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UNIVERSIDADTECNOLGICADELPER

VicerrectoradodeInvestigacin

ElectrnicaAnalgicaI

TINSBsicos

FacultaddeIngenieraElectrnicayMecatrnica

TEXTOSDEINSTRUCCINBSICOS(TINS)/UTP

LimaPer

ElectrnicaAnalgicaI
DesarrolloyEdicin:VicerrectoradodeInvestigacin
ElaboracindelTINS:Ing.MoissLeureyrosPrez
Ing.JosAndresSandovalValencia
DiseoyDiagramacin:JuliaSaldaaBalandra
Soporteacadmico:InstitutodeInvestigacin
Produccin:ImprentaGrupoIDAT
Quedaprohibidacualquierformadereproduccin,venta,comunicacinpblicaytransformacinde
estaobra.

El presente material contiene una compilacin de obras de Electrnica


Analgica I, publicadas lcitamente, resmenes de los temas a cargo del
profesor;constituyeunmaterialauxiliardeenseanzaparaserempleadoen
eldesarrollodelasclasesennuestrainstitucin.

stematerialesdeusoexclusivodelosalumnosydocentesdelaUniversidad
Tecnolgica del Per, preparado para fines didcticos en aplicacin del
Artculo 41 inc. C y el Art. 43 inc. A., del Decreto Legislativo 822, Ley sobre
DerechosdeAutor.
4
5
Presentacin

El presentetextoelaboradoen el marcodedesarrollodelaIngeniera,esunmaterial de
ayuda instruccional, en las carreras de Ingeniera Electrnica y Mecatrnica para la
Asignatura de Electrnica Analgica I correspondiente al sexto y quinto ciclo de estudios
respectivamente.

Plasmalainiciativainstitucionaldeinnovacindelaprendizajeeducativouniversitarioque
en acelerada continuidad promueve la produccin de materiales educativos, actualizados
enconcordanciaalasexigenciasdeestostiempos.

Esta edicin apropiadamente recopilada, de diversas fuentes bibliogrficas, de uso


frecuente en la enseanza de la Electrnica Analgica I, est ordenada en funcin del
sillabusdelaasignaturaarribamencionada.

Laconformacindeltextohasidoposiblegraciasalesfuerzoydedicacinacadmicadelos
Profesores:Ing.MoissLeureyrosPrezyJosAndrsSandovalValencia;ellosbasadosen
su reconocida labor profesional acadmica han hecho posible la presente estructura
capitular:

El primer capitulo: Diodos; esboza la teora del diodo semiconductor, caractersticas,


parmetroselctricosyaplicaciones.

Enelsegundocaptulo:Filtros;estudialosfiltrospasivos,losdiferentestiposdefiltrosy
familiasdetalmaneraqueseentiendasuaplicacin.

En el tercer captulo: Transistor de juntura bipolar; se presenta el funcionamiento del


transistor, su curva caracterstica, punto de operacin, polarizacin y anlisis en pequea
seal.

En el cuarto captulo: Transistor de efecto de campo; se estudia otro tipo de transistor


diferencindolo con el BJT en cuanto a estructura interna y modo de trabajo o
funcionamiento.EnestecaptulotambinseestudiaelMosfet.

En elquintocaptulo: Amplificadores;se estudia lascaractersticas dellosamplificadores,


culminandoconamplificadoresoperacionales.

En el sexto captulo: Reguladores; los reguladores de tensin son importantes porque


suministran adecuadamente la energa al sistema (circuito elctrico/electrnico) a ser
controlado,seestudiandiferentestiposdereguladores.

6
En el sptimo captulo: Respuesta en frecuencia; se estudia la respuesta en estado
estacionario(rgimenpermanente)deunamplificadoranteunaentradasinusoidal.Parael
estudio del amplificador, se vara la frecuencia de la sinusoide de entrada dentro de un
determinadorangodefrecuenciasyseobtienelarespuestaresultante.

Al cerrar estas lneas de presentacin, el reconocimiento institucional a los Ing. Moiss


Leureyros Prez y Jos Andrs Sandoval Valencia por su constancia en la compilacin del
presentetexto.

Ing.LucioH.HuamnUreta
VicerrectoradodeInvestigacin
7

ndice

UnidadTemticaNo.I
Diodosemiconductor ........................................................................................................ 11
Diodoconpolarizacininversa ......................................................................................... 12
Caractersticatensincorriente........................................................................................ 12
Dependenciaconlatemperatura ..................................................................................... 13
Resistenciadeldiodo......................................................................................................... 14
Modeloscircuitalesdeldiodo ........................................................................................... 15
Capacidadesinternaseneldiodosemiconductor ............................................................ 16
Diodosespeciales .............................................................................................................. 22
Especificacionesdelosdiodos .......................................................................................... 24
Circuitosenclavadoresdefijacin..................................................................................... 38

UnidadTemticaNo.2
Filtros ............................................................................................................................. 43
Tiposdefiltros................................................................................................................... 43

UnidadTemticaNo.3
Eltransistorbipolar(BJT) .................................................................................................. 59
Representacindeltransistorbipolar............................................................................... 60
Regionesdetrabajoeneltransistorbipolar..................................................................... 61
Tcnicasdecompensacin................................................................................................ 70
ParmetrosK..................................................................................................................... 83
Parmetrosadmitancia ..................................................................................................... 85
Modelosdeparmetroshibridos.................................................................................. 93
Tecnologadeltransitor .................................................................................................... 94
Formasdeconstruccindeltransitor ............................................................................... 95

UnidadTemticaNo.4
Eltransistorunipolar(FET)................................................................................................. 99
Principiodefuncionamiento............................................................................................. 99

UnidadTemticaNo.5
Gananciasdelamplificador ............................................................................................... 127
Configuracionesdetransistores........................................................................................ 134

UnidadTemticaNo.6
Reguladores....................................................................................................................... 189
Tiposdereguladores ......................................................................................................... 191
Ejemplosdereguladoreslineales...................................................................................... 193
8
Reguladoresconcircuitosintegrados ............................................................................... 198
UnidadTemticaNo.7
Respuestaenfrecuencia ................................................................................................... 217
Respuestaenfrecuenciadelosamplificadores................................................................ 218
Puntosdemediapotenciayanchodebanda................................................................... 219
Respuestaenfrecuenciadeltransistor............................................................................. 221
Mtodosderespuestaenfrecuencia ............................................................................... 223
Respuestaenbajafrecuencia ........................................................................................... 233
CalculodelarespuestaenfrecuenciausandoMATLAB................................................... 241
Diseodefiltrosactivosmedianteamplificadoresoperacionales ................................... 242
Acoplocontransformadoresenbandaancha.................................................................. 246
Redeslinealesdesegundoorden ..................................................................................... 250
Seriesdeproblemas .......................................................................................................... 256

Bibliografa ........................................................................................................................ 263

9
DistribucinTemtica

Clase
N
Tema Semana Horas
1
Circuitos con diodos. Estabilidad trmica. Circuitos de
conmutacin,limitadores,enclavadores.
1 2
2
Circuitos equivalentes, curvas VI. Diodos especiales.
Amplificaciones.
2 2
3
Circuitos de rectificacin con diodos Rectificacin de
media onda y onda completa. Factor de rizado.
Aplicaciones.
3 2
4
FILTROS Y REGULADORES. Filtro a condensador. Filtro a
inductancia.FiltroLC.
4 2
5
Filtro de varias etapas. Reguladores con Zener y C.I.
Aplicaciones
5 2
6
El transistor Bipolar. Mtodos de polarizacin. Comparaci
losdiferentesmtodos.
6 2
7
Factores de estabilidad. Rectas de carga en contnua y
alternaaplicaciones.
7 2
8
El transistor de efecto de campo. Curvas, caractersticas
delFET.Zonaomisayactiva.
8 2
9
MtodosdePolarizacinyestabilidad.Aplicaciones
9 2
10 EXAMENPARCIAL 10 2
11
Anlisis en pequeas seales del amplificador de audio
frecuencia. Modelo de parmetros hbridos. Clculo de
ganancia.
11 2
12
FormadeAcoplodelosAmplificadores.
12 2
13
Amplificador Multietapas y configuraciones notables. El
amplificadorcascodeyamplificadordarlington.
13 2
14
El Amplificador Diferencial. Amplificador Operacional.
Aplicaciones.
14 2
15
Respuesta en frecuencia de amplificadores de una o ms
etapas. Funciones de transferencias. Ceros y Polos
diagramadeBode.
15 2
16
Frecuenciasdecorteinferiorysuperior.
16 2
10

Clase
N
Tema Semana Horas
17
Respuesta en frecuencia del transistor bipolar BJT.
Aplicaciones.
17 2
18
Respuestaenfrecuenciadeltransistordeefectodecampo
FET.Aplicaciones.
18 2
19 EXAMENFINAL 19 2
20 EXAMENSUSTITUTORIO 20 2

ElectrnicaAnalgicaI
11
UNIDADTEMTICA
No.1

DIODOSEMICONDUCTOR:
Es un dispositivo formado por una capa de semiconductor tipo P junto a otra de
tipoN.

Conducecorrienteenunsolosentido,segnlapolaridaddesusterminales.Enlas
siguientesgrficasse muestranlasconcentracionesdecargasdentro desuscapas
sinpolarizacin,conpolarizacindirectayconpolarizacininversa:

Diodosinpolarizacin
Aqu vemos que las concentraciones de cargas se mantienen constantes en el
cuerpodelmaterial.

-
Nno
+
-
- +
Npo
-
+
-
+
+ -
+
-
- Ppo
N
+
-
+
+
P +
-
-
-
+
+
- +
- +
Pno +

Donde:
PPO=Concentracindecargaspositivaslibres(mayoritarias)enlazonaP.
NPO=Concentracindecargasnegativaslibres(minoritarias)enlazonaP.
NNO=Concentracindecargasnegativaslibres(mayoritarias)enlazonaN.
PNO=Concentracindecargaspositivaslibres(minoritarias)enlazonaN.

Diodoconpolarizacindirecta
Aqu vemos que las concentraciones de cargas de los portadores minoritarios han
aumentadoaloscostadosdelaregindetransicin.Estoquieredecirquehayun
excesodecargasaambosladosdelazonadetransicin.

En esta situacin, el dispositivo conduce corriente desde la zona P a la zona N.


ObsrvesequelafuenteVtienesupolopositivoenlareginP(llamadaANODO)y
elnegativoenlareginN(llamadaCATODO).

ElectrnicaAnalgicaI
12
N1
p
-
N1
Npo
+ -
Pno
(Vo - V)
N
Nno
P1
Ppo
+
V > 0
V

Diodoconpolarizacininversa
Aqu vemos que las concentraciones de cargas de los portadores minoritarios han
disminuidoaloscostadosdelaregindetransicin.Estoquieredecirquehayuna
escasezdecargasminoritariasaambosladosdelazonadetransicin.

Enestasituacin,eldispositivonoconducecorriente.

ObsrvesequelafuenteVtienesupolonegativoenlareginPyelpositivoenla
reginN.

PNO
PPO NNO
NPO
-
P
+
V
N

Acontinuacinsemuestraelsmboloqueseusapararepresentarlo:

CARACTERSTICATENSINCORRIENTE:
Laecuacindeldiodosemiconductores:

I
D
=Io(
V/VT
1)

ElectrnicaAnalgicaI
13
Donde:
V=tensineneldiodo
I
D
=corrientedeldiodo
Io=corrienteinversadesaturacin
V
T
=kT/e=Tensintrmica(25.8mVT=300K)
=Coeficientedeemisin(1paraelgermanioy12paraelsilicio)
k=ConstantedeBoltzman=8.62x10
5
eV/K)
e=Magnituddelacargadelelectrn=1.602x10
19
C
T=TemperaturaabsolutaenK

Eldiodoempiezaaconducirconpolarizacindirectasilatensinsuperaladecodo
oumbral,V.Estatensinvale:0.10.2Vparaelgermanioy0.6Vparaelsilicio.

Esposiblesimplificarlaecuacindeldiodositenemosencuentaque,porejemplo,
undiododesilicioprcticamentenoconducesisutensindirectaesdelordende
0.5V.

Enestecaso,con=2:

I
D
=Io(
V/VT
1)=Io(
0.5/2x0.0258
1)=
9.69
1=16,1541

Lo anterior significa que cuando el diodo conduce corriente directa, podemos


despreciarelnmero:1,debidoaquenointroduceerrorapreciable.

DEPENDENCIACONLATEMPERATURA:
Losdispositivossemiconductoresdependenmuchodelatemperatura.Lacorriente
inversadesaturacindeldiodoesdadaporlaecuacin:

Io=KT
m
e
VGO/VT

Donde:
TeslatemperaturaabsolutaenK.
Kesunaconstante
V
GO
=E
GO
/e:Eselequivalenteentensindelanchodelabandaprohibida0K
V
T
=kT/e:Eslatensintrmica.

Sedemuestraque:
Ioseduplicaporcadaaumentodelatemperaturaen10C

La tensin en el diodo disminuye en 2.5 mV por cada grado de aumento de la


temperatura: V/T=2.5mV/C
ElectrnicaAnalgicaI
14

Estos datos deben tenerse muy en cuenta cuando el dispositivo eleva su


temperatura

RESISTENCIADELDIODO:
Si un diodo tiene aplicada una tensin V y conduce una corriente I
D
, se presentan
dostiposdeefectosresistivos:

RESISTENCIAESTTICA:
En el grfico siguiente vemos la curva del diodo y las coordenadas del punto de
trabajo,Q,son:(V
Q
,I
DQ
)

Laresistenciaestticaesdefinidacomo: R
E
=V
Q
/I
DQ

VQ
IDQ Q
ID
V

Esteconceptoesaplicablecuandoeldiodoestsometidoatensionesycorrientes
constantes.

RESISTENCIADINMICA:
Esta resistencia se emplea cuando el diodo es sometido a corrientes y tensiones
quevaranconeltiempo.
ElectrnicaAnalgicaI
15
VQ
IDQ
IDQ + id
V
Q

+

v
d
Q
IDQ - id
ID
V
V
Q

-

v
d

Enlagrficapuedeversequelasealmontadaenelniveldelpuntodeoperacin
hace variar la tensin y corriente en V (= vd) y I
D
(= id), alrededor del punto de
trabajo, Q. En este caso es ms til el concepto de resistencia dinmica, definida
como:
r
d
=dV

/dI
D

Lacualesevaluadaenelpuntodetrabajo,Q.

Podemosverquelaresistenciadinmicaeslainversadependientedelatangente
en el punto de trabajo, Q, del diodo. Se obtiene la ecuacin de la resistencia
dinmica partiendo de la ecuacin del diodo. Si derivamos I
D
respecto de V,
obtenemosinicialmentelaconductanciadinmica:

g
d
=dI
D
/dV=Io[e
V/VT
]/

V
T
=I
DQ
/V
T

Luegolaresistenciadinmicaes: r
d
=1/g
d
=V
T
/I
DQ

MODELOSCIRCUITALESDELDIODO:
El concepto de resistencia dinmica nos permite hacer un modelo linealizado del
diodoparasimplificarlosclculosyevitarelempleodelaecuacinexponencial:

ElectrnicaAnalgicaI
16
1/rd
0
ID
V
V

La tensin de codo o tensin umbral, indica el voltaje directo al cual el diodo


empiezaaconducircorrienteapreciable.

Elgrficomostradosepuederepresentarporelsiguientecircuito:


V
+ -
DIODO IDEAL
A C
rd

Eldiodoideales un dispositivo que noexiste fsicamente, pero que nossirve para


hacerelmodelocircuital.Enestedispositivo:rd=0,V=0,Io=0ypuedemanejar
cualquier corriente a cualquier frecuencia y puede soportar cualquier tensin
inversa. Su grfico corresponde a una lnea vertical que, con polarizacin directa,
coincideconelejedecorrientesyconpolarizacininversa,sugrficacoincidecon
elejedetensiones.

Sedebeindicartambin quesisequierelograrmsprecisin,sepuedenemplear
mssegmentos,yelmodelocircuitalsecomplicarms.

CAPACIDADESINTERNASENELDIODOSEMICONDUCTOR
Otra de las caractersticas notables de la unin PN es que en la regin de
transicinsepresentandostiposdeefectocapacitivo.Uno,predominacuandohay
polarizacininversayelotropredominacuandohaypolarizacindirecta.

Empezaremosestudiandoelcasoconpolarizacininversa

Capacidaddetransicin(C
T
):
Alestablecerselaunin,seproduceunflujoinicialdecargasatravsdeelladebido
a los gradientes de concentracin. Los tomos de impurezas a los costados de la
ElectrnicaAnalgicaI
17
juntura se ionizan, formndose dos regiones con cargas opuestas e inmviles
debido a que los iones estn fijos en la red cristalina. Este comportamiento es
similar al de un condensador de placas planas y paralelas. Sin embargo, la
diferenciaestenqueestasregionespuedenaumentaroreducirsuseparacinen
funcindelvoltajeexternoaplicado,dandoorigenaunefectocapacitivonolineal.
Por ello, y teniendo en cuenta que C
T
debe ser un valor positivo, se define la
capacidad de transicin en funcin de la magnitud de la derivada de la carga
respectoalvoltajeaplicado: C
T
=dQ/dV

Uninabrupta:Esaquellaenlaqueelmaterialtipopcambiabruscamenteatipon
oviceversa.

W=anchototaldelaregindetransicin.
Wp=anchodelaregindetransicinenlazonaP.
Wn=anchodelaregindetransicinenlazonaN.
A=Area(oseccin)transversaldeldiodo.

Elprimerpasoeshallarladistribucindecargaspartiendodeladensidaddecarga:
Si la concentracin de impurezas es uniforme, en estado de equilibrio, las cargas
negativasaunladodelaunin,debenserigualesalaspositivasalotrolado.Osea:

AWpeNd=AWneNa

Dedonde: WpNd=WnNa


-
-
-
C
W p
+
+
+ -
x
-
+
- N
W
+
+ -
-
- V o - V
-
+ P
-
- -
+
+
+
+
W p
-
- V +
+
+ -
-
- +
+
+
W n
-
A +
0
W
+
-

Utilizandolaspropiedadesdelasproporciones:
Wp=WN
D
/(N
A
+N
D
)
ElectrnicaAnalgicaI
18
Wn=WN
A
/(N
A
+N
D
)

El ancho de la regin de transicin se relaciona con el voltaje externo con la


siguienteecuacin:

eN
D
N
A
W
2

VoV=
2(N
A
+N
D
)

Lacapacidaddetransicinseobtieneconlasiguienteecuacin:

A
C
T
=
W

DespejandoWyreemplazando:

A[eN
A
N
D
]
1/2
C
To

C
T
==
[2(N
A
+N
D
)]
1/2
[VoV
D
]
1/2
[1V/Vo]
1/2

Esteresultadoesvlidoparauninabrupta.

Sepuedededucirenformaanlogaparaotrostiposdeuniones.Enestecaso:

C
To

C
T
=
[1V/Vo]
m

C
To
eslacapacidaddetransicincuandonohaypolarizacinexterna.
m es el coeficiente de gradiente de unin y su valor est comprendido entre
0.33y0.5

Capacidaddedifusin(C
D
):
Estecomportamientosepresentaprincipalmentecuandolapolarizacinesdirecta.
Como ya se ha visto, en este caso las concentraciones de portadores minoritarios
aumentanaloscostadosdelazonadetransicin.Elaumentodehuecosenunlado
secorrespondeconlareduccinenelotrolado,generndoseunefectocapacitivo
porhuecos,algoanlogosucedeconloselectrones.Estascapacidadestambinson
nolineales,porloquesedefine:

ElectrnicaAnalgicaI
19
C
D
=C
D
p+C
D
n=dQp/dV+dQn/dV

Donde:
Qprepresentaelexcesodecargaspositivas(huecos)
Qnrepresentaelexcesodecargasnegativas(electrones)

Estas cargas son proporcionales a la corriente en el diodo y podremos expresarla


como:

Q=Qo
V/VT

Luegoobtenemos:

C
D
=g
p

p
+g
n

Donde:
g
p
eslaconductanciadinmicadehuecosenlazonaP.
g
n
eslaconductanciadinmicadeelectronesenlazonaN.

p
eseltiempodevidamediodeloshuecosenlazonaP.

n
eseltiempodevidamediodeloselectronesenlazonaN.

Enelcasoparticularque:
p
=
n
=

Laecuacinsereducea: C
D
=g

Donde:geslaconductanciadinmicadeldiodo.

PROBLEMA 1.1: Un diodo de silicio p+ n, con = 1, est polarizado con una


corriente directa de 1 mA. Su capacidad de transicin es 100 pF. Si el tiempo de
vida medio es n = p = 1 s Cul es la admitancia del diodo a temperatura
ambienteaunafrecuenciade1MHz

SOLUCION:
Laconductanciadinmicadeldiodoestdadapor:

g=ID/VT=1mA/26mV=0.04A/V

Lacapacidaddedifusines:CD=g=40nF

Como esta capacidad es mucho mayor que la de transicin, la capacidad


equivalenteserprcticamenteCD
ElectrnicaAnalgicaI
20
Laadmitanciadeldiodoa1MHzes:

Y=g+jwCD=0.04+j0.025

PROBLEMA 1.2: Para qu tensin inversa la corriente de un diodo de germanio


serel90%desuvalordesaturacin(Io)atemperaturaambiente?

SOLUCION:
Lacorrientedeldiodoestdadaporlaecuacin:

ID=Io[
V/VT
1]

A una tensin de polarizacin inversa, V, el diodo dejar pasar una corriente


inversaiguala0.9Io.

Entonces: 0.9Io=Io[
V/VT
1]
0.9=
V/VT
1
exp(V/VT)=0.1

Dedonde:V=(26mV)ln(0.1)=59.87mV

Tiemposdeconmutacindeldiodosemiconductor:
Cuando el diodo trabaja en conmutacin ( o sea, pasando de su estado de
conduccin al de no conduccin y viceversa), demora para pasar de un estado al
otro.

Altiempoquedemoraenpasardelestadodeconduccinaldenoconduccinsele
llama:tiempoderecuperacininversa(trr).

Altiempoquedemoraenpasardelestadodenoconduccinaldeconduccinsele
llamatiempoderecuperacindirecta(trd).

Es importante tener cuidado con estos tiempos debido a que durante los
transitorioslosdiodospuedenverseafectadoseinclusodestruirse,especialmente
cuandotrabajanconcorrientesaltas.

Tiempoderecuperacininversa(t
rr
):
Cuando el diodo conduce, hay un exceso de cargas a ambos lados de la regin de
transicin. Al invertirse la polaridad este exceso debe ser eliminado para que el
diodo pase a su estado de no conduccin. Por ese motivo, el diodo conducir en
sentidoinversoduranteunosinstantes,comosemuestraenlasiguientefigura:
ElectrnicaAnalgicaI
21

t - 0.2 IR
0.7
ta
- IR
V
I
ID
t
tb
t

t
a
eseltiempoquepasadesdequelacorrienteescerohastaquellegaasupico
inverso(I
R
)
t
b
eseltiempoquepasadesdequelacorrienteestaensupicoinversohastaque
sereduceal20%desuvalor.

Luego: t
rr
=t
a
+t
b

El rea bajo la curva de corriente inversa representa la carga de recuperacin


inversa,Q
R
,(cargaenexceso).

Delasgrficasvemosquesecumpleaproximadamente:

Q
R
=I
R
t
a
+I
R
t
b
=I
R
t
rr

Luego: I
R
=2Q
R
/t
rr

Alarelacinentretb/taseledaelnombredefactordesuavidad,FS

FS=tb/ta

Tiempoderecuperacindirecta(t
rd
):
Cuandoeldiodonoconduce,hayunaescasezdecargasaambosladosdelaregin
detransicin.Alponersepolarizacindirecta,estaescasezdebepasaraexcesode
cargasydeberlimitarselavelocidaddevariacindelacorriente(dI/dt)porqueel
dispositivo puede daarse, especialmente cuando est trabajando con corrientes
altas.
ElectrnicaAnalgicaI
22
La variacin de la velocidad de la corriente se limita comnmente poniendo una
bobinadepequeovalorenserieconeldiodo.

PROBLEMA 1.3: El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es trr = 5s y la


velocidaddereduccindelacorrienteesdI/dt=80A/s.Sielfactordesuavidad
esFS=0.5,halle:

a) Lacargadealmacenamiento,Q
R

b) Lacorrientepicoinversa,I
R

Solucin:
a) Sabemosque: t
rr
=t
a
+t
b
=t
a
(1+FS)
Luego: t
a
=t
rr
/(1+FS)=5s/(1+0.5)=10/3s

t
b
=t
rr
t
a
=5/3s

Sabemostambinque: I
R
/t
a
=dI/dt
Adems: Q
R
=I
R
t
rr

Reemplazando: Q
R
=(t
a
dI/dt)t
rr
=(5/3*80)5s=(2000/3)C

DIODOSESPECIALES:
La unin PN es muy importante porque presenta una serie de fenmenos tiles
quedeterminanlaconstruccindediodosespeciales:

Diodos de schottky: Diodo de alta velocidad formado por unin metal


semiconductor.

Smbolo:

Diodo zener: Diodo diseado para trabajar en su regin de ruptura. Se le emplea


comoreguladordetensinocomolimitador.

Diodo varicap: Diodo usado como capacidad variable con la tensin. Se polariza
inversamente.

Diododeavalancha:Diodousadocomoproteccincontrasobretensiones.Seusa
sureginderuptura.

Fotodiodo:Diodousadoparaconvertirluzenelectricidad.

Diodoemisordeluz:Diodousadoparaemitirluz.
ElectrnicaAnalgicaI
23
Diodotnel:Diodoconaltaconcentracindeimpurezas.Usadocomoosciladorde
altafrecuencia.

TIPOSDEDIODOSDEPOTENCIA:
Sepuedenclasificaren:

Diodosdeusogeneral:Trabajanhasta1KHz,connivelesdetensininversadesde
50Vhasta5KVynivelesdecorrientedesde1Ahastavariosmilesdeamperios.

Diodosderecuperacinrpida:Sutiempoderecuperacininversaesdelordende
5s, con niveles de tensin inversa desde 50V hasta 3KV y niveles de corriente
desde1Ahastavarioscientosdeamperios.

Diodos de schottky: Su tiempo de recuperacin inversa es del orden de los nano


segundos,connivelesdetensininversade100Vynivelesdecorrientedesde10A
hasta300amperios.

RECTIFICADORESDEPOTENCIA:
La historia de la Electrnica de Potencia comenz en 1900 con un dispositivo
denominado rectificador de arco de mercurio. Fue el precursor de los dispositivos
semiconductores, que dio gran impulso a la ingeniera de convertidores. Consista
en un tubo de acero en el que se haca el vaco, dotado de un nodo de grafito
aislado y de un ctodo de mercurio que emita electrones a travs de un arco
excitador. Entreel nodoyelctodose pona una rejilla. Al aplicar unimpulso de
tensin positivo en la rejilla se iniciaba el arco y la conduccin entre nodo y
ctodo.Entresusventajasestaban:Laelevadaresistenciaalassobretensionesya
las variaciones bruscas de corriente. Posteriormente aparecieron los dispositivos
termoinicosyagas,talescomoelfanotrn,eltiratrnyelignitrn.

La primera revolucin electrnica se inici con la invencin del transistor en los


LaboratoriosBellTelephoneporlosseoresBardeen,BrattainySchockley.

En 1956 los mismos laboratorios inventaron el rectificador controlado de silicio


(SCR).

La segunda revolucin electrnica ocurri en 1958 cuando la General Electric


Companydesarrollelprimertiristor(SCR)comercial.

En los ltimos tiempos la Electrnica de Potencia ha logrado un gran desarrollo


debido, especialmente, a la evolucin de los dispositivos semiconductores de
potenciaydelosprogresosenmicroelectrnica.
ElectrnicaAnalgicaI
24
DesdequeseconstruyelprimerSCR,losrectificadorescontroladosdesiliciohan
logrado un gran avance y actualmente pueden llegar a manejar niveles de
corrientes del orden de los 10,000 amperios. Otro tanto ha sucedido con los
transistores bipolares que tambin han logrado un alto nivel de desarrollo y los
conocimientosadquiridosconlhanservidoparacrearnuevosdispositivosqueen
la actualidad pueden ser usados en controles de velocidad, UPS, rels de estado
slido,etc.

PROBLEMA1.4:Losvaloresmedidosenundiodoatemperaturade25Cson:

V=1VconI
D
=50AyV=1.5VconI
D
=600A.Determine:

a) Elcoeficientedeemisin,
b) Lacorrienteinversa,I
o.

SOLUCIN:
Laecuacindeldiodoes: I
D
=Io(
V/VT
1)

Luego: 50=Io(
1/VT
1)=Io
1/VT

Adems: 600=Io(
1.5/VT
1)=Io
1.5/VT

Dividiendo:
600
1.5/VT

==
0.5/VT

50
1/VT

Despejando: 0.5
==7.8
V
T
ln(12)

ESPECIFICACIONESDELOSDIODOS:
Para poder seleccionar un diodo los fabricantes dan un conjunto de
especificaciones:

Tensin directa (V
D
): Es la cada de tensin directa para la corriente promedio
especificada.

Tensin inversa de pico repetitiva (VIP P


RV
): Es el mximo voltaje inverso que
puedesoportareldiodo.
ElectrnicaAnalgicaI
25

Tensin inversa de pico no repetitiva (V


NR
P
NRV
): Cuando el diodo soporta
tensiones inversas que varan con el tiempo, puede haber algn instante que
sobrepaseelVIP.Siestetiempoesmuycorto,eldiodopuedesoportarhastaeste
nivelmximo.

Estastensionesson producidas por cargas de tipoinductivaconectadas aldiodoo


conectadasalareddeAC.

Corriente directa promedio (I


DC
I
F
): Es el nivel mximo de corriente continua
directaquepuedeconducir.

Corrientedirectapicorepetitiva(I
Pmax
I
FRM
):Cuandoeldiodoconducecorrientes
quevaranconeltiempo,puedenhaberinstantesquealcancevalorespico.Elvalor
mximoqueeldiodopuedesoportareselespecificado.

Corriente directa pico no repetitiva (I


PNR
I
FNR
): Cuando el diodo conduce
corrientes directas que varan con el tiempo, puede haber algn instante que
sobrepase el valor I
Pmax
especificado. Si este tiempo es muy corto, el diodo puede
conducirhastaestenivelmximo.

Estas corrientes son producidas comnmente por cargas de tipo capacitivo


conectadasaldiodo.

Tiempo de recuperacin inversa (t


rr
): Este parmetro es til cuando el diodo
trabaja con tensiones y corrientes que varan rpidamente. Este parmetro indica
el tiempo mximo que demora el diodo en bloquearse al sufrir una sbita
polarizacininversa.Duranteestosinstanteseldiodoactacomouncondensador
quesedescarga.

CIRCUITOS DE RECTIFICACIN MONOFSICA DE MEDIA ONDA Y DE ONDA


COMPLETA:

Haydostiposbsicosderectificadormonofsico:
- Elrectificadordemediaonda,y
- Elrectificadordeondacompleta.

El rectificador de onda completa puede ser, a su vez, con toma central y tipo
puente.

ElectrnicaAnalgicaI
26
RECTIFICADORDEMEDIAONDA:Enelsiguientegrficosemuestraunrectificador
demediaondaconcargaresistiva:

Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada(Vin),
latensinenlacarga(V
L
)ylacorrienteenlacarga(I
L
):

LasiguienteecuacindalaseriedeFourierdelatensindesalida.

VmVm 2Vm

cos(kwt)
V
L
(t)=+sen(wt)
2
k=2,4,...
(k+1)(k1)

Podemosobservarqueelniveldecontinuaqueentregaelrectificadores:

V
LDC
=Vm/

Yqueelprimerarmnicotienelamismafrecuenciaquelaentrada.

ElectrnicaAnalgicaI
27
Acontinuacinsemuestraunrectificadordemediaondaconcargainductiva:

Los siguientes grficos muestran las formas de onda de la tensin de entrada, la


tensinenlacargaylacorrienteenlacarga:

Seobservaquelainductanciaobligaraldiodoaseguirconduciendoapesarquela
tensindeentradacambiadepolaridad.

RECTIFICADORESDEONDACOMPLETA:
En el siguiente esquema se muestran los dos tipos de rectificadores monofsicos
deondacompletaconcargaresistiva:

ElectrnicaAnalgicaI
28
Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada,(Vin),
lacorrientedeentrada(Iin),latensinenlacarga(V
L
)ylacorrienteenlacarga(I
L
):

Podemos observar que si el puente tiene una carga resistiva, la corriente de


entrada(Iin)essinusoidalyestenfaseconlatensin(Vin).Estosignificafactorde
potenciaigual1.

LasiguienteecuacindalaseriedeFourierdelatensindesalida.

2Vm 4Vm

cos(kwt)
V
L
(t)=

k=2,4,...
(k+1)(k1)

Podemosobservar que elnivel decontinua queentregaelrectificadores eldoble


queeldemediaonda:

V
LDC
=2Vm/

Y que el armnico menor es el segundo y tiene el doble de la frecuencia de la


entrada.

En el siguiente esquema se muestran los dos tipos de rectificadores monofsicos


deondacompleta,concargapuramenteinductiva:
ElectrnicaAnalgicaI
29
-
RECTIFICADOR TIPO PUENTE
RECTIFICADOR CON TOMA CENTRAL
VL
D4
+
IL
D1
IL
D2
- AC
D3
LL
+ D1
D2
LL
VL
AC

Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada,(Vin),
lacorrientedeentrada(Iin),latensinenlacarga(V
L
)ylacorrienteenlacarga(I
L
):

Se observa que la corriente en la carga inductiva aumentar continuamente; esto


se debe al contenido de continua de la tensin de salida. Tambin la corriente de
entrada(Iin)aumentar,continuamente,tendrarmnicasynoestarenfasecon
laentrada.EstosignificaqueelcircuitointroducearmnicasalafuentedeACyel
factordepotenciasedeteriora.

ESPECIFICACIONESDELOSRECTIFICADORES
Los rectificadores pueden ser descritos mediante un conjunto de parmetros que
permitencompararlosyconloscualespodemosdeterminaralmsadecuadopara
laaplicacinquesedesea.

ElectrnicaAnalgicaI
30
Estosparmetrossonlossiguientes:

1) VOLTAJEPROMEDIOENLACARGA(V
LDC
)
Es el voltaje continuo que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresin:


= =

2
0 0
) (
2
1
) (
1
d V dt t V
T
V
L
T
L LDC

2) CORRIENTEPROMEDIOENLACARGA(I
LDC
)
Eslacorrientecontinuaquellegaalacarga.Sehallamediantelasiguiente
expresin:


d I dt t I
T
I
L
T
L LDC

= =
2
0 0
) (
2
1
) (
1

3) POTENCIADCPROMEDIOENLACARGA(P
LDC
)
Es la potencia en DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresin:

LDC LDC LDC


I V P =

4) VOLTAJEEFICAZENLACARGA(V
Lef
)
Es la tensin total que llega a la carga, incluyendo los armnicos. Se halla
mediantelasiguienteexpresin:


= =

2
0
2
0
2
) (
2
1
) (
1
d V dt t V
T
V
L
T
L Lef

5) CORRIENTEEFICAZENLACARGA(I
Lef
)
Incluye la corriente DC y los armnicos que llega a la carga. Se halla
mediantelasiguienteexpresin:

=
T
L Lef
dt t i
T
I
0
2
) (
1

2
0
2
) (
2
1
d i
L

ElectrnicaAnalgicaI
31
6) POTENCIAACPROMEDIOENLACARGA(P
LAC
)
Eslapotenciaenlacargaproducidaportodaslascorrientesytensiones(DC
yarmnicos.Sehallamediantelasiguienteexpresin:

Lef Lef LAC


I V P =

7) EFICIENCIA()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.

LAC
LDC
P
P
=

8) TENSINEFICAZDELRIZADOENLACARGA(V
LR
)
Es la tensin eficaz de todos los armnicos que llegan a la carga. No
incluyenalatensincontinua.Sehallamediantelasiguienteexpresin:

2 2
LDC Lef LR
V V V =

9) FACTORDEFORMA(FF)
EslarelacindelatensineficazenlacargaconlatensinDCenlacarga.
Sehallamediantelasiguienteexpresin:

LDC
Lef
V
V
FF =

10) FACTORDERIZADO(r)
Es la relacin de la tensin eficaz del rizado, sin incluir la DC y la tensin
continuaenlacarga.Sehallamediantelasiguienteexpresin:

1 ) (
2
2 2
=

= = FF
V
V V
V
V
r
LDC
LDC Lef
LDC
LR

11) FACTORDEUTILIZACINDELTRANSFORMADOR(TUF)
Eslarelacindelapotenciacontinuaenlacargaylapotenciadisponibleen
eltransformador.Sehallamediantelasiguienteexpresin:

ElectrnicaAnalgicaI
32
S S
LDC
I V
P
TUF =

V
S
=Tensineficazenelsecundario.

