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UNIVERSIDADE CATÓLICA DE PETRÓPOLIS CENTRO DE ENGENHARIA E COMPUTAÇÃO CURSO DE ENGENHARIA DE TELECOMUNICAÇÕES

CIRCUITOS DE COMUNICAÇÃO Mixer

Trabalho de Circuitos de comunicação apresentado ao Prof. Guilherme Garcia como requisito para conclusão parcial da matéria do Curso de Engenharia.

Attila Odon Portella Radocz RGU: 054041181

Petrópolis 2013
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SUMÁRIO

1. INTRODUÇÃO......................................................................................................... 03 2. MIXER....................................................................................................................... 04 2.1.Fator de Conversão........................................................................................ 05 2.2.Figura de Ruído............................................................................................. 05 3. FET............................................................................................................................. 07 4. MOSFET.................................................................................................................... 11 5. CURVA DE TRANSCONDUTÂNCIA.................................................................... 14 6. MIXER DESBALANCEADO.................................................................................. 15 7. MIXER BALANCEADO SIMPLES....................................................................... 16 8. CONCLUSÃO.......................................................................................................... 17 9. BIBLIOGRAFIA..................................................................................................... 18

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1. INTRODUÇÃO

O mixer é mais um componente fundamental em telecomunicações, pois seu uso é necessário para separarmos as frequência que serão e que não serão utilizadas, para posteriormente filtrarmos estes sinais. Um oscilador fornece o sinal que será mixado com os sinais provenientes da antena. A saída do mixer contém as frequências de soma e diferença, com uma distância segura entre elas para podermos usar filtros com conforto, e custo reduzido.

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2. MIXER A função básica do mixer é a translação de frequências. Se analisarmos um sistema de transmissão, a função do mixer será converter um sinal de frequência menor f FI, para uma frequência maior fRF. Se possuirmos um sistema de recepção, a função do mixer será converter um sinal de freqüência maior, fRF, para uma freqüência menor, fIF. Em ambos os casos a translação de frequência é feita com a ajuda de um sinal gerado por um Oscilador Local, LO, com freqüência fLO. O comportamento ideal de um mixer utilizado no sistema de recepção é onde a frequência fIF do sinal de saída é a diferença entre as frequências fRF e fLO.

Circuito Mixador

O mixer é feito com dispositivos não-lineares, sendo assim a saída é bem complexa e o mixer apresentará respostas em diversas frequências conhecidas como produto de intermodulações. Como apresentado abaixo, o mixer vai gerar sinais em diferentes frequências.

Espectro de frequências de um mixer Real.

A frequência de saída fRF - fLO pode ser isolada das outras freqüências indesejadas geradas (produtos de intermodulação) através de um filtro. Em alguns casos pode ocorrer que
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estes produtos entrem na faixa dos sinais fRF e/ou fLO,, provocando distorções no comportamento do circuito. O mixer é constituído de elementos não-lineares seguido de um ou mais filtros passa-faixa que selecionam o sinal desejado. 2.1. Fator de Conversão O fator de conversão do misturador é definido como a relação entre o nível de potência ou de tensão do sinal de saída e o nível de potência ou de tensão do sinal de entrada. Se o nível do sinal de saída for menor que o da entrada diz-se que há perda de conversão; do contrário, se diz que há ganho de conversão. Esta especificação pode ser expressa através das Equações abaixo, em termos do ganho de potência e em termos do ganho de tensão. Usualmente este ganho é expressa em unidades de decibéis (dB).

Onde, - Pout : Potência de saída. - PIN : Potência de Entrada - Vout: Tensão de saída do circuito - VIN : Tensão de entrada do circuito

2.2. Figura de Ruído A figura de Ruído também é um parâmetro importante de um misturador, pois está presente no estágio de entrada dos receptores de microondas e é um dos parâmetros que determina a qualidade do mixer. Se a figura de ruído é elevada, níveis baixos de sinais são mascarados e tratados como ruído A figura de ruído é a medida de como a relação sinal ruído é degradada nesse caso no mixer.

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Considere um amplificador com ganho de potência GA, onde se aplica na entrada um sinal com potência Si e por meio de uma fonte de sinal Ri produzirá um ruído térmico Ni aplicado ao amplificador. Na saída temos o sinal com potência S0 e o sinal com potência de ruído N0

Sinal e Ruído para determinação da figura de ruído.

