You are on page 1of 43

TEMA 5: El proceso tecnolgico

Asignatura: Tecnologa de Computadores Grupo: 22M Curso 2004-2005

ndice
5.1.- Fabricacin de obleas y mtodos para la purificacin de materiales. 5.2.- Tcnicas de crecimiento monocristalino. 5.3.- Tcnicas para la creacin de zonas con impurezas controladas. 5.4.- Metalizacin. 5.5.- Otros procesos necesarios en la fabricacin de dispositivos electrnicos.
Consuelo Gonzalo, 2004

El Proceso Tecnolgico
Consiste en una serie de pasos ordenados rigurosamente para la trasferencia del diseo grfico de un chip a una oblea de silicio monoltico o monobloque. Se trata de reproducir los rasgos del diseo: Por fotolitografa Por barrido con haz de iones
Consuelo Gonzalo, 2004

El Proceso Tecnolgico
OBTENCION POLICRISTALINO OBTENCION MONOCRISTALINO OBTENCION OBLEAS CRECIMIENT O EPITAXIAL

ELIMINACION DE METAL SOBRANTE

ELIMINACION DE FOTORRESINA Y OXIDO

OXIDACION Y FOTORRESINA

METALIZACION CVD IMPLANTACION DE ION

PREPARACION DE LA MASCARA Y EXPOSICION A RADIACION CREACION DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADA S TESTEO Y CORTE

REVELADO Y GRABADO

EMPAQUETADO

UNION DE ALAMBRES

MANIPULACION Y LIMPIEZA

Consuelo Gonzalo, 2004

5.1.-FABRICACIN DE OBLEAS OBTENCIN DE SILICIO INDUSTRIAL 1) SiO2 + 2C (horno elctrico)Si + 2CO 2SiC + SiO23Si + 2CO

Consuelo Gonzalo, 2004

5.1.-FABRICACIN DE OBLEAS

OBTENCIN DE SILICIO INDUSTRIAL


Tipo de Si MGS EGS Al 1000 Concentracin de impurezas (ppm) Fe B Cr Mn Ti 2000 44 140 70 160 4 1 1 1 V 100 C 80 0,6

Consuelo Gonzalo, 2004

5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS Purificacin por zona flotante de un lingote (Si)


Velocidad de desplazamiento de espira: 2 mm/min. Altura zona fundida: 1,5 mm

Consuelo Gonzalo, 2004

5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS

Se obtienen a partir de materiales semiconductores monocristalinos que puedan impurificarse intencionadamente, controlando su conductividad El Silicio (Si) es el material semiconductor ms usado, (6 veces mas que Compuestos III-V y 10 veces mas que el Germanio).

Consuelo Gonzalo, 2004

5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS


Los monocristales grandes se cortan en obleas (wafers), sobre las que se construyen los C. I.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS


PROPIEDADES DE LAS OBLEAS O WAFERS: Tamao grande, para que haya un mayor n de chips por oblea. Buena planaridad, que ayuda en las formas pequeas de la fotolitografa. Limpieza, para limitar la introduccin de partculas de polvo en los procesos de fabricacin.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS


PROPIEDADES DE LAS OBLEAS O WAFERS: Una alta resistividad no dopada (>107 ohm.cm) para tener un buen dispositivo aislante. Baja densidad de dislocaciones, porque afectan a las caractersticas y rendimiento del dispositivo.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS

Mtodos de obtencin de las obleas: Crecimiento monocristalino de lingotes (fase lquida o fundida). Crecimiento monocristalino de capas finas o epitaxial.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS Mtodo Czochralski (o estirado del cristal): Crecimiento monocristalino de lingotes (fase lquida o fundida)

Consuelo Gonzalo, 2004

5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS


Mtodo Czochralski (o estirado del cristal)

Material Ge GaAs Si

P.F. (C) 937 1237 1420

Material Crisol Grafito Slice Slice

Atmsfera H2 /N2 Arsnico Argon

Velocidad Velocidad estirado rotacin (mm/h) (rpm) 60-120 20-50 20-30 10-30 100-200 10-20

