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LÁSER CONCEPTOS BÁSICOS. Bajo condiciones normales todos los materiales absorben más luz de la que emiten. Los procesos de emisión y absorción pueden ser entendidos mejor si planteamos el modelo atómico cuántico y recordamos que éste no consta únicamente de electrones, neutrones y protones, sino que el modelo atómico cuántico es más complejo, según la mecánica cuántica los electrones enlazados no pueden asumir ningún valor de energía continuo, sino que sólo poseen energías discretas especificas según las órbitas permitidas. Se dice que la energía está cuantizada y los valores permitidos de energía se denominan niveles de energía. Mientras más alejado del núcleo se encuentre el electrón, el enlace será más débil. Cuando un electrón está en su nivel de energía más bajo posible, se dice que el átomo está en su nivel fundamental (o base). Un átomo sólo puede llevarse a un estado excitado superior si el electrón absorbe una cantidad de energía exactamente igual a la diferencia entre los niveles inferior y superior. Esta energía puede ser suministrada en forma de calor, luz o energía de colisión. Lo verdaderamente importante es que sea la cantidad de energía necesaria. Un átomo con muchos electrones corresponde a la situación en que todos los electrones disponibles se encuentran en los niveles más bajos posibles. Por lo general, la excitación del átomo eleva los electrones de órbitas externas, los electrones denominados electrones de valencia, hacia niveles superiores. Cuando se encuentra en un estado excitado, es posible seguir excitando al átomo hacia un estado aún superior o puede liberar parte de su energía en exceso al regresar a un estado inferior. En general la vida de un átomo en un estado excitado es aproximadamente 10 ns antes de que se relaje espontáneamente a un nivel inferior con la liberación de un cuanto de energía igual a la diferencia entre su estado excitado inicial y su estado inferior final. Aunque esta energía puede manifestarse de varias formas lo que interesa son las transiciones ópticas, que dan por resultado la emisión de un fotón de luz. EMISIÓN Y ABSORCIÓN.

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Es instructivo considerar dos niveles de energía del sistema atómico, interactuando con un campo de radiación donde ocurren las transiciones mostradas más adelante. Antes de ver el modelo del láser es necesario entender como se producen los fenómenos a escala cuántica de absorción y emisión de luz. La absorción puede ser comprendida haciendo referencia a la figura mostrada más adelante, donde los niveles E1 y E2 corresponden al estado base y al estado excitado. Si el fotón hv incide dentro del sistema y la frecuencia v es la misma que la diferencia de energía Eg = E2 - E1, el fotón es absorbido por el átomo, el cual pasa a un estado excitado. El átomo excitado eventualmente regresa a su estado base y emite luz en el proceso. La emisión de luz puede ocurrir por dos procesos conocidos como emisión espontánea y emisión estimulada. En el caso de la emisión espontánea la luz es emitida en direcciones aleatorias y desfasadas con respecto a la frecuencia del fotón que originalmente incidió. En la emisión estimulada el fotón entra al sistema, el átomo que se encuentra en el nivel excitado, el átomo es estimulado con la presencia del fotón a bajar de nivel y a ceder un fotón de la misma frecuencia.

Es instructivo conocer los índices de emisión espontánea, emisión estimulada y la absorción. Rspon = AN2 R stim =BN2 (v) Rabs = B’ N1 ( v)

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Donde N1 y N2 respectivamente,

son las densidades atómicas en el nivel base y en el estado excitado (v) es la densidad espectral de la radiación de energía, A, B y B´ son

constantes. En equilibrio térmico, las densidades atómicas están distribuidas de acuerdo a la estadística de Boltzmann (llamada también distribución de Boltzmann), ésta es: ( N2 / N1 ) = exp (- Eg/kB T) =exp (-hv/ kBT) < 1 Donde kB es la constante de Boltzmann y T es la temperatura absoluta. Las densidades atómicas no cambian con el tiempo en condiciones de equilibrio térmico; así que podemos hacer las siguientes observaciones: (N2 / N1) < 1 Existen más átomos en el nivel excitado que en el nivel base, esto implica que la Rstim es menor que la Rspon . Lo que indica que si queremos que la Rstim domine, tenemos que afectarla. (Rspon/Rstim)= [ A/(B (v) )]=exp (hv/kB T)

Tomemos los siguientes ejemplos: 1.- λ = 10cm T = 300 K ( hv/kB T)= 10-4 ( Rspon/Rstim)= 0 La emisión estimulada domina. 2.- λ = 0.5m m T = 300/K (hv/kBT)= 100 (Rspon/Rstim) = ∞

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Dos importantes conclusiones pueden ser esbozadas. la emisión espontánea siempre domina sobre la emisión estimulada en condiciones de equilibrio. INVERSIÓN DE POBLACIÓN. Las fuentes térmicas operan en este régimen. por radiación dentro del espectro visible o cerca del infrarrojo (hv ∼1 eV). dicho de otra manera los láseres deben necesariamente operar lejos del equilibrio térmico. Por esta razón A y B son llamados coeficientes de Einstein. 4 . Por lo tanto fuentes térmicas no emiten luz coherente. Einstein. La primera es que la Rspon puede exceder tanto la Rstim como la Rabs considerablemente si kBT ∼ hv. Esto se consigue bombeando energía externa.4 La emisión espontánea domina. En equilibrio térmico (v) es idéntica a la densidad radiación de un cuerpo negro la cual esta dada por la fórmula de Planck: (v)={[( 8p hv3)/c3] / [exp (hv/ kB T ) -1]} A= [ (8p hv3 )/ c3 ] B B = B´ Estas relaciones fueron obtenidas por A. Segundo.

La radiación estimulada sólo podrá exceder a la radiación absoluta cuando N2 > N1. la duración de tspon es del orden de décimas de nanosegundo. ya que compite contra el proceso de absorción. Mientras más breve sea la vida espontánea. Para la emisión espontánea de un fotón. la emisión estimulada puede no dominar. La clave de este comportamiento es la probabilidad de ocurrencia real de una transición óptica. Para algunos niveles en ciertos materiales. ocurren en igual probabilidad.5 Aún en sistemas atómicos donde se bombea energía externa. por lo cual la probabilidad de una transición espontánea es relativamente baja. 1 1+ E 2 − E fc k T e B f c (E 2 ) = f v (E1 ) = 1+ e 1 E1 − E fv kB T Donde E fc y E fv son los niveles de Fermi. algunas tienen mayor probabilidad de emitir o absorber un fotón. La probabilidad de ocupación por electrones en las bandas de conducción y de valencia está dado por la distribución de Fermi-Dirac. la duración espontánea puede ser del orden de unos milisegundos. No todas las transiciones hacia arriba o hacia abajo. la probabilidad de ocurrencia está inversamente relacionada con la longitud media de tiempo tspon que un átomo puede permanecer en el nivel superior de la transición antes de que se relaje espontáneamente. a medida que disminuye la probabilidad de emisión espontánea mejoran las condiciones que favorecen la emisión estimulada. Debido a la 5 . más alta es la probabilidad de ocurrencia de emisión espontánea. Por lo general. Esta condición es llamada inversión de población. y es un prerrequisito para la operación de un láser. sin embargo.

6 existencia de estos estados de mayor vida es posible crear una situación en la que la velocidad a la que son bombeados los átomos hacia uno de tales estados supera la velocidad a la que parte. Lo que se hizo fue añadir fotones al haz incidente promoviendo la emisión estimulada a costa de la emisión espontánea. y es que la población 1 + población 2 = población 0. esta energía puede ser: luminosa. Al irradiar un sistema atómico en el que se ha creado inversión de población con un haz de fotones de frecuencia f correspondiente a la transición entre los estados excitado y base. evitando considerar el tiempo de vida real del sistema. Todos los fotones emitidos tienen la misma longitud de onda y vibran en fase con los fotones incidentes. eléctrica o química. Este bombeo se consigue inyectando energía dentro del sistema. a) Dos niveles. es posible excitar una gran cantidad de átomos hacia arriba y mantenerlos ahí. como en las explicaciones de emisión espontánea y estimulada. Con lo que el sistema tiene una mayor población en el nivel superior que en el inferior N2 > N1 y la inversión de población se consigue. en estado superior dejando atrás de ellos un estado casi vacío. desarrollaremos las ecuaciones de razón. amplificación de la luz por emisión estimulada de radiación. se hacen vibrar los átomos del estado excitado en fase con la luz incidente y de esta forma se estimula la emisión de una cascada de fotones cada una de frecuencia f. MODELO DEL LÁSER. Así. 6 . El comportamiento anterior constituye la base del efecto LÁSER y proporciona el origen de la denominación (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation). Regresando al modelo de dos niveles.

d N2 N = Bρ (υ ) Ν 1 − Βρ (υ ) Ν 2 − 2 dt τ d N2 N = Bρ (υ ) ( Ν 1 − Ν 2 ) − 2 dt τ En equilibrio dN2 /dt = 0 N 1 + 2 B ρ (υ ) τ Δn = N 1 − N 2 = Siempre es positivo. 7 . El significado de estas ecuaciones de razón es: la rapidez de cambio de la población en el nivel 2 va aumentar de acuerdo a la absorción de luz del nivel 1 al nivel 2 se le resta los que se emiten por el proceso de emisión estimulada y por último se le restan los del término que considera no sólo el decaimiento de átomos. esta notación permite añadir pérdidas por otras razones como colisión. Si no hay otras pérdidas se puede tomar una constante en lugar de una probabilidad.7 N1 + N 2 = N0 .

Esta fórmula se iguala para quedar en equilibrio ρ (v) es dependiente del tiempo. lo que nos indica que para que exista inversión de población al menos deben existir 3 niveles. lo mejor que puede esperarse para un sistema de dos niveles es que las poblaciones sean iguales en los niveles superior e inferior. b) Tres niveles. la velocidad a la que se puebla el nivel superior por absorción iguala a la velocidad a la cual parten los átomos por emisión estimulada. ya que no se consideran pérdidas.8 Si se plantea la ecuación del nivel 1 queda igual que la del segundo nivel a excepción del último término. Por lo que en el caso de 2 niveles la inversión de población no existe porque el resultado de Δn es positivo. Sus ecuaciones de razón son: 8 . manteniendo un nivel 2 que es utilizado como “puente”. Una explicación menos matemática se puede describir así: en un sistema de dos niveles para cualquiera de los dos. lo que indica que N1 es mayor que N2. Esto significa tener un estado base como N1 y mandarlo a un tercer nivel. la restricción mencionada al principio hace que el nivel de población no cambie.

decrece por emisión estimulada del nivel 3 al nivel 1 . crece por absorción del nivel 1 al nivel 2 y decrece por emisión estimulada del nivel 2 al nivel 1. La densidad de población del nivel 1 crece por lo que recibe por emisión estimulada del nivel 3. por lo que recibe por emisión estimulada y espontánea del nivel 2 y decrece por el bombeo a los niveles superiores. por lo que recibe del nivel 3 espontáneamente. es decir más átomos en los niveles superiores.9 dN 3 = N 1 B 31 ρ (υ 31 ) − N 3 B 31 ρ (υ 31 ) − A 31 N 3 − S32 N 3 dt dN 2 = S32 N 3 − A 21 N 2 − N 1 B 21 ρ (υ 21 ) − N 2 B12 ρ (υ 21 ) dt dN 1 = N 3 B 31 ρ (υ 31 ) + N 3 A 31 + N 2 B12 ρ (υ 21 ) + N 2 A 21 − N 1 B13 ρ (υ 31 ) − N 1 B12 ρ (υ 21 ) dt En equilibrio A 21 < B13 ρ (υ 31 ) S32 B13 ρ (υ 31 ) + A 31 + S32 La rapidez en el cambio de población en el nivel 3 aumenta de acuerdo a la absorción o bombeo del nivel 1 al nivel 3. decrece espontáneamente al nivel 2 y decae en forma no radioactiva del nivel 3 al nivel 2. decrece espontáneamente hacia el nivel 1. si satisfacemos la relación que es 9 . La población del nivel 2 varía por lo que recibe del nivel 3 en forma espontánea no radiactiva. En equilibrio se igualan las tres ecuaciones a cero y obtenemos la inversión de población.

