Universität Karlsruhe (TH) Institut für Höchstfrequenztechnik und Elektronik

IHE

Skriptum zur Vorlesung

Hoch− und Höchstfrequenz− Halbleiterschaltungen
Prof. Dr. rer. nat. Dr. h. c. M. Thumm

15. Auflage WS 2008/2009 Skript überarbeitet von J. Flamm, A. Arnold, O. Braz, H.−U. Nickel und T. Geist

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Bevor es los geht. . .
. . . ein paar Anmerkungen.
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Inhaltsverzeichnis
Literaturverzeichnis 1 Streifenleitungen 1.1 1.2 1.3 Bauformen planarer Wellenleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Wellentypen und Feldverteilung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1 1.3.1 1.3.2 1.3.3 1.4 1.4.1 1.4.2 1.4.3 1.4.4 1.4.5 1.4.6 1.5 1.5.1 1.5.2 1.5.3 1.5.4 1.6 1.6.1 Wellentypen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Statische Näherung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dynamische Analyse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Einfluss der endlichen Leiterdicke auf ZL und εr,eff . . . . Wellenwiderstand und Permittivität . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 10 10 13 13 19 19 25 26 27 28 29 32 33 36 36 38 38 41 41 45 49 49

Dämpfung der Mikrostreifenleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . Die Leiterdämpfung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Einfluss der Haftschicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Einfluss der Oberflächenrauhigkeit

Dielektrische Dämpfung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ableitungsverluste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Abstrahlungsverluste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Massekontaktierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Der Innenleiterübergang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sonderformen von Übergängen . . . . . . . . . . . . . . . . Messfassung für Microstrip-Komponenten . . . . . . . . . . Der Leerlauf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Übergänge und Testfassungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Bauelemente in Microstrip-Technik . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . .1 2. . . . . . . . . . . . . . .1. . .3 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Breitbandverstärker . . . . . . . . Zweitorverstärker . . . . .6 2 Verstärker 2. . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . Reflexionsfreie Abschlüsse . .2. 117 Reflexionsverstärker mit Gunn-Elementen und Lawinenlaufzeitdioden . . . . . . . . . 2. . . . . .6. 134 Oszillatoren mit IMPATT-Dioden . . . . . . . . . . .2.5 1. . . . .1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6. . . . . .3 3. . .1. . .1 3.5 2. . . 123 127 2. . 129 Oszillatoren mit Tunneldioden . . . . . . . .6. 131 Zweitor-Oszillatoren . . . .3. . . . . . . . . . . . .1. . . 136 LC-Oszillatoren . . .7 Gegenkopplung .2 1. . . . . . Großsignaleigenschaften und nichtlineare Verzerrungen . . . . . . . .2 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 1. . . . . . . . . .3. . . . . . . 137 Eintor-Oszillatoren . . . . . . . 127 Erzeugung von Sinusschwingungen . . . 104 Reflexionsverstärker mit Tunneldiode . . . . . . . . . . .2 Eintorverstärker . . . . . . . . Symmetrische Verzweigung . .6. . . . . .2. . .1. . . . . . Berechnung von Kopplern in Streifenleitungstechnik . . . . . . . . .4 1.4 2. . . . . . . . .3 2. . . . . . . . . . . .2. . . . .1 2. .3 1. . 132 Oszillatoren mit Gunn-Element . . . . . . . . . . . 121 Parametrische (Reaktanz-) Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3 Oszillatoren 3. . . .2 3. . . .1 3. . .2 3. . . . . . . . . .2 3. .1. . .1. . . . 135 Instabile Zweitore . . . . . . . . . . . . . . . . .6. . . . . . . .2 2. . . . . .4 Niederfrequenzoszillatoren . . . 136 Maximale Instabilität . . . . Symmetrische Leiterbreitenstufe . . . . . . . . . . . .1 3. . . . . .2 2. . . . . .2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1. . . . . . . .1. . . . . . . . . . . . 116 2. . . . . . . . 50 53 54 55 57 60 61 62 66 69 82 88 95 Grundschaltungen . . . . . . . .6 2. . . . . . . . Anpassungsnetzwerke . . . . . . . . . . . . 140 .1 INHALTSVERZEICHNIS Kurzschlüsse . . . . . . . 127 Rechteckgeneratoren . . . Stabilität und Leistungsanpassung Verstärkerrauschen . .1 3. . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . 158 160 168 Unterscheidung der Mischer nach der Frequenzlage . . . . . . .2 5. . . . . . . . . .4 5. . . .6. . . . . . . . . . .1. . . . . . .4. . . 183 Konstruktionsbeispiel eines mm-Wellen-Mischers . . . . . . . . 176 Schaltungstechnik von Mischern . . . . .3 3. 170 Kombinationsfrequenzen . 172 3. . . . .2 5. . . . 169 Weitere Unterscheidungskriterien . 146 Elektrische Eigenschaften . . . .4.4 5. . . . . 150 Oszillatorschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 5. . . 188 Äußere Beschaltung . . . . . . .5. . . 168 Mischer mit gesteuertem Wirkleitwert . . . . . .6. . . . 190 . . . .1 3. . 154 3. . . . . . . . . .6. .6. . . . . . . .4. . . 157 Oszillatorschaltungen mit dielektrischen Resonatoren . . . . . . . .6 Oszillatoren mit dielektrischem Resonator . . . . . .3 Quarztypen . . .5 Eintaktmischer . . . . . . . . .1 3.1 5. . . . 171 Leistungsbeziehungen von Manley und Rowe . . . . .4 Allgemeines . . . .1. . . . . . . . . . . . . . 155 DR-Bandpass-Filter in Microstrip . . . . . . . . . .4.5 5. . . . . . .2 3. . .5 5 Quarzoszillatoren . . . . . . . 179 Gegentaktmischer . . .3 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5. . . . . . . .3 5. . . . . . . . . 179 5. . . . . . . . . .4 4 Frequenzvervielfacher 5 Mischer 5. . . 180 Doppelgegentaktmischer . . . . . . . . . . . . . . . 156 Resonanzfrequenz und Verstimmung . . . . . . . . 152 Einseitige Streifenleitungskopplung . . . . . . 171 Leistungsbeziehungen von Page und Pantell . . .4. . . . . . . . .1. . . . . .3 5. . . . . . . . . . . . .2 3. .5. . . . . . . 173 Verallgemeinerte Konversionsmatrix . . . . . .INHALTSVERZEICHNIS 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 5.1. . .2 5. .1. . . . . 146 3. . . .

* [11] Nibler. Speziell zum 2. John Wiley Verlag. Berlin. K.: The RF and Microwave Circuit Design Cookbook. [5] Maas.* 6 .: Integrierte Mikrowellenschaltungen. 2002.: Design of RF and Microwave Amplifiers and Oscillators. 2005. Artech House Verlag.: Design of amplifiers and oscillators by the S-parameter method. [4] Bächtold. 1982. S.: Hochfrequenzschaltungstechnik. Pieter L. Brunswig. 1981. Artech House Verlag.: Mikrowellenelektronik. 3. [12] Vendelin. Band. Auflage.* [7] Gupta. Teubner Verlag. [3] Abrie. 1998. 1988. A. Expert Verlag.: Microstrip Lines and Slotlines. Kapitel: [10] Michel.: Practical Microstrip Design and Applications.Literaturverzeichnis [1] Zinke. 1996. Auflage. [2] Soares. R. R. Artech House Verlag. Ehningen bei Böblingen. Garg. G. Berlin. H. I. P.: Coplanar Microwave Integrated Circuits. K. Boston und London. Auflage.. 1. Artech House Verlag. Vieweg Verlag. C. G.: Lehrbuch der Hochfrequenztechnik. Boston und London.: Zweitor-Analyse mit Leistungswellen. Boston und London. Wolff GmbH. [9] Wolff. O. Kapitel: [6] Hoffmann. Bhartia. 5. Stuttgart. Boston und London.-J. R. ed.. F. 2005. 1998. Braunschweig. 6. D. Auflage.. New York. [8] Kompa. H. Boston und London. Bahl. 2. D.. I. 1999. 1999.: GaAs MESFET Circuit Design. Springer Verlag. Springer Verlag. W. Verlagsbuchhandlung Dr. Artech House Verlag. Band.. 1983. Speziell zum 1. 2000 und 2.

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8 Speziell zum 5. Kapitel:

LITERATURVERZEICHNIS

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Nicht mehr in Druck.

Vorwort
Hochfrequenzschaltungen werden heute bis weit in den GHz-Bereich in planarer Technik auf Substraten aus Kunststoffen oder keramischen Materialien aufgebaut. Die Schaltkreise sind dabei in gemischter Technik als Hybridschaltungen aufgebaut. Damit ist gemeint, dass passive Komponenten wie Widerstände, Induktivitäten, Kapazitäten und insbesondere Leitungen einheitlich erstellt werden, aber aktive Halbleiterbauelemente anschließend mit besonderen Einbautechniken eingefügt werden. Hochfrequenzschaltungen mit einheitlicher Technologie für alle Komponenten in Gestalt monolithisch integrierter Schaltungen erreichen heute auf Silizium den unteren GHz-Bereich, und auf GaAs Frequenzen bis über 40 GHz. Monolithisch integrierte Schaltungen auf SiGe erreichen Frequenzen bis ca. 75 GHz. Der Spitzenreiter unter den Halbleitertechnologien stellt InP dar mit Frequenzen bis über 100 GHz. Die Technik der monolithisch integrierten Mikrowellenschaltungen (MMIC nach Monolithic Microwave Integrated Circuit) entwickelt sich besonders auf Mischhalbleitern (Heterostrukturen, zu noch höheren Frequenzen) sehr schnell, erfordert aber einen sehr hohen, nur bei großen Stückzahlen vertretbaren, Entwicklungs- und Herstellungsaufwand. Aus diesen Gründen ist heute oft noch die hybride Schaltungstechnik bei hohen Frequenzen vorherrschend. Auch auf diese Schaltungen wird meist der Überbegriff „Integrierte Schaltungen“ angewendet, die verwendete Technik wird vielfach auch als MIC-Technik bezeichnet (nach Microwave Integrated Circuit). Neben wirtschaftlichen und fertigungstechnischen Gründen war maßgebend für die Entwicklung von Hochfrequenzschaltungen in integrierter Technik eine Anpassung der Größe der passiven Schaltelemente an die Abmessungen von aktiven Halbleiterbauelementen. Wesentliche Vorteile bringt hier die Verwendung von Streifenleitungen, deren günstige Eigenschaften zu Beginn der fünfziger Jahre erkannt wurden. Schaltungsaufbauten mit Hohlleitern sind hierfür nur sehr wenig geeignet und erfordern einen hohen Fertigungsaufwand. Sie werden nur dann verwendet, wenn sehr geringe Leitungsverluste gefordert werden oder aber hohe Leistungen übertragen werden müssen. Das erste Kapitel dieser Vorlesung beschäftigt sich deshalb mit der Streifenleitungstechnik. Im Anschluss daran werden dann in den folgenden Kapiteln Verstärkerschaltungen, Oszillatoren, Frequenzvervielfacher und Mischer zur Frequenzumsetzung behandelt. 9

Einbau von Komponenten) ausgeschlossen. Aufgrund der starken Nachfrage nach Hochfrequenz. Hierdurch kann unkontrolliert Luft als drittes Dielektrikum zwischen obere und 10 . Die heute nur selten eingesetzte Dreiplatten-Leitung (Abb. Hierzu bieten sich die diversen Formen planarer Wellenleiter (Streifenleitungen) geradezu ideal an. Planare Wellenleiter sind Mikrowellenleitungen. Wird dagegen ein mehrlagiger Aufbau verfolgt (Sandwich). Die Suspended-Substrate-Leitung (Abb.1 an: Hierbei stellt die Mikrostreifenleitung (Abb. Die technologischen Schwierigkeiten sind hierbei nicht unerheblich: Wird der Zentralleiter eingegossen.1c) besitzt größere Güte und aufgrund des geschirmten Aufbaus bessere Genauigkeit der elektrischen Eigenschaften.1a) aufgrund ihres einfachen Aufbaus und des relativ geringen technologischen Realisationsaufwands die am weitesten verbreitete Leitungsform dar (D.1 Bauformen planarer Wellenleiter Aus den Grundlagenvorlesungen sind insbesondere koaxiale Wellenleiter sowie verschiedene Typen von Hohlleitern bekannt. so sind nachfolgende Modifikationen (z. Grieg und H. 1. 1.B.und Mikrowellenkomponenten und Geräten entstand die Notwendigkeit. Je nach Anwendungsbereich bieten sich verschiedene Ausführungsformen gemäß Abb. die sich speziell durch relativ einfache Berechnungsmöglichkeiten für die Feldgeometrie auszeichnen. Neben diesen klassischen Wellenleiterformen. 1952). die in Form von flachen leitenden Streifen auf einem dielektrischen Substrat mit parallel geführter Gegenelektrode ausgeführt sind.1b) wird auf Kunststoffsubstraten aufgebaut. Englemann. 1. 1. so besteht bei Temperaturdrift das Risiko des Werfens einer oder beider Substratseiten. Leitertypen mit geringen Fertigungskosten und guter Wiederholbarkeit der Eigenschaften zu bevorzugen. existieren noch vielfältige andere Strukturen.Kapitel 1 Streifenleitungen 1. Längenkorrekturen bei Stichleitungen.

B.1d–f. c) Suspended-Substrate-Leitung. 1. 30–300 GHz) geeignete Formen zeigen die Abb. untere Plattenhälfte dringen und so die Leitungsparameter wie Ausbreitungsgeschwindigkeit und Wellenwiderstand erheblich beeinflussen.1: Hauptleitungs-Bauformen mit eigener Schaltkreistechnik: a) Mikrostreifenleitung (microstrip). BAUFORMEN PLANARER WELLENLEITER a Substrat εr 1 Streifenleiter b 0 c 0 1 11 εr εr 0 0 Masse d 1 2 0 e 1 0 f εr 1 εr εr 0 Abb. 1. e) dielektrische Bildleitung (dielectric image guide). Ausschließlich für Millimeterwellen (ca. Als Abwandlung der Mikrostreifenleitung zeigt Abb. 1.1e die dielektrische Bildleitung (Image-Line) wobei die Welle in einem über einer Metallebene angebrachten dielektrischen Streifen geführt wird. der sich bei gegebener Frequenz von der Microstrip durch den wesentlich breiteren Streifen unterscheidet. wo innerhalb eines Hohlleiters parallele Schaltungselemente (z. durch einen hohen Sprung der Dielektrizitätskonstanten εr an der Außenwand tritt eine fast vollständige Reflexion der Welle zurück in den Leiter auf.1d) befindet sich ein mit geschlitzter Metallisierung versehenes Substrat in einem abschirmenden Hohlleiter. Damit ergibt sich eine zusätzliche Randbedingung. Probleme der Massekontaktierung. 1. PIN-Dioden-Dämpfungsglied) eingebracht werden sollen. d) Flossenleitung (finline). Im Gegensatz zu den bislang vorgestellten Leiterformen sind die in Abb. Als Beispiel zeigt Abb. Damit kann sich auf ihm die erste Oberwelle mit Querresonanz (Nullstelle des elektrischen Feldes in der Streifenleitermitte) ausbreiten. schwieriges Biasing) wird diese Leitung jedoch nur in Ausnahmefällen eingesetzt.1. Dielektrische Wellenleiter beruhen auf der Umkehrung des Hohlleiterprinzips. hierdurch kann gleichfalls Wellenausbreitung im Leiter stattfinden. 1.1. 1.2 dargestellten Typen nur für Spezialanwendungen gedacht: .h. Ihren Namen hat diese Leitung von den flossenförmigen Metallisierungen des Substrats in den Übergängen zwischen Hohlleiter und Finleitungsstruktur.1f den Microguide.(triplate) Leitung. Sie findet hauptsächlich dort Einsatz. d. b) Dreiplatten. f) Microguide. Bei der dämpfungsarmen Finleitung (Abb. Aufgrund des erheblichen Aufwands (Bau spezieller Halterungsteile für das Substrat.

Bei der MMICTechnik jedoch ist die Koplanarleitung (Abb. das sind Formen. b) koplanare Zweibandleitung. STREIFENLEITUNGEN d 1 1 1 0 0 e 1 Abb. e) Mikrostreifenleitung mit Masseschlitz. d) Schlitzleitung (slotline). 1. 1. . Im folgenden soll nur noch die Microstrip betrachtet werden. da sie die vielfältigsten Einsatzmöglichkeiten aufweist. a 0 1 0 b 1 2 c 1 0 d 1 2 e 1 f 1 0 0 2 Abb. um so höhere Güte zu erreichen.2e ermöglicht wegen der Feldenergiekonzentration in dem mitlaufenden Massekanal eine stärkere Entkopplung gegen benachbarte Leitungen als die einfache Microstrip. 1. c) unsymmetrische Koplanarleitung. Bei der Kammerleitung (Abb. 1.2c) ist eine Bauform der SuspendedSubstrate-Leitung bei der aber zwei Streifenleiter parallel geschaltet sind. d) Kammerleitung.2: Leitungs-Sonderformen: a) Invertierte Mikrostreifenleitung (inverted microstrip). 1. f) Bandleitung. hoher oder sehr kleiner Wellenwiderstände eingesetzt werden.3). Solche Leitungen werden für Schlitzantennen in synthetischen Aperturradarsystemen eingesetzt.3: Hilfsleitungen für Mikrostreifenleitungsschaltungen: a) Koplanarleitung. 1.B. e) geführte invertierte Mikrostreifenleitung (trapped inverted microstrip).12 a b 1 1 0 0 0 c KAPITEL 1. die z. b) Mikrostreifenleitung mit hochgesetztem Streifenleiter (elevated microstrip). im Übergang zwischen unterschiedlichen Leitungstypen oder zur Erzeugung definierter Kopplungen bzw. Zusätzlich zu den vorgestellten Typen existieren noch diverse „Hilfsleitungen“ der MIC-Technik (Abb.2d) läuft sogar eine vollständige Schirmung mit dem Streifenleiter mit. Die sogenannte High-Q-Triplate (Abb. 1.3a) die Hauptleitungs-Bauform mit eigener Schaltkreistechnik. c) High-QTriplateleitung. Die geführte invertierte Microstrip (trapped inverted microstrip) aus Abb.

ist die untere Grenzfrequenz fg0 = 0 (1.1) Als grobe Abschätzung des stabilen Bereichs der Quasi-TEM-Welle (HE0 ) kann für die Grenzfrequenz der ersten Oberwelle (HE1 ) die Näherung der H1.4).und Rückleiter darstellt.0 -Welle) des Rechteckhohlleiters getroffen werden: Mit w >1 h (1. Im Gegensatz dazu ist die Grundwelle der Streifenleitung bereits eine Hybridwelle mit Ez . 1. da hier Wellenwiderstand und Phasengeschwindigkeit (Ausbreitungsgeschwindigkeit) frequenzunabhängige Größen darstellen.h. sich also die Ränder auch im Unendlichen nicht berühren. Feldverteilung der Grundwelle Da die Microstrip ein System aus Hin. Grundwelle ist die HE0 -Welle. wobei n die Anzahl der Vorzeichenwechsel der Stromdichte Jz in y-Richtung angibt. Leitungen mit einer TEM-Feldverteilung einzusetzen.2.und Hz −Komponenten (Koordinatensystem gemäß Abb. es herrscht keine Dispersion der sich ausbreitenden Welle. die für niedrige Frequenzen. wo die Dielektrikumsdicke h klein gegen die Wellenlänge ist. Allgemein werden diese Felder als HEn -Wellen bezeichnet. WELLENTYPEN UND FELDVERTEILUNG 13 1.2. in eine TEM-Form übergeht.4: Mikrostreifenleitung (Microstrip). d.1 Wellentypen und Feldverteilung der Mikrostreifenleitung Wellentypen Für ein einfaches Schaltungsdesign ist es wünschenswert.0 -Welle (TE1.2 1.1. x t w w: Breite des Streifenleiters h z ε0 εr y h: Dicke des Dielektrikums t: Dicke des Streifenleiters Abb. 1.2) . Sie wird daher oft als „Quasi-TEM-Welle“ bezeichnet.

t h y Masseleiter Abb. ein anderer Teil im Substrat geführt wird. Durch die unterschiedlichen Ausbreitungsgeschwindigkeiten cs innerhalb und ca außerhalb des Substratmaterials. Finite-Differenzen-Methode. Das rührt von der geschichteten Struktur des Dielektrikums her. Sie hat in y-Richtung keinen Vorzeichenwechsel. Bei der Orthogonalentwicklung beispielsweise wird dazu ein System orthogonaler Eigenfunktionen ermittelt. 1.5 zeigt qualitativ die Stromdichtekomponente Jz auf der Streifenoberseite (x = h + t). STREIFENLEITUNGEN c0 √ 2w ε r (1. Die zum besseren Verständnis der Wellenausbreitung auf der Microstrip im folgenden gezeigten Abbildungen wurden sämtlich mittels solcher Berechnungsverfahren numerisch ermittelt. die geforderten Randbedingungen zu erfüllen. c0 cs = √ εr (1. Streifenunterseite (x = h) und auf der Grundplatte (x = 0).14 gilt vereinfacht fg1 ≈ KAPITEL 1. Streifenleiter w Jz Substrat: εr Die Abb.5: Stromdichten auf der Mikrostreifenleitung.3) wobei c0 die Lichtgeschwindigkeit im Vakuum ist. die alle in der Lage sind. Transmissionsleitungs-Methode. ca = c0 . FiniteIntegrations-Methode. wozu sich heute diverse Verfahren wie Finite-Elemente-Methode. nicht geschlossen berechnen. wobei ein Teil der Welle in Luft. Randelementen-Methode oder Momenten-Methode (Orthogonalentwicklungen) anbieten. Solche Probleme können nur numerisch gelöst werden.5) führt die Feldberechnung auf ein Eigenwertproblem mit nichttrivialen Lösungen.A. daher handelt es sich um die HE0 -Welle.4) Im Gegensatz zu einfachen Wellenleiterformen wie Koaxialkabel und Hohlleiter lassen sich die Felder der Mikrostreifenleitung i. Somit ergibt sich etwa ein stabiler Bereich der HE0 -Welle von: 0≤f < c0 √ 2w ε r (1. 1. .

1. Alle Feldbilder wurden des einfacheren Ansatzes wegen unter der Voraussetzung einer metallischen Schirmung ermittelt.2. wobei λ die Leitungswellenlänge ist.6) . Leiterdicke t = 0.8 zeigt eine vollständigere Darstellung der E. 1. Abb.7 formuliert werden: Et = Ex ex + Ey ey und Ht = Hx ex + Hy ey (1. 1.1.7 und Abb. Abb. 1. Aus Abb.6 und Gl. 1. H-Felder.6: E. sind in den Abb. Deutlich zeigt sich hier.6 kann außerdem eine Aussage über den Wellenwiderstand gemacht werden: Bei eingehender Betrachtung ergibt sich. 1. Mathematisch kann dies gemäß Gl.und H-Feldlinien einer Mikrostreifenleitung mit metallischer Schrimung in einer Querschnittsfläche z = constant.6 zeigt die E. 1.7 stellt einige ausgewählte H-Feldlinien dar.bzw. dass sowohl das elektrische als auch das magnetische Feld neben den dominierenden Queranteilen ebenfalls merkliche Längsanteile besitzen.7: H-Feld einer Mikrostreifenleitung. WELLENTYPEN UND FELDVERTEILUNG 15 Abb. so dass die Felder in großem Abstand vom Streifenleiterzentrum nicht mehr ganz der Realität der offenen Streifenleitung entsprechen. 1. dass die transversalen E. Abb.und die H-Feldlinien in einer Querschnittsfläche z = constant. 1.und H-Feldkomponenten in erster Näherung senkrecht zueinander stehen.8 die Felder perspektivisch dargestellt. 1. Um eine bessere Gesamtübersicht zu erhalten. elektrisches Feld: magnetisches Feld: Abb.

was eine weitere Rechtfertigung für die Annahme der Quasi-TEM-Welle ist. charakteristischen Wellenwiderstand (Gl. Während bei der Grundwelle der Längsstrom auf dem Streifen nahezu über der gesamten Breite konstant bleibt und erst zum Rand hin aufgrund des Skineffekts zunimmt (größere elektrische Feldkonzentration an den Kanten). der Wellenwiderstand ist dort in Wirklichkeit unendlich vieldeutig (höhere Wellentypen mit anderem ZL).7 ergibt sich. d. Zusätzlich aufgeführt ist der Anteil der Abstrahlung.8) ZL = Ex Ey =− Hy Hx (1. es gibt einen festen. 1. die bei der offenen Mikrostreifenleitung zur Leitungsdämpfung beiträgt (schraffierte Fläche). Et Ht = 0 oder Ex Hx + Ey Hy = 0 (1.16 KAPITEL 1.8: 3-D Darstellung der H. 1.und E-Feldlinien einer Mikrostreifenleitung. zeigen die höheren Moden Nullstellen und Vorzeichenwechsel im Längsstrom.h. 1.7) Aus Gl. . Den ortsabhängigen Verlauf der Längs. 1.10. Querströme fließen bei der Grundwelle nur in geringem Umfang. 1.8) für die Microstrip.h.9 treten für höhere Frequenzen zusätzliche Hybridmoden mit stark frequenzabhängigen Phasenkonstanten β auf. Höhere Wellentypen Entsprechend dem Modenschema in Abb. d. STREIFENLEITUNGEN E−Feld H−Feld Abb.und Querströme der ersten drei Moden zeigt Abb. dass unter obiger Näherung ein festes Verhältnis zwischen den Komponenten von Et und Ht existiert. Mit zunehmender Frequenz verliert die Annahme ihre Gültigkeit.

6 1 HE0 HE0 0 HE1 9.0 Abb.9: Modenschema der Mikrostreifenleitung vp ≡ vϕ . Oberwelle fg. ZL~ ~ const.8 1..27 GHz).15 mm 0. 1.2.2 0. Die TM0 -Oberflächenwelle hat ebenso wie die HE0 -Grundwelle der Mikrostrei- .6 0.2 0.8 1.und Querstromdichte der Grundwelle HE0 und der höheren Wellentypen HE1 und HE2 der Mikrostreifenleitung bei f=12 GHz (fg1 =5. Bei offenen Strukturen und dicken Substratmaterialien müssen auch die Oberflächenwellen berücksichtigt werden.635 mm Querstromdichte −1 HE2 HE2 −2 0 0. vp= 17 Strahlungs− spektrum Eindeutigkeits− bereich der Quasi−TEM−Welle f 3.10: Normierte Längs. Oberwelle Grenzfrequenz der n-ten Oberwelle: fgn ≈ nc o √ 2w εr Abb.1. die an Störstellen erzeugt werden können.0 0 2 y/w 0.stat fg2 1.6 0. WELLENTYPEN UND FELDVERTEILUNG c0 /vp(f) statische (TEM−)Näherung: = const.4 0. 3 Längsstromdichte 2 HE1 normierte Stromdichte ε r =9.4 0. Oberwelle technische Anwendungen 0 fg1 hybride Grundwelle (Quasi−TEM−Welle) fg3 2. 1.

. 1. ideal leitend (κ2 → ∞) so breitet sich die Welle als eine ebene Welle im nichtleitenden Medium parallel zur Oberfläche aus (ϑ → 0). E ϑ H x y κ2 λ 2 z Abb. ): fg. 1.9 c0 fg. (1.2d) sind zusätzlich zu den HEn -Wellen die Grenzfrequenzen der TEx . 1. 2. . STREIFENLEITUNGEN fenleitung keine untere Grenzfrequenz und trägt in Form von Abstrahlung zur Leitungsdämpfung bei (Abb.B.TMn = fg.11 ist das Feldbild der TM0 Oberflächenwelle (Zenneck -Welle) skizziert.und TMx -Wellen unter Berücksichtigung der teilweisen dielektrischen Füllung zu beachten. Abb. TEn -Oberflächenwellen gilt der allgemeine Zusammenhang (n = 0.18 KAPITEL 1.9) 4h ε r − 1 Für die noch höheren TMn .bzw. die in der y-zEbene liegt.11) In geschirmten Gebilden (z.TE0 = √ . . In Abb. . 1.TE0 2h ε r − 1 c0 (1 + 2n) = (1 + 2n) fg.TEn c0 n √ = 2nfg. 1.9).10) (1. Ist die Masseplatte. 1.11: Feldbild der TM0 -Oberflächenwelle.TE0 = √ 4h ε r − 1 (1. Die Grenzfrequenz der nächst höheren Oberflächenwelle (TE0 ) erhält man aus Gl.

′ C ′ = C0 · εr . εr bekannt) ist c0 vϕ = √ εr mit c0 = √ 1 µ0 ε0 (1.15) Bei einer Leitung mit homogenem Dielektrikum (µr = 1.1 Wellenwiderstand und Permittivität Statische Näherung Bei tiefen Frequenzen breitet sich in der Mikrostreifenleitung näherungsweise eine TEM-Welle aus. Hierzu wird in der Abbildungsebene der Kapazitätsbelag C ′ und die Phasengeschwindigkeit vϕ bestimmt.12) (1. indem die Feldanteile in den einzelnen Schichten miteinander verglichen werden (sehr grob durch Abschätzung oder .3 1.eff (1.B. 1.1.17) ′ und mit dem Kapazitätsbelag C0 der luftgefüllten Leitung ergibt sich der tat′ sächliche Kapazitätsbelag C der Leitung. WELLENWIDERSTAND UND PERMITTIVITÄT 19 1.13) L′ C′ (1.14) Der Wellenwiderstand ergibt sich somit aus Gl.3.eff für ein homogenes Ersatzmedium kann näherungsweise berechnet werden.3. 1.16) Bei einer Leitung mit inhomogenen (z.18) Die effektive relative Dielektrizitätskonstante εr.12 zu ZL = (1.17 zu vϕ = √ c0 εr .eff (1. Unter Vernachlässigung der Dämpfung gilt ZL = Der Induktivitätsbelag L′ ergibt sich aus √ ω 2π β = ω L′ C ′ = = λ vϕ zu L′ = β2 1 = 2 ′ 2 ′ ω C vϕ C 1 vϕ C ′ (1. mehrschichtigem) Dielektrikum wird die Ausbreitungsgeschwindigkeit gemäß Gl. Der Wellenwiderstand ZL und die Phasenkonstante β können mit konformer Abbildung gewonnen werden.

µ=0 ) 8 Abb. 1. Für den Kapazitätsbelag ergibt sich damit ′ C ′ = C0 = ε0 weff h (1.6: auch von der Oberseite des Streifens gehen Feldlinien aus) beiträgt. 1. Wände ( κ= . die horizontalen Berandungen elektrische Wände darstellen.12a) wird deren Querschnitt in den Querschnitt der Bildleitung (Abb.22) .19. Wände ( κ=0 . Ermittlung des Kapazitätsbelag (1. a) ε0 w ε0 b) w c) eff h ε0 h E−Feld H−Feld elektr. wobei λ0 die Freiraumwellenlänge bezeichnet. konform abgebildet.15 zu √ εr .20 KAPITEL 1. 1. 1. µ= ) 8 Weil auch die Streifenoberseite zu C ′ (vergleiche Abb.eff 1 1 1 1 1 = ′ · = ′ ·√ = ZL0 · VKF ZL = ′ · C vϕ C0 · εr . STREIFENLEITUNGEN durch konforme Abbildung). 1. ist die bei den Berechnungen zugrunde zu legende tatsächliche Streifenbreite weff größer als die geometrische Streifenbreite w : weff > w.eff wobei ZL0 der Leitungswiderstand der luftgefüllten Leitung ist.eff λ0 (1.12c. 1. hier eine Bandleitung. Vielfach findet sich in Diagrammen statt des effektiven εr auch der sogenannte Verkürzungsfaktor (VKF) für die Leitungswellenlänge λ gemäß Gl. (1. 1. VKF = √ 1 λ = εr . wobei hier die vertikalen Feldberandungen magnetische.eff c0 C 0 · c0 εr .20) Zur Berechnung des Kapazitätsbelag C ′ am Beispiel der luftgefüllten Streifenleitung (Abb.12b).19) Der Wellenwiderstand ergibt sich dann mit Gl.21) Durch die Abbildung ergibt sich ein homogener Feldverlauf gemäß Abb.12: Luftgefüllte Streifenleitung magn.

81 √ ZL εr + 1 42. 1.4 w = h 4h + w 14 + (8/εr ) 11 2 4h w 2 + π2 2 1+ 1 εr (1. den Wellenwiderstand der luftgefüllten Leitung ZL0 und das effektive εr zu bestimmen.3.4 4h  14 + (8/εr ) √ ln 1 + w  11 εr + 1 Syntheseform : 8· exp √ ZL εr + 1 42.B.20 mit einem maximalen Fehler von 0.1. εr .7528 mit F1 = 6 + (2π − 6) · exp − 30.25) −1 7 + 4/εr 11 + 1 + 1/εr · exp 0. aus Messungen) und mit Hilfe theoretisch ermittelter Stützstellen in erlaubten Bereichen sind von Wheeler (1977) die Analysegleichung ZL (w/h. oft sogar unterhalb von 1%. Für genauere Berechnungen bieten sich die Lösungen nach Hammerstad und Jensen (1980) an.24)     (1. sowie für w/h ≫ 1 bestimmen. wodurch eine Ermittlung von ZL gemäß Gl. t = 0) für 0 ≤ w/h ≤ ∞ und 1 ≤ εr ≤ ∞ ermittelt worden: ZL = Analyseform : Ω  42.26) ZL0 = ZL (εr = 1) = 1 + (2h/w )2 h w 0. Sie ermöglichen es. die analytische Ausdrücke auf der Basis von Funktionalapproximationen herleiteten.23) Näherungslösung der Leitungskenngrößen Aus der konformen Abbildung kann man das asymptotische Verhalten der Microstripkenngrößen für bestimmte Grenzfälle wie w/h ≪ 1 bei εr ≈ 1 und εr ≫ 1. t = 0) und die Synthesegleichung w/h(ZL.20 für den WellenZL0 = ZF 0 h weff (1.666 (1. 1. WELLENWIDERSTAND UND PERMITTIVITÄT und mit ZF 0 = widerstand µ0 ε0 21 ≈ 120π Ω ≈ 377Ω erhält man mit Gl. εr .4 −1 −1 Der Fehler für ZL bleibt im Gültigkeitsbereich der statischen Näherung in jedem Fall unterhalb von 2%. Aus der Kenntnis des genauen Verlaufs (z.27) .3% möglich ist: ZF 0 · ln 2π F1 · h + w (1.

13 und 1. 1.eff ≈ εr + 1 2 fu ¨r fu ¨r w/h ≪ 1 w/h ≫ 1 (1. 1. STREIFENLEITUNGEN Das effektive εr ergibt sich mit einem maximalen Fehler von 0. Z L /Ω fg.stat ZL0 /Ω = 0.30) .053 w 18.28: εr.01 · fg1 GHz εr.28 zu: −a·b 10h εr + 1 εr − 1 + · 1+ εr.eff · h/mm h/mm (1.28) Die aus den numerischen Analysen hervorgegangenen Berechnungsgrundlagen für ZL und εr.04 · = 0.eff sind in den Abb.432 18.eff = 2 2 w a=1+ 1 1 (w/h)4 + {w/(52h)}2 + · ln · ln 1 + 49 (w/h)4 + 0.04 · √ ≈ 0.1h 3 (1. 1. 1. w/h ≫ 1 ergibt sich aus Gl.2% aus den Gln.eff ≈ εr Grenze der statischen Rechnung Die obere Frequenzgrenze für eine zweckmäßige Anwendung der statischen Näherung beim praktischen Schaltungsentwurf läßt sich empirisch aus Gl.14 auf den nachfolgenden Seiten in Diagrammform zusammengefasst.564 · εr − 0.29) εr.9 εr + 3 0.7 b = 0.22 KAPITEL 1.30 ermitteln. Für die Grenzfälle w/h ≪ 1 bzw.

0 2.0 5.0 12 130 11 120 12.2 0.9 10 110 9 100 5.8.8 normierte Leiterbreite w/h Abb.0 9.1 2.8 9. .2 1.9 3.6 8 90 7 80 6 70 60 9.6 0. 1.5 h 13 ZL εr.3.78 11. WELLENWIDERSTAND UND PERMITTIVITÄT 23 Wellenwiderstand ZL effektive Permittivität εr.3 2.67 10.78 3 40 2.13: Numerisch berechneter Wellenwiderstand ZL und effektive Permittivität εr.9 16.9 12.6 1 1.8 11.4 1.eff Parameter: εr 16.5 2 30 0 0.1.4 0.67 5 4 50 3.eff in Abhängigkeit von der normierten Leiterbreite w/h = 0–1.1 2.8 1 1.3 2.eff t=0 w εr 160 Ω 14 150 140 1.

24 KAPITEL 1.8 11.14: Numerisch berechneter Wellenwiderstand ZL und effektive Permittivität εr.5–5.0 3 20 2 2.eff Parameter: εr 14 130 16.5 80 10.5 5 normierte Leiterbreite w/h Abb.0 13 120 12 110 12.9 16.1 2.5 3 3.1 2.9 90 2.0 10 11.eff in Abhängigkeit von der normierten Leiterbreite w/h = 1.eff Wellenwiderstand ZL 140 Ω t=0 h w εr ZL εr.9 11 100 1. . 1.3 2.78 6 50 5.8 9.67 5.78 30 12.3 2.5 10 1.9 4 3. STREIFENLEITUNGEN effektive Permittivität εr.0 9.6 9 8 70 7 60 3.5 1 2 2.5 4 4.67 5 40 9.

365)2.1.386·R4 .136 R10 = 0.3)1.dyn = εr − εr −εr.47)6 1 1+0.92 R3 = 4.2992·R5 (εr −1) · 1+10( εr −1)6 6 R11 = R12 = (hf /19. der als Eingabegrößen nur die normierte Leiterbreite w/h.9408 − R9 ) · (εr.206 − 0.eff .086 · R4 · R5 0. Aus einer Fülle von mehr als 104 numerischen Stützstellen.0503 · ε2 r · R11 · 1 − exp − w/h 15 6 .2 Dynamische Analyse Eine Lösung unter Berücksichtigung der Frequenzabhängigkeit und damit der Längskomponenten des Feldes wurde von Kirschning und Jansen (1983) durchgeführt.9603 R16 = 1 + 0. ist im folgenden aufgeführt: ZL.eff .275· 1 − exp −0.843)12.0514 · εr )4.766 · exp −3.eff )R8 − 0. die aufgrund exakter Feldberechnungen ermittelt wurden.674 R8 = 1+1.3144 · exp (−R1) · {1 − exp (−R2 )} R9 = 5.stat · (R13/R14)R17 .9603 R15 = 0.2 · (w/h)1. εr. ermittelten sie ein approximatives Funktionensystem. Der Gleichungssatz.00044 · ε2 + 0.47)6 1+0.00245·(w/h)2 R13 = 0.3.0 R4 = 0.745 r .0962·(hf /19.9408 · (εr.dyn = ZL.0184 r · exp(−R6 ) 1+1. die relative Substratpermittivität εr und das Produkt h · f in GHz · mm für eine Streifenleiterdicke t = 0 benötigt. WELLENWIDERSTAND UND PERMITTIVITÄT 25 1.31) .eff .004625 · R3 · ε1 · (hf /18.267 · (w/h)7.4 R1 = 0.stat )R8 − 0.641 R7 = 1.524 R5 = (hf /28.228 · (w/h)0.707 · R10 · (hf /12.3838+0.03891 · ε1 r R2 = 0.3.016 + (0.0 R6 = 22.097 R14 = (0.stat 1+P5 (1.

eff Werden alle Maße des Querschnitts einer Leitung um das selbe Vielfache vergrößert oder verkleinert. Dies bewirkt: • Eine Vergrößerung des Gesamtkapazitätsbelags (und eine Verminderung des Induktivitätsbelags). 1.15656 − R15 P4 = 1 + 2. Verkleinert man h bei festgehaltenem Verhältnis w/h.eff (w/h. f = 0) εr. t = 17.0363 · exp {−4.0157 · hf )20 · w/h P2 = 0. εr .6 · w/h}· 1 − exp −(hf /3.20 und 1. Beispielhaft zeigt Abb.916)8 mit P3 = 0.stat = ZL(w/h.eff .3 Einfluss der endlichen Leiterdicke auf ZL und εr. so wächst der Anteil der E-Feldlinien. • Eine Zunahme des Feldanteils in der Luft.28. Mit sehr großem h ergeben sich die Leitungskenngrößen für t = 0.97 P5 = P1 · P2 · [(0.033622 · [1 − exp {−0.525/(1 + 0.15 die Abhängigkeit von ZL. unabhängig von der Höhe h. STREIFENLEITUNGEN P1 = 0.26 KAPITEL 1.5763 ZL. εr .stat ergibt sich aus den Gln.27488 + 0.065683 · exp {−8.stat ergibt sich aus Gl.26 unter Berücksichtigung der effektiven Permittivität. 1. und ZL.026 · (hf )1.751 · 1 − exp −(εr /15. bei gleichem w/h hat die Leitung mit kleinerem h den größeren VKF (weniger Verkürzung).6315 + 0.1241 · (R12/R16) · exp −0. 1.5 µm fest vorgegeben.3.eff .dyn und VKFdyn von der Leiterdicke für das Substratmaterial Epsilam 10.stat = εr. 1.87)4. .03442 · εr }] − 0. f = 0) Die Variablen R1 bis R17 und P1 bis P5 sind dimensionslose Hilfsgrößen. so ändert sich weder ZL noch εr. Bei kupferkaschierten Trägern ist aber oft die Leiterdicke t = 35 µm bzw.7513 · w/h} R17 = R7· 1 − 1. bei gleichem w/h und konstantem t hat die Leitung mit kleinerem h einen kleineren Wellenwiderstand. εr. die auf den Seitenflächen y = ±w/2 des Streifens beginnen oder enden (äquivalente Leiterverbreiterung ∆w ).1844 + P3 · P4 ) · 10hf ]1.eff .

Kurvenscharen zur graphischen Bestimmung des Dämpfungsbelages angegeben werden. Abstrahlung Oberflächenrauhigkeit Leiterstreifen Haftschicht Dielektrikum Haftschicht Leitfähigkeit Leitfähigkeit Ableitung.384 0.0 48.15: Wellenwiderstand ZL. h=1. Im folgenden sollen die benannten Effekte kurz beschrieben werden.382 0.16 gehen die wichtigsten Ursachen der Dämpfung auf einer Mikrostreifenleitung hervor.379 0. 1. εr =10.387 0.383 0.385 0. 1. . und Näherungsgleichungen bzw. w=1.378 27 Abb. 1.dyn und Verkürzungsfaktor VKFdyn als Funktion der Leiterdicke t (f =2 GHz.1.3.2 49.4 Dämpfung der Mikrostreifenleitung Aus Abb.dyn / Ω 49. 1. DÄMPFUNG DER MIKROSTREIFENLEITUNG Z L.8 48.6 49.4 49.380 0. Umladung Leitfähigkeit Leitfähigkeit Masseplatte Oberflächenrauhigkeit Abb.16: Schichten und Dämpfungseinflüsse einer allgemeinen Mikrostreifenleitung (Haftschichten gibt es nur bei Dünnschichttechnik).2 48.2 mm.6 48.0 47.27 mm.386 0.381 0.4 48.8 0 10 20 30 40 50 60 t/µm 70 80 90 100 VKFdyn 0. Substrat: Epsilam 10).4.

32: αρ = RF Aρ ZL h mit dem Oberflächenwiderstand RF = ωµρ ρ = 2 δ (1. dass nur Längsstrom auf dem Streifen fließt. Diese Beziehungen wurden nach dem Prinzip des Induktivitätsinkrements hergeleitet.68 2π weq. Damit können die dielektrischen Verluste gegenüber den Leiterverlusten fast immer vernachlässigt werden (Außer für EPGSubstrat. 8% Restunsicherheit möglich. Für eine exakte Lösung des Problems müßte eine dynamische Analyse erfolgen.0 2 +π ·ln h {5.94+ w w /(πh) eq.16 : Aρ = 8.32) wobei ρ der spezifische Widerstand und δ die Skintiefe sind. 1. 1. STREIFENLEITUNGEN 1.16 < w/h < 2 : Aρ = 8.und Querstromdichte der hybriden Wellen nicht exakt zu.44π·( weq. Der Dämpfungsbelag ergibt sich dabei nach Wheeler (1964) aus Gl.4.0 + h π ·weq.33) 0. bei der Längsverluste und Querverluste gleich groß sind.68 2π 1− weq.0 h weq. Tatsächlich trifft das wegen der frequenzabhängigen Längs. wobei gilt: w/h < 0.30) liegende Betriebsfrequenz sind Aussagen mit einer Genauigkeit von besser ca.94)}] 2 · 1+ h weq. Der von εr unabhängige Geometriefaktor Aρ in dB ist abhängig von w/h. Aufgrund des Betriebs unterhalb der Übernahmefrequenz sollte erwartungsgemäß der spezifische Oberflächenwider√ stand RF und damit die Dämpfung mit f zunehmen (Skineffekt).28 KAPITEL 1. das die Stromverdrängung berücksichtigt und davon ausgeht. EPG: Epoxid-Glasfaser).0 + h π ·weq.68 eq. hierfür existieren jedoch bislang keine funktionentheoretisch approximierten Ergebnisse oder Kurvenscharen zur graphischen Auswertung.0 2 4h 1− · 1+ h weq. Die Leiterdämpfung entsteht durch den endlichen elektrischen Widerstand des Streifens und der Massemetallisierung. Für eine unterhalb der statischen Grenzfrequenz (Gl.0 ln 2h t − t h (1.0 + 0.0 + h π ·weq.0 2 4h · 1+ – h weq.0 /(2h) [ weq.0 t w + ln 4πw t (1.0 2h +0.34) Aρ = 2 < w/h < ∞ : » 8.35) .1 Die Leiterdämpfung Die Betriebsfrequenz der Streifenleitungen liegt bei fast allen Substratmaterialien unter der so genannten Dämpfungs-Übernahmefrequenz fu ¨ .0 ln 2h t − t h (1.

