
1 + x + 0.5 x
2
< 0.1
=⇒−0.37 < x < 0.59 ≡ −9.62 mV < v
be
< 15.34 mV
Como queremos
conocer el valor pico
v
be
|
m´ax
= 9.62 mV ≡ 19.24 mV
pap
20 mV
pap
Transconductancia de salida (g
m
)
i
C
= I
CQ
+
I
CQ
V
TH
v
be
i
C
= I
CQ
+ g
m
v
be
i
c
= g
m
v
be
g
m
=
∂i
C
(v
BE
)
∂v
BE
¸
¸
¸
v
BE
=V
BE
=
I
CQ
V
TH
g
m
representa peque˜ nos cambios en la corriente de colector
respecto de peque˜ nos cambios en la tensi´on base–emisor
Transconductancia de salida (g
m
)
g
m
=
∂i
C
(v
BE
)
∂v
BE
¸
¸
¸
v
BE
=V
BE
=
I
CQ
V
TH
g
m
: Transconductancia de salida
Fuente de corriente controlada por tensi´on
g
m
v
be
E E
B C
v
be
Resistencia de Entrada (r
π
)
Los cambios en v
BE
tambi´en producen cambios en i
B
g
π
=
1
r
π
=
∂i
B
(v
BE
)
∂v
BE
¸
¸
¸
v
BE
=V
BE
r
π
=
β
g
m
= β r
d
r
π
: Resistencia de entrada
g
m
v
be
r
π
E E
B C
v
be
Ganancia de corriente (β
0
)
β
0
=
∂i
C
(i
B
)
∂i
B
¸
¸
¸
i
B
=I
BQ
β
F β
0
: Ganancia de corriente
Fuente de corriente controlada por corriente
r
π
E E
B C
v
be
βi
β
Efecto Early
∆v
CE
v
BE
= cte
_
⇒∆v
BC
⇒Cambia el ancho de la QNR en la base
i
C
= I
S
exp
v
BE
V
TH
_
1 +
v
CE
−v
CE
sat
V
A
_
V
A
: Tensi´on de Early
Efecto de modulaci´on del ancho de la base
v
CE
i
C
(v
CE
)
i
C
−V
A
I
CQ
V
CEQ
Resistencia de salida (r
o
)
r
o
: Resistencia de salida
g
o
=
1
r
o
=
∂i
C
(v
BE
, v
CE
)
∂v
CE
¸
¸
¸
V
BE
,V
CE
r
o

V
A
I
CQ
g
m
v
be
r
o
r
π
E Ee
B C
v
be
Resistencia de realimentaci´ on (r
µ
)
Cambios en v
B
C tambi´en producen cambios en i
B
i
B
= i
B1
+ i
B2
i
B1
: Inyecci´on de huecos de la base al emisor (Juntura B-E,
predominante)
i
B2
: Extracci´on de huecos del colector (Juntura B-C, despreciable)
∂i
B
∂v
BC
¸
¸
¸
V
BC
=
∂(i
B1
+ i
B2
)
∂v
BC
¸
¸
¸
V
BC
=
∂i
B1
∂v
BC
¸
¸
¸
V
BC
+
∂i
B2
∂v
BC
¸
¸
¸
V
BC
=
∂i
B2
∂v
BC
¸
¸
¸
V
BC
∂i
C
= β ∂i
B
∂i
C
∂v
CE
¸
¸
¸
v
BE
=cte
=
∂i
C
∂v
BC
¸
¸
¸
v
BC
=
1
r
o
Resistencia de realimentaci´ on (r
µ
)
∂i
B2
∂v
BC
¸
¸
¸
V
BC
=
∂i
B
∂v
BC
¸
¸
¸
V
BC
=
1
β
∂i
C
∂v
BC
¸
¸
¸
V
BC
=
1
β
∂i
C
∂v
CE
¸
¸
¸
V
CE
=
1
β r
o
⇒r
µ
=
_
∂i
B
∂v
BC
_
−1
= β r
o
= β
V
A
I
CQ
r
µ
: Resistencia din´amica de una juntura en inversa
Tiene un valor muy elevado y generalmente puede despreciarse
Capacidad de juntura (C
j
)
Representa la variaci´on de la carga en la SCR respecto de
variaciones en la tensi´on de juntura aplicada
p-QNR n-QNR
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+




























∆x
p
x
p
x
n
∆x
n
Zona desierta
+∆Q −∆Q
C
j
=
¸
¸
¸
¸
∂Q
ZD
∂V
j
¸
¸
¸
¸
Q
ZD
= q N
d/a
Ax
n/p
∂Q
ZD
∂V
j
= q N
d/a
A
∂x
n/p
∂V
j
Capacidad de juntura (C
j
)
∂x
n/p
∂V
j
=
¸
2
S
N
a/d
q (N
a/d
+ N
d/a
) N
d/a
−1
2
_
φ
B
−V
j
∂Q
ZD
∂V
j
= −A
¸
q
S
N
a
N
d
2 φ
B
(N
a
+ N
d
)
1
_
1 −
V
j
φ
B
C
j
=
C
j 0
_
1 −
V
j
φ
B
C
j 0
=
¸
q
S
2 φ
B
N
a
N
d
N
a
+ N
d
Capacidad de juntura (C
j
)
C
j
=
C
j 0
_
1 −
V
j
φ
B
La expresi´on de C
j
diverge, pero
existe una saturaci´on para
V
j
=
φ
B
2
C
jSat
=

2C
j 0
Capacidad de difusi´ on (C
d
)
Representa la variaci´on de carga en las QNR debido al cambio del
perfil de concentraci´on de portadores
p-QNR SCR
W
p
n
2
i
N
a
n(x)



V
n(x)



V+∆V −∆Q
e
N
a
p(x)



V
p(x)



V+∆V +∆Q
h
Suponemos que
N
d
>> N
a
C
d
= C
dp
=
∂Q
e
p
∂V
j
=
∂Q
h
p
∂V
j
Q
e
p
= A
1
2
(n(0)−n(W
p
))W
p
Capacidad de difusi´ on (C
d
)
Recordando n(0) =
n
2
i
N
a
exp
_
V
j
V
th
_
n(W
p
) =
n
2
i
N
a
⇒C
d
= A
1
2
W
p
1
V
th
n
2
i
N
a
exp
_
V
j
V
th
_
Como J
D
=
1
N
a
D
e
W
p
exp
_
V
j
V
th
_
Definiendo τ
T
=
W
2
p
2 D
e
⇒C
d
=
1
V
th
τ
T
J
D
Capacidad Base–Emisor
En el TBJ se cumple que N
E
N
B
C
π
= C
dBE
+ C
jBE
Como la juntura BE se encuentra polarizada en directa, predomina
C
d
C
π
C
dBE
= τ
T
g
m
C
π
: Capacidad de entrada
Capacidad Base–Colector
En el TBJ se cumple que N
B
N
C
C
µ
= C
dBC
+ C
jBC
Como la juntura BE se encuentra polarizada en inversa, predomina
C
j
C
µ
C
jBC
=
C
jBC0
_
1 +
V
CB
φ
B
C
µ
: Capacidad de realimentaci´on
Resistencias par´asitas
Los materiales presentan resistividad y por lo tanto aparecen
efectos resistivos par´asitos.
p-Sub
n p n
C B E
Son resistencias de muy
bajo valor.
Despreciables frente a
otras resistencias del
modelo y las resistencias
externas del circuito.
Modelo completo
Modelo H´ıbrido π
g
m
v
be
r
o
r
π
r
µ
E E
B C
v
be
C
µ
C
π