LABOTORIO DE ELECTRONICA II

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA UNIDAD ZACATENCO

INGENIERÍA EN CONTROL Y AUTOMATIZACIÓN BECERRIL ORTEGA LUIS OJEDA ROSETTE GIOVANNY JAIR RAMÍREZ GODINEZ NADIA GUADALUPE 6AM1

“PRACTICA 2”

ELECTRONICA II

PROF.:

MEJIA

GARCIA

ADRIAN

ESTEBAN

1. símbolos y circuitos equivalente se muestran en la figura 2. puerta. y el tercero para el disparo denominado G. dos de ellos para utilizar como un interruptor normal. asentando los principios básicos para la conversión de energía. tales como los transistores de unión bipolar(BJT). El terminal T1o H1 o E1 o 1 es el terminal más próximo a la puerta.LABOTORIO DE ELECTRONICA II Practica II. pero posee una puerta para controlar la tensión de disparo tanto en el semiciclo positivo como en el semiciclo negativo. .utilizando los elementos apropiados para su activación. Funcionamiento de dispositivos semiconductores Objetivo Realizar los circuitos básicos de los dispositivos semiconductores de potencia más comunes.Es similar al DIAC. Transistor de Efecto de Campo Oxido Metalico(MOSFET) y Triodo para Alternativo de Corriente(TRIAC). Constante de tres terminales o electrodos. denominados T1 Y T2 o H1 y H2 o E1 y E2 o 1 y 2 respectivamente.Su estructura.La capsula va unidad a la pata 2. Información preliminar El TRIAC es un componente semiconductor de la familia PNPN.

LABOTORIO DE ELECTRONICA II ELTRIAC Curva característica Se puede observar en la figura 2. velocidad de motores. es un conmutador muy rápido que ha demostrado ser muy fiable en aplicaciones de alta frecuencia (arriba de 1 Mhz) y baja potencia (hasta algunos kilowatts). Terminal 2 negativa respecto a 1 y puerta positiva. se dispara en el cuadrante 1.2. se dispara en el cuadrante 3. Los triacs están diseñados para permitir el paso de la corriente en los dos sentidos de una manera controlada sin producir rectificado por los que son muy indicados en la regulación o control de la corriente alterna (iluminación.El flujo de corriente es de Dren a Fuente.2 Curva característica del TRIAC Las posibilidades de disparo del TRIAC son: a) b) c) d) Terminal 2 positiva respecto a 1 y puerta positiva.Las 3 terminales son llamadas Dren (D).SIMMOS(Siemens) y TIMOS(Motorola). por lo tanto es de esperar que pueda funcionar tanto en el primer como en el tercer cuadrante. se dispara en el cuadrante 3. Figura 2.3a. El dispositivo no tiene . El transistor MOSFET El transistor MOSFET (Transistor de Efecto de Semiconductor Oxido Silicio). El símbolo de un MOSFET se muestra en la figura 2. Terminal 2 negativa respecto a 1 y puerta negativa. que el TRIAC se comporta como dos tiristores en anti paralelo. Terminal 2 positiva respecto a 1 y puerta negativa.). se dispara en el cuadrante 1. Fuente(S) y Compuerta (G). de potencia.También se les conoce con otros nombres: HEXFET (International Rectifier). de temperatura de hornos eléctricos. etc.

el elemento conducirá como un diodo. Se dice que se a disparado.Pero si se aplica un pulso. independientemente de la polaridad aplicada a las terminales 1 y 2. la puerta pierde control del triac. Esta tensión de disparo se puede reducir mediante la aplicación a la puerta de un pequeño impulso o disparo. A partir de ese punto si se aumenta la tensión. El transistor MOSFET tiene un coeficiente de temperatura positivo de la resistencia y la posibilidad de un corte o punto de ruptura secundario es casi nulo. Si se aumenta la tensión el valor llamada tension de disparo.LABOTORIO DE ELECTRONICA II capacidad de revertir el bloque por tensión.Al ir aumentando la tensión entre las terminales. alrededor de un volt. el triac se dispara y pasa al estado de conducción con una menor tensión y esta será menor si la tensión aplicada a la puerta es mayor.Una vez disparado. . la única corriente que aparece es la inversa del diodo que ene se momento se encuentra polarizado inversamente. de pequeño valor (del orden de 1 a 2 volts en la mayoría de los triacs). aumenta la corriente. a la puerta. En el primer cuadrante aparece dibujada la característica tensión-corriente cuando la tensión aplicada a las terminales 1 y 2 es positiva (1 positivo con respecto a 2).En el tercer cuadrante la tensión entre 1 y 2 es negativa (1 negativo respecto al terminal 2). a menos que este sobrepase el límite de tensión de cebado (método no recomendado). llamada tensión de mantenimiento o de entretenimiento al que corresponde una corriente llamada corriente de mantenimiento. positivo negativo. Funcionamiento Sin aplicar tensión a la puerta el triac permanece bloqueado cualquiera que se la tensión aplicada entre las terminales 1 y 2. así como su valor. de conmutación o de ruptura. por lo que esta solo sirve para producir el disparo con una menor tensión . por lo que su aumento con la tensión es pequeño. es por eso que siempre se le conecta un rectificador que revierta el bloque. En ese momento la tensión cae a unos valores muy bajos.

