You are on page 1of 56

Lucrarea de laborator numrul 1 Dispozitive de putere.

Dioda
1. Scopul lucrrii Lucrarea i propune o introducere n universul dispozitivelor semiconductoare de putere i analiza experimental a fenomenului de comutaie a diodei. Rezultatele experimentale se vor compara cu cele obinute prin simulare cu SPIC . 2. Introducere teoretic 2.1. Dioda 2.1.1. Dioda cu jonciune Siliciul este materialul semiconductor utilizat pentru obinerea dispozitivelor de comutaie. Siliciul dopat uor nconstituie uzual materialul de baz pentru obinerea dispozitivelor semiconduc! toare. Rezistena materialului depinde de rezistivitatea sa "#$ de %rosimea stratului "l# i de aria total "A#&
l R= A

Fig. 1.1

Prin adu%area unui strat p se obine dioda cu seciunea transversal dat n fi%ura '.'. Structura diodei conine o (onciune pn a crei comportare este bine cunoscut de la cursul de dispozitive "fi%ura '.'#. Comutaia diodei Pentru aplicaii n circuite de comutaie$ timpul de tranziie al diodelor din starea de conducie direct "on# n starea de blocare "off# trebuie s fie c)t mai redus. *enomenele care nsoesc tranziia unei (onciuni pn "diode# din starea +on+ n starea +off+ sunt ilustrate n fi%ura '.,. Fig. 1.2

P)n la momentul t-. dioda este polarizat direct$ dispozitivul fiind parcurs de curentul de conducie IF . /n momentul t-. comutatorul trece instantaneu din poziia ' n poziia ,. Ca urmare$ se ntrerupe cur%erea curentului IF i se foreaz trecerea prin (onciune a curentului invers IR. 0aloarea acestui curent "IR- ER1 RR # este determinat de sursa de tensiune ER i de rezistena RR. Curentul invers prin diod i pstreaz constant valoarea IR p)n la momentul t-t '. Intervalul de timp ".$t '#$ c)nd tensiunea la bornele diodei scade de la VF "tensiunea pe diod n polarizare direct# la .$ este determinat de procesul de evacuare a purttorilor minoritari existeni n exces n (onciunea diodei i poart denumirea de timp de stocare ts. 2up momentul t' curentul invers prin diod ncepe s scad$ iar tensiunea la bornele diodei devine ne%ativ$ tinz)nd ctre valoarea sursei de polarizare invers "ER#. 2urata intervalului de timp "t '$t,# n cursul cruia dioda i restabilete capabilitatea de blocare n invers$ poart numele de timp de tranziie tt. 3impul de revenire invers trr este trr=ts+tt. 2in punct de vedere Fig. 1.! practic$ tranziia unei diode din starea de blocare n starea de conducie$ raport)ndu!se la durata timpului de blocare toff =trr$ are loc aproape instantaneu. Productorii de diode de putere specific de re%ul valoarea timpului de revenire invers trr "reverse recover4 time#. /n cazul blocrii pe sarcin inductiv fenomenele sunt ilustrate n fi%ura '.5. Caracteristica curent tensiune la nivele mari de injecie *uncionarea dispozitivelor cu (onciuni pn la un nivel mare de in(ecie "n conducie direct# se caracterizeaz prin faptul c valoarea concentraiei purttorilor minoritari n straturile dispozitivului este comparabil cu cea a purttorilor ma(oritari. Rezultatele experimentale obinute cu diode redresoare din siliciu se reprezint sub urmtoarea dependen a densitii de curent&
! = exp qV

unde este factorul de idealitate al diodei " = " la nivele mari de in(ecie#. Strpungerea jonciunii pn La aplicarea unei tensiuni inverse de valoare suficient de mare (onciunea semiconductoare se strpun%e& structura pn i pierde proprietile de redresare$ curentul invers cresc)nd foarte mult. xist urmtoarele mecanisme de strpun%ere a unei (onciuni pn& ! strpun%erea prin avalan "ionizare prin oc#6 ! strpun%erea prin ptrundere sau atin%ere "punc7!t7rou%7 sau reac7!t7rou%7#6 ! strpun%erea 8ener "prin tunelare#.

kT

"uterea total disipat de diod Puterea disipat de o diod n conducie direct se exprim prin relaia& # d on = VT I F AV) + r& I F R$%) unde& ! VT este tensiunea de pra% a diodei6 ! r& este rezistena intern a diodei n polarizare direct6 ! IF AV) este curentul direct mediu prin diod6 ! IF R$%) este curentul direct efectiv prin dioda. Puterea disipat de o diod n comutaie$ mai precis pe durata comutaiilor inverse$ se poate exprima aproximativ prin&

# d com = f E R ' rr
unde& ! f este frecvena comutrilor6 ! ER este tensiunea invers aplicat la blocare6 ! 'RR este sarcina de revenire care trebuie eliminat din (onciune pentru ca dioda s se bloc7eze

'rr = ( * dV r = i dt
) )
Puterea disipat n blocare este ne%li(abil fa de valorile date de relaiile de mai sus$ astfel nc)t puterea disipat "total# de o diod este&

ER

trr

# d = # d on + # d com

2.1.2. Dioda Sc#ott$% de putere "articulariti &uncionale ale diodei Sc#ott$% &iodele %c+ottk, reprezint o cate%orie distinct n cadrul familiei de diode redresoare prin faptul c funcia de redresare este realizat de contactul ntre un metal i un semiconductor i nu de (onciuni pn semiconductoare. Curentul prin dioda Sc7ott94 este transportat de un sin%ur tip de purttori$ purttorii ma(oritari din semiconductor "%oluri sau electroni#. 2eoarece mobilitatea electronilor este de , 5 ori mai mare dec)t cea a %olurilor$ diodele Sc7ott94 sunt realizate n %eneral pe semiconductoare de tip n. :bsena conduciei prin purttorii minoritari determin dou avanta(e ma(ore& '# nu exist sarcin stocat la nivelul (onciunii$ deci timpii de comutaie depind exclusiv de valoarea capacitii intrinseci a dispozitivului&
" q - & s ( *= A* " . n - n + V R )
/

unde&

! .n este potenialul barierei de contact Sc7ott94$ care depinde n principal de natura metalului utilizat pentru realizarea contractului " . n = )02 )01 V pentru (r$ . n = )034 V pentru Pt#6 ! n este potenialul *ermi pentru electroni6 ! A * este aria (onciunii metal!semiconductor6 ! - d reprezint nivelul de dopare a stratului epitaxial6 5

! 5s este permitivitatea electric a semiconductorului n6 ! q este sarcina electronului. ,# nu apare fenomenul de modulare a rezistivitii stratului semiconductor$ determinat de creterea nivelului de curent$ deci tensiunea n conducie i tensiunea n blocare sunt sensibil mai mici dec)t n cazul diodelor cu (onciune pn. /n fi%ura '.; este prezentat seciunea transversal printr!o diod Sc7ott94. 2.2. Dispozitive cu trei straturi Fig. 1.(

2ispozitivele de baz cu trei straturi$ de nalt tensiune "deci care au structura vertical caracterizat de existena unui strat de tip n!#$ sunt prezentate n fi%ura '.<.

Fig. 1.) *i%ura '.= prezint modul cum$ pornind de la o (onciune pn$ prin adu%area unui strat n se obin structurile de principiu pentru& !tranzistorul bipolar de nalt tensiune sau >03 cu seciunea transversal dat n fi%ura '.=a6 !tranzistorul ?!* 3 sau SI3 cu seciunea transversal dat n fi%ura '.=b6 !tranzistorul @AS cu seciunea transversala dat n fi%ura '.=c.

Fig. 1.' ;

2.!. Dispozitive cu patru straturi Structurile de principiu cu trei straturi din seciunea anterioara pot fi extinse cu un strat p $ obin)nd trei structuri de baz cu patru straturi& ! tiristorul convenional ! SCR "Silicon Controlled Rectifier#$ care este n esen un >30 cu un strat p + adu%at "fi%ura '.B.a#6 ! tiristorul cu inducie static ! SI37 sau *C3 ! un ?!* 3 la care s!a adu%at un strat p + "fi%ura '.Bb#6 ! tiristorul bipolar cu poart izolat ! ICD3 ! un @AS la care s!a adu%at un strat p + "fi%ura '.Bc#.
+

Fig. 1.*

2.(. +ptimizri ale structurilor de baza /n funcie de aplicaiile concrete n care sunt utilizate$ dispozitivele semiconductoare de putere trebuie s aib& ! tensiuni de blocare c)t mai ridicate6 ! capabiliti mari n curent6 ! valori mari ale capabilitilor n d01dt i dI1dt6 ! timpi de comutare c)t mai redui$ deci frecvene de lucru c)t mai mari6 ! puterea disipat n comutaie c)t mai mic6 ! nivele reduse ale puterii de comand pe poart. 2e re%ul$ mbuntirea uneia din caracteristicile de mai sus conduce inevitabil la de%radarea altor parametri ai dispozitivelor. /n consecin$ exist dispozitive specializate$ optimizate pentru diferite aplicaii. Prin inte6rare f7ncional8 s!au obinut structuri perfecionate cum ar fi& ! tranzistorul cu efect de c)mp cu dioda epitaxial rapid *R 2!* 3 "* 3 Eit7 *ast Recover4 pitaxial 2iode ! fi%ura '.Fa#6 ! tiristoare cu blocare pe poart C3A "Cate 3urn!Aff 374ristor ! fi%ura '.Fb#6 ! tiristor controlat de @AS$ denumit @C3 "fi%ura '.Fc# etc.

