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A JUNO P-N E O DIODO RETIFICADOR

JOS ARNALDO REDINZ


Departamento de Fsica - Universidade Federal de Viosa CEP : 36571-000 , Viosa MG 08/2000

1) A TEORIA DE BANDAS PARA A CONDUO ELTRICA


A nica teoria capaz de explicar a existncia na natureza de materiais que so timos condutores de eletricidade (como os metais), pssimos condutores (como o diamante) e condutores moderados (os semicondutores, como o silcio) a teoria de bandas. Essa teoria se baseia na soluo da equao de Schrdinger para um eltron em um potencial peridico, ou seja, na soluo quntica do problema de um eltron que interage com vrios ons fixos em uma rede peridica e uniforme, uma rede cristalina. O estudo aprofundado da teoria de bandas faz parte do programa de um curso de Fsica do Estado Slido. Uma viso superficial dada nos cursos de Estrutura da Matria. Resumiremos aqui apenas as concluses principais tiradas dessa teoria. Principais concluses da teoria de bandas: a) Como comum em sistemas qunticos, a energia dos eltrons quantizada, ou seja, pode assumir apenas um conjunto discreto de valores. Mas de fato, para um bloco slido de tamanho macroscpico, esses nveis de energia esto muito pouco espaados entre si, formando, para todos os efeitos prticos, um contnuo de energias. No entanto, restam intervalos de energias que no podem ser assumidas pelos eltrons, ou seja, o eixo das energias fica particionado em bandas (faixas) de energias que so permitidas e faixas que so proibidas (ver a Figura 1). Aqui podemos fazer uma analogia com os nveis de energia de um tomo de hidrognio. Sabemos que o eltron desse tomo pode assumir apenas as energias (sem considerar as correes das estruturas fina e hiperfina, que so da ordem de 10-3 e 10-6 eV respectivamente):

En =

13.6 eV n2

Assim, podemos encontrar o eltron num tomo de H com energias -13.6 eV, -13.6/4 eV, etc., mas o valor de energia -12 eV, por exemplo, est proibido. O eltron no pode assumir essa energia porque no existe soluo da equao de Schrdinger com autovalor de energia igual a -12 eV.
1

