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TRANSISTOR IGBT

INTRODUCCION:
Durante muchos años se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo sufientemente veloz y que pudiese amnejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas con la union de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de deispositivo de potoncia y de esta forma se llego a la invencion del igbt el cual sera expuesto en el siguiente documento

QUE ES EL IGBT:
La sigla IGB corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida !l IGB es un dispositivo semiconductor de potencia h"brido que combina los atributos del B# y del $%&'! ( )osee una compuerta tipo $%&'! y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada( !l gate maneja voltaje como el $%&'! ( !l s"mbolo m*s com+nmente usado se muestra en la figura ( ,l igual que el $%&'! de potencia- el IGB no exhibe el fen.meno de ruptura secundario como el B#( !l transistor bipolar de puerta aislada /IGB 0 es un dispositivo electr.nico que generalmente se aplica a circuitos de potencia( !ste es un dispositivo para la conmutaci.n en sistemas de alta tensi.n( La tensi.n de control de puerta es de unos 123( !sto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal el4ctrica de entrada muy d4bil en la puerta( !l IGB de la figura es una conexi.n integrada de un $%&'! y un B# ( !l circuito de excitaci.n del IGB es como el del $%&'! mientras que las caracter"sticas de conducci.n son como las del B# ( !l IGB es adecuado para velocidades de conmutaci.n de hasta 56 78z y ha sustituido al B# en muchas aplicaciones

SIMBOLOGIA:

nica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente( CURVA CARACTERISTICA IGBT: . ! /G0 o puerta.9%L!9 %: /90 y !$I&%: /!0 y su s"mbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente( &u estructura microelectr.!s un componente de tres terminales que se denominan G.

el IGB enciende inmediatamente.COMO FUNCIONA: 9onsideremos que el IBG se encuentra bloqueado inicialmente( !sto significa que no existe ning+n voltaje aplicado al gate( &i un voltaje 3G& es aplicado al gate.puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s.el dispositivo se mantiene as" por una señal de voltaje en el gate( &in embargo.la corriente ID es conducida y el voltaje 3D& se va desde el valor de bloqueo hasta cero( L. corriente ID persiste para el tiempo t%.en virtud del control de voltaje la .despu4s de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL /asumida como constante0( <na vez encendido.si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 12. señal de encendido es un voltaje positivo 3G que es aplicado al gate G( !ste voltaje. en el que la señal en el gate es aplicada( )ara encender el IGB .la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal &( L.

rriba de este valor el voltaje 3D& cae a un valor bajo cercano a los 5 3( 9omo el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo.ser* 3D&maxBB39B6 !xisten en el mercado IGB s con valores de F661(566.n 3D& apenas var"a con la temperatura CDKF2KG &e pueden conectar en paralelo f*cilmente CDKF2KG &e pueden conseguir grandes corrientes con facilidadp(ej( 1(566 o 1(F66 .mp( @ La tensi.n al estado de bloqueo puede tomar apenas 5 micro segundos.manejados a niveles de potencia que exceden los 26 =?( CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT: @ IDmax Limitada por efecto LatchAup( @ 3G&max Limitada por el espesor del .n del estado de conducci.n de ruptura del transistor pnp( 9omo CDE>2G es muy baja.n puede estar en el rango de los 26 =8z( !L IGB requiere un valor l"mite 3G&/ 80 para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa( !ste es usualmente de > 3( .1(H665(166 y I(I66 voltios( /anunciados de F(2 =30( @ La temperatura m*xima de la uni.el gate debe tener un voltaje arriba de 12 3.por lo que la frecuencia de conmutaci.y la corriente iD se autolimita( !l IGB se aplica en controles de motores el4ctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna.mperios( !n la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios =? y un par de $?.trabajando a frecuencias desde 2 =8z a >6=8z( .n suele ser de 126J9 /con &i9 se esperan valores mayores0 @ !xisten en el mercado IGB s encapsulados que soportan hasta >66 o F66 .n electr.n de potencia en el gate es muy baja( !L IGB se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje 3G de la terminal gate( La transici.disipaci.xido de silicio( @ &e diseña para que cuando 3G& B 3G&max la corriente de cortocircuito sea entre > a 16 veces la nominal /zona activa con 3D&B3max0 y pueda soportarla durante unos 2 a 16 CDE2FGs( y pueda actuar una protecci.nica cortando desde puerta( @ 3D&max es la tensi.

continuacion se presentan algunas de las presentaciones mas comunes de un IGB ( TRANSISTOR IGBT INTRODUCCION: Durante muchos años se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo sufientemente veloz y que pudiese amnejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas con la union de un mosfet ..