Sintetizando lo anterior. a fin de asegurar que el nivel superior siempre esté lleno y que el nivel inferior siempre esté vacío. Una mejora se puede conseguir con una estructura de 4 niveles. S implica una transición no radiactiva. La emisión espontánea de un fotón entre los niveles superiores basta para estimular una avalancha de fotones coherentes. entonces es posible establecer una inversión de poblaciones entre el N2 y N1. con el despoblamiento consecuente del nivel base llevándose en forma lenta. En este caso se requiere que el despoblamiento del nivel inferior sea rápido. y B13 . en donde la transición láser se efectúa entre los estados excitados tercero y segundo. Si la velocidad a la que es alimentado el nivel superior por el nivel base excede a la desexcitación espontánea del nivel superior. los átomos son bombeados hacia el nivel más alto. que a su vez es mayor que N1. 10 . que sirve como el nivel superior de la transición del láser. Al suministrar energía de bombeo al sistema equivalente en magnitud a N3. B13 . se elevan los átomos del nivel base al nivel superior. característicos del láser. La desexcitación del nivel superior al nivel de bombeo puede ocurrir por emisión espontánea o por procesos no radiactivos como colisión. entonces las poblaciones de los niveles están dadas por la distribución de Boltzmann y por lo tanto N3 es mayor que N2. S32 1 . A31 . de modo que idealmente la velocidad a la que se alimenta el nivel superior debe ser rápida.10 proporcional a la rapidez que es bombeado el sistema y tenemos coeficientes adecuados de A21. Esto implica encontrar un medio o material adecuado que contenga las condiciones adecuadas. Si inicialmente el sistema está en equilibrio térmico. cuando se termina la excitación el átomo baja a un nivel intermedio de larga vida. 1 La constante S = A (constantes de Einstein) sólo se hizo un cambio de letra para evitar confusiones.

lo que a su vez produce más fotones produciéndose un círculo virtuoso. ya que la luz confinada favorece que los fotones reboten y hagan decaer más átomos. resolviendo las ecuaciones de Maxwell la solución del campo eléctrico es un producto de senos en tres direcciones. Surge la pregunta ¿cuántas frecuencias (modos) es posible tener en 1 cm3? En una cavidad cubica. Al limitar el medio láser y permitir que la luz rebote de un lado a otro se ha creado una cavidad resonante óptica en la que sólo es posible mantener modos de oscilación específicos. Si el sistema no se restringe de alguna forma puede radiar espontáneamente en tantas direcciones que seria imposible mantener la emisión estimulada. La sola inversión de población no es condición suficiente para tener un láser en un sistema dado. Un modo de oscilación en una cavidad resonante puede parecerse al establecimiento de ondas estacionarias en un resorte estirado sujeto en ambos extremos. 11 .11 CAVIDADES RESONANTES ÓPTICAS.

si es dos. Y así en las tres direcciones. Kx 12 . es decir que las orillas “no se muevan”. quiere decir que hay una longitud de onda completa. dentro de esa cavidad en esa dirección. ky y kz debe satisfacer que sea un múltiplo entero de semilongitudes de onda.12 E= E0 sen (kx x) sen (ky y) sen (kz z) mπ kx = ⎯⎯ L nπ ky = ⎯⎯ L qπ kz = ⎯⎯ L Para satisfacer las condiciones de frontera. se debe cumplir que cada una de las kx. Eso se representa como k x = mπ si m =1 quiere decir que hay una semilongitud en el eje L x. sería el modo fundamental.

cada octante de la esfera de radio k. n.13 Ky Kz Cada dirección tiene su parámetro que debe ser un entero positivo. lo que resulta una gráfica difícil de distinguir. pero podemos aproximar el número de modos que tengan ciertas frecuencias con lo que esta gráfica aproximada resulta como una esfera de radio k y espesor dk. Cada k (k = ω/ c) representa un modo. ky y kz. formalmente hablando para cualquier valor de m. La densidad de modos puede entenderse mejor al pensar en el espacio fase que corresponde a los modos de propagación kx. si dividimos éste por unidad de volumen se obtiene una relación para el número de modos que tiene la cavidad en el rango de ω +Δω . en un intervalo de ω +Δω cuantos modos hay en este octante # ∼4π k2 dk. 13 . de lo que existe entre k y Δk se está encontrando un modo que tiene frecuencia k. de tal manera que esto en principio grafica todos los puntos posibles. puede ser negativo pero no existe diferencia realmente. q se obtiene un punto en el espacio.

6μm y v= 5 x 1014 Hz Δv= v/ 2 ρ vdω= 1012 /cm3 Resonadores abiertos. para recuperarla se limita a dos dimensiones el medio láser y se trabaja como un resonador abierto. Esto trae como consecuencia que el número de modos se reduzca significativamente.14 El problema fundamental es la evaluación de alrededor de 700 nm que es el rojo. Los ejes planos sólo permiten aquellos modos cerca del eje (llamándose a estos modos de cavidades longitudinales).30. aquí el número de modos es muy grande y la monocromaticidad se pierde. Número de modos ρ v dω = ω 2 dω π 2 c3 Si λ = . ω2 se reduce a una constante que depende sólo del factor de la longitud y permite tener así sólo 20. Δω = Co π nL θ X N2 = Δω ω = nL Δω co π 14 .40 o 100 modos en una cavidad.

15 fm = Nc 2L N = 2L λ número de modos longitudinales frecuencia de cada modo longitudinal La separación entre cada modo es c/2L o c0 π /NL. así que se utilizan resonadores con focales los cuales los radios de curvatura del los espejos coinciden con la distancia del resonador. en este tipo de resonadores la radiación presenta una ligera curvatura en el centro llamada anchura gaussiana del haz. Ahora bien se está diciendo que dentro de una cavidad sólo se permiten ciertos modos múltiplos de una frecuencia. y por otro sabemos que sólo es posible amplificar los fotones cuya frecuencia es igual al de los fotones incidentes. Si graficamos contra la frecuencia los modos obtenemos una serie de líneas paralelas y perpendiculares con respecto al eje de la frecuencia. Surge la pregunta ¿Son 15 . Sin embargo el material sólo permite amplificar en un cierto intervalo así que a este peine se le superpone una curva de ganancia. cuya separación está dada ya. El resonador antes mencionado es inestable debido a que con cualquier vibración se desestabilizan los espejos planos.

Esto a costa del flujo radiante. mientras menos ancho. para convertir una representación en otra. sin embargo hay que decir que esto es sumamente raro. se tiene: f = c /λ por tanto. a veces es suficiente seleccionar un medio que sólo ofrezca una ganancia a un sólo modo. 16 . 2 El ancho de línea se expresa algunas veces en términos del número de onda definido como 1/ λ. por lo general se le agrega un interferómetro. la línea espectral emitida por la transición del nivel 2 al nivel base o 1 tienen un ancho de banda finito. El ancho de este perfil se relaciona con la pureza de la monocromaticidad de la luz. Δf = cΔλ /λ2 ( Δf / Δλ)= c / ⏐λ⏐2 OPERACIÓN EN UNA SOLA FRECUENCIA. Para asegurar la máxima potencia. un interferómetro puede ser sencillamente un cuarzo de grosor específico y caras paralelas. el ancho de línea se expresa por Δf (en Hz) o por Δλ (en metros). De hecho tendrá un ancho de una línea finito Δf centrado con respecto a la frecuencia de los fotones. Los valores reales del ancho de línea dependen del medio láser de la configuración óptica y serán presentados cuando se analicen los distintos tipos de láser. de forma que un sólo modo longitudinal cumpla el criterio de la longitud de la cavidad. En términos generales. dentro de la cavidad. porque está compuesta de menos frecuencias.16 iguales estas frecuencias? Lo son. más monocromática será la luz del láser. el modo elegido debe ser el más próximo al centro del perfil de línea. Por el momento basta saber que son del orden de nanometros 2 . Al inclinar el interferómetro en la cavidad se modifica la longitud de ésta. Para conseguir que el láser opere en una sola frecuencia.

es posible reducir el diámetro hasta el punto en que sea posible permitir un sólo modo EMT00 . Como mencionamos anteriormente existe un gran número de modos. Estos modos afectan el perfil espacial del haz.17 MODOS DE CAVIDAD TRANSVERSAL. Los modos transversales son una función del ancho de la cavidad. los modos electromagnéticos transversales (EMT). Aunque para el avance del efecto láser la inversión de población es indispensable. Una vez más se pierde el flujo radiante al tener una sola frecuencia. L z r1 r2 17 . pérdidas internas como absorción en el medio en transiciones indeseadas. y sólo hemos mencionado a los longitudinales o axiales. Las pérdidas incluyen la potencia emitida en transiciones espontáneas. CONDICIÓN DE UMBRAL. Estos modos se definen en términos de la distribución de onda electromagnética transversal. dispersión del medio y dispersión y difracción en los espejos. no es posible producir ninguna luz láser útil a menos que la potencia radiante producida por emisión estimulada supere tales pérdidas mediante otros mecanismos. Por supuesto la cavidad permite modos transversales surgidos de ondas que se desplazan fuera del eje a lo largo de la cavidad. a través de la cavidad. El modo fundamental es el modo EMT00 y corresponde a una distribución suave de la luz a través de la salida de un láser. Al instalar una apertura variable en la cavidad. Al analizar las condiciones necesarias para producir oscilaciones láser en un sistema dado no se ha tomado en cuenta ninguna pérdida de potencia que pudiese ocurrir.

también es pérdida de potencia. Debe existir un punto de equilibrio entre ganancia y pérdida. si recordamos que el medio láser de longitud L está limitado en cada lado por espejos. La condición de umbral se puede entender mejor. aunque es una condición esencial para la extracción de potencia útil de láser. GANANCIA. uno totalmente reflejante (r1) y otro 18 . La transmisión de luz láser a través del espejo de salida.18 bombeo Estas pérdidas representan energía perdida.