I
S
=Corrienteeficazenelsecundario.

12) DISTORSIONARMONICA(THD):
La distorsin nos relaciona el valor eficaz o (la amplitud) de una armnica
respecto al valor eficaz (o amplitud) de la fundamental, expresada en
porcentaje.

Tomandocomoejemplo laserie deFourierdel rectificador de mediaonda


concargaresistiva:

).... 6 cos(
35
2
) 4 cos(
15
2
) 2 cos(
3
2
) (
2
) ( t
V
t
V
t
V
t sen
V V
t V
m m m m m
L

+ =

Vemos que la distorsin de segunda armnica referida a la armnica


fundamentales:

D
2a
=(4Vm/3)/Vm=4/3=42.44%

Ladistorsindecuartaarmnicareferidaalaarmnicafundamentales:

D
4a
=(4Vm/15)/Vm=4/15=8.49%

Comnmenteseemplealadistorsinarmnicatotal(THD)como:

THD=[V
2m
2
+V
3m
2
+V
4m
2
+....]
1/2
/Vm]x100%

Donde:
Vm=Amplituddelaprimeraarmnica
V
2m
=Amplituddelasegundaarmnica
V
3m
=Amplituddelaterceraarmnica
V
4m
=Amplituddelacuartaarmnica
....

ElectrnicaAnalgicaI
33
PROBLEMA 1.5: Halle los parmetros del rectificador de media onda con carga
resistiva.

220 V , 60Hz
+
-
VLdc
RL

SOLUCIN:
1) Voltajepromedioenlacarga(V
LDC
)

T

V
LDC
=(1/T)V
L
(t)dt=Vm/ Vm=tensinpicodeentrada

0

2) Corrientepromedioenlacarga(I
LDC
)

T

I
LDC
=(1/T)i
L
(t)dt=Vm/(R
L
)

0

3) Potenciadcpromedioenlacarga(P
LDC
)

P
LDC
=V
LDC
I
LDC
P
LDC
=V
2
m/(
2
R
L
)

4) Voltajeeficazenlacarga(V
Lef
)

V
Lef
=(1/T)V
2
L
(t)dt=Vm/2

0

5) Corrienteeficazenlacarga(I
Lef
)
Incluye la corriente DC y los armnicos. Se halla mediante la siguiente
expresin:

T

I
Lef
=[(1/T)i
2
L
(t)dt]
1/2
=Vm/(2R
L
)

0

ElectrnicaAnalgicaI
34
6) PotenciaACpromedioenlacarga(P
LAC
)

P
LAC
=V
Lef
I
Lef
=V
2
m/(4R
L
)

7) Eficiencia()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.

P
LDC
V
2
m/
2
R
L
4
====40.53%
P
LAC
V
2
m/4R
L


8) Tensineficazdelrizadoenlacarga(V
LR
)
V
LR
=V
2
Lef
V
2
LDC
=0.3856Vm

9) Factordeforma(FF)
EslarelacindelatensineficazenlacargaconlatensinDCenlacarga.
Sehallamediantelasiguienteexpresin:

V
Lef
Vm/2
FF====1.57
V
LDC
Vm/2

10) Factorderizado(r)

V
LR
[V
2
Lef
V
2
LDC
]
1/2

r===[(1.57)
2
1]
1/2
=1.21
V
LDC
V
LDC

11) Factordeutilizacindeltransformador(TUF)

P
LDC
V
2
m/
2
R
L

TUF===28.66%
V
S
I
S
(Vm/2)(Vm/2R
L
)

ElectrnicaAnalgicaI
35
PROBLEMA 1.6: Halle los parmetros del rectificador de onda completa con carga
resistiva.
D4
IL
D2
-
D3
+ D1
VL
AC
RL

SOLUCIN:
1) Voltajepromedioenlacarga(V
LDC
)

T

V
LDC
=(1/T)V
L
(t)dt=2Vm/ Vm=tensinpicodeentrada

0

2) Corrientepromedioenlacarga(I
LDC
)

T

I
LDC
=(1/T)i
L
(t)dt=(2Vm)/(R
L
)

0

3) Potenciadcpromedioenlacarga(P
LDC
)
Es la corriente DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresin:

P
LDC
=V
LDC
I
LDC
P
LDC
=(4V
2
m)/(
2
R
L
)

4) Voltajeeficazenlacarga(V
Lef
)
Es la tensin DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresin:

V
Lef
=(1/T)V
2
L
(t)dt=(Vm)/(2)

0

5) Corrienteeficazenlacarga(I
Lef
)
Incluye la corriente DC y los armnicos. Se halla mediante la siguiente
expresin:
ElectrnicaAnalgicaI
36

I
Lef
=(1/T)i
2
L
(t)dt=Vm/(2R
L
)

0

6) PotenciaACpromedioenlacarga(P
LAC
)

P
LAC
=V
Lef
I
Lef
=(V
2
m)/(2R
L
)

7) Eficiencia()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.

P
LDC
4V
2
m/
2
R
L
8
=== =81.06%
P
LAC
V
2
m/2R
L

8) Tensineficazdelrizadoenlacarga(V
LR
)
V
LR
=[V
2
Lef
V
2
LDC
]
1/2
=[V
2
m/24V
2
m/
2
]
1/2
=0.095Vm

9) Factordeforma(FF)
Esla relacindelatensineficazen lacargacon latensinenlacarga.Se
hallamediantelasiguienteexpresin:

V
Lef
Vm/2
FF====1.11
V
LDC
2Vm/22

10) Factorderizado(r)
[V
2
Lef
V
2
LDC
]
1/2

r=V
LR
/V
LDC
==[(1.11)
2
1]
1/2
=0.234
V
LDC

11) Factordeutilizacindeltransformador(TUF)
P
LDC
4V
2
m/
2
R
L
8
TUF====81.06%
V
S
I
S
(Vm/2)(Vm/2R
L
)
2

ElectrnicaAnalgicaI
37
CURVADEREGULACIN:
Cuando la resistencia de carga es menor, la tensin DC disminuye debido a la
resistenciaquetieneneldevanadodeltransformadorylosdiodosrectificadores.Si
se hace un grfico de la tensin DC en la carga vs. la corriente DC en la carga,
tendrlaformasiguiente:

0
VLDC
ILmax
IL

Por ejemplo, la ecuacin de la curva de regulacin de un rectificador de media


ondaes:
Vm
V
LDC
=I
LDC
Rf

Rf es la suma de la resistencia del devanado del transformador y la resistencia


dinmicadeldiodo.

Paraunrectificadordeondacompleta,laecuacindelacurvaderegulacin:

2Vm
V
LDC
=I
LDC
Rf

PROBLEMA 1.7: Se requiere un rectificador de onda completa para alimentar una


cargacon400V
DC
y40A,apartirdelaredde220
VAC
.Determine:

a) Lasespecificacionesdelosdiodos
b) Lasespecificacionesdeltransformador

SOLUCIN:
a) La tensin pico del secundario del transformador la hallamos con la
ecuacindelatensinpromedioparaelrectificadordeondacompleta:
ElectrnicaAnalgicaI
38
2Vm
V
LDC
= =400

Luego: Vm=400/2=628.32V

Como en el rectificador de onda completa cada pareja de diodos conduce
enforma alternadaconlosotros dos,cada parejaentregarlamitaddela
corrienteDCalacarga.

Luego: I
DC
=20A

Especificacindelosdiodos:

Tensininversadepicorepetitivo>628.32V
Corrientepromedio>20A
Corrientedirectadepicorepetitivo>628.32/10=62.8A

b) Podemospartirdelfactordeutilizacindeltransformadorenelrectificador
deondacompleta:

P
LDC
400*40
TUF===0.8106
V
S
I
S
(Vm/2)(Vm/2R
L
)

Luego: Vs*Is=400*40/0.8106=19378,47W
Latensineficazdelsecundarioes: Vs=Vm/2=444.29V
Lacorrienteeficazdelsecundarioes: Is=19378,47/444.29=43.62A
Lapotenciadeltransformadores: Ps=19378,47W

CIRCUITOSENCLAVADORESODEFIJACIN:
Son circuitos cuyo objetivo es desplazar una onda alterna en un nivel positivo o
negativodetensincontinua.

Enlasiguientefigurasemuestraunejemplo:
ElectrnicaAnalgicaI
39
R D1
C1
+
Vo
-
Vg

Duranteelsemiciclonegativodelaentrada,Vg,C
1
secarga,prcticamente,alvalor
picodelaalternadeentrada.

Si la constante de tiempo (RC


1
) es mucho mayor que el perodo de la onda, el
condensadornosedescargarapreciablementeduranteelsemiciclopositivodeVg
y, en la salida, la alterna se presentar desplazada en un nivel DC prcticamente
igualalvalorpicodelatensinVg.

DOBLADORDETENSIN:
Es uncircuitoque recibeuna tensinalterna y entrega unatensincontinuacuyo
voltajeeseldobledelvalorpicodelaalterna.

Estformadoporuncircuitofijadoryundetectordepicos.

Puedenser:

De media onda: Podemos observar, en la siguiente figura, que est


formado por un fijador de tensin y un detector de pico. Durante el
semiciclo positivo conduce D1 y el condensador C1 se carga al voltaje pico
de la alterna. Durante el semiciclo negativo conduce D2 y el condensador
C2secargaaldobledelvoltajepicodelaalterna.

De onda completa: Podemos observar, en la siguiente figura, que el de


ondacompletaestformadopor2detectorespico.Eneldobladordeonda
completa,enelsemiciclopositivoconduceD1yelcondensadorC1secarga
alpicodelaalterna.EnelsemiciclonegativoconduceD2yelcondensador
C2secargaalvoltajepicodelaalterna.AlsumarlastensionesenC1yC2
elvoltajesehaduplicado.

ElectrnicaAnalgicaI
40
+
Vo
-
C1
Vp
C2
D2
Vs
C1
Vs
RL
D1
+
Vo
-
DOBLADOR DE MEDIA ONDA
C2
RL
D1
D2
DOBLADOR DE ONDA COMPLETA

El voltaje de salida no llega instantneamente al doble del valor pico, sino que
subirsuvalorgradualmentey alcanzarel dobledespusde unoscuantosciclos.
Elvoltajedesalidaesunatensincontinua.

Es posible obtener voltajes mayores empleando varios circuitos de este tipo en


cascada.

Invirtiendoambosdiodosseobtienenvoltajesconpolaridadopuesta.

PROBLEMA1.8:Enelcircuitodelafigura,losdiodossonideales.Halle:

a) LagrficadelaformadeondadeV
L
.
b) ElvoltajepicodelrizadoenV
L
.
c) ElvoltajepromediodeV
L
.

50K
220V 60Hz
40 uF
+
VL
-
40 uF

ElectrnicaAnalgicaI
41
Solucin:
a) LagrficadelaformadeondadeV
L
.

0.000ms 50.00ms 100.0ms 150.0ms


700.0 V
500.0 V
300.0 V
100.0 V
-100.0 V
A: c2_2

b) ElvoltajepicodelrizadoenV
L
.
Elvoltajemximoenlasalidaes: Vm=2(220)2=622.25
Elperododelaondadeentradaes: T=1/60=16.67ms

Despreciando el tiempo de carga y asumiendo que el tiempo de carga es


prcticamente igual al perodo, hallamos el voltaje al que se descarga el
condensador:

V1=622.25
16.67/2000
=617V
Elvoltajepicopicodelrizadoes: Vr=622.25617=5.25V
Elvoltajepicoderizadoes: Vr/2=2.625V

c) ElvoltajepromediodeV
L
.
Elvoltajepromedioenlacargaes:
V
LDC
=622.25Vr/2 V
LDC
=619.6V

LIMITADORES: Son circuitos cuyo objetivo es evitar que una seal sobrepase el
niveldetensindeseado.

Puedelimitarseunpicodelasealoambos.

Enlasiguientefigurasemuestranalgunostiposdelimitadores:
ElectrnicaAnalgicaI
42
VCC
R
D
RL
R
Vi
VCC
RL
LIMITADOR DE PICO POSITIVO
Vi
LIMITADOR DE PICO POSITIVO Y NEGATIVO
D
D
VCC

Las fuentes de tensin DC pueden ser reemplazadas por diodos zener o por
resistencias.

ElectrnicaAnalgicaI

43
UNIDADTEMTICA
No.2

FILTROS:
Los filtros son circuitos que dejan pasar frecuencias dentro de un determinado
rango.Fueradeesterango,atenanlassealesosusarmnicas.

TIPOSDEFILTROS:
Podemos clasificarlos segn el rango de frecuencias que dejan pasar. Entre ellos
tenemos:

Filtro pasa bajo: Dejan pasar las frecuencias que estn por debajo de un
determinadovalor(f
L
)

Filtro pasa alto: Dejan pasar las frecuencias que estn por encima de un
determinadovalor(f
H
)

Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangodevalores
(f
L
yf
H
)

Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estn entre un
rangodevalores(f
L
yf
H
)

Filtro pasa todo (o desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero producen
desfasaje.Seleempleacomodesfasador.

FAMILIASDEFILTROS:
Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:

H(s)=N(s)/D(s)

N(s)yD(s)sonpolinomiosens

Hay muchas familias de filtros. Cada filtro de una familia posee una funcin de
transferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosdelafuncin
detransferenciadefinenporcompletolarespuestadelfiltro.Lamayorpartedelos
requisitos que debe cumplir un filtro se satisfacen eligiendo cualquiera de las
siguientesfamilias:

ElectrnicaAnalgicaI

44
1) Butterworth:Sus polos caen dentro de unacircunferencia deradio1 dentro
del plano complejo. El filtro pasa bajo no tiene ceros. Poseen caractersticas
transitorias relativamente buenas. Su respuesta en frecuencia es bastante
planaysuatenuacinesconpendienterelativamenteacentuada.Sepueden
disearconcomponentesdevaloresprcticoscontoleranciaspococrticas

2) Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuacin ms aguda que el


Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; adems su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa
bajo no tiene ceros. La mayor amplitud del rizo hace que la atenuacin sea
ms aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se
localizanenunaelipseenelplanocomplejo.

3) Bessel:Seempleanparalareproduccinfieldelaondadeentrada.Ofrecen,
para ello, un retardo constante en la banda pasante. El filtro pasa bajo no
tiene ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las
familias anteriores, pero sus excelentes propiedades transitorias lo hacen
muytil.

4) Funcin elptica: Su funcin de transferencia posee polos y ceros; esto


permite que su pendiente de atenuacin sea incluso ms aguda que la de la
familia Chebyshev, pero presenta rizado tanto en la banda pasante como en
la rechazada. Sus circuitos son ms complejos, pero requieren menos
seccionesparaunaatenuacindada.

Para construir una fuente de alimentacin necesitamos quedarnos slo con la


componente DC que produce el rectificador y debemos eliminar todos los
armnicos.

Porestarazn,estasfuentesrequierenfiltrospasabajo.Lafrecuenciadecortede
estosfiltrosdebesermenorqueladelarmnicomsbajo.

FILTROSPASABAJO:
Losfiltrospasabajomsusadosenlasfuentesdealimentacinson:

45
FILTROPORCONDENSADOR
Eselmsusadoparacorrientespequeasomedianasdebidoasusencillezybajo
costo.Sufuncionamientosebasaenqueelcondensadoralmacenaenergacuando
el diodo conduce y luego la entrega a la carga cuando el diodo no conduce. Si la
capacidad es grande, no se descarga demasiado y tiende a mantener la tensin
constanteenlasalida.Unodesusprincipalesinconvenientesesquehaceconducir
corrientes muyintensas alos diodos durante pequeosintervalos de tiempo. Sila
capacidad aumenta o la resistencia de carga disminuye, el diodo conduce una
corrientepicomsalta.Lascorrientesdeentradatipoimpulsoquegenera,pasana
la red AC haciendo aumentar su contenido de armnicos y afectan al factor de
potencia.

Enelcasodeunrectificadordeondacompleta:


+
C
D4 D3
D2
D1
60 Hz
VAC RL RL

EnlasiguientegrficasevelaformadeondadecorrientequeentregalafuenteAC
(de17voltiospico),paraunacapacidadde2200Fyunacargade100:

ElectrnicaAnalgicaI

46
Puede observarse que la corriente de entrada no es sinusoidal y posee un alto
contenidodearmnicas.

Anlisisaproximadodelfiltroporcondensador:
Como el condensador entrega energa a la carga cuando los diodos no conducen,
una forma prctica de hacer que la tensin en la carga sea ms constante y
disminuyaelrizadoeshacer: R
L
C >> T/2 para el rectificador de onda completa
R
L
C>>Tparaelrectificadordemediaonda

Enelgrficoanteriorsemuestralaformadevariacindelrizadoenlacargayseve
quepodemosrepresentarelrizadocomosegmentosdebidoaquelaconstantede
tiempo es grande. El flanco de subida corresponde a los instantes que el
condensador carga y los diodos conducen; el flanco de bajada corresponde a los
instantesenqueelcondensadorsedescargaylosdiodosnoconducen.:

Vm
Vldc
VL
0 t
T1
Vr
T2

Los diodos conducen y el condensador se carga durante el tiempo T


1
y los diodos
noconducenyelcondensadorsedescargaduranteeltiempoT
2
.

Hallaremosinicialmenteelfactorderizadoyluegolacurvaderegulacin:
Comoelcircuitoesunrectificadordeondacompleta,Secumple:
47
T/2=T
1
+T
2

Vreselvoltajepicopicodelrizado.
Vmeselvoltajepicodelatensindeentrada.

LatensinDCenlacargasepuedeexpresarcomo: V
LDC
=VmVr/2

Elvoltajeeficazdelaondatriangulardelrizadoesdadopor:V
L
r=Vr/(23)

DuranteeltiempoT
2
,elcondensadorsedescargaenformaprcticamentelineal:

Usandolaecuacindelcondensador:Q=CV=CVr

Entonces: Q/T
2
=CVr/T
2
=I
LDC

I
LDC
eslacorrientecontinuaenlacarga.

PodemosdespejarVrdeestaecuacin: Vr=I
LDC
T
2
/C
Reemplazandoenelvoltajeeficaz: V
L
r=I
LDC
T
2
/(23)C
Comnmentesecumple: T
2
>>T
1
Entonces: T
2
=T/2

Adems: V
LDC
=I
LDC
R
L

Reemplazando: 1
r=
(43)fCR
L

Podemoshallartambinlaecuacindelacurvaderegulacin:

V
LDC
=VmI
LDC
/(4fC)

Estasecuacionesnossirvenparahacereldiseodelfiltro.

PROBLEMA 2.1: Se quiere disear un rectificador con filtro por capacidad para
alimentar una carga con 12Vdc y 1 A con rizado no mayor del 5%, empleando un
rectificadordeondacompletacontomacentral.Determinelacapacidadnecesaria,
laespecificacindelrectificadorylatensindeentradaAC.

SOLUCIN:
Comonosindicanelrizado: 1
0.05=
(43)fCR
L

ElectrnicaAnalgicaI

48
LafrecuenciaACes60Hz

R
L
=12V/1A=12 1
HallamosC: C==4009F
(43)(0.05)fR
L

Elvalorcomercialmscercanoes4700F.Tambinpodemosponer2capacidades
de2200Fenparalelo.Adoptaremosestaltimasolucin.

DelacurvaderegulacinhallamoslatensinpicoACnecesaria:
V
LDC
=VmI
LDC
/(4fC)
Vm=V
LDC
+I
LDC
/(4fC)=12+(1)/(4)(60)(4400*10
6
)=12.95V

Elvaloreficazdelatensindeentradaes: Vs=12.95/2=9.16V

El diodo rectificador necesario deber ser capaz de conducir la mitad de la


corrientepromediodelacarga:0.5A.Sutensininversaeseldobledelvoltajepico
deentrada:26V

La capacidad debe soportar una tensin mxima igual al voltaje pico de entrada:
12.95V

Los componentes elegidos debern soportar ms que los valores calculados para
quepuedantenerunmayortiempodevidatil.

FILTROPORINDUCTANCIA
Estetipodefiltroseusamuchoenequiposcargadoresdebaterasparacorrientes
mediasyaltas.

PartimosdelaseriedeFourierdelasalidadelrectificadordeondacompleta:

2Vm 4Vm 4Vm 4Vm


V
L
(t)=cos(2wt) cos(4wt)cos(6wt)..........
3 15 35
49
D5
L
60 Hz
VAC
D4
D3
D2
D1
RL

En este caso, observamos que el armnico de frecuencia ms baja es el segundo.


Losarmnicossuperiorestienenmenoramplitud.

Lacorrienteenlacargasepuedeexpresarcomo:

2Vm 4Vm 4Vm 4Vm


i
L
(t)=cos(2wt)cos(4wt)cos(6wt).....
Z
(0)
3Z
(2w)
15Z
(4w)
35Z
(6w)

Z
(0)
eslaimpedanciadecargadelrectificadorenDC=R
L

Z
(2w)
eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia2w=R
L
+j2wL
Z
(4w)
eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia4w=R
L
+j4wL
Z
(8w)
eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia6w=R
L
+j6wL

Vemos que la bobina aumenta su reactancia conforme aumenta la frecuencia del


armnico. Adems el armnico disminuye su amplitud conforme aumenta su
frecuencia.

Porello,podemostomarslolosdosprimerostrminosdelaserieydespreciarlos
demsparahacerunanlisisaproximado.

UncriterioprcticoeselegirLdemaneraquecumpla: L>>R
L
/2w

Podemoshallar,acontinuacin,elfactorderizado:
ElectrnicaAnalgicaI

50

RL
L
2Vm/
+
-
D5
(4Vm/3) cos(2wt)

Elvoltajeeficazdelrizadoenlacargasepuedehallarconlaexpresin:

4Vm 2V
LDC

V
L
r==
(32)(1+(2wL/R
L
)
2
) (32)(1+(2wL/R
L
)
2
)

Luego,elfactorderizadoes:
2
r=
(32)(1+(2wL/R
L
)
2
)

Podemoshallartambinlaecuacindelacurvaderegulacin:

2Vm
V
LDC
=I
LDC
Rf

Rfeslaresistenciatotalformadaporlaresistenciadeltransformador,delosdiodos
ydelabobina.

Estasecuacionesnossirvenparahacereldiseodelfiltro.

El diodo D5 es un diodo volante. Se emplea para proteccin del rectificador.


Cuandohayunavariacinbruscadelacorrienteenlabobina,seproduceenellaun
picodetensinquepuedeserexcesivoparalosdiodosdelrectificadorydaarlos.
Eldiodovolanteevitaestepicodetensin.Sutensininversaeslatensinpicodel
voltaje AC y su corriente promedio se puede especificar como 1/3 de la corriente
promediodesalida.

51
FILTROLC
Es otro filtro muy usado para corrientes medias y altas, especialmente en
reguladores de tensin con SCR. La inductancia evita el paso de los armnicos y
deja pasar la continua. El condensador evita que los armnicos lleguen a la carga,
actuando ante ellos como una reactancia pequea y como circuito abierto para la
continua..

A continuacin se muestra un circuito de estos con rectificador de onda completa


contomacentral.

RL
n:1
D2
RD
C Vs
Vs
L
VAC
+
VL
-
D3
D1

AnlisisaproximadodelfiltroLC
AligualqueenelfiltroporinductanciapodemosconsiderarslolaDCyelsegundo
armnico, despreciando los dems. De esta manera, llegamos al siguiente circuito
equivalente:
D3
L
-
(4Vm / 3pi)cos(2wt)
RD + RL C
-
+
2Vm / pi

Uncriterioprcticoparadisearelfiltroeshacer: X
C
<<R
L
//R
D
y X
L
>>X
C

ElectrnicaAnalgicaI

52
LacurvaderegulacinpuedeobtenerseparaDCcomo:

2Vm
V
LDC
=I
LDC
Rf

Rfrepresentalaresistenciadeltransformador(R
T
)mslaresistenciadinmicade
losdiodos(rd)ylaresistenciaDCdelabobina(r
L
): Rf=R
T
+nr
d
+r
L

n=1,paraelrectificadordeondacompletacontomacentral.
n=2,paraelrectificadordeondacompletatipopuente.

Parahallarunaexpresindelfactorderizado,primerohallamoslatensineficaz
delrizadoenlacargayluegolatensinDCenlacarga.

4Vm X
C
(2)V
LDC
X
C

V
L
r==
(32)(X
L
+X
C
) 3X
L

Luego:
2
r=
(3)(2wL)(2wC)

Para:f=60Hz
0.83x10
6

r=
LC LenHenrys y CenFaradios

Inductanciacrtica(L
C
)
Sinohayinductancia,elfiltroactacomoporentradaacondensadorylosdiodos
conducirn corrientes pulsantes slo unos instantes y el resto del tiempo no
conducirn.

Si se pone una inductancia pequea, los diodos conducirn un tiempo un poco


mayor, pero an habrn instantes en que la corriente sea cero en los diodos. Si
seguimos aumentando la inductancia, llegar el momento en que la corriente en
los diodos no ser cero en ningn instante y el filtro actuar como un verdadero
filtro LC. Al valor de inductancia que hace que la corriente en los diodos no sea
cero, se le llama inductancia crtica. Esta condicin se cumple aproximadamente
cuando:
53
V
LDC
2Vm 4Vm
=
R
L
//R
D
(R
L
//R
D
)3X
L

Luego:
2(R
L
//R
D
)
X
L

Paraelsegundoarmnico:R
L
//R
D

L
C

3w

Para:f=60Hz:
R
L
//R
D

L
C
=
1131

Debemoselegirunainductanciaquecumpla:
R
L
//R
D

L>
1131

Resistenciadedrenaje
Vemos que la inductancia crtica depende del valor de R
L
, de manera que si R
L

aumenta, la inductancia crtica tambin; lo que significa que si la carga vara, la


inductanciaquehabremospuestopuedellegaranosersuficiente.Paraevitareste
inconveniente, se emplea la resistencia de drenaje R
D.
Esta resistencia queda
conectadayenningnmomentosedesconectaovara.Deestamanera,aunquese
desconecte la carga, no hay riesgo que la inductancia crtica aumente. La
resistenciadedrenaje debeelegirsedemanera queno disipe demasiada potencia
y,alavez,impidalaelevacindelainductanciacrtica

PROBLEMA2.2:DiseeunrectificadortipopuenteconfiltroLCparaobteneruna
tensin de 65V
DC
y 10 A, con factor de rizado de 0.1%. Especifique todos los
componentesylatensindeentradaalrectificador.

Culeselvoltajepicoderizadoenlacarga?
Asuma:Rt=0.1,Rb=0.1

ElectrnicaAnalgicaI

54
SOLUCIN:
Esquemadelcircuito:
D3 D4
L
RD
D1
Vs D5
D2
220V +/- 10%
+
65 V
-
C
RL

Hallamoslaresistenciadecarga:R
L
=65V/10A=6.5

ElegimosR
D
=10R
L
=65

Hallamoslainductanciacrtica:Lc=R
D
/1131=57.5mH

Hemosasumidoelpeorcaso,cuandoR
L
esdesconectada.

ElegimosL>Lc L=60mH

HallamosCdelaecuacindelfactorderizado:

0.001=0.83x10
6
/LC

C=0.01=0.83x10
6
/(60mH)(0.001)=13,800F C=13,800F

Tensindeentradaalrectificador:

65=(2Vm/)(10)(0.1+0.1)

DespejandoVm: Vm=(652)()/2=98.96V

Leaumentamoslacadadirectaen2diodos: Vp=100.36V

55
Elvoltajeeficazdelsecundarioser: Vs=Vp/(2)
1/2
=71V Vs=71V

Especificaciones: Condensador: 13,800F/65V


Bobina: 60mH/10A
Diodos: 5A/10.36V
Diodovolante: 4A/65V
Resistenciadedrenaje: 65/65W
Transformador: 220V71V/750W

Voltajepicodelrizadoenlacarga:
Reactanciadelabobinaalsegundoarmnico:XL=(2)()(120)(60mH)=45.24

Reactanciadelcondensadoralsegundoarmnico:XC=1/(2)()(120)(0.0138)=
0.1

ElvoltajepicodelsegundoarmnicoalasalidadelrectificadoresV
2
=4Vm/3El

Luego:V
2
=42V

Latensinpicodelrizadoenlacargaes:Luego:V
2L
=42(0.1)/(45.14)=0.09V

V
2L
=0.09V

FILTRODELCDEVARIASSECCIONES
Cuandosequieremejorarmselfiltrado,sepuedenempleardosomssecciones
defiltroLCencascada.Enelsiguientegrficoseveunodedossecciones:

RD D2
L1
Vs
220Vac
RL
T1
D2
Vs C2
L2
C1
D1

Para el anlisis podemos seguir los mismos criterios que para el filtro LC y hallar
unaexpresinaproximadaparaelfactorderizado:

ElectrnicaAnalgicaI

56
2X
C1
X
C2
2
r==
3X
L1
X
L2
3(4w
2
)
2
L
1
C
1
L
2
C
2

ConlasmismasaproximacionesdelfiltroLCsepuedeextenderparaunfiltroden
seccionesiguales:

2
r=
(3)(4w
2
)
n
(LC)
n

ParalainductanciacrticabastasloconsiderarlabobinaL1

FILTRO
Estefiltropermiteobtenerunrizadomuypequeo.Comoempleacondensadorde
entrada, tiene los mismos inconvenientes que el filtro por capacidad. Se usa
cuandosequiere,conelmismotransformador,tenermstensindesalidaquela
quepuedeobtenerseconunfiltroLCydisminuirelrizado.

Acontinuacinsemuestrauncircuito:

C2
D1
Vs
Vac
RL
T1
L1
D3 D4
C1
D2

El anlisis se puede comenzar a partir de la serie de Fourier del rizado diente de


sierradelcondensadorC
1
:
57

Vr sen(4wt) sen(6wt)
V
C1
=V
DC
[sen(2wt)+....]
2 3

Adems:

Vr=I
LDC
T
2
/C
1
=I
LDC
/2fC1

Despreciandolosarmnicossuperiores,latensineficazdelsegundoarmnicoes:
Vr
ef
=Vr/(2)=2I
LDC
X
C1

Utilizando los mismos criterios que para el filtro LC podemos hallar el factor de
rizado:

X
C1
X
C2

r=2
R
L
X
L1

ElectrnicaAnalgicaI

59
UNIDADTEMTICA
No.3

ELTRANSISTORBIPOLAR(BJT)
A los dispositivos que se construyen con combinaciones de bloques formados de
semiconductores N y P se les llama genricamente transistores (de: Transfer
Resistor).

Durante 1945 a 1949 el grupo de la compaa Bell desarroll la teora de los


transistores,laverificexperimentalmenteyfueronconstruidosdiodosytriodos.

Enelaode1956Bardeen,ShockleyyBrattainrecibieronelPremioNobeldeFsica
porelbrillantetrabajoquedesembocenlainvencindeltransistor.

Hemos de mencionar que Bardeen recibi en 1972 nuevamente el Premio Nobel


de Fsica, ahora en compaa de J. R. Schrieffer y L. N. Cooper, por haber
desarrolladolateoradelasuperconductividad.

Lostransistorestienenvariasventajassobrelostubosalvaco:

En primer lugar, para que funcione un tubo al vaco su ctodo debe


calentarse,yestoselograpasandounacorrienteporunfilamentocercano
al.

El voltaje tpico que se requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez
conectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que
secalienteelctodo.

Por tanto, cualquier aparato que use tubos al vaco no funciona


inmediatamentedespusdehaberseconectado.

El transistor no requiere este calentamiento, por lo que empieza a


funcionar inmediatamente despus de su conexin. En consecuencia, el
usodeuntransistorenlugardetubosalvacoahorramuchaenerga,ypor
tanto,resultamseconmico.

Ensegundolugar,larespuestadeltransistorasealesdefrecuenciasmuy
altasesmuyefectiva,locualnoocurreconlostubosalvaco.

ElectrnicaAnalgicaI

60
Como el tamao de un transistor es mucho menor que el de los tubos al
vaco,conlseinicilaminiaturizacindelosaparatoselectrnicos.

Elinventodeltransistorabriunanuevaeraenlacivilizacinmoderna,ya
que se le pudo utilizar de manera muy general en una gran variedad de
aparatos. En las dcadas de 1950 y 1960 se construyeron radios,
computadoraselectrnicas,aparatosdecontrolindustrial,etc.,quegracias
a los transistores adquirieron un tamao relativamente pequeo,
porttiles,connecesidadesdeenergamuyreducidosydelargavida.

Engranmedida,enlasdcadasmencionadaslostransistoressustituyerona
los tubos al vaco. Sin embargo, para ciertas aplicaciones muy especficas
los tubos han tenido ventajas sobre los transistores. As, se emplean para
transmisores de radio de potencia alta y mediana, para amplificadores de
microondas y osciladores, para tubos de rayos catdicos como los que se
usan en los televisores, monitores, pantallas de diversos aparatos, en
equiposprofesionalesdeaudio,etctera.

REPRESENTACINDELTRANSISTORBIPOLAR
Lossiguientesesquemasmuestranlarepresentacindeltransistorensuformade
construccin y smbolo circuital. El transistor PNP se puede interpretar como dos
diodos unidos por su ctodo. El transistor NPN se puede interpretar como dos
diodos unidos por su nodo. Estas representaciones permiten idear la forma de
probarelbuenestadodeltransistormidiendolasunionesconunmultmetro.

Susterminalessondenominados:

E=Emisor(ingresalascargasaldispositivo)
C=Colector(recibelascargasqueprovienendelemisor)
B=base(controlaelflujodecargasalcolector)

Paraobtenerel efecto amplificador deltransistorse hace quela basesea angosta


en comparacin con las regiones de colector y emisor. Adicionalmente, la
concentracin de impurezas es menor en la base para lograr que las regiones de
transicin sean mayores en ella, lo cual permite reducir su ancho efectivo y
aumentarlaganancia.

ElectrnicaAnalgicaI

61
NPN
B
B
C
P
C
B
P
C
E C
N
PNP B
E
C
N
E
E E
P N
E
B
B
C

Esquemasdeltransistorbipolar

REGIONESDETRABAJOENELTRANSISTORBIPOLAR:
ComoelBJTposeedosunionesPNysabemosqueellaspuedenserpolarizadasen
forma directa o inversa, surgen 4 formas posibles de polarizacin, las cuales se
indicanenlasiguientetabla:

Je=Junturadeemisor PD=Polarizacindirecta
Jc=Junturadecolector PI=Polarizacininversa

TRANSISTORPNP
TENSION Je Jc ZONA CARACTERISTICA
V
EB
>0,V
CB

>0
PD PD SATURACIN
Se comporta como
interruptorcerrado
V
EB
<0,V
CB

<0
PI PI CORTE
Se comporta como
interruptorabierto
V
EB
>0,V
CB

<0
PD PI ACTIVA
Se comporta como
amplificador
V
EB
<0,V
CB

>0
PI PD
ACTIVA
INVERSA
Se comporta como
amplificador con muy
bajaganancia

ElectrnicaAnalgicaI

62

TRANSISTORNPN
TENSION Je Jc ZONA CARACTERISTICA
V
BE
>0,V
BC

>0
PD PD SATURACIN
Se comporta como
interruptorcerrado
V
BE
<0,V
BC

<0
PI PI CORTE
Se comporta como
interruptorabierto
V
BE
>0,V
BC

<0
PD PI ACTIVA
Se comporta como
amplificador
V
BE
<0,V
BC

>0
PI PD
ACTIVA
INVERSA
Se comporta como
amplificador con muy
bajaganancia

Las zonas de corte y saturacin son empleadas comnmente en los


circuitosdigitales.
Lazonaactivaseempleacomnmenteencircuitosanalgicosdebidoaque
aheltransistorpuedeamplificarseales.
La zona activa inversa se emplea tambin en algunos tipos de circuitos
digitales,talescomolascompuertaslgicasTTL

Modelomatemticodeltransistorbipolar:
UnodelosmodelosmuyusadosenelanlisisdecircuitoseseldeEbersMoll.

ComoeltransistoresformadopordosunionesPN,lasecuacionestienenlaforma
deladeldiodo,tantoparalaunindeemisorcomoladecolector:

IE=[IEBO/(1
N

I
)](
VBE/VT
1)+[
I
ICBO/(1
N

I
)](
VBC/VT
1)
IC=[
N
IEBO/(1
N

I
)](
VBE/VT
1)[ICBO/(1
N

I
)](
VBC/VT
1)

Adems,setienemediantelasleyesdeKirchhoff:
IE=IB+IC VCE=VCB+VBE

EnlazonaactivalasecuacionesdeEbersMollsereducena:
IE=[IEBO/(1
N

I
)]
VBE/VT
[
I
ICBO/(1
N

I
)]
IC=[
N
IEBO/(1
N

I
)]
VBE/VT
+[ICBO/(1
N

I
)]

Definiendo:
=
N
/(1
N
)

ElectrnicaAnalgicaI

63
SellegaalasiguienteecuacinparaIC:
IC=IB+(1+)ICBO

Curvasdeltransistorbipolar:
El transistor posee un conjunto de curvas que representan la relacin entre sus
corrientesytensionesexternas.

