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UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIÁS

CAMPUS CATALÃO
Departamento de Física

Laboratório de Física Moderna II

Prof. Marcionílio T. O. Silva

Relatório I – O EFEITO HALL

Catalão, 2013.

2013.Laboratório de Física Moderna II Data: 06/05/13 O EFEITO HALL Turma A – Grupo 01 Física Licenciatura Alessandra Martins da Silva Costa – Matricula: 091405 Geovane Martins Costa – Matricula: 091504 Junior Cesar Delfino Peixoto – Matricula: 080792 CATALÃO. .

Para descrever esse efeito. medindo a voltagem hall (Vhall) em função do campo magnético B aplicado e da corrente transversal. O caso de uma carga positiva é mostrado na Figura 1b. tal como o caso dos elétrons em um metal. (a) (b) Figura 1: Forças sobre portadores de carga de um condutor em um campo magnético: a) portadores de carga negativos (elétrons). b) portadores de carga positivos (buracos).Introdução Objetivos Determinar a Constante Hall R H de placas de Germânio (p-Ge). a partir dos valores de R H. Um campo magnético B é aplicado perpendicularmente no plano da tira (sentido positivo do eixo y). [1] Como a força magnética sobre um condutor depende do sentido da . determinar os valores das concentrações de portadores do tipo p. é dado por v á. móvel. considere um condutor em forma de uma tira larga (Figura 1) percorrido por uma corrente I no sentido positivo do eixo-x. Considerações Teóricas O Efeito Hall foi descoberto em 1879 pelo físico norte-americano Edwin Hall. A Figura 1a mostra o caso de uma carga negativa. O módulo da velocidade de arraste da carga de módulo q.

. Capacitor 2000 mmF/25 V. dada por: Fz = q ⋅ v a ⋅ B Por causa do acúmulo de cargas negativas e positivas nas extremidades superior e inferior da tira. plano. quando as cargas que se movem não sofrem mais nenhum desvio produzido por nenhuma força transversal. Nestes casos. • PEK potenciômetro 560 Ohm lin 4 W. • Distribuidor. Considerações Experimentais Material Utilizado • Efeito Hall. 600 voltas. • Núcleo de ferro. em ambos os casos ela é orientada de baixo para cima. laminado. • PEK electro.corrente. placa transportadora. 30330348 mm. Depois de algum tempo. • 2 Caixas de ligação. em forma de U. • PEK resistor de carbono 1 W 5% 330 Ohm. um campo eletrostático E produz uma força elétrica ( = q ⋅E ) igual e oposta à força magnética Fz. conhecida como Voltagem Hall. • Bobina. a carga móvel de módulo q se move para a extremidade superior da tira sob a ação de uma força magnética. • Polos. p-Ge. • Ponte retificadora 250 VAC / 5 A. entre as extremidades opostas da tira. esse campo elétrico E dá origem a uma diferença de potencial transversal.

• Alimentação 0-12 V DC / 6 V. • Cabo de ligação. • Universal braçadeira. 500 mm. 750 mm preto. respectivamente. Diagrama do Experimento O arranjo experimental utilizado para as medidas do Efeito Hall e suas respectivas conexões elétricas está apresentado nas Figuras 2 e 3. 100 mm. • Suporte haste-PASS. • Ângulo direito clamp-PASS. . azul. • Cabo de conexão. vermelho. • Cabo de conexão. • Multímetro Digital. 12 V AC. 100 mm. 500 mm.• Teslameter digital. • Cabo de conexão. • Tripé base-PASS. vermelho. azul. • Cabo de ligação.quadrado l 250 milímetros.