19 con una reflexividad menor (r2). el semiespejo tiene un índice de reflexión menor. en cambio en otros cuya ganancia es alta. Ahora bien que entendemos por alta o baja ganancia: ganancia I = I 0 eg z g ∝ (N 2 − N1 ) ΔI = (N 2 − N 1 ) Δz pérdidas r1 r2 = e-2y + IN2 IO ΔI ⎯⎯ ∝ ΔZ Ω . esto queda mejor ilustrado con el siguiente ejemplo: En el láser HeNe cuya ganancia es sumamente baja el semiespejo tiene una reflexividad del 99%. este semiespejo es importante ya que su reflexividad depende de la ganancia.IN1 ΔI ⎯⎯ ∝ I(N2-N1) ΔZ Para contestar la pregunta anterior hay que hacer esa pregunta de una manera más fácil: ¿Inyectando una intensidad de luz (I0) cuanta luz sale? 19 .

Así que igualamos los factores exponenciales: ganancia = pérdida g∝ (N2 – N1 ) ≥ y/L ω0 τ21 N2 – N1 ≥ ⎯⎯⎯⎯ Δω0 2c3 τρ π Para v= 5 x 1014 Hz Δν= 1011 Hz τ21 = 5 ms τρ = 6 ns N2 . básicamente de dispersión. La ganancia puede quedar representada por la luz inyectada por un factor de ganancia exponencial. colisiones que se manifiestan térmicamente. Las pérdidas de las que hablamos son del puro resonador.20 La cantidad de luz entre distancia propagada depende de la propia luz. UMBRAL. Lo más importante de esto es que si estamos buscando un umbral lo mínimo que debe ser de ganancia es lo que se gane en una vuelta completa sea igual a las pérdidas.N1 = 3 x 1016 /cm 20 . las únicas pérdidas que se le asocien al sistema son los índices de reflexión de los espejos y afecta directamente la amplitud de la onda que incide en el espejo. porque el fenómeno de la emisión absorbida y emitida depende de la propia y combinando ambos modelos tenemos que el cambio en intensidad de luz entre el cambio en unidades de distancia es proporcional a la luz propagada por la diferencia de poblaciones.

La divergencia Δθ del haz o la cantidad por la cual se incrementa el diámetro del haz a través de una distancia es mínima para los modos de orden más bajo. cuando se llega al umbral ha crecido proporcionalmente con la frecuencia (lo que nos explica por qué es difícil ver láseres azules) depende del tiempo de decaimiento del sistema y es inverso al coeficiente de pérdidas totales del sistema y proporcional al ancho de banda que emita. Divergencia del haz. se habla de la dispersión angular debida a la difracción o curvatura experimentada por la luz a medida que pasa por una apertura. un láser que oscila en el modo fundamental (EMT00) exhibirá máxima coherencia espacial y mínima divergencia. El diámetro d al que es posible enfocar un haz láser mediante una lente de distancia focal f suele expresarse como: d = 2fΔθ y divergencia del haz = λ / d ( frecuentemente ≈ 10-5 m/m) 21 . La divergencia suele especificarse en radianes. es decir contrarresta la difracción. a continuación las detallaremos. También confundida en ocasiones con direccionabilidad pero si bien en ambos casos se habla de lo mismo en el sentido estricto son diferentes. Por consiguiente.21 Que en términos de constantes nos dicen que la inversión de población. En cambio direccionabilidad se relaciona con la capacidad de enfocar un haz láser a un pequeño punto. PROPIEDADES DEL LÁSER. Ya hemos visto los fenómenos que permiten el efecto láser y a partir de éstos ya hemos vislumbrado algunos de las propiedades que debe tener un láser. cuando se habla de divergencia.

una de las características del láser es su capacidad para proporcionar alta potencia en forma de pulsos o continua.22 Los menores tamaños de punto se obtienen para los láseres que operan en el modo fundamental. En forma continua el láser HeNe nos da unos cuantos miliwatts y en el otro extremo el láser de CO2 proporciona varios kilowatts. la lámpara pierde inten10-3 w sidad debido a que es 22 . Pero tal vez lo más correcto es ver la intensidad del láser en función de su irradiancia o flujo por unidad de área incidente sobre una superficie. La potencia en óptica a menudo se denomina flujo. TIERRA LUNA Algunas fuentes tienen tan alta divergencia o tan poca direccionabilidad que si se emitiera uno desde la Tierra podría abarcar la Luna. La potencia por pulsos puede ser de unos cuantos watts (láser de semiconductor) hasta 1018 watts en sistemas de fusión láser. Potencia radiante. Ejemplificando.

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irradiada en todas 30 cm La irradiancia está dada por E= potencia incidente/ área irradiada E=I/A Un láser de HeNe típico emite 5 mW en un haz que emite aproximadamente 1 mm de diámetro. E=5 x 10-3 W / (1 x 10 m-3)-2 = 5000 Wm-2 El Sol irradia a la Tierra con aproximadamente 1400 W/m2. Los láseres como el de argón proporcionan una irradiancia miles de veces mayor. direcciones.

Monocromaticidad. Ninguna fuente es realmente monocromática, sin embargo haciendo una comparación una lámpara de rubí emite solamente color rojo en un ancho de 3 A., el láser reduce esto en un factor de 4. lámpara de rubí Δλ = 3 A Coherencia. El alto grado de direccionabilidad y monocromatismo de los láseres está relacionado con la coherencia del haz. Es posible identificar dos tipos de coherencia; la temporal, que define la constancia de fase del haz entre dos instantes dados en el tiempo y la coherencia espacial, que define la constancia de fase del haz entre dos puntos a través del láser de rubí Δλ= 10-3 A°

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frente de las ondas. Estos parámetros se modifican por el diseño de la cavidad óptica y por la estructura de energía del medio láser.

Factor Q. No confundir con la conmutación Q. Esta forma de operación sin ser propiamente una propiedad es importante conocerla ya que permite obtener potencias pico mucho más altas para una energía de bombeo dada. El factor Q se describe así: energía almacenada Q = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ energía disipada La Q es una medida de cuánta energía es posible almacenar en la cavidad en contra de la pérdida de potencia en ella. Una cavidad permite almacenar unos factores Q de unos cuantos millones. En el modo de conmutación Q (CQ) se coloca un obturador óptico, por lo general entre el espejo y el medio láser, a fin de impedir la realimentación del espejo. De esta forma

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se incrementa la capacidad de la cavidad resonante para almacenar energía y se evita el efecto aún cuando se está llevando la inversión de población. Como resultado la inversión de población se llevará a cabo a un valor de umbral por encima del valor normal. Cuando se abre el obturador se lleva a cabo emisión de energía en un destello corto y brillante, de esta forma por unos nanosegundos, se obtienen potencias medias de megawatts o mayores; La denominación para esto es pulso gigante. Otra manera de obtener la CQ es empleando colorantes orgánicos como la criptocianina, este colorante es opaco y realiza la misma función que el obturador, pero cuando se llega a un nivel la oscilación láser, el colorante se torna transparente y se obtiene el pulso gigante.

LÁSERES TÍPICOS. Láseres de estado sólido. Láser de rubí. Este láser es importante porque es el primer láser del que se demostró su funcionamiento, también porque fue el que permitió observar lo que sería la comunicación por pulsos, si ponemos una barra de rubí enfrente de la barra de emisión, (sólo emite pulsos) podemos suponer que la absorción dominará y lo que veremos será la atenuación de la luz, y efectivamente esto sucede, hasta que se recibe del láser un nivel que permita a la barra dejar pasar hasta un 95 % del pulso emitido, este fenómeno llamado transparencia autoinducción que permite que el pulso no pierda forma, ni intensidad, a estos pulsos se les conoce como solitón, y son secantes hiperbólicas (sech), con la aclaración que el láser y el medio deben de ser del mismo material.

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paralelos y están pulidos. Entre este estado y el estado base se establece una inversión de poblaciones. para asegurar que se bombee a la varilla la máxima cantidad de luz posible. Los extremos de la varilla son planos.05% en pesos de iones de cromo (Cr+3). El bombeo se obtiene por energía lumínica de un tubo de destellos. A menudo se colocan en los focos respectivos de un reflector elíptico. con aproximadamente 0. El rubí absorbe la energía de bombeo en la región azul-verde del espectro y emite su energía láser principal a una longitud de 694. el medio activo es un cristal cilíndrico de rubí sintético (Al2O3) no purificado.3 nm. La calidad del plano en toda la cara del extremo no debe variar en más de un cuarto de longitud de onda (λ/4) y ambas superficies deben de ser paralelas entre sí con una exactitud de unos cuantos segundos de arco.26 En el láser de rubí. Éste es un estado metaestable cuya duración es de 3 ms. La absorción de la luz verde eleva los iones de cromo a una banda ancha de niveles superiores a partir de los cuales se relajan muy rápidamente al nivel superior de la transición láser. 26 . Láser de NdYAG.

de menor umbral.064 μm. convirtiéndose en un láser de uso generalizado. mayor ganancia excitación menos drástica (el láser de rubí es bombeado con una luz en azul o ultravioleta) cercana al rojo o francamente rojo.27 Este láser sólido es una barra de itrio-aluminio-granate (YAG) impurificado con iones de neodimio (Nd+3). 27 . con relajamiento no radiactivo hacia el nivel láser superior. El bombeo eleva los iones hacia los niveles cercanos a 2 eV. Láseres gaseosos. Este láser puede operar a velocidades de repetición altas de hasta 50 Hz y presentar potencias de 105 W o más. Presenta varias ventajas sobre el de rubí como la de que es un sistema de 4 niveles. La emisión láser se lleva a cabo a 1. Este láser fue el primer láser gaseoso y el segundo en términos generales y el primero en producir un haz continuo. Láser de HeNe.

Entre un par de electrodos insertados en extremos opuestos del tubo. con lo que éstos son elevados a sus niveles de excitación superiores.8 nm. Una vez encendido para mantener la descarga basta una corriente directa estable típicamente de entre 3 a 10 mA. Estas ventanas están inclinadas a un ángulo específico con respecto al eje óptico. Los anchos de línea en los láseres gaseosos son muchos más bajos que los de cualquier otro. Cuando se hace incidir luz no polarizada sobre una pieza de cristal o cuarzo inclinada a este ángulo y de esta manera sólo son transmitidas las componentes de luz polarizada en el plano de la ventana.5 a 50 mW. Se crea una descarga brillante en el gas mediante la aplicación de alto voltaje de entre 1 y 10 kV. Lo que implica el empleo de espejos de altísima calidad con bajas pérdidas por dispersión y absorción. los átomos excitados de He transfieren parte de su energía. observar que los átomos de He proporcionan el medio para excitar los átomos de Ne. A este ángulo se le llama ángulo de Brewster. los espejos son externos del tubo y están sellados con ventanas de ajuste. Las demás componentes son reflejadas y la luz emerge plenamente polarizada. contenida en un tubo de cuarzo cerrado. La ganancia del láser de HeNe a esta longitud de onda es baja y sólo es posible permitir pequeñas pérdidas de cavidad. A su vez. La corriente eléctrica que fluye produce excitación de los átomos de He debido a colisiones con los electrones energizados. En las versiones de alta potencia. el efecto láser se lleva a cabo en los niveles del Ne. mediante colisiones atómicas. En éste suele ser de unos picómetros. 28 .28 El medio activo es una mezcla de helio y neón aproximada de 10:1. El efecto láser continúa en tanto sea posible mantener la inversión de población y sea emitido un haz continuo con potencias en el intervalo de 0. a los átomos de Ne. En este nivel se establece una inversión de población y puede llevarse a cabo el efecto láser a una longitud de onda de 632. Es importante.