Curvadetransferencia:
Se emplea como entrada la juntura baseemisor. Por ello, las curvas de entrada
tendrn mucha similitud con la curva del diodo. En realidad son una familia de
curvas que dependen de la tensin colectoremisor, pero se considera una sola
porquetiendenaestarmuyjuntas.

Enlasiguientegrficaselemuestra:

0 5 10 15 20 25
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
CURVA DE TRANSFERENCIA DEL TRANSISTOR
VBE / VT
I
E

CURVASDESALIDA:
Las curvas ms usadas son la que relacionan I
C
vs V
CE
usando como parmetro la
corrientedebase(I
B
)
ElectrnicaAnalgicaI

64

Vemosqueposeevariaszonasdeoperacin:
En la zona de saturacin, acta como interruptor cerrado (tensin pequea,
corrientealta)

En la zona de corte, acta como interruptor abierto (tensin alta, corriente


pequea)

En la zona activa acta como amplificador, Para seales de entrada pequea se


comportalinealmente.

Enlazonaderupturamanejatensionesycorrientesaltas,conunagrandisipacin
depotencia.Comnmenteseevitatrabajarenestazonaparaevitarladestruccin
deltransistor.

Elpuntodeoperacin:
DadoqueelBJTposeevariaszonasdetrabajo,esnecesariodarleunacoordenada
en base a tensiones y corrientes constantes para ubicarlo en una de ellas. A esta
coordenadaseledenominapuntodeoperacin(Q).

Ennuestrocursoestudiamossuusocomoamplificador.Porello,debemosponerlo
en la zona activa. Sabemos que, en este caso, debe tener su unin baseemisor
polarizadadirectamenteysuuninbasecolectorpolarizadainversamente.

Aesteproceso,dedarleunpuntodeoperacin,selellamapolarizacin.

Mtodosdepolarizacin.Comparacinentrelosdiferentesmtodos:
Acontinuacinveremosdiferentesformasdepolarizaraltransistor.
ElectrnicaAnalgicaI

65
PNP
POLARIZACIN BASICA
NPN
VEB VBE
RC
RC
RB RB
VBC VCB

RB Y RC limitan las corrientes que circulan en el transistor. Este mtodo requiere


dosfuentesyporellonoesprctico.

Losmtodosprcticossonlossiguientes:

Polarizacinfija:
Estemtodoessencillo,fcildedisearyutilizaslounafuente.Suinconveniente
est en que el punto de operacin vara mucho con la temperatura, es decir, no
tiene estabilidad. Esto se debe a la gran sensibilidad de los semiconductores a los
cambiosdetemperatura.

Parapoderhacerbuenosamplificadores,unrequisitoesqueelpuntodeoperacin
tengaestabilidadtrmica.

POLARIZACIN FIJA
VCC
NPN
RC
VCC
RC
PNP
RB RB

PolarizacinColectorBase:
Este mtodo es un poco ms complejo que el anterior, pero posee mejor
estabilidad.Tambinutilizaunasolafuente.
ElectrnicaAnalgicaI

66
POLARIZACIN COLECTOR-BASE
VCC
NPN
RC
VCC
RC
PNP
RB RB

Autopolarizado:
Este mtodo es muy usado porque posee muy buena estabilidad trmica, aunque
sudiseoesmscomplejo.

R2
R1
AUTOPOLARIZADO
VCC
RC
NPN
RE
RC R1
PNP
RE R2
VCC

Obsrvese que en el caso de transistores PNP, la fuente de alimentacin y las


corrientesestninvertidasrespectoalNPN.

Los mtodos anteriores permiten otras formas basadas en combinaciones entre


ellos:
ElectrnicaAnalgicaI

67
RB
METODOS ALTERENATIVOS
NPN
VCC
RC
VCC
NPN
RE
RE
RE
VCC
RC RB RC
PNP
RE
PNP
RB RB
VCC
RC

Polarizacinmediantefuentesdecorriente:
Estos mtodos son muy usados, especialmente en circuitos integrados, porque
permiten economizar espacio, muy buena estabilidad y lograr la mxima
amplificacin.

POLARIZACION CON FUENTE DE CORRIENTE


IE
NPN
VCC
RC
VCC
NPN
RE
IE
RE
IE
VCC
RC
IC
PNP
PNP
RB RB
VCC

Estabilizacindelpuntodeoperacin:
Comoyasehamencionado,esnecesarioqueelpuntodeoperacinseaconstante
y no vare por efectos de la temperatura, rizado de la fuente de alimentacin,
cambiodelosparmetrosdeltransistor,etc.

Lastcnicasquepermitenestabilizarelpuntodeoperacinpuedenclasificarseen
doscategoras:

1) Tcnicas de estabilizacin: Utilizan circuitos de polarizacin resistivos que


mantienenICrelativamenteconstanteantevariacionesdeICBO,VBEy.

2) Tcnicas de compensacin: Utilizan dispositivos sensibles a la temperatura


como termistores, transistores, diodos, etc. que entregan corrientes y
tensiones de compensacin que mantienen al punto de operacin
prcticamenteconstante.
ElectrnicaAnalgicaI

68

Tcnicasdeestabilizacin:
El punto de operacin de un transistor puede variar por cambios sufridos en la
corriente inversa de la juntura ColectorBase (ICBO), por las variaciones de la
tensin BaseEmisor (VBE), la ganancia (), variaciones de la fuente de
alimentacin,loscomponentesdelcircuito.

La variacin de la corriente de colector debido a estos parmetros podemos


expresarlaaproximadamentepor:

IC=S
I
ICBO+S
V
VBE+S

+S
VCC
VCC+SR1R1+....

S
I
= Factordeestabilidaddecorriente.
S
V
= Factordeestabilidaddetensin.
S

= Factordeestabilidaddeganancia.
S
VCC
= Factordeestabilidaddelafuente.
SR1= FactordeestabilidaddelaresistenciaR1.
IC= Variacintotaldelacorrientedecolector.
ICBO=VariacintotaldelacorrienteICBO
VBE=VariacintotaldelatensinBaseEmisor
= Variacintotaldegananciadecorriente
VCC=Variacintotaldefuentedealimentacin.
R1= VariacintotalderesistenciaR1

Cadafactordeestabilidadpuededeterminarseasumiendoquelasdemsvariables
Semantienenconstantes.

ElfactordeestabilidadS
I
seobtieneconlasiguienteecuacin:
S
I
=IC/ICBO, cuando:VBE=0y=0

MientrasmsgrandeesS
I
,elpuntodeoperacinesmsinestable.Elmnimovalor
posibledeSIes1.

LoscircuitosqueestabilizanelpuntodeoperacinrespectoavariacionesdeICBO,
tambinsecomportansatisfactoriamenteantevariacionesdeVBE,,etc.Porello,
bastaobtenerunbuenfactordeestabilidadS
I
.

Laecuacingeneralquegobiernalacorrientedecolectordeltransistores:

IC=IB+(1+)ICBO

ElectrnicaAnalgicaI

69
DerivandorespectoaICobtenemos:

S
I
=(1+)/(1dIB/dIC)

De esta ecuacin concluimos que para valores grandes de , SI se aproxima a la


unidad.

El trmino dIB / dIC se obtiene a partir del circuito que utilicemos. Para el clculo
deS
I
seconsideraqueVBE,,etc.novaran.

Tomemos como ejemplo el circuito autopolarizado, cuyo equivalente de thevenin


seencuentraacontinuacin:

NPN
R2
RBB
RC
VBB
NPN
RC
VCC VCC
R1
RE RE
RBB = R1//R2
VBB = VCC R2/(R1 + R2) = VCC RBB/R1

EnlamallaBaseEmisorpodemosplantearlasiguienteecuacin:
VBB=IBRB+VBE+(IC+IB)RE

DerivandoestaecuacinrespectoaIC:
dIB/dIC=(Re/(Re+RBB))

ReemplazandoenlaecuacindeSIobtenemos:
S
I
=(1+RBB/Re)/(1+(RBB/(1+)Re))

Sihacemos:RBB=(1+)Re/10,tendremos:S
I
=(11+)/11

Para un valor de = 50 , se tiene: SI = 5.55; el cual es un buen factor, siendo 3 el


valorptimo.Tambinobservamosquesiesmsgrande,elfactordeestabilidad
empeora.Porejemplo,si:=100,S
I
=10.1.Enestecasoelfactordeestabilidadha
aumentado y tendremos que elegir otra relacin de RBB con RE para mantener S
I

pequeo.

ElectrnicaAnalgicaI

70
Tcnicasdecompensacin:
Paraobtenermejorregulacinycompensacindetemperaturaconlaredresistiva,
se puede conectar un diodo entre las base y referencia de los transistores. Estos
diodos deben elegirse cuidadosamente para permitir la exacta cada de voltaje
necesaria.Pero,siestapolarizacincambiaconlaedaddelequipo,lapolarizacin
tambinsufrircambios.

Si por cualquier motivo (variacin de temperatura ambiente, calentamiento del


transistor, etc.) la temperatura del transistor vara, esto causa una variacin de la
tensinbaseemisor(aproximadamente2.5mV/C).

Una forma de evitar estos efectos indeseables es haciendo que la tensin de


polarizacin vare de manera similar a la variacin de V
BE
con la temperatura, lo
cual se logra colocando, en paralelo con R2
,
un termistor NTC (Negative
TemperatureCoefficient)desimilarcoeficientedetemperaturaqueeldiodobase
emisor.Deestaformalatensineneltermistordisminuirdelmismomodocomo
V
BE
disminuye manteniendo siempre la corriente de colector (proporcional a la
corrientedebase)enunvalorcasiconstante.

A continuacin se muestran formas tpicas de polarizacin con compensacin de


temperatura. En la figura a se coloca una resistencia en paralelo con el termistor
con el fin de aproximar el coeficiente de temperatura equivalente al del diodo
baseemisor.

Enlafigurabesmostradalapolarizacinpor diodo,estostrabajanpolarizadosen
sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura que el
correspondientealdiodobaseemisordeltransistor.

Se aumenta mucho ms la estabilidad contra variaciones de temperatura


colocandounresistorenelemisordeltransistor(figurasa,byc).

ElectrnicaAnalgicaI

71
NPN
RC
RE
(a)
Q2
R1
VCC
(b)
NPN
t
NPN
R2
D
(c)
RE
R2
R1
VCC VCC
RC
RE
RC R1

La compensacin puede hacerse ms efectiva cuando se emplea un transistor


regulador. Dado que el punto de operacin es difcil de mantener, podemos usar
un transistor regulador de voltaje y lograr controlar fcilmente al punto de
operacinajustndolomedianteunpotencimetro.

EnlafiguraceltransistorQ2seencargadecontrolarenformaprecisaelpuntode
operacin del transistor principal, actuando como regulador. Tambin compensa
automticamentecontravariacionesdetemperatura.

Rectasdecarga:RectadecargaDC.RectadecargaAC.
ParaelestudiodeloscircuitosutilizamoslasleyesdeKirchhoffylaleydeOhm.

Enelsiguientecircuitousadocomoamplificador:

RC
Vg
R1
VCC
CE
C
RE
R2

Lacorriente decolector estformadaporlacorrientedelpuntodeoperacinyla


corrientedeseal: IC=ICQ+ic

Enformaanlogaparalatensin: VCE=VCEQ+vce
ElectrnicaAnalgicaI

72
PlanteandolaleydeKirchhoffenlamallacolectoremisor:
VCC+0=ICQRC+VCEQ+IEQRE+icRC+vce

Aqu se han considerado muy pequeas las reactancias de los condensadores a la


frecuenciadelaseal.

Los3primerostrminosdeladerechasonDCysecumple:
VCC=ICQ(RC+(1+1/)RE)+VCEQ

YrecibeelnombredeRectadecargaesttica(oDC)

Los2trminossiguientesdeladerechasonACysecumple:
0=+icRC+vce

YrecibeelnombredeRectadecargadinmica(oAC)

Lo anterior indica que podemos estudiar al amplificador slo en DC y luego slo


enAC.

Estasecuaciones puedensergraficadasenlascurvasdesalidadeltransistoryson
unparderectas.

Configuracionesdeltransistor:Emisorcomn,colectorcomnybasecomn.
El transistor posee 3 terminales y podemos considerarlo como un cuadripolo,
siempre que tomemos un terminal comn a la entrada y a la salida, como se
observaenlassiguientesfiguras.

+
vec
-
ib
C
E B
+
vbe
-
B
E
E
EMISOR COMUN
C
E C
C
B
ic
+
vcb
-
ib
BASE COMUN
+
vce
-
+
vbc
-
+
veb
-
COLECTOR COMUN
ic ie ie
B

En cada una de ellas el transistor posee diferentes propiedades, por lo que es


necesarioestudiarlas.

Enemisorcomn(EC):
Laentradaeslauninbaseemisorylacorrientedebase.
Lasalidaesentrecolectoremisorylacorrientedecolector.

ElectrnicaAnalgicaI

73
Enbasecomn(BC):
Laentradaeslauninemisorbaseylacorrientedeemisor.
Lasalidaesenlaunincolectorbaseylacorrientedecolector.

Encolectorcomn(CC):
Laentradaeslauninbasecolectorylacorrientedebase.
Lasalidaesentreemisorcolectorylacorrientedeemisor.

Modelosdebajafrecuenciaypequeasealdeltransistor:
Cuando trabaja en la zona activa, con seales pequeas, el transistor puede ser
representado por un modelo de cuadripolo lineal. Esto podemos explicarlo en la
siguienteforma:

IE=[IEBO/(1
N

I
)]
VBE/VT
=IES
VBE/VT

IC=IEs
VBE/VT

Si: V
BE
=V
BEQ
+v
be

V
BEQ
=TensinDCdelpuntodeoperacin
v
be
=Tensindeseal

ReemplazandoenIc: Ic=Iese
(VBEQ+vbe)/VT
=Iese
VBEQ/VT
e
vbe/VT

Siv
be
espequeaseal: Ic=I
EQ
e
vbe/VT

Eldesarrollodelaexponencialenseriesdepotenciaes:

x
=1+x/1!+x
2
/2!+x
3
/3!+.....

Sisecumple: x=vbe/V
T

<<1,laexponencialsepuederepresentarporunarecta
yeltransistortendruncomportamientolineal:
e
vbe/VT
=1+

vbe/V
T

Reemplazando:
Ic=I
EQ
(1+

vbe/V
T
)=I
EQ
+I
EQ
vbe/V
T
=I
CQ
+gmvbe

Donde:gm=transconductanciaparapequeaseal=I
EQ
/V
T

I
CQ
=I
EQ

Entonces, para seales pequeas el transistor se comporta en forma lineal y


podemosusarlateoradecuadripoloslinealespararepresentarlo.

ElectrnicaAnalgicaI

74
Para tener operacin con pequea seal, debe cumplirse que la amplitud mxima
delasealseamuchomenorqueV
T
: v
be
<<V
T

Atemperaturaambiente: v
be
<<25.8mV

Tomandounarelacinde101: v
be
2.6mV

Cuando trabajemos con seales pico menores o iguales a 2.6 mV, estaremos
trabajandoconsealespequeas.Cuandosepuedaaceptarunniveldedistorsin
mayor, podremos utilizar ms tensin de seal, pero sin sobrepasar los 26 mV a
temperaturaambiente.

Los modelos de cuadripolos ms usados para representar al transistor son los de


parmetroshbridos(H),losparmetrosadmitancia(Y),losparmetrosimpedancia
(Z)ylosparmetrosK.Deestos4,losmsusadossonlosparmetroshbridosylos
parmetrosadmitancia.

MODELOT:
ElmodeloTsecaracterizaporqueestbasadoenlaestructurafsicadeltransistor
ypermiteexpandirsealmodelohbrido(odeGiacoletto).Elmodelosemuestra
acontinuacin,paraelcasodeuntransistorNPN:
C
E
Ib Ib
(C)
C
E
(A)
N
B
B Ib
B
(B)
B
N
re
E
Ib
C
B Ib
P

En la figura (A) se muestra la forma de construccin del transistor. Cuando el


transistoractacomoamplificador,debeserpolarizadoenlazonaactiva.Paraello,
la juntura baseemisor debe polarizarse directamente y la juntura basecolector
inversamente.
ElectrnicaAnalgicaI

75
La figura (B) muestra el comportamiento del transistor en El caso indicado
anteriormente. La juntura base emisor acta como un diodo y presenta
comportamiento no lineal. La juntura basecolector acta como una fuente de
corrientecontroladaporIb,lacorrientedebase.

Si el transistor trabaja con pequea seal, al diodo base emisor podemos


reemplazarloporsuresistenciadinmica,talcomosemuestraenlafigura(C).Esta
resistenciasepuedehallarfcilmenteenlamismaformaqueladeldiodo:

r
e
=V
T
/I
EQ

Donde: V
T
=Tensintrmica(25.8mVatemperaturaambiente).
I
EQ
=Corrientedeemisorenelpuntodeoperacin.

Modelo de parmetros admitancia del transistor. Frmulas de conversin de los


parmetrosdelastresconfiguracionesdeltransistor.

Modelodeparmetroshbridos:
Estemodeloseusabastanteenbajafrecuencia

Lasvariablesindependientesson:Lacorrientedeentradaylatensindesalida.

Modelodeemisorcomn:
+
vbe
-
ib ic
+
vce
-


vbe=hieib+hrevce
ic=hfeib+hoevce

notacinmatricial:
ib
vce
hie hre
hfe hoe
vbe
ic

ElectrnicaAnalgicaI

76
El determinante de la matriz cuadrada de parmetros hbridos en emisor
comnes:Dhe=hiehoehfehre

Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:

E
1 / hoe
+
hre vce
B
-
hie +
vce
-
hfe ib
ib ic
E
+
vbe
-
C

Modelodebasecomn:

+
veb
-
ie ic
+
vcb
-

veb=hibie+hrbvcb
ic=hfbie+hobvcb

notacinmatricial:
ie
vcb
hib hrb
hfb hob
veb
ic

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros hbridos en base


comnes:Dhb=hibhobhfbhrb

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
ElectrnicaAnalgicaI

77

B
1 / hob
+
hrb vcb
E
-
hib
+
vcb
-
hfb ie
ie ic
B
+
veb
-
C

Modelodecolectorcomn:

+
vbc
-
ib ie
+
vec
-

vbc=hicib+hrcvec
ie=hfcib+hocvec

notacinmatricial:

ib
vec
hic hrc
h
hfc hoc
h
vbc
ie

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros hbridos en colector


comnes:Dhc=hichochfchrc

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
C
1 / hoc
+
hrc vec
B
-
hic +
vec
-
hfc ib
ib ie
C
+
vbc
-
E

ElectrnicaAnalgicaI

78
Puedenhacerseconversionesdeparmetrosdeunaconfiguracinaotra.Comoel
cuadripolo es lineal, sus parmetros no dependen de las variables y podremos
hacerunadelasvariablesceroparacalcularlos.

Problema3.1:HalleLosparmetroshbridosenemisorcomnenfuncindelosde
basecomn.

Modeloenbasecomn:


B
1 / hob
+
hrb vcb
E
-
hib
+
vcb
-
hfb ie
ie ic
B
+
veb
-
C

Lodibujamosenemisorcomn:
hrb vcb
E E
1 / hob
ie
+
hib
+
vce
-
+
vbe
-
hfb ie
ic
B
ib
-
C

Lasecuacionesparaemisorcomnson: vbe=hieib+hrevce
ic=hfeib+hoevce
Haciendovce=0podemoshallar:
hie=vbe/ib y hfe=ic/ib

ElectrnicaAnalgicaI

79
Efectuando:
hrb vcb
E E
1 / hob
ie
+
hib
+
vce = 0
-
+
vbe
-
hfb ie
ic
B
ib
-
C

Enelcircuitoresultanteobservamos: vbe=veb, vcb=vbe, ib=ieic

Adems: vbe=hibie+hrbvcb=hib(ibic)hrbvbe
vbe=hib(ib+ic)+hrbvbe
(1hrb)vbe=hibib+hibic ........(1)

Tambin: ic=hfbie+hobveb=hfb(ibic)hobvbe
(1+hfb)ic=hfbibhobvbe........(2)

Reemplazando2en1:
(1hrb)vbe=hibib+hib[(hfb/(1+hfb))ib(hob/(1+hfb))vbe
[(1hrb)(hibhob/(1+hfb)]vbe=[hib/(1+hfb)]ib

hib hib
hie==
1+hfbhrb+Dh
b
Hb

Donde:
Hb=1+hfbhrb+Dh
b
yDhb=hibhobhrbhfb

Acontinuacin:
De2: vbe=((1+hfb)/hob)ic(hfb/hob)ib................(3)

Reemplazando3en1:
[((1hrb)(1+hfb)/hob]ic(1hrb)hibic=[hfb/hob+hib]ib

ElectrnicaAnalgicaI

80
(hfb+Dh
b
)
hfe=
1+hfbhrb+Dh
b

Haciendoib=0podemoshallar:

hre=vbe/vce y hoe=ic/vce

Efectuando:
C
+
vbe
-
ie
V3
hrb vcb
B
1 / hob
ib = 0
E
+
vce
-
ic
hib
-
E
+
hfb ie

Delcircuitoobtenemos: ie=icvbe=iehibhrbvcb vcb=vcevbe


vce=ic/hobhfbie/hob+vbe)

Luego: vbe=ichibhrb(vcevbe)........(4)
(1+hfb)ic=hob(vcevbe)/(1+hfb)..........(5)

Reemplazando5en4:
vbe=hrbvce+hibhob(vcevbe)....................................(6)

De6:
Dhbhrb
hre=
Hb

Finalmente,
De4y6:

ElectrnicaAnalgicaI

81
hob
hoe=
Hb

PROBLEMA3.2:Enelcircuitomostradodetermine:

a)Elvalordehi
b)Elvalordehf
c)Elvalordehr
d)Elvalordeho

V1=hiI1+hrV2
I2=hfI1+hoV2

10K gmV1
100K
I1
100K
+
V1
-
+
V2
-
I2

gm=2mS

Solucin:
a) Elvalordehi:
Modeloparahallarhiyhf:
gmV1
I2
10K
I1
+
V1
-
100K
100K

Planteamosecuaciones:
I1=V1/10K+V1/100K
hi=V1/I1=10K//100K=9.09Khi=9.09K

ElectrnicaAnalgicaI

82
b) Elvalordehf:
Enelcircuitoanterior: I2=gmV1V1/100K=gm(hiI1)(hiI1)/100K

hf=I2/I1=gm(9.09K)(9.09K)/100K=9.09K(2mS)0.091
hf=18.09

c) Elvalordehr:
Modeloparahallarhryho:

gmV1
I2
10K
I1 = 0
+
V2
-
+
V1
-
100K
100K

Planteamosecuaciones:
V1=V2(10K)/(10K+100K)
hr=V1/V2=10K/(10K+100K)=0.091
hr=0.091

d) Elvalordeho:
I2=V2/100K+gmV1+V2/(100K+10K)=V2(1/100K+1/110K)+gmhrV2
ho=I2/V2=1/100K+1/110K+0.091(2mS)
ho=0.20mS

Valorestpicosdelosparmetroshbridos:

BASECOMUN EMISORCOMUN COLECTORCOMUN


hib=21.6 hie=1100 hic=1100
hrb=2.9x10
4
hre=2.5x10
4
hrc=1
hfb=0.98 hfe=50 hfc=51
Hob=0.49x10
6
S hoe=25x10
6
S hoc=25x10
6
S

Enlasiguientetablasemuestranlasfrmulasdeconversindelosparmetros
hbridos,deunaconfiguracinaotra:

ElectrnicaAnalgicaI

83

BASECOMUN EMISORCOMUN COLECTORCOMUN
hib hie=hib/Hb hic=hib/Hb
hib=hie/He hie hic=hie
hib=hic/Hc hie=hic hic
hrb hre=(Dhbhrb)/Hb hrc=(1+hfb)/Hb
hrb=(Dhehre)/He hre hrc=1hre
hrb=(1+hfc)/Hc hre=1hrc hrc
hfb hfe=(hfb+Dhb)/Hb hfc=(hrb1)/Hb
hfb=(hfe+Dhe)/He hfe hfc=(1+hfe)
hfb=(hrc1)/Hc hfe=(1+hfc) hfc
hob hoe=hob/Hb hoc=hob/Hb
hob=hoe/He hoe hoc=hoe
hob=hoc/Hc hoe=hoc hoc
Dhb=hibhobhrbhfb Dhe=hiehoehrehfe Dhc=hichochrchfc
Hb=1+hfbhrb+Dhb He=1+hfehre+Dhe Hc=1+hfchrc+Dhc

La demostracin de todas estas ecuaciones es un buen ejercicio para practicar las


leyesdeKirchhoff,laleydeOhmyelfuncionamientodelasfuentesdependientes.

PARAMETROSK:
Estemodelotambinseusapararepresentaraltransistor.Lasvariablessedefinen
en forma opuesta que en parmetros hbridos. Es til cuando la excitacin es con
fuentedecorrienteylasalidaesunaconexinserie.

Lasvariablesindependientesson:Latensindeentradaylacorrientedesalida.

Modelodeemisorcomn:
ib=kievbe+kreic
vce=kfevbe+koeic
notacinmatricial:


vbe
ic
kie kre
kfe koe
ib
vce

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskenemisorcomnes:
ElectrnicaAnalgicaI

84
Dke=kiekoekfekre

Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:

ic
E
+
vce
-
ib
+
B
-
E
kfe vbe
1 / kie
kre ic
C
koe
+
vbe
-

Modelodebasecomn:
ie=kibveb+krbic
vcb=kfbveb+kobic

notacinmatricial:

veb
ic
kib krb
kfb kob
ie
vcb

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskenbasecomnes:
Dkb=kibkobkfbkrb

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
ic
B
+
vcb
-
ie
+
E
-
B
kfb veb
1 / kib
krb ic
C
kob
+
veb
-

Modelodecolectorcomn:
ib=kicvbc+krcie
vec=kfcvbc+kocie
ElectrnicaAnalgicaI

85
notacinmatricial:

vbc
ie
kic krc
h
kfc koc
h
ib
vec

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskencolectorcomn
es: Dkc=kickockfckrc

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:

ie
C
+
vec
-
ib
+
B
-
C
kfc vbc
1 / kic
krc ie
E
koc
+
vbc
-

Puedenhacerseconversionesdeparmetrosdeunaconfiguracinaotra.Comoel
cuadripoloeslineal,susparmetrosnodependendelasvariablesysepuedehacer
unadelasvariablesindependientesceroparacalcularlos.

PARAMETROSADMITANCIA:
Estemodelotambinseusabastanteenaltafrecuencia.

Lasvariablesindependientesson:Latensindeentradaylatensindesalida.

Modelodeemisorcomn:

ib=yievbe+yrevce
ic=yfevbe+yoevce
notacinmatricial:

vbe
vce
yie yre
yfe yoe
ib
ic

ElectrnicaAnalgicaI

86
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetrosadmitanciaenemisor
comnes:Dye=yieyoeyfeyre

Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:

E
yre vce yfe vbe
+
vbe
-
ib
C
E
B
yoe
ic
yie
+
vce
-

Modelodebasecomn:
ib=yibveb+yrbvcb
ic=yfbveb+yobvcb

notacinmatricial:

veb
vcb
yib yrb
yfb yob
ib
ic

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros admitancia en base


comnes:Dyb=yibyobyfbyrb

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:

B
yrb vcb yfb veb
+
veb
-
ie
C
B
E
yob
ic
yib
+
vcb
-

ElectrnicaAnalgicaI

87
Modelodecolectorcomn:
ib=yicvbc+yrcvec
ie=yfcvbc+yocvec
notacinmatricial:


vbc
vec
yic yrc
h
yfc yoc
h
ib
ie

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetrosadmitanciaencolector
comnes: Dyc=yicyocyfcyrc

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:

C
yrc vec yfc vec
+
vbc
-
ib
E
C
B
yoc
ie
yic
+
vec
-

Talcomoenlosparmetroshbridos,puedenhacerseconversionesdeparmetros
admitancia de una configuracin a otra. Podemos hacer una de las variables
independientesceroparapodercalcularlosparmetros.

Problema3.3:Hallelosparmetrosadmitanciaenbasecomnenfuncindelosde
emisorcomn.

Modeloenemisorcomn:
yoe
yie
yfe Vbe
+
Vbe
-
yre Vce
E E
C
ic B
+
Vce
-
ib

ElectrnicaAnalgicaI

88
Lodibujamosenbasecomn:
yfe Vbe
ib
B
ie
C
E
yoe
yie
yre Vce
B
+
Veb
-
+
Vcb
-
ic

Lasecuacionesparabasecomnson:

ie=yibVeb+yrbVcb
ic=yfbVeb+yobVcb

HaciendoVcb=0podemoshallar:
yib=ie/Veb y yfb=ic/Veb

Efectuando:
yfe Vbe
ib
B
ie
C
E
yoe
yie
yre Vce
B
+
Veb
-
+
Vcb = 0
-
ic

Vemosque: Vbe=Veb Vce=Veb ie+ic+ib=0

Luego: ib=yieVebyreVeb

Adems: ic=yoeVebyfeVeb

Reemplazando:
ie=ibic=yieVeb+yreVeb+yoeVeb+yfeVeb
ElectrnicaAnalgicaI

89
Dedonde: yib=yie+yre+yoe+yfe

Delaecuacindeic: yfb=(yfe+yoe)

HaciendoVeb=0podemoshallar:

yrb=ie/Vcb y yob=ic/Vcb

Efectuando:
ie
yfe vbe
ic
+
vcb
-
yie
yoe
yre vce
ib

Vemosque: Vbe=Veb=0Vce=Vcb ie+ic+ib=0


yfevbe=0

Luego: ie=yoeVcbyreVce

Adems: ic=yoeVcb

Delaecuacindeie: yrb=(yre+yoe)
Delaecuacindeic: yob=(yoe+yfe)

En la siguiente tabla se muestran las frmulas de conversin de los parmetros


admitancia,deunaconfiguracinaotra:

ElectrnicaAnalgicaI

90

BASECOMUN EMISORCOMUN COLECTORCOMUN
yib yie=yb yic=yb
yib=ye yie yic=yie
yib=yoc yie=yic yic
yrb yre=(yrb+yob) yrc=(yib+yfb)
yrb=(yre+yoe) Yre yrc=(yie+yre)
yrb=(yfc+yoc) yre=(yic+yrc) yrc
yfb yfe=(yfb+yob) yfc=(yib+yrb)
yfb=(yfe+yoe) yfe yfc=(yie+yfe)
yfb=(yrc+yoc) yfe=(yic+yfc) yfc
yob yoe=yob yoc=yib
yob=yoe yoe yoc=ye
yob=yc yoe=yc yoc
Dyb=yibyobyrbyfb Dye=yieyoeyreyfe Dyc=yicyocyrcyfc
yb=yib+yrb+yfb+yob ye=yie+yre+yfe+yoe yc=yic+yrc+yfc+yoc

Matrizdeadmitanciaindefinida:
Parahacerlaconversindeparmetrosadmitanciadeunaconfiguracinaotra,es
convenienteelempleodelamatrizdeadmitanciaindefinida.Estamatrizsedefine
teniendoen cuenta que eltransistor notieneningnterminaldereferenciay que
funcionaconpequeaseal,comosemuestraacontinuacin:

V3

B
C
E
V2

I2
I1
I3
V1

ElectrnicaAnalgicaI

91
Las ecuaciones de parmetros admitancia se pueden resumir con notacin
matricial:
y21
C
y12
V2
V1
y23 E
C
I2
E
y32 y31
y13
I3
y11
y33 V3
I1 B
B
y22

Como:I1+I2+I3=0yvbe+vec+vcb=0

Secumple:y11+y21+y31=0

y12+y22+y32=0
y13+y23+y33=0
y11+y12+y13=0
y21+y22+y23=0
y31+y32+y33=0

Conociendo4deestas9admitanciassepuedenhallarlas5restantes,siempreque
nocaigan3delas4,enlamismacolumnaofila.

Problema 3.4: Si se tienen los parmetros admitancia en emisor comn de un


transistor,hallelosparmetrosadmitanciaenbasecomnycolectorcomn.

yie=(2+j2)*10
3
yre=(2j20)*106
yfe=(20j3)*10
3
yoe=(20+j60)*106
Solucin:

Estos parmetros los ubicamos en la matriz de admitancia indefinida, en las


ubicacionesquequedanaleliminarlacolumnaylafiladeemisor:
ElectrnicaAnalgicaI

92
y21
C
y12
V2
V1
y23 E
C
I2
E
y32 yfe
yre
I3
yie
yoe V3
I1 B
B
y22

Calculamoslasotrasadmitanciasdelamatriz:

y12=(yie+yre)=(1.998j1.98)*10
3

y32=(yfe+yoe)=(20.02+j2.94)*10
3

y22=(y12+y32)=(22.018j0.96)*10
3

y21=(yie+yfe)=(22+j)*10
3

y23=(yre+yoe)=(18j40)*10
6

Lamatrizresultantees:

(-1.998 - j1.98)ms
(22.018 - j0.96)ms
C (20 - j3)ms
E
(-2 - j20)us (2 + j2)ms
B
(-18 - j40)us
(20 + j60)us (-20.02 + j2.94)ms
(-22 + j)ms
E C
B

Parahallarlosparmetrosadmitanciaenbasecomnseeliminanlafilaycolumna
debaseylosquequedansonlosbuscados:

yib=y22=(22.018j0.96)*10
3
yrb=y23=(18j40)*10
6

yfb=y32=(20.02+j2.94)*10
3
yob=yoe=(20+j60)*106

ElectrnicaAnalgicaI

93
Para hallar los parmetros admitancia en colector comn se eliminan la fila y
columnadecolectorylosquequedansonlosbuscados:

yic=yie=(2+j2)*10
3
yrc=(1.998j1.98)*10
3
yfc=y21=(22+j)*10
3
yoc=y22=(22.018j0.96)*10
3

En la siguiente tabla se muestra la ecuaciones de conversin entre parmetros


hbridos,admitanciaeimpedancia:

TABLADECONVERSINENTREMODELOSDEPARMETROS

Z Y H
zi yo/Dy Dh/ho
zr yr/Dy hr/ho
zf yf/Dy hf/ho
zo yi/Dy 1/ho
zo/Dz yi 1/hi
zr/Dz yr hr/hi
zf/Dz yf hf/hi
zi/Dz yo Dh/hi
Dz/zo 1/yi hi
zr/zo yr/yi hr
zf/zo yf/yi hf
1/zo Dy/yi ho
Dzb=zibzobzrbzfb Dyb=yibyobyrbyfb Dhb=hibhobhrbhfb
Dzc=ziczoczrczfc Dyc=yicyocyrcyfc Dhc=hichochrchfc
Dze=ziezoezrezfe Dye=yieyoeyreyfe Dhe=hiehoehrehfe

Elempleodeunmodelouotrodependedelcircuito,suimpedanciadeentrada(Zi),
su impedancia de salida (Zo), la impedancia de salida del generador (R
G
) y de la
impedanciadecarga(R
L
).

MODELODEPARMETROSHIBRIDOS:
Elmodelodeparmetroshbridos(odeGiacoletto)esunaextensindelmodelo
T. Se caracteriza porque sus valores permanecen prcticamente constantes con la
frecuencia.Esunmodelofsicodeltransistorqueincluyelosfenmenoscapacitivos
internosdeltransistorysemuestraacontinuacin:
ElectrnicaAnalgicaI

94

gm V
r C
+
V
-
E E
C
C
rc
rx
B
r

rx = Es la resistencia de dispersin de base. Su valor es pequeo, del orden de las


decenasdeohmios.

V=Tensindesealdeentrada
r=Resistenciadeentrada=hfeV
T
/I
EQ

C=Capacidaddelaunindeemisor
r=Resistenciaderealimentacininterna
C=Capacidadderealimentacininterna
rc=Resistenciadesalida
gm=Transconductanciadeltransistor=I
EQ
/V
T

TECNOLOGADELTRANSISTOR:
El germanio fue descubierto por Winkler en 1886, despus que Mendeleiev
predijerasuexistenciaymuchasdesuspropiedadesgraciasalsistemaperidicode
los elementos, en 1869. Mendeleiev le dio el nombre de elkasilicium debido a su
analogaconelsilicio.

Elgermanioprocededelmineralllamadogermanita,enelqueseencuentraenuna
proporcin aproximada de 7%. Tambin se le encuentra en los desperdicios
procedentesdelaextraccindezincydelascenizasdelahulla.

Los semiconductores a emplear deben tener una gran pureza debido a que una
pequea cantidad de impurezas cambia completamente sus propiedades
elctricas.Adems,suestructuracristalinadebesersimtrica(monocristal).

Lasimpurezaspuedenincluirseenelsemiconductordediferentesformas:

a) Por fundicin: Tiene la ventaja de poderse combinar con la extraccin del


monocristal.Lasimpurezasseaadenencantidadesprecisas.