Consuelo Gonzalo, 2004

5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL Deposicin (CVD) Qumica de fase Vapor

Epitaxia a partir de Fase Lquida (LPE) Deposicin Qumica en fase vapor de Organometlicos (MOCVD) Epitaxia de Haces Moleculares (MBE) Epitaxia de Haces Qumicos (CBE) Consuelo Gonzalo, 2004

CVD o VPE (con activacin trmica). PECVD (activado por plasma). PCVD (fotoinducido). LCVD (asistido por lser).

5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL


Aislantes
xidos Nitruros Oxi Nitruros Vidrios de silicatos

Semiconductores
Elementos III-V II-VI

Conductores
Metales Siliciuros PoliSi dopado

Semiaislantes
SIPOS

Algunos xidos

SuperConductores

Consuelo Gonzalo, 2004

5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL


Silicio policristalino:
SiH4 (g) + Q Si + 2H2 (g) 600-700

Dixido de Silicio:
SiH4 (g) + 2O2 (g) SiO2 + 2H2O (v) 400-500

Nitruro de Silicio:
3SiH4 (g) + 4NH3 (g) Si3N4 + 12H2 (g) 800-900
Consuelo Gonzalo, 2004

5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL Deposicin Qumica de fase Vapor (CVD)
Se obtiene una fase condensada del material a depositar, a partir de una especie gaseosa de distinta composicin qumica. La reaccin qumica tiene lugar sobre o en las cercanas de la superficie, a t y presin variables. Todas las especies que intervienen son voltiles a la t del proceso, excepto el producto deseado.
Consuelo Gonzalo, 2004

5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL Deposicin Qumica de fase Vapor (CVD). La temperatura es un factor determinante del crecimiento cristalino

Consuelo Gonzalo, 2004

5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL

CVD EPITAXIA (VPE): Crecimiento de un cristal sobre otro.


Homoepitaxia Heteroepitaxia

Consuelo Gonzalo, 2004

Si homoepitaxial

5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL

CVD EPITAXIA (VPE)

Dispositivos bipolares y CMOS

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

Tcnicas Difusin Implantacin de ines

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS TECNOLOGA DE DIFUSIN DE VAPOR.
Se establecen los perfiles de difusin requeridos. Dependen de:
Tiempo de difusin. T. Solubilidad de la impureza. Condiciones superficiales (limpieza previa). Perfeccin cristalina del sustrato (conocimiento de dislocaciones, orientacin, resistividad). Predeposicin (200-900C). Penetracin (1200C).

Para una distribucin gausiana:

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS TECNOLOGA DE DIFUSIN DE VAPOR.
Fuentes slidas Hidruro de Fsforo: PH3 Anhidrido Fosfrico: P2O5 Oxido Brico: B2O3 Fuentes lquidas Oxicloruro de Fsforo: POCl3 Tribromuro de Boro: BBr3 Procesos en la superficie activa P2O5 + Si < P + SiO2 B2O3 + Si < B + SiO2

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS TECNOLOGA DE DIFUSIN DE VAPOR.

Bobina de RF Ventana Acceso B2O3 N2


Consuelo Gonzalo, 2004

N2

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS


TECNOLOGA DE DIFUSIN DE VAPOR.
Profundidad de difusin Afecta a tamaos y reglas Concentracin superficial Afecta a contactos hmicos Integral del perfil de impurificacin Afecta a la resistividad superf. Perfil en la unin Afecta a la capacidad de la unin Ley de Fick: J=-Dn

J: flujo de partculas/cm2 D: constante de difusin n: concentracin local de impurezas

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS


TECNOLOGA DE DIFUSIN DE VAPOR.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS


TECNOLOGA DE DIFUSIN DE VAPOR. Factores secundarios de la difusin Implante y drive-in de Iones de Boro

Redistribucin por ionizacin Los iones donadores se repelen entre s y fomentan la redistribucin espontnea