Para ionizar los átomos del argón se requieren aproximadamente 16 eV y otros 20 eV para excitarlos a sus niveles superiores. Diferentes modos de vibración originan un conjunto de niveles de energía con transmisiones que se ubican en el infrarrojo profundo.6 μm (my lejos del espectro visible). Los gases son bombeados en el tubo. En éste el medio activo es un plasma de iones excitados. Primero se ionizan los átomos de argón y luego son excitados por colisiones múltiples con los electrones en sus niveles de energía superiores. Los niveles de energía se obtienen por el movimiento oscilatorio de toda la molécula de carbono entre sí. sino también helio y neón. resonadores de microondas y emite en 10. Este sistema tiene alta ganancia y por lo tanto alta potencia la cual suele ser del orden de KW. se le utiliza para realizar cortes. Se crea una descarga eléctrica en un tubo estrecho de argón gaseoso. Éste es un láser de uso industrial. Debido a la existencia de varios niveles superiores varias transiciones ocurren entro de la región del azul-verde de los cuales los 29 . éste utiliza en lugar de una descarga de voltaje. si bien no sólo contiene bióxido de carbono.29 Láser de CO2 (gas molecular). Láser de iones de argón.

por lo que no son propiamente monocromáticos.30 más intensos ocurren en 514 y 488 nm. esto no permite tener estabilidad. para conseguir esto se utiliza un interferómetro. lo que nos indica que si lo limitamos con espejos. Láser orgánico (Dye 3 ). si la cavidad resonante 3 Compuesto de carbono doble de uniones tipo π. otro problema es que los niveles de energía de los llamados singletes están muy cerca del carbón 3 o triplete que son totalmente absorbentes. Sin embargo los láseres de argón se utilizan en la línea de 514 nm por ser la más poderosa. Los láseres de argón emiten aproximadamente de 1 a 20 W de flujo repartido entre casi todas las longitudes de acción láser. Utilizan moléculas orgánicas altamente fluorescentes como medio láser y. una pequeña celda de 3 x 3 Cm si se irradian con otro láser. a diferencia de los otros la transición radiactiva en el láser de tinte no se origina en un nivel de energía metaestable. tenemos un láser. sino que tiene lugar entre dos estados electrónicos singletes de la molécula. Se presentan algunos problemas con este tipo como son que el ancho de banda de la emisión es muy grande. Estos láseres suelen tener un campo magnético para constreñir la descarga gaseosa y mantener alta la densidad de corriente. 30 . Debido a la alta energía para ionizar y excitar las densidades de corriente son altísimas (del orden de 1 A/mm2).

si mezclamos infrarrojo se puede obtener verde o infrarrojo en visible (visión nocturna). esto se emplea en ciclotrones. 31 . se puede variar uno de los espejos la dirección de la frecuencia de selección o variando la concentración del compuesto Dye. Enfriamiento y confinamiento de átomos: Un láser tiene momentum (comportamiento corpuscular). Láser excímero. Separación de isótopos: Se puede ionizar algunos átomos sobre otros sintonizando bien los láseres.31 no está bien calculada. Estos láseres son útiles porque tienden al azul. APLICACIONES DEL LÁSER Son bien conocidas las aplicaciones de los láseres. la ventaja es que son sintonizables fácilmente con un simple prisma. por eso sólo mencionaremos aplicaciones en óptica no lineal: Mezcla de ondas: Se puede obtener la suma o diferencia de frecuencias. el excímero emite en el estado superior. TABLAS DE LÁSER Las siguientes tablas enumeran las características de los principales láser. A un compuesto (haluro de gas noble) se le excita y tiene un estado metaestable y un tiempo de vida finito (ns) y luego decae. la luz por cambio de momentum puede frenar un átomo y obtener su caracterización.

1-50 mW oc 0.1 DE MODO EFICIEN CIA TÍPICA (%) DIÁME TROHAZ TÍPICO (mm) 1 1 1 1 544 5mW-20W oc DIVERGENCIA TRO DEL (mrad) Láseres de estado sólido.32 Láseres gaseosos.6μm 5mw.1 0.DIÁMEDIVER- 32 .6μm CO2 (TEA) 10.05 10 1 1 0. MEDIO PRINCIPA SALIDA MODO EFICIEN. nm 647nm 325nm oc 442nm 10. MEDIO PRINCIPA SALIDA LES LONGITU DES ONDA HeNe Argón Kriptón HeCd CO2 633 mm 488.6W 1-10mw 2-50mw 20W-15kw oc 30mJ-150J 50-100ns pulsos hasta 1KHz de 10 5 25 50 2 5 oc oc 0.

33 LES LONGITU DES ONDA Rubí NdYAG 694mm 1.06μm 100mJ100J 50 μs-1ms 2 hasta 2Hz 3-20 5 Láser excímero. MEDIO PRINCIPA MODO EFICIENDIÁMESALIDA DIVER- 33 .064μm DE CIA (%) TRO (mm) GENCIA (mrad) 30mJ-100J 10ns-10ms 0.064μm 1-10 mw oc 5 1 1 1.5 hasta 3Hz 10mJ-150J 10ns-1ms hasta 50kHz 1-2 5-10 1-10 5 5 Nd-YAG (bombeo en diodo) Nd-cristal el 1.

34 LES LONGITU DES ONDA (nm) Argón Fluoruro Kriptón Fluoruro 248 193 5-25ns pulsos 2-50ns pulsos hasta 500Hz Xenón Fluoruro 351 1-30ns pulsos hasta 500Hz de hasta 1kHz DE CIA TRO DEL HAZ (mm) GENCIA hasta 1% 2x4 25x30 a 50W 2-6 hasta 2% 2x4 25x30 a 100 W hasta 2% 2x4 25x30 a 30 W Láseres coloreados.DIÁMEDIVER- 34 . MEDIO PRINCIPA SALIDA MODO EFICIEN.

6-1 1-2 ns depende de 2-10 la luz de bombeo 0. ahora si imaginamos a los sólidos como una red repetitiva y los electrones están sujetos a potenciales periódicos formados por los núcleos de los átomos. no se puede aislar los átomos en los niveles de energía como en los láseres anteriores. El 35 .35 LES LONGITU DES ONDA Bombarde 340ado con 940nm ajustable lámpara estrobosco pica bombardea 400do láser iones bombardea 300do láser pulsos LÁSER DE SEMICONDUCTOR con 1000nm de ajustable hasta 15w 3-50 pulsos hasta 10kHz con 1000nm de ajustable hasta 2W oc DE CIA TRO (mm) GENCIA hasta 50W 200ns-4μs hasta 1 pulsos hasta Hz 5-25 50 5-20 0. Un semiconductor tiene propiedades entre aislante y conductor. el cual está localizado en la cuarta columna de la tabla periódica de elementos.5 . un ejemplo es el silicio. PRINCIPIOS DE SEMICONDUCTORES. los niveles de energía están tan cerca que forman bandas.5 0. lo que se hace es resolver la ecuación de Schrödinger.36 En un láser de semiconductor.

algunos electrones de la banda de valencia pueden adquirir la suficiente energía térmica aleatoria para excitarse a través de la banda prohibida con el fin de convertirse en electrones de conducción en la banda de conducción. a temperaturas más altas. 3p εg 3s εg 36 . mientras que la banda de conducción está totalmente vacía a cero grados de temperatura absoluta. El semiconductor es una substancia cristalina que tiene una estructura de bandas de energía en las que la banda de valencia está completamente llena a la temperatura cero. La banda inferior: la de valencia. en dicho estado el semiconductor es un aislante perfecto. Las propiedades de conducción pueden ser interpretadas con la ayuda de los diagramas de los niveles de energía o bandas de energía. normalmente llena. Los estados vacíos que quedan en la banda de valencia también contribuyen a la conductividad. Sin embargo.36 silicio tiene en su última capa cuatro electrones. La banda prohibida: está entre las últimas dos y determina las propiedades eléctricas. ya que no cuenta con bandas parcialmente llenas. La de más alta energía que es ocupada parcialmente: banda de conducción.

El problema es que los electrones se encuentran en su mayoría en la banda de valencia en la mayoría de los sólidos. La excitación térmica 37 .37 2p 2s 1s Metal Semiconductor Aislante Por comparación en el diagrama tenemos a los metales. la diferencia entre las tres es la separación entre la banda de valencia y la de conducción .en un metal es despreciable. semiconductores y aislantes la banda gris es la banda de conducción y la banda negra es la de valencia.o visto de otra manera la anchura de la banda prohibida . Los electrones de la banda de valencia son los que forman los enlaces covalentes de parejas de electrones tetraédricamente dispuestos entre los átomos. mientras que en un semiconductor es mayor y en un aislante predominan las bandas de valencia. La energía necesaria para saltar una banda prohibida en un semiconductor y un aislante es: aislantes εg > 3 eV semiconductor εg ≈ 1 eV (λ=1 μm) Electrones y huecos. entre ambas la banda prohibida. así que se debe proporcionar una excitación condicionada a que la energía que se le comunica sea mayor que la de la separación de la banda prohibida.

En términos de energía cinética. Tanto el electrón como el hueco son migratorios. A pesar de que un fotón puede tener considerable energía. el momentum está asociado a una longitud de onda dada por k (k = 2π/λ) por la h = 2 / . esta ausencia constituye el hueco. los semiconductores son también clasificados como de transición directa o transición indirecta. Banda de electrón 38 . Para que la transición de un electrón tome lugar para o desde la banda de conducción con absorción o emisión de un fotón. se sustituye y la energía es una relación cuadrática que resulta en una parábola en el espacio libre. el movimiento es masa multiplicada por la velocidad o lo que es igual. La excitación de un electrón deja una ausencia localizada en la banda de valencia en la estructura del enlace covalente que podría ser ocupada por un electrón.38 de un electrón de la banda de valencia a la de conducción corresponde físicamente a la supresión de un electrón de un enlace covalente por medio de agitación térmica de la red. su momentum (hv/c) es muy pequeño. Por tanto el electrón se convierte en un electrón fuera del enlace covalente de la red y queda disponible para funcionar como portador de carga a fin de conducir una corriente a través del cristal. El problema surge cuando el electrón salta a la banda de conducción y deja un hueco. Esta migración también puede responder a un campo eléctrico y pueden dar origen a una corriente macroscópica que fluye por el cristal. que los demás electrones tienden a ocupar y entonces efectivamente se produce un desplazamiento en la banda de valencia. desde el punto de vista de la mecánica cuántica no es lo mismo el movimiento libre del electrón en la banda de conducción que el movimiento que hacen los electrones por ocupar el hueco que ha dejado. lo que es característico del movimiento de ambos sus curvas de energía contra momentum. comparando como se ven las curvas debido a las diferentes dinámicas entre la banda de conducción y la banda de valencia. respectivamente energía y momento deben de ser conservados. el electrón libre puede vagar dentro del cristal igual que el hueco.

