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Informe II De Electrnica Discreta e Integrada

Transistor y sus zonas de trabajo Prof.: ALEJANDRO MATAMALA DETTMAR VAN HAINDORP

Integrantes: LUIS GOMEZ JOSE MANQUICOY LUIS PAREDES FABIAN VEGA SEBASTIAN VELASQUEZ

Seccin: 60 Fecha: 30-11-2012

Introduccin
La realizacin de este informe pretende obtener datos de forma prctica como terica Y comparar valores obtenidos as como representar de forma grfica los datos obtenidos , esto servir para complementar los conocimientos tericos y entender de forma practica el funcionamiento del transistor bipolar.

Resea
El informe consiste en el registro de las mediciones realizadas a un circuito el cual estaba compuesto por una fuente de poder la cual designaremos como Vcc, la que ajustaremos a 10v aproximados, sta tiene conectado su polo positivo a una resistencia(Rc) que a su vez va conectada en el otro lado al colector del transistor y su negativo va a tierra virtual, tambin haremos un barrido con otra fuente designada como vbb, la cual tiene conectado su polo positivo a una resistencia(Rb) que a su vez va conectada en el otro lado a la base del transistor y su negativo va a tierra virtual, el emisor del transistor tambin va a tierra virtual. Para determinar la curva del transistor desde la zona de corte hasta la zona de saturacin se midi con un tester el voltaje en Rc y Rb mientras se hacia el barrido en Vbb. Luego con los datos obtenidos se calcul Vce, Vbe, Ic, Ib, BF; Con los datos ya calculados se procedi a realizar los grficos Ib vs Ic; Ic vs Vce; Ib vs Vce; Ib vs Vbe; Ic vs Vbe.

El Transistor Bipolar
Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el transistor est constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados NPN y PNP:

Transistores Bipolares npn y pnp.


A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN, siendo el comportamiento de los transistores PNP totalmente anlogo. El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms fuertemente dopada con donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su funcin es la de emitir electrones a la base. La base es la zona ms estrecha y se encuentra dbilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona ms ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la base.

Condiciones de funcionamiento
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento: 1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es transistor se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado. 2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente, determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi independiente de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa. 3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto.

Circuito

Vbb= Fuente variable Vcc= Fuente de aproximadamente 10v Rb= Resistencia de 35K Rc= Resistencia de 1k Tr= Transistor npn

En la imagen se puede apreciar el circuito practico en el taller.

Tabla de valores de voltajes

Zona de Corte VBB


0,2 V 0,4 V 0,444 V 0,5 V 0,6 V

VRB
0,001 V 0,004 V 0,004 V 0,009 V 0,103 V

VRC
0,006V 0,012 V 0,018V 0,044 V 0,327 V

VBE
0,199 V 0,396 V 0,44 V 0,491 V 0,497 V

VBC
9,994 V 9,988 V 9,982 V 9,956 V 9,673 V

Zona Activa VBB


0,7 V 0,9 V 1,3 V 2,4 V 3V

VRB
0,134 V 0,472 V 1,026 V 2,170 V 2,790 V

VRC
0,420 V 1,374 V 3,111 V 8,228 V 9,7 V

VBE
0,566 V 0,428 V 0,274 V 0,23 V 0,21 V

VBC
9,58 V 8,626 V 6,889 V 1,772 V 0,3 V

VBB
3,1 V 3,3 V 3,5 V 3,9 V 4,9 V

VRB
2,33 V 2,56 V 2,78 V 3,17 V 4,15 V

Zona de Saturacin VRC VBE


9,897 V 9,902 V 9,908 V 9,918 V 9,930 V 0,77 V 0,74 V 0,72 V 0,73 V 0,75 V

VBC
0,103 V 0,098 V 0,092 V 0,082 V 0,07 V

Corrientes para zona de corte

17.142

411.428 456.685 514.285 617.142

Corrientes para zona activa

20 A 25.714A 37.142 A

700 A 900 A =1300

68.57A 85.71

2400 3000

720 925.714 1337.142 2468.57 3085.71

3100 88.57 94.28 100 3300 3500 3900 140 4900

Corrientes para zona de saturacin

3394.28 3600 4011.42 5040

A continuacin se mostraran tablas de valores obtenidas con los datos calculados y medidos anteriormente.
Tabla de Valores
zona de corte