ElectrnicaAnalgicaI

95
b) Por aleacin: Consiste en poner una gota de impureza a cada lado de un
disco fino de semiconductor y luego calentarlo para que los tomos de
impurezapenetrenenelsemiconductor,cambindoloatipoPoN

c) Pordifusin:Elsemiconductorsecolocaenunrecipientedondelasustancia
queactuardeimpurezasehallaenestadogaseosoyaaltatemperatura.Los
tomosdeimpurezasedifundenenelsemiconductorformandounadelgada
capadematerialtipoPoN.

Estos mtodos se aplican tanto al germanio como al silicio, con la diferencia


queesteltimoesmuchomsactivoypuedeseratacadoporelmaterialdel
crisol, generndose impurezas en forma incontrolable; por ello, requiere el
usodecrisolesespeciales.

d) Epitaxial: Se origina el crecimiento del material semiconductor en estado de


cristalsobreotromaterialsemiconductortambinenestadocristalino.

FORMASDECONSTRUCCINDELTRANSISTOR:

Transistordepuntasdecontacto:ConstandeunaplaquitadematerialbasetipoN
oPsobrelaqueestnaplicadasdospuntasmetlicas.Elmaterialdelcolectorydel
emisorseobtienealsoldarlaspuntasconelmaterialbasemedianteunimpulsode
corriente,haciendo queseintroduzcanimpurezas detipoopuestoaladelabase.
Estemtodofueunodelosprimerosenrealizarseyactualmenteestendesuso.

Transistor de unin: Son formados por capas superpuestas de material


semiconductor. Se aplican dos bolitas de impurezas a ambos lados para formar el
colector y el emisor. La penetracin de las impurezas se regula en forma precisa
Debido al grueso de la unin, las capacidades inter.electrdicas resultan
relativamente elevadas por lo que limita su empleo a frecuencias menores de 20
MHz.

Transistor planar: Se construye mediante una plaqueta de silicio tipo N o P que


constituirelcolector.Unodesusladosserevisteconunacapadexidodesilicio.
Acontinuacinsehaceunaventanapordondesedifundenimpurezasparaformar
la base. Se vuelve a cubrir con una capa de xido de silicio y se practica otra
ventanasobrelabaseparadifundirelemisor.Sevuelveacubrirtodoconunacapa
dexidodesilicioysepracticanotrasventanasparaponerlosterminalesdebase,
colectoryemisor.Conestatcnicapuedenconstruirselosdostiposdetransistores
ypuedensoportartensionesdelordende100Vycorrientesdelordende10A.

ElectrnicaAnalgicaI

96
Transistor homotaxial o de difusin nica: Se fabrica a partir de una placa de
material tipo P y, al contrario del planar, no se forma capa de oxido. La impureza
penetra, durante el proceso de difusin, por ambos lados de la placa formando el
colector y el emisor. El material tipo P constituye la base. Estos transistores son
muyrobustosyadecuadosparatrabajarconaltascorrientes,porlosqueselesusa
muchoenetapasdepotenciadebajafrecuencia.Debidoalespesordelabase,su
frecuenciadetransicinnoesmuyelevada(1MHz)yadmitentensionesdelorden
de100V.SlosefabricandetipoNPN.

Transistormesa:Esfabricadoconelprocesoepitaxial.Sehacecrecerunadelgada
capa de silicio poco dopado (que constituir la base) sobre un sustrato de silicio
fuertementedopado(queconstituirelcolector).Labasesecubreconunacapade
xidodesilicioyluegosepracticaunaventanadondesedifundeelemisor.Debido
a que el proceso de formacin de la base es muy lento, puede controlarse su
espesor con mucha exactitud, por lo que se pueden lograr espesores muy
reducidos, permitiendo su empleo en frecuencias altas. Pueden trabajar con
corrientes altas y tensiones del orden de 200 V. Se fabrican en versiones PNP y
NPN.

Transistor mesa semiplanar: La unin basecolector se obtiene mediante


tecnologa mesa y la unin baseemisor mediante tecnologa planar. Se parte de
unaplaquitadesilicionooxidadoqueseexponeaunprocesodedifusin(parecido
almtodohomotaxial,conladiferenciaqueelmaterialintermedionoconstituyela
basesinoelcolector);acontinuacinserecubretodalaplacaconxidodesilicioy
se elimina toda la capa difundida inferior. A continuacin se difunde en la capa
superior el emisor mediante la tcnica planar. Estos transistores son menos
robustos que los mesa, pero poseen una frecuencia de transicin muy elevada y
pueden manejar tensiones muy altas, del orden de 1500 V. Slo se fabrican en
versinNPN.

Nomenclaturadelostransistoresparabajafrecuencia:

Nomenclaturaamericana:Lostransistores,seacualseasuaplicacin,sedesignan
conelprefijo2N(dosuniones)seguidoporunnmerodadoporelfabricante.

Nomenclaturaeuropeaantigua:Seutilizaban23letrasseguidasdeunnmero.
LaprimeraletraesunaO,queindicaqueesunsemiconductor.Lasegundaletraes
unaAparalostransistores.

Nomenclatura europea moderna: Esta nomenclatura es ms acertada que las


anteriores debido a que se puede identificar el tipo de semiconductor y deducir
ElectrnicaAnalgicaI

97
parte de sus caractersticas. La nomenclatura est compuesta de dos letras
seguidas de un nmero de serie compuesto de tres cifras, para los dispositivos
semiconductores diseados para emplearse en aparatos domsticos, o una letra y
doscifras,sisonparausoindustrial.

Laprimeraletrapuedeser:

A paralosdispositivosdegermanio
B paralosdispositivosdesilicio

Lasegundaletrapuedeser:
C paralostransistoresdebajafrecuenciaybajapotencia
D paralostransistoresdebajafrecuenciaypotencia

ElectrnicaAnalgicaI

99
UNIDADTEMTICA
No.4

ELTRANSISTORUNIPOLAR(FET)
Son transistores que funcionan controlando la corriente que circula por el cuerpo
delsemiconductor,medianteuncampoelctricodistribuidoentodasuextensin.
La magnitud del campo elctrico es determinada por el voltaje externo de control
aplicadoaldispositivo.

Lacorrientequeconducenesfundamentalmentedeunsolotipodecarga,porlo
queselesconocecomodispositivosunipolares

PRINCIPIODEFUNCIONAMIENTO
La diferencia entre un transistor bipolar (BJT) y un transistor unipolar (FET) es el
modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar se debe
inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que
enelFETelcontrolsehacemediantelaaplicacindeunatensinentrecompuerta
y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos,quesonsustancialmentedistintas.

Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que


consumeelterminaldecontrol(baseocompuerta)essiempremspequeaquela
potenciamanejadaenlosotrosdosterminales.

Enresumen,destacamostrescosasfundamentales:

EnuntransistorbipolarI
B
controlalamagnituddelacorrienteI
C
.
EnunFET,latensinV
GS
controlalamagnituddelacorrienteI
D
.
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante
mayor.

TIPOSDEFET
Porsuformadeconstruccin,existen:

FETdejuntura(JFET):PuedensercanalNP
FETmetaloxidosemiconductor(MOSFET):PuedensercanalNP

ElectrnicaAnalgicaI

100
Estosasuvezsedividenen:
MOSFETdeacumulacin(oenriquecimientooincremental)
MOSFETdereduccin(odeestrangulamiento)
FETmetalsemiconductor(MESFET):PuedensercanalNP

MOSFET
Esuntransistordeefectodecampodemetalxidosemiconductor.

El control de la corriente lo realiza mediante el campo elctrico. Poseen


impedanciadeentradamuyelevadaysuconstruccinessuperficial.

MOSFETDEACUMULACIN:
Eseltipomssencillodetodosy,enlaactualidad,elmsusado.

Acontinuacinsemuestrasuesquemadeconstruccin(paraunMOSFETcanalN):

W=Anchodelcanal
L=Longituddelcanal
t
ox
=Espesordelacapadexido
D=Drenador(oDrainosumidero)
S=Fuente(oSourceosurtidor)
G=Compuerta(oGate)
B=Sustrato(oBulk)
N+ N+
S
W
B
tox
L
D
G
P

x
ElectrnicaAnalgicaI

101
En los dispositivos discretos, la fuente (S) est comnmente unida con el sustrato
(B). Cuando no hay esta unin, el voltaje entre fuente y sustrato (V
SB
) tambin
afectaalfuncionamientodeldispositivo.

La capa de xido (cuyo espesor se indica con t


ox
) est hecha de xido de silicio
(SiO
2
) posee una permitividad elctrica indicada con
ox
y la carga elctrica que
contiene,indicadaconQ
ox
,influyemuchoenlascaractersticasdeldispositivo.Q
ox

es en realidad una densidad de carga superficial formada por iones de impurezas,


tomosdesilicioionizados,ambosdentrodelacapadexidoytambinporcargas
enlosbordesdelaunindelxidoconelsemiconductordebidoalafinalizacinde
laestructuracristalinadelsilicio.Estascargas nosemueven y estn muycerca de
lasuperficiedelsemiconductor.Q
ox
nodependedeltipodesustrato,perosdesu
orientacincristalogrfica.Cuandoelxidoesformadopormediostrmicos,Q
ox
es
formadaporcargapositiva.

El MOSFET presenta tres tipos de condicin elctrica en las regiones cercanas a la


superficiedeuninconlacapadexido:

ACUMULACIN:Sienelesquemamostradoaplicamosunatensinnegativaentre
la compuerta y sustrato (V
GS
), se atraern ms cargas positivas a las regiones
cercanas a la superficie de unin con la capa de xido. Por ello, la densidad de
cargasuperficialaumentarenestazonaenunacantidadquepodemosindicarcon
Q
A
.

DEPLEXIN: Si en el esquema mostrado aplicamos una tensin positiva,


relativamente pequea, esta tensin rechazar las cargas positivas mviles de las
regiones cercanas a la superficie de unin con la capa de xido. Por ello, la
densidaddecargasuperficialdisminuirenunacantidadquepodemosindicarcon
N
AS
,queesformadaporionesnegativos,generndoseenestareginunazonade
deplexin (o transicin). Al igual que en el diodo, se puede hacer la aproximacin
dequeenestaregin,deespesorx
d
,nohaycargalibreyslohayionesinmviles
cuyadensidadsuperficialsepuedeexpresarcomo:

N
AS
=N
A
x
d

N
A
eslaconcentracindetomosaceptadoresenelsustrato

Si,mediantelaaproximacinindicada,consideramosqueestdistribuidade
manerauniformeenlazonadedeplexin,entonces,elcampoelctricoenesta
reginpodemosexpresarlopor: Eo=eN
AS
/
ox
=eN
A
x
d
/
ox

ElectrnicaAnalgicaI

102
INVERSIN: Si en el esquema mostrado hacemos que la tensin positiva respecto
alsustratoseamsalta,aparecertambinunadensidadsuperficialdeelectrones
libres, n
s
, que formar un canal de unin entre las regiones n+ del drenador y la
fuente. Para ello se necesitar que la tensin V
GS
alcance un valor umbral (V
TH
). El
campoelctricoproducidoatravsdelxidoserahora:

Eo=e(N
AS
+n
s
)/
ox

Despejandon
s
:n
s
=(
ox
Eo/e)N
AS

ECUACIONESDELMOSFET
Paraelloconsideraremostrescasos:

1. Cuandoelvoltajedrenadorfuente(V
DS
)espequeocomparadocon(V
GS

V
TH
).
En este caso, las cargas libres estarn distribuidas uniformemente en todo
elcanalypodemoshablardeunadensidaddecorrientelinealalolargodel
canal,dadaporlaexpresin: Js=I
D
/W

Enestaregin,lacorrientededrenadortienelasiguienteecuacin:

I
D
=2K1[V
GS
V
TH
]V
DS

Sedefinen:
Tensinumbral:
V
TH
=eN
AS
t
ox
/
ox
=eN
AS
/C
ox

K=(W/L)(
ox
/t
ox
)(
n
/2)

Bajoestascondiciones,sedicequeelMOSFETactaenlareginhmicay
selepuedeusarcomoresistenciacontroladaporvoltaje.Laresistenciadel
canalesdadapor:

Rds=V
DS
/I
D
=1/[2K(V
GS
V
TH
)]

2. Cuando el voltaje drenadorfuente (V


DS
) no es despreciable respecto a
(V
GS
V
TH
)
Enestecaso,elcampoelctricoalolargodelcanalyanoesuniformeyel
potencial V
DS
ya no es lineal a lo largo del canal. Esto obligar a que el
campoelctricoenelxidotampocoseauniformeyvareconladistancia.
Enestecasolacorrientededrenadoresdadaporlaecuacin:
ElectrnicaAnalgicaI

103
I
D
=2K[(V
GS
V
TH
)V
DS
V
DS
2
/2]

Estaecuacinesvlidaparavaloresde:V
DS
<(V
GS
V
TH
)

ObservamosqueyanohaydependencialinealconV
DS

A esta regin se le sigue llamando zona hmica, aunque tambin recibe el


nombrederegintriodo.

3. Cuandoelvoltajedrenadorfuente(V
DS
)esmayorque(V
GS
V
TH
)
En este caso aparece en el canal una zona de agotamiento, de longitud ,
quereduceellargodelcanal,yhacequeI
D
sehagaindependientedeV
DS

Estecomportamientosecumpleapartirde: V
DS
=V
GS
V
TH

ReemplazandoestaecuacinenlaanteriordeI
D
,llegamosa:

I
D
=[W/(L)](
n
/2)(
ox
/t
ox
)](V
GS
V
TH
)
2

AquvemosqueI
D
sehaceindependientedeV
DS

EnlasgeometrasusadasparaelMOSFET,generalmentesecumpleque:

<<L,porloquesepuedehacerlasiguienteaproximacin:

I
D
=K(V
GS
V
T
)
2
=I
DSS
(1V
GS
/V
TH
)
2

A la regin que empieza cuando se cumple V


DS
= V
GS
V
TH
se le conoce
comozonadesaturacinodecorrienteconstante.Estareginequivaleala
zonaactivadeltransistorbipolar

SmbolosdelosMosfetdeacumulacin:
En las figuras son mostrados los modelos de los Mosfet de acumulacin canal N y
canal P. Tambin se indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de
circulacindecorriente.
ElectrnicaAnalgicaI

104
ID
ID
ID
-
VGS
+
ID
+
VDS
-
+
VGS
-
CANAL N CANAL P
-
VDS
+

PROBLEMA 4.1. Un MOSFET puede ser usado como resistencia variable con la
tensin para valores pequeos de V
DS
. Suponga: V
T
= 1V, t
ox
= 500,
ox
=
3.5x10
13
F/cm,
n
= 1500 cm
2
/Vs. Qu valor de W/L dar un transistor NMOS
cuyaresistenciadecanalcambiade1K200para:3VV
GS
11V.

Solucin:
Enlazonahmicasecumple:

Rds=V
DS
/I
D
=1/[2K(V
GS
V
TH
)]

K=(W/L)(
ox
/t
ox
)(
n
/2)

Para: Rds=1K=1/[(W/L)(3.5x10
13
/500x10
8
)(1500)(31)]

Despejando: W/L=100/21=4.762

VerificandoparaRds=200
200=1/[(W/L)(3.5x10
13
/500x10
8
)(1500)(111)]

Despejando: W/L=100/21=4.762

ConlocualseverificaquelarelacinW/Lhalladasatisfacelascondicionesdadas

CurvascaractersticasdelMosfetdeacumulacin.
LascurvasmsimportantesquedescribenenfuncionamientodelFETsonlasde
transferenciaylasdesalida.
ElectrnicaAnalgicaI

105
Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de
salida(ID)conlatensindeentrada(VGS).Enlasfigurassiguientesseobservapara
lostransistoresdecanalNyPrespectivamente.

- VTH
- VGS
- ID
VTH
CANAL N
ID
VGS
CANAL P

Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debe superar la de la tensin umbral (VTH). En caso contrario, no habr corriente
desalida.

Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).

Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.

Lasiguiente figura muestraestasgrficas paracanal N.ParacanalPsonsimilares,


soloquelaspolaridadesylossentidosdelacorrienteseinvierten.
ElectrnicaAnalgicaI

106
VGS3
VGS4
VGS1
VDS = VGS - VTH
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
ID
VDS
VGS2
OHMICA
CORTE

MOSFETDEREDUCCIN:
Este Mosfet tiene una construccin parecida a la del de acumulacin, con la
diferenciaqueelcanalyahasidohechoduranteelprocesodefabricacin.

Acontinuacinsemuestrasuesquemadeconstruccin(paraunMOSFETcanalN):

L
W
tox
S
G
N+
D
x
P
N
N+
0
B

x
ElectrnicaAnalgicaI

107
W=Anchodelcanal
L=Longituddelcanal
t
ox
=Espesordelacapadexido
D=Drenador(oDrainosumidero)
S=Fuente(oSourceosurtidor)
G=Compuerta(oGate)
B=Sustrato(oBulk)

En los dispositivos discretos, la fuente (S) est comnmente unida con el sustrato
(B). Cuando no hay esta unin, el voltaje entre fuente y sustrato (V
SB
) tambin
afectaalfuncionamientodeldispositivo.

La capa de xido (cuyo espesor se indica con t


ox
) est hecha de xido de silicio
(SiO
2
)poseeunapermitividadelctricaindicadacon
ox

Elcontroldelacorrienteentredrenadoryfuentesehaceahorahaciendoreducirel
canal ya existente. Para ello, se aplica una tensin entre compuerta y fuente que
induzca cargas de signo opuesto a las que abundan en el canal. Estas, al
recombinarse con las inducidas, hacen disminuir las cargas netas libres y en
consecuencia,tambinalacorriente.

Las ecuaciones del MOSFET de reduccin son las mismas que las del JFET, que se
estudiamsadelante.

SmbolosdelosMosfetdereduccin:
En las figuras son mostrados los modelos de los Mosfet de reduccin canal N y
canal P. Tambin se indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de
circulacindecorriente.
ElectrnicaAnalgicaI

108
ID
ID
ID
CANAL N
-
VGS
+
-
VDS
+
CANAL P
+
VGS
-
+
VDS
-
ID

CurvascaractersticasdelMosfetdereduccin.
LascurvasmsimportantesquedescribenenfuncionamientodelFETsonlasde
transferenciaylasdesalida.

Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de


salida(ID)conlatensindeentrada(VGS).Enlasfigurassiguientesseobservapara
lostransistoresdecanalNyPrespectivamente.

-ID
VGS
IDSS
VP
CANAL N
VP
ID
IDSS
VGS
CANAL P

Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debe ser menor que la tensin de contraccin (VP). En caso contrario, no habr
corrientedesalida.
ElectrnicaAnalgicaI

109
Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.

IDSSeslacorrientededrenadorcuandoVGS=0

VPeslatensinVGSquehacecerrarelcanaly,portanto,lacorrientededrenador
sehacecero.

Estosdosparmetroslosdaelfabricanteenlahojatcnicadeldispositivo.

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).

Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.

Lasiguiente figura muestraestasgrficas paracanal N.ParacanalPsonsimilares,


soloquelaspolaridadesylossentidosdelacorrienteseinvierten.

VGS3
VGS4
VGS1
VDS = VGS - VP
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
ID
VDS
VGS2
OHMICA
CORTE

JFET
Este tipo de FET se construye mediante un material semiconductor tipo P N y a
sus lados se forman uniones con material opuesto y de mucho mayor dopaje que
enelcuerpo.EnelsiguientegrficosemuestraunJFETconcanalN.
ElectrnicaAnalgicaI

110
Vemos que el cuerpo es tipo N y a los costados hay 2 regiones tipo P con dopaje
mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transicin
seanmayoresenelmaterialtipoN

Elprincipiodefuncionamientosebasaenhaceraumentarodisminuirlasregiones
de transicin para controlar el flujo de corriente entre drenador y fuente (I
D
). Las
regiones de transicin (indicadas con lneas punteadas) se controlan mediante la
tensinV
GS.
;paraello,esnecesarioquepolarizarinversamentelasunionesPN.


G
a
b
S
P+
P+
D Id
- VDS +
+
VGS
-

Vemos que el cuerpo es tipo N y a los costados hay 2 regiones tipo P con dopaje
mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transicin
seanmayoresenelmaterialtipoN

ECUACIONESDELJFET
AligualqueenelMOSFETdeacumulacin,seconsiderarnloscasos

1. Cuandoelvoltajedrenadorfuente(V
DS
)espequeocomparadoconV
GS
:
Como V
DS
es pequeo, podemos aproximar y decir que la regin de
transicin tendr una distribucin constante a lo largo del canal. Con el
siguienteesquemamostramosestecaso:

G
a
b
S
P+
P+
D Id
- VDS +
+
VGS
-

ElectrnicaAnalgicaI

111
En este caso, las cargas libres estarn distribuidas uniformemente en todo
elcanalypodremosdecir:

Jn=en
n
E
DS

No consideramos la difusin porque la distribucin es uniforme, ni la


densidad de huecos por ser portadores minoritarios. E
DS
es el campo
elctricoentredrenadoryfuente.

Sisecumpleenelmaterialtipon:N
D
>>2ni,entoncessepuedeaproximar:
n=N
D

SielanchodelFETesA,entonceslaseccintransversaldelcuerpoes2bAy
podemoshallarlaexpresindelacorrientededrenador:

I
D
=2bAeN
D

n
E
DS

ComoV
DS
espequeo,podemoshacerlasiguienteaproximacin:
E
DS
=V
DS
/L

Donde:L=longituddelcanal.

Entonces: I
D
=2bAeN
D

n
V
DS
/L

EnlauninPNabrupta,elpotencialenlajunturaesdadopor:
VoV
GS
=[eN
D
N
A
/(2(N
A
+N
D
)]W
2

ComoN
A
>>N
D
, entonces: VoV
GS
=[eN
D
/2]W
2

DespejandoW: W=[2/eN
D
]
1/2
(VoV
GS
)
1/2

Del grfico vemos tambin que el ancho de la regin de transicin (W) se


puedeexpresarcomo: W=ab

ReemplazandoydespejandoVoV
GS
:
VoV
GS
=[ea
2
A

N
D
/2](1b/a)
2

Sisecumple: V
GS
>>Vo, Entonces:
V
GS
=[ea
2
A

N
D
/2](1b/a)
2

CuandoV
GS
sehacetannegativoqueelcanalsecierra:b=0

ElectrnicaAnalgicaI

112
Enestecaso,lamximatensinV
GS
quecierraelcanales:
Vp=[ea
2
A

N
D
/2]

Este voltaje recibe el nombre de tensin de contraccin (o de Pinch Off) y


es un parmetro dado por el fabricante en los manuales tcnicos. Este
voltajeesnegativoparalosJFETdecanalNypositivoparalosdecanalP.

Acontinuacin:V
GS
=Vp(1b/a)
2

Despejandob: b=a[1(V
GS
/Vp)
1/2
]

ReemplazandoenlaecuacindeI
D
:
I
D
=[2AaeN
D

n
/L][1(V
GS
/Vp)
1/2
]V
DS

Vemos que hay una relacin lineal entre I


D
y V
DS.
Luego, podemos hallar la
resistenciadelcanalparatensionesV
DS
pequeas:

R
DS
=V
DS
/I
D
=1/[2AaeN
D

n
/L][1(V
GS
/Vp)
1/2
]

Definimos: r
on
=1/[2AaeN
D

n
/L]

EstaresistenciaeslamnimaqueofreceelcanalcuandoV
GS
=0

Entonces: R
DS
=r
on
/[1(V
GS
/Vp)
1/2
]

Esta es una resistencia cuyo valor puede ser controlado con la tensin V
GS

(tambinllamadaVDR).Estacaractersticaestilparacontrolarlaganancia
delosamplificadores.

2. Cuandoelvoltajedrenadorfuente(V
DS
)esmayorque(V
GS
Vp):

Cuando:V
DS
=V
GS
Vp setiene: ID=KpV
DS
2

Laecuacin: V
DS
=V
GS
Vpcorrespondealareginumbralentrelazona
hmicaydesaturacin.

Para valores V
DS
> V
GS
Vp, el JFET llega a la zona de saturacin y se hace
prcticamenteindependientedeV
DS.
Entonces:

ID=Kp[(V
GS
Vp)
2

ElectrnicaAnalgicaI

113
FactorizandoVp: ID=I
DSS
[(1V
GS
/Vp)
2

QueeslaecuacintpicadelJFETenlaregindesaturacin.

SmbolosdelosJfet:
EnlasfigurassonmostradoslosmodelosdelosjfetcanalNycanalP.Tambinse
indicanlaspolaridadesdelosvoltajesylossentidosdecirculacindecorriente.

ID
ID
ID
CANAL N
-
VGS
+
-
VDS
+
CANAL P
+
VGS
-
+
VDS
-
ID

Curvascaractersticasdeljfet:
Las curvas ms importantes que describen en funcionamiento del FET son las de
transferenciaylasdesalida.SonanlogasalasdelMosfetdereduccin.

Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de


salida(ID)conlatensindeentrada(VGS).Enlasfigurassiguientesseobservapara
lostransistoresdecanalNyPrespectivamente.

-ID
VGS
IDSS
VP
CANAL N
VP
ID
IDSS
VGS
CANAL P

ElectrnicaAnalgicaI

114
Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debe ser menor que la tensin de contraccin (VP). En caso contrario, no habr
corrientedesalida.

Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.

IDSSeslacorrientededrenadorcuandoVGS=0

VPeslatensinVGSquehacecerrarelcanaly,portanto,lacorrientededrenador
sehacecero.

Estosdosparmetroslosdaelfabricanteenlahojatcnicadeldispositivo.

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).

Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.

Lasiguiente figura muestraestasgrficas paracanal N.ParacanalPsonsimilares,


soloquelaspolaridadesylossentidosdelacorrienteseinvierten.
VGS3
VGS4
VGS1
VDS = VGS - VP
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
ID
VDS
VGS2
OHMICA
CORTE

Regionesdeoperacindeltransistor:
Enlascurvasdesalidaseobservanlasregionescomunesdeoperacin:

Zona hmica: En esta zona el transistor acta como interruptor cerrado. Aqu
tambin,enlaszonascercanasalorigen(VDSpequea)eldispositivosecomporta
ElectrnicaAnalgicaI

115
como resistencia lineal controlada por la tensin VGS. Esta zona es muy til para
hacer controles automticos de ganancia e interruptores analgicos pues acepta
voltajesVDSdelasdospolaridades.

Zonadecorte:Enestaregineldispositivoactacomointerruptorabierto.

Junto con la zona hmica permiten hacer circuitos digitales y tambin ser usado
comointerruptorparacircuitosdepotencia.

Zona de saturacin o de corriente constante: Esta regin permite amplificar al


dispositivo y se le emplea para amplificar seales analgicas. Aqu ID es
prcticamenteindependientedeVDS.

Polarizacin:
ParaqueelFETamplifiqueesnecesarioubicarsupuntodeoperacinenlazonade
corriente constate. Para ello, necesitamos establecer una tensin y corriente
constantequeloubiquendichazona.

AcontinuacinsonmostradaslasformastpicasdepolarizaralFET:
ElectrnicaAnalgicaI

116
JFET:

RG
CANAL P CANAL N
R2
RD
R2
RD
VDD VDD - VDD
RD RD
RS
R1
RS
CANAL P
RG
RS
RD
RF
RD
RG
RF
CANAL N
VDD
RS
CANAL N
- VDD
RS
CANAL P
RG
RS
- VDD
R1

MOSFETDEREDUCCIN:

RG
CANAL P CANAL N
R2
RD
R2
RD
VDD VDD - VDD
RD RD
RS
R1
RS
CANAL P
RG
RS
RD
RF
RD
RG
RF
CANAL N
VDD
RS
CANAL N
- VDD
RS
CANAL P
RG RS
- VDD
R1

ElectrnicaAnalgicaI

117
MOSFETDEACUMULACIN:
R2 R2
- VDD
CANAL N CANAL P
RD
RS
VDD
RG
- VDD
RF
RS
RF
RD
RS
CANAL N
RS
RD
VDD
R1
RD
R1
RG
CANAL P

Rectasdecarga:RectadecargaDC.RectadecargaAC.
ParaelestudiodeloscircuitosutilizamoslasleyesdeKirchhoffylaleydeOhm.
Enelsiguientecircuitousadocomoamplificador:

+
vg
-
RD
CS
VDD
R2
RL
C2 R1
RS
C1

ElectrnicaAnalgicaI

118
Lacorrientededrenadorestformadaporlacorrientedelpuntodeoperacinyla
corrientedeseal: ID=IDQ+id

Enformaanlogaparalatensin: VDS=VDSQ+vds

PlanteandolaleydeKirchhoffenlamalladrenadorfuente:

VDD+0=IDQRD+VDSQ+IDQRS+id(RD//RL)+vds

Aqusehanconsideradomuypequeaslasreactanciasdeloscondensadoresala
frecuenciadelaseal.

Los3primerostrminosdeladerechasonDCysecumple:

VDD=IDQ(RD+RS)+VDSQ

YrecibeelnombredeRectadecargaesttica(oDC)

Los2trminossiguientesdeladerechasonACysecumple:

0=+id(RD//RL)+vds

YrecibeelnombredeRectadecargadinmica(oAC)

Lo anterior indica que podemos estudiar al amplificador slo en DC y luego slo


enAC,enformaanlogaalBJT.

Estasecuaciones puedensergraficadasenlascurvasdesalidadeltransistoryson
unparderectas.

PROBLEMA4.2.HallelosvaloresdeR
D
,R
S
,R
1
,R
2
yR
3
parapolarizarunMOSFETde
acumulacinconV
TH
=1V,enelpuntodeoperacin:

V
DSQ
=15V,I
DQ
=4.5mA,V
GSQ
=2V.Adems:Zi=10M.

Asumaque: Rs=(V
GSQ
+V
TH
)/I
DQ

Paraminimizarlasvariacionesportemperatura.

ElectrnicaAnalgicaI

119
C1
+
vg
-
CS
0.1 mA
RD
R3
R1
RS R2
+ 24 V

Solucin:
RectaDC: 24=ID(RD+RS)+VDS

Reemplazandovalores: 24=(4.5)(RD+RS)+15

Obtenemos: (RD+RS)=2K

Enlareddepolarizacindecompuerta: 24=(0.1mA)(R1+R2)

Obtenemos: (R1+R2)=240K

HallamosRS: Rs=(V
GSQ
+V
TH
)/I
DQ

Reemplazandovalores: Rs=(2+1)V/4.5mA=667 Rs=667

ObtenemosRD: RD=2KRS=1.33K RD=1.33K

ElvoltajeenR2es: VR2=VGSQ+IDQRs

Reemplazandovalores: VR2=2+(4.5mA)(667)=5V

ObtenemosR2. R2=5V/0.1mA=50K R2=50K


ElectrnicaAnalgicaI

120
ObtenemosR1. R1=240K50K=190K R1=190K

Laimpedanciadeentradaparasealqueofreceelamplificadores:
Zi=R3+R1//R2=1M

DespejandoR3: R3=1MR1//R2=1M39.58K=960.42K
R3=960.42K

ConfiguracionesdelosFET:
Cuando trabaja con seales pequeas, el Fet puede ser considerado como un
cuadripolo. Como el dispositivo tiene slo 3 terminales, deber considerarse uno
comnalaentradaysalida,comosemuestraacontinuacinparaelJfet.

Fuentecomn:
Esta configuracin usa el terminal de fuente comn a la entrada y salida. Se
caracteriza por amplificar tensin y corriente. La seal de salida est desfasada
180respectoalaentrada.

Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:

S
G
ig = 0
D
FUENTE COMUN
+
vgs
-
S
+
vds
-
id

Drenadorcomn:
Esta configuracin usa el terminal de drenador comn a la entrada y salida. Se
caracteriza por amplificar corriente. La seal de salida est en fase con respecto a
laentrada.

ElectrnicaAnalgicaI

121
Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:
DRENADOR COMUN
is
+
vgd
-
D
G
S
D
+
vsd
-
ig = 0

Compuertacomn.
Estaconfiguracinusaelterminaldecompuertacomnalaentradaysalida.Se
caracterizaporamplificartensin.Lasealdesalidaestenfaseconrespectoala
entrada.

Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:

+
vsg
-
G
+
vdg
-
Is
S
id
COMPUERTA COMUN
G
D

ModelosdebajafrecuenciaypequeasealdelFET:
El FET presenta efectos capacitivos internos, los cuales deben ser considerados
cuando trabaja con frecuencias altas. Cuando las frecuencias son bajas estas
capacidades tienen reactancias muy elevadas y se les puede considerar circuitos
abiertos.
ElectrnicaAnalgicaI

122
Hay dos modelos tpicos que se usan para todos los FET: El modelo Norton y el
modeloThevenin.Elusodecadaunodeellosdependerdeltipodecircuitousado.
Seempleaelquefacilitemselanlisis.

AmbosmodelosseempleanparacualquierconfiguracinycualquiertipodeFET.

ModelotipoNortonparapequeasealyaltafrecuencia:
Un modelo muy empleado para pequea seal en todos los FETs es el siguiente,
expresandoelcircuitodesalidaporunequivalenteNorton:

S
Cgs
+
Vgs
-
S
gm Vgs
D
Cgd
Cds
rds
G

Cgs,CgdyCdsseempleanslocuandosetrabajaconfrecuenciasaltas
Cgseslacapacidaddeentrada,entrecompuertayfuente
Cgdeslacapacidadderealimentacin,entredrenadoryfuente
Cdseslacapacidaddesalida,entredrenadoryfuente
gm=transconductanciadelFETparapequeaseal.
rds=Resistenciadelcanalparapequeaseal.

ModelotipoNortonparabajafrecuencia:
Enestecaso,noseconsideranlascapacidadesylaentradadelFETesuncircuito
abierto.Aqu:

ElFETsecomportacomofuentedecorrientecontroladaportensin.
ig = 0
S
D
id
+
vgs
- gm vgs
G
rds
+
vds
-
S

ElectrnicaAnalgicaI

123
ModelotipoTheveninparapequeasealyaltafrecuencia:
OtromodelomuyempleadoparapequeasealentodoslosFETseselexpresando
consucircuitodesalidaporunequivalenteThevenin:
-
u vgs
+
ig
Cds
S
D
id
Cgd
+
vgs
-
Cgs
G
rds
+
vds
-
S

Modelo tipo Thevenin para pequea seal y baja frecuencia: En este caso, no se
consideranlascapacidadesylaentradadelfetesuncircuitoabierto.Aqu:

=Factordeamplificacindelfetparapequeaseal=gmrds
rds=Resistenciadelcanalparapequeaseal.

-
u vgs
+
ig = 0
S
D
id
+
vgs
-
G
rds
+
vds
-
S

PROBLEMA4.3.EnelsiguientecircuitoconMOSFET,hallelagananciadetensin,
laimpedanciadeentradaylaimpedanciadesalida.

Datos: gm=2mS,rds=15K
ElectrnicaAnalgicaI

124
5K
C
Zo
C es muy grande
C
RL
10K
+
Vo
-
VDD
+
-
100K
Vi
+
-
Zi

Solucin:
Hacemoselmodeloparapequeasealybajafrecuencia:

RL = 10K
+
vgs
-
+
vi
-
ig
+
vo
-
gm vgs
100K
5K
15K

Gananciadetensin: Av=Vo/Vi

Usndolemtododenodos: (VgsVi)/5K=(VgsVo)/100K

NudoVgs: (ViVgs)/5K=(VgsVo)/100K

DespejandoVgs: Vgs(1/5K+1/100K)=Vi/5K+Vo/100K
Vgs=(20/21)Vi+Vo/21

NudoVo: (VoVi)/105K+Vo/10K+Vo/15K+gmVgs=0
ElectrnicaAnalgicaI

125
Ordenando: Vo(1/105K+1/10K+1/15K)Vi/105K+gmVgs=0

ReemplazandoVgs:
Vo(1/21+1/2+1/3+10/21)=Vi[1/21200/21]

DespejandoAv:
Vo(1/21+1/2+1/3+10/21)=Vi[1/21200/21]

Av=(1/21200/21)/[1/21+1/2+1/3+10/21]=1.905/1.357

Efectuando: Av=9.476/1.357=6.976 Av=6.976

Impedanciadeentrada(sinincluirlos5K):Zi=Vgs/Ig

Sabemosque:Ig=(VgsVo)/100K

Adems: Vgs=(20/21)Vi+Vo/21=Vi(20/21+Av/21)=0.15Vi

DividiendoporIg: Zi=0.62(5K+Zi)

DespejandoZi:Zi=0.62(5K)/(10.62)=8.16K Zi=8.16K
ElectrnicaAnalgicaI

127
UNIDADTEMTICA
No.5

GANANCIASDELAMPLIFICADOR:

Tiposdeamplificadores
Antesdeiniciarelanlisisdecircuitos,indicaremoslostiposycaractersticasdelos
amplificadores.

a) Amplificador de Tensin: Es un amplificador que recibe tensin y entrega


tensin. Su impedancia de entrada debe ser elevada y su impedancia de
salida pequea. Su circuito de salida es mejor representado por un
equivalentedeThevenin.Lasalidaesunafuentedetensincontroladapor
tensin.

