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Tema 3: Semiconductores

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS Tema 3: Semiconductores

Llus Prat Vias Escola Tcnica Superior dEnginyers de Telecomunicaci de Barcelona (ETSETB) Universitat Politcnica de Catalunya
Dispositivos Optoelectrnicos

Tema 3: Semiconductores

3.- Semiconductores
3.1.- Algunas notas sobre la historia de los semiconductores 3.2.- Estructura cristalina y portadores de corriente 3.3.- Bandas de energa en un semiconductor 3.4.- Semiconductor intrnseco, extrnseco tipo N y extrnseco tipo P 3.5.- Generacin y recombinacin de portadores 3.6.- Corrientes de difusin y de arrastre. Resistencia de un semiconductor 3.7.- Ecuaciones de continuidad 3.8.- Cargas y campos en un semiconductor 3.9.- Diagrama de bandas de energa 3.10.-Anlisis de la unin PN 3.11.-Capacidades de transicin y de difusin. 3.12.-Semiconductores de gap directo y de gap indirecto 3.13.-Absorcin de radiacin por un semiconductor 3.14.-La unin PN bajo iluminacin

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3.1.- ALGUNAS NOTAS SOBRE LA HISTORIA DE LOS SEMICONDUCTORES 1782: Alexander Volta introdujo el nombre de semiconductores para denominar una categora de materiales de resistividad intermedia entre los conductores y los aislantes 1873: Willoughby Smith descubre que el selenio aumenta su conductividad al ser iluminado. 1906: Greenleaf Pickart descubre que el silicio, la galena i otros cistales se pueden usar como detectores de ondas de radio presionando sobre ellos un hilo metlico (bigote de gato) 1938: Walter Schottky publica la teoria del diodo metal-semiconductor 1942: El norteamericano de origen austraco Karl Lark-Horovitz consigue obtener cristales de germanio de alta pureza y calidad. Los dopa con otros elementos y realiza rectificadores para radar. Eran dispositivos fiables, reproducibles y fabricados en gran cantidad. Los semiconductores empiezan a ser aceptados por la comunidad cientfica
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NACE LA ELECTRNICA MODERNA: EL TRANSISTOR BIPOLAR EL PROBLEMA. La electrnica de las vlvulas de vaco consumia mucha energa, ocupaba mucho espacio y era muy frgil. El director de Bell Labs, Mervin Kelly organiza en 1945 un grupo de investigacin para encontar un amplificador de estado slido. 1947, 23 de desembre: William Schockley, Walter Brattain i John Bardeen descubren el transistor bipolar, un transistor de puntas de contacto sobre germanio, mientras pretendian realizar un transistor de efecto de campo. Premi Nobel lany 1956.

El nombre del nuevo dispositivo proviene de la contraccin transfer resistor (1948).


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1952: Primera aplicacin: amplificadores para sordos 1954: Primera radio a transistores: Regency-TR1. Precio: 49,95$ + 3,95$ por el estuche de piel + 7,50$ por el auricular. Problemas de los transistores de germanio: mal funcionamento al aumentar la temperatura. Potencia de salida pequea. Alternativa: el silicio. Misma columna tabla peridica pero ms resistivo. Pero no se sabia obtenerlo puro y cristalino. 1954: Gordon Teal, fabrica los primeros transistores bipolares de silicio en Texas Instruments. Se confirma un excelente comportamiento con la temperatura.

Primeros transistores de silicio (1954)

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LA INVENCIN DEL CIRCUITO INTEGRADO 1958: Texas Instruments contrata a Jack Kilby el mes de mayo. En las vacaciones de verano queda solo en la fbrica y se dedica a jugar realizando un circuito biestable con todos los componentes (R, C, transistores) de silicio. Los suelda con hilos y funciona. Despues realiza un oscilador de fase en un nico cristal de germanio con tecnologa mesa y conecta los componentes con hilos. Vuelva a funcionar. 1959, febrero: Jack Kilby patenta su invento: el circuito slido. 1959, julio: Robert Noyce, de forma independiente, patenta un circuit integrat de silicio con tecnologia planar. Se le considera coinventor del circuito integrado. 1968, Robert Noyce y Gordon Moore fundan INTEL, lempresa lider de microprocessadors.