<

Fig. 1., 2.). -naliza comparativ a per&ormanelor dispozitivelor semiconductoare de putere ste important ca proprietile dispozitivelor semiconductoare s fie cunoscute atunci c)nd ale%em un dispozitiv care s lucreze optim ntr!o aplicaie dat. 3abelul '.' se prezint comparativ proprietile eseniale ale dispozitivelor capabile s susin tensiuni de peste '...0. Se remarc faptul c dispozitivele rapide sunt optimizate pentru o tensiune direct n conducie minim. 2.'. -ria de aplicaii pentru dispozitivele semiconductoare de putere :ceast seciune ncearc s dea indicaii asupra modului de ale%ere a dispozitivului optim pentru o anumit aplicaie. ste posibil pentru un proiectant de circuite$ utiliz)nd te7nici variate i ori%inale$ s foloseasc un dispozitiv n afara zonei de operare +normal+$ ilustrat n fi%ura '.G. Se poate spune c este dificil utilizarea tranzistoarelor bipolare >03 la frecvene de peste '..9>z$ dar totui n literatura de specialitate sunt descrise aplicaii la frecvene de sute de 9>z. La ale%erea unui tip de comutator concur o %ama mai lar% de parametri$ le%ai ntr!o anumit msur de frecvena de comutaie& ! timpii de nt)rziere6 ! puterea disipat n comutaie6 ! densitatea de curent n conducie6 ! limitri te7nolo%ice la puteri mari6 ! topolo%ia aplicaiei. 2e exemplu C3A este preferat tranzistorului de putere n aplicaii de mare putere la frecvene ntre '9>z i ,.9>z datorit capabilitii sale la suprasarcin. Scderea tensiunii susinute n blocare determin performane mai bune. /n tabelul '.'$ un +H+ are$ n funcie de context$ semnificaia +simplu+ sau +mic+$ iar un +!+ nseamn +complexitate+ sau +mare+. In punct n tabel semnific o medie ntre +H+ i +!+$ iar *"fast#-rapid i S"sloE#-lent. /n cazul comutaiei forate pentru tiristoare sunt valabile performanele dintre acolade.

2ispozitiv1 Parametru

>03

?* 3

@AS

3>J

C3A

ICD3 S

ICD3 *

Initate de

msur 0"AK# Circuit C2 Circuit CI Comanda 3e7nolo%ie Protecia 3s$ tL Pd"com# ? dv1dt dI1dt 0max Imax Imax1Inom *max ' ! ! ! H ! , . <. 5 ' '<.. '... < <. '. H ! . . . ..' HH ', ,. '. '... '. 5 '... < H H H . H ..' HH ,. '. '. '... '.. < '... '.< H H . H H < !! ,.. ..< ' <... <... '< '. 5 H ! . ! ! ' ! '.. '.< ..5 ;... 5... '. ,. , H H H ! ! , ! <. 5 '. '... ;.. 5 <. ; H H H ! ! ..< . <. '. '. '... ;.. 5 ,.. 0 ! ! ! ! ! Ms ! :1cm, 01ns :1ns 0 : ! 9>z

.ab. 1.1

Fig. 1./ 2.*. 0alori limit absolute pentru dispozitivele semiconductoare de putere /n timpul operaiilor de montare n ec7ipamentul electronic$ precum i pe toat durata de utilizare$ dispozitivele semiconductoare sunt supuse la solicitri complexe$ de natura mecanic$ electric i termic$ ce pot afecta performanele de fiabilitate ale acestora. Simplificarea mi(loacelor de testare a determinat mprirea metodelor de ncercare n ncercri& ! climatice6 B

! mecanice6 ! termice6 ! electrice. Corespunztor acestor moduri de ncercare avem sistemele de valori limit absolute mecanice$ climatice$ termice i electrice. Conform definiiei dat de C I pentru sistemul de valori limit absolute$ fiecare este imperativ$ n sensul c depirea ei provoac de%radarea ireversibil a dispozitivului. Proiectanii de ec7ipamente cu dispozitive semiconductoare de putere trebuie s rein c exist o corelaie str)ns ntre probabilitatea defectrii dispozitivului i %radul de ncrcare a dispozitivului$ n sensul apropierii de una din valorile sale limit absolute. 0alori limit absolute pentru diod /n re%im de polarizare invers se definesc urmtoarele valori limit absolut& VR ! tensiunea invers continu6 VRR$ ! tensiunea invers repetitiv maxim6 VR9$ ! tensiunea invers de lucru maxim6 VR%$ ! tensiunea invers de suprasarcin maxim. /n re%im de conducie valorile limit absolut$ evident$ se vor referi la curentul ce parcur%e dispozitivul& IF ! curent direct continuu6 IFAV$ ! curent direct mediu maxim6 IFR$%$ ! curent direct eficace maxim6 IFR$ ! curent direct repetitiv maxim6 IF$ ! curent direct de suprasarcin maxim6 " It ! inte%rala de curent n funcie de care se dimensioneaz si%uranele ultrarapide de protecie etc. Pentru re%imul de comutaie al diodei intereseaz& di:dt ! panta critic de cretere a curentului de conducie6 d;:dt ! panta critic de cretere a tensiunii de blocare6 t*$ ! temperatura (onciuni maxim "parametru termic$ dar str)ns le%at de puterea disipat n comutaie. !. -parate 1i ec#ipamente utilizate ! osciloscop cu dou canale6 ! mac7et laborator6 ! %enerator de impulsuri de putere6 (. Des&1urarea lucrrii (.1. 23periment '. Se alimenteaz %eneratorul de impulsuri i se conecteaz n varianta impulsuri bipolare la mac7eta de laborator cu sc7ema dat n fi%ura '.'.. ,. Se conecteaz osciloscopul astfel nc)t pe un canal s se vizualizeze curentul prin diod "i&#$ iar pe cellalt tensiunea pe diod ";&#. 5. Se studiaz comutaia diodei pe sarcin rezistiv "fi%ura '.''a#. ;. Se conecteaz dioda 2' "normal# n circuit. <. Se deseneaz formele de und i se msoar timpii ts i trr $ precum i curenii IF i IRma<. =. Se conecteaz dioda 2, "de comutaie# n circuit i se repet punctul <. B. Se conecteaz dioda 25 "Sc7ott94# n circuit i se repet punctul <. F. Se studiaz comutaia diodei pe sarcin inductiv$ repet)nd punctele ;$ <$ = i B ale F

lucrrii "fi%ura '.''b#. G. Se studiaz efectul introducerii unui condensator n circuitul de comutaie "fi%ura '.''c i '.''d#. '.. Se centralizeaz rezultatele msurtorilor ntr!un tabel.

Fig. 1.14

Fig. 1.11 (.2. Simulare '. Itiliz)nd pro%ramul SPIC se va studia& ! comutaia diodei cu (onciune normal pe sarcin rezistiv R "fi%ura '.',#6 ! comutaia diodei cu (onciune normal pe sarcin inductiv L6 ! comutaia diodei cu (onciune de comutaie pe sarcin R6 ! comutaia diodei cu (onciune de comutaie pe sarcin L. :nalizai comparativ rezultatele obinute prin simulare cu rezultatele experimentale obinute pentru i& i ;&. ,. Se vizualizeaz puterea disipat n comutaie.