Zi >> Rg
+
Zo
+
VL
-
Zo << RL
-
Zi
RL
-
Rg
Vg
+
Av Vi
+
Vi
-

Av=VL/Vi=Gananciadetensin.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parmetros z


debidoaquestosrecibentensinyentregantensin.

b) Amplificador de Corriente: Es un amplificador que recibe corriente y


entrega corriente. Su impedancia de entrada debe ser pequea y su
impedancia de salida elevada. Su circuito de salida es mejor representado
por un equivalente de Norton. La salida es una fuente de corriente
controladaporcorriente.
ElectrnicaAnalgicaI

128
Zi << Rg
Zo >> RL
IL
Zi
RL
Ig Rg
Ii
Ai Ii
Zo

Ai=IL/Ii=Gananciadecorriente.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parmetros h


debidoaquestosrecibencorrienteyentregancorriente.

c) Amplificador de Transconductancia (o transadmitancia): Es un


amplificador que recibe tensin y entrega corriente. Su impedancia de
entrada debe ser elevada y su impedancia de salida tambin elevada. Su
circuito de salida es mejor representado por un equivalente de Norton. La
salidaesunafuentedecorrientecontroladaportensin.

Zi >> Rg
+
Zo >> RL
IL
Zi
RL
-
Rg
Gm Vi
Zo
Vg
+
Vi
-

ElectrnicaAnalgicaI

129
Gm=IL/Vi=Transconductanciaotransadmitancia.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parmetros y


debidoaquestosrecibentensinyentregancorriente.

d) Amplificador de Transresistencia (o transimpedancia): Es un amplificador


querecibecorrienteyentregatensin.Suimpedanciadeentradadebeser
pequea y su impedancia de salida tambin pequea. Su circuito de salida
es mejor representado por un equivalente de Thevenin. La salida es una
fuentedetensincontroladaporcorriente.

Zo
Zi << Rg
+
Zo << RL
Zi
RL
Ig Rg
Ii
-
Rm Ii
+
VL
-

Rm=VL/Ii=Transrresistenciaotransimpedancia.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parmetros k


debidoaquestosrecibencorrienteyentregantensin.

El tipo de amplificador se identifica comparando las impedancias de


entradaconladelgeneradorylaimpedanciadesalidaconladecarga.De
esta manera podemos identificar el modelo de parmetros ms
convenienteparaelanlisis.

ElectrnicaAnalgicaI

130
Impedanciadeentrada,Zi:
Eslaimpedanciaqueofreceelamplificadorensuentrada.Esimportanteconocerla
parapoderacoplarlasealdeentradaeimpedirquedisminuyalaamplificacin.
Delgrficovemosquesepuedehallarcomo:Zi=Vg/Ig

Ig
+
-
Vg RL

Impedanciadesalida,Zo:
Eslaimpedanciaqueofreceelamplificador,ensusalida,alacarga.Esimportante
conocerla para poder acoplar la carga al amplificador e impedir que disminuya la
amplificacin.

LasalidasepuedemodelarcomouncircuitoTheveninouncircuitoNorton,como
semuestraenelgrfico:

+
Av Vg
-
+
Vg
-
Ig
+
VL
-
Zo
Zi
RL

UnaformadehallarZoes,viendoelgrfico:
1)HacerVg=0
2)Sacarlacargay,ensulugar,ponerunafuenteV
3)Seobtiene: Zo=V/I
ElectrnicaAnalgicaI

131
+
-
Ig = 0
V
I
Zo
Zi

OtraformadehallarZoes,viendoelgrfico:

1) Sacarlacargaymedirlatensindesalidaenvaco:VL1=AvVg.
+
Vg
-
Ig
+
VL1 = Av Vg
-
Zo
Zi
+
Av Vg
-

2) Ponerlacargaymedirnuevamenteelvoltajedesalida:
IL
+
Vg
-
RL
Ig
+
VL2 = IL RL
-
Zo
Zi
+
Av Vg
-

ElectrnicaAnalgicaI

132
3) Seobtiene: Zo=(VL1VL2)/IL=(VL1/VL21)RL

Anlisisdeunamplificadorusandoparmetroshbridos:
Haremos el anlisis, mediante un problema, representando al transistor
consumodelo:

Problema5.1:Enelsiguienteesquemasimplificadodeunamplificadordepequea
seal,conparmetroshbridos,hallelasexpresionesde:

a)Lagananciadetensin(Av)
b)Laimpedanciadeentrada(Zi)
c)Laimpedanciadesalida(Zo)

Rg
+
1 / ho
-
VL
hf i
-
RL
hi
i
+
Vg
-
hr VL
+

Solucin:
a) Obtencindelagananciadetensin:Av=V
L
/Vg
Delcircuitodeentrada: VghrV
L

i=
Rg+hi

Delcircuitodesalida:
V
L
=hfi(R
L
//(1/ho))

Reemplazando:
VghrV
L

V
L
=hf()(R
L
//(1/ho))
Rg+hi

Simplificando: V
L
hfR
L

Av==
Vg Rg(1+hoR
L
)+hi+R
L
(Dh)
Donde:Dh=hihohfhr

ElectrnicaAnalgicaI

133
b) Obtencindelaimpedanciadeentrada:Zi=Vg/i
Delcircuitodeentrada: VghrV
L

i=
Rg+hi
Luego:
i(Rg+hi)=VghrV
L

ReemplazandoV
L
:
i(Rg+hi)=Vghr(hfi(R
L
//(1/ho))

Finalmente:
Vg hi+Rg(1+hoR
L
)+R
L
Dh
Zi==Rg+hihrhf(R
L
//(1/ho)=
I 1+hoR
L


hi+Rg(1+hoR
L
)+R
L
Dh
Zi=
1+hoR
L

c) Obtencindelaimpedanciadesalida:Zo=V/IcuandoVg=0

EsquemaparahallarZo:

Rg
+
1 / ho
hf i
hi I
i
-
+
-
hr V
V

Tenemos: I=hoV+hfi
Adems,enlaentrada:
hrV
i=
Rg+hi
Reemplazandoi:
hrV
I=hoV+hf()
Rg+hi
ElectrnicaAnalgicaI

134

1 hrhf hoRg+Dh
Yo==ho=
Zo hi+Rg hi+Rg

hi+Rg
Zo=
hoRg+Dh

Estasexpresionessonvlidasparacualquierconfiguracindeltransistor.

Configuracionesdetransistores:
Hay ocasiones en las que es necesario hacer combinaciones de transistores para
modificarlaganancia,lacapacidaddecorriente,detensin,etc.

Acontinuacinsemuestranlasmscomunes:

Darlington:
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.

Q1
DARLINGTON
CON 2 TRANSISTORES
DARLINGTON CON
TRES TRANSISTORES
Q2 Q2
Q3
Q1

Puede observarse que los colectores estn unidos y el emisor de uno va a la base
delsiguiente.

Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesmselevada.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayor inestabilidad trmica, por lo que debe tenerse cuidado de estabilizarlo.
Estaempeoracuandoconstademsdedostransistores.
ElectrnicaAnalgicaI

135
Darlington con modificaciones
para mejorar la estabilidad trmica.
Q2
R2
Q1
R1
R3

PNPsimulado:
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
Q2
NPN
IC
IB
IE
Q1
PNP

Observamos que hay dos corrientes que salen y una que ingresa, lo que es tpico
deltransistorPNP.

Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciaequivalentedeentradaesalta.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayor inestabilidad trmica, por lo que debe tenerse cuidado de
estabilizarlo.
5) Muy usado en amplificadores de potencia de audio porque evita el empleo
detransistoresPNPdealtapotenciaenlaetapadesalida.

NPNsimulado.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
ElectrnicaAnalgicaI

136
Q1
NPN
IB
IC
IE
Q2
PNP

Observamos que hay dos corrientes que ingresan y una que sale, lo que es tpico
deltransistorNPN.

Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesalta.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayorinestabilidadtrmica,porloquedebetenersecuidadodeestabilizarlo.

Transistoresenparalelo.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.

Q1
PARALELO CON
3 TRANSISTORES
Q1
PARALELO CON
2 TRANSISTORES
Q2 Q2 Q3

Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesigualaladeunsolotransistor.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesbaja.
3) Lacorrientetotaldesalidaeselevada(ofrecemenorcarga).
4) Lacorrientetotaldeentradaesmsalta(ofrecemayorcarga).
5) Mayorinestabilidadtrmica,porloquedebetenersecuidadodeestabilizarlo.
6) Debeasegurarsequeserepartanlacorrienteequitativamente.
7) Respuestaenfrecuenciamenorqueladeunsolotransistor.
ElectrnicaAnalgicaI

137
R2
Modificaciones para igualar las
corrientes y las resistencias de entrada.
R2
R1
Q1
R1 Q2

Transistoresenserie.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
Q2
Q1

Caractersticas:
1) Muyusadaparaconstruirelamplificadorcascode.
2) La ganancia de corriente del transistor equivalente es igual a la de un solo
transistor.
3) Laresistenciadeentradaequivalenteesrelativamentebaja.
4) Lacorrientetotaldesalidaeslamismaquedeunsolotransistor.
5) Serepartenelvoltajedelafuente.
6) Debetenersecuidadoconlareddepolarizacin.
7) Debeasegurarsequeserepartanlatensinequitativamente.
8) Mejorrespuestaenfrecuencia.

Formasdeacoplodelosamplificadores:
Debido a que las impedancias de entrada y salida de los amplificadores
transistorizados en montaje de emisor comn, que es el ms utilizado, son del
orden de 1 K 20 K, respectivamente, el acoplamiento directo de dos etapas
ElectrnicaAnalgicaI

138
amplificadoras produce prdidas considerables de potencia. Para evitarlo,
debemosadaptarlasimpedancias.

Para adaptar las impedancias de entrada y salida de dos etapas amplificadoras se


utilizandiversostiposdeacoplamiento:

Acoploportransformador:
Semuestraenelsiguienteesquema.Eselqueofrecemayorgananciadepotencia,
peronoesmuyutilizadoporquesurespuestaenfrecuencianoesmuyamplia.

R1
C2
R2
Q2
TR
1 5
4 8
C1
Q1
VCC

Acoploportransformador

Si la impedancia de salida de Q1 es 20 K y la de entrada de Q2 es de 1 K, la


relacindetransformacin(n)deberser:

n=(20000/1000)
0.5
=4.47

Acoploporautotransformador:
Emplea un autotransformador en lugar de transformador. A continuacin se
muestrandosformasdeusodeestemtodo:

C4
R1
C3
R4
C1
Q2
VCC
T
R3
C2
Q1
R2

ElectrnicaAnalgicaI

139
C4
R1
C3
R4
C1
VCC
T
C2
Q2
R3
Q1
R2

Acoploporautotransformador

Acoploporresistenciacapacidad(RC):
Este es uno de los ms usados y, aunque no permite acoplar perfectamente las
impedanciasylagananciaesmenor,suprecioyespacioocupadoesmsreducido.
Permite tambin una buena respuesta en frecuencia si C1 es lo suficientemente
elevado.

Q1
R1
Q2
C1
VCC R2

Acoploporresistenciacapacidad(RC)

Acoplodirecto:
Este es tambin muy usado, especialmente en circuitos integrados. Debe tenerse
cuidadoconlaestabilidaddelospuntosdeoperacindebidoaqueinfluyendeuna
etapaaotra.Permiteunabuenarespuestaenbajafrecuencia(desdeDC).

Q1
R1
C1
R2
R4
Q2
VCC
R3
R5

ElectrnicaAnalgicaI

140
R2
Q1
R1
C1
R4
R6
Q2
VCC
R3
R5
R7

Acoplodirecto

Acoplodirectocomplementario:
Estaesotraformadeacoplomuydifundidaquepermitemuybuenarespuestaen
bajafrecuencia(desdeDC)ysecaracterizaporempleartransistoresNPNyPNP.

Cuandoseempleaacoplodirectoconunsolotipodetransistor,latensincontinua
desalidatiendea acercarse alvalordelafuente de alimentacin,restringiendoel
nivelmximodeamplificacin.Esteproblemaseevitaempleandolosdostiposde
transistor para que la tensin DC en la salida no se eleve demasiado, como se
muestraacontinuacin:

R2
Q1
R1
Q2
C1
R4
R6
VCC
R3
R5
R7

Acoplodirectocomplementario
ElectrnicaAnalgicaI

141

Controlesdevolumenydetono
El control de volumen, como su nombre lo indica, consiste en un potencimetro
queregulaelvolumensonoroproporcionadoporelamplificadordesdecerohasta
sumximapotencia.

Debesercolocadoenunaposicintalquenoafectelascorrientesdepolarizacin
nilasimpedanciasdecargadelostransistores.Tampocodebensercausaderuido,
lo cual puede suceder cuando es colocado a la entrada, porque el ruido ser
amplificado y se deteriorar la relacin seal / ruido. Si se le coloca en una etapa
intermedia puede ser que no ajuste la salida a un nivel suficientemente bajo. Por
ello, su ubicacin deber elegirse con cuidado para evitar estos efectos
desfavorables. Estos controles son hechos mediante potencimetros logartmicos
debidoalascaractersticasdefuncionamientodelodohumano.

Configuracionesdeamplificadorescontransistoresy/oFET.
VeremosaqulaformadeanlisisdelasconfiguracionesdeamplificadoresconBJT
yFET.

Amplificadorenemisorcomn:
Estaconfiguracinsecaracterizaporamplificartensinycorriente.Enfrecuencias
mediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes180.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

RL
1kHz
Vg
+
C1
+
C2
+
CE
VCC
R2
RE
RC
R1

R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.

ElectrnicaAnalgicaI

142
C1 y C2 son condensadores de acoplo. Evitan que vare el punto de operacin al
conectar la seal de entrada y la carga, respectivamente. Adems, sus reactancias
deben ser pequeas de manera que puedan considerarse como cortocircuitos en
lasfrecuenciasdeoperacin.

CE es la capacidad de bypass o desacoplo de emisor. Su misin es conectar, para


seal,elemisoralareferenciaparaevitarquedisminuyalaamplificacin.

Problema5.2:EnelcircuitomostradoconBJT,calcule:

a) Elpuntodeoperacindeltransistor.
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=Io/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)

Zi
1K
Q
150K
C2
7K
Ii
C3
+
Vi
-
100K
C4
Zo
C1
+
Vo
-
+ 25 V
5K

Transistor:Silicio,V
BE
=0.6V,=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0

Solucin:
a) Puntodeoperacindeltransistor:
ElectrnicaAnalgicaI

143
25 V
Q
250K
7K
1K

RectaDC: 25=8KI
E
+V
CE
=8KI
C
+V
CE
>>1
Adems: V
CE
=250KI
EB
+V
BE
=2.5KI
C
+0.6
Resolviendo: I
CQ
=2.32mA V
CEQ
=6.4V

b) Gananciadecorrienteparapequeaseal:

Modeloparaseal:Usamoselmodelosimplificadoenemisorcomn.

Io
150 ib
150K
Ii
7K
ib
100K
5K
1K
Vi

Delcircuitodeentrada: ib=Ii(100K)/(100K+1K)
Delcircuitodesalida: Io=150ib(150K//7K)/[5K+(150K//7K)]
Reemplazandoyefectuando: A
I
=85.04

ElectrnicaAnalgicaI

144
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
Delcircuitodeentradaobtenemos: Zi=100K//1K Zi=0.99K

d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
Delcircuitodesalidaobtenemos: Zo=150K//7K Zo=6.7K

Amplificadorencolectorcomn(oseguidordeemisor):
Esta configuracin se caracteriza por amplificar corriente, pero no tensin. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

RL
1kHz
Vg
+
C1
+
CE
VCC
R2
RE
R1

R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.

C1 y CE son condensadores de acoplo. Evitan que vare el punto de operacin al


conectar la seal de entrada y la carga, respectivamente. Adems, sus reactancias
deben ser pequeas de manera que puedan considerarse como cortocircuitos en
lasfrecuenciasdeoperacin.

Enelesquemanohayresistenciaenelcolector,aunquehaycasosenquetambin
existe.

ElectrnicaAnalgicaI

145
Problema5.3:Enelcircuitomostrado,halle:
a) Lagananciadetensin,AV=VL/Vi
b) Lagananciadecorriente,A
I

c) Laimpedanciadeentrada,Zi
d) Laimpedanciadesalida,Zo


1K
B
Vg
+
-
15K
10uF
100K
2N3904
2N2222
91K
Zi
12V
+
-
+
VL
-
Zo
RL
100
C
100uF
E +
Vin
-

Solucin:
a) Lagananciadetensin,AV=VL/Vi
Modeloparaseal:

120 ib
1K
+
Vi
-
+
Vg
-
100K
+
VL
-
+
Vi
-
ib
12.88K
3.5K
+
VL
-
100
100K
1K 100
12.88K

Delosdatosdelahojatcnicadel2N3904tenemos:

hfe=120,hoe=9uS,hre=1.3x10
4
,hie=3.5K

Despreciamoslosparmetroshreyhoeporserpequeos.

Aplicandoreflexindeimpedanciasysustitucin:
ElectrnicaAnalgicaI

146
+
Vi
-
+
VL
-
ib
3.5K
(121)100 (121)1K
12.88K

Luego: VL=121(1K//100)Vi/[3.5K+121(1K//100)]=0.76Vi

Dedonde: AV=0.76

b) Lagananciadecorriente,AI=iL/ig

iL
+
Vi
-
+
VL
-
ib
121 ib
3.5K
100
ig
1K
12.88K

Delgrfico:iL=121ib(1K)/(1K+0.1K)=110ib
Adems: ib=ig(12.88K)/[12.88K+3.5K+121(1K//0.1K)]

Reemplazandoenlaecuacinanterioryefectuando:
iL=47.04ig

Dedonde: AI=47.04

c) Laimpedanciadeentrada, Zi=Vi/ig
Delgrficovemos: Zi=12.88K//[3.5K+121(1K//0.1K)]
Efectuando: Zi=6.82K

d) Laimpedanciadesalida,Zo
CircuitoequivalenteparahallarZo:
ElectrnicaAnalgicaI

147
100K
+
V
-
ib
120 ib
3.5K
1K
I
12.88K

Aplicandoelmtododenodos:
Iib120ib+V/1K=0

Adems: ib=V/[100K//12.88K+3.5K]
Reemplazando: I=121V[1/1K+1/14.91K]
Dedonde: Zo=7.75

Problema5.4:Enelcircuitomostrado,halle:
a) Lagananciadetensin,A
V

b) Lagananciadecorriente,A
I

c) Laimpedanciadeentrada,Zi
d) Laimpedanciadesalida,Zo
+
VL
-
+
IL
12K
Ig
2K
-
220K
C
C
Vg
+ 15V
2K

ElectrnicaAnalgicaI

148
Transistor:Silicio,V
BE
=0.6V,=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0

Asumaquetodosloscondensadoressonmuygrandes.

Solucin:

a) Lagananciadetensin,A
V
:Modeloparaseal

2K
Ig
-
2K
ib
150 ib
220K 12K
Vg
IL
+
VL
-
1K
+

Aplicandovoltajedenudosenelemisor:

VL/2K+VL/2K+(VL+Vg)/(12K//220K)+ib=ib+hfeib=151ib

Adems: ib=Vg/1K

Reemplazando:

VL[1/2K+1/2K+1/11.38K]=Vg[150/1K1/11.38K]

Deestaecuacinhallamoslagananciadetensin:
Av=137.8
b) Gananciadecorriente,A
I

A
I
=A
V
Z
I
/R
L
=137.8(Zi)/2K
Ig=ib+(VL+Vg)/(12K//220K)=Vg/1K+Vg(Av+1)/(12K//220K)
Zi=Vg/Ig=0.076K
A
I
=5.22
ElectrnicaAnalgicaI

149
c) Laimpedanciadeentrada,Zi
Ig=ib+(VL+Vg)/(12K//220K)=Vg/1K+Vg(Av+1)/(12K//220K)

Zi=Vg/Ig=0.076K
Zi=76

d) Laimpedanciadesalida,Zo
ModeloparahallarZo.

12K
ib
V
+
1K
2K
220K
I
-
150 ib

Vemosque: Ib=0 hfeib=0


Luego: Zo=2K//12K//220K=1.70K
Zo=1.70K

Amplificadorenbasecomn:
Esta configuracin se caracteriza por amplificar tensin, pero no corriente. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

ElectrnicaAnalgicaI

150
RL
1kHz
Vg
+
C1
+
C2
+
CE
VCC
R2
RE
RC
R1

R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.

CE y C2 son condensadores de acoplo. Evitan que vare el punto de operacin al


conectar la seal de entrada y la carga, respectivamente. Adems, sus reactancias
deben ser pequeas de manera que puedan considerarse como cortocircuitos en
lasfrecuenciasdeoperacin.

C1 es la capacidad de bypass o desacoplo de base. Su misin es conectar, para


seal,labasealareferenciaparaevitarquedisminuyalaamplificacin.

Problema5.5:EnelcircuitomostradoconBJT,calcule:
a) Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vi)
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(AI=IL/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)


15K
RL
10K
+
Vin
-
5.6K 100uF
1K Vg
+
-
10uF
2N3904
2N2222
1K
C
+
VL
-
B
12V
+ -
91K
10uF
E

ElectrnicaAnalgicaI

151
Solucin:
a) Gananciadetensin,AV=VL/Vi

Modeloparaseal:
5.6K
+
Vi
-
ig
ie
+
Vg
-
10K
+
Vg
-
ig
hfb ib
1K
+
VL
-
1K
10K
1K
+
VL
-
1K
5.6K hib

Delosdatosdelahojatcnicadel2N3904tenemos:
hfe=120,hoe=9uS,hre=1.3x10
4
,hie=3.5K

Delatabladeconversindeparmetros:
hib=hie/He,hrb=(Dhehre)/He,hfb=(hfe+Dhe)/He,hob=hoe/He

Donde: He=1+hfehre+Dhe y Dhe=hiehoehrehfe

Efectuando: Dhe=31.5x10
3
15.6x10
3
=15.9x10
3

He=1+1201.3x10
4
+15.9x10
3
=121

Luego:hib=hie/He=29 hrb=(Dhehre)/He=1.58x10
4

hfb=(hfe+Dhe)/He=0.99 hob=hoe/He=0.074uS

Despreciamoslosparmetroshrbyhobporserpequeos.

Entonces: VL=hfb(5.6K//10K)ie=3.55Kie
Adems: ie=Vi/(hib)=Vi/29

Reemplazando: VL=3.55K(Vi/29)=122.4Vi
Dedonde: AV=122.4

b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delgrfico: iL=hfbie(5.6K)/(5.6K+10K)=0.355ie
Adems: ie=ig(1K)/(1K+hib)=0.97ig

Reemplazando: iL=(0.355)(0.97ig)=0.345ig
Dedonde: AI=0.345

ElectrnicaAnalgicaI

152
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ig).
Delgrfico: Zi=1K//hib=28.2
Zi=28.2

d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)

hib
hfb ib
ie
5.6K
ig I
1K
1K
+
V
-

Delgrfico: ie=0 hfbie=0


Luego: Zo=5.6K

CaractersticasdelasconfiguracionesdelBJT:

Configuracin Desfasaje Av Ai Zi Zo
BaseComn 0 Alta Cerca1 Baja Alta
EmisorComn 180 Alta Alta Mediana Alta
Colector
Comn
0 Cerca1 Alta Alta Baja

EmpleodelFETcomoresistorcontroladoporvoltaje.
Esta es una aplicacin del Fet que permite su uso en controles automticos de
gananciayeninterruptoresanalgicos.

PROBLEMA 5.6. Un MOSFET puede ser usado como resistencia variable con la
tensin para valores pequeos de V
DS
. Suponga: V
T
= 1V, t
ox
= 500,
ox
=
3.5x10
13
F/cm,
n
= 1500 cm
2
/Vs. Qu valor de W/L dar un transistor NMOS
cuyaresistenciadecanalcambiade1K200para:3VV
GS
11V.

Solucin:
Enlazonahmicasecumple:
ElectrnicaAnalgicaI

153
Rds=V
DS
/I
D
=1/[2K(V
GS
V
TH
)]
K=(W/L)(
ox
/t
ox
)(
n
/2)

Para: Rds=1K=1/[(W/L)(3.5x10
13
/500x10
8
)(1500)(31)]

Despejando: W/L=100/21=4.762

VerificandoparaRds=200
200=1/[(W/L)(3.5x10
13
/500x10
8
)(1500)(111)]

Despejando: W/L=100/21=4.762

ConlocualseverificaquelarelacinW/Lhalladasatisfacelascondicionesdadas

Amplificadorenfuentecomn:
Estaconfiguracinsecaracterizaporamplificartensinycorriente.Enfrecuencias
mediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes180.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

C
+
VL
-
Rg
C
C
iL
Rs
RD
RL +
-
Vg
ig
VDD

ElectrnicaAnalgicaI

154
Problema5.7:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a) Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)

10K
C
500K
C
+
-
Vg
ig
+
VL
-
C
iL
24 V
1K
8K

Transistor:Silicio,gm=5mS,rds=10K

Solucin:
a) Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)

Modeloparaseal:UsamoselmodeloNorton.
8K
10K
+
Vgs
-
+
VL
- 500K
+
-
Vg
+
VL
-
10K
gm Vgs
iL
+
-
Vg
ig iL
8K 500K
ig
10K

Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Delcircuitodesalida: VL=gmVgs(10K//8K//10K)
Reemplazandoyefectuando: A
V
=15.38

b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)

Delcircuitodeentrada: Vgs=500Kig
Delcircuitodesalida: iL=gmVgs(10K//8K)/(8K//10K+10K)
Reemplazandoyefectuando: A
I
=769.2

ElectrnicaAnalgicaI

155
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Delcircuitodeentradaobtenemos: Zi=500K

d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
Delcircuitodesalidaobtenemos:
Zo=4.44K

Amplificadorendrenadorcomn(oseguidordefuente):
Esta configuracin se caracteriza por amplificar corriente, pero no tensin. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

RL Rs
iL
+
-
Vg C
+
VL
-
ig
Rg
C
VDD

Problema5.8:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a)Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b)Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c)Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d)Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
2K 2K
iL
+
-
Vg C
+
VL
-
ig
500K
C
24 V

ElectrnicaAnalgicaI

156
Transistor:Silicio,=50,rds=10K

Solucin:
a) Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
Modeloparaseal:UsamoselmodeloThevenin.
+-
50 Vgs
ig
2K 2K
ig
iL
+
-
Vg
+
-
Vg
+
VL
-
iL
2K
500K
S
G
+V
g
s
-
2K
500K
+
VL
-
10K

Delcircuitodeentrada: Vgs=VgVs VL=Vs

Delcircuitodesalida: VL=50Vgs(2K//2K)/(2K//2K+10K)=4.545Vgs

Reemplazandoyefectuando: VL=4.545(VgVL)
A
V
=0.82

b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delcircuitodeentrada: Ig=Vg/500K iL=VL/2K

Dividiendo: (Ai=IL/Ig)=(VL/2K)/(Vg/500K)=A
V
(500K/2K)
Luego: Ai=(0.82)(500K/2K)=204.92
Ai=204.92
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Delcircuitodeentradaobtenemos: Zi=500K

d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
I
+V
g
s
-
+-
50 Vgs
10K
S
500K
G
+
-
V
ig
2K

ElectrnicaAnalgicaI

157
Delcircuitodeentradaobtenemos: Vgs=V
Delcircuitodesalidaobtenemos: I=V/2K+(V+50V)/10K
Despejandoyefectuando:
Zo=178.6

Amplificadorencompuertacomn:
Esta configuracin se caracteriza por amplificar tensin, pero no corriente. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

RS
RL
-
+
VL
-
Vg
VDD
RG
RD
C1
IL
Ig
+
C2
Ce

Problema5.9:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a)Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b)Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c)Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d)Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
10K
C
C
500K
C
+
VL
- +
-
Vg
iL
ig
24 V
2K
8K

Transistor:Silicio,=50,rds=10K
Solucin:
ElectrnicaAnalgicaI

158
a) Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)

Modeloparaseal:UsamoselmodeloThevenin.
+
VL
-
ig iL
ig
+-
50 Vgs
-
Vgs
+
G
8K 500K
10K
10K
2K
+
-
Vg
iL
+
VL
- 8K
S
10K
2K
+
-
Vg

Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Delcircuitodesalida:
VL=(Vgs+50Vgs)(8K//10K)/(10K+8K//10K)

Reemplazandoyefectuando:
VL=(51Vg)(8K//10K)/(10K+8K//10K)=15.7Vg
A
V
=15.7

b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Ig=Vg/2K51Vgs/(10K+8K//10K)

ReemplazandoVgs: Ig=Vg/2K+51Vg/14.44K=Vg/248.1
Delcircuitodesalidaobtenemos:
iL=(51Vg/14.44K)(8K)/(10K+8K)=(22.67)Vg/14.44K

ReemplazandoVg: iL=(22.67)(0.2481K)ig/14.44K
Dedonde: AI=0.39

c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Delcircuitodeentrada: Ig=Vg/2K51Vgs/(10K+8K//10K)
Vgs=Vg

Reemplazando: Ig=Vg/2K+51Vg/14.44K=V
g
/4.03K
Luego: Zi=4.03K

ElectrnicaAnalgicaI

159
d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
I
8K
2K
+
-
V
S
+-
50 Vgs
-
Vgs
+
G
10K

Delcircuitodeentradaobtenemos: Vgs=0y 50Vgs=0


Delcircuitodesalidaobtenemos: Zo=8K//10K
Efectuando:
Zo=4.44K

CaractersticasdelasconfiguracionesdelFET:

Configuracin Desfasaje Av Ai Zi Zo
Compuerta
Comn
0 Alta Menorque1 Baja Alta
FuenteComn 180 Alta Alta Alta Alta
DrenadorComn 0 Menorque1 Alta Alta Baja

Amplificadoresencascada.
Cuandolaamplificacindeunasolaetapanoessuficiente,sepuedenconectardos
omsetapas,unadespusdelaotra.

AestadisposicinseleconocecomoAmplificadoresencascada.Laformadeacolo
puedesercualquieradelasqueyahemosvisto.

EnlafigurasiguientesemuestrauncasoconetapasconacoploRC:
ElectrnicaAnalgicaI

160
R2
R1
C6
R5 RD
Ig
+
C1
C5
-
R7
Ce
R3
+
VL
-
Q1
RL
R9
C2
VDD
RG
C3
R8 RS
R4 C4
Vg
Q3
Q2
R6

Problema5.10:Enelsiguienteamplificadorencascada,halle:
a)Av b)AI c)AP d)Zi e)Zo

C3
Ig
C1
2K
Vg
1.8K
+
VL
-
2.2K
IL
Q1
Q2
200
1.3K
C2
-
600
+
+ 9V

Q1yQ2: hfe1=hfe2=100, hie1=1K, hie2=2K,hre=0,hoe=0


Loscondensadoressonmuygrandes.

Solucin:

ElectrnicaAnalgicaI

161
a)Av=VL/Vg
ModeloenAC:
Ig Q2
2K
Q1
-
+
VL
-
600
IL
+ 1.3K
Vg 1.8K
200
2.2K

Reemplazandolostransistoresporsumodelodecuadripolo:

200
1K
100 ib2
ib2
+
1.3K
1.8K
+
VL
-
2K
Vg 600
IL
2.2K
Ig
2K
-
ib1
100 ib1

Delcircuitodesalida: VL=100ib2(1.3K//2K)
Delcircuitocentral: ib2=100ib1(2.2K/(2.2K+2K))
Delcircuitodeentrada: ib1=Ig(0.6K//1.8K)/(0.6K//1.8K+1K))
Ig=Vg/(0.2K+0.6K//1.8K//1K)
Finalmenteobtenemos:
Av=(VL/ib2)(ib2/ib1)(ib1/Ig)(Ig/Vg)

Reemplazando:
Av=[78.79K][52.38][0.273)][1/0.51K]=2209.17
Av=2209.17

b)AI=IL/Ig
Delcircuitodeentrada: ib1=Ig(0.6K//1.8K)/(0.6K//1.8K+1K))=0.273Ig
Delcircuitocentral: ib2=100ib1(2.2K/(2.2K+2K))=52.38ib1
Delcircuitodesalida: IL=100ib2(1.3K/(1.3K+2K)=39.4ib2

ElectrnicaAnalgicaI

162
Finalmenteobtenemos:
AI=(IL/ib2)(ib2/ib1)(ib1/Ig)=(39.4)(52.38)(0.273)=563.4
AI=563.4

c) AP=PL/Pg=(VLIL)/(VgIg)=AVAI=(2209.17)(563.4)=1244646.38
AP=1244646.38

d) Zi
Delcircuitodeentrada: Zi=Vg/Ig=0.2K+0.6K//1.8K//1K=510
Zi=510

e) Zo
Delcircuitodesalida: Zo=1.3K

AmplficadorDarlington.
Cuando la amplificacin de una sola etapa no es suficiente, se pueden conectar
tambin una configuracin Darlington para aumentar la ganancia y elevar la
impedanciadeentrada.Estosamplificadorestienenelinconvenientedeteneruna
respuestaenfrecuenciamsreducidaypuedenoscilar,porloquedebentomarse
las precauciones adecuadas. En la figura siguiente se muestra uno de estos
circuitosenlaconfiguracindeemisorcomn.

Ig
+
VL
-
C1
-
Q2
RL
Vg
RE
+ VCC
IL
RC
C2
+
Q1
R3
C3
R1
R2

ElectrnicaAnalgicaI

163
Problema5.11:EnelsiguienteamplificadorDarlington,halle:
a)Av b)AI c)Zi d)Zo
Q1:hie1=3K,1=hfe1=50,hre1=0,hoe1=0.
Q2:hie2=1K,2=hfe2=100,hre2=0,hoe2=0.
18K
+
Vg
10K 0.3K
Q2
C3
-
10K
+
VL
-
+ 30V
10K
C1
Ig
Q1
282K
C2
IL

Solucin:
a) Av:
Modeloparaseal:
10K
-
282K Vg
+
VL
-
Ig
Q1
IL
18K
10K
10K
+
Q2

ElectrnicaAnalgicaI

164
Reemplazandocadatransistorporsucuadripolo:
10K
IL
3K
10K
ib1
Ig
18K
100 ib2
Vg 282K +
VL
-
50 ib1
ib2
10K
+
1K
-

Enelcircuitodesalida:
VL=(50ib1+100ib2)5K
ib2=(51ib1)(10K)/(10K+1K)=(510/11)ib1

Reemplazando: VL=50(1+1020/11)(ib1)5K
Enelcircuitodeentrada:
Vg=3Kib1+51ib1(10K//1K)=[3K+51(10K//1K)]ib1

Deestasdosecuacionesobtenemoslagananciadetensin:
Av=[50(5)(1+1020/11)]/[3+51(10//1)]=474.7
Av=474.7

b) AI:
Enelcircuitodesalida:
IL=(50ib1+100ib2)(10K/(10K+10K))=25(ib1+2ib2)
ib2=(51ib1)(10K)/(10K+1K)=(510/11)ib1

Reemplazando: IL=25(1+1020/11)(ib1)

Enelcircuitodeentrada:
Ib1=Ig(18K//282K)/[18K//282K+3K+51(10K//1K)]
Ib1=0.2553Ig

Deestasdosecuacionesobtenemoslagananciadecorriente:
AI=25(1+1020/11)(0.2553)=598.2
AI=598.2

c) Zi:
Enelcircuitodeentrada:
Vg=3Kib1+51ib1(10K//1K)=49.364Kib1
ElectrnicaAnalgicaI

165
Ig=Vg/18K+Vg/282K+ib1

Reemplazandoib1:
Ig=Vg(1/18K+1/282K+1/49.364K)
Zi=18K//282K//49.364K=12.6K
Zi=12.6K

d) Zo:
ModeloparahallarZo:
100 ib2
10K
ib1
ib2
10K 1K
I
V
282K
3K
50 ib1
18K

Aplicandoreflexindeimpedancias:
100 ib2
10K
ib1
ib2/51
(51)10K (51)1K
I
V
282K
3K
50 ib1
18K

Observamos: ib1=ib2=0
Entonces: Zo=10K

Amplificadorcascode.
Estetipodeamplificadoresmuyusada,inclusoencircuitosintegrados.

Estbasadoenlaconexindetransistoresenserie.