Para la segunda parábola presenta un desplazamiento en el eje k lo que indica un cambio de momentum y de energía. en donde el electrón y el hueco tienen el mismo momentum y la recombinación de ambos permiten obtener un fotón. por lo mismo el cambio no cuesta momentum sino sólo un cambio de energía. 39 .39 conducción Electrones y huecos están banda prohibida εg sujetos a diferentes dinámicas valencia hueco Las curvas presentan diferente perfil y dependen de la orientación que tengan como ejemplo las siguientes curvas se pueden aproximar a una parábola: Relación momentum P = mv = h k Electrón libre E = m v2 p2 (h k) 2 = = 2 2m 2m La primera curva corresponde a un material de transición directa.. Aquí la recombinación banda a banda debe involucrar una tercera partícula para conservar el momentum -la tercera ley de Newton. Los fonones sirven para este propósito que se muestran como calentamiento.

En un semiconductor intrínseco las concentraciones de huecos y electrones deben de ser las mismas. pero 40 . ya que la excitación térmica de un electrón origina inevitablemente un hueco. cualquiera de los siguientes forma un material semiconductor en el sentido estricto. se conocen como semiconductores intrínsecos. Un semiconductor en el que los electrones y los huecos se producen sólo mediante una excitación térmica a través de la banda prohibida de energía. Los huecos y los electrones creados de esta manera a menudo se denominan portadores intrínsecos de carga y la conductividad originada por estos portadores se llama conductividad intrínseca.40 MATERIALES SEMICONDUCTORES. En una tabla periódica el número de fila indica el número de electrones de valencia. Elementos intrínsecos.

57 0.87 3. por ejemplo se tiene a los del grupo III con los del grupo V las propiedades de ambos se muestran a continuación: λg (μm) 1. porque sus propiedades no pueden ser cambiadas sus propiedades así que se buscan hacer combinaciones.41 tienen pocas perspectivas de utilización.88 1. II Zn Cd Hg III Al Ga In IV Si Ge V P As Sb VI S Se Te Binarios: son formados por una combinación de un grupo con otro.5 ELEMENTOS Ge Si AlAs GaAs InAs TIPO I I I D D Al Ga In P As Sb 41 .55 0.

se hacen de la siguiente manera: A) 2 elementos del grupo III y uno del V. Cuaternarios. Ternarios: Tienen mayor ventaja para maniobrar. pero tienen transición indirecta.88 o 1. B) 1 elemento del grupo III y dos del V. esto significa que pueden ser excitados con una longitud de onda controlada. 42 . la segunda columna nos indica que tienen distinto ancho de banda. la mayoría de los leds infrarrojos están hechos de GaAs.42 Comparados con los dos primeros elementos aislados.55 μm pero son indirectos. Al x 1-x Ga As En la gráfica podemos ver como el arsenuro de galio y al arsenuro de aluminio se desplazan de tener 1μm de excitación a una excitación de 0. el arsenuro de indio cae en el infrarrojo y el arsenuro de galio con una radiación de 0. al misma tabla muestra más combinaciones. el arsenuro de aluminio tiene un ancho de banda en luz visible.87 μm está cerca del infrarrojo y ambos tienen transición directa.4 μm. porque se tienen dos elementos aislados tales que su banda prohibida se puede saltar con 1. arsenuro de galio.

Es muy fácil introducir cantidades muy pequeñas de substancias tales como arsénico. Lo que permite ver que tienen una mayor utilidad ya que tienen una menor necesidad de energía y un margen mayor de excitación y absorción en su banda prohibida. (In1-X Gax) (As1-Y PY ) Semiconductores extrínsecos. como átomos de impurezas que ocupan sitios de la red. Los átomos del grupo V tienen cinco electrones de valencia. antimonio u otros elementos pertenecientes al grupo V. que normalmente estarían ocupados por el semiconductor covalente. en cristales puros de silicio o germanio. en la gráfica estarían representados por la limitación del InP al GaP.43 Se combinan 2 del grupo III y 2 del grupo V. Cuatro de ellos se usan para formar enlaces covalentes y el quinto se enlaza al átomo de impureza sólo mediante fuerzas electrostáticas que son 43 .

Antes de hablar de las transiciones intrabandas debemos hablar de la concentración de portadores y de la probabilidad de ocupación. Entonces el átomo de impureza que queda se convierte en ión positivo que sin embargo es inmóvil. La energía necesaria para la emigración de este hueco lejos del sitio de la impureza es del orden de la energía que se requiere para eliminar el electrón adicional de un átomo donador. en vista de que está unido a cuatro átomos vecinos. como vemos en la siguiente gráfica 44 . teniendo la ventaja de tener electrones móviles. Los semiconductores extrínsecos se diferencian de los intrínsecos porque no se encuentran en su forma pura sino que se les agregan impurezas. En consecuencia. este hueco puede emigrar fácilmente alejándose del sitio de la impureza y llenar el cuarto enlace del par de electrones. excepto a temperaturas muy bajas. Concentración de portadores. hay dos maneras de dopar a un semiconductor: A) Reemplazando a elementos del grupo IV o V con átomos del siguiente grupo es decir del V o VI respectivamente produciéndose un exceso de electrones de valencia. por ende se pueden ionizar con facilidad mediante agitación térmica de la red a temperaturas ordinarias para proporcionar una conducción electrónica adicional. todos los huecos serán migratorios y todos los átomos de impurezas del grupo III tendrán la naturaleza de iones negativos inmóviles. B) La otra manera es reemplazar a átomos del grupo III o II por átomos del grupo IV o III respectivamente.44 muy débiles y. a este tipo de semiconductor se le llama tipo N o donadores. Cuando existe un hueco adicional es porque en la estructura del enlace covalente falta un electrón. con lo que predominan los huecos o exceso de electrones de conducción. La componente de conductividad eléctrica que se produce por los átomos de impureza se conoce como conductividad de impureza. son llamados aceptores o tipo P. por lo cual son más fáciles de utilizar .

Probabilidad de ocupación. es decir siguiendo la parábola notamos que existen más portadores en la parte de abajo que en la de arriba en una relación que es simplemente la ecuación mostrada.45 (2m)3/2 pc = ⎯⎯⎯ √ E -∈c 2 π2 h3 (2v)3/2 pv = ⎯⎯⎯ √ Ev -∈c 2 π2 h3 Donde m y v son las masas efectivas de electrones y hoyos en las bandas de conducción y valencia respectivamente. Está dada por la fórmula de Fermi: 1 f(E) = e (E − EF ) ±1 probabilidad de ocupación de un electrón 1-f(E) probabilidad de ocupación de un hueco 45 . Vemos que la concentración de portadores tienden a formar una parábola en la banda de conducción con la notoriedad que la parábola es inversa. con raíz de una parábola por la relación que uno guarda con respecto al espacio que hay entre ellos. Lo inverso es la cantidad de portadores en la banda de valencia. es decir que la cantidad de portadores entre unidad de volumen en la banda de conducción es la raíz cuadrada.

Dirac 1 E 2 − E fc f c (E 2 ) = 1+ e kB T f v (E1 ) = 1+ e 1 E1 − E fv kB T Donde E fc y E fv son los niveles de Fermi. 46 . Las siguientes dos fórmulas son la distribución Fermi-Dirac y determinan la probabilidad de encontrar un electrón en la banda de valencia o la de conducción. este nivel está normalmente entre las bandas de conducción y la de valencia no es un nivel intermedio sino un valor numérico de referencia. Las primeras dos fórmulas determinan el nivel de Fermi y si T tiende a cero la probabilidad de encontrarlo es uno. La función de distribuciones de nivel de Fermi y poblaciones de electrones y huecos para un semiconductor con impurezas tipo P y un semiconductor con impurezas tipo N.46 Distribución Fermi. La probabilidades de ocupación por electrones en las bandas de conducción y de valencia están dadas por la distribución de Fermi-Dirac.

la concentración de equilibrio de los huecos recibe poca influencia por el efecto de los huecos. la misma situación ocurre con los huecos en la misma unión. ahora sin embargo nos centraremos en una muestra uniforme tipo P con otra tipo N para formar un sólo cristal.. pero por condiciones de frontera los niveles de Fermi deben ser iguales. los niveles de Fermi se igualan pero para conseguirlo las bandas que se tenían se distorsionan para conseguirlo. en la región N.47 UNIONES PN.llamados niveles cuasi Fermi o niveles efectivos de Fermi. Lo que ocurre en una unión es que se juntan dos materiales dopados. a esto se le conoce como la distribución de cargas. Los grandes gradientes iniciales de concentración establecen corrientes de difusión que hacen que los 47 . Hemos vistos hasta ahora semiconductores que se suponían uniformes u homogéneos en cuanto a la densidad de impurezas contenidas en su interior. pero como la concentración de electrones del lado N es mayor que del lado P en el instante de formación existe un gradiente enorme en la concentración de electrones en la unión entre ambas regiones. pero al intentar unir dos materiales con diferente nivel de Fermi . Esto se explica de la siguiente manera: Lejos de la unión.

48 . No obstante este flujo de difusión inicial no puede continuar indefinidamente.a la parte p se rompe el equilibrio (polarización directa) provocando una disminución en la separación que ha quedado en la unión favoreciendo la movilidad de electrones y huecos.y en la que se forman fuertes capas de carga espacial que contienen campos eléctricos altos cerca de la unión. si conectamos un potencial mayor -positivo. En la figura se pueden ver las tendencias de oposición de los gradientes de oposición de los gradientes de concentración y los campos eléctricos. transistores. El propósito de estas uniones es formar diodos.. sino fuera por la “pendiente” del potencial eléctrico que deben vencer para lograrlo. y la magnitud del campo contrarresta exactamente la tendencia de los portadores mayoritarios a difundirse descendiendo por la “pendiente” de concentración hacia la región de conductividad opuesta.48 electrones de la región N y los huecos de la región P fluyan descendiendo por los gradientes de concentración respectivos hasta la región de conductividad de tipo opuesto y dejando a la región cercana a la unión vacía de portadores mayoritarios. los electrones de la banda de conducción del lado n se difundirán obviamente descendiendo por el gradiente de concentración del lado p. Entonces se establece una condición de equilibrio dinámico en la que la región cercana a la unión queda vacía de portadores mayoritarios -llamada región de agotamiento. La dirección de este campo eléctrico se opone al flujo de los electrones que salen de la región N y al flujo de huecos de la región P. como ya sabemos.. etcétera. de modo que se establece un campo eléctrico. las cargas de iones fijos donadores y receptores cercanos a la unión ya no están balanceadas por las cargas de los portadores libres móviles que estaban allí inicialmente. debido a que las regiones cercanas a la unión hay deficiencia de portadores mayoritarios.