Consuelo Gonzalo, 2004

Perfil de una unin (T 32)

Perfil de unin Redistribucin trmica

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

IMPLANTACIN DE IN. DESCRIPCIN GENERAL:


Fuente de iones Freeman con corrientes >10 mA (slidos, lquidos o gases) Campo electrosttico para extraer iones Sistema de aceleracin Analizador de iones por su masa Sistema de reconocimiento para distribucin de iones sobre el blanco.
Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

IMPLANTACIN DE IN.
EXTENSIN LATERAL

Perfil lateral por ranura ideal y contornos de isoconcentracin para implantacin de B a 70 keV y ranura de 1 m.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

IMPLANTACIN DE IN.
EFECTO DE CANALIZACIN (channealing)

Perfil tpico del rango de los iones implantados en una muestra cristalina y amorfa.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

IMPLANTACIN DE IN.
APLICACIONES:
Control de voltaje umbral (MOSFET). Regiones drenador y fuente (MOS). Colectores enterrados, emisores y bases dopadas (T. Bipolares).

Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS PROCESO DE TEMPLADO.


Es necesario para reparar el dao en la red y situar los tomos dopantes en lugares sustitucionales en los que sern elctricamente activos. Las caractersticas del templado dependen del tipo de dopante y de la dosis y se resumen con los diagramas isocronos de templado. Cuando la capa superficial es amorfa la recristalizacin tiene lugar por Epitaxia en Fase Slida (SPE). La interfaz amorfa/cristalina se mueve hacia la superficie con una velocidad constante que depende de la t, el dopado y la orientacin del cristal.
Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS PROCESO DE TEMPLADO.


La energa de activacin de SPE para el Si, de 2,3 eV, indica que el proceso involucra ruptura de enlaces en la interfase. La velocidad de recristalizacin de la capa amorfa es fuertemente dependiente de la orientacin (mejor <100>). La presencia de impurezas (O,C, N, Ar) ralentiza o desorganiza la recristalizacin (ruptura o formacin de enlaces). Otras impurezas (B, P, As) aumentan la velocidad de crecimiento, porque las impurezas sustitucionales debilitan enlaces y aumentan la afinidad de los enlaces rotos.
Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

VENTAJAS DE LA IMPLANTACIN DE IN SOBRE LA DIFUSIN: Control de la cantidad de impurezas implantadas Control del perfil Homogeneidad de la oblea Fcil reproduccin Temperatura baja, aunque necesita templado posterior.
Consuelo Gonzalo, 2004

5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

Aplicaciones:
Formacin de islas Pozos (tub) ELECTRODO DE PUERTA (polisilicio dopado) Formacin de canal TECNOLOGA SOI (mtodos ELO, FIPOS,
SIMOX, UNIBOND)
Consuelo Gonzalo, 2004

5.4.- METALIZACIN

Creacin de zonas conductoras en los circuitos (aluminio, oro y wolframio.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.4.- METALIZACIN

Mtodos (PVD, Physical Vapor Deposition) para crear la capa conductora son:

Evaporacin: Se evapora el metal con calor y alto vaco, y se condensa en la superficie al enfriarse. Salpicado: Un plasma de Ar bombardea al metal, que se deposita en la superficie.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.4.- METALIZACIN
Evaporacin por filamento incandescente: El filamento caliente expulsa tomos en fase vapor Se usa corriente contnua Es un mtodo barato El metal se contamina fcilmente No funciona con aleaciones

Consuelo Gonzalo, 2004

5.4.- METALIZACIN
Bombardeo por haz electrnico: El calentamiento expulsa tomos del filamento en forma de vapor Alta tasa de depsito Baja contaminacin Funciona continuadamente Puede evaporar aleaciones (Al/Cu) Se producen rayos x

Consuelo Gonzalo, 2004

5.4.- METALIZACIN
Calentamiento por RF: Se calienta utilizando una bobina de radio frecuencia No produce ionizacin Calienta el metal, no el recipiente No produce contaminacin el metal