1.0 =  t · ln   π  4e t 2 h + 1/π (w/t)+1.0 /t)−0. ca.38) Die Skintiefe ist durch δ = 2 · ρ/(ω · µ) gegeben (RF = ρ/δ .21 µm bei 100 GHz. Während die Leitschicht aus gut leitendem Material. . Für Kupfer gilt δ/µm = 2.36 ergeben sich graphisch dargestellt in Abb.0 und Gl. 0. 1.305 mm.0 zur Berücksichtigung der endlichen Leiterdicke t errechnet sich nach Wheeler mit weq.4.eff · (f /GHz) h/mm · (ρ/Ωcm) 1.36) Syntheseform (1.32).17. 1.εr ) und ρ in Ωcm beträgt αρ in dB/cm: ∗ αρ = αρ ·  t · ln   π 4e t 2 h + 1/π (weq .10 ∆wt.02–0.36 bzw. 1.26   2    2 Analyseform (1.0 = w +∆wt.127 bis 0. εr. 1. 1. 1. Bei der Dünnfilmtechnik ist eine dünne. 15.6 · 10−6 Ωcm) notwendig.1/ f /GHz.6 · 10−6 Ωcm) in einer Stärke von mehreren Eindringtiefen besteht.37) εr.18.38 ergibt. In einem speziellen Prozess kann durch direktes Aufbringen einer Kupferkaschierung auf die Substratoberfläche die Haftschicht vermieden werden.eff (w/h. Die Kupferbeschichtung hat eine Dicke von 0. 1.33–1.72 · 10−6 (1. vgl.37:   ∆wt. Gold (ρ = 2. Für beliebige Werte von f in GHz.1 µm dicke Haftschicht zwischen dem Substrat und der eigentlichen Leitschicht des Streifenleiters sowie der Massemetallisierung notwendig. oder Einsatzfälle in denen relativ hohe Leistungen berücksichtigt werden müssen.2 Einfluss der Haftschicht Hierdurch erhöht sich die Leiterdämpfung abhängig vom Verhältnis Haftschichtdicke zu Eindringtiefe tH /δH und dem Verhältnis Leiterwiderstand zu Haftschichtwiderstand ρL /ρH . Gl.4. h in mm. Diese Substrate sind ausgezeichnet geeignet für thermisch problematische Anwendungen. sind für die Haftschicht relativ schlechte Leiter wie Chrom und Tantal (13 · 10−6 bzw. wobei sich ∗ aus der normierten Größe αρ die tatsächliche Dämpfung mit Gl. also δ = 0. 1. das Resultat einer statischen Berechnung zeigt Abb. z.0 = Die Gln. DÄMPFUNG DER MIKROSTREIFENLEITUNG 29 Die äquivalente Leiterbreite weq.B. Gl.

005 0.000 0.eff εr cm Dämpfungsbelag αρ * für f = 1 GHz.1 t > 3δ h t t w εr.002 0.006 0. h = 1 mm.004 0. 1.0005 0.8 1 2 4 6 8 10 normierte Leiterbreite w/h Abb.010 0.1 0.014 dB normierte Leiterdicke t = h 0. STREIFENLEITUNGEN 0.4 0.6 0.008 0.001 0.01 0.002 0.30 KAPITEL 1. εr = 1 und Kupferleiter 0.02 0.17: Normierter Leiterdämpfungsbelag α∗ ρ der Mikrostreifenleitung für f =1 GHz. εr =1. h=1 mm und ρ=1.05 0. .72·10−6 Ωcm (Kupfer) in Abhängigkeit von der normierten Leiterbreite w/h.2 0.012 ρ 0.

eff tL tH tH b αρ 111 000 000 111 111 000 RF.8 1.4.0 0.4 0. µr.L .0 th Haftschichtdicke pro Eindringtiefe 0.5 0.8 2.eff αρ 20 k= 0. a) Leitung mit Haftschicht.eff RF.8 1.4 0.L 11111111 00000000 11111111 00000000 tL RF.2 1.4 1.2 1.4 2 1 0.0 0.0 2. µr. 1.2 0.2 tH > < δH 4 0.L Parameter: k= 10 8 6 RF.H 000 111 11111111 00000000 tL tL RF.L c αρ.6 0.6 1.H.6 0.eff /αρ in Abhängigkeit von der normierten Haftschichtdicke.8 0.0 1.0 1.8 0.18: Einfluss der Haftschicht auf die Leiterdämpfung.6 0.2 0.1 = RF. µr.4 1. b) Vergleichsleitung ohne Haftschicht.H tL >> δL ρL ρH 0. ρL . DÄMPFUNG DER MIKROSTREIFENLEITUNG 31 a αρ. c) haftschicht-bedingte Leiterdämpfungserhöhung αρ.L .3 0.6 1.L = RF. ρH. . ρL .1.9 δh Abb.7 0.

5 µm Wenn die Rauhigkeit viel kleiner als die Wellenlänge bleibt.25 µm σeff ≈ 1.3 Einfluss der Oberflächenrauhigkeit αρ αρ. 1. 1.32 KAPITEL 1.39 eingeführt. die zu zusätzlichen Verlusten führt.µr ) Alle Substrate besitzen im mikroskopischen Bereich rauhe Oberflächen (Abb.20 durch den effektiven spezifischen .32 anzusetzen.4.39) σeff ≈ 0. STREIFENLEITUNGEN 1. Formal wird das durch eine Erhöhung des Leiterdämpfungsbelags vom Wert αρ bei glattem Substrat auf αρ. so ist es möglich die normale Leiterdämpfung gemäß Gl. 1.05 µm σeff ≈ 0. Dazu wird eine effektive Rauhtiefe σeff gemäß Gl.19: Rauhe Substratoberfläche δ(ρ. 1. Durch die aufgrund des Skineffekts erhöhte Stromdichte in diesen äußeren Leiterbereichen entsteht dort eine im Rhythmus der Rauhigkeit modulierte inhomogene Stromdichteverteilung. Die obere Seite und die Seitenbegrenzungen des Leiterstreifens besitzen ebenfalls stets eine gewisse Rauhigkeit. die den quadratischen Mittelwert der Oberflächenrauhigkeit darstellt: zp σeff = Einige gängige Werte für σeff sind: polierte Al2 O3 -Keramik unpoliertes Al2 O3 Kunststoffsubstrate 1 zp σ 2 (z )dz 0 (1.eff bei rauhem Substrat ausgedrückt.eff (rauhe Oberfläche) σeff σ(z) (glatte Oberfläche) zp zp σeff z Leiter δ(ρ. 1. Diese Struktur zeigt sich nach der Metallisierung auch auf der dem Substrat zugewandten Seite des Leiterstreifens und der Masseplatte.µr ) Abb.19). wobei der spezifische Oberflächenwiderstand RF mit Hilfe der Abb.

den Geometriefaktor F einzuführen.8 RF.eff αρ. (1.21 zusammen mit anderen Eigenschaften für diverse Substratmaterialien dargestellt ′ ′ ′′ ist.8 1 1.40) αρ RF √ 2 RF.20: Normierter effektiver spezifischer Oberflächenwiderstand als Funktion der normierten effektiven Rauhtiefe.eff erhält man dann aus der Dämpfung αρ der glatten Oberfläche mit: RF.eff RF 1. 1.8 2 2.4 Abb. der in Tabelle 1. Dabei gilt für nichtleitende Dielektrika tan δε = ε′′ r /εr mit εr = εr − j · εr .1.6 1.6 σeff = d 4 Strom 1111111 0000000 0000000 1111111 0000000 1111111 d d d α ρ. 1.6 0. 1. sie können durch den für nicht zu hohe Frequenzen näherungsweise frequenzunabhängigen Verlustfaktor tan δε („Verlusttangens“) ausgedrückt werden. eine Beziehung für die Dämpfung. 1.4 1.4 Dielektrische Dämpfung Da die Verluste nur im Substratteil des Feldes auftreten ist es notwendig. die sowohl die Frequenzabhängigkeit als auch die Geometrie berücksichtigt.5 .4.eff = (1.eff αρ = 1.91 · tan δε · f · mit F = (1 + (10h/w ))−0. 1949 ).42) GHz εr (1 + F ) 1−F · 1+ 2 εr (1 + F ) −1 Dielektrische Verluste entstehen durch Umladeverluste im Substrat.2 2.41) .2 1 0 0. DÄMPFUNG DER MIKROSTREIFENLEITUNG 33 Oberflächenwiderstand RF.2 σeff δ 1.41 dar (Graphisch: Abb.eff σ 2 wobei R ist (Morgan. Die Dämpfung αρ. = 1 + · arctan 2 · eff π δ F 2 1.22): αε = 0.eff ersetzt wird.4 1.4 0.2 0. Für beliebige Werte der Frequenz f in GHz und des Verlustfaktors tan δε beträgt der Dämpfungsbelag in dB/cm: f ∗ αε = αε · · 1000 · tan δε (1. stellt Gl.4.

K: Kunststoff-Dielektrikum) 34 Ö Ø ÒÆ Ì ¡ ¡ ¸¿ ¸ ¡Ö Ö ¡Ì Ò ½¼  à ÔÔÑ Ã ·½¿ Ò Ò ·½½¼ º º º ·½ ¼ ·½¿ ·½¼ ¹ ¹¾ ¹½¿¼ º º º ¼ º º º ·½¼¼ Ò Ò Ò Ò Ò Ò Ò Ò À À ÙÖ Ì ÑÔº ·½¼¼º º º · ¼¼ Ò ×ÓØÖÓÔ Ò ×ÓØÖÓÔ ËØ Ù ×Ø Ø Ï Ò Ñà о Ç¿ ¹Ã Ö Ñ ´ ¸ ± Ê Ò Øµ о Ç¿ ¹Ã Ö Ñ ´ ±µ Ë Ô Ö ÉÙ ÖÞ Ð × ÓÖÒ Ò Ð × ¼ ÖÝÐÐ ÙÑÓÜ Ö Ñ ´ ǵ ´ ±µ Ì Ø ÒÓÜ Ö Ñ ´Ì Ǿ µ Ö ÙÑØ ØÖ Ø Ø Ò Ø ´ Ì Çµ Ö ÓÒ Ø Ñ ÒØ Ë Ñ ×ÓÐ Ö Ò × × ÀÓ Ó Ñ × Ë Ð Þ ÙÑ ´ ½¼¿ ª ѵ ÖÖ Ø Ì ÐÓÒ ÈÓÐÝÓÐ ¬Ò Ð × × ÖÚ Ö×Ø Ö Ø × Ì ÐÓÒ ÐÙÑ Ò ÙÑ ÃÙÔ Ö ÁÒÚ Ö ¸ ¸ ¸ ½½¸ ¿¸ ¸ ¸¿ ¿ ¾¼ º º º ¼ ¸ ½¾¸ ½½¸ ººº½ ¾¸½ ¾¸¿¾ ¾¸ ¼¸¼¼¼½ ¼¸¼¼½ ¼¸¼¼¼½ ¼¸¼¼¼½ ¼¸¼¼¿ ¼¸¼¼ ¼¸¼¼ ¼¸¼¼¼ ´ ¼¸¼¼¼¾ ¼¸¼¼¼¼ ´½¼ ÀÞµ ´× Ö Ò Ö µ ¼¸¼¼¾ ¼¸¼½ ¼¸¼¼½ ¼¸¼¼¼¿ ¼¸¼¼¼ ¼¸¼¼½ ¼¸¼¼¾ ¼¸¼¼ ¼¸¼¼¿ ¾¸¾ ¿¸ ¿ ¾¼ ´× Ö Ó µ ¼¸ ½¸ ÀÞµ ¼¸¿ ¼¸¿ ¼¸ ¾ ¼¸¼½ ¼¸¼½¾ ¾¸½ ´ Ó µ ¼¸¼ ¼¸¼¾ Ò ½¼  à ÔÔÑ Ã ¼¸ ¸ ¸½ ¸ ¸ KAPITEL 1. Ha: Halbleiter. Fe: ferrimagnetisches Material. (An: anorganisches dielektrisches Material.Å ØÖ Ð Ö Ð ØÚ È ÖÑ ØØ Ú Ø Ø Ðº Î ÖÐÙ×Ø ØÓÖ ½¼ ÀÞ¸ ¾ ×Ô Þº Ï ÖÑ Ð Ø¹ Ø ¾ ÐÒ Ö Ö Ï ÖÑ Ù×¹ ÒÙÒ × Ó¹ ÆÞ ÒØ ¾ Ð Ð Ì Ì ÑÔº¹ ÃÓ Æ Þ ÒØ ÚÓÒ Ö ÌÝÔ Ñ Ö ÙÒ Abb.21: Eigenschaften technisch wichtiger Substrate. 1. STREIFENLEITUNGEN ½¸¾ ¸ ¸¾ ¹¼ Ò º Ì ÑÔº ÃÓ «º ÚÓÒ Ö ÖÒ Ì ÑÔ Ö ØÙÖ¹ Ò Ø ½¼ ½¼ ½ º º º ½¼¼ ¾¿¸ ½ ½¸ ¿ ¼ ¼ à à à ÞÙÑ Î Ö Ð .

4.0015 3 2 0.001 in Abhängigkeit von der normierten Leiterbreite w/h. tan δε εr = 20 18 16 0.0020 6 5 4 0.0025 9 8 7 0.0030 0.6 0.0020 0.0010 0.0035 −3 Normierter dielektrischer Dämpfungsbelag α* ε für f = 1 GHz und tan δε = 10 14 0.0025 0.22: Normierter dielektrischer Dämpfungsbelag α∗ ε der Mikrostreifenleitung für f =1 GHz.8 1 0. tan δε =0.4 0.0035 0.0015 0.0030 12 10 0.0010 0.0005 0.6 2 4 6 8 10 normierte Leiterbreite w/h Abb. . 1.1 0.0005 0.0040 dB cm h w εr . DÄMPFUNG DER MIKROSTREIFENLEITUNG 35 0.1.2 0.0040 0.

1. werden die Abstrahlungsverluste durch die TM0 -Oberflächenwelle dominiert.1) ist deren Anteil stets von Null verschieden. Die verschiedenen Abstrahlungsverluste können z. fällt jedoch bei semiisolierenden Halbleiterwerkstoffen ins Gewicht. die aber immer noch kleiner als die Grenzfrequenz der TE0 -Oberflächenwelle sind. mit der Momentenmethode berechnet werden. Da die TM0 Oberflächenwelle keine untere Grenzfrequenz besitzt (siehe Kapitel 1. Bei hohen Frequenzen.B. an einer offenen Stichleitung oder einer rechtwinkligen Richtungsänderung Mikrowellenleistung abgestrahlt.4.6 Abstrahlungsverluste Bei nicht metallisch abgekapselten.23 erfolgen. . offenen Streifenleitungen wird an Störstellen. Sie ist bei den meisten Dielektrika (Isolatoren) nicht zu berücksichtigen.36 KAPITEL 1. Sollen solche Substrate eingesetzt werden. Für beliebige Werte von κ in (Ωcm)−1 beträgt der Dämpfungsbelag: ∗ ακ = ακ · 1000 · κ (Ωcm)−1 (1.4. wie z.B.5 Ableitungsverluste Die Ableitungsdämpfung entsteht durch die endliche spezifische elektrische Leitfähigkeit κ des Substratmaterials.2. so kann eine graphische Ermittlung des geometrieabhängigen Dämpfungsbelags mittels Abb. STREIFENLEITUNGEN 1.43) Die Eigenleitfähigkeiten einiger Halbleitermaterialien sind: Halbleiter GaAs Si Ge Eigenleitfähigkeit κ/(Ωcm)−1 10−8 5 · 10−6 2 · 10−2 1. Diese Abstrahlungsverluste setzen sich zusammen aus der in den Raum abgestrahlten Leistung (wie bei Patchantennen) und der von Oberflächenwellen fortgeführten Strahlung.

9 0. DÄMPFUNG DER MIKROSTREIFENLEITUNG 37 1.8 16 0.2 0.9 18 0.1 0.0 −3 1 Normierter Ableitungs−Dämpfungsbelag α* κ für spez.1 dB cm 1.4 0.6 0.κ h εr = 20 0.3 0.7 0.001(Ωcm)−1 in Abhängigkeit von der normierten Leiterbreite w/h.0 1.23: Normierter Ableitungsdämpfungsbelag α∗ κ der Mikrostreifenleitung für κ = 0.4 5 4 3 2 0.6 2 4 6 8 10 normierte Leiterbreite w/h Abb.8 1 0.5 8 7 6 0.1 1.4 0.8 0.2 0.5 0.1.6 0.6 0. . Substratleitfähigkeit κ = 10 Ωcm w εr .2 0.4.3 0.7 14 12 10 9 0. 1.

von Streifenleitungskomponenten auf andere Wellenleitertypen überzugehen. Der Umweg wird dabei durch die Serienstichleitung verkörpert. 1.38 KAPITEL 1. oder um die in einer Streifenleitung erzeugte HF-Leistung in einen Hohlleitermischer einzuspeisen. • Allseitige Kontaktierung des Substrates (bei Gehäusemontage). welcher technologische Aufwand hierzu notwendig ist und wie eine solche Testfassung konstruiert werden kann. um ein koaxiales Antennenkabel anschließen zu können. Für eine Länge von l = λ/4 läßt der Übergang keine Hochfrequenz mehr durch! • Anpassbarkeit für mechanische Toleranzen.5. ist es notwendig.5 Übergänge und Testfassungen Oftmals ist es notwendig. z. Im Anschluss soll gezeigt werden. Wie solche Übergänge möglichst dämpfungs. Die dabei auftretenden Schwierigkeiten sind: • Gute Kontaktgabe (niedriger Übergangswiderstand).24: Ersatzschaltbild für einen Anschluss mit Masseumweg.1 Massekontaktierung Im folgenden soll nur auf die Probleme des Übergangs zwischen Koaxialleitungen und Microstrip-Strukturen eingegangen werden. Um Schaltungen auf Streifenleitungssubstrat einfach testen zu können. .B. soll der nächste Teilabschnitt zeigen. STREIFENLEITUNGEN 1. 1. Bei einem Anschluss mit Masseumweg kann vereinfacht folgendes Ersatzschaltbild angenommen werden: Innenleiter Übergang Streifenleiter Koaxialleitung Mikrostreifenleitung Stichleitung (Massespalt) Abb.und reflexionsarm auszuführen sind. da dieses Problem in der Praxis am häufigsten vorkommt. • Keine Umwege für den Massestrompfad. Testfassungen mit reproduzierbaren Eigenschaften zu besitzen.

1. so sind grundsätzlich zwei verschiedene Verfahren bekannt. bis über 18 GHz hinaus reproduzierbar. Dabei ist der untere Teil des Steckerflansches gegen einen Metallklotz (ca. bei entsprechender Formung des Mittelleiters lassen sich Rückflussdämpfungen von besser als 20 dB. a) Lötkontaktierung. wodurch am Übergang zusätzliche parasitäre Elemente auftreten. Der Abstand zwischen Buchsenmittelleiter und der Oberkante des Metallklotzes ist geringfügig kleiner gehalten als die Dicke des Substrats mit beidseitiger Kupferauflage. • Einklemmen (Abb. Durch die Federkraft des Mittelleiters wird ein eindeutiger Massekontakt unmittelbar in der Umgebung des Mittelleiters. dass die Verbindung nicht zerstörungsfrei gelöst werden kann.B. erzielen. b) Klemmkontaktierung. die Massekontaktierung erfolgt durch eine Lötzinnnaht auf der Unterseite der Microstrip. tan δε ). erzwungen.a. ÜBERGÄNGE UND TESTFASSUNGEN Gehäuseloser Übergang 39 Soll keine Gehäusemontage vorgenommen werden. da sie besser reproduzierbare Ergebnisse zeigt. Nachteilig ist. das Einlöten und die Klemmtechnik. Zudem verändert jeder Lötvorgang i.1. In (Abb. Präzisionsstecker in Stahlausführung nicht lötbar sind. 1. a) Mittelleiter− lötung b) Druckkontakt Masselötnaht Geschraubter Metallklotz Abb.25: Gehäuselose Übergänge.25b) Für höhere Frequenzen wird durchweg die Klemmkontaktierung eingesetzt. und z.5. wo die größte Stromdichte herrscht. .25b) wird das Verfahren anhand einer gehäuselosen Befestigung gezeigt. • Einlöten (Abb. die Substrateigenschaften (εr . 2 cm × 2 cm × 1 cm) geschraubt. 1. 1.25a) Hierbei wird der Innenleiter der Buchse direkt am Streifenleiter festgelötet. Mit diesem Verfahren ergeben sich gute Resultate.

8%) .2%)) oder Kovar (Fe(54%) . STREIFENLEITUNGEN Bei Gehäusemontage erfolgt der Masseübergang zumeist in zwei Stufen. • Klemmen (Abb. 1. Invar (Fe(63. der aufgrund des hohen Preises dieser Spezial-Legierungen nur als Zwischenboden ausgelegt werden kann (Abb.Ni(28%) .26c.26a.B.oder Klebetechnik (Abb. d) Beim ganzflächigen Einlöten oder Einkleben mit sogenanntem Leitkleber (Epoxidharz mit eingelagerten Silberteilchen nach Abb. Zur Vermeidung gegebenenfalls auftretender Spalte. b) Das Substrat wird an den Kanten. ein Federblech nach Abb. 1. 1. Die geläufigsten Verfahren zeigt Abb. Ein zentrales Problem stellt hier der unterschiedliche Ausdehnungskoeffizient von Substrat und Gehäuseboden dar. Bei Substraten aus Al2 O3 hilft hier ein Boden aus einem Material mit ebenfalls sehr kleinem Längenausdehnungskoeffizienten. Deshalb ist ein guter Masseübergang von der Streifenleitung zum Gehäuse notwendig. Eine weitere Schwierigkeit hierbei stellt die Lotauswahl dar. z. Ecken oder auch durch Substratlöcher (Durchmesser ca. da die Goldauflage der Massemetallisierung ansonsten in das Lot diffundiert. Zugleich tritt das Problem der erheblich unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten von Substrat und Gehäuseboden auf. 1.26b zwischen Substrat und Boden einzulegen.26c) wird gleichfalls eine Spaltbildung vermieden.26d). 1. Eine Positionierung erhält man durch Anschlag von zwei Substratkanten an die Gehäusewände oder durch Passstifte. Allerdings ist eine flächenhafte Lötung wegen der Bildung von Lunkern und Lufteinschlüssen schwierig zu beherrschen. • Löt. vom Stecker auf das Gehäuse und von dort auf die Streifenleitung.Co(18%)). 2–3 mm) mittels Schrauben oder Druckfedern auf die Bodenplatte gedrückt. ist es zweckmäßig. .40 Gehäusemontage KAPITEL 1. 1.26.Ni(36%) C(0.

oder Kovar-Zwischenträger. 1 GHz verwendbar.3 Sonderformen von Übergängen Für die Ankopplung der Mikrostreifenleitung an einen Rechteckhohlleiter existieren in der Literatur diverse Lösungsvorschläge. Die in Abb. 1.5.2 Der Innenleiterübergang Der Innenleiterübergang kann entweder abrupt nach Abb. Kleben mit Leitkleber.27 gezeigten Löt. d) Löten auf Invar. b) Klemmen mit Federblech. . c) Löten bzw. bietet die Industrie.29 zeigt einige gängige Typen. Für den abrupten Übergang.1. Das liegt einerseits an der erheblichen Beeinträchtigung der Substrateigenschaften im Lötbereich. 1. 1. 1. stetig nach Abb. abgestuft für verschiedene gängige Substratmaterialien.26: Möglichkeiten des Substrateinbaus bei Gehäusemontage. 1.5. 1. 1. Abb.bzw. Schweißverbindungen sind nur bis ca. der durch entsprechende Mittelleiterkonstruktion tiefpasskompensiert werden kann. a) Klemmen mit Schraube und Scheibe oder mit Feder. Buchsen mit unterschiedlich geformter Mittelleiterausführung an. ÜBERGÄNGE UND TESTFASSUNGEN 41 Abb. andererseits an der Einbringung einer nicht reproduzierbaren Stoßstelle mit wesentlich erhöhtem Kapazitätsbelag.27 oder gestuft bzw.28 erfolgen.5. wobei der stetige Übergang die größte Bandbreite aber auch die größeren mechanischen Abmessungen aufweist.

Der in Abb. Es wird im Abstand λH /4 von einer Kurzschlusswand im Hohlleiter ein Substrat ohne Massegrundfläche mit geeignet geformtem Streifenleiter eingebracht. sowie eine hinreichend exakte Berechnung der Abmessungen ist jedoch problematisch. Mit dieser Konstruktion sind Bandbreiten bis ca. STREIFENLEITUNGEN Abb. a) Klemmtechnik mit Kontaktfederchen (f≤18 GHz).2 GHz). aber mit Kunststoff-Druckstück. e) angeschweißtes Bändchen (f≤0. Die Massefläche wird außen mit dem Hohlleiter kontaktiert. Von 18 bis 26 GHz ist hier der Reflexionsfaktor kleiner 6%.5 GHz). 1. Die mechanische Herstellung des Blechkamms für den Stufentransformator. 1.29c gezeigte Übergang besteht aus drei Teilen: Die Finleitung geht in eine symmetrische Bandleitung über. 15% möglich. dieser folgt ein Balun-Übertrager (balanced/unbalanced) zur Anpassung an die Mikrostreifenleitung.29b. 1. b) wie a. 1. . Größere Bandbreite erlaubt der Stufentransformator nach Abb. c) wie a. d) angelöteter Innenleiter (f≤1 GHz).42 KAPITEL 1. es lassen sich hiermit Bandbreiten größer 20% erzielen.27: Möglichkeiten des abrupten Innenleiteranschlusses. Die E-Feld-Sondeneinkopplung (Abb. aber mit gefedertem Stempel. f) angeschweißtes Bond-Drähtchen (f≤0.29a) erfolgt ähnlich wie die koaxiale Hohlleitereinleitung mit Koppelstift.

B: Gehäuseboden. SMA-Koaxialleitung (di = 1.635 mm. .1.28: Gestufte und stetige reflexionsarme Übergänge von 3/7-Koaxialleitung (di = 3 mm. εr = 9.5.8). ÜBERGÄNGE UND TESTFASSUNGEN 43 Abb. 1. D: Dielektrikum. da = 7 mm) bzw. S: Substrat (Dicke: 25 mil = 0.3 mm) auf Mikrostreifenleitung auf Keramiksubstrat. da = 4. a) mit zwischengeschalteter Luftleitung b) mit gestufter Querschnittsanpassung c) mit kontinuierlicher Querschnittsanpassung d) mehrfach gestuft e) exzentrischer Koaxialleitungsübergang f) hermetisch dichter Übergang. K: Kontaktfeder Innenleiter.3 mm.

29: Übergänge von Rechteckhohlleitern auf Streifenleitungen. 1. a) E-Sondeneinkopplung von Suspended-Substrate-Leitung (15% Bandbreite) b) Stufentransformator-Übergang auf Mikrostreifenleitung (20% Bandbreite) c) Finline-Übergang auf Mikrostreifenleitung (36% Bandbreite). .44 KAPITEL 1. STREIFENLEITUNGEN Abb.

das ein εr von ca. eingelegt. Auf einer Grundplatte (a) aus vergoldetem Messing befindet sich eine Rahmenplatine (b) des gleichen Substratmaterials.5. Die Rahmenplatine hat einen symmetrischen Aufbau. Rückflussdämpfung größer 20 dB) • Hohe Phasenkonstanz reproduzierbar im ganzen Frequenzbereich (besser ±5° bei 18 GHz) • Einfache Handhabung Realisierte Messfassung In Abb.5. Im ausgesparten Feld wird die zu vermessende Schaltung (d). Im Hinblick auf geringe Feldstörung muss der Rahmen geeignet gestaltet sein. hier RT Duroid 6010 (εr =10. Das DUT wird dann von einem in vier Passstiften (c) geführten Kunststoffrahmen (e) in der Rahmenplatine fixiert.h.5). 1. ÜBERGÄNGE UND TESTFASSUNGEN 45 1. 2 aufweist. DUT (Device Under Test) genannt.30 sind die Einzelteile einer am Institut für Höchstfrequenztechnik und Elektronik der Universität Karlsruhe (IHE) entwickelten Messfassung in ihrer Zusammengehörigkeit dargestellt. dass das Trägermaterial des DUT die gleiche Länge wie die Aussparung aufweist. wurde der Rahmen aus PVC-Material angefertigt. bzw. ist es nicht notwendig.4 Einsatz: Messfassung für Microstrip-Komponenten • Messtechnische Ermittlung der Schaltparameter von MikrostreifenleitungsKomponenten und Gruppen durch einen vektoriellen Netzwerkanalysator (VNWA). an deren äußeren Seiten jeweils die Streifenleitungsübergänge der SMA-Stecker aufgedrückt sind. Anforderungen: • Geringer Reflexionsfaktor der Mikrostreifenleitungsübergänge (kleiner −20 dB. in dem nur eine Reflexionsfaktormessung erfolgen kann. wie das der zu untersuchenden Schaltung. Bei Annäherung dieses PVC-Materials an die . der Überbrückung der beiden Streifenleiter (Rahmenplatine-DUT). zeigten jedoch um 3 dB schlechtere Werte der Rückflussdämpfung. Für den Fall des Eintores. An der diesbezüglich kritischsten Stelle des Rahmens. Um das elektromagnetische Feld der nach oben offenen Microstrip-Leitung möglichst wenig zu beeinflussen. in der Längsachse ist eine geätzte 50 Ω (= Z0 ) Mikrostreifenleitung.1. d. deren Abmessungen empirisch ermittelt wurden. Gelötete Übergänge wurden zunächst untersucht. weist der Rahmen eine Längsnut (f) auf.

1 mm spürbare Messwertänderungen. und damit Feldbeeinflussungen.und Transmissionsmessung gegenüber der „ungeschirmten“ 50 Ω-Streifenleitung. . 50 Ω-Microstrip-Leitung treten erst bei Abständen kleiner als ca. Der Vergleich erfolgt jeweils für Reflexions.30: Messfassung. 1. STREIFENLEITUNGEN Führungsbalken (l) Kontaktbrücke (j) Kunststoffstempel (i) Zapfen (k) Schacht (h) Quernut (g) Anpressrahmen (e) Längsnut (f) DUT (d) Passstift (c) Rahmenplatine (b) Grundplatte (a) Abb. auf.46 KAPITEL 1. Die gewählten Abmessungen von 2 mm × 5 mm (Höhe · Breite) für diese Längsnut sind hinsichtlich Feldstörung vollkommen unkritisch.

. dass das Feld so wenig wie möglich gestört wird.32). sie muss an dieser Stelle eine hohe Rückflussdämpfung aufweisen. Um eine sichere Auflage an diesen Stoßstellen der beiden Platinen zu erzielen. d.5. wird eine Kunststoffausführung verwendet. dass an dieser Stelle die fest montierte Rahmenplatine und das DUTSubstrat vollkommen auf der vergoldeten Grundplatte aufliegen. so dass der verbleibende Steg einen sicheren Anpressdruck an den beiden entscheidenden Stoßstellen gewährleistet (Abb.31: Parasitäre Serieninduktivität. wobei Luftspalte parasitäre Serieninduktivitäten verursachen würden (Abb.h. Auch für die Schrauben. 1. 1. Anpressrahmen Rahmenplatine Steg Substrat (DUT) Grundplatte Abb. die den Rahmen anpressen. ÜBERGÄNGE UND TESTFASSUNGEN 47 Wichtig ist.1. Diese Kontaktbrücke muss so gestaltet sein.31). welche durch den im Substrat ausgesparten Schacht aufgebracht werden kann. unerwünschter Spalt Substrat Grundplatte Abb. 1. Erhebliche Sorgfalt kommt der galvanischen Kontaktierung der Streifenleiter zu. ist in den Rahmen jeweils eine Quernut (g) gefräßt. Diese stellt den Massekontakt der beiden Platinen an der Stoßstelle her. Dazu müssen die Streifenleiter der beiden stumpf zusammengefügten Substrate durch eine Kontaktbrücke verbunden werden.32: Anpressvorrichtung. 1.

die jedoch alle aufgrund schwieriger Verarbeitung (Kupferfolie.48 KAPITEL 1. STREIFENLEITUNGEN Anforderungen an die Kontaktbrücke für hohe Rückflussdämpfung: • identische Breite wie der Streifenleiter • Träger der metallischen Brücke möglichst kleinies εr haben • möglichst deckungsgleich mit Streifenleiter • reproduzierbares Aufsetzen Verschiedene Materialien und Führungssysteme wurden getestet. . weil in einem einmaligen Vorgang (mit ortsabhängiger Darstellung des Reflexionsfaktors) der Kunststoffstempel als Träger der Kontaktbrücke durch die Verschraubung mit dem Führungsbalken auf minimale Rückflussdämpfung justiert werden kann. Bei exaktem Einpassen konnten ohne Kontaktbrücke bereits Werte für die Rückflussdämpfung besser als 20 dB erreicht werden. Dazu wird der Messingbalken (l) von den beiden Passstiften. Von Vorteil ist die getrennte Ausführung auch deshalb. der aus dem gleichen Material wie der Rahmen gefertigt ist. Um reproduzierbare Ergebnisse zu erzielen. Im Vergleich zu einer direkten Führung im Schacht des Anpressrahmens tritt hier keine Verkopplung der Kräfte für Anpressrahmen und Kontaktbrücke auf. Styrodur).2. dass bei einwandfreier Verarbeitung der (Pass-) Führung bereits die Gewichtskraft einen reproduzierbaren Auflagendruck für die Kontaktbrücke verursacht. Erst in unmittelbarer Nähe der kritischen Stelle wird das mechanisch starre Gebilde auf einen minimalen Zapfen (k) reduziert. 1. die in der Stoßstellenebene beider Platinen montiert sind. Ein hervorragendes Ergebnis lieferte die in Abb. ist eine exakte. Die Aussparung in der Rahmenplatine als auch das exakte Zuschneiden der zu vermessenden Platinen erfolgt mit einem an einem scharfkantigen Metallklotz geführten Skalpell. dient zunächst der ungeschraubte Stempel (i). aber leichtgängige Führung notwendig.30 dargestellte Art für die Kontaktbrücke. wie sie nur von Metall auf Metall in einer Passung realisiert werden kann. Ein weiterer Vorteil ist. Um mit dem Führungsbalken das Feld nicht zu stören (der Abstand wurde messtechnisch zu größer als 1 cm ermittelt). auf dem die eigentliche Kontaktbrücke (j) aufgeklebt ist. geführt. Dieses Material besitzt die Substratstärke 0. geringer mechanischer Stabilität und nicht reproduzierbarer Ergebnisse (Führung in dem Schacht des Anpressrahmens) verworfen wurden. als Abstandshalter.5 mm bei einem εr von 2. Diese besteht aus einer auf RT Duroid 5880 geätzten Leiterbahn (Rückseite selbstverständlich nicht metallisiert). so dass auf aufwändige Federsysteme verzichtet werden kann. Dieser wird an vorgegebenen (auf dem Substrat erhabenen) Markierungen justiert. deren Breite identisch ist mit der Streifenleiterbreite der zu verbindenden Platinen.

für Stichleitungen eingesetzt wird.B. 1. c) äquivalente Leitungsverlängerung ∆lL Diese Verlängerung der Feldlinien bewirkt eine äquivalente Verlängerung der eigentlichen Streifenleitung.B. endet das Feld der Microstrip nicht abrupt am Leitungsende. 1.6 Bauelemente in Microstrip-Technik Zum Aufbau komplexer Schaltungen ist es notwendig. Für Messungen an aktiven Komponenten kann eine Mittelsektion eingebaut werden. die Eigenschaften der prinzipiellen Konstruktionselemente zu kennen.6.1 Der Leerlauf Eine am Ende offene Microstrip stellt das klassische Streifenleitungsbauelement dar.33a dargestellt. BAUELEMENTE IN MICROSTRIP-TECHNIK 49 Der am IHE realisierte Übergang Streifenleiter-Streifenleiter weist über eine Bandbreite von etwas mehr als 20 GHz (1–24 GHz) eine hohe Rückflussdämpfung von 28 dB auf. Kommerzielle Messfassungen Kommerzielle Testfassungen (z. die mit jeweils einer DC-Zuleitung versehen sind. sollen hier nur grundsätzliche Bauformen. früher Hewlett Packard) sind oft zweiteilig ausgeführt (Endblöcke). sowie einfache Konstruktionsrichtlinien dargestellt werden. die mit zwei weiteren DC-Zuleitungen ausgestattet ist.1. a) Aufbau mit elektrischem Streufeld E. Abb. Dieser Messwert ist reproduzierbar und wird auch nach wiederholtem Auswechseln von Messobjekt und Kontaktbrücke wieder erreicht. wobei das zusätzliche Endfeld als Parallelkapazität . von Agilent. sondern reicht noch weiter in Richtung der Streifenleitungssymmetrieachse fort. wie es z. Da ihre Behandlung sehr aufwändig ist.6.33: Mikrostreifenleitungsleerlauf. b) Ersatz-Endkapazität CL . Wie in Abb. 1. 1.

bis zu höchsten Frequenzen gültige Analyse ist die dynamische (frequenzabhängige) numerische Analyse des Leerlaufs.236} r .eff + 0.36. 1.50 KAPITEL 1.434907 · B = 1+ (w/h)0. Sind dagegen z.44) A = 0.6. 1. Daher ist für die meisten technisch vorkommenden Fälle eine einfache statische (frequenzunabhängige) Formel hinreichend.34: Zur exakten theoretischen Beschreibung von Microstrip-Leerläufen in nicht metallisch abgeschirmten. 5 % Bandbreite). Bei dem Verfahren nach Abb. 1.358 · εr + 1 0.B. STREIFENLEITUNGEN gemäß Abb.33b bzw. 1. kann der Kurzschluss bekanntermaßen durch λ/4 Transformation aus einem Leerlauf abgeleitet werden. so treten zumeist erhebliche technische Probleme auf.33c gedeutet werden kann.067 · (w/h)1.8544 ε0 + 0. Die genaueste.35 wird ein Teilbereich des Substrats durch ein Messer oder eine Stanze ausgespart. Solange nur schmalbandige Lösungen angestrebt werden sollen (ca. Nachteilig ist.218 · exp{−7. Jansen und Koster (1981) durch Funktionalapproximation an die für niedrige Frequenzen berechneten Ergebnisse einer Hybridwellenanalyse abgeleitet (maximaler Fehler: 2.87} ε0 r .5 · (w/h)} Graphisch dargestellt ergeben sich Kurven gemäß Abb. Hier eignet sich nur eine Durchkontaktierung nach Abb.eff .4. dass nicht das ganze Feld abrupt endet. sondern Feldanteile nach hinten über das Bändchen herausragen .0377 · [6 − 5 · exp {0.036 · (1 − εr )}] · arctan 0. 1.5%): Leitungsverlängerung: ∆lL A·C ·E = h D (1.26 · {(w/h) D = 1 + 0.8544 + 0. und das Streifenleitungsbändchen auf die Masseplatte umgebogen und kontaktiert.6 berücksichtigt werden.eff − 0.456 E = 1 − 0.35 oder 1.2 Kurzschlüsse Werden reale Kurzschlüsse von Streifenleitungen verlangt. Bei Frequenzen von 6– 10 GHz liegt die relative frequenzabhängige ∆lL -Verlängerung einer λ/4-langen Stichleitung unter 2 %.371 2.9236 · arctan 0.189 · {(w/h) .81 0. Die genaueste statische Gleichung wurde von Kirschning.9413/B εr .5274 C = 1 + 0. als Leitungsverlängerung gemäß Abb. breitbandige Kalibrationsnormale gefragt.084 · (w/h)1. so scheidet diese Möglichkeit aus.81 0. offenen Streifenleitungsschaltungen müssen auch die Abstrahlungsverluste gemäß Kapitel 1. 1.

34: Normierte äquivalente Leitungsverlängerung ∆lL /h des Mikrostreifenleitungs-Leerlaufs in Abhängigkeit von der normierten Leiterbreite w/h.45 8 9.8 11.25 0.5 1 2 5 10 normierte Leiterbreite w/h Abb.01 0.5 3 51 0.15 0.60 ∆ lL 0.1.50 h εr 5.9 12. Leitungsverlängerung ∆ lL/h εr =1 2 2.9 16 20 0.78 0.3 2. .2 0.30 0.6. BAUELEMENTE IN MICROSTRIP-TECHNIK normierte äquival. 1.35 40 0.40 0.1 0.20 0.02 0.55 t=0 w 3.05 0.67 0.10 0.

1. so dass der Kurzschluss nur für nicht zu hohe Frequenzen hinreichend gut ist.36 schafft hier Abhilfe. und es ragt kein E-Feld über den Kurzschluss hinaus (das gesamte elektrische Feld wird kurzgeschlossen). Gleichzeitig beengt das Bändchen die Masseströme und führt zu einer parallelen Endinduktivität (Lp ). 1. dass die Unterseite des Substrats verletzt wird und Unebenheiten durch Lötungen erhält. Gemeinsam ist beiden Methoden.5 (1.52 a) KAPITEL 1. 1.eff Lp b Streifenleiter Massefläche (homogen) T Abb. STREIFENLEITUNGEN b) h w Z L.2 · ln h/mm 2h b+t + 0.35: a) Kurzschluss durch Verlängerung des Streifenleiters nach Masse.36: Kurzschluss mit Kurzschlussplatte. wodurch ein zusätzlicher mechanischer Aufwand beim Gehäuseeinbau entsteht. ε r. . die Masseströme können so ungehindert abfließen. b) Ersatz-Endinduktivität Lp Wand Streifenleiter Substrat Massefläche Abb.45) Das Einführen einer Kurzschlussplatte nach Abb. können und zu einer Endkapazität führen. Lp /nH = 0.2235 · b+t h + 0.

Man kann damit stark gedämpfte Leitungen mit guter Anpassung herstellen. BAUELEMENTE IN MICROSTRIP-TECHNIK 53 1. Solche Strukturen dämpfen nur den Feldanteil in der Luft und benötigen daher einige Wellenlängen Baugröße. Dies kann zu einem erheblichen mechanischen Aufwand führen. Ein Problem ist der Übergang zwischen den beiden Substraten weshalb diese Methode nicht auf der eigentlichen Streifenleitung eingesetzt werden kann. Man verwendet solche Aufbauten hauptsächlich in eigenen Baugruppen zum Beispiel als Kalibrierstandard.6.39).3 Reflexionsfreie Abschlüsse Reflexionsfreie Abschlüsse können in der Mikrostreifentechnik auf vielfältige Weise hergestellt werden: • Durch Einbringen eines Kohle-Schichtwiderstandes zwischen der Streifenleitung und der Masseplatte. • Durch Auflegen eines verlustbehafteten Keils (Abb. da darüber merkliche parasitäre Anteile auftreten. Diese können mit Kompensationselementen in Grenzen ausgeglichen werden. • Durch Verwenden eines verlustbehafteten Substrats (z. 1. . Solche Formen der Leitungsführung werden auch als Antennen für höhere Frequenzen eingesetzt und haben deshalb viele Feldanteile außerhalb des Substrats.37: Widerstand für Oberflächenmontage (SMD: surface mounted device) als Abschluss für die Streifenleitung. Kompensation ZL R verlöten Abb. • Durch Aufbringen einer Dämpfungspaste auf einer Spiralanordnung (Abb. 1. wenn eine Durchkontaktierung notwendig wird oder gar das Substrat in der Form des Widerstandskörpers ausgestanzt werden muss.38). 1. Dem Vorteil geringer geometrischer Abmessungen steht der Nachteil gegenüber die Anordnung nur bis zu relativ niedrigen Frequenzen (<5 GHz) einsetzen zu können.B. Ferritmaterial).6. Durch diesen Aufbau kann auf verhältnismäßig kleinem Raum gute Anpassung (besser -20 dB bis 20 GHz) erreicht werden.1.

40 zeigt qualitativ den Feld. 1. . Abb.54 Leiterbahn KAPITEL 1. 1. Die Spirale wird mit einer stark dämpfenden Paste bestrichen. Abb. bei der die beiden Leitungen nicht gegen einander versetzt sind. STREIFENLEITUNGEN Dämpfungskeil Abb.39: Reflexionsarmer Abschluss der Streifenleitung. Leiterbreitenstufe. 1.und Stromlinienverlauf einer solchen Stufe sowie deren Ersatzschaltbild aus konzentrierten Bauelementen.6. 1. Änderungen der Leiterbreite wie in Abb.40: Ersatzschaltbild und Feldlinienverlauf einer sym.38: Abschluss durch Auflegen eines verlustbehafteten Keils. 1. 1. Die abrupte Änderung der Breite w führt zu einer Einschnürung der Stromlinien und zu einem elektrischen Streufeld auf der Stirnseite der breiteren Leitung. Abb. Derartige Wellenwiderstandssprünge werden für Impedanztransformationen benötigt.40 führen zu einer sprunghaften Änderung des Wellenwiderstandes.4 Symmetrische Leiterbreitenstufe Unter einer symmetrischen Leiterbreitenstufe wird hier eine abrupte Änderung der Breite der Streifenleitung verstanden.

