Universidad Tecnológica de Puebla

Electrónica l

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Electrónica I
Manual de asignatura

Carrera Electricidad y Electrónica Industrial

Programa 2004 Ing. Magdalena Villar Salvador

Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial

Ing. Magdalena Villar Salvador 1

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Créditos

Elaboró: Ing. Magdalena Villar Salvador / actualización 2008. Revisó: Colaboradores: Autorizó:

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Ing. Magdalena Villar Salvador 2

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Contenido

Objetivo general
Utilizar dispositivos electrónicos básicos en circuitos electrónicos

Habilidades por desarrollar en general
Utilizar dispositivos electrónicos básicos en circuitos electrónicos

I II III IV V

Introducción a la electrónica Diodos semiconductores Transistor bipolares de unión (BJT) Transistor de efecto de campo (FET) Fuentes de CD y osciladores Guía de practicas

Horas Teoría Práctica Total 30 60 90 5 1 6 6 6 6 7 6 22 10 21 12 28 16 28

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o en números u otros datos como en una computadora. del circuito integrado. algo que no podía realizarse en los antiguos circuitos telegráficos y telefónicos. pero con un coste. por lo general circuitos electrónicos. el transistor permite las mismas funciones que el tubo de vacío. Hoy día. Esta información puede consistir en voz o música como en un receptor de radio. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. cuyo funcionamiento depende del flujo de electrones para la generación. permitiendo la construcción de circuitos electrónicos complejos. y además podían superponerse señales de sonido a las ondas de radio. El desarrollo de una amplia variedad de tubos. llevó al desarrollo. peso y potencia más bajos. como los de las microcomputadoras. atribuible en parte a la intensidad de las investigaciones asociadas con la iniciativa de exploración del espacio. Al incorporar un conjunto de materiales semiconductores y contactos eléctricos. y una mayor fiabilidad. entre otros. durante la guerra y poco después de ella. almacenamiento de información. con los tubos de vacío pudieron amplificarse las señales de radio y de sonido débiles. 1.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l I INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA Objetivo particular de la unidad Identificar la importancia y alcances de la electrónica definiendo su área de aplicación Habilidades por desarrollar en la unidad Alcances de la electrónica acorde a su aplicación. en la década de 1970. diseñados para funciones especializadas. 1. recepción.1 ANTECEDENTES La introducción de los tubos de vacío a comienzos del siglo XX propició el rápido crecimiento de la electrónica moderna. Los progresos subsiguientes en la tecnología de semiconductores. Magdalena Villar Salvador 4 . transmisión. ha reemplazado casi completamente al tubo de vacío en la mayoría de sus aplicaciones. y satélites de comunicaciones. inventado en 1948. el transistor. Por ejemplo. ni con los primeros transmisores que utilizaban chispas de alta tensión para generar ondas de radio.2 DEFINICIONES ELECTRONICA: La electrónica es el campo de la ingeniería y de la física aplicada relativo al diseño y aplicación de dispositivos. y el desarrollo de las primeras computadoras. en una imagen en una pantalla de televisión. Con estos dispositivos se hizo posible la manipulación de señales. equipos de sonido y vídeo. posibilitó el rápido avance de la tecnología de comunicación radial antes de la II Guerra Mundial. Estos dispositivos pueden contener centenares de miles de transistores en un pequeño trozo de material.

como en el caso de introducir una señal de sonido a ondas de radio (modulación). Los circuitos electrónicos ofrecen diferentes funciones para procesar esta información. transmisión y distribución de energía eléctrica. la extracción de información. como por ejemplo la recuperación de la señal de sonido de una onda de radio (demodulación). el control. La electrónica analógica dispositivos que trabajan una señal que varía en el tiempo. y operaciones lógicas. como los procesos electrónicos que tienen lugar en las computadoras. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l ELECTRICIDAD: La electricidad es el campo de la física aplicada relativo a la generación. Magdalena Villar Salvador 5 .3 DIVISIÓN DE LA ELECTRÓNICA Electrónica analógica y electrónica digital: La electrónica digital dispositivos que trabajan con dos estados 1 (Lógico) y 0 (lógico). el generar ondas de radio. incluyendo la amplificación de señales débiles hasta un nivel que se pueda utilizar. 1.

entonces recortan ya sea el semiciclo positivo o el semiciclo negativo dependiendo de la posición del diodo en el circuito. sabremos utilizar estos diodos en circuitos prácticos. rectificar significa recortar es decir recorta una señal de tipo alterno y como se sabe las señales de tipo alterno tienen un semiciclo positivo y un semiciclo negativo. 2. o comúnmente podemos decir que conduce cuando esta encendido o no conduce cuando está apagado. en la actualidad los diodos juegan un papel muy importante ya que su uso esta relacionado a casi toda la electrónica. En este tema aprenderemos a probar físicamente si un diodo este en buenas condiciones. lo diodos Zener sirven para regular voltajes. Un diodo semiconductor esta formado por dos materiales semiconductores impurificados que al unirse forman el diodo. es decir el interruptor puede estar encendido o apagado. doblador de voltaje. cátodo).Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l II DIODOS SEMICONDUCTORES Objetivo particular de la unidad Utilizar los diodos de unión y especiales en circuitos de aplicaciones especifica. Un diodo semiconductor tiene una infinidad de aplicaciones entre las cuales podemos mencionar el rectificador. además sabremos señalar cuales son las dos terminales de los diodos (ánodo. sujetador de voltaje etc. Además de los diodos de unión existen otros diodos conocidos como diodos Zener este dispositivo lleva este nombre en honor a su descubridor Karl Zener. Los diodos LED (Light Emmited Diode) son otro tipo de diodos que generalmente se utilizan como señalizadores. aprenderemos a determinar de una forma practica las terminales de un diodo LED. Habilidades por desarrollar en la unidad Aplicar la teoría de los diodos por medio del armado de circuitos.1 INTRODUCCIÓN Los diodos semiconductores son uno de los dispositivos más sencillos que existen dentro de la electrónica y no por esto quieren decir que sean menos importantes. al final del tema podremos elaborar circuitos electrónicos donde se involucren los diodos. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Magdalena Villar Salvador 6 . El funcionamiento de un diodo semiconductor de unión ideal tiene un comportamiento similar a un interruptor.

Esto significa que un átomo aislado de semiconductor tiene cuatro electrones en su orbita exterior o de valencia. Un patrón completo se denomina cristal y el arreglo periódico de los átomos se denomina red. El Silicio (Si) y el Germanio (Ge) son materiales semiconductores que tienen la propiedad de cambiar sus características eléctricas a través de un proceso de impurificación. El término Conductor se aplica a cualquier material que permita un flujo considerable de carga debido a la aplicación de una cantidad limitada de presión externa. Otras razones incluyen el hecho de que sus características pueden alterarse notablemente mediante la aplicación de calor y luz (una consideración importante en el desarrollo de los dispositivos sensibles a la luz y calor). se repite en forma continua).1 Fig. la periodicidad de la estructura no cambia de manera importante con la adición de impureza en el proceso de impurificación. Magdalena Villar Salvador 7 . Un semiconductor es un elemento con valencia igual a cuatro. Algunas cualidades únicas del Si y del Ge señaladas se deben a su estructura atómica. Un semiconductor es por lo tanto un material que tiene un nivel de conductividad en algún lugar entre los extremos de un aislante (de muy baja conductividad) y un conductor como el cobre que tiene un alto nivel de conductividad. En el caso del Si y del Ge el cristal tiene una estructura tridimensional del diamante como se muestra en la figura 2. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.1 Estructura monocristalina del Si y del Ge Cualquier material compuesto únicamente de estructuras cristalinas repetitivas del mismo tipo se llama estructura monocristalina En materiales semiconductores de aplicación práctica en el campo de la electrónica. 2.2 SEMICONDUCTORES El nombre de semiconductor por si misma proporciona una pista en cuanto a las características de este dispositivo. los semiconductores tienen cuatro electrones de valencia y los aislantes tienen ocho electrones de valencia. Los conductores poseen un electrón de valencia. El prefijo semi se aplica en general a todo aquello que se encuentra entre la mitad de dos límites. El número de electrones en la órbita de valencia es clave para la conductividad eléctrica. Los átomos de ambos materiales forman un patrón bastante definido que es de naturaleza periódica (esto es.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 2. existe esta característica monocristalina y además.

En cada caso. Los materiales semiconductores como el Ge y el Si. Figura 2. aunque sólo haya sido añadida 1 parte en 10 millones. porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia. Tanto el Ge como el Si se dice átomos tetravalentes. Este tipo de unión formada por electrones compartidos recibe el nombre de enlace covalente.2 Enlace covalente del átomo de Si. El potencial (potencial de ionización) que se requiere para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia. es menor que el requerido por cualquier otro electrón dentro de la estructura. En un cristal puro de Ge o de Si estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro átomos adyacentes como se muestra en la figura 2.2 para el silicio. Estas impurezas. mientras que el silicio tiene 14 electrones alrededor del núcleo.3 MATERIALES EXTRÍNSECOS TIPO N Y TIPO P Las características de los materiales semiconductores pueden alterarse de modo considerable mediante la adición de ciertos átomos de impureza en el material semiconductor relativamente puro. existen cuatro electrones en la órbita exterior (de valencia). pueden alterar en forma suficiente la estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades eléctricas del material. Magdalena Villar Salvador 8 . muestran una reducción en resistencia con el incremento en la temperatura entonces se dice tienen un coeficiente de temperatura negativo. Al contrario de los materiales conductores que su resistencia aumenta conforme aumenta su temperatura de estos se dice que tiene un coeficiente de temperatura positivo. 2. El átomo de Ge tiene 32 electrones en órbita. protón y neutrón en la red atómica los electrones y los protones forman los núcleos en tanto que los electrones giran alrededor del núcleo en una orbita fija.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Como sabemos el átomo se compone de tres partículas fundamentales que son el electrón. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.

Fig. como el Antimonio. Magdalena Villar Salvador 9 . hay un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza el cual no esta asociado con algún enlace covalente particular.1 Material tipo N Tanto el material tipo N como el tipo P se forman mediante la adicción de un número predeterminado de átomos de impurezas a una base de Si o Ge.3. Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llaman átomos donadores. 2.2 Material tipo P El material tipo P se forma mediante la impurificación de un cristal puro de Germanio o de silicio con átomos de impureza que tengan tres electrones de Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. El tipo N se crea a través de la introducción de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes). debido a que de manera ideal el número de protones cargados positivamente en los núcleos es todavía igual al número de electrones "libres" cargados negativamente y en órbita en la estructura. 2. Existen dos materiales extrínsecos muy importantes para la fabricación de dispositivos semiconductores el tipo N y el tipo P. El efecto de estas impurezas se muestra en la figura 2. Es importante comprender que. aunque un número importante de portadores "libres" se han creado en el material tipo n.3 Impurezas de antimonio en el Silicio para formar un material tipo N Note que los cuatro enlaces covalentes están aun presentes. Arsénico y Fósforo. éste aún es eléctricamente neutro. 2. sin embargo.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Un material semiconductor que haya sido sujeto de dopado (dopar significa impurificar) se denomina un material extrínseco.3.3.

Galio e Indio. En la figura 2. El material tipo P es eléctricamente neutro. Los elementos que se utilizan con mayor frecuencia para este propósito son el Boro. Fig. La vacancia que resulta se denomina Hueco y se presenta por un pequeño círculo o signo positivo. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Magdalena Villar Salvador 10 . las impurezas añadidas reciben el nombre de átomos aceptores.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l valencia.5. En la figura se muestra que ahora hay un número insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes de la red recién formada.4 se muestra el efecto de uno de estos elementos el Boro sobre una base de Si. 2. Puesto que la vacancia resultante aceptará de inmediato un electrón libre. El efecto de un hueco en la conducción se muestra en la figura 2. entonces se creará un hueco en el enlace covalente que liberó ese electrón.5 Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía cinética para romper el enlace covalente y llena la vacancia creada por un hueco. debido a la ausencia de carga negativa.4 Impurezas de Boro en un en el Si para formar un material tipo P. En efecto hay una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha como se muestra en la figura 2.

2. Por esta razón: En un material tipo n al electrón se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario.6 (a) material tipo P (b) material tipo N Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.4 PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS En el estado intrínseco. En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrón el portador minoritario.6 Fig. El resultado neto.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fig. Magdalena Villar Salvador 11 . es que el número de electrones supera por mucho el número de huecos. por tanto. 2. Las "vacantes" dejadas atrás en la estructura del enlace covalente representan una cantidad muy limitada de huecos. Lo anterior se muestra en la figura 2. el número de electrones libres en Ge o en Si se debe sólo a aquellos electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energía de las fuentes térmicas o luminosas para romper el enlace covalente o a las pocas impurezas que no pudieron eliminarse. el número de huecos no ha cambiado de manera significativa de su nivel intrínseco.5 flujo de electrones contra flujo de huecos 2. En un material tipo n.

el más sencillo de los dispositivos semiconductores.7. En la siguiente sección se encontrará que la "unión" de un solo material tipo n con un material tipo p tendrá por resultado un elemento semiconductor de importancia considerable en los sistemas electrónicos. 2. el átomo que deja adquiere una carga positiva neta: de ahí el signo positivo en la representación de ion donador. El diodo ideal es un dispositivo de 2 terminales que tiene el símbolo y las características que se muestran en la figura 2. el signo negativo aparece en el ion aceptor.7 Diodo ideal símbolo y característica Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.6 (b) es lo inverso que el material tipo N.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l En la figura 2. En la figura 2. pero desempeña un papel muy importante en los sistemas electrónicos. para proporcionar una base comparativa. A parte de los detalles de su construcción y sus características. Por razones análogas. Los materiales tipo n y p representan los bloques de construcción básicos de los dispositivos semiconductores. Fig. Sus características son muy similares a las de un sencillo interruptor.6 se muestran los portadores mayoritarios y minoritarios para los dos tipos de semiconductores. que van desde las más sencillas a las más complejas. se considera el dispositivo ideal. Cuando el quinto electrón de un átomo donador deja a su átomo. Magdalena Villar Salvador 12 .5 DIODO IDEAL El diodo es un dispositivo electrónico. los datos y gráficas muy importantes que se encuentran en las hojas de especificaciones también se estudiaran para asegurar el entendimiento de la terminología empleada y para poner de manifiesto la abundancia de información de la por lo general se dispone y que viene de los fabricantes Antes de examinar la construcción y las características de un dispositivo real. El diodo tiene una amplia variedad de aplicaciones. 2.

Estado de conducción de un diodo ideal Figura 2. Figura 2. Un diodo ideal es un corto circuito para la región directa de conducción (ID≠0) o polarización directa.9 se muestran lo explicado en los párrafos anteriores. El diodo ideal es un circuito abierto en la región que no hay conducción (ID=0) o polarización inversa.8. Magdalena Villar Salvador 13 . Es decir es un dispositivo unidireccional.6 DIODO SEMICONDUCTOR El diodo semiconductor se forma simplemente uniendo los materiales tipo n y tipo p. Como se muestra en la figura 2. De manera ideal. un diodo conducirá corriente en la dirección que define la flecha en el símbolo. y actuará como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en dirección opuesta. por el contrario los voltajes a la derecha (polarización directa) del eje Y son positivos.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l En la figura se puede apreciar que los voltajes a la izquierda (polarización inversa) del eje Y son negativos.10.8 y 2. En síntesis en la figura 2.10 Unión P-N sin polarización Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Fig. Existen técnicas para formar esta unión.9. 2. Estado de no-conducción de un diodo ideal 2.

12 Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.11. Figura 2. Como el diodo es un dispositivo de dos terminales. Por razones similares el numero iones negativos descubiertos se incrementará en el material tipo P. en consecuencia. como se muestra en la figura 2. los electrones y los huecos en la región de la unión se combinan. Si un potencial o voltaje externo se aplica en la unión P-N de manera tal que la terminal positiva este conectada al material tipo N y la terminal negativa la materia tipo P. reduciendo efectivamente el flujo de los mismos a cero. B) Polarización inversa.12 el número de iones positivos descubiertos en la región de vaciamiento del material tipo N aumentará debido al mayor número de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. Esta región de iones positivos y negativos descubiertos se le llama región de agotamiento o de vaciamiento. el flujo neto de la carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es cero. Unión p-n sin polarizar externamente. es un ensanchamiento de la región de vaciamiento.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l En el momento en que son "unidos" los dos materiales. Dicho ensanchamiento de la región de vaciamiento establecerá una barrera demasiado grande como para que los portadores mayoritarios puedan superarla. la aplicación de un voltaje a través de sus terminales permite tres posibilidades: A) Sin polarización (VD = 0V): en ausencia de un voltaje de polarización aplicado. El efecto neto. Magdalena Villar Salvador 14 . debido al agotamiento de portadores en esta región. Como se muestra en la figura 2. dando por resultado una falta de portadores en la región cercana a la unión.