El area de operación segura del MOSFET se muestra en la figura 2.4. Las únicas cargas que deben moverse son aquellas de las capacitancias de fuga y las capacitancias de la capa de deplexión. que es válido cuando el MOSFET se encuentra en la región activa o de corte. Los MOSFET son intrínsecamente mas rápidos que los dispositivos bipolares porque no tienen portadores minoritarios en exceso que deben moverse dentro o fuera del dispositivo para su activación o desactivación. y voltaje limite (cd). . Las características de comunicación de los MOSFET son similares a los BJT. evitando así la creación de puntos locales calientes. fuerza a las concentraciones locales de corriente a distribuirse sobre el área. pueden omitirse en el circuito equivalente porque esta no afecta ninguna de las características de conmutación o formas de onda. Estas capacitancias pueden representarse por el circuito equivalente de la figura 4ª. Esta restringida a tres limites: limite de corriente (ab). Las capacitancias de Dren a Fuente mostrada en la fugura 2. que se muestran en la figura 2. El AOS (Área de operación segura) puede ser aumentado por la operación pulso del dispositivo.LABOTORIO DE ELECTRONICA II Si se produce calentamiento. el coeficiente de temperatura positivo a la resistencia. la activación y desactivación de un MOSFET es muy rápida. limite de disipación de potencia (bc). Sin embargo.4b. Debido a esto el MOSFET puede cambiar bajo condiciones de alta tensión de descarga durante la desactivación. ya que se da en menos de 50 ns.3b.

aunque es parte de una cuerva exponencial discontinua. Para simplificar la explicación se asume que el comportamiento del diodo es ideal a una corriente de recuperación de cero. Más alla de . La carga inductiva es representada por una fuente de corriente constante Io en paralelo con un diodo como se muestra en la figura 2. La puerta es manejada por una fuente de voltaje ideal que se supone que es una tensión que pasa entre cero y en serie con una resistencia externa . que tiene una constante de tiempo ‫( =ז‬ + ).5. mostrada en la figura 6. que es el voltaje puertafuente de la curva de transferencia necesario para mantener = .LABOTORIO DE ELECTRONICA II Formas de onda El comportamiento de un MOSET incorporado en un convertidor CD-CD. Las formas de onda del encendido se muestran en la figura 6. pero aun se encuentra en la región activa. que es muy por encima del valor Durante la activación del tiempo de retardo el voltaje de se levanta de cero a debido al flujo de corrientes a través de un y . y la corriente del drenadorempieza a aumentar. como se muestra en la figura 2. El tiempo requerido para que pase de cero a es el tiempo de aumento de tri. La corriente de puerta viene dada por: . el voltaje puerta-fuente se convierte temporalmente en . El voltaje del drenador-fuente se mantienen mientras ID<I0 y el diodo Dfesta conduciendo.6. El MOSFET es remplazado por un circuito equivalente en la región activa. donde la puerta maneja los cambios de voltaje en una función escalón en t=0 de cero a . continua aumentando como antes. Una vez que el MOSFET ha llegado a la corriente total de carga. un circuito comúnmente encontrado en electrónica de potencia será examinado. La tasa de aumento de VGS en esta región es casílieneal.

el voltaje puerta. Las tres terminales del dispositivo son llamadas emisor (E).LABOTORIO DE ELECTRONICA II La disminución de ocurre en dos distintos intervalos. Este tipo de transistor es conocido como de unión bipolar (BJT).fuente se desbloque y continua creciendo a . Esta parte de crecimiento ocurre con un tiempo constante de y simultáneamente la corriente de puerta decae a cero con el mismo tiempo constante que se muestra en la figura 6. base (B) y colector (C). Una vez que la tensión drenfuente ha completado su caída al estado activo. y .7. . El colector y el emisor son conectados al circuito principal de potencia y la base es conectada a una señal de control. El transistor BJT Un transistor es un dispositivo semiconductor de 3 capas (PNP o NPN). La estructura y símbolo de un transistor NPN se muestra en la figura 2.