T2 und T3 einzusetzen. Durch geeignete Wahl der Funktion w (z ) lassen sich reflexionsarme Wellenwiderstandsübergänge für große Bandbreiten erreichen.41: Kontinuierlicher Wellenwiderstandsübergang (Taper).5 Symmetrische Verzweigung Symmetrische Verzweigungen nach Abb. Stufenlose Wellenwiderstandsübergänge werden als „Taper“ bezeichnet. Die Verzweigung bewirkt Feldverzerrungen. Abb. 1. Diese sind um die Strecken d1 und d2 von den jeweiligen Mittellinien versetzt. d2 . ihr Einfluss kann durch die Serieninduktivität Ls im Ersatzschaltbild beschrieben werden. Abb. BAUELEMENTE IN MICROSTRIP-TECHNIK 55 Die Einschnürung der Strombahnen wirkt induktiv. 1.42b gezeigte Ersatzschaltbild beschrieben werden kann. Numerische Werte für die Elemente des Ersatzschaltbildes d1 . Die Leiterbreite w ist ortsabhängig. b) Ersatzschaltbild . Das Ersatzschaltbild ist in den Ebenen T1 . Der Einfluss des elektrischen Streufeldes wird durch die parallele Kapazität Cp im Ersatzschaltbild erfasst. a) d1 2d1 d2 T3 w1 w2 T1 T2 w1 idealer Trafo n:1 T3 b) T 1 jB p T2 Abb.41 zeigt einen solchen Übergang. n (Übertragungsverhältnis) und Bp (paralleler Blindleitwert) können den Kurven in Abb. w = w (z ).6. 1. 1.42a werden für die meisten Mikrowellenschaltungen benötigt. 1.42: a) Symmetrische Leitungsverzweigung.1. 1.6. 1. deren Einfluss durch das in Abb.43 in normierter Form entnommen werden.

1.2 1. Parallelleitwert BP2 · ZL1 0.4 1.9 n 0.42b berechnet nach dem Bandleitungsmodell mit der Grundwelle.8 1.2 1.0 1.6 1.6 norm.6 Parameter: ZL1 / ZL2 d2 / weff.16 0.0 0.4 10 GHz·mm 12 0.8 2.06 0.2 1.4 0.7 0.02 0.0 0.14 1.2 0.12 1.8 0. norm.43: Elemente d1 .5 0.0 0.2 0.4 0.4 0.8 Trafo−Windungszahl n 0.1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 f · h · 50 Ω ZL1 2.6 1.08 0.8 0.56 KAPITEL 1.3 0.5 0.5 1.2 0.6 1.6 . Bp des Ersatzschaltbildes in Abb. Bezugsebenenversatz d2 / weff. d2 .04 0.20 0. STREIFENLEITUNGEN ZL1 / ZL2 = 0.0 0.4 0.0 1.8 1.1 0.4 0.6 0.10 1.5 0.3 0.6 0.0 1.7 0.4 0.6 Abb. Bezugsebenenversatz d1 / weff.3 0.1 0.4 0.0 1.8 1.2 2.8 1.1 1. n.0 −0.4 1.8 0.25 ZL1 / ZL2 = 2.0 0. 1.18 norm.6 0.

6 Berechnung von Kopplern in Streifenleitungstechnik Zwei parallel eng nebeneinander geführte Streifenleiter.6. so findet bei Speisung an Tor 1 eine maximale Verkopplung zum Tor 3 statt.und Gegentaktwellenwiderstand ergibt sich daraus: Z0e − Z0o (1.47) (1.44: Symmetrischer Koppler in der Schaltung und Leitungsquerschnitt.50) C0 = Z0e + Z0o . lung ist abhängig von der Breite w und vom Abstand s der Leiter.44). Die Kopp3 4 Z0 w s Substrat: ε r 1 λ /4 2 w s w h Abb.49) Z0e = Z0 Z0o = Z0 1 + C0 1 − C0 1 − C0 1 + C0 (1.1. bilden einen symmetrischen Microstrip-Koppler.48) Mittels dieser Gleichungen lassen sich Gegentakt. Als weiteren Zusammenhang zwischen dem Koppelfaktor und dem Gleich. BAUELEMENTE IN MICROSTRIP-TECHNIK 57 1. 1. 1.6.46) Aus dem Koppelfaktor C0 folgen außerdem der Gegentakt-Wellenwiderstand Z0o und der Gleichtakt-Wellenwiderstand Z0e bezogen auf den Wellenwiderstand Z0 : Gleichtakt (even)-Wellenwiderstand: Gegentakt (odd)-Wellenwiderstand: Mit diesen Werten ist Anpassung an Z0 gegeben: Z0 = Z0e · Z0o (1.und GleichtaktWellenwiderstand berechnen. Für einen gegebenen Koppelfaktor C0 berechnet sich die Koppeldämpfung C(dB) in dB zu: C(dB) = −20 dB · log10 C0 (1. die gleich breit sind. während minimale Leistung zum Tor 4 fließt (Abb. Ist die Länge des Koppelabschnitts l = λ/4.

Aus Abb. Für einen gegebenen Koppelfaktor C0 und ein Substrat mit εr2 werden Z0e2 und Z0o2 wie oben beschrieben berechnet. Für Substrate mit anderer Permittivität εr gibt es ein Umrechnungsverfahren. 1.6 und gegebener Höhe h die Leiterbreite w und die Spaltbreite s des Koppelabschnitts.34): εr .51) .eff2 ermittelt (Bsp.58 KAPITEL 1.7567 · εr2 + 0.6 in Abhängigkeit vom Gleichtakt.45: Spaltbreite und Leiterbreite für gekoppelte Mikrostreifenleitungen auf einem Substrat mit εr = 9.45 folgen daraus für εr = 9. STREIFENLEITUNGEN Abb.2433 (1. 1.und Gegentakt-Wellenwiderstand. für εr2 = 2. Zur Bestimmung von w/h und s/h wird eine mittlere effektive Permittivität εr .eff2 = 0.

7567 · εr1 + 0. Vorteilhaft bei dieser Art des Kopplers ist.54) Für Z0e1 und Z0o1 kann dann mit Abb. BAUELEMENTE IN MICROSTRIP-TECHNIK Für Al2 O3 -Keramiksubstrat (εr1 = 9.46). er eignet sich daher auch als Filter.eff1 59 (1. 1.6) erhält man entsprechend: εr .6.53) (1.eff1 = 0.46: 2-poliges Bandpassfilter mit parallelgekoppelten λ/2-Resonatoren. dass Gleichstromentkopplung stattfindet. werden mehrere λ/2-lange Leitungsstücke über eine Länge von λ/4 miteinander verkoppelt (Abb.45 die Leiterbreite w/h und die Spaltbreite s/h bestimmt werden. 1. je λ/4 Abb.eff2 εr . . 1.1.eff2 εr .2433 Daraus berechnen sich für den gleichen Koppelfaktor C0 : Z0e1 = Z0e2 · Z0o1 = Z0o2 · εr .eff1 εr . Um die Flanke des Filters steiler zu machen und damit die Güte zu verbessern.52) (1.

bzw.2. 60 . Verstärker werden vielseitig eingesetzt.1: Einteilung von Verstärkern nach der Anwendung.2: Einteilung von Verstärkern nach dem idealisierten Ersatzschaltbild. Eine mögliche Einteilung diesen Fall betreffend zeigt Tabelle 2. Zwei. Verstärker nach ihrer Einund Ausgangsimpedanz und dem damit verbundenen idealisierten Ersatzschaltbild zu unterteilen. Ausgangsamplitude Verstärkter Frequenzbereich Übertragene Bandbreite Einteilung Großsignalverstärker Kleinsignalverstärker Gleichstromverstärker Niederfrequenzverstärker Hochfrequenzverstärker Schmalbandverstärker Breitbandverstärker Tabelle 2. die mit Hilfe äußerer Energiequellen eine Verstärkung von Eingangssignalen vornehmen. Eigenschaft Ein.Kapitel 2 Verstärker Verstärker sind aktive Ein-.oder Mehrtore.1 ist diese Einteilung nach dem Anwendungsgebiet und den damit verbundenen Kriterien dargestellt. deshalb wird oft eine Einteilung bezüglich ihrer Anwendung vorgenommen. In Tabelle 2. Zur Schaltungssimulation kann es zweckmäßiger sein. Verstärkertyp Spannungsverstärker (Treiber) Transadmittanzverstärker Transimpedanzverstärker Stromverstärker Ersatzschaltbild Spannungsgesteuerte Spannungsquelle Spannungsgesteuerte Stromquelle Stromgesteuerte Spannungsquelle Stromgesteuerte Stromquelle Tabelle 2.

Eingangs. 2. Zusätzlich kommt diese Bauform den häufigsten Aufgabenstellungen sehr entgegen.1. 2.1 Zweitorverstärker Röhrentriode und Transistor als klassische Verstärkungselemente begünstigen aufgrund ihrer internen Dreipolstruktur den Aufbau von Zweitorverstärkern. wird auch im folgenden diese Schreibweise bevorzugt. wobei eine Elektrode dem Eingang und Ausgang gemeinsam sein muss. Beim Entwurf von Verstärkern kommt es ferner an auf Störabstand und Verzerrungen.1: Verstärker-Zweitor. Deshalb sollen die hauptsächlichen Entwurfsmethoden anhand von Zweitorverstärkern erläutert werden. gegen Temperaturschwankungen und gegen Alterung von Bauelementen. Grundsätzlich kann ein Verstärker durch eine Darstellung gemäß Abb. Da sich in diesem Frequenzbereich eine Darstellung der Bauteileigenschaften durch Streuparameter anbietet und auch die Halbleiterhersteller fast ausnahmslos ihre HF-Komponenten durch Streuparameterangaben spezifizieren. Im folgenden werden nur die Eigenschaften von Verstärkern für höhere Frequenzen (f > 100 MHz) eingehend untersucht und Optimierungsverfahren beschrieben.2.1 beschrieben werden: Tor 1 I1 U1 a1 b1 I2 Tor 2 [S(ω)] a2 b2 U2 Abb. ZWEITORVERSTÄRKER 61 Weitere wichtige Eigenschaften von Verstärkern sind Eingangs. 2.1) .und Ausgangsimpedanz sowie die Übertragungsfaktoren als Funktion der Frequenz. Wirkungsgrad und Gleichleistungsverbrauch.und Ausgangssättigungspegel. b1 = S11 a1 + S12 a2 b2 = S21 a1 + S22 a2 (2. Stabilität gegen Änderung der Abschlussimpedanz.

Die Eigenschaften des entsprechenden Zweitors hängen davon ab.2). darüber sind oftmals erhebliche Abweichungen aufgrund der Chargenstreuungen in der Produktion zu verzeichnen. einen großen Spannungsübertragungsfaktor.und dem Ausgangstor angehört. welche der drei Elektroden gleichzeitig dem Eingangs. Source-. Für die Elemente der Streumatrix eines Verstärkers gelten hierbei folgende idealisierte Forderungen: Sij = const = f (ω ) im Betriebsfrequenzbereich Sii = 0 (Eigenreflexionsfreiheit) S12 = 0 (Rückwirkungsfreiheit) |S21 | ≫ 1 (hohe Verstärkung) (2. Die Emitterschaltung des Transistors und die Kathodengrundschaltung der Röhrentriode besitzen große Übertragungsfaktoren für Spannung und Strom. der kleiner als eins ist.1. aber einen Stromübertragungsfaktor ungefähr kleiner als eins. Soll eine andere Grundschaltung eingesetzt werden. Bei Frequenzen unter 10 GHz kann hiervon ausgegangen werden.) muss auf eine oder mehrere dieser Forderungen verzichtet werden. Die Kollektorschaltung des Transistors und die Anodengrundschaltung der Röhrentriode verbinden einen Spannungsübertragungsfaktor. In diesem Fall empfiehlt sich ein Nachmessen jedes Einzelelements oder zumindest einer repräsentativen Auswahl von Mustern mittels eines vektoriellen Netzwerk-Analysators mit Transistormessfassung. mit großer Eingangs.62 KAPITEL 2. so können die Daten unter gewissen Voraussetzungen aus den vorhandenen hergeleitet werden.2) Je nach Anforderung (Verstärkung. Dies gilt analog für Gate-. Hersteller dieser Verstärkerelemente geben meist nur die Streuparameter für eine dieser Grundschaltungen an. Wichtigste Voraussetzung ist. Die Basisschaltung des Transistors und die Gittergrundschaltung der Röhrentriode haben einen niedrigen Eingangswiderstand. Breitbandigkeit usw. VERSTÄRKER Für Kleinsignalbetrieb reicht zum weiteren Einsatz der Komponente in einer größeren Baugruppe die Kenntnis der zumeist frequenzabhängigen Streumatrix [S (ω )] aus. dass die Zweitordaten fehlerfrei und reproduzierbar durch den Hersteller ermittelt wurden. und Drain-Schaltung beim Feldeffekttransistor (FET. 2. . Rauscharmut.1 Grundschaltungen Transistor und Röhrentriode sind Verstärkerelemente mit drei Elektroden. Abb.und kleiner Ausgangsimpedanz (Impedanzwandler). 2.

2. 2. 10 GHz uneingeschränkt zulässig. ZWEITORVERSTÄRKER a) Gate−Schaltung N−Kanal− Sperrschicht Feldeffekttransistor: Gate Source Drain G S 63 b) Source−Schaltung D G D c) Drain−Schaltung S d) Basis−Schaltung Emitter Collector e) Emitter−Schaltung C B f) Collector−Schaltung E B NPN−Bipolar Transistor: Basis E C g) Gitter−Schaltung Vakuum− Triode: Gitter Kathode Anode h) Kathoden−Schaltung G A i) Anoden−Schaltung G K K A Abb.3: Dreitordarstellung eines Zweitors.2.B. Dreitor [S] Zweitor [S ] T Abb. durch Kapazitäten zwischen Chip und Streifenleitungsmasse) sowie der unsicheren Festlegung der Bezugsebenen für die Herstellerangaben der Streuparameter (Streuparameter müssen immer auf einen definierten geometrischen Ort bezogen sein) ist diese einfache Umrechnung nur bis ca. die gemäß Abb. Bei der Umrechnung von einer Grundschaltung in eine andere wird von einer Dreitordarstellung ausgegangen. Für höherfrequente Anwendungen muss für jede Grundschaltung getrennt eine Messung durchgeführt werden.2: Grundschaltungen von aktiven Verstärkerbauteilen.3 (bei hohen Frequenzen) aus der Zweitordarstellung resultiert. 2.1. Aufgrund schon vorhandener interner Massebezüge (z. .

2. Drei−Elektroden−Bauteil aT 1 1 E 1 E aT 2 2 2 bT E 3 bT a T=b 3 L b T=a L 3 r Abb. VERSTÄRKER Es ist allgemein zu beachten. 2. in der die Parameter ermittelt wurden. Ausgehend von Abb.3 beschrieben: b1 = S11 a1 + S12 a2 + S13 a3 b2 = S21 a1 + S22 a2 + S23 a3 b3 = S31 a1 + S32 a2 + S33 a3 (2. 2. 2. eines der Tore kurzgeschlossen (Abb.und auslaufenden Wellen in den Toren durch Gl. 3 Kurzschluss Im folgenden Beispiel sei die Elektrode E3 die gemeinsame Masse für Eingang und Ausgang.4). entsprechend muss Tor 3 mit einem Kurzschluss versehen werden: r3 = bL a = 3 = −1 aL b3 (2.3) T Um die Streuparameter Skl des Transistor-Zweitors zu bestimmen wird je nach der Grundschaltung. dass die bei der Ermittlung der Streuparameter eingesetzten Arbeitspunkte auch beim späteren Betrieb des Bauelements eingehalten werden.3 für die Beschreibung eines Drei-Elektroden-Bauteils als Dreitor wird die Beziehung zwischen den ein.4: Drei-Elektroden-Bauteil als Dreitor.64 KAPITEL 2.4) .

13) (2.9) (2.2 j =1.4 erhält man sodann die aus den Dreitor-Parametern abgeleitete Zweitormatrix S T des Transistors.16) T S22 = S22 + S31 = 1 − S33 − S32 S12 = 1 − S22 − S32 S21 = 1 − S22 − S23 S13 = 1 − S23 − S33 S11 = 1 − S12 − S13 Aus den somit ermittelten Dreitor-Parametern kann gemäß Gl.12) (2. 3 Sij = 1 f u ¨ r i = 1.6 und Gl. Gl.2 S32 = S23 = 1 + S33 T T − S22 · 1 − S12 2 1 + S33 T T · 1 − S21 − S22 2 S23 S32 1 + S33 (2.11) (2. 2. 2.5 durch sinngemäße Vertauschung der Tore die Zweitormatrix für jede beliebige Grundschaltung ermittelt werden. ZWEITORVERSTÄRKER 65 Aus Gl. 2. .7 folgen aus den Maschen.3 und Gl. Diese können aus der Matrizentheorie für indefinite Dreitore (Bezugspotential nicht festgelegt) hergeleitet werden.2 T T T T S11 + S12 + S21 + S22 j =1.8) = T T T T T 4− 4 − (S11 + S12 + S21 + S22 ) Sij i=1.und Knotenregeln.6) Sij = 1 f u ¨ r j = 1.5) Zur vollständigen Bestimmung aller 9 Dreitor-Parameter aus den 4 ZweitorParametern fehlen somit noch 5 Gleichungen. 2. 2 .14) (2.7) Durch einige Umformungen lassen sich daraus sämtliche Dreitor-Parameter ermitteln: T Sij i=1.10) (2.2 S33 = (2.1.15) (2. bT 1 bT 2 = S11 − S13 S31 1+S33 S23 S31 1+S33 S21 − S12 − S22 − S13 S32 1+S33 S23 S32 1+S33 · aT 1 aT 2 = T T S11 S12 T T S21 S22 · aT 1 aT 2 (2. 2.2. 3 i=1 (2. 3 j =1 3 (2. 2 .

2. Eingangsstrom) durch eine oder beide Ausgangsgrößen (Ausgangsspannung.66 KAPITEL 2. VERSTÄRKER 2.5d: P-Parameter).B. Beschränkt man sich auf den Fall. erhält man eine Rückkopplung. zur Stabilisierung und zur Verringerung der nichtlinearen Verzerrungen von Verstärkern. Ausgangsstrom) verändert werden. in Phase) und Gegenkopplung (negative Rückkopplung. 2.18) . Bei einem aktiven elektrischen Zweitor können eine oder beide Eingangsgrößen (Eingangsspannung.17) der Einzelmatrizen ergibt.5c: H-Parameter. wodurch sich als resultierende Z-Matrix gemäß Gl. in Gegenphase). 2. 2.17 einfach die Summe a b a b Z11 + Z11 Z12 + Z12 a b a b Z21 + Z21 Z22 + Z22 Z R = (2.5b: Y-Parameter. Abb. dass nur jeweils eine Eingangsgröße durch eine Ausgangsgröße beeinflusst wird.6 (oben) die Streuparameter in auf den Anwendungsfall zugeschnittene Parameter um: Bei Abb. 2. Zur Ermittlung der resultierenden Gesamtstreumatrix [S R ] des rückgekoppelten Zweitors wandelt man zweckmäßigerweise zuerst mit Hilfe von Abb. 2. ergeben sich entsprechend den vier Kombinationsmöglichkeiten die vier in Abb.1.5a in Z-Parameter (2. 2.2 Gegenkopplung Führt man eine Ausgangsgröße eines aktiven Zweitors (z. Gegenkopplungsschaltungen bieten eine einfache. Man unterscheidet dabei zwischen Mitkopplung (positive Rückkopplung.6 (unten) Durch anschließende Rücktransformation nach Z R −→ S R erhält man die gewünschte Gesamtstreumatrix S R . zum Anpassen. (2. Verstärker) auf seinen Eingang zurück. aber sehr wirksame Methode zur Vergrößerung der Bandbreite.5 dargestellten Gegenkopplungsarten.

1. a) Serien-Serien-Gegenkopplung.Parallel-Gegenkopplung. . d) Parallel-Serien-Gegenkopplung. b) Parallel-Parallel-Gegenkopplung.2. ZWEITORVERSTÄRKER I1 I1a U1a I2a I2 67 [S ] a U2a a) U1 I1b U1b I2b U2 [S ] b U2b I1 I1a U1a I2a I2 [S ] a U2a b) U1 I1b U1b I2b U2 [S ] b U2b I1 I1a U1a I2a I2 [S ] a U2a c) U1 I1b U1b I2b U2 [S ] b U2b I1 I1a U1a I2a I2 [S ] a U2a d) U1 I1b U1b I2b U2 [S ] b U2b Abb. c) Serien. 2.5: Die vier Gegenkopplungsarten. Hierbei bedeutet [S a ] aktives Zweitor und [S b ] Rückkopplungszweitor.

Z-. ∆z . H. VERSTÄRKER ݽ½ ݾ½ Þ½½ Þ¾½ ½½ ¾½ Ô½½ Ô¾½ ´ µ ´µ´µ´µ´ ½ · ¾¾   ½½   ¡Ë ½¾ ½ · ¾¾ · ½½ · ¡Ë  ¾ ¾½ ¾¾ ½ · ¾¾ · ½½ · ¡Ë ½   ¾¾ · ½½   ¡Ë ½¾ ½   ¾¾   ½½ · ¡Ë ¾ ¾½ ¾¾ ½   ¾¾   ½½ · ¡Ë ¡Ë · ½½ · ¾¾ · ½ ½¾  ¡Ë   ½½ · ¾¾ · ½  ¾ ¾½ ¾¾  ¡Ë   ½½ · ¾¾ · ½ ¡Ë   ½½   ¾¾ · ½ ½¾  ¡Ë · ½½   ¾¾ · ½ ¾ ¾½ ¾¾  ¡Ë · ½½   ¾¾ · ½ Ë Ý Þ Ë Ë Ë Ë Ý Ë Ë Ë Ý Ë Ë Ë Ë Þ Ë Ë Ë Þ Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ô Ë Ë Ë Ô Ý Þ Ô Ô µ ½· ½  ½· · ½½ · ¡Ë · ½½   ¡Ë ¾¾ · ½½ · ¡Ë ¾ ½¾ ½   ¾¾   ½½ · ¡Ë ½ · ¾¾   ½½   ¡Ë ½   ¾¾   ½½ · ¡Ë ¾ ½¾  ¡Ë   ½½ · ¾¾ · ½ ¡Ë   ½½   ¾¾ · ½  ¡Ë   ½½ · ¾¾ · ½  ¾ ½¾  ¡Ë · ½½   ¾¾ · ½ ¡Ë · ½½ · ¾¾ · ½  ¡Ë · ½½   ¾¾ · ½ ˾¾ Ë Ë¾¾ Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë Ë  ¾ ˽¾ ˽½ Ý Ý Ë¾½ Ý ´µ´µ´µ´µ ´ µ  ¾ ½¾ ¾¾ · ½   ´¡Ý · ½½ µ ½¾ ¾¾ · ½ · ¡Ý · ½½ ¾¾ · ½ · ¡Ý · ½½  ¾ ¾½ ½½ · ½   ´¡Ý · ¾¾ µ ¾¾ · ½ · ¡ · ¾¾ Ý ½½ ¾¾ · ½ · ¡Ý · ½½ Ë Ý Ý Ë Ý Ý Ý Ý Ý Ë Ý Ý Ý Ý Þ Þ Þ Þ Ë½¾ ˽½ ˾½ ˽½ ˾½ ˽½ ˾½ ¡Þ · ½½   ´ ¾¾ · ½µ ¡Þ · ½½ · ¾¾ · ½ ¾ ¾½ ¡Þ · ½½ · ¾¾ · ½ ½½ · ¡   ½   ¾¾ ½½ · ¡ · ½ · ¾¾  ¾ ¾½ · ¡ · ½ · ¾¾ ½½ ¾¾ · ½   ¡Ô   ½½ ¾¾ · ½ · ¡Ô · ½½ ¾ ¾½ ¾¾ · ½ · ¡Ô · ½½ Þ Þ Þ Ô Ô Ô Ô Ô Ô Ô Ë¾¾ ˽¾ ˾¾ ˽¾ ˾¾ ¾ ½¾ ¡Þ · ½½ · ¾¾ · ½ ¡Þ · ¾¾   ´ ½½ · ½µ ¡Þ · ½½ · ¾¾ · ½ ¾ ½¾ ½½ · ¡ · ½ · ¾¾ ½½   ¡ · ½   ¾¾ ½½ · ¡ · ½ · ¾¾  ¾ ½¾ ¾¾ · ½ · ¡Ô · ½½ ¾¾   ½ · ¡Ô   ½½ ¾¾ · ½ · ¡Ô · ½½ Þ Þ Þ Þ Þ Þ Þ Ô Ô Ô Ô Ô Ô Ô Abb.6: Gleichungen zur Umrechnung der Streuparameter in Y-. 2.68 KAPITEL 2. ∆h und ∆p analog).und PParameter (oben) und zur Rückrechnung (unten). . Mit ∆S = S11 S22 − S12 S21 (∆y .

und Ausgänge der Verstärker aber an den Wellenwiderstand der Anschlussleitungen angepasst werden sollen.1.und Ausgangsreflexionsfaktoren haben.1 zur Dreitordarstellung des FET über. 2. die Ein. S R = S11 + S21 + S13 S31 r 3 1−S33 r 3 S23 S31 r 3 1−S33 r 3 S12 + S22 + S13 S32 r 3 1−S33 r 3 S23 S32 r 3 1−S33 r 3 (2. Außerdem ergibt sich so maximale Leistungsverstärkung und minimale Rauschzahl.18 oder Gl.8 – Gl. 2.5 kann dann für beliebige Gegenkopplungsimpedanzen (Abschluss mit r 3 an Tor 3) die resultierende Zweitormatrix gemäß Gl.3 Stabilität und Leistungsanpassung Da die GaAs-FETs bezüglich 50 Ω hohe Beträge der Ein.19) R Hierin sind Sij die Streuparameter des mit r 3 gegengekoppelten FET und die Sij die Dreitorparameter. Für den häufig vorkommenden Fall der Serien-Serien-Gegenkopplung gemäß Abb. 2. Sie werden im Allgemeinen in der SourceSchaltung mit dem Gate als Eingang und dem Drain als Ausgang gemessen.1. 2. R Aus den durch Gl.2.19 ermittelten Streuparametern Sij können dann später die Stabilität sowie die Gesamtverstärkung ermittelt werden. ZWEITORVERSTÄRKER 69 a) G D S r 3 b) G D S Z0 Z3 Z0 Z0 Z0 Abb. Die Source-Schaltung ist stabiler als die Drain. 2.oder die Gate-Schaltung.7: a) Gegen. .(Rück-)gekoppelter FET. Die Berechnung erfolgt mit Hilfe der im TransistorDatenblatt angegebenen S-Parameter. 2. Analog zu Gl. müssen Anpassnetzwerke vorgesehen werden. b) Praktische Ausführungsform in Streifenleitungstechnik.19 bestimmt werden. Die Impedanz Z3 ist als leerlaufende. da sie nur eine geringe Rückkoppelkapazität zwischen Drain und Gate besitzt.1. die ausgehend von den Gl. 2.7 geht man entsprechend nach Abschnitt 2. 2. 2. stufig verlängerbare Reaktanzleitung realisiert.16 aus den gegebenen Zweitorparametern des FET resultieren.

9: Definition und Bezugsebenen der Reflexionsfaktoren. unbedingt stabil ist es.20) ϕS beliebig Die Winkel ϕL und ϕS bezeichnen die Argumente der Reflexionsfaktoren r L und rS . Zs Eingangsnetzwerk FET Ausgangsnetzwerk ZL rs rein raus rL Abb. . Die Art der Anpassung richtet sich nach dem Stabilitätsverhalten des Transistors. wenn gilt: |rein | ≤ 1 für alle |rL | ≤ 1 und |raus | ≤ 1 für alle |rS | ≤ 1 und und ϕL beliebig (2. bedingt stabilen und unbedingt stabilen Vierpolen bzw. 2. Zweitoren. i2 D G u1 S Abb.70 KAPITEL 2. wenn es sich bei jeder beliebigen passiven Beschaltung stabil verhält. in dem eine herbeigeführte Störung nicht anklingt. Ein Zweitor ist für eine gegebene Frequenz unbedingt stabil. 2. Die Stabilitätsbedingungen lassen sich mit Hilfe der S-Parameter ausdrücken. i1 u2 S Stabilität des Zweitores Man unterscheidet in der Vierpoltheorie zwischen instabilen. VERSTÄRKER wenn die Anordnung richtig angepasst ist. Als stabil wird ein Netzwerk bezeichnet.8: N-Kanal-FET in Source-Schaltung.

Für unbedingt stabile Zweitore ist nur das negative Vorzeichen zutreffend.20 gilt nicht. 2. Gl. 2.20 folgt als notwendige und hinreichende Bedingung: K > 1 und |S12 S21 | < 1 − |S11 |2 oder |S12 S21 | < 1 − |S22 |2 K wird als Rollett’scher Stabilitätsfaktor bezeichnet (Rollett.23) (2.1.2. und negativ. wenn B1 bzw. B1 und B2 sind positiv.22) Für K ≤ 1 ist ein Zweitor nur bedingt stabil oder instabil.9). 1962). 2. B2 negativ ist.28) B2 = 1 + |S22 |2 − |S11 |2 − |∆S |2 B1 = 1 + |S11 |2 − |S22 |2 − |∆S |2 Das Vorzeichen der Wurzeln ist positiv.h. Ein Verstärker kann sowohl mit einem unbedingt stabilen als auch mit einem bedingt stabilen Bauelement aufgebaut werden.26) (2.24) (2.und Ausgang gleichzeitig Leistungsanpassung ohne Selbsterregung möglich.24 zu: rS = rL = mit: ∗ C2 = S22 − ∆S S11 ∗ C1 = S11 − ∆S S22 B1 ± B2 ± 2 B1 − 4| C1 | 2 2C1 2 B2 − 4| C2 | 2 2C2 (2. Da in der Literatur mehrfach abgeleitet.21) (2. d. K= 1 + |∆S |2 − |S11 |2 − |S22 |2 2|S12 S21 | mit ∆S = S11 S22 − S12 S21 71 (2. 2.25) (2. Dazu muss der Reflexionsfaktor r S des Eingangsnetzwerkes konjugiert komplex zum Eingangsreflexionsfaktor r ein des FETs und der Reflexionsfaktor rL der Last konjugiert komplex zum Ausgangsreflexionsfaktor raus des Zweitores sein (Abb. ZWEITORVERSTÄRKER Aus Gl. 2. 2. . wenn der Wert von B1 bzw.23 und Gl. B2 positiv ist. Die Reflexionsfaktoren r S und rL ergeben sich in diesem Fall gemäß Gl.27) (2. dann ist an Ein. Verstärker mit unbedingt stabilem Zweitor Sind die Voraussetzungen (Gl.h. sei hier nur das Resultat der Berechnungen dargelegt.20) für unbedingte Stabilität des Transistorzweitores erfüllt. d.

37 für |raus | |r aus | = S22 + S12 S21 r S ! =1 1 − S11 r S (2. |raus | ≤ 1 für alle |r S | ≤ 1 (2. wenn |rein | ≤ 1 und gilt. 2. dass der Verstärker im stabilen Bereich arbeitet und nicht zu schwingen anfängt.34) Aus dieser Forderung ergibt sich der Stabilitätskreis in der komplexen r L -Ebene: ∗ S22 − S11 ∆∗ S (2.72 KAPITEL 2. VERSTÄRKER Sind die Anpassnetzwerke so ausgelegt. 2.33) für alle |r L | ≤ 1 (2.36) Aus der zu Gl.34 analogen Gleichung Gl.und Ausgangsreflexionsfaktoren gilt: r ein = S11 + raus = S22 + S12 S21 r L 1 − S22 rL S12 S21 r S 1 − S11 r S (2. dann erhält man den maximalen verfügbaren Leistungsgewinn (Maximum Available Power Gain: MAG) Gmax = MAG = √ S21 · K − K2 − 1 S12 (2.29) Verstärker mit bedingt stabilem Zweitor Für bedingt stabile Transistoren müssen die Reflexionsfaktoren der Anpassnetzwerke so gewählt werden.35) M = L Mittelpunkt: |S22 |2 − |∆S |2 Radius: RL = S12 S21 |S22 |2 − |∆S |2 (2.30) (2.37) . 2. 2.32) Die Grenze zwischen stabilem und instabilem Bereich ist also gegeben durch: |r ein | = S11 + S12 S21 r L ! =1 1 − S22 rL (2. dass r S und rL die Gl.23 und 2. Für die Eingangs.31) Nach Gl. Die Grenze zwischen stabilem und instabilem Bereich wird durch die Stabilitätskreise im Smith-Diagramm festgelegt.20 ist das Zweitor für eine gegebene Frequenz unbedingt stabil.24 erfüllen.

In diesem Fall wäre folglich in Abb. ob der jeweilige Stabilitätsbereich durch die Fläche innerhalb oder außerhalb dieser Kreise gegeben ist. 2. mit bzw. . ergeben einen Eingangsreflexionsfaktor mit |r ein | = 1. 2).10 der instabile Bereich durch den nicht schraffierten Teil im Inneren des Einheitskreises gegeben. Die beiden Stabilitätskreise geben jeweils nur Aufschluss über das Stabilitätsverhalten bei einer Frequenz.41) so liegen sie genau auf der Grenze zwischen stabilem und instabilem Bereich. Diese Wahl ergibt einen guten Kompromiss zwischen Stabilität und Leistungsgewinn (siehe später Gl. RS (|raus | = 1).38) (2.10 schematisch für typische Fälle dargestellt. Mit r S = 0 wird raus = S22 . 2. die auf dem Kreis mit dem Mittelpunkt M L und dem Radius RL liegen.40) mit ∗ j ϕL r∗ L = |r L | · e |r ∗ L | = |M L | − RL ϕL = arg(M L ) (2. 2. Diese Verhältnisse sind in Abb.1. so ist auch |r aus | < 1 und |r ein | < 1 und der Mittelpunkt der r S -Ebene bzw. ZWEITORVERSTÄRKER erhält man den Stabilitätskreis in der rS -Ebene: Mittelpunkt: Radius: MS = RS = 73 ∗ S11 − S22 ∆∗ S |S11 |2 − |∆S |2 (2. r L -Ebene liegt im stabilen Bereich.39) S12 S21 |S11 |2 − |∆S |2 Es ist zu prüfen. r L -Ebene. rL = 0 führt auf r ein = S11 . in dem für das Zweitor K < 1 gilt. Bei |Sii | > 1 dagegen gehört der Mittelpunkt der betreffenden Reflexionsfaktorebene zum instabilen Bereich.50).2. Man wählt dazu zweckmäßigerweise jeweils den Mittelpunkt der r S -. Ist das betreffende |Sii | < 1 (i = 1. Der bei passiven Abschlüssen (|rL | ≤ 1) vorhandene stabile Bereich ist schraffiert gezeichnet. Entsprechendes gilt für die Quellreflexionsfaktoren rS auf dem Kreis M S . Will man Stabilität für alle Frequenzen sicherstellen. dass die Schaltung stabil arbeitet. Wählt man die Reflexionsfaktoren zu: ∗ j ϕS r∗ S = |r S | · e |r ∗ S | = |M S | − RS ϕS = arg(M S ) Alle Lastreflexionsfaktoren rL . Die Verluste in den Anpassschaltungen stellen jedoch sicher.: (2. so muss man folglich die Stabilitätskreise für alle Frequenzen aus dem möglicherweise weiten Frequenzbereich konstruieren. bzw.

74

KAPITEL 2. VERSTÄRKER

r=0 ausserhalb des Stabilitätskreises |S 11| < 1 bzw. |S 22| < 1

r=0 innerhalb des Stabilitätskreises

stabil

instabil

stabil

instabil |S 11| > 1 bzw. |S 22| > 1 instabil stabil stabil

instabil
Abb. 2.10: Stabilitätsbereiche in der r L - bzw. rS -Ebene.

Dies gilt, solange keine Temperaturdrift oder Alterungserscheinungen auftreten und solange der Transistor nicht ausgewechselt wird. In diesem Fall müssen bei der Berechnung der Stabilitätskreise diese Faktoren mitberücksichtigt werden. Des weiteren müssen für eine optimale Auslegung des Verstärkers weitere Kriterien wie Bandbreite und Rauschverhalten hinzugezogen werden. Außerdem sind die S-Parameter frequenzabhängig und damit auch die Reflexionsfaktoren r S bzw. r L . Sie stellen also nur Richtwerte für den Entwurf schmalbandiger Verstärker dar. Beispiel: In Abb. 2.11 sind die Stabilitätskreise in der r S - und r L -Ebene für einen GaAsMESFET-Chip CFY 10 dargestellt. Da stets |S11 | < 1 und |S22 | < 1 ist, liegt der instabile Bereich hier jeweils innerhalb der Stabilitätskreise. Aufgrund der mit

2.1. ZWEITORVERSTÄRKER

75

4GHz 7GHz

4GHz

7GHz

10GHz

2GHz

2GHz

5GHz 7GHz 10GHz 12GHz 12GHz 0 0.2 0.5 15GHz 15GHz 1 2 3 5 8 4GHz 7GHz 7GHz 10GHz 9GHz S 11 11GHz 3GHz

*

1GHz

12GHz

12GHz 10GHz 15GHz

15GHz S 22

11GHz

*

7GHz 5GHz 3GHz

4GHz

2GHz 1GHz 0 0.2 0.5 1 2 3 5 8

Abb. 2.11: Stabilitätskreise für einen GaAs-MESFET-Chip (CFY 10, Siemens AG) in der rS - (oben) und rL -Ebene (unten). Zum Vergleich sind für diesen ∗ und S ∗ angegeben. Der instabile Bereich liegt jeweils innerhalb Chip S11 22 der Stabilitätskreise.

76

KAPITEL 2. VERSTÄRKER

wachsender Frequenz absinkenden Verstärkung |S21 | und des damit sich erhöhenden Stabilitätsfaktors wird der instabile Bereich in den Reflexionsfaktorebenen mit wachsender Frequenz kleiner. Unterhalb von 9 GHz ist der Chip bedingt stabil (K < 1), so dass je nach ∗ Reflexionsfaktor der Beschaltung Stabilität oder Instabilität vorliegen kann. S11 ∗ und S22 , die zum Vergleich eingezeichnet sind, verlaufen z.B. überwiegend im stabilen Bereich. (Es sei hier daran erinnert, dass die Reflexionsfaktoren r ein und r aus bei beliebiger Beschaltung wegen der Rückwirkung nicht genau mit S11 und S22 übereinstimmen). Oberhalb von 9 GHz (K > 1) liegen die Stabilitätskreise außerhalb der Impedanzebene, so dass bei passiven Abschlüssen keine Selbsterregung möglich ist. Aus Abb. 2.11 erkennt man auch, dass die Mittelpunkte der Stabilitätskreise ∗ ungefähr auf der Verlängerung der Verbindungslinie von r = 0 und Sii (i = 1, 2) liegen. Leistungsgewinndefinitionen Beim Entwurf von Verstärkern interessiert das Leistungsübertragungsverhalten. Es gibt mehrere Leistungsgewinndefinitonen, deren ausführliche Erläuterungen in Zinke/Brunswig: Lehrbuch der Hochfrequenztechnik, Springer Verlag 1999, 2. Band Kapitel 9.1 erfolgt; hier sei nur eine knappe Darstellung gegeben. • Klemmen- oder Betriebsleistungsgewinn (operating power gain) G P2 vom Zweitor an den Verbraucher abgegebene Leistung = P1 von der Quelle an das Zweitor abgegebene Leistung = f ([S ],rL ) (2.42) 2 2 |S21 | (1 − |rL | ) G = ∗ 2 2 )] 1 − |S11 | + |rL | (|S22 |2 − |∆S |2 ) − 2Re [r L (S22 − ∆S S11

G =

G hängt von den Zweitorparametern und r L ab, nicht jedoch von rS . Über die Ausnützung der von der Quelle verfügbaren Signalleistung durch das Zweitor und die Last sagt der Klemmenleistungsgewinn nichts aus. • Übertragungsleistungsgewinn (transducer power gain) GT GT = vom Zweitor an den Verbraucher abgegebene Leistung P2 = P1V von der Quelle verfügbare Leistung = f ([S ],rL , r S ) (2.43) 2 2 2 |S21 | (1 − |rS | ) (1 − |r L | ) = |(1 − S11 rS )(1 − S22 r L ) − S12 S21 r L r S |2

GT

2. Bei Fehlanpassung ist GA > GT . • Verfügbarer Leistungsgewinn (available power gain) GA GA = vom Zweitor verfügbare Leistung P2V = P1V von der Quelle verfügbare Leistung = f ([S ].44) = f ([S ]. wodurch der Rechenaufwand für den Schaltungsentwurf erheblich geringer wird. vom Zweitor bei Vernachlässigung der Rückwirkung an den Verbraucher abgegebene Leistung = von der Quelle verfügbare Leistung (2. jedoch nicht von rL . Im Allgemeinen ist GT < G. dass der Zweitorausgang und die Verbraucherimpedanz angepasst sind. Falls der Spezialfall vorliegt. das Quelle und Verbraucher verlustlos anpasst. im Vergleich zu einem angenommenen passiven Netzwerk. je kleiner u ist. gilt GT = G. ZWEITORVERSTÄRKER 77 GT hängt von den Zweitorparametern. . Spezialfall: • Unilateraler Übertragungsleistungsgewinn (unilateral transducer power gain) GT u Falls die Rückwirkung klein ist. rS ) 2 2 2 |S21 | (1 − |rS | ) (1 − |rL | ) = |1 − S11 rS |2 · |1 − S22 rL |2 GT u GT u Für das Verhältnis von GT zu GT u lässt sich folgende Ungleichung angeben: 1 GT 1 < < 2 (1 + u) GT u (1 − u)2 mit u= r S rL S12 S21 (1 − r S S11 )(1 − rL S22 ) (2.46) 2 2 |S21 | (1 − |rS | ) = ∗ 2 2 )] 1 − |S22 | + |rS | (|S11 |2 − |∆S |2 ) − 2Re [r S (S11 − ∆S S22 GA GA hängt von den Zweitorparametern und r S ab.1. Nur für den Spezialfall. von r S und von r L ab. kann sie in erster Näherung vernachlässigt werden (S12 = 0). dass Quelle und Zweitoreingang angepasst sind. welchen Vorteil ein aktives Zweitor bezüglich der Leistungsübertragung bringt. gilt GA = GT .45) Der Fehler wird um so kleiner.r L . rS ) (2. GT beschreibt.

47) 2 2 |S21 | |1 − r L r S | = |(1 − S11 r S )(1 − S22 rL ) − S12 S21 rL r S |2 GI GI hängt von den Zweitorparametern. dass Quelle und Verbraucher angepasst sind. rS ) (2. . GA wird für Rauschberechnungen benötigt. 2. Kreise konstanter Verstärkung Durch die Vernachlässigung der Rückwirkung (S12 = 0) wird nach Gl. 2. sowie von rS und r L ab. wenn ein Zweitor zwischen Quelle und Verbraucher eingefügt wird. Liegt an Ein. Für den Spezialfall. wird ein vereinfachtes und anschauliches Vorgehen beim Schaltungsentwurf möglich. der gemessen wird. r aus |S12 =0 = S22 (2.und Ausgang Leistungsanpassung vor. • Maximaler Leistungsgewinn (Maximum Available Power Gain) MAG = Gmax Der maximale Leistungsgewinn wird erreicht.r L . wenn an Ein. GI entspricht dem gemessenen Gewinn. Bei unbedingt stabilen Zweitoren kann dieser Zustand immer erein reicht werden.30 der Eingangsreflexionsfaktor r ein eines Zweitors unabhängig vom Lastreflexionsfaktor r L und nach Gl. GI entspricht dem Gewinn. VERSTÄRKER • Einfügungsleistungsgewinn (insertion power gain) GI GI = P2 vom Zweitor an den Verbraucher abgegebene Leistung = PS von der Quelle an den Verbraucher abgegebene Leistung = f ([S ].78 KAPITEL 2. gilt GI = GT . r ein |S12 =0 = S11 . dann ergeben alle Gewinndefinitionen den gleichen Wert: G = GT = GA = GI = MAG = f ([S ]) Zur Verwendung der verschiedenen Gewinndefinitionen ist festzustellen: GT wird üblicherweise von Schaltungsentwicklern zur Beschreibung der Wirksamkeit einer Verstärkerschaltung bei den jeweils vorliegenden Betriebsbedingungen benutzt. MAG kann als Funktion der Streuparameter des Zweitores angegeben werden (Gl.und Ausgang des Zweitores Leistungsanpassung vorliegt. Es gilt dann: r L = r ∗ aus und r S = r∗ . wenn ein Zweitor zwischen Quelle und Verbraucher eingefügt wird. MAG wird dagegen von Bauelementeherstellern zur Beschreibung des mit einem aktiven Element überhaupt erzielbaren maximalen Gewinns herangezogen.29). 2.31 der Ausgangsreflexionsfaktor r aus unabhängig vom Quellenreflexionsfaktor r S .48) Weil so Eingang und Ausgang entkoppelt sind.