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Fig. 2.12 Unión P-N polarizada inversamente Sin embrago el número de portadores minoritarios que estarán entrando a la región de vaciamiento no cambiará, lo que ocasiona vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud que cuando no se aplica voltaje. La corriente que existe bajo estas condiciones se denomina corriente de saturación inversa y se representa mediante el subíndice S. b) Polarización directa (VD > 0V): Una condición de polarización directa se establece aplicando un voltaje positivo al material tipo P y un voltaje negativo al material tipo N como se indica en la figura 2.13. Es importante notar que el flujo de portadores minoritarios no ha cambiado en magnitud, pero que la reducción del ancho de la región de vaciamiento ha provocado un flujo de portadores mayoritarios intenso a través de la unión. La magnitud del flujo de portadores mayoritarios se incrementará exponencialmente con el aumento de la polarización directa como se indica en la figura 2.14.

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Figura 2.13. Unión p-n con polarización directa

Fig. 2.14 Característica del diodo semiconductor
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2.7 OPERACIÓN Y CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO El la figura 2.15 se ilustran las características de operación de un diodo práctico. Esta curva difiere de la característica ideal de la figura 2.7 en los siguientes puntos: conforme el voltaje en polarización directa aumenta más allá de cero Volts, la corriente no fluye de inmediato. Es necesario un voltaje mínimo, denotado por VT, también llamado voltaje de conducción, para obtener una corriente significativa. Conforme el voltaje tiende a exceder VT la corriente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva característica es grande pero no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensión mínima VT necesaria para obtener una corriente significativa, es aproximadamente 0.7 V para el diodo de Si (a temperatura ambiente) y 0.3 V para los diodos de Ge. La diferencia de para el silicio y el germanio radica en la estructura atómica de los materiales. Para diodos luminiscentes o diodo LED (Ligth Emmited Diodo) de arseniuro de galio, VT es aproximadamente de 1.2 Volts. Estos diodos se estudiaran más adelante Cuando el diodo está polarizado el inversa, existe una pequeña corriente de fuga, está corriente se produce siempre que el voltaje sea inferior al requerido para romper la unión. El voltaje máximo de polarización inversa antes de entrar a la región Zener se denomina Voltaje de pico inverso o VPI. Si una aplicación requiere de un VPI nominal mayor que el de una sola unidad, varios diodos de las mismas características pueden conectarse en serie. Los diodos también se conectan en paralelo para aumentar la corriente. Los diodos de Si tienen, en general, valores nominales de VPI y de corriente más alto e intervalos de temperatura más amplios que los diodos de Ge. El VPI nominal para los diodos de Si puede encontrarse alrededor de los 1000 Volts, en tanto que para los de Ge el valor máximo es cercano a los 400 Volts. El Si puede utilizarse en aplicaciones en las que es posible que la temperatura aumente a cerca de los 200 ºC. (400 ºF), en tanto que el Ge presenta un valor nominal máximo más bajo 100 ºC. El Si presenta desventajas con respecto al Ge, esto es el voltaje de polarización directa al cual el diodo empieza a conducir es del orden de 0.7 V para diodos comerciales de Si y de 0.3 V para los diodos de Ge.

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El potencial Zener experimenta también un cambio de nivel pronunciado.8 EFECTOS DE LA TEMPERATURA La temperatura es un aspecto de suma importancia en el diseño o análisis de los sistemas electrónicos. Afectará prácticamente casi todas las características de cualquier dispositivo semiconductor. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. pero también niveles crecientes de la corriente de saturación a 100 ºC. Magdalena Villar Salvador 18 .15 Curva característica del diodo de Silicio y de Germanio 2. 2.16 Se observan niveles reducidos de caída del voltaje directo.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fig. El cambio en las características de un diodo semiconductor debido a las variaciones de la temperatura por encima o por debajo de la temperatura ambiente (25oC)se muestra en la figura 2.

2. 2. El otro caso es una revisión completa de un dispositivo. se entiende que será igual al siguiente producto. el tiempo de conmutación. la importancia de los datos casi siempre será evidente por si misma. Magdalena Villar Salvador 19 . el nivel de ruido. hay ciertas partes de los datos que casi siempre aparecen en cualquiera de las dos. Esta última solo normalmente se proporciona sólo cuando se solicita en forma específica. en una cuantas paginas una rápida revisión de todos los dispositivos disponibles. La máxima temperatura de operación o del encapsulado. Una es una muy breve descripción de un dispositivo que permitirá.16 Variación de las características del diodo con el cambio de temperatura. incluso gráficas. aplicaciones. como el rango de frecuencia. PDmax = VD ID Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Capacitancia Máxima. es posible que también se proporcionen datos adicionales.) ( a una temperatura especificada) El valor nominal del voltaje inverso (VPI) o bien PRV o VBR donde BR proviene del término “ruptura” (a una temperatura especificada). ellas se señalan a continuación: El máximo voltaje en polarización directa VF (máx. Para la aplicación que se tiene en mente. Sin embargo.9 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DEL DIODO Los datos relativos a los dispositivos semiconductores específicos se proporciona normalmente por el fabricante en dos formas. los niveles de resistencia térmica y los valores pico repetitivo.) (a una temperatura especificada) La máxima corriente e polarización inversa IR (máx. Dependiendo del tipo de diodo que se está considerando.) (a temperatura y corrientes especificadas) La máxima corriente en polarización directa IF (máx. etc.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fig. Si la potencia máxima o el valor nominal de disipación se proporciona también.

Magdalena Villar Salvador 20 . sin que cada variable exceda su valor máximo Tabla 2.1 Característica de algunos diodos de propósito general. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Donde ID y VD son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de operación particular.

Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Magdalena Villar Salvador 21 .17 características eléctricas de los diodos BAY73 y BA123 de alto voltaje. 2.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fig.

18 (en este caso se utiliza el modelo ideal).Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 2. Al proceso de eliminación de la mitad de la señal de entrada para establecer un nivel DC se le llama rectificación de media onda. Cuando un diodo es usado para el proceso de rectificación. La señal aplicada debe ser ahora de por lo menos 0. La red más simple que se examinará con una señal variable en el tiempo aparece en la figura 2. el valor promedio es cero. definido por el periodo T. la cual tendrá un valor promedio de uso particular en el proceso de conversión de AC a DC.7 antes de que el diodo pueda "encender". como en computadoras o sistemas de comunicación. El efecto del uso de un diodo de silicio con VT = 0. Para los niveles de vi menores de 0. y encender el diodo con la polaridad indicada arriba del diodo.7 V se señala en la siguiente figura par región de polarización directa. la diferencia entre v0 y vi se encuentra en un nivel fijo de VT = 0. pero una vez que se comprendan algunos cuantos procedimientos fundamentales. como indica la misma figura.10 APLICACIONES DEL DIODO DE UNIÓN 2.7 V el diodo aún está en estado de circuito abierto y v0 = 0 V. Figura 2.7 V y v0 = vi . Durante el intervalo t = 0 ==> T/2.19 generará una forma de onda vo. Cuando conduce.1 Rectificación de media onda El análisis en torno al diodo se extenderá para incluir funciones que varían con el tiempo como la forma de onda senoidal y la forma de onda cuadrada. el análisis será bastante directo y seguirá un camino común. Magdalena Villar Salvador 22 . El efecto Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. es común que se le llame rectificados. según se indica en la figura.VT.18 Rectificador de media onda A través de un ciclo completo. la polaridad del voltaje aplicado vi es como para establecer "presión" en la dirección que se indica. Sus valores nominales de potencia y corriente son normalmente mucho más altos que los de los diodos que se usan en otras aplicaciones.10. El circuito rectificador de media onda que se muestra en la figura 2. Es claro que el grado de dificultad aumentara.

con su corriente y polaridad indicadas a través de R.19 con sus cuatro diodos en una configuración en forma de puente durante el periodo t = 0 a T/2 la polaridad de la entrada se muestra en la figura 2.21. Rectificador de onda completa para el periodo 0? T/ 2 de voltaje de entrada vi. la cual reduce de manera natural el nivel resultante de voltaje DC. según se muestra en la misma figura.19 Puente rectificador de onda completa. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. El resultado neto es la configuración de la figura 2. puente de diodos El nivel de CD que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se utiliza un proceso que se llama rectificación de onda completa. en tanto que D1 y D4 se hallan en estado "apagado".Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l neto es una reducción en el área arriba del eje. Figura 2.21. Debido a que los diodos son ideales. Trayectoria de conducción para la región positiva de vi. 2.2 Rectificación de onda completa.20.20 para mostrar que D2 y D3 están conduciendo. Figura 2. Magdalena Villar Salvador 23 . La red más familiar para llevar a cabo tal función aparece en la figura 2. el voltaje de carga vo = vi.10. Figura 2.

12 DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS La opto electrónica es la tecnología que combina la electrónica con la óptica. esta energía se disipa en forma de calor. el rompimiento tiene una rodilla muy pronunciada. 2. Estos diodos pueden operar en cualquiera de las tres regiones: directa de fuga y rompimiento. Ejemplos de dispositivos opto electrónicos son los diodos emisores de luz (led). donde aparezca una letra “z”. el fabricante puede producir diodos zener con voltajes de rompimiento que van desde 2 hasta 200V. radian luz. Un diodo zener tiene que estar polarizado inversamente. el diodo zener es la esencia de los reguladores de voltaje. 2. En otras palabras. y los foto diodos. En los diodos ordinarios. es preferible decir que un diodo zener tiene un voltaje de rompimiento de –10V. se trata de un diodo de silicio que se ha diseñado para que opere en la región de rompimiento.11 EL DIODO ZENER Los diodos rectificadores y los diodos para señales pequeñas nunca se emplean intencionalmente en la región de rompimiento. En un led con polarización directa. Por ejemplo. Los signos menos tienen que incluirse en las gráficas por que en ellas se muestran al mismo tiempo los valores para polarización directa e inversa. denota al zener.7 V. En la región de fuga (entre cero y el rompimiento) exhibe solamente una pequeña corriente inversa. excepto que estos llevan unas flechas que salen y simbolizan la luz que irradia. los electrones libres atraviesan la unión y caen en los huecos. ya que esto podría dañarlos. a diferencia de los ordinarios que nunca trabajan en la región de rompimiento. En cualquiera símbolo de diodos. En un diodo zener. En las hojas de datos usualmente se indica el valor de (vz) para un valor particular de la corriente (IET). seguida de un aumento casi vertical en la corriente. el diodo zener comienza a conducir aproximadamente a los 0. Como caen de niveles energéticos altos a niveles energéticos bajos. Llamado a veces diodo de rompimiento. Magdalena Villar Salvador 24 . En la región directa. Pero no es necesario emplear signos menos en otros contextos si su significado es claro sin ellos. Variando el nivel de impurificación de los diodos de silicio.1 DIODOS EMISOR DE LUZ También se simboliza como a los diodos convencionales. igual que un diodo ordinario de silicio. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 2. Un diodo zener es diferente. los diodos zener funcionan mejor en la región de rompimiento. Este emocionante campo incluye muchos dispositivos basados en la acción de una unión (pn. No permita que lo confunda el signo menos. los cuales son circuitos que mantienen el voltaje casi constante sin importar que se presenten grandes variaciones en el voltaje de línea y la resistencia de carga.12.

En tercer lugar. ocupa mucho menos calor. Antes de l951. como un transistor es un dispositivo semiconductor. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Las ventajas del transistor superan las desventajas del tubo del vació. pequeño dispositivo que contiene miles de transistores. el tubo de vacío era el elemento principal empleado para amplificar señales débiles. el tubo de vacío tiene varias desventajas. La señal de radio o televisión recibida por una antena es tan débil que no sirve para excitar un altavoz o un tubo de televisión. 3. En segundo lugar. ocupa demasiado espacio. puede durar indefinidamente. Por esto la señal se debe amplificar hasta que tenga la potencia suficiente necesaria para ser útil. En 1951. incluyendo al circuito integrado (CI). A pesar de que amplificaba muy bien. por lo tanto. En segundo lugar. como es tan pequeño.1 INTRODUCCIÓN La señal de radio o televisión es tan débil que no sirve para excitar un altavoz o un tubo de televisión. Magdalena Villar Salvador 25 . el equipo electrónico puede funcionar a temperaturas más bajas. no tiene filamento calefactor. shockley invento el primer transistor de unión. En tercer lugar. Gracias al transistor se han logrado muchos otros inventos. su vida unos cuantos miles de horas. En cuarto lugar disipa calor que eleva la temperatura interna del cuerpo electrónico. un dispositivo semiconductor capaz de amplificar señales de radio y televisión. consume un apotencia mucho menor. En primer lugar. ya que el filamento se quema al cabo del tiempo. Las computadoras modernas y otros milagros de la electrónica con posibles gracias al CI. Por eso la señal debe amplificar hasta que tenga la potencia suficiente para ser útil. Habilidades por desarrollar en la unidad Aplicar la teoría de los BJT´s por medio del armado de circuitos.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l III TRANSISTORES BIOLARES DE UNIÓN (BJT) Objetivo particular de la unidad Utilizar los BJT´s en circuitos de aplicaciones especifica. En primer lugar posee un filamento interno que consume 1 W o más de potencia.

2 Zonas de deplexión Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. 3. El primero se denomina transistor NPN.1 estructura del transistor Fig. se considera que el dispositivo es unipolar. El emisor y la base forman uno de los diodos. Por esto.2. 3.1. compuesto ya sea de dos capas de material tipo N y una tipo P y una de tipo N. en tanto que el último recibe el nombre de transistor PNP. Si solo uno de los portadores se emplea (electrón hueco).) tiene dos uniones: una entre el emisor y al base y otra entre la base y el colector. Magdalena Villar Salvador 26 .Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 3. un transistor es similar a dos diodos. 3. mientras que el colector y la base forman el otro. La abreviatura BJT (Bipolar Junction Transistor = Transistor de Unión Bipolar) se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales.1 Diodos del emisor y el colector El transistor de la figura (3. El término bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyección en el material polarizado opuestamente.2 CONSTRUCCIÓN DEL TRANSISTOR El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas. Fig.

Fig.3 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR 3. Por otra.3) el emisor esta fuertemente impurificado: su función consiste en emitir o inyectar electrones libres a la base. los electrones tienen un largo tiempo de vida de región de la base eso les da el tiempo necesario para Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Esta es muy delgada y tiene una impurificación muy ligera. y la fuente de la derecha polariza inversamente al diodo colector. 3. Los iones no se muestran pero están presentes en cada región. los electrones libres pueden circular hacia el colector. En la figura (3.1 Electrones del emisor En la figura (3.3) polariza directamente al diodo emisor. El colector se llama así porque colecta o recoge electrones provenientes de la base.3 Transistor polarizado 3. Debido a esto. Por una parte. deja de pasar hacia el colector la mayor parte de electrones inyectados por el emisor.3) se ve un transistor con polarización. ¿Cuál es la trayectoria que sigue la mayor parte de electrones libres? La mayor parte de ellos seguirá el camino hacia el colector ¿por qué? Por dos razones.3.2 Electrones de la base Si VBB es mayor que la barrera de potencial. Estos electrones libres pueden circular en cualquiera de dos direcciones. El nivel de purificación del colector es un valor intermedio entre al fuerte impurificación del emisor y la ligera impurificación del emisor y la ligera impurificación de la base. Magdalena Villar Salvador 27 .Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 3.3. los electrones del emisor entraran a la región de la base como se ve en la figura. la primera es la poca impurificación de la base. circulan hacia la izquierda saliendo por la base y pasando a través de RB hacia la terminal positiva de la fuente. La fuente de la izquierda en la figura (3. El signo menos representa electrones libres.

Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.3. VBB polariza directamente al diodo emisor. Delgada y apenas impurificada base les da casi a todos ellos el tiempo suficiente para difundirse en el colector.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l llegar al colector. Fig.4 Electrones que entran en la base 3. y además la base es angosta. muy pocos electrones pueden recombinarse y escapar por la conexión externa. pueden fluir hacia la izquierda hasta salir de la base y entrar al conductor externo de conexión. más del 95% de los electrones del emisor fluyen hacia el colector. A consecuencia de esto.3 Electrones del colector Casi todos los electrones van hacia el colector (vea la figura siguiente) estando ya en el colector. 3. menos del 5% fluyen hacia la conexión externa de la base. circulan a través del colector y a través de RC hasta que alcanzan la terminal positiva de la tensión de la fuente del colector. Estos electrones circulan al colector a través de RC y hacia la terminal positiva de la frente del voltaje VCC. Magdalena Villar Salvador 28 . Dicho en otras palabras. En la mayor parte de los transistores. ya como electrones de valencia. Esto les da mayores posibilidades de llegar al colector. para fluir fuera de la base hacia el resistor externo. Luego. sienten la atracción del voltaje VCC. Como la purificación de la base es pequeña. La segunda razón es que la base es muy angosta. los electrones libres deben primero recombinarse con los huecos de la base. forzando los electrones del emisor entrar a la base.

