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Semiconductores en equilibrio.

Indice
– Enlace Cristalino. Estructuras Cristalinas
– Bandas de Energía en Sólidos
– Conducción en Sólidos
Masa Efectiva Concepto de Hueco – Masa Efectiva. Concepto de Hueco
– Semiconductores intrínsecos
– Densidad de estados
Cálculo del número de portadores – Cálculo del número de portadores
– Semiconductores extrínsecos.
– Dopado de Semiconductores
C t d d ió – Concepto de degeneración
– Materiales Semiconductores
– Otros Materiales. Tecnología de Semiconductores g
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 1
Enlace:Energía Potencial de dos átomos en función de la distancia
Fuerza Repulsiva Núcleos
Ep
d (Enlace)
Fuerza Repulsiva Núcleos
Atracción Van del Waals
r
Interacción Dipolar
Repulsión Culombiana
Apantallamiento e
-
Ep min
Interacción Electrónica
(e
-
de valencia)
Enlace entre más átomos, superposición de Energía, si menor
tienden a formar agrupaciones simétricas: Moléculas, Redes Cristalinas
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 2
Red Si-Diamante
Si Ge (estructura diamante o Zinc-Blenda) Si, Ge,... (estructura diamante o Zinc-Blenda)
Enlace
con
estructura estructura
tetragonal
Si
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 3
Hibridación: Estructura tetragonal
E p
s
sp
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 4
Bandas de energía en sólidos
Descripción Cualitativa:
¿Qué pasa cuando N átomos e aproximan lo suficiente para que sus e-
interaccionen? !No pueden ocupar el mismo estado cuántico!
=> Niveles energéticos se desdoblan en N
=> Muchos niveles energéticos próximos: Bandas de Energía
E
r (distancia interatómica)
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 5
Bandas de energía
4Nestados
E
8N estados
4N electrones
4N estados
0N electrones
sp
2p
6N estados
2N electrones
Eg
2N electrones
2N estados
2s
sp
3
Eg
4N estados
4N electrones
r
equi
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 6
Análisis Cuantitativo: Electrón libre
| | 0 ) ( ) (
2
) (
0
2
V | u | u V E
m
Resolver eq. Schoedinger para diferentes aproximaciones de V
M d l d l t ó lib V 0
| | 0 ) , , ( ) (
2
) , , (
2
0
2
= ÷ + V | u ¢ | u ¢ r r V E
m
r

E
• Modelo de electrón libre V=0
– En una dimensión
Relación E-k
k
x
E m
x
x
= +
c
c
0 ) (
2 ) (
2
2
0
2
2
¢
¢
  

m
k
E
2
0
2 2
=

k
jkx jkx
k
Be Ae x
÷
+ = ) (
2
¢
momento k
p
mv E
1
2
2
0
¬ = = 
k
) ( ¢
A
momento k
m
mv E
j
k
kr
) (
2 2
¬ = = 
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 7
vector Ae
j
k r
kr
; ) ( = ¢
Análisis Cuantitativo: Atomo de Bohr
• Modelo de un electrón ligado (Bohr)
S l ió V l di t ú á ti
r
e
r V
2
4
) (
tc
÷ =
– Solución: Valores discretos=> números cuánticos
– n=1,2,3..
– l=n-1, n-2,....,0
r
0
4tc
– |m|=l, l-1,.....,0
V(r)
E
4
0
e m
E
E
2
E
3
E
4
2 2 2
0
0
2 ) 4 ( n
e m
E
n
 tc
÷ =
E
1
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 8
Análisis Cuantitativo: Potencial periódico
V( )
Atomos Contiguos
V(r)
E
2
E
3
E
2
E
1
• Potencial Periódico V(x)=V(x+a)
•Modelo Aproximado (Kronig-Penney)
( ) ( )
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 9
Análisis Cuantitativo: Modelo de Kroenig Penney
• Potencial Periódico V(x)=V(x+a)
V(x)
•Modelo Aproximado (Kronig-Penney)
V
0
V(x)
I II I II I
V(x)=V(x+a) I ) V(x)=V
0
-b 0 a
II) V(x)=0
jkx
k
e x U x ) ( ) ( = ¢
Soluciones de la forma
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 10
k
Análisis Cuantitativo: Modelo de Kroenig Penney
Sustituyendo en ec. Schoedinger, imponiendo continuidad
en la función y primera derivada en la función y primera derivada
Suponemos por simplicidad
kte bV b V = ÷ · ÷
0 0
, 0 ,
2 2
0
2
; cos cos
sen
 