49).max 2 · |S21 | · 1 − |S11 | 1 − |S22 |2 (2. . Für r S = 1 wird GSu = 0. die ein konstantes GSu (0 < GSu < GSu . für r S = 0 wird GSu = 1 (Gl.2. wie die in Gl.12: Unilateraler Übertragungsgewinn GT u eines mit Anpassungsnetzwerken beschalteten Zweitors. dass alle r S -Werte. die in eindeutiger Weise den Transformationsnetzwerken und dem Zweitor zugeordnet werden können. wenn das Zweitor beidseitig konjugiert komplex angepasst wird (r S = S11 .49 ergibt: GTu .max ) bewirken können. ob die Transformtionsnetzwerke die Anpassung gegenüber dem Fall r S = rL = 0 verbessern oder verschlechtern.50) Das eingangs erwähnte Verfahren für den Schaltungsentwurf beruht nun darauf.1. GT u = 1 − |r S |2 1 − |r L |2 2 · | S | · 21 |1 − S11 r S |2 |1 − S22 r L |2 = GSu · G0 · GLu = GSu dB + G0 dB + GLu dB (2. 2.49 etwas anders dargestellte Gl. 2.max = 1 1 2 = GSu . 2. ∗ r L = S22 ). der beim Schaltungsentwurf durch eine geeignete Anpassungsschaltung optimiert werden kann. 2.49) Zs Us GSu G0 (S12=0) r S 11 S 22 r GLu ZL r ’ =0 S S L r’ =0 L Abb. ZWEITORVERSTÄRKER 79 In Abb. 2.44 einem Netzwerk zugeordnet werden kann.max · G0 · GLu . GT u wird als das Produkt von drei Verstärkungsbeiträgen aufgefasst. erhält man einen Anpassungsgewinn oder einen Anpassungsverlust. im Smith-Diagramm auf einem Kreis liegen. 2. Einsetzen in Gl. Je nachdem.max erhält ∗ man.12 ist gezeigt. Der Verstärkungsbeitrag GSu beispielsweise hängt bei gegebenem S11 (Zweitoreigenschaft) nur vom Reflexionsfaktor r S der Quelle ab. Den maximalen unilateralen Übertragungsgewinn GT u.

rL.65/168◦ und r L = 0.13 bestimmten Werten (GTu . wobei nur r S durch rL und S11 durch S22 zu ersetzen sind. gi die zugehörige normierte Verstärkung.max und die erforderliche Anpassung bei exaktem Vorgehen. S22 . also bei Berücksichtigung der Rückwirkung (|S12 | = 0.56 + 2. Dort. wo die G-Kreise dicht benachbart sind.08). Ri ist der Kreisradius. jene außerhalb davon eine Verschlechterung. j = L Der Mittelpunkt des Kreises konstanter Verstärkung Gi liegt in Richtung des ∗ Vektors Sii im Abstand di vom Mittelpunkt des Smith-Diagrammes. angegeben: GT . .52) 1 − |Sii |2 (1 − gi ) mit gi = Gju 1 − |Sii |2 = Gju .(i = 1) und Ausgangsanpassung (i = 2) auf den Gewinn GT u kann folglich jeweils durch eine Schar von Kreisen konstanter Verstärkung beschrieben werden. 2. Bei S11 bzw.73/178◦ und rL = 0.bzw. deren Mittelpunkte und Radien im Smith-Diagramm gegeben ist durch gi · |Sii | (2. r L -Ebene gezeigt. die sich innerhalb des 0 dB-Kreises befinden. Zum Vergleich mit den aus Abb. Mit Gl.max = MAG = 8. Die Mittelpunkte der G-Kreise liegen jeweils auf der Verbindungsgeraden zwischen dem Mittelpunkt des Smith∗ ∗ ∗ ∗ Diagramms und S11 bzw.max i = 1.62/72◦) sind im folgenden Werte für den maximalen Gewinn GT . 2.13 sind Kreise konstanter Verstärkung (G-Kreise) für einen GaAsMESFET-Chip für 12 GHz in der r S .1) dB = 8. Der Einfluss der Eingangs.26 dB für r S = 0. bringen eine Verbesserung gegenüber dem Fall der Beschaltung mit Z0 .max = (2. Gju . VERSTÄRKER Der Ausdruck für GSu ist formal gleich dem von GLu . Für GLu gilt daher dasselbe wie für GSu .51) di = 1 − |Sii |2 (1 − gi ) √ 1 − gi · 1 − |Sii |2 Ri = (2. j = S bzw.max = GA.9 dB für rS = 0. S22 werden die Verstärkungsbeiträge maximal (gi = 1): die Kreise entarten jeweils zu einem Punkt. i = 2. 2.80 KAPITEL 2.45 kann der maximale Fehler für GT abgeschätzt werden.71/85◦. ändert sich GT u stark mit rS bzw.3 + 20 · lg 1. Beispiel: In Abb. Die G-Kreise.

ZWEITORVERSTÄRKER 81 GSmax = 2. . GLu in der rL -Ebene (unten) für einen GaAs-MESFET-Chip CFY 10 bei 12 GHz mit |S21 | = 1.3dB rS −Ebene j −10dB −5 −2 0 1 S11 0 * 2.5 −5−10dB 1 2 3 5 10 8 8 0.2 −j j GLmax = 2.3 1 0 −2 0. 2.1.2 0.5 1 S22 2.1dB rL −Ebene 1 0 −2 −5 0 0.2.1 1 0 −2 −5 −10dB 2 3 5 10 * −10dB −j Abb.56 (Annahme: S12 = 0).13: Kreise konstanter Verstärkung GSu in der r S -Ebene (oben) bzw.

14: Rauschendes Zweitor Es ergibt sich die allgemein bekannte Beziehung (Nyquistgleichung) |UN |2 = 4kT BRN mit k = 1.14b auch durch eine externe Rauschquelle UN und einen rauschfreien Widerstand RN beschrieben werden können. 2. das durch die Verstärker-Rauschzahl F charakterisiert wird. Rauschen in Zweitoren Mikrowellenverstärker produzieren auch dann ein Ausgangssignal. wenn keine Eingangsspannung anliegt. Rauschbetrachtungen sind deshalb notwendig. dessen Rauscheigenschaften gemäß Abb. 2. weil maximale Verstärkung und minimales Rauschen nicht bei der gleichen Dimensionierung des EingangsAnpassnetzwerks auftreten. Ursache hierfür ist das thermische oder JohnsonRauschen des Verstärkers.82 KAPITEL 2.14a mit einem rauschenden Widerstand RN abgeschlossen. Der Querstrich steht für den zeitlichen Mittelwert. wird deshalb hier die bekannte Methode der Kreise konstanten Rauschens aufgezeigt. . Um für die gegebene Aufgabe jeweils ein Optimum festlegen zu können. 2.38 · 10−23 J (Boltzmann-Konstante) K (2. soll hier in geraffter Darstellung die Charakterisierung und Optimierung des Verstärkerrauschverhaltens gezeigt werden. Zur Bestimmung dieser Rauschzahl wird wie folgt vorgegangen: Ein rauschendes Zweitor wird am Eingangstor 1 gemäß Abb. a) rauschendes Zweitor b) RN rauschendes Zweitor RN ZL UN ZL Abb. VERSTÄRKER 2.1.4 Verstärkerrauschen Nachdem im vorherigen Abschnitt die Entwurfskriterien für Stabilität und Leistungsanpassung dargelegt wurden.53) für die Ermittlung des Effektivwertes UN der Rauschspannung bei bekannter Temperatur T und Bandbreite B .

46): P2V (2. Bei Kettenschaltung mehrerer Verstärkerzweitore wird die Gesamtrauschzahl entsprechend Abb. 2. 2. hängt auch die Rauschzahl F nur von der Quellimpedanz (oder vom Quellreflexionsfaktor r S ) ab. 2.55 ergibt sich die Rauschzahl F als das Verhältnis der Signal-RauschAbstände (Signal-to-Noise Ratio. sei hier noch die maximal an RN verfügbare Rauschleistung PN angeben (Lastwiderstand = Innenwiderstand): |UN |2 PN = = kT B 4RN (2. Diese sind nicht korreliert und können daher addiert werden.TOT = GA2 (GA1 PN i + Pn1 ) + Pn2 (2.54) Ausgehend von diesen Beziehungen ergibt sich die Rauschzahl F eines Zweitors per Definition (Gl.56) GA = P1V Mit Gl.55) aus dem Verhältnis der am Verstärkerausgang abnehmbaren Gesamtrauschleistung PN o zur mit dem verfügbaren Leistungsgewinn GA (Gl.15 bestimmt. ZWEITORVERSTÄRKER 83 Da das Rechnen mit Leistungen im Allgemeinen angenehmer ist und im folgenden Anwendung findet.46) des Zweitors multiplizierten Eingangsrauschleistung PN i . die durch RN verursacht wurde.58) Da die am Eingang verfügbare Leistung von der Quellimpedanz und nicht von der Lastimpedanz abhängt.und Ausgangssignal: F = P1V /PN i SNRi = P2V /PN o SNRo (2. Hierbei stellt PN i wieder die verfügbare Eingangsrauschleistung dar. Die Gesamtrauschleistung am Verstärkergruppenausgang PNo . während Pn1 und Pn2 die durch die einzelnen Verstärkerstufen hervorgerufenen Rauschleistungsanteile verkörpern.59) . Die Definition hierzu lautet: NF = 10 lg(F ) dB (2.55) P N i GA Der verfügbare Leistungsgewinn GA kann auch als das Verhältnis der am Ausgang verfügbaren Leistung P2V zur am Eingang verfügbaren Leistung P1V angeschrieben werden (Gl.1.57) Oft wird die Rauschzahl im logarithmischen Maß angegeben (Noise Figure. PN o F = (2. 2.TOT bestimmt sich zu: PNo . NF). SNR) von Eingangs. 2.2.

TOT Abb.Es kann also sinnvoll sein. Hiermit ergibt sich die Gesamtrauschzahl eines zweistufigen Verstärkers zu: F = oder F = F1 + mit F1 = 1 + Pn1 = 1 + FZ 1 P N i GA 1 und F2 = 1 + Pn2 = 1 + FZ 2 P N i GA 2 PNo . T.63.84 KAPITEL 2. · GAn−1 (2. lieber eine höhere Verstärkung der ersten Stufe bei gleichzeitig geringfügig höherer Rauschzahl F1 in Kauf zu nehmen. Friis. 2. Daraus folgt. VERSTÄRKER RN Verstärker 1 G A1 P n1 Ni Verstärker 2 G A2 P n2 G A1 Ni ZL P =kTB P +P n1 P No. Kreise konstanten Rauschens Die Rauschzahl eines Zweitors kann dargestellt werden durch Gl. 1944): Fges = F1 + F2 − 1 Fn − 1 +···+ GA 1 GA1 · GA2 · . um so das Rauschen der zweiten Stufe zu unterdrücken.61) (FZ : Zusatzrauschzahl mit Te = FZ T0 effektive Rauschtemperatur) Aus diesen Beziehungen kann durch Rekursion die Rauschzahl beliebig komplexer Verstärkerketten ermittelt werden (H. . wobei rN = RN /Z0 der auf den Bezugswiderstand Z0 normierte Rauschwiderstand ist. . 2.62) Aus Gl.TOT Pn1 Pn2 =1+ + P N i GA 1 GA 2 P N i GA 1 P N i GA 1 GA 2 F2 − 1 GA 1 (2. .60) (2.15: Kettenschaltung zweier Verstärkerzweitore. 2.61 geht auch hervor. dass die Rauschzahl F2 der zweiten Stufe mit einem um die Verstärkung der ersten Stufe reduzierten Gewicht in die Gesamtrauschzahl eingeht. dass bei hoher Verstärkung der ersten Stufe die zweite Stufe keine besonderen Anforderungen an die Rauscharmut erfüllen muss.

Drainstrom ab. 2.64.66) |rS − r SO |2 Fi − Fmin Ni = |1 + r SO |2 2 = 4 rN 1 − |r S | (2. Hierzu wird die Impedanz der Quelle (z. Der Wert von r S kann dann mit einem Vektor–Netzwerkanalysator gemessen werden.64 ist implizit die Kreisgleichung für den Vektor r S gegeben. bis sich minimales Rauschen am Ausgang ergibt. 2. r SO und r S abhängt: F (rS ) = Fmin + 4rN |rS − r SO |2 1 − |r S |2 |1 + rSO |2 (2. 2. Durch Umformung ergibt sich die explizite Form Gl.66. so ergibt sich für die Rauschzahl die Beziehung Gl. entspricht (der Index O steht für optimal).16 das Rauschverhalten des GaAs-FETs ATF10136.67) . Ausgehend von Gl. F = Fmin + RN rN |YS − YSO |2 = Fmin + |yS − ySO |2 GS gS yS = YS Z0 = gS + jbS ySO = YSO Z0 = gSO + jbSO Werden YS und YSO durch r S und r SO ausgedrückt. wobei Ni (Gl. mit einer veränderlichen Serien. 2. Als typisches Beispiel der Frequenz. rN sowie Betrag und Phase von rSO sind als Rauschparameter bekannt und werden gemeinhin von den Transistorherstellern angegeben oder können experimentell bestimmt werden.67) als Rauschzahlparameter bezeichnet wird. die von Fmin . dass r S = r SO ist. aufgrund der Abgleichbedingungen ist sichergestellt. Mit Gl.2. rN .bzw.64 kann das geeignete r S für eine gewünschte Rauschzahl Fi bestimmt werden. r r S − SO 1 + Ni wobei 2 = Ni2 + Ni 1 − |r SO |2 (1 + Ni )2 (2.64) (2.B. Aus den schon ermittelten Werten kann durch Nullsetzen von r S und einer weiteren Rauschzahlmessung F (rS = 0) der normierte Rauschwiderstand rN bestimmt werden: |1 + r SO |2 rN = (F (r S = 0) − Fmin ) 4 |rSO |2 (2.und Stromabhängigkeit zeigt Abb.und Parallel-Stichleitung) so lange variiert.63) Die vier Größen Fmin .65) Die minimale Rauschzahl Fmin in dB steigt mit der Arbeitsfrequenz ungefähr linear an und hängt von dem Kollektor.1. der die geringste Rauschzahl der Verstärkerstufe verursacht. ZWEITORVERSTÄRKER 85 und YS = GS + jBS der Quellenadmittanz und YSO = GSO + jBSO dem Eingangsleitwert. Die bei dieser Einstellung ermittelte Rauschzahl stellt Fmin dar. 2. 2.

18 nicht nur die Rauschkreise.0 0 10 20 30 40 50 60 Frequency (GHz) IDS (mA) Abb.5 12 9 GA 12 10 NF0 (dB) 1.B. GA (dB) .h. In Abb. Das rührt einerseits von den Exemplarstreuungen der Transistordaten her. Der Berührpunkt stellt dann unter den genannten Anforderungen den optimalen Reflexionsfaktor r S dar. Die Mittelpunkte der weiteren Rauschkreise liegen nach Gl.5 0 4.0 8.0 6. 2. 2.16: Verstärkung und minimale Rauschzahl des GaAs-FETs ATF10136.17 ist ein typisches Beispiel für solche Rauschkreise dargestellt. Die minimale Rauschzahl beträgt 3 dB.0 NF0 0. bei großem das Schrotrauschen.68) 1 + Ni 1 Ni2 + Ni 1 − |r SO |2 RFi = (2.86 18 15 GA KAPITEL 2.5 NF0 (dB) 1. Diese Betrachtungen sind selbstverständlich durch eine Kontrolle der Stabilitätsbedingungen zu ergänzen. VERSTÄRKER 16 14 GA (dB) 2.0 NF0 6 1. für den Sonderfall Fi = Fmin (Ni = 0) entartet der Kreis zu einem Punkt bei r S = r SO .69) 1 + Ni Diese Kreise können wie in Abb. links: Aufgetragen über der Frequenz. ein Eingangsnetzwerk muss immer auf dieses rS transformieren. rechts: Aufgetragen über dem Drainstrom IDS . Zur Dimensionierung von Verstärkerstufen auf minimales bzw.0 0. gewünschtes Rauschen bei optimaler Verstärkung werden nun wie in Abb. 2. 2. 2. d. Typische Werte für die Abweichung von Theorie und Praxis liegen zwischen ca.1 dB und 1 dB für schmalbandige Verstärker. 0. Am Punkt A ergibt sich für rS = 0.5 0 2.68 auf der Verbindungsgeraden zwischen dem Ursprung und dem Punkt rSO . sondern gleichzeitig auch die Kreise konstanter Verstärkung in das Smith-Diagramm des Quellreflexionsfaktors eingetragen.0 12. andererseits von den immer vorhandenen Verlusten in den Transformationsnetzwerken.0 10.0 1.38 · exp(+j119◦) eine Rauschzahl von F = 4 dB.5 dB). Fi = 2 dB) sucht man den Berührpunkt dieses Rauschkreises mit einem Kreis konstanter Verstärkung (im Beispiel Punkt B mit G = 1. Beim Entwurf zeigen sich grundsätzliche Unterschiede zwischen dem geplanten und dem tatsächlichen Wert der Rauschzahl.17 in ein Smith-Diagramm eingetragen werden. Ausgehend von einer feststehenden Forderung (z. Damit ergeben sich der Mittelpunktsvektor C Fi und Radius RFi des zugehörigen Rauschkreises zu r C Fi = SO (2. Bei kleinem IDS dominiert das thermische Rauschen.

2 A 5dB 0.2 0.Verstärkung. 8 8 ..5dB 4dB −j Abb.5 1 2dB 2 3 5 10 2.8dB 1dB 1.18: Rauschkreise und Kreise konstanter Verstärkung in einem Diagramm für einen GaAs-FET bei 4 GHz (.1. 2.2. 2.17: Rauschkreise für einen 4-GHz-Transistor.5dB 4dB 0 0. j rS −Ebene 3dB 2dB 1dB 0dB B 0.5dB 0 0.5 6dB 1 2 3 5 10 −j Abb. ZWEITORVERSTÄRKER j 87 rS −Ebene rS0 3dB 3.. — Rauschen).

Die Großsignaleigenschaften müssen . die noch ca. j 90° 120° 2GHz 60° 10GHz 150° 10GHz S 21 30° 10GHz 2GHz 0 S 11 S 22 10GHz 2GHz 8 5 0. je höher die Ausgangsnennleistung des Transistors ist. aber nicht das Verhalten bei Großsignaleinfluss. Es gibt noch keine allgemeine und geschlossene Methode zur Beschreibung der Großsignaleigenschaften von GaAs-FETs. Folglich tritt beim Betrieb von Leistungsverstärkern zwangsläufig — je nach augenblicklicher Signalamplitude — sowohl Kleinsignal. b) Vorwärtstransmission S21 und Rückwärtstransmission S12 × 30.als auch Großsignalaussteuerung auf. 2. Hinzu kommt. VERSTÄRKER 2. a) Eingangsreflexion S11 und Ausgangsreflexion S22 .88 KAPITEL 2.19: Streuparameter eines 1 W GaAs-Leistungs-FET (MSC88004.1. Die Beträge von S11 . Damit können der erreichbare Kleinsignalgewinn. S22 und S12 sowie die Phasen von S11 und S22 wachsen im Allgemeinen mit zunehmender Ausgangsleistung an.5 1 2 3 5 10 180° 3 2 1 0° S12 ×30 −150° 2GHz 10GHz −30° −120° a) −j −60° −90° b) Abb. ID = 500 mA) für den Frequenzbereich 2 bis 10 GHz. Als Beispiel seien die S-Parameter des 1 W GaAs-FET MSC88004 in Abb. UDS = 9 V. dass die S-Parameterbeschreibung mit wachsender Aussteuerung ungenauer wird. Wellenwiderstand ZL = 50 Ω.19 dargestellt.5 Großsignaleigenschaften und nichtlineare Verzerrungen Die Streuparameter sind Kleinsignalparameter und beschreiben folglich die FETEigenschaften nur bei hinreichend kleinen Aussteuerungen. Deutlich nichtlineares Verhalten ist bei einem GaAs-FET bereits bei Ausgangsleistungen vorhanden. Aus diesem Grund ist die Anpassung (insbesondere die Breitbandanpassung) umso schwieriger. 2. Die S-Parameter sind üblicherweise in Datenblättern angegeben. 10 dB unter der Sättigungsleistung liegen.2 7 0. Rausch.und Stabilitätseigenschaften ermittelt werden.

Wegen der im Ausgangskennlinienfeld vorhandenen Begrenzungen nimmt der Gewinn mit wachsender Aussteuerung ab. 2. Der Bereich linearer Verstärkung ist nach unten hin durch das Verstärkerrauschen begrenzt. 2. Beschreibungsformen nichtlinearer Verzerrungen • Aussteuerungsabhängigkeit des Gewinns Abb. dass die Ausgangsleistung Paus mit wachsender Eingangsleistung Pein einem Sättigungswert Psat zustrebt. Verstärkungskompression und gesättigte Ausgangsleistung: 1. Paus /dBm Psat P−1dB G0 G0 −1dB D MDSaus MDSein Rauschen 1 2 Pein /dBm 3 Abb. 2) Bereich der Verstärkungskompression.2. 3) Sättigungsbereich. die bei Leistungsverstärkern zu berücksichtigen sind. 1) Bereich linearer Verstärkung.20: Zusammenhang zwischen Eingangsleistung Pein und Ausgangsleistung Paus eines Verstärkers.20 unterscheidet die drei Bereiche: lineare Verstärkung.20 zeigt schematisch. Die sogenannte kleinste nachweisbare Signalleistung (Minimum Detectable Signal) MDSein ist definitionsgemäß gleich groß wie . 2. sowie Methoden zu deren Optimierung angegeben. Abb. ZWEITORVERSTÄRKER 89 daher im Allgemeinen experimentell bei den jeweils vorliegenden Betriebsbedingungen ermittelt werden. Im folgenden werden die Großsignaleigenschaften und die nichtlinearen Verzerrungen beschrieben.1. MDS: Minimum Detectable Signal. D: Dynamikbereich.

die in der Nähe der Signalfrequenzen f1 und f2 liegen und deshalb besonders stören. In diesem Aussteuerungsbereich arbeiten zum Beispiel Begrenzerverstärker. 3.70) Die von MDSein hervorgerufene Ausgangsleistung beträgt somit: MDSaus /dBm = kT0 BF G0 = −174 dBm/Hz + 10 lg(B/Hz) + NF /dB + G0 /dB (2. bei der eine Verstärkungsabnahme (Verstärkungskompression) von 1 dB gegenüber dem Kleinsignalgewinn G0 erfolgt. Der Intermodulationsabstand IM hängt ab von der gesamten Eingangsleistung Pein = Pein (f1 ) + Pein (f2 ) der beiden Träger und ist durch das Verhältnis der Leistungen von Träger und Mischprodukt am Ausgang gegeben: IM /dB = Paus (f1 )/dBm − Paus (2f2 − f1 )/dBm (2. 2. sowie AM-AM-Konversion (Gewinn-Kompression) und AM-PM-Konversion (Phasenverzerrung).21 gezeigt. harmonische Oberwellen. Durch die Nichtlinearitäten dritter Ordnung des Verstärkers entstehen am Ausgang zusätzlich zu Paus (f1 ) und Paus (f2 ) Mischprodukte bei den Frequenzen 2f1 − f2 und 2f2 − f1 . D/dB = P−1dB /dBm − MDSein /dBm − G0 /dB (2. Das diesbezügliche nichtlineare Verhalten wird im Frequenzbereich durch aussteuerungsabhängige Intermodulationsabstände beschrieben. Zu deren Messung werden. zwei frequenzmäßig benachbarte (f1 ≈ f2 . Durch die Größe des Bereichs linearer Verstärkung wird der Dynamikbereich D des Transistors festgelegt. VERSTÄRKER das auf den Eingang bezogene Verstärkerrauschen in der Empfangsbandbreite B . Im Sättigungsbereich ist die Ausgangsleistung Psat unabhängig von der Eingangsleistung. wie in Abb. • Aussteuerungsabhängigkeit der Intermodulation Bei mehrfrequenten Eingangssignalen entstehen durch das nichtlineare Verstärkerverhalten zusätzliche Mischprodukte am Verstärkerausgang.90 KAPITEL 2. Die an dieser Stelle vorliegende Ausgangsleistung P−1dB wird üblicherweise in Datenblättern zur Beschreibung der vom Transistor abgebbaren maximalen Leistung verwendet.B. MDSein /dBm = kT0 BF = −174 dBm/Hz + 10 lg(B/Hz) + NF /dB (2. Intermodulation. wie z. Im Bereich der Verstärkungskompression treten bei der Nachrichtenübertragung störende nichtlineare Verzerrungen auf.72) 2. |f1 − f2 | ≪ f1 ) unmodulierte Signale gleicher Amplitude (Pein (f1 ) = Pein (f2 )) verwendet.71) Als obere Grenze des linearen Verstärkungsbereichs wird allgemein die Stelle angesehen.73) .

ZWEITORVERSTÄRKER lg Pein lg Paus 91 IM f1 f2 f2 -f 1 f f1 2f1 -f 2 = f1 -(f2 -f 1 ) f2 2f2 -f 1 = f2 +(f2 -f 1 ) f Abb.21: Bestimmung des Intermodulationsabstandes eines Verstärkers. Paus /dBm IP3. 2.2.aus IP3 IM P aus (2f2 −f 1 ) 1 1 MDSaus MDSein 1 IP3. In Abb.1. dass Nichtlinearitäten höherer als dritter Ordnung vernachlässigt werden können. Der Intermodulationsabstand IM nimmt daher bei zunehmender Eingangsleistung Pein umgekehrt 2 proportional zu Pein ab. 2. a) Frequenzspektrum am Verstärkereingang. Im Bereich linearer Verstärkung wächst die Ausgangsleistung Paus (f1 ) proportional zur Eingangsleistung Pein .22 ist angenommen.22: Zusammenhang zwischen Intermodulationsabstand IM und Eingangspegel Pein . . 2. Ordnung. IP 3 Interceptpunkt 3. b) Frequenzspektrum am Verstärkerausgang aufgrund nichtlinearer Verzerrungen dritter Ordnung.ein Pein /dBm Df 3 P aus ( f1 ) Abb. die Leistung 3 des Mischprodukts Paus (2f2 − f1 ) jedoch proportional zu Pein .

Sind diese jedoch geringer als etwa 20 dB. des Gewinns. bei welcher Träger und Mischprodukt gleich groß sind. Dieser ergibt sich zu: 2 Df /dB = (IP 3 . Falls Nichtlinearitäten höherer als dritter Ordnung vernachlässigt werden können. die Ausgangsleistungen nach Einsetzen der Begrenzung jedoch um fast 3 dB. Die zu den beiden Lastimpedanzen gehörenden Verstärkungen unterscheiden sich im linearen Bereich um ca. Diese Voraussetzung wird z.23 sind z. Deren Intermodulationsverhalten wird durch den Interceptpunkt nur für Intermodulationsabstände größer etwa 30 dB gut beschrieben. In Abb. In Abb. 2. ist der Interceptpunkt unabhängig von der Aussteuerung und charakterisiert somit das Intermodulationsverhalten des Verstärkers durch eine einzige Zahl. 2.24 als Funktionen der Frequenz gezeigt. 2. G0 = 8 dB.92 KAPITEL 2. f = 6 GHz) die Ausgangsleistung P2 und der Wirkungsgrad η als Funktion der Eingangsleistung P1 für zwei verschiedene Lastimpedanzen dargestellt.74) 3 Beispiel: Für einen 1 W GaAs-Leistungs-MESFET (MSC88004) weisen die oben genannten Eigenschaften bei 6 GHz typisch folgende Werte auf (B = 1 MHz): P−1dB = 30 dBm.7 dBm. für einen 0. dann nimmt der Intermodulationsabstand stärker als 2 mit 1/Pein ab.3 dB. 1 dB. die nahe der Ausgangsnennleistung betrieben werden. im anderen Fall (Kurven 1) im Hinblick auf maximale Ausgangsleistung. nicht jedoch von Feldeffekttransistoren.6 dB.B.bzw.5 dB • Lastabhängigkeit der Ausgangsleistung Die mit einem vorgegebenen Feldeffekttransistor in einem bestimmten Gleichstromarbeitspunkt erreichbaren Großsignaleigenschaften hängen vor allem von der gewählten Lastimpedanz ab.5 W GaAs-Leistungs-FET (MSC88002. MDS ein = -105. NF = 5. Im Falle der mit 2 markierten Kurven ist die Lastimpedanz im Hinblick auf maximale Verstärkung im linearen Bereich gewählt. IP 3 = 39 dBm.aus /dBm − MDS ein /dBm − G0 /dB) (2. Die hier für maximale Ausgangsleistung erforderlichen Quellen. denn für die Optimierung der Ausgangsleistung. . Df = 84. Deshalb kann man bei FETs. des Wirkungsgrades und des Intermodulationsverhaltens sind jeweils unterschiedliche Lastimpedanzen erforderlich. durch eine kleine Verringerung der Ausgangsleistung in der Regel eine erhebliche Verbesserung des Intermodulationsabstands erzielen. Lastreflexionsfaktoren r S und r L sind in Abb. Diesen Schnittpunkt bezeichnet man als Interceptpunkt dritter Ordnung (IP 3 ). VERSTÄRKER Bei hohen Pegelwerten ergibt sich eine fiktive Ausgangsleistung.22 ist mit Df der von Intermodulationsstörungen freie Dynamikbereich (spurious free dynamic range) des Verstärkers bezeichnet. D = 117.B. von Bipolartransistoren und Wanderfeldröhren erfüllt.

maximalen Wirkungsgrad. Die Kurven wurden an einem 0.5 9.5 W GaAs-Leistungs-FET (MSC88002.5 2 3 5 10 8 rS 8 GHz 8 GHz −j −j Abb.5 1 2 3 5 10 0 0. UDS = 8 V. 2) Lastimpedanz für maximale Verstärkung im linearen Bereich. 1) Lastimpedanz für maximale Ausgangsleistung bzw.2.5dB 93 30 25 20 15 10 5 0 0 5 10 15 20 25 P1 / dBm P η 2 2 1 500mW 250mW 40 35 30 25 20 15 10 5 0 Abb. IDS = 200 mA). j j rS −Ebene rL −Ebene 4 GHz 4 GHz S22 * rL 0 η /% 1 1 S11 * 0. Leistungsgewinn G und Wirkungsgrad η (η = P2 /P= ) als Funktion der Eingangsleistung P1 für zwei verschiedene Lastimpedanzen.2 0.5 W GaAs-LeistungsFET (MSC88002. ZWEITORVERSTÄRKER P2 / dBm 35 G=10. 2. Zum Vergleich sind die Kleinsignal-Streuparameter ∗ und S ∗ angegeben (Wellenwiderstand Z = 50 Ω).2 0. Lastreflexion r L für einen 0. 2.23: Ausgangsleistung P2 .1.24: Für maximale Ausgangsleistung erforderliche Quellenreflexion rS bzw. f = 6 GHz) gemessen.5 8. S11 L 22 8 .

1 W Ausgangsnennleistung näher erläutert. Je nachdem. der Großsignalgewinn unverändert 6.5 1 2 3 5 10 −j Abb.5dB B 0 0. ob Kleinsignal.3 dB.5 dB und somit die Verstärkungskompression nur 0. Die Konturen konstanten Großsignalgewinns (Load-Pull-Konturen). ∗ ∗ dass r S von S11 . In Abb. dass der Gewinn möglichst wenig von der Eingangsleistung abhängt. der Großsignalgewinn aber nur 6.7 dB.2 dB. Der Kleinsignalgewinn beträgt dort 6. VERSTÄRKER Zum Vergleich sind die Kleinsignal-S-Parameter ebenfalls eingetragen. Diese Konturen können auch näherungsweise aus dem Ausgangskennlinienfeld und dem Ausgangsersatzschaltbild des FET berechnet werden.5 dB und die Verstärkungskompression folglich 2. Wellenwiderstand ZL = 50 Ω). Aus den S-Parametern wurden die Kreise für konstanten Kleinsignalgewinn GT u in der r L -Ebene berechnet. j 11. • Lastabhängigkeit der Intermodulation Die Lastimpedanz hat auch großen Einfluss auf den Intermodulationsabstand. vor allem aber rL von S22 deutlich verschieden sind. 2. so beträgt der Kleinsignalgewinn zwar 9. Wählt man beispielsweise die Lastreflexion r L entsprechend Punkt A. Durch Abb. konstanter Ausgangsleistung bei vorgegebener hoher Eingangsleistung wurden dagegen experimentell bestimmt. der mit einem Feldeffekttransistor bei vorgegebener Ausgangsleistung erzielt werden kann. Günstiger in dieser Hinsicht ist eine Wahl von r L entsprechend Punkt B.3dB A 7. 2. Man sieht.94 KAPITEL 2.26 ist dies für den 1 W GaAs-Leistungs-FET (MSC88004) 8 . f = 9 GHz) in der r L -Ebene (Schrittweite 1 dB.2 0.oder Großsignalaussteuerung vorliegt resultieren daraus bei gegebenem rS und r L unterschiedliche Anpassungsverluste.8 dB. Für einen linearen Verstärker muss nun die Lastimpedanz des FET so gewählt werden.25: Konturen konstanten Großsignalgewinns und Kreise konstanten Kleinsignalgewinns für einen 0.25 wird dieser Sachverhalt für einen GaAs-Leistungs-MESFET mit 0. d. Bei den Konturen konstanten Großsignalgewinns handelt es sich im Allgemeinen nicht um Kreise. 2.h. Am FET-Eingang ist Großsignalanpassung vorgenommen.1 W GaAs-Leistungs-FET (Pein = 12 dBm.

ZF-Stufen usw. Wirkungsgrad und Intermodulationsabstand gefunden werden.1. ZWEITORVERSTÄRKER j 95 271mW 240mW 210mW 180mW 170mW IM=20dB 0 0.und Ausgangsimpedanzen umgekehrt proportional zur Gateweite.und Lastimpedanzen im Betriebsfrequenzbereich erforderlich. gezeigt.3 dB gegenüber dem optimalen Wert in Kauf genommen wird. Üblicherweise gehen die Entwurfsmethoden für Anpassungsnetzwerke von einem rückwirkungsfrei angenommenen Ersatzschaltbild für den FET aus. wenn eine Verringerung der Ausgangsleistung um nur 0.2 0. Für die Dimensionierung der Eingangs.und Ausgangsanpassungsnetzwerke ist die Kenntnis der für optimalen Großsignalbetrieb benötigten Quellen. 50 Ω mit wachsender Gateweite immer schwieriger wird. Die Ersatzschaltbildelemente des 8 . Durch Veränderung der Lastreflexion kann hier der Intermodulationsabstand IM um z. Dabei verringern sich die Eingangs.4 zusammengestellten Regeln erfolgen. Dieser Abschnitt berücksichtigt auch die Probleme der Großsignalverstärker. Verstärkung und Rauschen festgelegt wurde. 2. f = 3.B.26: Konturen konstanter Ausgangsleistung und konstanten Intermodulationsabstandes IM in der r L -Ebene für einen 1 W GaAs-Leistungs-FET (MSC88004.6 Anpassungsnetzwerke In Kleinsignalverstärkern.25 und 2.1.1.26 dargestellten Zusammenhänge bekannt. Ausgangsleistung.96 GHz. 2.5 17dB 5 10 30dB 40dB 45dB −j Abb. wird die Auslegung der Anpassnetzwerke entsprechend den in den Kapiteln 2. nachdem für den Anwendungsfall ein Kompromiss bezüglich Stabilität. 2. Pin = 16 mW.3 und 2. Die Ausgangsleistung von GaAs-MESFETs kann durch Vergrößerung der Gateweite erhöht werden.1. 10 dB verbessert werden.B. Sind für einen Leistungs-FET die in Abb. also Vorverstärkern.2. dann kann damit ein den jeweils vorliegenden Anforderungen entsprechender optimaler Kompromiss bezüglich Gewinn. so dass eine verlustarme Anpassung an z. Wellenwiderstand ZL = 10 Ω).

Mit verlustlosen. Ausgangsimpedanz des FET gegeben ist. Nach Gl. Ausgangsanpassungsnetzwerks des FET sind so zu wählen. Der breitbandig unter der Annahme verlustloser Anpassungsschaltungen bestenfalls erreichbare minimale Reflexionsfaktor r lässt sich mit einer von Fano (1950) erstmals angegebenen Beziehung abschätzen zu: |r| ≥ e−πQK /QF mit ω QK = ω2 − ω1 und QF = 1 ωRC (2. je größer die gewünschte Bandbreite ist. dass sie möglichst den konjugiert komplexen Verlauf der benötigten Quellen. vom erforderlichen Transformationsverhältnis und von der Anzahl der verwendeten Blindelemente.a. Mit konzentrierten Elementen kann man im Allgemeinen größere Transformationsverhältnisse realisieren als mit verteilten Elementen.1 pF herstellen. Da die erreichbaren Großsignaleigenschaften im wesentlichen von der Ausgangsanpassung abhängen. Diese lassen sich mit den nachfolgenden Beziehungen .2 nH sowie minimale Kapazitäten Cmin ≈ 0. ab vom zulässigen VSWR. nur aus Blindelementen („reactively matched“) bestehenden Netzwerken lassen sich jedoch nicht gleichzeitig Anpassung am Eingang bzw. In diskreter Form lassen sich minimale Induktivitäten Lmin ≈ 0. Die Güte QK ist umso kleiner.bzw. Die mit Streifenleitungen realisierbaren Wellenwiderstände liegen etwa zwischen 20 Ω und 150 Ω. Die Verbindungsleitung zwischen Anpassungsnetzwerk und Last vergrößert die Güte der Last und ist folglich so kurz wie möglich zu halten oder besser zusammen mit den parasitären Elementen der Last in das Anpassungsnetzwerk mit einzubeziehen. sowie breitbandig konstante Verstärkung realisieren.und Lastimpedanz nachbilden. ω1 die untere Bandgrenze des Übertragungsbereichs. die hier durch die Eingangs. Die üblichen Entwurfsmethoden für Anpassungsschaltungen gehen von konzentrierten Elementen aus.bzw. muss die Frequenzgangkompensation im Netzwerk für die Eingangsanpassung erfolgen. 2. Anpassungsschaltungen können grundsätzlich mit konzentrierten und/oder verteilten Elementen realisiert werden.75 wird der Reflexionsfaktor groß bei kleinen Quotienten QK /QF . Ausgang. also bei großer Bandbreite und hoher Güte der Last. VERSTÄRKER Eingangs. Letztere lassen sich genauer herstellen.96 KAPITEL 2. QF dagegen beschreibt die Güte der anzupassenden Last. Beim Entwurf von Breitband-Leistungsverstärkern muss zusätzlich der mit der Frequenz abnehmende Gewinn des aktiven Elements kompensiert werden.75) FET-Eingangsgüte ωRC FET-Ausgangsgüte Güte des Anpassnetzwerkes ω2 ist die obere. Dementsprechend hängt die mit einer konkreten Anpassungsschaltung erreichbare Bandbreite u.

ZWEITORVERSTÄRKER 97 oder mit den aus der Leitungstheorie bekannten Verfahren im Smith-Diagramm in die entsprechenden verteilten Elemente umrechnen. Die π . 2.76) √ lZ0 εr c √ l εr cZ0 für l < (2. b) Z0 < R. Dabei ist l die effektive Länge der benötigten Leitungsstücke (gemäß Kapitel 1. bei der zwei Blindelemente unterschiedlichen Reaktanztyps verwendet werden. Der Blindwiderstand XP liegt dabei parallel zum größeren der Widerstände Z0 (in Abb.1). Danach werden dann die Verluste in Anpassungsschaltungen berechnet.05 (1.2. 25 Ω) nachbilden. 2.27b). 17% (62%).27 beschreibt die Dimensionierung der sogenannten L-Transformation. Die Kapazitäten dagegen kann man durch leerlaufende Leitungen mit niedrigem Wellenwiderstand (z.B. L-Transformation Abb. Nachstehend wird die Dimensionierung von zwei gebräuchlichen Anpassungsschaltungen. R (in Abb.B. Diese Schaltung transformiert bei einer Frequenz f0 den reellen Widerstand R nach Z0 . 2. 2. a) Z0 > R. wobei Xs .B.27: L-Glied zur Transformation eines reellen Widerstandes R nach Z0 .Xp < 0 für Kapazitäten. angegeben.77) Induktivitäten lassen sich durch kurzgeschlossene Leitungen mit großem Induktivitätsbelag und kleinem Kapazitätsbelag. .27a) bzw. einem Transformationsverhältnis von n = Z0 /R = 8 und einem VSWR von 1. 120 Ω) realisieren.1.und T-Transformation werden hier nicht betrachtet.5) erreicht man damit eine Bandbreite von ca. Bei z.Xp > 0 für Induktivitäten und Xs . kurzgeschlossene Leitung: leerlaufende Leitung: also L= C= L= C= Z0 πl tan 2λ 2πf πl 1 tan 2λ 2πf Z0 für l < λ 10 λ 4 (2. die L-Transformation und die λ/4-Transformation. a) Xs b) Xs Z0 Z0 Xp R Xp R Abb.6. also durch Leitungen mit hohem Wellenwiderstand (z.

n = 8 und einem VSWR von 1.B. Ausgangsimpedanz eines FET ist i. Die Eingangsimpedanz des FET kann z.78) Die Eingangs. Daher muss vor Anwendung der L-Transformation der Blindanteil kompensiert werden. Eine Abschätzung der Verluste ist mit dem Prinzip der konstanten durchgehenden Wirkleistung möglich. A. 24%.B. so dass deren Verluste vor der Schaltungsrealisierung überprüft werden müssen. Dieses Prinzip beruht darauf. jedoch nicht reell. λ/4-Transformation Eine λ/4-Leitung mit dem folgenden Wellenwiderstand ZL vermag den reellen Widerstand R in den reellen Widerstand Z0 zu transformieren: ZL = RZ0 (2. 20%.28 sind einstufige kompensierte λ/4-Transformatoren zusammen mit den Entwurfsgleichungen gezeigt.80) . sondern komplex. Die effektiven Ströme und Spannungen der als verlustlos angenommenen Transformationsschaltung aus Abb. 2. Bei mehrstufigen L. 2. Ebenso kann die Ausgangsimpedanz des FETs durch eine Parallelschaltung von R und C beschrieben werden und der kapazitive Blindanteil durch eine Parallelinduktivität kompensiert werden.79) Mit einer solchen λ/4-Transformation erzielt man bei einem Transformationsverhältnis von beispielsweise n = 8 und einem VSWR von 1. Daher fließen in den Anpassungsschaltungen hohe Ströme.98 KAPITEL 2. Für große Bandbreiten werden häufig auch Tschebyscheff-Transformatoren gewählt.oder λ/4-Transformatoren lassen sich größere Bandbreiten und/oder höhere Transformationsverhältnisse erzielen. In diesem Fall kann bei f0 der kapazitive Blindanteil durch eine geeignete Serieninduktivität kompensiert werden.5 nur eine Bandbreite von ca. Verluste in Transformationsschaltungen Leistungs-FETs besitzen niedrige Impedanzen. welche auch an den Bandgrenzen eine gute Anpassung aufweisen. Bei einem Transformationsverhältnis von z.29a ergeben sich folglich zu: P = |I1 |2 R1 = |I2 |2 R2 = |I3 |2 R3 = |U1 |2 G1 = |U2 |2 G2 = |U3 |2 G3 (2.bzw. VERSTÄRKER 0 Z0 > R Xs = ± R(Z0 − R) Xp = − RZ Xs Z0 < R Xp = ±R Z0 R−Z0 0 Xs = − RZ Xp (2. häufig näherungsweise durch eine Serienschaltung von R und C beschrieben werden. dass in (idealen) Blindwiderständen keine Wirkleistung verbraucht wird.5 erreicht man damit eine Bandbreite von ca. In Abb.

1.67λ λ/4 Z2 0. 2. ZWEITORVERSTÄRKER 99 É ¼ Ô ¼Ê ½ L C R Ä λ/4 Z1 λ/2 Z2 Z0 ½ Ô Ì ¾ ¾É Ê ¼ ½  ¾ ¼   ̾ ¼ · Ô Ê ¾ ½ × ½   Ì ¾ ½ ¼ ¼ ¾ · ¾ ¼ λ/4 Z1 λ/4 Z2 Z0 ½ ¾ ¼   ¾ ½ ¼ ¾· ¼ ½ ¼É É ¼ ½ Ô ¼Ê ½ L R C Ä λ/4 Z1 λ/4 Z2 Z0 ½ ¾ ¾ Ô Ê ¼ ¼ ¼ × ¾   É ¦ ¾ · ¾É ´½ · µ¾ ½ ½· Leerlauf Z1 0.2.33λ Z0 ½ ¡ Õ ¾ ¾ ¼ ¼ ¡ É · ½ ¼ ¾   Z1 ¾ Ê ¾ ¼ Abb. .28: Längs. Serienresonanzkreises (FET-Eingang) an Z0 . querkompensierte λ/4-Transformatoren zur breitbandigen Anpassung des Verlustwiderstandes R eines Parallelresonanzkreises (FETAusgang) bzw.bzw.