Consuelo Gonzalo, 2004

5.6.- METALIZACIN
Sputtering o Salpicado Consiste en el bombardeo con iones Argon a 5001000 eV sobre metal en una cmara de vaco

Metal (ctodo) Oblea (nodo) Electrones Iones Argn Metal

-+

Ar

Consuelo Gonzalo, 2004

5.6.- METALIZACIN

DEPOSICIN DE COBRE Tiene un 40% de menor resistencia que otros metales, y sus dispositivos son un 15% mas rpidos. En chips ultra-pequeos es menos vulnerable que el aluminio a la electromigracin, que produce roturas del conductor. Desventajas: Se difunde rpidamente en el Silicio y cambia sus propiedades conductoras. Solucin de IBM con su tecnologa llamada Damascene (orden inverso al tradicional):

Consuelo Gonzalo, 2004

5.6.- METALIZACIN
DEPOSICIN DE COBRE El patrn de alambres o vas se obtiene grabando el xido. Deposicin del metal y eliminacin del exceso por pulido. Se deposita un complejo de Cu en poliamida (aislante), para evitar la difusin en Si.
Consuelo Gonzalo, 2004

5.6.- METALIZACIN

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS LIMPIEZA INICIAL DE LA SUPERFICIE. IMPLANTACIN DE IN EN LA PARTE INFERIOR. LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS: OXIDACIN. GRABADO (ETCHING). MANIPULACIN. TESTEO Y CORTE. UNIN DE ALAMBRES. EMPAQUETADO.
Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS LIMPIEZA INICIAL DE LA SUPERFICIE. Proceso necesario antes de realizar cualquier operacin sobre la superficie de una oblea.
o Limpieza mecnica. o Limpieza con reactivos qumicos:
H2SO4/HNO3: Elimina restos de resinas y otros materiales orgnicos (aceites o grasas). HF: Limpia restos de xido de silicio no deseable inicialmente. NH4OH/H2O2: Permite quitar contaminantes orgnicos y restos de fluoruros. Tambin elimina metales (I y II). HCl/H2O2: Elimina metales pesados por formacin de compuestos complejos solubles
Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS LIMPIEZA INICIAL DE LA SUPERFICIE.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

IMPLANTACIN DE IN EN LA PARTE INFERIOR. La implantacin de Argon en la parte inferior del sustrato es un proceso que se realiza con la finalidad de provocar la emigracin de dislocaciones no deseables hacia la zona implantada, en los procesos que impliquen elevaciones de temperatura (templado o annealing).

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL DEFINICIN DE REAS:


Es la impresin sobre una superficie plana de unas formas mediante bloques de estampacin (mscaras).

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS. Procesos: o Preparacin previa de la superficie del sustrato: Formacin de una capa de xido. Deposicin de fotorresina (photoresist). o Exposicin a una radiacin a travs de una mscara con las formas definidas. o Grabado (etching) o limpieza de zonas en resinas y xido.
Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN


DE REAS: OXIDACIN HUMEDA Velocidad y temperatura (m/h) Malas cualidades como aislante
Si + 2 H2O SiO2 + 2 H2

Material resultante muy poroso (H2)

H2 O2

N2 H2O

Gas portador N2/O2 sobre bao de agua caliente

H2O

Sistema Flash

H2O

N2

Consuelo Gonzalo, 2004 2

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN


DE REAS: OXIDACIN SECA Velocidad y temperatura (nm/h) Material resultante muy compacto Buenas cualidades como aislante Relacin Si/Si02: aprox. 0,45 Optimetra on-line de espesor Si + O2 SiO2

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

DE REAS: DEPOSICIN DE FOTORRESINA (photoresist). NEGATIVA (solubilidad inferior al revelador) POSITIVA (solubilidad superior al revelador) DE INVERSIN

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

DE REAS: DEPOSICIN DE FOTORRESINA (photoresist).