mE
ka a
a
a ba mV
= = + o o
o
o
) ( f o ) ( a f o
No todos los valores de o son permitidos
solo si -1<f(oa) <1
B d d l i id d E Bandas de valores permitidos de E
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 11
Análisis Cuantitativo: Modelo de Kroenig Penney
o
1
E
1
ka=0
o
2
E
2
ka=t
o
3
E
3
ka=t
f(oa)
) ( cos
sen
2
0
a f a
a
a ba mV
o o
o
o
= +

3 3
o
4
E
4
ka=0

0 0
0 0
0
V bV bandas mas estrechas GAP mayor
V bV k electrón libre o
| |
+ ÷ =
oa
0 0
cos( ) cos( )
sen
ka ka n
repre tacion reducida k
t
t t
= ± ¬
> > sen repre tacion reducida k
a a
> > ÷
Primera zona de Brillouin
2 3
0
a a a a
t t t t
÷
Primera zona de Brillouin
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 12
Estructura de Bandas
Síntesis de construcción de bandas
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 13
Estructura de Bandas
Estructura de bandas de Ge, Si y GaAs
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 14
Velocidad de los electrones
Consideremos un paquete de ondas siendo cada componente proporcional a
exp[ ( ) exp[ ( / )] j t kx j Et kx e ÷ ÷ ¬ ÷ ÷  e p[ ( ) e p[ ( / )]
; / ;
j j
E hf p h k
e
e ì
¬
= = = =

 
( / )
g
E E
v
k k k
e c c c
= = =
c c c


La velocidad de grupo del paquete
2 2
g
E k
E F x Fv t F t F
k t
d
d E d E d E dk
o o
o o o o
o o
= = = ¬ =
| | c


Aplicando una fuerza externa,
la variación de energía
2 2
2
2
g
dv
d E d E d E dk
a
dt dt k dtdk dk dt
d E dk
| | c
= = = =
|
c
\ .
  

la aceleración

2 2
(1/ *)
F
m
d E dk
a
dk dt
=



Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 15
Esquema a, v, m*
Diagrama
2
E c
E
Diagrama
de una
banda
2
k
E
c
c
k
1
2
÷
|
|

| c E
aceleración
a / t
k
k
E
c
c
2 |
|
.
|

\
|
c
c
k
E
Masa
k
k
velocidad
Masa
efectiva
m*
k
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 16
m*, hueco
Aproximación de bandas parabólicas
Banda de Conducción
Banda de Valencia
E
V
k
Banda de Conducción
E
2 2
2
0 2
) (
V
E d
k k C E E ÷ ÷ =

E
C
k
2 2
2
0 1
) (
C
k k C E E ÷ + =
2
*
2 2
0
2
2
BV
e e
Si
C
m C
dk
E d
E E
E
÷ ÷
÷
< ÷ = · ÷ =