}
}

banda permitida banda proibida (gap) banda permitida

Figura 1
b) Cada banda possui um determinado nmero de estados eletrnicos, ou seja, uma certa capacidade de armazenar eltrons. Esse nmero est determinado basicamente pelo princpio de excluso de Pauli que probe que dois eltrons quaisquer de um sistema fsico possuam simultaneamente o mesmo conjunto de nmeros qunticos. Essa capacidade de eltrons fortemente influenciada pela geometria (simetria) da rede. Assim, poderemos ter bandas cheias, parcialmente cheias ou vazias. A quantidade de eltrons a ser alocada nas bandas est determinada pela natureza do elemento que compe o slido (pelo seu nmero atmico Z) e tambm pela geometria do sistema. O ponto mais importante a ser destacado aqui que uma banda completamente cheia est congelada, ou seja, com ou sem a aplicao de um campo eltrico externo, os eltrons dessa banda no contribuem com corrente eltrica. Podemos imaginar que isso ocorre porque, para se moverem, os eltrons tem que ganhar energia e por conseguinte mudar de estado quntico, eles precisam subir no eixo das energias. No entanto, os estados que seriam acessveis numa banda cheia j esto ocupados e portanto qualquer transio dentro da banda est proibida. Somente um ganho de energia grande, da ordem ou maior que 1 eV, poderia fazer um eltron pular de uma banda cheia para uma banda vazia e a sim, responder aplicao de um campo eltrico. Em contraste, os eltrons que esto em uma banda parcialmente ocupada respondem facilmente aplicao de campos externos. Estes dispem de estados qunticos vazios para os quais podem sofrer transies produzidas por um pequeno ganho de energia. Essas mudanas de estados podem ocorrer tambm devido ao ganho de energia trmica da ordem de k T , ou seja, por colises com outras partculas que executam o movimento trmico. Vale lembrar que para a temperatura ambiente, k T 1 / 40 eV. c) Aqui chegamos principal concluso a respeito da conduo eltrica sob o ponto de vista da teoria de bandas. Os materiais cristalinos isolantes possuem bandas ou totalmente preenchidas ou vazias. Os materiais cristalinos condutores possuem a banda de maior energia (banda de conduo) apenas parcialmente preenchida. Existe ainda uma classe intermediria, os
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semicondutores, que possuem, temperatura T = 0 , uma estrutura de bandas como a dos isolantes mas que, devido pequena distncia (gap de energia) entre a ltima banda cheia (banda de valncia) e a primeira banda vazia (banda de conduo), possuem, T 0 , um pequeno preenchimento da banda de conduo (ver Figura 2). Note que tanto a existncia de eltrons na banda de conduo quanto a de buracos (estados vazios deixados pelos eltrons que foram promovidos para outra banda) na banda de valncia iro contribuir para que haja conduo eltrica no material. Os buracos na banda de valncia permitem que eltrons dessa banda (que estavam congelados) respondam a um pequeno ganho de energia. A condutividade de um material fortemente influenciada pela quantidade de portadores livres presentes. No caso dos metais, a banda de conduo possui uma grande quantidade de eltrons prontos para responder aplicao de um campo externo. O aumento da temperatura produz um aumento no nmero de colises dos eltrons com imperfeies e deslocamentos trmicos dos ons da rede, piorando a conduo. Nos isolantes um aumento da temperatura produzir a promoo de alguns eltrons para a banda de conduo. Como o gap da ordem ou maior que 5 eV, esse aumento no nmero de portadores pequeno. Haver portanto apenas um pequeno incremento na condutividade com o aumento da temperatura. O mesmo ocorre com os semicondutores mas, nessa caso, como o gap pequeno, da ordem de 1 eV, o aumento na condutividade com a temperatura bem maior que no caso dos isolantes. claro que se aumentarmos muito a temperatura os efeitos das colises que aparecem nos metais tambm aparecero nos isolantes e semicondutores e pioraro a condutividade eltrica. De fato os dois processos, aumento de nmero de portadores e aumento no nmero de colises (com o aumento da temperatura) ocorrem em qualquer material. A competio entre eles determinar se numa dada faixa de temperaturas a condutividade aumenta ou diminui com a temperatura. certo porm que o efeito das colises sempre domina a altas temperaturas. Caso contrrio obteramos facilmente supercondutores a altas temperaturas ( T > 300 K) e o mundo seria bem diferente de como de fato .
banda de conduo "meio" cheia