49 PROPIEDADES ÓPTICAS. Éste es el principio de las celdas fotovoltaicas. El exceso de electrones creados en la región P puede difundirse a la unión y descender por la barrera de potencial hasta el lado n. La presencia de estas densidades de carga es tal que reducen la diferencia de potencial de barrera a un valor dado . La luz que cae en las regiones p y n. no habrá flujo de electrones. 49 . a ambos lados de la unión. podemos utilizar la unión PN para emitir o detectar luz. Al poder mover un electrón de la banda de valencia a la banda de conducción y poder regresarlo a la banda original. Efecto fotovoltaico P-N. en ambas regiones. Corriente de inyección. El efecto de esto es colocar una carga positiva neta en el lado p y una carga negativa en el lado n. Si se cierra el circuito externo que conecta las regiones p y n fluirá una corriente eléctrica en tanto exista una corriente de difusión de electrones en exceso creados ópticamente desde la región N y una corriente de huecos desde la región P creados ópticamente. la situación cambia materialmente y se pueden observar voltajes y corrientes mensurables. Si se permite que caiga una luz en la unión PN. en tanto que el exceso de huecos creados por la excitación óptica en la región N puede difundirse hasta la unión y “flotar” para pasar la barrera y entrar a la región P. Si una unión ordinaria PN se pone en cortocircuito en la oscuridad. crea muchos pares electrón hueco en exceso. es de esperarse ya que de lo contrario se haría un trabajo sin ninguna energía de entrada rompiendo la primera ley de la termodinámica. el potencial interno ahora es diferente de los potenciales de contacto equilibrante y un voltaje igual a esta diferencia aparecerá como una diferencia de potencia en las terminales este fenómeno se conoce como efecto fotovoltaico P-N.

los niveles de energía se encuentran alterados. Consiste en una unión PN conectada en forma directa en la cual la corriente favorece el paso de portadores de la banda de conducción a la banda de valencia. surge entonces el problema de que las radiaciones no sean de una sola frecuencia. Los portadores mayoritarios de ambas clases encuentran ahora más fácil cruzar la unión debido a que la energía de barrera ha disminuido. por lo que suele haber niveles intermedios entre la banda de valencia y la banda de conducción que corresponden a la de las impurezas. la temperatura produce transiciones fonónicas. efectos de temperatura. Al aplicar un voltaje directo a través de los extremos de la unión PN se perturba la situación de equilibrio. Al cruzar la unión los portadores pueden recombinarse con portadores de polaridad opuesta y emitir radiación de manera espontánea: la longitud de onda más larga que es posible emitir corresponde a un electrón que se desplaza de la parte inferior de la banda de conducción a la parte superior de la banda de valencia. LED. Esta corriente se denomina corriente de inyección. Sin embargo el salto de la banda de valencia a la banda de conducción dependerá de la separación. otro problema es que no existen semiconductores puros.50 A continuación veremos lo que sucede cuando una corriente es inyectada a través de la unión PN. pero en realidad hay saltos intrabandas donde se puede también generar la emisión de luz. ahora la corriente de difusión debe exceder la corriente de deriva originando un flujo neto de corriente del lado P al lado N. La barrera energética es reducida por una cantidad equivalente a la energía potencial aplicada. cuando un 50 . así que hay que asegurar que la transición provenga de la parte alta de la banda de valencia a la parte baja de la banda de conducción. ejemplificando: un desplazamiento de la zona baja de la banda de conducción a la zona alta de la banda de conducción y su regreso a la zona baja puede emitir fotones.

A temperatura ambiente.) V = volumen (cm3 ) Ejemplo ηi = 0.5 V=2 Χ 200 X 10μΡ Cantidad de carga=1017/cm3 τ = 50 ns potencia =1 mW Antes de pasar a fuentes coherentes de luz veremos a los diodos emisores de luz LED. como mencionamos anteriormente la luminiscencia en inyección nos proporciona por 51 . por el efecto de luminiscencia en inyección. pero constituyen la base del diodo emisor de luz y del diodo láser.51 electrón pasa de una banda a otra se favorece la emisión de fotones. flujo de fotones ∅ = ηiRV = ηi V (Δn/τ) donde ηi = eficiencia interna (sin unidades) R = número de portadores ( número de portadores. Los diodos de unión PN normal ven esta radiación como pérdida de energía y se diseñan para minimizar esta pérdida. Esta intensidad es muy baja por lo que para obtener mayor intensidad se requiere romper el equilibrio. una capa de GaAs produce una luminiscencia de una intensidad de 10-20 W/cm2. sin requerir corriente.

normalmente usados para acoplamientos de fibra óptica. la reabsorción volumétrica o de profundidad y la reflectancia de la superficie son dos factores que reducen la eficiencia del diodo. La región emisora de luz está definida por corriente inyectada por contacto circular. El ancho de banda de su recombinación espontánea es de 20 a 40 nm. La región emisora está situada cerca del extremo a fin de minimizar la reabsorción. sin embargo esta forma de luz no es coherente y es debida a emisión espontánea. 52 . la reabsorción se minimiza cubriendo la región emisora de luz con un material de banda prohibida ligeramente mayor que la energía del fotón emitido. sistemas fotoeléctricos y componentes electroópticos o para alta radiancia la cual es necesaria en sistemas de comunicación por fibra óptica.52 sí misma una forma de obtener luz de una unión PN. El emisor de extremo restringido tiene una anchura muy grande de haz (120 ° a media potencia) en el plano de la unión y puede tener una anchura relativamente estrecha (30°) en el plano perpendicular. GaAsP. En emisor de superficie de alto brillo. configuración de la superficie (por ejemplo hemisférica) o por recubrimientos antirreflectivos -los materiales corrientes son GaAs:Si. GaAlAs. El dispositivo tiene una doble heteroestructura en que la región emisora está definida nuevamente por el contacto grabado. Esta anchura del haz depende de la naturaleza del guiado de ondas en la guía de onda de doble heterounión. LED de alta radiancia. Los primeros tienen una configuración de heterounión normalizada en la que ha sido grabado un orificio a través de un sustrato absorbente. Se emplean comúnmente emisores de superficie y de extremos. Los diodos de emisión de extremo restringido. el cual es necesario en presentaciones visuales. Los LED se pueden fabricar para alto brillo. GaAs:Ge. La reflectancia se reduce por encapsulación. GaAsP:N. InGaP e InAlP.

barren el espectro del infrarrojo al ultravioleta. el aspecto interesante es la distribución con respecto a la frecuencia. pero la utilidad del LED radica en que es un medio barato y dentro de ciertos criterios puede servir sustituyendo a los diodos láser. Distribución espectral = √ hv-Eg e(-( hv-Eg ) kT) La fórmula de la distribución espectral es muy simple. DIODO LÁSER. 53 . Aquí las transiciones ocurren entre las bandas de conducción y de valencia -como en el LED. los láseres de semiconductores. Se consigue una respuesta rápida en virtud de sus cortos tiempos de vida media de recombinación cuando se hace funcionar a los diodos en el régimen de alta densidad de portadores inyectados. comparándolo con los láseres ya vistos. El láser de AsGa es extremadamente pequeño.53 La respuesta a la frecuencia es de primordial importancia para los sistemas de transferencia de información.y de la emisión estimulada resultante de la vecindad inmediata de la unión PN. que iniciando a la frecuencia mínima -la de la banda prohibida. De aquí que sean deseables capas estrechas de recombinación y altas corrientes de excitación. Se han obtenido tiempos de vida media de recombinación tan bajos como 1.2 ns y frecuencias de modulación tan elevadas como 250 Mhz utilizando diodos emisores de extremos restringido.es que emite en un enorme ancho de banda. siendo solamente una astilla de alrededor del tamaño de la cabeza de un alfiler -sin considerar la fuente de poder.

la inversión de población es realizada. conocido como transparencia de valor. siendo suficiente índices de reflexión del 30 %. El semiconductor está limitado por materiales reflejantes. de manera que el electrón se mueve en un sistema de cuatro niveles buscando transiciones rápidas del electrón entre las bandas intermedias estimulando una mayor cantidad de fotones. Cuando la inyección de portadores en la región activa excede cierto nivel. Como en los láseres anteriores la inversión de población es una condición para que la emisión estimulada pueda dominar. Como sucede en los anteriores láseres. así como algunos tipos de láseres de semiconductor. El índice de reflexión sin embargo es mayor en uno siendo totalmente reflejante para estimular que los fotones reboten y estimulen la emisión de más fotones. manteniendo a los electrones en niveles altos.54 En un láser de semiconductor la unión PN se conecta directamente con una corriente la suficientemente alta que favorezca la emisión estimulada. y en la región activa se exhibe ganancia óptica. Esta condición es realizada por contaminación tipo P y n de la capa de recubrimiento tan pesada que los niveles de Fermi exceden la banda prohibida de la unión PN. 54 . lo que se encuentran en los lados de las terminales. Ahora discutiremos algunas de las principales características de los láseres de semiconductores. Sin embargo su importancia radica en que “abarató” el láser y disminuyó el tamaño de las fuentes ya que es de una alta eficiencia. Ganancia óptica.

g se vuelve positivo sobre un rango espectral con N. también crece con N junto con el incremento de la energía de los fotones. donde los niveles de emisión estimulada y de absorción están dados por las fórmulas que ya conocimos en el tema uno. La cercana dependencia lineal de g p sobre N sugiere una empírica aproximación en el cual la ganancia pico es aproximadamente: 55 . donde g es el coeficiente de ganancia. Como N crece. para diferentes valores de la densidad de portadores inyectados. En la siguiente gráfica podemos ver el valor de la ganancia óptica contra la energía del fotón en una muestra de 1. el valor pico de la ganancia g p. Para N = 1 Χ 1018 cm-3 el material absorbe luz (N=densidad de portadores inyectados) y la inversión de población no ocurre.55 Una señal de entrada propagándose dentro del semiconductor debe ser amplificada en exp (gz).3 μm de InGaAsP (región de agotamiento). Una vez calculado se ve que es proporcional a R stm -R abs.

ésta debe ser mayor que la energía entre la banda de separación entre la banda de conducción y la banda de valencia entre la constante de Planck (h) y menor que la energía en los niveles de Fermi asociados a la banda de conducción y de valencia entre la constante de Planck. Para que la frecuencia (v) llegue a oscilar.56 g p ≈ σg (N -NT ) Donde NT es el valor de transparencia de la inyección de portadores y σg es el coeficiente de ganancia diferencial. por lo que la ganancia puede quedar expresada de la siguiente manera: 56 .fv (E1 )] Como podemos ver la salida es prácticamente lineal en los láseres de semiconductor esto no ocurre siempre en otros láseres. Eg h Ef c − Ef v h <υ < La ganancia es directamente proporcional a la resta de los dos niveles de Fermi g ≈ ρ (v) [ fc(E 2 ) .

Esto es debido a que la unión PN por sí misma actúa como un amplificador óptico. a menudo referidos como la “cavidad Fabry .1 ] Esta linealidad entre la ganancia y la corriente nos permite modular la corriente.Perot”. En muchos láseres la retroalimentación es provista por una cavidad formada por dos espejos. Otra cosa que se puede notar de la curva de la ganancia es que el cambio de anchura de la ganancia con respecto a la corriente permite amplificar señales de diferente frecuencia pero cercanas al coeficiente de frecuencia. Otro ingrediente necesario es la retroalimentación óptica. Retroalimentación y umbral. En el caso del láser de semiconductor. La intensidad pico será modulada fácilmente teniendo como única limitante el tiempo de relajación de los portadores. que convierte un amplificador en un oscilador. los espejos externos no son requeridos porque las caras con hendiduras actúan como espejos de reflexión ⎡ n − 1⎤ R=⎢ ⎣ n + 1⎥ ⎦ 2 Po = ηi (i -i th ) (1.57 La ganancia queda definida como el cociente entre la corriente de operación y la corriente de umbral menos la unidad: g = [ ( I/Ith ) .24/λo ) 57 . pero si consideramos que está dada en nanosegundos podemos manejar la corriente en el orden de gigahertz. La ganancia óptica no es suficiente para el funcionamiento del láser.