1
2
*
1 2
2
0
2
2
BC
e
C
m C
dk
E d
E
÷
÷
> = · =

* *
BV BV
m m
Si a E =
÷
=
*
BC
m
e
Si
E
a E =
Electrón: q=|e
-
| m
*
=|m
*
| Hueco: q=|e
-
| m
*
=|m
*
|
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 17
Electrón: q=-|e| m
p
=|m
BC
| Hueco: q=|e| m
p
=|m
BV
|
Imagen del hueco
A T=0K, la BV está llena, y la BC vacía.
No puede haber conducción (no hay estados disponibles)
E
C Si
E
g
(GAP)
A T>0K, habrá
E
V
saltos térmicos
de e- de la BV
a la BC
La BV casi
E
Un nivel ocupado en BC
Un electrón ‘libre’ en el sólido
La BV casi
llena, n
electrones/cm
3
, BC casi vacía
E
C
Si
p huecos//cm3.
Habrá
conducción en
presencia de
E
V
+
Un enlace roto Ausencia de un e
-
Un nivel vacío en BV
presencia de
campo eléctrico
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 18
Un enlace roto. Ausencia de un e
Movimiento de huecos
Movimiento de e- en BV=> Movimiento de huecos
Tras t
1
E
Tras t
1
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 19
Tensor m*
Debido a la anisotropía en diferentes direcciones k las bandas tienen
diferente forma en diferentes direcciones  m* es un tensor diferente forma en diferentes direcciones  m es un tensor
Si mín. BC no coincide máx. BV  Gap Indirecto
c c
c
=
|
.
|

\
|
2
2 *
1 1
k k
E
m
j i ij

|
|

|
| |
. \
*
1
/ 1 m
j i ij
Si superficies de energía constante son
esferas: m* es un escalar
|
|
|
.

\
=
|
.
|

\
|
*
3
*
2
1
*
/ 1
/ 1
1
m
m
m
esferas: m es un escalar
elipsoides m
2
*
= m
3
*=
m
t
*
m*
l
> m*
t
. \
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 20
Conducción
• A T=0K, la BV está llena, y la BC vacía. No , , y
puede haber conducción.
• A T> 0K, habrá saltos térmicos de e- de la BV a la BC  BV casi llena, , ,
BC casi vacía. Habrá conducción en presencia de campo eléctrico.
• El movimiento de portadores en presencia de Fuerza
F Fi El f d l Fi d l b externas : Fext + Fint = ma. El efecto de las Fint se puede englobar
en la masa efectiva m* Fext = m*a
• La masa efectiva m* viene determinada por el diagrama de bandas al • La masa efectiva m viene determinada por el diagrama de bandas, al
estar éste determinado por las interacciones de la red con los
portadores. La curvatura de las bandas es un indicio de la capacidad de
movimiento en presencia de Fext
• Dos tipos de portadores: electrones en BC y huecos en BV
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 21
Conductores, Semiconductores y Aislantes
Diferencias en cuanto a su ‘capacidad’ para conducir·
Diferente número de portadores
Semiconductores
Aislantes
Conductores
E
2
E
3
E
11
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 22
Conductores, Semiconductores y Aislantes
Diferencias en cuanto a su ‘capacidad’ para conducir·
Diferente número de portadores
Semiconductores
Aislantes
Conductores
E
2
E
3
E
11
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 23
Conductores, Semiconductores y Aislantes
Diferencias en cuanto a su ‘capacidad’ para conducir·
Diferente número de portadores
Semiconductores
Aislantes
Conductores
E
2
E
3
E
11
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 24
Constantes para algunos Semiconductores
Grupo
Semicondu
ctor
T
m
[ºC] d [g/cm
3
] a[Å] cs/c
0
Eg [eV] m
n
*/m
0
m
p
*/m
0
µ
n
[cm
2
/V.sec] µ
p
[cm
2
/V.sec]
IV Si 1415 233 5432 12 112I 108 055 1500 450 IV Si 1415 2.33 5.432 12 1.12 I 1.08 0.55 1500 450
Ge 937 5.33 5.65 16 0.67 I 0.55 0.35 3900 1900
III-V GaAs 1238 5.32 5.65 13 1.42 D 0.067 0.47 8500 400
GaP 1467 4.13 5.45 10.2 2.26 D 0.13 0.60 300 150
InAs 942 5.66 6.06 12.5 0.36 D 0.028 0.33 22600 200
InSb 525 5.77 6.47 16 0.17 D 0.0145 0.18 80000 1250
InP 1070 4.78 5.86 12.1 1.35 D 0.07 0.40 4000 600
II-VI CdS 1750 4.84 5.83 8.9 2.42 D 0.20 0.70 250 -
CdSe 1350 5.75 6.05 10.6 1.73 D 0.13 0.40 650 -
CdTe 1098 5.86 6.48 10.9 1.50 D 0.11 0.35 1050 100
ZnSe 1515 5.26 5.67 8.1 2.58 D 0.17 0.60 600 -
ZnTe 1238 5.70 6.1 9.7 2.25 D 0.15 0.60 530 900
IV-VI PbS 1077 7.5 5.93 17.0 0.37 I 0.10 0.10 500 600
PbSe 1062 8.10 6.15 23.6 0.26 0.07 0.06 1800 930
PbTe 904 8.16 6.46 30.0 0.29 I 0.24 0.30 1400 1100
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 25
Semiconductores Intrínsecos
Objetivo: Determinación del número de portadores
por unidad de volumen p
electrones en BC n [cm
-3
]
huecos en BV p[cm
-3
]
}
= dE E f E g n ) ( ) (
BC
g(E)dE número de estados por unidad de volumen g(E)dE número de estados por unidad de volumen
en el intervalo [E , E+dE]
f(E) probabilidad de que un estado de energía E f(E) probab l dad de que un estado de energ a E
esté ocupado
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 26
g (E): Metales
Sólido de dimensiones a
x
a
y
a
z
Modelo de electrones libres confinados
en una caja a
x
a
y
a
z
(metales)
2
2 2
2
2
x y z
y
x z
n n n
n
n n
E
m a a a
t
t t
(
| |
| | | |
(
= + +
|
| |
|
(
\ . \ .
\ .
¸ ¸

