ACTIVIDAD NUMERO 6

Universidad Nacional Abierta y a Distancia Escuela de Ingeniería Ingeniería de Telecomunicaciones Electrónica Básica - 201419 Metodología Virtual

TRABAJO COLABORATIVO 1

Tutora: NANCY AMPARO GUACA

17 de Abril de 2013 CEAD MEDELLIN

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los cuales planteaban niveles de complejidad que pudieron ser resueltos con investigaciones en internet y realizando nuevamente lecturas a el documento base del curso. resolviendo los ejercicios planteados. además de evidenciar lo estudiado en la unidad 1. 1 . para simular los circuitos.INTRODUCCION Con esta actividad se da a conocer la facilidad de manejo de la herramienta ofimática.

2 . R//. incluir pantallazo de graficas para las marcas de diferencia de potencial. Las graficas son las siguientes: Señal de entrada V1 y Señal de salida en R1 Señales de entrada en los diodos(D6-D7) ciclo (+) y ciclo (-).FASE 1: LOS DIODOS 1.1 el siguiente circuito: Simular en análisis transitorio dibujando al menos 4 periodos de la señal de 55Hz de V1.1 Construir en el Simulador Pspice Student 9.

2 Agregar un condensador de 470uF en paralelo con R al circuito de la figura 1 y volver a simular. V1+.Todas las señales juntas (V1. anexar nueva grafica. ¿Qué cambio ha notado? 3 . V1-. R1). Circuito equivalente con las mediciones: 1.

porque si bien el circuito es un rectificador de onda completa no es con derivación central puesto que estos utilizan entre la fuente y los diodos un transformador para convertir corriente alterna en continua.R//.3 Mencione si la siguiente afirmación es Falsa o Verdadera justifique su respuesta: ¡El circuito de la figura 1 es llamado rectificador de onda completa con derivación central! R//. La afirmación es falsa. 1. El cambio fue en la señal de salida de R1 el cual al llegar a su punto máximo de la cresta mantiene una línea recta lo que significa que permanece un voltaje constante respecto a la señal de entrada de V1. 4 .

Izmín 4.36W 5 . En este diseño se debe implementar el Diodo 1N750 (Hoja del fabricante).Completar luego de los cálculos La siguiente Tabla: R//. A continuación el resultado de los cálculos.5mA RSmín 334Ω RSmáx 378Ω RS 356Ω RL 546Ω IS 28mA IZ 6mA PZ 0.4 Dadas las Formulas: Definiciones: VS: Valor de la fuente de tensión no regulada VZ: Voltaje Zener (parámetro en hoja del fabricante) PZmáx: Potencia máxima soportada por el Zener (parámetro en hoja del fabricante) PZ: Potencia disipada por el Zener IZ: Corriente en el Zener RS: Valor optimo para el resistor limitador de corriente RSmín: Mínimo valor para el resistor limitador de corriente RSmáx: Máximo valor para el resistor limitador de corriente RL: Carga RZ: Resistencia del Zener IRL: Corriente necesitada en la carga IZmín: Corriente Mínima Zener IZmáx: Corriente Máxima soportada por el Zener (parámetro en hoja del fabricante) IS: Corriente en el resistor limitado Diseñar un Regulador Zener que cumpla estas condiciones: Tensión de fuente Vs = 22Vdc corriente necesitada en la carga IRL= 22mA.1.

5mA +22mA)=378Ω * RS=(334Ω + 378Ω)/2= 356Ω * RL= VL / IRL= 12V/22mA= 546Ω * IS=(VS-VZ)/RS= (22V-12V) / 356Ω= 28mA * IZ= IS-IRL= 28mA-22mA= 6mA 1.5mA * PZ=VZ*IZMax. 6 .Cálculos  Datos conocidos o relacionados en el ejercicio: *VS=22Vdc. R//.=30mA.1 el circuito Regulador Zener utilizando el Diodo referenciado y el valor de RS y RL antes calculado.36W=360mW * RSmin=(22V-12V)/30mA= 334Ω * RSmax=(22V-12V)/ (4. PZMax.15= 4. VZ=VL=12V. IZMax.= 12V*30mA=0.5 Construir en el Simulador Pspice Student 9. Grafica con los valores después de los cálculos. incluya imagen capturada desde la aplicación mostrando los valores medidos de Voltaje y Corriente.=500mW. IRL=22mA  Datos con base a formulas : * IZmin=30mA*0.

Varactor: Se utilizan como condensadores controlados por voltaje. amplificadores y osciladores.6 Describa la utilidad e incluya al menos una imagen de cada uno de los siguientes tipos de diodos. esto es. la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.1. Poseen una región de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarización directa y tienen una resistencia negativa. LED: Diodo emisor de luz. Túnel: Los diodos de efecto túnel. 7 . Son dispositivos muy versátiles que pueden operar como detectores.

las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. separadas por una región de material que es casi intrínseco. es decir. PIN: El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada. Además. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas. frecuencias que exceden de 1 GHz.Laser: es un dispositivo semiconductor similar a los led pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. 8 . puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo.

La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto. con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. conocidas como tensiones de codo. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente. Schottky. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. esto. es decir. 9 . Debido a su construcción. es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral. los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas. dejando de lado la región Zener. que es cuando existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en inversa éste opere de forma similar a como lo haría regularmente.Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unión PN. llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky: El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky. en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo.

