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1

AMPLIFICATEUR DEPHASEUR A TRANSISTORS NPN ET PNP
On veut réaliser l’amplificateur de la figure 1, dans lequel les transistors T
1
et T
2
, au silicium, sont
rigoureusement complémentaires.
Leur gain en courant β vaut 100 et leur tension de Early V
A
sera supposée très grande. Le montage
utilise deux tensions d’alimentation : V
CC
= V
EE
= 12V. La température est fixée à 25°C.
e
g
+
-
R
g
C
1
C
2
R
1
R
2
R
1
R = 3,3kΩ
R = 3,3kΩ
+ V
CC
= +12V
- V
EE
= -12 V
100Ω
v
e
v
s1
v
s2
T
1
T
2
B
1
B
2
C
1
C
2
E
1
E
2
Figure 1 : Schéma du montage
1
ère
PARTIE : ETUDE DE LA POLARISATION
1. Dessiner le schéma qui permet de décrire le fonctionnement du montage en courant continu.
2. Montrer que les courants de repos de collecteur des transistors T
1
et T
2
sont identiques.
3. Sachant que le montage est symétrique par rapport à la masse, en l’absence de signal
variable, les émetteurs E
1
et E
2
sont au potentiel zéro volt. On veut que le courant de
collecteur soit de 2 mA. Indiquer sur le schéma les valeurs des tensions en tout points par
rapport à la masse.
4. Déterminer les valeurs de R
1
et R
2
pour assurer le point de repos choisi pour chacun des
transistors. Indiquer la valeur normalisée que vous choisiriez.
2
ième
PARTIE : ETUDE AUX PETITES VARIATIONS
5. Sachant que les courants de repos des deux transistors sont identiques, montrer très
simplement qu’en régime variable, les deux tensions de sortie v
s1
et v
s 2
sont d’égale
amplitude et en opposition de phase.

1
Philippe ROUX © 2006 http://rouxphi3.perso.cegetel.net
2
La suite du problème consiste à déterminer les caractéristiques du montage aux petites
variations. On supposera que les condensateurs C
1
et C
2
présentent une impédance négligeable
pour la fréquence de travail.
6. Dans ces conditions, dessiner le schéma aux petites variations équivalent au montage.
Indiquer le type de montage de T
2
.
7. Ecrire l’équation reliant les tensions v
be1
, v
be2
et la tension d’entrée v
e
. En déduire
l’expression du gain en « tension différence » : A
v v
v
d
s s
e
=

1 2
. Faire l’application numérique.
8. Pour préparer le calcul du gain de la « voie 1 » soit : A
v
v
s
e
1
1
= , il est nécessaire de simuler la
présence de T
2
dans le circuit d’émetteur de T
1
par une résistance interne équivalente R
E
.
Pour cela, redessiner la partie du schéma constituée par T
2
et ses éléments associés et vue
par T
1
entre son émetteur E
1
et la masse.
9. Rechercher l’expression de la résistance de simulation R
E
. Faire l’A.N.
10. Compte tenu de cette simulation, redessiner le schéma équivalent qui permet le calcul du
gain A
1
. Faire ce calcul, en mettant en évidence une propriété simple liant v
e
et v
be1
. A.N.
11. En exploitant le résultat de la question 7, déterminer le gain de la voie 2 : A
v
v
s
e
2
2
= .
12. Calculer la résistance d’entrée R
e
de l’amplificateur vue par le générateur d’attaque (e
g
, R
g
)
entre B
1
et la masse. A.N.
13. Déterminer la valeur de la résistance de sortie du montage sur les deux voies R
s1
et R
s2
. A.N.
3
ième
PARTIE : FONCTIONNEMENT EN BASSE FREQUENCE
14. En supposant négligeable l’impédance du condensateur C
1
, dessiner le schéma équivalent
qui permet de déterminer la résistance de sortie R’
s
du montage vue par la capacité de
découplage C
2
entre B
2
et la masse.
15. Calculer cette résistance de sortie R’
s
. A.N.
16. Calculer la valeur de la capacité C
2
, satisfaisant à une fonction découplage égale à –1/100 de
dB à une fréquence de 100 Hz.
17. On désire que la fréquence de coupure basse f
b
à –3 dB de l’amplificateur soit égale à 1000
Hz. En déduire la valeur de la capacité C
1
sachant que l’impédance de C
2
est négligeable à la
fréquence f
b
.
CORRECTION
1. Schéma en continu :
R
1
R
2
R
1
R = 3,3kΩ
R = 3,3kΩ
+ V
CC
= +12V
- V
EE
= -12 V
T
1
T
2
B
1
B
2
C
1
C
2
E
1
E
2
0V
5,4 V
-5,4 V
0,6 V
-0,6 V
2. Les courants d’émetteurs I
E1
et I
E2
sont rigoureusement identiques. Les courants de
collecteur : I
I
C
E
=
+ 1 β
sont donc égaux.
3. Tensions par rapport à la masse : voir figure précédente.
4. Le courant de base I
B
de T
1
et T
2
est égal à 20 µA. On choisi un courant I
P
dans R
2
compris entre 200 et 400 µA.
Si I
P
= 200 µA, on obtient : R
1
= 51,8 kΩ (47 kΩ) et R
2
= 6 kΩ (5,6 kΩ).
5. Si les courants de collecteur I
C1
et I
C2
de T
1
et T
2
sont égaux en mode continu, avec la
même droite de charge, les variations i
c1
et i
c2
sont aussi égales.
v Ri
s c 1 1
= − v Ri
s c 2 2
=
v
v
s
s
1
2
1 = −
6. Schéma aux petites variations équivalent au montage.
e
g
+
R
g
r
be
R
R r
be v
e R
1
//R
2
v
s2
v
s1
i
b2
β.i
b2
β.i
b1
v
be1
v
be2
B
1
E
1
E
2
B
2
C
2
Base Commune
g
m
.v
be1
g
m
.v
be2
4
7. v v v
e be be
= −
1 2
. v g vb R
s m e 1 1
= − . v g vb R
s m e 2 2
= − .
v v g R v v
s s m be be 1 2 2 1
− = − . ( )
A
v v
v
g R
d
s s
e
m
=