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SE CREA EL PRIMER MICROPROCESADOR INTEL 4004 1969: INTEL recibe el encargo de la empresa japonesa Busicom para fabricar una calculadora de 12 chips. 1970: Federico Faggin es contractado por INTEL para desarrollar este proyecto. Despues de muchos retardos el primer chip no funciona y Busicom rechaza el contracto. INTEL lo comercialitza como un chip programable de propsito general. Tiene un xito comercial inesperado. Consistia en un conjunto de 3 chips con chip ROM de 2 kbits, un chip RAM de 320 bits y el procesador de 4 bits. Todo encapsulado en un DIP de 16 pins. El processador 4004 tenia 2300 transistores realizados con tecnologia PMOS de 10 m de anchura de lnia. Utilizaba un seal de reloj de 108 KHz y el chip era de 13,5 mm2

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LA MICROELECTRNICA: UNA CARRERA DESENFRENADA


1010

Nombre de dispositius per xip

1964: Gordon Moore de INTEL pronostica que el nmero de transistors en un C.I. se duplicar cada 18 mesos: llei de Moore El pronstico se ha cumplido durante 50 aos. El desarrollo de loa C.I. ha sido la base de la revolucin informtica que ha traido la red planetaria basada en internet.

109 108 107 106 105 104 103 102 1970


8080 4004 4k 8048 16k 6800 8086 256k 80286 64k

Memries DRAM Microprocessadors

Llei de Moore la complexitat es duplica cada 1,5 anys


4M 1M

64M 16M

250M

Pentium III Pentium Pro Merced Pentium Pentium II

80386 68020

80486

32032

1k

Z80

200 mm 100 mm 125 mm 150 mm

300 mm

calculadora

75 mm

1974

1978

1982

1986

1990

1994

1998

2002

Esta revolucin se ha basado en la planificacin de la investigacin y desarrollo de los C.I.: ROADMAP que ha permitido superar todos los obstculos que se presentaban y ofrecer C.I. mejores y ms baratos. Cuando la microelectrnica llegua a su fin, la nanotecnologa tomar el relevo?
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10 m

Any
Amplada de lnia Freqncia

1000 MHz

1 m

100 MHz

10 MHz

0,1 m 1975 1978

1981 1984

1987 1990

1993

1999 2002

1 MHz 2005

Evoluci de la lnia mnima en el silici i la velocitat doperaci del circuit digital

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3.2.- ESTRUCTURA CRISTALINA Y PORTADORES DE CORRIENTE Cada tomo est unido a cuatro tomos vecinos mediante cuatro enlaces covalentes. La repeticin de esta estructura conduce a la clula cristalina bsica: un cubo cuya arista mide 5,43 angstroms. En el cristal de silicio hay 51022 tomos por cm3. Modelo de enlaces: representacin bidimensional de la estructura cristalina tridimensional.

Si en la estructura descrita se aplica un campo elctrico no circulara corriente, ya que todas las cargas estan ligadas. Para que circule corriente se requiere que hayan cargas mviles que se desplacen por la accin del campo elctrico. Son los denominados portadores de corriente.
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PORTADORES DE CORRIENTE: ELECTRONES LIBRES Y HUECOS Si un electrn de un enlace covalente captura un cuanto de energa puede romper el enlace y convertirse en un electrn libre: portador de corriente de carga q. El enlace covalente roto se mueve por el cristal de la misma forma que lo hara una carga positiva, que se denomina hueco: portador de corriente de carga +q. (q = carga del electrn = 1,610-19 culombs) Magnitudes fundamentales en semiconductores: n = concentracin de electrones libres = n electrons libres por centmetro cbico. p = concentracin de huecos = n de huecos por centmetro cbico.