IE
valor 1 valor 2 valor 3 valor 4 valor 5 205,7A 411,428A 456,685A 514,285A 617,142A zona activa

VBE
0,199 V 0,396 V 0,44 V 0,491 V 0,497 V

VCE
9,994 V 9,988 V 9,982 V 9,956 V 9,673 V

IE
720A 925,714A 1337,142A 2468,57A 3085,71A

VBE
0,566 V 0,428 V 0,274 V 0,23 V 0,21 V

VCE
9,58 V 8,626 V 6,889 V 1,772 V 0,3 V

zona de saturacin

IE
3188,57A 3394,28A 3600A

VBE
0,77 V 0,74 V 0,72 V

VCE
0,103 V 0,098 V 0,092 V

4011,42A 5040A

0,73 V 0,75 V

0,082 V 0,07 V

Tabla de Valores
zona de corte

IB
valor 1 valor 2 valor 3 valor 4 valor 5 5,71A 11,48A 12,68A 14,28A 17,14A

VBE
0,199 V 0,396 V 0,44 V 0,491 V 0,497 V

VCE
9,994 V 9,988 V 9,982 V 9,956 V 9,673 V

zona activa

IB
valor 1 valor 2 valor 3 valor 4 valor 5 20A 25,71A 37,14A 68,57A 85,71A

VBE
0,566 V 0,428 V 0,274 V 0,23 V 0,21 V

VCE
9,58 V 8,626 V 6,889 V 1,772 V 0,3 V

zona de saturacin

IB
valor 1 valor 2 valor 3 valor 4 valor 5 88,57A 94,28A 100A 111,42A 140A

VBE
0,77 V 0,74 V 0,72 V 0,73 V 0,75 V

VCE
0,103 V 0,098 V 0,092 V 0,082 V 0,07 V

Tabla de valores de
zona de corte zona activa

IB
valor 1 valor 2 valor 3 valor 4 valor 5 5,71A 11,48A 12,68A 14,28A 17,14A

IC 200A
400A 444A 500A 600A valor 1 valor 2 valor 3 valor 4 valor 5

IB
20A 25,71A 37,14A 68,57A 85,71A

IC 700A
900A 1300A 2400A 3000A

zona de saturacin

IB
valor 1 88,57A

IC 3100A

valor 2 valor 3 valor 4 valor 5

94,28A 100A 111,42A 140A

3300A 3500A 3900A 4900A

Grficos de mediciones

Curva Ib vs Vce

Curva Ib vs Vbe

Curva Ic vs Vbe

Curva Ic vs Ib

Curva Ic vs Vce

Beta f para zona activa

35

en saturacin

Conclusin
De este informe se puede concluir que lo realizado en el laboratorio, el transistor en su zona activa directa, al aumentar la fuente Vbb hacia que disminuyera el voltaje en Vce considerablemente, mientras que Vbe aumenta pero de forma mnima, tambin se observa que Vbe se mantiene dentro del rango 0,7-0,8. En el transistor, en la zona de corte, al aumentar la fuente Vbb (aumento mnimo) provoca que toda la cada de tensin se valla al transistor y casi no exista cada en las resistencias rb y rc. El transistor, cuando entra en la zona de saturacin, al aumentar la fuente Vbb se puede observar que el voltaje Vce va desde el rango 0.05-0.2 y el voltaje Vbe va desde el rango 0.7-0.8. Los voltajes en rb y rc son directamente proporcionales y los voltajes Vce y Vbe son inversamente proporcionales. Las corrientes Ic e Ib son directamente proporcionales hasta cierto punto (en Ic aproximadamente 10mA y en Ib entre 60 y 70 uA Con los grficos se puede concluir que los valores prcticos se aproximan a los tericos. Adems verificamos que el valor de Bf est dentro del rango 100-300. El amplificador puede utilizarse como amplificador y tambin como conmutador y los principales cuidados que se deben tener en cuenta son no sobrepasar la corriente mxima del transistor y el calentamiento continuo que reducir su durabilidad.