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UNIVERSIDAD NACIONAL DE ROSARIO

Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniería y Agrimensura Escuela de formación básica
Departamento de física y química Cátedra de física IV

Tema: Transistor Jfet y Mosfet

Prof.: Susana Marchisio

Alumnos: Schulze Jonathan S-4848/8 Naldini Lucas N-1069/3

Julio de 2013

TRANSISTORES FET Los transistores de efecto de campo o FET se llaman así porque durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el flujo de corriente a través del dispositivo. Presentan una impedancia de entrada muy grande y además consumen poca potencia. Transistor JFET Está formado por un semiconductor, tipo n por ejemplo, el cual tiene en sus extremos dos contactos óhmicos, la fuente (Source en inglés) y el drenador (Drain). A ambos lados, el semiconductor está constituido por dos regiones semiconductoras de tipo p con un tercer electrodo llamado compuerta (Gate). De esta manera, se forman dos junturas p-n, las cuales están conectadas en inverso para que la corriente que circula por las mimas sea casi nula. Por lo tanto, se forma un canal tipo n el cual tiene a ambos lados una juntura p-n.

El funcionamiento consiste en lo siguiente: primero supongamos que la fuente (S) está conectada a tierra VS=0, y que la tensión de compuerta es cero VGS=0. Al drenador se le asigna un potencial positivo (VD), por lo que VDS>0. Los electrones comienzan a circular por el canal n de baja resistencia, el cual está limitado por las dos regiones de carga espacial que generan las junturas p-n. Dichas regiones carecen de portadores libres por lo que presentan una alta resistencia al paso de corriente. A medida que aumentamos VDS, la región de carga espacial se va ensanchando, provocando la reducción del ancho del canal n, hasta llegar a la tensión de saturación (VDsat), también conocida como pinch-off, a partir de la cual la corriente ID (flujo de electrones por el canal n) comienza a ser prácticamente constante (resistencia muy elevada). Esto se debe a que el estrangulamiento del canal llega a un punto en el que el canal no se puede reducir más (ancho fijo) 1

debido a que debe circular una corriente que provoque la caída de potencial. Cabe destacar que el ensanchamiento de la zona de carga espacial no es uniforme a lo largo del dispositivo debido a que el potencial es mayor cerca del drenador y disminuye a medida que se acerca a la fuente donde el potencial es menor o cero. Por lo tanto, a mayor potencial, más cerca del drenador, mayor será la tensión que polariza en inversa a la juntura p-n, mayor el ancho de la región de carga espacial, y viceversa. Ahora, si mantengo VDS constante, al aplicar una tensión VGS negativa, la región de carga espacial también comenzará a ensancharse debido a que dicha tensión favorece el campo eléctrico creado por la juntura p-n (conectada en inversa) de manera que la región de carga espacial aumenta. Esto lleva consigo la reducción del ancho del canal, más se reduce la sección por donde circulan los electrones. Esto genera que la tensión de pinch-off se alcance en una diferencia de potencial VDS menor y la corriente comience a ser prácticamente constante en una VDS menor. Por lo tanto, una vez determinada una tensión VDS positiva, se puede controlar la corriente ID regulando la tensión VGS (negativa).

Circuito equivalente de un JFET El circuito mostrado a continuación nos da un prototipo del comportamiento del transistor, funcionando en la región de saturación, para pequeñas señales.