La corriente del emisor IE. Como el emisor es la fuente de electrones. Casi todos los electrones del emisor circulan hacia el colector. En la figura hay tres corrientes distintas en el transistor.5 Electrones que entran al colector 3.6 Símbolo del transistor Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. por lo tanto.6 contiene un símbolo de un transistor (a) flujo convencional (b) flujo de electrones. Magdalena Villar Salvador 29 .Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fig. 3. La corriente de la base es muy pequeña comparando con las otras dos.3. su corriente es la mayor de las tres.4 Corriente en un transistor La figura 3. la corriente de la base IB y la corriente del colector IC. Fig.3. la corriente de este es aproximadamente igual a la corriente del emisor.

La primera cuando se conocen los valores de βCC e IB. cuando se conocen los valores de la IC y βCC se puede calcular la IB con: IB = IC / βCC Las tres ecuaciones son importantes en el análisis y el diseño de circuitos con transistores. Magdalena Villar Salvador 30 . Al aplicar a un transistor.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Recuerde las leyes de las corrientes de Kirchhoff. βCC = IC / IB La ecuación de la ganancia se puede reordenar en dos formas equivalentes. la ecuación sugiere de inmediato esta idea: en muy buena aproximación.25 mA Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. la ley de Kirchhoff proporciona esta importante relación entre las tres corrientes del transistor. la ganancia de corriente βCC de un transistor se define como la corriente del colector dividida entre la corriente de la base. Una de las cosas que hacen que el transistor sea útil es que la corriente del colector es mucho mayor que la corriente de la base. Un transistor tiene una corriente de colector de 10 mA y una corriente de base de 40 mA ¿Cuál es la ganancia de corriente del transistor? Solución: βCC = IC / IB = 10 mA / 40 mA= 0. permite calcular la corriente del colector mediante la siguiente ecuación: IC = βCC * IB La segunda. IE = IC + IB Como la corriente de la base mucha menor que la corriente del colector. De hecho. Ejemplo. Estas establecen que la suma de todas las corrientes que entran a un nodo o unión es igual a la suma de todas las corrientes que salen. la corriente del colector es igual a la corriente del emisor.

Un transistor puede operar sin peligro de saturación o en la región activa pero no en la región rompimiento. En esta región el diodo del colector no esta polarizado inversamente.4 TRES REGIONES DE OPERACIÓN La curva de la figura 3. El transistor nunca debe operar en ella. Fig. en la parte ascendente de la curva donde VCE esta entre cero y aproximadamente 1V está mostrada por una inclinación en de la curva. una región activa y una región de rompimiento. En ella el diodo emisor esta polarizado directamente y el diodo colector tiene polarización inversa.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 3.7 Familia de las curvas de salida Primero se tiene la región central. esta es la región de saturación. Otra de las regiones de operación es la región de rompimiento. Finalmente. en la que el valor de VCE puede entrar entre 1-40V aproximadamente. Magdalena Villar Salvador 31 .7 exhibe tres regiones o áreas. ya que en tal caso seria alternante probable su destrucción o bien su degradación. En resumen la curva tiene una región de saturación.3. Además el colector se encuentra juntando o reuniendo casi todos los electrones que el emisor ha enviado a la base por esto los cambios en el voltaje del colector no tienen efecto sobre la corriente del colector. Esta es la región más importante ya que representa la operación normal de un transistor. En aplicaciones en las que el Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Un transistor no esta diseñado para operar en la región de rompimiento. en cada una de las cuales la operación de los transistores es diferente. A esta región se le da el nombre de región activa prácticamente esta región es la parte horizontal de la curva.

Que es lo opuesto a la configuración de base común y de emisor común. Por lo anterior. ó de emisor común y de colector común. Aunque hay muchas maneras posibles de conectar las señales de entrada.2 Configuración de colector común La configuración de colector común se emplea fundamentalmente para propósitos de acoplamiento de impedancia.4. solo hay tres configuraciones útiles de circuitos de transistores para la amplificación de corriente o potencia de base común. Así.3 Circuitos de base común Como se mencionó anteriormente. Magdalena Villar Salvador 32 .1 Configuración de base común La terminología relativa o base común se desprende del hecho de que la base es común a los dos lados de entrada y salida de la configuración. Al circuito de base común también se le conoce como circuito de base a tierra. en las terminales de salida aparece una reproducción amplificada de la misma señal. el elemento de la base del transistor es común tanto al circuito de entrada como al circuito de salida debido a que el circuito de entrada ó emisor-base del transistor tiene baja impedancia (del orden de 1 a 100Ω) y que la salida del transistor. 3. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. 3. 3.4.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l transistor amplifica señales débiles de radio y televisión siempre estará pasando la región activa. En la región activa la unión colector. ya que tiene una elevación de impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. los transistores son amplificadores ideales. pero su ganancia de corriente es inferior a uno. porque cuando se aplica una señal de CA a las terminales de entrada de un transistor. el circuito de base común (ó base a tierra) la señal entra al circuito emisor-base y sale del circuito de colector-base. la base común funciona con la señal de entrada y la de salida en un circuito de base común. En la región de saturación las uniones colector-base y base-emisor están polarizadas inversamente.base esta inversamente polarizada mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada en forma directa en la región de corte se define como aquella región donde la corriente de colector es de cero en la región de corte ambas uniones. de un transistor están inversamente polarizadas. En consecuencia. Este tipo de circuitos proporciona altas ganancias de voltaje. colector-base y base-emisor. ó sea el circuito del colector base tiene una alta impedancia del orden 1000 a 1M Ω la ganancia de voltaje o potencia para la configuración de base común puede ser hasta de 1000.4.

Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l En los transistores reales. dada por: άCC = IC / IE Mediante un sencillo cálculo matemático se obtiene la relación entre βcc y άCC dada por: βcc = άCC / (1 . Un voltaje con subíndices dobles se pueden calcular restando los correspondientes voltajes con un solo subíndice: VCE =VC .άCC) Ejemplo: Determine la βcc y la άCC si el transistor tienen una corriente de base de 50 mA y una corriente en el colector de 3. Sin embargo existe otra relación entre IC e IE dada por βCC siendo esta una ganancia también pero entre el colector y el emisor.4.5 Análisis de la corriente A continuación se indica como calcular la corriente de la base. VE. Por lo tanto las ganancias de corriente de una configuración de base común siempre es menor de 1 ó sea la unidad. VB) se refieren al voltaje de una de las terminales del transistor con respecto a tierra. más o menos entre 97 y 99.4.VE VCB =VC – VB VBE = VB – VE Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. 3.986 3.65mA / 50 ųA = 73 άCC = βcc / (βcc +1) = 73 / 74 = 0. Magdalena Villar Salvador 33 . VCE. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de base para hallar la corriente de la base queda: IB = (VBB – VBE) / RB Por otro lado los voltajes con un solo subíndice (VC.5% la corriente del emisor llega al colector.4 Relación entre βcc y άCC Como se vio en la lección anterior βcc es la ganancia dada por la relación IC / IB.65 mA Solución βcc = IC / IB = 3. Suponga el voltaje en la resistencia de base es igual a la diferencia entre la fuente de voltaje VBB y la tensión de base a emisor VBE hay una resistencia RB. VCB) se refieren a voltaje entre dos terminales del transistor. Los subíndices dobles (VBE.

el lector siempre puede suponer que se trata de un transistor de silicio y emplear la segunda aproximación.3 V y esto da una corriente base de 93 mA. Magdalena Villar Salvador 34 . Así como el resistor de la base tiene un voltaje de diodo de 10 V en su extremo izquierdo y 0.7 volts para VBE estará bien.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Ejemplo: Sea VBB = a 10 V y RB = 100 KΩ. se tiene que entre sus extremos hay un voltaje de 9.7 V en su extremo derecho. esto significa que el valor de 0. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. ¿Cuál es el valor de la corriente de base? A menos que se diga otra cosa.

En la siguiente unidad se estudiaran los transistores de JFET (Transistor de Efecto de campo de Unión) el MOSFET de empobrecimiento y el MOSFET de enriquecimiento. el prefijo bi significa dos. El MOSFET de empobrecimiento se usó inicialmente como interruptor digital. Como los JFET son dispositivos de silicio solo se requiere de 0. 4. electrones y huecos por esta causa se denomina bipolar.2 JFET DE COMPUERTA ÚNICA Debido a que las dos compuertas están siempre conectadas al mismo potencial. Pero hay otras muchas aplicaciones donde el transistor unipolar es el más adecuado. 4. la compuerta es una región p.1 INTRODUCCIÓN El transistor bipolar es la espina dorsal de la electrónica lineal. la compuerta JFET es análoga a la base del transistor bipolar. el dispositivo actúa como si tuviera una sola compuerta. su estructura y su forma de trabajar. Su funcionamiento de basa en dos tipos de cargas. mientras que la fuente y el dren son regiones n. A este hechos se debe su nombre Uni significa uno. un JFET es similar a dos diodos.7 V de polarización directa para tener una corriente significante en cualquiera de los dos diodos. Por esto.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l IV TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) Objetivo particular de la unidad Utilizar los FET´s en circuitos de aplicaciones especifica. El transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar en esta unidad se estudian los tres tipos de transistores de efecto de campo básicos. Habilidades por desarrollar en la unidad Aplicar la teoría de los FET´s por medio del armado de circuitos. Magdalena Villar Salvador 35 . El funcionamiento de un transistor unipolar depende de un solo tipo de cargas que puede ser de electrones o de huecos. Para muchas aplicaciones lineales el transistor bipolar es la mejor selección. elemento calve en los circuitos de las computadoras. La compuerta y la fuente forman uno de los dos diodos y la compuerta y el dren constituyen el otro. Estos dos diodos conducen en igual forma que un diodo de silicio. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Los principales usos de un JFET son como seguidor de fuente de forma similar al seguidor de emisor y como interruptor analógico (un circuito que transmite o bloquea señales alternas). En la figura 4-1(c).

7 V y ambos tienen tres regiones de interés. Magdalena Villar Salvador 36 . ambos tienen dos diodos internos con una barrera de potencial de 0.1 (a) Sección de un JFET (b) JFET de doble puerta (c) JFET de puerta única Obsérvese la semejanza que hay entre un JFET y el transistor bipolar: ambos dispositivos tienen tres terminales de conexión externas.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fig. 4. ANALOGÍA Bipolar Emisor Base Colector JFET Fuente Compuerta Dren Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.

En lugar de una corriente de colector de CD IC.4 CORRIENTE DE COMPUERTA La gran diferencia de ésta: en un transistor bipolar polarizamos en directa el diodo base-emisor.4.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Debido a estas regiones similares. Magdalena Villar Salvador 37 . tiene una corriente de dren de CD ID. o una corriente de compuerta de CD Ib. Las semejanzas anteriores pueden conducir a pensar que se puede sustituir un JFET directamente en un circuito con transistores bipolares ¡No es así! 4. Debido a la polarización inversa sólo una muy pequeña corriente de inversa puede existir en la terminal de conexión de la compuerta como una aproximación. la corriente de compuerta es cero. En lugar de una corriente de CD IB. simbólicamente.3 POLARIZACIÓN DEL FET La figura 4. Ib = 0 Ib = 0 Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. pero. un JFET tiene una corriente de CD IS. pero en un JFET siempre polarizamos en inversa el diodo de compuerta-fuente.2 Polarización normal del JFET 4.2 a presenta la forma normal de polarizar un JFET mire cuidadosamente y nótese que esta es diferente de la manera en que polarizamos un transistor bipolar. en lugar de una corriente de emisor de CD IE. muchas de las ecuaciones del JFET son las ecuaciones del bipolar disfrazadas: Bipolar E B C → → → JFET S (Source) Fuente G (gate) Compuerta D (Drain) Drenaje Por ejemplo. a) Polarización normal del JFET b) Capas de empobrecimiento Fig.

la cantidad de entrada que controla es el voltaje compuerta a fuente VGS. mientras que la corriente de control implica una impedancia de entrada menor. Una de las aplicaciones más importantes del JFET es la fuente seguidora. En un JFET. Un JFET característico tiene una resistencia de entrada de cientos de mega ohms. el voltaje de compuerta puede controlar la corriente a través del canal.) Nótese el área entre las dos capas de empobrecimiento. En la figura 4-2 (a) el voltaje de voltaje de dren es positivo y el voltaje de alimentación de la compuerta es negativo. Por eso.) Las uniones entre cada región P y las regiones n tienen capas de empobrecimiento debido a que los electrones libres se difunden desde las regiones n dentro de las regiones P. ¿Qué indica acerca de su resistencia? Cabe señalar que el dispositivo tiene una resistencia de entrada infinita. Está es la gran ventaja que tiene un JFET sobre un transistor bipolar. cuando los electrones fluyen desde la fuente hacia el dren. el voltaje entre la compuerta y el dren es negativo. los cambios en VGS determinan cuanta corriente puede circular desde la fuente a dren. El voltaje de control va de la mano con una alta impedancia de entrada. el JFET actúa como un dispositivo controlado por voltaje en lugar de ser un dispositivo controlado por corriente. Esto es completamente diferente del transistor bipolar donde la cantidad de entrada es la corriente de base IB.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Si un dispositivo no tiene corriente de entrada. En consecuencia el diodo compuerta-dren está polarizado en inversa. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. IG = 0. Como la compuerta de un JFET está polarizada en inversa en vez de estar polarizado en directa. Como se ve. En otras palabras. si VGS = 2V. la resistencia de entrada es RG = 2V/0 = ∞ La situación real es que IG no es enteramente cero. deben pasar a través del canal estrecho entre las dos capas de empobrecimiento cuánto más el negativo es el voltaje de compuerta. mas estrecho será el canal. 4. Magdalena Villar Salvador 38 . ambos diodos en un JFET están polarizados en inversa durante el funcionamiento normal. Cuánto mas negativo es el voltaje de compuerta. Por ejemplo. Y es la razón de que los JFET son excelentes en aplicaciones donde se requiere una gran impedancia de entrada.5 EFECTO DE CAMPO El término efecto de campo se relaciona con las capas de empobrecimiento alrededor de cada región P como se observa en la figura 4-2 (b. más pequeña será la corriente entre la fuente y el dren. así que la resistencia de entrada no es la del todo infinita. Entonces la recombinación de los electrones libres y huecos crea las capas de empobrecimiento Mostradas por las áreas sombreadas de la figura 4-2 (b. Pero si muy cercana.

7 SÍMBOLO ESQUEMATICO El JFET que hemos estudiado se llama JFET de canal n debido a que el canal entre las capas de empobrecimiento está hecho de semiconductor tipo n. la primera etapa puede ser una fuente seguidora JFET y la segunda etapa puede ser un amplificador bipolar Ec. El voltaje de compuerta controla el ancho de este canal cuanto mas negativo sea el voltaje de compuerta. La figura 4-4 a muestra el símbolo esquemático de un JFET de canal n. por ejemplo. Esto proporciona un amplificador multietapa. mas estrecho será el canal y mas pequeña será la corriente de dren. En otras palabras. Pero un transistor bipolar el mismo cambia en VBE produce una variación en la corriente de salida mucho mayor que 10 mA. Un JFET es menos sensible a cambios en el voltaje de entrada que un transistor bipolar. Magdalena Villar Salvador 39 . todos consideramos a la corriente del dren igual a la corriente de la fuente.6 FUNCIONAMIENTO En el instante en que el voltaje de alimentación del dren se aplica al circuito. Estos electrones libres tienen que pasar a través del canal estrecho entre las capas de empobrecimiento. Por esta razón. ID = IS Ésta es una aproximación sumamente exacta. un diseñador combina un JFET con un transistor bipolar para obtener lo mejor de ambos. la fuente y el dren se conectan a esta línea.99% de los electrones libres que van desde la fuente al dren. El único error es la extremadamente pequeña corriente inversa de la compuerta. Visualice la delgada línea vertical ver Figura 4-3 (b) como el canal n. la compuerta tipo P apunta hacia el canal n.1 V produce una variación en la corriente de dren menor que 10 mA.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 4. los electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el dren. Casi todos los electrones libres que pasan a través del canal fluyen al dren. Para ayudar a memorizarlo. una impedancia de entrada alta y una ganancia de voltaje grande. Eso significa que un amplificador JFET tiene mucha menor ganancia de voltaje que un amplificador bipolar. Por esto. utilice bipolares para ganancia de voltaje alta y emplee JFET para alta impedancia de entrada. En casi cualquier JFET un cambio en VG = 5 de 0. Frecuentemente. Pero hablamos acerca de mas del 99. Como la compuerta es una región P y el canal es una región n. Por esta razón la primera regla de diseño que gobierna los dos dispositivos es esta. 4. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.