Fig. 1.12 ). 5ntrebri. .eme de cas '. Cum influeneaz fronturile impulsurilor de comand procesul de comutaie "puterea disipat n special#N Abservaie. Se va utiliza simularea cu SPIC . ,. La comutaia diodei pe sarcin rezistiv$ care este le%tura dintre sarcin i timpul de stocareN 5. Care este le%tura dintre frecvena impulsurilor de comutare "factor de umplere '1,# i parametrii diodei "ts si trr#N ;. 2e ce se conecteaz n paralel cu dioda care lucreaz n comutaie un condensatorN <. Care sunt avanta(ele utilizrii diodelor Sc7ott94N =. stimai valoarea inductanei din circuitul utilizat n laborator pentru un curent direct maxim IFma<-.$<:. B. stimai sarcina stocat pentru fiecare situaie analizat. Comparai rezultatele cu cele date n catalo%. F. Propunei o sc7em de %enerator de impulsuri dreptun%7iulare cu amplificatoare operaionale$ care s aib posibilitatea re%lrii frecvenei i a factorului de umplere. G. Cum trebuie s fie impedana de ieire a %eneratorului de impulsuriN '. 6ibliogra&ie '. @. Dodea s.a.$ &iode =i tiristoare de p7tere - performane $ @anual de utilizare$ d. 3e7nic$ Ducureti 'GFG. ,. xxx$ #o>er %emicond7ctor Applications$ P7ilips Semiconductor$ Ket7erlands$ 'GG,. 5. P. :l. 2an s.a.$ &iode c7 silici7 ! Catalo%$ d. 3e7nic$ Ducureti$ 'GFB. ;. 2. 2asclu s.a.$ (o

'.

Lucrarea de laborator numrul 2

.ranzistorul bipolar de putere 1i tensiune mare


1. Scopul lucrrii Lucrarea i propune o analiz experimental a caracteristicilor de comutaie pentru tranzistorul bipolar de putere corelat cu tipul circuitului de comand i respectiv tipul circuitului de protecie. Sunt analizate de asemenea fenomenele specifice comutaiei tranzistorului bipolar pentru tensiuni mari ">i%7 0olta%e bipolar 3ranzistor ! >03#. Rezultatele experimentale obinute se vor compara cu cele obinute prin simulare cu SPIC . 2. Introducere teoretic 2.1. Structura tranzistorului bipolar pentru tensiuni mari lementele constructive ale unui >03 n capsula SA3 'F=* sunt prezentate n fi%ura ,.'. A seciune transversal printr!o structur de >03 este dat n fi%ura ,.,.

Fig. 2.1

Fig. 2.2 Fig. 2.! Crosimea stratului n determin valoarea maxim a tensiunii colector!emitor susinut n blocare. Pentru a menine aceast valoare se face o pasivizare a cipului cu sticl special "fi%ura ,.,#. :ceast structur se poate obine te7nolo%ic n mai multe moduri "aceste te7nolo%ii numindu!se +planare+#. In >03 i un tranzistor de tensiune mic difer prin %rosimea stratului n- care determin i ali parametri electrici ai tranzistorului "fi%ura ,.5#. /n fi%ura ,.5 s!au folosit urmtoarele notaiile "care vor fi definite mai (os#&

''

ts ! timpul de stocare 6 tf ! timpul de cdere a curentului. >03!urile sunt utilizate aproape n exclusivitate n circuite electronice de comutaie pentru conversia ener%iei$ comanda motoarelor "d.c. i a.c.# etc. 2.2. Comutaia tranzistorului bipolar 7 80. 9 Pentru un tranzistor n conducie se pot distin%e trei zone n care se acumuleaz sarcina electric " fi%. ,.;#.

Fig. 2.( Fig. 2.) Sarcina Ob localizat n re%iunea bazei este esenial pentru conducia curentului de colector. Sarcina Oc localizat n zona colectorului$ n dreptul emitorului$ determin o rezisten sczut pentru colector$ deci o tensiune colector emitor sczut. Sarcina O d este localizat n zona colectorului n dreptul contactului de baz. Pentru o valoare fixat a curentului de colector valoarea sarcinilor Ob $ Oc i Od depinde de tensiunea colector!emitor "fi%ura ,.<#. /n condiii normale de comand se obine pentru V (E sat o valoare satisfctoare "punctul K n fi%ura ,.<#$ obin)ndu!se valori moderate pentru Oc i Od. C)nd se aplic un curent de baz mai mare$ tranzistorul se satureaz profund valoarea sarcinilor Oc i Od$ cresc)nd "punctul A ! overdriven ! n fi%ura ,.<#. 2ac se aplic o reea Fig 2.' pentru desaturarea tranzistorului "denumit Da9er Clamp ! vezi fi%ura ,.B$ punctul 2 n fi%ura ,.<# valoarea timpului de stocare i timpul de cdere scade. Dlocarea tranzistorului prin aplicarea unui curent de baz ne%ativ se face n patru etape$ n care se evacueaz sarcinile Ob$ Oc i Od6 durata primelor dou determin timpul de stocare t s $ iar celelalte determin timpul de cdere tf "fi%ura ,.=#. /n acest caz la saturaie incipient avem "fi%ura ,.B#&

V (E sat = V &' + V .E - V & 5


',

supracurentul de comand fiind preluat de dioda 25. 2ioda 2, asi%ur calea de evacuare a sarcinii stocate$ iar dioda 2' fixeaz pra%ul saturaiei incipiente "eventual pot fi conectate dou diode n serie#.

Fig. 2.*

Fig. 2.,

/n cazul confi%uraiei 2arlin%ton "fi%ura ,.F#$ in)nd cont de faptul c (onciunile D i DC ale tranzistorului 3' (oac rolul diodelor 2, i 25 $ tranzistorul de for 3, nu se va satura profund$ indiferent c)t este valoarea curentului de comand ID,. Comutaia tranzistorului din blocare n conducie "comutaia direct ! C2#$ respectiv invers "comutaia invers ! CI# se face ntr!un timp definit n principal de circuitul de comand. 2.!. Circuite de comand Circuitele de baz pentru comanda tranzistorului bipolar sunt reprezentate n fi%ura ,.G. Se remarc existena rezistenei Rb n fiecare circuit de comand$ av)nd rolul de a limita valoarea curentului de comand. /n cazul unei comenzi cu forarea curentului de baz prin circuitul de accelerare "Rb n paralel cu Cb $ vezi fi%ura ,.'..b#$ puterea disipat n timpul C2 este mai mic dec)t n cazul unei comenzi simple printr!o rezisten Rb "fi%ura ,.'..a.#. La comutarea invers$ din momentul t. al aplicrii tensiunii inverse de comand se pot evidenia timpii& ! t o - t / = t s 6 pe durata cruia tranzistorul rm)ne saturat6 ! t " 6 c)nd i -. i V .E devine ne%ativ6 ! t ? 6 c)nd iC - .6 ! t ? - t / = t f 6 timpul de cdere pentru iC. *ormele de und$ pe durata CI$ pentru circuitele de comand din fi%ura Fig.2./ '5

,.G sunt reprezentate n fi%urile ,.''.ac.

Fig. 2.14.a

Fig. 2.14.b

Fig. 2.11.a

Fig. 2.11.b

';

Fig. 2.11.c Fig. 2.12 /n fi%ura ,.', este prezentat efectul mririi tensiunii inverse$ aplicate pentru blocarea tranzistorului$ asupra performanelor de comutare invers a circuitului din fi%ura ,.G.b "vezi pentru comparaie fi%ura ,.''.b#. Circuitul de accelerare RbCb "vezi fi%ura ,.G.a# este n %eneral utilizat pentru comanda tranzistoarelor cu tensiuni V (E max mici. /n %eneral se urmarete ca I .R$ =
/ I( . "

Pe de alt parte$ puterea disipat scade dac nu se utilizeaz condensatorul de accelerare Cb "vezi fi%ura ,.''.b# sau se mrete tensiunea invers aplicat "fi%ura ,.',#$ fr ns a se depi tensiunea de strpun%ere a (onciunii baz emitor$ 0 "DR# D.. Se remarc ns o cretere a timpului total de comutare invers. Pentru tranzistoare >03 intrarea (onciunii D n strpun%ere la comutarea invers$ utilizand o bobina n baz Lb "vezi fi%ura ,.''.c#$ nu are efecte distructive dac nu se depesc parametrii IDR":0# i IDRmax "precizai n catalo%#. ste evident c au loc relaiile&

# dci //a) @ # dci //A) @ # dci /, ) @ # dci //c)


t f //a) @ t f //A) @ t f /, ) @ t f //c)

t s //a) B t s //A) B t s //c)


/n %eneral$ valoarea optim a inductanei Lb se determin experimental. A estimare bun este dat de relaia &

C. =
unde&

E R+V .E sat di . dt

d i. - .$<Ic ":1Ms#$ pentru un >03 cu V (E) -;..0$ V (E< -F..06 dt d i. - .$'<Ic ":1Ms#$ pentru un >03 cu V (E) -B..0$ V (E< -'<..06 dt E R ! tensiunea ne%ativ de comanda6 V .E sat -'0. 3impul de stocare poate fi estimat cu relaia & I .R$ + /) C . I .F tf= E R + V .E sat unde$ n practic$ se consider uzual& I .R$ =/? I .F 2eoarece R - , < 0$ o valoare mic pentru t s se obine pentru o valoare mic a inductanei Lb. /n acest caz ns ener%ia nma%azinat de bobin " C . I " .R$ # este insuficient pentru a menine (onciunea baz emitor n strpun%ere. /n fi%ura ,.'5 i ,.'; sunt prezentate doua circuite care rezolv aceast problem$ fie prin untarea cu o diod a rezistenei Rb pe durata CI$ fie prin mrirea tensiunii inverse aplicate cu valoarea 05 "practic se poate utiliza n locul rezistenei R5 i o dioda 8ener#. '<
/ "

Fig. 2.1!