Der Gesamtverlust PV der Transformationsschaltung ergibt sich aus der Summe der Verluste in den realen Blindwiderständen zu PV = PV L2 + PV C2 + PV L3 = |I1 |2 RL2 + |U2 |2 GC2 + |I3 |2 RL3 (2. Kapazitäten (Leitfähigkeit des Dielektrikums) ist gegeben durch: QL2 = ωL2 RL2 QC2 = ωC2 GC2 QL3 = ωL3 RL3 (2. Sind die Verluste in den Bauelementen klein (Q > 10) gegenüber der übertragenen Leistung.100 I3 L3 I2 KAPITEL 2. 2.83) . Reale Blindwiderstände besitzen jedoch Verluste. dann können die Ströme und Spannungen in guter Näherung mit Gl. VERSTÄRKER L2 I1 a) U3 U2 C2 R C U1 R3 G3 P I3 L3 RL3 PVL3 b) U3 R2 G2 P I2 L2 RL2 PVL2 U2 C2 GC2 PVC2 R1 G1 P I1 R C U1 3 2 1 Abb. b) verlustbehaftete Transformationsschaltung.80 berechnet werden.29b gezeigt — durch Einführung zusätzlicher Wirkwiderstände berücksichtigt werden können.29: Berechnung der Verluste in einer T-Transformationsschaltung. die — wie in Abb. 2.81) Die Güte der Induktivitäten bzw. 2.82) Damit berechnen sich die Verluste gemäß PV = |I1 |2 ωL2 ωC2 ωL3 + |U2 |2 + |I3 |2 QL2 QC2 QL3 (2. a) verlustlose.

30 ist dazu die Schaltung eines schmalbandigen Vorverstärkers für 150 MHz dargestellt. 2.84) QL wächst proportional zur Wurzel aus der Frequenz. so dass gilt: QL = ωL √ ∼ ω RL QC = 1 1 ∼ 3/2 ωCRC ω (2.30 rechts zu erkennen ist.1. 1 dB) praktisch nicht von der Anzahl der Blindelemente abhängen. ganze Verstärkerschaltungen realisiert werden.5 mm Gateweite und 2. Bis ca. konnte gezeigt werden. aber jeweils gleichem Transformationsverhältnis (n = 50) bei 6 GHz. dass die Verluste (ca. Wegen der Toleranzen der Blindelemente bringen in der Praxis mehr als 6 Elemente jedoch keine weitere Verbesserung bezüglich der Bandbreite. Daher liefern Kondensatoren bei hohen Frequenzen einen wesentlichen Beitrag zu den Gesamtverlusten. Bei 6 GHz ist eine verlustarme Anpassung von GaAs-Leistungs-FETs mit Eingangswiderständen bis hinab zu etwa 1 Ω möglich. während QC umgekehrt proportional zu ω 3/2 abnimmt (effektiver Serienwiderstand RC ). 2. In Abb. 4 und 6 Blindelementen. Beim Vergleich der Verluste für eine Transformationsschaltung mit 2. Bei 6 GHz beträgt die Güte QL von Bonddraht-Induktivitäten typisch 50 bis 80 und die Güte von Chip-Kondensatoren typisch 30 bis 60. in den Zuleitungen der Kapazität begrenzt. wozu auch eine Anpassung der FET-Chips bereits im Gehäuse beitragen kann. 300 MHz werden nahezu alle Schaltungen in konventioneller Technik mit diskreten Bauelementen ausgeführt. Vielfach wird auch schon bei diesen Frequenzen die Bestückungsseite der Leiterplatte metallisiert ausgeführt. Dies entspricht Transistoren mit etwa 7. dass große Serienblindwiderstände und große Parallelblindleitwerte in Transformationsschaltungen zu vermeiden sind. Praktischer Aufbau Sollen Anpassnetzwerke bzw. Dieser Forderung entsprechen kurze Wege im Smith-Diagramm. In beiden Fällen wird die Güte zu hohen Frequenzen durch Skineffekt-Verluste (R ∼ ω 1/2 ) im Leiter der Induktivität bzw. wird vielfach eine metallische Zwischenwand eingebracht.5 W Ausgangsleistung. Wie aus dem Schaltungslayout in Abb. Mit deren Zahl wächst jedoch die Bandbreite von 20% auf 60%.2. so wird sich die verwendete Technologie nach dem geforderten Frequenzbereich richten. Bei noch niedrigeren Eingangswiderständen wachsen die Anpassungsverluste stark an und begrenzen die so erreichbare Ausgangsleistung. Um magnetische Verkopplungen zwischen den Induktivitäten L1 und L2 gering zu halten. in weniger kritischen Fällen werden die Schwingkreisspulen um 90° gegeneinander verdreht . ZWEITORVERSTÄRKER 101 Die Gleichung zeigt. wird auf eine großflächige Masseführung auf der Leiterbahnseite geachtet.

2. angeordnet. bei dem alle Anpasstransformationen in Streifenleitungstechnik ausgeführt sind.und Ausgangsseite von Verstärkerstufen getrieben (Schirmbleche. 2. VERSTÄRKER BZX83 10n 1n 150 1n 1n +12V L1 in 1n 10n 1n BZX 83 C 10 R4 150 +12V 22µH 1n 1n R1 68k L2 C3 1n C4 1n R3 180 R6 R5 R7 out 22µH 1n 1n L2 68k S3030 13p 1. bei dem die Anpassnetzwerke durch Koaxialkreise realisiert wurden. Abb. 2. aber auch schon Elemente in Streifenleitungs. Abblockkondensatoren — auf den Substratträger notwendig. Der Frequenzbereich von ca. wenn möglich. werden über ca. Die Betriebsspannungen werden über hochohmige λ/4-Leitungen . auf die Verwendung von konzentrierten Bauelementen verzichtet. Die am Drain schematisch eingezeichnete Ferritperle (FP) soll parasitäre Schwingungen im GHz-Bereich bedämpfen. Ab etwa 1 GHz wird meist. Die Zuführung der Betriebsspannung erfolgt über den Innenleiter der ausgangsseitigen Koaxialleitung (Fernspeisung). Beispielhaft zeigt Abb.bzw. rechts: Platinenlayout. Die Stromversorgung kann noch durch RC-Tiefpässe und Drosselspulen erfolgen. gefräste oder verlötete Gehäuse). Es ist große Sorgfalt beim Einbringen der konzentrierten Elemente —Transistoren und Koppel. Links: Schaltbild.8V L1 56k in 6p 180 1n out R2 56k C1 6p C2 13p Abb. Bei örtlicher Speisung kann auf die Drossel (22 µH) verzichtet werden. Die Betriebsspannungszuführung ist relativ unkritisch. 300 MHz bis 1 GHz stellt ein Übergangsgebiet dar: hier werden teilweise noch konzentrierte Bauelemente eingesetzt. 12 GHz die Kontaktierungen fast ausschließlich durch Klemmen oder durch Bondung vorgenommen.102 KAPITEL 2. Wie bei allen selbstleitenden FET-Typen kann die Vorspannung für das Gate automatisch über den Source-Widerstand erzeugt werden. Sie erfolgt über Drosselspulen und RC-Tiefpassfilter mit konventionellen Bauelementen. Während im unteren GHz-Bereich noch gelötet oder mit Leitkleber verbunden wird.31 einen schmalbandigen Vorverstärker für 430 MHz.oder Koaxialtechnik.32 zeigt einen 5. Die für Anpassschaltungen benötigten Blindelemente werden mit Streifenleitungen realisiert. Die Anpasstransformation erfolgt durch die geeignete Wahl der Einkopplungslage am Leitungskreis. Auch hier wird ein relativ großer Aufwand zur Trennung der Ein.30: Schmalband-Vorverstärker mit Dual-Gate-GaAs-FET.7 GHzVerstärker.

b) Layout.2. a) Schaltbild.1. R2 IC1 D1 +12V C13 C10 C11 C12 C7 1/4λ C1 In SMA 50Ω L1 150Ω T1 C8 L4 C3 L3 Cg 50Ω Out SMA C2 1/4λ L2 C5 C6 R1 C4 IN OUT a) 150Ω b) Abb. 2. Lediglich die Stromversorgung und einige Abblockkondensatoren sind noch extern anzubringen. In zunehmendem Maß finden auch integrierte Analogschaltungen (MMIC = monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen) Anwendung. ZWEITORVERSTÄRKER Durchführungs− kondensator (1nF) 103 ZD8.31: 430-MHz-Vorverstärker. da konzentrierte Bauelemente hier versagen bzw. 40 GHz verfüg- .2 1n 10µ + 1n keramischer Rohrtrimmer (5pF) Chip− Kondensator 33 +12V 1n 10k 6k8 270p G2 100 G2 G1 S Koaxial− leitung D 0. 2. Solche Strukturen sind derzeit kommerziell bis ca. keine eindeutige Funktion (nur L oder nur C) mehr aufweisen.5µH S3030 FP 100p 5p 5p in G1 ø6 180 Trennblech 270p out BNC− Buchse Eingang Ausgang a) b) 17 Abb.7 GHz Verstärker mit GaAs-FET. (L4 und L2 ) zugeführt.32: a) 5. b) Mechanischer Aufbau im Kammerbausystem. bei denen auch Leitungsstücke und Anpassschaltungen auf dem Substrat integriert sind.

|S12 | und |S12 S21 | sind in Abb. dB 30 20 10 0 −10 −20 −30 −40 −50 Abb. Stabilität sowie Ein.33: Frequenzabhängigkeit von |S12 |. wird immer gleich kontaktiert) speziell für den Einsatz als Breitbandstrukturen. |S21 0. Seite 72). Evolutionsoptimierung) einen sinnvollen Kompromiss zwischen Flachheit der Verstärkung.und Ausgangswiderstand ermitteln. da von diesem Wert die Stabilität des Verstärkers entscheidend abhängt (vergl.7 Breitbandverstärker Der Entwurf von Breitbandverstärkern wirft neue Probleme auf.104 KAPITEL 2. 2. während |S12 | im gleichen Maß zunimmt. Die hauptsächlichen Entwurfsprobleme können wie folgt formuliert werden: • Die Frequenzabhängigkeit von |S21 | und |S12 |.und/oder Gegenkopplungsnetzwerks der Frequenzgang von S21 des Transistors kompensiert werden. Einheit |S12 S21 |S12 .1. Das Verhalten von |S12 S21 | mit der Frequenz ist sehr wichtig. Rauschen. VERSTÄRKER bar und eignen sich aufgrund der exakteren Dimensionierungsmöglichkeiten (der Transistor z. CAD-Programmen notwendig. |S21 | und |S12 S21 | (typischer Verlauf).B. die mittels geeigneter Optimierungsverfahren (Monte-Carlo. Hierbei wird schon für relativ einfache Aufgaben der Einsatz von CAE.33 dargestellt.bzw.1 1 10 Frequenz / bel. 2. Typische Frequenzverläufe von |S21 |. deren Lösung große Erfahrung und Umsicht erfordert. Typisch nimmt |S21 | bei steigender Frequenz mit 6 dB/Oktave (20 dB/Dekade) ab. Grundsätzlich muss durch geeignete Auslegung des Anpass. Gradientensuche. 2.

Zur Lösung dieser Probleme existieren im wesentlichen 4 Verfahren. nimmt die Eingangsimpedanz von einer bestimmten Frequenz an induktiven Charakter an und wird in der Regel durch eine Kombination von Ketten. werden doch zumeist CAD-Verfahren dazu eingesetzt.und . Dabei wird von einem Netzwerkanalyseprogramm die Streumatrix [Sges ] des Gesamtverstärkers für verschiedene Frequenzen ermittelt. vom Transistor an den Verbraucher abgegeben werden kann. Gegenkopplung. Bei entsprechendem Frequenzgang des Netzwerks bleibt dann die Verstärkung über einen gewissen Frequenzbereich nahezu konstant.1.und ausgang bei der Mittenfrequenz zu erzeugen. balancierte Verstärker und Wanderwellenverstärker (verteilte Verstärker). • Rauschzahl und VSWR werden im Allgemeinen frequenzabhängig sein. da die Breitbandigkeit wesentlich von der Güte der Leitungstransformatoren mitbestimmt wird. wodurch die Verstärkung vermindert wird. also abnehmendem |S21 | die Anpassung besser wird. mittels der Anpassnetzwerke eine gezielte Fehlanpassung von Transistorein. ZWEITORVERSTÄRKER 105 • Die Streuparameter S11 und S22 sind ebenfalls frequenzabhängig und verursachen zusammen mit dem Anpassnetzwerk eine Fehlanpassung.B. Obwohl ein solches Design in einfachen Fällen noch mit Hilfe des SmithDiagramms und großem Fleiß einigermaßen befriedigend durchgeführt werden kann. die im folgenden kurz vorgestellt werden: Kompensierte Anpassnetzwerke. Die am Eingang verwendeten Anpassglieder weichen etwas von den am Ausgang benutzten ab. Während nämlich die Ausgangsimpedanz des Transistors kapazitiven Charakter hat und durch eine Kettenstreifenleitung kompensiert werden kann.und Minimalwerte definieren (z. Kompensierte Anpassnetzwerke Das Verfahren beruht im einfachsten Fall darauf. insbesondere oberhalb ca. Entgegengesetzt muss dann mit absinkender Frequenz die Fehlanpassung zunehmen. 6 GHz.und Ausgangsnetzwerke mit Streifenleitern konzipiert. also ein größerer Teil der Leistung den Transistor erreicht bzw. Der Benutzer kann die veränderlichen und nicht veränderlichen Parameter angeben sowie deren Startwerte. Maximal. und zwar hauptsächlich wegen des unterschiedlichen Charakters der anzupassenden Impedanz.2. dass bei guter Dimensionierung der Netzwerke mit steigender Frequenz. Am häufigsten werden die Eingangs. mögliche Wellenwiderstände bei Streifenleitungsschaltungen).ges | mit einer vorgegebenen Sollkurve und verändert bis zur Erzielung eines annehmbaren Ergebnisses die Parameter der Anpassnetzwerke. Ein angeschlossenes Optimierungsprogramm vergleicht sodann im einfachsten Fall den Verlauf von |S21. Die Ursache dafür ist.

Um diesen Nachteil zu beseitigen.37 konzipiert. VERSTÄRKER Parallelstreifenleiter kompensiert.26nH 0.27nH 169Ω 0. 2.27nH 0. 1.22nH 2. Das Übertragungsnetzwerk hingegen muss so dimensioniert werden.21pF 461Ω 1.31nH 2. 1.und Anpassungsnetzwerk aus konzentrierten Elementen (Bandbreite 0.23pF 0. Die Abb. Sehr breitbandige Verstärkermodule über mehrere Oktaven können in der Kombination Rückkopplungs-/Anpassnetzwerk realisiert werden. Aber auch reaktive Anpassglieder aus konzentrierten Elementen mit LC-Charakter werden herangezogen: Der Verstärker in Abb. 2.47nH 5. Dabei dient das Eingangsanpassnetzwerk nur zur Kompensation des Frequenzgangs von S11 (ω ) des ersten Transistors. . 2.75 bis 6 GHz).61pF 40Ω 50pF 0. wurden zweistufige Breitbandverstärker gemäß Abb. so dass am Ein.35nH Abb.1 bis 6 GHz). 2. mit Streifenleitern (Bandbreite 350 MHz bis 14 GHz).49pF 0.34 wurde beispielsweise für den Frequenzbereich 1. dass nahezu zwangsläufig Einund Ausgang des Verstärkers fehlangepasst sind.75 bis 6 GHz konzipiert.und Ausgang des Verstärkers gleichermaßen Anpassung im gesamten genutzten Frequenzbereich herrscht. 2.47nH 0.75nH 0.36 und 2.106 KAPITEL 2.47pF Abb. Der Nachteil eines einfachen Entwurfs liegt darin.35 zeigen hybride Verstärker auf der Basis eines 900 µm-MESFETs in der Konzeption mit konzentrierten Elementen (100 MHz bis 6 GHz) bzw.12nH 1. das Ausgangsnetzwerk kompensiert nur die Effekte von S22 (ω ) des zweiten Transistors.35: Hybrider GaAs-Breitbandverstärker mit Rückkopplungs.6pF 0.34: Hybrider GaAs-Breitbandverstärker mit Anpassungsnetzwerk aus konzentrierten Bauelementen (Bandbreite 1.

Gegengekoppelte Verstärker Als einfache. ZWEITORVERSTÄRKER 107 25Ω 0. 2.2.1.und Parallelgegenkopplung anhand eines Si-Bipolartransistors in Emitterschaltung.6nH 0. 400 MHz lassen sich dann bei genügend großer Verstärkung die Kenndaten der Schaltung ohne spezielle Kenntnisse über den Transistor abschätzen: . Die schematische Darstellung in Abb.028λ Abb.35 bis 14 GHz).36: Hybrider ultrabreitbandiger GaAs-Verstärker mit frequenzabhängiger Rückkopplung und einfacher Streifenleiteranpassung (Bandbreite 0.4nH 55Ω 0. aber sehr wirksame Methode der breitbandigen Übertragung gelten Gegenkopplungsschaltungen. dass es gerade den Frequenzgang von S21 (ω ) der beiden Transistorstufen kompensiert. 2.04λ RF 0.37: Zweistufiger Breitbandverstärker. die nicht immer zusammen eingesetzt werden.und Ableitkondensatoren. Für niedrige Frequenzen bis ca.38 enthält alle wichtigen Gegenkopplungselemente sowie Block. 2. (1) Wir beschränken uns zunächst auf eine Schaltung mit rein ohmscher Gegenkopplung und betrachten den häufig auftretenden Fall einer Kombination von Serien.05λ 75Ω 0. Dazu muss im Allgemeinen die „Verstärkung“ des Übertragungsnetzwerks mit steigender Frequenz zunehmen. ZS Eingangsanpassnetzwerk Kompensation S 11(ω) Hochpass Übertragungsnetzwerk Kompensation S 21(ω) Ausgangsanpassnetzwerk Kompensation S 22(ω) ZL A B Abb.

. Die Bandbreite lässt sich auf Kosten der Verstärkung erhöhen. Dies bewirkt natürlich auch eine höhere Rauschzahl als bei einem einzelnen Transistor infolge der internen Fehlanpassung. mit gemeinsamem Kollektor.39). Eine Erhöhung der Verstärkung bei etwa gleichem Verstärkungs-BandbreiteProdukt kann erreicht werden. d. 2.87) Mit Hilfe von ohmschen Rückkopplungswiderständen werden die Niederfrequenzverstärkung und die Eingangs. VERSTÄRKER LF R0 Eingang LG1 Ausgang RG CE RE LG2 UG LD2 UD RL RD Abb. Spannungsverst¨ arkung : Eingangsimpedanz : Ausgangsimpedanz : V ZE ZA = − RL RF − RE · RE RF + RL RF + RL = RE · RE + RL RF + R0 = RE · RE + R0 (2. Block. RL = 50 Ω) mit RE = 10 Ω im optimalen Anpassungsfall (RF = 250 Ω. wenn man zwei npn-Transistoren als integrierte Darlington-Verstärker. Daraus ergibt sich im 50 Ω-System (Z0 = 50 Ω und R0 = 50 Ω. 2. wobei die Bandgüte. annähernd konstant bleibt. 2. z. Hier ist im Hinblick auf geringe Rauschzahl die Beschränkung auf die Parallelgegenkopplung ratsam: RS sei der parasitäre Sourcewiderstand des Transistors (entspricht RE in Abb.B. (2) Für GaAs-MESFETs lässt sich ein Niederfrequenzmodell der Gegenkopplung mit einem Gültigkeitsbereich bis ca. 1. das Produkt aus Verstärkung und Bandbreite.108 RF LD1 KAPITEL 2. in die Gegenkopplungsschaltung aufnimmt (Abb.85) (2.38).38: Prinzipschaltung eines Breitbandverstärkers mit möglichen Gegenkopplungselementen. 2.und Ableitkondensatoren und Kompensationsblindelementen.h.87) eine Verstärkung von 12 dB (V = −4) und eine 3 dB-Bandbreite von 500 MHz bis 1 GHz.86) (2.und Ausgangsimpedanz herabgesetzt.5 GHz mit Hilfe von S-Parametern ableiten. aus Gl.

1. gm = Steilheit Des weiteren gilt für die Rauschzahl F .89) 1 ∆ −2gm Z0 2Z 0 + 1 + gm RS RF (2.1 bis 2. ZWEITORVERSTÄRKER V CC RC RF Ausgang Eingang T1 T2 109 RG RBIAS RE Abb.91) .0 GHz. gds = 1/rds ): F =1+ gF (1 + gm Z0 )2 + gm (1 + gF Z0 )2 P (g F − g m )2 Z 0 (2. Reflexionsfaktoren: S11 = S22 = Rückwärtsübertragung: S12 = Vorwärtsübertragung: S21 = mit ∆ = 1+ 2 gm Z0 2Z 0 + RF RF (1 + gm RS ) 1 ∆ 1− 1 ∆ 2 gm Z0 RF (1 + gm RS ) (2.39: Monolithischer Si-IC in Darlington-Schaltung mit ohmscher Rückkopplung.88) 2Z 0 RF (2.2. 2. den Parallelrückkopplungswiderstand RF (Bedingung der Eingangsanpassung) und die Bandbreite B (gF = 1/RF .90) . Bandbreite: 0.

94) (2. dass ein Verstärker mit G = 10 dB zwischen 50 Ω-Abschlüssen eine Mindeststeilheit von 83 mS benötigt und dass der Rückkopplungswiderstand 208 Ω betragen muss. in der Praxis liegt sie zwischen 3 und 4. wobei zwei Verstärkerstufen eingangs. 1 mm) erreichen. 2. dass GaAs-MESFETs mit ausschließlich ohmscher Parallelgegenkopplung im Idealfall ohne Anpassungsnetzwerk eine 3 dB-Bandbreite von 6 GHz aufweisen. induktive Serienkompensation am Eingang über LG1 und am Ausgang über LD1 . Unter den Bedingungen einer idealen Anpassung (S11 = S22 = 0) sowie eines Transistorausgangsleitwertes gds = 0 lassen sich für den Übertragungsgewinn und den Rückkopplungswiderstand Näherungen aufstellen.93) 2 1 + (2gF + gds )Z0 + (gm + gds )gF Z0 B= 2Cgs Z0 [1 + (gF + gds )Z0 ] Hierbei ist P ein vom spezifischen Halbleiterbauelement abhängiger dimensionsloser Faktor der aus dem mittleren quadratischen Drain-Source-Rauschstrom <i2 dn>= 4kT · ∆f · gm · P bestimmt werden kann.5 GHz.110 KAPITEL 2.40 dar. durch induktive Parallelkompensation am Eingang und Ausgang über LG2 und LD2 . Balancierter Verstärker mit 3 dB-Branchline-Kopplern Eine andere Methode zur Erzielung von Breitbandigkeit stellt ein Balancierter Verstärker nach Abb. VERSTÄRKER 2 Z0 1 + gds Z0 RF = (gm + gds ) (2.92) (2. die den Zusammenhang zwischen Schaltungsentwurf und Kenndaten überschaubar machen: G = 20 lg(gm Z0 − 1) dB 2 RF = gm Z0 (2. 2. Daraus lässt sich ferner ableiten. sowie eine Induktivität LF im Rückkopplungszweig. gegengekoppelter Verstärker bevorzugt. Es lässt sich auf diese Weise ein Stehwellenverhältnis von ≤2:1 breitbandig ohne wesentliche Verschlechterung der Rauschzahl bei Verwendung genügend großer Transistoren (Gateweite ca. Dies kann durch eine kapazitive Überbrückung des Sourcewiderstandes mit CS erreicht werden. besonders wenn das zu überbrückende Frequenzband breit ist und statt dessen die Kaskadierung einstufiger.38). die primär den Gegenkopplungsfaktor am oberen Bandende reduzieren.95) Daraus folgt.und ausgangsseitig über 3 dB-Branchline-Koppler (90°-Hybridkoppler) parallel geschaltet . Zur weiteren Erhöhung der Bandbreite fügt man Reaktanzelemente in die Schaltung ein (Abb. In mehrstufigen Anordnungen wird aus Stabilitätsgründen auf eine über mehrere Stufen wirkende Rückkopplung verzichtet.

2.96) . 2) der in Abb. Die Vorteile eines solchen Balancierten Verstärkers sind im einzelnen: (2.1. 2. j = 1. Es kann gezeigt werden.5 |S12a + S12b | . Die Streumatrix des 3 dB-Kopplers bei der Mittenfrequenz lautet:   0 0 1 j 1  0 0 j 1   (2. 2. Reflektierte Leistungen aufgrund von Fehlanpassungen des Verstärkers am Eingang oder Ausgang werden auf die entsprechende 50 Ω-Last ausgekoppelt. dass für die Streuparameter Sij (i. werden.97) SKoppler = − √  2 1 j 0 0  j 1 0 0 Sind beide Verstärker identisch. |S22 | = 0.40 dargestellten Gesamtschaltung folgender Zusammenhang gilt: |S11 | = 0.5 |S21a + S21b | |S12 | = 0. Sijb bezeichnen die jeweiligen Streuparameter der Kettenschaltung Anpassnetzwerk-Verstärker-Anpassnetzwerk. Verwendet man anstelle der Branchline-Koppler sogenannte RatraceKoppler (180°-Hybridkoppler) so erhält man einen Gegentaktverstärker. |S21 | = 0. ZWEITORVERSTÄRKER 3 dB Hybridkoppler 3 dB Hybridkoppler Eingang Tor 1 1 4 1a Verstärker a Anpass− netzwerk Anpass− netzwerk 2a 111 1 4 Z0 Verstärker b 2 3 1b Z0 Anpass− netzwerk Anpass− netzwerk 2 2b 3 Tor 2 Ausgang Abb. Dabei teilt der λ/4 lange Eingangskoppler die Eingangsleistung gleichmäßig auf beide Verstärker auf.2. Die Bandbreite des Verstärkers wird begrenzt durch die Bandbreite des Richtkopplers.96 S11 = 0 und S22 = 0. so gilt unabhängig von eventuellen Fehlanpassungen der Einzelverstärker für den Gesamtverstärker gemäß Gl. der Ausgangskoppler addiert die Signale wieder vektoriell.40: Balancierter Verstärker mit 3 dB Branchline-Kopplern.5 |S11a − S11b | .5 |S22a − S22b | Die Streuparameter Sija bzw. Die Verstärkung und Rückwirkung entsprechen den Werten einer einzelnen Stufe.

l d 6 ZD . l g 3 ZG .B.41 abgeleitet werden.112 KAPITEL 2. ungefähr verdoppelte Rauschzahl). Nachteile sind der größere Stromverbrauch. Mehrere FETs werden sowohl am Gate als auch am Drain über RF-Input ZG . da jede Stufe durch einen Koppler abgetrennt ist. l O RF-Output w Abb. wobei auf das sich ergebende. dass die Signallaufzeit von Punkt 1 in Abb. Das Grundprinzip kann aus Abb. 2.41: Schematische Darstellung eines vierstufigen Wanderwellenverstärkers (eindimensionaler verteilter Verstärker) mit FETs. l d 7 ZD . l d 8 ZD . Dadurch angeregt laufen an den einzelnen Drains verstärkte Leistungswellen aus. VERSTÄRKER • Der Einzelverstärker kann auf maximale Breitbandigkeit (ebener Verstärkungsverlauf) und geringe Rauschzahl ausgelegt werden. • Bei Ausfall einer Stufe arbeitet der Verstärker mit reduzierten Leistungsdaten weiter (1/4 der Leistung: -6 dB. solange nur beide Verstärker gleich sind. Bei entsprechender Dimensionierung (die einzelnen Gate-Verzögerungsleitungen besitzen alle die gleiche Länge. Wanderwellenverstärker (Verteilter Verstärker) Neben den eher klassischen Verfahren für Breitbandverstärker sei hier noch der Wanderwellenverstärker dargestellt. 2. l D 5 ZD . • Hohe Stabilität durch ein hohes Maß an Entkopplung. die höheren Bauteilekosten und der vergrößerte Platzbedarf. l g 4 ZG . frequenzabhängige hohe VSWR keine Rücksicht genommen werden muss. erreicht werden. • Einfache Kaskadierbarkeit mit anderen Einheiten. • Die maximale verzerrungsfreie Ausgangsleistung ist doppelt so groß wie bei einem Einzelverstärker. . l g 2 ZG . l I 1 ZG . l G RG CG G1 G2 G3 G4 CD RD ZD . 2. ebenso sind alle Drain-Verzögerungsleitungen immer gleich lang) der Koppelleitungen an den Gates und Drains kann z.41 über 2 nach 6 identisch ist mit der von 1 über 5 nach 6. Leitungsstücke parallel geschaltet.

RF−Input rg Cgs U g1 Cgs ZD . dass zwar die Steilheiten gmi der Bausteine aufaddiert werden.und Drainkapazitäten. l d gm Ug3 Cgs ZG . in dem Realteil der Drainimpedanz vernichtet.42 verwendet. 2. ZWEITORVERSTÄRKER 113 deren Anteile sich in positiver w -Richtung an den Punkten 6 bis 8 konstruktiv überlagern. 1/2 L′g (2.41 abgeleitete Ersatzschaltbild Abb.h.und Ausgangskapazitäten Cgs und Cds direkt der Leitung zugeschlagen werden.42: Vereinfachtes Ersatzschaltbild eines Wanderwellenverstärkers mit FETs. steigt es beim Wanderwellenverstärker mit der Anzahl n der verwendeten FETs an. 2. wobei die FETs als rückwirkungsfrei (S12 = 0) angenommen sind.98 und Gl. Um den Gewinn.99 der neue Wellenwiderstand Zg bzw. und unter Vernachlässigung von rg und rd können die Ein. l g rg U g4 ZD . Die Anteile in negativer w -Richtung werden.2. nicht jedoch die Gate.1. d. wodurch sich aus Gl. dass lg und ld klein gegen die Wellenlänge sind. 2. l g rg U g3 ZD . l d gm Ug4 RF−Output ZLG Abb. 2. Während beim einfachen Parallelschalten das Verstärkungs-Bandbreite-Produkt konstant bleibt. 2. Unter der Annahme. l d gm Ug1 ZLD rd C ds rd C ds rd C ds rd C ds gm Ug2 ZG . sofern sie nicht durch destruktive Interferenz an den Punkten 7 bis 5 eliminiert wurden. Zd der Verbindungsleitungen ergibt. l g rg U g2 Cgs ZG . abhängig von der Stufenzahl n und den Schaltungsparametern zu bestimmen. Vorteil einer solchen Schaltungsart gegenüber einfachem Parallelschalten mehrerer FETs ist.98) Zg ≈ ′ + C /l Cg gs g L′d Zd ≈ ′ + Cds /ld Cd 1/2 (2.99) . wird nun das aus Abb. bei gleicher Verstärkung kann eine höhere Bandbreite erzielt werden.

so kann der zweite Term im Zähler und Nenner von Gl. 2. |γd | ≈ |βd |) und Zg ≈ Zd = Z0 . dass durch Erhöhung der Stufenzahl n der Gewinn nicht unbedingt ansteigen muss. Unter Einsatz der Theorie für rückwirkungsfrei verkoppelte Leitungen (Cgd = 0. 2.100) ′ + L′g Cg Cgs lg + L′g ′ + Cg Cgs lg = jβg + αg (2.100 ermittelt werden: G= mit γ g ≈ jω und γ d ≈ jω 2 gm Zd Zg γg lg [exp (−γg lg n) − exp (−γd ld n)] 2 l2 − γ 2 l2 γg g d d 2 rg ω 2 Cgs 2lg 2 (2.101) ′ + L′d Cd Cds ld + 1 2rd ld L′d = jβd + αd ′ ds +C Cd ld (2. 2.114 KAPITEL 2. d. Cg .102) Werden normale Betriebsbedingungen angesetzt. L′d und Cd die auf den Leitungslängen lg bzw. 2. Wenn die Verluste αd der Drainkettenleitungen gegenüber denjenigen der Gateverbindungen vernachlässigbar sind. so laufen die Wellen in Gateund Drainleitung nahezu synchron. Aus αg lg n ≤ 1 ergibt sich zusammen mit αg aus Gl. Wenn außerdem dämpfungsarme Leitungen angenommen werden (|γg | ≈ |βg |.101 und Gl. ld auftretenden Induktivitäts. In Abb. so reduziert sich Gl.100 zu 2 2 gm Z0 [exp(−αg lg n) − exp(−αd ld n)]2 G= 4 (αg lg − αd ld )2 (2. 2.45 gezeigt.h. Eine optimale Stufenzahl ergibt sich zu nopt ≈ ln(αg lg /αd ld )/(αg lg − αd ld ).103 vernachlässigt und die Exponentialfunktion in eine Reihe entwickelt werden (solange die Beziehung αg lg n < 1 erfüllt ist). 2.98 eine Designvorschrift für die optimale Stufenzahl durch 2 rg ω 2 Cgs Z0 n ≤ 2 (2. βg lg ≈ βd ld . VERSTÄRKER ′ ′ Hierbei sind L′g .43 ist der frequenzabhängige Gewinn als Funktion der Stufenzahl In diesem praxisbezogenen Betriebsfall ist der Gewinn bei kleinem n zunächst proportional dem Quadrat von n.42 der Gewinn einer n-stufigen Anordnung mit Hilfe von Gl. und es ergibt sich für den Gewinn 2 g 2 n2 Z0 G≈ m 4 2 2 2 lg n αg lg n αg 1− + 2 6 2 (2. 2.103) Aus dieser Beziehung wird deutlich. Für große Werte von n kann der Gewinn sogar gegen Null gehen.104) Die Vorzüge dieser Schaltungsweise seien an den Abb.105) .und Kapazitätsbeläge der Verbindungsleitungen. 2. also S12 = 0) kann aus Abb.43 bis 2.

46 zeigt einen praktischen Aufbau der Schaltung auf einem GaAs-Substrat als MMIC. Abb. Die Abhängigkeit des Frequenzgangs der Verstärkung von den inneren Drain. Es zeigt sich. Abb.und Gatewiderständen rd und rg der FETs ist in den Abb.44 und 2. dass für n = 4 Stufen ein Optimum der Flachheit erzielt werden konnte. Es ist ersichtlich.45 dargestellt.46: Praktischer Aufbau eines vierstufigen Wanderwellenverstärkers auf einem GaAs-Substrat als MMIC.rd = 464 Ω). 2. 13 13 12 11 10 9 6 CELLS 5 CELLS 4 CELLS 12 11 10 9 2000Ω 464Ω 300Ω rd =200Ω GAIN (dB) GAIN (dB) 8 7 6 5 8 7 6 5 4 3 2 1 1 CELL 2 CELLS 3 CELLS 4 3 2 1 100Ω 2 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 FREQUENCY (GHz) FREQUENCY (GHz) Abb.44: Frequenzgang der Verstärkung bei unterschiedlichen inneren Drainwiderständen rd für n = 4.1. 2.45: Frequenzgang der Verstärkung bei unterschiedlichen inneren Gatewiderständen rg für n = 4. 2. wobei jedoch gleichzeitig die Absolutverstärkung geringer als maximal möglich ist. Berechnet wurde hierbei das Beispiel eines Verstärkers für 2–12 GHz mit GaAs-MESFETs mit 1 µm Gatelänge.43: Verstärkung in Abhängigkeit von der Frequenz bei unterschiedlicher Stufenzahl. ZWEITORVERSTÄRKER 115 aufgetragen. 2. 2. . 13 12 11 10 9 rg =0Ω GAIN (dB) rg =22Ω 8 7 6 5 4 3 2 1 rg =44Ω 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 FREQUENCY (GHz) Abb. dass auch hier für festgehaltene Stufenzahl n optimale Widerstände existieren (rg = 22 Ω. Abb. 2.2.

2. . Dieser Verstärker kann als übertragungssymmetrischer Eintorverstärker entweder am Eingang (Rsi ≈ RL − Rn ) oder am Ausgang (RL ≈ Rsi − Rn ) angepasst betrieben werden.116 KAPITEL 2. Is Rsi Us0 RL -Rn Su(ω) Abb. Zu diesen Elementen gehören die Tunneldiode. 2. bei denen Generator. 2. die Lawinenlaufzeitdiode (IMPATT-Diode). Praktisch ist meist Rn ≤ 0. das Gunn-Element und die Varaktordiode mit zeitlich veränderlichem Blindwiderstand. 2. 2. Vorzugsweise werden Verstärker mit aktivem Eintor jedoch als Reflexionsverstärker aufgebaut.43) ergibt sich nach Abb.106) Es muss aus Stabilitätsgründen Rn < Rsi + RL bleiben.2 Eintorverstärker Neben aktiven Drei.9 · (Rsi + RL ) und damit für Rsi = RL der Übertragungsgewinn GT ≤ 100 (20 dB).48 ist die Schaltung eines Reflexionsverstärkers mit 4-Tor-Zirkulator dargestellt. um eine Rückwirkung vom Tor 3 zum Tor 1 auszuschließen.47: Prinzipschaltbild eines Eintor-Verstärkers. Für den Übertragungsgewinn (Gl.bzw. Aktive Eintore weisen unter bestimmten Betriebsbedingungen einen negativen Realteil in ihrer Klemmenimpedanz auf.47: IS P2 = 4Rsi RL GT = P1V Us0 2 = 4Rsi RL 4Rsi RL 2 = (Rsi + RL − Rn )2 |Zges | (2. In Abb. Lastwiderstand und der negative Widerstand durch ein nicht übertragungssymmetrisches Element in Form eines Zirkulators voneinander getrennt und damit der Eintor. Die vom Signalgenerator am Tor 1 gelieferte Leistung wird hierdurch verstärkt dem Lastwiderstand RL am Tor 3 zugeführt.47. Am Tor 4 ist der Zirkulator mit dem Widerstand Z0 reflexionsfrei abgeschlossen. VERSTÄRKER 2. Vierpolen finden aktive Zweipole (Eintore) Anwendung in Mikrowellenverstärkern.zum Zweitorverstärker erweitert wird. Der negative Widerstand −Rn bewirkt am Tor 2 des Zirkulators einen Reflexionsfaktor mit dem Betrag |r2 | > 1. Der aktive Zweipol wird hierin durch den negativen Widerstand −Rn (Rn > 0) und durch eine äquivalente Leerlauf-Rauschspannungsquelle Su (ω ) beschrieben. Das vereinfachte Prinzipschaltbild eines Eintor-Verstärkers zeigt Abb.

Der dynamische negative Widerstand −Rn (Rn > 0) ist bis weit in den Mikrowellenbereich hinein unabhängig von der Frequenz. Die Stabilitätsgrenze wird bei Z0 = Rn erreicht. Das Kleinsignalersatzschaltbild für eine Tunneldiode (Esaki. deren Arbeitspunkt A in den fallenden Teil der Kennlinie (Abb. d.2.h. Das Betriebsverhalten wird . EINTORVERSTÄRKER Z0 4 1 4’ 3’ 117 Rsi Us0 RL 1’ 2 2’ 3 Su (ω) -Rn Abb. Die maximal verfügbare Betriebsleistungsverstärkung des Reflexionsverstärkers.2. 2.und nHalbleitern (1019 –1020 Atome/cm3 ).50. Die effektive Rauschtemperatur am Eingang des Verstärkers bei beidseitiger Anpassung ist gegeben durch T = Su ( ω ) · 1 − 1/Gmax 4kRn (2.2. 2. 2.1 Reflexionsverstärker mit Tunneldiode Tunneldioden bestehen aus pn-Übergängen mit hochdotierten p. zeigt Abb. ist bei verlustfreiem Zirkulator gleich dem Quadrat des Betrages des Reflexionsfaktors am Tor 2: Gmax Z0 + Rn = | r2 | = Z0 − Rn 2 2 >1 (2. Aus Stabilitätsgründen wird für eine Verstärkerstufe Gmax ≈ 30 bis 100 (entsprechend 15 bis 20 dB) gewählt. 1958).108) 2.107) Es lassen sich nicht beliebig hohe Werte der Betriebsleistungsverstärkung erreichen.49) gelegt wird. bei Anpassung am Eingang und Ausgang.48: Prinzipschaltbild eines Reflexionsverstärkers.

RB Ls RB Ls Cs -Rns Cj -Rn Cs = Cj 1 + (!1 )2 n Rns = 1+(R ! )2 = Rn Cj Abb. 250 bis 450 mV für Germanium und 450 bis 650 mV für GaAs. 60 mV für Germanium und 100 mV für GaAs).50: Kleinsignalersatzschaltbild einer Tunneldiode. UH : Höckerspannung (ca.110) fc = 2πRn Cj RB . muss die Frequenz kleiner sein als die Grenzfrequenz fc . bei der Re(Z ) = 0 wird: Rn − RB 1 (2.109) ωτ Rn Rn + j ωLs − 2 1 + (ωτ ) 1 + (ωτ )2 Wegen RB ≪ Rn ist bei tiefen Frequenzen Re(Z ) < 0. Damit der Realteil von Z (ω ) negativ bleibt. Nach Abb.49: Kennlinie einer Tunneldiode mit Arbeitspunkt A. rechts Serienersatzschaltung. Ls stellt die innere Zuleitungsinduktivität dar. UT : Talspannung (ca. 2. Z (ω ) = RB − Rns + jωLs + Z (ω ) = RB − 1 jωCs (2. nach höheren Frequenzen hin durch die Sperrschichtkapazität Cj und den Bahnwiderstand RB begrenzt.118 KAPITEL 2.50 erhält man bei der Kreisfrequenz ω die Kleinsignalimpedanz der Tunneldiode nach Umrechnung in die Seriengrößen Rns und Cs mit τ = Rn Cj . 2. entspricht Knickspannung einer gewöhnlichen Diode). 2. VERSTÄRKER I 1: direktes Tunneln 2: indirektes Tunneln (über Trapniveaus) 3: Shockleysche Flusskennlinie UH UB UT 1 2 3 U A Abb.

2.50 erhalten wir das in Abb.2. Die Tunneldiode TD ist in Serie zum Signalgenerator mit der Leerlaufspannung Us0 und dem Innenwiderstand RS und zum Lastwiderstand RL geschaltet. Mit Abb. EINTORVERSTÄRKER 119 Bei Mikrowellen-Tunneldioden lassen sich Grenzfrequenzen bis zu 100 GHz erreichen. b) Kleinsignalersatzschaltbild des Tunneldiodenverstärkers. muss auch der Realteil der Impedanz im . 2.111) Wenn Ls /(Cj RB ) < Rn so ist fr > fc .51b dargestellte Kleinsignalersatzschaltbild des Tunneldiodenverstärkers. 2. a) Rs TD LZ b) Rs RB LS +LZ -Rn Us0 CK RL Us0 Cj U2 RL UB Abb. 2.B. an ihm liegt eine reine Gleichspannung.112) + ω (LZ + Ls ) − ωτ Rn 1+(ωτ )2 Man erkennt. Um eine hohe Leistungsverstärkung zu erzielen. Hierin liegt der Hauptanwendungsbereich von Tunneldioden in der Mikrowellentechnik. dass für f < fr der Imaginärteil der Diodenimpedanz durch Lz z. 2.52: Nach Abb. 2.109 den Übertragungsleistungsgewinn GT = Rs + RL + RB − 4Rs RL Rn 1+(ωτ )2 2 2 (2.51: a) Prinzipschaltbild eines Tunneldiodenverstärkers in Serienschaltung.2. Der Imaginärteil der Impedanz Z (ω ) wird zu Null bei der Eigenresonanzfrequenz fr der Diode: fr = 1 2π Ls Cj 1− Ls 2 Cj Rn (2. Das Prinzipschaltbild eines Tunneldiodenverstärkers ist in Abb. Unterhalb ihrer Grenzfrequenz lassen sich mit Tunneldioden einfache Verstärker aufbauen. Der Kondensator Ck soll bei den Betriebsfrequenzen einen Kurzschluss darstellen. für die Bandmitte ωm des Verstärkers kompensiert werden kann. Der Arbeitspunkt der Tunneldiode wird mit der Vorspannung UB eingestellt.51a dargestellt. Die Erweiterung zum Reflexionsverstärker zeigt Abb. 2.51 erhalten wir mit Gl.

Die Abgleichbedingung für die Summe aus Bahn-. 2.113 im wesentlichen durch die Größe der Zeitkonstanten τ = Rn Cj bestimmt. 2.115) Die Stabilitätsbedingungen lauten hierfür: Z0 + RB < Rn und LZ + Ls < Cj Rn (Z0 + RB ) (2.120 KAPITEL 2.51: Rs + RL + RB < Rn und LZ + Ls < Cj Rn (Rs + RL + RB ) (2. Neben den Erfordernissen für Verstärkung und Bandbreite sind die Stabilitätsbedingungen zu beachten. 2. 2. Sie lauten für einen Verstärker nach Abb. VERSTÄRKER Z0 Rsi Us0 1’ 2 2’ 3 4 1 4’ 3’ RL RB Cj Ls +Lz −Rn Abb. Last.107 den maximal verfügbaren Leistungsgewinn: Z0 − RB + Z0 + RB − Rn 1+(ωτ )2 Rn 1+(ωτ )2 2 2 Gmax = + ω (LZ + LS ) − + ω (LZ + LS ) − ωτ Rn 1+(ωτ )2 ωτ Rn 1+(ωτ )2 2 2 (2.und Generatorinnenwiderstand lautet: Rs + RL + RB ≈ Rn 1 + (ωm τ )2 (2.114) Für den Verstärker mit Zirkulator nach Abb.52 erhalten wir entsprechend Gl.116) .113) Die Bandbreite des Verstärkers wird nach Gl. 2.112 und Gl. 2. Nenner kompensiert werden.52: Kleinsignalersatzschaltbild des Tunneldiodenverstärkers mit Zirkulator.