j
x y z
( )
2 2 2 2
2
x y z
m a a a
Si cubo de lado a
n n n n
(
\ . \ .
\ .
¸ ¸
= + +
m
k
E
n
n
2
2 2

=
n
z
2
2
2
8
x y z
n n n n
h
E n
ma
= + +
=
dE E
n
+
3 2
8
1
( ) 4 (2)
ma
g E dE a n dn t
| |
|
n
x
n
y
3/2
2
( ) 4 (2)
8
4 (2 )
( )
g E dE a n dn
dn m
g E n E
t
t t
=
|
\ .
= =
n
x
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 27
3 3
( ) g E n E
a dE h
g (E): Semiconductores
g(E)
Para semiconductores m÷m*
g(E)
5x10
21
E E
h
m
E g
C
n
n
÷ =
3
2 / 3 *
) 2 ( 4
) (
t
3x10
21
4x10
21
5x10
g
n
(E)
g
p
(E)
E E
h
m
E g
h
V
p
p
÷ =
3
2 / 3 *
) 2 ( 4
) (
t
1x10
21
2x10
21
3x10


g
(
E
)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
E [eV] (Referencia E
F
=1eV)
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 28
Probabilidad de ocupación f(E )
Estadística de Fermi-Dirac
1.0
T
1
=300K
T 600K
E
F
=1
| |
= E f
1
) (
0.6
0.8
f(E)
Aprx. Boltzman
T
2
=600K
F
|
.
|

\
|
÷
+
=
KT
E E
E f
F
exp 1
) (
02
0.4
f
(
E
)
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
0.0
0.2
E [eV]
T=0K E<E
F
f(E)=1 BV completamente llena
E>E f(E)=0 BC completamente vacía
E [eV]
E>E
F
f(E)=0 BC completamente vacía
Para semiconductor puro E
F
entre BV y BC (en gap)
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 29
n
i
* 3/2
0 3
4 (2 )
( ) ( ) exp
C C
n F
n C
E E
Aproximación
m E E
n g E f E dE E E dE
h KT
t
· ·
÷ | |
= = ÷ ÷
|
\ .
} }

* 3/2
1/2
0 3
0
4 (2 )
; exp exp( )
Aproximación
Boltzman
C n C F
E E m E E
n d
KT h KT
t
q q q q
·
÷ ÷ | |
= = ÷ ÷
|
\ .
}
 
1
2
3/2
*
0 2
2
2 exp
n C F
m KT E E
n
t
t | | ÷ | |
= ÷
|

|
0 20
0 2
2 exp
C
N
n
h KT
|
\ .
\ .