Se caracteriza por presentar ganancias de tensin y corriente altas. Muy buena


respuestaenfrecuenciayestabilidad.Seempleatambinenaltafrecuencia.Enla
figurasiguientesemuestraunodeestoscircuitos,ensuversinconMOSFET:
ElectrnicaAnalgicaI

166
VGG1
+
-
RL
-
VDD
Q2
Vg
+
VL
-
+
+
Q1
VGG2
-

Problema5.12:EnelsiguienteamplificadorCascode:
Q1=Q2:hfe=150,hie=3.5K,hre=0,hoe=0.Halle:
12K
12V
100uF
C
100uF
10K
2.4K
100uF 1K
Q2
Vg
8K
3K
+
VL
-
100uF
Q1

a)Av b)AI c)Zi d)Zo


ElectrnicaAnalgicaI

167
Solucin:
a) Av:
Modeloparaseal:

+
VL
-
hib 8K
ib
10K
ie
2.4K
150 ib
3K
IL
- 0.99 ie
3.5K
Ig
Vg

Enelcircuitodesalida: VL=0.99ie(3K//10K)
Enelcircuitocentral: ie=150ib
Enelcircuitodeentrada: Vg=3.5Kib
Deestastresecuaciones: Av=[0.99(3K//10K)][150][1/3.5K]
Av=97.9

b) AI:
Enelcircuitodesalida: IL=0.99ie(3K)/(3K+10K)
Enelcircuitocentral: ie=150ib
Enelcircuitodeentrada: ib=Ig(8K//2.4K)/[3.5K+8K//2.4K]
Deestastresecuaciones: AI = [0.99 (3) / 13][
150][(8K//2.4K)/[3.5K+8K//2.4K]]
AI=11.83

c) Zi:
Enelcircuitodeentrada:
Zi=8K//2.4K//3.5K=1.21K
Zi=1.21K

d) Zo:
ModeloparahallarZo:
ElectrnicaAnalgicaI

168
150 ib - 0.99 ie
+
V
-
ie
hib
I
3.5K 3K
Ig
8K 2.4K
ib

Podemosobservar:
Ig=0,ib=0,150ib=0,ie=0,0.99ie=0

Entonces: Zo=3K

Amplficadorbootstrap:
Esteamplificadoractaenformasimilaralseguidoremisivo,conladiferenciaque
evita reducir la impedancia de entrada debido a la red de polarizacin. Puede
lograrseconl,unaimpedanciadeentradamuyelevada

+ VCC
+
VL
-
R3
Ig
-
RE
Vg C2
+
R1
C1
R2

ElectrnicaAnalgicaI

169
Problema5.13:EnelsiguienteamplificadorBootstrap,halle:
a)Av b)Zi

Transistor:hie=2K,hfe=100,hre=0,hoe=0.

4K
C2
C1
+
VL
-
+ 12V
10K
4K
+
Vg
-
Ig
2K

Solucin:
a) Av:
Modeloparaseal:
10K
-
+
2K
10K 2K
Vg
4K
Vg
2K 2K
+
ib
-
Ig
100 ib
Ig
+
VL
-
4K
+
VL
-

Enelnudodesalidaaplicamoslaleydecorrientes:
VL/2K+VL/2K=101ib+(VgVL)/10K
ElectrnicaAnalgicaI

170
Adems:ib=(VgVL)/2K
Reemplazando: VL/2K+VL/2K=101(VgVL)/2K+(VgVL)/10K

Separandotrminos:
VL[1/2K+1/2K+101/2K+1/10K]=Vg[101/2K+1/10K]
Deestaecuacinhallamoslagananciadetensin:
Av=0.98

b) Zi:
Enelcircuitodeentrada:

Ig=(VgVL)/10K+ib=(VgVL)/10K+(VgVL)/2K
Ig=(VgVL)[1/10K+1/2K]=Vg(1Av)[1/10K+1/2K]
DespejandoZi=Vg/Ig:
Zi=83.33K

Amplificadordiferencial.
Uno de los amplificadores ms importantes en Electrnica es el amplificador
diferencial.

Comnmente recibe dos seales de entrada y su salida puede ser balanceada o


desbalanceada.

Se le denomina amplificador diferencial porque su salida es proporcional a la


diferenciadelassealesdeentrada.

EspartefundamentaldelAmplificadorOperacional.

Acontinuacinsemuestraunesquemabsicoempleandotransistoresbipolares:
ElectrnicaAnalgicaI

171
Vs1
C
V2
Rc
Io
VCC
Rb V1
Q2
Vs2
Q1.
C
Rb
Rc

Ioesunafuentedecorrienteconstantequedebeofrecerunaaltaimpedanciaala
seal.

Salidabalanceadaysalidadesbalanceada.
Si la salida se toma en Vs1 Vs2 respecto a tierra, se dice que la salida es
desbalanceada.

SilasalidasetomaentreVs1yVs2,sedicequelasalidaesbalanceada.

V
1
yV
2
sonlassealesdeentrada.

Lasalidadebeserproporcionalaladiferenciadelassealesdeentrada,esdecir:

Vs=Ad(V
1
V
2
)

Adeslagananciaenmododiferencial

La ecuacin anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin embargo, los
A.D.realespresentanunasalidadadaporlaecuacinsiguiente:

Vs=Ad(V
1
V
2
)+Ac(V
1
+V
2
)/2

Mododiferencialymodocomn.AdeslagananciaenmododiferencialYAcesla
gananciaenmodocomn.
ElectrnicaAnalgicaI

172
GeneralmentesebuscaqueAcsealomspequeaposible.Idealmentedeberaser
cero.

Sedefine:

Mododiferencial=Vd=V
1
V
2

Modocomn=Vc=(V
1
+V
2
)/2

Debeindicarsequeelmodocomnnoestformadosolamenteporelpromediode
las seales de entrada, sino tambin por cualquier seal no deseada (ruido,
interferencia, etc.) acoplada a ambas entradas a la vez. Si ello sucede, el
amplificadortenderaeliminarlasdesusalida.

Por lo anterior, podemos decir que este tipo de amplificador tiende a eliminar las
sealesnodeseadasquesepresentenensusentradas.

Paraefectuarelanlisisdelcircuitoseexpresanlassealesdeentradamedianteel
modocomnyelmododiferencial.

V
1
=Vc+Vd/2
V
2
=VcVd/2

Cuando se analiza con pequea seal podemos utilizar los modelos de cuadripolo
linealdeltransistor.

Cuando se analiza con gran seal, debemos utilizar la caracterstica no lineal del
transistor(porejemplo,lasecuacionesdeEbersMoll).

FactordeRechazoalModoComn(CMRR):
EsteesunparmetromuytilparasaberlacalidaddelA.D.Seledefinecomo:

CMRR=|Ad|/|Ac|
Tambinseacostumbraexpresarloendecibeles:

CMRRdb=20log(|Ad|/|Ac|)
IdealmenteelCMRResinfinito.

EnunA.D.realconvienequesealomsaltoposible.

ElectrnicaAnalgicaI

173
La fuente de corriente constante tiene mucha importancia para conseguir una
ganancia en modo comn muy pequea y, por tanto, un alto factor de rechazo al
modocomn.

Problema5.14:Enelcircuitomostrado,determine:
a)Lospuntosdeoperacin.
b)Lagananciaenmododiferencial.
c)Lagananciaenmodocomn.
d)ElCMRR.
C
+
VL
-
4K
50K
Q2
50K
C
4mA
V1
Q1
C
2K
+ 15V
V2
12K

Q1=Q2:=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0,VBE=0.7V,Z=2M

SOLUCION:
a) Lospuntosdeoperacin.
Comolostransistoressonigualesysusredesdepolarizacintambin,elA.D.
estbalanceadoysecumple: IEQ1=IEQ2=2mA

Comoesgrandesecumple:ICQ1=ICQ2=2mA

ElvoltajeDCenlosemisoreses: VE=0.750K(2mA/100)=1.7V

Acontinuacin:
VCE1=15(2mA)(2K)VE=15(2mA)(2K)(1.7)=12.7V
VCE2=15(2mA)(4K)VE=15(2mA)(4K)(1.7)=8.7V
VCE1=12.7V VCE2=8.7V

b) Lagananciaenmododiferencial.
Modeloequivalenteparaseal:
ElectrnicaAnalgicaI

174
50K
150 ib2
50K
1K
V2
4K
302M
ib1 ib2
V1
1K
+
VL
-
12K

RepresentamosV1yV2enfuncindelmododiferencialyelmodocomn:
V1=Vc+Vd/2 V2=VcVd/2

Mododiferencial:Hacemos Vc=0

Entonces:
Enlaentradayaplicandosimetra: Ib2=Vd/2K
Enlasalida: VL=150ib2(4K//12K)

Reemplazandoib2: VL=150(Vd/2K)(4K//12K)
Finalmente: Avd=VL/Vd=150(1/2K)(4K//12K)=150(1/2K)(3K)
Avd=225

c) Lagananciaenmodocomn.
Modocomn:Hacemos Vd=0

Entonces:
Enlaentradayaplicandosimetra: Ib2=Vc/(1K+604M)
Enlasalida: VL=150ib2(4K//12K)

Reemplazandoib2: VL=150Vc/(1K+604M)(4K//12K)
Finalmente:
Avc=VL/Vc=150(1/(1K+604000K))(4K//12K)=150(1/604001K)(3K)
Avc=0.0007

d) ElCMRR.
CMRR=Ad/Ac=225/0.0007=321428.6
Endb: CMRRdb=20log[321428.6]=110.1db

ElectrnicaAnalgicaI

175
Amplificadoroperacional(OPAMP).
La designacin OPAMP originalmente fue adoptada para una serie de
amplificadores de gran rendimiento usados en computadoras analgicas. Estos
amplificadores fueron diseados para realizar operaciones matemticas aplicables
acomputacinanalgica(sumatoria,escalamiento,sustraccin,integracin,etc.)

En la actualidad, la disponibilidad de amplificadores operacionales en circuitos


integradoslohacentilcomoreemplazodecualquieramplificador,especialmente
en baja frecuencia. Incluso, se les usa formando partede circuitosintegrados ms
complejos.

SIMBOLODEUNOPAMP
Elsmboloaceptadoparaunopampesuntringuloylasalida,Vo,estrelacionada
conlasentradasV
+
yV

comosemuestraenlafigurasiguiente

V-
-
+
+ SATURACION
- SATURACION
V+ Voffset
Vo
V+ - V-
Vo

V
+
seaplicaalaentradanoinversorayV

alaentradainversora.

EJEMPLODELOPAMPLM741

-
Entrada inversora
A = 1000 A = 200 A = 1
Entrada no inversora
Salida
+
de polarizacin
Fuentes de corriente

ElectrnicaAnalgicaI

176
Como se puede ver, un ICOPAMP usa varias etapas en cascada, generalmente
amplificadores diferenciales, para suministrar un alto rechazo al modo comn y
granganancia.

Amplificadorinversor:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradainversora.
-
+
Av
ideal
Vs
R3
V+
R2
Ve
+
R1
-
I1
If
+
V-
-

Tenemos: I1=(VeV

)/R1 If=(V

Vs)/R2
Adems: Vs=Av(V
+
V

Como no hay seal aplicada a la entrada no inversora y la impedancia de entrada


deloperacionalesmuyalta: V
+
=0

Entonces: Vs=AvV

Dedonde: V

=Vs/Av

Comolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:Av

Sededuce: V

Ylaentradainversorasecomportaenestecasocomotierravirtual.

Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:

Debido a la alta impedancia de entrada del amplificador operacional, debe


cumplirse:I1=If

Entonces: (Ve)/R1=(Vs)/R2

Finalmente: Avf=R2/R1
ElectrnicaAnalgicaI

177
Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:
Zinf=Ve/I1=R1

NOTA:ElresultadoanteriorpuedesergeneralizadositomamosencuentaqueR1y
R2puedenserreemplazadasporcualquierimpedancia(Z1yZ2respectivamente):

Avf=Z2/Z1
Zinf=Z1

Problema5.15:Enelsiguientecircuito,halle:
a)ElvoltajeV.
b)Elvoltajedesalida.
+
-
4K
V
6K 8K
2K
1V
+
VL
-

SOLUCION:

a) ElvoltajeV.
Comoestrealimentadonegativamente,elamplificadoractalinealmente

Ysecumple:V
+
=V

Lacorrientequeentregaelgeneradores: I=Vg/2K=0.5mA

Estacorrientecirculaporlaresistenciade4Kysecumple:
V=4KI=4K(0.5mA)=2V
V=2V

b) Elvoltajedesalida.
AplicandolaleydecorrientesenelnudoV:
0.5mA=V/6K+(VVL)/8K
ElectrnicaAnalgicaI

178
ReemplazandoVydespejandoVL:
12V=4(2V)+3(2VL)
VL=(26/3)V=8.67V

Amplificadornoinversor:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradanoinversora.

-
+
Av
ideal
Vs
R3
V+
Ve
R2
+
R1
-
I1
+
V-
-
If

Tenemos: I1=(V

)/R1 If=(VsV

)/R2
Adems: Ve=V
+
y Vs=Av(V
+
V

)
Dedonde: V+V

=Vs/Av

Perocomolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:
Av
Sededuce: V
+
V

0
Ysecumple: V
+
=V

Laentradadiferencialsecomportaenestecasocomocortocircuitovirtual.

Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:

Debido a la alta impedancia de entrada del amplificador operacional, debe


cumplirse: I1=If
Entonces: (Ve)/R1=(VsVe)/R2
Finalmente: Avf=1+R2/R1

Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:
Zinf=R3

ElectrnicaAnalgicaI

179
Problema5.16:EnelcircuitoconOPAMPmostrado,halleelvoltajedesalida,V
L
,si;
V
1
=0.2V,V
2
=0.1VyV
3
=0.15V.AsumaqueelOPAMPesideal.

3K
1K +
VL
-
+
-
V2
100
6K
1K
V1
1K
V3

SOLUCION:
Latensindeentradaingresaporeltertminalnoinversoryladenominamos:V
+

HallamosV
+
enfuncindelastensionesdeentrada,aplivcandosuperposicin:

V
+
=[V
1
(1K//1K//0.1K)+V
2
(1K//1K//0.1K)+V
3
(1K//1K//0.1K)]/(1K+1K//1K//0.1K)
V
+
=[V
1
+V
2
+V
3
]]1K//1K//0.1K]/(1K+1K//1K//0.1K)

Reemplazandovalores:
V
+
=[0.2+0.10.15][1K//1K//0.1K]/(1K+1K//1K//0.1K)
V
+
=[0.15][83.3]/(1083.3)=11.5mV

La tensin de salida se puede hallar mediante la ecuacin del amplificador no


inversor:

V
L
=(1+6K/3K)V
+
=3V
+
=34.6mV
V
L
=34.6mV

Anlisiscongransealconlaecuacindetransferenciadeltransistor.
CuandoelBJTestenlazonaactiva,sucorrientedecolectorpuedeexpresarsecon
laecuacin:
T
BE
V
V
ES t C
I I =
) (
Sienlaentradadeltransistoraplicamoslatensin:

be BEQ BE
V V V + =
Reemplazando:
ElectrnicaAnalgicaI

180
T
be
T
BEQ
V
V
V
V
ES t C
I I =
) (

Si: ( ) t w V V
o m be
cos = y
T
m
V
V
x =

Desarrollandolaexponencial,conseal,enseriedeFourier:

( )
( )
( ) ( ) ( ) t nw x I x I
o n o
t w x V
t w V
V
V
o T
o m
T
be
cos 2
1
cos
cos

+ = = =

In(x) son las funciones modificadas de Bessel de primera clase, orden n y


argumentox.

Estasfuncionespuedenhallarse,paracadavalorden,resolviendolaintegral:

( )
( )
( )

d n x I
z
n

= cos
2
1
cos

ReemplazandoenIc(t):

( ) ( ) ( ) ( )

1
0
cos 2 t nw x I x I I t I
o n
V
V
ES c
T
BEQ

Secumple:

=
T
BEQ
V
V
ES CQ
I I

Reemplazando:
( ) ( ) ( ) ( )

+ =

1
0
cos 2 t nw x I x I I t I
o n CQ c

FactorizandoIo(x):

( ) ( )
( )
( )
( )

+ =

1 0
0
cos 2 1 t nw
x I
x I
x I I t I
o
n
CQ c

Llamando: ( ) x I I I
CQ DC 0
=

ElectrnicaAnalgicaI

181
ICQ=Corrientedebias(polarizacin)deltransistor.

IDC = Corriente promedio del transistor. Para seales pequeas, IDC es


prcticamenteigualaICQ.Parasealesgrandes,IDCesmayorqueICQ.

Desarrollandoic(t):
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( ) K + + + + = t w
x I
x I
I t w
x I
x I
I t w
x I
x I
I I t I
o DC o DC o DC DC C
3 cos 2 2 cos 2 cos 2
0
3
0
2
0
1

Para seales grandes vemos que, adems de la armnica fundamental, aparecen


2da.Armnica,3ra.Armnica,4ta.Armnica,etc.

Si la entrada es una seal sinusoidal, debido a las armnicas, la seal de salida no


sersinusoidalytendrdistorsin

Acontinuacinsemuestrantablasconvaloresdelasfuncionesdebessel:

x Io(x) I1(x) I2(x) I3(x)


0.0 1.0000 0.00000 0.00000 0.00000
0.5 1.0635 0.25789 0.03191 0.00265
1.0 1.2661 0.56516 0.13575 0.02217
1.5 1.6467 0.98167 0.33783 0.08077
2.0 2.2796 1.59060 0.68895 0.21274
2.5 3.2898 2.51670 1.27650 0.47437
3.0 4.8808 3.9534 2.2452 0.95975
3.5 7.3782 6.2058 3.8320 1.82640
4.0 11.3020 9.7595 6.4222 3.33730
4.5 17.4810 15.3890 10.6420 5.93010
5.0 27.2400 24.3360 17.5060 10.33100
5.5 42.695 38.588 28.663 17.743
6.0 67.234 61.342 46.787 30.150
6.5 106.290 97.735 76.220 50.830
7.0 168.590 156.040 124.010 85.175
7.5 268.16 249.580 201.610 142.060
8.0 427.56 399.87 327.59 236.07
8.5 683.16 641.62 532.19 391.17
9.0 1093.6 1030.9 864.49 646.69
9.5 1753.5 1658.4 1404.30 1067.20
10.0 2815.7 2671.0 2281.50 1758.40
ElectrnicaAnalgicaI

182

Silacarga(RL)estenelcolector,latensindesalidaser:
( ) ( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( ) ( ) K + + + + = = t w
x I
x I
I t w
x I
x I
I t w
x I
x I
R I R I R t I t V
o DC o DC o L DC L DC L c L
3 cos 2 2 cos 2 cos 2
0
2
0
2
0
1

Laarmnicafundamentalser:
( ) ( )
( )
( )
( ) t w
x I
x I
R I R t I t V
o L DC L c L
cos 2
0
1
1 1
= =

Definimoslatransconductanciaparagransealcomo:
( )
( )
( )

= =
x I V
x I
I
V
I
x G
m
DC
m
pico c
m
0
1
1
2

DividiendonumeradorydenominadorporVTobtenemos:
( ) ( )
( )

=
x xI
x I
g
x G
m
m
0
1
2

TablaconvaloresdeGm(x)/gm:

x
( )
m
m
g
x G

x
( )
m
m
g
x G

x
( )
m
m
g
x G

x
( )
m
m
g
x G
x
( )
m
m
g
x G

0 1.0000 1.0 0.8926 2.0 0.6976 3.0 0.5399 4.0 0.4317


0.1 0.9987 1.1 0.8738 2.1 0.6794 3.1 0.5270 4.1 0.4230
0.2 0.9950 1.2 0.8544 2.2 0.6617 3.2 0.5147 4.2 0.4146
0.3 0.9888 1.3 0.8347 2.3 0.6445 3.3 0.5029 4.3 0.4065
0.4 0.9804 1.4 0.8147 2.4 0.6279 3.4 0.4915 4.4 0.3987
0.5 0.9699 1.5 0.7946 2.5 0.6118 3.5 0.4805 4.5 0.3912
0.6 0.9574 1.6 0.7747 2.6 0.5963 3.6 0.4700 4.6 0.3839
0.7 0.9432 1.7 0.7549 2.7 0.5814 3.7 0.4598 4.7 0.3769
0.8 0.9275 1.8 0.7354 2.8 0.5670 3.8 0.4501 4.8 0.3702
0.9 0.9106 1.9 0.7163 2.9 0.5532 3.9 0.4407 4.9 0.3636

ElectrnicaAnalgicaI

183

x
( )
m
m
g
x G

x
( )
m
m
g
x G

x
( )
m
m
g
x G

x
( )
m
m
g
x G

x
( )
m
m
g
x G
5.0 0.3573 6.0 0.3041 7.0 0.2644 8.0 0.2338 9.0 0.2095
5.1 0.3512 6.1 0.2996 7.1 0.2610 8.1 0.2311 9.1 0.2073
5.2 0.3453 6.2 0.2952 7.2 0.2577 8.2 0.2285 9.2 0.2052
5.3 0.3395 6.3 0.2910 7.3 0.2544 8.3 0.2259 9.3 0.2031
5.4 0.3340 6.4 0.2869 7.4 0.2513 8.4 0.2234 9.4 0.2011
5.5 0.3286 6.5 0.2829 7.5 0.2482 8.5 0.2210 9.5 0.1991
5.6 0.3286 6.6 0.2790 7.6 0.2451 8.6 0.2186 9.6 0.1971
5.7 0.3183 6.7 0.2752 7.7 0.2422 8.7 0.2162 9.7 0.1952
5.8 0.3134 6.8 0.2715 7.8 0.2393 8.8 0.2139 9.8 0.1934
5.9 0.3087 6.9 0.2679 7.9 0.2365 8.9 0.2117 9.9 0.1915

Problema 5.17: Si un transistor recibe una seal de entrada de 26 mV, halle la


distorsindesegundoarmnicoenlasalida.Asuma:VT=26Mv

SOLUCION:
La distorsin de segundo armnico se define como el valor eficaz del segundo
armnico dividido por el valor eficaz de la armnica fundamental. Esta divisin se
expresaenporcentaje:

D2=[2IDC[I2(x)/Io(x)]/2]/2IDC[I1(x)/Io(x)]/2]=[I2(x)]/[I1(x)]

Reemplazandovaloresyefectuandoparax=26mV/26mV=1:
D2=I2(1)/I1(1)=0.13575/0.56516=0.24=24%
D2=24%

Estosignificaquelaamplituddelasegundaarmnicaesel24%delaamplituddela
fundamental

TeoremadeMiller.
Este teorema es til para simplificar circuitos y en clculos de respuesta en alta
frecuencia.

SeaelcasodeunaimpedanciaZcolocadaentrelosnudosAyBdeunared:

LacorrientequesaledelnudoAhaciaBes:
IA=(VAVB)/Z=VA(1K)/Z

ElectrnicaAnalgicaI

184
Donde:K=VB/VA

Es decir, que si conocemos el valor de K podemos poner una impedancia entre el


nudoAytierraconvalor:ZA=Z/(1K)ylacorrientequesalgadelnudoAserla
mismaIA.

Enformasimilar,lacorrientequesaledelnudoBhaciaAes:
IB=(VBVA)/Z=VB(11/K)/Z
Donde:K=VB/VA

Es decir, que si conocemos el valor de K podemos poner una impedancia entre el


nudoBytierraconvalor:ZB=ZK/(K1)ylacorrientequesalgadelnudoBserla
mismaIB.


Z K / ( K - 1 )
B
A
Z
Z / ( 1 - K )
B
R E D
A

ParapoderusarelTeoremadeMillerdebemosconocerpreviamentelarelacinde
tensiones entre los nudos B y A. Este teorema es til para determinar el polo
dominanteencircuitosconrealimentacincapacitiva.

Problema5.18:Enelcircuitomostrado,halleelcircuitoequivalenteMiller

+
VL
-
+ +
Vb
-
0.5K
1pF
-
2K
ib
40K
4K
Vg
150 ib

ElectrnicaAnalgicaI

185
SOLUCION:
Si se cumple que la reactancia de 1pF es mucho mayor que: 40K // 4K, podemos
hallarfcilmenteK: K=VL/Vb

VL=150ib(40K//4K) ib=Vb/2K

Luego: VL=150(Vb/2K)(40K//4K)=75Vb(40//4)

Finalmente: K=VL/Vb=272.7

Entonces: ZA=Z/(1K)=1/jwC(273.7)=1/jw(273.7pF)
ZB=ZK/(K1)=1/jw(1pF)

ModeloequivalentedeMiller:
2K
273.7pF
150 ib
Vg
+
VL
-
+
-
1pF
4K
40K
0.5K
+
Vb
-
ib

Teoremadesustitucin.
Este teorema es muy til para hacer modelos simplificados de los circuitos
electrnicos.Esteteoremaestablecelosiguiente:

Un voltaje conocido en un circuito puede ser reemplazado por una fuente de


voltajeideal.

Una corrienteconocida enuncircuitopuedeserreemplazada porunafuentede


corrienteideal.

Problema5.19:Enelcircuitomostrado:
a) Calculelastensionesycorrientesencadacomponente
b) ReemplacelaresistenciaR3porunafuentedetensinidealconlatensinV3y
calculelastensionesycorrientesencadacomponente
c) Reemplace la resistencia R3 por una fuente de corriente ideal con la corriente
I3ycalculelastensionesycorrientesencadacomponente
ElectrnicaAnalgicaI

186
R1 = 2K
12V
I3
R3 = 3K
R2 = 6K
+
V2
-
+ V1 -
I1
I2
+
V3
-

a) Tensionesycorrientesencadacomponente
HallamosI1: I1=12V/(2K+6K//3K)=3mA
Luego: V1=(3mA)(2K)=6V
Entonces: V2=V3=12V6V=6V
Finalmente: I2=V2/6K=1mA I3=V3/3K=2mA

b) ReemplacelaresistenciaR3porunafuentedetensinidealconlatensinV3y
calculelastensionesycorrientesencadacomponente

R1 = 2K
12V
I3
R2 = 6K
+
V2
-
+ V1 -
I1
I2
+
V3=6V
-

HallamosI1: I1=(12V6V)/2K=3mA
Delcircuito: V2=V3=6V
Finalmente: I2=V2/6K=1mA I3=I1I2=2mA
Vemos que ninguna tensin ni corriente ha variado al sustituir V3 por una
fuentedetensinideal.
ElectrnicaAnalgicaI

187
c) Reemplace la resistencia R3 por una fuente de corriente ideal con la
corrienteI3ycalculelastensionesycorrientesencadacomponente

R1 = 2K
12V
I3
R2 = 6K
+
V2
-
+ V1 -
I1
I2
I3=2mA
+
V3
-

Empleandoelmtododenodos:
(12V2)2K=V2/6K+2mA
Resolviendo: V2=6V=V3
Luego: V1=12V6V=6V
Finalmente: I1=6V/2K=3mA I2=6V/6K=1mA
I3=2mA
Vemos que ninguna tensin ni corriente ha variado al sustituir I3 por una
fuentedecorrienteideal.

ElectrnicaAnalgicaI


189
UNIDADTEMTICA
No.6

REGULADORES

REFERENCIASDEVOLTAJE:Hay2tiposdereferenciadevoltajecomnmenteusada
enlosreguladores.

1) La referencia bandgap o V
BE
: Este mtodo consiste en el hecho que dos
transistorestrabajandoadosdensidadesdecorrientediferentes,desarrollan
una diferencia de voltaje base. emisor predecible. Es usado en los
reguladoresintegradosdemayorcorriente(0.5A3A).

Uncircuitobsicosemuestraacontinuacin:

R3
Q2
Q3
Q1
+
V2
-
I2
I
+
VBE
-
I1
+ Vref
+
R2
R1
+
V1
-

Sedemuestraque: V
1
=V
BE
=V
T
ln(I
1
/I
2
)

ElectrnicaAnalgicaI

190
Adems:
V
2
=(R
2
/R
1
)V
BE

Luego:
Vref=V
BE3
+(R
2
/R
1
)V
BE

Si se elige adecuadamente la ganancia, (R


2
/R
1
), el coeficiente negativo de
temperatura de V
BE3
se puede compensar con el positivo de V
BE
, haciendo
queelcoeficientetotalestcercanoacero.

Ventajas:
Bajoruido
Mejorestabilidadalargoplazo.

Desventajas:
Dificultadparacontrolarlatoleranciainicialdevoltajedebidoaqueelvoltaje
baseemisorvaraconelanchodelabase.
Mayorderivatrmica
Losefectosdelosgradientestrmicossonmsseveros.

2) La referencia con diodo zener: Este mtodo consiste en un diodo zener


trabajandoensuzonaderuptura.Esusadoenlosreguladoresintegradosde
bajacorriente(0.1A0.25A).

Ventajas:
Pocoscomponentes.
Buencontroldevoltajeinicial.

Desventajas:
Malaestabilidadalargoplazo.
Altoruido.
Puede ser mejorado si se hace un implante inico de una regin altamente
contaminadapordebajodelasuperficie.

REGULADORESDETENSIN.
Soncircuitosqueseconectanentrelafuenteprimariaylacarga.Debeadaptarsea
lascaractersticasdelafuenteprimariayalacarga.

Es un circuito activo que reacciona ante cualquier cambio de la entrada o de la


cargaparaquelasalidasemantengaestable.

ElectrnicaAnalgicaI


191
TIPOSDEREGULADORESDETENSIN:
Podemosclasificarlos,porsuformadeoperacin,en:

1. Reguladoreslineales.
2. Reguladoresnolinealesodeconmutacin.

REGULADORESLINEALES:
Operansiempreconunniveldetensindeentradasuperioraldesalida.Equivalen
a una resistencia cuyo valor se ajusta automticamente para que la salida se
mantengaconstante.

Disipanenergaynotienenmuybuenaeficiencia.

ProducenmenosruidoenlacargayenlaredAC.

Asuvez,sepuedenclasificarcomo:

1. Reguladorparalelo:Cuandoeldispositivoderegulacinestenparalelocon
la carga. Un ejemplo de ello es el regulador con diodo zener. Es el menos
eficiente y comnmente se le emplea para corrientes bajas o como circuito
dereferenciadetensin.

VCC
Reg.
R
RL

Regulador con diodo zener: Es un tipo de regulador paralelo muy usado


comnmenteparacorrientesbajas.Acontinuacinsemuestraunejemplo.

Problema6.1:Enelcircuitomostradosetiene:
20mAILDC200mAy20VVCC30V
Halle:
ElectrnicaAnalgicaI

192
a) ElvalormsadecuadoylapotenciamximadeR.
R
15V
Izk = 5mA
ILDC
+
VDC
-
VCC RL

b) Lapotenciamximaquedisiparelzener.

Solucin:
a) ValormsadecuadoylapotenciamximadeR:
R=(VCC15)/(5+ILDC)

El peor caso se presenta cuando VCC es mnima e ILDC es mxima.


Entonces:

R=(2015)/(5+200)=24.39 R=24.39

Lapotenciaser,mximaenRcuandoVCCseamxima:
Pmx=(3015)
2
/(24.39)=9.23W Pmx=9.23W

b) Potenciamximaquedisiparelzener:
El zener disipar mxima potencia cuando la tensin de entrada sea
mximaylacorrienteenlacarga,mnima:.

Pzmx=(15V)[(15/24.39)20mA]=8.93W Pzmx=8.93W

2. Regulador serie: Cuando el dispositivo de regulacin est en serie con la


carga.Sonlosmsusadosytienenmseficienciaqueelreguladorparalelo.
ElectrnicaAnalgicaI


193
VCC
Reg.
RL

Tiposdereguladoresserie:
Hay diversos tipos de reguladores serie y que pueden tener protecciones
paraevitarexcesodecorrientey/otensinenlacargaodedisipacinde
potencia de los dispositivos de regulacin. Un diagramas de bloque tpico
eselsiguiente:

Dispositivo
Regulador
Salida
RL
Idc
I
FUENTE NO REGULADA
Comparador Referencia
de Voltaje

EJEMPLOSDEREGULADORESLINEALES:
Acontinuacinsonmostradosalgunosejemplosdereguladoresdiscretos.

Fuentereguladaconproteccincontracortocircuito:
Este regulador incluye proteccin contra cortocircuito. Q2 hace el papel de
comparador. Vz produce la tensin de referencia. El potencimetro sirve para
ajustarelvoltajedesalida.R1sirveparadarelarranqueinicialalafuente.

ElectrnicaAnalgicaI

194
R2
VZ
R4
Q2
Salida
Q1
R3
RL
R1
POT
FUENTE NO REGULADA

FuentereguladaconBJT:
En este regulador la fuente de corriente es representada por Q1. Q2 es el
dispositivo regulador. Obsrvese que est en la configuracin de seguidor emisivo
para reducir la impedancia de salida. Vz1 produce la tensin de referencia. El
potencimetrosirveparaajustarelvoltajedesalida.

VCC
R4
VZ1
R3
VZ2
RL
Q2
SALIDA
R2
POT.
Q3
R5
R1
Q1

REGULADORESNOLINEALESODECONMUTACIN(SWITCHING).
Sufuncionamientoescompletamentediferentealreguladorlineal,conelobjetivo
denodesperdiciarenergaenformadecalor.

Debidoaqueevitaneldesperdiciodeenerga,sueficienciapuedesercercanaala
unidad.

ElectrnicaAnalgicaI


195
Asuvez,sepuedenclasificarcomo:

1. Reguladorconmutadoafrecuenciadelared:Empleainterruptoresquese
bloquean cuando la tensin de la red AC cambia de polaridad.
ComnmentelosinterruptoressonrealizadosmedianteSCR.Requierenun
circuitodecontrolquedetectelospasosporcerodelatensinAC.

RD
D1 T2
D1
L
CONTROL
D1
T1
SALIDA
C RL
220Vac

2. Regulador conmutado a frecuencia propia: Emplea interruptores que se


bloquean cuando el control lo dispone. El control incluye un oscilador
internocuyafrecuenciaesfijadaenelordendelosKHzyeslaquedefinela
velocidad con la que los interruptores abrirn y cerrarn. El tiempo que el
interruptorestabiertoocerradosecontrolacontcnicasdemodulacin,
entrelascualesseusamslaPWM(modulacindeanchodepulsos).

La siguiente figura muestra el esquema simplificado de un regulador


reductor(Buck).Q1haceelpapeldeinterruptor.D1esundiodovolante.El
filtroLCeliminalosarmnicosydejapasarlacontinuaalacarga.Elcontrol
detecta el voltaje de salida y controla el tiempo de encendido del
interruptor,ademsdedefinirlafrecuenciadeconmutacin.

RL
CONTROL
D1
C VCC
Q1
RD
L
SALIDA

ElectrnicaAnalgicaI

196
Diseodeunreguladordiscreto:
Acontinuacin,semuestraeldiseodeunreguladortpicoenelqueseempleaun
transistorcomocomprador.Ensulugartambinsepuedeemplearunamplificador
diferencialounoperacional.

Problema 6.2: Disee el siguiente regulador discreto para obtener una tensin de
salidade12Vdcy1A.

VCC
R4
VZ1
R3
VZ2
RL
Q2
SALIDA
R2
POT.
Q3
R5
R1
Q1

Solucin:
ElegimosuntransistorQ2conganancia=50

Paraqueeldiodozener,Z2,estensuzonaderupturalopolarizaremoscon10mA.
Por la red de muestreo del voltaje de salida, haremos pasar una corriente mucho
mayorqueladebasedeQ2.Elegimos:IR4=5mA

LacorrientedeemisordeQ2ser: IE2=1A+10mA+5mA=1.015A
LacorrientedebasedeQ2ser: IB2=1.015A/51=19.9mA

La corriente de colector de Q1 debe ser mayor que IB2 para que Q3 se mantenga
enlazonaactiva.Lafijamosen: IC1=25mA

Para lograr estabilidad trmica, elegimos Z1 y Z2 de 6.2V. esto nos permite hallar
R2

R2=(6.20.7)/25mA=220
R2=220 Z1=Z2=Zenerde6.2V

ElectrnicaAnalgicaI


197
Luego: R3=(126.2)/10mA=560
R3=560

Adems: R4+Pot+R5=12V/5mA=2.4K

Tambindebecumplirse: (5mA)R5<6.2V+0.7V=6.9V
R5<6.9V/5mA=1.38K R5=1K

Entonces: R4+Pot=1.4K

Adems: (5mA)(R5+Pot)>6.9V (R5+Pot)>1.38K


Pot>380 Pot=500

Finalmente, R4=2.4K1K0.5K=0.9K
R4=910

Para que Q2 siempre est en la zona activa, haremos que el voltaje colector
emisordeQ2noseamenorque12V.EstoaseguraqueQ1tambinestenlazona
activa.

Entonces,latensindeentradadeberser:
VCC=12V+12V=24V VCC=24V

HaremosquelacorrienteenZ1sea10mA
Deaqu: R1=(246.2)/10mA=1.78K
R1=1.8K

Acontinuacinsemuestraelcircuitoconsusvalores:
+
VCC
24V
Pot
500 86%
Z2
6V2
Z1
6V2
Q1
2N2905
Q3
2N2222
Q2
2N3055
RL
12
R1
1.8k
R5
1k
R4
910
R3
560
R2
220

ElectrnicaAnalgicaI

198
Tensindesalidaenvaco=12.07V
Tensinaplenacarga=11.84V
Regulacin=1.9%

REGULADORESCONCIRCUITOSINTEGRADOS:
Acontinuacinveremoslosreguladoresmscomunesascomosuscaractersticas
yaplicaciones:

ReguladorparaleloprogramableTL431:
Actaenformasimilaraundiodozener,conladiferenciaquesuvoltajepuedeser
ajustadoenunrangode2.5V36V.Puederecibircorrientesentre1y100mA.Su
resistenciadinmicaesde0.2.