2. ohne dass es zu bleibenden Domänen kommt. beträgt je nach Halbleitermaterial I0 Rn ≈ 45 bis 75 mV.117) Der minimale Wert des Produkts I0 Rn . 2. Rns erhalten wir damit eI0 Rn /2k = 250 K bis 450 K (Entspricht einer Rauschzahl NF = 2. EINTORVERSTÄRKER 121 Als interne Rauschquellen sind bei der Tunneldiode das Schrotrauschen des Diodengleichstroms I0 im Arbeitspunkt und das thermische Rauschen des Bahnwiderstandes RB bei der Diodentemperatur TD zu berücksichtigen.2. Lawinenlaufzeitdioden im TRAPATT-Mode (TRApped Plasma Avalanche Triggered Transit. ND : Donatorendichte.7 dB bis 4 dB).2 Reflexionsverstärker mit Gunn-Elementen und Lawinenlaufzeitdioden Die bei Tunneldioden erzielbare Ausgangsleistung ist relativ gering (< 1 bis 10 mW). 2. Die Bandbreite eines Tunneldioden-Zirkulatorverstärkers wird im wesentlichen durch die Bandbreite der Stabilisierungs. Bei Mikrowellen-Tunneldioden ist Rn ≈ (5 bis 25) · RB . Die niedrigste Frequenz. Hohe Ausgangsleistungen bei Pulsbetrieb. Bei Frequenzen von einigen GHz wird eine Bandbreite von 1 GHz bei einer Ausgangsleistung von 10 mW und einer Verstärkung von 10 dB erreicht. Bei Frequenzen um 1 GHz erhält man eine Rauschtemperatur von 300 K (NF = 3 dB).52 ergibt sich die minimale effektive Rauschtemperatur bei hoher Verstärkung (mit Rn und Rns nach Gl. w : Länge der aktiven Zone) im Bereich negativer differentieller Beweglichkeit bei bestimmten Frequenzen einen negativen differentiellen Leitwert auf. die Leistungen entsprechen etwa den im Oszillatorbetrieb erreichbaren . Bei überkritischer Dotierung tritt dieser negative differentielle Leitwert nur bei bestimmten Bereichen der Betriebsspannung am Gunn-Element auf. Für einen Verstärker nach Abb. lassen sich mit Lawinenlaufzeitdioden (IMPATT-Dioden: Impact Avalance Transit Time) bzw.B. Höhere Ausgangsleistungen lassen sich mit Gunn-Elementen oder Lawinenlaufzeitdioden als aktiven Zweipolen erreichen. entspricht etwa dem Kehrwert der Domänenlaufzeit t. wie dies z. auch Rauschkonstante der Tunneldiode genannt. Gunn-Elemente weisen bei unterkritischer Dotierung (ND w < 1012 cm−2 bei GaAs. Für die effektive Rauschtemperatur des Verstärkers mit Rn bzw.4 dB). für niedrige Frequenzen) bei sehr hohen Überspannungen in Sperrrichtung erreichen. für Radaranwendungen erforderlich ist.2. bei der dies geschieht. bei 18 GHz etwa 1000 K (NF = 6.109) zu: Tmin ≈ TD RB eI0 Rn Rns + Rns − RB 2k Rns − RB (2. 2. so dass die Rauschtemperatur des Verstärkers hauptsächlich durch das Schrotrauschen der Tunneldiode bestimmt wird.und Entkopplungsnetzwerke bestimmt. Dies kann zur Signalverstärkung genutzt werden.

sondern auch bei Oberschwingungen der Signalfrequenz. a) RL RSi Z0 Zirkulator UB TRAPATT− Diode Transformator Netzwerk b) TRAPATT− Diode ZL . Das Prinzipschaltbild eines derartigen Verstärkers zeigt Abb. 2.53a. l1 c) TRAPATT− Diode ZL . b) Realisierung des Transformator-Netzwerkes mit Serienleitungen.52 zusätzlich vorhandene Transformator-Netzwerk sorgt nicht nur bei der Signalfrequenz für eine Anpassung der Diode an die Innenimpedanz Z0 . 2. c) Realisierung des Transformator-Netzwerkes mit λ/4-Koppler in Microstrip-Technik. . um einen stabilen Verstärkerbetrieb zu ermöglichen. Die Betriebsspannung UB wird entsprechend dem gewünschten Tastverhältnis des Ausgangssignals gepulst.53: a) Reflexionsverstärker mit TRAPATT-Diode. VERSTÄRKER Werten. Das gegenüber Abb. TRAPATT-Dioden liefern 400 W (gepulst) bei 1 GHz mit 60% Wirkungsgrad. 2. l2 Zirkulator λ/4 Zirkulator Stichleitung λ/4−Koppler Microstrip− substrat Abb.122 KAPITEL 2.

2. das die grundlegende Funktionsweise eines Blindwiderstandes als Verstärker darstellt sei im folgenden beschrieben: Man stelle sich einen aus Spule und Kondensator bestehenden Schwingkreis vor. Es bedarf einiger Energie. erhält man ein ähnliches Verhalten. Anstatt durch die Bewegung der Kondensatorplatten die Kapazität des Kondensators zyklisch zu verändern. die Frequenz 2fs haben. 2. Darin liegt der Ursprung für den Begriff „Parametrischer Verstärker“. 2. 5 bis 10 dB. Die erreichbare Verstärkung derartiger Verstärker liegt bei ca. es werden Bandbreiten von bis zu 10 bis 20% erzielt. 2. wird die Frequenz 2fs auch oft als „Pumpfrequenz“ fp bzw. dessen Wert als Funktion der Zeit mit Hilfe eines geeigneten Hilfssignals verändert werden kann. die die Platten bewegt. Die Möglichkeit der parametrischen Verstärkung wurde bereits 1831 durch Lord Rayleigh gezeigt. in Abb. wenn das Signal als Sinusschwingung durch Null geht. wenn das schwache Signal als Sinusschwingung durch ein Maximum geht. Die zeitliche Änderung der Blindparameter kann zur Erzeugung einer Verstärkung ausgenutzt werden. „Pumpleistung“ bezeichnet. dann wird das Signal in den Maxima um kleine Beträge stetig verstärkt.53b wird der gewünschte Impedanzverlauf über die beiden in Reihe zur Diode geschalteten Leitungen erzielt. Wenn das Signal die Frequenz fs hat.53c wird die Diode über einen λ/4-Koppler an den Zirkulator angeschlossen. Wenn man nun dafür sorgt. und immer dann aufeinander zu bewegt werden. dass dieses Bauelement zum . muss die Erregung. die für diese Klasse von Verstärkern verwendet wird ist MAVAR: Microwave Amplification by VAriable Reactance. 2. wenn man die Induktivität der Spule zyklisch ändert. der auf eine bestimmte Frequenz abgestimmt ist. Eine Abkürzung.3 Parametrische (Reaktanz-) Verstärker Allgemeines Bei einem Parametrischen Verstärker wird ein nichtlinearer Blindwiderstand oder ein Blindwiderstand. es wird aber keine Energie gewonnen. Da man sich den oben beschriebenen Vorgang auch als „umpumpen“ der Energie von einer Frequenzlage in eine andere vorstellen kann. Die erste Untersuchung der nichtlinearen Kapazität wurde 1948 von van der Ziel durchgeführt. dass die Platten des Kondensators immer dann ein wenig voneinander entfernt werden. Ein mechanisches Bild. Er wies darauf hin. EINTORVERSTÄRKER 123 Die Abb. die in den Maxima geladenen Kondensatorplatten voneinander zu entfernen. wenn die Platten bei den Nulldurchgängen wieder einander angenähert werden.53b und c zeigen zwei mögliche Ausführungen des TransformatorNetzwerkes (ohne Gleichspannungszuführung). Diese Frequenz liefert damit auch die Energie. angewendet.2. In Abb. die das Signal verstärkt.2. In diesem Schwingkreis befinde sich ein schwaches Signal dieser Frequenz.

Da die Vorgänge in reellen veränderbaren Reaktanzen nichtlinear sind. Wenn die Pumpfrequenz dann genau 2fs ist. Heutige GaAs-Feldeffekttransistor-Verstärker erreichen bei dieser Frequenz ein Rauschmaß (Rauschzahl) von NF = 0. so nennt man diesen Verstärker auch „degeneriert“ (entartet).1) bei weitaus geringerem Aufwand.oder Abwärtsmischer aufgebaut werden. Damit können sehr rauscharme Aufwärts. Nutzt man nur die Möglichkeit des Verstärkungseffekts aus. werden heutzutage mit Feldeffekttransistoren realisiert.05 − 1. als er über ein Jahrzehnt lang der empfindlichste Verstärker im oberen Ultrakurzwellen.und Ausgangsfrequenz gleich sind.4 dB (F = 1.22). Die Nichtlinearität des Blindelementes eines Parametrischen Verstärkers kann man durch eine entsprechende äußere Beschaltung und Wahl der Pumpfrequenz auch zusätzlich zum Mischen verwenden. (zum Beispiel hat eine Kapazitätsdiode eine nichtlineare Kapazität. genauem und kritischem Abgleich der Frequenzen und Amplituden und eventueller Kühlung erreicht wurden. insbesondere höheren Frequenzen. In der THz-Technik und Optik werden Parametrische Verstärker oft verwendet. Eine genauere Analyse zeigt. In den folgenden Jahren wurde der Parametrische Verstärker mit Kapazitäts-Varaktordioden entwickelt.85 dB (F = 1. Die erste Realisierung eines Parametrischen Verstärkers im Mikrowellenbereich stammt von Weiss. Um 1960 erreichte man mit Parametrischen Verstärkern mit dem Diodentyp 1N660 auf einer Signalfrequenz von 145 MHz und einer Pumpfrequenz von 900 MHz ein Rauschmaß (Rauschzahl) von NF = 0. Technisch wurden daher Pump-Oszillatoren bis zu fp = 9fs verwendet.2 dB − 0.124 KAPITEL 2. Das oben beschriebene mechanische Bild beschreibt einen linearen Vorgang.und Mikrowellenbereich war. das heißt eine nichtlineare Beziehung zwischen Spannung und Ladung) funktioniert das „Umpumpen“ der Energie auch bei anderen. da es im wesentlichen ein Blindschaltelement ist. in dem kein thermisches Rauschen erzeugt wird. bei dem Ein. . als fp = 2fs . Die Entwicklung moderner Halbleitertransistoren hat den Parametrischen Mikrowellen-Verstärker in der heutigen Zeit vollständig verdrängt. die bei Parametrischen Verstärkern nur mit hohen Pumpfrequenzen. so erhält man einen Geradeausverstärker. der einem früheren Vorschlag von Suhl (1957) über die Verwendung eines nichtlinearen Effektes in Ferriten folgte. dass sich mit hohem fp das Rauschverhalten verbessert. Den Höhepunkt der technischen Entwicklung erlebte der Parametrische Verstärker in den sechziger und Anfang der siebziger Jahren. VERSTÄRKER Aufbau eines rauscharmen Verstärkers verwendet werden kann. Niedere Rauschzahlen. Typische Anwendungen waren zum Beispiel empfindliche HF-Verstärker in Empfängern von Radaranlagen oder in der Radioastronomie zur Messung der interstellaren Hintergrundstrahlung.

Eine gepumpte Kapazitätsdiode. d.54. .118 negativ bleibt.2.2. Eine Verstärkung ist nur dann möglich. dargestellt durch die periodisch zeitabhängige Sperrschichtkapazität C (ωp t) und den konstanten Bahnwiderstand RB . In Reihe zu Signalgenerator und Lastwiderstand RL liegt die negative reelle Eingangsimpedanz Re der Mischschaltung.und Hilfsfrequenz. dient als Mischelement.54: Reaktanz-Geradeausverstärker. Das Prinzipschaltbild eines Reaktanz-Geradeausverstärkers und sein Kleinsignalersatzschaltbild zeigt Abb. C1 ist hierbei das lineare Entwicklungsglied von C (ωp t). in dem ein Verstärker betrieben werden kann. 2. EINTORVERSTÄRKER Reaktanz-Geradeausverstärker als Eintorverstärker 125 Die bei der Pumpfrequenz der Reaktanz zugeführte Pumpleistung wird dabei sowohl bei der Signalfrequenz als verstärktes Signal als auch bei der durch Mischung entstehenden Zwischenfrequenz (sie wird hier als „Hilfsfrequenz“ fh = fp − fs bezeichnet) an die äußere Beschaltung abgegeben. solange der Eingangswiderstand nach Gl. 2. Die Widerstände Rs und Rh berücksichtigen die Verluste von Signalund Hilfskreis. 2.118) Hierin ist Qs∼ = ωs RB C1 die dynamische Güte der Kapazitätsdiode bei der Signalfrequenz. a) Prinzipschaltbild. Aus der Berechnung des Eingangswiderstandes bei Resonanzabstimmung erhält man: Re = (Rs + RB ) 1 − Q2 s∼ 2 fs RB fh (Rh + RB )(Rs + RB ) (2. für Q2 s∼ fs > fh 1+ Rh RB 1+ Rs RB (2.119) Hieraus ergibt sich der zulässige Bereich der Signal. a) Rsi RL Cs Ls Rs Rh Us0 Up UB Reaktanzschaltung Ch Ersatzschaltung C ( ωp t) Ch b) Rsi RL Cs Ls fs RB fh Lh Rs Rh Lp Us0 D Abb. dass nur Ströme der betreffenden Frequenz fließen (Resonanzabstimmung). b) Kleinsignalersatzschaltbild. h. Die beiden Reihenschwingkreise seien unter Berücksichtigung der Arbeitspunktkapazität C0 der Diode auf die Signalfrequenz fs und die Hilfsfrequenz fh = fp − fs abgestimmt und von so hoher Güte.

Umgekehrt bewirkt eine Spannung am Hilfskreis phasengleiche Ströme am Ausgang und Ströme entgegengesetzter Phase am Eingang. die sich zu Null addieren. VERSTÄRKER Reaktanz-Geradeausverstärker als Zweitorverstärker Bei den üblichen übertragungssymmetrischen Eintorverstärkern wird ein unsymmetrisches Netzwerk (z. Der für den Verstärkungsvorgang notwendige Leistungsumsatz bei der Hilfsfrequenz kann somit nur vom Eingang her angeregt werden.126 KAPITEL 2. Dabei wird die Unsymmetrie der Frequenzumsetzung unter Ausnutzung bestimmter Phasenverhältnisse der beteiligten Signale für die Entkopplung der Tore der einlaufenden und auslaufenden Signale bei gleicher Frequenz ausgenutzt.B. fh C1 ( ωp t) Rsi Us0 +π/2 RL C2 ( ωp t− π/2) fs fs Abb. z. Weil Parametrische Verstärker mit einer externen Pumpquelle fremdgesteuert werden. Die beiden Varaktoren C1 und C2 werden mit einer Phasendifferenz von -90° gepumpt. die verstärkte Signalleistung wird allein am Ausgang bereitgestellt. verbunden. Eine Spannung am Eingang bewirkt über die beiden zeitabhängigen Kapazitäten phasengleiche Ströme im Hilfskreis. während eine Spannung am Ausgang Ströme entgegengesetzter Phase hervorruft. dass sie ein Zweitor bilden. 2. . 2.55: Nichtübertragungssymmetrischer Reaktanzverstärker mit zwei Varaktoren (Ersatzschaltbild). eine λ/4-Leitung. können mindestens zwei Reaktanzen gleichen Typs so miteinander verschaltet werden.und Ausgang benötigt.B. Eingang und Ausgang des Verstärkers sind durch ein Netzwerk mit 90° Phasendrehung.55. Das Prinzipschaltbild eines solchen Verstärkers zeigt Abb. Zirkulator) zur Trennung von Ein.

Oberhalb einer Spannung Un wechselt die Gatterausgangsspannung von Umax auf 0 V. C1 . 3. In Empfängern dient er der selektiven Empfangsfrequenzwahl als Lokaloszillator (LO) und in Sendern zur Träger. 3. Der Kondensator wird nun wieder über R1 entladen und entgegengesetzt aufgeladen. wenn angenommen wird.1 3.1 Niederfrequenzoszillatoren Rechteckgeneratoren Das Oszillationsprinzip kann bei Rechteckgeneratoren. sollen einige Varianten von Niederfrequenz (NF)-Oszillatoren und ihre Funktionsweise aufgezeigt werden.bzw. Unterhalb einer bestimmten Eingangsspannung Up wechselt die Ausgangsspannung der Gatter N1 und N2 (beides Inverter) schlagartig von 0 V auf Umax . wodurch N1 seine Ausgangsspannung auf 0 V ändert.und Mikrowellenoszillatoren eingegangen wird. deren Amplitude durch die Betriebsspannung und deren Frequenz durch R1 . sehr einfach nachvollzogen werden. bis der Schwellenwert Un am Eingang von N2 erreicht wird usw. 3. Bei Erreichen der Kondensatorspannung Umax − Up wechselt Inverter N2 schlagartig die Ausgangsspannung auf den Wert Umax . Ausgehend von einem Grundzustand mit entladenem C1 und Ua1 = Umax wird zu Beginn am Eingang von Inverter N2 ebenfalls Umax anliegen.2: 127 . Bevor nun auf die verschiedenen Typen und die Problematik der Dimensionierung von Hochfrequenz. Hilfsträgerfrequenzerzeugung. Damit hat Ua2 den Wert 0 V und C1 wird über R1 langsam aufgeladen. Am Ausgang von N2 kann eine Rechteckspannung abgegriffen werden.1.1 aufgebaut sind. dass die Invertereingänge stromfrei sind. die mit digitalen Gattern wie in Abb. Un und Up bestimmt wird.Kapitel 3 Oszillatoren Der Oszillator ist das Herzstück nahezu jeder komplexen Mikrowellenschaltung. Eine weitere Schaltung nach diesem Prinzip zeigt Abb.

128

KAPITEL 3. OSZILLATOREN

N1 Ua1 C1 N2 R1 Ua2

Abb. 3.1: Einfacher Rechteckgenerator (Multivibrator).

R1 +

C1 R2 + UD -

R3

invert. Integrator
Abb. 3.2: Dreieck-Rechteck-Generator.

UR SchmittTrigger

Es handelt sich dabei um einen Dreieck-Rechteck-Generator, wobei ein invertierender Integrator durch die Ausgangsspannung des nichtinvertierenden SchmittTriggers aufgeladen bzw. entladen wird. Dabei wechselt der Schmitt-Trigger das Vorzeichen der Ausgangsspannung immer gleichsinnig zur Eingangsspannung bei Erreichen eines gewissen Eingangsspannungswerts, wodurch der invertierende Integrator zur Umkehr des Ladungsprozesses gezwungen wird. Am Ausgang des Integrators entsteht dadurch eine Dreieckspannung, am Schmitt-Trigger kann R3 1 eine Rechteckspannung gleicher Frequenz f = · mit der Amplitude R2 4R1 C1 R2 UR abgegriffen werden. UD = R3 Beide Schaltungsarten geben oberschwingungshaltige Kurvenformen ab. In der Analogtechnik sind jedoch Sinusschwingungen meist vorteilhafter einsetzbar. Zur Erzeugung einer Sinusschwingung kann entweder eine Filterung der Ausgangsspannung oder ein Konzeptwechsel vorgenommen werden. Das Grundprinzip

3.1. NIEDERFREQUENZOSZILLATOREN

129

dabei ist stets, dass eine resonanzfähige Schaltung mit einem verstärkenden Bauelement (Ein- oder Zweitor) entdämpft wird.

3.1.2

Erzeugung von Sinusschwingungen

Die Erzeugung von Sinusschwingungen kann am einfachsten anhand eines LCOszillators gezeigt werden. Grundaufgabe ist es dabei, die Dämpfung im LCKreis (Serien- oder Parallelresonanzkreis) durch entsprechende Beschaltung mit einem Verstärker und Rückführung der verlorenen Energie zu verringern. Ein einfaches Blockschaltbild für einen Rückkopplungsoszillator (Feedback Oscillator), das auch für Hochfrequenzoszillatoren Gültigkeit hat, zeigt Abb. 3.3.

|A(ω)| α(ω) U1 Verstärker U2

|K(ω)| β(ω) Rückkoppler RE U3

Abb. 3.3: Blockschaltbild eines Rückkopplungsoszillators.

U1 wird durch den Verstärker um den Übertragungsfaktor |A(ω )| angehoben, wobei eine Phasenverschiebung α(ω ) auftritt. Die Ausgangsspannung U2 wird dem frequenzselektiven Rückkopplungsnetzwerk (meist einem Resonanzkreis oder einem Phasenschieber) zugeführt, welches einen Übertragungsfaktor |K (ω )| und eine Phasenverschiebung β (ω ) besitzt. Die Schwingbedingung kann durch Auftrennen der Rückkopplungsleitung untersucht werden. Dazu wird das Rückkopplungsnetzwerk, wovon der Schwingkreis ein Teil ist, ausgangsseitig mit einem dem Verstärkereingangswiderstand RE entsprechenden Abschluss belastet. Bei Speisung mit einer frequenzvariablen Spannung U1 kann diejenige Frequenz ermittelt werden, bei der U1 und U3 betrags- und phasenmäßig übereinstimmen. Hier ist der Oszillator schwingfähig, da gerade die Verlustenergie wieder eingespeist wird. Für die komplexen Übertragungsgrößen muss daher die Schwingbedingung U1 = U3 = K · A U1 also K ·A = 1 (3.1) gelten, woraus sich zwei Bedingungen für Betrag und Phase ergeben: |K | · |A| = 1 α + β = 0, 2π, 4π, . . . Eine entsprechende Schaltung ist in Abb. 3.4 dargestellt. (3.2) (3.3)

130

KAPITEL 3. OSZILLATOREN

i=0

+ (A-1) R1 U2 R1

R

iR iC iL

1

C

L

U1

Abb. 3.4: Einfacher LC-Oszillator mit Rückkopplung.

Um eine genauere Beschreibung der Schwingung zu erreichen, wird eine Analyse um Knoten 1 durchgeführt. iR − iC − iL = 0 U2 − U1 ˙1 − 1 − CU R L U1 dt = 0 (3.4) (3.5)

Nach einmaligem Ableiten, dividieren durch −C und Umstellen folgt mit U2 = A · U1 ¨1 + 1 − A U ˙ 1 + 1 U1 = 0 U (3.6) RC LC was der Differentialgleichung (DGL) einer gedämpften Schwingung entspricht. Es werden nun die Abkürzungen γ= 1−A 2RC und
2 ω0 =

1 LC

(3.7)

eingeführt, womit sich aus Gl. 3.6 die vereinfachte Form in Gl. 3.8 ergibt. ¨ 1 + 2γ U ˙ 1 + ω 2U1 = 0 U 0 Lösungen dieser DGL sind U1 (t) = U0 e−γt · sin wobei drei Fälle zu unterscheiden sind: 1. γ > 0, d.h. A < 1 Die Amplitude der Ausgangswechselspannung nimmt exponentiell ab, die Schwingung ist gedämpft.
2 ω0 − γ2 · t

(3.8)

(3.9)

jedoch ist damit nicht für ein sicheres Anschwingen gesorgt. d. dass die Nichtlinearität nicht einfach auf ein in seiner Nichtlinearität bekanntes Bauteil zurückgeführt werden kann. homogenen Differentialgleichungen übergeht. Während die S-Eintore nur Serienkreise stabil entdämpfen können (der Bereich negativen Widerstands ist durch einen Stromanstieg gekennzeichnet).5). frequenzbestimmenden Teil und einem negativen Widerstand zur Entdämpfung. Im Hochfrequenz.B.10) ω0 = √ LC 3.8 in einen Satz von nichtlinearen. Aufgrund der endlichen Betriebsspannung ergäbe sich daraus eine ungewünschte Rechteckoszillation. γ < 0. 3. Eine vollständige Analyse des Schwingvorgangs zum Zweck der Schaltungsberechnung wird hierdurch erschwert. Entsprechend der Kennlinie des aktiven Elementes unterscheidet man zwischen Eintor-Oszillatoren vom S. damit aus Rauschen oder Einschaltspannungsspitzen eine brauchbare Ausgangsspannung entsteht.und Mikrowellenbereich tritt meist zusätzlich die Schwierigkeit auf. Andererseits fordert die Anschwingbedingung für den Oszillator A > 1. sind N-Eintore ausschließlich zur Entdämpfung von Parallelkreisen geeignet (der Bereich negativen Widerstands ist durch einen Spannungsanstieg gekennzeichnet). Aus dieser Fallunterscheidung ergibt sich.h.und N-Typus (Abb. A = 1 Es ergibt sich eine Sinusschwingung konstanter Amplitude U0 mit der Frequenz 1 (3. Um den Oszillationsprozess anzufachen muss vorab die Schleifenverstärkung größer 1 sein. 3. γ = 0. durch Einbau eines spannungsabhängigen Widerstandes in den Rückkopplungszweig von Abb.2. A > 1 Die Amplitude der Ausgangswechselspannung nimmt exponentiell zu. d.4. einem bedämpften. Daher ist es notwendig. gezielte Nichtlinearitäten in den Oszillator einzubringen z.2 Eintor-Oszillatoren Eintor-Oszillatoren bestehen im Allgemeinen aus nur zwei Komponenten. 3. . EINTOR-OSZILLATOREN 131 2. da die lineare Differentialgleichung Gl. dass zwar frequenz. An dieser Stelle wird die Problematik des Oszillatorentwurfs offensichtlich: Einerseits soll durch möglichst lineare Verstärkung A das Oszillatorverhalten leicht berechenbar gemacht werden.und amplitudenstabile Oszillationen möglich sind. wodurch bei linearer Verstärkung eine exponentiell anwachsende Ausgangsspannung folgt. sondern dass im Gegenteil das verstärkende Element mit seiner gekrümmten Kennlinie in die Berechnung eingeht.3. 3.h.

Mit diesem Kennlinienverlauf ergibt sich für f < fr ein Ersatzschaltbild nach Abb. aus hochdotierten pn-Schichten.11b mittels der Kirchhoffschen Regeln untersucht werden. 3. b) N-Eintore: Tunneldiode.1 erwähnt. Lichtbogen.11a und 3. 3. Abb. Als unerwünschte Elemente treten noch der Bahnwiderstand RB . OSZILLATOREN du/di >0 =0 A du/di >0 u <0 =0 di/du <0 =0 >0 A di/du>0 =0 u Abb. Den Kennlinienverlauf zeigt Abb.7.6. .1 Oszillatoren mit Tunneldioden Tunneldioden bestehen.6: Kennlinie einer Tunneldiode (vgl. sowie die Zuleitungsinduktivität LS auf. aufgrund des aber schon bei sehr kleinen Spannungen auftretenden negativen Widerstands lassen sich nur verhältnismäßig kleine Ausgangsleistungen erzeugen (ca. wie schon in Abschnitt 2. Wird die Diode entsprechend Abb.49). mit denen sich auch Oszillatorschaltungen bis über 100 GHz hinaus verwirklichen lassen. Gunn-Element.2.132 a) i b) i KAPITEL 3. so kann das Schaltungsverhalten entsprechend Gln. bestehend aus einem negativen Widerstand −Rn und der durch den pn-Übergang gebildeten Parallelkapazität Cj . Dynatron (Tetrode mit Schirmgitterspannung > Anodenspannung). 2. I IH ∆I 1 R<Rn R>Rn A 2 ∆U IT UH UB UT U Abb.2. 3.8 beschaltet. 3. 3. 3. wobei R = RB + RL ist. 1–20 mW).5: Beispiele für Eintortypen: a) S-Eintore: Doppelbasisdiode und Vierschichtdiode/triode (Thyristor). 3. Im Vergleich zu Transistoren sind sie viel niederohmiger.

11b) Damit ergibt sich durch Einsetzen von 3.12) u du − Cj Rn dt (3.12 die Differentialgleichung LCj d2 u L + RCj − 2 dt Rn du R + 1− dt Rn u=0 (3.2.3.11b in Gl. 3.11a) (3. Abb.50).13a) .7): in + iC + iL = 0 also iL = und die Maschenregel diL dt Dabei werden folgende Abkürzungen eingesetzt: u = R · iL + L L = LS + LZ und R = RB + RL (3. Es gilt die Knotenregel (siehe Abb. 3. 3. 3. UB Lz RL CB TD Abb. EINTOR-OSZILLATOREN Tunneldiode 133 iL in u -Rn iC Cj RB Ls Lz RL Abb.8: Äußere Beschaltung. 2.7: Ersatzschaltbild einer Tunneldiode (vgl.

13b) übergeht.14 positiv wird. es können sich amplitudenbegrenzte Rechteckschwingungen aufbauen. 2 mW im X-Band (8–12 GHz) ungefähr 2 %.15) Diese Beziehung wird auch als Anschwingbedingung bezeichnet. Der Wirkungsgrad beträgt bei Ausgangsleistungen von ca. soll fr < f0 < fc gelten. Als Halbleitermaterial . Die Stromaussteuerung ∆I bewegt sich zwischen 1 und 20 mA. 3. d. Üblicherweise werden Tunneldioden. d. für GaAs ca.14) Dabei sind periodische Schwingungen nur möglich.2. 100 mW für Frequenzen zwischen 1 GHz und 100 GHz verwendet. Damit kann die Diode als Schalter eingesetzt werden. die ihrerseits stabil sind. RB + RL < LS + LZ Rn Cj (3.110) der Diode zu Null. OSZILLATOREN die nach einer Laplace-Transformation mit dem Lösungsansatz u = U0 est in die Stammgleichung F (s) = s2 LCj + s RCj − L Rn +1− R =0 Rn (3.h. Diese Beziehung wird auch als Stabilitätsbeziehung bezeichnet.h. bzw.6 variieren.2 Oszillatoren mit Gunn-Element Gunn-Elemente werden in Oszillatoren mit Leistungen im Bereich bis ca. 3. wenn der Radikant von Gl. ∆U = 250 mV. muss der Realteil der komplexen Frequenz positiv sein. 2. also für RB + RL < Rn .2 = σ0 ± jω0 = 1 2 1 R − Cj Rn L ±j 1− R Rn LCj − 1 4 1 R − Cj Rn L 2 (3. ∆U = 350 mV).134 KAPITEL 3. Lösungen für s ergeben sich dann zu s1. Der Bereich der Spannungsaussteuerung ist abhängig vom Halbleitermaterial (für Germanium ca. Um eine Schwingung durch das Eigenrauschen anzuregen. so ist statt der induktiven Beschaltung mit Lz eine kapazitive Beschaltung mit einer Zusatzkapazität Cz vorzunehmen. Für höhere Frequenzen nimmt die abgebbare Leistung infolge des Bahnwiderstands RB und der Sperrschichtkapazität Cj ab und wird bei der Grenzfrequenz fc (Gl. Im Fall RB + RL > Rn ist der Arbeitspunkt A instabil und kann zwischen den Punkten 1 und 2 in Abb. wie auch andere Eintorbauelemente direkt in einen Resonator eingebaut. Anmerkung: Soll die Schwingfrequenz f0 eines Tunneldiodenoszillators oberhalb der Eigenresonanzfrequenz liegen. Die Maximalleistung ist für f ≪ fc näherungsweise durch 3 · ∆U ∆I/16 gegeben. wobei von außen lediglich die Betriebsspannung zugeführt und die HF-Leistung abgeführt werden. 3.

Der Arbeitspunkt kann mit Hilfe einer Gleichstromquelle mit hohem Innenwiderstand eingestellt werden. Im Gegensatz zur sogenannten „Double-Drift-Diode“ durchlaufen die entstehenden Löcher bei der „Single-Drift-Diode“ keine Driftzone und tragen somit nicht zur HF-Erzeugung bei. Elemente aus GaAs erreichen etwa die halbe Leistung. Das Oszillatorsignal wird über eine Lochblende ausgekoppelt. 3. Die Abstimmung erfolgt über den ebenfalls in dem Resonator eingebrachten Varaktor. Eine epitaktisch auf das n+ -Substrat aufgebrachte n-Schicht bildet die aktive Zone.9: Aufbaubeispiel für einen abstimmbaren Oszillator (Voltage Controlled Oscillator: VCO) mit Hohlraumresonator. Mit Gunn-Elementen aus InP wurde eine Oszillator-Ausgangsleistung von etwa 100 mW bei 100 GHz erreicht. Abb. Die mechanische Abstimmung über einen Kurzschlussschieber ist auch üblich. Bei geeigneter Phasenverschiebung (180°) zwischen dem Strom durch die Driftzone und der HF-Wechselspannung kann Entdämpfung der äußeren Beschaltung erreicht werden. dann entstehen in der aktiven Zone Raumladungspakete.3 Oszillatoren mit IMPATT-Dioden IMPATT-Dioden werden bis zur Durchbruchspannung in den Sperrbereich vorgespannt. . sogenannte Domänen. 3. Abb. EINTOR-OSZILLATOREN 135 wird bevorzugt GaAs oder InP benutzt.2.2.3. Während einer halben Periode der HF-Wechselspannung entstehen durch Stoßionisation Paare von Ladungsträgern. Diese Domänen durchlaufen die aktive Zone und erzeugen einen hochfrequenten Strom in der äußeren Beschaltung.9 zeigt den Einbau eines Gunn-Elementes in einen Hohlraumresonator. 3. Die Elektronen durchlaufen eine nur schwach dotierte Driftzone und erzeugen einen phasenverschobenen Strom in der äußeren Beschaltung. Überschreitet die Spannung am Gunn-Element einen gewissen Grenzwert. Gunn-Element und Abstimmvaraktor. Die IMPATT-Diode wird analog zum Gunn-Element in einen Hohlraumresonator eingebaut.

ob ein unbedingt stabiles Zweitor durch Mitkopplung zum instabilen Zweitor wird oder ob bereits ein instabiles Zweitor vorliegt. Die Stabilitätsbedingungen für ein Zweitor wurden in Kapitel 2 mit den Gleichungen Gl. die speziell für den Einsatz in Oszillatorschaltungen entwickelt wurden.3. ZS [S] r S r ein r aus r L ZL Abb. Im Pulsbetrieb können diese Leistungen noch um den Faktor 10 bis 20 erhöht werden. hier stellt die Dimensionierung keine größeren Anforderungen an den Entwickler.16) |rS · r ein | > 1 . Es wird entsprechend Abschnitt 3.1 Zweitor-Oszillatoren Instabile Zweitore Um einen Zweitor-Oszillator aufbauen zu können. 2. für die bei der gewünschten Oszillationsfrequenz die Anschwingbedingung (3. OSZILLATOREN Oszillatoren mit IMPATT-Dioden erreichen höhere Ausgangsleistungen als solche mit Gunn-Elementen.1. Für den allgemeinen Fall eines bedingt stabilen Zweitores muss entsprechend Abschnitt 2. ob die Instabilität gezielt durch eine geeignete äußere Beschaltung eines nur bedingt stabilen Zweitores herbeigeführt wird.21 angegeben.10: Begriffsdefinitionen am Zweitor. Hierbei ist es nicht maßgeblich. Für Frequenzen bis zu 50 GHz werden einige Watt im Dauerstrichbetrieb (CW-Betrieb) erreicht.2 auf maximale Instabilität hin optimiert. Instabile Zweitore sind zum Beispiel Transistoren. jegliche Beschaltung ist schwingfähig (unbedingt instabil).3 3.3 eine geeignete Lastimpedanz ZL mit dem Lastreflexionsfaktor r L gefunden werden.20 und Gl.136 KAPITEL 3. 2. 3. ist ein instabiles Zweitor notwendig. 3. Bei 100 GHz erhält man mit SiIMPATT-Dioden bis zu 1 W und mit GaAs-IMPATT-Dioden bis zu 100 mW Ausgangsleistung.3.

3.34 |rein | = S11 + S12 S21 r L ! =K 1 − S22 r L K |S21 S12 | |S22 |2 − |∆s |2 ∗ K 2 S22 − S11 ∆∗ s 2 2 K |S22 | − |∆s |2 (3. erfüllt ist. In Abb. Damit liegt eine Entwurfsbedingung vor: es muss die Funktion |rein | = K = f ([S ].20) zu einem Kreis. Sie ergibt sich aus Gl. Radius: RL (K ) = K2 (3. dass alle Kreismittelpunkte für variable K auf einer Geraden liegen.K ) ermittelt werden.22) Es kann gezeigt werden.17 r s (K → ∞ ) = 0 (3.11 sind die rL -Kreise für verschiedene Werte K aufgetragen.17) 3.3.24) folgt. auf dem alle entsprechenden Werte rL liegen.19) r L = g ([S ].22) bei 1 (3.2 Maximale Instabilität Maximale Instabilität wird dort erreicht. Damit muss lediglich ein Abschluss mit dem Bezugswellenwiderstand Z0 am Oszillator angelegt werden. Im stationären Zustand. Für den Wert K → ∞ liegt der nun zu einem Punkt entartete Kreis (Gl.3. also bei konstanter Schwingungsamplitude. . gilt dann (Zs = −Zein ): |rS · r ein | = 1 (3.1.18) gesucht werden. 2.23) r L (K → ∞ ) = S22 woraus sofort wegen |r ein | → ∞ aus Gl. Daraus kann dann für gegebenes K (Bemerkung: K hat nichts mit dem Rollett’schen Stabilitätsfaktor k in Abschnitt 2. 3.3 zu tun) die Beziehung (3.21) Mittelpunkt: mit ∆s = S11 S22 − S12 S21 M L (K ) = (3. 3.r L ) (3. wo möglichst großes |rein | vorliegt. ZWEITOR-OSZILLATOREN 137 Ein geeigneter Lastreflexionsfaktor r L kann mit dem Verfahren der „maximalen Instabilität“ gefunden werden.3.

12 zeigt den Einheitskreis in der r L -Ebene (Smith-Diagramm). Abb. 3. OSZILLATOREN j r (K L )= 1 S22 K K1 K2 K3 8 8 1 Re{r } L Abb. Es handelt sich um eine Darstellung des ersten Quadranten des Einheitskreises der r L -Ebene.11: Ausschnitt der Reflexionsfaktorebene mit den Funktionen r L (K ) (r L Kreise) für |S22 | > 1.24 sind jedoch nicht allgemein aussagekräftig. auf der die Mittelpunkte M L liegen. 3. die Kreise für |rein | = 1. Er ist bestimmt durch . Ansonsten liegt r L (K → ∞) außerhalb des Einheitskreises.23 und Gl.22 die Beziehung Kt = |S12 ||S21 | + |S12 |2 |S21 |2 − (1 − |S22 |2 )(|∆s |2 − |S11 |2 ) 1 − |S22 |2 (3. Der Berührpunkt ist der gesuchte Lastreflexionsfaktor rL . Diese Forderung entspricht einem speziellen Wert |r ein | = Kt . für ein Zweitor mit |S22 | < 1.21 und 3. 3. 3.20. sowie die Gerade.25) Nach (langen) Umformungen ergibt sich aus den Gln. 3.25. Man erhält Kt aus der Bedingung |M L (Kt )| = RL (Kt ) + 1 Die Beziehungen Gl. 3. Für passive Lastimpedanzen ist nur |r L | ≤ 1 möglich. In diesem Fall wird wie folgt vorgegangen: (3. Der gesuchte Lastreflexionsfaktor r L (Kt ) muss definitionsgemäß auf der Verbindungsgeraden zwischen dem Anpasspunkt r = 0 und M L liegen. 3. |rein | = Kt .26) Mit diesem Kt kann aus Gl.22 der Winkel von M L (Kt ) ermittelt werden.138 Im{r } L KAPITEL 3. Der Kreis in der rL Ebene um M L mit dem Radius RL muss daher den Einheitskreis berühren. Oszillation ist also für K → ∞ nur mit einem aktiven Abschlusswiderstand |rL | > 1 möglich. sondern nur im Fall |S22 | ≥ 1. 3. den Grenzwert 1/S22 .

10 mW an eine 50 Ω-Last bei einer Frequenz von 1.13.12: rL -Ebene mit Kreisen für konstantes K für |∆S | < |S22 | < 1. 3.3. 3. .14. Der Kondensator mit 1.9 GHz. befindet sich r L (Kt ) auf der entfernten Seite des Einheitskreises entsprechend Abb. 3. also dann. da der hohe Wellenwiderstand von 209 Ω auf einem Substrat mittels Ätztechniken schwer zu realisieren ist.27) (3.28) Auch hier ist eine Fallunterscheidung notwendig: falls der Betrag der Determinante ∆S größer als S22 wird.3. dessen S-Parameter unbedingte Stabilität bewirken. ZWEITOR-OSZILLATOREN 139 arg(r L (Kt )) = arg(M L (Kt )) | r L ( Kt ) | = 1 (3. wenn der Anpasspunkt vom Stabilitätskreis K = 1 eingeschlossen wird. in ein bedingt stabiles Zweitor umzuwandeln. Der Oszillator liefert am Kollektor ca. Die Streifenleitung an der Basis wird mit einer Luftleitung hergestellt.2 pF dient dazu. Einen in Streifenleitungstechnik aufgebauten Oszillator entsprechend den beschriebenen Entwurfsrichtlinien zeigt Abb. Bemerkungen: Im{r } L |rein | = 1 r (Kt ) L |rein | = Kt K 8 Kt 1 |S22 | RL (Kt ) Re{r } L Abb. den Transistor.

Oszillatoren aus konzentrierten Bauelementen herzustellen. Abschnitt 3.140 KAPITEL 3. Das Modell des Zweitor-Oszillators kann durch verwenden der Transistorersatzschaltung mit Steilheit gm auf das Eintor-Oszillator-Modell mit negativem Wirkwiderstand zurückgeführt werden. 2. 500 MHz ist es möglich. OSZILLATOREN K2 Kt K1 K r (Kt ) L K2 Kt K1 Re{r } L Abb.13: rL (K )-Kreise für |S22 | < |∆S |. fτ sollte doppelt so hoch wie die Arbeitsfrequenz gewählt werden.4 LC-Oszillatoren Für den Frequenzbereich bis ca. Bei LC-Oszillatoren besteht das frequenzselektive Rückkopplungszweitor K (ω ) (s. 1. 3. Silizium-Bipolar-Transistoren haben tiefere Transitfrequenzen fτ als GaAsMESFETs und HEMTs. Dafür ist aber das 1/f -Rauschen niedriger.3) aus konzentrierten Spulen . 3.

XC = 1 ). 3. 3.16 dargestellten Beschaltungsvarianten entwickelt.15 gezeigte Ersatzschaltbild. dabei ist der Reaktanztyp von X2 gleich dem von X1 + X2 . In Abb. X2 . dann ergibt sich für die Blindelemente X1 . Zusammenfassend kommt man zu folgendem Ergebnis: Setzt man positive Induktivitäten L und Kapazitäten C voraus (XL = ωL. 3. X3 : − ωC • X1 und X2 müssen vom entgegengesetzten Reaktanztyp sein.und Rückkopplungszweitor zusammen. • X3 und die Serienschaltung von X1 und X2 sind von entgegengesetztem Reaktanztyp. U1 Kollektor U1 jX 1 jX 3 I3 G IG Emitter U2 I1 =0 I Abb. und Kondensatoren. Fasst man die Ersatzschaltbilder für Verstärkungs.14: 1.4.3.9 GHz-Oszillator. der Reaktanztyp von X3 ist gleich dem von X1 .2 pF 209 Ω(air) 50 Ω 128 Ω 26 Ω 26 Ω Abb. d. Im Laufe der Zeit haben sich empirisch und von der Theorie ausgehend die in Abb. dann erhält man das in Abb. h. 3.17 sind die aus Abb. Basis I1 =0 I jX 2 I2 gm . da G und gm positiv und reell sind.15: Oszillatorzweitor (NF-Ersatzschaltung).16 bekannten Oszillatortypen für die drei Grundschaltungen . (G + gm )X1 + GX2 = 0 und daraus |X2 | > |X1 |. 3. LC-OSZILLATOREN 141 1. Nach weiterer Analyse erhält man eine weitere Gleichung: X1 + X2 + X3 = 0. 3.

Lässt man jedoch auch negative Schaltelemente zu. OSZILLATOREN zusammengestellt. Die Primärwicklung. bei denen anstelle von L1 und L3 Parallelschwingkreise vorhanden sind. So tritt zum Beispiel Selbsterregung nach Huth-Kühn auch bei Verstärkern auf. Die Realisierung von X2 und X3 ist je nach Grundschaltung verschieden. 3. dessen Resonanzfrequenz unterhalb der Schwingfrequenz des Oszillators liegt und dessen Widerstand bei der Schwingfrequenz daher kapazitiv ist. enthalten die Schwingkreise in Abb.17 wird X3 ebenso wie X1 durch eine Induktivität dargestellt und X2 durch einen Parallelschwingkreis. Für die Kapazität C2 ist oft die Kollektor-Basis-Kapazität des Bipolartransistors bzw. dessen Resonanzfrequenz oberhalb der Schwingfrequenz des Oszillators liegt. Im Fall der Emittergrundschaltung des Meißner-Oszillators wird die Reaktanz X2 durch eine negative Induktivität hergestellt (X2 = −ωL2 ). die Drain-Gate-Kapazität des MESFETS ausreichend. indem man die beiden gekoppelten Spulen durch das Kopplungsersatzschaltbild des Transformators ersetzt und anschließend eine Stern-Dreieck-Transformation durchführt. 3. liegt die Schwingfrequenz dann unterhalb der Resonanzfrequenz dieser Schwingkreise. Meißner-Schaltung Die älteste Schaltung ist die Transformator-Rückkopplungsschaltung nach Meißner (1913). Die Punkte im Schaltbild bezeichnen die Wicklungsanschlüsse gleicher Polarität. 3. Auf diese Weise erhält man für alle drei Grundschaltungen des MeißnerOszillators eine induktive Dreipunktschaltung. Da nur der Typ der Reaktanzen festliegt.16 einordnen.142 KAPITEL 3. dass die beiden Wicklungen „wirksam hintereinander“ (gegensinnige Wicklung) geschaltet sind. 3. stellt den frequenzbestimmenden Parallelschwingkreis dar.16 durch eine Induktivität dargestellt wird. Die induktive Resistanz X3 wird durch einen Parallelschwingkreis dargestellt. Bei der Basis. Da bei der Diskussion der Schwingbedingungen nur positive Schaltelemente zugelassen waren. die im Ersatzschaltbild des Transformators dadurch entsteht.und Kollektorgrundschaltung nach Abb. bei der X1 nach Abb. Da X1 und X3 induktiv sein müssen. . existieren weitere Schaltungen.16 stets Induktivitäten und Kapazitäten gleichzeitig. zusammen mit dem Kondensator. so kann die Schwingbedingung durch Blindwiderstände nur einer Art erfüllt werden. Sie lässt sich in das Schema nach Abb.