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3.3.- MODELO DE BANDAS DE ENERGA DE UN SEMICONDUCTOR El modelo de bandas de energa de un semiconductor consiste en la descripcin de las energas que tienen o pueden tener los electrones del semiconductor. De forma similar a lo que ocurra en el pozo de potencial y en el modelo cuntico del tomo, los tomos del cristal crean una funcin potencial V(r) que provoca que la energa y el momento de los electrones estn cuantificados: solo estn permitidos determinados valores. El electrn en el semiconductor se comporta segn su doble naturaleza cuntica: como partcula de energa E y momento p, y como onda con longitud de onda y frecuencia f. E Consideremos inicialmente un electrn libre (fuera del cristal) que tiene una energa cintica E:
h2 k = 2 k2 8 m En donde se ha usado la hiptesis de De Broglie entre p y k ( por esto se suele denominar a k momento cristalino). La relacin entre E y k es una parbola y estn permitidos todos los valores de E y de k.
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1 1 1 2 1 h E = mv 2 = (mv) 2 = p = 2 2m 2m 2m 2

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Consideremos ahora un electrn en un cristal unidimensional formado por una hilera de tomos. Cuando una onda electromagntica incide en un cristal cada tomo re-emite la onda en todas las direcciones. Las ondas re-emitidas por los tomos se suman y se crean fenmenos de interferencia. Sea un electron avanzando hacia las x crecientes (funcin de onda +). La interferencia ser constructiva cuando n = 2a. Para estas longitudes de onda el electrn es reflejado y cambia al sentido de las x decrecientes (funcin de onda -). Pero como se sigue cumpliendo la condicin de interferencia constructiva, el electron vuelve a ser reflejado de nuevo por el cristal hacia las x crecientes: el cristal impide la propagacin de este electrn (onda estacionaria). Cuando ocurren estas reflexiones la relacin parablica E(k) del electrn libre se modifica y aparecen bandas prohibidas en los valores de k (k = 2/) en los que el cristal impide la propagacin.
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Adems, la ecuacin de Schrdinger muestra que en un cristal la funcin de onda es peridica con perodo 2/a. Y como es peridica basta con tomar un solo perodo. La anterior grfica de la derecha muestra los valores permitidos de E en funcin de k, y se denomina esquema de bandas de energa en zona reducida del cristal unidimensional. En un cristal tridimensional el electrn encontrar distintas familias de planos paralelos segn sea la direccin de su movimiento. Cada una de estas familias de planos paralelos tendr una separacin distinta entre ellos que provocarn reflexiones del electrn (paquete de ondas) para distintos valores de k. En estos casos de dibuja el diagrama E(k) en distintas direcciones del cristal (en la figura direccin <100> hacia la izquierda y en direccin <111> hacia la derecha. La proyeccin de estas curvas sobre el eje de ordenadas muestra los niveles permitidos y prohibidos de energa que pueden tener los electrones en el semiconductor.
E Banda de conduccin (electrones libres) Ec Eg : Banda prohibida Ev Banda de valencia (electrones ligados) x

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Banda de conduccin: niveles de energa de los electrones libres (por encima de Ec). Banda de valencia: energa de los electrones de valencia en los enlaces (por debajo de Ev) Banda prohibida: intervalo de energa entre Ec y Ev. Ningn electrn puede estar en esta banda. Su anchura es Eg = Ec-Ev: es la mnima energa que se requiere para romper un enlace covalente. Cuando un electrn de valencia de energa Ei captura un cuanto EQ, su energa pasa a Eo = Ei + EQ, siempre que Eo est en la banda de conduccin. Si EQ es inferior a Eg ningn electrn de valencia podr pasar a la banda de conduccin. Este electrn libre tiene una energa cintica Eo-Ec.
x

E Electrn libre Eo Ec Ev Cuanto Ei hueco EQ

Perdida de energa per colisiones Banda de conduccin (electrones libres) Banda prohibida Eg Banda de valencia (electrones ligados)

Se genera un hueco en el nivel Ei con energa cintica Ev-Ei.