Fig. 2.1(

Fig. 2.1) Circuitul optim de comand este prezentat n fi%ura ,.'<. ste de menionat c pentru a obine anumite performane nu sunt necesare$ uneori$ toate elementele. :stfel$ n circuite n care rata de cretere a curentului de colector este limitat "printr!o inductana aflat n circuitul de colector#$ reeaua R' ! C' ! 2' poate lipsi fr a crete excesiv PdC2. 2e asemenea$ n circuitele n care LD este suficient de mare reeaua R5 P C5 poate lipsi "vezi structura circuitelor de deflexie orizontal#. Pentru evitarea oscilaiilor se poate utiliza un rezistor balast R;.

'=

Fig. 2.1' 2.(. -ria de &uncionare sigur /n cazul n care (onciunea de comand este polarizat direct punctul de funcionare trebuie s se afle n zona de funcionare si%ur reprezentat n fi%ura ,.'=. 2ac (onciunea baz emitor este scurtcircuitat " V .E off -.0# sau este polarizat

Fig. 2.1*

invers " V .E off -<0#$ aria de funcionare si%ur este reprezentat n fi%ura ,.'B. Limitarea ariei de funcionare si%ur este dat de curentul$ tensiunea i puterea disipat maxim$ precum i de limita strpun%erii secundare. 0aloarea tensiunii maxime susinute n Fig. 2.1, blocare depinde de profilul concentraiei de purttori "fi%ura ,.'F#. 2ac curentul de colector creste$ tensiunea V (E scade i c)mpul electric poate atin%e valoarea critic E crit ) pentru care se declaneaz fenomenul de multiplicare n avalan "fi%ura ,.'G#. La aproximativ 0C - 5.0 %olurile produse prin multiplicarea n avalan stabilizeaz temporar acest proces. Aricum$ la 0 C 5.0 $ un curent de colector mare determin distru%erea termic a dispozitivului de putere n cel mult o microsecund. Reducerea ratei de cretere a tensiunii 0C la CI cu a(utorul unei reele R!C "vezi fi%ura ,.,.#$ Fig. 2.1/ numit reea snubber$ determin i o scdere a puterii Pd " CI # $ deci evitarea strpun%erii secundare. Se recomand o rat de cretere a tensiunii 0C dat de relaia& fEkFzD dV (E = EkV:sD dt "4 Ineori pierderile n reeaua snubber pot fi considerabile i deci se pune problema recuperrii ener%iei acumulat de condensator. Pentru o protecie maxim a tranzistorului se conecteaz n colector diverse reele de protecie "fi%ura ,.,'#. 'B

Fig. 2.24

Fig. 2.21

Reeaua & 4 - R 4 - ( 4 formeaz un detector de v)rf pentru limitarea tensiunii 0C . Inductana L= reduce rata de cretere a curentului I C$ care poate fi foarte mare pentru tranzistoarele care comut transformatoare de putere$ micor)nd P dC2. ner%ia nma%azinat de L= este disipat de circuitul R=!2= pe durata c)nd tranzistorul este blocat. /nfurarea secundar$ bobinat n opoziie fa de cea primar$ mpreun cu 2B$ are rol n recuperarea ener%iei nma%azinate de transformator. Crete ns i tensiunea 0 C pe durata c)nd 2B conduce. !. -parate 1i ec#ipamente utilizate: ! osciloscop cu dou canale6 ! mac7et laborator "fi%ura ,.,,#6 ! %enerator de impulsuri de putere

Figura 2.22 'F

(. Des&1urarea lucrrii: (.1. 23periment '. Se alimenteaz %eneratorul de impulsuri i se conecteaz n varianta impulsuri bipolare la mac7eta de laborator cu sc7ema din fi%ura ,.,,. Pentru comparaie se utilizeaz un tranzistor normal "O5# i unul de comutaie "O ;# .

'G

,. Se alimenteaz monta(ul cu tensiune " V cc = /)V # i se conecteaz osciloscopul la bornele A'$ A, i A5 pentru vizualizarea tensiunilor vD i vC . 5. Se studiaz comutaia tranzistorului bipolar pe sarcin rezistiv$ analiz)nd influena circuitului de comand asupra timpilor de comutaie "vezi fi%urile ,.B$ ,.G i ,.'<#. Iniial circuitele de comand se conecteaz separat$ iar apoi i n combinaie. ;. Se vizualizeaz tensiunea .E i curentul i . n cazul circuitului din fi%ura ,.G.c$ pentru sarcin rezistiv. <. Se vizualizeaz "la bornele A , $ A5 fa de A ; # tensiunea (E i curentul i ( n cazul circuitului din fi%ura ,.G.b$ pentru sarcin rezistiv. =. Se conecteaz o sarcina inductiv n colectorul tranzistorului i se repet punctul <. B. Se analizeaz circuitele de protecie separat i apoi n combinaie$ vizualiz)nd i c i . C F. Se studiaz circuitul pentru recuperarea ener%iei conect)nd osciloscopul la bornele A= $ A, i A ; . (.2. Simulare Itiliz)nd pro%ramul SPIC se analizeaz& G. Influena circuitului de comand asupra timpilor de comutaie i puterii disipate . '.. Circuitele de protecie a tranzistorului bipolar care comut pe sarcin inductiv. ). 5ntrebri '. Poate lipsi rezistena R b din circuitul de comand N ,. xplicai "prin relaii i %rafic# efectul variaiei parametrilor caracteristicii de comand i . .E ) $ a tensiunii pozitive de comanda 0' i a rezistenei R b asupra curentului de baz i . 0 5. Cum acioneaz asupra timpul de stocare circuitul Da9er ClampN ;. xplicai rolul fiecrei componente din circuitul optim de comand. <. Ce nele%ei prin arie de funcionare si%ur a tranzistorului i cine o limiteaz N =. xplicai modul cum se face recuperarea ener%iei nma%azinate n transformator pentru sc7ema din fi%ura ,.,'. B. Propunei o sc7em de %enerator de impulsuri de putere cu fronturi c)t mai abrupte. 6I6LI+;<-FI2. '. xxx$ #o>er %emicond7ctor Applications$ P7ilips Semiconductor$ Ket7erlands$ 'GG,. ,. :. S. Crove$ Fizica si te+nolo6ia dispoziti;elor semicond7ctoare$ d. 3e7nic$ Ducureti$ 'GB5. 5. :. Rusu$ $odelarea componentelor microelectronice acti;eG d. :cademiei Romane$ Ducureti$ 'GG.. ;. xxx$ Tranzistoare c7 silici7$ I.P.R.S. Dneasa$ Catalo% 'GGB. <. C. 0olosencu$ Analiza circ7itelor c7 pro6ram7l %#I(E$ d. lectronistul$ 3imioara$ 'GG;.

