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PRACTICA Nº 3 : Curva característica de un diodo semiconductor Objetivo: El objetivo de esta práctica es obtener la curva característica de dos diodos de juntura

semiconductora; uno de silicio y otro de germanio. Introducción: Semiconductores y juntura p-n Cuando se aplica la ecuación de Schrödinger a los átomos de un sólido la solución de la misma para sistemas periódicos predice la !ormación de estructuras de bandas de energía en las cuales pueden ubicarse los electrones. "a estadística de #ermi-$irac %ue tiene en cuenta el principio de e&clusión de 'auli predice cómo se llenarán con electrones las bandas en el sólido. Se denominan semiconductores (SC) a a%uellos materiales donde la banda de valencia esta completamente llena a la temperatura de cero absoluto y la de conducción dista solo algunos e* por encima. + temperatura ambiente la banda de conducción se puebla por e&citación t,rmica con electrones %ue provienen de la banda de valencia. En presencia de un campo el,ctrico estos electrones %ue están en la banda de conducción pueden moverse libremente. 'or otro lado el movimiento de reacomodamiento de los restantes electrones en la banda de valencia se comporta como si e&istiese un movimiento de partículas de carga positiva (%ue se denominan huecos) en sentido opuesto. +l re!erirse a la banda de valencia se habla de -migración de huecos. pero es una representación simbólica para !acilitar la e&plicación ya %ue cuando se mueven electrones en un sentido se puede decir %ue se están moviendo huecos en sentido opuesto. En general son semiconductores a%uellos elementos o aleaciones %ue tienen en promedio cuatro electrones de valencia por ejemplo/ Si 0e 0a+s etc. Se dice %ue un semiconductor está dopado cuando contiene pe%ue1as cantidades de elementos con tres o cinco electrones de manera de generar un e&ceso de cargas positivas (dopaje tipo p) o negativas (dopaje tipo n) respectivamente. El dispositivo más simple !ormado por semiconductores es una juntura 2nica entre dos materiales semiconductores dopados; uno para obtener un e&ceso de electrones libres (tipo n) y otro con un e&ceso de huecos libres (tipo p). +mbos semiconductores dopados son el,ctricamente neutros pero cuando se !orma una juntura cristalográ!ica entre ellos se produce una migración de electrones hacia el SC tipo p y una migración de huecos hacia el SC tipo n. "a migración se detiene al llegar a un punto de e%uilibrio en el cual aparece una di!erencia de potencial en la juntura. Esta di!erencia de potencial se genera entre una delgada capa de material cargada negativamente del lado p y una delgada capa cargada positivamente del lado n como se muestra en la !igura 3.

.emperatura en grados Felvin En la re!erencia 3 se detalla la deducción de esta e&presión a partir de conceptos de la !ísica del sólido. Obtención de la curva característica IV: 'ara obtener la curva característica 6* de un diodo utili5ando el e%uipamiento disponible en el "aboratorio hay %ue armar el circuito %ue se indica en la !igura ?. Es conveniente utili5ar una !recuencia baja menor a los 3>> G5 ya %ue el e%uipamiento 'asco tiene una !recuencia de muestreo má&ima de 3>>> G5. El movimiento p 4 n se ve !avorecido en tanto %ue el movimiento n 4 p se ve di!icultado El movimiento de electrones se verá !avorecido por este campo el.n H HHHHHHHHHHHHHHHHHHH ---------------------------- p I #igura 3/ Es%uema simpli!icado de una juntura. 3) . 8 .ctrico interno %ue representa un obstáculo para el movimiento de electrones.3) $onde/ 6o 8 Corriente de saturación del diodo % 8 Carga el. (ec.ctrica del electrón <3 =>? 3>-3@ CA * 8 *oltaje aplicado entre bornes : 8 Constante de Bolt5man <3 CD> 3>-?C E9FA . "a tensión variable se genera con un generador de ondas. "a ecuación característica 6-* de un diodo '7 es/ 6 8 6o (e&p %*9:. "a tensión sobre el diodo se toma directamente.ctrico desde el lado p hacia el lado n en tanto %ue se verá di!icultado al moverse desde el lado n hacia el lado p ya %ue deberá sortear una barrera de potencial. "a inter!ase junto con los sensores cumplen la !unción de trans!ormar el voltaje medido en in!ormación digital %ue puede ser leída por la computadora. "a 5ona desde donde han migrado los electrones se denomina región libre de carga espacial o 5ona desierta por%ue ya no contiene portadores de carga libres. Se genera un campo el. "a corriente se toma como tensión sobre una resistencia limitadora.

Eesus +. Re erencias: 3) -El diodo de juntura '7 .esis de $octorado Mniversidad 7acional de 0eneral San Kartín +lejandro *ertanessian ?>>D.raducción a cargo de $ocentes de la #acultad de 6ngeniería MB+ ?) -Contribución al Estudio E&perimental de la $egradación de Kateriales de Mso Espacial 'roducida por la Jadiación E&istente en Nrbitas de Baja +ltura y por las condiciones +mbientales en *uelo. LKicroelectronic $evices and CircuitsL .'C SE7SOJ *oltaje J *pp 6* 67.EJ#+SE '+SCO SE7SOJ *oltaje $ #igura ?/ $isposición e&perimental para medir la curva característica de un diodo. "a tensión pico a pico no debe superar los 3> *olts para proteger los sensores de voltaje. .Característica 6-*. de +lamo Curso K6. El diodo $ puede ser de silicio o germanio. "a resistencia J cumple la !unción de limitar la corriente en directa. .