Aquí R1 y R2 son las reflexiones de las caras del láser. Una manera simple de obtener la condición de umbral es estudiar como la amplitud de una onda cambia durante una vuelta del viaje. una cantidad mínima de ganancia es necesaria para la operación de un láser. El concepto de umbral láser puede ser entendido notando que cierta fracción de fotones generados por la emisión estimulada es perdida a causa de las pérdidas en la cavidad y necesitan ser repuestos de una manera continua. la población de fotones no puede ser reunida. donde L es el largo de la cavidad láser. Al mismo tiempo. La corriente necesaria para alcanzar el umbral es llamada corriente de umbral. obtenemos: 58 . Considerando una onda de amplitud Eo.Perot está formada por dos caras estriadas es relativamente generadora de pérdidas. quedando: Eoe(gL)(R1 R2)1/2 e(αintL) e (2ikL) = Eo Igualando la amplitud y la fase en ambos lados de la ecuación. la ganancia es lo suficiente para superar las pérdidas. A pesar de que son normalmente iguales en la mayoría de los casos. su amplitud es incrementada en exp[(g/2)(2L)] porque la ganancia (g) y su fase cambia en 2kL. las dos reflexiones pueden ser diferentes si son cubiertas para modificar su reflexión natural. frecuencia ω. En el estado estabilizado la onda debe permanecer sin cambios después de una vuelta. Esta cantidad puede conseguirse únicamente cuando el láser es bombeado arriba de un nivel de umbral. Durante una vuelta del viaje.αint L) a causa de la reflexión de las caras del láser y porque las pérdidas internas (αint) que incluyen la absorción de los portadores libres y otros posibles mecanismos de pérdida. y constante de onda k = nω/c. Típicamente n = 3.58 Donde n es el índice de reflexión de la ganancia media. resultando en una cara de 30 % de reflexión. su amplitud cambia en (R1 R2)1/ 2exp(.5. A pesar de que la cavidad Fabry . Si la ganancia óptica no es lo suficientemente considerable para compensar las pérdidas de la cavidad. sin embargo.

Como los láseres anteriormente vistos aquí el medio sólo permite la amplificación de algunos modos. El diodo se mejoró realizando algunas modificaciones al láser que consisten en una delgada región activa (~ 0.1 μm) colocada entre dos regiones una p y otra n cubiertas de 4 Fabry-Perot 59 . la elección del GaAs es debido a su transición directa.200 GHz para una L = 200. n puede ser ignorado excepto cuando la dispersión del material es incluida (ΔvL =c/2ng L) . La ecuación de la ganancia es igual a las pérdidas totales en la cavidad en umbral y más allá. y un potencial directo aplicado.400 μm. El primer diodo láser consistió en un sólo cristal de arsenuro de galio. La segunda línea que la frecuencia láser debe ser igual a una de las frecuencias vm = mc /(2nL) donde m es un entero. Estructura del láser de semiconductor. impurificado para formar una unión PN. Los extremos del diodo están hundidos y pulidos para fin de proporcionar la cavidad óptica. Los lados son ásperos para evitar la pérdida de luz. Un láser de semiconductor FP 4 generalmente emite luz en muchos modos longitudinales de la cavidad. El espaciamiento ΔvL entre los modos longitudinales es constante (ΔvL= c/2nL). Estas frecuencias corresponden a los modos longitudinales y están determinados por el largo óptico nL. sin embargo el láser de semiconductor sólo permite uno o dos modos longitudinales de cada lado del modo principal. Típicamente para los láseres de semiconductor el valor del espaciamiento se encuentra entre ΔvL = 100 .59 g = α int + ⎛ 1 1 Ln⎜ 2L ⎜ ⎝ R1 R 2 ⎞ ⎟ ⎟ = α int + α mir = α cav ⎠ 2kL = 2mπ v = vm = mc / (2nL) Donde k = 2πnv/c y m es un entero.

la mayor de éstas es su alta corriente de umbral y el patrón espacial altamente elíptico que cambia de manera incontrolable con la corriente. la corriente es inyectada sobre la relativa área ancha cubierta de la región P y región N. Semejantes láseres son llamados láseres de semiconductor de área ancha. Los láser de semiconductor de área ancha tiene un número de desventajas. la emisión del láser es confinada horizontalmente en esa región en la cual puede estimular más fotones. Un simple esquema para resolver el problema de confinamiento de luz consiste en limitar la corriente de inyección sobre una banda estrecha. Los láseres son clasificados en dos categorías y son de ganancia guiada e índice guiado. Una aproximación de región 60 . En la dirección perpendicular al plano de la unión. La resultante heterounión PN es polarizada por contactos metálicos colocados en las regiones p y n. Semejantes láseres son conocidos como láser semiconductor de geometría estriada. Láser semiconductor de ganancia guiada. La luz láser es emitida de las dos caras estriadas en forma de un punto elíptico de dimensiones ∼ 1 x 100 μm2. En la practica la delgadez de la región activa soporta un sólo modo transversal. Estos problemas pueden ser resueltos introduciendo mecanismos para confinar la luz lateral.60 otro semiconductor con una banda prohibida más alta. Al rodear la capa activa con regiones de menor índice de refracción que la capa activa en sí.

una capa tipo N es depositada en la cima de la región P. el confinamiento de la corriente produce un perfil de emisión óptica al centro de la banda. Una difusión de Zinc sobre la región N convierte la región en tipo P. En índice p (InGaAsP) p(InP) 61 . Láser semiconductor de índice guiado. La corriente fluye a través de la región central y es bloqueada a causa del voltaje inverso natural de la unión PN. debido a que la región activa exhibe grandes pérdidas más allá de la región central de la estría de difusión donde la ganancia es máxima. La desventaja principal es que el tamaño del punto elíptico de emisión no es estable cuando la potencia del láser es incrementada. Existen más variantes. Otra manera de resolver el problema del confinamiento de la luz es introduciendo un índice de refracción (ΔnL) en la dirección lateral así que la guía de onda esté formada de manera similar en dirección transversal en el diseño de heteroestructura. n(InGaAsP) Difusión Dieléctrico p (InP) InGsAsP n (InP) n(InP) substrato n+ (InP) En el otro. La corriente es confinada para separarse a lo largo del cristal sobre la estría. con una abertura central en la cual la corriente es inyectada. Tales láseres normalmente son subclasificados según la magnitud de índice de refracción. En todos los diseños el voltaje es inyectado por una delgada estría sobre la región central (5-10 μm de anchura). Las corrientes de umbral son del orden de 50-100 mA con lo que la vida de operación de los láseres aumenta. Como la luz es confinada con ayuda de la ganancia es la razón del nombre de estos láseres.61 dieléctrica (de SiO2) es depositada en lo alto de la región P.

En la estructura de espesor variante un canal es grabado dentro del substrato. de esta manera parte de la luz es reflejada y el resto es refractada dentro de la capa de mayor índice de refracción. Este proceso llena las depresiones y parcialmente disuelve las protuberancias. es difundido dentro de la región activa inmediatamente debajo del contacto metálico. este método tiene el inconveniente de que el modo principal tiene menos radiación debido a la pérdida de radiación. el área más gruesa actúa como un índice positivo guía de onda. En un índice negativo la región central de la región activa tiene un índice más bajo que las regiones exteriores. El láser semiconductor de índice guiado puede usar una de cuatro estructuras. En la construcción selectivamente difusa un químico dopante como el zinc para el GaAlAs o cadmio para InGaAsP. por eso se crean variaciones en el espesor de la región activa y de confinamiento. La región activa tiene un espesor constante con 62 . En la estructura de región curva. En la heteroestructura oculta una delgada tira es grabada en la doble heteroestructura. con un líquido. una tira es grabada dentro del substrato. capas de cristal son readecuados dentro del canal. el dopante cambia el índice de refracción de la región activa para formar un canal lateral guía de onda. cuando una onda óptica encuentra un incremento local en el espesor. la estructura de espesor variante y la estructura de región curva. capas de material semiconductor son adicionadas a esta estructura usando vapor para duplicar exactamente la configuración de la tira. esta tira es montada en un material tipo N altamente resistivo. si la región central tiene un índice más alto que la región exterior. la construcción difusa. con una apropiada banda prohibida y bajo índice de refracción.62 positivo. de tal forma que la luz es reflejada en la frontera del dieléctrico. que son la heteroestructura enterrada u oculta (BH buried heteroestructure).

Los diodos son polarizados directamente así que la corriente viaja de la región tipo P a la región tipo N. Los métodos principales para confinar corriente. Para estructuras con una región activa continua. son: la difusión preferencial de dopantes. la corriente puede ser confinada también por arriba o abajo de la región de emisión. así como por regiones de alta resistencia o por polarización inversa de la unión PN. En cada método la arquitectura del dispositivo bloquea la corriente a ambos lados de la región de emisión. la implantación de protones. En la difusión preferencial de dopantes. la cual impide la corriente que fluya mientras el dispositivo es polarizado directamente bajo condiciones normales. En adición al confinamiento de la onda óptica para lograr una alta potencia óptica de salida se necesita restringir la corriente a la región activa así más del 60 % de la corriente contribuye a la emisión.63 dobleces laterales. 63 . La onda óptica viaja por el altiplano de la región activa. confinamiento de banda interna. El bajo índice del exterior de los dobleces confina la luz. se difunden parcialmente dopantes tipo P (Zn o Cd) a través de una región tipo N se establece una estrecha trayectoria de corriente desde donde la polarización inversa de corriente de la unión PN bloquea la corriente fuera de la región difusa.

Una es que la radiación óptica es dirigida hacia la superficie ya sea por espejos en 45° o por reflectores distribuidos de Bragg de segundo orden. Una manera de restringir un láser para tener únicamente un modo longitudinal es reducir el largo de la cavidad óptica (L) a un punto donde la separación de frecuencias (Δf) de los modos adyacentes permita la operación de un solo modo. En el láser de emisión superficial. Un diodo láser puede usar más de una 64 .08. PN que están polarizados inversamente cuando el dispositivo está operando. En los láseres de doble heterounión el modo de mayor orden transversal que puede ser excitado depende del espesor de la guía de onda y del diferencial del índice refractivo de las fronteras de la guía de onda. Sin embargo esta reducción tiene el inconveniente de limitar la salida a unos pocos miliwatts. Cuando la región activa es discontinua como en un láser BH. entre éstos se encuentran los láseres de emisión superficial (SEL) y los resonadores de frecuencia selectiva. OPERACIÓN EN UN SOLO MODO.64 La implantación de protones. la corriente puede ser bloqueada en ambos lados del canal por el crecimiento de la unión técnica de confinamiento. las cuales restringen la corriente a un angosto camino entre estas regiones. La polarización inversa de la unión PN restringe la corriente a ambos lados del canal. entonces únicamente el modo fundamental transversal podrá propagarse si el área activa es más delgada que 1 μm. Dispositivos alternos han sido desarrollados. si el diferencial es mantenido en aproximadamente 0. crea regiones de alta resistencia. le región activa es menor de 10 μm de ancho y menor de 10 μm de largo y actúa como una pequeña cavidad vertical. consiste en adicionar material por encima de la estructura de emisión grabando un canal dentro de la parte plana de la región activa. dos mejoras han de ser consideradas. El confinamiento de banda interna.