3: Diagrama do circuito para as medidas de Efeito Hall Procedimento Experimental e Apresentação dos Resultados Com o experimento devidamente montado e já calibrado: • Inicialmente. foi mantida a fonte de tensão desligada.Fig. 2: Arranjo experimental para realização das medidas envolvendo efeito Hall. . Todos os procedimentos serão realizados à temperatura ambiente. Fig.

pode ser obtido através da relaçãoi: RH = VH d d ⋅ = a⋅ B I I (3) onde d é a espessura da amostra semicondutora e I a corrente sobre a mesma. Assim. a concentração de portadores (p ou n) na amostra é determinada pela relação: p. μ H. o mesmo foi ajustado para zero. mas sem tocá-las. n-Ge) cuidadosamente entre as peças polares do eletroímã inicialmente sem campo aplicado. respectivamente. Como a relação das grandezas são lineares temos. • A tensão através da amostra é medida entre os terminais A e B (Figura 2) usando um multímetro digital. pode ser obtida através da relação: .• Introduziu a placa contendo a amostra semicondutora (p. A mudança na resistência da amostra foi calculada através da expressão: R* = R B − R0 (1) R0 onde R0 e RB são. RH.602x10-19 As). Com o valor de RH determinado experimentalmente (Eq. 3). Aproximou-se as peças polares até próxima à placa e à Sonda Hall. • Foi ligado o Teslâmetro. A mobilidade do portador de carga. Ao se notar que ele apresentou um valor diferente de zero na medida do campo magnético (B ≠ 0) devido à remanência das peças polares. • Colocou cuidadosamente a Sonda Hall próxima à placa contendo a amostra de Ge. não encostando a sonda na placa. n = 1 e ⋅ RH (4) onde e é a carga elementar (1. V H = V0 + a ⋅ B (2) onde as constantes V0 (B = 0) e a são determinadas diretamente do gráfico V H x B. a Constante Hall. as resistências da amostra na ausência e na presença do campo magnético B.

5x10-3 Variou a corrente I na amostra de 3 em 3 mA até o valor de 45 mA (Cuidadosamente para não ultrapassar o valor de 50 mA na amostra) e mediu-se VH. B (mT) 250±0. tanto com o campo magnético B ligado quanto desligado. largura W.283±0.37x10-3 9. Anotou os valores assim obtidos na tabela abaixo: Tabela 3: Valores da corrente I e da tensão Hall em função do . condutividade à temperatura ambiente σ 0 e mobilidade Hall μH. A área e R 0 a resistência na ausência de campo magnético B (B = 0). calculada através da expressão: σ0 = L R0 ×A (6) onde L é o comprimento da amostra semicondutora. concentração de portadores tipo-p.7x10-20 44. estão apresentadas na tabela abaixo: Tabela 1: Características da amostra de p-Ge – espessura e. comprimento L e os valores esperados para a Constante Hall R H. p-Ge e (m) W (m) 01x10-3 10x10-3 L (m) RH p (m-3) σ0 (Ω-1.003 Procedimento 1 – Intensidade do campo magnético B e temperatura T constante. do tipo p.4 0. CARACTERÍSTICAS DAS AMOSTRAS SEMICONDUTORAS As características das amostras semicondutoras de Germânio. Tabela 2: Valores de B e da temperatura ambiente T.m-1) μH (m2/VS) 20x10-3 (m3/A.s) 6.5x10-3 • T (K) 299.µ H = RH ⋅ σ 0 (5) onde σ0 é a condutividade em temperatura ambiente.15±0.

5x10-3 9 *10−3 ±0.5x10-3 0.5x10-3 0.002±0.002±0.5x10-3 I( A) 39 *10−3 ±0.5x10-3 42 *10−3 ±0.045±0.018±0.117±0.5x10-3 -0.009±0.006±0.005±0.081±0.001±0.5x10-3 -0.000±0.5x10-3 -0. • Os resultados assim obtidos estão apresentados na tabela 3. Tensão Hall VH em função da corrente I.5x10-3 -0. Com os dados apresentados a tabela 3.5x10-3 0.004±0.5x10-3 -0.5x10-3 0.5x10-3 -0.027±0.135±0.072±0.5x10-3 0.5x10-3 0.5x10-3 0.006±0.5x10-3 0.5x10-3 -0.006±0.054±0.5x10-3 30 *10−3 ±0.5x10-3 21 *10−3 ±0.5x10-3 -0.5x10-3 -0.5x10-3 • Inverteu-se o campo magnético B e repetiu-se o procedimento anterior.108±0.5x10-3 27 *10−3 ±0. VH (mV) VH (mV) invertido 3 *10−3 ±0.5x10-3 0.001±0.003±0.5x10-3 0.5x10-3 -0.5x10-3 0. ligado e desligado.5x10-3 33 *10−3 ±0.5x10-3 -0.5x10-3 18 *10−3 ±0.5x10-3 12 *10−3 ±0. .5x10-3 0.005±0.004±0.5x10-3 0.003±0.5x10-3 -0.5x10-3 0.126±0.5x10-3 15 *10−3 ±0.063±0.5x10-3 24 *10−3 ±0.003±0.090±0.campo magnético B.5x10-3 45 *10−3 ±0.5x10-3 6 *10−3 ±0.036±0.5x10-3 36 *10−3 ±0.5x10-3 -0.5x10-3 0.099±0.5x10-3 -0.5x10-3 0.