Lucrarea de laborator numrul ! .ranzistorul =+S de putere


1. Scopul lucrrii Lucrarea i propune o analiz experimental a caracteristicilor de comutaie pentru tranzistorul =+S de putere n corelaie cu circuitul de comand. Rezultatele obinute experimental se vor compara cu cele obinute prin simulare cu S"IC2. 20

2. Introducere teoretic 2.1. Structur 1i mod de &abricaie In canal n vertical pentru un tranzistor =+S de putere este fabricat pe un substrat nH $ av)nd drena metalic aplicat pe partea inferioar a sa "fi%. 5.'#. 2easupra substratu!lui nH este crescut un strat n! epitaxial$ %rosimea i rezistivitatea fiecruia depinz)nd de tensiunea pro%ramat s fie susinut n blocare ntre dren i surs. Structura canalului$ format printr!un dublu implant n suprafaa stratului epitaxial n!$ renun la modelul celular$ astfel nc)t mai multe mii de celule pot forma un sin%ur tranzistor. Poarta "n! polisiliciu# creat n stratul izolator de dioxid de siliciu este structura unic care lea% ntre ele celulele aceluiai dispozitiv. Sursa metalic acoper de asemenea ntrea%a structur$ realizand conectarea n paralel a celulelor individuale ntr!un sin%ur tranzistor. 2ensitatea tipic este de ..5Q'. = celule1 cm" . A seciune transversal printr! o celul este dat n fi%ura 5.,. Fig. !.2 2.2. "arametrii =+SF2. ului. a. Tensi7nea de pra6 V#). 3ensiunea de pra% se msoar n mod normal conect)nd poarta la dren i apoi cresc)nd tensiunea aplicat dispozitivului ntre dren i surs p)n se obine un curent de dren de '.. m:. :ceast metod este foarte simpl i furnizeaz indicaii precise asupra momentului n care se creeaz canalul indus. *actorii principali care controleaz tensiunea de pra% sunt %rosimea oxidului de sub 21

Fig. !.1

poart i concentraia de suprafa maxim din canal$ determinat de doza implantrii zonei p.0aloarea tensiunii de pra% este n %ama ,.' ;0 pentru tipul standard$ respectiv ',0 pentru tipul lo%ic. b. Rezistena dren8 s7rs8 Hn starea de cond7cie IonI) - R &% on) . Contribuia elementelor care determin R &% on) dren!surs proiectat a fi susinut n blocare "fi%. 5.5#. este dependent de valoarea tensiunii

Fig. !.!

Se observ c la tensiuni nalte domin rezistivitatea i %rosimea stratului epitaxial$ iar la tensiuni (oase o pondere mare o are rezistena canalului i a stratului difuzat pH. Rezistena ntre%ului canal este determinat de lun%imea canalului$ %rosimea stratului de oxid al porii$ mobilitatea purttorilor$ tensiunea de pra% i tensiunea aplicat pe poart. Pentru o tensiune de poart dat$ rezistena canalului poate fi redus semnificativ micor)nd %rosimea stratului de oxid al porii. :cest mod de lucru este utilizat pentru =+SF2.!ul comandat cu nivele lo%ice$ permi)nd obinerea unei R &% on) similar cu tipul standard cu numai

<0 pe poart. Rezistena total a canalului este invers proporional cu limea canalului determinat de toate ferestrele celulelor. Limea canalului este de peste ,.. m pentru un tranzistor de (oas tensiune realizat pe un cip de ,.mm, .

Fig. !.( c. Tensi7nea de str8p7n6ere dren8-s7rs8 este determinat de forma c)mpului electric la (onciunea dintre stratul pH difuzat i stratul n! epitaxial. In set de inele flotante p H este utilizat pentru controlul distribuiei de c)mp electric periferic.

22

2.!. Caracteristicile electrice in curent continuu. A familie de caracteristici de ieire tipice pentru un tranzistor =+S de putere este dat n fi%ura 5.;. Se observ c depirea tensiunii V &% sat determin o limitare a curentului de dren "re%iunea de saturaie a caracteristicilor#. 2.(. Caracteristicile de comutaie. Caracteristicile de comutaie pentru un =+SF2. de putere sunt determinate de capacitile inerente care apar n structur "fi%. 5.<#. Capacitile sunt ncrcate1descrcate de circuitul de comand. /n fi%ura 5.= sunt prezentate formele de und 02S si 0CS la comutaia tranzistorului =+S pe sarcina rezistiv$ iar n fi%ura 5.B este prezentat comutaia direct pe sarcina inductiv.

Fig. !.)

Fig. !.'

Capacitatea poart!surs (6s trebuie ncrcat p)n la tensiunea de pra% pentru a ncepe procesul de comutaie direct$ definindu!se timpul de nt)rziere la comanda pe poart t6d "fi%. 5.B.a#. 3ensiunea V&% scade determin)nd descrcarea capacitilor (ds$ (6s ncrc)ndu!se n continuare p)n la tensiunea VJJ aplicat n poart "fi%. 5.B.b#. /n momentul n care V&% R VJ% capacitatea (6d crete$ determin)nd o cretere mai lent a tensiunii VJ% "curentul de comand ncarc capacitatea (6d ! fi%. 5.B.c#. /n acest timp tensiunea V&% atin%e valoarea minim. :plicarea unei tensiuni mai mari pe poart este necesar pentru micorarea R &% on) i implicit a pierderilor de putere n conducie "fi%. 5.B.d#. Comutaia invers pe sarcin rezistiv va dura mai mult dec)t comutaia direct$ deoarece cile de ncrcare a capacitilor conin rezisten de sarcin.

23

Fig. !.* 2.). Circuite de comand

24

Circuitele de comand trebuie s asi%ure o ncrcare "descrcare# rapid a capacitilor parazite i$ atunci c)nd este cazul$ o izolare a comenzii fa de circuitul de for. /n fi%urile 5.F5.'; sunt prezentate astfel de circuite.

Fig. !., !. -parate 1i ec#ipamente utilizate ! osciloscop cu dou canale6 ! mac7eta laborator "fi%. 5.'F#6 ! %enerator de impulsuri

Fig. !./

Fig. !.14

Fig. !.11

25

Fig. !.12

Fig. !.1!

Fig. !.1(

Fig. !.1)

26

Fig. !.1' (. Des&1urarea lucrrii (.1. 23periment:

Fig. !.1*

'. Se alimenteaz %eneratorul de impulsuri i se conecteaz n varianta de comand cu impulsuri monopolare pozitive la mac7eta de laborator cu sc7ema dat n fi%ura 5.'F. ,. Se alimenteaz monta(ul cu tensiunea V&&-'.0 i se conecteaz osciloscopul la bornele A'$ A,$ i A; pentru vizualizarea tensiunii ;J% si ;&%. 5. Se studiaz comutaia tranzistorului =+S pe sarcina rezistiv analiz)nd influena capacitilor (6s si (6d asupra timpului de comutaie "fi%. 5.'<#. ;. Se analizeaz influena circuitului de poart asupra timpului de comutaie "fi%. 5.'= a$b#. <. Se vizualizeaz forma curentului de dren "i&# i tensiunea V&% pentru circuitul din fi%ura 5.'=.a. =. Se vizualizeaz formele de und i& si V&% pentru circuitul din fi%ura 5.'B.

27

(.2. Simulare: Itiliz)nd pro%ramul SPIC se analizeaz& B. influena capacitilor (6s i (6d asupra timpilor de comutaie utiliz)nd dou tipuri de tranzistoare @AS "fi%. '<.a#. Se observ influena circuitului de comand RJ '. RJ ) asupra puterii disipate. F. timpul de comutaie pentru circuitele din fi%ura '=.a si '=.b. G. Consider)nd un %enerator de curent constant n locul bobinei L din circuitul din fi%ura 5.'B "R2-.#$ se analizeaz influena tipului de diod utilizat asupra puterii disipate de tranzistor. ). 5ntrebri Fig. !.1,

'. Care este cauza creterii capacitii (6d n momentul comutaiei directe "fi%. 5.B.c#N Cum evolueaz capacitatea de ieire n decursul unei comutaii N ,. 2e ce se utilizeaz o supracomand ;J%@VTN 5. Ce rol are o capacitate serie n circuitul de comand "fi%.5.'5 si 5.';#N xplicai circuitul de comand din fi%ura 5.';. ;. Cum depinde panta de cdere a tensiunii ;&% de capacitile (6s i (6dN <. Care sunt avanta(ele utilizrii tranzistoarelor @AS$ fa de bipolare$ n circuitele de comutaie de putere N 6ibliogra&ie. '. xxx$ #o>er %emicond7ctor Applications$ P7ilips Semiconductor$ Ket7erlands$ 'GG,. ,. :. S. Crove$ Fizica =i te+nolo6ia dispoziti;elor semicond7ctoare$ d. 3e7nic$ Ducureti$ 'GB5. 5. :. Rusu$ $odelarea componentelor microelectronice acti;eG d. :cademiei Rom)ne$ Ducureti$ 'GG.. ;. @.Dodea .a.$ &iode =i tiristoare de p7tereG vol. '$ d. 3e7nic$ Ducureti$ 'GG.. <. xxx$ &iode =i tiristoare$ catalo% IPRS 'GG<.