Enlagrficasiguientesemuestransustiposdeencapsuladosyterminales.

Topview=VistasuperiorBottomview=VistainferiorFrontview=Vistafrontal
Cathode=Ctodo Anode=Anodo REF=Referencia

Diagramadebloquesysmbolo:
ANODO
2.5 Vref.
REF.
ANODO
REF. CATODO
CATODO

ElectrnicaAnalgicaI


199

CIRCUITOEQUIVALENTEDELTL431:

ANODO
20pF
800
CATODO
150
1K
2.4K
3.28K
20pF
10K
900
4K
REF.
7.2K
800

Caractersticasdeoperacinrecomendadas:

CARACTERISTICA MINIMO MAXIMO


Voltajedectodo Vref=2.5V 36V
Corrientedectodo 1mA 100mA

ElectrnicaAnalgicaI

200
Aplicaciones:
1. Reguladorparalelo:
R2
R
+
Vref
-
VCC
R1
+
Vz = Vref(1+ R1/R2)
-

LaresistenciaRdefinelamximacorrientedelregulador.
LacorrientequecirculaporR2es: I=Vref/R2
LatensinenR1esprcticamente: V=IR2=Vref(R1/R2)
Finalmente: Vz=V+Vref=Vref(1+R1/R2)

2. Reguladorparalelodealtacorriente:

R
VCC
+
Vz = Vref(1+ R1/R2)
-
R3
+
Vref
-
R2
R1

LaresistenciaR3definelamximacorrienteporeltransistor.

ElectrnicaAnalgicaI


201
Problema6.3:Enelreguladormostradosequiereobtener:VL=15VIL=0.5A.
a) CalculelosvaloresdeR1yR2.
b) CalculeelvalordeRsiVCC=30V.
c) Qucorrientemanejaeltransistorcuando:IL=0.5A?
d) QuvalordebetenerR3?

VCC
+
Vref
-
+
Vz = Vref(1+ R1/R2)
-
R
R1
R2
R3
RL
TL 431

Datos:
TL431:Vz=2.5(1+R1/R2) corrientemnima:Izmn=2mA
Asuma:IR1=1mA
Transistor:VEB=0.7V,=50Icmn=10mA

SOLUCION:
a) ValoresdeR1yR2.
Elvoltajeenlacargaes15V.Entonces:15=2.5(1+R1/R2)
Dedonde: R1/R2=(15/2.5)1=5
Elegimos: R2=1.5K luego: R1=7.5K
R2=1.5KR1=7.5K

b) ValordeRsiVCC=30V.
Considerandolamximacorrienteenlacarga:
30=R(500mA+30V/(7.5K+1.5K)+2mA+10mA/50+10mA)+15
DespejandoR: R=15/(515.53mA)=29.1
R=29.1

ElectrnicaAnalgicaI

202
c) Qucorrientemanejaeltransistorcuando:IL=0.5A?
Segndatos,debemanejarIcmn=10mA
Icmn=10mA

d) QuvalordebetenerR3?
ParaasegurarIzmn=2mAenelregulador: R3=0.7V/2mA=350
R3=350

ReguladorvariableLM317:
Es un circuito cuyo voltaje puede ser variado entre 1.2V y 37V, con corriente
mxima de 1.5 Amperios. Posee tambin limitacin de corriente y proteccin
trmica.

Estos reguladores forman una familia y as, el LM337 es la versin de tensin


negativade1.5A,elLM338eslaversinde5A,

AcontinuacinsemuestraelencapsuladoTO220delLM417yterminales:

2 1
LM317T
3

Pin1=Adj.=Ajuste Pin2=Out=Salida Pin3=In.=Entrada

ElectrnicaAnalgicaI


203
Diagramadebloques:

2 = Out
1 = Adj.
1.25 Vref.
Circuito de
Proteccin
3 = Input
R lim.
+
-

CIRCUITOEQUIVALENTEDELLM338:

3 Vin
R20
13K
R22
160
Q6
Q13
Q27
R4
82
D2
6.3V
R24
160
R8
12.4K
R16
6.7K
Q14
Q9
R18
130
R6
200K
R14
12K
Q21
R3
190
Q2
2 Vout
Q20
Q16
R15
2.4K
R11
5.8K
R27
50
Q3
Q18
Q7
Q1
D4
6V
R17
12K
R13
5.1K
Q19
R7
130
R10
4.1K
C2
30pF
Q22
C3 5pF
R12
72
R27
47K
Q8
Q17
Q23
Q5
1 Adj
R2
330
R1
330
R7
130
C1
30pF
Q11
Q4 Q26
R25
3
R21
400
Q24
D3
6.3V
R19
370 Q10
R26
0.03
Q25
R23
18K
Q12
D1
6.3V
R5
5.6K
Q15

Caractersticasdeoperacin:

CARACTERISTICA MINIMO MAXIMO


Iadj 100mA
VinVout 3V 40V
Vref 1.2V 1.3V
Iout 12mA 1.5A

ElectrnicaAnalgicaI

204
Aplicaciones:
1. Reguladorvariable:
R2
0.1uF
LM317
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
Entrada
1uF
R1
Salida

Vsalida=1.25V(1+R2/R1)

2. Reguladorvariableconproteccincontradescargacapacitiva:
R2
R1
D1
1N4002
C > 25uF
LM317
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
Salida
D2
1N4002
0.1uF
1uF
Entrada

ElectrnicaAnalgicaI


205
3. Reguladorvariableconsalidade030V:

R2
R1
D1
1N4002
C > 25uF
-12 a -18V
470
LM317
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
Salida
D2
1N4002
10uF
0.1uF
LM329C
1uF
Entrada

ElectrnicaAnalgicaI

206
4. Cargadordebaterade12VconLM317:
15
1K
15K
0.1uF
12V
BATERIA
Vin > 18V
LED
3K
500
Salida
0.5
1uF
+
-
U9
LM741
3
2
6
7
4
LM317
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
230
2N2905
1N4148

ReguladorvariableLM723:
Es un circuito muy verstil, con el cual se pueden hacer reguladores fijos y
variables,positivosonegativoseinclusodealtovoltajeyaltacorriente.

Su tensin de entrada mxima es 40V y su corriente mxima con salida en


cortocircuitoes65mA

En el siguiente esquema se muestra su encapsulado DIL 14 y terminales de


conexin:
LM723
4
1
2
14
3
5
13
10
12
11
9 6
8 7
IN-
NC
CL
NC
CS
IN+
FC
Vout
V+
VC
VZ Vref
NC V-

ElectrnicaAnalgicaI


207
Pin1:NC=Noconectado Pin8:NC=Noconectado
Pin2:CL=Lmitedecorriente Pin9:Vz=Zener
Pin3:CS=Sensadodecorriente Pin10:Vout=Salida
Pin4:IN=Entradainversora Pin11:Vc=Tensindecontrol
Pin5:IN+=Entradanoinversora Pin12:V+=Tensindealimentacin
Pin6:Vref=Tensindereferencia Pin13:FC=Compensacindefrecuencia
Pin7:V=Tierra Pin14NC=Noconectado

Diagramadebloques:

11
V+
CL - 2
Vref
FC
Vc
+
-
5
4
13
7
4
6
7
13
V-
VZ2
12
CS - 3
Vout-10
VZ - 9

ElectrnicaAnalgicaI

208
REGULADORDE35V20ACONLM723:

- VDC
Q4
2N3055
Q1
2N3055
Q2
2N3055
R24
1K
R10
47
R23 470
D2
1N4004
R16
0.47 / 5W
R30
3K3
R1
470
+ 35 VDC
Q7
TIP31C
R15
0.47 / 5W
+VDC
R20
5.6K
D6
1N4148
D5
1N4004
R4
470
REGULADOR DE 35 V / 20 A
D3
1N4004
17 VAC
R21
470
C1
0.1uF
R14
0.47 / 5W
R19
100
R2
470
D7
1N4148 C5
10uF / 63V
P2
100K
C3
680pF
R9
47
R13
0.47 / 5W
R28
100K
R7
47
R8
47
R29
100K
P1
100K
C4
100uF / 16V
Z1
3V 9
C2
2200uF / 25V
R12
47
R26
3K3
D1
6A / 600V
Q6
2N3055
Q5
2N3055
R17
0.47 / 5W
R18
0.47 / 5W
R3
470
R25
3K3
Q3
2N3055
R5
470
D4
1N4004
R11
47
R6
470
R27
680
R22
3K3
GND
U1
LM723
68 9
1
4
1
9
3
4
1
6
1
8
1
0
I
N
-
I
N
+
V
R
E
F
O
U
T
F
C
CL
CS
V
C
V
C
C
+
V
C
C
-

ElectrnicaAnalgicaI


209
REGULADORDE5V/1.5A
+ 5 VDC / 1.5A
100uF/25V
0.1uF/50V
1N4005
121
LM317
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
1000uF/50V
1N4005
365
100uF/50V -
+

REGULADORDE20V/5A
121
0.1uF/50V
0.1uF/50V
100uF/50V
22uF/50V
1N4005
22000uF/50V
1.82K
100uF/25V
+ 20 VDC / 5A
-
+
0.1uF/50V
LM338K
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J

REGULADORDE20V/1.5A
1N4005
LM337
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
+
0.1uF/50V
1.82K
- - 20 VDC / 1.5A
1N4005
100uF/50V
1000uF/50V
121
100uF/25V

ElectrnicaAnalgicaI

210
REGULADORDE25V/6A

220
1nF
1K
50pF
MJ3000
560
27V
1nF
2.2/10W
LM723
456
1
0
1
3
23
1
1
9 1
2
7
I
N
-
I
N
+
V
R
E
F
O
U
T
F
R
Q
C
O
M
P
C
L
C
S
V
C
V
Z
V
C
C
+
G
N
D
390pF
0.1uF
-
+ 20V
+
5K
-
1N4148 390pF
33K
+
1K
0.2/5W 0.1uF
1K
47K
VARISTOR
100
1K
390pF
3.3V 3.3V
Q3
SCR
8A
5.1K
0.2/5W
10K
30V
0.2/5W
1uF/50V
0.2/5W
47K
10
MJ3000

Limitacindecorriente:
Unaproteccinmuycomnenlosreguladoresesellmitedecorriente.

Al limitar la corriente en la carga podemos evitar que el regulador se destruya al


excedersucapacidaddecorrienteydeconsumodepotencia.

EneldiagramadebloquesdelLM723setieneesetipodeproteccin:
ElectrnicaAnalgicaI


211
11
V+
CL - 2
Vref
FC
Vc
+
-
5
4
13
7
4
6
7
13
V-
VZ2
12
CS - 3
Vout-10
VZ - 9

LosterminalesCLyCSpermitenactivarestaproteccinenelregulador.Cuandoel
voltaje VCLCS es igual a 0.6V, el transistor comienza a conducir y quita corriente
de base al transistor de salida, impidiendo que su corriente exceda un lmite
prefijado.EntreCLyCSseponeunaresistenciashuntdebajovalor,lacualdetecta
lacorrientedecarga.

En los esquemas anteriores de las fuentes de 24V 20 A y 25V 6 A mostrados


anteriormente,seveelusodeestaproteccin.

Acontinuacinesmostradalagrficaderespuestatpicaenunregulador:
IL
Icc
VL
ILmx

ElectrnicaAnalgicaI

212
Icceslacorrientedecortocirciuito(conRL=0).

Vemosquealactivarselaproteccin,latensindesalidaempiezaareducirsepara
evitarquelacorrientesubaexcesivamente.

Eltransistorreguladordebedisearseparasoportarlapotenciaquedisiparconla
corrienteIcc.

Limitacintipofoldback:
Esta proteccin es una versin mejorada del lmite de corriente. Hace que la
corriente de cortocircuito sea menor que ILmx. Esto permite que ante un
cortocircuitoeltransistorreguladornodisipeunapotenciamuyelevada.

Acontinuacinesmostradalagrficaderespuestatpicadeunreguladorconeste
tipodeproteccin:

IL
Icc
VL
ILmx

Proteccincontracortocircuito:
Esotrotipodeproteccinenlosreguladoresqueimpidelacirculacindecorriente
cuandosepresentauncortocircuitoenlasalida.

ElectrnicaAnalgicaI


213
Unejemploeselsiguiente:
R2
VZ
R4
Q2
Salida
Q1
R3
RL
R1
POT
FUENTE NO REGULADA

EltransistorQ2entregacorrientealtransistorreguladorQ1.Anteuncortocircuito
enlasalida,Q2pasaalazonadecorteydejadedarlecorrienteaQ1,conloquel
tambinpasaalazonadecorteyyanohaycorrientedesalida.

Limitacindepotencia:
Esta proteccin consiste en detectar tanto la tensin como la corriente del
transistor de potencia y conectarlas a un circuito multiplicador para obtener una
seal proporcional a la potencia que disipa. Esta se compara con el nivel de
referenciaqueestablecelamximapotenciaquedebedisipar.Cuandoseproduce
unexceso,elcontrolloobligaradisminuirsuconsumodepotencia.

Esunaproteccincostosaporquerequiereelusodecomponentesespecialespara
laproteccin.

Proteccincrowbar:
Estetipodeproteccinesusadoparaevitarqueseprduzcaunasobretensinenla
salida que pueda daar la carga. Esto puede producirse cuando se cruzan los
transistoresdepotenciadesalida.

Unejemploeselsiguiente:Reguladorde25V/6A
ElectrnicaAnalgicaI

214
220
1nF
1K
50pF
MJ3000
560
27V
1nF
2.2/10W
LM723
456
1
0
1
3
23
1
1
9 1
2
7
I
N
-
I
N
+
V
R
E
F
O
U
T
F
R
Q
C
O
M
P
C
L
C
S
V
C
V
Z
V
C
C
+
G
N
D
390pF
0.1uF
-
+ 20V
+
5K
-
1N4148 390pF
33K
+
1K
0.2/5W 0.1uF
1K
47K
VARISTOR
100
1K
390pF
3.3V 3.3V
Q3
SCR
8A
5.1K
0.2/5W
10K
30V
0.2/5W
1uF/50V
0.2/5W
47K
10
MJ3000

AnteunafalladelostransistoresMJ3000,aparecerunatensinmayorde25Ven
lasalida.Alsuperarlos30V,elzenerde30VconduciryhardispararalSCRQ3,el
cualharuncortocircuitoalaentradaobligandoaquemarseelfusiblede8A,con
ocuallafuentequedardesconectada.LaresistenciaenserieconelSCRseemplea
paraevitarqueestedispositivoconduzcademasiadacorrienteysedestruya.

Reguladoresfijosconcircuitointegrado:
Sonreguladoreslinealescuyasalidanopuedevariarse.Sonmuypopularesporque
facilitanmuchoeldiseodefuentesdealimentacin.

Haymodelosqueentregantensinpositivayotrosqueentregantensinnegativa.
Setienen2familiasmuyconocidas:

La serie LM78xx es una familia de reguladores positivos. El nmero xx indica la


tensin.Ejemplo:LM7812=Reguladorpositivode12voltios.

Lasiguientefiguramuestraunencapsuladotpicoconsudisposicindepines:
ElectrnicaAnalgicaI


215

Vemos que los terminales se numeran de izquierda a derecha. El encapsulado


mostrado corresponde al cdigo TO220. El terminal 1 (Input) es la entrada
proveniente de la tensin rectificada y filtrada. El terminal 2 (Ground) es el de
referencia(Tierra)elterminal3(Output)eslasalidadelvoltajeregulado,respecto
aldereferencia.Elterminal2esttambinconectadoalalminametlica,lacual
seempleaparamontajeenundisipador.

LaserieLM79xxesunafamiliadereguladoresnegativos.Igualmente,elnmeroxx
indicalatensin.Ejemplo:LM7905=Reguladornegativode12voltios.

Lasiguientefiguramuestraunencapsuladotpicoconsudisposicindepines:

En este caso vemos que los terminales se numeran empezando del pin marcado
con el crculo, el cual indica al terminal 1. El encapsulado mostrado corresponde
tambin al cdigo TO220. El terminal 1 (Ground) es el de referencia (Tierra). El
terminal 2 (Input) es la entrada proveniente de la tensin rectificada y filtrada. El
terminal 3 (Output) es la salida del voltaje regulado, respecto al de referencia. El
terminal 2 est tambin conectado a la lmina metlica, la cual se emplea para
montajeenundisipador.

ElectrnicaAnalgicaI


217
UNIDADTEMTICA
No.7

RESPUESTAENFRECUENCIA
Hasta ahora hemos considerado que los parmetros de los transistores son
constantes. Sin embargo, en la prctica, esto no es cierto. Dichos parmetros
dependendelospuntosdeoperacin,delatemperatura,delafrecuencia,etc.

A la respuesta en frecuencia se le entiende como la respuesta en estado


estacionario (rgimen permanente) de un amplificador ante una entrada
sinusoidal.Paraelestudiodelamplificador,sevaralafrecuenciadelasinusoidede
entradadentro de un determinado rango defrecuenciasyseobtienela respuesta
resultante.Estemtodonospermitehacerelanlisisydiseodelcircuito.Adems
esmuysencilloderealizarenellaboratorio,dondelosinstrumentosbsicosquese
necesitansonungeneradorsinusoidaldefrecuenciavariableyunosciloscopio.
La teora de control, junto con los modelos del transistor nos dan todas las
herramientasnecesariasparaestudiarelcomportamientodeloscircuitosalvariar
lafrecuencia.

Actualmente, para un estudio ms detallado, contamos con programas de clculo


(como MATLAB y MATHEMATICA) y de simulacin (como SPICE, EMTP, CIRCUIT
MAKER,WORKBENCH,SIMCAD,MULTISIM,etc.).

MATLABesunprogramadeclculo,muypopular,basadoenmatrices,queadems
permiteefectuarprogramacionesycuentaconpaquetesespecializados.

En el campo de los programas de descripcin de hardware analgico y de


simulacin, los ms populares son SPICE (Simulation Program with Integrated
Circuits Emphasis), que es un programa de uso general orientado a circuitos y
EMTP (Electro Magnetic Transients Program), desarrollado para la industria de
ElectrnicadePotencia.

Losprogramasdesimulacinsonmuytilesparaanalizarelcomportamientodeun
circuitoypermitentenerunlaboratoriovirtualconelcualpodemoshacerrpidos
ajusteshastalograrlarespuestadeseada,paraluegopasaralapruebadelcircuito
enellaboratorio.Tambinnossirvencomoherramientadeestudiopuespodemos
verificar nuestros clculos tericos y explorar lo que podra suceder sI se varan
determinadosparmetros.
ElectrnicaAnalgicaI


218
Unodelosmtodos msutilizados para estudiarla respuestaenfrecuencia deun
amplificadorsonlosDiagramasdeBode(diagramaslogartmicosdelagananciayla
faseenfuncindelafrecuencia).Lafrecuenciaserepresentaenescalalogartmica
ylafaseygananciaenescaladecimal(engradosydecibeles,respectivamente).

Al rango de frecuencias comprendida entre una frecuencia cualquiera f1 y 2f1


recibe el nombre de octava de frecuencias. Las pendientes de las rectas en este
rangoseexpresanendb/octava.

Al rango de frecuencias comprendida entre una frecuencia cualquiera f1 y 10f1


recibe el nombre de dcada de frecuencias. Las pendientes de las rectas en este
rangoseexpresanendb/dcada.

Unapendientede20db/dcadaesprcticamenteequivalenteaunapendientede
6db/octava.

5.1. RESPUESTAENFRECUENCIADELOSAMPLIFICADORES:
Larespuestaenfrecuenciaserefierealcomportamientodelosdispositivos
yamplificadoresalcambiarlafrecuencia.

En lneas generales, el estudio de los amplificadores en el dominio de la


frecuencia (alexcitar al amplificador conseales sinusoidales)se divideen
trespartes:

1) RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA: Un amplificador puede variar su


ganancia en frecuencias bajas (desde frecuencia 0 ( DC) hasta una
frecuencia fL) debido principalmente a las reactancias externas del
circuito(porejemplo,capacidadesdeacoploybypass).Lafrecuencia
fL(wL)recibeelnombredefrecuenciadecorteinferior.Aqu,para
realizar el anlisis, se utilizan los modelos de baja frecuencia del
transistor junto con las reactancias externas de acoplo y bypass que,
enestecaso,nodebendespreciarse.

Una excepcin es el amplificador operacional, que puede responder


consumximagananciadesdeDC.

2) RESPUESTAENFRECUENCIASMEDIAS:Enestareginelamplificador
actaconsumximagananciaysusparmetrospuedenconsiderarse
comonmerosreales.Aquseutilizanlosmodelosdebajafrecuencia
del transistor. Las reactancias externas pequeas pueden ser
ElectrnicaAnalgicaI


219
consideradas como cortocircuitos y las reactancias grandes como
circuitosabiertos.

3) RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA: En esta regin el amplificador


disminuye su ganancia al aumentar la frecuencia (desde el valor fH).
La frecuencia fH ( wH) recibe el nombre de frecuencia de corte
superior. Este fenmeno se debe a las reactancias internas de los
transistores. En general, el amplificador no puede aumentar o
mantener constante su ganancia indefinidamente al aumentar la
frecuencia.Siemprehabralgunafrecuenciaaltaalacuallaganancia
empieza a disminuir. Esto nos indica que siempre habrn ms polos
quecerosensufuncindetransferencia

PUNTOSDEMEDIAPOTENCIAYANCHODEBANDA:
Comnmente las frecuencias fL ( wL) y fH ( wH), anteriormente
mencionadas,sedeterminanenlospuntosenquelasealdesalidaposee
la mitad de la potencia que tiene en frecuencias medias. Cuando la
ganancia se expresa en decibeles, los puntos de media potencia se
determinanrestando3dbalagananciaenfrecuenciasmedias.

Elanchodebandadeunamplificadorsedefinecomoladiferenciaentrelas
frecuenciasdecortesuperiorydecorteinferior:

BW=fHfL(usandolafrecuenciacclica)

BW(rad/s)=wHwL(usandolafrecuenciaangular)

Haycasosenloscualeselanchodebandasedefinecondiferentecriterio,
como es el caso de los amplificadores de vdeo, donde se determina
restandoslo1dbalagananciaenlaregindefrecuenciasmediasdebido
a que la vista puede detectar variaciones ms pequeas en los niveles de
iluminacin

Actividad.Pasividad.
Un transistor es pasivo cuando la potencia promedio total en pequea
seal que ingresa por todos sus puertos es cero o positiva. (Si es cero, el
circuitonotieneprdidas.Siespositivo,elcircuitotieneprdidas).

Enelcasocontrario,eltransistoresactivo.

ElectrnicaAnalgicaI


220
Modelodeparmetroshbridosdeltransistor
Estemodelodealtafrecuenciaypequeasealdeltransistoresmuyusado
porque sus parmetros se mantienen casi constantes con la frecuencia.
Puedenserusadoshastalafrecuenciadecortealfa(f)deltransistor.

Acontinuacinsemuestraelmodelo:


E
+
vce
-
ib
gm V
r
+
vbe
-
+
V
-
B
C
C
ic
ro
E
C
rx
r

rx=resistenciadedispersindebase
r=resistenciadeentrada
r=resistenciaderealimentacin
ro=resistenciadesalida
C=capacidaddecentrada
C=capacidadderealimentacin

Estemodelopuedesersimplificadosegnlafrecuenciadeoperacin,
teniendoencuentalasredesenparalelo:rCyrC
rylareactanciadeCsonigualesalafrecuencia:

C r
f
2
1
1
=

Afrecuenciasmuchomenoresquef
1
sepuededespreciarCysloqueda
r

Afrecuenciasmuchomayoresquef
1
sepuededespreciarrysloqueda
C

rylareactanciadeCsonigualesalafrecuencia:

C r
f
2
1
2
=

ElectrnicaAnalgicaI


221
Afrecuenciasmuchomenoresquef
2
sepuededespreciarCysloqueda
r

Afrecuenciasmuchomayoresquef
2
sepuededespreciarrysloqueda
C

Comnmentesecumpleque:C>>Cyr>>r>>rx

Segnlosvaloresdeestosparmetros,podremossimplificarmsalcircuito
equivalente.

Afrecuenciasdeaudio,elmodelopuedereducirsea:


E
+
V
-
C
r
gm V
B
E

Mediante estos parmetros podemos hallar la mxima frecuencia hasta la


cualeltransistorsecomportacomodispositivoactivo:


C C r
gm
f
x
4 2
1
max
=

A frecuencias mayores que fmx, el transistor se comporta como


dispositivopasivo.

RESPUESTAENFRECUENCIADELTRANSISTOR.
Losparmetrosdeltransistortambinvaranconlafrecuencia.

Respuestaenfrecuenciaenemisorcomn:Aqugraficamoslamagnitudasinttica
delaganancia,hfe,endbvsfrecuencia:
ElectrnicaAnalgicaI


222

fT
hfe
db
0
hfeo
f
f

f=Frecuenciadecorte.Eslafrecuenciadelpuntodemediapotenciadehfe.

fT = Frecuencia de transicin. Es la frecuencia a a cual la magnitud de hfe se hace


igual1.Tambinselellamaproductogananciaanchodebanda.

Productogananciaanchodebanda.
Lafrecuenciadetransicin(f
T
)esdadapor:

C
g
f
m
T
2
=

Estafrecuenciatambinrecibeelnombredeproductogananciaanchodebanda
Lagananciadecorrienteenbajafrecuenciaes:

r g h
m fe
=

Frecuenciasdecorte.
Lafrecuenciadecorte(f

)esdadapor:

C r h
f
f
fe
T
2
1
= =

Respuesta en frecuencia en base comn: Aqu graficamos la magnitud asinttica


delaganancia,hfe,endbvsfrecuencia:




d b
0
o
f
f

ElectrnicaAnalgicaI


223
f = Frecuencia de corte . Es la frecuencia del punto de media potencia de . Su
valoresmuycercanoafT.

METODOSDERESPUESTAENFRECUENCIA
Haytresmtodosderepresentacindefuncionesdetransferenciasinusoidales,los
cualesson:

DiagramasdeBode(diagramaslogartmicos)
DiagramapolarodeNyquist
Diagramadellogaritmodelaamplitudenfuncindelafase.

DIAGRAMASDEBODE:
Son diagramas logartmicos que representan la funcin de transferencia en el
estado estacionario con excitacin sinusoidal. Debido a que la funcin de
transferenciaeneldominiodelafrecuenciayenestadoestacionarioconpequea
seal, es un nmero complejo, tendr magnitud y fase, por lo general, ambas
dependientesdelafrecuencia.

La magnitud se expresa en decibeles (db, que es la dcima parte del Bel, una
unidaddepotenciasonora),lafaseengradossexagesimales;ambassegraficanen
escala decimal y la frecuencia se representa en un eje logartmico. El uso de los
decibeles para la ganancia facilita la obtencin de los diagramas de sistemas ms
complejos debido a que los productos se convierten en sumas y las divisiones en
restas. Esto a su vez permite tener la representacin de magnitud y fase de
factores elementales para, en base a ellos, obtener las grficas de sistemas ms
complejos.

Por ese motivo estudiaremos primero los cuatro factores bsicos que pueden
intervenirenlafuncindetransferencia:

Factor ganancia (Ao): El factor ganancia es un nmero real. Cuando es expresado


endb,serpositivosiAoesmayorque1ysernegativocuandoAoesmenorque
1.LasecuacionesparasudiagramadeBodeson:

Lamagnitudendbes: Ao(db)=20log(Ao)

Sitienesignopositivo,lafaseser0y,siesnegativo,lafaseser180.

Tantolamagnitudcomolafasesonconstantesconlafrecuencia.
ElectrnicaAnalgicaI


224
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
f ( H z )
A
o
(
d
b
)
F a c t o r G a n a n c i a

Factoresintegralesyderivativos:Sondelaforma:G(jw)=1/jwG(jw)=jw

1) Paraelfactorintegral:
Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=20log(1/w)=20log(w)
Lafaseesconstante: (jw)=90

1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 4 0
- 3 0
- 2 0
- 1 0
0
1 0
2 0
F a c t o r I n t e g r a l
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
p e n d i e n t e = - 2 0 d b / d e c

ElectrnicaAnalgicaI


225
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 9 1
- 9 0 . 8
- 9 0 . 6
- 9 0 . 4
- 9 0 . 2
- 9 0
- 8 9 . 8
- 8 9 . 6
- 8 9 . 4
- 8 9 . 2
- 8 9
F a s e d e l F a c t o r I n t e g r a l
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
F a s e c o n s t a n t e = - 9 0 g r a d o s

2) Paraelfactorderivativo:
Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=20log(w)=20log(w)

Lafaseesconstante: (jw)=90

1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 2 0
- 1 0
0
1 0
2 0
3 0
4 0
F a c t o r D e r i v a t i v o
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
p e n d i e n t e = + 2 0 d b / d e c

1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
8 9
8 9 . 2
8 9 . 4
8 9 . 6
8 9 . 8
9 0
9 0 . 2
9 0 . 4
9 0 . 6
9 0 . 8
9 1
F a s e d e l F a c t o r D e r i va t i vo
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
F
a
s
e F a s e c o n s t a n t e = 9 0 g r a d o s

ElectrnicaAnalgicaI


226
Factoresdeprimerorden:Sondelaforma:
G(jw).=(1+jwT)G(jw)=1/(1+jwT)

1) Cerodeprimerorden:G(jw)=1+jwT

Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=10log(1+(wT)
2
)

Lafasees: (jw)=arctan(wT)

Estas grficas se representan muchas veces por sus asntotas, las que la
describen en forma bastante aproximada, pudindose llegar con bastante
precisin a la grfica real haciendo algunas correcciones. Estas asntotas se
obtienenparawT<<1yparawT>>1:

Para: wT << 1, la magnitud se aproxima a 0db; por lo tanto, la primera


asntotaestrepresentadaporunarectahorizontalen0db.

Para:wT>>1,lamagnitudseaproximaa20log(wT);porlotanto,lasegunda
asntota ser una recta con pendiente = 20 db/dec (similar al factor
derivativo).

Ambas asntotas se encuentran en el punto wT = 1, completando la


representacinasinttica.

Elmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaen
wT=1.Enestecasoelerroresde:3.03db.
Estepuntoequivalealpuntodemediapotencia.
Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db

ElectrnicaAnalgicaI


227
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
3 5
4 0
4 5
C e r o d e P r i m e r O r d e n
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
jw
)
|d
b
p e n d i e n t e = + 2 0 d b / d e c
C u r v a r e a l
G r a f i c a a s i n t o t i c a

2) Polodeprimerorden:G(jw)=1/(1+jwT)
Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log(1+(wT)
2
)
Lafasees: (jw)=arctan(wT)

Estasgrficastambinserepresentansusasntotas.
EstasasntotasseobtienenparawT<<1yparawT>>1:

Para: wT << 1, la magnitud se aproxima a 0db; por lo tanto, la primera


asntotaestrepresentadaporunarectahorizontalen0db.

Para: wT >> 1, la magnitud se aproxima a 20log(wT); por lo tanto, la


segunda asntota ser una recta con pendiente = 20 db/dec (similar al
factorintegral).

Ambas asntotas se encuentran en el punto wT = 1, completando la


representacinasinttica.
ElectrnicaAnalgicaI


228
Elmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaen
wT = 1. En este caso, el error es de: 3.03db. Este punto equivale al punto
demediapotencia.

Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db

1 0
- 2
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 4 0
- 3 5
- 3 0
- 2 5
- 2 0
- 1 5
- 1 0
- 5
0
P o l o d e P r i m e r O r d e n
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
C u r v a r e a l
G r f i c a a s i n t t i c a

ElectrnicaAnalgicaI


229
Acontinuacindamoslatablaconlosfactoresdecorreccinparamagnitudyfase:

wT 0.1 0.5 1 2 10
|G(jw)|db +/0.0432 +/0.97 +/3.03 +/0.97 +/0.0432
Fase +/5.7 +/26.6 +/45 +/63.4 +/84.3

Factorescuadrticos:
Sondelaforma:
G(jw).=[1+2(jw/wn)+(jw/wn)
2
]G(jw)=1/[1+2(jw/wn)+(jw/wn)
2
]

wnrecibeelnombredefrecuencianatural
recibeelnombredefactordeamortiguamiento

Estosfactorestienen3tiposderespuesta:

Cuando>1,larespuestaessobreamortiguadaylasracessonreales.

Cuando = 1, la respuesta es crticamente amortiguada y las races son reales e


iguales.

Cuando 0 < > 1, la respuesta es sub amortiguada y las races son complejas y
conjugadas.

La respuesta con que acte depende de los valores de y wn; stos a su vez
dependendelosvaloresdeloscomponentesdelamplificador.

1) Cerosdesegundoorden:G(jw)=[1+2(jw/wn)+(jw/wn)
2
]

Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log{[1(w/wn)
2
]
2
+(2w/wn)
2
)}
Lafasees: (jw)=arctan{(2w/wn)/[1(w/wn)
2
]}

F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
it
u
d
e

(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 2 0
0
2 0
4 0
M a g n i t u d
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
0
5 0
1 0 0
1 5 0
2 0 0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
F a c t o r d e a m o r t i g u a c i n = 0 . 1
F a c t o r d e a m o r t i g u a c i n = 0 . 1
P e n d i e n t e = 4 0 d b / d e c

ElectrnicaAnalgicaI


230

F requenc y (rad/ s ec )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
B ode Di agram s
0
10
20
30
40
50
Magnitud
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
F
a
s
e
P endi ent e= 40db/ dec
F ac t or de at enuac i n= 1
F ac t or de at enuac i n= 1

F requenc y (rad/ s ec )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
B ode Di agram s
0
2 0
4 0
6 0
8 0
1 0 0
Ma g n itu d
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
10
-2
1 0
-1
1 0
0
10
1
1 0
2
0
5 0
1 0 0
1 5 0
2 0 0
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
F
a
s
e
P endi ent e= 40db/ dec
F ac t or de at enuac i n = 5
F ac t or de at enuac i n = 5

Observandolasgrficasdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenelcualla
ganancia disminuye, la pendiente en esa regin es ms pronunciada (ms
selectiva),llegandoaunapendientede40db/dcadaparafrecuenciasaltas.
ElectrnicaAnalgicaI


231
Cuando el sistema es crticamente amortiguado, ya no hay pico de resonancia, la
pendiente en esa regin es menos pronunciada, llegando a una pendiente de
40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

Cuando el sistema es sobre amortiguado, tampoco hay pico de resonancia, la


pendienteinicialeslamsbaja(lamenosselectiva),subiendoa40db/dcadapara
frecuenciasaltas.

Podemos observar tambin que los ceros aumentan la magnitud (o ganancia) al


elevarlafrecuencia.

2) Para:G(jw)=1/[1+2(jw/wn)+(jw/wn)
2
]

Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log{[1(w/wn)
2
]
2
+(2w/wn)
2
)}
Lafasees: (jw)=arctan{(2w/wn)/[1(w/wn)
2
]}

Observandolasgrficassiguientesdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenel
cuallagananciaaumenta,lapendienteenesareginesmsinclinada(ms
selectiva), llegando a una pendiente de 40db/dcada para frecuencias
altas.

El pico de resonancia se presenta a la frecuencia de resonancia


2
2 1 =
n r

Podemosobservarquerexistesloparavaloresde:0<<0.707

Elvalordelpicoderesonanciaesdadopor:
2
1 2
1

=
r
M
vlidoparavaloresdelarelacindeamortiguacin():0<<0.707

Paravaloresde:>0.707entonces:Mr=1
Paravaloresdequeseacercanacero:Mr=tiendeainfinito

Cuando el sistema es crticamente amortiguado, ya no hay pico de


resonancia, la pendiente en esa regin es menos pronunciada, llegando a
unapendientede40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

ElectrnicaAnalgicaI


232
Cuandoelsistemaessobreamortiguado,tampocohaypicoderesonancia,
la pendiente inicial es la ms baja (la menos selectiva), cayendo a
40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

Podemos observar tambin que los polos disminuyen la magnitud (o


ganancia)alelevarlafrecuencia.