|
0,12
0,16
0,20
g(E)*1E-22
f(E)
f(E)*1E10
dn *1E-12
0,04
0,08
,

0,4 1,6
0,00
E (eV)
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 30
n y p gráfico
2 0
[ 1-f(E) ] *10
10
1,8
2,0
[ 1 f(E) ] 10
g
p
(E) *10
-22
dp/dE *10
-12
1,6
,
i
a

E
F
=
1
e
V
)
0,4

(
R
e
f
e
r
e
n
c
i
0,2
f(E) *10
10
g
n
(E) *10
-22
E

[
e
V
]







0,0
0,0 0,1 0,2
n
dn/dE *10
-12
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 31
f(E),g(E),dn
3/2
3/2
*
E E m T | |
| | | |
19 3
0
0
3/2
3/2 *
19 3
exp 2.5 10 [ ]
300
25 10 [ ]
C F n
C C
p
F V
E E m T
n N N cm
KT m
m
E E T
N N
÷
÷
| | ÷ | | | |
= ÷ =
| | |
\ . \ .
\ .
| |
÷ | | | |
|
| |
19 3
0
0
exp 2.5 10 [ ]
300
p
F V
V V
p N N cm
KT m
| | | |
= ÷ =
|
| |
|
\ . \ .
\ .
= =
0 0
Semiconductor Intrínseco
i
n p n
2
exp exp
g
C V
i C V C V
E
E E
n N N N N
KT KT
| | ÷ | |
= ÷ = ÷
| |
\ .
\ .
· =
2
0 0 i
n p n
3/2
* * 3/2
19
0
2.5 10 exp
300 2
p n g
i
m m E
T
n
m KT
| |
| |
| |
|
= × ÷
| |
|
\ .
\ .
\ .
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 32
Semiconductores N
Impurezas dadoras : P Ocupando posición de red Impurezas dadoras : P Ocupando posición de red
P
E
C
E
D
Si
E
V
E
V
n
0
> n
i
>p
0
Semiconductor tipo N

2
n
0
p
0
= n
i
2
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 33
Semiconductores P
Impurezas aceptoras : B Ocupando posición de red p p p p
E
CC
E
A
Si
+
A
E
V
p
0
>>n
0
Semiconductor tipo P n
0
p
0
= n
i
2
Concentración de impurezas 10
16
at/cm
3
<< Densidad átomos de red 10
22
at/cm3
Concentración de impurezas 10
16
at/cm3>> Concentración intrínseca 10
10
at/cm3
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 34
Concentración de portadores
i i d i d ió C t N N
+ +
+
Supongamos un semiconductor dopado con N
D
impurezas dadoras
ionizadas impurezas de ión Concentrac N p N n
D D
+ +
+ =
0 0
1E18
n
p
T
i
temperatura intrínseca
1E16
1E17
III
p
Nd
+
[
c
m
-
3
]
i
p
1E14
1E15
II I
I
C
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
ó
n

0 200 400 600 800 1000 1200
1E13
T [K]
I Zona extrínseca : Ionización parcial de impurezas
II Zona exhaustiva: Todas las impurezas ionizadas
III Zona intrínseca
+
~
D
N n
0
D
N n ~
0
n n ~
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 35
III Zona intrínseca
i
n n ~
0
E
F
en semiconductores extrínsecos
Al aumentar n en BC, varía su distribución, varía el nivel de Fermi
E
C
E E
+ +
E
C
E
V
E
Fi
E
Fi
+ +
E
C
E
V
E
F
E
+
E
C
E
V
E
F
E
F
+ +
1/2
E
Fi
1/2
E
F
1/2
(a) Intrínseco (c) Tipo p (b) Tipo n
|
.
|