= − = −
1 2
264 .
8. Schéma de la « charge active » de T
1
.
R
r
be
i
b2
β.i
b2
v
be2
E
2
B
2
C
2
u
+
-
i
9. Pour obtenir la résistance de simulation R
E
, on place entre E
2
et B
2
, un générateur de
tension u qui débite un courant i. On a alors : R
u
i
E
= . Equation au nœud E
1
:
i i
b
+ + = ( ) β 1 0
2
avec : i
u
r
b
be
2
= −
R
r
E
be
=
+
=
β 1
12 4 , Ω
10. Nouveau schéma équivalent :
e
g
+
R
g
r
be
R
v
e R
1
//R
2
β.i
b1
v
be1
B
1
E
1
g
m
.v
be1
v
s1
E
2
B
2
R
E
i
g
Exprimons la tension aux bornes de R
E
: ( ) ( )
( )
β β
β
+ = +
+
= = 1 1
1
1 1 1 1
i R i
r
r i v
b E b
be
be b be
.
On a alors : v v
e be
= 2
1
A
Ri
r i
R
r
b
be b be
1
1
1
2 2
132 =

= − = −
β β
11. Selon Q7 : A
v v
v
g R
R
r
d
s s
e
m
be
=

= − = − −
1 2
264 .
β
.
A
v
v
A
v
v
R
r
s
e
d
s
e be
2
2 1
2
132 = = − + = =
β
5
12. Résistance d’entrée du montage : R
v
i
R R
v
i
R R r k
e
e
g
e
b
be
= = = =
1 2
1
1 2
2 1 67 // // // // , Ω
13. Pour obtenir la résistance de sortie, on doit annuler e
g
selon la méthode de
« l’ohmmètre ». Dans ces conditions les courants de base i
b 1
et i
b2
sont nuls car
v v
e be
= 2
1
. Les générateurs dépendants β.i
b1
et β.i
b2
sont alors nuls. On en déduit :
R R R k
s s 1 2
3 3 = = = , Ω
14. Schéma équivalent qui permet de déterminer la résistance de sortie R’
s
du montage vue
par la capacité de découplage C
2
entre B
2
et la masse.
B
1 B
2
r
be
r
be
R R
u
+
-
i
β.i
b1
R
1
R
2
R’
g
= R
g
//R
1
β.i
b2
i
b2
i’
i’
i
b1
E
1
E
2
15. La résistance de sortie du montage vue par la capacité C
2
est telle que : ′ =

R R
u
i
s 1
// .
Nœud B
2
: ′ +
′ ′ −
+
′ ′ −
= i
R i u
R
R i u
r
g g
be 2
2
0
′ +

+







= +






i
R
R
R
r
u
R r
g g
be be
1
2
1 1
2
2 2
′ =
+
+

+

= R R
R r
R
R
R
r
k
s
be
g g
be
1
2
2
1 1
2
1
2
1 79 // , Ω
16. On rappelle l’expression de la fonction découplage : F
R C
découp
= − +







10 1
1
2
2
log
( ) ω
.
Une fonction découplage égale à –1/100 de dB à une fréquence de 100 Hz conduit à
choisir : C
2
= 20 µF.
17. Pour calculer C
1
, recherchons la valeur de la constante de temps du circuit d’entrée de
l’amplificateur :
τ
π
e g e
b
R R C
f
s = + = =

( ) , .
1
4
1
2
1 6 10
On en déduit alors : C
1
= 90 nF.