• I (mA) T (K) 30 ±0. Tabela 6: Valores da corrente I e da temperatura ambiente T. • Inverteu-se o campo magnético B e repetiu-se o procedimento anterior.5x10-3 299. 5 – Tensão Hall em função da Intensidade da corrente. Fig.15±0. Procedimento 2– Corrente I e temperatura T constante. . 4 – Tensão Hall em função da Intensidade da corrente.5x10-3 Variou-se o campo magnético B de 0 a 450 mT.Fig. e mediu-se o valor da tensão Hall VH. de 30 em 30 mT.

5x10-3 0. B (mT) .060±0.009±0.5x10-3 0.042±0.5x10-3 120±0.014±0.5x10-3 -180±0.020±0. Fig.5x10-3 0.5x10-3 0.5x10-3 60±0.5x10-3 0.5x10-3 -30±0.043±0.071±0.5x10-3 0.5x10-3 -150±0.invertido VH (mV) 0±0.003±0.5x10-3 0.5x10-3 180±0.5x10-3 0. 6 – Tensão Hall em função do campo magnético.5x10-3 0.5x10-3 -210±0.5x10-3 -90±0.083±0.5x10-3 30±0.037±0.025±0.5x10-3 90±0.077±0.5x10-3 0.5x10-3 -120±0.5x10-3 0.5x10-3 0.5x10-3 210±0.normal VH (mV) B (mT) .5x10-3 0.5x10-3 0.5x10-3 0. foi construído um gráfico da tensão Hall V H em função do campo magnético B.066±0.5x10-3 Com os valores da Tabela 8.5x10-3 150±0.054±0. .5x10-3 0.031±0.048±0.Tabela 7: Valores da tensão Hall VH em função do campo magnético B.5x10-3 0±0.5x10-3 -60±0.

5ª edição.4% como mostra tabela 8. Rio de Janeiro.37 *10−20 ER% 3.S. Phywe Systeme GMBH. 3. versão extendida. O resultado experimental para constante RH esta bem próxima do valor teórico com um erro de 3. Germany. Medindo tensão de Hall como uma função do campo magnético. observou-se a dependência linear entre estas quantidades. Tais como sensores. G. 66*10−3 p-Ge p (m-3) 9. P. 5. K. Laboratory Experiments in Physics.3. Efeito Hall é o do fenômeno significativo que usamos dispositivos eletrônicos. Vol. . 1996 2. Científicos Editora.. D. RESNICK. Livros Técnicos e. Física. 2002. HALLIDAY. Livros Técnicos e Científicos. 4 Considerações Finais Discussão e Conclusão Em conclusão. 4. A. Rio de Janeiro. MOSCA. o objetivo geral deste trabalho foi analisar o efeito Hall através do seu efeito sobre a tensão sobre uma placa p-germânio. Referências Bibliográficas 1.. D. R. A partir da inclinação podemos calcular o coeficiente Angular (Campo magnético B) e a tensão Hall.. 4. R. e KRANE. 1999 .3.3. Vol. HALLIDAY. Göttingen. diodos baterias de energia solar. K.Tabela 8: Valores obtidos experimentalmente para a Constante Hall e a Concentração de Portadores (p).02. RESNICK.01 e 5.. e Krane. Physics for scientists and engineers. TIPLER.Física.S. Outra coisa observada é a dependência linear das tensões como mostra os gráficos. 3a Ed. RH (m3/As) 6.3.

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