.3.2. pero a veces el segundo orden de la red es usado.. La onda óptica se propaga paralelamente a esta red. El primer orden de la red (k = 1) provee la más fuerte unión. Una red de difracción en fase es esencialmente una región de variaciones periódicas del índice de refracción que causa que dos ondas viajen propagándose en contra hasta juntarse. La unión de éstas permite a la longitud de onda acercarse a la longitud de onda de Bragg λB.65 Tres tipos de configuración de láser usan un reflector de frecuencia selectiva. . Los láseres basados en esta arquitectura exhiben una buena operación en modo longitudinal único y operan con baja sensibilidad a las variaciones de corriente y de temperatura. es el orden del modo y L es el largo efectivo de la red. la cual está relacionada al periodo Λ de las corrugaciones por: λB = 2 ne Λ k Donde ne es el índice efectivo del modo y k es el orden de la red de difracción. En un láser ideal DFB. los modos longitudinales están espaciados simétricamente alrededor de λB por la longitud de onda dada por: λ = λB ± λB 2 n e Le (m + 1 2 ) Donde m= 0. En los láseres de realimentación distribuida (DFB) la red de difracción para el selector de la longitud de onda está formada completamente sobre la región activa. en cada caso el reflector es una red de difracción corrugada.1. La operación de este tipo de láser está basado en el reflector de red distribuida en fase de Bragg. 65 . la cual es una guía de onda pasiva adyacente a la región activa. por su mayor periodo de corrugación que hace su fabricación más fácil.

66 Las amplitudes de los órdenes superiores sucesivos son enormemente reducidas con respecto al orden cero. Teóricamente en un láser DFB teniendo en ambos extremos cubierta antireflectiva.Perot. Una variación del láser DFB a sido la introducción de un cambio de fase en π/2 (que es un cuarto de longitud de onda) en la corrugación del centro de la cavidad óptica para hacer que el láser oscile cerca de la longitud de onda de Bragg . ejemplificando: uno alrededor del 2 % sobre la cara frontal y uno del 30 % en la cara trasera. ejemplificando el modo de primer orden (m = 1) está usualmente 30 dB más abajo de la amplitud del orden cero (m = 0). Para el láser con reflector distribuido de Bragg (DBR) la red está localizada en los extremos de la región activa para remplazar con los surcos finales los espejos usados en el resonador óptico Fabry . porque la reflexión es más efectiva en esta longitud de onda. Esta cara asimétrica puede ser mejor aprovechada colocando una cubierta de alta reflexión en un extremo y en el otro una cubierta de baja reflexión. El láser de reflectores distribuidos consiste de reflectores 66 . Sin embargo en la práctica el azar del proceso de hacer los surcos produce cierta degeneración en la ganancia modal y resulta en operar a un solo modo. los dos modos de orden cero a lado de la longitud de Bragg deben sufrir la misma baja de ganancia de umbral y deben emitir simultáneamente en una estructura idealmente simétrica.

67 .67 pasivos y activos. Las ecuaciones de razón para la región activa. G es el índice de emisión estimulada Rsp es el índice de emisión espontánea dentro del modo de emisión. esta estructura mejora las propiedades de emisión y tiene una alta eficiencia y una alta capacidad de salida. La explicación de la primera ecuación es sumamente sencilla. el número de fotones con respecto al tiempo es igual al número de fotones de emisión estimulada más el número de fotones causados por emisión espontanea que sean de la misma frecuencia que los anteriores menos el número de fotones que son destruidos de manera natural dentro de la cavidad óptica. τc es el tiempo de vida de los portadores incluye la pérdida de electrones por emisión espontánea o recombinación no radiactiva. N el número de electrones que cambia con respecto al tiempo. El último término gobierna la razón de recombinación de huecos . para un láser que opera en un solo modo tienen la siguiente forma: dP P = GP + R sp − dt τp dN I N = − − GP dt q τp G = Γ νg g = GN ( N . MODULACIÓN DE DIODOS LÁSER. τp es el tiempo de vida del fotón. Hay que hacer notar que Rsp es más pequeño que la emisión espontánea total. La segunda ecuación indica la razón a los cuales los electrones son creados o destruidos dentro de la región activa. Γ es el factor de confinamiento y g es la ganancia óptica a la frecuencia del modo. De hecho G y Rsp están relacionados (Rsp = nsp G).electrones en la emisión estimulada. donde nsp es conocida como el factor de emisión y es normalmente 2 para láseres de semiconductores.N0) Donde P es el número de fotones.

una de los principales problemas es el tiempo de relajación de portadores. Cuando la señal s(t) es aplicada la potencia de salida P(t) es: P(t) = Pt [ 1 + ms(t) ] Aquí m es el índice de modulación definido como: m = ΔI I B´ 68 .68 Los dos principales métodos usados para variar una salida óptica de un diodo láser son la modulación de pulsos usada en sistemas digitales y la modulación en amplitud para transmisión de datos de forma analógica. Como mencionamos al principio del tema. Tanto los diodos láser como los LED de alta radiancia pueden usarse para modular datos analógicos. sin embargo éste no es una gran limitante. nos centraremos en esta última. En un sistema analógico la variación en el tiempo de la señal eléctrica analógica s(t) es usada para modular directamente una fuente óptica alrededor de la corriente de polarización IB . como se observa en la figura. cuando no hay señal de entrada la potencia de salida es Pt.

tomando como base un rendimiento sobre la potencia exterior del 5 % (este calor puede disiparse mediante un radiador enfriado por aire o una unidad de enfriamiento termoeléctrica). Disipación térmica: El aumento de temperatura en la unión PN produce una deriva de la salida espectral. Fuente de diodo láser: En las aplicaciones de señalización. SISTEMA DE LÁSER DE SEMICONDUCTOR. Un sistema de láser de semiconductor se compone de cuatro subelementos (1) la fuente de diodo láser. Una pila de diodos está compuesta por dos a cinco diodos láser puestos uno encima de otro sobre el mismo radiador de calor. la modulación debe ser confinada a la región lineal de la curva. con potencias de salida pico superiores a 15 W o potencias medias superiores a los 15 mW.25 a 0. con el resultado de tener una seria distorsión. La potencia media de esta fuente funcionando a temperatura ambiente normal. La disipación de potencia es de 3. dispuestos de manera que sus respectivas salidas se orienten hacia una misma dirección. viene a ser de 6. cuyo número puede variar entre 5 y 1000 unidades. con un factor de servicio de 0. (3) óptica de captación y de proyección. (2) el elemento de disipación térmica o radiador de calor. El tamaño de un conjunto con 200 diodos láser. Un conjunto está compuesto por muchos diodos láser. (4) fuente de alimentación electrónica.69 Donde IB’ = IB para LED de alta radiancia y IB’ = IB + Ith para diodos láser. El parámetro ΔΙ es la variación de corriente alrededor del punto de polarización. un aumento de corriente de umbral y una disminución de salida de 69 .35 por 6. Un valor típico de m para aplicaciones analógicas varía en el rango de 0.8 W. mientras que la potencia media es más importante en los sistemas de iluminación. además si ΔΙ es más grande que IB’ (si m es más grande en un 100 %) la región más baja de la curva podría ser seccionada. En aplicaciones pulsantes a temperatura ambiente normal.35 mm.001 es de 200 mW.50. Para prevenir distorsiones en la señal de salida. el parámetro más importante es la potencia pico de radiación. es más ventajoso emplear pilas o conjunto de diodos.

Las limitaciones de tensión y/o de corriente de los SCR y de los transistores como elementos de interrupción obligan a que los diodos láser de un sistema multidiodo estén 70 . Las pilas y conjuntos multidiodo agrupados estrechamente presenten severos problemas térmicos debido a la gran densidad de flujo térmico. refrigeradores termoeléctricos. también pueden emplearse tubos de gas y dispositivos electromecánicos. se emplea un diseño tridimensional en forma de V invertida. Esta técnica es adecuada para aplicaciones de señalización en la que los diodos láser trabajan individualmente y la radiación es conducida por cable de fibra óptica. Otros sistemas de refrigeración incluyen radiadores de aire forzado o de líquido enfriado. Fuentes de alimentación electrónica para los láseres de diodo: Para controlar los láseres de diodo y los conjuntos de diodos se han desarrollado una gran variedad de fuentes de alimentación de impulsos. Para aumentar el área del radiador. Este diseño establece un compromiso entre el tamaño óptico efectivo y el radiador de calor. Los elementos de interrupción que se emplean normalmente son los rectificadores controlados de silicio (SCR) y los transistores. el primer paso es un diseño electrónico adecuado para minimizar las pérdidas producidas por los contactos resistivos y las impedancias. Las fuentes de diodo láser de un solo diodo se suelen montar radiadores de cobre diseñados para limitar el aumento de temperatura a menos de 20° C. La solución actual para una mejor disipación de calor es el empleo de fibras ópticas en los sistemas láser multidiodo. Para aminorar el problema del aumento de temperatura. un interruptor electrónico. circuitos de protección y una fuente de alimentación primaria. Los diodos láser están montados sobre radiadores individuales y la salida de radiación se conduce mediante fibras ópticas a la pequeña zona de emisión. refrigeradores criogénicos y frascos Dewar de nitrógeno líquido. Las grandes distancias de separación entre las pilas de diodos permiten el empleo de radiadores mucho mayores para reducir la densidad de flujo térmico. No obstante. las elevadas tensiones de umbral que necesitan los diodos conectados en serie y la protección del diodo contra las sobrecargas de corriente inversa. Los puntos con más problemas son la adaptación de impedancias debido a las características no lineales de los diodos.70 potencia radiante media. Cada diseño necesita un circuito de disparo.

Tal como puede entenderse los elementos de interrupción con transistores tienen las ventajas de un mayor rendimiento y de un control continuo sobre la anchura y la frecuencia de repetición de los impulsos.10 W oc oc hasta 20 % hasta 20 % 20 .850 nm 1 . Cuando el número de diodos conectados en serie se hace mayor.6 nm 790 .71 conectados eléctricamente en circuitos serie-paralelo.1W oc Diodo láser tipo RCA C86000 E Material Unión GaAlAs DH Longitud de onda de 820 mm emisión Ancho de línea 4 nm 10 mW (cw) Corriente de umbral 75 mA 71 . la tensión de funcionamiento y resistencia óhmica aumentan rápidamente a valores que plantean problemas de inadaptación de impedancia.40 % 10° x 30° 10° x 30° 10° x 30° DE SALIDA MODO EFICIENCIA DIÁMETRO TÍPICA DE TÍPICO HAZ 100 mW . Se ha creado un diseño de fuente de alimentación de impulsos de alto rendimiento SCR y línea de retardo que utilizan la transformación de impedancia variable exponencialmente.1 .40 mW 1 .10 mW 1 W .1. Esta fuente de alimentación de impulso presenta un rendimiento de la potencia de carga/descarga del 80 %.905 nm 1. TABLAS DE LÁSER DE SEMICONDUCTOR MEDIO PRINCIPALES LONGITUDES ONDA GaAlAs InGaAsP Arreglo acoplados en fase 750 .

72 Potencia de salida máxima Corriente normal Corriente máxima directa 200 mA Caída directo de voltaje 2 V directa 100 mA Tiempo de respuesta < 1 ns 72 .