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3.4.- SEMICONDUCTOR INTRNSECO Semiconductor intrnseco: semiconductor puro i perfectamente cristalno. Sus portadors se generan por pares: electrn libre y hueco. Por tanto n = p = ni (ni = concentraci intrnseca). Se demuestra que: ni = AT3/2e(-Eg/2KT) ni aumenta con T: hay ms cuantos de energa trmica disponibles para romper enlaces. ni disminuye cuando aumenta Eg: cuando ms fuerte sea el enlace habrn menos enlaces rotos.

Eg = 1.1 eV para el silici (Si) = 0.68 eV para el Germani (Ge) = 1.43 eV para el Arseniuro de Galio (AsGa)
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SEMICONDUCTOR TIPO N Semiconductor extrnseco tipo N: semiconductor dopado con impurezas donadoras en el que los electrones libres son mayoritarios. Impureza donadora: tomo capaz de dar fcilmente un electrn libre (para el silici son tomos pentavalentes com el fsforo). El quinto electrn est debilmente ligado al tomo. Con poca energa salta a la banda de conduccin: nivel donador Ed. Cuando este electrn abandona el tomo de impureza sta se ioniza positivamente. Al aumentar la temperatura desde el cero absoluto, primero saltan los quintos electrones de las impurezas. Solo a T altas es significativa la ruptura de enlaces covalentes. Se demuestra que: n0 = [ND+ + (ND+2 + 4ni2)1/2] / 2 p0 = ni2/n0
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SEMICONDUCTOR TIPO P

Semiconductor extrnseco tipo P: semiconductor dopado con impurezas aceptoras en el que los huecos son mayoritarios. Impureza aceptora: tomo capaz de aceptar fcilmente un electrn de valencia (para el silici son tomos trivalentes como el boro).
Ea x

E +4 +4
o o

+4 Ec
o

+4 o

+3 o
o o

+4

+4

+4

+4

Ev

a)

b)

n, p p NA n T

Le falta completar el cuarto enlace covalente. Hay que dar muy poca energa a un electrn de un enlace vecino para que salte al enlace incompleto: nivel aceptor Ea. Cuando un electrn es aceptado por el tomo de impureza ste se ioniza negativamente. Al aumentar la temperatura desde el cero absoluto, primero saltan electrones de la banda de valencia a los niveles Ea, generando huecos. Solo a altas T es significativa la ruptura de enlaces covalentes. p0 = [N-A + (N-A2 + 4ni2)1/2] / 2

T=0K

T = Baixa

T = Moderada

T = Alta

n0 = ni2/p0
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3.5.- GENERACIN Y RECOMBINACIN DE PORTADORES Generacin: Creacin de un par electrn-hueco mediante captura de un cuanto de energa trmica (fonn), electromagntica (fotn) o cintica. Se cuantifica por g = n portadores generados por cm3 y por segundo. Recombinacin: Aniquilacin de un par electrn-hueco por reconstruccin del enlace covalente. Se emite la energa de exceso. Se cuantifica por r = n de portadores recombinados Por cm3 y por segundo. Tiempo de vida de un portador: tiempo transcurrido desde la generacin hasta la recombinacin. Rgimen estacionario: situacin en la que r = g, y que por tanto n i p son constantes. Un caso significativo es el del equilibrio trmico a una T determinada: rth = gth i n = n0, p = p0
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En los procesos de recombinacin las flechas van en sentido contrario


E Cuanto absorbido EQ Perdida de energa por colisiones

Cuanto emitido

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3.6.- CORRIENTE DE DIFUSIN Movimiento de agitacin trmica de los portadores: aleatrio (similar al de las molculas de un gas) Difusin de portadores: movimiento de los portadores que tiende a igualar las concentraciones en todos los puntos. Es originado por la agitacin trmica. Hay un desplazamiento neto de portadores desde los puntos de mayor hacia los de menor concentracin. Corrientes de difusin: Jdp = -qDpdp/dx Jdn = +qDndn/dx

Dp, Dn = constantes de difusin Jdp, Jdn = densidades de corriente de difusin de huecos y de electrones (A/cm2)