Estas capacitancias internas degradan el comportamiento de un circuito con JFET a altas frecuencias.4. 4. Magdalena Villar Salvador 40 . Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.3 Símbolo esquemático del FET de canal n En muchas aplicaciones de baja frecuencia. Un JFET de canal P. es fabricante minimiza la capacitancia interna en el lado del dren del JFET. la fuente y el dren están intercambiados debido a que se puede usar cualquier terminal como la fuente y la otra terminal como el dren. Consiste de un material tipo P con islas difundidas en el material tipo A. Por esta razón.4 (a) Se observa un JFET con polarización normales. se puede etiquetar las terminales o emplear abreviaturas.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fig. la capacitancia entre la compuerta y el dren as mas pequeña que la capacitancia entre la compuerta y la fuente. excepto que la flecha de la compuerta apunta desde el canal hacia la compuerta. casi siempre. La acción de un JFET de canal P es complementaria lo que significa que todos los voltajes y corrientes están invertidos. En este circuito simple. el voltaje de compuerta-fuente VGS es igual al voltaje de alimentación de la compuerta VGG y el voltaje del dren-fuente VDS es igual al voltaje de alimentación del dren VDD.8 CURVAS DEL DREN En la figura 4. esto no se cumple a altas frecuencias. el símbolo del JFET de la figura 4-3 a esta dibujado simétricamente con la flecha apuntando al centro del dispositivo. La hoja de datos indica exactamente las terminales correspondientes. La fuente y el dren de la mayoría de los JFET se puede utilizar como la fuente para bajas frecuencias. Cuando utilice el símbolo simétrico del JFET. El símbolo esquemático de un JFET de canal P es similar al del JFET de canal n. Inciso a. Por esta razón. se prefieren unas terminales de fuente y dren especificas.

4 polarización de JFET 4. Semejante a un transistor bipolar.4. Magdalena Villar Salvador 41 .). lo que garantiza que VDS = 0 Finalmente el inciso c presenta la gráfica correspondiente a la corriente dren ID contra el voltaje de dren-fuente VDS.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fig. En región entre Vp y VDS (máx.9 CORRIENTE DE DREN MÁXIMA La corriente de dren máxima que sale de un JFET ocurre cuando el voltaje de compuerta-fuente es cero como se observa en la figura 4. Si el voltaje de dren es demasiado alto. Entre el estancamiento y el rompimiento. el JFET actúa aproximadamente como una fuente de corriente con un valor de IDSS. Está parte casi horizontal de la curva de dren se localiza entre el voltaje mínimo Vp y el voltaje máximo VDS (máx. El voltaje mínimo Vp se denomina voltaje de estancamiento y el voltaje máximo VDS (máx. El voltaje mínimo Vp se denomina voltaje de estancamiento y el voltaje máximo VDS (máx. La corriente del dren se incrementa rápidamente al principio. un JFET actúa como una fuente de corriente cuando está operando a lo largo de la sección casi horizontal de la curva de dren. Entre el estancamiento y el Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.) se llama voltaje de rompimiento. la corriente de dren es casi constante.5 (b) se puede ver que la fuente de alimentación de la compuerta está reemplazada por un corto circuito.). Nótese la similitud con la corriente del colector. el JFET entra en la región de ruptura tal como se muestra.) se llama voltaje de rompimiento. luego se nivela y se hace casi horizontal.

IDSS representa la corriente desde el dren hacia la fuente con una compuerta en corto e IDSS es la corriente del dren máxima que un JFET más importantes y es el primero que se debe considerar porque proporciona la limitación de corriente en el JFET. el MPF102 tiene una IDSS característica de que indica que la corriente del dren estará entre 0 mA para. La curva inferior especialmente importante. En las hojas de datos. la que sigue para VGS = -2v.5 Características de salida del JFET 4. La curva superior corresponde a un VGS = 0. Dar el valor de uno es equivalente a dar el valor de otro.10 CORTE Y ESTRANGULAMIENTO DE LA COMPUERTA En la figura se muestra un conjunto de curvas de dren para un JFET con una IDSS de 10 mili amperes. Así: VGS(off) = -4v y Vp = 4v Las magnitudes de estos voltajes son siempre iguales. Vale la pena recordarlo ya que muchas hojas de datos indican un solo valor y no los dos. Por ejemplo. y así sucesivamente. 4. Nótese que un VGS = -4v reduce la corriente de dren a casi cero. el JFET actúa aproximadamente como una fuente de corriente con un valor de IDSS. Se hace esto porque se supone que se sabe que los dos voltajes son iguales en magnitud. más pequeña será la corriente de dren. la hoja de datos de MPF102 proporciona VGS(off) = -8 V Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Fig. se Este voltaje se denomina de corte de compuerta-fuente. Como se puede ver cuanto más negativo sea el voltaje de compuerta-fuente. Magdalena Villar Salvador 42 . Por ejemplo. El voltaje de rompimiento es de 30v. La siguiente curva inferior es para VGS = -1v. Este es diferente de un transistor bipolar el cual no tiene un límite superior aparte del valor con el que se quema.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l rompimiento. 4. Por otro lado.11 CURVAS DEL DREN Este voltaje se denomina de corte de compuerta-fuente. En las hojas de datos. se presenta con VGS (off).

actúa como un resistor pequeño con un valor aproximadamente de: Donde: Vp = voltaje de estrangulamiento IDSS = Corriente de dren máxima EJEMPLO Una Hoja de datos especifica los siguientes valores del JFET.Vp Que indica que el voltaje de corte de compuerta-fuente es igual al negativo del voltaje de estrangulamiento. Entonces: VGS(off) = -5v Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.12 REGIÓN OHMICA El voltaje de estrangulamiento es el voltaje donde la curva superior cambia casi vertical a la horizontal. La parte casi vertical de la curva de dren se llama región óhmica y es equivalente a la región de saturación de un transistor bipolar. automáticamente se sabe que: Vp = 8 V El recordatorio formal de cómo el voltaje de corte de compuerta-fuente se relaciona con el voltaje de estrangulamiento es: VGS(off) = . IDSS = 20 mA Y Vp = 5V.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Para el voltaje de corte de compuerta-dren. pero con signo cambiado. 0 < IDSS < mA Cuando el voltaje de compuerta es cero. Puesto que el voltaje de estrangulamiento es 5v. Magdalena Villar Salvador 43 RDS = Vp / IDSS . Es un voltaje muy importante ya que separa las dos regiones principales de funcionamiento del JFET. ¿Cuál es la corriente del dren máxima? ¿Cuál es el voltaje de corte de compuerta-fuente? Para cualquier voltaje de compuerta. Aunque el valor de estrangulamiento no se da. 4. la corriente de dren tiene que estar en esté intervalo. la corriente de dren tiene su valor máximo de ID = 20 mA El voltaje de compuerta-fuente tiene la misma magnitud del voltaje de estrangulamiento. Cuando un JFET funciona en la región óhmica.

la ley cuadrada es otro nombre en lugar de parabólica. La curva de transconductancia de cualquier JFET se basa el funcionamiento del JFET y es la misma para todos los JFET. el nivel de impurezas cambian de un JFET porque tienen una curva de transconductancia que es la gráfica de la siguiente ecuación. el voltaje de corte compuerta-fuente y el voltaje de compuerta. circuitos que utilizan en equipos de comunicaciones. De hecho. La cantidad que multiplica a IDSS en las ecuaciones entonces es el factor k. En general. Esto es la forma algebraica de encontrar la corriente del dren. Al relacionar los valores de ID y VGS se puede dibujar la curva de transconductancia. Por eso los JFET se denominan frecuentemente dispositivos de la ley cuadrada. Magdalena Villar Salvador 44 . Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. es la parte no lineal. rápidamente se calcula la corriente del dren dada la corriente del dren máxima. se puede calcular la corriente de dren una vez dada la corriente máxima. La curva de transconductancia de cualquier JFET tendrá la misma forma sólo que los números serán diferentes. A propósito. Se puede ver a simple vista que la corriente de dren máxima es 10m A y que el voltaje de corte de compuerta-fuente es de –4v. la curva que existe cuando las cantidades son elevadas al cuadrado.VGS)/ VGS (OFF))2 Con la ecuación anterior.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Así la resistencia de CD del JFET en la región óhmica es: RDS = 5v / 20mA = 250 Ω 4.13 CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA La curva de transconductancia de un JFET es una grafica de la corriente de dren contra el voltaje de compuerta. Entre estos puntos extremos. ID =IDSS ((1. Las propiedades de la ley cuadrada de hacen que los JFET aventajan por mucho los transistores bipolares cuando se usan en mezcladoras. en una gráfica. o sea ID contra VGS. la forma de la gráfica es parte de una parábola. Sólo que el tamaño de las regiones de impurificación. que está dado por: K = (1 – VGS / VGS(off) )2 La ecuación también se puede escribir como: ID = K IDSS Si se tiene el valor de K para cualquier circuito. Y ésta es otra gran diferencia entre un transistor bipolar y un JFET.

no había región de rompimiento.14 JFET IDEAL A continuación. se debe asegurar de que el JFET este saturado. que su punto de operación esté en la parte casi vertical de las puntas del dren. esto es lo que sucedería a las curvas de la figura. Magdalena Villar Salvador 45 .11 mA 4. se estudiarán dos aproximaciones de CD. El JFET ideal tiene dos regiones principales de funcionamiento: la región óhmica Fig. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Por esto que se ha incluido la parte casi vertical de las curvas de dren.667)2 K = 0. Calcule la corriente de dren para un voltaje de compuerta-fuente de –1V.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Ejemplo Suponga que un JFET tiene una IDSS = 7 mA y VGS (off) = -3V.445 ID = 0. Así se observan las curvas de dren de un JFET ideal y una línea característica de carga de CD. todas las curvas de dren se sobrepondrían en la región óhmica. Tercero. Ambos se deducen en la forma siguiente: Si un fabricante pudiera producir un JFET ideal.VGS / VGS (off))2 K = ((1.6 Observe las curvas del dren de un JFET ideal y una línea característica de carga de CD. todas las curvas de dren serían horizontales en la región donde el comportamiento es el de una fuente de corriente. Primero. La región óhmica del JFET es sumamente deseable ya que se puede utilizar en todos los tipos de aplicaciones de comunicación analógica. K = (1. El JFET ideal tiene dos regiones principales de funcionamiento: la región óhmica (saturación) y la región de fuente de corriente (activa).445 (7 mA) = 3. Para cualquier JFET. Segundo. 4. Cuando se quiera que un JFET actúe como un resistor.(-1)) /3)2 = (0.

Recuerde que el voltaje de estrangulamiento es aquí la guía. 4. como una fuente de corriente para cualquier voltaje de compuerta. En un segmento del JFET del modelo óhmico. no se tiene suficiente información para analizar el circuito. Este es el modelo de CD que se puede usar cuando el JFET funciona en la región activa. se puede ignorar ya que tiende al infinito. el JFET ya no se comporta como una fuente de corriente de lado de salida. Cuando VDS es mayor que Vp.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Pero cuando es necesario que un JFET actúe como un resistor. el lado de la entrada del JFET tiene una resistencia de entrada de CD RGS Si es necesario podemos calcular su valor al tomar la razón de los valores de VGS e IGS que se dan en la hoja de datos.15 LÍNEA DE CARGA Como se puede ver. 4. el JFET actúa como una fuente de corriente de valor K IDSS. aproximamos un JFET por el modelo de CD – inciso a. Ahí. Dado IDSS e VGS(off) es posible calcular el valor de K para cualquier voltaje de entrada VGS. Pero cuando se desee que el JFET actúe como una fuente de corriente se tiene que asegurar que el punto de operación este en la parte horizontal del punto de dren. el JFET actuará. Para empezar. Sin embargo la mayoría de las veces. ya no es válido cuando el JFET funciona en la parte casi vertical de las curvas de dren.VGS(off) RDS = Vp / IDSS K = (1 – (VGS / VGS(off)))2 ID = K IDSS VP = ID RDS Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Se puede calcular el valor de RDS mediante la razón de Vp e IDS. se necesitan algunas o todas las fórmulas que siguen: VP = . Dependiendo del avance del análisis. se necesitan dos modelos o circuitos equivalentes para describir el funcionamiento de CD Primero. Primero es necesario establecer las ecuaciones que se necesitan. Magdalena Villar Salvador 46 . Sin ellas. se tiene que asegurar que el JFET esté saturado que su punto de operación esté en la parte casi vertical de las curvas de dren. Estas cantidades contribuyen la base.16 CIRCUITOS CON JFET A continuación se verán algunos ejemplos de análisis del JFET. debemos se tienen IDSS y VSG(off). Antes el dren actuaba como una resistencia de valor RDS. Recuerde que el lado de la salida. Puesto que hay dos regiones principales de funcionamiento.

Puesto que al JFET está funcionando en la región óhmica. la suposición acerca a la fuente de corriente es correcta. VDS = VDD – ID RD La fórmula bipolar correspondiente es VCE = VCC – IC RC Siguiendo con los datos del ejemplo anterior. el voltaje de dren-fuente es VDS = 10V – ((10mA)(360Ω)) VDS = 6. El calculo de V DS es idéntico al cálculo de VCE en un transistor bipolar excepto que combinan los subíndices. Como el voltaje de compuerta es nulo. Suponga que el JFET actúa como una fuente de corriente. por ende se tiene un resultado absurdo. Debido a que VDS es mayor que 4V. el voltaje de dren-fuente es VDS = 10V – ((10mA) (3.4 Puesto que VGS(off) = -4V. Así es como se ven los cálculos en una fórmula del JFET.26V ¡Imposible! El voltaje de dren no puede ser negativo. Así. Rohmica = 4V / 10 mA Rohmica = 400 Ω Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.6 KΩ. En consecuencia.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Ejemplo ¿Cuál es el voltaje de dren-fuente cuando VGS nulo? Considere una RD = 360 Ω y VCC = 10V. lo cual significa que el JFET no puede estar funcionando en la región de fuente de corriente. a continuación se debe hacer lo siguiente. que es igual al voltaje de estrangulamiento dividido entre la corriente de dren máxima. Como el voltaje de compuerta es nulo la corriente de dren tiene su valor máximo de 10 mA en consecuencia. el resistor se cambia por uno de 3. Magdalena Villar Salvador 47 . debe estarlo en la región óhmica.6 KΩ)) VDS = . la corriente de dren está en su valor máximo de 10mA. Ahora ¿Cuál es el voltaje de dren-voltaje? Supóngase que el JFET actúa como una fuente de corriente. VGS(off) = Vp = -4V. el voltaje de estancamiento de VP es 4V. Por lo tanto. pues. es necesario calcular el valor de R DS .

812v. Esta concuerda con la suposición original.2V? Como VGS ha cambiado de 0 a -2. el voltaje de dren-fuente es: VDS = VDD – ID RD VDS = 10V – ((2.03mA)(400Ω) V´p = 0. Magdalena Villar Salvador 48 .812V Este voltaje separa la región óhmica y la región activa cuando VGS = -2.2V / 4V))2 K = 0. Primero.03mA) (3. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. es posible que el JFET no funcione ya más en la región óhmica.6KΩ)) VDS = 2. la respuesta final es: VDS = 2.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Y después se resuelve usando la ley de ohm: Por división de voltaje VDS = (Rohmica / (RD + Rohmica)) VCC VDS = (400Ω + (3. el voltaje de estrangulamiento proporcional: V’p = ID RDS V´p = (2.203 (10mA) ID = 2. hay menos corriente de dren.69v es mayor que un V´p de 0.6KΩ + 400Ω)) 10V VDS = 1V Ahora bien ¿Cual es el voltaje de dren-fuente en el ejemplo anterior para VGS = 2.2 v.69V Cuarto.203 Segundo: ID = K IDSS ID = 0. En consecuencia. se obtiene el factor K y la corriente de dren como sigue: K = (1 – (2.2v. el JFET esta funcionando como una fuente de corriente.69V. Suponga que el JFET esta funcionando como una fuente de corriente.03 mA Tercero. Como un V DS de 2. Entonces se resuelve de la siguiente manera.

Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 4. que quiere decir FET de compuerta aislada (en inglés insulated -gate FET).18 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CON COMPUERTA AISLADA. El MOSFET en modo de enriquecimiento es diferente al JFET En la figura se observa un MOSFET en modo empobrecimiento de canal n con una región p. Los IGJFET.17 ESTRANGULAMIENTO PROPORCIONAL El voltaje de estrangulamiento separa la región óhmica de la región activa cuando VGS no es igual a cero. A continuación multiplicamos R DS por la corriente de dren que circula para encontrar el valor de V’p. podemos el voltaje de estrangulamiento proporcional como nuestra guía. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Esta cantidad esta dada por: V’p = ID RDS La forma de emplear esta ecuación es la siguiente. El dióxido de silicio es semejante al vidrio. la corriente de compuerta es extremadamente pequeña. MOSFET en modo empobrecimiento. en ciertos casos. Su símbolo es Vp este voltaje es la frontera entre la región óhmica y la región de fuente de corriente para cualquier valor de VGS . se calcula R DS al dividir Vp entre I DSS . en una combinación de ambos. 4. Una capa delgada de dióxido de silicio (SiO2) se deposita en el lado izquierdo del canal. Consiste de un material n con una región p a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda. Por esto. 4. El MOSFET frecuentemente se llama IGFET. Primero. Los electrones que circulan desde la fuente hacia el dren deben pasar a través del estrecho canal entre la compuerta y la región p. Este valor es la frontera entre las dos regiones de funcionamiento. una compuesta y un dren. este busca aumentar el valor de la impedancia de entrada de un amplificador. Magdalena Villar Salvador 49 . tiene una fuente. Los electrones libres pueden circular desde la fuente hacia el dren a través del material n la región p se denomina sustrato (o cuerpo). sin importar que la compuerta sea positiva o negativa. o MOSFET. opera ya en el modo de incremento o de agotamiento (disminución). Este tipo de transistor (IGFET) (el que a menudo se menciona como transistor de efecto de campo de semiconductor metal-oxido o MOSFET).19 MOSFET EN MODO EMPOBRECIMIENTO El FET de semiconductor de metal-oxido. dispositivo muy semejante al JFET. Sin embargo. y por lo tanto es un aislante. a diferencia de JFET la compuerta esta aislada eléctricamente del canal.

Ya que la compuerta de un MOSFET está aislada eléctricamente del canal. En otras palabras. A igual que en el JFET. el Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. cuando más positivo sea el voltaje de compuerta.7 MOSFET en modo de empobrecimiento con compuerta negativa Cuando el voltaje de compuerta es lo suficientemente negativo. Magdalena Villar Salvador 50 . el funcionamiento de un MOSFET es similar al de JFET cuando VGS es negativo. a) Voltaje de compuerta negativo b) voltaje de compuerta positivo. Las curvas superiores tienen un VGS positivo y las inferiores es para VGS = VGS(OFF). En consecuencia. la compuerta es metálica.20 GRAFICAS La gráfica muestra las curvas de dren característica de un MOSFET de canal n. tenemos un funcionamiento en modo empobrecimiento. la corriente de dren es aproximadamente cero. como sucede con el JFET.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l En un MOSFET. Cuanto más negativo sea el voltaje de compuerta. Nótese que las curvas superiores tienen un MOSFET de canal n. una corriente de compuerta despreciable circula aun cuando el voltaje de compuerta es positivo. 4. 4. se puede aplicar un voltaje positivo de compuerta. Estas curvas de dren presentan nuevamente una región óhmica. A lo largo de esta curva de corte. la corriente de dren se interrumpe. más pequeña será la corriente de dren. La alimentación V DD fuerza a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el dren. La capacidad de utilizar un voltaje de compuerta positivo es lo que distingue el MOSFET en modo de empobrecimiento del JFET. Y VGS mayor que cero proporciona un funcionamiento de modo enriquecimiento. el voltaje de compuerta controla el ancho del canal. En la figura se ve en un MOSFET en modo de empobrecimiento con una compuerta negativa. mayor será la conducción desde la fuente hacia el dren. una región de fuente de corriente y una región de corte. Debido a que la compuerta está aislada del canal. incrementa el número de electrones libres que circulan a través del canal. el diodo de compuerta-fuente y el diodo de compuerta-dren en el JFET se han eliminado en el MOSFET. Cuando VGS está entre VGS(OFF) y cero. Estos electrones circulan por el canal estrecho a la izquierda del sustrato P. Fig.

3 terminales * Tipo empobrecimiento ( depletion). la derecha de la compuerta está en la línea vertical delgada que presenta el canal. 4. 4-9 Otras representaciones del MOSFET. La terminal de conexión del dren sale de la parte superior del canal y la terminal de conexión de la fuente está en la parte inferior. Por ejemplo para el modo de empobrecimiento. Por esta razón algunos MOSFET en modo de empobrecimiento tienen cuatro terminales de conexión externas. El símbolo esquemático del MOSFET de canal P es similar al MOSFET de canal n. Tipo empobrecimiento ( depletion). Magdalena Villar Salvador 51 . se puede aplicar un voltaje al sustrato para obtener un control adicional de la corriente de dren. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. excepto que la flecha apunta hacia fuera. También hay un MOSFET en modo de empobrecimiento de canal P. Fig. Por lo general el fabricante conecta internamente el sustrato a la fuente. tanto en modo de empobrecimiento como de enriquecimiento. Consiste de material P con una región n a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l MOSFET en modo empobrecimiento tiene dos aplicaciones: una fuente de corriente o una resistencia. En algunas aplicaciones.21 SÍMBOLO ESQUEMATICO En la figura se muestran varias formas de simbolizar al MOSFET. característica de un MOSFET 4. Pero la mayoría de las aplicaciones. Estos símbolos se pueden representar con o sin círculo. 3 terminales Fig. el sustrato está conectado a la fuente.8 Curvas de dren. La flecha en el sustrato P apunta hacia el material n.

57V Ahora ¿Cuál es el voltaje de dren-fuente cuando VGS = 1v? Suponga que el MOSFET está funcionando como una fuente de corriente. En consecuencia. Ahora.(10mA)(470Ω) VDS = 4. entonces VDS > Vp. Como el voltaje de compuerta es cero. Magdalena Villar Salvador 52 . la corriente de dren es 10 mA.56) (10 mA) ID = 15.(1/-4)) K = 1. Por lo tanto. Y 4. Se obtiene el factor K y la corriente de dren como sigue: K = (1 – (VGS / VGS(off)))2 K = (1.6 mA Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. el voltaje de dren fuente es. la suposición acerca del comportamiento como fuente de corriente es correcto. VGS = 0 y VCC = 20V ¿Cuál es el voltaje de dren-fuente? El MOSFET actúa como una fuente de corriente.7V Y si el voltaje de estrangulamiento V p es 4V. 4. el voltaje de dren – fuente es: VDS = ID RD VDS = .Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l La acción del MOSFET de canal P es complementaria. ID = K IDSS ID = (1. Como el voltaje de compuerta es cero. si al resistor RD se le agrega uno de 4. la corriente de dren es 10mA (IDSS). La resistencia total en el circuito de dren es la suma de 400.56 Luego.7 KΩ.7 K Ω.22 EJEMPLOS ¿Cuál es el voltaje de dren-fuente cuando VGS es cero? Suponga una RD = 470Ω Suponga que el MOSFET actúa como una fuente de corriente. Observe que el MOSFET actúa como una resistencia de 400. Por división de voltaje: V1 = V((R1 / (R1 + R2 )) VDS = 20V (400Ω / (4.7KΩ + 400Ω)) VDS = 1. lo que significa que todos los voltajes y corrientes están invertidos.

24V Puesto que V DS es mayor que V p . Así cuando voltaje es suficientemente positivo. no existirían las computadoras personales que en la actualidad tienen un uso muy general. El efecto es idéntico al de crear una capa delgada de material tipo n próxima al dióxido de silicio. un dispositivo que ha revolucionado la industria de la electrónica. el sustrato se extiende a lo ancho del dióxido de silicio y ya no se tiene más un canal n entre la fuente y el dren. el MOSFET está funcionando como una fuente de corriente. no tiene un uso muy extenso.23 EL MOSFET EN MODO DE EMPOBRECIMIENTO Aunque el MOSFET en modo de empobrecimiento es muy útil en situaciones especiales.6 mA (400Ω) V´p = 6. pero el sustrato P solo tiene unos cuantos electrones libres producidos térmicamente. Los electrones libres se recombinan con los huecos cercanos al dióxido de silicio. Este segundo tipo de MOSFET ha tenido una importancia enorme en la electrónica digital y en las computadoras. Pero jugó un papel muy importante en la historie debido a que fue parte de la evolución hacia El MOSFET en modo de enriquecimiento.6mA) (470Ω) VDS = 12. Esto es completamente diferente de los dispositivos en modo de empobrecimiento como el JFET o el MOSFET en modo de empobrecimiento. Aparte de estos portadores minoritarios y alguna fuga superficial la corriente entre la fuente y el dren es nula. Sin él. atrae electrones libres dentro de la región P. se calcula el voltaje de estrangulamiento proporcional V´p = ID RDS V´p =15. Cuando la compuerta es lo suficientemente positiva.7 V Tercero. normalmente apagado de Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. En polarización normal. la alimentación V DD trata de forzar los electrones libres desde la fuente hacia el dren. cuando el voltaje de compuerta es nulo. todos los huecos que tocan el dióxido de silicio se llenan y los electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el dren. 4. 4. Cuando existe el dispositivo. Por esta razón el MOSFET el modo de enriquecimiento de está normalmente apagado cuando el voltaje de compuerta es cero.24 IDEA BÁSICA El MOSFET en modo de enriquecimiento de canal n. Magdalena Villar Salvador 53 .Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l El voltaje de dren-fuente es VDS = VDD – ID RD VDS = 20V – ((15. Esta capa conductora se denomina capa de inversión de tipo n.

También en este caso. Una capa de inversión de tipo n conecta la fuente al dren y la corriente de dren es grande.25 GRAFICAS La curva inferior es la curva de VGS(th). se representa como VGS(th) cuando VGS < VGS(th). mientras que los dispositivos en modo de enriquecimiento están normalmente apagados cuando el voltaje de compuerta es cero. La parte casi vertical corresponde a la región óhmica y la parte vertical corresponde casi a la región de fuente de corriente. de un punto dren del umbral. ID(on). la corriente de dren es nula. Cualquier hoja de datos de un MOSFET en modo de enriquecimiento incluirá la corriente.VGS(th))2 Donde K es una constante que depende del MOSFET en particular. Cuando VGS es menor que VGS(th). Los dispositivos en modo de empobrecimiento están normalmente encendidos con el voltaje de compuerta cero. De nuevo la curva es parabólica o de ley cuadrada. El VGS mínimo que crea la capa de inversión de tipo n se llama voltaje de umbral (en inglés threshoid voltaje). El MOSFET en modo de enriquecimiento puede funcionar en cualquiera de estas regiones. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. por esto. mientras que el voltaje. el dispositivo enciende y la corriente del dren se controla por medio del voltaje de compuerta. En otras palabras. Cuando VGS es mayor que VGS(th). y VGS(off). Dependiendo del dispositivo en particular que se use VGS(th) puede variar desde menos de 1 hasta más de 5 V. 4. Los JFET y los MOSFET en modo de empobrecimiento están clasificados como dispositivos en modo de empobrecimiento por que su conductividad depende de la acción de las capas de empobrecimiento. El MOSFET en modo de enriquecimiento esta clasificado como un dispositivo en modo de enriquecimiento por que su conductividad depende de la acción de la capa de inversión de tipo n. En los JFET y los MOSFET en modo de empobrecimiento. El vértice (punto de arranque) de la parabólica esta en VGS(th). los valores de I DSS y VGS(off) son las cantidades claves necesarias para el análisis. puede actuar como una fuente de corriente o como un resistor.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l repente enciende y los electrones libres pueden circular fácilmente desde la fuente hacia el dren. la corriente de dren es aproximadamente es cero. Magdalena Villar Salvador 54 . En los MOSFET el modo de enriquecimiento las cantidades clave ID(on). Ahora es igual a ID = K(VGS . Nótese las partes casi vertical y casi horizontal de las curvas. VGS(th). VGS(on). la ecuación de la parábola es diferente a la anterior.

Por ejemplo. También hay un MOSFET en modo de enriquecimiento de canal p. Si el voltaje de compuerta-fuente es más positivo que + 30v o más negativo que –30v. la delgada capa de aislamiento será destruida. se puede destruir la delgada capa de aislamiento por medio de formes más sutiles.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Es importante resaltar que VGS(on) → VOLTAJE DE ENCENDIDO Estas tres cantidades son los primeros tres datos que se buscan en la hoja de datos. un 2N3796 tiene un VGS(max) especifico de ± 30v.VGS(th)) / (VGS(on) . Magdalena Villar Salvador 55 . Debido a que la capa de aislamiento es tan delgada. Un voltaje de compuerta mayor que el voltaje de umbral crea una capa de inversión de canal tipo n que conecta la fuente con el dren.VGS(th))2 Se puede reacomodar la ecuación en forma más útil. Aparte de la aplicación de un VGS excesivo. La flecha apunta hacia esta capa de inversión. Aun tocar con las manos un MOSFET puede depositar suficiente carga estática que exceda el VGS(max) especifico. los voltajes transitorios causados por latigazos inductivos y otros efectos pueden exceder el voltaje VGS(max) especifico. Al sustituir las cantidades en la ecuación: ID = K(VGS .VGS(th)))2 4.26 SÍMBOLO ESQUEMATICO Cuando VGS = 0. Si se remueve o se inserta un MOSFET en un circuito mientras la potencia esta encendida. Esto destruirá el MOSFET el MOSFET. la cual actúa como un canal n cuando el dispositivo esta conduciendo. un aislante que impide la corriente del dren compuerta para voltajes tanto positivos como negativos. El símbolo esquemático tiene una línea de canal a trazos para indicar esta condición de apagado. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. fácilmente se puede destruir con un voltaje de compuerta-fuente. excepto que la flecha apunta hacia afuera. Se quitan este anillo después de que el MOSFET se conecta a un circuito. Esta es la razón por la que los MOSFET frecuentemente se empaquetan con un anillo metálico alrededor de las terminales de conexión. el MOSFET en modo de enriquecimiento está apagado ya que no hay canal de conducción entre la fuente y el dren. 4. Esta capa de aislamiento se mantiene tan delgada como sea posible para proporcionar a la compuerta más control sobre la corriente de dren. El símbolo esquemático es similar.27 VOLTAJE MÁXIMO DE COMPUERTA-FUENTE Los MOSFET tienen una delgada capa de dióxido de silicio. donde ID = KID(on) K = ((VGS .

El MOSFET en modo de enriquecimiento puede actuar como una fuente de corriente o como un resistor. el diodo zener entra en la región de rompimiento antes de que ocurra un daño a la capa de aislamiento. se usa el símbolo V’K para representar la frontera entre las dos regiones. nunca se les debe conectar o desconectar mientras la potencia esté encendida. En su lugar. línea vertical. es que el MOSFET en modo de La razón de no utilizar V’p enriquecimiento no tiene un voltaje de estrangulamiento donde las capas de empobrecimiento se ajusten. ya que algunos MOSFET son muy caros y se destruyen fácilmente sin la protección del zener. Debido a que interviene un mecanismo físico diferente.28 CIRCUITOS EQUIVALENTES Las curvas del dren teóricas para un MOSFET en modo de enriquecimiento no poseen región de rompimiento. todas las curvas de región óhmica están superpuestas y producen una única. Recuerde esta idea: los dispositivos MOSFET son delicados y se destruyen fácilmente. Magdalena Villar Salvador 56 . Antes de tomar con la mano un dispositivo MOSFET. El precio vale la pena en algunas aplicaciones. Asimismo. Se deben manejar cuidadosamente. todas las curvas de dren son horizontales en la región de fuente de corriente. El dispositivo es un resistor. 4. tienen una capa de inversión. Tercero . Estas curvas de dren ideales son semejantes a las curvas de modo de empobrecimiento excepto para el voltaje de rodillo proporcional V’K. El concepto de la frontera es idéntico a V’p. segundo. El voltaje zener es menor que el VGS(max) especifico. La desventaja de estos diodos zener internos es que reducen la alta resistencia de entrada de los MOSFET. La selección de cual use depende de donde este el punto de operación. En consecuencia. ya que algunas aplicaciones. 4. El proceso para decidir que modelo se usa es el siguiente Calcule V’K Si V DS > V’K use el circuito equivalente de fuente de corriente Si V DS > V’K use el circuito equivalente óhmico Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. El voltaje de rodillo proporcional es el guía cuando V DS es mayor que V’K.29 CURVAS IDEALES DEL DREN Este voltaje es la frontera entre la región óhmica y la región de fuente de corriente en un dispositivo en modo de enriquecimiento ideal. debe descargar el cuerpo tocando el chasis del equipo con el que se esté trabajando.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Muchos MOSFET están protegidos con diodos zener internos en paralelo con la compuerta y la fuente.