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En el circuito equivalente de pequeña señal del JFET, la corriente en el circuito de salida id, se obtiene mediante la suma de la corriente suministrada por el generador de corriente de valor gm.vg y la corriente a través de la resistencia r =1/gD debida a la señal vd en el circuito de salida. El circuito de entrada se ha dejado abierto para tener en cuenta el hecho de que la resistencia de entrada en el terminal de puerta (G) es muy elevada (corriente casi nula). El parámetro gD corresponde a la conductancia que tiene el semiconductor tipo n (el canal). Este valor en el modelo descripto suele ser muy pequeño debido a que en la zona de saturación las curvas son aproximadamente horizontales lo que representa una conductancia gD muy pequeña (casi nula). Por ello, la resistencia r =1/gD no suele ser tenida en cuenta para sintetizar el modelo. Para altas frecuencias, existen corrientes de desplazamiento que reducen la corriente de salida, y se producen efectos capacitivos, lo cual alteran el tiempo de respuesta del transistor. Por lo tanto, para mejorar el comportamiento del transistor a frecuencias altas es muy conveniente que la longitud del canal se la más pequeña posible, de tal forma que la longitud de onda de la señal sea mucho mayor que dicha longitud. Transistor MOSFET El MOSFET es un transistor de efecto de campo cuyos componentes consisten en una placa metálica, semiconductores de tipos n y p, y un aislador (un óxido). De allí el nombre metal óxido semiconductor (MOS). Su estructura es básicamente

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la siguiente: El MOSFET controla el paso de corriente eléctrica entre el terminal llamado fuente (S) y el drenador (D) mediante la aplicación de una tensión en el tercer terminal llamado compuerta (G). Consideremos un MOSFET de canal n. Al aplicar una tensión positiva entre la fuente y el sumidero VDS, la juntura p-n correspondiente al drenador estará polarizada en inversa, por lo que el flujo de portadores será muy pequeño casi nulo y la región de carga espacial se ensanchará, por lo tanto no habrá corriente eléctrica entre la fuente y el drenador. Si se aplica una tensión positiva en el terminal G, VGS, la parte metal-oxido-semiconductor actuará como un capacitor, lo que atraerá los portadores minoritarios del semiconductor p (los electrones) transformando la zona del semiconductor p que está en la cercanía del aislador en un material semiconductor con exceso de electrones, o sea en un semiconductor n. Por lo que se forma un canal que permite el paso de los electrones desde la fuente hasta el sumidero. Cuanto mayor sea la tensión VGS, más ancho será el canal tipo n. La corriente que circula por el canal tendrá una relación lineal con la tensión VDS, hasta llegar a la tensión de pinch-off. Como la juntura del contacto D está a un potencial mayor que la juntura de la fuente, la región de carga espacial se va ensanchando a medida que aumenta el potencial. Es decir, el ancho del canal se irá achicando a medida que se avanza hacia el drenador. Si se aumenta la tensión VDS, el ancho del canal irá disminuyendo hasta llegar a la tensión de pinch-off, donde el canal no se puede reducir más ya que la corriente que circule por allí debe provocar la caída de potencial. Es decir, la corriente se mantiene constante una vez que se llega a la tensión de pinch-off. Ahora, si aumentamos la tensión VGS, el canal se ensanchará y la tensión de pinch-off se alcanzará para una tensión VDS mayor.

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VDsat = tensión de pinch-off VT = tensión de umbral entre el semiconductor p y el dióxido de silicio (aislador) Circuito equivalente del MOSFET 5

Circuito equivalente del MOSFET en baja frecuencia funcionando en la zona de saturación. Igual que en el JFET, el circuito de entrada se ha dejado abierto para tener en cuenta el hecho de que la resistencia de entrada en el terminal de puerta (G) es infinita ya que se trata de un aislador (no circula corriente), por lo que no hay caída de tensión. La señal en el circuito de salida está determinada por el generador de corriente (fuente de corriente controlada por tensión) de valor gm.vg. Cabe señalar que lo que se refiere al circuito de salida, el MOSFET en baja frecuencia, al igual que el JFET, se comporta como una fuente de corriente constante. Por último, se tiene en cuenta la conductancia del canal gD.

Cuando se trabaja en altas frecuencias es necesario tener en cuenta las capacidades parásitos que se generan entre el electrodo de puerta y los de la fuente y el drenador (CGS y CGD). Estas capacidades alteran profundamente el tiempo de respuesta del transistor.

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