You are on page 1of 10

Para describir un semiconductor pensamos en sus propiedades fsicas.

Qu es importante saber si se desea construir algn dispositivo para una posterior aplicacin electrnica? 1.) Conductividad a una temperatura dada. Si se especifica la conductividad del semiconductor a una temperatura dada, es posible hacer proyecciones de cul ser su resistencia elctrica en otras temperaturas. Siempre es posible realizar pruebas que especifiquen el comportamiento trmico de un semiconductor mediante curva experimental. 2.) Concentracin de impurezas Actualmente, en el proceso de fabricacin de un material semiconductor, es posible conocer con gran precisin la proporcin con que se encuentran impurezas en un semiconductor. 3.) Defectos de red En la fabricacin de cualquier cristal se presentan diversas imperfecciones. Estas son inevitables: tambin en la naturaleza se presentan estos fenmenos, como se mencion en parte de lo estudiado anteriormente. Entre estos defectos estn las dislocaciones: deformaciones en la estructura cristalina que se ven con ngulos alterados y que afectan slo a una fila de tomos. 4.) Comportamiento frente al campo elctrico Como un material semiconductor puede pertenecer a diferentes perodos de la tabla peridica, es natural que sus propiedades fsicas puedan variar segn el semiconductor sea de un material u otro. Cuando a un diodo rectificador se le somete a un gran voltaje inverso, su funcin bloqueadora de voltajes de este tipo no puede mantenerse. Inevitablemente dejarn pasar una corriente despus que se les ha polarizado ms all de su lmite, y de hecho resultarn averiados muy probablemente. En esta regin el diodo ZENER presenta a travs de sus terminales un voltaje constante an para grandes polarizaciones,

porque ha sido diseado especficamente no para que bloquee voltajes inversos sino para mantener un voltaje constante.
Cul es el comportamiento de un semiconductor al elevarse fuertemente la temperatura?

Su respuesta : Conductor !Correcto!

Un diodo zener opera,

Su respuesta : En la misma regin en que el diodo falla !Correcto!

El parmetro B (beta del transistor) depende de:

Su respuesta : Concentracin de portadores totales !Correcto!


Si la corriente del emisor es un amperio y B (beta)=100, entonces :

Su respuesta : La corriente de la base es menos de 0.01 amperio !Correcto!

La cantidad de corriente que puede soportar un dispositivo tiene que ver con la cantidad de portadores de que contiene el semiconductor y su movilidad. Entre ms movilidad para portadores libres haya, mayor corriente se genera para un mismo voltaje.

Sin embargo, aumentar o disminuir la concentracin de portadores necesariamente hace que la respuesta a la polarizacin (la corriente respuesta a un voltaje) ya no sea la misma y los umbrales de voltaje a partir de los cuales comienza a operar el dispositivo tambin cambien. Por ello, debe obligatoriamente cambiarse otros parmetros para poder obtener una operacin similar pero una tolerancia mxima a la corriente mayor.

a luz de lo anterior responda las siguientes preguntas

queremos aumentar la tolerancia mxima a corriente de un BJT, lo mejor es:

Su respuesta : Aumentar la seccin transversal de la base para que haya ms espacio para los portadores !Correcto!

Si una fotocelda recibe una cantidad de luz excesiva,

Su respuesta : Si la frecuencia de la luz es la correcta, siempre produce voltaje entre terminales !Correcto

Los transistores PNP funcionan con voltajes de polarizacin inversos en todos los casos. Suponga que tenemos un circuito amplificador operando en el modo NPN perfectamente y responda las siguientes preguntas Si en el circuito amplificador colocamos un PNP en vez de un NPN,

Su respuesta : Pasa a modo de Corte

!Correcto!

stor por un MOSFET canal N haciendo las conexiones de Gate como si fuera Base y Source como si fuera Emisor, entonces,

Su respuesta : Necesariamente cambia el funcionamiento !Correcto!

En una Baquelita tenemos Silicio. Cuando se aplica la solucin correcta, ste se convierte en SiO2. Este material:

Su respuesta : Es un xido !Correcto!

Un tubo fotomultiplicador cumple una o ms de las siguientes afirmaciones siempre.

Su respuesta : Amplifica luz !Correcto!


Escoja cul de las siguientes afirmaciones es cierta para TODO lser semiconductor.

Su respuesta : No mantiene la intensidad de luz inicial !Correcto!