O fator de ruído é definido como:

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3. FET O funcionamento do transistor bipolar baseia-se em dois tipos de cargas: elétrons e lacunas. O funcionamento de um transistor unipolar depende apenas de um tipo de carga, elétrons ou lacunas. O transistor de efeito de campo (FET - field effect transistor) é um exemplo de um transistor unipolar. Os transistores bipolares são dispositivos controlados por corrente, isto é, a corrente de coletor é controlada pela corrente de base. Já no transistor FET a corrente é controlada pela tensão ou pelo campo elétrico. A grande vantagem do FET sobre o transistor bipolar é a sua altíssima impedância de entrada (da ordem de dezenas a centenas de mega ohm) além de ser um dispositivo de baixo ruído. O Transistor de Efeito de Campo de Junção – JFET foi o primeiro FET desenvolvido. Há dois tipos: Canal N (condução por elétrons) e Canal P (condução por lacunas). Regiões dos transistores:

- Estrutura e simbologia do JFET: Sua estrutura é composta por uma barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), deixando um canal estreito do primeiro material para controlar a corrente como mostrado abaixo:

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O princípio de funcionamento do JFET é controlar a corrente iD que circula entre a fonte e o dreno. Isto é feito aplicando-se uma tensão na porta. Com o potencial de porta igual a zero, ou seja, VG = 0 ou VGS = 0, aplicando-se uma tensão entre o dreno e a fonte (VD ou VDS), surge uma corrente iD. Com uma pequena tensão entre dreno e fonte VDS, a região N funciona como uma resistência, com a corrente iD aumentando linearmente com VDS. Mas conforme a tensão VDS aumenta, aparece uma tensão entre a fonte e a região de porta, polarizando reversamente essa junção. Isso faz com que a camada de depleção aumente, estreitando o canal, o que aumenta a resistência na região N, fazendo com que diminua a taxa de crescimento de iD, como mostrado abaixo:

Aumento da camada de depleção e estreitamento do canal.

A partir de um certo valor de VDS, ocorre o estrangulamento do canal (estreitamento máximo), fazendo com que a corrente iD permaneça praticamente constante. Essa tensão é chamada de tensão de estrangulamento ou pinch off (VPO) e corresponde a tensão máxima de saturação do JFET. A corrente de dreno para VGS = 0, no seu ponto máximo, é denominada corrente de curto circuito entre dreno e fonte ou drain-source shorted current (IDSS) e corresponde a corrente máxima de dreno que o JFET pode produzir. O gráfico abaixo apresenta a curva característica de saída de um JFET (iD x VDS) para VGS = 0v, este gráfico é denominado curva de dreno.

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Curva de dreno

No momento em que a tensão de alimentação de dreno é aplicada ao circuito, os elétrons livres começam a circular da fonte para o dreno. Esse elétron livre tem de passar através do estreito canal entre as camadas de depleção. A tensão da porta controla a largura desse canal. Quanto mais negativa a tensão da porta, mais estreito é o canal e menor é a corrente de dreno. Quase todos os elétrons livres passam através do canal em direção ao dreno. Por isso ID = IS. Aplicando-se entre porta e fonte uma tensão de polarização reversa (VGS1 <0), haverá um aumento na camada de depleção, fazendo com que o estrangulamento do canal ocorra para valores menor de VDS e iD. O mesmo ocorre para outros valores negativos de VGS. O fato de VGS ser negativo, faz com que a corrente através da porta (iG) seja desprezível, garantindo uma altíssima impedância de entrada (ZE).

Regiões das curvas de dreno

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Onde: - IDSS - corrente máxima que o JFET pode produzir, na qual ocorre e estrangulamento do canal quando VGS = 0. - VPO - tensão máxima de saturação ou de estrangulamento (pinch-off). - VP – tensão na qual ocorre o corte do dispositivo. - BVDSS – tensão de ruptura do dispositivo para VGS = 0.

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4. MOSFET O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.

Aspectos construtivos e simbologias do MOSFET de acumulação.

A palavra "metal" no nome é um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polissilício, mas ainda são chamados de MOSFETs. Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido é o silício, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, começaram a usar uma mistura de silício e germânio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades elétricas do que o silício, tais como o arsenieto de gálio, não formam bons óxidos nas comportas e portanto não são adequados para os MOSFETs. O IGFET é um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e é quase sinônimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante não óxido. O terminal de comporta é uma camada de polissilício (sílicio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dióxido de silício isolante. Quando uma tensão é aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo elétrico gerado penetra através do óxido e cria uma espécie de "canal invertido" no canal
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original abaixo dele. O canal invertido é do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor através do qual a corrente elétrica possa passar. Variandose a tensão entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possível se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.

