UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO

Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniería y Agrimensura Escuela de formación básica
Departamento de física y química Cátedra de física IV

Tema: Cuestionario

Prof.: Susana Marchisio

Alumnos: Schulze Jonathan S-4848/8 Naldini Lucas N-1069/3

Julio de 2013

CUESTIONARIO SOBRE TRANSISTORES FET  ¿Qué es un transistor FET? Durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el flujo de corriente a través del dispositivo. ¿Cuáles son las zonas que se diferencian en la gráfica de las curvas de ID vs VDS de un transistor FET? Zona óhmica (relación lineal ID vs VDS), zona de corte (no circula corriente), zona de saturación (corriente constante) y zona de ruptura (flujo de portadores a través de las junturas). El MOSFET está formado por: a) un aislador y semiconductores tipo p y n. b) un aislador, un metal y un semiconductor de cualquier tipo. c) un aislador, un metal y semiconductores n y p. ¿Qué determina la tensión de pinch-off en un FET? a) el estrangulamiento del canal y que la corriente que circula por el mismo sea constante. b) el comienzo del flujo de electrones desde la fuente hacia el drenador. c) la tensión a la cual los portadores superan la región de carga espacial. Funcionamiento principal de un JFET: a) flujo de portadores favorecidos por el campo eléctrico de una juntura en inversa. b) formación de un canal de un tipo de semiconductor que permite el flujo de portadores desde la fuente hacia el sumidero. c) ensanchamiento y estrechamiento de un canal semiconductor a partir del aumento o disminución del ancho de la región de carga espacial de la juntura generada a ambos lados del canal. ¿Cuál es la diferencia principal entre un MOSFET de enriquecimiento y uno de empobrecimiento? a) los semiconductores que están en contacto con los terminales S y D son más dopados en el MOSFET de enriquecimiento. b) el MOSFET de empobrecimiento está formado por un canal semiconductor preestablecido del mismo tipo que los que están en contacto con los terminales, mientras que en el de enriquecimiento el 1

canal se forma aplicando una tensión VGS. c) en el MOSFET de empobrecimiento el estrangulamiento del canal se logra con una tensión |VDS| menor que la que necesita el de enriquecimiento.  ¿Es necesaria una tensión en la compuerta para que haya circulación de portadores? ¿En cuál FET? a) si, en ambos. b) no, no es necesaria. c) solo en el MOSFET de empobrecimiento. d) solo en el MOSFET de enriquecimiento. ¿A qué se debe que en el circuito equivalente del JFET, el circuito de entrada (terminal de puerta) se deja abierto? a) No circula corriente por el circuito unido a la compuerta b) La resistencia de entrada es muy elevada c) Otra ¿Es preferible un canal de tipo n o de tipo p? ¿Por qué? a) es lo mismo, ambos permiten el flujo de portadores. b) tipo p, tienen más portadores. c) tipo n, porque tiene más portadores d) tipo n, porque para una tensión determinada el flujo de electrones es más rápido que el de huecos. ¿Por qué es mayor el estrechamiento del canal cerca del drenador? a) al encontrarse a un potencial mayor, en valor absoluto, que la fuente. b) es menos dopado el semiconductor en esa zona. c) Otra

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