4V El Voltaje de rodillo proporcional para R = 1KΩ es: V’K = (1mA)(1KΩ) V’K = 1V Como V DS es mayor que V’K. En consecuencia. Lo que significa que la suposición acerca de la fuente de corriente es equivocada.6KΩ)) VDS = 16. En este caso. ¿Cuál es el voltaje drenfuente cuando VGS es 5 V? Suponga que el MOSFET actúa como una fuente de corriente. Como el voltaje de compuerta es igual al voltaje de encendido. la corriente de dren es 1 mA. En consecuencia el MOSFET no conduce. el voltaje de dren-fuente es VDS = ID RD VDS = 20 – ((1mA)(3. la corriente del dren es 1 mA. se tiene un resultado absurdo. El MOSFET no puede estar funcionando en la región de fuente de corriente. el voltaje de dren-fuente es VDS = ID RD VDS = 20 – ((1mA)(36KΩ)) VDS = -16V ¡IMPOSIBLE! El Voltaje de dren no puede ser negativo. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Magdalena Villar Salvador 57 . Como el voltaje de compuerta es +5 V. El resistor de dren se incrementa a 36 KΩ.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Ejemplo ¿Cual es el voltaje de dren-fuente cuando V DS es cero volts? VCC = 20V El voltaje de compuerta es menor que el voltaje de umbral. Debe estarlo en la región óhmica. Suponga que el MOSFET actúa como una fuente de corriente. la suposición acerca del funcionamiento como fuente de corriente es correcta Ejemplo.6KΩ. la corriente de dren es cero y el voltaje de dren-fuente se eleva al voltaje de alimentación de dren: V DS = 20 V Ejemplo ¿Cuál es el voltaje de dren-fuente cuando VGS = 5 V? Suponga una R = 3. Por consiguiente.

VGS(th)) / (VGS(on) .6KΩ) VDS = 8. Se obtiene el factor K.6KΩ) 19. VDS = 20V – (3.06 mA Voltaje de dren-fuente. VGS(on) = 5V.VGS(th)))2 K = ((3V-1V) / (5V-1V))2 K = 0.25 (1mA) ID = 0.25V Luego ID ID = K ID(on) ID = 0. Factor K K = ((VGS .06mA)(3. se puede calcular el voltaje de dren-fuente utilizando un circuito de división de voltaje: VDS = (20V / (1KΩ + 36KΩ )) (1KΩ ) Ejemplo ¿Cuál es el voltaje de dren-fuente cuando VGS = 3V? Suponga que el MOSFET está funcionando como una fuente de corriente.VGS(th)) / (VGS(on) .06V Luego ID ID = K ID(on) ID = 3.98V El Voltaje de rodilla proporcional es Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Por lo tanto.25mA)(3. Magdalena Villar Salvador 58 .VGS(th)))2 K = ((8V-1V) / (5V-1V))2 K = 3.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l El MOSFET actúa como una resistencia de 1 kΩ .06 (1mA) ID = 3.25mA VDS = 20V – (0. suponga que el MOSFET funciona como una fuente de corriente. Voltaje de dren-fuente. K = ((VGS . VGS(th) = 1V. La resistencia total en el circuito de dren es la suma de N y 36 KΩ.1V Ejemplo Repita el ejemplo anterior para un voltaje de compuerta de 8 V.

Magdalena Villar Salvador 59 . la suposición acerca del funcionamiento como fuente de corriente es correcto.06V Como V DS es mayor que V’K.06mA) (1KΩ) V’K = 3.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l V’K = (3. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.

En aquellos aparatos electrónicos en los que se hace prohibitivo el uso de los acumuladores ó baterías la utilización de una fuente de alimentación es imprescindible. 60Hz. La necesidad de estos circuitos es básica en todos los campos de la electrónica dado que todos los componentes activos (transistores. de acuerdo al parámetro estable de salida en: a) Fuentes de tensión: Aquellas en las que la tensión de salida tiene un valor determinado. Magdalena Villar Salvador 60 . El circuito que convierte este voltaje de CA en un voltaje de CD se denomina fuente de alimentación de CD. etcétera) han de ser polarizados con tensiones de poco valor para realizar la función. así como de los principales parámetros de una fuente alimentación La mayoría de los dispositivos electrónicos requieren voltajes de CD para operar. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Una vez que ya sabemos que es una fuente de alimentación pasemos a clasificarlas. 5. 5.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l V FUENTES DE CD Y OSCILADORES Objetivo particular de la unidad Aplicar los dispositivos electrónicos básicos en circuitos prácticos. Las baterías son útiles en dispositivos de baja potencia o portátiles pero el tiempo de operación esta limitado a menos que se recarguen o reemplacen. La fuente de alimentación disponible más fácil de obtener es el contacto de pared de 110 V de CA. Las fuentes de alimentación se pueden clasificar de diferentes maneras. Habilidades por desarrollar en la unidad Aplicar los dispositivos electrónicos básicos en circuitos prácticos. pudiendo variar el valor de la intensidad absorbida dentro de ciertos límites. que eventualmente será la proporcionada por la red de 127 Volts AC. circuitos integrados.2 DEFINICIÓN Y CLASIFICACIÓN Se entiende por fuente de alimentación al circuito electrónico que tiene por misión la obtención de una tensión continua partiendo de una tensión alterna.1 INTRODUCCIÓN En el siguiente capítulo se realiza un estudio de las partes principales que componen una fuente de alimentación.

. convierten. el rectificador y el filtro. aunque dependiendo de los siguientes factores: 1.1 Diagrama en bloques de una fuente de alimentación simple A continuación se explica brevemente cada uno de estos bloques. rectifican nuevamente y filtran la tensión. De aquí en adelante nos referiremos a las fuentes de tensión. Las fuentes de alimentación se clasifican. e) Fuentes de alimentación regulables: Son aquellas en las que el valor de la tensión de salida es variable a voluntad del usuario (dentro de ciertos márgenes. 2.variación de la tensión de entrada. c) Fuentes de alimentación simples: Son aquellas en las que el valor de la tensión de salida no puede ser variado a voluntad. el procedimiento para conseguirlo es diferente.. según las características de la tensión que proporcionan. siendo fijo. De esta manera podemos hacer otra clasificación: f) Fuentes de alimentación lineales: Son aquellas que transforman. por ser estas las más de uso general.-variación de la temperatura.3 FUENTES DE ALIMENTACIÓN SIMPLES El esquema típico en bloques está compuesto por el transformador. g) Fuentes conmutadas: Son aquellas que rectifican. pudiendo variar el valor de la tensión aplicada dentro de ciertos límites. Magdalena Villar Salvador 61 .variación de la corriente absorbida por la carga. regulan y/o estabilizan. 5.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l b) Fuentes de corriente: Son aquellas en las que el valor de la intensidad absorbida tiene un valor determinado. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. filtran. d) Fuentes de alimentación estabilizadas: Son aquellas en las que la tensión de salida es fijo y constante (dentro de ciertos límites) independientemente de cualquier factor. rectifican. transformar la corriente alterna en continua. El desarrollo de la electrónica ha provocado la aparición de otro tipo de fuentes. 3. que aunque obtiene los mismos resultados. Entrada Transformador Rectificador Filtro Salida Figura 5.

que representan un compromiso entre su peligrosidad y el coste de las instalaciones. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. no se insistirá en este dispositivo por ser suficientemente conocido. El símbolo eléctrico y las fórmulas que relacionan sus tensiones son las siguientes: IS entrada VP IP VS salida / Vp = Ns / N Ip / Is M = Vs5. Debido al alto rendimiento de este tipo de componentes puede decir que toda la potencia suministrada en el primario es transferida al secundario.3.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 5.2 Figura símbolo del p = transformador Siendo M la relación de transformación y N el número de espiras. El transformador presenta. siendo los siguientes los más conocidos. La tensión en bornes del secundario depende de la tensión a que esté sometido el primario y a la relación existente entre el número de espiras de ambos bobinados. Un transformador está compuesto por dos ó más bobinas ó arrollamientos. Por otra parte.3. La potencia y por tanto el tamaño a utilizar está muy relacionado con el tipo de filtro utilizado tras la rectificación. una de las mejores opciones para obtener el aislamiento galvánico entre la salida de la fuente y la red. Magdalena Villar Salvador 62 . Un arrollamiento es conectado a la red (primario) y el otro es conectado al rectificador (secundario). 5. La posibilidad transformar la tensión proveniente a la rectificación es una de las opciones posibles para obtener las tensiones de salida deseadas. Existen varios tipos de rectificadores.1 TRANSFORMADOR La red suministra tensiones comprendidas entre 100 y 400 volts.2 RECTIFICADOR Tiene por misión convertir la corriente alterna en corriente pulsatoria. además. según los países.

1 Rectificador de media onda En esta configuración el diodo sólo conduce en los semiciclos positivos. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. mientras la salida del rectificador esté anulada. Durante el siguiente semiciclo ocurrirá lo contrario.2 Rectificador de doble onda + - Figura 5. Además. Por esta razón este circuito es muy poco utilizado.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l S RL I Figura 5. provocando una mayor ondulación de la tensión de salida.3 Rectificador simple 5. Magdalena Villar Salvador 63 . Por la carga siempre circuitería la corriente en el mismo sentido.3. por lo que no deja pasar la corriente. Esta requiere de un menor filtraje para obtener una tensión continua con escaso nivel de rizado. Este tipo de rectificador supone un derroche de energía. será el filtro el que se encargara de suministrar la tensión. porque solo aprovecha la mitad.3.2.4 Rectificador de doble onda Durante un semiciclo un diodo estará polarizado en directo.2. En los semiciclos negativos el diodo esta polarizado en inversa. El valor eficaz de la tensión de salida es: V max 2 5. mientras que el otro lo estará en inverso.

mientras que los negativos lo hacen D2 y D4. los diodos que conducen son D1 Y D3. La forma de onda a la salida es idéntica a la del rectificador de onda completa.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l El valor de la tensión de salida es: V max 2 Este tipo de rectificador tiene el inconveniente que necesita un transformador con toma intermedia para su funcionamiento. Los valores medio y eficaz de la tensión son los mismos que los del rectificador de doble onda. El montaje con transformador con toma intermedia presenta un mayor rendimiento cuando la tensión es muy baja. El circuito mostrado en la siguiente figura nos muestra los componentes que debemos añadir a un puente completo para que este sea capaz de rectificar en doble onda una tensión negativa. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. habida cuenta que en este montaje solamente se utiliza un diodo en conducción en cada ciclo y no dos como en el puente. Para evitar este defecto utilizamos el rectificador en puente. con lo que la caída directa en la rectificación es doble que en este ultimo tipo. pero existen matices que los diferencia.5 rectificador de onda completa En los semiciclos positivos. 5. Es muy común que diseñemos una fuente de alimentación que suministre una sola tensión positiva y que posteriormente una ampliación en el circuito nos obligue a utilizar tensiones negativas.3.3 Rectificador en puente (rectificador de onda completa) D4 D1 + D3 R D2 _ Figura 5.2. Magdalena Villar Salvador 64 .

6 Rectificador auxiliar de tensión negativa 5. D4 Y C2 nos permiten obtener la rectificación en onda completa. Si la rama positiva se encuentra sin carga R1 toma un valor infinito y la tensión negativa se dispara automáticamente. con lo que disminuiremos el rizado y daremos al circuito una mayor capacidad de suministrar corriente. Combinando un transformador con toma intermedia con un puente rectificador podemos generar el siguiente circuito para generar. al igual que en casos anteriores.2. Esto realiza invirtiendo la polaridad de todos los componentes.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l C1 Red D1 D2 D5 D6 D7 D8 C4 R1 + C2 0 D3 D4 C3 R2 _ Figura 5. Magdalena Villar Salvador 65 . En caso de una aplicación que exija una corriente negativa más importante que la positiva es necesario intercambiar el orden de los componentes.3. El puente rectificador suministra en este caso la tensión negativa y los componentes adicionales la positiva. D2.4 Rectificador auxiliar de tensión negativa Para rectificar media onda solo se utilizan los diodos D1 Y D3 y los condensadores C1 Y C3. tensiones positivas y negativas.7 Rectificador simétrico Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. + 0 _ Figura 5.

3. Todos los tipos de filtros se pueden agrupar en dos grandes grupos de filtros.8 filtro L. sino que modifica sustancialmente el comportamiento del rectificador. evitando así su sobre dimensionamiento. En este caso utilizamos el filtro con entrada por condensador.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 5.3. C. pero en comparación con el filtro de entrada por condensador necesita la incorporación de un componente más. 5.3. Su funcionamiento no perjudica por tanto ni a los diodos ni al transformador.3 FILTRO Tiene por misión transformar la tensión pulsante proveniente del rectificador en una tensión lo más continua posible. Esto afecta el funcionamiento del transformador y al rectificador. en el primer tipo de condensador a la salida del rectificador no solo filtra las componentes alternas introducidas. al contrario que el de por condensador.1 Filtros de entrada por autoinducción En el filtro de entrada por autoinducción. 5. Se utiliza normalmente el de entrada por condensador para potencias bajas y moderadas y el de entrada por autoinducción en potencias altas. no modifica el comportamiento del rectificador. sometiendo a ambos a peores condiciones de trabajo. limitándose a actuar como una rampa para los componentes alternas generadas. reduciendo el tiempo de conducción y teniendo que entregar una tensión rectificada igual a la de pico de la alterna senoidal de la red.3. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Filtros con entrada por condensador y por autoinducción.3. Magdalena Villar Salvador 66 .2 Tipos de filtros L C Figura 5.

9 Filtro con bobina o choque R C Figura 5.12 filtro RLC Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.11 Filtro a condensador R L C Figura 5. Magdalena Villar Salvador 67 .10 Filtro RC C Figura 5.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l L C C1 Figura 5.

Normalmente será de 120 o 220 volts. para un valor de corriente absorbida igual a la corriente nominal y para una temperatura fija. c) Intensidad nominal de salida: Es el valor de la corriente que se puede exigir a la fuente sin que la tensión de salida descienda por debajo de la nominal. salvo en los casos que los condicionamientos económicos tenga prioridad sobre los técnicos. la tensión de salida disminuye de la tensión de vacío a la tensión nominal.7 REGULADORES DE TENSIÓN INTEGRADOS Los circuitos integrados lineales. la tensión varía.4 PARÁMETROS TÍPICOS DE UNA FUENTE DE ALIMENTACIÓN. o bien permiten una tensión variable sin afectar a su funcionamiento ( caso también difícil) Por tanto. 5. se utilizan para regular las tensiones de alimentación. Este hecho provoca que sea poco utilizada. o bien absorben una corriente constante (caso muy difícil). puesto que el desarrollo de los sistemas electrónicos actuales hace completamente imprescindible la estabilización de las tensiones de alimentación. por lo tanto será la más económica.6 FUENTES DE ALIMENTACIÓN REGULABLES a) Definición: Una fuente de alimentación regulable es aquella que nos permite variar su tensión de salida.5 VENTAJAS E INCONVENIENTES DE UNA FUENTE DE ALIMENTACIÓN Este tipo de fuente es más sencilla en cuanto a circuito y número de componentes. 5. expresada por la siguiente relación. Esta variación se mide por una característica llamada regulación. al absorber corriente de su salida. cualquier variación de la tensión de la red afectaría inmediatamente a la tensión de la fuente. en general. Existen dos grandes grupos de reguladores: a) reguladores para tensión fija. a) Tensión de entrada: Es la tensión alterna que se debe aplicar a la fuente. con lo que este tipo de fuente de alimentación se hace muy inestable. Sin embargo. Una fuente será tanto mejor cuanto menor sea su regulación. poco aconsejable. b) Tensión nominal de salida: Es el valor de la tensión continua de salida para un valor de tensión de entrada. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 5. 5. como hemos visto. d) Regulación: Cuando en una fuente se produce una variación de la corriente absorbida en vacío a la corriente nominal. Magdalena Villar Salvador 68 . b) reguladores para tensión variable. lo cual limita su campo de aplicación a aparatos que. b) Fuente regulable simple: Es aquella que su tensión de salida puede variarse pero su regulación es muy grande. e) Rizado: Es el cociente entre el valor pico a pico de componente alterna de la tensión de salida y la tensión nominal de salida. El interés que presentan estos circuitos integrados es grande.