F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 4 0
- 2 0
0
2 0
P o l o s d e S e g u n d o O r d e n
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
- 2 0 0
- 1 5 0
- 1 0 0
- 5 0
0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
F a c t o r d e a t e e n u a c i n = 0 . 1
F a c t o r d e a t e e n u a c i n = 0 . 1
P e n d i e n t e = - 4 0 d b / d e c

F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 4 0
- 3 0
- 2 0
- 1 0
0
P o l o s d e S e g u n d o O r d e n
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
- 2 0 0
- 1 5 0
- 1 0 0
- 5 0
0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
P e n d i e n t e = - 4 0 d b / d e c
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1

ElectrnicaAnalgicaI


233
F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
;

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 1 0 0
- 8 0
- 6 0
- 4 0
- 2 0
0
Po lo s d e S e g u n d o O r d e n
w / w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 2 0 0
- 1 5 0
- 1 0 0
- 5 0
0
w / w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
P e n d i e n t e = - 4 0 d b / d e c
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5

RESPUESTAENBAJAFRECUENCIA
Estudiaremos el caso de un amplificador en emisor comn como el mostrado a
continuacin:

RL
CE
Vg
Q
RC
+VCC
+
Vo
-
C2
R1
R2 RE
C1

Para estudiar la respuesta en baja frecuencia hallaremos la funcin de


transferencia (ganancia de tensin) considerando slo las capacidades externas y
asumiremos que las capacidades internas del transistor son circuitos abiertos a
estasfrecuencias.

Acontinuacinrepresentamosalcircuitoconsumodeloparaseal:
ElectrnicaAnalgicaI


234
C1
CE
Rb
Q
Vg
RC
RE
C2
RL
+
Vo
-

Rb=R
1
//R
2

A continuacin reemplazamos al transistor por su modelo simplificado para


pequea seal y baja frecuencia. Vemos que en este caso las capacidades de
desacoploybypassnosedesprecian.

RC
hie
RE
RL
C2
CE
Vg
C1
+
Vo
-
hfe ib
Rb
ib

PlanteamoslasecuacionesdeKirchoffparaobtenerlafuncindetransferencia:
Enelcircuitodesalida:

( )( )
( ) s C R R
i s C R R h
V
L C
b L C fe
o
2
2
1 + +
=

Enelcircuitodeentrada:

( )( )
( )( ) ( )( ) ( )
b E E ie b E E b E fe
E E b
g
b
R s C R h s C R s C R s C R R h
s C R s C R
V
i
+ + + + + + +
+
=
1 1 1 1 1
1
1 1
1

ElectrnicaAnalgicaI


235
Finalmente:
( )
( )
( )
( )( )
( ) [ ]
( )

+ + +
+

+
+ + + + + +
+

= =
2 1 1 1
2
2 2
1 1
1 1 1
1
1
C C R R h
R h h R
C h
h
C R C h C R
s s s R R
s C R s
C R h
C R R h
s V
s V
s A
E b ie
E fe ie b
E ie
fe
b ie E E
C L
E E
E E ie
L C fe
g
o
v

Hacer el clculo manual de una funcin como la mostrada (o de otras ms


complejas)esuntrabajolargoytedioso.Sinembargo,podemosobservarlafuncin
detransferenciaysacaralgunasconclusionesquenospermitanobtenerunaideade
la forma de la respuesta en baja frecuencia con clculos ms sencillos aunque
aproximados.

Observamosqueestafuncindetransferenciatiene3ceros:

Dosenelorigen:s=0 y
Unoen:s=1/RECE

Podemos decir que el cero producido por CE se obtiene multiplicndolo por la


resistencia que tiene en paralelo. Este producto es la constante de tiempo en el
emisor.

Observamos tambin que la funcin de transferencia en baja frecuencia tiene 3


polos:

- Unoen:s=1/(RC+RL)C2

Enestecasopodemosdecirqueelpolodesalidaseobtieneconlaresistenciaque
``veC2cuandolosdemscondensadoressecomportancomocortocircuitosyno
haysealdeentrada.

- Los otros dos polos corresponden a un factor de segundo orden. Sin


embargo, si queremos que estos polos sean reales, podemos aplicar el
criterioanteriorparadeterminaraproximadamentelosotrosdospolos:

Podemos hallar aproximadamente el polo introducido por C1 determinando la


resistencia que ``ve dicho condensador cuando los dems se comportan como
cortocircuito (o circuito abierto, segn la frecuencia empleada) y no hay seal de
entrada:

ElectrnicaAnalgicaI


236
Segnesto,laresistenciaque``veC
1
es:Rb//hie

Luego,elpoloaproximadoproducidoporC1es:
( )
ie b
h R C
s
//
1
1

Al polo introducido por C


E
tambin podemos determinarlo aproximadamente
mediante la resistencia que ``ve dicho condensador cuando los dems se
comportancomocortocircuitoynohaysealdeentrada:

Segnesto,laresistenciaque``veCEes:
ib E
fe
ie
E
h R
h
h
R //
1
// =

Luego,elpoloaproximadoproducidoporCEes:

+
=
fe
ie
E E
h
h
R C
s
1
//
1

Dondehibeslaresistenciadeentradadeltransistorenbasecomn.

Supongamosahoraquealafuncindetransferenciaanteriorpodemosfactorizarla
yexpresarlaenlaformasiguiente:
( )
( )
( )
( )

+
= =
2 1
2
1 1 1
1
p
s
p
s
p
s
z
s
s A
s V
s V
s A
E
E
o
i
o
v

Multiplicandoelnumeradoryeldenominadorpor:
3
2 1
s
p p p
E
ydesarrollando
Obtenemosenelestadoestacionario:

( )
( )
( )
( ) ( )
E E E E
E
E
o
i
o
v
p p p
jw
p p p p p p
jw
p p p
jw
p p p
z jw
A
s V
s V
s A
2 1
3
2 1 2 1
2
2 1
2 1
1 1 1
1
1 1

+ + +

+ + +

+
= =

Si queremos determinar la frecuencia de corte inferior (wL), debemos notar que,


porlogeneral,p1,p2yp
E
sernmenoresquewL;entonces,afrecuenciascercanas
awLlostrminoscuadrticosycbicossernmschicosqueeltrminocon1/jw.
ElectrnicaAnalgicaI


237
Cumplindose lo anterior, podremos afirmar que la frecuencia de corte inferior
puedeserhalladaaproximadamenteporlaexpresin:

E L
p p p + + =
2 1

A su vez, p1, p2, y pE se pueden hallar bajo el criterio anterior, determinando la


resistencia que ``ve cada condensador cuando los dems se comportan como
cortocircuitoylasealdeentradasehacecero.

PROBLEMA 7.1: En el circuito mostrado, determine el polo y el cero introducido


porC
1
cuandoC
2
yC
E
secomportancomocortocircuito

RL
CE
Vg
Q
RC
+VCC
+
Vo
-
C2
R1
R2 RE
C1

Elmodeloparaseal,conlascondicionesdadas,eselsiguiente

hie
Vg
RC
+
Vo
-
hfe ib
ib
Rb
C1
RL

( )
b L C fe o
i R R h V // =
( )( )
( ) ( ) s C h R h
V h R s C
i
ie b ie
g ie b
b
1
1
// 1
//
+
=

Finalmente:
( )
( )
( )
( )( )( )( )
( ) ( ) s C h R h
s C h R R R h
s V
s V
s A
ie b ie
ie b L C fe
g
o
v
1
1
// 1
// //
+

= =
ElectrnicaAnalgicaI


238
Podemosverqueapareceunceroenelorigenyunpoloen:
( )
1
//
1
C h R
s
ie b

Rb//hieesjustamentelaresistenciaque``veC1cuandolosdemscondensadores
secomportancomocortocircuitoynohaysealdeentrada.

PROBLEMA7.2:Repitaelproblemaanteriorhallandoelpoloyelcerointroducido
porCEcuandoC1yC2secomportancomocortocircuito

Elmodeloparasealenestecasoeselmostradoenelsiguientegrfico.
Igualmente:
( )
b L C fe o
i R R h V // =

Adems:
( )
( )
( ) s C R h R h h
V s C R
s C
R h h
V
i
E E ie E fe ie
g E E
E
E fe ie
g
b
+ + +
+
=

+ +
=
1
1
1
// 1

Finalmente:
hie
Vg
RC
+
Vo
-
hfe ib
CE
ib
RE
Rb RL

( )
( )
( )
( )( )( )
( ) s C R h R h h
s C R R R h
s V
s V
s A
E E ie E fe ie
E E L C fe
g
o
v
+ + +
+
= =
1
1 //

Vemosquehayunceroen:
E E
C R
s
1
=

Yunpoloen:
( ) ( )
( )
E E ib E E ie
E fe ie
C R h C R h
R h h
s
//
1
1

=
+ +
=
ElectrnicaAnalgicaI


239
Igualmente,podemosdecirqueelpoloseobtienepormediodelaresistenciaque
``ve CE cuando los dems condensadores se comportan como cortocircuito y no
hay seal de entrada. Podemos darnos cuenta fcilmente de ello si usamos el
modelodebasecomnparaeltransistor.

Lo anterior tambin nos da un mtodo de diseo para obtener los valores de los
condensadoresdeacoploybypass.

PROBLEMA 7.3: En el circuito mostrado, determine C1, C2 y CE si se quiere una


ganancia igual a 100 en frecuencias medias y una frecuencia de corte inferior de
100Hz.

12Vdc
R1
10K
CE
C1
Rg
1K
RL
10K
Q
2N2222
Vg
RC
2K
C2
RE
820
R2
3k

ComoCEes elcapacitorquevela menor resistencia, haremos quesealelque


determinelafrecuenciadecorteinferior(100Hz).Paraquelosotrosdospolosno
afectenapreciablemente,haremosqueactenunadcadaantes(10Hz).

Bajoestascondiciones,cuandoactanC
1
yC
2
,C
E
annoactaypodemoshacerel
siguientemodeloparapequeaseal:
ElectrnicaAnalgicaI


240
Vg
C2
RC
2K
C1
Q
2N2222
RL
10K
Rg
1K
Rb
2.3k
RE
820

LaresistenciaqueveC1es: RC1= Rg+Rb//[hie+(1+hfe)RE]

Considerando para el transistor: hfe = 80 y hie = 1.3K, empleando el modelo


simplificado:

Reemplazandovalores: RC1=2.22K

Entonces:C1=1/2(10)(2.22K)=7.15uF

Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C1=10uF

LaresistenciaqueveC2es: RC2= RC+RL=12K

Entonces:C2=1/2(10)(12K)=1.33uF

Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C2=2.2uF

AlafrecuenciaqueactaC
E
,C
1
yC
2
yahanactuadoypodemosconsiderarquese
comportan como cortocircuitos. Bajo estas condiciones, podemos hacer el
siguientemodeloparapequeaseal:
ElectrnicaAnalgicaI


241
Vg
CE
RC
2K
Q
2N2222
RL
10K
Rg
1K
Rb
2.3k
RE
820

LaresistenciaqueveCEes: RCE= R
E
//[hib+(Rb//Rg)/(1+hfe)]

Reemplazandovaloresyefectuando:RCE= 820//[49.3]=46.5

Entonces:CE=1/2(100)(46.5)=34.2uF

Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:CE=39uF

Conestosvalorespodemoshacerunasimulacindelarespuestaenfrecuencia:

CALCULODELARESPUESTAENFRECUENCIAUSANDOMATLAB:
Usaremoscomoejemploelcasodeunfiltroactivopasabajocomoelsiguiente:

Vi
C
0.1uF
R1
5.6K C
0.1uF
R1
5.6K
+ 12 V
R
10K
+
Vs
-
-
+
LM741
3
2
6
4
7
R
10K
- 12 V

ElectrnicaAnalgicaI


242
La funcin de transferencia, obtenida considerando caractersticas ideales del
OPAMPparasimplificarlaexpresineslasiguiente:

AV(s)=[2(1+2R1Cs)]/[1+R1Cs+R1Cs
2
]

Reemplazandolosvaloresdeloscomponentesobtenemos:
AV(s)=[2+0.00224s)]/[1+0.00056s+0.0000003136s
2
]

Conlafuncindetransferenciayadeterminada,ingresamosalprogramaMATLAB

Cuandoapareceelprompt(>>)deMATLABescribimos:

>>num=[00.002242] <enter>
>>den=[0.00000031360.000561] <enter>
>>bode(num,den) <enter>
>>title(RespuestaenFrecuenciadelFiltroActivoPasabajo) <enter>

Larespuestaenfrecuenciaempleandounsimuladornosdalagrficasiguiente:

0.000 Hz 200.0 Hz 400.0 Hz 600.0 Hz 800.0 Hz


4.500 V
3.500 V
2.500 V
1.500 V
0.500 V
-0.500 V
A: u1_6

DISEODEFILTROSACTIVOSMEDIANTEAMPLIFICADORESOPERACIONALES
Entrelostiposdefiltrostenemos:

- Filtropasabajo:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnpordebajodeun
determinadovalor(f
L
)
- Filtropasaalto:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnporencimadeun
determinadovalor(f
H
)
- Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangode
valores(f
L
yf
H
)
- Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estn
entreunrangodevalores(f
L
yf
H
)
ElectrnicaAnalgicaI


243
- Filtro pasa todo (desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero
producendesfasaje.Selesempleacomodesfasador.

Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:

H(s)=N(s)/D(s)
N(s)yD(s)sonpolinomiosens

Hay muchas familias de filtros pasa bajos. Cada filtro de una familia posee una
funcindetransferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosde
la funcin de transferencia definen por completo la respuesta del filtro. La mayor
partedelosrequisitosquedebecumplirunfiltrosesatisfaceneligiendocualquiera
delassiguientesfamilias:

1) Butterworth:Sus polos caen dentro de unacircunferencia deradio1 dentro


del plano complejo. El filtro pasa bajo no tiene ceros. Poseen caractersticas
transitorias relativamente buenas. Su respuesta en frecuencia es bastante
planaysuatenuacinesconpendienterelativamenteacentuada.Sepueden
disearconcomponentesdevaloresprcticoscontoleranciaspococrticas
2) Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuacin ms aguda que el
Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; adems su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa
bajo no tiene ceros. La mayor amplitud del rizo hace que la atenuacin sea
ms aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se
localizanenunaelipseenelplanocomplejo.
3) Bessel:Seempleanparalareproduccinfieldelaondadeentrada.Ofrecen,
para ello, un retardo constante en la banda pasante. El filtro pasa bajo no
tiene ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las
familias anteriores, pero sus excelentes propiedades transitorias lo hacen
muytil.
4) Funcin elptica: Su funcin de transferencia posee polos y ceros; esto
permite que su pendiente de atenuacin sea incluso ms aguda que la de la
familia Chebyshev, pero presenta rizado tanto en la banda pasante como en
la rechazada. Sus circuitos son ms complejos, pero requieren menos
seccionesparaunaatenuacindada.

Parafacilitareldiseoseempleanfiltrosnormalizados.

Porejemplo,paraunfiltronormalizadoButterworthdesegundoorden(n=2)es:

H(s)=1/[s
2
+1.414s+1]
ElectrnicaAnalgicaI


244
Lospolosson: s
1
=0.707+j(0.707) y s
2
=0.707j(0.707)

La atenuacin es siempre 3 db 1 rad/s, excepto en los elpticos en los que la


atenuacina1rad/sesigualalrizadodelabandapasante.

Cuando se conoce la respuesta en frecuencia que debe tener el filtro, se le debe


normalizarparacompararloconlascurvasderespuestanormalizadasdelosfiltros,
para seleccionar el tipo. Los valores del filtro escogido debern desnormalizarse
para el intervalo de frecuencias de operacin. Este proceso puede requerir
transformacionessielrequisitocentralnoessloelfiltropasabajo.

Para el diseo se tienen grficos y tablas normalizados para cada familia, las que
permitencalcularloscomponentesparalatopologaseleccionada

PROBLEMA7.4:Diseeunfiltroactivopasabajodesegundoorden,tipoBessel,
congananciaunitariayfrecuenciadecortede100Hz.

+
Vi
-
R
+
VL
-
-
+
C2
R
V1
C1

Solucin:
Planteamos las ecuaciones de nudo mediante la transformada de La place
considerandoeloperacionalideal:

(ViV
1
)/R=(V
1
V
L
)C
1
s+(V
1
V
L
)/R

Luego: Vi=V
1
(2+RC
1
s)(1+RC
1
s)V
L

Adems: (V
L
V
1
)/R+V
L
C
2
s=0
Luego: V
L
(1+RC
2
s)=V
1

Medianteestasecuacioneshallamoslafuncindetransferencia:
ElectrnicaAnalgicaI


245
1
H(s)=
R
2
C
1
C
2
s
2
+2RC
2
s+1

DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:

Polos: 1.1030j0.6368

Lascapacidadesnormalizadasson: C
1
=0.9060 C
2
=0.68

Lafrecuenciaangulardecortees: wc=2fc=628rad/s

ElegimosunvalorarbitrariodeR: R=43K

HallamoslosvaloresrealesdeC1yC2,demaneraqueseaproximenavalores
comerciales:

0.9060 0.68
C1==33.55nFC2==25.18nF
(628)(43K) (628)(43K)

Laatenuacina500Hzser20.4db

PROBLEMA7.5:Diseeunfiltroactivopasabajodesegundoorden,tipoBessel,
congananciaiguala2yfrecuenciadecortede100Hz.

R
+
Vi
-
+
VL
-
-
+
C
R2
R
R1
V1
C

Solucin:
DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:
ElectrnicaAnalgicaI


246
Polos: j=1.1030j0.6368

Elegimosunvalorarbitrariodelacapacidad,devalorcomercial: C=27nF

Lafrecuenciadecortees: fc=100Hz

Luego: 1
R
1
==26.67K R
2
==80.16K
4fcC fcC(
2
+
2
)

ACOPLOCONTRANSFORMADORESENBANDAANCHA:
En el siguiente grfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si
utilizamoslatransformadadeLaPlaceobtenemoslasecuacionesquedescribensu
funcionamiento.Enellasestamosdespreciandolasresistenciasdelosdevanados.

2 1 2
2 1 1
I sL sMI V
sMI I sL V
s
p
+ =
+ =

Enconsecuencia,todocircuitoquetengalasmismasecuacionesdeltransformador
podrserreemplazadoporl,sinquevarenlastensionesnicorrientes.

Ademssecumpleque:

s p
L L k M =

k=Factordeacoplo

En forma anloga, utilizando transformadores ideales podemos obtener circuitos


que cumplan con las ecuaciones mostradas y todos ellos sern modelos del
transformador

Unodesusmodelosmsutilizadossemuestraenlafigurasiguiente:
ElectrnicaAnalgicaI


247
Ldp
n:1
IDEAL
rp rs
Lm
rp = resistencia del primario
rs = resistencia del secundario
Ldp = Inductancia de dispersin del primario
Lm = Inductancia de magnetizacin
n = relacin de transformacin

Puedeexpresarse:

Ldp=(1k
2
)Lp ; Lm=k
2
Lp y n=k(Lp/Ls)
1/2

Cuandoelfactordeacoploseacercaalaunidad,sepuedehacerlasiguiente
aproximacin:
n=(Lp/Ls)
1/2

Consideremos el caso siguiente, en el cual no tomaremos en cuenta otros efectos


de segundo orden que se presentan en el transformador, tales como las no
linealidadesdelncleoylacapacidaddelosarrollamientos,comosemuestraenla
figurasiguiente:

rs
+
Vo
- RL
n:1
ideal
Rg
Lm
Ldp
Vg
rp

Rg=resistenciadelafuentedesealdeentrada
R
L
=resistenciadecarga

ElectrnicaAnalgicaI


248
Podemosobtenerlafuncindetransferencia:

( )
( )
( )
m dp
s p
dp
s
m
s
dp
p
dp
L
i
o
L L
R R
L
R
L
R
L
R
s s
s
L
nR
s V
s V
s H
+

+ + +

= =
2

Donde: Rp=Rg+rp y Rs=n


2
(R
L
+rs)

Observamosque:

Al bajar la frecuencia, la funcin de transferencia disminuye debido a que


LdpyLmtiendenacomportarsecomocortocircuitos.
Al elevar la frecuencia, la funcin de transferencia tambin disminuye
debidoaqueLdpyLmtiendenacomportarsecomocircuitoabierto.
La funcin de transferencia tendr un valor alto slo en la regin de
frecuenciasmedias;enella,Ldptenderacomportarsecomocortocircuito
yLmcomocircuitoabierto.

Enlaregindefrecuenciasmedias,lafuncindetransferenciaseconvierteen:

( )
( )
( )
( )
( )
s L p g
L p g
i
o
r R n r R
nR r R
s V
s V
s H
+ + +
+
= =
2

DerivandoH(s)respectoden,eigualandoacero,podemosobtenerelvalorden
quehacemximaaH(s):
s L
p g
m
r R
r R
n
+
+
=

ReemplazandoenH(s)obtenemos:
( )( )
s L p g
L
m
r R r R
R
H
+ +
=
2

Loanteriorquieredecirquesiqueremosquelatensindesalidaseamximaenla
carga, debemos hacer que la relacin de transformacin sea dada por la ecuacin
denm.
ElectrnicaAnalgicaI


249
Las resistencias rp y rs de los devanados disminuyen la eficiencia del
transformador. El caso ideal se tiene cuando rp y rs valen cero y podemos definir
unaeficienciadeltransformador(
T
)comparndoloconelcasoideal:

Lideal
L
T
P
P
=

Donde:
y
( )( )
g
g
Lideal
s L p g
L
L
g
L
R
V
P
r R r R
R
R
V
P
8
4 2
2
2
2
=

+ +

Reemplazando:

+
= =
s L
L
p g
g
Lideal
L
T
r R
R
r R
R
P
P

Delaexpresinanteriorconcluimosque:

Paraelevarlaeficienciadebecumplirse:Rg>>rp y R
L
>>rs

Comnmente, los fabricantes de transformadores de audio indican los valores de


Rg y R
L
necesarios para que se cumpla esta condicin y, con la ecuacin anterior
podemoshallarlarelacindetransformacin.

LaecuacindeH(s)nosmuestraquehayunceroenelorigenydospolos.

Dependiendodelosvaloresdelosparmetros,estospolospuedenserrealeso
complejos:

p
1
=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]+0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)
2
4
RpRs/LdpLm]
1/2

p
2
=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)
2
4
RpRs/LdpLm]
1/2

Sinembargo,enlostransformadoresdebandaanchasecumple:Lm>>Ldp

ElectrnicaAnalgicaI


250
Debidoaello,lospolosestarnmuyalejadosunodelotroypodremosobtener
expresionesaproximadasparaellos:

( )
( )
m
s p
dp
s p
L
R R
p
L
R R
p
//
2
1

=
+
=

Sisecumple: Rp=Rsy Lm>10Ldp

Entonceslosvaloresaproximadosdelospolostienenunerrordentrodel5%

SisecumpleLm>100Ldp,elerrorbajaal1%paracualquierrelacinentreRpyRs

REDESLINEALESDESEGUNDOORDEN
Este tipo de redes poseen dos elementos reactivos y responden a la siguiente
ecuacindiferencial:

d
2
y/dt
2
+2dy/dt+
o
2
y=f(t)

Lasolucinparat>0esdelaforma:

y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t
+yss(t)

Los trminos: A
1
e
p1t
+ A
2
e
p2t
constituyen la solucin homognea, llamada
tambin respuesta natural o estado transitorio. Si los coeficientes p
1
y p
2
de los
exponentes (denominados polos) son negativos, las exponenciales sern
decrecientesydespusdeuntiempohabrndesaparecido,quedandosloyss(t).
Todo sistema estable debe tener un estado transitorio que desaparezca con el
tiempo. En caso contrario, si p
1
y p
2
son positivos, el estado transitorio nunca
desaparecersino queseincrementar permanentementeconel paso deltiempo
yelsistemaserinestable

El trmino: yss(t) constituye la solucin particular, llamada tambin solucin


forzada o estado estacionario. Este trmino siempre tiende a ser del mismo tipo
quef(t).Sif(t)esdeformasinusoidal,yss(t)tambintenderasersinusoidal;Sif(t)
esdeformatriangular,yss(t)tambintenderasertriangular,etc.

Todo sistema estable debe siempre llegar al estado estacionario despus de un


determinadotiempo.
ElectrnicaAnalgicaI


251

La estado transitorio puede llegar a tener, en este caso, varias formas,


dependiendodelosvaloresdey
o
.

Sedenomina: =factordeamortiguacin

o
=frecuencianatural

Sedefinen:
Q=factordecalidad=
o
/2
=relacindeamortiguacin=/
o

BW=anchodebanda=2

Adems: p
1
=+(
2

o
2
)

p
2
=(
2

o
2
)

Cuando:

1. >
o
setieneestadotransitoriosobreamortiguado
En este caso, si la red slo tiene energa almacenada y f(t) = 0, la solucin
tomalaforma: y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t

Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t
+B

2. =
o
setieneestadotransitoriocrticamenteamortiguado
En este caso, si la red slo tiene energa almacenada y f(t) = 0, la solucin
tomalaforma: y(t)=e
t
(A
1
+A
2
t)

Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=e
t
(A
1
+A
2
t)+B

3. <
o
setieneestadotransitoriosubamortiguado
En este caso, si la red slo tiene energa almacenada y f(t) = 0, la solucin
tomalaforma: y(t)=Ae
t
cos(
d
t+)

Donde:
d
=(
o
2

2
)


d
eslafrecuenciaamortiguada

Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=Ae
t
cos(
d
t+)+B

ElectrnicaAnalgicaI


252
CIRCUITORLCPARALELO
Este circuito se muestra en la figura 5.29 y podemos aplicar los conceptos
anterioresparaentenderelcircuito:

I(t)
R
+
Vo
-
C L

Aplicandoelmtodo de tensiones denodo podemoshallarlaecuacin diferencial


paraelvoltajeVo:

d
2
Vo/dt
2
+(1/RC)dVo/dt+(1/LC)Vo=(1/C)dI/dt

Esta ecuacin se compara con la correspondiente a los sistemas lineales de


segundoordenyobtenemos:

=1/2RC

o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
RC=R(C/L)
1/2

Lospolosresultanteseneldominiodelafrecuenciaresultanser:

p1=+[
2

2
o
]
1/2
=+j[4Q
2
1]
1/2

p2=[
2

2
o
]
1/2
=j[4Q
2
1]
1/2

PodemosverqueparaunvalordeQde5ms,lospolossepuedenaproximar
conlasexpresiones:

p1=+j
o

p2=j
o

CIRCUITOLCYBOBINACONPERDIDAS
Estecircuitosemuestraenlafigura5.30.Lasprdidasdelabobinaserepresentan
medianteunaresistencia,r,enserieconella:
ElectrnicaAnalgicaI


253
+
Vo
-
I(t)
r
C
L

Obteniendolaecuacindiferencial:
Aplicandoelmtodo de tensiones denodo podemoshallarlaecuacin diferencial
paraelvoltajeVo:

d
2
Vo/dt
2
(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt

Estaecuacinsecomparaconlacorrespondientealossistemaslinealesde
segundoordenyobtenemos:

=r/2L

o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
L/r=(1/r)(L/C)
1/2

La resistencia en serie puede ser representada mediante una resistencia en


paralelo si tomamos en cuenta que la impedancia de la bobina a la frecuencia
o

es:

Z
L
=r+j
o
L
Suadmitanciaser: Y
L
=1/(r+j
o
L)=r/(r
2
+(
o
L)
2
)j
o
L/(r
2
+(
o
L)
2
)

Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r
2
+(
o
L)
2
)/r=(1+Q
2
)r
Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q
2
r

Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:
ElectrnicaAnalgicaI


254
+
Vo
-
I(t)
r
+
Vo
-
C
Req
I(t) C L L

CIRCUITOLCYCONDENSADORCONPERDIDAS
Este circuito se muestra en la figura siguiente. Las prdidas de la bobina se
representanmedianteunaresistencia,rc,enserieconella:

+
Vo
-
I(t)
r
C
L

Obteniendolaecuacindiferencial:
Aplicandoelmtodo de tensiones denodo podemoshallarlaecuacin diferencial
paraelvoltajeVo:

d
2
Vo/dt
2
(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt

Esta ecuacin se compara con la correspondiente a los sistemas lineales de


segundoordenyobtenemos:

=r/2L

o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
L/r=(1/r)(L/C)
1/2

ElectrnicaAnalgicaI


255
La resistencia en serie puede ser representada mediante una resistencia en
paralelo si tomamos en cuenta que la impedancia de la bobina a la frecuencia
o

es:
Z
L
=r+j
o
L

Suadmitanciaser: Y
L
=1/(r+j
o
L)=r/(r
2
+(
o
L)
2
)j
o
L/(r
2
+(
o
L)
2
)

Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r
2
+(
o
L)
2
)/r=(1+Q
2
)r
Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q
2
r

Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:

+
Vo
-
I(t)
r
+
Vo
-
C
Req
I(t) C L L

CONTROLDEGRAVESYAGUDOS
Acontinuacinsemuestrauncircuitodecontroldetonosparaaudio.Estecontrol
detonostienedospotencimetrosquepermitenajustarlapresenciadegravesy
agudosenunasealdeaudio.

10uF / 16v / NP
1K5
22K
50K
2K2
10K
10nF
56nF 100K
10K
22K
4K7
10K
20K
100K
56nF
2K2
+
-
NE5532
5
6
7
2K2
10nF
100pF
+
-
NE5532
3
2
1
+
2.2uF
10K

ElectrnicaAnalgicaI


256
Seutilizauncircuitointegradodealtasprestacionesparaaudioquecontieneensu
pastilla dos amplificadores operacionales. Se trata del NE5532, el cual se alimenta
con +/ 15V. El potencimetro de 50K a la entrada establece el nivel de entrada o
sensibilidad del sistema. El preset de 20K primeramente debe situarse al centro de
su cursor. Si se presentasen distorsin o deformaciones en el audio disminuir ste
hasta lograr una reproduccin fiel. El potencimetro de 100K ajusta la cantidad de
graves,mientrasqueelde10Khacelomismoconlosagudos.

Comolaalimentacinessimtricaporelterminal4delintegrado(MarcadoGNDen
laimagendearriba)debeira15Vmientrasqueelterminal8(MarcadocomoVcc)
debe ir a +15V. La masa debe cablearse a 0V, que en integrado no se conecta mas
quealaentradanoinversoradelsegundooperacional(terminal5).

SERIEDEPROBLEMAS

PROBLEMA1:UncircuitoparaleloRLC,comoelmostrado,seusacomofiltro
pasabanda.

C R L
1
2
Z(jw)

ElectrnicaAnalgicaI


257
a) Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
b) Si: R = 10k, C = 10nf y L = 100h, determine su impedancia a las frecuencias
de:50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250KHz
c) Haga los diagramas de la magnitud de la impedancia y de la fase en funcin
delafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.

PROBLEMA2:UncircuitoserieRLC,comoelmostrado,seusacomofiltropasa
banda.
L
1
2
C R
Z(jw)

a) Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
b) Si R = 10k, C = 10nf y L = 100h, determine su impedancia a las frecuencias
de:50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250khz
c) Hagalosdiagramasdelamagnituddelaimpedanciaydelafaseenfuncin
delafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.

PROBLEMA3:Eneltransformadormostradoenlafigura5.28,halle:
a) El valor de Ls necesario para acoplar una carga de 8 a una cuente con
3200enelrangodefrecuenciasmedias...
b) Determine
L
y
H
paraestecaso
c) Laeficienciadeltransformador

PROBLEMA 4: Se van a transmitir 24 canales telefnicos con anchos de banda


individualesde300a3500hz.

a) Si estos canales se transmiten como banda lateral nica en multiplex por


distribucindefrecuencia,culeselanchodebandarequeridosiseasigna
4khzacadacanal?
b) CulseriaelanchodebandasisetransmitieraenAMnormal?

PROBLEMA5:Enelcircuitodelproblema4,halleelvoltajetotaldesalidaenel
drenadordelFET

Asuma:L=4H,C=2500pF,R=2K,o=10**(7)ym=10**(5)

LosparmetrosdelFETsonlosmismos.

ElectrnicaAnalgicaI


258
PROBLEMA6:Unamplificadortienelasiguientegananciadevoltaje:
Av(s)=(100s)/[(1+s/100)(1+s/1000)]
a) TracelasgrficasdeBodedemagnitudyfaseenfuncindelafrecuencia.
b) Determineelmargendeganancia,elmargendefaseylafrecuenciade
transicincuandolagananciasehaceiguala1.

PROBLEMA7:Enelcircuitomostrado,hallelacorrientetotaldedrenador.
Elcircuitotanqueestsintonizadoalafrecuenciawo.

Cualdebeserlafrecuenciawmparaqueeltanqueslodejepasarelrangode
frecuenciaswo+/wm?

+10V
+
cos(wo t)
+
cos(wm t)
L
2uH
1
2
C2
10 uF
Idss = 4 mA
Vp = -4V
2V
Q1
JF1033B
1M
C
2.5nF
R
2K

PROBLEMA8:Enelsiguientecircuito,,medianteelanlisiseneldominiodela
frecuencia,determine:
a) Lafrecuenciadecorteinferior(fL)
b) Lafrecuenciadecortesuperior(fH)
c) Elanchodebanda
d) Lagananciaenfrecuenciasmedias

C1
20 pF
Ci
20 pF
gm Vi Co
10 pF Vs
+
Vo
-
+
Vi
-
Rs
1K
Ri
25K
+
gm = 15 mA/V
Ro
10K
RL
10 K
-

ElectrnicaAnalgicaI


259
PROBLEMA 9: Determine los Diagramas de Bode de la ganancia de bucle de un
amplificadorrealimentado,siesdadapor:

T(jw)=2/(1+jw)
3

Determinetambinelmargendefaseyelmargendeganancia.

PROBLEMA 10: Dibuje los Diagramas de Bode asintticos para la funcin de


transferencia:

( )

+
=
200000
1
2500
1
25
1
10
s s s
s H

PROBLEMA 11: Disee un amplificador en emisor comn , como el mostrado, con


gananciaenfrecuenciasmediascomprendidaentre:
40|Ao|50

Frecuenciadecorteinferior:fL1KHz

C2
RE2
RC
CE
C1
R2
R1
Rs
Q
2N2222
Vs RE1
+
Vo
-
RL
2K
VCC

Utiliceeltransistor2N2222(silicio,=100,VT=26mV,ICQ=2mA,VCEQ=5V)
VCC=12Vdc

ElectrnicaAnalgicaI


260
PROBLEMA12:Diseeunamplificadordedrenajecomn,comoelmostrado,para
obtener una impedancia de entrada en frecuencias medias: Zi 1 M, una
frecuenciadecorteinferior:fL1KHzyunafrecuenciadecortesuperior:fH=50
KHz

DatosdelMOSFET:Cds=1pF,Cgs=10pF,Cgd=10pF,ro=50K,gm=20mA/V,
Paraelpuntodeoperacin:IDQ=2mA,VGSQ=6VyVDSQ=10V

C4
CAP NP
RL
1K Vg
R2
Q
Rs
R1
15 V
C2
Rg
1K

PROBLEMA13:Determinelarespuestaenfrecuenciadelsiguientecircuito.Asuma
queelOPAMPsecomportaenformaideal

R2
56.44K
RL
100K C3
CAP NP
Vs
1 Vpico
C1
47 nF
C2
47 nF
R3
28.22K
U7
uA741
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
R1
56.44 K
+ 15V
- 15 V

ElectrnicaAnalgicaI


261
PROBLEMA 14: En el circuito mostrado halle las frecuencias de corte superior e
inferior.

+
Vi
-
gm = 0.002 s
rds = 50K
Cgs = 2 pF
Cds = 2 pF
Cgd = 0
+
Vo
-
1k
10K
VCC
1uF
100uF
1M
RL
10K
1uF

PROBLEMA 15: Calcule los condensadores de acoplo y by pass en el siguiente


circuito, empleando la tcnica del polo dominante. Se requiere una frecuencia de
corteinferiorde100Hz.

Dadas las capacidades internas del MOSFET, determine la frecuencia de corte


superiorusandoelteoremadeMiller.

3 K
+
Vi
-
rds = 100K
Co
gm = 0.002 s
+ 12 V
1 M
C3
Q1
10 M
5 M
Cgs = 2 pF
Cgd = 3 pF
10 K
Cs 1 K
+
Vo
-

ElectrnicaAnalgicaI


262
PROBLEMA 16: Un cristal, empleado en un oscilador sinusoidal tiene un circuito
equivalentetalcomosemuestraacontinuacin:


2 MHz
CRISTAL
B
Cs
Rs
A
Co
A
Ls
B

Sisusparmetrosson:Rs=100, Cs=0.014pF Ls=0.45H Co=4Pf

a) HallelaimpedanciaqueofreceentrelosterminalesAyB,emplendola
transformadadeLaplace
b) HallelagrficaasintticadeamplituddeBode.
c) Quanchodebandatieneelcristal?.

ElectrnicaAnalgicaI


263
BIBLIOGRAFIA

1) Clsarke, Kenneth Hess T., Donald; Communication Circuits: Analysis and


Design;1ra.edicin;AddisonWesleyPublishingCompany;1971;658p.

2) Ogata, Katsuhiko; Ingeniera de Control Moderna; 1ra. edicin; Prentice


HallHispanoamricaS.A.;

3) Ogata, Katsuhiko; Problemas de Ingeniera de Control Utilizando Matlab;


1ra.edicin;PrenticeHallHispanoamricaS.A.;

4) Williams, Arthur B.; Manual de Circuitos Integrados: Seleccin, Diseo y


Aplicaciones;Libro1;1ra.edicin;McGrawHill;Mexico;1992;172p.