banda de conduo vazia

T>0
banda de conduo semivazia

gap > 5 eV
banda de valncia cheia banda de valncia cheia

gap ~ 1 eV
banda de valncia semicheia

isolante

condutor

semicondutor

Figura 2 2) SEMICONDUTORES, EFEITOS DA DOPAGEM


Vamos nos restringir agora aos materiais semicondutores. A vasta aplicao dos semicondutores em dispositivos eletrnicos, que se iniciou com a inveno do transistor por
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Schockley, Bardeen e Brattain em 1940, faz do estudo desses materiais uma rea de pesquisas particular dentro da fsica, tanto terica quanto experimental. Dentre os semicondutores mais utilizados e pesquisados podemos citar o silcio (Si), o germnio (Ge) e o arseneto de glio (GaAs). Vimos que a estrutura de bandas desses materiais composta de uma banda de conduo com um pequeno nmero de eltrons que foram promovidos pelo efeito trmico (colises) devido ao gap estreito (<2 eV) entre as bandas de conduo e de valncia. Na banda de valncia ficaram alguns buracos que contribuiro para a condutividade do material. Essa contribuio dos buracos pode ser vista de duas maneiras: ou os buracos so apenas espaos vazios que so sucessivamente ocupados por eltrons ou, esquecemos os eltrons e nos concentramos no movimento dos buracos em si, como uma carga positiva que se move na rede. As duas vises so equivalentes do ponto de vista fsico mas, devido ao movimento dos eltrons que ocupam um buraco ser um movimento coletivo de vrios eltrons, mais fcil, tanto do ponto de vista da visualizao quanto do ponto de vista matemtico, nos concentrarmos no movimento dos buracos como partculas de carga positiva. Para aumentar a condutividade eltrica dos semicondutores devemos aumentar a quantidade de portadores que podem se mover. Podemos fazer isso de duas maneiras independentes: ou aumentamos o nmero de eltrons na banda de conduo, ou aumentamos o nmero de buracos na banda de valncia. Isso pode ser obtido pelo processo de dopagem, ou seja, pela insero de impurezas (elementos de natureza diferente do semicondutor a ser dopado) na estrutura do semicondutor. Vamos exemplificar esse processo para um semicondutor de valncia 4, como o silcio. A substituio de alguns tomos de silcio por tomos de valncia 5 (arsnio por exemplo) produzir a sobra de um eltron que ficar fracamente ligado ao tomo da impureza. Esse eltron ser facilmente desligado pelo efeito trmico e promovido para a banda de conduo. Ficamos portanto com um aumento no nmero de eltrons na banda de conduo (sem a criao de buracos na banda de valncia). Um semicondutor com essa dopagem dito do tipo n e a impureza dita doadora. Se, por outro lado, substituirmos tomos de silcio por impurezas de valncia 3 (glio por exemplo), sobrar um estado ligado vazio em torno dessa impureza. Eltrons das ligaes vizinhas podero se deslocar para esse buraco, completando essa ligao covalente e deixando para trs uma ligao incompleta, ou seja, um buraco. Portanto, essa impureza cria um buraco na banda de valncia (sem adicionar eltrons banda de conduo). Essa dopagem produz materiais ditos do tipo p e a impureza dita receptora.

semicondutor tipo n

semicondutor tipo p

Figura 3
4

O preenchimento das bandas desses dois tipos de materiais fica como mostrado na Figura 3. Note que os materiais dopados continuam eletricamente neutros, j que as impurezas possuem ou um prton a mais ou um prton a menos que o material que est sendo dopado. Os semicondutores que no possuem nenhum tipo de dopagem (puros) so ditos intrnsecos. Nesses materiais, a criao de um eltron na banda de conduo implica necessariamente na criao de um buraco na banda de valncia e vice versa.
dopagem do tipo n dopagem do tipo p

lado n
regio da juno espessura ~ 10-6 m

lado p

juno idealizada Espessura ~ 0

Figura 4 3) A JUNO P-N


Vamos imaginar agora a unio de um material do tipo p com um material do tipo n, uma juno p-n. Na prtica isso obtido atravs da dopagem dupla de um nico bloco semicondutor. Um lado recebe uma dopagem do tipo n e o outro lado do tipo p. No entanto, didaticamente melhor pensarmos no processo de colagem de um bloco tipo p com outro bloco tipo n (ver Figura 4). Quando esses dois blocos so unidos ocorre um fluxo de cargas de um lado para o outro. Eltrons que esto livres no lado n ficam viajando nesse material (pelo movimento trmico) e ocasionalmente atingem a regio p. Nesse momento eles encontram os buracos que esto em excesso nessa regio, ocupando-os e fechando as ligaes covalentes que estavam incompletas. Um eltron na vizinhana de uma impureza no lado p deixa uma carga lquida negativa nessa regio j que a impureza possui Z-1 prtons e fica com Z eltrons na sua vizinhana. No lado n ocorre o contrrio, os eltrons que foram para o lado p deixam impurezas com Z+1 prtons, ou seja deixam regies com cargas positivas. Assim, o processo de difuso dos eltrons vai polarizando a regio da juno, como o processo de carga de um capacitor. Forma-se na regio da juno uma camada de depleo em que inexistem portadores de cargas (eltrons ou buracos) e portanto, uma regio de alta resistncia eltrica. Um valor tpico para a espessura dessa camada, que dependente do nvel de dopagem dos semicondutores p e n, 10 6 m. A polarizao vai