6. 8.8 REGULADORES PARA TENSIÓN FIJA SERIE 78XX Y 79XX El diseño de las fuentes de alimentación mediante los reguladores integrados. como se muestra en la siguiente figura. Voltajes que no están disponibles como reguladores estándar de voltaje fijo de mucha precisión. Pero los reguladores de este tipo sólo están presentes para tensiones de 5. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. 18.1 amperes. Figura 5. y el 79XX para tensiones negativas. y 24 volts. Concretamente en el comercio se disponen de las siguientes tensiones de salida. 12. sin más que utilizar el regulador adecuado. 15. resulta sumamente fácil. Todos ellos son capaces de proporcionar una corriente máxima. En caso de necesitar corrientes superiores a 1 amperes. Aun existe la serie 78LXX y 79LXX capaces de proporcionar corrientes como máximo de 0. De esta forma se inventaron las familias LM 317 y LM 337 de reguladores positivos y negativos ajustables de tres terminales. convenientemente refrigerados. 12. respectivamente. de 1amperes. No obstante con la misma gama de tensiones de salida. y modificar los componentes asociados en función de la tensión de trabajo. cuya única diferencia con la anterior. El regulador de voltaje positivo LM 317 ajustable. Magdalena Villar Salvador 69 . tiene solo tres terminales.13 especificaciones de las terminales de un regulador de voltaje positivo La instalación es sencilla como se muestra en la figura siguiente. disponemos de la serie 78MXX y 79MXX. en principio cabe mencionar que son adaptables a diferentes tensiones de salida.5 ampares. y 15 V.9 REGULADOR DE VOLTAJE POSITIVO AJUSTABLE TERMINALES (LM 317) Y REGULADOR DE VOLTAJE AJUSTABLE DE TRES TERMINALES (LM 337) DE TRES NEGATIVO Se requieren voltajes regulados que sean variables para fuentes de laboratorio.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 5. tanto positivas como negativas: 5. Son excelentes dispositivos con todos los circuitos de protección interna discretos. para tensiones positivas. de la serie 78XX. 5. es su capacidad de corriente máxima que en este caso es de 0. podría utilizarse la serie 78HXX capaz de proporcionar hasta 5 amperes.

2 V a través de R1. Esta corriente de 5mA fluye a través de R2. En términos generales. R1 se conecta entre esas terminales para conducir una corriente de 1. El LM 317 requiere un voltaje mínimo de caída a través de sus terminales de entrada y salida o se saldrá de regulación. Por lo tanto. Sal + LM 317 1.20 a 1.14 configuración de un LM 317 El LM 317 mantiene exactamente 1. V0 esta dado por: V0 = 1. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. la caída de voltaje a trabes de ella.2 V / (5mA) (R2) 5. Si R2 es ajustable.2 V C1 VIN R2 C2 5mA RL Figura 5.2 V /R1 (R1 X R2) Normalmente R1 = 240 Ω. El voltaje de salida del regulador se establece por VR2 mas la caída de 1. Este voltaje se llama VREF y puede variar de circuito a circuito desde 1. Es buena practica conectar capacitores en derivación de 1ųF Como se muestra en la siguiente figura. Esto significa que debe estar aislado eléctricamente de.25 V entre sus terminales de salida y ajuste.30. un gran disipador de calor tal con el chasis de metal de la fuente de alimentación. siempre que no este sujeto a disipación de potencia de mas de 15 W (encapsulado TO-3).Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l ent.2 V / 240 Ω = 5mA. y sujeto a. V2 será igual a R2 X 5mA. él limite superior V0 es de 3 V abajo del voltaje mínimo de entrada desde la fuente no regulada. Una resistencia de 240Ω.5 A. Un a pieza de aluminio de 5 por 5 pulgadas para formar un disipador de calor adecuado.10 CARACTERISTICAS DEL LM 317 El LM 317 proporcionara una salida de corriente regulada hasta de 1. cualquier valor deseado de voltaje regulado de salida se establece mediante el ajuste fino de R2 a un valor determinado por V0 = 1. Magdalena Villar Salvador 70 . Por tanto.

o si se requieren corrientes mayores de 1. el LM 317 también se apaga. Este regulador opera con el mismo principio que el regulador positivo excepto que R1 es una resistencia de 120Ω y el voltaje máximo de entrada sed reduce a 50 V. Cuando se elimina la conducción de sobrecarga. El LM 317 se protege por sí mismo contra sobrecalentamientos. el 317 se apaga. Si el producto de la corriente de salida y el voltaje de entrada a salida excede de 15 a 20 W. Cuando la temperatura de la tableta alcanza 175ºC. El voltaje V0 está dado por la siguiente ecuación: V0 = 1. C2 mejora la repuesta transitoria.25 V / (10mA) R2 Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.2 V C1 C2 R2 RL - 5mA Figura 5. demasiada disipación interna de potencia y demasiada corriente. Cualquier voltaje de rizo del rectificador se reducirá por un factor de mas de 1000 si R2 esta derivado por un capacitor de 1µF o un capacitor electrolítico de 10ųF. 5.8) Si R2 = 120Ω. Todas estas características de protección son posibles por la notable circuiteria interna del LM 317.5 A.15 conexión de capacitores en derivación con un LM 317 C1 miminiza los problemas causados por terminales largas entre el rectificador y el LM 317. Sal LM 317 + Aj 1. Magdalena Villar Salvador 71 . el LM 317 simplemente reasuma la operación.11 REGULADOR DE VOLTAJE NEGATIVO AJUSTABLE Un regulador de voltaje negativo ajustable con tres terminales es el LM 337.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l ent. entonces V0 depende de R2 de acuerdo con la siguiente ecuación: V0 = 1.2 V / (5mA) (R2) (5.

D2 = 1N4002 LM 317 R1 D2 C1 C2 R2 C3 + - Figura 5. Sin embargo. para el caso en que se produzca un corto circuito en la salida del regulador.17 protección externa de un regulador de voltaje (LM317) Todo regulador deberá estar equipado con diodo D1 para protegerlo contra cortos en la entrada. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.16 configuración de un regulador de voltaje negativo 5. Se incorporó C3 para mejorar notablemente el rechazo del voltaje de rizo de AC. En cambio D2 dirige esta corriente hacia el cortocircuito.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l + R2 C2 C1 10 mA AJ LM 337 Ent Sal Figura 5. de lo contrario la capacitancia de carga puede enviar corriente hacia su salida y destruirlo. el capacitor C3 intentará enviar otra vez la corriente hacia la terminal de ajuste. Magdalena Villar Salvador 72 .12 PROTECCION EXTERNA Se acostumbra conectar C1 y C2 a un regulador Como se muestra en la siguiente figura RL - D1 D1.

de alumnos por reporte PRÁCTICA NO.Realice la comprobación de. así como el funcionamiento de los mismos.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Guía de Prácticas Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado Hrs Calificación Grupo No. capacitores y leds. Magdalena Villar Salvador 73 . . . ACTIVIDADES 1. . 4. . . .Identifique las funciones que pueden realizar en común con respecto a la teoría anterior. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.Describa las funciones que pueden realizar los multímetros digitales. 2.Anote todas las medidas de seguridad que se deben de tener en este tipo de instrumentos de medición. MATERIAL Multímetro digital Multímetro analógico Puntas Resistencias. . . 6.Identifique que partes son las que tienen en común con respecto a la teoría anterior. TOMA DE MEDIDAS 1. 1 EL MULTÍMETRO OBJETIVO Conocer las partes que constituyen a los multímetros digital y analógico. por lo menos.Dibuje el multímetro digital visto en esta práctica e iidentifique cada una de sus partes. 2.Dibuje el multímetro analógico visto en esta práctica e identifique cada una de sus partes.Realice la prueba de continuidad de un diodo LED. 5. 3. cinco resistencias diferentes en cuanto a sus valores.

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Magdalena Villar Salvador 74 .Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Componente Valor Continuidad o coincidencia SI NO INVESTIGACIÓN 1. .Describa las funciones que pueden realizar los multímetros analógicos.

Describa las funciones que puede realizar el generador de funciones. Magdalena Villar Salvador 75 de de de de . Dibuje el generador de funciones vista en esta práctica e identifique sus partes. Describa brevemente la forma de uso y puesta en marcha de la fuente alimentación. Mencione los cuidados y precauciones que deben tenerse en una fuente alimentación. de alumnos por reporte Hrs Calificación PRÁCTICA NO. así como el funcionamiento de los mismos. 2 FUENTES DE ALIMENTACIÓN Y GENERADORES DE FUNCIONES OBJETIVO Conocer las partes que constituyen a las fuentes de alimentación y a los generadores de funciones. MATERIAL Fuente de alimentación. Conteste las siguientes cuestiones: ¿Qué se necesita para que se presente una medida de intensidad en la fuente? ¿Con que se puede visualizar la salida del generador de funciones? ¿Cuáles son los elementos básicos que conforman a una fuente de alimentación? ¿Qué funciones realiza el transformador en una fuente de alimentación? ¿Para qué sirven los filtros? Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Generador de funciones. Mencione los cuidados y precauciones que deben tenerse en un generador funciones. Describa brevemente la forma de uso y puesta en marcha del generador funciones. Describa las funciones que puede realizar la fuente de alimentación.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado Grupo No. Puntas ACTIVIDADES Dibuje la fuente de alimentación vista en esta práctica e identifique sus partes.

Magdalena Villar Salvador 76 .Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l INVESTIGACIÓN Investigue la forma en como funciona un generador de funciones. ¿Qué es el rizado? OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ __________________________________________________________________ Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.

4. ¿Cuáles son estas? Conecte el generador de funciones al osciloscopio y estudie: una onda cuadrada. Tipo de lecturas capaces de proporcionar. Puntas ACTIVIDADES Realice un reporte de esta práctica que contenga lo siguiente: Investigar la siguiente teoría de los osciloscopios: 1. Mencione los cuidados y precauciones que deben tenerse en el osciloscopio visto en esta práctica. ¿Es posible obtener rangos y medidas de las señales desplegadas en el osciloscopio? Si es así. VPP. ¿Cómo se puede congelar la señal del osciloscopio? 3. dibujuelo y ejemplifique en los parámetros: VP. Dibújelas juntos con los valores obtenidos. f. T y Vef. Puesta en marcha 5. Precauciones y seguridad Dibuje el osciloscopio visto en esta práctica e identifique sus partes. Investigue lo que es un ciclo. Resuelva las siguientes cuestiones: 1. Funcionamiento interno 3. MATERIAL Osciloscopio Generador de funciones. 3 EL OSCILOSCOPIO Calificación OBJETIVO Conocer las partes que constituyen al osciloscopio y conocer su funcionamiento. Describa las funciones que puede realizar el osciloscopio visto en esta práctica. ¿Es posible manipular la señal leída por el osciloscopio? 2. de alumnos por reporte Hrs PRÁCTICA NO.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado Grupo No. Construcción 2. Describa brevemente la forma de uso y puesta en marcha del osciloscopio visto en esta práctica. Magdalena Villar Salvador 77 . una triangular y una senoidal. Anote sus observaciones y conclusiones Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.

paralelo y mixto con resistencias. Fuente de alimentación. MATERIAL Resistencias de valores varios. Magdalena Villar Salvador 78 .Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado Grupo No. Resistencias variables y potenciómetros. 4 ASOCIACIÓN DE RESISTENCIAS Calificación OBJETIVO Armar circuitos serie. R1 R2 R3 R4 Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Multímetro. Leds TEORÍA El armado del siguiente circuito se hará en dos formas: para el protoboard y para un circuito impreso (CI). de alumnos por reporte Hrs PRÁCTICA NO.

Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Diagrama eléctrico R1 R5 A R2 R3 R4 R6 B Diagrama esquemático R1 R2 R3 R4 R5 R6 Pistas CI ACTIVIDADES Elabore un reporte que contenga lo siguiente: Calcule la resistencia equivalente del circuito Arme en el protoboard el circuito del ejemplo. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Mida con el multímetro la resistencia equivalente del circuito real y compare su resultado con el práctico. Use resistencias de diferentes valores. Anote sus conclusiones y recomendaciones. Arme un circuito diferente al visto en este ejemplo y bosqueje su diagrama en pistas (CI). Magdalena Villar Salvador 79 . Conecte un led a su salida y observe lo que sucede. Arme un circuito usando una resistencia variable o un potenciómetro.

Resistencias de 22 KΩ a 1W y 33 KΩ a 1W. Multímetro. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. funcionamiento y constante de tiempo de un capacitor. Conectar en serie el capacitor de 1000 micro Faradios con la resistencia de 33 KΩ. Fuente de alimentación. R = ____ KΩ. Tiempo Voltaje Intensidad Nota: Realice las medidas para un minuto. de alumnos por reporte Hrs Calificación PRÁCTICA NO. Conectar en serie el capacitor de 2200 micro Faradios con la resistencia de 33 KΩ. 5 CARGA Y DESCARGA DE CONDENSADORES OBJETIVO Observar la carga y descarga de los capacitores. Elabore un reporte que contenga los resultados y la siguiente información: Definición. MATERIAL Capacitores de 1000 y 2200 ųF a 63V.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado Grupo No. constitución. Medir y elaborar una tabla para cada una de las combinaciones anteriores: Capacitor = _____ micro Faradios. Grafique intensidad contra tiempo y voltaje contra tiempo de cada caso. Conclusiones y recomendaciones. Conectar en serie el capacitor de 2200 micro Faradios con la resistencia de 22 KΩ. Magdalena Villar Salvador 80 . ACTIVIDADES Realice lo siguiente: Conectar en serie el capacitor de 1000 micro Faradios con la resistencia de 22 KΩ.

Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado Grupo No. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. B. 6 TRANSFORMADORES OBJETIVO Conocer el comportamiento de un transformador. Los datos que se deben saber de un transformador son: toma media. Osciloscopio Protoboard Dos resistencias de 100 ohms a 9W – propuesto Fuente * Nota importante: Se recomienda que el transformador utilizado para el desarrollo de esta práctica sea el mismo que se utilizará para la fuente que se va a construir. ACTIVIDADES Alimentar el transformador a la corriente de 125 – 220 V. voltaje de salida e intensidad máxima que soporta. no debe tocar las terminales del devanado primario Terminales de un transformador Nota: La figura muestra las terminales A. C del transformador. Magdalena Villar Salvador 81 . no será necesaria la fuente. * Multímetro. MATERIAL Transformador. Nota: en el transformador puede haber tensiones que pudieran ser peligrosas. En caso de que el transformador tenga una clavija para conectarse directamente a la alimentación. de alumnos por reporte Hrs Calificación PRÁCTICA NO. así como su constitución.

Auxíliese de la siguiente tabla para tomar las medidas pedidas Transformador en vacío Medidas con el multímetro: VA -B = ______________ Vef VA -C = ______________ Vef VB -C = ______________ Vef Medidas con el osciloscopio: VA -B = ______________ Vef VA -C = ______________ Vef VB -C = ______________ Vef Transformador en carga con una resistencia de ______ ohms Medidas con el multímetro: Medidas con el osciloscopio: VA -B = ______________ Vef VA -B = ______________ Vef VA -C = ______________ Vef VA -C = ______________ Vef VB -C = ______________ Vef VB -C = ______________ Vef Intensidad en el secundario con una resistencia de ______ ohms I1 = __________________ mA Transformador en carga con dos resistencias de __________________ ohms Medidas con el multímetro: Medidas con el osciloscopio: VA -B = ______________ Vef VA -B = ______________ Vef VA -C = ______________ Vef VA -C = ______________ Vef VB -C = ______________ Vef VB -C = ______________ Vef Intensidad en el secundario con dos resistencias de ______ ohms I2 = __________________ mA Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. usando el multímetro. Alimente de nuevo y usando el multímetro mida la corriente que circula a través del devanado secundario. Desconecte el transformador de la alimentación y conecte una resistencia entre las terminales A y B.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Con el transformador al vacío – sin conectar nada a las terminales del secundario. auxíliese del protoboard. mida la intensidad que circula por el devanado secundario con las dos resistencias en paralelo. Desconecte el transformador de la alimentación y desconecte uno de los extremos de la resistencia. Conecte de nuevo el transformador y repita los pasos 1 y 2. Anote la lectura. Desconecte el transformador de la alimentación y conecte las dos resistencias en paralelo con los puntos A y B. Anote la lectura realizada. conecte el osciloscopio y mida los valores eficaces de tensión entre sus terminales. Anote las lecturas realizadas. Volver a conectar a la red y. Desconecte el transformador de la alimentación y desconecte un extremo de cada resistencia. Repita los pasos 2 y 3. Magdalena Villar Salvador 82 .

Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Elabore un reporte que contenga los resultados y la siguiente información: Definición de un transformador Funcionamiento de un transformador Constitución de un transformador Pérdidas en el de un transformador Tipos de transformadores Relación de transformación Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Magdalena Villar Salvador 83 .