por lo tanto muy delicados. . Por los transistores de potencia. Los transistores con niveles de voltaje y de corriente altos son conocidos como transistores de potencia. si la base se excita demasiado. los transistores pueden operar también en modo de conmutación. Ellos fallan en condiciones de voltaje y corrientes elevados. es decir. si la corriente de la base IB es suficientemente grande como para llevar al transistor a saturación. el transistor está en un estado desactivado y se comporta como un circuito abierto. Si la corriente de la base es cero (IB). Los transistores de potencia se activan y desactivan más rápido que los tiristores. Por otro lado.LABOTORIO DE ELECTRONICA II Como los tiristores. La ganancia de corriente (IC/IB) de un transistor de potencia puede estar alrededor de 10. aunque esta es más grande que la de un transistor GTO. Estos se activan en menos de 1µs y se desactivan en menos de 2µs. en aplicaciones donde se requiere una alta frecuencia. entonces. Estos dispositivos son. Por ejemplo una corriente de base de 10 amperes tal vez sea requerida para una corriente de colector de 100 amperes. La ganancia puede ser obtenida de un Darlinngton. Este tipo de operación se ilustra en la figura 2. el transistor se comporta como un interruptor cerrado.7c. pueden ser usados.

decrece como el voltaje de colector emisor aumenta. . los picos de VCE y IC ocurren simultáneamente y esto puede provocar una mala distribución secundaria. La corriente del colector por lo tanto. La figura 8 muestra el efecto que tiene el capacitor del circuito amortiguador en las características de desactivación. VCE primero sube y cuando alcanza el valor de la tensión de alimentación de corriente directa.8 muestra los efectos de un circuito amortiguador en las características de desactivación de un transistor de potencia. la corriente del colector es liberada del capacitor. un punto caliente se forma y el dispositivo falla por disipación de calor. evitando el disparo simultáneo de voltaje y la corriente pico. el voltaje que pasa por el dispositivo. Se observa que en estas formas de onda idealizadas. La disipación de potencia (P) durante el intervalo de desactivación se muestra en la figura 8 para la línea donde se tocan.LABOTORIO DE ELECTRONICA II BJT con carga RL Si un gran voltaje y una gran corriente ocurren simultáneamente durante la desactivación. La figura 2. la corriente del colector cae. Circuitos amortiguadores son usados con transistores de potencia para evitar el disparo simultáneo de la tensión pico y de la corriente pico. Si se usa un circuito amortiguador y la corriente de base para desactivar el transistor es desactivada. Si no se está utilizando un circuito amortiguador y la corriente de base se elimina para desactivar el transistor. este fenómeno se conoce como límite secundario de corte.

Realizar el circuito mostrado en la figura 2.1µF  1 Diac a 30 V  1 Triac BTA08-600BW  2 Resistencias de 15 K  4 Diodos 1N4004  1 Transistor TIP31  1 Transistor IRF510  1 Optoacoplador 4N25  1 Osciloscopio  1 Multímetro  1 Fuente de alimentación  2 Cables de alimentación  1 Foco con socket Desarrollo Práctico 1.9.3 K..1µF. con R1= 3.LABOTORIO DE ELECTRONICA II Desarrollo Experimental Material y Equipo  1 Resistencia de 3. .3 K  1 Potenciómetro de 250 K  1 Capacitor de 0. R2=250 K y C =0.

. Conecte la punta positiva del osciloscopio en el nodo que se forma de la resistencia de 3. y este se encuentre funcionando (lámpara encendida).9.LABOTORIO DE ELECTRONICA II Circuito Físico Una vez conectado el circuito mostrado en la figura 2. La forma de onda que se obtenga debe ser similar a la que se muestra en la figura 2. y la otra punta a tierra del circuito.3 K y el foco.10.

LABOTORIO DE ELECTRONICA II Graficas resultantes al variar el potenciómetro. .

LABOTORIO DE ELECTRONICA II 2. Con el circuito de la figura 2. realizar con los valores obtenidos una grafica de IG contra VG.709 0.610 0.752 . Los valores de los elementos son los mismos del ejercicio anterior mientras que R3=100 Ω.00380 0.739 0. realizar el circuito mostrado en la figura 2.11.00326 0. registrando 10 valores mientras se está moviendo poco a poco.00600 0.00211 VG (volts) 0.00223 0.590 0.752 0. IG (Amperes) 0. variar el potenciómetro de extremo a extremo.752 0. Una vez obtenidas las señales.00362 0.00220 0.00490 0.00600 0.728 0.11.00286 0.683 0.712 0.