Corte transversal de um MOSFET tipo N (NMOS)

Existem também modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia FET/MOSFET, muito úteis e com grande utilização na indústria eletrônica. A operação de um MOSFET pode ser dividida em três diferentes modos, dependendo das tensões aplicadas sobre seus terminais. Para o NMOSFET os modos são: - Região de Corte: quando Vgs < Vth. Onde Vgs é a tensão entre a comporta (gate) e a fonte (source) e Vth é a Tensão de threshold (limiar) de condução do dispositivo O transistor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada, há uma fraca corrente invertida. - Região de Triodo (ou região linear): quando Vgs > Vth e Vds < Vgs - Vth onde Vds é a tensão entre dreno e fonte. O transistor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tensão na comporta. A corrente do dreno para a fonte é ,

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- Região de Saturação: quando Vgs > Vth e Vds > Vgs - Vth O transistor fica ligado, e um canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tensão de dreno é maior do que a tensão na comporta, uma parte do canal é desligado. A criação dessa região é chamada de pinçamento (pinchoff). A corrente de dreno é agora relativamente independente da tensão de dreno (numa primeira aproximação) e é controlada somente pela tensão da comporta de tal forma que ,

Em circuitos digitais, os MOSFETs são usados somente em modos de corte e de saturação. O modo de triodo é usado em aplicações de circuitos analógicos.

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5. CURVA DE TRANSCONDUTÂNCIA

A curva de transcondutância relaciona a corrente de saída com a tensão de entrada de um JFET. Através da Equação de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tensão VGS, segundo uma relação quadrática:

Como o JFET apresenta uma relação quadrática entre a corrente de dreno-fonte e a tensão de controle VGS, diz-se que este dispositivo é um dispositivo de Lei Quadrática.

Curva de transcondutância

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6. MIXER DESBALANCEADO No misturador desbalanceado as frequências dos sinais do oscilador local e do RF irão aparecer no espectro de saída do sistema, ou seja, não elimina da saída nenhum dos sinais de entrada. Seguindo-se a partir da configuração desbalanceada seqüencialmente até a configuração com balanceamento duplo, obtém-se uma progressiva melhora na eliminação de sinais espúrios na saída do circuito misturador.

Diagrama de bloco do misturador desbalanceado.

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7. MIXER BALANCEADO SIMPLES O misturador de balanceamento simples é um circuito que apresenta uma entrada não balanceada e outra balanceada, sendo que a saída também é um sinal diferencial. O circuito popular do misturador balanceado simples é composto de dois diodos como ilustrado abaixo:

Misturador balanceado simples a diodo

O sinal de entrada é aplicado ao primário do transformador, e o oscilador local é aplicado na derivação central do secundário. O sinal de saída passa por um RFC e, em seguida, é aplicado a um filtro passa-faixa sintonizado que seleciona a freqüência soma ou diferença. No misturador de um ou dois diodos, o sinal do oscilador local é muito maior do que o sinal de entrada, e assim, os diodos são desligados e ligados como chaves pelo sinal do oscilador local. Os diodos de Gêrmanio e de Sílicio podem ser usados como misturadores, no entanto, os melhores misturadores para freqüência VHF, UHF e microondas são os diodos de barreira Schottky.

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8. CONCLUSÃO

Os mixer também são uma peça fundamental para o funcionamento de um sistema de recepção e transmissão. Como visto, a função deles é essencial para o funcionamento de sistemas que manipulam radio frequência, pois sem eles isso se torna impossível. Por tanto, concluímos que os mixer são insubstituíveis.

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9. BIBLIOGRAFIA

[1] MARTINS, Everson; Disponível em: < http://www.ccs.unicamp.br/publicacoes/pub/teses/t_everson.pdf >. Acesso em: 01 dez. 2013. [2] NASCIMENTO, Juarez; “Telecomunicações”, Editora Makron Books do Brasil [3] http://www.ebah.com.br/content/ABAAAAPBkAG/transistor-fet [4] http://pt.wikipedia.org/wiki/MOSFET [5] http://www.ufv.br/dpf/320/JFET.pdf [6] CIFUENTES, Rubén D. E.; Disponível em:
< http://www.lsi.usp.br/~dmpsv/download/DissertacaoMix.pdf>. Acesso em: 02 dez. 2013.

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