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA

REAS:

CREACIN DE MSCARAS

SUPERFICIAL

DEFINICIN

DE

Exposicin a una radiacin a travs de una mscara con las formas definidas.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS CREACIN DE MSCARAS


LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS:

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS CREACIN DE MSCARAS



LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS:

Mnima vibracin durante la reduccin Base de vidrio poco sensible a la dilatacin Baja absorcin de UV Alto grado de aplanamiento Imprimacin con alta absorcin: Cromo (duro, lavable) aunque es muy reflectante Limpieza peridica: cepillado, soplado, uso de disolventes suaves como metanol o acetona

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS: CREACIN DE MSCARAS Errores de enmascaramiento o Errores de operador:Alineamiento o Errores de herramienta: Temperatura, Ampliacin, Distorsin

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA REAS:

CREACIN DE MSCARAS

SUPERFICIAL

DEFINICIN

DE

Errores de enmascaramiento

Error de Deslizamiento

Error de Periodicidad

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

DE REAS:

CREACIN DE MSCARAS

Tipos de alineamiento
o Por contacto o superposicin: La mscara se deteriora o Por proximidad: Se produce difraccin (50-160 K$) o Por proyeccin: Sistema ms caro (200-500 K$) o Por exposicin repetitiva: Los fallos se reproducen

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA REAS:

CREACIN DE MSCARAS

SUPERFICIAL

DEFINICIN

DE

Errores de alinamiento. Son acumualtivos.


Distancia media de desviacin despus de n pasos r=n1/2 : desviacin tpica de un paso

Factores de inters:
o o o o o Resolucin ancho lnea Longitud onda exposicin Precisin instrumentacin Uniformidad iluminacin Tiempo e intensidad exposicin
Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

DE REAS:

LITOGRAFA PTICA O FOTOLITOGRAFA


Exposicin a una radiacin a travs de una mscara con las formas definidas

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

DE REAS:

LITOGRAFA PTICA O FOTOLITOGRAFA


Es la mas extendida. Uso de luz con que ha ido disminuyendo. MSF (minimum feature size) es funcin de y del espesor de resina, d. MSF=(d. )1/2.

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

DE

LITOGRAFA ELECTRNICA O CON HAZ DE ELECTRONES


REAS:

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

Exposicin a una radiacin a travs de una mscara con las formas definidas:

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS: LITOGRAFA POR RAYOS-X (1972) Al reducir la longitud de onda de la radiacin, todos los materiales pticos se vuelven opacos por absorcin, pero aumenta la transmisin en la regin de los R-X. La eleccin de los materiales de la mscara (partes absorbentes y transmisoras), la atmsfera y la resina se determinan por su espectro de absorcin en los R-X. Mayor tiempo de exposicin que en la litografa electrnica. La energa asociada es de 0,3-3 keV. Mtodo de proximidad (PXL).
Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

DE REAS:

ERRORES O DEFECTOS

Agujeros en pistas Mala delineacin Manchas Puentes entre pistas Pistas abiertas
Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

DE REAS:

ERRORES O DEFECTOS

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

DE REAS:

GRABADO (etching)

Llimpieza de zonas en resinas y xido.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

DE REAS:

GRABADO (etching)

Tipos
o Hmedo (disoluciones que revelan zonas de las resinas). o Seco (plasmas)

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA REAS: o o o o

GRABADO (etching)

SUPERFICIAL

DEFINICIN

DE

Ventajas del grabado seco vs hmedo


Mejor control bidimensional Uniformidad superior Compatibilidad con un proceso multicmaras Menos efluyente.

