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SEMICONDUCTOR

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente Los semiconductores ms conocidos son el silceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como veremos ms adelante, el comportamiento del silceo es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado slido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar. Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todo conocido, un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrones pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro SEMICONDUCTOR INTRNSECO Cuando el silicio se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el apartado anterior, se dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que es un semiconductor intrnseco.

Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos en lazados unos con otros segn una determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de las rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse. Lgicamente si un electrn se desprende del tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrn. El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para rellenar el hueco que tiene. Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos puntos:

Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la barra del material semiconductor de silicio. Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.

Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de unos semiconductores el de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,. Los huecos no se mueven, slo parece que lo hacen. Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de huecos (cargas positivas), pues nos resulta ms cmodo y los resultados obtenidos son los mismos que los reales. SEMICONDUCTOR DOPADO Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila intentar atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs del circuito.

Sentido del movimiento de un electrn y un hueco en el silicio Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades: Aplicar una tensin de valor superior Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior La primera solucin no es factible pues, aun aumentando mucho el valor de la tensin aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la segunda. En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado". El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

SEMICONDUCTOR TIPO N Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos

que

cada

tomo

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N" En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornas, las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro. SEMICONDUCTOR TIPO P Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos .... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar. sea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la aparicin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios.

A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Semiconductor dopado tipo P Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los mismos el tipo de portadores mayoritarios.

Semiconductor tipo N

Semiconductor tipo P

No siempre el ndice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede ser que este "poco dopado", "muy dopado", etc. Es norma utilizar el signo (+) para indicar que un semiconductor est fuertemente dopado.

Semiconductor tipo fuertemente dopado

Semiconductor tipo P fuertemente dopado

Todos los componentes electrnicos en estado slido que veremos en adelante (transistores, diodos, tiristores) no son ni ms y menos que un conjunto de semiconductores de ambos tipos ordenados de diferentes maneras.