25KΩ  VCE=VCC-( IC*RC)…RC=(VCC.848mA  PD=VCE*IC= 7.3V RB 6. definidas principalmente por la forma en que son polarizados: 10 .0847mA  IB=(VBB-VBE)/RB …RB=(VBB-VBE)/IB= 6.FASE 2: EL TRANSISTOR BJT 2.5V RC 75Ω IB 0.2 Mencionar las zonas de trabajo del Transistor BJT y aplicación.848mA VB 5.VCE)/IC= 75Ω 2.1 Dadas las formulas: VCE = VC Beta = IC / IB IB= (VBB – VBE) / RB PD= VCE∙IC Dado el circuito Transistor BJT NPN en configuración Emisor Común: Completar la siguiente Tabla: VC 7.5V*100mA= 750mW  RC=Vcc/IC= 15V/100mA= 150Ω  IC+IB=IE= 100.25KΩ PD 750mW Cálculos  VCE=VC=7.5V  Beta=IC/IB … IB=IC/Beta= 100mA/118= 0. Regiones operativas del transistor Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas.

las regiones del colector y emisor intercambian roles. (recordar que Ic=β * Ib). Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal. ver Ley de Ohm). televisión. En este modo. · Región de corte: Un transistor esta en corte cuándo: corrientedecolector=corrientedeemisor= 0.(Ic=Ie=Imaxima). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib=0). · Conmutación. el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande.(Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. instrumentación). modulación por anchura de impulsos PWM). · Son empleados en conversores estáticos de potencia.· Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia. control de lámparas. ver ley de Ohm. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib). (como no hay corriente circulando. es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores). Debido a que la mayoría de los TBJ son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo. fuentes de alimentación conmutadas. · Generación de señal (osciladores. · Se usan generalmente en electrónica analógica y en la electrónica digital como la tecnología TTL o BICMOS. de ȕ (ganancia de corriente. el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo. no hay caída de voltaje. entre las que se encuentran: · Amplificación de todo tipo (radio. emisión de radiofrecuencia). la región activa. Aplicación: Los transistores tienen multitud de aplicaciones. En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos. · Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima. aunque su 11 . · Detección de radiación luminosa (fototransistores). · Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo. actuando de interruptores (control de relés. generadores de ondas.

800mA total power dissipation Tamb 25 °C 500mW . Collector-Base Voltage .Max. 2A total power dissipation .open collector -Max.Max.open emitterMax.150°C DC current gain VCE =−2 V.5V peak collector current . connected to case BC548 Fairchild Semiconductor NPN 1 colector 2 Base 3 emitter VCBO VCEO VEBO ICMAX PMAX collector-base voltage .Tmb £ 70 °C Max.Tcase 25 °C . connected to metal part of mounting surface.3 Completar con la ayuda del catalogo del fabricante la siguiente tabla: Código Tipo-Ge/SiFabricante NPN / PNP Capsula Identificación Terminales BD136 Ge/Si Philips Semiconductors PNP 1 emitter.200°C DC current gain IC = 10 mA.Max. 3 base.open emitter Max.Max.2W junction temperature Max.150°C DC Current Gain VCE=5V.60V collector-emitter voltage .open base . 2 collector.30V Collector Emitter Voltage 30V Emitter-Base Voltage .open base .100mA Collector Power Dissipation 500mW TJMAX hFE junction temperature .Max.45V collector-emitter voltage . 2.5V peak collector current .-45V emitter-base voltage .8W collector-base voltage .Tmb ≤ 70 °C −8W collector-base voltage .open base .60V emitter-base voltage . 12 .Max. junction temperature Max. connected to metal part of mounting surface 3 base 2N2222 Philips Semiconductors NPN 1 emitter 2 base 3 collector.5V peak collector current .open emitter .5V Collector current (DC) .open collector / Max.Max.150°C DC current gain VCE =2 V Junction Temperature Max.30V emitter-base voltage open collector / Max.1.2A total power dissipation .principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado. BD137 Ge/Si Philips Semiconductors NPN 1 emitter 2 collector.60V collector-emitter voltage .

IC =−150 mA Min. VCE=5 V. VCE = 20 V.250 IC =−500 mA Min.40.250 Mhz Equivalentes 2N2222A Aplicaciones Linear amplification and switching. IC =5 mA Min. f = 100 MHz .25 transition frequency IC =50 mA. Tamb = -55 °C 35 IC=2mA Min.40.110 Max. f =100 MHz − Type 190MHz BD135 BD139 Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.25 transition frequency IC =−50 mA. IC=10mA. VCE = 10 V. driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.g. e.fT IC =−5 mA Min.250 BD137-10 IC =500 mA Min. Current Gain Bandwidth Product VCE=5V. VCE=−5 V. f =100 MHz − Type 160MHz BD138 BD140 General purpose power applications.800 transition frequency IC = 20 mA. f=100MHz Type 300Mhz BC546 BC547/550 BC548/549 N/A 13 .63 − Max.63 − Max. IC =150 mA Min.

org/wiki/  http://www.html 14 .unedcervera.wikipedia.BIBLIOGRAFIA  http://es.com/c3900038/estrategias/estrategias_transist ores.

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