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CORRIENTE DE ARRATRE Arrastre de portadores: superpuesto al movimiento de agitacin trmica. Movimiento con velocidad constante. Velocidad de arrastre de los portadores: inicialmente proporcional al campo elctrico. Despus satura a un valor aproximado de 107 cm/s. Para campos dbiles: vp = pEel vn = -nEel p, n = movilidad de huecos y de electrones Corrientes de arrastre: corriente originada por un campo elctrico (Eel) Jap = q.p.vp Jan = qnvn

Los huecos se mueven en el mismo sentido que Eel. Los electrones en sentido contrario, pero llevan la corriente elctrica de arrastre en el mismo sentido que los huecos.
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RESISTENCIA DE UN SEMICONDUCTOR Concepto: cuando se aplica una tensin V a un semiconductor homogneo circula una corriente proporcional a V: I = V/R. Si el semiconductor es homogneo al aplicar la tensin V se origina un campo elctrico en su interior dado por: Eel = V/L Este campo elctrico origina una corriente de arrastre: I = Iap+Ian = qApvp+qAnvn Si el campo elctrico es dbil las velocidades de arrastre son proporcionales a Eel. Por tanto: I = qA[pp + nn]Eel Finalmente, R = V/I = (L/A) = 1/; = q[pp + nn] = conductividad del semiconductor Nota: Si Eel es intenso la velocidad deja de ser proporcional a Eel y la expresin de R no es vlida
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3.7.- EQUACIONES DE CONTINUIDAD Concepto: incremento de la concentracin en un volumen diferencial como resultado del balance entre la generacin, la recombinacin, el flujo de portadores que entran y que salen Continuidad de huecos: Continuidad de electrones: dp/dt = (g r) (1/q)(dJp/dx) dn/dt = (g r) + (1/q)(dJn/dx) Aproximacin: Si la concentracin de mayoritarios es aproximadamente la de equilibrio, solo se resuelve la ecuacin de continuidad de minoritarios aproximada de las siguientes formas:
p p0 1 J p p = g ext p t q x n n0 1 J n n = g ext + n t q x

con gext = generacin no trmica, p = tiempo de vida de los huecos, n = tiempo de vida de los electrones.
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EJEMPLO: APLICACIN A UN SEMICONDUCTOR ILUMINADO Enunciado del problema: Se quiere conocer como varia la concentracin de minoritarios (huecos) en un semiconductor N homogneo (no hay variacin con x), si a partir de t = 0 se le ilumina generndose gL huecos por cm3 y por segundo.

Al ser homogneo: dJp/dx = 0 Ecuacin a resolver: dp/dt = gL (p-p0)/p Condicin inicial: continuidad de los huecos en t = 0: p(0) = p0 Solucin: p = p0 + gLp[1 exp(-t/p)] Nota: Exceso final p = gLp, a partir de 3p

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3.8.- CARGAS Y CAMPOS EN UN SEMICONDUCTOR Densidad de carga: Ley de Gauss: (x) = q[p(x) n(x) + ND+(x) NA-(x)]

dEel/dx = /

Campo elctrico y potencial: dV/dx = - Eel P | N Ejemplo: unin PN Suponiendo la densidad de carga de la figura y que Eel = 0 si x < xP:

Eel ( x) =

( x) dx

| Eel max | = qN A xP /
V = (1 / 2)( xP + x N )| Eel max |

V ( x) = Eel ( x)dx

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3.9.- DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGIA Concepto: Representacin de los niveles de energa (Ec, Ev,..) en funcin de la posicin x. Proporciona informacin sobre los campos elctricos y las diferencias de potencial en el interior del dispositivo:
Eel ( x) = 1 dE fi q dx V ( x) V ( x0 ) = 1 E fi ( x) E fi ( x0 ) q

siendo Ef = nivel de Fermi y Efi = nivel de Fermi intrnseco. El nivel Efi = (Ec+Ev)/2. Las concentraciones en equilibrio trmico en un punto vienen dadas por:

n0 = ni e

( E f E fi ) / KT

p0 = ni e

( E f E fi ) / KT

Construccin: se demuestra que el nivel Ef en equilibrio trmico es constante a travs del dispositivo. Un dopado variable hace variar Efi(x), y como est en medio de la banda, varan Ec y Ev. La derivada de Efi proporciona Eel(x). Interpretacin: Un electrn de energa E1 tiene una energa cintica Ecin = E1 Ec. Cuando las bandas se doblan la energa cintica del electrn disminuye (Eel lo frena) hasta que se anula (velocidad cero) cuando toca el nivel Ec.
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3.10.- LA UNIN PN. Supongamos un dopado NA constante en la parte P y un dopado ND constante en la parte N. En la parte P hay iones negativos fijos NA- y huecos mviles. En la parte N hay iones positivos fijos ND+ y electrones mviles. Cuando las dos partes entran en contacto aparece una diferencia de concentracin en los huecos entre las partes P y N que origina una corriente de difusin que tiende a igualar la concentracin. Los huecos van de P a N y disminuye su concentracin en la parte P. Algo similar ocurre con los electrones que van por difusin de N hacia P, disminuyendo su concentracin en el lado N. Las impurezas ionizadas estn fijas en el cristal y no se desplazan. Aparece una carga neta negativa en la parte P: P(x) = q[p(x) n(x) NA] -qNA (suponiendo, n(x) y p(x) << NA), y una carga neta positiva en la parte N: N(x) = q[p(x) n(x) + ND] +qND Estas cargas originan un campo elctrico que va de N hacia P, que origina una corriente de arrastre que se opone a la de difusion. Cuando se alcanza el equilibrio trmico la corriente de difusin de huecos es balanceada en cada punto por la corriente de arrastre de huecos, y la corriente de difusin de electrones es tambin balanceada en cada punto por la de arrastre de electrones. Se establecen unas concentraciones fijas de electrones y de huecos.
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ANLISIS DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL (ZCE) En equilibrio trmico hay un dipolo de carga en la regin de transicin que genera un campo elctrico y ste una diferencia de potencial entre la parte N y la parte P. Debe haber neutralidad de carga: qNAwdP = qNDwdN wdP wdN Integrando la densidad de carga se obtiene el campo elctrico, y luego integrando el campo elctrico se obtiene el potencial. El modulo del valor mximo del campo elctrico en la unin, y la anchura de la zona de carga de espacio wd vienen dados por:

Eel max =
wdP wdN

2q N A N D (Vbi VD ) N A + ND 2 q 1 1 + (Vbi VD ) N A ND

wd = wdP + wdN =

En equilibrio trmico, cuando VD = 0, la diferencia de potencial entre la parte N y la parte P es Vbi, denominado potencial de difusin y vale Vbi = (KT/q)ln(NAND/ni2). Cuando se aplica una polarizacin VD a la unin PN, la diferencia de potencial en la unin pasa a ser Vbi - VD
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EL DIODO DE UNIN PN El diodo semiconductor est constituido por una unin PN. La regin P es el nodo del diodo y la regin N el ctodo. Presenta el efecto rectificador: permite el paso de corriente cuando la tensin aplicada a P es mayor que la aplicada a N, y bloquea el paso de corriente cuando la tensin aplicada cambia de signo. Unin PN sin polarizar: corriente nula. El campo elctrico en la regin de transicin confina a los electrones en la regi N i a los huecos en la regin P. Los huecos van por difusin de P a N, pero el campo elctrico los devuelve a la regin P. Los electrones van per difusin de N a P, pero el campo elctrico los devuelve a N. Unin PN con polarizacin directa: corriente de P a N. La tensin de polaritzacin VD disminuye el campo elctrico en la regi de transicin. Pasan huecos de P a N electrones de N a P. Unin PN con polarizacin inversa: No pasa corriente. La polaritzacin aumenta el campo elctrico en la regi de transicin. No pueden pasar huecos de P a N ni electrones de N a P.
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P
+ + + + + + + + + + + +