El proceso de Deposicin consiste en,

Su respuesta : Depositar un material laminar sobre otro no laminar !Correcto! Act 9: Quiz 2 Revisin del intento 1
Comenzado el: lunes, 12 de noviembre de 2012, 17:29 Completado el: lunes, 12 de noviembre de 2012, 18:04 Tiempo empleado: 35 minutos 3 segundos
Continuar

1
Si se llega a determinar con exactitud y precisin total que una partcula est en una posicin x,y,z especfica,

Seleccione una respuesta.


a. No hay ningn dato acerca de la frecuencia b. No hay ningn dato acerca de la velocidad

c. No hay ningn dato acerca del tiempo que durar en esa posici d. No hay ningn dato de la energa

2 En un material en el que los portadores mayoritarios son electrones, se infiere que: Seleccione una respuesta.
a. Es un material N y no tiene huecos b. No hay carga neta c. Es un material P y no tiene huecos

d. Estos portadores se encuentran en la banda de valencia

3
Los portadores mayoritarios son electrones. Entonces,

Seleccione una respuesta.


a. Estos portadores se encuentran en la banda de conduccin b. Es un material P c. Es un material N

d. La carga neta es igual a dos veces el nmero de electrones multiplic cada electrn

4 En una unin PN Seleccione una respuesta.

a. Hay carga neta producida por electrones libres o huecos en banda de c

b. Hay portadores Minoritarios o hay portadores Mayoritarios, pero no l

c. No hay carga neta, sino electrones libres o huecos en la ltima rbita a

d. Los portadores Mayoritarios son electrones y los minoritarios son hue

5 Las capacitancias internas de un transistor BJT y Mosfet, Seleccione una respuesta.

a. En el primer caso se ubican entre las terminales y entre el segun terminales b. En ambos casos se ubican entre las terminales c. En ambos casos se ubican entre las junturas

d. En el primer caso se ubican entre las junturas y en el segundo c terminales

6
La corriente de difusin es un proceso,

Seleccione una respuesta.


a. Artificial provocado porque el semiconductor se polariza directamente b. Natural de paso de electrones hacia la regin N c. Natural de paso de electrones hacia la regin P d. Artificial que se consigue manipulando la mecnica cuntica

7 En un Mosfet canal N, si la Compuerta est ms positiva que la Fuente, Seleccione una respuesta.
a. NO hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenaje b. Hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenaje c. Hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje d. NO hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje

8
La razn por la que la fuerza de gravedad nunca entra como potencial en el hamiltoniano es que

Seleccione una respuesta.


a. No acta sobre partculas elementales b. Se analizan muy pocas partculas c. Su efecto se contrarresta con los efectos cunticos d. Realmente no es una fuerza

En un Mosfet canal P, si la Compuerta est ms positiva que la Fuente, Seleccione una respuesta.
a. Hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenaje b. Hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje c. NO hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje d. No puede saberse si hay corriente de drenaje

10 Mientras un electrn pasa del estado base a un estado excitado Seleccione una respuesta.
a. Se convierte en un fotn b. Emite un fotn c. Absorbe un fotn d. Ni absorbe ni emite fotones

11 El semiconductor A est a 500 grados centgrados y el semiconductor B a 1 grado Kelvin. Lo que ms probablemente se puede decir es que Seleccione una respuesta.
a. El primero funciona como semiconductor an b. El primero funciona como resistor c. El segundo funciona como conductor d. El segundo funciona como semiconductor an

12

La razn que explica por qu el Mosfet tiene corriente de compuerta = 0 es Seleccione una respuesta.
a. Entre el electrodo y el semiconductor hay un aislante b. No tiene elementos resistivos internos c. Los portadores mayoritarios se concentran en el extremo opuesto d. El semiconductor es de mayor calidad

13 Una partcula de movimiento unidimensional se encuentra asociada a una funcin de onda compleja, que es igual a Aexp(-ikx), con A,k=constantes, i=raz de -1, x: posicin. Se puede decir que Seleccione una respuesta.
a. El estado de la partcula es estacionario

b. X puede tomar todos los valores entre menos infinito y ms infinito c. La partcula est quieta d. No hay fuerza actuando sobre ella

14
Los portadores mayoritarios son electrones. Entonces,

Seleccione una respuesta.


a. Estos portadores se encuentran en la banda de conduccin b. Es un material N c. Es un material P

d. La carga neta es igual a dos veces el nmero de electrones multiplic cada electrn

15

Diga cules de los siguientes postulados son correctos Seleccione al menos una respuesta.
a. Los fotones son bosones y los electrones fermiones b. Slo algunas ondas se pueden comportar como partculas c. Los fotones son fermiones y los electrones bosones d. Todas las partculas pueden llegar a comportarse como ondas