:K S:

28

<ezultate obinute prin simulare


Pentru comparaie$ n continuare se prezint rezultatele obinute cu SPIC tranzistor @AS cu modelul& utiliz)nd un

.model IR*<5. K@AS "Level-5 Camma-. 2elta-. 37eta-. Tappa-. 0max-. S(-. 3ox-'..n Io-=.. P7i-.= Rs-<F.<5m Tp-,..B5u U-.=F L-,u 0to-5.'G' Rd-5F.=Gm Rds-;;;.;T Cbd-'.'<'n Pb-.F @(-.< *c-.< C%so-FB=.Bp C%do-,='.;p R%-;.=5 Is-'.F='p K-' 3t-',<n# :stfel$ n fi%urile 5.'G i 5.,. este prezentat dependena timpilor de comutaie de capacitile parazite (6s si (6d "circuitele din fi%ura 5.'<#. /n fi%urile 5.,'$ 5.,, si 5.,5 este prezentat dependena de rezistena din circuitul de comand a curentului de poart "IJ#$ a curentului de dren "I&# i respectiv a puterii disipate "#&#$ n procesul de comutaie. Influena unei diode sau a unui condensator n circuitul de poart "fi%ura 5.'=# se poate observa n fi%ura 5.,;. /ntr!un circuit cu sarcin inductiv "fi%ura 5.'B#$ comutaia este influenat de performanele diodei de re%im liber "fi%ura 5.,<#.

Fig. !.1/

Fig. !.24 :K S:

29

Fig. !.21

Fig. !.22

Fig. !.2!

:K S: 30

Fig. !.2(

31

Fig. !.2)

Lucrarea de laborator numrul ( .iristorul


1. Scopul lucrrii Scopul acestei lucrri este nele%erea aspectelor teoretice "prin modelare!simulare# i practice privind metoda uzual de amorsare a tiristorului prin curent de comand pe poart. Se vor face msurtori pentru determinarea curenilor de meninere IF$ de blocare I. i de acroare IC$ precum i a altor parametrii specifici tiristoarelor. 2. Introducere teoretic 2enumirea %eneric de tiristor este atribuit unei familii de dispozitive semiconductoare de putere$ av)nd o funcionare de tip bistabil i similariti de structur intern. Caracteristica static curent "iA# ! tensiune ";AK# a unei structuri pnpn "cu sau fr electrozi de poart ! fi%ura. ;.'# are forma tipic din fi%ura ;.,.

32

Fig. 4.1

La polarizarea direct a structurii pnpn "potenalul din anod mai mare dec)t cel din catod#$ pe poriunea .!' a caracteristicii$ dispozitivul susine tensiunea aplicat "(onciunea ?, este blocat#$ fiind n starea de blocare n direct. 2ac tensiunea direct aplicat ";AK# atin%e valoarea VF".L# "brea9over volta%e# dispozitivul trece rapid prin zona de rezisten ne%ativ '!, "d;AK1diA R .#$ a(un%)nd n conducie direct. /n conducie direct "poriunea ,!5 a caracteristicii# dispozitivul pnpn se Fig. 4.2 comport ca o diod redresoare n conducie$ fiind utilizat un model liniar analo% diodei cu (onciune pn n conducie& ;AK= VT + rFTiA unde& rFT este rezistena n conducie direct a tiristorului6 VT este tensiunea pe tiristorul aflat n conducie direct "VT-',0 pentru densiti de curent de aproximativ '..:1cm,#. /n polarizare invers "! pe anod i H pe catod# dispozitivul pnpn se afl n poriunea .!; a caracteristicii n polarizare invers "(onciunea !' blocat susine tensiunea aplicat$ deoarece V.R"?5#-'.5.0#. 2ac tensiunea invers aplicat atin%e valoarea V.R "brea9doEn volta%e#$ curentul invers prin dispozitiv crete foarte rapid$ provoc)nd distru%erea dispozitivului. :morsarea prin aplicarea unei tensiuni directe ;AK=VF .)) se utilizeaz pentru diodele Fig. (.! tiristoare "dioda Sc7oc9le4 P fi%ura ;.'.a$ diacul etc#$ fiind evitat la triodele i tetrodele tiristoare "fi%urile ;.'. c respectiv d# deoarece se pot 33

distru%e dispozitivele respective. :morsarea tiristoarelor convenionale "fi%ura ;.'.c# se obine prin aplicarea unui curent pozitiv de poart iJ@) "obinut prin aplicarea unei tensiuni ;JK @ )# c)nd tiristorul este polarizat direct$ amorsarea av)nd loc la tensiuni ;AK @ ) din ce n ce mai mici dac valoarea curentului de poart crete "fi%ura ;.5#.

34

2up amorsare$ tiristorul rm)ne n starea de conducie dac curentul anodic iA este mai mare dec)t valoarea curentului de a%are IC "latc7in% current#. 2ispozitivul rm)ne n conducie at)ta timp c)t curentul anodic este mai mare dec)t curentul de meninere IF "7oldin% current#. :vem IC @ IF. 2enumirea de +redresor comandat din siliciu+$ prescurtat SCR "Silicon Controlled Rectifier#$ este utilizat i n prezent "vezi biblioteca utilizat de SPIC # pentru tiristorul convenional. Comutarea n conducie a tiristoarelor convenionale se face uzual prin curent de comand pozitiv pe poart$ continuu sau n impulsuri. 3ensiunea minim continu " VJT# aplicat pe poart fa de catod i curentul continuu minim de poart " IJT#$ care determin o amorsare si%ur a tiristorului sunt parametri importani ai acestora. /mpreun cu puterea disipat n poart$ acetia determin valorile componentelor din circuitul de comand. 2omeniul de amorsare si%ur "fi%ura ;.;# este limitat superior de puterea de v)rf de comand "n impulsuri# sau medie de comand "n curent continuu#. Inferior$ domeniul se extinde odat cu creterea temperaturii dispozitivului. Adat cu creterea temperaturii$ curentul rezidual din (onciunea !, poate deveni comparabil cu IJT$ tiristorul put)nd amorsa termic "fr comand pe poart#. Fig. 4.4 :plicarea unui curent n poarta unui tiristor determin o in(ecie de %oluri "purttori ma(oritari# n stratul p,$ polariz)nd direct (onciunea !5. /n momentul n care (onciunea !5 se desc7ide$ stratul n, in(ecteaz electroni n zona p,$ care a(un%)nd n c)mpul electric al (onciunii !, sunt transferai n stratul n' "%olurile nu trec prin (onciunea !,#. :cest fenomen de separare determin scderea concentraiei purttorilor n zona (onciunii !,. 2eoarece& Fig.(.) 7AK=V!/+V!"+V!? scderea tensiunii de blocare a (onciunii ?, "fi%ura ;.<# determin mrirea tensiunii de desc7idere a (onciunii ?' i ?5$ iniiindu!se procesul tranzitoriu de amorsare a tiristorului. vident$ acest fenomen ncepe din zona catodului apropiat de terminalul porii$ conducia curentului anodic iniial I )) fc)ndu!se prin aria iniial n conducie "initial on!area P fi%ura ;.=#. 35

Fig.4.6

Curentul anodic continu s produc fenomene de in(ecie de purttori prin (onciunile ?' i ?5$ determin)nd extinderea canalului de amorsare pe toat suprafaa catodului. 0iteza ;s cu care se desfoar acest fenomen crete cu densitatea curentului anodic i are valori n %ama .$.5.$'mm1s. 2ispozitivele pnpn pot fi amorsate cu semnale optice situate n banda de rspuns spectral a siliciului. Pe l)n% amorsare prin brea9over "autoamorsarea#$ care este de tip parazit i distructiv$ pentru tiristoarele cu terminal de poart$ amorsarea prin efect dv1dt este de asemenea distructiv. La aplicarea unei tensiuni anodice ;& de tip ramp$ datorit capacitii de barier a (onctiunii ?,
( ! , "t # = , . r - &' q; & "t #

apare un curent de deplasare av)nd densitatea&

Fig. 4.7

d( ! , t) d; t) dq t) = ( ! , t) d; & + ; & t) ( ! , t) & dt dt dt dt 0aloarea sa medie este& d; & t) d; t) = "( ! V RF ) & * d) = ( ! , , dt dt unde& VRF este valoarea final a tensiunii anodice. @rirea capabilitii de protecie la efectul d;:dt pentru dispozitivele pnpn se poate obine prin conectarea unui %rup RC "denumit snubber# n paralel pe dispozitiv "fi%. ;.B.a#. Conectarea unui rezistor RJ ntre poart i catod determin devierea unei pri din curentul de deplasare din baza p"$ mrind capabilitatea de protecie la d;:dt "fi%.;.F.#. *d =

Fig.(., Procesul de amorsare a tiristoarelor de putere$ deci care au o arie a catodului mare$ in)nd cont c extinderea zonei de conducie direct "on!zone spreadin%# se face cu viteza finit$ ;sG determin limitri ale ratei de variaie a curentului anodic di:dt. 36

/n circuitele care utilizeaz tiristoare convenionale$ cu capabilitate n di1dt limitat la <.,..:1s$ limitarea pantei de cretere a curentului anodic se obine prin utilizarea unei inductane serie C "de ordinul > sau zeci de ># "fi%. ;.B.b#. @rirea capabilitii n di:dt la tiristoarele moderne la 5.. P '...:1s se obine prin utilizarea unui amplificator de poart inte%rat "inte%rated amplif4in% %ate# care acioneaz doar n primele faze ale procesului tranzitoriu de amorsare "fi%. ;.G.a#. Sc7ema ec7ivalent simplificat a unui tiristor cu amplificator de poart inte%rat "fi%. ;.G.b# se aseamn cu confi%uraia 2arlin%ton a dou tranzistoare.

a9 Fig. (./

b9

/n fi%. ;.'..a$b se prezint sc7ema i formele de und privind caracteristica static de amorsare n curent continuu la diferii cureni anodici iJ ;J)MiA .

a) Fig. (.14

b9

Pentru acelai tiristor se prezint n fi%ura ;.''.a$b sc7ema$ principiul i rezultatele obinute prin simulare privind determinarea curenilor IC i IF .