Desventajas
o Elevado coste del equipo o Extensin del dao al semiconductor.
Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

DE REAS:

GRABADO (etching)

Tcnicas de grabado
o RASPADO DE IN o POR PLASMA o POR PLASMA REACTIVO o POR HACES DE IONES ASISTIDOS QUMICAMENTE o LATERAL ETCHING UNDERCUT (LEU)
Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

GRABADO (etching) o limpieza de zonas metalizadas


REAS:

LITOGRAFA

SUPERFICIAL

DEFINICIN

DE

La oblea se introduce en una cmara cargada negativamente. Se calienta a 100C y a vaco (10 mtorr). Se llena con plasma cargado positivamente (N2, Cl2 o BCl3). Las cargas opuestas provocan la alineacin de las molculas en direccin vertical, originando un pulido del metal (Al).
Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS: GRABADO (etching) o limpieza de zonas metalizadas

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS


MANIPULACIN

Salas donde estn controladas: la humedad, temperatura y contaminacin. Sus tipos en orden creciente de limpieza son: Clase 10000, 1000, 100, 10 y 1. La especificacin de una Clase 1 es: 10F0,5F (-12,2C) y 50%5% humedad. Personal debidamente equipado para reducir la contaminacin del aire. Empleo de robots para la manipulacin, siempre que es posible. Operacin de limpieza constante SRD (Spin, Rinse and Dryer) con agua (RO/DI) absolutamente pura, con todos los minerales y contaminantes eliminados, caracterizada por su alta resistividad

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

TESTEO Y CORTE.
Adelgazamiento mecnico para eliminar posibles rupturas. Pasivacin superficial (Si3N4). Testeo de cada dispositivo (varios cientos) de una oblea. Los fallos se marcan en rojo. Corte de los dispositivos de la oblea, que pasarn al proceso de conexin de alambres.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

TESTEO Y CORTE.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

UNIN DE ALAMBRES
Se crean puntos con Cu, Ag o Pd a los que se puedan unir alambres de Au o Al por compresin trmica o ultrasonidos. La automatizacin permite unir alambres muy finos (30micras de dimetro, 1/3 del dimetro de un pelo) entre cada dispositivo y conector externo.

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

UNIN DE ALAMBRES

Consuelo Gonzalo, 2004

5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

EMPAQUETADO
1971 2002

Consuelo Gonzalo, 2004

Agradecimientos
Estas transparencias han sido realizadas a partir del material facilitado por la profesora gueda Arquero Hidalgo y de las transparencias del Profesor Pedro Gmez Vilda.
http://tamarisco.datsi.fi.upm.es/ASIGNATURAS/TC/apuntes/Proc_Tec.pdf

Consuelo Gonzalo, 2004

BIBLIOGRAFA
Acero Alvarez Santos, R., Materiales y componentes electrnicos, Madrid, Litoprint, 1973, Cap. 2, 3 y 5 Cowley, A.H. y Jones, R.A., Polyhedron, 13(8), 1994, 1149-1157. Grovenor, C.R.M., Materials for Semiconductor Devices, England, The Bath Press, 1987, pp.165, ISBN 0-904357-821 Harrold, S.J., An Introduction to GaAs IC design, Prentice Hall, N.Y., 1993, pp. 172, ISBN 0-13-486358-5 Levy, R.A. (Ed.), Microelectronic Materials and Processes, Netherlands, Kluwer A.C.,1989, pp. 985 Waser R. (Ed.), Nanoelectronics and information technology. Wiley-VCH, 2003, 1001 pp., ISBN 3-52740363-9
Consuelo Gonzalo, 2004

Qumica, Vol. 87(4), 1991, 445-456

Leal,

M.C.

Dominguez

Horna,

C., Anales

de

BIBLIOGRAFA
www.epigress.se www.svg.com/product www.ecn.purdue.edu/WBG www.grc.nasa.gov/WWW/SiC/SiC.html www.sp.phy.cam.ac.uk/~dp109/SiGeResearch.html www-mbe.phy.cam.ac.uk/Lab www.sp.phy.cam.ac.uk/SPWeb/research/index.html www.iop.org/IOP/Groups/SP/links.html www.semiconductors.co.uk/home.html www.intel.com/research/silicon/ www.physics.udel.edu/wwwusers/watson/scen103/litho/ www.engr.sjsu.edu/WofMatE/Semiconductors.htm www.cs.colorado.edu/~lindsay/talk/
Consuelo Gonzalo, 2004