– Antes de desoldar nada observe como están soldados los componentes. Extractor – si es necesario ACTIVIDADES 1. no se preocupe si no le es posible hacer una de esa índole. 2. sino por robots.. – Realice un dibujo a mano alzada de sus pistas. 4. Cautín y soldadura 5. es indispensable que sepa cuál es la función que realiza. – Convierta ese diagrama de pistas en un diagrama eléctrico 4. 2. desuelde una resistencia. también puede auxiliarse del multímetro. 3. Magdalena Villar Salvador 84 . de alumnos por reporte Hrs PRÁCTICA NO. – Por simple inspección intente identificar los componentes que están montados en la tarjeta. – Haciendo uso de un manual identifique los componentes. Manuales para identificar los componentes. 5.Utilizando el cautín. Intente soldarla de nuevo Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Fuente de alimentación – si es necesario. así como a soldar y desoldar a los mismos. 7 Calificación IDENTIFICACIÓN DE COMPONENTES Y SOLDADURA OBJETIVO Conocer los diferentes componentes electrónicos que conforman a los circuitos. Obtenga su valor con el multímetro para ver si no se ha dañado. Nota: Si pretende alimentar el circuito. Tarjeta con componentes – de preferencia de desperdicio.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado Grupo No. MATERIAL 1. En caso contrario no se recomienda alimentarlo porque podría dañarse. 6. Multímetro y puntas 3. Nota: Hay soldaduras que no son hechas por la mano del hombre. 6.

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Nota: a primera instancia no será sencillo obtener un componente en buen estado y sin dañar las pistas, sin embargo la práctica de estos le permitirá mejorar su técnica. 7. – Desuelde más componentes. No olvide cuidar las pistas. 8.- Si llegó a dañar una pista, póngale un alma. REPORTE Elabore un reporte que contenga lo siguiente: • Características de la soldadura de estaño • Características generales de un cautín. • Características de una buena soldadura • Experiencias adquiridas durante esta práctica • ¿Qué habilidades conoce referente a la soldadura blanda? • Conclusiones y recomendaciones.

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Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado

Grupo No. de alumnos por reporte

Hrs PRÁCTICA NO. 8 EL DIODO Y SUS CARACTERÍSTICAS

Calificación

OBJETIVO Conocer y obtener las características del diodo. MATERIAL 7. Un diodo de silicio 1N4001. 8. Una resistencia de 1 KΩ. 9. Fuente variable de 0 a 30V, 2A. 10. Multímetro con rango de medidas: de ųA y mA, mV y V en cc. ACTIVIDADES PRIMERA PARTE - Característica directa Procedimiento: 1. Ajustar la fuente de alimentación a 0 V y mantenerla desconectada. 2. Montar en el protoboard el circuito mostrado en la siguiente figura:

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3. Conectar la fuente de alimentación (F.A.) y leer la indicación en el multímetro. Si no fuese 0 V ajustarla. 4. Leer la indicación del mA; que deberá ser 0 mA, puesto que V = 0. 5. Ajustar la F.A. a 0.1 V; medir los mA y anotar la lectura correspondiente a 0.1 V, y así sucesivamente para llenar la tabla correspondiente. Considere que realizará las mismas mediciones dos veces. 6. Una vez terminada la segunda lectura, calcule los valores promedios. Para construir la curva característica directa se hace lo siguiente: Tome al eje de las X como la tensión y el eje Y como intensidad. Haga esto para cada juego de medidas, es decir; habrán dos curvas, una que pertenece a las primeras mediciones y otra que corresponden al segundo juego de medidas. SEGUNDA PARTE - Característica inversa 1. Ajustar la fuente de alimentación a 0 V y mantenerla desconectada. 2. Montar en el protoboard el circuito mostrado en la siguiente figura:

3. Conectar la fuente de alimentación (F.A.) y leer la indicación en el multímetro.

Si no fuese 0 V ajustarla.
4. Leer la indicación del mA; que deberá ser 0 mA, puesto que V = 0. 5. Ajustar la F.A. a 1 V; medir los mA y anotar la lectura correspondiente a 1 V, y

así sucesivamente para llenar la tabla correspondiente. Considere que realizará las mismas mediciones dos veces. 6. Una vez terminada la segunda lectura, calcule los valores promedios. Para construir la curva característica inversa se sigue el mismo procedimiento que la anterior, la diferencia es que los valores caen en el tercer cuadrante.

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Compare la gráfica obtenida con la curva ideal del diodo ¿qué observa? Conclusiones y recomendaciones. GRAFICAS CARACTERÍSTICAS DEL DIODO Valores obtenidos para la característica directa 1ª medida (mA) 0V 0.2 V 0.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Nota: para la gráfica puede usar papel milimétrico o un software. Magdalena Villar Salvador 88 2ª medida (mA) Medias [(1ª medida + 2ª medida) / 2] 2ª medida (mA) Medias [(1ª medida + 2ª medida) / 2] .8 V Valores obtenidos para la característica inversa 1ª medida (mA) 1V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.4 V 0. REPORTE Elabore un reporte que contenga lo siguiente: • • • • La gráfica y características técnicas del diodo 1N4001. Los resultados obtenidos en esta práctica.6 V 0.3 V 0.7 V 0. por ejemplo matlab. Identifique las diferentes zonas.5 V 0. junto con las gráficas solicitadas.1 V 0.

Un transformador. * 2. 3. Puntas 5. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. voltaje de salida e intensidad máxima que soporta. 4. Un osciloscopio * Nota importante: Se recomienda que el transformador utilizado para el desarrollo de esta práctica sea el mismo que se utilizará para la fuente que se va a construir. Los datos que se deben saber de un transformador son: toma media. 9 RECTIFICADORES Calificación OBJETIVO Construir rectificadores y conocer su comportamiento MATERIAL 1.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado Grupo No. Magdalena Villar Salvador 89 . de alumnos por reporte Hrs PRÁCTICA NO. Multímetro digital. – Armar el circuito mostrado en la figura. ACTIVIDADES PRIMERA PARTE 1. Una resistencia de 1 KΩ.

. SEGUNDA PARTE 1. – Armar el circuito mostrado en la figura. 3. Magdalena Villar Salvador 90 . ya que puede graficar invertida si no se conecta al cátodo de los diodos. – Desconectar el transformador y conectar el osciloscopio y medir las tensiones del transformador. en el caso de los diodos. del diodo y de la resistencia de carga (RL).Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 2. Cuide.Repita los puntos 2 y 3 de la PRIMERA PARTE. del diodo y de la resistencia de carga (RL). Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. 2. – Conectar el transformador y medir las tensiones de salida del transformador. en que puntos se conecta la sonda.

Tabla de medidas con el multímetro Rectificador De Media onda Con toma media D1 D2 D3 D4 RL VCD VED Puente Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. – Armar el circuito mostrado en la figura. Magdalena Villar Salvador 91 . Para resistencia de carga el otro extremo debe estar en el punto donde se unen los dos ánodos de los diodos D1 y D3. 2. que serán iguales a la tensión en los diodos D2 y D1 respectivamente.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l TERCERA PARTE 1.Repita los puntos 2 y 3 de la PRIMERA PARTE. Aquí una de las terminales de la sonda del osciloscopio se colocará en el punto D para medir la tensión de salida del transformador y la de los diodos D3 y D4 ..

INVESTIGACIÓN 1. c) Tensión en los diodos D1 y D4.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Tabla de medidas con el osciloscopio Rectificador De Media onda Con toma media D1 D2 D3 D4 RL VCD VED CUARTA PARTE Puente Realizar las siguientes gráficas. d) Tensión en los diodos D2 y D3. b) Tensión en el diodo c) Tensión en RL Tensiones con el rectificador de toma media a) Tensión VCD. c) Tensión en el diodo D1. . Auxíliese del osciloscopio o del multímetro. d) Tensión en el diodo D2. volts) contra t (tiempo. b) Tensión en RL.¿Cuál de las puntas del osciloscopio es la masa? REPORTE Realice un reporte que contenga lo siguiente: • Resultados y gráficas obtenidas. b) Tensión en RL. Magdalena Villar Salvador 92 . Tensiones con el rectificador de media onda a) Tensión VCD. Tensiones con el rectificador de puente a) Tensión VCD. ms). considere que todas son V (voltaje. • Conclusiones y recomendaciones. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.

7. R2 = 820 Ω.1 V aproximadamente y páguelo. 9. 11.Arme en la tableta el siguiente circuito. 10. Cuatro resistencias: R1 = 12 kΩ. C2 = 100 ųF a 10V.. ACTIVIDADES 1. Dos capacitores: C1 = 10 ųF. Generador de funciones.. 2. MATERIAL 6. 3. 10 TRANSISTORES Calificación OBJETIVO Analizar el comportamiento de un transistor..Ajuste la fuente a 10 V y apáguela. Un osciloscopio de doble canal. Fuente de alimentación. R3 =180Ω.Ajuste el generador de funciones para suministrar 1000 Hz y 0. 8. Un transistor BC108 o equivalente. de alumnos por reporte Hrs PRÁCTICA NO.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado Grupo No. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.8 kΩ. R2 =1. Magdalena Villar Salvador 93 .

Obtenga los datos pedidos en la tabla. 7. Cuide de conectar la masa al negativo.. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. 4. Cuide de conectar la masa al negativo.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l 3.Conecte el canal 2 a la salida del circuito. Tenga mucho cuidado con las polaridades y recuerde que el generador y la fuente deben permanecer apagados. procure que la salida sea una forma de onda senoidal... REPORTE Realice un reporte que contenga lo siguiente: • Resultados.. Tabla de medidas del transistor Forma de onda obtenida con el Entrada osciloscopio Salida Vpp Vef INVESTIGACIÓN 1. Magdalena Villar Salvador 94 . • Conclusiones y recomendaciones... 8.Conecte la fuente de alimentación a las terminales correspondientes del circuito. 6.Conecte las puntas del canal 1 del osciloscopio a la entrada del circuito.Prenda el osciloscopio. 9.Encienda la fuente y el generador. 5.Conectar la salida del generador a las terminales de entrada del circuito. 10. – Busque otro circuito con una aplicación concreta que requieran transistores bipolares..Ajuste el osciloscopio para conseguir una visualización correcta y sin distorsiones..

de alumnos por reporte Hrs PRÁCTICA NO. 4. Una resistencia de 680Ω (R4) 16. Un transistor BDX18 (T’1) – o equivalente. Una resistencia de 18 KΩ (R1). C2 y C3). 11 Calificación MONTAJES BÁSICOS DEL TRANSISTOR OBJETIVO Construir los montajes básicos del transistor. 3. Tres condensadores de 100 ųF (C1. 15. Un transistor BC177 (T’1) – o equivalente. 14.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Fecha No de alumnos por práctica Nombre y firma del profesor Nombre (s) del alumno (s) Tiempo estimado Grupo No. MATERIAL Para la base común: 12. Una resistencia de 18 KΩ (R1). 17. 13. Un transistor BC108 (T1) – o equivalente. 18. 5. Dos condensadores de 47ųF (C1 y C2). Una resistencia de 1 KΩ (R3). Magdalena Villar Salvador 95 . Para el emisor común: 1. Un transistor 2N3055 (T1) – o equivalente. 2. Una resistencia de 10 KΩ (R2). Una resistencia de 8 KΩ (R2). 6. Una resistencia de 1 KΩ (R3). Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.

1. Dos resistencias de 68 KΩ (R1 y R2). 4. 2. Dos condensadores de 47ųF (C1 y C2). Un transistor BC108 (T1) – o equivalente. Generador de funciones capaz de suministrar 100 KHz y de 0 a 2 VPP.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Para el colector común. Armar los circuitos acorde a los diagramas siguientes. Fuente de alimentación que suministre 12V. Montaje para la base común Montaje para el emisor común Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. 3. considere que es son independientes entre sí y que además se deben analizar en ambos casos NPN yPNP. Magdalena Villar Salvador 96 . 5. Osciloscopio de doble canal. Una resistencia de 2 KΩ (R3). Instrumentos necesarios: 1. Multímetro digital. Un transistor BC177 (T’1) – o equivalente. ACTIVIDADES 1. 3. 2. 4.

aumentar progresivamente la amplitud hasta que en el osciloscopio se observe una señal de salida con máxima amplitud sin distorsión. REPORTE Realice un reporte que contenga lo siguiente: • Resultados y gráficas obtenidas. desconecte del circuito todos los instrumentos para analizar el mismo circuito pero con un transistor PNP. Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. conectando este a la fuente de alimentación. 4. Nota: No olvide conectar las masas del osciloscopio al negativo. tanto NPN como para PNP. para el circuito emisor común. Repetir todo el proceso del punto 5 al 8. Nota: No olvide llenar las tablas con las medidas y visualizaciones pedidas. para el circuito colector común. Situé el control de amplitud del generador en cero. Alimentar el circuito. 8. sin embargo para efector teóricos se tomará como lo expuesto anteriormente. 5. sin conectar ningún circuito. Nota: En realidad se puede empezar el análisis con el cualquier circuito. ajustarla para suministrar 10 o 12 V. cuide de que montaje se trata y de si NPN o PNP. 6. 3. Una vez realizado lo anterior. Inicie el análisis con el circuito base común. Magdalena Villar Salvador 97 . 11. Conecte el osciloscopio de manera que este pueda realizar el análisis. Conecte el canal 1 a la entrada del circuito. 7. • Conclusiones y recomendaciones. Repetir todo el proceso del punto 5 al 8. 9. 10. Nota: No olvide cambiar la polarización del los capacitores C1 y C2. Conectar la fuente de alimentación y. tanto NPN como para PNP. Ajustar el generador de funciones a 1000 Hz.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Montaje para el colector común 2. y la entrada del canal 2 a la salida del mismo. Conecte la salida del generador a la entrada del circuito a analizar.

Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l TABLAS Análisis del montaje Base Común con un transistor NPN Entrada Vef medida multímetro: Vpp medida con el osciloscopio: Forma de onda: Intensidad de base sin señal de entrada: Intensidad del colector sin señal de entrada: Intensidad de base con señal de entrada: Intensidad del colector con señal de entrada: Análisis del montaje Base Común con un transistor PNP Entrada Vef medida multímetro: Vpp medida con el osciloscopio: Forma de onda: Intensidad de base sin señal de entrada: Intensidad del colector sin señal de entrada: Intensidad de base con señal de entrada: Intensidad del colector con señal de entrada: Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Magdalena Villar Salvador 98 Salida con el Salida con el .

Magdalena Villar Salvador 99 .Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Análisis del montaje Emisor Común con un transistor NPN Entrada Vef medida multímetro: Vpp medida con el osciloscopio: Forma de onda: Intensidad de base sin señal de entrada: Intensidad del colector sin señal de entrada: Intensidad de base con señal de entrada: Intensidad del colector con señal de entrada: con el Salida Análisis del montaje Emisor Común con un transistor PNP Entrada Vef medida multímetro: Vpp medida con el osciloscopio: Forma de onda: Intensidad de base sin señal de entrada: Intensidad del colector sin señal de entrada: Intensidad de base con señal de entrada: Intensidad del colector con señal de entrada: con el Salida Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing.

Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Análisis del montaje Base Colector con un transistor NPN Entrada Vef medida multímetro: Vpp medida con el osciloscopio: Forma de onda: Intensidad de base sin señal de entrada: Intensidad del colector sin señal de entrada: Intensidad de base con señal de entrada: Intensidad del colector con señal de entrada: con el Salida Análisis del montaje Colector Común con un transistor PNP Entrada Vef medida multímetro: Vpp medida con el osciloscopio: Forma de onda: Intensidad de base sin señal de entrada: Intensidad del colector sin señal de entrada: Intensidad de base con señal de entrada: Intensidad del colector con señal de entrada: con el Salida Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Magdalena Villar Salvador 100 .

I Secc. Sedra/Smith. Electrónica Teoría De Circuitos. Circuitos Microelectrónicos. Editorial. Sistemas Electrónicos De Potencia. Varios Motorola Bipolar Power Transistor Data. Velasco/Oriol/Otero.Universidad Tecnológica de Puebla Electrónica l Bibliografía 1. editorial OXFORD UNIVERSITY PRESS 2.. S. Editorial Motorola Inc 7. Editorialmotorola Inc. Rashid Muhammad H. Boylestad/Nashelsky. Electrónica De Potencia. Magdalena Villar Salvador 101 . Paraninfo 5. S. Prentice Hall Hispanoamericana. Editorial Mcgraw-Hill Carrera de Electricidad y Electrónica Industrial Ing. Wobschall D Circuit Design For Electronic Instrumentation. 6.A 4. 3. 3.A. Editorial Prentice Hall Hispanoamericana. Varios Motorola Linear/Interface Ics Vol..