N
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

P
+ + + + + + + + + + + +

N
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

P
+ + + + + + + + + + + +

N
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

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BANDAS DE ENERGA Y EFECTO RECTIFICADOR El diagrama de la unin PN en equilibrio trmico muestra que todos los electrones de la parte N con energa inferior a la barrera que presenta el nivel Ec no pueden pasar a la regin P. Se demuestra (ley de Fermi) que la concentracin de electrones en la banda de conduccin disminuye exponencialmente al aumentar E. Como no hay prcticamente electrones que puedan superar la barrera, la corriente de electrones de N a P ser aproximadamente cero. Un razonamiento similar rige para los huecos. Al polarizar directamente (VD > 0) disminuyen las barreras y hay una parte importante de electrones que pueden ir de N hacia P y de huecos que pueden ir de P haca N. Por tanto, circula corriente. En cambio, con polarizacin inversa aumentan las barreras y los portadores no pueden pasar al otro lado, por lo que la corriente es nula.
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ECUACIN DEL DIODO En polarizacin directa (VD>0) la regin P inyecta huecos a la regin N y la regin N inyecta electrones a la regin P, ya que el campo elctrico en la ZCE disminuye. Los portadores inyectados a la regin adyacente son recombinados por los mayoritarios de la regin, recorriendo una distancia media L: longitud de difusin. Se demuestra que L = (D). Tambin hay un cierta recombinacin en la ZCE. La corriente por el diodo es ID = Is[exp(VD/Vt)-1]

Lp Ln

denominada ecuacin del diodo

Is = corriente inversa de saturacin = Ani2 : varia con T y con Eg. Para el silicio un valor tpico es 10-15 A, para el AsGa puede ser de 10-22 A. Notar que en inversa (VD<0) ID = -Is que es prcticamente cero. = factor de idealidad del diodo. Suele variar entre 1 y 2. El diodo conduce una corriente apreciable cuando VD > V, V = tensin de codo o tensin umbral: V = Vtln(IDref/Is). Para el silicio con IDref = 1 mA V = 0,7 V; para el AsGa V = 1,2 V.

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RUPTURA DE LA UNIN

Cuando VD < 0 aumenta Eel en la regin de transicin. Cuando alcanza un valor determinado (Erupt) empieza a circular corriente negativa (de ctodo a nodo): se produce la ruptura de la unin. Tensin de ruptura = Vz = -VD|Eelmax = Erupt Eelmax = E rupt = [(2q/)[NAND/(NA+ND)](Vbi+Vz)]1/2 Mecanismos de ruptura: Avalancha: un portador adquiere energa cintica del campo elctrico i arranca otros electrones de valencia por colisin. Efecto zener o efecto tnel: El propio campo elctrico arranca electrones de los enlaces covalentes. Hace un tnel a travs de la banda prohibida.
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3.11.- CAPACIDADES DE TRANSICIN Cj Y DE DIFUSIN La anchura de la ZCE wd varia con la polarizacin aplicada VD. Al aumentar VD la ZCE se hace mas delgada. Para permitir este adelgazamiento de la ZCE hay que inyectar huecos desde el exterior del terminal P para neutralizar a las impurezas aceptoras negativas del borde de la ZCE, y electrones desde el terminal N para neutralizar a las donadoras del otro borde. Efecto capacitivo: se almacena carga en la ZCE cuando varia VD. Cj = - dQj/dVD = A/wd

Al aumentar VD aumenta p(x) en todos los puntos. Se pasa de una curva p(x) a otra curva de valores mayores. Aumenta el nmero de huecos almacenados en la regin neutra N, QspN , y el nmero de electrones almacenados en la regin neutra P, QsnP Efecto capacitivo: Cs = d(QspN + QsnP)/dVD = t(Is/Vt)exp(VD/Vt);
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t = tiempo de trnsito
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MODELO DINMICO DE LA UNIN PN El circuito equivalente del diodo est formado por una fuente de corriente dependiente de la tensin entre terminales (ecuacin del diodo en rgimen estacionario) y dos condensadores en paralelo: Cj y Cs (en la figura Cs se denomina CD) iD = ID + CjdVD/dt + CsdVD/dt

con

ID = Is[exp(VD/Vt) -1]