001 0.002 0. calcular la potencia disipada en la carga utilizando la siguiente ecuación: (2) .5 VG (volts) 0.1 127. Conectar el multimetro de la carga para medir voltaje.6 127.4 0. que sean tomados desde que el foco está apagado hasta que se encuentre totalmente encendido.005 0.004 0.003 0.9 Ω Para cada uno de los valores de los voltajes medidos.006 0.3 0.1 0 0 0.2 0. Rotar el eje del potenciómetro y registrar 5 valores diferentes.6 0.7 0.LABOTORIO DE ELECTRONICA II 0. R carga = 21.7 128 Desconectar de la fuente de alimentación de CA el circuito y medir la resistencia de la carga.8 0. Tensión de carga (volts) 127 127.007 IG (Amperes) 3.

4 120 20. encontrar el voltaje del capacitor El voltaje del capacitor será de 1. √ (3) 1.45 744.9 21.9 Potencia activa(watts) 736.9 21.97 Con la grafica de la figura 2.12 En cada uno de las tensiones registradas. Calcular las constantes de tiempo utilizando la ecuación (4).12 y las constantes calculadas.7 128 Resistencia de carga(ohms) 21.1 127.92 50 20.9 21.62 748. Calcular este ángulo con la ecuación (3). Utilizando 5 valores de para R2 que se encuentra en un rango entre 0 y 20Ω.6 127.1 100 20.9 21. (4) resistencia R2 (ohms) (mS) 20 19. se presento una variación en el ángulo de disparo.42 volts .48 737.64 743.52 195 20.LABOTORIO DE ELECTRONICA II Tensión de carga(volts) 127 127.

Realiza el circuito de la figura 2.13.LABOTORIO DE ELECTRONICA II 4. 6. realice una grafica de ID contra VD.14 Variando el ancho de pulso registre 10 valores para la corriente y el voltaje. 5. Realizar el circuito de la figura 2. utilizando el optoacoplador 4N25. ID (mA) VD(v) . Los 5v en el pin 1 del optoacoplador pueden alimentarse a través de un botón al ser presionado.

3 5. VCE (volts) 11.3 6 5. y realice la grafica de IC contra VCE. explique cuál es el comportamiento que se tiene con el ancho de pulso.7 6. para hacer esto registre.4 7. la frecuencia del PWM.41 10.4 6.LABOTORIO DE ELECTRONICA II 62 63 96 111 120 129 131 138 143 164 12 10 8 VD (volts) 6 4 2 0 0 20 40 60 80 100 120 10. la cual se encuentra en hoja de datos del mismo. Realice el circuito de la figura 2.2 7.6 9.14.9 6. pero sustituyendo el transistor por un BJT.9 5.32 8.1 140 160 180 ID (mA) Grafica de comparación de VD vs ID Utilizando un área de operación segura del transistor MOSFET empleado. 7.2 IC (mA) 252 281 304 344 482 .5 10.

9. El transistor para mantener un área fiable de operación no debe ser sometido a una potencia mayor de disipación que las curvas indican. registre la frecuencia del PWM. El control de potencia de la relación de la corriente de colector y la tensión de colector emisor se logra por medio de la base del transistor en la que esta en relación con corriente base que es le resultado de la corriente eficaz generado por el PWM que varia dependiendo de la tensión que siempre depende de la frecuencia en la practica se uso um PWM con una frecuencia de 720Hz.15 y7 realiza un análisis donde se compare el funcionamiento con el de la figura 2. . la cual se encuentra en la hoja de datos del mismo. explique cuál es el comportamiento que se tiene con el ancho de pulso. 8. para hacer esto. Elabora el circuito mostrado en la figura 2.LABOTORIO DE ELECTRONICA II 600 500 400 Ic (mA) 300 200 100 0 0 2 4 6 VCE (volts) 8 10 12 14 Grafica de Ic comparada con VCE Utilizando el área de operación segura del BJT empleado.

el potenciómetro P y la resistencia R.15 se muestra un circuito de disparo de pulsos. Puesto que el DIAC es un dispositivo bidireccional. el condensador C. Conclusión . valores positivos o negativos desarrollados sobre el condensador harán que este alcance sus niveles de disparo. permitiendo el control de la potencia suministrada a la carga tanto en semi-ciclos positivos como negativos de la tensión aplicada.9 se presenta el circuito de disparo conformado por el DIAC. obteniendo de esta forma un control de 180° sobre cada semi-ciclo.LABOTORIO DE ELECTRONICA II En la figura 2. Los valores resistivos permiten el ajuste de la constante de tiempo de carga del condensador de tal forma que lenta o rápidamente se alcance el nivel de disparo del DIAC y por lo tanto se lleve a conducción el TRIAC. En cambio en la figura 2.