16: Systematik der LC-Oszillatoren (verschiedene Kombinationen der Blindwiderstände X1 .3.4. . X2 und X3 ). LC-OSZILLATOREN 143 X1 -1/ ω C1 ω L1 X2 ω L2 ω L2 -1/ ω C2 >0 -1/ ω C2 ω L2 -1/ ω C2 <0 induktiv X1 + X2 induktiv X3 kapazitiv kapazitiv -1/ ω C3 C C3 L2 L2 E C1 B ("Colpitts") C X3 ("Clapp") C2 C C3 E C2 C1 B oder ω L3 C L3 E L1 B oder C C2 C L2 C2 C L3 E L1 B X2 X1 E C2 E L2 E B Schwingkreis ("Hartley") oder B oder C C2 L3 B C2 L1 E ("Huth-Kühn") B C E B ("Lampkin") Bezeichnung kapazitive Dreipunktschaltung "Colpitts" "Clapp" induktive Dreipunktschaltung "Hartley" "Huth-Kühn" "Lampkin" Abb. 3.

16 in den drei Grundschaltungen. . OSZILLATOREN Ë ÐØÙÒ × ÖØ Ñ ØØ Ö¹ ÖÙÒ × ÐØÙÒ × ×¹ ÖÙÒ × ÐØÙÒ + ÃÓÐÐ ØÓÖ¹ ÖÙÒ × ÐØÙÒ + Å Ò Ö¹ Ë ÐØÙÒ + + + + + + Ò Ù ØÚ ¹ Ö ÔÙÒ Ø¹ ´ À ÖØРݹ µ Ë ÐØÙÒ + Dr Dr Dr + + + + + + Abart: "Lampkin" + Ô ÞØÚ ¹ Ö ÔÙÒ Ø¹ ´ ÓÐÔ ØØ×¹ µ Ë ÐØÙÒ Cr Dr Cr Cr + + + + Dr L2 C2 C1 C3 Dr Abart: "Clapp" Abb.17: LC-Oszillatoren nach Abb.144 KAPITEL 3. 3. 3.

3. so dass ωL2 − 1/ωC2 > 0 erfüllt ist. LC-OSZILLATOREN Hartley-Schaltung 145 Eine induktive Dreipunktschaltung kann im Prinzip nach Abb. dass sich bei einem Spartransformator. da die wirksame Induktivität Leff nach der Gleichung Leff = L2 1 − kleiner ist als L2 .3. Es bestehen also keine prinzipiellen Unterschiede zwischen einer Meißner-. und erhält dann die Hartley-Schaltung. Ersetzt man den Spartransformator durch zwei gekoppelte Spulen. Auf diese Weise kann man L2 ausreichend groß wählen. 1 2L C ωr 2 2 (3. Colpitts-Schaltung Wird die Teilerschaltung X1 .4. so bleiben deren Schwankungen nahezu ohne Einfluss auf die Schwingfrequenz. die unter Umständen schwer zu realisieren ist. so erhält man den Pierce-Oszillator. Der Rückkopplungsgrad kann durch Cr eingestellt werden. schaltet man eine Kapazität C2 in Serie. die Teilspannungen annähernd wie die entsprechenden Windungszahlen verhalten. Dem Vorteil der hohen Frequenzkonstanz des Clapp-Oszillators steht der Nachteil gegenüber. X3 nicht induktiv. Bei der Berechnung ist zu beachten. Da jedoch X2 = −(X1 + X3 ) dann eine sehr kleine Induktivität verlangt. also magnetisch gekoppelten Spulen. Meistens nimmt man jedoch eine Spule mit Anzapfung. Clapp-Schaltung Eine Variante des Colpitts-Oszillators in Kollektorgrundschaltung ist der ClappOszillator. das heißt vollständig entkoppelte Spulen gebildet werden. Wählt man C1 und C3 sehr viel größer als die arbeitspunktabhängigen Transistorkapazitäten CBE und CCE . dass bei Frequenzvariation mittels C2 die Schwingamplitude stark frequenzabhängig ist. Dadurch wird es möglich. so ergibt sich die Colpitts-Schaltung. einen sogenannten Spartransformator. sondern kapazitiv ausgeführt. Ersetzt man die Spule (Induktivität X2 ) des Colpitts-Oszillators durch einen Quarz. einer Hartley und einer induktiven Spannungsteiler-Rückkopplungsschaltung.29) . C1 und C3 gleich groß zu wählen und einen Doppeldrehkondensator für sie zu verwenden.16 durch zwei getrennte. so erhält man (gegebenenfalls nach Transformation von C2 ) wieder die Meißner-Schaltung. bei zwei entkoppelten Spulen dagegen wie die Quadrate der Windungszahlen.

Wird auf eine unter geeignetem Winkel aus dem Quarzkristall herausgeschnittene Platte mechanischer Druck oder Zug ausgeübt. da der Kleinsignalbetrieb verlassen wird.5. so führt das zum Entstehen elektrischer Ladung. 3. da er sich aus den Leitwerten des Verbrauchers und den Verlusten der Oszillatorschaltung zusammensetzt. Kondensatoren und Leitungsbauteile). OSZILLATOREN Bei gegebenen Reaktanzen X1 . Man muss daher durch Verändern der Steilheit gm oder des Kapazitätsverhältnisses C3 /C1 (Rückkopplungsverhältnis) erreichen. Daraus lässt sich ableiten.146 Frequenz. Im folgenden werden kurz die verschiedenen Quarzformen und ihre Resonanzersatzschaltbilder sowie der Temperaturgang und einige Schaltungsbeispiele behandelt.18 eingesetzt. Die in dieser und in den folgenden Tabellen angegebenen Werte für die Elemente des Ersatzschaltbildes beziehen sich auf Abb. 3. Im Zustand der Begrenzung sind die Schwingbedingungen nicht mehr gültig.5 Quarzoszillatoren Die Wirkungsweise des Quarzes als Resonator beruht auf dem piezoelektrischen Effekt. In der Praxis ist der Lastleitwert G nicht leicht zu ermitteln. passiven Bauelemente (Spulen. Die bislang beschriebenen Oszillatorschaltungen beziehen ihre Frequenzstabilität einzig aus der Güte der externen.und Lastbedingung KAPITEL 3. Damit lassen sich je nach Güte der Bauteile Frequenzstabilitäten bis ca. dass der Oszillator gerade sicher anschwingt. 5 · 10−5 erzeugen. X2 und X3 ist die Schwingfrequenz eines Oszillators durch die Gleichung X1 + X2 + X3 = 0 bestimmt. Für den Colpitts-Oszillator wird G = gm C3 /C1 .1 Quarztypen NF-Quarze Im Nieder-Frequenzbereich (NF) bis 1 MHz werden Biege-.19. aber die abgegebene Spannung noch nicht zu stark begrenzt wird. so dass stabilere Elemente notwendig werden. die daher auch als „Frequenzbedingung“ bezeichnet werden kann.(XLängsschwinger) und Flächenscherungsschwinger mit Eigenschaften entsprechend Abb. Er errechnet sich zu G = gm X1 /X3 . Dehnungs. Der Effekt ist umkehrbar. Die „Lastbedingung“ bestimmt den zum Anschwingen maximal zulässigen Lastleitwert G. 3. . 3. Oft reicht das nicht aus. dass der Quarz im Prinzip ein mechanischer Oszillator ist.

30 macht der H-Biegeschwinger.18: Übersicht über die gebräuchlichsten NF-Quarze im Bereich < 1 MHz.3. . Schaltsymbol: Q Ersatzschaltbild: mech.19: Schaltsymbol und dynamisches Ersatzschaltbild eines Schwingquarzes. Resonanz C1 L1 C0 Dämpfung R1 Elektrodenkapazität Abb. Der Temperaturgang der Resonanzfrequenz wird durch die Parabel ∆f = −a(T − TUKP )2 f (3. Die Umkehrtemperatur TUKP kann für die meisten Schwingungstypen angegeben werden. Die Steilheit a variiert dabei je nach Typ zwischen 2 · 10−8 K−2 und 5 · 10−8K−2 . bei dem ein linearer Frequenzgang zu verzeichnen ist. Eine Ausnahme vom Temperaturverlauf nach Gl. 3.5.30) beschrieben. 3. 3. QUARZOSZILLATOREN Ö ÕÙ ÒÞ Ö Ë Û Ò ÖØÝÔ Ë Û Ò ÙÒ × ÓÖÑ Bimetall−Prinzip 147 Ì ÑÔ Ö ØÙÖ Ò Ê½ ª ½» ¼¼ ÀÞ ß ÀÞ ÙÔÐ Ü × Û Ò Ö f~ b l2 È Ö Ð¸ ÍÃÈ ½ ¼ ß ¾ ¼ ¾ ¼ ß ¼ + − ÀÞ ß ½ ÀÞ ¹ ¹ × Û Ò Ö x − + y f~ b l2 È Ö ÍÃÈ Ð ¼ ·½¼ º º º ¾¼¼ ß ¼ ¼ ß ½ + − + x ½ ÀÞ ß ¼ ÀÞ À¹ × Û Ò Ö auch dreipolig − Ö ¹ º º º ¹½ ÔÔѻà f~ b l2 ¾¼ ß ¿ ß ¾¼ Längsdehnung ¼ ÀÞ ß ¾¼¼ ÀÞ · ´Þº º ½¼¼ ÒÙÒ ×× Û Ò ÀÞ¹ Ö z’ z’ x’ ÕÙ ÖÞ µ È Ö Ð¸ ´½ ººº µ ¼ ß ¿¼ y’ f~ 1 l Ð ¾¼¼ ¿¼¼ ¼¼ ÀÞ ß ÀÞ ß ÀÞ ß ¼¼ ¼¼ ¼¼ ÀÞ ÀÞ ÀÞ Ò× ÖÙÒ ×× Û Ò Ö z’ x z’ y’ Ì¹Ë Ò ØØ Ì¹Ë Ò ØØ ËÄ¹Ë Ò ØØ f~ 1 l È Ö Ð¸ ÍÃÈ ØÝÔº ½ ¼ ººº ¼ ½ ß ¿¼ ß SL: rechteckig Abb.

Die Kurve (2) zeigt den typischen Verlauf. Thermostatbetrieb ist im hervorgehobenen Kurvenstück um den oberen Umkehrpunkt bei der Temperatur T1 üblich. Für die Koeffizienten gilt: a1 = 84 · 10−9 Winkelminuten K−1 und −10 −3 a3 = 10 K . 3.1 aus der Literatur bekannt. 20 10 0 2 ∆θ = 0 ∆f/(f·10E-6) -10 1 ∆θ = 6 ’ TINV -20 0 20 40 T / C° 60 T1 80 100 -20 -60 -40 Abb.20: Relative Frequenzänderung von AT-Quarzen (qualitativ) mit verschiedenen Schnittwinkeln gegen die kristallographischen Achsen. Die Abhängigkeit der relativen Frequenzänderung von der Temperatur wird in guter Näherung durch eine kubische Parabel ∆f = −a1 (T − TINV ) + a3 (T − TINV )3 f (3.20). 750 kHz und 25 MHz. für den die Wendetangente in der Temperaturabhängigkeit waagerecht verläuft (Kurve (1) in Abb. TINV ist die Temperatur am Wendepunkt.31) ∆θ beschrieben. ∆θ ist die Abweichung vom sogenannten Nullwinkel. AT-Quarze sind Dickenscherungsschwinger mit einem Grundwelleneinsatzbereich üblicherweise zwischen ca. Modernste Ätztechniken der Mikromechanik (inverted mesa) erlauben die Herstellung von AT-Grundtonquarzen mit Schwingfrequenzen bis zu 250 MHz. das ist derjenige Schnittwinkel θ. 3. Abb. OSZILLATOREN Für den hohen Frequenzbereich werden Quarze mit dem AT-Schnitt eingesetzt.20 zeigt qualitativ die relative Frequenzänderung als Funktion der Temperatur für zwei verschiedene Schnittwinkel. Als Ersatzdaten für AT-Quarze sind die Werte in Tabelle 3. . 3.148 AT-Grundwellenschwinger KAPITEL 3.

Es können dabei nur ungeradzahlige Obertöne angeregt werden. Obertones ist.3. 55 µm dick. Die typischen Ersatzdaten sind in Tabelle 3. des dritten Obertones. 13/9-fache des 9. QUARZOSZILLATOREN Frequenzbereich (MHz) für Gehäusefamilie HC-6/U HC-25/U HC-35/HC-45 0. so schwingt die Quarzscheibe in mehreren Unterscheiben gegenphasig zueinander.5 1.5 – 20 (30) — — 10 – 13 13 – 20 (30) typische Ersatzdaten C0 3 – 7 pF 4 – 7 pF 5 – 7 pF C1 8 fF 10 fF 20 fF [10 fF] Q > 100000 > 100000 > 50000 149 Quarzform bikonvex plankonvex plan mit Facette plan R1 100 Ω – 500 Ω < 200 Ω 10 Ω – 100 Ω Tabelle 3. Die Grundfrequenz eines AT-Quarzes ist umgekehrt proportional zur Scheibendicke.21 zeigt schematisch die Anregung des Grundtons bzw. der ziemlich genau das 11/9. Allerdings sollte dafür ein Quarz mit möglichst hoher Grundtonfrequenz gewählt werden (20–30 MHz).5 – 10.5 – 3 2–7 7 – 20 (30) — 2. AT-Obertonquarze Wird ein Dickenscherschwinger in einem Oberton angeregt.1: Ersatzdaten von AT-Grundtonquarzen. das sind ca. jedoch wird diese sogenannte Anharmonie mit wachsendem Oberton geringer.5 10. So ist beispielsweise ein 30 MHz Grundtonquarz ca.75 – 1. 3. damit die Obertonmoden weit auseinander liegen. Regt man ihn auf dem dritten Oberton.7 – 5. oder 13. also bei 90 MHz an. Allerdings ist die Obertonfrequenz nicht genau die n-fache Grundfrequenz. da bei den geradzahligen Oberschwingungen die Elektroden gleiche Polarität besitzen würden. Quarzoszillatoren auch noch bei etwa 300 MHz zu betreiben. Daher ist es relativ einfach möglich. Oberton. Oberton) liegt: Man betreibt den Quarz im 11.bzw. obwohl die „übliche“ obere Frequenzgrenze bei 200 MHz (9.21: Dickenscherschwinger im Grundton und im dritten Oberton (schematisch). 3. Knotenebene Elektroden + − − + Knotenebenen Ruhezustand Grundton 3.2 zusammengestellt. 18 µm.5.2 4. dann ist die elektrisch wirksame „Unterscheibchen“-Dicke ein Drittel davon. Abb. Oberton Abb. .

Daher sinkt die erreichbare Güte mit wachsender Frequenz.2 – 0. 3.2 Elektrische Eigenschaften Ausgehend vom Ersatzschaltbild eines Schwingquarzes (Abb.3 – 0.5.35). Die Serienresonanzfrequenz ergibt sich durch Nullsetzen des Zählers (Z q = 0): fs = 1 √ 2π L1 C1 (3. so ergibt sich die Impedanz Zq = ω 2 L1 C1 − 1 j · ω C0 + C1 − ω 2 L1 C1 C0 (3.150 Frequenzbereich (MHz) für Gehäusefamilie HC-6/U HC-25/U HC-35/HC-45 18 – 60 (80) 40 – 115 (130) 70 – 150 150 – 200 20 – 60 (90) 40 – 115 (150) 70 – 150 150 – 200 27 – 60 (90) 50 – 125 70 – 175 150 – 200 KAPITEL 3.34) wodurch eine Serien. die durch C0 verkörpert wird.8 fF [0.33) kompensiert werden (fs siehe Gl.67 MHz d/mm .3 fF [0.35) Für den AT-Dickenschwinger ergibt sich so: fs = 1. oder allgemein oberhalb von etwa 70 MHz.4 fF] 0. 3. Die dynamische Kapazität C1 geht im Quadrat des Obertons n zurück: C1 . Sie liegen typisch zwischen 20 und 200 Ω. wenn |XC0 | < 5R1 . Wird R1 vernachlässigt. R1 die Dämpfung.32) Die Werte von R1 steigen an. Daher sollte die statische Kapazität ab einer bestimmten Grenze grundsätzlich durch eine Parallelspule mit der Induktivität Lp = 1 2C 4π 2 fs 0 (3. Mit steigender Frequenz stellt die statische Kapazität C0 einen immer stärkeren Nebenschluss für den Quarz dar.1 fF] > > Q 4·106 f /MHz 5·106 f /MHz Oberton 3 5 7 9 R1 20 Ω [40 Ω] 40 Ω [80 Ω] 100 Ω [150 Ω] 150 Ω [200 Ω] Tabelle 3.4 fF [0.6 – 0. OSZILLATOREN typische Ersatzdaten C0 C1 2 fF [1 fF] 5 – 7 pF [2 – 4 pF] 0.19) lässt sich die Resonanzfrequenz herleiten. Die Quarzankopplung durch zwei beidseitig der Quarzplatte aufgedampfte Metallflächen verursacht eine nicht zu vernachlässigende Kapazität.typ ∼ 1 n2 (3.und eine Parallelresonanz definiert werden können.2: Ersatzdaten von AT-Obertonquarzen. Als Faustregel für die Grenze gilt: C0 Kompensation. 3.2 fF] 0. C1 und L1 beschreiben die mechanische Resonanz.

3. ′ Durch Umformen erhält man daraus die neue Serienresonanzfrequenz fs zu ′ fs = fs 1+ C1 C0 + Cs (3. Gleichzeitig liegt die Serienresonanzfrequenz unter der Parallelresonanzfrequenz. QUARZOSZILLATOREN 151 Die Parallelresonanzfrequenz wird durch Nullsetzen des Nenners ermittelt (Z q = ∞): C1 C1 1 = fs 1 + (3.3. (3.40) und die gezogene Serienresonanz rückt für sehr kleine Werte Cs in die Nähe der Parallelresonanz.22 erfolgen.37) Cs Q Abb. .5. Die Parallelresonanz wird dabei nicht verändert.38) und unter der Voraussetzung C1 ≪ C0 + Cs mit einer Reihenentwicklung die vereinfachte Form ′ fs = fs 1 + C1 2(C0 + Cs ) ′ wobei fs ≤ fs ≤ fp ist. wodurch sich die neue Impedanz Z ′q ergibt: Z ′q = C1 + C0 + Cs − ω 2 L1 C1 (C0 + Cs ) 1 · jωCs C0 + C1 − ω 2 L1 C1 C0 (3. 3.39) Damit ergibt sich die relative Frequenzänderung bei Serienresonanz zu ∆fs C1 = fs 2(C0 + Cs ) (3. so kann das bei der Serienresonanz durch Serienschaltung einer Kapazität Cs wie in Abb. bei der Parallelresonanz geht dagegen die wesentlich schlechter definierte Elektrodenkapazität C0 mit ein.22: Abgleich der Resonanzfrequenz mit einer Serienkapazität. Soll die Resonanzfrequenz geringfügig geändert werden („ziehen“). Cs erlaubt eine präzise Einstellung der Schwingfrequenz.36) 1+ fp = √ C0 C0 2π L1 C1 Die Serienresonanz hängt nur von dem definierten Produkt L1 C1 ab.

24 eine Schaltung mit einer Darlingtonstufe gezeigt. . wird in der Praxis eine Kapazität dieser Größenordnung zum Abgleich der Oszillatorfrequenz in Reihe zum Quarz geschaltet. 3. OSZILLATOREN 3.19) muss die Verstärkerstufe einen hohen Eingangswiderstand aufweisen. Bei großen Werten von R1 im Ersatzschaltbild des Quarzes (Abb.3 Oszillatorschaltungen Da für die verschiedenen speziellen Anwendungsfälle eine große Zahl von Schaltungen existiert.(Bürde-) Kapazität des Quarzes wird durch die Serienschaltung von C1 und C2 dargestellt. Um auf „vernünftige“ Standardwerte (ca. Daher werden im folgenden nur drei typische Beispiele vorgestellt. Die effektive Last.152 KAPITEL 3. NF-Quarzoszillator +20V 27k 10k 10mH 20kHz BC108 4k7 4k7 1µ 4n7 47n Abb. Dies kann beispielsweise wie in Abb. Grundwellen-AT-Quarzoszillatoren (Parallelresonanz) Als Beispiel eines Colpitts-Oszillators ist in Abb. 3. Damit ist die Rückwirkung der Transistorstufe auf die Oszillatorfrequenz sehr klein.23 durch Impedanztransformation geschehen. 30 pF.23: 20 kHz-Quarzoszillator (H-Biegeschwinger) mit Impedanztransformation. Durch den hohen Eingangswiderstand können die Teilerkondensatoren C1 und C2 sehr hohe Kapazitätswerte bekommen.5. typischer Bereich 10–50 pF) zu kommen. 3. würde eine systematische Behandlung den Rahmen dieses Kapitels sprengen. 3.

5. . 3. 1n +12V IC R1 1n 2N918 2N2222 C1 11p R2 LP C2 LP = 1 ω2 s C0 RL L C1 (pF) C2 (pF) IC (mA) RE (Ω ) RL (Ω ) LP (µH) 75 MHz 120 MHz 150 MHz 200 MHz 8 100 25 510 470 0.1 k 600 0. Zu empfehlen sind darüber hinaus Transistoren mit hoher Gleichstromverstärkung bei kleinem Basiswiderstand.05 RE Abb. verwendet man die Pierce-Miller-Schaltung. dass sich eine ausreichende Schleifenverstärkung ergibt. QUARZOSZILLATOREN 153 +10V 68k 2N914 C1 100k C2 10k 1k 0. Oberton-AT-Quarzoszillatoren (Serienresonanz) Vorteilhaft ist eine Serienresonanzschaltung wie in Abb. Bei der Auswahl der Transistoren gilt als Faustregel.10 5 25 5 1.25: AT-Oberton-Quarzoszillator bis 200 MHz (Colpitts-Oszillator in Basisschaltung). da im Frequenzbereich fs < fr < fp der Quarz einen induktiven Blindwiderstand hat. Die Dimensionierung von C1 und C2 erfolgt so. Die Schwingfrequenz des Pierce-Oszillators liegt oberhalb von fs . die man erhält. Diese wird außer durch den Quotienten C1 /C2 noch durch die Spannungsteilung aus Quarzwiderstand und Eingangsimpedanz am Emitter reduziert.08 3 20 5 1.25 8 50 25 390 300 0.6Vss Frequenz C1 C2 470 pF 220 pF 100 pF 56 2N914 3−6 MHz 560 pF 6−15 MHz 560 pF 15−30 MHz 220 pF Abb.24: Colpitts-Oszillator mit Darlingtonstufe für AT-Grundtonquarze.3. 3.1 k 600 0.25 gezeigt. 3. dass die Transitfrequenz mindestens den zehnfachen Wert der Oszillatorfrequenz erreichen soll. Um unerwünschten Obertonschwingungen vorzubeugen. wenn man L1 der induktiven Dreipunktschaltung durch einen Quarz ersetzt.

Der longitudinale Modenindex δ (δ < 1) weist auf die Tatsache hin. 3. Die unbelastete Güte liegt bei 7000 bis 10000 und ist damit etwa zehnmal kleiner als die Güte von Schwingquarzen.26 zeigt das TE01δ Feld (H01δ ) eines dielektrischen Resonators. OSZILLATOREN 3. Es sind dies zylinderförmige Scheiben aus einem hochpermittiven Material wie Bariumoxid-Titanoxid oder -Zirkonat mit εr -Werten zwischen 5 und 150.154 KAPITEL 3. dass das Feld auch in den Außenraum reicht. Dipole Probe TE10 Waveguide Loop Probe Magnetic Field E H Resonator Microstrip Lines Dielectric Substrate Abb. Modell der elektrischen und magnetischen Felder der TE01δ -Resonanz eines dielektrischen Resonators. 3. Üblicherweise wird ein Material mit εr ≈ 39 verwendet. Abb. Ground Plane .6 Oszillatoren mit dielektrischem Resonator Als Analogon zum Hohlraumresonator werden in den letzten Jahren vermehrt dielektrische Resonatoren eingesetzt.26: Dielektrischer Resonator.

28). 3. wobei hier verschiedene Varianten bekannt sind. 3. a) Aufbau.41) . b) Ersatzschaltbild.6.27 kann in der Nähe der Resonanzfrequenz vereinfacht werden.3.28: Ersatzschaltbild in der Nähe der Resonanzfrequenz. 3. Das Ersatzschaltbild nach Abb. so dass sich nur noch eine Kettenschaltung aus zwei gleich langen Leitungsstücken mit einer Phasenverschiebung Φ und einer Resonanzersatzimpedanz ZT ergibt (Abb. Die Kopplung erfolgt durch das Magnetfeld der Mikrostreifenleitung.1 a) Einseitige Streifenleitungskopplung Metallische Berandung z b) Rr d Cr Lr M Li Tor1 Substrat Mikrostreifenleitung DR Ci Ri Tor2 Abb. ω0 = √ Rr Lr Cr und M = Gegeninduktivität (3. In der Nähe der Resonanzfrequenz ω0 berechnet sich ZT zu: ZT = ωQ0 M2 1 ∆ω . OSZILLATOREN MIT DIELEKTRISCHEM RESONATOR 155 Die Ankopplung an den dielektrischen Resonator erfolgt im Allgemeinen magnetisch. 3. x = 2Q0 Lr 1 + jx ω Lr ω0 1 mit Q0 = . ZT Tor 1 Φ Φ Tor 2 Abb. 3.27: Einseitige Ankopplung eines dielektrischen Resonators an eine Mikrostreifenleitung.6.

42) Die Leerlaufgüte Q0 erfasst nur die Verluste im dielektrischen Resonator selbst. Definiert man bei der Resonanzfrequenz den Koppelfaktor β = ZT (∆ω = 0)/2Z0 . innerhalb derer die magnetischen und elektrischen Felder als konstant angesehen werden können.156 Bei der Resonanzfrequenz gilt mit x = 0: ZT = R = ω0 Q0 KAPITEL 3. d den Abstand zwischen Streifenleitung und Resonatormitte. .6. dessen Mittenfrequenz mit der Resonanzfrequenz des Resonators übereinstimmt. der über der Breite 3w als konstant angenommen wird.44) (3. L die Resonatorhöhe und A diejenige Fläche.43) Das Verhältnis Lr /M 2 kann mit Hilfe der sogenannten „ H/I -Methode“ bestimmt werden. Man erhält schließlich: M2 2 = µ2 0A Lr mit H I 2 (3. Dicke vernachlässigt) und dem Strom auf der Massefläche.45) Hierbei bezeichnen hS die Substrathöhe. Bei Verwendung dieser Methode wird zur Vereinfachung folgendes angenommen: Magnetfelder H resultieren ausschließlich aus dem Strom auf der Streifenleitung (Breite w . Sie ergibt sich entweder durch Feldberechnung oder durch Abschätzung.47) H (d + w/2)2 + (L/2)2 1 (d + 3w/2)2 + (hS + L/2)2 = ln − ln I (d − w/2)2 + (L/2)2 3 (d − 3w/2)2 + (hS + L/2)2 S21 = Z0 ist der Wellenwiderstand der Streifenleitung. OSZILLATOREN M2 Lr (3.2 DR-Bandpass-Filter in Microstrip Zwei über einen dielektrischen Resonator (DR) gekoppelte Mikrostreifenleitungen bilden ein Bandpassfilter. Bei Verwendung mehrerer DR erhält man mehrpolige DR-Filter. 3. Mit den berechneten Größen kann anschließend die Übertragungsfunktion des Zweitors (siehe Abb.46) (3. 3. dann erhält man für die belastete Güte Qe = Q0 /β Qe = 2Z0 Lr ω0 M 2 (3.28) ermittelt werden: S11 = ZT /Z0 · e−2jΦ 2 + ZT /Z0 2 · e−2jΦ 2 + ZT /Z0 (3.

3.5 mm und εr = 83.30 zustandekommen.29: Filter in Microstrip mit einem dielektrischen Resonator a) Aufbau.4 0. OSZILLATOREN MIT DIELEKTRISCHEM RESONATOR Cr Rr 157 a) Streifenleitung Resonator b) Lr 1 Lr 2 M1 M2 Abb. b) Ersatzschaltbild.3 Resonanzfrequenz und Verstimmung Die Resonanzfrequenz des dielektrischen Resonators ist eine Funktion des Verhältnisses seiner Höhe L zum Durchmesser D . wobei Verläufe zum Beispiel wie in Abb.2 20 1. Vereinfacht gesagt ist die Resonanzfrequenz eine Funktion des elektrischen Durchmessers.3. Gleichzeitig ist zur Resonanzfrequenzermittlung .30 zeigt die Resonanzfrequenz für Zylinder mit D = 16.30: Resonanzfrequenzen eines dielektrischen Zylinders mit D = 16.8 15 1. 3.6 10 0.2 5 0. 3.6.6 L / D L / mm Abb. 3. 3.0 1.5 mm und εr = 83 als Funktion der Höhe L für verschiedene Schwingungsmoden. fr / MHz 5500 TM01δ TM11δ TE11δ TE01δ ein aus TM−Anregung 4500 ein aus TE−Anregung 3500 Entartung mit HEM TM11δ TE11δ 2500 1500 0. wobei die Wellenlänge der Resonanzfrequenz etwa dem elektrischen Durchmesser gleichkommt. Abb.6.4 25 1. Eine exakte Analyse lässt sich nur durch rigorose Anwendung der Feldtheorie durchführen.

Als Richtwert kann etwa 1–5 % angenommen werden.5 f (GHz) 9. Dazu wird eine metallische oder dielektrische Schraube dem dielektrischen Resonator von oben genähert. Entweder liegt er am Eingang. L = 3.4 Oszillatorschaltungen mit dielektrischen Resonatoren Der dielektrische Resonator kann grundsätzlich auf zwei Arten zur Stabilisierung eingesetzt werden. wodurch sich Frequenzanhebungen oder -absenkungen ergeben.5 0 0 6 8.41 mm und εr = 38 als Funktion des Abstandes L2 eines metallischen Abstimmstempels.0 1 2 3 4 5 L2 (mm) Abb. In diesem Fall schwingt der Oszillator nicht ohne den Resonator.5 DR 4000 Substrat 2000 f 7. Die Resonanzfrequenz ist abhängig vom Abstand des Resonators zur metallischen Berandung. 3.31: Änderung von Güte und Resonanzfrequenz des TE01δ Modus durch einen metallischen Stempel im Abstand L2 . da im Allgemeinen das Messverfahren des Herstellers in dieser Weise vom realen Fall abweicht. und ist damit direkt frequenzbestimmend.h.0 Qc 10000 Qc 8000 6000 L2 8.158 KAPITEL 3.6. Beim Kauf dielektrischer Resonatoren muss darauf geachtet werden. 3. 3.32. Dieser Effekt kann auch zur gezielten Verstimmung der Resonanzfrequenz ausgenutzt werden.3 mm. OSZILLATOREN die Umgebung zu berücksichtigen. Ein Beispiel hierzu zeigt Abb.31 zeigt die Güte und Resonanzfrequenz des TE01δ Modus eines Zylinders mit D = 8. im Rückkopplungszweig. Abb. d. dass die Resonanzfrequenz etwas niedriger gewählt wird. Oder der . 3. 9.

DR Ausgang GateVorspannung Betriebsspannung Abb.3. 3.33: Oszillator mit dielektrischem Resonator am Ausgang. 3. Dieses Verfahren hat nur bei stark lastabhängigen Schaltungen Erfolg („Load-Pulling“). Der Oszillator schwingt hier im Allgemeinen auch ohne Resonator.33 zeigen mögliche Oszillatortypen für beide Varianten. 3.32: Oszillator mit dielektrischem Resonator am Eingang.6. 3. L UD DR C R L RL Abb. Die Abb. OSZILLATOREN MIT DIELEKTRISCHEM RESONATOR 159 Resonator liegt am Ausgang und erzeugt durch seine bei Abweichung von der Resonanzfrequenz merkliche Serienimpedanz eine starke Reflexion in den Oszillator (Abb.32 und Abb. . 3.33).

und darüber HEMT-Transistoren verwendet. Nichtlineare Reaktanzen zum Beispiel Kapazitätsdioden (Sperrschicht. beim Speichervaraktor nutzt man die beim Übergang vom Sperrbereich zum Flussbereich auftretende starke Nichtlinearität.Kapitel 4 Frequenzvervielfacher Frequenzvervielfacher werden zur Erzeugung hoher. Schottky-Dioden) sind jedoch wegen ihres geringen Wirkungsgrades weniger gut geeignet als nichtlineare Reaktanzen. Im Betrieb als Sperrschichtvaraktor wird der nichtlineare Verlauf der Sperrschichtkapazität ausgenutzt. Für Frequenzen bis etwa 50 GHz lassen sich auch im C-Betrieb nichtlinear arbeitende Transistorverstärker als Vervielfacher einsetzen. Der Speichervaraktor ist eine spezielle PINDiode und ist auch unter der englischen Bezeichnung „step-recovery diode (SRD)“ oder „snap-off diode“ bekannt. Nichtlineare Reaktanzen sind zum Beispiel Kapazitätsdioden (Sperrschicht.und Frequenzhub in Senderschaltungen eingesetzt. wie die Eigenschaften eines Frequenzvervielfachers theoretisch berechnet werden können.1 zeigt die Kennlinie eines idealen Speichervaraktors. Abb.1 fasst die wichtigsten Eigenschaften der hauptsächlich verwendeten Vervielfachertypen zusammen. Nichtlineare Wirkwiderstände (z.oder Speichervaraktoren) erlauben im theoretischen Idealfall eine Umsetzung der gesamten bei der Grundschwingung zugeführten Leistung in die Leistung einer bestimmten Oberschwingung. Die nachstehende Tabelle 4. Bis 1 GHz werden dafür Si-Transistoren. 4. Prinzipiell können alle nichtlinearen Bauelemente zur Vervielfachung verwendet werden.oder Speichervaraktoren).B. Der ideale Speichervaraktor mit Diffusionsspannung UD = 0 hat die Kennlinie: 160 . bis 30 GHz GaAs. Am Beispiel eines idealisierten Speichervaraktors soll gezeigt werden. stabiler Frequenzen von Quarzoszillatoren und zur Vergrößerung von Phasen.

1 W 2) Kennlinie Rekombinationsverluste Hystereseverluste 161 .Tabelle 4.2) Die Eingangsleistung wird durch die Durchbruchsspannung begrenzt. Pantell: P (nf0 ) = − P (f0 ) n2 n<4 P < 0.1: Eigenschaften hauptsächlich verwendeter Frequenzvervielfachertypen. geringe Durchbruchsspannung.1 W Kennlinie Wirkwiderst¨ ande Page. Rowe: P (nf0 ) = −P (f0 ) Sperrschichtvaraktor Schottkydiode Transistorverst¨ arker 1) n≤4 n<4 P <1W nf0 > 10 GHz nf0 > 25 GHz nf0 < 50 GHz Sperrschichtkapazit¨ at P < 0. Vervielfachungsfaktor n Speichervaraktor Eingangsleistung P Frequenzbereich nf0 f0 ≫ 1/τp nf0 20 GHz Bemerkung Nichlinearit¨ at Modellierung n>4 P >1W Untere Grenze: Lebensdauer der Minorit¨ atstr¨ ager.1) Obere Grenze: Abklingkonstante des bei Sperrspannung anliegenden Diffusionsstroms. kein Speicherbetrieb m¨ oglich Arbeitspunkt im Sperrbereich (C-Betrieb). kurze Ausgangsimpulse Umschalten Sperr-/ Flußbereich Blindwiderst¨ ande Manly.

FREQUENZVERVIELFACHER q q0 u t u ϑ1 C(u) Cmin ϑ2 t u Kapazität beim idealen Speichervaraktor Abb. 4.162 KAPITEL 4.2) .1) Die im Varaktor gespeicherte Ladung ist q (t).1: Idealer Speichervaraktor mit Stromaussteuerung. q (t) = q0 + 2q1 cos ωt + 2qn cos(nωt + ϕ) (4. q = Cmin u u = 0 fu ¨r fu ¨r u<0 q>0 (C = const.) (C = ∞ ) (4.

Für den Vervielfacherbetrieb ist ein Stromgenerator mit der Kreisfrequenz ω vorzusehen. 1 uk = 2πCmin ϑ2 [q0 + 2q1 cos ωt + 2qn cos(nωt + ϕ)] e−jkωt d(ωt) ϑ1 (4.7) .6) Leerlauf für alle anderen Frequenzen Die Spannungen bei den verschiedenen Frequenzen werden aus der FourierEntwicklung von u(t) = u(q (t)) bestimmt. Das den Varaktor umgebende lineare Netzwerk muss folgende Eigenschaften aufweisen (hierbei wurde sin ωt = (ejωt − e−jωt )/2j verwendet): i0k i0 =0 i0k = Y0 u0 Y0 u0 (4.3) Biasgleichstrom (Diodenvorstrom) i1k i1 Y1 u1 i1k = j ω q1 + Y1 u1 Grundwelle (4.5) n-te Oberwelle im = 0 im = 0 um m=n (4.163 Wegen i = dq/dt fließt kein Gleichstrom (i0 = 0).4) in Yn un 0 = j n ω qn + Yn un (4.

1 angenommene Kennlinie zu einfach. In der Praxis wird dies durch Serienschwingkreise (sogenannte Idler-Kreise. FREQUENZVERVIELFACHER Der Stromflusswinkel ϑ = ϑ2 − ϑ1 ist definiert durch die Nulldurchgänge von q (t): 0 = q0 + 2q1 cos ωt + 2qn cos(nωt + ϕ) (4.6 bekannt. Um den Einfluss dieser Verluste gering zu halten. Werden bei der Berechnung des Vervielfachers statt Gl. Es zeigt sich auch. die die genannten Verlustmechanismen berücksichtigen.8) Damit sind alle Größen in den Gleichungen Gl. 4. eine möglichst große Lebensdauer zu erreichen: Man verwendet Silizium mit 0.164 KAPITEL 4. also f0 ≪ 1/τD . 4. Die endliche Lebensdauer τp der während der Flussphase in das Bahngebiet injizierten Minoritätsträger führt zu Rekombinationsverlusten.1 µs < τp < 1 µs. des Stromflusswinkels ϑ verwendet werden. muss die Periodendauer des HF-Signals klein gegen τp sein. Der Spannungsabfall des Rekombinations-Gleichstroms an einem Widerstand kann zur Einstellung des Arbeitspunktes q0 bzw. Hilfskreise) erreicht. Daher fließt bei anliegender Sperrspannung ein Diffusionsstrom.7 im allgemeinen numerisch gelöst werden.9) Yl ul l=n 0 = j ω l ql + Yl ul l-te Oberwelle (4.1 kompliziertere Funktionen. Das Gleichungssystem Gl. 4. Der Wirkungsgrad des Vervielfachers η = Pn /P1 mit 1 P1 = |i1 |2 /Re{Y1 }. dann muss das Fourierintegral Gl. Diese bewirken einen Gleichstrom i0 durch die Diode. 4. sondern auch auf anderen Vielfachen l zugelassen werden. 4. GaAs ist wegen τp ≈ 1 ns nicht geeignet. Beim Speichervaraktor treten Verluste durch den Bahnwiderstand auf.7 muss also um il 1 Pn = |in |2 /Re{Yn } 2 (4. verwendet.3 bis Gl.10) . muss die HF-Periode groß gegen τD sein. 4. Zum Zeitpunkt des Umschaltens der Diode in den Sperrbereich ist die Minoritätsträgerladung noch nicht voll abgebaut. also f0 ≫ 1/τp . dass der Wirkungsgrad erhöht werden kann. wenn Ströme nicht nur auf der Grundfrequenz und deren gewünschten Vielfachen n. der mit einer Zeitkonstanten τD abklingt und zu sogenannten Hystereseverlusten führt. 2 kann angegeben werden. Bei der Herstellung von Speichervaraktoren ist man bemüht. Für eine fundierte Betrachtung ist die in Abb. Um die Verluste gering zu halten. 4.3 — Gl.

C2 . Der Arbeitspunkt und damit der Stromflusswinkel wird mit dem 50 kΩ Trimmer eingestellt.2: Prinzipschaltbild eines Vervielfachers (n = 6) mit 2 Idler-Kreisen und Speichervaraktor. C4 . 1968) findet man Angaben über die benötigte Anzahl der Idler-Kreise. Beim Hintereinanderschalten von mehreren Vervielfachern ist auf Entkopplung zwischen den einzelnen Stufen zu achten. 4. deren Sperrschichtkapazität den Verlauf C (u) = C0 /(1 + u/UD )1/2 aufweist.B. C3 und L1 . Idler-Kreise sind insbesondere wichtig für Vervielfacher mit Sperrschichtvaraktoren. L4 bilden Idler-Kreise. wobei ul wieder analog Gl. günstigen Stromflusswinkel und den erreichbaren Wirkungsgrad. 4. durch Richtungsleitungen erreicht werden. C4 Eingangsanpassung C1 C2 C3 L2 L1 Eingang 1n Diodenvorstrom (Bias) 50k Speichervaraktor Abb. L2 passen den Generator mit 50 Ω Innenwiderstand an den Varaktor an.7 aus dem Fourierintegral berechnet wird. 4. Ohne Idler-Kreise wäre mit diesen Bauteilen nur Verdopplung möglich.165 erweitert werden. Dies kann z. In der Literatur (Schünemann und Schiek. Das Bandpassfilter unterdrückt unerwünschte Vielfache (n = 6). dass der Wirkungsgrad vom Stromflusswinkel ϑ abhängt. Theoretische Untersuchungen haben auch gezeigt.2 dargestellte Schaltung zeigt ein typisches Beispiel für einen praktischen Vervielfacher (n = 6). Die in Abb. Durch geeignete Abschirmmaßnahmen sind alle Induktivitäten voneinander entkoppelt. Idler−Kreis 1 L3 L5 L4 Idler−Kreis 2 C5 Filter Ausgang 10k C1 . . L3 und C5 .

Abb. 4. Der Tiefpass in Streifenleitungstechnik auf Quarzsubstrat verhindert. Die Diodenvorspannung wird über einen Bonddraht. dem Tiefpassfilter und schließlich der Diode zugeführt. der mit einem Durchführungskondensator und einer λ/4-Leitung gegen HF abgeblockt ist. Beide Hohlleiter sind an ihren Enden mit Kurzschluss-Schiebern versehen.01 x 1.3 zeigt schematisch den Aufbau eines Verdopplers. dass Signalanteile mit der doppelten Frequenz in den Eingangshohlleiter gelangen.88 mm2 ) und für das Ausgangssignal (WR-8: 3.166 KAPITEL 4. Die gezeigte Konstruktion wird als „crossed waveguide“ Verdoppler bezeichnet.76 x 1. FREQUENZVERVIELFACHER Mit Schottkydioden als Sperrschichtvaraktor lassen sich Ausgangsfrequenzen von über 100 GHz erreichen. wird die Schottkydiode bei praktischen Anwendungen in den Durchlassbereich ausgesteuert. 4. Obwohl prinzipiell kein Speicherbetrieb möglich ist (der Minoritätsträgerstrom verschwindet im Durchlassbetrieb). Die Eingangsleistung ist wegen der geringen Durchbruchspannung begrenzt. da die Rechteckhohlleiter für das Eingangssignal (in Abb. Die Höhe des Ausgangshohlleiters ist im Kopplungsbereich verringert.55 mm2 ) rechtwinklig zueinander angeordnet sind.3 als Pumpsignal bezeichnet. . WR-15: 3. Mit dieser Konstruktion wurde bei einer Ausgangsfrequenz zwischen 80 und 120 GHz mit einer Steuerleistung von 70 mW im Bereich von 40 bis 60 GHz ein Wirkungsgrad von 10 % erreicht.

Alle Maße sind in mm angegeben. . der Diodenkontaktierung und der Vorspannungszuführung (Bias).3: Oben: Isometrische Zeichnung eines „crossed waveguide“ Verdopplers mit Schottky-Varactor-Diode für Ausgangsfrequenzen zwischen 80 und 120 GHz.167 Abb. Unten: Details des Tiefpassfilters in Streifenleitungstechnik. 4.

engl.) Abb. nach DIN EN 60617−10: vorwiegend im engl. 5. Hierfür wird grundsätzlich ein nichtlineares Bauelement benötigt. (Siehe auch Kap. Parametrischer Verstärker. des LO-Signals fLO und derjenige des sich ergebenden Mischproduktes fZF (ZF = Zwischenfrequenz. Sprachraum: fe fZF fe fZF fLO Abb. fLO 168 .1: Schaltzeichen für Mischer.3. IF = Intermediate Frequency).2. Links ist das Zeichen zu sehen. da es das nichtlineare Mischbauelement aussteuert. 5. die für Mischer verwendet werden.Kapitel 5 Mischer 5. In der Literatur findet man aber überwiegend das aus dem angelsächsischen Sprachraum kommende Symbol auf der rechten Seite. wie es in der Norm DIN EN 60617-10 enthalten ist. 2.1 zeigt zwei Schaltzeichen.1 Allgemeines Unter Mischung versteht man im Allgemeinen das Verschieben eines Signals oder einer Nachricht auf der Frequenzachse unter Zuhilfenahme eines sogenannten Lokaloszillatorsignals (LO-Signal). Beim Mischprozess treten Signale in drei verschiedenen Frequenzbereichen auf: Der Frequenzbereich des auf der Frequenzachse zu verschiebenden Signals fe . In der Literatur wird das LO-Signal oft als Pumpsignal bezeichnet.