\
|
÷
÷ =
|
.
|

\
|
÷
÷ =
KT
E E
N p
KT
E E
N n
V F
V
F C
C
exp exp
0 0
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 36
Nivel de Fermi Intrínseco E
i
Denominando E
i
al nivel de Fermi en condiciones intrínsecas
E t t d t i d t i l T  i l d f i Es constante para un determinado material a un T  nivel de referencia
E
exp exp
i
V
C i
C V
E E
E E
N N
KT KT
÷
| | ÷
| |
÷ = ÷
|
|
\ .
\ .
m
n
*<m
p
*
E
C
E
i
*
3
l
g
n
KT KT
E
m
E E KT
\ .
\ .
m
n
*>m
p
*
E
V
*
3
ln
2 4
i
g
n
V
p
m
E E KT
m
÷ = ÷
Si l s m s s f ti s i l s E mit d
T
Si las masas efectivas iguales E
i
en mitad
Varía con la temperatura (Se acerca a m* de más ligeros)
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 37
N
+
D
, N
-
A
. Cálculo n
0
y p
0
2
D
D d
N
N g
+
= =
g grado de degeneración
2
1 exp
D d
F D
d
N g
E E
g
KT
÷
+
g g g
4 ( , , )
1 exp
A
A a
A F
a
N
N g Si Ge GaAs
E E
g
KT
÷
= =
÷
+
a
KT
0 0
2
A D
n N N p
÷ +
+ = +
Caso General: Neutralidad de carga
Si NO d ió
2
0 0 i
n p n =
Si NO degeneración
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 38
Cálculo n y p en función de n
i
exp exp
C i i F F i
E E E E E E
n N n n
÷ + ÷ ÷
| | | |
+
| | 0 0
2
exp exp
C i i F F i
C i
g
F i
n N n n
KT KT
E
E E
N N
= ÷ = +
| |
\ . \ .
÷
| | ÷
| |
| |
2
0 0 0
exp exp
g
F i
i C V i
E E
n p n N N p n
KT KT
| |
| |
= = = ÷
| |
\ .
\ .
¿E
F
?
II n
0
=N
D
i N ió d lid d
i
D
i F
D
C
F C
n
N
KT E E
N
N
KT E E ln ln = ÷ = ÷
¿E
F
?
si N
D
 n
i
ecuación de neutralidad
III n =n E =E
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 39
III n
0
=n
i
E
F
=E
i
Cálculo gráfico del Nivel de Fermi
exp exp
C F V F D
E E E E N
N N
÷ ÷
÷ = + ÷ exp exp
1 2exp
C V
F D
N N
E E
KT KT
KT
= +
÷
+
10
17
10
19
p+N
+
r
t
a
d
o
r
e
s
10
15
p N
D
n c
i
ó
n

d
e

P
o
r
10
11
10
13
n
p
C
o
n
c
e
n
t
r
a
c
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
10
9
C
E -E [eV]
n
i
E
F
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 40
E
F
-E
V
[eV]
Degeneración
Al aumentar la concentración de impurezas el nivel de Fermi se acerca a BC o BV
E
C
-E
F
< 3KT o E
F
-E
V
< 3KT no es válida la aproximación de Boltzman E
C
E
F
3KT o E
F
E
V
3KT no es válida la aproximación de Boltzman
* 3/2
0
3
4 (2 ) 1
( ) ( )
n
n C
m
n g E f E dE E E dE
E E
h
t
· ·
= = ÷
| |
} }
0
3
( ) ( )
1 exp
C C
n C
F
E E
g f
E E
h
KT
E E E E
÷
| |
+ ÷
|
\ .
} }
* 3/2 1/2
4 (2 )
C F C
F
E E E E
KT KT
d
q q
·
÷ ÷
= =
3/2 1/2
0
3
0
4 (2 )
1 exp( )
n
F
m d
n
h
t q q
q q
·
=
+ ÷
}