"a !uente luminosa por e&celencia es el sol. Cuando un !otón incide sobre el material SC si su energía hR es mayor %ue la banda prohibida (B') del semiconductor considerado se puede generar un par electrón-hueco ('EG) por e!ecto !otoel. 'ara una celda monojuntura la B' óptima !uncionando con el espectro solar es de apro&imadamente 3 S e*.ambi. 'ara cuanti!icarla se ha dado en llamar -constante solar. Esto se indica es%uemáticamente en la !igura S.Nota adicional sobre Celdas solares: Mna aplicación muy importante de las junturas semiconductoras es la generación de energía !otovoltaica en la cual se utili5an celdas solares. Gay materiales SC de B' directa (+s0a .eCd) e indirecta (Si 0e). El mecanismo esencial de esta conversión es el e!ecto !otoel. a la radiación proveniente del sol %ue por unidad de tiempo es recibida en la unidad de área por una super!icie perpendicular a la radiación y situada !uera de la atmós!era terrestre a la distancia astronómica unidad (3 +M ≡ 3 S@Q 3>33 m distancia media entre Sol-.ctrica. El e!ecto %ue produce una determinada !uente luminosa en una celda depende del n2mero de !otones y de su energía o !recuencia es decir del espectro de esa !uente luminosa. . Cuando la B' es directa solo se necesita la concurrencia de un !otón para reali5ar el salto a la banda de conducción. "a estructura básica de una celda solar es la juntura p-n.ierra). Con la B' directa la generación de 'EG es más e!iciente por lo tanto las celdas son más delgadas (TQ Um) %ue en el caso de los de B' indirecta (T3Q> Um).n es importante si la lu5 es absorbida cerca o lejos de la super!icie ya %ue el lugar de la má&ima absorción de !otones debe ubicarse en la región cercana a la juntura pues allí los 'EG generados se colectan con mayor e!iciencia. Cuando la B' es indirecta el !otón se debe combinar con un !onón u oscilación de la red de valor apropiado para reali5ar el salto a la banda de conducción. El electrón pasa a la banda de conducción y se mueve hacia la 5ona n y el hueco hacia la 5ona p. . "a !igura C muestra es%uemáticamente lo %ue sucede cuando un !otón incide sobre una juntura.ctrico. Como ilustración la energía de los !otones correspondientes a lu5 de color rojo verde y violeta está en el orden de 3 PQ e* ? e* y C e* respectivamente. Si los 'EG se generan lejos del campo de la juntura deben migrar hasta ella y eso resta e!iciencia al proceso. Si la B' es pe%ue1a hay una gran proporción de !otones en el espectro solar %ue tienen la energía necesaria para elevar electrones a la banda de conducción pero como el voltaje de una celda aumenta con la B' hay %ue llegar a un compromiso entre B' baja para mayor generación y B' alta para mayor voltaje. "as celdas solares son dispositivos semiconductores (SC) capaces de convertir energía lumínica en el. En el caso de haber un e&cedente de energía esta se trans!iere !inalmente a la red cristalina en !orma de calor.ctrico interno en el cristal %ue !orma la celda.

El electrón se mueve hacia la 5ona n y el hueco hacia la 5ona p. El n2mero indica el espesor de atmós!era %ue atraviesa la radiación (+ir Kass W).Q corresponde a una irradiancia de 3>>> V.333 V. Se genera un par electrón hueco. Cuando esto sucede con un gran n2mero de !otones se genera una corriente %ue puede circular por una carga conectada a los bornes de la celda solar. +sí pues el valor aceptado internacionalmente al presente (Organi5ación Keteorológica Kundial 3@D?) para la constante solar 0sc es (3C=P ± P) V.m-? y un espectro correspondiente a un cuerpo negro a una temperatura de Q=>> Felvin (+S.m-?. .m-? y se la denomina +K3.K E @?P Class +).#O. + este valor de radiación encima de la atmós!era se la denomina +K>. 'ara cada +K& el espectro es ligeramente di!erente ya %ue la atmós!era terrestre produce absorción selectiva en determinadas longitudes de onda. "a radiación +K3.O7 electrones n X HHHHHHHHHHHHHHHH HHH 'EG generado ---------------------------! C+J0+ p #igura C/ Es%uema simpli!icado de una juntura sobre la cual incide un !otón. 'ara la radiación global a nivel del mar para un cielo muy claro se adoptó el valor de 3.

El salto producido por el !otón se indica con la !lecha vertical y el producido por el !onón por la !lecha hori5ontal.O #igura S/ Es%uema simpli!icado de la estructura de bandas para los dos tipos de band gap.O B+7$ 0+' 67$6JEC. Estas celdas se !abrican con compuestos de arseniuro de galio (+s0a) y alcan5an e!iciencias de ?S a ?@ Y en condiciones +K>. $e este modo se aprovecha mejor el espectro solar aumenta el voltaje total de la celda %ue es la suma de los voltajes parciales ya %ue cada celda tiene su propio campo voltaje. En el caso del band gap directo el electrón solo necesita la concurrencia de un !otón para saltar de la banda de conducción a la banda de valencia.Energía Energía Banda de Conducción Banda de Conducción *ector de Onda *ector de Onda Banda de *alencia Banda de *alencia B+7$ 0+' $6JEC. En las celdas multijuntura se colocan dos o más celdas superpuestas !ormadas por SC de B' decrecientes de modo tal %ue los !otones de mayor energía son absorbidos en la primera juntura los restantes pasan a la segunda %ue absorbe los !otones de energía menor y así sucesivamente hasta llegar a la 2ltima juntura. "a cola del espectro solar %ue no genera 'EG se absorbe y se trans!orma en calor. +l aumentar el campo el.ctrico total aumenta la colección de portadores. Este salto se indica con la !lecha vertical. . En el caso del band gap indirecto el electrón necesita la concurrencia simultánea de un !otón y de un !onón para saltar de la banda de conducción a la banda de valencia.