37

a9 Fig. 4.11

b9

Kecesitatea unei anumite puteri de comand este ilustrat n fi%. ;.',.a$b$ unde se aplic impulsuri de durat fix i amplitudine variabil$ respectiv impulsuri cu amplitudine fix i durat variabil.

Fig. (.12.a

Fig.(.12.b @odificarea n timp a curentului anodic i a tensiunii anodice indic etapele procesului de amorsare a tiristorului "fi%. ;.'5.a$b# . 3impul de nt)rziere la amorsare t6d depinde n principal de curentul de amorsare IJ $ scz)nd odat cu creterea lui RJ. 38

Fig. 4.13.a

3impul de cdere a tensiunii tf7 nu mai depinde de IJ ci$ n principal de caracterul circuitului anodic$ scz)nd odat cu creterea inductanei din circuitul anodic. 3impul de stabilizare tst depinde de parametrii constructivi ai tiristorului. /n timpul amorsrii$ n tiristor$ ener%ia electric se transform n ener%ie termic. Puterea disipat n timpul amorsrii #d este reprezentat n fi%. ;.'5.c.

Fig. 4.13.b

Fig. 4.13.c !. -parate 1i ec#ipamente utilizate: ampermetru de c.c. i c.a6 39

voltmetru de c.c.6 surs de tensiune continu6 transformator reea ,,.1',H',6 osciloscop cu dou canale6 reostat6 mac7et de laborator "fi%. ;.';#. Cu a(utorul comutatorului T se selecteaz tiristorul de mic$ respectiv medie putere care va fi testat$ iar cu T' se aplic impulsurile de comand c)nd este cazul.

Fig. (.1( (. Des&1urarea lucrrii (.1. 23periment '. Caracteristica static de amorsare n c.c. a tiristorului a. Se verific datele de catalo% ale tiristoarelor de pe mac7eta de laborator6 b. Se identific componentele de pe mac7eta de laborator "fi%ura ';#6 c. Se realizeaz monta(ul din fi%ura ;.'<6

Fig. (.1) d. Se re%leaz reostatul R la minim$ rezistena corespunztoare limit)nd curentul anodic sub valoarea admis dat de catalo%6 e. Se mrete treptat valoarea sursei de tensiune continu p)n la amorsarea tiristorului$ de 40

exemplu$ amorsarea este semnalizat optic prin stin%erea becului .6 f. Se noteaz valoarea tensiunii i curentului de amorsare$ indicat de voltmetrul V' i ampermetrul A'6 %. Se repet experimentul pentru celalalt tiristor i apoi se urmrete efectul modificrii curentului anodic asupra parametrilor de amorsare "o valoare medie i maxim de re%la( a reostatului#. Se noteaz valoarea re%lat iA6 7. Se ridic caracteristica 7JGiJ)MiA la amorsare pentru tiristoarele testate. ,. @surarea curentului de meninere$ blocare i acroare a. Se realizeaz monta(ul din fi%. ;.'=.

Fig. (.1' b. Se re%leaz reostatul la valoarea minim i se fixeaz sursa de tensiune continu la aproximativ '0. c. Se alimenteaz monta(ul6 voltmetru V va indica prezena tensiunii n starea blocat direct a tiristorului. d. Cu comutatorul K' se aplic impuls de amorsare a tiristorului. Se citete valoarea tensiunii anodice c)nd tiristorul este n conducie. e. Se mrete rezistena din circuitul anodic$ urmrindu!se indicaia ampermetrului A. La un moment dat tiristorul se va bloca "indicaia ampermetrului este .$ iar a voltmetrului este din nou e%al cu valoarea tensiunii de alimentare#. Se reine ultima indicaie a ampermetrului$ curentul anodic minim n conducie$ deci valoarea curentului de meninere I>. f. La valori i mai mare ale rezistenei anodice$ se nc7ide ! desc7ide K' i se urmrete modul cum conduce tiristorul6 practic tiristorul are o funcionare asemntoare cu a unui tranzistor p)n c)nd curentul anodic scade sub valoarea de blocare ID. Se msoar curentul de blocare ID mrind rezistena reostatului p)n se observ blocarea tiristorului.

41

%. Se micoreaz apoi$ treptat$ rezistena reostatului$ aplic)ndu!se totodat i impulsuri de comand. Pentru o anumit valoare a curentului anodic IL$ numit curent de acroare$ tiristorul rm)ne n conducie i dup dispariia impulsului de comand " K' desc7is#. Se reine aceast valoare IL. 7. Se fac msurtorile pentru ambele tiristoare. 5. :morsarea tiristorului cu impulsuri de comand

Fig. (.1* a. Se realizeaz monta(ul din fi%. ;.'B. Ceneratorul de impulsuri sincronizate cu reeaua de alimentare are posibilitatea re%lrii amplitudinii "ntre .'.0 cu R5# i duratei "ntre .$, ! ,..s cu R,# acestora. /nt)rzierea fa de trecerile prin zero se fixeaz din semire%labilul R'. b. Se unteaz inductana C6 i se re%leaz reostatul din circuitul anodic la R - Rmin. c. Se vizualizeaz curentul iC i tensiunea de poart ;C n momentul amorsarii tiristorului "K' nc7is# pentru diverse combinaii amplitudine ! durat impuls. Se noteaz combinaiile care determin limita inferioar a domeniului de amorsare si%ur. d. Se introduce inductana C n circuitul anodic i se repet punctul c.$ pentru combinaiile Rmin ! Cmin i Rmin ! Cma<. e. Se vizualizeaz tensiunea anodic ;A i de poart ;J repet)nd punctele c. i d. f. Se repet experimentul i pentru cellalt tiristor. (.1. Simulare Se vor determina prin simulare$ pentru c)teva tipuri de tiristoare din librria SPIC & '. Caracteristica iC$ uC)MiA "fi%ura ;.'.#6 ,. Curenii de acroare$ meninere i blocare "fi%ura ;.''#6 5. Parametrii puterii de comand la amorsare "fi%ura ;.',#6 ;. @odificarea n timp a curentului anodic$ a tensiunii anodice i a puterii disipate n timpul amorsrii "fi%ura ;.'5#. ). 5ntrebri. .eme de cas '. Consider)nd (onciunile ?'$ ?, i ?5 ca abrupte i asimetrice$ iar dopa(ul celor patru straturi ale structurii fiind de valorile K :' = '. 5 6 K 2' = K : , = K 2 , = '.'B cm 5 $ s se estimeze& ! tensiunile de strpun%ere n avalan V.R ale (onciunilor polarizate invers "!'$ !, i !5# ale tiristorului n re%im blocat$ direct i invers6 ! extinderea zonei de sarcin spaial 9 a (onciunii !, la o tensiune e%al cu VF .L)6

Indicaie& Se vor utiliza relaiile cunoscute&

" r . V & - i ) / / 9 = ln+l p= +) q -A -&


K: lp - K2 ln

kT - A - & i = ln " q ni

"q / / Emax= V R + ) r . - A -&


Se dau constantele& ni-'$;<V'.'.cm!56 Wr-''$,6 W.-F$F=V'.!';*1cm. ,. Care sunt metodele de amorsare ale tiristoruluiN 5. Care sunt limitele domeniului de amorsare si%urN ;. 2efinii curentul de acroare$ meninere i blocare. Ce importan are cunoaterea lorN <. Cum se amorseaz tiristorul prin creterea brusc a tensiunii anodiceN 2e ce nu se aplic aceast metodN '. 6ibliogra&ie '. @.Dodea .a.$ &iode =i tiristoare de p7tere$ vol. '$ d. 3e7nic$ Ducureti$ 'GG.. ,. xxx$ &iode =i tiristoare$ catalo% IPRS 'GG<.