1/2
( )
2
0 1/2 0 1/2 0 0
2 2
( ); ( ' )
F
F
C F C F i
n N F p N F n p n
q
q q = = =
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 41
t t
Degeneración
• Si la concentración de impurezas es muy alta, los electrones en el nivel de
impurezas empiezan a interaccionar
• El nivel discreto se desdobla en una banda que se solapa con la BC o BV
• La concentración de portadores es muy alta el nivel de Fermi incluído en BC o • La concentración de portadores es muy alta, el nivel de Fermi incluído en BC o
BV
El semiconductor se comporta como un metal El semiconductor se comporta como un metal
E
D
E
C
E
E
F
E
E
F
E
C
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 42
E
V
Parámetros de algunos Semiconductores (T = 300 K)
Si Ge GaAs InSb
Nº atómico
14 32 31 - 33 49 - 51
P ó i Peso atómico
28.1 72.6 144.6 236.6
Estructura
Cristalina
Diamante Diamante Zinc -
Blenda
Zinc -
Blenda
Gap(eV)
1.12 0.67 1.42 0.17
Mínimos
Equivalentes en
BC
6 4 1 1
Masas Efectivas
paralaDensidad para la Densidad
de Estados
m
n
*
/m
o
1.08 0.55 0.067 0.0145
m
p
*
/m
o
0.55 0.35 0.47 0.60
N
C
(cm
-3
) 2.8310
19
1.0310
19
4.3510
17
4.3810
16
N
V
(cm
-3
) 1.0210
19
5.1810
18
8.1610
18
1.1710
19
n
i
(cm
-3
) 6.6510
9
1.510
10
1.7210
13
2.2210
6
2.6710
16
1.510
µ
n
(cm
2
/V·seg) 1500 3900 8500 80000
µ
p
(cm
2
/V·seg) 450 1900 400 1250
c
r
12 16 13 16
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 43
r
Tiempo de vida
t (seg)
2.5 10
-3
10
-3
~ 10
-8
~ 10
-8
Materiales Semiconductores
• Grupo IV-IV
– Aleaciones Si
x
Ge
1-x
• Ultima generación Transistores Bipolares • Ultima generación Transistores Bipolares
– Aleaciones Si
x
C
1-x
• Electrónica de alta Temperatura
• Grupo III-V Grupo III V
– Electrónica de alta frecuencia GaAs, InP
– Optoelectrónica: GaAs, GaP, InP
– Fotodectectores IR :InSb Fotodectectores IR :InSb
– Compuestos emergentes GaN, LaN
• Optoelectrónica azul, Electrónica de alta temperatura
• Grupo II-IV Grupo II IV
– Optoelectrónica azul : ZnSe
– Energía Solar : CdS, CdTe
– IR. Hf
x
Cd
1-x
Te f
x 1-x
• Grupo IV-VI
– Fotodetectores IR
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 44
Ingeniería de bandas
• Ingeniería de Bandas • Ingeniería de Bandas
– Al
x
Ga
1-x
As
• Gap Directo, 1.4eV<Eg<3eV (variando x) p g ( )
• Buen acoplo con GaAs
– In
1-x
Ga
x
As
y
P
1-y
G Di t 0 75 V<E <1 35 V • Gap Directo, 0.75eV<Eg<1.35eV
• Laseres Longitud de onda 1.66mm<ì<0.92mm
– Hf
x
Cd
1-x
Te
x 1 x
• Detector IR
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 45
Otros materiales: Contactos, Aislamiento…
Pentium Intel Pentium Intel
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 46
Nanolectrónica : Quantum Dots
• Espacio rodeado de barreras
d d que pueden ser atravesadas
por los electrones por efecto
túnel
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 47
Nanolectrónica : Nanotubos de Carbono
El diámetro del tubo y la manera en El diámetro del tubo y la manera en
que se enrolla determina si el nanotubo
es semiconductor (determina su
propiedades: ancho de banda etc) o p p )
metal.
Fotografía por AFM de un transistor Fotografía por AFM de un transistor
FET con un nanotubo. Los electrodos
están separados ~1µm
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 48
Nanolectrónica : Magnéticos: Spintrónica
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 49
Nanolectrónica : Moléculas, Molectrónica
Estados electrónicos
permitido entre dos
l t d electrodos
Niveles de energía en g
equilibrio (negro) y en
presencia de un campo
eléctrico
a) Cadena lineal (Alcano)
eléctrico
) ( )
b) Puente donor-aceptor (DBA)
c) Quantum Dot molecular
d) Diferentes grupos funcionales con diferentes d) Diferentes grupos funcionales con diferentes
estados intermedios. ([2] rotaxano). Mismo
tipo que ADN
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 50
Electrónica en el futuro
The system on a chip of the future? The system-on-a-chip of the future?
Electrónica I I - Semiconductores en Equilibrio 51