9%L!9 %: /90 y !$I&%: /!0 y su s"mbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente( .n de hasta 56 78z y ha sustituido al B# en muchas aplicaciones SIMBOLOGIA: !s un componente de tres terminales que se denominan G.n en sistemas de alta tensi.n del IGB es como el del $%&'! mientras que las caracter"sticas de conducci. ! /G0 o puerta.l igual que el $%&'! de potencia.meno de ruptura secundario como el B#( !l transistor bipolar de puerta aislada /IGB 0 es un dispositivo electr.n de control de puerta es de unos 123( !sto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal el4ctrica de entrada muy d4bil en la puerta( !l IGB de la figura es una conexi.n son como las del B# ( !l IGB es adecuado para velocidades de conmutaci.n( La tensi.el IGB no exhibe el fen.nico que generalmente se aplica a circuitos de potencia( !ste es un dispositivo para la conmutaci.n integrada de un $%&'! y un B# ( !l circuito de excitaci.como dispositivo de disparo y un tbj de deispositivo de potoncia y de esta forma se llego a la invencion del igbt el cual sera expuesto en el siguiente documento QUE ES EL IGBT: La sigla IGB corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida !l IGB es un dispositivo semiconductor de potencia h"brido que combina los atributos del B# y del $%&'! ( )osee una compuerta tipo $%&'! y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada( !l gate maneja voltaje como el $%&'! ( !l s"mbolo m*s com+nmente usado se muestra en la figura ( .

&u estructura microelectr.nica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente( CURVA CARACTERISTICA IGBT: .

en el que la señal en el gate es aplicada( )ara encender el IGB .puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s.la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal &( L. corriente ID persiste para el tiempo t%.el dispositivo se mantiene as" por una señal de voltaje en el gate( &in embargo.despu4s de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL /asumida como constante0( <na vez encendido.si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 12.el IGB enciende inmediatamente.la corriente ID es conducida y el voltaje 3D& se va desde el valor de bloqueo hasta cero( L. señal de encendido es un voltaje positivo 3G que es aplicado al gate G( !ste voltaje.en virtud del control de voltaje la .COMO FUNCIONA: 9onsideremos que el IBG se encuentra bloqueado inicialmente( !sto significa que no existe ning+n voltaje aplicado al gate( &i un voltaje 3G& es aplicado al gate.

y la corriente iD se autolimita( !l IGB se aplica en controles de motores el4ctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna.n de potencia en el gate es muy baja( !L IGB se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje 3G de la terminal gate( La transici.manejados a niveles de potencia que exceden los 26 =?( CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT: @ IDmax Limitada por efecto LatchAup( @ 3G&max Limitada por el espesor del .n puede estar en el rango de los 26 =8z( !L IGB requiere un valor l"mite 3G&/ 80 para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa( !ste es usualmente de > 3( .n al estado de bloqueo puede tomar apenas 5 micro segundos.trabajando a frecuencias desde 2 =8z a >6=8z( .el gate debe tener un voltaje arriba de 12 3.ser* 3D&maxBB39B6 !xisten en el mercado IGB s con valores de F661(566.n del estado de conducci.xido de silicio( @ &e diseña para que cuando 3G& B 3G&max la corriente de cortocircuito sea entre > a 16 veces la nominal /zona activa con 3D&B3max0 y pueda soportarla durante unos 2 a 16 CDE2FGs( y pueda actuar una protecci.por lo que la frecuencia de conmutaci.disipaci.rriba de este valor el voltaje 3D& cae a un valor bajo cercano a los 5 3( 9omo el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo.n de ruptura del transistor pnp( 9omo CDE>2G es muy baja.nica cortando desde puerta( @ 3D&max es la tensi.n suele ser de 126J9 /con &i9 se esperan valores mayores0 @ !xisten en el mercado IGB s encapsulados que soportan hasta >66 o F66 .mp( @ La tensi.n 3D& apenas var"a con la temperatura CDKF2KG &e pueden conectar en paralelo f*cilmente CDKF2KG &e pueden conseguir grandes corrientes con facilidadp(ej( 1(566 o 1(F66 .mperios( !n la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios =? y un par de $?.1(H665(166 y I(I66 voltios( /anunciados de F(2 =30( @ La temperatura m*xima de la uni.n electr.

continuacion se presentan algunas de las presentaciones mas comunes de un IGB ( ..