>niversitatea din "ite1ti Facultatea de 2lectronic? Comunicaii 1i Calculatoare

Dispozitive electronice de putere


Lucrari de laborator

Student: ;rupa: 2!22

Dispozitive de putere. Dioda


19 Comutaia diodei pe sarcin rezistiv:

R 1 1
V+

V 1 = -5 V2 = 5 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m

V1
I

D 1 D 1N 4148

V-

0izualizarea cderii de tensiune i a curentului prin diod&

4.0V

0V

-4.0V SEL>> -8.0V 4.0A

V(D1:1,0)

0A

-4.0A

0s

I(D1)

2ms

4ms

6ms

8ms

10ms Time

12ms

14ms

16ms

18ms

29 Comutaia diodei pe sarcin inductiv:


R 2 1 10 L2 30m H 2

V 1 = -5 V2 = 5 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m

V2
I

V+

D 2 D 1N 4148

V-

0izualizarea cderii de tensiune i a curentului pe diod&

4.0V

0V

-4.0V SEL>> -8.0V 200mA

V(D2:1,0)

100mA

0A

-100mA 0s

I(D2)

2ms

4ms

6ms

8ms

10ms Time

12ms

14ms

16ms

18ms

20ms

!9 Comutaia diodei pe sarcin capacitiv:

C 3 220u R 3 1 V 1 = -5 V2 = 5 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m V3
I V+

D 3 D 1N 4148

V-

0izualizarea cderii de tensiune i a curentului pe diod&

5V

0V

-5V SEL>> -10V 10A

V(C3:2,0)

0A

-10A

-20A

0s

I(D3)

2ms

4ms

6ms

8ms

10ms Time

12ms

14ms

16ms

18ms

Tranzistorul bipolar de putere i tensiune mare


Circuite de baz pentru comanda tranzistorului bipolar: 1)
R 3 R 2 0 .0 1 100

R 1 1 V1 = 5 V2 = 0 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m V1 100

L1 2 10uH

Q 1
I

V2 10V Q 2N 2222

Curentul de colector:

100m A

50m A

0A

- 50m A 0s I C( Q1)

2m s

4m s

6m s

8m s

10m s Ti m e

12m s

14m s

16m s

18m s

20m s

R 3 R 2 0 .0 1 100

R 1 1 V1 = 5 V2 = 0 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m V1 100

L1 2 10uH

Q 1
V

V2 10V Q 2N 2222

ensiunea de colector:
12V

8V

4V

0V 0s V( Q1: c )

2m s

4m s

6m s

8m s

10m s Ti m e

12m s

14m s

16m s

18m s

20m s

2)
R 6 C 1 1n R 4 V1 = 5 V2 = 0 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m V3 100 Q 2
I

100

V4 10V Q 2N 2222

Curentul de colector:
120m A

80m A

40m A

0A

- 40m A 0s I C( Q2)

2m s

4m s

6m s

8m s

10m s Ti m e

12m s

14m s

16m s

18m s

20m s

R 6 C 1 1n R 4 V1 = 5 V2 = 0 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m V3 100 Q 2
V

100

V4 10V Q 2N 2222

ensiunea de colector:
12V

8V

4V

0V

- 4V 0s V( Q2: c )

2m s

4m s

6m s

8m s

10m s Ti m e

12m s

14m s

16m s

18m s

20m s

3)
C 2 1n R 5 1 V1 = 5 V2 = 0 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m V5 100 150uH L2 2 Q 3
I

R 8 100 V6 10V Q 2N 2222

Curentul de colector:

100m A

50m A

0A

- 50m A 0s I C( Q3)

2m s

4m s

6m s

8m s

10m s Ti m e

12m s

14m s

16m s

18m s

20m s

C 2 1n R 5 1 V1 = 5 V2 = 0 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m V5 100 150uH L2 2 Q 3


V

R 8 100 V6 10V Q 2N 2222

ensiunea de colector:
12V

8V

4V

0V 0s V( Q3: c )

2m s

4m s

6m s

8m s

10m s Ti m e

12m s

14m s

16m s

18m s

20m s

4)
C 3 1n R 7 1 V1 = 5 V2 = 0 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m V7 100 10uH L3 2 Q 4
I

R 1 0 .0 1

L4 2 5uH V8 10V

Q 2N 2222

Curentul de colector:

2. 0A

1. 0A

0A

- 1. 0A 0s I C( Q4)

10 s

20 s

30 s

40 s

50 s Ti m e

60 s

!0 s

80 s

"0 s

100 s

C 3 1n R 7 1 V1 = 5 V2 = 0 TD = 0 TR = 1n TF = 1n PW = 2m PER = 4m V7 100 10uH L3 2 Q 4

R 1 0 .0 1

L4 2 5uH V8

10V

Q 2N 2222

ensiunea de colector:
150V

100V

50V

0V

- 50V 0s V( Q4: c) Ti m e 10 s 20 s 30 s 40 s 50 s 60 s !0 s 80 s "0 s 100 s

Tranzistorul MO
Circuite de comand: 1)

de putere

R 3 R 2 0 .1 R 1 50 V1 = 0 V2 = 3 TD = 2u TR = 1n TF = 1n PW = 2u PER = 4u V1 1 2 D 1 1N 40 ! 1 ! 2N 6784 100

V2 100V

Curentul de dren:
2. 0m A

1. 0m A

0A

- 1. 0m A

- 2. 0m A 0s I D( #1)

2 s

4 s

6 s

8 s

10 s Ti m e

12 s

14 s

16 s

18 s

20 s

ensiunea de dren:
100. 2V

100. 1V

100. 0V

"". "V

"". 8V 0s V( #1: $)

2 s

4 s

6 s

8 s

10 s Ti m e

12 s

14 s

16 s

18 s

20 s

2)
R 6 D 3 D 1N 4148 R 4 50 V1 = 0 V2 = 3 TD = 2u TR = 1n TF = 1n PW = 2u PER = 4u V3 1 2 ! 2 ! 2N 6784 R 5 0 .1 100

V4 100V

D 2 1N 40

Curentul de dren:
4. 0m A

2. 0m A

0A

- 2. 0m A 0s I D( #2)

2 s

4 s

6 s

8 s

10 s Ti m e

12 s

14 s

16 s

18 s

20 s

ensiunea de dren:
100. 2V

100. 0V

"". 8V

"". 6V 0s V( #2: $)

2 s

4 s

6 s

8 s

10 s Ti m e

12 s

14 s

16 s

18 s

20 s

3)
R C 1 1n R 7 50 V1 = 0 V2 = 3 TD = 2u TR = 1n TF = 1n PW = 2u PER = 4u V5 1 2 D 4 1N 40 ! 3 ! 2N 6784 R 8 0 .1 100

V6 100V

Curentul de dren:

4. 0m A

2. 0m A

0A

- 2. 0m A

- 4. 0m A 0s I D( #3)

2 s

4 s

6 s

8 s

10 s Ti m e

12 s

14 s

16 s

18 s

20 s

ensiunea de dren:
100. 4V

100. 2V

100. 0V

"". 8V

"". 6V 0s V( #3: $)

2 s

4 s

6 s

8 s

10 s Ti m e

12 s

14 s

16 s

18 s

20 s

4)
D 6 D 1N 4148 L1 1 R 11 1" R 10 50 V1 = 0 V2 = 30 TD = 2u TR = 1n TF = 1n PW = 2u PER = 4u V7 1 2 D 5 1N 40 ! 4 ! 2N 6784 10uH 2

V8 100V

Curentul de dren:

120m A

80m A

40m A

0A

- 40m A 0s I D( #4)

2 s

4 s

6 s

8 s

10 s Ti m e

12 s

14 s

16 s

18 s

20 s

ensiunea de dren:
120V

80V

40V

0V 0s V( # 4: $) Ti m e 2 s 4 s 6 s 8 s 10 s 12 s 14 s 16 s 18 s 20 s

Tiristorul
!i"4#11

R 3 1 " #1

V V T T T P P

1 2 D R F W E

0 1 0 V 0 0 .4 m 0 .4 m = 0 .2 m R = 1 m

= = = = =

V 2

0
5

2 N 1 5

R 2 1"

V V T T T P P

1 2 D R F W E

0 5 V 0 1 n 1 n = 1 0 u R = 2 0 u

= = = = =

V 1

10m A

8m A

6m A

4m A

2m A

0A

- 2m A 0s

- I ( %3)

0. 1m s

0. 2m s

0. 3m s

0. 4m s

0. 5m s

0. 6m s Ti m e

0. !m s

0. 8m s

0. "m s

1. 0m s

1. 1m s

1. 2m s

ntact7l metal - semicond7ctor$ d. :cademiei Rom)ne$ Ducureti$ 'GFF.