Der Vervielfachungsfaktor n ist ganzzahlig: n = 1. bei n > 1 von Oberwellenmischung. 2.2 zeigt die möglichen Kombinationen der bei der Mischung beteiligten Frequenzen nach der Frequenzlage unterschieden. Lit. . ALLGEMEINES 169 5.2: Unterscheidung der Mischer nach der Frequenzlage. 5. Aufwärtsmischung verwendet man meistens um aufwändig modulierte niederfrequente Signale in einen höherfrequenten Bereich zu verschieben (z.1. 2 GHz. dann spricht man von Grundwellenmischung. . Oberwellenmischer werden zu diesem Zweck bei der Fertigung auf einen bestimmtem Vervielfachungsfaktor hin optimiert.B. Um auch bei sehr hohen Frequenzen das Prinzip der Mischung anwenden zu können.1. in Steuersendern) und in Spektralanalysatoren bis ca. . Anstatt einer einzelnen Frequenz fe ist ein Spektrum um fe gezeichnet. .: harmonic mixer). Gilt n = 1. 5.1 Unterscheidung der Mischer nach der Frequenzlage Mischung in Gleichlage ∆fZF = ∆fe Mischung in Kehrlage ∆fZF = −∆fe P Abwärtsmischung fZF < fe P fZF fZF = fe − nfLO P nfLO fe f fZF fZF = nfLO − fe P fe nfLO f Aufwärtsmischung fZF > fe fe fZF = fe + nfLO nfLO fZF f fe fZF = nfLO − fe fZF nfLO f Abb. 3. Abb. wird die Nichtlinearität des Mischelements zusätzlich zur Vervielfachung des LO-Signals verwendet. der hierzu verwendete Mischer wird als Oberwellenmischer bezeichnet (engl. Bei dieser Darstellung kann die Umkehrung des Spektrums bei der Mischung in Kehrlage in der resultierenden ZF-Ebene einfach gezeigt werden. in dem die niederen Spektralanteile kleine und die hohen Spektralanteile große Leistungsanteile haben.5.

: DoppelgateMOSFET). Typische Vertreter sind Dioden.2 Weitere Unterscheidungskriterien Nach dem verwendeten nichtlinearen Element: Zum Mischen können nichtlineare Wirkwiderstände oder nichtlineare Blindwiderstände verwendet werden. Nach der Steuerung: Hierbei wird wiederum unterschieden zwischen der Erzeugung des LOSignals: Selbstschwingende Mischstufe: Ein und dasselbe Bauteil wird gleichzeitig zur Erzeugung des LO-Signals und zur Mischung benutzt. Passive Mischer: Passive Mischer wirken nicht verstärkend auf das Ausgangssignal. Nach Art des Mischelements: Aktive Mischer: Werden verstärkend wirkende Bauteile.B.170 KAPITEL 5.B.B.1. 5. Nichtlineare Aussteuerung von Varaktoren bedeutet Mischung an einem Blindwiderstand. Transistoren als Mischelemente verwendet. Additive Mischung: Eingangs. MISCHER Abwärtsmischung wird in Überlagerungsempfängern (SuperheterodynEmpfänger) benutzt. Dieser Typ Mischer benötigt keine Versorgungsspannung. In den praktischen Konstruktionen liegt zwar im Allgemeinen eine Kombination von beiden vor. Aktive Mischer benötigen zusätzlich eine Versorgungsspannung. so kann diese Eigenschaft neben der Mischung ausgenutzt werden. wenn Dioden oder Transistoren in den nichtlinearen Bereich ihrer Kennlinie ausgesteuert werden. Und der Zusammenführung der Eingangssignale: Multiplikative Mischung: Eingangssignal und LO-Signal liegen an verschiedenen Klemmenpaaren desselben Bauteils an (z. Mischung mit Wirkwiderständen liegt vor. wie z. Eine Vorspannung (Bias-Spannung) kann den Mischer in einem optimalen Teil . komplizierte Filterungs. Fremdgesteuerte Mischstufe: Das LO-Signal wird von einer (externen) Baugruppe erzeugt und dem Mischer zugeführt.oder der Blindanteil dominierend. Mischer die das Ausgangssignal gleichzeitig noch verstärken bezeichnet man daher als aktive Mischer.und LO-Signal liegen am selben Klemmenpaar des nichtlinearen Bauteils an.und Signalverarbeitungsverfahren bei besser handhabbaren Frequenzen durchführen zu können.und Varaktor-Mischer. jedoch ist immer entweder der Wirk. um z.

5.n = Re im. n = 0.1.5) .n = mωe + nωLO .n =0 .2 einzuschränken.n = 0 (5.n · u∗ m. (5. .4) m=−∞ n=−∞ 1 Pm. Es gilt: P = ∞ ∞ Pm. Umformen von Gl.B. um das Spektrum der Kombinationsfrequenzen aus Gl.n = P−m. Tief.3 Kombinationsfrequenzen Im allgemeinen Fall entstehen bei Aussteuerung eines nichtlinearen Bauelementes mit Signalen unterschiedlicher Frequenz kompliziertere Spektren als in Abschnitt 5.n =0 mωe + nωLO m=0 n=−∞ ∞ ∞ (5. ein nichtlinearer Wirkleitwert. . kann in eine Taylorreihe entwickelt werden: ∞ i(u) = Gk u k k =0 (5. 5.2) Die Anzahl der möglichen Frequenzen ist nur dann beschränkt. .1 dargestellten Verhältnisse. 2.3 ergibt die Manley-Rowe Beziehungen: ∞ ∞ m=−∞ n=0 nPm. 5.4 Leistungsbeziehungen von Manley und Rowe An einer verlustlosen hysteresefreien Kapazität (Varaktor) wird die gesamte umgesetzte Wirkleistung zu Null.1 dargestellt. Man erhält als Ergebnis die in Abschnitt 5. 5. wenn die höchste Potenz der Reihe (Gl. 1. entstehen Kombinationsfrequenzen nach Gl. Die Kennlinie eines zum Mischen verwendeten Bauelementes. 5.1.1. diese Spannung ist keine Versorgungsspannung in diesem Sinn. 5. z. 5. In praktisch ausgeführten Mischern werden Hoch-.1. mωe + nωLO mPm. ALLGEMEINES 171 der nichtlinearen Kennlinie betreiben.n bei den Kreisfrequenzen ωm.2 mit den jeweiligen Teilleistungen Pm.1) beschränkt ist.3) (5. Verzerrungsfreies verschieben eines Signals auf der Frequenzachse ist nur für m = 1 möglich (Linearitätsbedingung). Pm.und Bandpässe kombiniert.1) Am Ausgangstor erhält man allgemein Signale mit den Frequenzen: fZF = | ± mfe ± nfLO | m.1.n 2 . Wird eine solche Kapazität von zwei Signalen mit verschiedenen Frequenzen ausgesteuert.−n An einer Kapazität gilt P00 = 0 (kein Gleichstrom).

6) Mit den Bezeichnungen aus Abschnitt 5.0 P1. MISCHER Unter der Voraussetzung.1 + =0 . 5.172 KAPITEL 5.12) m=−∞ n=0 .6 folgt: Gmax = − PZF fZF = >1 Pe fe fZF PZF = <1 Pe fe (5.n ≥ 0 n2 Pm.0 = Pe ist die Leistung des Eingangssignals. Für die an diesem Bauteil bei den Kreisfrequenzen ωm. Der differentielle Leitwert ist nicht negativ.7) Eine entsprechende Betrachtung für den Abwärtsmischer in Gleichlage ergibt: Gmax = − (5.10) ∞ Pantell: m=0 n=−∞ ∞ ∞ m2 Pm.n ≥ 0 (5.3.1 gilt: P0.B.8) Während ein Aufwärtsmischer in Gleichlage unter den eingangs genannten Voraussetzungen Verstärkung ermöglicht (siehe Kapitel 2. dann kann die maximal verfügbare Leistungsverstärkung Gmax des Aufwärtsmischers definiert werden.n = mωe + nωLO umgesetzten Wirkleistungen Pm.6 erhält man: P (nω ) = −P (ω ) (5.5 Leistungsbeziehungen von Page und Pantell Voraussetzung: Es wird ein nichtlinearer Wirkleitwert betrachtet. Entspricht Pe der verfügbaren Leistung des Eingangssignals. Wird z.1. Mittels der linken Gl.n (mωe + nωLO )2 ≥ 0 ∞ (5. −P1. Parametrischer Verstärker).1 P1. ωLO ωe + ωLO P1.1 + =0 ωe ωe + ωLO (5.9) 5. 5. m = 0 gesetzt.1 = −PZF ist die Leistung des bei der Zwischenfrequenz entnommenen Signals ωe + ωLO = ωZF und P1. dann können die Manley-Rowe Leistungbeziehungen auch auf Vervielfacher des LO-Signals mit verlustlosen hysteresefreien Reaktanzen angewendet werden. gilt für einen Aufwärtsmischer in Gleichlage: P0. dass Ströme mit der Frequenz |ωe − ωLO | nicht durch die nichtlineare Kapazität fließen können (diese Bedingung kann durch Schaltungsmaßnahmen sicher gestellt werden). Dieser ist durch eine eindeutige Funktion beschreibbar. für die mit der rechten Gl.n gelten folgende Beziehungen: ∞ ∞ Page: m=−∞ n=−∞ Pm. ergibt sich beim Abwärtsmischer ein Leistungsverlust.2.1 = PLO ist die Leistung des LO-Signals.11) (5.1.

4). MISCHER MIT GESTEUERTEM WIRKLEITWERT 173 Für den Fall. 5.0 + P0. dass bei den Frequenzen ωe und ωLO Leistung zugeführt und nur bei einer Kombinationsfrequenz ωZF = m1 ωe + n1 ωLO die Leistung −PZF entnommen wird. Es wird vorausgesetzt: PLO ≫ Pe und PLO ≫ PZF .5.2. sowie einen Verbraucher bei ω = ωZF . Dieses Bauteil ist auf folgende Weise in ein lineares zeitinvariantes Netzwerk eingebettet: i(t) lineares zeitinvariantes Netzwerk u(t) Abb.3: Einbettung der Mischdiode im linearen Netzwerk.B.15) . Kap.13) (siehe hierzu: Zinke. Als Ergebnis erhält man eine Kleinsignalentwicklung mit zeitabhängigem Arbeitspunkt (so genannter parametrischer Ansatz. 11) Für Frequenzvervielfacher (m = 0) mit nichtlinearem Wirkwiderstand folgt daraus P (nω ) ≤ −P (ω )/n2 (5. z. Brunswig. 5.2 Mischer mit gesteuertem Wirkleitwert Es wird ein Bauteil mit der Kennlinie i = f (u). Das lineare Netzwerk enthält Generatoren bei den Kreisfrequenzen ω = 0 (Bias).14) 5. dass bei der Aussteuerung durch das LO-Signal uLO (t) die volle Nichtlinearität berücksichtigt werden muss.1 (|m1 | + |n1 |)2 (5. Ein Netzwerk mit diesen Eigenschaften kann im Prinzip durch eine Serienschaltung von Parallelschwingkreisen erreicht werden (Abb. Band 2. eine Diode. Lehrbuch der HF-Technik. ω = ωe und ω = ωLO . bzw. betrachtet. erhält man für den maximalen Wirkungsgrad: ηmax = −PZF 1 = P1. Dagegen kann die Kennlinie für die Kleinsignalaussteuerung bei den Kreisfrequenzen ωe und ωZF mit einer Taylor-Reihenentwicklung linearisiert werden. Dies bedeutet. Kleinsignal-GroßsignalNäherung): −jωLO t i(t) = i (u (t)) = i u0 + uLO ejωLO t + u∗ + LO e − j ωe t −jωZF t + G(t) · ue ejωe t + u∗ + uZF ejωZF t + u∗ ee ZF e (5.

MISCHER i(t) ω=ωe iek Ge ue = u(t) uLO uZF G0 GZF ω=ωLO ω=ωZF Abb. 5. ω = ωe .16) di du G− n = G∗ n −π u0 +2Re{uLO ejωLO t } · e−jnωLO t d (ωLO t) (5. Die Summe in Gl.20 und auf das in Abb.20) .17) (5.174 u0 ω=0 KAPITEL 5. mit dem Momentanleitwert G(t) = G (uLO (t)) = wobei Gn 1 = 2π π di du u0 +2Re{uLO ejωLO t } = ∞ n=−∞ Gn ejnωLO t (5. 5.16 hat daher nur eine beschränkte Anzahl von Gliedern. 5.19) Dies führt auf die Konversionsmatrix in Gl. ω = ωLO und ω = ωZF zu.4: Prinzipschaltbild einer Diodenmischstufe. Im folgenden werden die Ströme bei ω = ωe mit ωe = ωZF − n1 ωLO und ω = ωZF mit ωZF = ωe + n1 ωLO betrachtet (n1 fest gewählt).18) da G(t) reell Die Schaltung in Abb.5 gezeigte Ersatzschaltbild. ie iZF = G0 G∗ n1 Gn 1 G0 · ue uZF (5. j ωe t ie ejωe t = G0 ue ejωe t + G∗ n1 uZF e jωZF t jωZF t iZF e = G0 uZF e + Gn1 ue ejωZF t (5. 5. Dies entspricht einem Mischer in Gleichlage. 5.4 lässt nur Ströme bei den Kreisfrequenzen ω = 0.

24) Für Leistungsanpassung muss GZF gleich dem ausgangsseitigen Innenleitwert GZFi der Schaltung in Abb. Für einen Mischer in Kehrlage erhält man: ie i∗ ZF = G0 Gn 1 G∗ G0 n1 · ue u∗ ZF (5.21) Die Amplitude der Pumpschwingung (uLO ) tritt nicht explizit in Erscheinung.2. 5.23 in die Konversionsmatrix Gl. also GZF = GZFi = G0 − | Gn 1 | 2 G0 + Ge (5.20 ergibt für den Übertragungsgewinn des Mischers in Gleichlage: GT = 4Ge GZF |Gn1 |2 [(G0 + Ge )(G0 + GZF ) − |Gn1 |2 ]2 (5.5 sein.23) Einsetzen von Gl. 5. 5. GT = PZF uZF = 4Ge GZF Pev iek 2 (5. MISCHER MIT GESTEUERTEM WIRKLEITWERT ie iek Ge ue G0 abgestimmt auf ωe 175 iZF uZF G* n uZF 1 Gn 1 ue G0 abgestimmt auf ω ZF GZF Abb. 5. Unter dem Übertragungsgewinn GT (Betriebsleistungsverstärkung) eines Mischers versteht man das Verhältnis aus der an den Lastleitwert abgegebenen Leistung PZF = GZF |uZF |2 /2 zur verfügbaren Leistung der Signalquelle Pev = |iek |2 /(8Ge ).22) Aus dem Kleinsignalersatzschaltbild entnimmt man: ie = iek − ue Ge iZF = −uZF GZF (5. Sie bestimmt jedoch die Größe der Matrixelemente Gn .5: Kleinsignalersatzschaltbild für den Mischer in Gleichlage.5.25) .

±1. dass jedes neu erzeugte Mischprodukt sogleich wieder am Mischprozess teilnimmt. Darüber hinaus wird jeder spektrale Anteil im nichtlinearen Element auch noch vervielfacht. Aus einem Frequenzpaar f1 und fLO können somit theoretisch unendlich viele Frequenzen erzeugt werden: mf1 + nfLO . Dieser Umstand vereinfacht die mathematische Formulierung erheblich. Sind die Bedingungen Gl. dass die Leistungsanteile bei f1 so klein sind.26) Der Misch.27 erfüllt. Dies ist bei den üblichen Mischdioden immer der Fall. Man muss davon ausgehen. Das Spektrum der Kleinsignalanteile kann nun folgenderweise formuliert werden: fn = f0 + nfLO . Das Spektrum der Signale ist in Abb.6 gezeigt. 5. so dass es genügt nur einen Anteil davon zu berechnen.27 ist immer erfüllt. wenn für den Mischer die Stabilitätsbedingungen G0 ≥ 0 2 G2 − | G ≥ 0 n1 | 0 (5. . als im vorherigen Abschnitt 5. GT ist dann kleiner als 1. Gmax lässt sich im Allgemeinen nur errechnen. 5. Dick ausgezogen ist die Zweitonaussteuerung. ±2. .24 erhält man damit den verfügbaren Leistungsgewinn: GA = Ge | Gn 1 | 2 (G0 + Ge ) [G0 (G0 + Ge ) − |Gn1 |2 ] (5. sofern dessen Amplitude groß genug ist. wobei n und m positive und negative ganze Zahlen inklusive null sind. n = 0. wenn die Steigung der Kennlinie i = f (u) im Bereich der Aussteuerung positiv ist. ist der Mischer für beliebige Abschlüsse auf der ZF. 5. Gl.1). Positive und negative Frequenzanteile sind jeweils konjugiert komplexe Paare.3 Verallgemeinerte Konversionsmatrix In Wirklichkeit entstehen bei Mischprozessen viel mehr Kombinationsfrequenzen. .2 angenommen wurde.27) erfüllt sind. dass sie keine Harmonischen erzeugen und dass die Lokaloszillatorquelle ein großes sinusförmiges Signal mit der Frequenz fLO einprägt. dann sind die Mischfrequenzen f = ±f1 + nfLO . ±N (5.2.176 KAPITEL 5. Analog kann Leistungsanpassung am Eingang gefordert und der maximal verfügbare Leistungsgewinn Gmax = 1/Lmin berechnet werden. MISCHER Aus Gl. Kapitel 3. 5. .oder Konversionsverlust L ergibt sich aus L = 1/GA und ist unabhängig vom Lastleitwert GZF . nicht jedoch bei Tunneldioden (vgl.oder Eingangsfrequenz stabil. 5.28) . dünn ausgezogen das beabsichtigte Mischprodukt f0 und gestrichelt die zusätzlich auftretenden Mischprodukte. Nimmt man an.

29) −2fLO f−2 −fLO f−1 0 f0 fLO f1 2fLO f2 f Abb. 5.7: Spektrum der Mischfrequenzen nach der Notation von Gl. 5.31) i (t) = ∞ k =−∞ Die gestrichenen Größen u′ (t) und i′ (t) sollen andeuten.28 so dargestellt werden: u′ (t) = ′ ∞ m=−∞ Um ej2πfm t Ik ej2πfk t (5. Die Kleinleistungsanteile der einzelnen Frequenzen hängen sehr stark von den Eigenschaften des nichtlinearen Elements ab.28 und Gl.29.30) (5. 5. VERALLGEMEINERTE KONVERSIONSMATRIX U(f) I(f) 177 -2fLO -fLO -f0 0 f0 fLO f1 2fLO f Abb. Um diese Abhängigkeiten mathematisch formulieren zu können. Eine Skizze ihrer Herleitung soll im folgenden dargelegt werden: Die Kleinsignalspannungen und -ströme können in der Frequenznotation aus Gl. dass es sich hierbei um die Summe von positiven (für ω > 0) und negativen (für ω < 0) komplexen .6: Spektrum der am nichtlinearen Element anliegenden Frequenzen.7 dargestellten Verhältnisse: U(f) I(f) (5. Mit dem Spektrum der Großsignalanteile nfLO erhält man die in Abb.3.5. 5. führt man die so genannte verallgemeinerte Konversionsmatrix ein. 5. 5.

30 bis 5. . 5. Der zeitabhängige Wirkleitwert des nichtlinearen Elements. .  .33) Setzt man die Gleichungen 5. . .35)      GN −1 GN −2 · · · G−N   U0   I0   GN      GN GN −1 · · · G−N +1   U1   I1   GN +1       .  . erhält man: ∞ k =−∞ Ik e j2πfk t = ∞ ∞ Gn Um ej2πfm+n t (5. .34 kann für aussteuerungsabhängige Kapazitäten über den Zusammenhang der Ladungsänderung im Kondensator zum Stromfluss. müssen zusätzlich die Blindanteile des nichtlinearen Elements berücksichtigt werden. . . . . . . dass man nur eine beschränkte Anzahl von unendlich vielen erzeugten Frequenzen betrachtet. .  .33 ein. . . dass nur die Hauptdiagonale besetzt ist. Analog zu Gl. .32 in Gl.            I−1  =  GN −1 GN −2 GN −3 · · · G−N −1   U−1  (5.16): G(t) = ∞ n=−∞ Gn ejn2πfLO t (5. . . . . erhält man Terme die sich in Matrizenschreibweise übersichtlicher schreiben lassen:      U−N G0 G− 1 G−2 · · · G−2N I−N  I−N +1   G1 G0 G−1 · · · G−2N +1   U−N +1        I−N +2   G2 G G · · · G 1 0 −2N +2   U−N +2      . MISCHER Amplituden handelt. . es handelt sich nicht um eine Fourierzerlegung auch wenn es der Form danach aussieht. . . . . welches von der LOQuelle ausgesteuert wird. . . n=−∞ m=−∞ Um eine vollständige Analyse durchführen zu können. .34) Rechnet man diese Gleichung aus. .     . . . .32) Die Spannungen und Ströme in dem nichtlinearen Element folgen dem Ohm’schen Gesetz: i′ (t) = G(t)u′ (t) (5.     . . UN G2N G2N −1 G2N −2 · · · G0 IN Die seltsam anmutende Nummerierung der Matrizenelemente (U und I jeweils von −N bis N und G von −2N bis 2N ) ergibt sich aus der Tatsache. . . h. kann durch seine Fourierzerlegung dargestellt werden (Gl. . folgende Summe hergeleitet werden: ∞ k =−∞ Ik e j2πfk t = ∞ ∞ j2πfm+n Cn Um ej2πfm+n t (5. . 5. D. 5.36) n=−∞ m=−∞ Die Matrizendarstellung zeigt.178 KAPITEL 5.

Im mm-Wellenbereich herrschen nach wie vor Mischer in Hohlleiter. IN 0 B B B B B B B B B B B B B B B B @ 1 8 0 C > > C > B C > > B > C > B > C > B C > > > B C > < B C C= B B C > B C > B > C > B C > > B C > > B > C > > @ C > > A : Y −N 0 0 Y−N +1 · · 0 · · · 0 · · · · · Y N −1 · · · YN 1 0 C B C B C B C B C B C B C B C+ B C B C B C B C B C B A @ G0 · · · G−2N · · · · · · · · · G2N · · · G0 9 1 0 > > > > C B > > C B > C > B > C > B > C > B > = C B C B C B C B > > C B > > C B > > C B > > C B > > > A @ > > . 5.5. . Bei niedrigen Frequenzen bis in den unteren GHz-Bereich werden oft Spulen-Übertrager eingesetzt. I0 . Am Ende wird ein Realisierungsbeispiel eines mm-Wellenmischers dargestellt.4 Schaltungstechnik von Mischern Abhängig von der Anwendung gibt es verschiedene Möglichkeiten der schaltungstechnischen Realisierung von Mischern.und Blindleitwerte erhält man die gesamte Konversionsmatrix: I−N . unbalanced mixer) sind sehr einfach aufgebaut und können oft mit einfachen Laborkomponenten improvisiert werden. dass sie die von den Eingängen gelieferte Leistung .und Seitenbandrauschen des LOSignals zu unerwünschten Mischprodukten in der Nähe der Zwischenfrequenz (Siehe hierzu die Vorlesung über Mikrowellen-Messtechnik). Es wird jeweils immer mindestens eine Schaltungsrealisierung in Übertragertechnik und in Streifenleitertechnik gezeigt. Dieses kann sich einerseits in der Art der Verschaltung der Mischelemente äußern.und Signaleingang. Zu höheren Frequenzen hin findet man zunehmend Streifenleiterschaltungen mit Kopplern anstatt Übertragern. Andererseits hängt aber die äußere Beschaltung vom Einsatzfrequenzgebiet ab. .4.4. führt das Amplituden. . Neben der oft unzureichenden Entkopplung zwischen LO. engl.38) U = {Y + G}−1 I = Z I (5. single-diode-mixer. U−N · · · UN 1 C C C C C C C C C C C C C A (5.39) 5. Ein weiterer Nachteil der Eintaktmischer ist.und Flossenleitertechnik vor.37) oder kurz: Nach U aufgelöst erhält man I = {Y + G}U (5. SCHALTUNGSTECHNIK VON MISCHERN 179 Addiert man die Matrizen der Wirk. .1 Eintaktmischer Eintaktmischer (auch Ein-Dioden-Mischer. Der folgende Abschnitt stellt einige wichtige Vertreter von Mischerschaltungen vor.

9. wobei es auf die spezielle Art des Kopplers nicht ankommt. Eingangssignal und LO-Signal werden mit Hilfe eines Kopplers zusammengeführt. Die Bandbreite des Mischers entspricht im wesentlichen der des verwendeten Kopplers.und Ausgang und damit unter Umständen in andere Teile der Schaltung zu erwarten.10 zeigt das Schaltungsprinzip. Da das LO-Signal mit relativ hohem Pegel am Mischer anliegt ist ein Übersprechen an den Ein.und LO-Signale werden über Bandfilter der Mischdiode zugeführt. MISCHER nicht voll ausnützen. 5. 5. Abb.180 KAPITEL 5. auch Zwei-Dioden Mischer (engl.8: Schaltung eines einfachen Eintaktmischers. Die Entkopplung der Signale untereinander kann nach dieser Methode breitbandig so gut wie gar nicht und schmalbandig nur sehr schlecht gewährleistet werden. Diese Art der Zusammenschaltung nennt man Differentialübertrager. Die Eingangs.8 gezeigt. 5.und des ZF-Ausgang-Tores erreicht werden. Die Ein- .4. 5. die im Gegentakt betrieben werden. single balanced mixer.2 Gegentaktmischer Gegentaktmischer. Die Schaltung eines einfachen Eintaktmischers für tiefe Frequenzen ist in Abb. twodiode mixer) vermeiden einige der beim Eintaktmischer genannten Probleme. 5. Eingangskreis ZF−Kreis iek Ge GZF GLO iLO Abb. Die Dioden werden dabei einmal von der Summe und einmal von der Differenz der beiden Eingangssignale angesteuert. Abhilfe schaffen hier Mischer. Mit einer geschickten Verschaltung zweier Dioden und entsprechender Ansteuerung kann eine Entkopplung des LO. LO−Kreis Ein Prinzipschaltbild für den Mikrowellenbereich zeigt Abb. Ebenso wird die im Mischer erzeugte Zwischenfrequenz über ein Bandfilter entnommen.

5.4. SCHALTUNGSTECHNIK VON MISCHERN
LO

181

Ausgangs− signal, ZF Eingangs− signal Hoch− pass Tief− pass

Diode
Abb. 5.9: Prinzipschaltbild eines einfachen Eintaktabwärtsmischers.

D1 uLO +ue uLO ue uLO −ue D2
Abb. 5.10: Differentialübertrager im Gegentaktmischer.

GZF

iZF

gangssignale fe und fLO werden mit einem Übertrager so verteilt, dass an Diode D1 die Spannung uLO + ue und an Diode D2 die Spannung uLO − ue abfällt (unter Berücksichtigung der eingezeichneten Zählpfeile). Durch den ZF-Leitwert GZF fließt dann der Strom iZF = GZF (uD2 − uD1 ) = GZF (uLO − ue ) − GZF (uLO + ue ) = −2GZF ue (5.40) Jeder Strom der vom Lokaloszillator alleine herrührt wird unterdrückt, dadurch wirken sich auch Amplitudenschwankungen des Lokaloszillators nicht auf den Mischprozess aus. Der Eingang für das LO-Signal ist damit von dem ZF-Kreis entkoppelt. Zusätzlich fließt ohne Eingangssignal ue im ZF-Kreis überhaupt kein Strom. Das Maß der Entkopplung und damit die Funktion des Gegentaktmischers hängt sehr stark von der Symmetrie der Schaltung ab. Dies bedeutet, dass die Dioden so gut es nur geht gleiche Daten aufweisen müssen und der Aufbau (Platzierung der Bauteile, Wicklung des Übertragers) sehr genau erfolgen muss. Dem Differentialübertrager entspricht in Streifenleitungstechnik einem 180°-3 dBKoppler (z.B. Rat-Race-Koppler). Abb. 5.11 zeigt die Schaltung eines Diodengegentaktmischers mit Bandfiltern. Die Einspeisung des LO-Signals erfolgt symmetrisch in der Mitte der Schwingkreisinduktivitäten. Falls die Schaltung genau symmetrisch aufgebaut ist, sind

182

KAPITEL 5. MISCHER

Ein- und ZF-Ausgang frei von der LO-Spannung. Die beiden Dioden werden von dem LO-Signal im Gleichtakt ausgesteuert. Das Eingangssignal ue liegt dazu im Gegentakt an den Dioden an. Wegen der verwendeten Schwingkreise eignet sich dieses Konzept nur für schmalbandige Anwendungen. Für breitbandige Versionen würde man die Schwingkreise gegen Übertrager austauschen.

uLO iek Ge GZF

GLO iLO
Abb. 5.11: Schaltung eines Gegentaktmischers mit Bandfiltern.

Abb. 5.12 zeigt einen aktiven Gegentakt-Mischer mit Feldeffekttransistoren als Mischelementen. Das Eingangssignal wird über einen Übertrager dem Drainstrom hinzu addiert. Der Lokaloszillator steuert die Feldeffekttransistoren über die Gateleitungen. An den Sourceanschlüssen kann das Mischprodukt über einen Übertrager abgenommen werden. Dieser Mischer besitzt einen Gleichstromanschluss um den Drainstrom über die Mittelanzapfung des Eingangsübertragers zuführen zu können. Der Verstärkungsfaktor liegt in der Größenordnung von 6–10 dB. Für den höheren Frequenzbereich wird man anstatt Übertragern, wie zuvor schon erwähnt, Koppler einsetzen. Der Eintaktmischer aus Abb. 5.9 kann gemäß Abb. 5.13 leicht zu einem Gegentaktmischer erweitert werden. Ring-Hybrid (Rat-Race)-Mischer Gegentaktmischer dieser Bauweise werden heute für Frequenzen oberhalb von 20 GHz eingesetzt. Für tiefere Frequenzen lassen sich Doppelgegentaktmischer mit besseren Entkopplungseigenschaften konstruieren (siehe Abschnitt 5.4.3). Die in Abb. 5.14 gezeigte Schaltung wurde für eine LO-Frequenz von 26,5 GHz und eine ZF von 3,5 GHz ausgelegt. Die Eingangsfrequenz beträgt 30 GHz. Die Bandbreite wird mit 1 GHz angegeben.

5.4. SCHALTUNGSTECHNIK VON MISCHERN

183

Versorgungsspannung D Eingang S Ausgang S
Tief− pass Ausgangs− signal, ZF Tief− pass Diode 2
Abb. 5.13: Prinzipschaltbild eines einfachen Gegentaktabwärtsmischers.

G G

D

Lokaloszillator
Abb. 5.12: Aktiver Gegentakt-Mischer mit Feldeffekttransistoren.

LO

90°−, 180°− 3dB−Koppler Hoch− Diode 1 pass

Eingangs− signal

Hoch− pass

5.4.3

Doppelgegentaktmischer

Noch bessere Entkopplung der Tore untereinander, als beim Gegentaktmischer, kann durch eine doppelt balancierte Anordnung erreicht werden. Die Schaltung des Gegentaktmischers wird durch einfügen zweier weiterer Dioden zu einem Doppelgegentaktmischer (engl. double balanced mixer, four-diode mixer) erweitert. Damit sind, bei symmetrischem Aufbau und ausgesuchten Dioden, alle Einund Ausgänge voneinander entkoppelt. Einen Doppelgegentaktmischer, der aus Abb. 5.11 hervorgeht ist in Abb. 5.15 gezeigt.

5.16a und b zeigen zwei solche Ringmodulatoren. Daher.15: Schaltung eines Doppelgegentaktmischers. und weil dieser Mischertyp in der Nachrichtentechnik oft zur Modulation verwendet wird. Abb. 5. bezeichnet man ihn auch als Ringmodulator. Ringmodulator Die vier Dioden bilden einen Diodenring der sehr oft in Schaltbildern auch als Ring gezeichnet wird. 5.184 KAPITEL 5.14: Sonderform eines Ring-Hybrid-Mischers mit fünf Anschlüssen. iek Ge GZF GLO iLO Abb. Oft ist eine symmetrische und damit massefreie Ansteuerung der Dioden vorteilhaft. MISCHER Vorspannung 20pF 20pF ZF−Tiefpass Signaleingang 30GHz 1pF ZF−Ausgang DC−Trennung LO−Eingang Abb. Dieses führt .

und LO-Signal sind durch stetige Übergänge von Microstripauf Koplanar-Leitung realisiert (sogenannte Marchand -Tapered-Balun). Die Skizze in Abb. Die in Abb. Die Übertrager von Eingangs. Auch mit Streifenleitungen kann eine vollständig symmetrische Ansteuerung des Diodenringes erreicht werden.16a deutlich vergrößerten Aufwand beim Übertragernetzwerk. 5. 5. Die Frequenzen von Eingangs. bei voll symmetrischer Ansteuerung der Dioden. 5.18 eingesetzte Anordnung von . 5. SCHALTUNGSTECHNIK VON MISCHERN 185 zu einer erhöhten Isolation der Ein. Abb. Dadurch ist die ZF prinzipiell bandbegrenzt und kann höchstens einige hundert MHz betragen. Auf beiden Seiten des Substrats befindet sich in der ZF-Auskopplung eine Induktivität (L1 .4.und LO-Signal können zwischen 2 und 18 GHz variieren.17 zeigt das prinzipielle Layout eines Doppelgegentaktmischers mit Symmetriergliedern aus Streifenleitungselementen. Die 4 Mischdioden sind meist monolithisch auf dem selben Substrat integriert. 5. Die für die Schaltungen in den Abb. Brummschleifen zu vermeiden. 5.5.und Ausgänge.16: Ringmodulator a) mit und b) ohne DC-Kopplung des Diodenringes. um z.16b zeigt den gegenüber Abb. a) T1 T2 ZF− Ausgang Eingang LO b) T1 T2 Eingang ZF− Ausgang LO Abb.B.16a und b verwendeten Spulen-Übertrager lassen sich mit den heute erhältlichen Kernmaterialien für Frequenzen bis etwa 5 GHz verwenden. Für höhere Frequenzen müssen Streifenleitungen eingesetzt werden. L2 ) um einen Kurzschluss des LO-Signals zu verhindern.

dass sich die einzelnen Frequenzbänder der HF-. 5.186 λ/2 KAPITEL 5.18: Balun-Übertrager mit Leitungsbauelementen. MISCHER LO− Eingang 11111111111 00000000000 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 integrierter Diodenring L1 1111111111 0000000000 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 L2 Unterseite Oberseite Signal− eingang ZF−Ausgang Durchkontaktierung auf beiden Seiten des Substrats Abb. LO. λ/4 HF λ/4 LO λ/4 ZF Abb. 5.und ZF-Signale sogar überlappen dürfen.17: Prinzip-Layout eines breitbandigen Marchand-Tapered-Balun. Doppelgegentaktmischers mit Streifenleitungsbaluns (gleichzeitig Koppler und Symmetrierglied) ergibt eine so gute Entkopplung der Tore voneinander. .

Im Gegensatz dazu können beim Ringmischer die Baluns für verschiedene Frequenzbereiche ausgelegt werden. Brücke RF LO Masse der Mikro− streifenleitung λ /2 ZF Abb. das gleiche Frequenzband abdecken müssen.5.19 geschaltet sind. .4. bei dem die Dioden gemäß Abb.also auch vom LO-Eingang entkoppelt. 5. 5. Ein großer Nachteil des Sternmischers ist. Durch den vollkommen symmetischen Aufbau der Koppelstruktur ist der Zwischenfrequenzanschluss sowohl vom RF. In der Mikrowellenversion erfolgt die Einkopplung der Signale durch zwei über Kreuz geschaltete Marchand ähnliche Baluns. Wegen deren zueinander rechtwinkligen Anordnung ergibt sich somit eine sehr gute Entkopplung zwischen dem RF. bedingt durch den eingesetzten Koppler. Dieser Mischer kann über mehrere Oktaven Bandbreite eingesetzt werden und zeichnet sich durch eine ebenfalls breitbandige gute Anpassung im Zwischenfrequenzbereich aus. dass die Eingangssignale. Das Zwischenfrequenzsignal wird in der Mitte des Diodenkreuzes abgenommen.und LO-Eingangssignal. SCHALTUNGSTECHNIK VON MISCHERN Sternmischer 187 Der Sternmischer (star mixer) ist ein doppelt balancierter Mischer.19: Sternmischer mit gekreuzten Marchand-Baluns.

Abb. Eingangs. dessen Höhe stufenweise stark reduziert wird.1 mm lang.2) µm Whisker n+−GaAs 100 µm ohmscher Kontakt Abb.20 zeigt den Querschnitt durch eine typische Schottky-Diode mit Whisker-Kontakt.und LO-Signal gelangen zusammen über ein Rillenhorn an den Eingang eines Rechteckhohlleiters. 5. Der ohmsche Kontakt der Schottky-Diode ist mit einem Tiefpass in Streifenleitungstechnik verbunden. Typische Werte sind etwa RB = 12 Ω und CRL = 7 fF. 5. MISCHER 5. Das Schaltbild des Mischers ist in Abb. Die Größe und Länge des Whisker-Kontaktes werden so gewählt.4. die Mischdiode in einem Gehäuse unterzubringen.22 gezeigt.B. Gold und Platin (oder Titan) 1111 0000 0000 1111 SiO 2 −Isolation 0000 1111 0000 1111 0000 1111 0000 1111 0. In Abb. 5. die von einem speziellen Gehäuseteil geführt wird zu verstehen. Bei diesen hohen Frequenzen ist es nicht möglich.4 µm n−GaAs (0.188 KAPITEL 5. In Abb. Hier entspricht LW der Whiskerinduktivität. 5. dass die Serienresonanz von LW und CRL über der größten vorgesehenen Eingangsfrequenz liegt. Der Kontakt-Whisker befindet sich am Ort der größten elektrischen Feldstärke und ist parallel zu den elektrische Feldlinien orientiert. Die zur Kontaktierung von Schottky-Dioden verwendeten Whisker sind etwa 12 µm dick und 0.1−0.22 wird für die Schottky-Diode ein einfaches Ersatzschaltbild angenommen. RB ist der Bahnwiderstand und CRL ist die Kapazität der Raumladungszone.20: Querschnitt durch eine typische Schottky-Diode mit Whisker-Kontakt. Dies verringert die Eingangsimpedanz des Mischers für Eingangs.4 Konstruktionsbeispiel eines mm-Wellen-Mischers Eintaktmischer mit Schottky-Diode für 200–270 GHz Ein Mischer aus der Radioastronomie für den Frequenzbereich 200–270 GHz wird als Beispiel für die praktische Ausführung eines Ein-Dioden-Mischers in Hohlleitertechnik betrachtet. Vielmehr wird der MetallHalbleiter-Übergang mit einem Whisker-Kontakt versehen. Darunter ist eine haarförmig geätzte Metallspitze (z.21 sind zwei Querschnitte durch den gesamten Mischer dargestellt. aus denen die Anordnung der Schottky-Diode im Hohlleiter hervorgeht. Wolfram). Bei der Berechnung und Konstruktion des Tiefpassfilters ist folgende Forderung zu beachten: Das Tiefpassfilter darf für Frequenzen zwischen 200 und 270 GHz . 5.und LO-Signal.

4. Dies geschieht entweder über den in Abb.21: Querschnitte durch einen 200–270 GHz Eintaktmischer.2 mm 111 000 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 RF+LO Circular−to− λ /4−Height Rectangular Waveguide Transition A 1111111111 0000000000 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 Microstrip Choke Diode Chip 0. Über die am Ende kapazitiv kurzgeschlossene Parallelverzweigung kann der Arbeitspunkt der Mischdiode eingestellt werden. 5.12 mm Pressure Plate Backshort Plate 11 00 00 11 Waveguide 1 0 Waveguide Depth Adjustable By Plate Selection Pressure Screw Whisker Pin Whisker Pin 0.2–1. Vor dem ZF-Ausgang wird durch eine leer laufende Serienstichleitung eine DC-Trennung bewirkt (in Abb. 5.22 als Kondensator dargestellt). nur eine kleine Kapazität darstellen. wenn der ZF-Ausgang mit 50 Ω abgeschlossen ist. SCHALTUNGSTECHNIK VON MISCHERN 189 Single− Ended Mixer A Corrugated Feed Section Diode Mount Section Microstrip Choke Channel Schottky Diode IF Backshort Section Diode Bonded To Gold Foil 0. rA x y ZL ∼ ∼ 200Ω ZF 45Ω λ/4 lang (in ZF−Bandmitte) HF+ LO CRL RB LW Tiefpass aus Leitungsstücken Mikrostreifenleitung.04 mm 0.22 eingezeich- .975 mm Contact Whisker Section A−A Abb.22: Eintaktmischer mit Schottky-Diode für 200–270 GHz (ZF: 1. 5.5. 5.8 GHz). Das dem Tiefpass folgende Netzwerk transformiert die Impedanz der Diode bei der ZF von etwa 300 Ω auf den Bezugswiderstand von 50 Ω. Quarzsubstrat 200Ω 100 pF Vorstrom RV 28Ω CRL = Kapazität der Raumladungszone LW = Induktivität des Whiskers Serienresonanz >> 270 GHz Abb.

Der Koppler wurde in der Darstellung leicht verändert. Die Trennung der Frequenzlagen kann hier einfach mit einem Hoch. da er bei Nichtbeachtung zum totalen Versagen eines Mischers führen kann. 5. durchströmen danach das Mischelement und können über dieses nach Masse abfließen. dass die Beschaltung um das Mischelement in diesem Fall keine direkte Verbindung nach Masse benötigt. dass es direkt Kontakt zur Schaltungsmasse hat. Es handelt sich um einen Abwärtsmischer. In Abb.4.B. Der Tiefpass sperrt diese Signale. Die erzeugten niederfrequenten Mischsignale fZF werden von dem Hochpass gesperrt und fließen daher über den Tiefpass in den ZF-Teil (im Bild durch einen Widerstand dargestellt). so dass nur der Masseweg über die Diode bleibt. In der folgenden Abb.24 ist der Eintaktmischer so modifiziert worden. . wo sie nach Masse abfließen können.9 mit den jeweiligen Strompfaden der verschiedenen Frequenzlagen gezeichnet. Bemerkenswert ist. 5. Der Signalfluss bleibt prinzipiell wie zuvor beschrieben. • Aufrechterhaltung des Gegentaktbetriebs und der Symmetrierung bei Gegentaktbetrieb.h.8 GHz abgestimmt. • Die Ströme der verschiedenen Frequenzlagen müssen ungehindert von der jeweiligen Quelle zur Senke fließen können. Der letzte Punkt soll nochmals näher beleuchtet werden. Spiegelfrequenzunterdrückung). dass das Mischelement nun in Serie zum Signalfluss liegt und daher keine direkte Masseverbindung mehr hat.23 ist nochmals der Eintaktmischer aus Abb. 5.und einem Tiefpass erreicht werden. damit der Stromverlauf einfacher nach zu vollziehen ist. passieren den Hochpass.2–1. die Frequenzen fe und fLO liegen oberhalb von fZF . Die äußere Beschaltung muss innerhalb des jeweiligen Betriebsfrequenzbereiches mindestens folgende Punkte gewährleisten: • Anpassung der Impedanzen des Mischelements an die Signalzuführungen. Die resonanten Leitungskreise werden auf die Mitte des vorgesehenen ZF-Bereiches von 1. 5. Das Mischelement wurde so integriert. Die Ströme von fe und fLO werden im Koppler zusammengeführt.5 Äußere Beschaltung Das Leistungsverhalten eines Mischers ist stark abhängig von seiner äußeren Beschaltung. d. Durch eine Fehlbeschaltung wird die Funktion eines Mischers in der Regel eingeschränkt.190 KAPITEL 5. • Filterung des Betriebsfrequenzbereichs zur Unterdrückung von störenden Mischprodukten (z. MISCHER neten Vorwiderstand RV (self biasing) oder durch eine externe Stromquelle.

Massewege über die äußere Beschaltung.5.4. Massewege über das Mischelement. . SCHALTUNGSTECHNIK VON MISCHERN 191 fLO Koppler Hoch− fe pass Tief− pass Diode Abb. fZF nur dass die Ströme nun nicht mehr über das Mischelement nach Masse abfließen können. damit die Stromkreise der entsprechenden Frequenzlagen geschlossen werden können.24: Signalfluss im Eintaktabwärtsmischer mit äußerer Beschaltung. In diesem Fall sind in der Beschaltung um das Mischelement die Masseverbindungen zwingend notwendig.23: Signalfluss im Eintaktabwärtsmischer mit äußerer Beschaltung. 5. fLO Koppler Hoch− fe pass Diode Tief− pass fZF Abb. 5.