construindo um campo eltrico na juno, um campo intrnseco que chamaremos de E J e que aponta do lado n para o lado p (ver figura 5). Note que esse campo se ope ao fluxo de eltrons de n para p e esperamos ento que medida que esse campo cresce, menos eltrons conseguiro alcanar o lado p, at que haja o equilbrio, ou seja, o fluxo se interrompa e o campo E J atinja um valor constante. De fato esse fluxo nunca se interrompe, havendo sim um equilbrio dinmico entre vrias correntes que vo de n para p e de p para n e sobre as quais falaremos em seguida. Antes cabe chamar ateno para a deformao na estrutura de bandas que ocorre na juno. Ao campo
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r E J corresponde um potencial eltrico ( x ) (x a posio medida ao longo da juno e r r E = ( x ) ) que cai quando vamos de n para p. Do ponto de vista de um eltron, sua energia
nesse potencial ser e ( x ) e portanto menor no lado n que no lado p. Essa energia deve ser adicionada energia resultante da teoria de bandas. Ficamos ento com uma estrutura de bandas como mostrada na Figura 5. Longe da juno a distribuio de cargas no afetada, ou seja

r r E J = 0 e =constante. Eltrons (livres) na banda de conduo no lado n e buracos (livres) na


banda de valncia no lado p no podem mais viajar livremente de um lado da juno para o outro, devido ao campo eltrico na juno. Nesta regio no h nem eltrons nem buracos livres (depleo). Chamaremos de 0 a diferena de energia devida ao campo E J entre as regies n e p, ou seja, 0 = e( ( p ) (n) ) .
juno lado n

EJ

lado p

Figura 5
Voltemos agora s quatro correntes existentes na juno (ver a Figura 6):

e a) Corrente de gerao de eltrons I g de n para p (sentido convencional): Alguns eltrons que

esto na banda de valncia no lado p, prximos da juno, conseguem vencer o gap (pela energia trmica) e vo para a banda de conduo. Ao entrarem na regio da juno (por difuso ao acaso), so acelerados pelo campo E J e passam para o lado n. Note que essa
e e corrente depende apenas da largura do gap e no do desnvel de energia 0 , I g = I g () . h b) Corrente de gerao de buracos I g de n para p: Eltrons na banda de valncia do lado n so

promovidos (pela energia trmica) para a banda de conduo deixando um buraco na banda de valncia. O movimento coletivo dos eltrons na banda de valncia corresponde ao movimento do buraco em direo ao lado p. Note que de fato o campo E J acelera os buracos que entram, por acaso, na regio da juno do lado n para o lado p. Similarmente corrente de gerao de
h h eltrons, verificamos tambm que I g = I g () .

c) Corrente de recombinao de eltrons I re de p para n: Eltrons na banda de conduo do lado

n, prximos juno, conseguem (ao acaso por estarem no topo da distribuio de energia nessa banda) vencer a diferena de energia 0 (ou o campo eltrico na juno) e passam
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para a banda de conduo no lado p. Nessa regio esses eltrons se recombinam com os buracos a existentes, ou seja, decaem para a banda de valncia na regio p. Essa corrente depende essencialmente da altura 0 , ou seja, I re = I re ( 0 ) .

d) Corrente de recombinao de buracos I rh de p para n: Eltrons na banda de valncia do lado


n, prximos juno, conseguem vencer a diferena de energia 0 e passam para a banda de valncia no lado p, onde se recombinam com buracos. Equivalentemente, buracos na banda de valncia do lado p, prximos juno, conseguem vencer a barreira 0 e passam para a banda de valncia no lado n, onde se recombinam com os eltrons a existentes ou com eltrons que decaem da banda de conduo no lado n. Claramente I rh = I rh ( 0 ) .
h Ig h Ir

lado n
e-

lado p

lado n

lado p

EJ

e Ig

lado n

lado p

lado n

Ir

lado p

Figura 6
Todas essas correntes so governadas pelo processo de difuso dentro do material e possuem valores pequenos, da ordem de A. Uma juno p-n possui um gap que uma caracterstica intrnseca do material que serviu de base para a dopagem. Para o silcio, por exemplo, 1,12 eV. A diferena de energia 0 depender essencialmente do grau de dopagem e assumir um valor que produza o equilbrio entre as quatro correntes mencionadas acima, ou seja:
e h Ig () + I g () = I rh ( 0 ) + I re ( 0 )

Para diodos comuns de silcio, por exemplo, 0 0,7 eV.

