UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO

Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniería y Agrimensura Escuela de formación básica
Departamento de física y química Cátedra de física IV

Tema: Transistor bijuntura

Prof.: Susana Marchisio

Alumnos: Schulze Jonathan S-4848/8 Naldini Lucas N-1069/3

Julio de 2013

Transistor bijuntura
El transistor bijuntura es un dispositivo semiconductor que consta de tres terminales de conexión. Las tres zonas que lo componen se llaman emisor, base y colector. El emisor es una zona tipo p (o n) muy dopada, por lo que se designa p++ (o n++). La base tiene un dopaje débil tipo n (o p), mientras que el colector tipo p (o n) no es crítico en ese aspecto. El funcionamiento del transistor bjt viene determinado por las formas de conexión de las junturas que lo componen. Para que se manifieste interacción entre las junturas, es necesario que el ancho de la base del transistor sea de muy pequeñas dimensiones, tal que sea menor que la longitud de difusión de los portadores. De esta manera, se posibilita que una cantidad de portadores que atraviesen una de las junturas, lleguen a la otra sin recombinarse. Los elementos que lo componen son la juntura JE con sus parámetros correspondientes IE y VBE, y la juntura JC con sus parámetros IC y VCB.

En el siguiente informe se compararán las formas de conexión: Emisor común y Base común. Existen distintos modos de montaje de un transistor cuando es empleado en un circuito. De acuerdo a cuál de sus tres terminales es conectado al potencial de referencia o masa, se tienen las conexiones: emisor común, base común y colector común. Base Común: Entrada: Emisor Salida: Colector Emisor Común: Entrada: Base Salida: Colector Colector Común: Entrada: Base Salida: Emisor Una forma práctica de brindar la información del funcionamiento del BJT es 1

recurriendo a gráficas donde se muestran como varía un determinado parámetro en función de los otros. Es así que podemos definir tres características básicas: Característica de Entrada: Ientrada=f(Ventrada) - a una tensión de salida determinada. Característica de Salida: Isalida=f(Vsalida) - a una corriente o tensión de entrada determinada. Característica de Transferencia: Isalida=f(Ientrada) - a una tensión de salida determinada Conexión Base común: el terminal de la base se encuentra conectado a masa.

La característica de salida viene dada por IC = f(VCB) a una determinada IE (corriente de emisor) constante. La juntura JC, con emisor abierto, funciona como un diodo en inversa. Los minoritarios atraviesan la juntura produciendo una corriente saliente del colector, la llamada corriente de saturación Ico.

Dado que en el modo activo de funcionamiento de un transistor dicha juntura 2

está polarizada inversamente, la característica de salida corresponde el tercer cuadrante. Cuando la tensión base-emisor adquiere valor mayor que la barrera de potencial creada en dicha juntura, los portadores mayoritarios se inyectan en la base y se difunden hacia la otra juntura, donde son acelerados hacia el colector favorecidos por el campo eléctrico generado en la JC, provocando un incremento de la corriente inversa del colector. Por lo tanto, dada una tensión VBE>V, la corriente de colector aumentará a medida que dicha tensión aumente, debido que será mayor el paso de los portadores mayoritarios del emisor. Dicha corriente será prácticamente independiente de la tensión VCB. Se dice entonces que el parámetro de control del transistor bjt en base común es la tensión VBE (o IE). La corriente que sale del colector es ahora: IC = .IE + Ico con ≈ 0.96 a 0.99 Donde  se denomina ganancia de corriente en conexión base común y es igual a =IC/IE Resulta entonces que el transistor en este caso actúa como un amplificador de corriente, ya que aumenta la corriente de salida por el colector según la corriente que ingrese por el emisor. Pero lo principal es que la IC aumenta con IE la cual aumenta demasiado con un pequeño aumento de VBE. Si consideramos la juntura JE, la corriente inversa de la juntura JC lo que hace es disminuir el valor de la tensión de umbral, es decir la corriente crece rápidamente para un valor menor de tensión en directa de la juntura JE. Esto se debe a que se aumenta la concentración de mayoritarios en la base debido a la corriente inversa en la juntura JC entonces disminuye la barrera de potencial de la juntura JE. La conexión base común utiliza como parámetro de control la corriente de emisor a través de la polarización con tensión VBE. Característica de salida base común: (corresponde al tercer cuadrante)

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Conexión Emisor común: el terminal del emisor se encuentra conectado a masa.

La característica de salida viene dada por IC = f(VCE) a una determinada IB (corriente de base) constante. Si no hay polarización en la juntura JE, es decir si IB=0, la tensión colector emisor lleva los portadores mayoritarios desde el emisor hacia el colector a través de la base. Al estar localizada la tensión VCE en la JC (en inversa), la tensión VBE es casi nula por lo que no existe más que una pequeña corriente de emisor, y por lo tanto, de colector.

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La aplicación de una tensión VBE, polarizando directamente la juntura JE, produce un crecimiento de IE y por lo tanto de IC, así como la aparición de una corriente de recombinación en la base (IB). Esta IB se comporta como parámetro de control. Se puede encontrar experimentalmente que, en un cierto rango, la corriente de colector aumenta proporcionalmente a la corriente de base resultando: IC = .IB + Ico recibe el nombre de ganancia de corriente en conexión emisor común. Dada la relación entre las corrientes IE, IC e IB que expresa la conservación de la carga (IE = IC + IB ), pueden relacionarse α y  obteniéndose:  /(1-) En condiciones normales,  será siempre menor que 1, por lo tanto tomará valores altos entre 30 y 200. Característica de salida emisor común:

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Cuando VCE=0, la juntura JE se comporta como un diodo con tensión VBE y corriente IB. El aumento de VCE, polarizando inversamente la JC, manteniendo VBE constante, provoca una disminución del ancho de la base y da como resultado una disminución de la corriente de recombinación de base, pero a su vez un aumento de la corriente IC (Efecto Early). Efecto Early: En un transistor bipolar, un incremento en la tensión colector-base lleva asociado un incremento en la anchura de la zona de carga espacial de dicha unión. Este aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de la base. Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe menos camino para la recombinación en base. A partir de la polarización de la juntura JE, con la tensión VBE, la conexión emisor común utiliza como parámetro de control, la corriente de base IB, así como en la conexión base común lo hacía la corriente de emisor a través de la polarización con tensión VBE. En lo que respecta a las características de salida con base común comparándolas con las que corresponden a la configuración emisor común, puede observarse que estas últimas presentan un aumento en la pendiente que relaciona IC con VCE para IB (parámetro) crecientes. Este no es el caso de las características de salida en base común donde se observa una marcada horizontalidad en las gráficas IC vs. VCB con IE (parámetro) para todas las curvas. Este hecho se debe a que en la conexión emisor común se produce el efecto Early debido a que a medida que aumenta la tensión en la juntura JC, el ancho de la región neutral de la base se 6

reducirá, y así el gradiente de los portadores minoritarios inyectados será más pronunciado en la región neutral de la base y la corriente de colector aumentará. La corriente de base sin embargo, no cambiará significativamente debido a que ella es debida primordialmente a los fenómenos que ocurren en las proximidades de la región de juntura B-E.

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