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3.12.- SEMICONDUCTORES DE GAP DIRECTO Y DE GAP INDIRECTO Un semiconductor se denomina de gap directo cuando el mnimo de la banda de conduccin y el mximo de la banda de valencia se dan para el mismo valor de k. De lo contrario es de gap indirecto. As por ejemplo, el silicio es de gap indirecto y el Arseniuro de Galio de gap directo. Cuando un electrn en un semiconductor absorbe o emite un cuanto de energa realiza la transicin entre dos puntos de las curvas del diagrama E(k). En estas transiciones se debe conservar la energa y el momento cristalino:

Eef = Eei Ecuanto ;

kef = kei kcuanto

con el signo + cuando se absorbe un cuanto y el cuando se emite un cuanto. El fotn tiene una k muy pequea comparada con las k tpicas del electrn. Por esto:

Ee 0 = Eei E fotn ;

ke 0 = kei

Las transiciones que implican fotones son saltos verticales en el diagrama E(k).

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En la figura, la absorcin directa de un fotn es una transicin vertical desde la banda de valencia a la de conduccin. Cuando un electrn hace una transicin vertical desde la banda de conduccin a la de valencia emite un fotn. Tambin son posibles las transiciones indirectas que consisten en la absorcin/emisin simultnea de un fotn y un fonn. El salto vertical corresponde al fotn y el cambio de k se debe al fonn. La transicin indirecta tiene una frecuencia mucho menor que la directa. En equilibrio trmico los electrones tienden a ocupar los niveles ms bajos de energa en cada banda. Por esto, los electrones libres residen en los valles de la banda de conduccin, y los huecos en las cimas de la banda de valencia. En la recombinacin, un electrn de conduccin pasa al lugar de un hueco. Si el semiconductor es de gap directo, se har una transicin vertical con emisin de un fotn. En el semiconductor de gap indirecto normalmente se emite un fonn (calor).
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3.13.- ABSORCIN DE LA RADIACIN POR UN SEMICONDUCTOR

Cuando un fotn penetra dentro de un semiconductor puede crear un par electron hueco si su energa es superior a la banda prohibida del semiconductor:

E ft = hf =

hc 1,24 eV m = Eg

El flujo de fotones de longitud de onda a una distancia x de la superficie iluminada viene dado por: ( , x) = ( ,0)e ( )x siendo () = coeficiente de absorcin. La generacin de pares electrn hueco a una distancia x de la superficie iluminada generados por una radiacin de longitud de onda es

g L ( x, ) =

d ( ) = ( ) (0)e ( ) x dx

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COEFICIENTE DE ABSORCIN. La inversa del coeficiente de absorcin, 1/(), es la profundidad de penetracin de la radiacin en el semiconductir, ya que es igual a la distancia media que penetra un fotn en un semiconductor antes de ser absorbido. Cuando () = 0 el fotn no es absorbido ya que su penetracin seria infinita. Notar que esto ocurre cuando (m) < 1,24/Eg(eV). El coeficiente de absorcin toma un valor elevado cuando la absorcin es directa. En los semiconductores de gap indirecto como el silicio y el germanio, el coeficiente de absorcin toma valores muy pequeos para valores de prximos a Eg, debido a que la absorcin de estos fotones debe ser indirecta.
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2.14.- LA UNIN PN BAJO ILUMINACIN

Cuando el dispositivo permite la entrada de luz en su interior se produce una generacin adicional de portadores debido a gL. La tasa de generaci de portadores a una distancia x de la superficie iluminada es gL(x) = gL(0)exp(-x). Para hallar la caracterstica corriente tensin de la unin PN bajo iluminacin hay que resolver las ecuaciones de continuidad en las regiones neutras incluyendo el trmino gL(x). Para tener una visin cualitativa del resultado se aproxima gL(x) por un valor constante GL. Se obtiene la siguiente expresin:

Potencia disipada ID

Curva diodo en oscuridad VD Curva diodo en iluminacin

Ln

wzce

Lp

I D = I s [eVD / Vt 1] I L I L = qAGL [ Ln + L p + wZCE ]


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regi P

regi N