4) RETIFICAO NA JUNO P-N DIODO RETIFICADOR


Vamos considerar agora o efeito da aplicao de um potencial externo constante V uma juno p-n, ou seja, vamos conectar dois terminais, um ao lado p e outro ao lado n (montamos um diodo) e liga-los a uma bateria externa de fem V. Consideremos primeiramente a conexo do plo
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lado n

lado p

lado n

lado p

EJ e-

EJ

E ext E ext

+
Figura 7

positivo da bateria ao lado p e o negativo ao lado n (ver a Figura 7 - nessa figura mostramos apenas as correntes dominantes em cada caso as setas nos fios representam o sentido da corrente enquanto que as setas na juno representam o sentido de movimento dos eltrons). Note que nesse caso o campo eltrico E ext aplicado pela bateria na juno se ope ao campo intrnseco

r r E J e portanto o campo resultante ser menor que E J , ocorrendo por conseguinte um decrscimo r na altura do desnvel de energia 0 . Note que o campo eltrico externo E ext surge na juno pelo
fato da resistncia eltrica nessa regio ser inicialmente alta, devido diminuio na quantidade de portadores (depleo) que ocorreu nessa regio (recombinao eltrons-buracos). medida que a barreira 0 diminui, essa resistncia eltrica tambm diminui e, portanto, esse campo E ext nunca supera o campo E J , podendo no mximo anula-lo. Nesse caso o desnvel 0 se anularia e a juno apresentaria uma resistncia eltrica baixa. Vejamos o que ocorre com as correntes de eltrons e buracos. As correntes de gerao, por dependerem apenas do gap no se alteram muito em relao situao em que no existia a bateria. Por outro lado, as correntes de recombinao I re e I rh aumentam muito com a diminuio de 0 . Vemos portanto que o diodo conduz corrente do lado p para o lado n, como solicitado pela bateria. Dizemos que o diodo est polarizado diretamente. Consideramos agora a polarizao reversa, ou seja, ligamos o positivo da bateria ao lado n e o negativo ao lado p. Agora o campo externo E ext se soma ao campo intrnseco E J e o desnvel 0 aumenta. Novamente as correntes de gerao no se alteram enquanto que nesse caso as correntes de recombinao diminuem muito. Com isso o equilbrio entre as correntes quebrado e circula no diodo uma pequena corrente reversa, do lado n para o lado p. Nesse caso a bateria tenta injetar eltrons no lado p, esses se recombinam com os buracos e no conseguem pular o desnvel 0 para alcanar a banda de conduo no lado n e dar continuidade corrente eltrica.

Chegamos finalmente curva caracterstica do diodo retificador mostrada na Figura 8. Consideramos nessa figura potenciais V positivos para o caso da polarizao direta e potenciais negativos para a polarizao reversa. Mostramos tambm a curva da resistncia eltrica do diodo

R = dV / dI e o smbolo do diodo utilizado em esquemas eltricos.

+
R(V)

+
I(V)

0,7

Figura 8
Na prtica o potencial reverso aplicado a um diodo deve estar limitado pois pode levar a uma quebra da rigidez dieltrica do material e conseqente queima do dispositivo. Essa quebra de rigidez pode ocorrer por um efeito de avalanche, ou seja, por uma reao em cadeia de criao de eltrons e buracos de alta energia na juno, ou pelo efeito Zener, ou seja, tunelamento dos portadores atravs da barreira de potencial. Num diodo retificador comum esses efeitos podem inutilizar o dispositivo, mas em outros tipos de diodos, com o Zener e diodo Tnel, esses efeitos ocorrem de uma maneira controlada de forma a ter uma utilidade prtica no uso desses dispositivos, por exemplo, na regulao de tenso em fontes de corrente contnua.

BIBLIOGRAFIA:
1) Fsica Quntica 4a Ed. Eisberg e Resnick (Ed. Campus) 2) Introduction to Applied Solid State Physics Richard Dalven (Plenum Press) 3) Elementary Solid State Physics: Principles and Applications M. A. Omar (Addison-Wesley)